JP2007194515A - Dividing method for wafer - Google Patents

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勝 中村
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Disco Abrasive Systems Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dividing method for a wafer in which the wafer having dividing lines on a surface in a lattice shape can precisely be divided along the dividing lines. <P>SOLUTION: In the dividing method for the wafer, the wafer having a plurality of first dividing lines and a plurality of second dividing lines formed crossing each other is divided into individual chips along the first dividing lines and second dividing lines. The dividing method includes a first deterioration layer forming stage of forming deterioration layers by irradiating the inside of the wafer with a laser beam along the first dividing lines, a first dividing stage of applying an external force to the wafer along the first dividing lines to break the wafer into strips along the first dividing lines where the deterioration layers are formed, a second deterioration layer forming stage of forming deterioration layers by irradiating the inside of the wafer with a laser beam along the second dividing lines, and a second dividing stage of applying an external force to the stripped wafers along the second dividing lines to break the wafers into individual chips along the second dividing lines where the deterioration layers. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているウエーハを、該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハの分割方法に関する。   The present invention relates to a wafer dividing method for dividing a wafer having a plurality of division lines formed on a surface thereof in a lattice shape into individual chips along the division lines.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハも所定の分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。   In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially wafer-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs, LSIs, etc. are partitioned in the partitioned regions. Form. Then, the semiconductor wafer is cut along the planned dividing line to divide the region where the device is formed to manufacture individual semiconductor chips. In addition, an optical device wafer in which a gallium nitride compound semiconductor or the like is laminated on the surface of a sapphire substrate is also divided into optical devices such as individual light-emitting diodes and laser diodes by cutting along a predetermined division line. Widely used.

上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、そのウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法が提案されている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハの一方の面側から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する赤外光領域のパルスレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、ウエーハを個々のチップに分割するものである。（例えば、特許文献１参照。）
特許第３４０８８０５号公報 As a method of dividing a wafer such as the above-described semiconductor wafer or optical device wafer along a planned division line, a pulse laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer is used, and a condensing point is formed inside the region to be divided. In addition, a laser processing method for irradiating a pulsed laser beam has been proposed. The division method using this laser processing method is to divide the inside of the wafer by irradiating a pulse laser beam in the infrared region having transparency to the wafer by aligning the condensing point inside from one side of the wafer. The wafer is divided into individual chips by continuously forming a deteriorated layer along the planned line and applying an external force along the planned split line whose strength has decreased due to the formation of the deteriorated layer. . (For example, refer to Patent Document 1.)
Japanese Patent No. 3408805

ウエーハの表面に格子状に形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射して変質層を形成し、変質層が形成されたウエーハに外力を付与してウエーハを分割予定ラインに沿って分割すると、分割予定ラインが蛇行して分割される。この結果、ウエーハは分割予定ラインが交差する近傍において歪み、斜め割れやバリ等が発生して品質の低下を招くという問題がある。   When a laser beam is irradiated along the planned division lines formed on the surface of the wafer to form a deteriorated layer, an external force is applied to the wafer on which the deteriorated layer is formed, and the wafer is divided along the planned division line. The division line is divided by meandering. As a result, there is a problem that the wafer is distorted, oblique cracks, burrs and the like are caused in the vicinity where the scheduled division lines intersect, and the quality is deteriorated.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、表面に分割予定ラインが格子状に形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って精度良く分割することができるウエーハの分割方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and the main technical problem thereof is a wafer that can accurately divide a wafer in which division lines are formed in a lattice shape on the surface along the division lines. It is to provide a dividing method.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、所定の方向に延びる複数の第１の分割予定ラインと該複数の第１の分割予定ラインと交差して形成された複数の第２の分割予定ラインによって区画されたウエーハを、第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を第１の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に第１の分割予定ラインに沿って変質層を形成する第１の変質層形成工程と、
該第１の変質層形成工程を実施した後に、ウエーハに第１の分割予定ラインに沿って外力を付与し、該変質層が形成された第１の分割予定ラインに沿って破断しウエーハを短冊状に分割する第１の分割工程と、
該第１の分割工程を実施することにより短冊状に分割されたウエーハに、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を第２の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に第２の分割予定ラインに沿って変質層を形成する第２の変質層形成工程と、
該第２の変質層形成工程を実施した後に、短冊状のウエーハに第２の分割予定ラインに沿って外力を付与し、該変質層が形成された第２の分割予定ラインに沿って破断しウエーハを個々のチップに分割する第２の分割工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。 In order to solve the main technical problem, according to the present invention, a plurality of first division lines extending in a predetermined direction and a plurality of second division lines formed intersecting with the plurality of first division lines. A wafer dividing method for dividing a wafer partitioned by a division line into individual devices along a first division line and a second division line,
A first deteriorated layer forming step of irradiating a laser beam having a wavelength transmissive to the wafer along the first scheduled dividing line and forming an altered layer along the first scheduled split line inside the wafer; ,
After performing the first deteriorated layer forming step, an external force is applied to the wafer along the first planned dividing line, and the wafer is broken along the first planned divided line where the deteriorated layer is formed. A first dividing step of dividing into a shape;
The wafer divided into strips by carrying out the first division step is irradiated with a laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer along the second division line, and the second inside the wafer. A second deteriorated layer forming step of forming a deteriorated layer along the division line of
After performing the second deteriorated layer forming step, an external force is applied to the strip-shaped wafer along the second scheduled dividing line, and the strip is broken along the second scheduled divided line on which the deteriorated layer is formed. A second dividing step of dividing the wafer into individual chips,
A method of dividing a wafer is provided.

ウエーハを環状のフレームに装着された保護テープに貼着する保護テープ貼着工程を実施した後に、該第１の変質層形成工程、該第１の分割工程、
該第２の変質層形成工程および該第２の分割工程を実施することが望ましい。 After carrying out the protective tape attaching step of attaching the wafer to the protective tape attached to the annular frame, the first altered layer forming step, the first dividing step,
It is desirable to carry out the second deteriorated layer forming step and the second dividing step.

