JP2007199081A - Acceleration sensor - Google Patents
Acceleration sensor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007199081A JP2007199081A JP2007062079A JP2007062079A JP2007199081A JP 2007199081 A JP2007199081 A JP 2007199081A JP 2007062079 A JP2007062079 A JP 2007062079A JP 2007062079 A JP2007062079 A JP 2007062079A JP 2007199081 A JP2007199081 A JP 2007199081A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- axis direction
- acceleration
- axis
- portions
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、互いに直交するX軸方向とY軸方向とZ軸方向の三軸方向の加速度を検出することができる加速度センサに関するものである。 The present invention relates to an acceleration sensor capable of detecting accelerations in three axial directions, ie, an X-axis direction, a Y-axis direction, and a Z-axis direction, which are orthogonal to each other.
図15aには加速度センサの一例が模式的な斜視図により示されている(例えば特許文献1参照)。この加速度センサ40は、枠部41と、この枠部41の中央部に配置されている円柱状の重錘体42と、この重錘体42のX軸方向の両側からそれぞれX軸方向に沿って枠部41に向けて伸長形成されているX軸方向梁部43a,43bと、重錘体42のY軸方向の両側からそれぞれY軸方向に沿って枠部41に向けて伸長形成されているY軸方向梁部44a,44bと、重錘体42に連接されている4つの補助重錘体45a〜45dと、X軸方向梁部43a,43bに形成されている抵抗素子Rx1〜Rx4,Rz1〜Rz4と、Y軸方向梁部44a,44bに形成されている抵抗素子Ry1〜Ry4とを有して構成されている。
FIG. 15a shows an example of an acceleration sensor in a schematic perspective view (see, for example, Patent Document 1). The
図15aに示される加速度センサ40の構成では、X軸方向梁部43a,43bの中心軸は、円柱状の重錘体42の中心軸を通ってX軸方向に沿って伸びる同一直線上に配置され、また、Y軸方向梁部44a,44bの中心軸は重錘体42の中心軸を通ってY軸方向に沿って伸びる同一直線上に配置されている。これらX軸方向梁部43a,43bおよびY軸方向梁部44a,44bは、それぞれ、撓み変形が可能な構成と成している。
In the configuration of the
抵抗素子Rx1,Rx2はX軸方向梁部43aにX軸方向に沿って配列配置され、抵抗素子Rx3,Rx4はX軸方向梁部43bにX軸方向に沿って配列配置されている。抵抗素子Ry1,Ry2はY軸方向梁部44aにY軸方向に沿って配列配置され、抵抗素子Ry3,Ry4はY軸方向梁部44bにY軸方向に沿って配列配置されている。抵抗素子Rz1,Rz2はX軸方向梁部43aにX軸方向に沿って配列配置され、抵抗素子Rz3,Rz4はX軸方向梁部43bにX軸方向に沿って配列配置されている。これら抵抗素子Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4は、それぞれ、梁部43a,43b,44a,44bの撓み変形による梁部43a,43b,44a,44bの応力変化によって電気抵抗値が変化するものである。
The resistance elements Rx1 and Rx2 are arranged in the X-axis
4つの抵抗素子Rx1〜Rx4が図15bに示されるようなブリッジ回路を、また、4つの抵抗素子Ry1〜Ry4が図15cに示されるようなブリッジ回路を、さらに、4つの抵抗素子Rz1〜Rz4が図15dに示されるようなブリッジ回路を、それぞれ、構成するための配線が梁部43a,43b,44a,44bや枠部41に設けられている。なお、図15b〜図15dに示されている符号Vccは、外部の電圧電源に接続される電圧電源入力部を示し、符号Px1,Px2,Py1,Py2,Pz1,Pz2は、それぞれ、電圧検出部を示している。
Four resistance elements Rx1 to Rx4 form a bridge circuit as shown in FIG. 15b, four resistance elements Ry1 to Ry4 form a bridge circuit as shown in FIG. 15c, and four resistance elements Rz1 to Rz4 Wiring for configuring the bridge circuit as shown in FIG. 15d is provided in the
重錘体42および補助重錘体45a〜45dは、それぞれ、浮いた状態となっており、梁部43a,43b,44a,44bの撓み変形によって、変位が可能になっている。例えば、X軸方向の加速度に起因したX軸方向の力が重錘体42および補助重錘体45a〜45dに作用すると、その力によって重錘体42および補助重錘体45a〜45dはX軸方向に振れ変位する。また同様に、Y軸方向の加速度に起因したY軸方向の力が重錘体42および補助重錘体45a〜45dに作用すると、その力によって重錘体42および補助重錘体45a〜45dはY軸方向に振れ変位する。さらに同様に、Z軸方向の加速度に起因したX軸方向の力が重錘体42および補助重錘体45a〜45dに作用すると、その力によって重錘体42および補助重錘体45a〜45dはZ軸方向に振れ変位する。このような重錘体42および補助重錘体45a〜45dの変位によって梁部43a,43b,44a,44bが撓み変形する。
Each of the
加速度センサ40では、上記のような梁部43a,43b,44a,44bの撓み変形による梁部43a,43b,44a,44bの応力発生によって抵抗素子Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4の抵抗値が変化する。この抵抗素子の抵抗値の変化によって、図15b〜図15dの各ブリッジ回路の4つの抵抗素子の抵抗値のバランスが崩れて、例えば、X軸方向の加速度が発生しているときには、図15bのブリッジ回路の電圧検出部Px1,Px2からそれぞれ出力される電圧に差が生じる。この電圧差を利用してX軸方向の加速度の大きさを検出することができる。また、Y軸方向の加速度が発生しているときには、図15cのブリッジ回路の電圧検出部Py1,Py2からそれぞれ出力される電圧に差が生じる。この電圧差を利用してY軸方向の加速度の大きさを検出することができる。さらに、Z軸方向の加速度が発生しているときには、図15dのブリッジ回路の電圧検出部Pz1,Pz2からそれぞれ出力される電圧に差が生じる。この電圧差を利用してZ軸方向の加速度の大きさを検出することができる。
In the
図15aに示される加速度センサ40の構成では、直線状の梁部43a,43b,44a,44bが、重錘体42の四方にそれぞれ配置されて、重錘体42を枠部41に連結している。このため、熱応力によって枠部41に歪みが生じたときに、その枠部41の歪みに伴って梁部43a,43b,44a,44bに歪みが生じ当該梁部43a,43b,44a,44bには圧縮応力や引っ張り応力が発生する。加速度を検出するための抵抗素子Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4は、それぞれ、梁部43a,43b,44a,44bに設けられているために、加速度が生じていないのにも拘わらず、枠部41の熱応力による歪みに起因した梁部43a,43b,44a,44bの応力発生によって、抵抗素子Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4の電気抵抗値が変化する。これにより、加速度が生じていないのにも拘わらず、図15b〜図15dのブリッジ回路から、加速度発生時の電圧が出力されてしまうことがある。
In the configuration of the
また、重錘体42の四方にそれぞれ伸長形成されている梁部43a,43b,44a,44bに、加速度検出用の抵抗素子Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4を設ける構成であり、それら抵抗素子の配置位置は分散している。例えば、梁部43a,43b,44a,44bがシリコンにより構成されている場合には、各梁部43a,43b,44a,44bにおける抵抗素子配置位置に、リン(P)やボロン(B)をドープしてピエゾ抵抗である抵抗素子Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4を形成する。この場合に、抵抗素子配置位置が分散していると、各抵抗素子配置位置にリンやボロンを均等にドープすることが難しく、各抵抗素子配置位置のドープ濃度にばらつきが生じる。このため、図15b〜図15dに示す各ブリッジ回路の4つの抵抗素子の抵抗値のバランスを取ることが難しく、加速度検出の精度の向上を妨げるという問題が生じる。
In addition, acceleration detecting resistance elements Rx1 to Rx4, Ry1 to Ry4, and Rz1 to Rz4 are provided on the
本発明は上記課題を解決するために次に示すような構成を有している。すなわち、この発明は、
互いに直交するX軸とY軸とZ軸のうちのX軸およびY軸を含むXY平面に平行なXY基板面を持つ基台と、
この基台のXY基板面上に浮いた状態で配置される枠状の梁部と、
この梁部からX軸方向に沿って梁部の両側にそれぞれ外向きに伸長形成されている支持部を介して梁部を基台に両持ち梁状に支持する梁部支持固定部と、
前記基台のXY基板面上に浮いた状態で前記梁部のY軸方向の両側からそれぞれY軸方向に沿って外向きに伸長形成されている連結部と、
各連結部の伸長先端部にそれぞれ連接されて前記基台のXY基板面上に浮いた状態で配置された錘部とを有し、
前記錘部はその重心位置が当該錘部を支持する梁部の支点位置に対して高さ位置がずれていることで、加速度を受けて枠状の梁部の変形によりX軸方向とY軸方向とZ軸方向の三軸方向に変位可能な構成と成し、
前記梁部には、X軸方向の加速度による錘部のX軸方向変位に起因した梁部の撓み変形部位に設けられて該撓み変形をX軸方向の加速度として検出するためのX軸方向加速度検出部と、Y軸方向の加速度による錘部のY軸方向変位に起因した梁部の撓み変形部位に設けられて該撓み変形をY軸方向の加速度として検出するためのY軸方向加速度検出部と、Z軸方向の加速度による錘部のZ軸方向変位に起因した梁部の撓み変形部位に設けられて該撓み変形をZ軸方向の加速度として検出するためのZ軸方向加速度検出部とが設けられており、
前記梁部に設けられているZ軸方向加速度検出部とY軸方向加速度検出部とX軸方向加速度検出部は、それぞれ、梁部の変形による梁部の応力変化によって電気抵抗値が変化するピエゾ抵抗部を有して構成されていることを特徴としている。
In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration. That is, this invention
A base having an XY substrate surface parallel to an XY plane including the X axis and the Y axis of the X axis, the Y axis, and the Z axis orthogonal to each other;
A frame-like beam portion arranged in a floating state on the XY substrate surface of the base;
A beam portion supporting and fixing portion that supports the beam portion in a doubly-supported form on the base via support portions that extend outwardly from both sides of the beam portion along the X-axis direction from the beam portion;
A connecting portion extending outwardly along the Y-axis direction from both sides in the Y-axis direction of the beam portion in a state of floating on the XY substrate surface of the base;
A weight portion that is connected to the extending tip portion of each connecting portion and arranged in a floating state on the XY substrate surface of the base,
The weight portion has a center of gravity shifted from a height position with respect to a fulcrum position of the beam portion supporting the weight portion, so that the X-axis direction and the Y-axis are received by the deformation of the frame-shaped beam portion due to acceleration. And a structure that can be displaced in the three-axis direction of the direction and the Z-axis direction,
An X-axis direction acceleration is provided in the beam portion for detecting a bending deformation as an acceleration in the X-axis direction, which is provided at a bending deformation portion of the beam portion due to the X-axis direction displacement of the weight portion due to the X-axis direction acceleration. A detection unit and a Y-axis direction acceleration detection unit which is provided at a bending deformation part of the beam unit due to the Y-axis direction displacement of the weight unit due to the acceleration in the Y-axis direction and detects the bending deformation as an acceleration in the Y-axis direction. And a Z-axis direction acceleration detection unit that is provided at a bending deformation portion of the beam portion due to the Z-axis direction displacement of the weight portion due to the acceleration in the Z-axis direction and detects the bending deformation as an acceleration in the Z-axis direction. Provided,
The Z-axis direction acceleration detection unit, the Y-axis direction acceleration detection unit, and the X-axis direction acceleration detection unit provided in the beam part each have a piezoelectric element whose electric resistance value changes due to a stress change of the beam part due to the deformation of the beam part. It is characterized by having a resistance portion.
