JP2007180103A - 結像光学系、露光装置、結像光学系の調整方法、露光装置の調整方法及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 偏光収差を低減することができる結像光学系を提供する。
【解決手段】 第1面Rのパターンの像を第2面W上に結像する結像光学系PLにおいて、該結像光学系PLは複数の光学部材LS1〜LS7を有し、前記複数の光学部材LS1〜LS7のうちの少なくとも1つは、前記結像光学系PLに残存する偏光収差を補正するための補正光学部材と置換可能に構成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 第1面Rのパターンの像を第2面W上に結像する結像光学系PLにおいて、該結像光学系PLは複数の光学部材LS1〜LS7を有し、前記複数の光学部材LS1〜LS7のうちの少なくとも1つは、前記結像光学系PLに残存する偏光収差を補正するための補正光学部材と置換可能に構成されている。
【選択図】 図1
Description
この発明は、例えば、半導体素子、撮像素子(CCD等)、液晶表示素子または薄膜磁気ヘッド等のデバイスを製造するためのリソグラフィ工程でパターンを基板上に転写するために用いられる結像光学系、該結像光学系を備えた露光装置、結像光学系の調整方法、露光装置の調整方法及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関するものである。
半導体集積回路や液晶ディスプレイ等のマイクロデバイスを製造する場合において、マスク(レチクル、フォトマスク等)のパターンを、投影光学系を介してフォトレジスト等が塗布されたプレート(ガラスプレート、半導体ウエハ等)上に投影露光する投影露光装置が使用されている(例えば、特許文献1参照)。この種の投影露光装置では、パターンの微細化に伴い、高解像度化が要求されている。
投影露光装置における高解像度の要求に伴い、結像光学系としての投影光学系の非偏光収差のみならず、偏光収差を低減することが重要となっている。偏光収差の発生要因として、投影光学系を構成する光学部材の内部歪み、光学部材を保持するホルダ等による応力、光学部材の固有複屈折(蛍石等)、コートの偏光特性等が挙げられる。したがって、個々の光学部材の偏光特性を計測し、計測結果に基づいて偏光収差のない投影光学系を設計する。しかしながら、このように設計された投影光学系を実際に組み立てた場合、組み立て前に予想された偏光収差と組み立て後に計測される偏光収差とが異なり、偏光収差が残存するという問題があった。
この発明の課題は、偏光収差を低減することができる結像光学系、該結像光学系を備えた露光装置、結像光学系の調整方法、露光装置の調整方法及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法を提供することである。
この発明の結像光学系は、第1面(R)のパターンの像を第2面(W)上に結像する結像光学系(PL)において、該結像光学系(PL)は複数の光学部材(LS1〜LS7)を有し、前記複数の光学部材(LS1〜LS7)のうちの少なくとも1つは、前記結像光学系(PL)に残存する偏光収差を補正するための補正光学部材と置換可能に構成されていることを特徴とする。
また、この発明の露光装置は、前記第1面(R)のパターンを感光性基板(W)が配置される前記第2面上に露光する露光装置(11)において、前記第1面(R)のパターンを照明する照明光学系(12)と、前記第1面(R)のパターンの像を感光性基板(W)が配置される前記第2面上に結像するための、この発明の結像光学系(PL)とを備えることを特徴とする。
また、この発明の結像光学系の調整方法は、第1面(R)のパターンの像を第2面(W)上に結像する結像光学系(PL)の調整方法において、前記結像光学系(PL)に対して所定の偏光光を導き、前記結像光学系(PL)に残存する偏光収差を計測する計測工程と、前記計測工程の計測結果に基づいて、前記結像光学系(PL)に残存する偏光収差を補正するために、前記結像光学系(PL)が備える複数の光学部材(LS1〜LS7)のうちの少なくとも1つを補正光学部材に置換する置換工程とを含むことを特徴とする。
また、この発明の露光装置の調整方法は、第1面(R)のパターンを照明する照明光学系(12)と、第1面(R)のパターンの像を感光性基板(W)が配置される第2面上に結像する結像光学系(PL)とを有する露光装置(11)の調整方法において、前記照明光学系(12)から供給される所定の偏光光を結像光学系(PL)へ導き、前記結像光学系(PL)に残存する偏光収差を計測する計測工程(S10)と、前記計測工程(S10)の計測結果に基づいて、前記結像光学系(PL)に残存する偏光収差を補正するために、前記結像光学系(PL)が備える複数の光学部材(LS1〜LS7)のうちの少なくとも1つを補正光学部材に置換する置換工程(S11)とを含むことを特徴とする。