本発明によるウエーハの分割方法においては、ウエーハの内部に第１の分割予定ラインに沿って変質層を形成する第１の変質層形成工程を実施した後に、ウエーハに第１の分割予定ラインに沿って外力を付与し変質層が形成された第１の分割予定ラインに沿って破断してウエーハを短冊状に分割する第１の分割工程を実施するので、第１の分割工程を実施する際には第１の分割予定ラインと交差する第２の分割予定ラインには変質層が形成されていないため、第１の分割予定ラインに沿って外力を作用する際に第１の分割予定ラインが蛇行することなく、ウエーハを第１の分割予定ラインに沿って精度良く分割することができる。また、第１の分割工程を実施することにより短冊状に分割されたウエーハの内部に第２の分割予定ラインに沿って変質層を形成する第２の変質層形成工程を実施した後に、短冊状のウエーハに第２の分割予定ラインに沿って外力を付与し該変質層が形成された第２の分割予定ラインに沿って破断してウエーハを個々のチップに分割する第２の分割工程を実施するので、上述した第２の分割工程を実施する際にはウエーハは第１の分割予定ラインに沿って短冊状に分割されているため、第２の分割予定ラインに沿って外力が作用することにより、ウエーハは第２の分割予定ラインに沿って制度良く分割される。   In the wafer dividing method according to the present invention, after the first deteriorated layer forming step of forming the deteriorated layer along the first division planned line inside the wafer, the wafer is arranged along the first division planned line. When the first dividing step is performed, the first dividing step is performed in which the wafer is divided into strips by breaking along the first dividing line on which the altered layer is formed by applying an external force. Since the altered layer is not formed on the second division line that intersects the first division line, the first division line meanders when an external force is applied along the first division line. Without this, the wafer can be accurately divided along the first scheduled dividing line. In addition, after performing the second deteriorated layer forming step of forming the deteriorated layer along the second division planned line inside the wafer divided into strips by performing the first dividing step, the strip shape A second dividing step is performed in which an external force is applied to the wafer along the second division line and the wafer is broken along the second division line on which the deteriorated layer is formed to divide the wafer into individual chips. Therefore, when the second dividing step described above is performed, the wafer is divided into strips along the first division line, so that an external force acts along the second division line. Thus, the wafer is divided systematically along the second scheduled division line.

以下、本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。   Preferred embodiments of a wafer dividing method according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

図１には、本発明によるウエーハの分割方法に従って分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが３００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａには所定の方向に延びる複数の第１の分割予定ライン２１と該複数の第１の分割予定ライン２１と直交する方向に交差して延びる複数の第２の分割予定ライン２２が形成されている。そして、半導体ウエーハ２の表面２aには、複数の第１の分割予定ライン２１と複数の第２の分割予定ライン２２によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２３が形成されている。以下、この半導体ウエーハ２を個々のデバイス（チップ）に分割するウエーハの分割方法の実施形態について説明する。   FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer as a wafer to be divided according to the wafer dividing method of the present invention. A semiconductor wafer 2 shown in FIG. 1 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 300 μm, and a plurality of first division planned lines 21 extending in a predetermined direction and the plurality of first division planned lines are formed on the surface 2a. A plurality of second division lines 22 extending so as to intersect with a direction orthogonal to 21 are formed. On the surface 2 a of the semiconductor wafer 2, devices 23 such as ICs and LSIs are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of first division lines 21 and a plurality of second division lines 22. . Hereinafter, an embodiment of a wafer dividing method for dividing the semiconductor wafer 2 into individual devices (chips) will be described.

上記図１に示す半導体ウエーハ２は、図２に示すように環状のフレーム３に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ４に表面２ａ側を貼着する（保護テープ貼着工程）。従って、半導体ウエーハ２は、裏面２bが上側となる。   The semiconductor wafer 2 shown in FIG. 1 is attached to the protective tape 4 made of a synthetic resin sheet such as polyolefin and attached to the annular frame 3 as shown in FIG. 2 (protective tape attaching step). . Accordingly, the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 is on the upper side.

上述した保護テープ貼着工程を実施したならば、シリコンウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を第１の分割予定ライン２１に沿って照射し、ウエーハの内部に第１の分割予定ライン２１に沿って変質層を形成する第１の変質層形成工程を実施する。この第１の変質層形成工程は、図３に示すレーザー加工装置５を用いて実施する。図３に示すレーザー加工装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２と、チャックテーブル５１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段５３を具備している。チャックテーブル５１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図３において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。   If the above-described protective tape attaching step is performed, a laser beam having a wavelength that is transparent to the silicon wafer is irradiated along the first division line 21, and the first division line 21 is applied to the inside of the wafer. A first deteriorated layer forming step of forming a deteriorated layer along the line is performed. This first deteriorated layer forming step is performed using the laser processing apparatus 5 shown in FIG. A laser processing apparatus 5 shown in FIG. 3 has a chuck table 51 that holds a workpiece, a laser beam irradiation means 52 that irradiates a workpiece held on the chuck table 51 with a laser beam, and a chuck table 51 that holds the workpiece. An image pickup means 53 for picking up an image of the processed workpiece is provided. The chuck table 51 is configured to suck and hold a workpiece, and can be moved in a machining feed direction indicated by an arrow X and an index feed direction indicated by an arrow Y in FIG. Yes.

上記レーザー光線照射手段５２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１を含んでいる。ケーシング５２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング５２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器５２２が装着されている。   The laser beam irradiation means 52 includes a cylindrical casing 521 disposed substantially horizontally. In the casing 521, a pulse laser beam oscillation means including a pulse laser beam oscillator and a repetition frequency setting means (not shown) including a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator are arranged. A condenser 522 for condensing the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillating means is attached to the tip of the casing 521.

上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の先端部に装着された撮像手段５３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。   In the illustrated embodiment, the image pickup means 53 mounted on the tip of the casing 521 constituting the laser beam irradiation means 52 emits infrared rays to the workpiece in addition to a normal image pickup device (CCD) that picks up an image with visible light. Infrared illumination means for irradiating, an optical system for capturing infrared light emitted by the infrared illumination means, an image pickup device (infrared CCD) for outputting an electrical signal corresponding to the infrared light captured by the optical system, and the like Then, the captured image signal is sent to a control means (not shown).