この発明によれば、枠状の梁部は、X軸方向に沿って梁部の両側にそれぞれ外向きに伸長形成されている支持部を介して両持ち梁状に基台に支持されている構成とした。このため、例えば、熱応力によって基台に歪みが生じたときに、Y軸方向(例えば長手方向)の歪みは支持部の撓み変形により吸収され、また、X軸方向(例えば短手方向)の歪みは歪みによる絶対変位が小さい上に、支持部および連結部に連接されている梁部領域から離れた梁部領域がX軸方向の歪みに応じて変形して吸収されるため、梁部における支持部との連接部位およびその隣接領域と、連結部との連接部位およびその隣接領域とに歪みが生じることを防止できる。例えば熱応力等によって基台の歪みが生じたときに当該基台の歪みに起因して歪みが発生しない梁部領域に、梁部の歪みに基づいて加速度を検出するためのX軸方向加速度検出部とY軸方向加速度検出部とZ軸方向加速度検出部を形成することにより、基台の熱応力による歪みに起因した加速度の誤検出の事態(つまり、加速度が発生していないのにも拘わらず、基台の熱応力による歪みに起因してX軸方向加速度検出部やY軸方向加速度検出部やZ軸方向加速度検出部により加速度が検出されてしまうという誤検出の事態)の発生を抑制することができる。 According to this invention, the frame-shaped beam portion is supported by the base in the form of a cantilever beam via the support portions that are formed to extend outward on both sides of the beam portion along the X-axis direction. The configuration. For this reason, for example, when distortion occurs in the base due to thermal stress, the distortion in the Y-axis direction (for example, the longitudinal direction) is absorbed by the bending deformation of the support portion, and also in the X-axis direction (for example, the short direction). Strain is small in absolute displacement due to strain, and the beam part region away from the beam part region connected to the support part and the connecting part is deformed and absorbed according to the strain in the X-axis direction. It is possible to prevent distortion from occurring in the connecting portion with the support portion and its adjacent region, and the connecting portion with the connecting portion and its adjacent region. For example, when the base is distorted due to thermal stress, etc., X-axis direction acceleration detection is used to detect acceleration based on the beam distortion in the beam area where no distortion occurs due to the distortion of the base. By forming the Y-axis direction acceleration detection unit and the Z-axis direction acceleration detection unit, an erroneous detection of acceleration due to distortion due to thermal stress of the base (that is, although no acceleration has occurred) Suppress the occurrence of misdetection that the acceleration is detected by the X-axis direction acceleration detection unit, the Y-axis direction acceleration detection unit, and the Z-axis direction acceleration detection unit due to distortion due to the thermal stress of the base. can do.
また、この発明では、枠状の梁部が両持ち梁状に基台に支持され、その梁部に錘部が片持ち梁状に支持された簡単な構造であり、これにより、小型化を促進させることが容易である。 In addition, the present invention has a simple structure in which the frame-shaped beam portion is supported by the base in the form of a cantilever beam, and the weight portion is supported in a cantilever shape by the beam portion, thereby reducing the size. Easy to promote.
さらに、この発明では、錘部は枠状の梁部に片持ち梁状に連結する構成である。このため、加速度による錘部の変位が大きくなり、これにより、錘部の変位に起因した梁部の撓み変形が大きくなって、加速度検出の感度を高めることができる。 Further, according to the present invention, the weight portion is connected to the frame-like beam portion in a cantilever shape. For this reason, the displacement of the weight portion due to the acceleration is increased, whereby the bending deformation of the beam portion due to the displacement of the weight portion is increased, and the sensitivity of acceleration detection can be increased.
以下に、この発明に係る実施例を図面に基づいて説明する。 Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1aには本発明に係る加速度センサの第1実施例が模式的な斜視図により示され、図1bには図1aの加速度センサの模式的な平面図が示されている。また、図2aには図1bのa−a部分の模式的な断面図が示され、図2bには図1bのb−b部分の模式的な断面図が示され、図2cには図1bのc−c部分の模式的な断面図が示されている。さらに、図3aには図1bのA−A部分の模式的な断面図が示され、図3bには図1bのB−B部分の模式的な断面図が示され、図3cには図1bのC−C部分の模式的な断面図が示されている。 FIG. 1a shows a schematic perspective view of a first embodiment of an acceleration sensor according to the present invention, and FIG. 1b shows a schematic plan view of the acceleration sensor of FIG. 1a. 2a is a schematic cross-sectional view of the aa portion of FIG. 1b, FIG. 2b is a schematic cross-sectional view of the bb portion of FIG. 1b, and FIG. A schematic cross-sectional view of the cc portion is shown. 3a shows a schematic cross-sectional view of the AA portion of FIG. 1b, FIG. 3b shows a schematic cross-sectional view of the BB portion of FIG. 1b, and FIG. A schematic cross-sectional view of the CC section is shown.