また、この発明のデバイスの製造方法は、この発明の結像光学系、この発明の露光装置、この発明の方法により調整された結像光学系、またはこの発明の方法により調整された露光装置を用いて、所定のパターンを感光性基板に露光する露光工程(S303)と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程(S304)とを含むことを特徴とする。
この発明の結像光学系によれば、複数の光学部材のうちの少なくとも1つが結像光学系に残存する偏光収差を補正するための補正光学部材と置換可能に構成されているため、結像光学系を組み立てる前に予想された偏光収差と結像光学系を組み立てた後に計測される偏光収差とが異なる場合においても結像光学系に残存する偏光収差を良好に補正することができる。
また、この発明の露光装置によれば、この発明の結像光学系を備えているため、結像光学系に残存する偏光収差を良好に補正することができ、高解像度で露光を行なうことができる。
また、この発明の結像光学系の調整方法によれば、結像光学系に残存する偏光収差を補正するために複数の光学部材のうちの少なくとも1つを補正光学部材に置換する工程を含んでいるため、結像光学系を組み立てる前に予想された偏光収差と結像光学系を組み立てた後に計測される偏光収差とが異なる場合においても結像光学系に残存する偏光収差を良好に補正することができる。
また、この発明の露光装置の調整方法によれば、結像光学系に残存する偏光収差を補正するために結像光学系が備える複数の光学部材のうちの少なくとも1つを補正光学部材に置換する工程を含んでいるため、結像光学系に残存する偏光収差を良好に補正することができる。したがって、この発明の調整方法により調整された露光装置を用いて高解像度で露光を行なうことができる。
また、この発明のデバイスの製造方法によれば、この発明の結像光学系等を用いて露光を行なうため、高解像度で露光を行なうことができ、良好なデバイスを得ることができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態に係る露光装置について説明する。図1に示すように、本実施の形態の露光装置11は、マスクとしてのレチクルRと基板としてのウエハWとを一次元方向(ここでは、図1における紙面内左右方向)に同期移動させつつ、レチクルRに形成された回路パターンを、投影光学系PLを介してウエハW上の各ショット領域に転写する。即ち、本実施の形態の露光装置11は、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、いわゆるスキャニング・ステッパである。
露光装置11は、露光光源(図示略)、照明光学系12、レチクルステージRST、投影光学系PL、及びウエハステージWSTなどを備えている。そして、レチクルステージRSTはレチクルRを保持すると共に、ウエハステージWSTはウエハWを保持する。また、本実施の形態の露光光源には、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)を露光光ELとして発光する光源が用いられている。
照明光学系12は、図示しないフライアイレンズやロッドレンズなどのオプティカルインテグレータ、リレーレンズ、及びコンデンサレンズなどの各種レンズ系及び開口絞りなどを含んで構成されている。そして、図示しない露光光源から出射された露光光ELは、照明光学系12を通過することにより、レチクルR上のパターンを均一に照明するように調整される。
レチクルステージRSTは、照明光学系12と投影光学系PLとの間に、レチクルRの載置面が光路と略直交するように配置されている。すなわち、レチクルステージRSTは、投影光学系PLの物体面側(露光光ELの入射側であって、図1では上側)に配置されている。
投影光学系(結像光学系)PLは、複数(図1では7枚のみ図示)のレンズエレメント(複数の光学部材)LS1,LS2,LS3,LS4,LS5,LS6,LS7を備えており、レチクル(第1面)Rのパターンの像をウエハ(第2面)W上に結像する。レンズエレメントLS1〜LS7のうち最もウエハW側のレンズエレメントLS7以外のレンズエレメントLS1〜LS6は、鏡筒13内に保持されている。そして、鏡筒13内における各レンズエレメントLS1〜LS6間は、パージガス(例えば窒素)が充填されている。また、鏡筒13の下端部には、平行平板であるレンズエレメントLS7を保持するためのレンズホルダ14が配設されている。
また、レンズエレメントLS1〜LS7のうちの少なくとも1つのレンズエレメントは、投影光学系PLに残存する偏光収差を補正するための補正用レンズエレメント(図示せず)と置換可能に構成されている。偏光収差は、投影光学系PLにおける互いに直交した2方向で偏光する光の屈折率の違いにより発生する収差で、レンズエレメント単体の内部歪み、レンズエレメントを保持するためのホルダ等による応力、レンズエレメントの固有複屈折(蛍石など)、レンズエレメントのコートの偏光特性等の影響により発生する収差である。
補正用レンズエレメントは、投影光学系PLに残存する偏光収差を補正するために最適な歪み分布を有している。また、投影光学系PLにおける互いに直交する2方向で偏光する光の差の波面のRMSをWとし、補正用レンズエレメントの軸上厚さをTとするとき、数式1の条件を満たしている。