上述したレーザー加工装置５を用いて上記半導体ウエーハ２の第１のストリート２１に沿って変質層を形成する第１の変質層形成工程について、図３乃至図５を参照して説明する。
先ず上述した図３に示すレーザー加工装置５のチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２の表面２ａを上にして載置し、該チャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する。なお、図３においては、保護テープ４が装着された環状のフレーム３を省いて示しているが、環状のフレーム３はチャックテーブル５１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル５１は、図示しない移動機構によって撮像手段５３の直下に位置付けられる。 A first deteriorated layer forming step of forming an deteriorated layer along the first street 21 of the semiconductor wafer 2 using the laser processing apparatus 5 described above will be described with reference to FIGS.
First, the semiconductor wafer 2 is placed on the chuck table 51 of the laser processing apparatus 5 shown in FIG. 3 with the surface 2 a facing upward, and the semiconductor wafer 2 is sucked and held on the chuck table 51. In FIG. 3, the annular frame 3 to which the protective tape 4 is attached is omitted, but the annular frame 3 is held by appropriate frame holding means provided on the chuck table 51. The chuck table 51 that sucks and holds the semiconductor wafer 2 is positioned directly below the imaging means 53 by a moving mechanism (not shown).

チャックテーブル５１が撮像手段５３の直下に位置付けられると、撮像手段５３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段５３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている第１の分割予定ライン２１と、該第１の分割予定ライン２１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する（アライメント工程）。このとき、半導体ウエーハ２の第１の分割予定ライン２１が形成されている表面２ａは下側に位置しているが、撮像手段５３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面２ｂから透かして第１の分割予定ライン２１を撮像することができる。   When the chuck table 51 is positioned immediately below the image pickup means 53, an alignment operation for detecting a processing region to be laser processed of the semiconductor wafer 2 is executed by the image pickup means 53 and a control means (not shown). That is, the image pickup means 53 and the control means (not shown) include the first division line 21 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 2 and the laser beam irradiation means for irradiating the laser beam along the first division line 21. Image processing such as pattern matching for performing alignment with the 52 condensers 522 is executed, and alignment of the laser beam irradiation position is performed (alignment process). At this time, the surface 2a on which the first division line 21 of the semiconductor wafer 2 is formed is positioned on the lower side. However, as described above, the imaging unit 53 and the optical system that captures infrared rays and the infrared rays. Since the image pickup device is provided with an image pickup device (infrared CCD) or the like that outputs an electrical signal corresponding to the above, it is possible to image the first scheduled division line 21 through the back surface 2b.

以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持された半導体ウエーハ２に形成されている第１の分割予定ライン２１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図４の（ａ）で示すようにチャックテーブル５１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第１の分割予定ライン２１の一端（図４の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器５２２の直下に位置付ける。そして、集光器５２２からシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５１を図４の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図４の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段５２の集光器５２２の照射位置が第１の分割予定ライン２１の他端（図４の（b）において右端）の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の移動を停止する。この第１の変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の表面２ａ（下面）付近に合わせる。この結果、半導体ウエーハ２０には、第１の分割予定ライン２１に沿って表面２ａ（下面）から内部に向けて変質層２１０が形成される。この変質層２１０は、溶融再固化層として形成される。   If the first division line 21 formed on the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 51 is detected and the laser beam irradiation position is aligned as described above, (a) in FIG. As shown in FIG. 4, the chuck table 51 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 522 of the laser beam irradiation means 52 for irradiating the laser beam is located, and one end of the predetermined first scheduled division line 21 (at (a) in FIG. 4). (Left end) is positioned directly below the condenser 522 of the laser beam irradiation means 52. Then, the chuck table 51 is moved at a predetermined processing feed rate in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 4A while irradiating a pulse laser beam having a wavelength that is transmissive to the silicon wafer from the condenser 522. When the irradiation position of the condenser 522 of the laser beam irradiation means 52 reaches the position of the other end (the right end in FIG. 4B) as shown in FIG. 4B. The irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 51 is stopped. In the first deteriorated layer forming step, the condensing point P of the pulse laser beam is matched with the vicinity of the surface 2 a (lower surface) of the semiconductor wafer 2. As a result, the deteriorated layer 210 is formed on the semiconductor wafer 20 along the first planned dividing line 21 from the surface 2a (lower surface) toward the inside. This altered layer 210 is formed as a melt-resolidified layer.

上記第１の変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４スレーザー
波長 ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
パルス幅 ：４０ns
平均出力 ：３W
集光スポット径 ：φ１μｍ
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒 The processing conditions in the first deteriorated layer forming step are set as follows, for example.
Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO4 laser Laser wavelength: 1064 nm pulse laser Repetition frequency: 100 kHz
Pulse width: 40 ns
Average output: 3W
Condensing spot diameter: φ1μm
Processing feed rate: 100 mm / sec

なお、半導体ウエーハ２の厚さが厚い場合には、図５に示すように集光点Ｐを段階的に変えて上述した第１の変質層形成工程を複数回実行することにより、複数の変質層２１０を形成する。例えば、上述した加工条件においては１回に形成される変質層の厚さは約５０μｍであるため、上記第１の変質層形成工程を例えば３回実施して１５０μmの変質層２１０を形成する。また、厚さが３００μｍの半導体ウエーハ２に対して６層の変質層を形成し、半導体ウエーハ２の内部に第１の分割予定ライン２１に沿って半導体ウエーハ２の表面２ａから裏面２ｂに渡って変質層を形成してもよい。また、変質層２１０は、表面２ａおよび裏面２ｂに露出しないように内部だけに形成してもよい。   When the thickness of the semiconductor wafer 2 is large, the first altered layer forming step described above is performed a plurality of times by changing the condensing point P stepwise as shown in FIG. Layer 210 is formed. For example, since the thickness of the deteriorated layer formed at one time is about 50 μm under the above-described processing conditions, the first deteriorated layer forming step is performed three times, for example, to form the 150 μm deteriorated layer 210. Further, six altered layers are formed on the semiconductor wafer 2 having a thickness of 300 μm, and the semiconductor wafer 2 extends from the front surface 2a to the rear surface 2b along the first division line 21 inside the semiconductor wafer 2. An altered layer may be formed. Further, the altered layer 210 may be formed only inside so as not to be exposed on the front surface 2a and the back surface 2b.