この第1実施例の加速度センサ1は、互いに直交するX軸とY軸とZ軸の三軸方向の加速度をそれぞれ検出することができるものである。この加速度センサ1は基台2を有している。この基台2は、X軸およびY軸を含むXY平面に平行なXY基板面3を持ち、このXY基板面3の上方側には、枠状の梁部4が浮いた状態で配置されている。この枠状の梁部4は方形状と成し、当該梁部4のX軸方向の両側からそれぞれX軸方向に沿って外向きに支持部5(5a,5b)が伸長形成されている。これら支持部5a,5bは、それぞれ、基台2に対して浮いた状態と成し、支持部5a,5bの各伸長先端部は固定部6に連接されている。この固定部6は、梁部4および後述する錘部7(7a,7b)の形成領域を間隔を介して囲む枠状の形態を有し、当該固定部6は基台2に固定されている。換言すれば、梁部4は、支持部5a,5bを介して基台2に両持ち梁状に支持固定されている。すなわち、この第1実施例では、支持部5(5a,5b)と固定部6によって梁部支持固定部が構成されている。
The
錘部7a,7bは、梁部4を間にしてY軸方向に配列配置され、かつ、基台2のXY基板面3の上方側に浮いた状態で配置されている。これら各錘部7a,7bは、それぞれ、梁部4のY軸方向の両側からそれぞれY軸方向に沿って外向きに伸長形成された連結部8(8a,8b)によって、梁部4に連接されている。連結部8(8a,8b)は基台2に対して浮いた状態と成し、錘部7a,7bは、梁部4の撓み変形によって、X軸方向とY軸方向とZ軸方向の三軸方向に変位可能な構成となっている。
The
第1実施例では、各支持部5a,5bのX軸方向に沿った中心軸は同一直線上に配置され、また、各連結部8a,8bのY軸方向に沿った中心軸は同一直線上に配置されている。梁部4は方形状と成し、当該梁部4は、支持部5a,5bの中心軸を通るX方向中心軸に対して対称な形状であり、かつ、連結部8a,8bの中心軸を通るY方向中心軸に対して対称な形状となっている。
In the first embodiment, the central axes along the X-axis direction of the
また、第1実施例では、梁部4において、各連結部8a,8bからそれぞれ連結部8の幅をもって梁部4の領域へY軸方向に延長した連結部側帯状梁部部位15(15a,15b)(図4の点線Z15で囲んだ領域を参照)のZ軸方向の厚みは、連結部8のZ軸方向の厚みと同じ厚みとなっている。また、各支持部5a,5bからそれぞれ支持部5の幅をもって梁部4の領域へX軸方向に延長した支持部側帯状梁部部位16(16a,16b)(図4の点線Z16で囲んだ領域を参照)のZ軸方向の厚みは、支持部5のZ軸方向の厚みと同じ厚みとなっている。第1実施例では、梁部4における連結部側帯状梁部部位15(15a,15b)および支持部側帯状梁部部位16(16a,16b)のZ軸方向の厚みが、例えば約400μm程度であるのに対して、梁部4のそれ以外の部分のZ軸方向の厚みは、例えば約5〜10μm程度というように、梁部4のそれ以外の部分のZ軸方向の厚みは、梁部4における連結部側帯状梁部部位15(15a,15b)および支持部側帯状梁部部位16(16a,16b)のZ軸方向の厚みよりも薄くなっている。
Further, in the first embodiment, in the
この第1実施例では、錘部7のZ軸方向の厚みは、例えば約400μm程度というように、支持部5や連結部8のZ軸方向の厚みとほぼ同様な厚みとなっている。また、錘部7(7a,7b)の重心は、例えば図3bに示される点W7の位置であり、錘部7(7a,7b)を支える梁部4の支点は、例えば図3bに示される点W4の位置となっており、錘部7の重心位置と、錘部7(7a,7b)を支える梁部4の支点位置とは、高さ位置(Z軸方向の位置)がずれている。
In the first embodiment, the thickness of the
この第1実施例では、上述した梁部4と支持部5(5a,5b)と固定部6と錘部7(7a,7b)と連結部8(8a,8b)は、SOI(Silicon-On-Insulator)基板(つまり、Si層10とSiO2層11とSi層12が順に積層形成されている多層基板)13をマイクロマシニング技術を利用して加工して形作られたものである。
In the first embodiment, the
第1実施例では、Siにより構成される梁部4の次に示すような部位を加工して、加速度を検出するためのピエゾ抵抗部が設けられている。すなわち、図5の模式的な拡大図に示されるように、梁部4において、連結部側帯状梁部部位15aの帯幅両側にピエゾ抵抗部RX1,RX2がそれぞれ配設され、連結部側帯状梁部部位15bの帯幅両側にピエゾ抵抗部RX3,RX4がそれぞれ配設されている。これら4つのピエゾ抵抗部RX1,RX2,RX3,RX4は、X軸方向の加速度を検出するためのX軸方向加速度検出部を構成している。梁部4や支持部5(5a,5b)や固定部6には、それらピエゾ抵抗部RX1,RX2,RX3,RX4による図6aに示されるようなブリッジ回路を構成するための配線パターンが形成されている。
In the first embodiment, a piezoresistive portion for detecting acceleration by processing the following portion of the
例えば、図7には、その配線パターンの一配線例が模式的に表されている。この例では、配線パターンLによって、連結部側帯状梁部部位15aの帯幅両側に配設されているピエゾ抵抗部RX1,RX2の一端側同士が電気的に接続されて電圧検出部Px1が形成されている。固定部6の表面には、図1に示されるように、複数の外部接続用の電極パッド18が形成されており、電圧検出部Px1は、配線パターンLによって、当該電圧検出部Px1に個別に対応する外部接続用の電極パッド18に電気的に接続されている。同様に、連結部側帯状梁部部位15bの帯幅両側に配設されているピエゾ抵抗部RX3,RX4の一端側同士が電気的に接続されて電圧検出部Px2が形成されている。この電圧検出部Px2は、配線パターンLによって、当該電圧検出部Px2に個別に対応する外部接続用の電極パッド18に電気的に接続されている。また、ピエゾ抵抗部RX2,RX4の他端側は、それぞれ、配線パターンLによって、外部の電圧電源Vsに接続するための外部接続用の電極パッド18に電気的に接続されている。さらに、ピエゾ抵抗部RX1,RX3の他端側は、それぞれ、配線パターンLによって、外部のグランドGNDに接続するための外部接続用の電極パッド18に電気的に接続されている。
For example, FIG. 7 schematically shows one wiring example of the wiring pattern. In this example, the wiring pattern L electrically connects one end sides of the piezoresistive portions R X1 and R X2 disposed on both sides of the band width of the connecting portion side band-shaped
また、梁部4において、支持部側帯状梁部部位16aの帯幅両側にピエゾ抵抗部RY2,RY3がそれぞれ配設され、支持部側帯状梁部部位16bの帯幅両側にピエゾ抵抗部RY1,RY4がそれぞれ配設されている。これら4つのピエゾ抵抗部RY1,RY2,RY3,RY4は、Y軸方向の加速度を検出するためのY軸方向加速度検出部を構成している。梁部4や支持部5(5a,5b)や固定部6には、それらピエゾ抵抗部RY1,RY2,RY3,RY4による図6bに示されるようなブリッジ回路を構成するための配線パターンが形成されている。
In the
例えば、図7に表されている配線パターンの配線例では、配線パターンLによって、支持部側帯状梁部部位16aの帯幅両側に配設されているピエゾ抵抗部RY2,RY3の一端側同士が電気的に接続されて電圧検出部PY1が形成されている。この電圧検出部PY1は、配線パターンLによって、当該電圧検出部PY1に個別に対応する外部接続用の電極パッド18に電気的に接続されている。同様に、支持部側帯状梁部部位16bの帯幅両側に配設されているピエゾ抵抗部RY1,RY4の一端側同士が電気的に接続されて電圧検出部PY2が形成されている。この電圧検出部PY2は、配線パターンLによって、当該電圧検出部PY2に個別に対応する外部接続用の電極パッド18に電気的に接続されている。また、ピエゾ抵抗部RY2,RY4の他端側は、それぞれ、配線パターンLによって、外部の電圧電源Vsに接続するための外部接続用の電極パッド18に電気的に接続されている。さらに、ピエゾ抵抗部RY1,RY3の他端側は、それぞれ、配線パターンLによって、外部のグランドGNDに接続するための外部接続用の電極パッド18に電気的に接続されている。
For example, in the wiring example of the wiring pattern shown in FIG. 7, one end side of the piezoresistive portions R Y2 and R Y3 arranged on both sides of the band width of the support-side band-shaped
さらに、支持部5a,5bのX軸方向に沿う各中心軸上にはそれぞれピエゾ抵抗部Rzが形成され、梁部4における支持部側帯状梁部部位16aの片端側(図5の例では上側)にはピエゾ抵抗部Rz2が形成され、支持部側帯状梁部部位16bの片端側(図5の例では下側)にはピエゾ抵抗部Rz4が形成されている。これら4つのピエゾ抵抗部Rz,Rz,Rz2,Rz4は、Z軸方向の加速度を検出するためのZ軸方向加速度検出部を構成している。梁部4や支持部5(5a,5b)や固定部6には、それらピエゾ抵抗部Rz,Rz,Rz2,Rz4による図6cに示されるようなブリッジ回路を構成するための配線パターンが形成されている。
Further, a piezoresistive portion R z is formed on each central axis along the X-axis direction of the
例えば、図7に表されている配線パターンの配線例では、配線パターンLによって、支持部5aのピエゾ抵抗部RZと、支持部側帯状梁部部位16aの片端側のピエゾ抵抗部RZ2との一端側同士が電気的に接続されて電圧検出部PZ1が形成されている。この電圧検出部PZ1は、配線パターンLによって、当該電圧検出部PZ1に個別に対応する外部接続用の電極パッド18に電気的に接続されている。同様に、支持部5bのピエゾ抵抗部RZと、支持部側帯状梁部部位16bの片端側のピエゾ抵抗部RZ4との一端側同士が電気的に接続されて電圧検出部PZ2が形成されている。この電圧検出部PZ2は、配線パターンLによって、当該電圧検出部PZ2に個別に対応する外部接続用の電極パッド18に電気的に接続されている。また、配線パターンLによって、ピエゾ抵抗部RZ2の他端側と、支持部5bのピエゾ抵抗部RZの他端側とは、それぞれ、配線パターンLによって、外部の電圧電源Vsに接続するための外部接続用の電極パッド18に電気的に接続されている。さらに、配線パターンLによって、ピエゾ抵抗部RZ4の他端側と、支持部5aのピエゾ抵抗部RZの他端側とは、それぞれ、配線パターンLによって、外部のグランドGNDに接続するための外部接続用の電極パッド18に電気的に接続されている。
For example, in the wiring example of the wiring pattern shown in FIG. 7, the wiring pattern L causes the piezoresistive portion R Z of the
この第1実施例では、加速度が発生していないときに図6a〜図6cの各ブリッジ回路を構成している4つのピエゾ抵抗部の抵抗値が均衡状態となるようにピエゾ抵抗部が形成されている。 In the first embodiment, the piezoresistive portion is formed so that the resistance values of the four piezoresistive portions constituting the bridge circuits of FIGS. 6a to 6c are in an equilibrium state when no acceleration is generated. ing.