(数式1)
5×10−8<W/T<4×10−7
W/Tが5×10−8以下となると十分な歪み性能補正を行なうことができず、W/Tが4×10−7以上となると多量の歪み量を有する補正用レンズエレメントを要し、このような補正用レンズエレメントの作製は困難である。したがって、数式1の条件を満たす必要がある。なお、W/Tが8×10−8より大きく3×10−7より小さいほうがより望ましい。
(数式1)
5×10−8<W/T<4×10−7
W/Tが5×10−8以下となると十分な歪み性能補正を行なうことができず、W/Tが4×10−7以上となると多量の歪み量を有する補正用レンズエレメントを要し、このような補正用レンズエレメントの作製は困難である。したがって、数式1の条件を満たす必要がある。なお、W/Tが8×10−8より大きく3×10−7より小さいほうがより望ましい。
また、補正用レンズエレメントと置換可能に構成されているレンズエレメント及び補正用レンズエレメントは、レンズエレメントの収差感度の観点から平行平板であることが好ましく、この実施の形態においては、平行平板であるレンズエレメントLS7が補正用レンズエレメントと置換可能に構成されているのが好ましい。
ウエハステージWSTは、投影光学系PLの像面側において、ウエハWの載置面が露光光ELの光路と略直交するように配置されている。そして、露光光ELにて照明されたレチクルR上のパターンの像が、投影光学系PLを通して所定の縮小倍率に縮小された状態で、ウエハステージWST上のウエハWに投影転写される。また、ウエハステージWST上には、投影光学系PLの偏光収差を計測する偏光収差測定器40が設けられている。偏光収差測定器40は、図示しない偏光板等を備え、この偏光板等を用いて露光光ELを投影光学系PLにおける互いに直交した2方向で偏光する光に分光し、それぞれの偏光の収差を測定する。
ここで、本実施の形態に係る露光装置11は、露光光ELを実質的に短波長化して解像度を向上させると共に焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用したいわゆる液浸露光装置である。そのため、露光装置11には、レンズエレメントLS7の光射出面側の光路空間15及び光入射面側の光路空間16に所定の液体(例えば、純水)を個別に供給するための第1液体供給装置17及び第2液体供給装置18が設けられている。また、露光装置11には、光路空間15及び光路空間16に供給された所定の液体(例えば、純水)を個別に回収するための第1液体回収装置19及び第2液体回収装置20が設けられている。
レンズエレメントLS7とウエハWとの間の光路空間15には、第1液体供給装置17から液体が供給されることにより、液浸領域LT1が形成される。そして、液浸領域LT1を形成する液体は、第1液体回収装置19の駆動に基づき光路空間15から回収される。また、レンズエレメントLS6とレンズエレメントLS7との間の光路空間16には、第2液体供給装置18から液体が供給されることにより、液浸領域LT2が形成される。そして、この液浸領域LT2を形成する液体は、第2液体回収装置20の駆動に基づき光路空間16から回収される。
本実施の形態の投影光学系PLにおいては、鏡筒13とレンズホルダ14との間に、環状をなすノズル部材(以下、ウエハW側から2つ目の光路空間16に液体を供給するものであるから「第2ノズル部材」という。)21が露光光ELの光路を囲むように配設されている。第2ノズル部材21は、図示しない支持部材によってレンズエレメントLS6及びレンズエレメントLS7に当接しないように支持されている。また、第2ノズル部材21は、液体供給管22を介して第2液体供給装置18に連結されている。第2ノズル部材21内には液体供給管22と連通する液体供給通路(図示せず)が形成されており、液体供給管22及び液体供給通路を流動した液体は、第2ノズル部材21の内側に形成された供給用開口部(図示せず)を介して光路空間16内に流入する。
また、第2ノズル部材21は、液体回収管25を介して第2液体回収装置20に連結されている。第2ノズル部材21内には、液体回収管25と連通する液体回収通路(図示せず)が形成されている。そして、光路空間16内で液浸領域LT2を形成する液体は、第2ノズル部材21の内側において図示しない供給用開口部と対向する側に形成された回収用開口部(図示せず)を介して第2液体回収装置20に回収される。
また、レンズホルダ14とウエハWとの間には、環状をなすノズル部材(以下、ウエハW側から1つ目の光路空間15に液体を供給するものであるから「第1ノズル部材」という。)30が露光光ELの光路を囲むように配設されている。そして、第1ノズル部材30は、図示しない支持部材によって第1特定レンズエレメントLS7及びレンズホルダ14に当接しないように支持されている。また、第1ノズル部材30は、液体供給管31を介して第1液体供給装置17に連結されている。第1ノズル部材30内には液体供給管31と連通する液体供給通路(図示せず)が形成されると共に、第1ノズル部材30の下面側には液体供給通路32と連通する供給用開口部(図示せず)が環状をなすように形成されている。