このようにして、半導体ウエーハ２の所定方向に延在する全ての第１の分割予定ライン２１に沿って上記第１の変質層形成工程を実行したならば、半導体ウエーハ２を第１の分割予定ライン２１に沿って外力を付与し、変質層２１０が形成された第１の分割予定ライン２１に沿って破断しウエーハを短冊状に分割する第１の分割工程を実施する。この第１の分割工程は、図６に示す分割装置６を用いて実施する。
図６に示す分割装置６は、基台６１と、該基台６１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された移動テーブル６２を具備している。基台６１は矩形状に形成され、その両側部上面には矢印Ｙで示す方向に２本の案内レール６１１、６１２が互いに平行に配設されている。この２本の案内レール６１１、６１２上に移動テーブル６２が移動可能に配設されている。移動テーブル６２は、移動手段６３によって矢印Ｙで示す方向に移動せしめられる。移動テーブル６２上には、上記環状のフレーム３を保持するフレーム保持手段６４が配設されている。フレーム保持手段６４は、円筒状の本体６４１と、該本体６４１の上端に設けられた環状のフレーム保持部材６４２と、該フレーム保持部材６４２の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ６４３とからなっている。このように構成されたフレーム保持手段６４は、フレーム保持部材６４２上に載置された環状のフレーム３をクランプ６４３によって固定する。また、図６に示す分割装置６は、上記フレーム保持手段６４を回動せしめる回動手段６５を具備している。この回動手段６５は、上記移動テーブル６２に配設されたパルスモータ６５１と、該パルスモータ６５１の回転軸に装着されたプーリ６５２と、該プーリ６５２と円筒状の本体６４１に捲回された無端ベルト６５３とからなっている。このように構成された回動手段６５は、パルスモータ６５１を駆動することにより、プーリ６５２および無端ベルト６５３を介してフレーム保持手段６４を回動せしめる。 In this way, when the first deteriorated layer forming step is performed along all the first planned dividing lines 21 extending in a predetermined direction of the semiconductor wafer 2, the semiconductor wafer 2 is divided into the first divided schedule. An external force is applied along the line 21, and a first division step is performed in which the wafer is broken into strips by breaking along the first division line 21 on which the altered layer 210 is formed. This first dividing step is performed using a dividing device 6 shown in FIG.
The dividing device 6 shown in FIG. 6 includes a base 61 and a moving table 62 arranged on the base 61 so as to be movable in the direction indicated by the arrow Y. The base 61 is formed in a rectangular shape, and two guide rails 611 and 612 are arranged in parallel to each other in the direction indicated by the arrow Y on the upper surface of both side portions. A moving table 62 is movably disposed on the two guide rails 611 and 612. The moving table 62 is moved in the direction indicated by the arrow Y by the moving means 63. Frame holding means 64 for holding the annular frame 3 is disposed on the moving table 62. The frame holding means 64 includes a cylindrical main body 641, an annular frame holding member 642 provided at the upper end of the main body 641, and a plurality of clamps 643 as fixing means disposed on the outer periphery of the frame holding member 642. It is made up of. The frame holding means 64 configured as described above fixes the annular frame 3 placed on the frame holding member 642 with the clamp 643. Further, the dividing device 6 shown in FIG. 6 includes a rotating means 65 for rotating the frame holding means 64. The rotating means 65 is wound around a pulse motor 651 disposed on the moving table 62, a pulley 652 mounted on the rotation shaft of the pulse motor 651, and the pulley 652 and a cylindrical main body 641. It consists of an endless belt 653. The rotation means 65 configured as described above rotates the frame holding means 64 via the pulley 652 and the endless belt 653 by driving the pulse motor 651.

図６に示す分割装置６は、上記環状のフレーム保持部材６４２に保持された環状のフレーム３に保護テープ４を介して支持されている半導体ウエーハ２に分割予定ラインと直交する方向に引張力を作用せしめる張力付与手段６６を具備している。張力付与手段６６は、環状のフレーム保持部材６４の本体６４１内に配置されている。この張力付与手段６６は、矢印Y方向と直交する方向に長い長方形の保持面を備えた第１の吸引保持部材６６１と第２の吸引保持部材６６２を備えている。第１の吸引保持部材６６１には複数の吸引孔６６１aが形成されており、第２の吸引保持部材６６２には複数の吸引孔６６２aが形成されている。複数の吸引孔６６１aおよび６６２aは、図示しない吸引手段に連通されている。また、第１の吸引保持部材６６１と第２の吸引保持部材６６２は、図示しない移動手段によって矢印Y方向にそれぞれ移動せしめられるようになっている。   The dividing device 6 shown in FIG. 6 applies a tensile force to the semiconductor wafer 2 supported by the annular frame 3 held by the annular frame holding member 642 via the protective tape 4 in the direction perpendicular to the division line. There is provided tension applying means 66 to be applied. The tension applying means 66 is disposed in the main body 641 of the annular frame holding member 64. The tension applying means 66 includes a first suction holding member 661 and a second suction holding member 662 each having a rectangular holding surface that is long in a direction orthogonal to the arrow Y direction. The first suction holding member 661 has a plurality of suction holes 661a, and the second suction holding member 662 has a plurality of suction holes 662a. The plurality of suction holes 661a and 662a communicate with suction means (not shown). Further, the first suction holding member 661 and the second suction holding member 662 can be moved in the arrow Y direction by a moving means (not shown).

図６に示す分割装置６は、上記環状のフレーム保持部材６４２に保持された環状のフレーム３に保護テープ４を介して支持されている半導体ウエーハ２の分割予定ラインを検出するための検出手段６７を具備している。検出手段６７は、基台６１に配設されたＬ字状の支持柱６７１に取り付けられている。この検出手段６は、光学系および撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、上記張力付与手段６６の上方位置に配置されている。このように構成された検出手段６７は、上記環状のフレーム保持部材６４２に保持された環状のフレーム３に保護テープ４を介して支持されている半導体ウエーハ２の分割予定ラインを撮像し、これを電気信号に変換して図示しない制御手段に送る。   The dividing device 6 shown in FIG. 6 has a detecting means 67 for detecting a division line of the semiconductor wafer 2 supported on the annular frame 3 held by the annular frame holding member 642 via the protective tape 4. It has. The detection means 67 is attached to an L-shaped support column 671 disposed on the base 61. The detection means 6 is composed of an optical system, an image sensor (CCD), and the like, and is disposed above the tension applying means 66. The detection means 67 configured in this manner images the planned division line of the semiconductor wafer 2 supported by the annular frame 3 held by the annular frame holding member 642 via the protective tape 4, It is converted into an electric signal and sent to a control means (not shown).