この第1実施例の加速度センサ1は上記のように構成されており、次に述べるように加速度を検出することができる。例えば、X軸方向の加速度が発生すると、その加速度に起因したX軸方向の力が錘部7(7a,7b)に作用する。この錘部7へのX軸方向の作用力によって、錘部7(7a,7b)は、図8aのモデル図の点線に示される基準状態から、例えば図8aの実線および図8bの模式的な断面図に示されるように、X軸方向に振れ変位する。このような錘部7のX軸方向の変位によって連結部8を介して梁部4が撓み変形し、これにより、梁部4には次に示すような応力が発生する。
The
例えば、錘部7が図8a、図8bに示されるように変位した場合には、図8cのモデル図に示されるように、梁部4において、連結部側帯状梁部部位15aの左側ALには引っ張り応力が、また、連結部側帯状梁部部位15aの右側ARには圧縮応力が、さらに、連結部側帯状梁部部位15bの左側BLには引っ張り応力が、さらにまた、連結部側帯状梁部部位15bの右側BRには圧縮応力が、それぞれ、発生する。また、支持部側帯状梁部部位16aの両側CU,CDには、それぞれ、圧縮応力が発生し、支持部側帯状梁部部位16bの両側DU,DDには、それぞれ、引っ張り応力が発生する。このように錘部7のX軸方向の加速度に起因して応力が発生する梁部4の各々の部分AL,AR,BL,BR,CU,CD,DU,DDには、それぞれ、ピエゾ抵抗部RX2,RX1,RX3,RX4,RY2,RY3,RY1,RY4,RZ2,RZ4が設けられている。これらピエゾ抵抗部RX2,RX1,RX3,RX4,RY2,RY3,RY1,RY4,RZ2,RZ4は、それぞれ、X軸方向の加速度に起因した応力発生によって、電気抵抗値が変化する。図6bのブリッジ回路において、X軸方向の加速度が発生しているときには、ピエゾ抵抗部RY1,RY4は、例えば引っ張り応力に基づいた抵抗値変化を示すのに対して、ピエゾ抵抗部RY2,RY3は、例えば圧縮応力に基づいた抵抗値変化を示すというように、ピエゾ抵抗部RY1,RY4と、ピエゾ抵抗部RY2,RY3とは、加速度が発生していないときの基準の抵抗値から互いに正負(増減)逆向きに抵抗値が変化することから、ピエゾ抵抗部RY1,RY4と、ピエゾ抵抗部RY2,RY3との抵抗値変化は互いにキャンセルされ、これにより、図6bのブリッジ回路の出力には大きな変化が無い。
For example, when the
また、図6cのブリッジ回路を構成しているピエゾ抵抗部RZ,RZの配設部分の応力変化は殆ど無い。また、ピエゾ抵抗部RZ2は、例えば圧縮応力に基づいた抵抗値変化を示し、ピエゾ抵抗部RZ4は、例えば引っ張り応力に基づいた抵抗値変化を示すというように、加速度が発生していないときの基準の抵抗値から互いに正負(増減)逆向きに抵抗値が変化することから、ピエゾ抵抗部RZ2,RZ4の抵抗値変化は互いにキャンセルされ、これにより、図6cのブリッジ回路の出力には大きな変化が無い。 Further, there is almost no change in stress in the portion where the piezoresistive portions R Z and R Z constituting the bridge circuit of FIG. Further, when acceleration is not generated, the piezoresistive portion R Z2 shows a change in resistance value based on, for example, compressive stress, and the piezoresistive portion R Z4 shows a change in resistance value based on, for example, tensile stress. The resistance values of the piezoresistors R Z2 and R Z4 are canceled each other because the resistance value changes in the opposite direction from the reference resistance value of the first and second (increase / decrease), thereby canceling the output of the bridge circuit of FIG. 6c. There is no big change.
これに対して、図6aのブリッジ回路においては、X軸方向の加速度が発生しているときには、ピエゾ抵抗部RX1,RX4は、例えば圧縮応力に基づいた抵抗値変化を示し、また、ピエゾ抵抗部RX2,RX3は、例えば引っ張り応力に基づいた抵抗値変化を示すことから、図6aのブリッジ回路の抵抗値の均衡状態が崩れて、図6aのブリッジ回路の出力が変化する。X軸方向の加速度の大きさに応じて図6aのブリッジ回路の出力の変動幅が変化することから、図6aのブリッジ回路の出力に基づいてX軸方向の加速度の大きさを検出することができる。 On the other hand, in the bridge circuit of FIG. 6a, when acceleration in the X-axis direction is generated, the piezoresistive portions R X1 and R X4 exhibit a change in resistance value based on, for example, compressive stress, and the piezo resistance Since the resistance portions R X2 and R X3 exhibit a change in resistance value based on, for example, tensile stress, the balance state of the resistance value of the bridge circuit in FIG. 6A is disrupted, and the output of the bridge circuit in FIG. 6A changes. Since the fluctuation range of the output of the bridge circuit of FIG. 6a changes according to the magnitude of the acceleration in the X-axis direction, the magnitude of the acceleration in the X-axis direction can be detected based on the output of the bridge circuit of FIG. 6a. it can.
例えば、Y軸方向の加速度が発生すると、その加速度に起因したY軸方向の力が錘部7(7a,7b)に作用する。この第1実施例では、錘部7の重心位置と、錘部7を支える梁部4の支点位置との高さ位置がずれているので、この重心と支点の位置ずれによって、錘部7(7a,7b)にY軸方向の力が作用すると、錘部7a,7bは、図9aのモデル図の点線に示される基準状態から、例えば図9aに示される実線および図9bの模式的な断面図に示されるように、錘部7a,7bの一方側(図9aおよび図9bの例では錘部7a)は基台2に近付きながらY軸方向に変位し、他方側(図9aおよび図9bの例では錘部7b)は基台2に対して持ち上がりながらY軸方向に変位する。これにより、連結部8および梁部4が撓み変形して、梁部4には次に示すような応力が発生する。
For example, when acceleration in the Y-axis direction occurs, a force in the Y-axis direction resulting from the acceleration acts on the weight portion 7 (7a, 7b). In this first embodiment, the height position of the center of gravity of the
例えば、錘部7が図9a、図9bに示されるように変位する場合には、図9cのモデル図に示されるように、梁部4において、支持部側帯状梁部部位16aの上側CUには引っ張り応力が、また、支持部側帯状梁部部位16aの下側CDには圧縮応力が、それぞれ、発生する。さらに、支持部側帯状梁部部位16bの上側DUには引っ張り応力が、また、支持部側帯状梁部部位16bの下側DDには圧縮応力が、それぞれ、発生する。このようにY軸方向の加速度に起因して応力が発生する梁部4の各々の部分CU,CD,DU,DDには、それぞれ、ピエゾ抵抗部RY2,RY3,RY1,RY4が設けられている。これらピエゾ抵抗部RY2,RY3,RY1,RY4は、それぞれ、Y軸方向の加速度に起因した応力発生によって、電気抵抗値が変化する。図6bのブリッジ回路において、Y軸方向の加速度が発生しているときには、ピエゾ抵抗部RY1,RY2は、例えば引っ張り応力に基づいた抵抗値変化を示し、また、ピエゾ抵抗部RY3,RY4は、例えば圧縮応力に基づいた抵抗値変化を示すことから、図6bのブリッジ回路の抵抗値の均衡状態が崩れて、図6bのブリッジ回路の出力が変化する。Y軸方向の加速度の大きさに応じて図6bのブリッジ回路の出力の変動幅が変化することから、図6bのブリッジ回路の出力に基づいてY軸方向の加速度の大きさを検出することができる。
For example, when the
なお、この第1実施例では、支持部側帯状梁部部位16aの上側CUにはピエゾ抵抗部RZ2が、また、支持部側帯状梁部部位16bの下側DDにはピエゾ抵抗部RZ4が、それぞれ、配設されている。Y軸方向の加速度に起因した梁部4の応力発生により、ピエゾ抵抗部RZ2,RZ4の抵抗値も変化するが、ピエゾ抵抗部RZ2は例えば引っ張り応力に基づいた抵抗値変化であり、ピエゾ抵抗部RZ4は例えば圧縮応力に基づいた抵抗値変化であるというように、ピエゾ抵抗部RZ2,RZ4の抵抗値の変化は、加速度が無い状態での基準の抵抗値から正負逆向きに変化することから、ピエゾ抵抗部RZ2,RZ4の抵抗値変化は互いにキャンセルされ、これにより、図6cのブリッジ回路の出力には大きな変化が無い。また、図6aのブリッジ回路を構成するピエゾ抵抗部RX1,RX2,RX3,RX4は、Y軸方向の加速度が発生しているときに応力変化が殆ど無い部分に配設されているので、それらピエゾ抵抗部RX1,RX2,RX3,RX4の抵抗値の変化は殆ど無く、図6aのブリッジ回路の出力にも大きな変化が無い。
In this first embodiment, the piezoresistive portion R Z2 is the upper C U of the support part side band
例えば、Z軸方向の加速度が発生すると、その加速度に起因したZ軸方向の力が錘部7(7a,7b)に作用する。この錘部7へのZ軸方向の作用力によって、錘部7(7a,7b)は、図10aのモデル図の点線に示される基準状態から、例えば図9aに示される実線および図10bの模式的な断面図に示されるように、錘部7(7a,7b)はZ軸方向に変位する。これにより、連結部8および梁部4が撓み変形し、梁部4には次に示すような応力が発生する。