また、第1ノズル部材30は、液体回収管34を介して第1液体回収装置19に連結されている。第1ノズル部材30内には液体回収管34と連通する液体回収通路(図示せず)が形成されると共に、第1ノズル部材30の下面側には図示しない液体回収通路に連通する回収用開口部(図示せず)が環状をなすように形成されている。この回収用開口部は、図示しない供給用開口部の外側に供給用開口部を包囲するように形成されている。
次に、本実施の形態の露光装置11の各光路空間15,16に液体を供給した際の作用について説明する。ウエハステージWSTに載置されたウエハWが露光光ELの光路上に配置されると、第1液体供給装置17及び第2液体供給装置18が駆動を開始する。すると、第1液体供給装置17から液体が供給され、この液体は、液体供給管31を介して光路空間15内に供給される。同時に、第2液体供給装置18から液体が供給され、この液体は、液体供給管22を介して光路空間16内に供給される。
そして、第1液体供給装置17は、所定容量の液体を光路空間15内に供給すると、その駆動を停止する。その結果、光路空間15内には、液体からなる液浸領域LT1が形成される。また、第2液体供給装置18は、所定容量の液体を光路空間16内に供給すると、その駆動を停止する。その結果、光路空間16内には、液体からなる液浸領域LT2が形成される。
第1の実施の形態にかかる露光装置11によれば、レンズエレメントLS1〜LS7の少なくとも1つが投影光学系PLに残存する偏光収差を補正するための補正用レンズエレメントと置換可能に構成されているため、投影光学系PLを組み立てる前に予想された偏光収差と投影光学系PLを組み立てた後に計測される偏光収差とが異なる場合においても投影光学系PLに残存する偏光収差を良好に補正することができる。したがって、露光装置11は、偏光収差が良好に補正された投影光学系PLを備えているため、レチクルRのパターンの像をウエハW上に良好に結像させることができ、高解像度で露光を行なうことができる。
次に、図2に示すフローチャートを参照して、この実施の形態にかかる露光装置の調整方法について説明する。
まず、照明光学系12から供給される光を投影光学系PLへ導き、露光装置11が備える偏光収差計測器40を用いて投影光学系PLに残存する偏光収差を計測する(ステップS10、計測工程)。具体的には、偏光収差計測器40が備える偏光板等を用いて投影光学系PLにおける互いに直交した2方向で偏光する光のそれぞれの収差を計測する。
次に、ステップS10における計測結果に基づいて、投影光学系PLに残存する偏光収差を補正するために、投影光学系PLが備えるレンズエレメントLS1〜LS7のうちの少なくとも1つを、予め準備されている補正用レンズエレメントの中から、計測された偏光収差を補正することができる補正用レンズエレメントを選択し、この補正用レンズエレメントに置換する(ステップS11、置換工程)。この補正用レンズエレメントは、軸上厚さをT、投影光学系PLにおける互いに直交した2方向で偏光する光の差の波面のRMSをWとしたとき、5×10−8<W/T<4×10−7を満たしている。
この実施の形態にかかる露光装置11の調整方法によれば、投影光学系PLに残存する偏光収差を補正するために複数のレンズエレメントLS1〜LS7のうちの少なくとも1つを補正用レンズエレメントに置換する工程を含んでいるため、投影光学系PLを組み立てる前に予想された偏光収差と投影光学系PLを組み立てた後に計測される偏光収差とが異なる場合においても投影光学系に残存する偏光収差を良好に補正することができる。したがって、この実施の形態にかかる調整方法により調整された露光装置を用いて高解像度で露光を行なうことができる。
また、投影光学系(結像光学系)PLを調整する際にも上述の露光装置11の調整方法と同様の工程を行なうことにより、投影光学系PLに残存する偏光収差を補正することができる。この場合においても、投影光学系PLに残存する偏光収差を良好に補正することができ、偏光収差が良好に補正された投影光学系PLを用いてレチクルRのパターン像をウエハW上に良好に結像させることができる。
なお、上述の各実施の形態においては、レンズエレメントLS6とレンズエレメントLS7との間及びレンズエレメントLS7とウエハWとの間に液体が介在している露光装置を例に挙げて説明したが、レンズエレメントLS7とウエハWとの間にのみ液体が介在している露光装置にも本発明を適用することができる。また、この実施の形態においては、液浸型投影露光装置を例に挙げて説明したが、液浸型投影露光装置以外の投影露光装置、即ち液体を介在させない投影露光装置にも本発明を適用することができる。
上述の実施の形態にかかる露光装置では、上述の実施の形態にかかる投影光学系を用いてレチクル(マスク)により形成された転写用のパターンを感光性基板(プレート)に露光する(露光工程)ことにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて感光性基板としてのプレート等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図3のフローチャートを参照して説明する。