上述した分割装置６を用いて実施する第１の分割工程について、図６および図７を参照して説明する。
上述した第１の変質層形成工程が実施された半導体ウエーハ２を保護テープ４を介して支持する環状のフレーム３を、図７の（ａ）に示すようにフレーム保持部材６４２上に載置し、クランプ６４３によってフレーム保持部材６４２に固定する。次に、移動手段６３を作動して移動テーブル６２を矢印Ｙで示す方向（図６参照）に移動し、図７の（ａ）に示すように半導体ウエーハ２の変質層２１が形成された１本の第１の分割予定ライン２１(図示の実施形態においては最左端の分割予定ライン)が張力付与手段６６を構成する第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との間に位置付ける。このとき、検出手段６７によって第１の分割予定ライン２１を撮像し、第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との位置合わせを行う。このようにして、１本の第１の分割予定ライン２１が第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との間に位置付けられたならば、図示しない吸引手段を作動し吸引孔６６１aおよび６６２aに負圧を作用せしめることにより、第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面上に保護テープ４を介して半導体ウエーハ２を吸引保持する(保持工程)。 A first dividing step performed using the dividing device 6 described above will be described with reference to FIGS. 6 and 7.
An annular frame 3 that supports the semiconductor wafer 2 on which the above-described first deteriorated layer forming step has been performed via a protective tape 4 is placed on a frame holding member 642 as shown in FIG. The frame holding member 642 is fixed by a clamp 643. Next, the moving means 63 is operated to move the moving table 62 in the direction indicated by the arrow Y (see FIG. 6), and the altered layer 21 of the semiconductor wafer 2 is formed as shown in FIG. The first scheduled dividing line 21 (the leftmost scheduled dividing line in the illustrated embodiment) of the holding surface of the first suction holding member 661 and the second suction holding member 662 constituting the tension applying means 66. Position it between the holding surface. At this time, the first dividing line 21 is imaged by the detection unit 67 and the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662 are aligned. In this way, if one first scheduled division line 21 is positioned between the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662, suction (not shown) is performed. By operating the means to apply a negative pressure to the suction holes 661a and 662a, the semiconductor wafer 2 is placed on the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662 via the protective tape 4. Is sucked and held (holding step).

上述した保持工程を実施したならば、張力付与手段６６を構成する図示しない移動手段を作動し、第１の吸引保持部材６６１と第２の吸引保持部材６６２を図７の(b)に示すように互いに離反する方向に移動せしめる。この結果、第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との間に位置付けられた第１の分割予定ライン２１には、第１の分割予定ライン２１と直交する方向に引張力が作用して、半導体ウエーハ２は第１の分割予定ライン２１に沿って破断される(第１の分割工程)。この第１の分割工程を実施することにより、保護テープ４は僅かに伸びる。この分割工程においては、半導体ウエーハ２は第１の分割予定ライン２１に沿って変質層２１０が形成され強度が低下せしめられているので、第１の吸引保持部材６６１と第２の吸引保持部材６６２を互いに離反する方向に０．５mm程度移動することにより半導体ウエーハ２を第１の分割予定ライン２１に沿って破断することができる。   When the holding step described above is performed, the moving means (not shown) constituting the tension applying means 66 is operated, and the first suction holding member 661 and the second suction holding member 662 are shown in FIG. Move them away from each other. As a result, the first division planned line 21 positioned between the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662 is orthogonal to the first division planned line 21. A tensile force acts in the direction in which the semiconductor wafer 2 is broken, and the semiconductor wafer 2 is broken along the first scheduled dividing line 21 (first dividing step). By performing this first division step, the protective tape 4 is slightly extended. In this dividing step, the semiconductor wafer 2 has the deteriorated layer 210 formed along the first scheduled dividing line 21 and the strength thereof is lowered. Therefore, the first suction holding member 661 and the second suction holding member 662 are reduced. Are moved about 0.5 mm in directions away from each other, the semiconductor wafer 2 can be broken along the first scheduled dividing line 21.

上述したように所定方向に形成された１本の第１の分割予定ライン２１に沿って破断する第１の分割工程を実施したならば、上述した第１の吸引保持部材６６１および第２の吸引保持部材６６２による半導体ウエーハ２の吸引保持を解除する。次に、移動手段６３を作動して移動テーブル６２を矢印Ｙで示す方向（図６参照）に第１の分割予定ライン２１の間隔に相当する分だけ移動し、上記第１の分割工程を実施した第１の分割予定ライン２１の隣の第１の分割予定ライン２１が張力付与手段６６を構成する第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との間に位置付ける。そして、上記保持工程および第１の分割工程を実施する。以上のようにして、所定方向に形成された全ての第１の分割予定ライン２１に対して上記保持工程および第１の分割工程を実施することにより、半導体ウエーハ２は第１の分割予定ライン２１に沿って短冊状に分割される。   If the 1st division | segmentation process fractured | ruptured along the 1st division | segmentation line 21 formed in the predetermined direction as mentioned above is implemented, the 1st suction holding member 661 and the 2nd suction | attraction mentioned above will be carried out. The suction holding of the semiconductor wafer 2 by the holding member 662 is released. Next, the moving means 63 is operated to move the moving table 62 in the direction indicated by the arrow Y (see FIG. 6) by an amount corresponding to the interval between the first scheduled dividing lines 21, and the first dividing step is performed. The first planned division line 21 adjacent to the first planned division line 21 is between the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662 constituting the tension applying means 66. Position. And the said holding process and a 1st division | segmentation process are implemented. As described above, by carrying out the holding process and the first dividing process on all the first planned dividing lines 21 formed in the predetermined direction, the semiconductor wafer 2 has the first planned dividing lines 21. Are divided into strips.

なお、分割工程において第１の分割予定ライン２１と第２の分割予定ライン２２の両方に変質層が形成されていると、第１の分割予定ライン２１に沿って外力を付与する際に第２の分割予定ライン２２に形成された変質層にも外力が伝播するため、分割予定ラインが蛇行し、第１の分割予定ライン２１と第２の分割予定ライン２２が交差する近傍において歪み、斜め割れやバリ等が発生する。しかるに、上述した第１の分割工程においては、第１の分割予定ライン２１と交差する第２の分割予定ライン２２には変質層が形成されていないので、第１の分割予定ライン２１と直交する方向に引張力が作用する際に第１の分割予定ライン２１が蛇行することなく、半導体ウエーハ２を第１の分割予定ライン２１に沿って精度良く分割することができる。   In addition, when an altered layer is formed on both the first planned division line 21 and the second planned division line 22 in the division step, the second force is applied when an external force is applied along the first planned division line 21. Since an external force is also propagated to the altered layer formed in the planned division line 22, the division planned line meanders, and distortion and oblique cracking occur in the vicinity where the first division planned line 21 and the second planned division line 22 intersect. And burrs occur. However, in the first division step described above, no alteration layer is formed on the second planned division line 22 that intersects the first planned division line 21, so that it is orthogonal to the first planned division line 21. The semiconductor wafer 2 can be accurately divided along the first scheduled dividing line 21 without the first scheduled dividing line 21 meandering when a tensile force acts in the direction.

、
上述した第１の分割工程を実施したならば、第１の分割工程を実施することにより短冊状に分割された半導体ウエーハ２に、シリコンウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を第２の分割予定ライン２２に沿って照射し、ウエーハの内部に第２の分割予定ライン２２に沿って変質層を形成する第２の変質層形成工程を実施する。この第２の変質層形成工程は、上記図３に示すレーザー加工装置５を用いて実施する。なお、第２の変質層形成工程を実施する際には、図８に示すように半導体ウエーハ２（第１の分割予定ライン２１に沿って短冊状に分割されている）はレーザー加工装置５のチャックテーブル５１上に上記第１の変質工程のときと９０度の位相角をもって載置し、該チャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する。このようにして、チャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を吸着保持したならば、上述したアライメント工程を実施する。 ,
If the first dividing step described above is performed, a laser beam having a wavelength that is transmissive to the silicon wafer is applied to the semiconductor wafer 2 that has been divided into strips by performing the first dividing step. A second deteriorated layer forming step of irradiating along the planned division line 22 and forming a deteriorated layer along the second planned division line 22 inside the wafer is performed. This second deteriorated layer forming step is performed using the laser processing apparatus 5 shown in FIG. When the second deteriorated layer forming step is performed, as shown in FIG. 8, the semiconductor wafer 2 (divided into strips along the first division planned line 21) is used in the laser processing apparatus 5. The semiconductor wafer 2 is placed on the chuck table 51 with a phase angle of 90 degrees with that in the first alteration step, and the semiconductor wafer 2 is sucked and held on the chuck table 51. If the semiconductor wafer 2 is sucked and held on the chuck table 51 in this way, the alignment process described above is performed.

次に、図９の（ａ）で示すようにチャックテーブル５１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第２の分割予定ライン２２の一端（図９の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器５２２の直下に位置付ける。そして、集光器５２２からシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５１を図９の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図９の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段５２の集光器３２２の照射位置が第２の分割予定ライン２２の他端（図９の（b）において右端）の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の移動を停止する。この第２の変質層形成工程においても、パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の表面２ａ（下面）付近に合わせる。この結果、半導体ウエーハ２０には、第２の分割予定ライン２２に沿って表面２ａ（下面）から内部に向けて変質層２２０が形成される。この変質層２２０は、溶融再固化層として形成される。なお、第２の変質層形成工程の加工条件は、上記第１の変質層形成工程の加工条件と同じでよい。   Next, as shown in FIG. 9A, the chuck table 51 is moved to the laser beam irradiation area where the condenser 522 of the laser beam irradiation means 52 for irradiating the laser beam is located, and the predetermined second division line 22 is moved. One end (the left end in FIG. 9A) is positioned directly below the condenser 522 of the laser beam irradiation means 52. Then, the chuck table 51 is moved at a predetermined processing feed rate in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 9A while irradiating a pulse laser beam having a wavelength that is transmissive to the silicon wafer from the condenser 522. Then, as shown in FIG. 9B, when the irradiation position of the condenser 322 of the laser beam irradiation means 52 reaches the position of the other end of the second scheduled division line 22 (the right end in FIG. 9B). The irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 51 is stopped. Also in the second deteriorated layer forming step, the condensing point P of the pulse laser beam is matched with the vicinity of the surface 2a (lower surface) of the semiconductor wafer 2. As a result, the altered layer 220 is formed on the semiconductor wafer 20 from the surface 2a (lower surface) to the inside along the second scheduled dividing line 22. This altered layer 220 is formed as a melt-resolidified layer. The processing conditions for the second deteriorated layer forming step may be the same as the processing conditions for the first deteriorated layer forming step.

このようにして、半導体ウエーハ２に形成された全ての第２の分割予定ライン２２に沿って上記第２の変質層形成工程を実行したならば、短冊状に形成された半導体ウエーハ２に第２の分割予定ライン２２に沿って外力を付与し、変質層２２０が形成された第２の分割予定ラインに沿って破断しウエーハを個々のチップに分割する第２の分割工程を実施する。この第２の分割工程は、上記図６に示す分割装置６を用いて実施する。即ち、上述した第２の変質層形成工程が実施され短冊状に分割された半導体ウエーハ２を保護テープ４を介して支持する環状のフレーム３を、図１０の（ａ）に示すようにフレーム保持部材６４２上に載置し、クランプ６４３によってフレーム保持部材６４２に固定する。次に、移動手段６３を作動して移動テーブル６２を矢印Ｙで示す方向（図６参照）に移動し、図１０の（ａ）に示すように半導体ウエーハ２の変質層２２が形成された１本の第２の分割予定ライン２２(図示の実施形態においては最左端の分割予定ライン)が張力付与手段６６を構成する第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との間に位置付ける。このとき、検出手段６７によって第２の分割予定ライン２２を撮像し、第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との位置合わせを行う。このようにして、１本の第２の分割予定ライン２２が第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との間に位置付けられたならば、図示しない吸引手段を作動し吸引孔６６１aおよび６６２aに負圧を作用せしめることにより、第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面上に保護テープ４を介して短冊状に分割された半導体ウエーハ２を吸引保持する(保持工程)。   In this way, if the second deteriorated layer forming step is executed along all the second scheduled division lines 22 formed on the semiconductor wafer 2, the second wafer layer 2 formed on the semiconductor wafer 2 is formed into a second shape. A second dividing step is performed in which an external force is applied along the predetermined dividing line 22 and the wafer is broken along the second dividing line on which the deteriorated layer 220 is formed to divide the wafer into individual chips. This second dividing step is performed using the dividing device 6 shown in FIG. That is, the annular frame 3 for supporting the semiconductor wafer 2 divided into strips through the protective tape 4 after the second deteriorated layer forming step is held as shown in FIG. It is placed on the member 642 and fixed to the frame holding member 642 by a clamp 643. Next, the moving means 63 is actuated to move the moving table 62 in the direction indicated by the arrow Y (see FIG. 6), and the altered layer 22 of the semiconductor wafer 2 is formed as shown in FIG. The second scheduled split line 22 (the leftmost scheduled split line in the illustrated embodiment) of the first suction holding member 661 and the second suction holding member 662 constituting the tension applying means 66. Position it between the holding surface. At this time, the second planned dividing line 22 is imaged by the detection means 67, and the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662 are aligned. In this way, if one second scheduled dividing line 22 is positioned between the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662, suction (not shown) is performed. By operating the means and applying a negative pressure to the suction holes 661a and 662a, the first suction holding member 661 and the second suction holding member 662 are formed in a strip shape on the holding surface of the second suction holding member 662 via the protective tape 4. The divided semiconductor wafer 2 is sucked and held (holding process).

上述した保持工程を実施したならば、張力付与手段６６を構成する図示しない移動手段を作動し、第１の吸引保持部材６６１と第２の吸引保持部材６６２を図１０の(b)に示すように互いに離反する方向に移動せしめる。この結果、第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との間に位置付けられた第２の分割予定ライン２２には、第２の分割予定ライン２２と直交する方向に引張力が作用して、短冊状に分割された半導体ウエーハ２は第２の分割予定ライン２２に沿って破断される(第２の分割工程)。この第２の分割工程を実施することにより、保護テープ４は僅かに伸びる。この第２の分割工程においては、半導体ウエーハ２は第２の分割予定ライン２２に沿って変質層２２０が形成され強度が低下せしめられているので、第１の吸引保持部材６６１と第２の吸引保持部材６６２を互いに離反する方向に０．５mm程度移動することにより短冊状に分割された半導体ウエーハ２を第２の分割予定ライン２２に沿って破断することができる。   When the holding step described above is performed, the moving means (not shown) constituting the tension applying means 66 is operated, and the first suction holding member 661 and the second suction holding member 662 are shown in FIG. Move them away from each other. As a result, the second division line 22 positioned between the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662 is orthogonal to the second division line 22. The semiconductor wafer 2 divided into strips is broken along the second scheduled division line 22 (second dividing step). By performing this second dividing step, the protective tape 4 is slightly extended. In the second dividing step, the semiconductor wafer 2 has the deteriorated layer 220 formed along the second scheduled dividing line 22 and the strength thereof is lowered, so that the first suction holding member 661 and the second suction are reduced. By moving the holding member 662 about 0.5 mm away from each other, the semiconductor wafer 2 divided into strips can be broken along the second scheduled dividing line 22.

上述したように１本の第２の分割予定ライン２２に沿って破断する第２の分割工程を実施したならば、上述した第１の吸引保持部材６６１および第２の吸引保持部材６６２による半導体ウエーハ２の吸引保持を解除する。次に、移動手段６３を作動して移動テーブル６２を矢印Ｙで示す方向（図６参照）に第２の分割予定ライン２２の間隔に相当する分だけ移動し、上記第２の分割工程を実施した第２の分割予定ライン２２の隣の第２の分割予定ライン２２が張力付与手段６６を構成する第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との間に位置付ける。そして、上記保持工程および第２の分割工程を実施する。以上のようにして、所定方向に形成された全ての第２の分割予定ライン２２に対して上記保持工程および第２の分割工程を実施することにより、短冊状に分割された半導体ウエーハ２は第２の分割予定ライン２２に沿って破断され個々のチップ２０に分割される。   As described above, if the second dividing step of breaking along one second scheduled dividing line 22 is performed, the semiconductor wafer by the first suction holding member 661 and the second suction holding member 662 described above is used. Release suction hold of 2. Next, the moving means 63 is actuated to move the moving table 62 in the direction indicated by the arrow Y (see FIG. 6) by an amount corresponding to the interval between the second scheduled division lines 22, and the second dividing step is performed. The second scheduled division line 22 adjacent to the second scheduled division line 22 is between the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662 constituting the tension applying means 66. Position. Then, the holding step and the second dividing step are performed. As described above, by performing the holding step and the second dividing step on all the second scheduled dividing lines 22 formed in the predetermined direction, the semiconductor wafer 2 divided into strips can be It is broken along the two scheduled division lines 22 and divided into individual chips 20.

なお、上述した第２の分割工程を実施する際には、半導体ウエーハ２は第１の分割予定ライン２１に沿って短冊状に分割されているので、第２の分割予定ライン２２と直交する方向に引張力が作用することにより、半導体ウエーハ２は第２の分割予定ライン２２に沿って精度良く分割される。   When performing the above-described second division step, the semiconductor wafer 2 is divided into strips along the first division line 21, so that the direction is perpendicular to the second division line 22. When the tensile force acts on the semiconductor wafer 2, the semiconductor wafer 2 is divided along the second scheduled division line 22 with high accuracy.

以上、本発明を実施形態に基いて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上記第１の変質層形成工程および第１の分割工程を実施しウエーハを短冊状に分割したならば、短冊状に形成されたウエーハの１本１本に対してそれぞれ第２の変質層形成工程および第２の分割工程を実施してもよい。このようにすることにより、第１の分割工程を実施しウエーハを短冊状に分割することにより、短冊状のウエーハにそれぞれ形成されている第２の分割予定ラインが僅かに変位しても、第２の変質層形成工程において第２の分割予定ラインに沿って確実に変質層を形成することができる。   Although the present invention has been described based on the embodiments, the present invention is not limited only to the embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention. For example, if the first deteriorated layer forming step and the first dividing step are performed to divide the wafer into strips, the second deteriorated layer is formed for each of the wafers formed in strips. You may implement a formation process and a 2nd division | segmentation process. In this way, the first dividing step is performed to divide the wafer into strips, so that even if the second scheduled lines formed on the strip-shaped wafers are slightly displaced, In the second deteriorated layer forming step, the deteriorated layer can be reliably formed along the second scheduled division line.

本発明によるウエーハの分割方法によって個々のチップに分割される半導体ウエーハの斜視図。The perspective view of the semiconductor wafer divided | segmented into each chip | tip by the wafer division | segmentation method by this invention. 図１に示す半導体ウエーハを環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着した状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state which affixed the semiconductor wafer shown in FIG. 1 on the surface of the protective tape with which the cyclic | annular flame | frame was mounted | worn. 本発明によるウエーハの分割方法における第１の変質層形成工程および第２の変質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。The principal part perspective view of the laser processing apparatus for implementing the 1st deteriorated layer formation process and the 2nd deteriorated layer formation process in the division | segmentation method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの分割方法における第１の変質層形成行程の説明図。Explanatory drawing of the 1st deteriorated layer formation process in the division | segmentation method of the wafer by this invention. 図４に示す第１の変質層形成行程において半導体ウエーハの内部に変質層を積層して形成した状態を示す説明図。FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating a state in which a deteriorated layer is stacked and formed inside a semiconductor wafer in the first deteriorated layer forming step illustrated in FIG. 4. 本発明によるウエーハの分割方法における第１の分割工程および第２の分割工程を実施するための分割装置の斜視図。The perspective view of the dividing apparatus for implementing the 1st division process and the 2nd division process in the division method of the wafer by the present invention. 本発明によるウエーハの分割方法における第１の分割工程の説明図。Explanatory drawing of the 1st division | segmentation process in the division | segmentation method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの分割方法における第２の変質層形成行程の説明図。Explanatory drawing of the 2nd deteriorated layer formation process in the division | segmentation method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの分割方法における第２の変質層形成行程の説明図。Explanatory drawing of the 2nd deteriorated layer formation process in the division | segmentation method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの分割方法における第２の分割工程の説明図。Explanatory drawing of the 2nd division | segmentation process in the division | segmentation method of the wafer by this invention.

符号の説明Explanation of symbols

２：半導体ウエーハ
２０：チップ
２１：第１の分割予定ライン
２２：第２の分割予定ライン
２３：デバイス
２１０：変質層
２２０：変質層
３：環状のフレーム
４：保護テープ
５：レーザー加工装置
５１：レーザー加工装置のチャックテーブル
５２：レーザー光線照射手段
５３：撮像手段
６： 分割装置
６１：分割装置の基台
６２：移動テーブル
６３：移動手段
６４：フレーム保持手段
６５：回動手段
６６：張力付与手段
６７：検出手段 2: Semiconductor wafer 20: Chip 21: First division planned line 22: Second division planned line 23: Device
210: Altered layer 220: Altered layer 3: Circular frame 4: Protective tape
5: Laser processing apparatus 51: Chuck table of laser processing apparatus 52: Laser beam irradiation means 53: Imaging means 6: Dividing apparatus 61: Base of dividing apparatus 62: Moving table 63: Moving means 64: Frame holding means 65: Rotation Means 66: Tension applying means 67: Detection means

Claims (2)

所定の方向に延びる複数の第１の分割予定ラインと該複数の第１の分割予定ラインと交差して形成された複数の第２の分割予定ラインによって区画されたウエーハを、第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を第１の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に第１の分割予定ラインに沿って変質層を形成する第１の変質層形成工程と、
該第１の変質層形成工程を実施した後に、ウエーハに第１の分割予定ラインに沿って外力を付与し、該変質層が形成された第１の分割予定ラインに沿って破断しウエーハを短冊状に分割する第１の分割工程と、
該第１の分割工程を実施することにより短冊状に分割されたウエーハに、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を第２の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に第２の分割予定ラインに沿って変質層を形成する第２の変質層形成工程と、
該第２の変質層形成工程を実施した後に、短冊状のウエーハに第２の分割予定ラインに沿って外力を付与し、該変質層が形成された第２の分割予定ラインに沿って破断しウエーハを個々のチップに分割する第２の分割工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。 A wafer that is partitioned by a plurality of first division lines that extend in a predetermined direction and a plurality of second division lines that are formed to intersect the plurality of first division lines. A method of dividing a wafer into individual chips along a line and a second scheduled division line,
A first deteriorated layer forming step of irradiating a laser beam having a wavelength transmissive to the wafer along the first scheduled dividing line and forming an altered layer along the first scheduled split line inside the wafer; ,
After performing the first deteriorated layer forming step, an external force is applied to the wafer along the first planned dividing line, and the wafer is broken along the first planned divided line where the deteriorated layer is formed. A first dividing step of dividing into a shape;
The wafer divided into strips by carrying out the first division step is irradiated with a laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer along the second division line, and the second inside the wafer. A second deteriorated layer forming step of forming a deteriorated layer along the division line of
After performing the second deteriorated layer forming step, an external force is applied to the strip-shaped wafer along the second scheduled dividing line, and the strip is broken along the second scheduled divided line on which the deteriorated layer is formed. A second dividing step of dividing the wafer into individual chips,
A wafer dividing method characterized by the above. ウエーハを環状のフレームに装着された保護テープに貼着する保護テープ貼着工程を実施した後に、該第１の変質層形成工程、該第１の分割工程、該第２の変質層形成工程および該第２の分割工程を実施する、請求項１記載のウエーハの分割方法。   After carrying out the protective tape attaching step for attaching the wafer to the protective tape attached to the annular frame, the first altered layer forming step, the first dividing step, the second altered layer forming step, and The wafer dividing method according to claim 1, wherein the second dividing step is performed.
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