For example, when acceleration in the Z-axis direction occurs, a force in the Z-axis direction due to the acceleration acts on the weight portion 7 (7a, 7b). Due to the acting force in the Z-axis direction on the
例えば、錘部7が図10aや図10bに示されるように変位する場合には、図10cのモデル図に示されるように、梁部4において、支持部側帯状梁部部位16a,16bのそれぞれの両側CU,CD,DU,DDには、それぞれ、引っ張り応力が発生する。このように梁部4には応力が発生することから、支持部側帯状梁部部位16a,16bのそれぞれの片端側に配設されたピエゾ抵抗部Rz2,RZ4は、引っ張り応力によって電気抵抗値が変化する。また、この第1実施例では、ピエゾ抵抗部RzはZ軸方向の加速度によって応力変化が殆ど無い部分に配設されており、ピエゾ抵抗部Rzの電気抵抗値の変化は殆ど無い。これらのことから、Z軸方向の加速度が発生しているときには、図6cのブリッジ回路の抵抗値の均衡状態が崩れて、図6cのブリッジ回路の出力が変化する。Z軸方向の加速度の大きさに応じて図6cのブリッジ回路の出力の変動幅が変化することから、図6cのブリッジ回路の出力に基づいてZ軸方向の加速度の大きさを検出することができる。
For example, when the
なお、図6aのブリッジ回路を構成するピエゾ抵抗部RX1,RX2,RX3,RX4が設けられている梁部部分は、Z軸方向の加速度に起因した応力が殆ど発生しないので、図6aのブリッジ回路の抵抗値の均衡状態は維持されたままで、図6aのブリッジ回路の出力変化は殆ど無い。また、図6bのブリッジ回路を構成するピエゾ抵抗部RY1,RY2,RY3,RY4が設けられている梁部部分は、何れも同様の応力が発生し、ピエゾ抵抗部RY1,RY2,RY3,RY4は同様に抵抗値が変化する。このため、Z軸方向の加速度が発生しているときには、図6bのブリッジ回路の抵抗値の均衡状態は維持されたままで、図6bのブリッジ回路の出力変化は殆ど無い。 Since the beam portion provided with the piezoresistive portions R X1 , R X2 , R X3 , and R X4 constituting the bridge circuit of FIG. 6A hardly generates stress due to the acceleration in the Z-axis direction. The balanced state of the resistance value of the bridge circuit of 6a is maintained, and there is almost no change in the output of the bridge circuit of FIG. 6a. Further, the same stress is generated in the beam portion provided with the piezoresistive portions R Y1 , R Y2 , R Y3 , R Y4 constituting the bridge circuit of FIG. 6B, and the piezoresistive portions R Y1 , R Similarly, the resistance values of Y2 , RY3 , and RY4 change. For this reason, when acceleration in the Z-axis direction occurs, the balanced state of the resistance value of the bridge circuit in FIG. 6b is maintained, and the output of the bridge circuit in FIG. 6b hardly changes.
この第1実施例の加速度センサ1は、上記のように、X軸方向とY軸方向とZ軸方向の三軸方向の加速度をそれぞれ別々に検出することが可能である。
As described above, the
第1実施例では、梁部4は支持部5(5a,5b)によって両持ち梁状に固定部6に支持され、また、錘部7(7a,7b)は連結部8(8a,8b)によって梁部4に片持ち梁状に支持されている構成である。このため、支持部5aが接続されている固定部6の部位と、支持部5bが接続されている固定部6の部位との間の距離を短く形成できる。これにより、基台2や固定部6が周囲の温度変化などによって歪んだとしても、その基台2や固定部6の歪みに起因した固定部部位間の歪みによる絶対変位が小さい。また、梁部4は枠状であり、当該枠状の梁部4が支持部5(5a,5b)によって両持ち梁状に固定部6に支持されているので、基台2や固定部6の歪みによってX軸方向の応力が発生した場合に、梁部4の角部領域が変形して応力を逃がすことができる。さらに、基台2や固定部6の歪みによってY軸方向の応力が発生した場合には、支持部5(5a,5b)が変形して応力を逃がすことができる。このようなことから、基台2や固定部6の歪みに起因した梁部4の撓み変形を緩和できる。このため、周囲温度変動に起因した問題(例えば、温度変動によって図6a〜図6cの各ブリッジ回路の出力電圧値が変動してしまうという温度ドリフトの問題など)を小さく抑制することができる。
In the first embodiment, the
また、この第1実施例では、錘部7a,7b間の領域に配置された梁部4に加速度を検出するためのピエゾ抵抗部を集約的に配設した。このため、全てのピエゾ抵抗部をほぼ設計通りに製造することが可能となって、図6a〜図6cに示されるブリッジ回路の出力のばらつき等を小さく抑えることが容易となる。つまり、梁部4を構成するSiにボロン(B)やリン(P)をドープしてピエゾ抵抗部を作製するが、ピエゾ抵抗部の配設位置が集約されていることにより、各ピエゾ抵抗部におけるボロンやリンのドープ濃度を均一にすることが容易にできることとなる。このため、各ブリッジ回路の抵抗値の均衡状態が取り易くなり、加速度検出の精度を高めることができる。
In the first embodiment, the piezoresistive portion for detecting acceleration is centrally disposed on the
さらに、第1実施例では、全てのピエゾ抵抗部を集約的に配設したので、図6a〜図6cの各ブリッジ回路を構成するための配線パターンの引き回し経路を簡素化することができる。 Furthermore, in the first embodiment, since all the piezoresistive portions are arranged in an intensive manner, the routing route of the wiring pattern for constituting each bridge circuit of FIGS. 6a to 6c can be simplified.
さらに、第1実施例では、梁部4は、連結部8a,8bのY軸方向に沿った中心軸を通るY軸方向中心軸に対して対称な形状であり、かつ、支持部5a,5bのX軸方向に沿った中心軸を通るX軸方向中心軸に対して対称な形状となっている。このため、加速度発生に起因した梁部4の撓み変形が単純化でき、梁部4の撓み変形による応力変化を利用した加速度検出の精度の向上に寄与することができる。
Furthermore, in the first embodiment, the
さらに、第1実施例では、梁部4における連結部側帯状梁部部位15(15a,15b)および支持部側帯状梁部部位16(16a,16b)は、梁部4の他の部分よりもZ軸方向の厚みが厚くなっている。この厚みの差のために、連結部側帯状梁部部位15(15a,15b)や支持部側帯状梁部部位16(16a,16b)と、梁部4の他の部分との境界部分における応力の強弱が明確となる。第1実施例では、梁部4の応力変化を利用して加速度を検出していることから、そのように応力の強弱を明確にすることにより、X軸方向とY軸方向とZ軸方向の三軸方向のそれぞれの加速度をより明瞭に分離して検出することが可能となる。
Furthermore, in 1st Example, the connection part side strip | belt-shaped beam part site | part 15 (15a, 15b) and the support part side strip | belt-shaped beam part site | part 16 (16a, 16b) in the
以下に、第2実施例を説明する。なお、この第2実施例の説明において、第1実施例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。 The second embodiment will be described below. In the description of the second embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and a duplicate description of the common portions is omitted.
この第2実施例では、第1実施例の形態に加えて、枠状の梁部4に図11に示すような補強部20を設けてもよい。この補強部20は、枠状の梁部4により囲まれている空間部において、支持部5aが接続されている梁部4の部位Mと、支持部5bが接続されている梁部4の部位Nとを結ぶ直線に沿って伸長形成され、当該補強部20の両端はそれぞれ梁部4の内側縁部に接続されている。このような補強部20を設けることによって、梁部4の剛性を高めることができて、例えば基台2や固定部6の歪みに起因した梁部4の撓み変形を小さく抑制することができる。これにより、基台2や固定部6の例えば熱応力による歪みに起因した加速度の誤検出を防止することができる。
In the second embodiment, in addition to the form of the first embodiment, the frame-shaped
なお、図11の例では、補強部20の幅は、支持部5(5a,5b)の幅と等幅であるが、補強部20の幅は、支持部5(5a,5b)の幅より太くともよいし、細くともよい。また、補強部20のZ軸方向の厚みは、支持部5(5a,5b)の厚みと同様な厚みであってもよいし、支持部5(5a,5b)の厚みよりも薄くてもよい。このように、補強部20の幅や厚みは、梁部4自体の剛性等を考慮して適宜設計してよいものである。
In the example of FIG. 11, the width of the reinforcing
以下に、第3実施例を説明する。なお、この第3実施例の説明では、第1や第2の各実施例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。 The third embodiment will be described below. In the description of the third embodiment, the same components as those in the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals, and overlapping description of the common portions is omitted.