先ず、図3のステップS301において、1ロットのプレート上に金属膜が蒸着される。次のステップS302において、1ロットのプレート上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップS303において、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて、マスクのパターンの像が上述の実施の形態にかかる投影光学系を介して、その1ロットのプレート上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップS304において、1ロットのプレート上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップS305において、その1ロットのプレート上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスクのパターンに対応する回路パターンが、各プレート上の各ショット領域に形成される。
その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行ない、プレートから複数のデバイスに切断され、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイスの製造方法によれば、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて露光を行なっているため、高解像度で露光を行なうことができ、良好な半導体デバイスを得ることができる。なお、ステップS301〜ステップS305では、プレート上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、プレート上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。
また、上述の実施の形態にかかる露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図4のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。まず、図4において、パターン形成工程S401では、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程S402へ移行する。
次に、カラーフィルタ形成工程S402では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程S402の後に、セル組み立て工程S403が実行される。セル組み立て工程S403では、パターン形成工程S401にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルタ形成工程S402にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。セル組み立て工程S403では、例えば、パターン形成工程S401にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程S402にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。
その後、モジュール組み立て工程S404にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて露光を行なっているため、高解像度で露光を行なうことができ、良好な液晶表示素子を得ることができる。なお、上述の実施の形態にかかる露光装置または投影光学系の調整方法により調整された露光装置または投影光学系を用いて半導体デバイス及び液晶表示素子等を製造してもよい。
以下、図面を参照して、実施例1にかかる結像光学系ついて説明する。図5は、実施例1にかかる結像光学系のレンズ構成を示す図である。図5に示すように、結像光学系は、物体側(レチクルR側)からの光線が通過する順に、平行平面板G1,像側が非球面状に形成された両凹レンズG2,物体側に凹面を向けた負メニスカスレンズG3,物体側に非球面状に形成された凹面を向けた正メニスカスレンズG4,物体側に凹面を向けた正メニスカスレンズG5,両凸レンズG6,物体側に凸面を向けた正メニスカスレンズG7,物体側に凸面を向けた正メニスカスレンズG8,像側に非球面状に形成された凹面を向けた正メニスカスレンズG9,両凹レンズG10,物体側に凸面を向けた負メニスカスレンズG11,像側が非球面状に形成された両凹レンズG12,物体側に非球面状に形成された凹面を向けた平凹レンズG13,物体側に非球面状に形成された凹面を向けた正メニスカスレンズG14,両凸レンズG15,両凸レンズG16,物体側に凸面を向けた負メニスカスレンズG17,平行平面板G18,両凸レンズG19,両凸レンズG20,像側に非球面状に形成された凹面を向けた正メニスカスレンズG21,像側に非球面状に形成された凹面を向けた正メニスカスレンズG22,物体側に凸面を向けた正メニスカスレンズG23,物体側に凸面を向けた平凸レンズG24,平行平面板G25により構成されている。
実施例1にかかる結像光学系の諸元の値を示す。また、実施例1にかかる結像光学系の光学部材諸元を表1に示す。表1の光学部材諸元においては、第1カラムは光学部材の符号、第2カラムは光学部材の物体側(R1)の面(R1)または像側の面(R2)、第3カラムは各面の曲率半径(mm)、第4カラムは各面の面間隔(mm)、第5カラムは光学部材の屈折率、第6カラムは硝材をそれぞれ示している。
また、実施例1にかかる結像光学系に用いられている非球面状のレンズ面を持つレンズ(符号及び表1の第2カラムに示す面を示している)の非球面係数を表2に示す。なお、実施例1において、非球面は、結像光学系の光軸に垂直な方向の高さをhとし、非球面の頂点における接平面から高さhにおける非球面上の位置までの光軸に沿った距離(サグ量)をZとし、頂点曲率半径をCとし、円錐係数をkとし、4次の非球面係数をC4、6次の非球面係数をC6、8次の非球面係数をC8、10次の非球面係数をC10、12次の非球面係数をC12、14次の非球面係数をC14、16次の非球面係数をC16としたとき、以下の数式2で表される。
(数式2)
Z=C・h2/{1+(1−k・C2・h2)1/2}+C4・h4+C6・h6+C8・h8+C10・h10+C12・h12+C14・h14+C16・h16
(諸元)
像側開口数(NA): 1.00
像側最大像高:13.4mm
結像倍率: 0.25倍
中心波長λ: 193.306nm
(数式2)
Z=C・h2/{1+(1−k・C2・h2)1/2}+C4・h4+C6・h6+C8・h8+C10・h10+C12・h12+C14・h14+C16・h16
(諸元)
像側開口数(NA): 1.00
像側最大像高:13.4mm
結像倍率: 0.25倍
中心波長λ: 193.306nm
図6は本実施例にかかる結像光学系の設計値における像高Y=0mmでの偏光点像強度分布PSF(Point Spread Function)を示す図、図7は像高Y=13.4mmでの偏光点像強度分布PSFを示す図である。設計値では、偏光点像強度分布PSFは偏光を乱す要素がないため1.000となる。
図8は本実施例にかかる結像光学系の実測値における像高Y=0mmでの偏光点像強度分布PSFを示す図、図9は像高Y=13.4mmでの偏光点像強度分布PSFを示す図である。設計値ではPSF=1.000であった結像光学系も、結像光学系を構成する光学部材の内部歪み等の影響により、図8及び図9に示すように、像高Y=0mmでPSF=0.9917、像高Y=13.4mmでPSF=0.9914となり、偏光点像強度分布PSFが劣化している。
図8及び図9に示す偏光点像強度分布PSFの劣化を補正するために、平行平面板であるレンズG18の置換を行なう。具体的には、図10に示すような最大有効半径(145mm)で硝材厚1cm辺り5nm程度の2次関数的な歪み分布を持つレンズ(以下、レンズG18´という。)と置換する。結像光学系における互いに直交した2方向で偏光する光の差の波面のRMSであるWはW=0.019×λ=0.019×193.306=3.67(nm)、レンズG18´の軸上厚さTはT=20(mm)であり、W/T=3.67/20×106=1.835×10−7となり、5×10−8<W/T<4×10−7を満たしている。
図11は置換後の結像光学系の像高Y=0mmでの偏光点像強度分布PSFを示す図、図12は像高Y=13.4mmでの偏光点像強度分布PSFを示す図である。図11及び図12に示すように、像高Y=0mmでPSF=0.9999、像高Y=13.4mmでPSF=0.9996となり、レンズG18をレンズG18´に置換することにより偏光点像強度分布PSFを向上させることができ、偏光収差を良好に補正することができた。
実施例2にかかる結像光学系のレンズ構成は、実施例1にかかる結像光学系のレンズ構成を同一である。図13は本実施例にかかる結像光学系の実測値における像高Y=0mmでの偏光点像強度分布PSFを示す図、図14は像高Y=13.4mmでの偏光点像強度分布PSFを示す図である。設計値ではPSF=1.000であった結像光学系も、図13及び図14に示すように、中心像点と周辺像点でPSFに差が生じ、像高Y=0mmでPSF=0.9996、像高Y=13.4mmでPSF=0.9980となり、偏光点像強度分布PSFが劣化している。
図13及び図14に示す偏光点像強度分布PSFの劣化を補正するために、平行平面板であるレンズG24の置換を行なう。具体的には、図15に示すような最大有効半径(35mm)で硝材厚1cm辺り7nm程度の2次関数的な歪み分布を持つレンズ(以下、レンズG24´という。)と置換する。結像光学系における互いに直交した2方向で偏光する光の差の波面のRMSであるWはW=0.009×λ=0.009×193.306=1.74(nm)、レンズG24´の軸上厚さTはT=20(mm)であり、W/T=1.74/20×106=8.7×10−8となり、5×10−8<W/T<4×10−7を満たしている。
図16は置換後の結像光学系の像高Y=0mmでの偏光点像強度分布PSFを示す図、図17は像高Y=13.4mmでの偏光点像強度分布PSFを示す図である。図16及び図17に示すように、像高Y=0mmでPSF=0.9999、像高Y=13.4mmでPSF=0.9996となり、レンズG24をレンズG24´に置換することにより偏光点像強度分布PSFを向上させることができ、偏光収差を良好に補正することができた。
11…露光装置、13…鏡筒、14…レンズホルダ、15…光路空間、16…光路空間、17…第1液体供給装置、18…第2液体供給装置、19…第1液体回収装置、20…第2液体回収装置、21…第2ノズル部材、30…第1ノズル部材、40…偏光収差計測器、EL…露光光、LS1〜LS7…レンズエレメント、LT1,LT2…液浸領域、PL…投影光学系、R…レチクル、W…ウエハ。
Claims (7)
- 第1面のパターンの像を第2面上に結像する結像光学系において、
該結像光学系は複数の光学部材を有し、
前記複数の光学部材のうちの少なくとも1つは、前記結像光学系に残存する偏光収差を補正するための補正光学部材と置換可能に構成されていることを特徴とする結像光学系。 - 前記結像光学系における互いに直交した2方向で偏光する光の差の波面のRMSをWとし、前記補正光学部材の軸上厚さをTとするとき、
5×10−8<W/T<4×10−7
を満たすことを特徴とする請求項1記載の結像光学系。 - 前記第1面のパターンを感光性基板が配置される前記第2面上に露光する露光装置において、
前記第1面のパターンを照明する照明光学系と、
前記第1面のパターンの像を感光性基板が配置される前記第2面上に結像するための、請求項1または請求項2記載の結像光学系と、
を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記結像光学系の偏光収差を測定する偏光収差測定器を備えることを特徴とする請求項3記載の露光装置。
- 第1面のパターンの像を第2面上に結像する結像光学系の調整方法において、
前記結像光学系に対して所定の偏光光を導き、前記結像光学系に残存する偏光収差を計測する計測工程と、
前記計測工程の計測結果に基づいて、前記結像光学系に残存する偏光収差を補正するために、前記結像光学系が備える複数の光学部材のうちの少なくとも1つを補正光学部材に置換する置換工程と、
を含むことを特徴とする結像光学系の調整方法。 - 第1面のパターンを照明する照明光学系と、
第1面のパターンの像を感光性基板が配置される第2面上に結像する結像光学系とを有する露光装置の調整方法において、
前記照明光学系から供給される所定の偏光光を結像光学系へ導き、前記結像光学系に残存する偏光収差を計測する計測工程と、
前記計測工程の計測結果に基づいて、前記結像光学系に残存する偏光収差を補正するために、前記結像光学系が備える複数の光学部材のうちの少なくとも1つを補正光学部材に置換する置換工程と、
を含むことを特徴とする露光装置の調整方法。 - 請求項1または請求項2記載の結像光学系、請求項3または請求項4記載の露光装置、請求項5記載の方法により調整された結像光学系、または請求項6記載の方法により調整された露光装置を用いて、所定のパターンを感光性基板に露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
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JP2005374026A JP2007180103A (ja) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | 結像光学系、露光装置、結像光学系の調整方法、露光装置の調整方法及びデバイスの製造方法 |
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JP2016538595A (ja) * | 2013-11-20 | 2016-12-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置 |
-
2005
- 2005-12-27 JP JP2005374026A patent/JP2007180103A/ja active Pending
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JP2016538595A (ja) * | 2013-11-20 | 2016-12-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置 |
US9817320B2 (en) | 2013-11-20 | 2017-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic method and apparatus |
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