第3実施例では、図12に示したように、支持部5(5a,5b)は、それぞれ、弾性部25(25a,25b)を介して固定部6に連接されている。この第3実施例の加速度センサにおける上記構成以外の構成は、第1又は第2の実施例と同様である。
In the third embodiment, as shown in FIG. 12, the support portions 5 (5a, 5b) are connected to the fixed
この第3実施例において特徴的な弾性部25(25a,25b)は、支持部5(5a,5b)の伸長形成方向(X軸方向)に交差する方向(この例では直交するY軸方向)に伸長形成されている梁(応力軽減梁)26を有して構成され、当該梁26は、その両端部がそれぞれ固定部6に固定されている。この梁26の中央部に支持部5(5a,5b)が連接されている。当該梁26は、固定部6のX軸方向の歪みに応じて弾性変形し、この弾性変形によって、固定部6の歪みに起因して固定部6から支持部5に加えられる応力を軽減することができる。なお、梁26は固定部6の歪みに応じて弾性変形することができれば、その幅やZ軸方向の厚みは特に限定されるものではないが、この第3実施例では、梁26のZ軸方向の厚みは、固定部6や、梁部4における支持部側帯状梁部部位16と同様の厚みとなっている。
A characteristic elastic portion 25 (25a, 25b) in the third embodiment is a direction intersecting the extension forming direction (X-axis direction) of the support portion 5 (5a, 5b) (Y-axis direction orthogonal in this example). The
この第3実施例では、弾性部25を設けたことによって、上記したように、例えば熱変動による基台2や固定部6の歪みに起因した固定部6から支持部5に加えられる応力を軽減することができる。このことは、本発明者の実験(シミュレーション)によって確認されている。その実験では、第1実施例に示した加速度センサの構成(例えば図1参照)を持つサンプルAと、このサンプルAの構成に加えて第2実施例に示した補強部20が設けられている構成(図11参照)を持つサンプルBと、さらに、サンプルBの構成に加えて第3実施例に示した弾性部25が設けられている構成(図12参照)を持つサンプルCとを用意した。そして、各サンプルA〜Cのそれぞれについて、梁部4におけるピエゾ抵抗部が設けられている部位の応力をシミュレーションした。その結果が表1に表されている。ここでは、サンプルAにおける梁部4のピエゾ抵抗部の形成部位の応力を1.00とし、サンプルB,Cに関しては、サンプルAに対する相対値で表されている。
In the third embodiment, by providing the
表1からも明らかなように、例えば熱変動等によって基台2や固定部6が歪んだときに当該歪みに起因して固定部6から支持部5を介し梁部4に加えられる応力を、第1実施例の構成のものよりも、補強部20を設けたことにより、軽減できることが分かる。さらに、弾性部25を設けることにより、基台2や固定部6の歪みに起因した梁部4の無用な応力の発生をより一層軽減できることが分かる。なお、もちろん、第1実施例の構成においても、例えば図15aに示されるような加速度センサに比べれば、基台や固定部の歪みに起因した梁部の歪みを小さく抑制することができるものである。参考までに、図15aに示される加速度センサについて、枠部41の歪みに起因した梁部43a,43b,44a,44bのピエゾ抵抗部の形成部位の応力を上記同様にシミュレーションした。この結果をサンプルA(第1実施例の構成のもの)に対する相対値で表すと、7.67となった。この結果からも分かるように、第1〜第3の各実施例に示した構成を備えることによって、従来の構成のものよりも、例えば熱変動等による基台や固定部の歪みに起因した梁部の歪みを小さく抑制することができる。
As is clear from Table 1, for example, when the
上記のように、熱変動等に因る基台2や固定部6の歪みに起因した梁部4の歪みを小さく抑えることができるので、加速度検出のためのピエゾ抵抗部により構成されるブリッジ回路の出力の温度ドリフトを抑制することができる。これにより、加速度検出に対する信頼性を高めることができる。
As described above, since the distortion of the
なお、この発明は第1〜第3の各実施例の形態に限定されるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例えば、第1〜第3の各実施例では、加速度を検出するX軸方向加速度検出部とY軸方向加速度検出部とZ軸方向加速度検出部は、それぞれ、ピエゾ抵抗部を有して構成されていたが、例えば、静電容量を利用して錘部7の変位を検出して、X軸方向の加速度と、Y軸方向の加速度と、Z軸方向の加速度とをそれぞれ検出する構成としてもよい。
In addition, this invention is not limited to the form of each 1st-3rd Example, Various embodiment can be taken. For example, in each of the first to third embodiments, the X-axis direction acceleration detection unit, the Y-axis direction acceleration detection unit, and the Z-axis direction acceleration detection unit that detect acceleration are each configured to have a piezoresistive unit. However, for example, it is possible to detect the displacement of the
また、第1〜第3の各実施例では、梁部4は、連結部側帯状梁部部位15(15a,15b)および支持部側帯状梁部部位16(16a,16b)が他の部分よりもZ軸方向の厚みが厚くなっている構成であったが、梁部4はそのZ軸方向の厚みが全体に渡って等しい又はほぼ等しい構成としてもよい。
Further, in each of the first to third embodiments, the
さらに、第1〜第3の各実施例では、枠状の梁部4は方形状であったが、例えば、枠状の梁部4は、図13aに示されるような円形状であってもよいし、図13bに示されるような菱形状であってもよいし、図13cに示されるような楕円形状であってもよい。また、枠状の梁部4は、X軸方向中心軸に対して対称な形状となり、かつ、Y軸方向中心軸に対して対称な形状となっていたが、枠状の梁部4は、X軸方向中心軸に対して非対称な形状であってもよいし、Y軸方向中心軸に対して非対称な形状であってもよい。
Furthermore, in each of the first to third embodiments, the frame-shaped
さらに、第1〜第3の各実施例では、加速度を検出するためのピエゾ抵抗部は、図5に示されるように配設されていたが、ピエゾ抵抗部の配置位置は、X軸方向の加速度と、Y軸方向の加速度と、Z軸方向の加速度とをそれぞれ梁部4の撓み変形による応力変化を利用して検出することができれば、図5の配置位置に限定されるものではなく、適宜設定してよいものである。また、各ピエゾ抵抗部間を接続してブリッジ回路を構成する配線パターンの配線例も、適宜設定してよいものであり、図7の例に限定されるものではない。
Furthermore, in each of the first to third embodiments, the piezoresistive portion for detecting acceleration is arranged as shown in FIG. 5, but the arrangement position of the piezoresistive portion is in the X-axis direction. If the acceleration, the acceleration in the Y-axis direction, and the acceleration in the Z-axis direction can be detected using the stress change caused by the bending deformation of the
例えば、図14aにはピエゾ抵抗部および配線パターンのその他の配置例が表されている。この例では、梁部4には第2実施例に示したような補強部20が設けられている。また、この例では、図5や図7と同様にピエゾ抵抗部が設けられているのに加えて、支持部5a,5bのそれぞれにピエゾ抵抗部Rz',Rz'が設けられ、また、支持部側帯状梁部部位16aの図の下側にはピエゾ抵抗部Rz3が設けられ、さらに、支持部側帯状梁部部位16bの図の上側にはピエゾ抵抗部Rz1が設けられている。上記ピエゾ抵抗部Rz',Rz',Rz1,Rz3は、図5や図7の例にも設けられているピエゾ抵抗部Rz,Rz,Rz2,Rz4と共に、Z軸方向の加速度を検出するためのものである。図14aの例では、ピエゾ抵抗部Rz1,Rz3,Rz,RzはX軸方向に沿って伸長形成された形状と成し、ピエゾ抵抗部Rz',Rz',Rz2,Rz4は、ピエゾ抵抗部Rz1,Rz3,Rz,Rzの伸長形成方向と直交するY軸方向に沿って伸長形成された形状と成している。それらZ軸方向の加速度検出に関わるピエゾ抵抗部は、次に示すような配線パターンによって、図14bに示されるようなブリッジ回路を構成する。
For example, FIG. 14a shows another arrangement example of the piezoresistive portion and the wiring pattern. In this example, the
図14aに示される配線パターンの配線例では、図14cの模式的な断面図に示されるような、例えばSOI基板13のSi層12にボロンやリン等をドープして形成された配線パターンLsと、SOI基板13の表面に蒸着やスパッタ等の成膜形成技術を利用して形成されたアルミニウム等の金属製の配線パターンLmとによって、ピエゾ抵抗部から成るブリッジ回路を構成している。なお、図14aでは、配線パターンLsは点線により表され、配線パターンLmは実線により表されている。
In the wiring example of the wiring pattern shown in FIG. 14a, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 14c, for example, a wiring pattern Ls formed by doping the
図14aの例では、配線パターンLsと、配線パターンLmとのそれぞれの特徴を利用した次に示すような特有な配線パターンLs,Lmの配線が成されている。つまり、SOI基板13のSi層12の表面には、配線パターンLsの形成後に、必然的に酸化膜21が形成されることから、この酸化膜21によって、配線パターンLsと、配線パターンLmとの絶縁を確保しながら、配線パターンLsと、配線パターンLmとのクロス配線が成されている。また、配線パターンLsが形成されている部分の酸化膜21の一部が除去されて孔部22が形成され、この孔部22内に配線パターンLmの構成材料の導体材料が入り込んで配線パターンLsに接合することで、配線パターンLsと配線パターンLmが電気的に接続されている。さらに、図14aの例では、支持部5a,5bと、梁部4における連結部側帯状梁部部位15a,15bおよび支持部側帯状梁部部位16a,16bと、補強部20とは、例えば約400μm程度の厚みであるのに対して、連結部側帯状梁部部位15a,15bおよび支持部側帯状梁部部位16a,16b以外の梁部4の部位は、例えば5〜10μm程度の厚みとなっている。そのように梁部4の薄い部分の表面に、金属製の配線パターンLmを形成すると、その配線パターンLmの内部応力によって、梁部4の薄い部分が反ってしまう虞がある。これに対して、配線パターンLsは梁部4を構成しているSi層にボロンやリン等の不純物をドープして形成されるものであり、配線パターンLsの形成による梁部4の薄い部分の反り等の変形は殆ど発生しない。このことから、梁部4の薄い部分に金属製の配線パターンLmを形成することは避け、当該梁部4の薄い部分には、配線パターンLsが形成されている。
In the example of FIG. 14a, the following unique wiring patterns Ls and Lm are formed using the characteristics of the wiring pattern Ls and the wiring pattern Lm. That is, since the
図14aの例では、配線パターンLsと配線パターンLmのクロス配線が可能であることと、配線パターンLsと配線パターンLmの電気的な接続が容易であることとを利用し、配線パターンの配線構成の簡略化を図ることを思慮しながら、配線パターンLsおよび配線パターンLmの配線構成が設計されている。これにより、図14aの例では、梁部4の形成領域から外部に引き出されている配線パターンの本数を、図7の例よりも減少させることができている。
In the example of FIG. 14A, the wiring configuration of the wiring pattern is utilized by using the fact that the cross wiring of the wiring pattern Ls and the wiring pattern Lm is possible and that the electrical connection between the wiring pattern Ls and the wiring pattern Lm is easy. The wiring configuration of the wiring pattern Ls and the wiring pattern Lm is designed in consideration of the simplification of the above. Thereby, in the example of FIG. 14a, the number of the wiring patterns drawn out from the formation region of the
図14aの例では、X軸方向の加速度に対しては、第1〜第3の各実施例と同様にX軸方向加速度検出用のピエゾ抵抗部から成るブリッジ回路の出力が変動して、X軸方向の加速度の大きさを検出することができる。また、Y軸方向の加速度に対しても、第1〜第3の各実施例と同様にY軸方向加速度検出用のピエゾ抵抗部から成るブリッジ回路の出力が変動して、Y軸方向の加速度の大きさを検出することができる。 In the example of FIG. 14a, for the acceleration in the X-axis direction, as in the first to third embodiments, the output of the bridge circuit composed of the piezoresistive portion for detecting the X-axis direction acceleration fluctuates. The magnitude of the axial acceleration can be detected. Also, with respect to the acceleration in the Y-axis direction, the output of the bridge circuit composed of the piezoresistive portion for detecting the Y-axis direction acceleration varies as in the first to third embodiments, and the acceleration in the Y-axis direction Can be detected.
さらに、Z軸方向の加速度に対しては、次に示すようにZ軸方向の加速度を検出することができる。つまり、Z軸方向の加速度が発生すると、前述したように錘部7(7a,7b)がZ軸方向に変位して、連結部8および梁部4が撓み変形する。これにより、図10cのモデル図に示されるように、梁部4において、支持部側帯状梁部部位16a,16bのそれぞれの両側CU,CD,DU,DDには、それぞれ、引っ張り応力が発生する。このように、支持部側帯状梁部部位16a,16bのそれぞれの両側CU,CD,DU,DDには同様の引っ張り応力が発生する。ところで、ピエゾ抵抗部Rz1,Rz3と、ピエゾ抵抗部Rz2,Rz4とは、互いに直交する方向に伸長形成された形状と成している。〔110〕方向のP型ピエゾ抵抗部の場合には、このように互いに直交する方向に伸長形成されている各ピエゾ抵抗部に、それぞれ、例えば、同じ応力が加えられた場合に、互いに直交する方向に伸長形成されている各ピエゾ抵抗部の電気抵抗値は、それぞれ、互いに正負逆向きに変化する。このピエゾ抵抗部の特性によって、Z軸方向の加速度印加による応力が梁部4における支持部側帯状梁部部位16a,16bのそれぞれの両側CU,CD,DU,DDに上記の如く発生したときに、ピエゾ抵抗部Rz1,Rz3と、ピエゾ抵抗部Rz2,Rz4とは、互いに正負逆向きに電気抵抗値が変化する。また、ピエゾ抵抗部Rz,Rz,Rz',Rz'はZ軸方向の加速度によって応力変化が殆ど無い部分に配設されている。これらのことから、Z軸方向の加速度が発生したときに、図14bのブリッジ回路の抵抗値の均衡状態が崩れて、図14bのブリッジ回路の出力が変化する。Z軸方向の加速度の大きさに応じて図14bのブリッジ回路の出力の変動幅が変化することから、図14bのブリッジ回路の出力に基づいてZ軸方向の加速度の大きさを検出することができる。
Furthermore, with respect to the acceleration in the Z-axis direction, the acceleration in the Z-axis direction can be detected as follows. That is, when acceleration in the Z-axis direction occurs, the weight portion 7 (7a, 7b) is displaced in the Z-axis direction as described above, and the connecting
ところで、Z軸方向の加速度発生による梁部4の撓み変形量は、例えばY軸方向の加速度発生による梁部4の撓み変形量よりも大きい。また、複数のピエゾ抵抗部の電気抵抗値のばらつきを抑制するために全てのピエゾ抵抗部を同時に形成することにすると、全てのピエゾ抵抗部は電気抵抗値がほぼ等しいものとなる。この場合に、図5に示されるようにピエゾ抵抗部を配設して、図6a〜図6cに示されるようなブリッジ回路を形成すると、Z軸方向の加速度発生に起因した図6cのブリッジ回路の出力は、加速度の大きさが同じでも、Y軸方向の加速度発生に起因した図6bのブリッジ回路の出力よりも大きくなる。加速度センサの利便性を高めるためには、X軸方向とY軸方向とZ軸方向との何れの方向の加速度に対しても、その加速度の大きさに対するブリッジ回路の出力変動幅がほぼ等しいことが好ましい。
By the way, the amount of bending deformation of the
そこで、図14aの例では、Z軸方向の加速度発生によるブリッジ回路の出力の大きさがY軸方向の加速度発生による出力の大きさと同様となるように、ブリッジ回路の電気抵抗値を調整するための感度調整用のピエゾ抵抗部Rz,Rz,Rz',Rz'がZ軸方向加速度検出用の各ピエゾ抵抗部Rz1,Rz2,Rz3,Rz4のそれぞれに直列に設けられている。感度調整用のピエゾ抵抗部Rz,Rz,Rz',Rz'は、Z軸方向の加速度が発生しても電気抵抗値は変化しないので、Z軸方向の加速度が発生したときのブリッジ回路の各辺の抵抗値変化は、ブリッジ回路の各辺にそれぞれピエゾ抵抗部Rz1,Rz2,Rz3,Rz4がただ一つしか設けられていない場合に比べて、小さくなる。これにより、Z軸方向の加速度の大きさに対するブリッジ回路の出力変動幅を、X軸方向やY軸方向の加速度の大きさに対するブリッジ回路の出力変動幅に揃えることが可能である。 Therefore, in the example of FIG. 14a, the electrical resistance value of the bridge circuit is adjusted so that the magnitude of the output of the bridge circuit due to the generation of acceleration in the Z-axis direction is the same as the magnitude of the output due to the generation of acceleration in the Y-axis direction. Piezoresistive portions Rz, Rz, Rz ′, Rz ′ for adjusting the sensitivity are provided in series with each of the piezoresistive portions R z1 , R z2 , R z3 , R z4 for detecting the Z-axis direction acceleration. The sensitivity adjustment piezoresistors Rz, Rz, Rz ′, and Rz ′ do not change the electric resistance value even when acceleration in the Z-axis direction occurs. The change in resistance value of the side is smaller than that in the case where only one piezoresistive portion R z1 , R z2 , R z3 , R z4 is provided on each side of the bridge circuit. As a result, the output fluctuation range of the bridge circuit with respect to the magnitude of the acceleration in the Z-axis direction can be matched with the output fluctuation width of the bridge circuit with respect to the magnitude of the acceleration in the X-axis direction and the Y-axis direction.
さらに、第1〜第3の各実施例では、固定部6は、梁部4および錘部7の形成領域を間隔を介して囲む枠状の態様であったが、固定部6は、梁部4を支持部5a,5bによって両持ち梁状に基台2に固定させることができる形態であればよく、枠状でなくともよい。
Furthermore, in each of the first to third embodiments, the fixing
さらに、第1〜第3の各実施例では、梁部4と支持部5と固定部6と錘部7と連結部8はSOI基板により構成されていたが、それらはSOI基板で構成されていなくともよい。
Further, in each of the first to third embodiments, the
1 加速度センサ
2 基台
3 XY基板面
4 梁部
5 支持部
6 固定部
7 錘部
8 連結部
15 連結部側帯状梁部部位
16 支持部側帯状梁部部位
20 補強部
25 弾性部
DESCRIPTION OF
Claims (8)
この基台のXY基板面上に浮いた状態で配置される枠状の梁部と、
この梁部からX軸方向に沿って梁部の両側にそれぞれ外向きに伸長形成されている支持部を介して梁部を基台に両持ち梁状に支持する梁部支持固定部と、
前記基台のXY基板面上に浮いた状態で前記梁部のY軸方向の両側からそれぞれY軸方向に沿って外向きに伸長形成されている連結部と、
各連結部の伸長先端部にそれぞれ連接されて前記基台のXY基板面上に浮いた状態で配置された錘部とを有し、
前記錘部はその重心位置が当該錘部を支持する梁部の支点位置に対して高さ位置がずれていることで、加速度を受けて枠状の梁部の変形によりX軸方向とY軸方向とZ軸方向の三軸方向に変位可能な構成と成し、
前記梁部には、X軸方向の加速度による錘部のX軸方向変位に起因した梁部の撓み変形部位に設けられて該撓み変形をX軸方向の加速度として検出するためのX軸方向加速度検出部と、Y軸方向の加速度による錘部のY軸方向変位に起因した梁部の撓み変形部位に設けられて該撓み変形をY軸方向の加速度として検出するためのY軸方向加速度検出部と、Z軸方向の加速度による錘部のZ軸方向変位に起因した梁部の撓み変形部位に設けられて該撓み変形をZ軸方向の加速度として検出するためのZ軸方向加速度検出部とが設けられており、
前記梁部に設けられているZ軸方向加速度検出部とY軸方向加速度検出部とX軸方向加速度検出部は、それぞれ、梁部の変形による梁部の応力変化によって電気抵抗値が変化するピエゾ抵抗部を有して構成されていることを特徴とする加速度センサ。 A base having an XY substrate surface parallel to an XY plane including the X axis and the Y axis of the X axis, the Y axis, and the Z axis orthogonal to each other;
A frame-like beam portion arranged in a floating state on the XY substrate surface of the base;
A beam portion supporting and fixing portion that supports the beam portion in a doubly-supported form on the base via support portions that extend outwardly from both sides of the beam portion along the X-axis direction from the beam portion;
A connecting portion extending outwardly along the Y-axis direction from both sides in the Y-axis direction of the beam portion in a state of floating on the XY substrate surface of the base;
A weight portion that is connected to the extending tip portion of each connecting portion and arranged in a floating state on the XY substrate surface of the base,
The weight portion has a center of gravity shifted from a height position with respect to a fulcrum position of the beam portion supporting the weight portion, so that the X-axis direction and the Y-axis are received by the deformation of the frame-shaped beam portion due to acceleration. And a structure that can be displaced in the three-axis direction of the direction and the Z-axis direction,
An X-axis direction acceleration is provided in the beam portion for detecting a bending deformation as an acceleration in the X-axis direction, which is provided at a bending deformation portion of the beam portion due to the X-axis direction displacement of the weight portion due to the X-axis direction acceleration. A detection unit and a Y-axis direction acceleration detection unit which is provided at a bending deformation part of the beam unit due to the Y-axis direction displacement of the weight unit due to the acceleration in the Y-axis direction and detects the bending deformation as an acceleration in the Y-axis direction. And a Z-axis direction acceleration detection unit that is provided at a bending deformation portion of the beam portion due to the Z-axis direction displacement of the weight portion due to the acceleration in the Z-axis direction and detects the bending deformation as an acceleration in the Z-axis direction. Provided,
The Z-axis direction acceleration detection unit, the Y-axis direction acceleration detection unit, and the X-axis direction acceleration detection unit provided in the beam part each have a piezoelectric element whose electric resistance value changes due to a stress change of the beam part due to the deformation of the beam part. An acceleration sensor comprising a resistance portion.
梁部は、支持部の中心軸を通るX方向中心線に対して対称な形状であり、かつ、連結部の中心軸を通るY方向中心線に対しても対称な形状であることを特徴とする請求項1記載の加速度センサ。 The central axis of each support part that is extended in the X-axis direction from both sides of the beam part in the X-axis direction is arranged on the same straight line, and extends in the Y-axis direction from both sides of the beam part in the Y-axis direction. The central axes of the formed connecting portions are arranged on the same straight line,
The beam portion is symmetric with respect to the X-direction center line passing through the central axis of the support portion, and is also symmetric with respect to the Y-direction center line passing through the central axis of the connecting portion. The acceleration sensor according to claim 1.
いることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1つに記載の加速度センサ。 In the frame space of the frame-shaped beam portion, reinforcing portions that are formed to extend in the direction connecting the support portions on both sides of the beam portion are arranged, and both ends of the reinforcement portion are connected to the frame-shaped beam portions, respectively. The acceleration sensor according to any one of claims 1 to 4, wherein:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007062079A JP4631864B2 (en) | 2005-04-06 | 2007-03-12 | Acceleration sensor |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2005/006783 WO2006114832A1 (en) | 2005-04-06 | 2005-04-06 | Acceleration sensor |
JP2007062079A JP4631864B2 (en) | 2005-04-06 | 2007-03-12 | Acceleration sensor |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006515400A Division JP3956999B2 (en) | 2005-04-06 | 2005-09-08 | Acceleration sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007199081A true JP2007199081A (en) | 2007-08-09 |
JP4631864B2 JP4631864B2 (en) | 2011-02-16 |
Family
ID=38453796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007062079A Expired - Fee Related JP4631864B2 (en) | 2005-04-06 | 2007-03-12 | Acceleration sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4631864B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010146818A1 (en) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | ミツミ電機株式会社 | Three-dimensional acceleration sensor |
US8283738B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-10-09 | Denso Corporation | Semiconductor device including sensor member and cap member and method of making the same |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4654663A (en) * | 1981-11-16 | 1987-03-31 | Piezoelectric Technology Investors, Ltd. | Angular rate sensor system |
JPH04169856A (en) * | 1990-11-01 | 1992-06-17 | Nissan Motor Co Ltd | Semiconductor acceleration sensor |
JPH08178952A (en) * | 1994-12-20 | 1996-07-12 | Zexel Corp | Acceleration sensor |
JPH08304450A (en) * | 1995-05-12 | 1996-11-22 | Zexel Corp | Accelerometer and manufacture of accelrometer |
US6000280A (en) * | 1995-07-20 | 1999-12-14 | Cornell Research Foundation, Inc. | Drive electrodes for microfabricated torsional cantilevers |
JP2000022170A (en) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Murata Mfg Co Ltd | Electronic component and manufacture thereof |
US20030037614A1 (en) * | 2001-01-24 | 2003-02-27 | Nguyen Clark T.-C. | Filter-based method and system for measuring angular speed of an object |
-
2007
- 2007-03-12 JP JP2007062079A patent/JP4631864B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4654663A (en) * | 1981-11-16 | 1987-03-31 | Piezoelectric Technology Investors, Ltd. | Angular rate sensor system |
JPH04169856A (en) * | 1990-11-01 | 1992-06-17 | Nissan Motor Co Ltd | Semiconductor acceleration sensor |
JPH08178952A (en) * | 1994-12-20 | 1996-07-12 | Zexel Corp | Acceleration sensor |
JPH08304450A (en) * | 1995-05-12 | 1996-11-22 | Zexel Corp | Accelerometer and manufacture of accelrometer |
US6000280A (en) * | 1995-07-20 | 1999-12-14 | Cornell Research Foundation, Inc. | Drive electrodes for microfabricated torsional cantilevers |
JP2000022170A (en) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Murata Mfg Co Ltd | Electronic component and manufacture thereof |
US20030037614A1 (en) * | 2001-01-24 | 2003-02-27 | Nguyen Clark T.-C. | Filter-based method and system for measuring angular speed of an object |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8283738B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-10-09 | Denso Corporation | Semiconductor device including sensor member and cap member and method of making the same |
WO2010146818A1 (en) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | ミツミ電機株式会社 | Three-dimensional acceleration sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4631864B2 (en) | 2011-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3956999B2 (en) | Acceleration sensor | |
JP4107356B2 (en) | Acceleration sensor | |
EP3564682B1 (en) | Inertial sensor with single proof mass and multiple sense axis capability | |
JPH06331646A (en) | Semiconductor acceleration sensor | |
JP4631864B2 (en) | Acceleration sensor | |
WO2013015671A1 (en) | A piezoresistive accelerometer | |
JP2007003211A (en) | Acceleration sensor and its output correction method | |
JP2008107300A (en) | Acceleration sensor | |
WO2011161917A1 (en) | Acceleration sensor | |
JP2014106082A (en) | Acceleration sensor | |
JP2007101203A (en) | Angular velocity sensor | |
TWI291027B (en) | Acceleration sensor | |
JP4466344B2 (en) | Acceleration sensor | |
JP6065017B2 (en) | Angular acceleration sensor and acceleration sensor | |
US9964561B2 (en) | Acceleration sensor | |
JP2006133161A (en) | Acceleration sensor | |
JP5849265B2 (en) | Surface acoustic wave type acceleration sensor and sensor element substrate | |
JP5046240B2 (en) | Method for manufacturing acceleration sensor | |
JP2008157706A (en) | Sensor | |
JP5971349B2 (en) | Angular acceleration sensor | |
JP6044320B2 (en) | Physical quantity sensor | |
JP2007107934A (en) | Mems acceleration sensor | |
JP2008261772A (en) | Inertia force sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100511 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101019 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101101 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4631864 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |