JP2007178152A - Inspection device of foreign matter and exposure system - Google Patents

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Akira Tanaka
亮 田中
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inspection device of a foreign matter capable of inspecting the foreign matter even when the position of a surface to be inspected is different, and an exposure system equipped with it. <P>SOLUTION: A first illumination system 31a irradiates the surface of a reticle R with inspection light L1 and a second illumination system 31b irradiates the surface of the pericle P with inspection light L2. A first light detection system detects the scattered light from the foreign matter bonded to the upper surface of the reticle R and a first line sensor outputs the signal corresponding to the intensity of the scattered light detected by the first light detection system. In the same way, a second light detection system detects the scattered light from the foreign matter bonded to the upper surface of the pericle P and a second line sensor outputs the signal corresponding to the intensity of the scattered light detected by the first light detection system. A drive 39 moves the second illumination system 31b in a Z-direction to make the irradiation position of the inspection light L2 corresponding to the height of the pericle P variable. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体素子、液晶表示素子等のデバイスの製造に用いられるレチクルの表面又は当該レチクルに張架されたペリクルの表面等の被検査面上における異物を検査する異物検査装置及び当該異物検査装置を備える露光装置に関する。   The present invention relates to a foreign matter inspection apparatus for inspecting foreign matter on a surface to be inspected such as a surface of a reticle used for manufacturing a device such as a semiconductor element or a liquid crystal display element or a surface of a pellicle stretched on the reticle, and the foreign matter inspection. The present invention relates to an exposure apparatus including the apparatus.

半導体素子、液晶表示素子、撮像装置（ＣＣＤ（Charge Coupled Device：電荷結合素子）等）、薄膜磁気ヘッド等のデバイスの製造工程の一つであるリソグラフィ工程においては、露光装置を用いてマスクとしてのレチクルのパターンを、投影光学系を介して基板としてのフォトレジストが塗布されたウェハ（又はガラスプレート等）上に転写露光する処理が繰り返し行われる。レチクルのガラス面上、又はレチクルに張架されたペリクル面上に埃や塵等の異物が付着していると、レチクルに形成されたパターンとともに異物の形状が基板上に露光転写されて欠陥となる虞がある。このため、露光装置は、レチクルのパターンを基板上に露光転写する前に、レチクルのガラス基板及びペリクルの表面上の異物の有無、その大きさ、及び位置を検査する異物検査装置を備えている。   In a lithography process, which is one of the manufacturing processes of devices such as semiconductor elements, liquid crystal display elements, imaging devices (CCD (Charge Coupled Device)), thin film magnetic heads, etc., an exposure apparatus is used as a mask. A process of transferring and exposing the reticle pattern onto a wafer (or a glass plate or the like) coated with a photoresist as a substrate through a projection optical system is repeatedly performed. If foreign matter such as dust adheres to the reticle glass surface or the pellicle surface stretched across the reticle, the shape of the foreign matter is exposed and transferred onto the substrate along with the pattern formed on the reticle. There is a risk of becoming. For this reason, the exposure apparatus includes a foreign matter inspection device that inspects the presence, size, and position of foreign matter on the surface of the reticle glass substrate and pellicle before exposing and transferring the reticle pattern onto the substrate. .

異物検査装置は、レチクルのガラス基板の表面及びペリクルの表面（以下、これらの面を総称する場合には被検査面という）に対して検査光を照射し、被検査面上の異物によって生ずる散乱光を検出することで被検査面上の異物の有無、大きさ、及び位置を検査する。かかる検査を検査光に対してレチクルを移動させつつ行うことで、被検査面全体の異物の有無、大きさ、及び位置が検査される。尚、従来の異物検査装置の詳細については、例えば以下の特許文献１，２を参照されたい。
特開２００１−１５９６１３号公報 特開２００１−２６４２６２号公報 The foreign matter inspection apparatus irradiates inspection light onto the surface of the reticle glass substrate and the surface of the pellicle (hereinafter referred to as the surface to be inspected when these surfaces are collectively referred to), and the scattering caused by the foreign matter on the surface to be inspected The presence / absence, size, and position of foreign matter on the surface to be inspected are detected by detecting light. By performing such inspection while moving the reticle with respect to the inspection light, the presence / absence, size, and position of foreign matter on the entire surface to be inspected are inspected. For details of the conventional foreign matter inspection apparatus, see, for example, the following Patent Documents 1 and 2.
JP 2001-159613 A JP 2001-264262 A

ところで、レチクルの規格は複数存在するため、ペリクル高さ（ガラス基板からペリクルの張架位置までの距離）は一定ではない。従来の異物検査装置は１つの規格のペリクル高さに合わせて検査光の照射位置が設定されているため、ペリクル高さが異なる他の規格で作製されたレチクルの検査を行うことができない。このため、従来は、あるレチクルを用いて露光処理を行うとしたときに、そのレチクルのペリクル高さが異物検査装置に適合しないときには、異物検査装置に適合したペリクル高さを有する同一パターンのレチクルを新規に作製する必要があった。   By the way, since there are a plurality of reticle standards, the pellicle height (the distance from the glass substrate to the position where the pellicle is stretched) is not constant. In the conventional foreign matter inspection apparatus, since the irradiation position of the inspection light is set in accordance with the pellicle height of one standard, it is impossible to inspect reticles manufactured according to other standards having different pellicle heights. Therefore, conventionally, when exposure processing is performed using a certain reticle, and the pellicle height of the reticle is not compatible with the foreign substance inspection apparatus, the reticle having the same pattern having the pellicle height suitable for the foreign substance inspection apparatus is used. It was necessary to make a new.

しかしながら、近年においてはデバイスの製造コストの低減が要求されており、同一のパターンを有するレチクルを異物検査装置のペリクル高さの規格に合わせて複数作製することは望ましくない。このため、露光装置に設けられている異物検査装置に適合しないペリクル高さを有するレチクルをその露光装置で用いる場合には、まずそのレチクルを検査することができる他の露光装置に設けられた異物検査装置で検査を行い、次に検査済みのレチクルをその露光装置まで搬送して露光処理を行う必要があった。ところが、かかる作業を行うと露光装置間でレチクルを搬送する際に、レチクルに異物が付着する虞がある。このため、異物検査装置による検査が無意味になるとともに、デバイスの不良が発生する可能性が高くなる虞があった。   However, in recent years, there has been a demand for reduction in device manufacturing costs, and it is not desirable to produce a plurality of reticles having the same pattern in accordance with the pellicle height standard of a foreign substance inspection apparatus. For this reason, when a reticle having a pellicle height that is not compatible with the foreign matter inspection device provided in the exposure apparatus is used in the exposure device, the foreign matter provided in another exposure device capable of inspecting the reticle first. It is necessary to inspect with an inspection apparatus, and then to carry the exposure process by conveying the inspected reticle to the exposure apparatus. However, when such an operation is performed, there is a risk that foreign matter may adhere to the reticle when the reticle is transported between exposure apparatuses. For this reason, there is a possibility that the inspection by the foreign substance inspection apparatus becomes meaningless and the possibility that a defect of the device occurs is increased.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、被検査面の位置が異なる場合であっても異物の検査を行うことができる異物検査装置、及び当該異物検査装置を備える露光装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a foreign matter inspection apparatus capable of inspecting foreign matter even when the position of the surface to be inspected is different, and an exposure apparatus including the foreign matter inspection apparatus. For the purpose.

本発明は、実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
上記課題を解決するために、本発明の異物検査装置は、検査光（Ｌ１、Ｌ２）を被検査面に照射する照明系（３１ａ、３１ｂ）と、前記被検査面に付着した異物（Ｄ、Ｄ１、Ｄ２）からの散乱光を受光する受光系（３２ａ、３２ｂ）と、当該受光系で受光された散乱光の光強度に応じた信号を出力する光電検出素子（３３ａ、３３ｂ）とを備える異物検査装置（ＤＩ）において、前記照明系の少なくとも一部を移動させて前記被検査面に対する前記検査光の照射位置を可変する駆動装置（３９）を備えることを特徴としている。
この発明によると、照明系の少なくとも一部が駆動装置によって移動され、被検査面対する検査光の照明位置が可変される。
また、本発明の異物検査装置は、検査光（Ｌ１、Ｌ２）を被検査面に照射する照明系（３１ａ、３１ｂ）と、前記被検査面に付着した異物（Ｄ、Ｄ１、Ｄ２）からの散乱光を受光する受光系（３２ａ、３２ｂ）と、当該受光系で受光された散乱光の光強度に応じた信号を出力する光電検出素子（３３ａ、３３ｂ）とを備える異物検査装置（ＤＩ）において、異なる高さ位置に設定される前記被検査面の各々に対応して設けられ、各々の被検査面に対して前記検査光を同一の入射角で照射する複数の照明系（３１ｂ、３１ｃ）を備えることを特徴としている。
この発明によると、被検査面の高さ位置に応じて複数設けられた照明系の内からその被検査面に対応して設けられた照明系を用いて被検査面が照射されて被検査面の検査が行われる。
また、本発明の異物検査装置は、検査光（Ｌ１、Ｌ２）を被検査面に照射する照明系（３１ａ、３１ｂ）と、前記被検査面に付着した異物（Ｄ、Ｄ１、Ｄ２）からの散乱光を受光する受光系（３２ａ、３２ｂ）と、当該受光系で受光された散乱光の光強度に応じた信号を出力する光電検出素子（３３ａ、３３ｂ）と、前記被検査面とされる面を有する物体（Ｒ）と前記検査光との所定の関係を保ちつつ前記物体を搬送する搬送装置（ＡＲ）とを備える異物検査装置（ＤＩ）において、前記搬送装置は、前記被検査面に交差する方向の位置が可変であることを特徴としている。
この発明によると、被検査面とされる面を有する物体の面位置に応じて、物体を搬送する搬送装置により被検査面に交差する方向の位置が可変される。
更に、本発明の異物検査装置は、検査光（Ｌ１、Ｌ４）を被検査面に照射する照明系（３１ａ、５１）と、前記被検査面に付着した異物（Ｄ１、Ｄ２）からの散乱光を受光する受光系（３２ａ、５２）と、当該受光系で受光された散乱光の光強度に応じた信号を出力する光電検出素子（３３ａ、５３）とを備える異物検査装置（ＤＩ）において、前記照明系は、前記被検査面の面位置に拘わらず前記被検査面内の所定方向に関して前記被検査面の全体に前記検査光を照射する照射部材（５８）を備えることを特徴としている。
この発明によると、照射部材によって被検査面の面位置に拘わらず、被検査面内の所定方向に関して前検査面の全体に検査光が照射される。
本発明の露光装置は、上記の何れかに記載の異物検査装置を備えることを特徴としている。 The present invention adopts the following configuration corresponding to each diagram shown in the embodiment. However, the reference numerals with parentheses attached to each element are merely examples of the element and do not limit each element.
In order to solve the above problems, a foreign matter inspection apparatus according to the present invention includes an illumination system (31a, 31b) that irradiates an inspection surface with inspection light (L1, L2), and a foreign matter (D, A light receiving system (32a, 32b) that receives scattered light from D1, D2), and a photoelectric detection element (33a, 33b) that outputs a signal corresponding to the light intensity of the scattered light received by the light receiving system. The foreign matter inspection apparatus (DI) includes a drive device (39) that moves at least a part of the illumination system to vary the irradiation position of the inspection light on the surface to be inspected.
According to the present invention, at least a part of the illumination system is moved by the driving device, and the illumination position of the inspection light with respect to the inspection surface is varied.
The foreign matter inspection apparatus according to the present invention includes an illumination system (31a, 31b) that irradiates the inspection surface with inspection light (L1, L2) and a foreign matter (D, D1, D2) attached to the inspection surface. Foreign matter inspection apparatus (DI) comprising a light receiving system (32a, 32b) that receives scattered light and a photoelectric detection element (33a, 33b) that outputs a signal corresponding to the light intensity of the scattered light received by the light receiving system. , A plurality of illumination systems (31b, 31c) provided corresponding to each of the inspection surfaces set at different height positions and irradiating the inspection light to each inspection surface at the same incident angle. ).
According to the present invention, the surface to be inspected is irradiated by using the illumination system provided corresponding to the surface to be inspected from among a plurality of illumination systems provided in accordance with the height position of the surface to be inspected. Inspection is performed.
The foreign matter inspection apparatus according to the present invention includes an illumination system (31a, 31b) that irradiates the inspection surface with inspection light (L1, L2) and a foreign matter (D, D1, D2) attached to the inspection surface. The light receiving system (32a, 32b) that receives the scattered light, the photoelectric detection element (33a, 33b) that outputs a signal according to the light intensity of the scattered light received by the light receiving system, and the surface to be inspected. In a foreign matter inspection apparatus (DI) comprising a transport apparatus (AR) that transports the object while maintaining a predetermined relationship between the object (R) having a surface and the inspection light, the transport apparatus is disposed on the surface to be inspected. The position in the intersecting direction is variable.
According to the present invention, the position in the direction intersecting the surface to be inspected is varied by the transport device that transports the object in accordance with the surface position of the object having the surface to be inspected.
Further, the foreign matter inspection apparatus of the present invention has an illumination system (31a, 51) that irradiates the inspection surface with inspection light (L1, L4) and scattered light from the foreign matter (D1, D2) attached to the inspection surface. In a foreign matter inspection apparatus (DI) comprising a light receiving system (32a, 52) that receives light and a photoelectric detection element (33a, 53) that outputs a signal corresponding to the intensity of scattered light received by the light receiving system, The illumination system includes an irradiation member (58) that irradiates the entire surface to be inspected with respect to a predetermined direction within the surface to be inspected regardless of the surface position of the surface to be inspected.
According to this invention, regardless of the surface position of the surface to be inspected by the irradiation member, the entire front inspection surface is irradiated with inspection light in a predetermined direction within the surface to be inspected.
An exposure apparatus according to the present invention includes any of the above-described foreign matter inspection apparatuses.

本発明によれば、照明系の少なくとも一部を移動させて被検査面対する検査光の照明位置を可変しているため、被検査面の位置が異なる場合であっても異物の検査を行うことができるという効果がある。
また、本発明によれば、異なる高さ位置に設定される前記被検査面の各々に対応して照明系を設けており、被検査面の高さ位置に応じてその対応付けられた照明系を用いて被検査面を照明しているため、被検査面の位置が異なる場合であっても異物の検査を行うことができるという効果がある。
また、本発明によれば、被検査面とされる面を有する物体の面位置に応じて、物体を搬送する搬送装置により被検査面に交差する方向の位置が可変されるため、被検査面の位置が異なる場合であっても異物の検査を行うことができるという効果がある。
更に、本発明によれば、照射部材によって被検査面の面位置に拘わらず、被検査面内の所定方向に関して前検査面の全体に検査光が照射されるため、被検査面の位置が異なる場合であっても異物の検査を行うことができるという効果がある。 According to the present invention, since the illumination position of the inspection light with respect to the surface to be inspected is changed by moving at least a part of the illumination system, the foreign object is inspected even when the position of the surface to be inspected is different. There is an effect that can be.
Further, according to the present invention, an illumination system is provided corresponding to each of the surfaces to be inspected set at different height positions, and the illumination system corresponding to the height position of the surface to be inspected is provided. Since the surface to be inspected is illuminated by using this, there is an effect that foreign matter can be inspected even when the position of the surface to be inspected is different.
Further, according to the present invention, the position in the direction intersecting the surface to be inspected is changed by the transport device that transports the object according to the surface position of the object having the surface to be inspected. Even if the positions of these are different, there is an effect that the foreign matter can be inspected.
Furthermore, according to the present invention, since the entire inspection surface is irradiated with respect to a predetermined direction in the surface to be inspected regardless of the surface position of the surface to be inspected by the irradiation member, the position of the surface to be inspected is different. Even if it is a case, there exists an effect that the test | inspection of a foreign material can be performed.

以下、図面を参照して本発明の実施形態による異物検査装置及び露光装置について詳細に説明する。尚、以下では、最初に露光装置の全体構成について簡単な説明を行い、次いで異物検査装置について詳細な説明を行う。   Hereinafter, a foreign substance inspection apparatus and an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following, a brief description will be given first of the overall configuration of the exposure apparatus, followed by a detailed description of the foreign matter inspection apparatus.

〔露光装置〕
図１は、本発明の一実施形態による露光装置の概略構成を示す側面図である。図１においては、半導体素子を製造するための露光装置であって、投影光学系ＰＬに対してマスクとしてのレチクルＲと基板としてのウェハＷとを同期移動させつつ、レチクルＲに形成されたパターンＤＰを逐次ウェハＷ上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影型の露光装置を例に挙げる。 [Exposure equipment]
FIG. 1 is a side view showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element, in which a reticle R as a mask and a wafer W as a substrate are moved synchronously with respect to the projection optical system PL, and a pattern formed on the reticle R. A step-and-scan reduction projection type exposure apparatus that sequentially transfers DP onto the wafer W will be described as an example.

尚、以下の説明においては、必要であれば図中にＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。図１に示すＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸がウェハＷの移動面に平行な面に含まれるよう設定され、Ｚ軸が投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに沿う方向に設定される。また、本実施形態ではレチクルＲ及びウェハＷを同期移動させる方向（走査方向）をＹ方向に設定されているものとする。   In the following description, if necessary, an XYZ orthogonal coordinate system is set in the drawing, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. The XYZ orthogonal coordinate system shown in FIG. 1 is set so that the X axis and the Y axis are included in a plane parallel to the moving surface of the wafer W, and the Z axis is set in a direction along the optical axis AX of the projection optical system PL. . In the present embodiment, it is assumed that the direction in which the reticle R and the wafer W are moved synchronously (scanning direction) is set in the Y direction.

図１に示す露光装置ＥＸは、レチクルＲ上のＸ方向に延びるスリット状（矩形状又は円弧状）の照明領域を均一な照度を有する露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬＳと、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲのパターンＤＰの像をフォトレジストが塗布されたウェハＷ上に投影する投影光学系ＰＬと、ウェハＷを保持するウェハステージＷＳＴと、これらを制御する主制御系ＭＣとを含んで構成されている。また、露光装置ＥＸは、レチクルＲの表面上及びレチクルＲに張架されたペリクルＰ（図２〜図４参照）の表面上における異物を検査する異物検査装置ＤＩを備えている。   An exposure apparatus EX shown in FIG. 1 illuminates a reticle R with an illumination optical system ILS that illuminates a slit-shaped (rectangular or arc-shaped) illumination area extending in the X direction on the reticle R with exposure light EL having uniform illuminance. Reticle stage RST for holding, projection optical system PL for projecting the image of pattern DP of reticle R onto wafer W coated with photoresist, wafer stage WST for holding wafer W, and a main control system for controlling these MC is included. Further, the exposure apparatus EX includes a foreign matter inspection apparatus DI that inspects foreign matters on the surface of the reticle R and on the surface of the pellicle P (see FIGS. 2 to 4) stretched around the reticle R.

照明光学系ＩＬＳは、光源ユニット、オプティカル・インテグレータを含む照度均一化光学系、ビームスプリッタ、集光レンズ系、レチクルブラインド、及び結像レンズ系等（何れも不図示）を含んで構成されている。この照明光学系の構成等については、例えば特開平９−３２０９５６に開示されている。ここで、上記の光源ユニットとしては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、若しくはＦ２レーザ光源（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ光源（波長１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ光源（波長１２６ｎｍ）等の紫外レーザ光源、銅蒸気レーザ光源、ＹＡＧレーザの高調波発生光源、固体レーザ（半導体レーザ等）の高調波発生装置、又は水銀ランプ（ｉ線等）等を使用することができる。 The illumination optical system ILS includes a light source unit, an illuminance uniforming optical system including an optical integrator, a beam splitter, a condensing lens system, a reticle blind, an imaging lens system, and the like (all not shown). . The configuration of the illumination optical system is disclosed in, for example, JP-A-9-320956. Here, as the light source unit, a KrF excimer laser (wavelength 248 nm), an ArF excimer laser (wavelength 193 nm), an F 2 laser light source (wavelength 157 nm), a Kr 2 laser light source (wavelength 146 nm), an Ar 2 laser light source ( An ultraviolet laser light source having a wavelength of 126 nm), a copper vapor laser light source, a harmonic generation light source of a YAG laser, a harmonic generation device of a solid-state laser (semiconductor laser, etc.), or a mercury lamp (i-line, etc.) can be used. .

レチクルステージＲＳＴは、真空吸着又は静電吸着等によりレチクルＲを保持するものであり、照明光学系の下方（−Ｚ方向）に水平に配置されたレチクル支持台（定盤）１１の上面上で走査方向（Ｙ方向）に所定ストロークで移動可能に構成されている。また、このレチクルステージＲＳＴは、レチクル支持台１１に対してＸ方向、Ｙ方向、及びＺ軸回りの回転方向（θＺ方向）にそれぞれ微小駆動可能に構成されている。   The reticle stage RST holds the reticle R by vacuum chucking or electrostatic chucking, and is on the upper surface of a reticle support base (surface plate) 11 disposed horizontally below the illumination optical system (−Z direction). It is configured to be movable with a predetermined stroke in the scanning direction (Y direction). In addition, the reticle stage RST is configured to be minutely driven with respect to the reticle support base 11 in the X direction, the Y direction, and the rotation direction around the Z axis (θZ direction).

レチクルステージＲＳＴ上の一端には移動鏡１２が設けられており、レチクル支持台１１上にはレーザ干渉計（以下、レチクル干渉計という）１３が配置されている。レチクル干渉計１３は、移動鏡１２の鏡面にレーザ光を照射してその反射光を受光することにより、レチクルステージＲＳＴのＸ方向、Ｙ方向、及びＺ軸回りの回転方向（θＺ方向）の位置を検出する。レチクル干渉計１３により検出されたレチクルステージＲＳＴの位置情報は、露光装置ＥＸ全体の動作を統轄制御する主制御系ＭＣに供給される。主制御系ＭＣは、レチクルステージＲＳＴを駆動するレチクル駆動装置１４を介してレチクルステージＲＳＴの動作を制御する。   A movable mirror 12 is provided at one end on the reticle stage RST, and a laser interferometer (hereinafter referred to as a reticle interferometer) 13 is disposed on the reticle support 11. Reticle interferometer 13 irradiates the mirror surface of movable mirror 12 with laser light and receives the reflected light, so that the position of reticle stage RST in the X direction, the Y direction, and the rotational direction (θZ direction) about the Z axis. Is detected. Position information of the reticle stage RST detected by the reticle interferometer 13 is supplied to a main control system MC that controls the overall operation of the exposure apparatus EX. The main control system MC controls the operation of the reticle stage RST via the reticle driving device 14 that drives the reticle stage RST.

投影光学系ＰＬは、複数の屈折光学素子（レンズ素子）を含んで構成され、物体面（レチクルＲ）側と像面（ウェハＷ）側との両方がテレセントリックで所定の縮小倍率β（βは例えば１／４，１／５等）を有する屈折光学系が使用されている。この投影光学系ＰＬの光軸ＡＸの方向は、ＸＹ平面に直交するＺ方向に設定されている。尚、投影光学系ＰＬが備える複数のレンズ素子の硝材は、露光光ＥＬの波長に応じて、例えば石英又は蛍石が用いられる。また、本実施形態では、レチクルＲに形成されたパターンＤＰの倒立像をウェハＷ上に投影する投影光学系ＰＬを例に挙げて説明するが、勿論パターンＤＰの正立像を投影するものであっても良い。   The projection optical system PL is configured to include a plurality of refractive optical elements (lens elements), and both the object plane (reticle R) side and the image plane (wafer W) side are telecentric and have a predetermined reduction magnification β (β is For example, refractive optical systems having 1/4, 1/5, etc.) are used. The direction of the optical axis AX of the projection optical system PL is set to the Z direction orthogonal to the XY plane. For example, quartz or fluorite is used as the glass material of the plurality of lens elements provided in the projection optical system PL according to the wavelength of the exposure light EL. In the present embodiment, the projection optical system PL that projects an inverted image of the pattern DP formed on the reticle R onto the wafer W will be described as an example. Of course, an upright image of the pattern DP is projected. May be.

ウェハステージＷＳＴは、投影光学系ＰＬの下方（−Ｚ方向）に配置されており、真空吸着又は静電吸着等によりウェハＷを保持する。このウェハステージＷＳＴは、ウェハ支持台（定盤）１５の上面上で走査方向（Ｙ方向）に所定ストロークで移動可能に構成されているとともに、Ｘ方向及びＹ方向にステップ移動可能に構成されており、更にＺ方向へ微動（Ｘ軸回りの回転及びＹ軸回りの回転を含む）可能に構成されている。このウェハステージＷＳＴによって、ウェハＷをＸ方向及びＹ方向へ移動させることができ、またウェハＷのＺ方向の位置及び姿勢（Ｘ軸周りの回転及びＹ軸周りの回転）を調整することができる。   Wafer stage WST is arranged below projection optical system PL (in the −Z direction), and holds wafer W by vacuum suction or electrostatic suction. Wafer stage WST is configured to be movable with a predetermined stroke in the scanning direction (Y direction) on the upper surface of wafer support base (surface plate) 15 and is configured to be capable of step movement in X and Y directions. In addition, it can be finely moved in the Z direction (including rotation around the X axis and rotation around the Y axis). By this wafer stage WST, the wafer W can be moved in the X direction and the Y direction, and the position and posture (rotation around the X axis and rotation around the Y axis) of the wafer W can be adjusted. .

ウェハステージＷＳＴ上の一端には移動鏡１６が設けられており、ウェハステージＷＳＴの外部にはレーザ光を移動鏡１６の鏡面（反射面）に照射するレーザ干渉計（以下、ウェハ干渉計という）１７が設けられている。このウェハ干渉計１７は、移動鏡１６の鏡面にレーザ光を照射してその反射光を受光することによりウェハステージＷＳＴのＸ方向及びＹ方向の位置、並びに姿勢（Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸周りの回転θＸ，θＹ，θＺ）を検出する。ウェハ干渉計１７の検出結果は主制御系ＭＣに供給される。主制御系ＭＣは、ウェハ干渉計１７の検出結果に基づいてウェハ駆動装置１８を介してウェハステージＷＳＴの位置及び姿勢を制御する。   A movable mirror 16 is provided at one end on wafer stage WST, and a laser interferometer (hereinafter referred to as a wafer interferometer) that irradiates the mirror surface (reflecting surface) of laser beam to the outside of wafer stage WST. 17 is provided. This wafer interferometer 17 irradiates the mirror surface of the movable mirror 16 with a laser beam and receives the reflected light, whereby the position and posture (X axis, Y axis, Z axis) of the wafer stage WST in the X direction and Y direction. Surrounding rotations θX, θY, θZ) are detected. The detection result of the wafer interferometer 17 is supplied to the main control system MC. Main control system MC controls the position and orientation of wafer stage WST via wafer drive unit 18 based on the detection result of wafer interferometer 17.

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、送光系１９ａ及び受光系１９ｂから構成され、投影光学系ＰＬに関してレチクルＲ上の照明領域と共役なウェハＷ上の露光スリット領域の内部及びその近傍に設定された複数の検出点でそれぞれウェハＷの表面のＺ方向（光軸ＡＸ方向）の位置を検出する多点ＡＦセンサ１９を投影光学系ＰＬの側方に備える。多点ＡＦセンサ１９は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ方向におけるウェハＷの表面位置及び姿勢（Ｘ軸，Ｙ軸周りの回転θＸ，θＹ：レベリング）を検出するものである。   The exposure apparatus EX according to the present embodiment includes a light transmission system 19a and a light reception system 19b, and is located inside and in the vicinity of an exposure slit area on the wafer W conjugate with an illumination area on the reticle R with respect to the projection optical system PL. A multi-point AF sensor 19 that detects the position in the Z direction (optical axis AX direction) of the surface of the wafer W at each of a plurality of set detection points is provided on the side of the projection optical system PL. The multipoint AF sensor 19 detects the surface position and orientation of the wafer W in the direction of the optical axis AX of the projection optical system PL (rotations θX and θY around the X and Y axes: leveling).

この多点ＡＦセンサ１９の検出結果は主制御系ＭＣに供給される。主制御系ＭＣは、多点ＡＦセンサ１９の検出結果に基づいてウェハ駆動装置１８を介してウェハステージＷＳＴの位置及び姿勢を制御する。具体的には、主制御系ＭＣには予めウェハＷの表面を合わせ込む基準となる基準面（以下、ＡＦ面という）が設定されており、主制御系ＭＣは多点ＡＦセンサ１９の検出結果に基づいてウェハＷの表面がＡＦ面に一致するようウェハステージＷＳＴの位置及び姿勢を制御する。   The detection result of the multipoint AF sensor 19 is supplied to the main control system MC. Main control system MC controls the position and orientation of wafer stage WST via wafer drive unit 18 based on the detection result of multipoint AF sensor 19. Specifically, a reference surface (hereinafter referred to as an AF surface) serving as a reference for aligning the surface of the wafer W is set in advance in the main control system MC, and the main control system MC detects the detection result of the multipoint AF sensor 19. Based on the above, the position and orientation of wafer stage WST are controlled so that the surface of wafer W coincides with the AF plane.

更に、本実施形態の露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬのＹ方向の側面に、ウェハＷ上に設定されたショット領域に付設されたアライメントマークを観察するための画像処理方式のオフ・アクシス方式のアライメントセンサ２０が配置されている。アライメントセンサ２０の観察結果（計測結果）は、主制御系ＭＣに供給される。アライメントセンサ２０の光学系の光軸は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行とされている。かかるアライメントセンサ２０の詳細な構成は、例えば特開平９−２１９３５４号公報及びこれに対応する米国特許第５，８５９，７０７号等に開示されている。主制御系ＭＣは、アライメントセンサ２０の計測結果を用いてＥＧＡ計測を行う。ここで、ＥＧＡ計測とは、ウェハＷに形成された代表的な数個のアライメントマークの計測結果を用いて所定の統計演算（ＥＧＡ演算）を行い、ウェハＷ上に設定された全てのショット領域の配列を求める計測方法である。   Further, the exposure apparatus EX of the present embodiment is an image processing type off-axis method for observing alignment marks attached to shot areas set on the wafer W on the side surface in the Y direction of the projection optical system PL. The alignment sensor 20 is arranged. The observation result (measurement result) of the alignment sensor 20 is supplied to the main control system MC. The optical axis of the optical system of the alignment sensor 20 is parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL. The detailed configuration of the alignment sensor 20 is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 9-219354 and US Pat. No. 5,859,707 corresponding thereto. The main control system MC performs EGA measurement using the measurement result of the alignment sensor 20. Here, the EGA measurement refers to all shot areas set on the wafer W by performing a predetermined statistical calculation (EGA calculation) using the measurement results of several representative alignment marks formed on the wafer W. This is a measurement method for obtaining the array of.

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、上述したレチクルステージＲＳＴの側方に、レチクルライブラリ２１、レチクル搬送装置２２、及び異物検査装置ＤＩを備える。尚、図１では、これらがレチクルステージＲＳＴの−Ｙ方向に配置されている例を図示しているが、これらの配置位置は、レチクルステージＲＳＴの＋Ｙ方向であっても良く、又はレチクルステージＲＳＴの±Ｘ方向であっても良い。レチクルライブラリ２１はＺ方向に配列された複数の支持板（図示省略）を備えており、各支持板上にはレチクルＲがそれぞれ載置されている。このレチクルライブラリ２１は、スライド機構（図示省略）によってＺ方向に移動自在に支持されている。レチクルライブラリ２１のＺ方向への移動は、主制御系ＭＣによって制御される。   Further, the exposure apparatus EX of the present embodiment includes a reticle library 21, a reticle transport apparatus 22, and a foreign substance inspection apparatus DI on the side of the above-described reticle stage RST. FIG. 1 shows an example in which these are arranged in the −Y direction of the reticle stage RST, but these arrangement positions may be in the + Y direction of the reticle stage RST, or the reticle stage RST. The ± X directions may be used. The reticle library 21 includes a plurality of support plates (not shown) arranged in the Z direction, and a reticle R is placed on each support plate. The reticle library 21 is supported by a slide mechanism (not shown) so as to be movable in the Z direction. The movement of the reticle library 21 in the Z direction is controlled by the main control system MC.

レチクル搬送系２２は、主制御系ＭＣの制御の下で、レチクルライブラリ２１と異物検査装置ＤＩとの間、又は異物検査装置ＤＩとレチクルステージＲＳＴとの間でレチクルＲの搬送を行う。具体的には、レチクル搬送系２２は、レチクルライブラリ２１、異物検査装置ＤＩ、及びレチクルステージＲＳＴ間で移動可能な搬送アームＡＲ（図２〜図４参照）を備えており、このアーム上にレチクルＲを載置して搬送する。また、レチクル搬送系２２は、各レチクルＲの側面に貼付されたバーコードを読み取る読み取り装置２３を備えている。読み取り装置２３で読み取られた情報は主制御系ＭＣに供給される。   The reticle transport system 22 transports the reticle R between the reticle library 21 and the foreign matter inspection apparatus DI or between the foreign matter inspection apparatus DI and the reticle stage RST under the control of the main control system MC. Specifically, the reticle transport system 22 includes a reticle arm 21, a foreign substance inspection apparatus DI, and a transport arm AR (see FIGS. 2 to 4) that can move between the reticle stage RST, and the reticle is placed on this arm. R is placed and transported. Further, the reticle transport system 22 includes a reading device 23 that reads a barcode attached to the side surface of each reticle R. Information read by the reading device 23 is supplied to the main control system MC.

レチクルＲに関する情報（形成されているパターンの種類、透過率、平坦度、ペリクル高さ（ガラス基板からペリクルの張架位置までの距離）等を示す情報）は、レチクルＲに貼付されたバーコードと対応付けて予め主制御系ＭＣに記憶されている。レチクルＲに貼付されたバーコードが読み取り装置２３で読み取られて主制御系ＭＣに供給されることにより、主制御系ＭＣはそのバーコードに対応付けられているレチクルＲに関する情報を得ることができる。尚、使用するレチクルＲが多い場合には、露光装置ＥＸを管理するホストコンピュータ（図示省略）に、バーコードに対応付けられているレチクルＲに関する情報を記憶させておき、読み取り装置２３で読み取られたバーコードが主制御系ＭＣに供給されたときに、主制御系ＭＣがホストコンピュータからそのバーコードに対応付けられているレチクルＲに関する情報を取得するのが望ましい。   Information on the reticle R (information indicating the type of pattern formed, transmittance, flatness, pellicle height (distance from the glass substrate to the position where the pellicle is stretched), etc.) is a barcode attached to the reticle R. Are previously stored in the main control system MC. The barcode attached to the reticle R is read by the reading device 23 and supplied to the main control system MC, so that the main control system MC can obtain information on the reticle R associated with the barcode. . When there are many reticles R to be used, information relating to the reticle R associated with the barcode is stored in a host computer (not shown) that manages the exposure apparatus EX, and is read by the reading device 23. When the bar code is supplied to the main control system MC, it is desirable that the main control system MC acquires information on the reticle R associated with the bar code from the host computer.

異物検査装置ＤＩは、レチクルＲの表面上及びレチクルＲに張架されたペリクルの表面上における異物を検査し、その検査結果を主制御系ＭＣに出力する。詳細は後述するが、本実施形態の異物検査装置ＤＩは、レチクルＲの上面（パターンＤＰが形成されていない面）と、パターンＤＰが形成されている面に張架されたペリクルの表面との同時検査が可能である。また、ペリクル高さを自動的に求めることも可能である。次に、異物検査装置ＤＩについて詳細に説明する。   The foreign matter inspection apparatus DI inspects the foreign matter on the surface of the reticle R and the surface of the pellicle stretched on the reticle R, and outputs the inspection result to the main control system MC. Although details will be described later, the foreign matter inspection apparatus DI according to the present embodiment includes an upper surface (a surface on which the pattern DP is not formed) of the reticle R and a surface of the pellicle stretched on the surface on which the pattern DP is formed. Simultaneous inspection is possible. It is also possible to automatically obtain the pellicle height. Next, the foreign substance inspection apparatus DI will be described in detail.

〔異物検査装置〕
〈第１実施形態〉
図２は本発明の第１実施形態による異物検査装置を示す平面図であり、図３は同異物検査装置を示す正面図であり、図４は同異物検査装置を示す側面図である。図２〜図４に示す通り、本実施形態の異物検査装置ＤＩは、フォーク状の搬送アームＡＲ上に載置されたレチクルＲの上面（パターＤＰが形成されていない面）と、パターンＤＰが形成されている面に張架されたペリクルＰの表面とにおける異物Ｄの有無、大きさ、及び位置を検査する。尚、詳細は後述するが、搬送アームＡＲは、Ｙ方向に移動可能である。 [Foreign matter inspection equipment]
<First Embodiment>
2 is a plan view showing the foreign matter inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention, FIG. 3 is a front view showing the foreign matter inspection apparatus, and FIG. 4 is a side view showing the foreign matter inspection apparatus. As shown in FIGS. 2 to 4, the foreign matter inspection apparatus DI of the present embodiment includes an upper surface (a surface on which the pattern DP is not formed) of the reticle R placed on the fork-shaped transfer arm AR and a pattern DP. The presence / absence, size, and position of the foreign matter D on the surface of the pellicle P stretched on the formed surface are inspected. Although details will be described later, the transfer arm AR is movable in the Y direction.

異物検査装置ＤＩは、第１照明系３１ａ及び第２照明系３１ｂ、第１受光系３２ａ及び第２受光系３２ｂ、光電検出素子としての第１ラインセンサ３３ａ及び第２ラインセンサ３３ｂ、並びにラインセンサ３４を含んで構成される。第１照明系３１ａは、−Ｘ側から＋Ｘ方向に向けてシートビーム状に整形された検査用のレーザ光（以下、検査光という）Ｌ１をレチクルＲの上面に照射する。第２照明系３１ｂは、−Ｘ側から＋Ｘ方向に向けてシートビーム状に整形された検査光Ｌ２をペリクルＰの面上に照射する。   The foreign matter inspection apparatus DI includes a first illumination system 31a and a second illumination system 31b, a first light receiving system 32a and a second light receiving system 32b, a first line sensor 33a and a second line sensor 33b as photoelectric detection elements, and a line sensor. 34 is comprised. The first illumination system 31a irradiates the upper surface of the reticle R with inspection laser light (hereinafter referred to as inspection light) L1 shaped into a sheet beam shape from the -X side toward the + X direction. The second illumination system 31b irradiates the surface of the pellicle P with the inspection light L2 shaped into a sheet beam shape from the −X side toward the + X direction.

第１受光系３２ａは、第１照明系３１ａからの検査光Ｌ１がレチクルＲの上面における異物Ｄに照射されて生ずる散乱光を受光する。第２受光系３２ｂは、第２照明系３１ｂからの検査光Ｌ２がペリクルＰの面上における異物Ｄに照射されて生ずる散乱光を受光する。また、第１ラインセンサ３３ａは、第１受光系３２ａで受光された散乱光の光強度に応じた信号を出力する。第２ラインセンサ３３ｂは、第２受光系３２ｂで受光された散乱光の光強度に応じた信号を出力する。第１ラインセンサ３３ａ及び第２ラインセンサ３３ｂから出力される信号は主制御系ＭＣに供給される。   The first light receiving system 32a receives scattered light generated when the inspection light L1 from the first illumination system 31a is applied to the foreign matter D on the upper surface of the reticle R. The second light receiving system 32b receives scattered light generated when the inspection light L2 from the second illumination system 31b is applied to the foreign matter D on the surface of the pellicle P. The first line sensor 33a outputs a signal corresponding to the light intensity of the scattered light received by the first light receiving system 32a. The second line sensor 33b outputs a signal corresponding to the light intensity of the scattered light received by the second light receiving system 32b. Signals output from the first line sensor 33a and the second line sensor 33b are supplied to the main control system MC.

尚、第１ラインセンサ３３ａは、第１受光系３２ａに関して、その受光面がレチクルＲの上面内における検査光Ｌ１の照射面と共役となるように配置されている。同様に、第２ラインセンサ３３ｂは、第２受光系３２ｂに関して、その受光面がペリクルＰの面内における検査光Ｌ２の照射面と共役となるように配置されている。ラインセンサ３４は、第２照明系３１ｂからの検査光Ｌ２を受光し、その受光位置を検出する。尚、詳細は後述するが、ラインセンサ３４は、ペリクル高さを検出するために設けられる。   The first line sensor 33a is arranged so that the light receiving surface of the first light receiving system 32a is conjugate with the irradiation surface of the inspection light L1 in the upper surface of the reticle R. Similarly, the second line sensor 33b is arranged with respect to the second light receiving system 32b so that the light receiving surface thereof is conjugate with the irradiation surface of the inspection light L2 in the surface of the pellicle P. The line sensor 34 receives the inspection light L2 from the second illumination system 31b and detects the light receiving position. Although details will be described later, the line sensor 34 is provided to detect the height of the pellicle.

第１照明系３１ａは、光源３６ａ、コリメートレンズ３７ａ、及びミラー３８ａを含んで構成される。光源３６ａは、例えば半導体レーザダイオードであり、所定の角度で発散するレーザ光を−Ｚ方向に射出する。コリメートレンズ３７ａは、光源３６ａから射出されるレーザ光を平行光に変換する。ミラー３８ａは、コリメートレンズ３７ａを介したレーザ光を＋Ｘ方向に偏向して検査光Ｌ１とする。このミラー３８ａは、レチクルＲの上面に対する検査光Ｌ１の入射角が８０°程度又はそれ以上になるようコリメートレンズ３７ａを介したレーザ光を＋Ｘ方向に偏向する。   The first illumination system 31a includes a light source 36a, a collimating lens 37a, and a mirror 38a. The light source 36a is, for example, a semiconductor laser diode, and emits laser light that diverges at a predetermined angle in the −Z direction. The collimating lens 37a converts the laser light emitted from the light source 36a into parallel light. The mirror 38a deflects the laser light that has passed through the collimating lens 37a in the + X direction to produce inspection light L1. The mirror 38a deflects the laser light through the collimating lens 37a in the + X direction so that the incident angle of the inspection light L1 with respect to the upper surface of the reticle R is about 80 ° or more.

同様に、第２照明系３１ｂは、光源３６ｂ、コリメートレンズ３７ｂ、及びミラー３８ｂを含んで構成される。光源３６ｂは、例えば半導体レーザダイオードであり、所定の角度で発散するレーザ光を＋Ｚ方向に射出する。コリメートレンズ３７ｂは、光源３６ｂから射出されるレーザ光を平行光に変換する。ミラー３８ｂは、コリメートレンズ３７ｂを介したレーザ光を＋Ｘ方向に偏向して検査光Ｌ２とする。このミラー３８ｂは、ペリクルＰの面に対する検査光Ｌ２の入射角が８０°程度又はそれ以上になるようコリメートレンズ３７ｂを介したレーザ光を＋Ｘ方向に偏向する。   Similarly, the second illumination system 31b includes a light source 36b, a collimator lens 37b, and a mirror 38b. The light source 36b is, for example, a semiconductor laser diode, and emits laser light that diverges at a predetermined angle in the + Z direction. The collimating lens 37b converts the laser light emitted from the light source 36b into parallel light. The mirror 38b deflects the laser light that has passed through the collimating lens 37b in the + X direction to produce inspection light L2. The mirror 38b deflects the laser light through the collimating lens 37b in the + X direction so that the incident angle of the inspection light L2 with respect to the surface of the pellicle P is about 80 ° or more.

本実施形態の異物検査装置ＤＩは、第２照明系３１ｂをＺ方向に移動させてペリクルの面に対する検査光Ｌ２の照射位置を可変する駆動装置３９を備える。この駆動装置３９は、ペリクル高さが異なるレチクルＲの検査を可能にするために設けられる。尚、駆動装置３９は、図１に示す主制御系ＭＣの下で第２照明系３１ｂをＺ方向に移動させる。ここで、ペリクル高さが図３に示すペリクルＰのペリクル高さとは異なるレチクルＲが搬送アームＡＲ上に載置されている場合を考える。尚、以下の説明では、図３，図４に示すペリクルＰのペリクル高さ（即ち、搬送アームＡＲで所定の高さ位置にレチクルＲを保持したときに、第２照明系３１ｂからの検査光Ｌ２がペリクルＰの面上に照射されるよう設計されたペリクル高さ）を「基準ペリクル高さ」という。   The foreign substance inspection apparatus DI of the present embodiment includes a drive device 39 that moves the second illumination system 31b in the Z direction to vary the irradiation position of the inspection light L2 on the surface of the pellicle. This drive device 39 is provided to enable inspection of reticles R having different pellicle heights. The driving device 39 moves the second illumination system 31b in the Z direction under the main control system MC shown in FIG. Here, consider a case where a reticle R having a pellicle height different from that of the pellicle P shown in FIG. 3 is placed on the transfer arm AR. In the following description, the pellicle height of the pellicle P shown in FIGS. 3 and 4 (that is, the inspection light from the second illumination system 31b when the reticle R is held at a predetermined height position by the transfer arm AR). The height of the pellicle designed so that L2 is irradiated onto the surface of the pellicle P) is referred to as “reference pellicle height”.

図５は、ペリクル高さが異なるレチクルＲの検査を行う場合の照明系の説明図である。尚、図５は、図３に対応する正面図である。図５（ａ）に示す通り、ガラス基板の厚みは図３に示すレチクルＲのガラス基板の厚みと同じであるが、ペリクル高さが基準ペリクル高さよりも低いレチクルＲが搬送アームＡＲ上に載置されているとする。このレチクルＲは、ガラス基板の厚みが図３に示すレチクルＲと同じであるため、搬送アームＡＲのＺ方向の位置が図３に示すＺ方向の位置と同じ場合には、第１照明系３１ａからの検査光Ｌ１は入射角が８０°程度又はそれ以上と大きくても常にレチクルＲの上面に照射される。   FIG. 5 is an explanatory diagram of an illumination system in the case of inspecting a reticle R having a different pellicle height. FIG. 5 is a front view corresponding to FIG. As shown in FIG. 5A, the thickness of the glass substrate is the same as the thickness of the glass substrate of the reticle R shown in FIG. 3, but a reticle R having a pellicle height lower than the reference pellicle height is mounted on the transfer arm AR. Suppose that it is placed. Since the reticle R has the same glass substrate thickness as the reticle R shown in FIG. 3, when the position of the transfer arm AR in the Z direction is the same as the position in the Z direction shown in FIG. 3, the first illumination system 31a. The inspection light L1 is always applied to the upper surface of the reticle R even if the incident angle is as large as about 80 ° or more.

これに対し、ペリクル高さが基準ペリクル高さよりも低い場合には、搬送アームＡＲのＺ方向の位置が図３に示すＺ方向の位置と同じであっても、ペリクルＰの面は、図３に示すペリクルＰの面よりも＋Ｚ方向にずれることになる。この状態では、検査光Ｌ２の入射角は８０°程度又はそれ以上と大きいため、図５（ａ）に示す通り、検査光Ｌ２がペリクルＰの面に照射されない。これにより、ペリクルＰの面上における異物Ｄの検査を行うことができくなる。   On the other hand, when the pellicle height is lower than the reference pellicle height, even if the position of the transfer arm AR in the Z direction is the same as the position of the Z direction shown in FIG. Is shifted in the + Z direction from the surface of the pellicle P shown in FIG. In this state, since the incident angle of the inspection light L2 is as large as about 80 ° or more, the inspection light L2 is not irradiated onto the surface of the pellicle P as shown in FIG. This makes it impossible to inspect the foreign matter D on the surface of the pellicle P.

そこで、図５（ｂ）に示す通り、駆動装置３９により第２照明系３１ｂを＋Ｚ方向に移動させると、検査光Ｌ２の照射位置が変化するためペリクル高さが異なる場合であってもペリクルＰの面上に検査光Ｌ２を照射することができるようになる。尚、ガラス基板の厚みは図３に示すレチクルＲのガラス基板の厚みと同じであるが、ペリクル高さが基準ペリクル高さよりも高いレチクルＲが搬送アームＡＲ上に載置されている場合には、駆動装置３９により第２照明系３１ｂを−Ｚ方向に移動させれば、検査光Ｌ２をペリクルＰの面上に照射させることができる。   Therefore, as shown in FIG. 5B, when the second illumination system 31b is moved in the + Z direction by the driving device 39, the irradiation position of the inspection light L2 changes, so even if the pellicle height is different, the pellicle P It becomes possible to irradiate the inspection light L2 on the surface of the. The thickness of the glass substrate is the same as the thickness of the glass substrate of the reticle R shown in FIG. 3, but when the reticle R having a pellicle height higher than the reference pellicle height is placed on the transfer arm AR. If the second illumination system 31b is moved in the −Z direction by the drive device 39, the inspection light L2 can be irradiated onto the surface of the pellicle P.

尚、以上の説明では、駆動装置３９が第２照明系３１ｂをＺ方向に移動させる構成を例に挙げたが、図５（ｃ）に示す通り、駆動装置３９が第２照明系３１ｂに含まれるミラー３８ｂのみをＺ方向に移動させる構成であっても良い。また、仮にレチクルＲのガラス基板の厚みが異なるものがある場合には、第１照明系３１ａをＺ方向に移動させる駆動装置、又は第１照明系３１ａに含まれるミラー３８ａのみをＺ方向に移動させる駆動装置を更に備える構成であっても良い。   In the above description, a configuration in which the drive device 39 moves the second illumination system 31b in the Z direction has been described as an example. However, as shown in FIG. 5C, the drive device 39 is included in the second illumination system 31b. A configuration may be adopted in which only the mirror 38b to be moved is moved in the Z direction. In addition, if there is a glass substrate with a different thickness of the reticle R, only the driving device for moving the first illumination system 31a in the Z direction or the mirror 38a included in the first illumination system 31a is moved in the Z direction. The structure further provided with the drive device to make may be sufficient.

図６は、ペリクル高さが異なるレチクルＲの検査を行う場合の受光系の説明図である。尚、図６は、図４に対応する側面図であり、搬送アームＡＲ、受光系３２ａ、及び第１ラインセンサ３３ａについては図示を省略している。前述した通り、第２ラインセンサ３３ｂは、ペリクルＰのペリクル高さが基準ペリクル高さである場合に、第２受光系３２ｂに関して、その受光面がペリクルＰの面内における検査光Ｌ２の照射面と共役となるように配置されている。このため、図６に示す通り、ペリクルＰのペリクル高さが基準ペリクル高さＺ０である場合には、ペリクルＰの面上にある微小な異物Ｄ１からの散乱光は第２受光系３２ｂを介して第２ラインセンサ３３ｂの受光面上の点ｆ１に集光される。   FIG. 6 is an explanatory diagram of a light receiving system when inspecting a reticle R having a different pellicle height. FIG. 6 is a side view corresponding to FIG. 4, and illustration of the transport arm AR, the light receiving system 32a, and the first line sensor 33a is omitted. As described above, when the pellicle height of the pellicle P is the reference pellicle height, the second line sensor 33b is irradiated with the inspection light L2 within the plane of the pellicle P with respect to the second light receiving system 32b. Are arranged so as to be conjugate with each other. Therefore, as shown in FIG. 6, when the pellicle height of the pellicle P is the reference pellicle height Z0, the scattered light from the minute foreign matter D1 on the surface of the pellicle P passes through the second light receiving system 32b. Then, the light is condensed at a point f1 on the light receiving surface of the second line sensor 33b.

これに対し、図６に示す通り、ペリクルＰのペリクル高さが基準ペリクル高さＺ０よりも低いＺ１である場合には、このペリクルＰの面上にある微小な異物Ｄ２からの散乱光は第２受光系３２ｂを介しても第２ラインセンサ３３ｂの受光面上の点ｆ１とは異なる点ｆ２に集光される。この点ｆ２は、第２ラインセンサ３３ｂの受光面上の点ではないため、異物Ｄ２の光学像は第２ラインセンサ３３ｂの受光面上においてぼけてしまい、検査精度の悪化を招いてしまう。このため、本実施形態では、ペリクル高さが基準ペリクル高さとは異なるレチクルＲの検査を行う場合であっても、ペリクルＰの面内における検査光Ｌ２の照射面と第２ラインセンサ３３ｂの受光面との共役関係が保たれるよう対策が施されている。   On the other hand, as shown in FIG. 6, when the pellicle height of the pellicle P is Z1 lower than the reference pellicle height Z0, the scattered light from the minute foreign matter D2 on the surface of the pellicle P Even through the two light receiving systems 32b, the light is condensed at a point f2 different from the point f1 on the light receiving surface of the second line sensor 33b. Since this point f2 is not a point on the light receiving surface of the second line sensor 33b, the optical image of the foreign matter D2 is blurred on the light receiving surface of the second line sensor 33b, leading to deterioration in inspection accuracy. For this reason, in this embodiment, even when the inspection of the reticle R whose pellicle height is different from the reference pellicle height is performed, the irradiation surface of the inspection light L2 in the plane of the pellicle P and the light reception of the second line sensor 33b. Measures are taken to maintain a conjugate relationship with the surface.

図７は、ペリクル高さが変化してもペリクルＰの面と第２ラインセンサ３３ｂの受光面との共役関係を保つ構成を説明するための図である。図７（ａ）に示す例では、第２受光系３２ｂの内部にズーム光学系等の第２受光系３２ｂの焦点位置を可変とする光学系が設けられており、また、図１に示す主制御系ＭＣの制御の下で第２受光系３２ｂの焦点位置を調整する焦点可変装置としての調整装置４０が設けられている。かかる構成において、ペリクルＰのペリクル高さが基準ペリクル高さＺ０である場合には、調整装置４０は、図６に示す通り、ペリクルＰの面上にある微小な異物Ｄ１からの散乱光が第２受光系３２ｂを介して第２ラインセンサ３３ｂの受光面上の点ｆ１に集光されるよう第２受光系３２ｂの焦点位置を調整する。   FIG. 7 is a diagram for explaining a configuration in which the conjugate relationship between the surface of the pellicle P and the light receiving surface of the second line sensor 33b is maintained even when the pellicle height changes. In the example shown in FIG. 7A, an optical system that makes the focal position of the second light receiving system 32b, such as a zoom optical system, variable is provided inside the second light receiving system 32b. An adjustment device 40 is provided as a variable focus device that adjusts the focal position of the second light receiving system 32b under the control of the control system MC. In such a configuration, when the pellicle height of the pellicle P is the reference pellicle height Z0, the adjustment device 40 receives the scattered light from the minute foreign matter D1 on the surface of the pellicle P as shown in FIG. The focal position of the second light receiving system 32b is adjusted so that the light is condensed at the point f1 on the light receiving surface of the second line sensor 33b via the two light receiving systems 32b.

これに対し、ペリクルＰのペリクル高さが基準ペリクル高さＺ０よりも低いＺ１である場合には、図７（ａ）に示す通り、このペリクルＰの面上にある微小な異物Ｄ２からの散乱光が受光系３２ｂを介して第２ラインセンサ３３ｂの受光面上の点ｆ３に集光されるよう調整装置４０が第２受光系３２ｂの焦点位置を調整する。これにより、ペリクル高さが基準ペリクル高さＺ０とは異なるＺ１であっても、ペリクルＰの面内における検査光Ｌ２の照射面と第２ラインセンサ３３ｂの受光面との共役関係が保たれる。尚、かかる焦点位置の調整を行った場合には、ペリクル高さが基準ペリクル高さＺ０であるペリクルＰ上にある微小な異物Ｄ１からの散乱光は第２受光系３２ｂを介して第２ラインセンサ３３ｂの受光面上にはない点ｆ４に集光される。   On the other hand, when the pellicle height of the pellicle P is Z1 lower than the reference pellicle height Z0, the scattering from the minute foreign matter D2 on the surface of the pellicle P is performed as shown in FIG. The adjusting device 40 adjusts the focal position of the second light receiving system 32b so that the light is condensed at the point f3 on the light receiving surface of the second line sensor 33b via the light receiving system 32b. Thereby, even if the pellicle height is Z1 different from the reference pellicle height Z0, the conjugate relationship between the irradiation surface of the inspection light L2 and the light receiving surface of the second line sensor 33b in the plane of the pellicle P is maintained. . When the focus position is adjusted, the scattered light from the minute foreign matter D1 on the pellicle P whose pellicle height is the reference pellicle height Z0 is transmitted to the second line via the second light receiving system 32b. The light is condensed at a point f4 not on the light receiving surface of the sensor 33b.

また、図７（ｂ）に示す例では、図１に示す主制御系ＭＣの制御の下で第２ラインセンサ３３ｂを移動させる素子駆動装置としての移動装置４１が設けられている。かかる構成において、ペリクルＰのペリクル高さが基準ペリクル高さＺ０である場合には、調整装置４０は、図６に示す通り、ペリクルＰの面上にある微小な異物Ｄ１からの散乱光が第２受光系３２ｂを介して集光される点ｆ１が第２ラインセンサ３３ｂの受光面上に位置するように第２ラインセンサ３３ｂを移動させる。   In the example shown in FIG. 7B, a moving device 41 is provided as an element driving device that moves the second line sensor 33b under the control of the main control system MC shown in FIG. In such a configuration, when the pellicle height of the pellicle P is the reference pellicle height Z0, the adjustment device 40 receives the scattered light from the minute foreign matter D1 on the surface of the pellicle P as shown in FIG. The second line sensor 33b is moved so that the point f1 collected through the two light receiving systems 32b is positioned on the light receiving surface of the second line sensor 33b.

これに対し、ペリクルＰのペリクル高さが基準ペリクル高さＺ０よりも低いＺ１である場合には、図７（ｂ）に示す通り、このペリクルＰの面上にある微小な異物Ｄ２からの散乱光が受光系３２ｂを介して集光される点ｆ２が第２ラインセンサ３３ｂの受光面上に位置するように第２ラインセンサ３３ｂを移動させる。これにより、ペリクル高さが基準ペリクル高さＺ０とは異なるＺ１であっても、ペリクルＰの面内における検査光Ｌ２の照射面と第２ラインセンサ３３ｂの受光面との共役関係が保たれる。尚、第２ラインセンサ３３ｂの平行移動のみではペリクルＰ上における検査光Ｌ２の照射面全面に亘る共役関係を保つことができないことがある場合には、第２ラインセンサ３３ｂを回転させてその受光面を傾斜させても良い。   On the other hand, when the pellicle height of the pellicle P is Z1 lower than the reference pellicle height Z0, as shown in FIG. 7B, scattering from the minute foreign matter D2 on the surface of the pellicle P The second line sensor 33b is moved so that the point f2 where the light is collected via the light receiving system 32b is positioned on the light receiving surface of the second line sensor 33b. Thereby, even if the pellicle height is Z1 different from the reference pellicle height Z0, the conjugate relationship between the irradiation surface of the inspection light L2 and the light receiving surface of the second line sensor 33b in the plane of the pellicle P is maintained. . If the conjugate relationship over the entire irradiation surface of the inspection light L2 on the pellicle P cannot be maintained only by the parallel movement of the second line sensor 33b, the second line sensor 33b is rotated to receive the light. The surface may be inclined.

ここで、ペリクル高さはレチクルＲ毎に異なる可能性がある。このため、前述した駆動装置３９による第２照明系３１ｂ又はミラー３８ｂのみのＺ方向への移動量、及び、調整装置４０による第２受光系３２ｂの焦点位置の調整量又は移動装置４１による第２ラインセンサ３３ｂの移動量がレチクルＲ毎に異なる場合がある。かかる場合に、レチクルＲの上面及びペリクルＰの面上における異物を検査するためには、検査対象のレチクルＲのペリクル高さを予め主制御系ＭＣが知る必要がある。   Here, the pellicle height may be different for each reticle R. Therefore, the amount of movement in the Z direction of only the second illumination system 31b or the mirror 38b by the driving device 39 and the amount of adjustment of the focal position of the second light receiving system 32b by the adjusting device 40 or the second amount by the moving device 41. The movement amount of the line sensor 33b may be different for each reticle R. In such a case, in order to inspect the foreign matter on the upper surface of the reticle R and the surface of the pellicle P, the main control system MC needs to know the pellicle height of the reticle R to be inspected in advance.

前述した通り、各レチクルＲにはバーコードが貼付されており、レチクルライブラリ２１から異物検査装置ＤＩに検査対象のレチクルＲを搬送するときに、レチクル搬送系２２に設けられた読み取り装置２３でバーコードが読み取られる。読み取られたバーコードが主制御系ＭＣに供給されると、主制御系ＭＣはそのバーコードに対応付けられているレチクルＲに関する情報（ペリクル高さを含む）を取得することができる。ペリクル高さが得られれば、第２照明系３１ｂ又はミラー３８ｂのみのＺ方向への移動量、及び、調整装置４０による第２受光系３２ｂの焦点位置の調整量又は移動装置４１による第２ラインセンサ３３ｂの移動量を求めることができる。   As described above, each reticle R is affixed with a barcode, and when the reticle R to be inspected is transferred from the reticle library 21 to the foreign substance inspection apparatus DI, the barcode is read by the reading device 23 provided in the reticle transfer system 22. The code is read. When the read barcode is supplied to the main control system MC, the main control system MC can acquire information (including the pellicle height) related to the reticle R associated with the barcode. If the pellicle height is obtained, the amount of movement in the Z direction of only the second illumination system 31b or the mirror 38b and the amount of adjustment of the focal position of the second light receiving system 32b by the adjusting device 40 or the second line by the moving device 41 The amount of movement of the sensor 33b can be obtained.

また、レチクルＲに貼付されたバーコードを読み取り装置２３で読み取ってペリクル高さを得る方法以外に、レチクルＲのペリクル高さを自動的に検出することもできる。図８は、レチクルＲのペリクル高さを自動的に検出する方法を説明するために図である。尚、図８は、図３に対応する正面図である。レチクルＲのペリクル高さを自動的に検出するためには、第２照明系３１ｂと図２に示したラインセンサ３４とを用いる。尚、ラインセンサ３４は、Ｚ方向の位置を検出するように配置されている。   In addition to the method of obtaining the pellicle height by reading the barcode attached to the reticle R with the reading device 23, the pellicle height of the reticle R can be automatically detected. FIG. 8 is a diagram for explaining a method of automatically detecting the pellicle height of the reticle R. FIG. 8 is a front view corresponding to FIG. In order to automatically detect the pellicle height of the reticle R, the second illumination system 31b and the line sensor 34 shown in FIG. 2 are used. The line sensor 34 is arranged so as to detect the position in the Z direction.

図８（ａ）に示す通り、ペリクルＰのペリクル高さが低く、第２照明系３１ｂからの検査光Ｌ２がペリクルの面に照射されない場合には、検査光Ｌ２がラインセンサ３４に直接照射される。ここで、駆動装置３９により第２照明系３１ｂを＋Ｚ方向へ移動させると、第２照明系３１ｂの移動に応じてラインセンサ３４に対する検査光Ｌ２の照射位置が変化する。このため、図８（ｃ）に示す通り、ラインセンサ３４で検出される検査光Ｌ２の検出位置が変化する。尚、図８（ｃ）においては、第２照明系３１ｂの高さ位置（Ｚ方向の位置）を横軸に取り、ラインセンサ３４で検出される検出位置（検査光Ｌ２の照射位置）を縦軸に取っている。   As shown in FIG. 8A, when the pellicle height of the pellicle P is low and the inspection light L2 from the second illumination system 31b is not irradiated onto the surface of the pellicle, the inspection light L2 is directly irradiated onto the line sensor 34. The Here, when the second illumination system 31b is moved in the + Z direction by the driving device 39, the irradiation position of the inspection light L2 on the line sensor 34 changes according to the movement of the second illumination system 31b. For this reason, as shown in FIG.8 (c), the detection position of the test | inspection light L2 detected by the line sensor 34 changes. In FIG. 8C, the horizontal position is the height position (position in the Z direction) of the second illumination system 31b, and the detection position (the irradiation position of the inspection light L2) detected by the line sensor 34 is the vertical axis. Taking on the shaft.

第２照明系３１ｂの＋Ｚ方向への移動を続けると、図８（ｃ）に示す通り、第２照明系３１ｂの高さ位置に応じてラインセンサ３４の検出位置が連続的に上がる。しかしながら、検査光２がペリクルＰの面に照射されると、ペリクルＰの面で検査光Ｌ２が反射されることにより、検査光Ｌ２はラインセンサ３４の下方に照射される。これにより、図８（ｃ）に示す通り、ラインセンサ３４の検出結果に飛びが生ずる。更に、第２照明系３１ｂの＋Ｚ方向への移動を続けると、ペリクルＰの面での反射により、第２照明系３１ｂの移動に応じてラインセンサ３４の検出結果が連続的に下がる。   If the movement of the second illumination system 31b in the + Z direction is continued, the detection position of the line sensor 34 is continuously raised according to the height position of the second illumination system 31b as shown in FIG. 8C. However, when the inspection light 2 is irradiated on the surface of the pellicle P, the inspection light L2 is reflected on the surface of the pellicle P, and the inspection light L2 is irradiated below the line sensor 34. Thereby, as shown in FIG.8 (c), a jump arises in the detection result of the line sensor 34. FIG. Furthermore, if the movement of the second illumination system 31b in the + Z direction is continued, the detection result of the line sensor 34 continuously decreases according to the movement of the second illumination system 31b due to reflection on the surface of the pellicle P.

以上から、第２照明系３１ｂをＺ方向へ移動させた場合に、検査光Ｌ２がペリクルＰの面に照射されたときにラインセンサ３４の検出位置が不連続になる（飛びが生ずる）。よって、搬送アームＡＲがレチクルＲを保持する高さ位置を一定にすれば、検査光Ｌ２のペリクルＰの面に対する入射角は一定であるため、ラインセンサ３４の検出位置が不連続になるときの第２照明系３１ｂの高さ位置Ｋ（図８（ｃ）参照）を求めれば、ペリクル高さを自動的に検出することができる。尚、以上の制御は、ラインセンサ３４の検出結果を用いて主制御系ＭＣが行っても良く、又はラインセンサ３４の検出結果を用いて駆動装置３９が行っても良い。また、上記の例では、第２照明系３１ｂからの検査光Ｌ２を用いてペリクル高さを検出する場合を挙げて説明したが、ペリクル高さを検出するための専用の光源を設け、この光源を用いて上記の同様の検出を行っても良い。   From the above, when the second illumination system 31b is moved in the Z direction, the detection position of the line sensor 34 becomes discontinuous (jumps) when the inspection light L2 is irradiated onto the surface of the pellicle P. Therefore, if the height position at which the transfer arm AR holds the reticle R is constant, the incident angle of the inspection light L2 with respect to the surface of the pellicle P is constant, so that the detection position of the line sensor 34 is discontinuous. If the height position K (see FIG. 8C) of the second illumination system 31b is obtained, the pellicle height can be automatically detected. The above control may be performed by the main control system MC using the detection result of the line sensor 34, or may be performed by the driving device 39 using the detection result of the line sensor 34. In the above example, the case where the pellicle height is detected using the inspection light L2 from the second illumination system 31b has been described. However, a dedicated light source for detecting the pellicle height is provided, and this light source The same detection as described above may be performed using.

上記構成において、レチクルＲの上面及びペリクルＰの面上における異物を検査する場合には、まず上述したレチクルＲに貼付されたバーコードの読み取りが行われてペリクル高さが求められ、又は上述したペリクル高さの自動検出がなされる。次に、レチクルＲのペリクル高さに応じた駆動装置３９による第２照明系３１ｂの高さ位置調整、及び、調整装置４０による第２受光系３２ｂの焦点位置調整又は移動装置４１による第２ラインセンサ３３ｂの移動調整が行われる。以上の前処理を終えると、検査対象のレチクルＲが搬送アームＡＲ上に載置された状態で異物検査装置ＤＩ内に搬送される。レチクルＲが搬送アームＡＲにより検査開始位置までに搬送されると、第１照明系３１ａから検査光Ｌ１が射出されるとともに第２照明系３１ｂから検査光Ｌ２が照射される。   In the above configuration, when inspecting the foreign matter on the upper surface of the reticle R and the surface of the pellicle P, first, the barcode attached to the reticle R is read to obtain the pellicle height, or the above-described Automatic detection of the pellicle height is performed. Next, the height position of the second illumination system 31 b is adjusted by the driving device 39 according to the pellicle height of the reticle R, and the focal position of the second light receiving system 32 b is adjusted by the adjustment device 40 or the second line by the moving device 41. Movement adjustment of the sensor 33b is performed. When the above pre-processing is completed, the reticle R to be inspected is transported into the foreign matter inspection apparatus DI while being placed on the transport arm AR. When the reticle R is transported to the inspection start position by the transport arm AR, the inspection light L1 is emitted from the first illumination system 31a and the inspection light L2 is emitted from the second illumination system 31b.

第１照明系３１ａからの検査光Ｌ１はレチクルＲの上面上におけるＸ方向に延びた照射面に照射され、第２照明系３１ｂからの検査光Ｌ２はペリクルＰの面上におけるＸ方向に延びた照射面に照射される。ここで、レチクルＲの上面上における照射面及びペリクルＰの面上における照射面は、レチクルＲのＸ方向の幅程度に設定されている。また、第１受光系３２ａに関して第１ラインセンサ３３ａの受光面はレチクルＲの上面上における照射面と共役にされ、第２受光系３２ｂに関して第２ラインセンサ３３ｂの受光面はペリクルＰの面上における照射面と共役にされている。   The inspection light L1 from the first illumination system 31a is applied to the irradiation surface extending in the X direction on the upper surface of the reticle R, and the inspection light L2 from the second illumination system 31b extends in the X direction on the surface of the pellicle P. Irradiated to the irradiated surface. Here, the irradiation surface on the upper surface of the reticle R and the irradiation surface on the surface of the pellicle P are set to approximately the width of the reticle R in the X direction. Further, the light receiving surface of the first line sensor 33a with respect to the first light receiving system 32a is conjugated with the irradiation surface on the upper surface of the reticle R, and the light receiving surface of the second line sensor 33b with respect to the second light receiving system 32b is on the surface of the pellicle P. It is made conjugate with the irradiation surface.

このため、レチクルＲの上面上における照射面に存在する異物によって生じた散乱光が第１ラインセンサ３３ａで受光されると、第１ラインセンサ３３ａの受光位置（第１ラインセンサ３３ａの検出結果）によって異物のレチクルＲ上におけるＸ方向の位置が特定され、その信号強度から異物の大きさが特定される。同様に、ペリクルＰの面上における照射面に存在する異物によって生じた散乱光が第２ラインセンサ３３ｂで受光されると、第２ラインセンサ３３ｂの受光位置（第２ラインセンサ３３ｂの検出結果）によって異物のペリクルＰ上におけるＸ方向の位置が特定され、その信号強度から異物の大きさが特定される。   For this reason, when the first line sensor 33a receives the scattered light generated by the foreign matter existing on the irradiation surface on the upper surface of the reticle R, the light receiving position of the first line sensor 33a (the detection result of the first line sensor 33a). Thus, the position of the foreign matter on the reticle R in the X direction is specified, and the size of the foreign matter is specified from the signal intensity. Similarly, when scattered light generated by foreign matter existing on the irradiation surface on the surface of the pellicle P is received by the second line sensor 33b, the light receiving position of the second line sensor 33b (detection result of the second line sensor 33b). Thus, the position of the foreign matter in the X direction on the pellicle P is specified, and the size of the foreign matter is specified from the signal intensity.

搬送アームＡＲを＋Ｙ方向に一定速度で移動させると、レチクルＲの上面及びペリクルＰの面上が検査光Ｌ１，Ｌ２によってそれぞれ走査される。搬送アームＡＲの位置と第１ラインセンサ３３ａの時間変化とを対応付けるとレチクルＲの上面上の異物の分布を求めることができる。同様に、搬送アームＡＲの位置と第２ラインセンサ３３ｂの時間変化とを対応付けるとペリクルＰの面上の異物の分布を求めることができる。このようにして、異物の検査が行われる。尚、異物の検査は搬送アームを＋Ｙ方向に移動させながら（往路で）行っても良く、−Ｙ方向に移動させながら（復路で）行っても良い。或いは、往路と復路との両方で行い、各々の検査結果を総合して検査精度を高めるようにしても良い。   When the transfer arm AR is moved in the + Y direction at a constant speed, the upper surface of the reticle R and the surface of the pellicle P are scanned by the inspection lights L1 and L2, respectively. By associating the position of the transfer arm AR with the time change of the first line sensor 33a, the distribution of foreign matter on the upper surface of the reticle R can be obtained. Similarly, the distribution of foreign matter on the surface of the pellicle P can be obtained by associating the position of the transfer arm AR with the time variation of the second line sensor 33b. In this way, the foreign matter is inspected. The inspection of the foreign matter may be performed while moving the transport arm in the + Y direction (on the forward path) or may be performed while moving the transport arm in the −Y direction (on the return path). Alternatively, the inspection accuracy may be improved by performing both the outward path and the return path and combining the inspection results.

〈第２実施形態〉
図９は、本発明の第２実施形態による異物検査装置を示す正面図である。尚、図９においては、図３に示した構成に相当する構成には同一の符号を付してある。図９に示す異物検査装置が図３に示す異物検査装置と異なるのは、搬送アームＡＲのＺ方向の位置が可変であって、駆動装置３９が省略されている点である。従って、本実施形態では、第２照明系３１ｂのＺ方向の位置が固定されており、ペリクル高さに応じた第２照明系３１ｂの高さ位置調整は行われない。また、第２受光系３２ｂの焦点位置調整又は第２ラインセンサ３３ｂの移動調整も行われない。 Second Embodiment
FIG. 9 is a front view showing a foreign matter inspection apparatus according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 9, the same reference numerals are given to the components corresponding to those shown in FIG. The foreign matter inspection apparatus shown in FIG. 9 differs from the foreign matter inspection apparatus shown in FIG. 3 in that the position of the transfer arm AR in the Z direction is variable and the drive device 39 is omitted. Therefore, in the present embodiment, the position of the second illumination system 31b in the Z direction is fixed, and the height position adjustment of the second illumination system 31b according to the pellicle height is not performed. Further, neither the focal position adjustment of the second light receiving system 32b nor the movement adjustment of the second line sensor 33b is performed.

上記構成において、レチクルＲの上面及びペリクルＰの面上における異物を検査する場合には、まず上述したレチクルＲに貼付されたバーコードの読み取りが行われてペリクル高さが求められる。次に、検査対象のレチクルＲが搬送アームＡＲ上に載置された状態で異物検査装置ＤＩ内に搬送される。レチクルＲが搬送アームＡＲにより検査開始位置までに搬送されると、図９（ａ）に示す通り、第１照明系３１ａから検査光Ｌ１が射出されるとともに第２照明系３１ｂから検査光Ｌ２が照射される。   In the above configuration, when the foreign matter on the upper surface of the reticle R and the surface of the pellicle P is inspected, first, the barcode attached to the reticle R is read to determine the pellicle height. Next, the reticle R to be inspected is transported into the foreign object inspection apparatus DI while being placed on the transport arm AR. When the reticle R is transported to the inspection start position by the transport arm AR, as shown in FIG. 9A, the inspection light L1 is emitted from the first illumination system 31a and the inspection light L2 is emitted from the second illumination system 31b. Irradiated.

第１照明系３１ａからの検査光Ｌ１はレチクルＲの上面上におけるＸ方向に延びた照射面に照射されるが、第２照明系３１ｂからの検査光Ｌ２はペリクルＰのペリクル高さが基準ペリクル高さよりも低いためペリクルＰの面上には照射されない。この状態で搬送アームＡＲを＋Ｙ方向に一定速度で移動させることにより、レチクルＲの上面の検査が行われる。   The inspection light L1 from the first illumination system 31a is irradiated on the irradiation surface extending in the X direction on the upper surface of the reticle R, while the inspection light L2 from the second illumination system 31b is the height of the pellicle P is the reference pellicle. Since it is lower than the height, the surface of the pellicle P is not irradiated. In this state, the upper surface of the reticle R is inspected by moving the transfer arm AR in the + Y direction at a constant speed.

次に、図９（ｂ）に示す通り、上記のバーコードの読み取りにより得られたペリクル高さに応じて、搬送アームＡＲを−Ｚ方向に移動させる。具体的には、基準ペリクル高さとバーコードの読み取りにより得られたペリクル高さとの差の分だけ搬送アームＡＲを−Ｚ方向に移動させる。これにより、第２照明系３１ｂからの検査光Ｌ２はペリクルＰの面上におけるＸ方向に延びた照射面に照射されるが、第１照明系３１ａからの検査光Ｌ１は搬送アームＡＲを−Ｚ方向に移動させたためレチクルＲの上面上には照射されない。この状態で搬送アームＡＲを−Ｙ方向に一定速度で移動させることにより、ペリクルＰの面の検査が行われる。   Next, as shown in FIG. 9B, the transfer arm AR is moved in the −Z direction according to the pellicle height obtained by reading the barcode. Specifically, the transfer arm AR is moved in the −Z direction by the difference between the reference pellicle height and the pellicle height obtained by reading the barcode. As a result, the inspection light L2 from the second illumination system 31b is applied to the irradiation surface extending in the X direction on the surface of the pellicle P, but the inspection light L1 from the first illumination system 31a passes through the transport arm AR to −Z. Since it is moved in the direction, the upper surface of the reticle R is not irradiated. In this state, the surface of the pellicle P is inspected by moving the transfer arm AR in the -Y direction at a constant speed.

以上の通り、本実施形態では、搬送アームＡＲをＺ方向に移動可能とし、往路ではレチクルＲの上面の検査を行い、復路ではペリクルＰの面の検査を行っている。このため、大幅に装置構成を変更することなく、異なるペリクル高さのレチクルＲの検査を行うことができる。尚、図９（ａ）においては理解を容易にするために、往路で検査を行う場合及び復路で検査を行う場合の何れの場合においても検査光Ｌ１，Ｌ２の双方が射出されている状態を図示しているが、往路では検査光Ｌ１のみを射出させ、復路では検査光Ｌ２のみを射出させるのが望ましい。   As described above, in the present embodiment, the transfer arm AR can be moved in the Z direction, the upper surface of the reticle R is inspected on the forward path, and the surface of the pellicle P is inspected on the return path. For this reason, it is possible to inspect reticles R having different pellicle heights without significantly changing the apparatus configuration. In FIG. 9A, in order to facilitate understanding, both the inspection lights L1 and L2 are emitted in both cases where the inspection is performed on the outward path and the inspection is performed on the return path. Although illustrated, it is preferable that only the inspection light L1 is emitted on the forward path and only the inspection light L2 is emitted on the return path.

また、本実施形態と前述の第１実施形態とを組み合わせることも可能である。例えば、Ｚ方向に移動可能な第２照明系３１ｂにより図８を用いて説明した方法によりペリクル高さを自動的に求め、このペリクル高さに応じて搬送アームＡＲをＺ方向に移動させることも可能である。往路でペリクルＰの面の検査を行い、復路でレチクルＲの上面の検査を行っても良いことは言うまでもない。   Further, it is possible to combine this embodiment with the first embodiment described above. For example, the pellicle height is automatically obtained by the method described with reference to FIG. 8 by the second illumination system 31b movable in the Z direction, and the transfer arm AR is moved in the Z direction according to the pellicle height. Is possible. Needless to say, the surface of the pellicle P may be inspected on the forward path, and the upper surface of the reticle R may be inspected on the return path.

〈第３実施形態〉
図１０は、本発明の第３実施形態による異物検査装置を示す側面図である。尚、図１０においては、図４に示した構成に相当する構成には同一の符号を付してあり、搬送アームＡＲ、第１受光系３２ａ及び第２受光系３２ｂ、並びに第１ラインセンサ３３ａ及び第２ラインセンサ３３ｂの図示は省略している。図１０に示す異物検査装置が図４に示す異物検査装置と異なるのは、ペリクル高さに合わせて複数の照明系を備えた点である。尚、第１実施形態と同様に、図示していない第２受光系３２ｂは焦点位置の調整が可能に構成されており、或いは図示していない第２ラインセンサ３３ｂは移動調整が可能に構成されている。 <Third Embodiment>
FIG. 10 is a side view showing a foreign substance inspection apparatus according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 10, the same reference numerals are given to the components corresponding to those shown in FIG. 4, and the transfer arm AR, the first light receiving system 32a and the second light receiving system 32b, and the first line sensor 33a are provided. The second line sensor 33b is not shown. The foreign substance inspection apparatus shown in FIG. 10 is different from the foreign substance inspection apparatus shown in FIG. 4 in that a plurality of illumination systems are provided in accordance with the pellicle height. As in the first embodiment, the second light receiving system 32b (not shown) is configured to be able to adjust the focal position, or the second line sensor 33b (not shown) is configured to be able to adjust the movement. ing.

図１０に示す通り、本実施形態の異物検査装置は、図４に示す第１実施形態の異物検査装置と同様に第１照明系３１ａ及び第２照明系３１ｂを備えているが、これらに加えて−Ｘ側から＋Ｘ方向に向けてシートビーム状に整形された検査光をペリクルＰの面上に照射する第３照明系３１ｃを備えている。第２照明系３１ｂは、ペリクル高さが基準ペリクル高さＺ０であるペリクルＰの面に検査光Ｌ２が照射されるようにＺ方向の位置が調整されており、第３照明系３１ｃは、ペリクル高さが基準ペリクル高さＺ０よりも低いＺ１であるペリクルＰの面に検査光が照射されるようにＺ方向の位置が調整されている。   As shown in FIG. 10, the foreign matter inspection apparatus of the present embodiment includes the first illumination system 31a and the second illumination system 31b as in the foreign matter inspection apparatus of the first embodiment shown in FIG. And a third illumination system 31c that irradiates the surface of the pellicle P with inspection light shaped in a sheet beam shape from the −X side toward the + X direction. The second illumination system 31b is adjusted in position in the Z direction so that the inspection light L2 is irradiated onto the surface of the pellicle P whose pellicle height is the reference pellicle height Z0. The third illumination system 31c The position in the Z direction is adjusted so that the inspection light is irradiated onto the surface of the pellicle P whose height is Z1 lower than the reference pellicle height Z0.

具体的に、第３照明系３１ｃは、光源３６ｃ、コリメートレンズ３７ｃ、及びミラー３８ｃを含んで構成される。光源３６ｃは、例えば半導体レーザダイオードであり、所定の角度で発散するレーザ光を＋Ｚ方向に射出する。コリメートレンズ３７ｃは、光源３６ｃから射出されるレーザ光を平行光に変換する。ミラー３８ｃは、コリメートレンズ３７ｃを介したレーザ光を＋Ｘ方向に偏向して検査光とする。このミラー３８ｃは、ペリクルＰの面に対する検査光の入射角が８０°程度又はそれ以上になるようコリメートレンズ３７ｃを介したレーザ光を＋Ｘ方向に偏向する。尚、第３照明系３１ｃが射出する検査光のペリクルＰの面に対する入射角は、第２照明系３１ｂが射出する検査光Ｌ２のペリクルＰの面に対する入射角と同じである。   Specifically, the third illumination system 31c includes a light source 36c, a collimator lens 37c, and a mirror 38c. The light source 36c is, for example, a semiconductor laser diode, and emits laser light that diverges at a predetermined angle in the + Z direction. The collimating lens 37c converts the laser light emitted from the light source 36c into parallel light. The mirror 38c deflects the laser light that has passed through the collimating lens 37c in the + X direction to produce inspection light. This mirror 38c deflects the laser light through the collimating lens 37c in the + X direction so that the incident angle of the inspection light with respect to the surface of the pellicle P is about 80 ° or more. The incident angle of the inspection light emitted by the third illumination system 31c with respect to the surface of the pellicle P is the same as the incident angle of the inspection light L2 emitted by the second illumination system 31b with respect to the surface of the pellicle P.

上記構成において、レチクルＲの上面及びペリクルＰの面上における異物を検査する場合には、まず第１実施形態と同様に、レチクルＲに貼付されたバーコードの読み取りが行われてペリクル高さが求められ、又は上述したペリクル高さの自動検出がなされる。次に、第１実施形態と同様に、レチクルＲのペリクル高さに応じた調整装置４０による第２受光系３２ｂの焦点位置調整又は移動装置４１による第２ラインセンサ３３ｂの移動調整が行われる（図７参照）。以上の前処理を終えると、検査対象のレチクルＲが搬送アームＡＲ上に載置された状態で異物検査装置ＤＩ内に搬送される。   In the above configuration, when inspecting the foreign matter on the upper surface of the reticle R and the surface of the pellicle P, first, as in the first embodiment, the barcode attached to the reticle R is read to determine the height of the pellicle. The pellicle height is automatically detected as described above. Next, as in the first embodiment, the focal position of the second light receiving system 32b is adjusted by the adjusting device 40 according to the pellicle height of the reticle R, or the movement of the second line sensor 33b is adjusted by the moving device 41 ( (See FIG. 7). When the above pre-processing is completed, the reticle R to be inspected is transported into the foreign matter inspection apparatus DI while being placed on the transport arm AR.

レチクルＲが搬送アームＡＲにより検査開始位置までに搬送されると、第１照明系３１ａから検査光Ｌ１が射出されるとともに、レチクルＲのペリクル高さに応じて第２照明系３１ｂから検査光Ｌ２が照射され、又は第３照明系３１ｃから検査光が照射される。具体的には、搬送アームＡＲ上に載置されたレチクルＲのペリクル高さが基準ペリクル高さＺ０である場合には第２照明系３１ｂから検査光Ｌ２が照射され、ペリクル高さが基準ペリクル高さＺ０とは異なるペリクル高さＺ１である場合には第３照明系３１ｃから検査光が照射される。   When the reticle R is transported to the inspection start position by the transport arm AR, the inspection light L1 is emitted from the first illumination system 31a, and the inspection light L2 is transmitted from the second illumination system 31b according to the pellicle height of the reticle R. Or the inspection light is irradiated from the third illumination system 31c. Specifically, when the pellicle height of the reticle R placed on the transfer arm AR is the reference pellicle height Z0, the inspection light L2 is irradiated from the second illumination system 31b, and the pellicle height is set to the reference pellicle height. When the pellicle height Z1 is different from the height Z0, the inspection light is irradiated from the third illumination system 31c.

第１照明系３１ａからの検査光Ｌ１はレチクルＲの上面上におけるＸ方向に延びた照射面に照射され、第２照明系３１ｂからの検査光Ｌ２又は第３照明系３１ｃからの検査光はペリクルＰの面上におけるＸ方向に延びた照射面に照射される。この状態で搬送アームＡＲを＋Ｙ方向に一定速度で移動させると、レチクルＲの上面が検査光Ｌ１によって走査され、ペリクルＰの面が検査光Ｌ２又は第３照明系３１ｃからの検査光によって走査される。このようにしてレチクルＲの上面とペリクルＰの面の検査が行われる。尚、第１実施形態と同様に、検査は往路で行っても良く、復路で行っても良い。或いは、往路と復路との両方で行い、各々の検査結果を総合して検査精度を高めるようにしても良い。   The inspection light L1 from the first illumination system 31a is applied to the irradiation surface extending in the X direction on the upper surface of the reticle R, and the inspection light L2 from the second illumination system 31b or the inspection light from the third illumination system 31c is the pellicle. The irradiation surface extending in the X direction on the surface of P is irradiated. When the transfer arm AR is moved in the + Y direction at a constant speed in this state, the upper surface of the reticle R is scanned by the inspection light L1, and the surface of the pellicle P is scanned by the inspection light L2 or the inspection light from the third illumination system 31c. The In this way, the upper surface of the reticle R and the surface of the pellicle P are inspected. Note that, as in the first embodiment, the inspection may be performed on the outward path or on the return path. Alternatively, the inspection accuracy may be improved by performing both the outward path and the return path and combining the inspection results.

〈第４実施形態〉
図１１は本発明の第４実施形態による同異物検査装置を示す正面図であり、図１２は同異物検査装置を示す側面図である。尚、図１１，図１２においては、図３，４に示した構成に相当する構成には同一の符号を付してあり、搬送アームＡＲの図示は省略している。本実施形態の異物検査装置は、図３及び図４に示す第１実施形態の異物検査装置が備える第１照明系３１ａ並びに不図示の第１受光系３２ａ及び第１ラインセンサ３３ａと同様の構成を備えている。しかしながら、ペリクルＰの面に対して検査光を照射する照明系及びペリクルＰの面に付着した異物からの散乱光を受光する受光側の構成が異なる。 <Fourth embodiment>
FIG. 11 is a front view showing the foreign matter inspection apparatus according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a side view showing the foreign matter inspection apparatus. 11 and 12, the same reference numerals are given to the components corresponding to those shown in FIGS. 3 and 4, and the transfer arm AR is not shown. The foreign substance inspection apparatus of the present embodiment has the same configuration as the first illumination system 31a, the first light receiving system 32a (not shown), and the first line sensor 33a included in the foreign substance inspection apparatus of the first embodiment shown in FIGS. It has. However, the configuration of the illumination system that irradiates the inspection light onto the surface of the pellicle P and the configuration of the light receiving side that receives scattered light from the foreign matter attached to the surface of the pellicle P are different.

図１１，図１２に示す通り、本実施形態の異物検査装置は、ペリクルＰの面に対して検査光を照射する照明系として第２照明系５１を備えており、ペリクルＰの面に付着した異物からの散乱光を受光する受光側の構成として第２受光系５２及び第２ラインセンサ５３を備えている。尚、図１２に示す通り、第２照明系５１は側面から見た場合に、その光軸ＢＸがＺＸ平面に対して角度θだけ傾むくように配置されている。   As shown in FIGS. 11 and 12, the foreign matter inspection apparatus of this embodiment includes a second illumination system 51 as an illumination system that irradiates the surface of the pellicle P with inspection light, and is attached to the surface of the pellicle P. A second light receiving system 52 and a second line sensor 53 are provided on the light receiving side for receiving scattered light from the foreign matter. As shown in FIG. 12, the second illumination system 51 is arranged such that the optical axis BX is inclined at an angle θ with respect to the ZX plane when viewed from the side.

第２照明系５１は、図１１、図１２に示す通り、光源５６、コリメートレンズ５７、照射部材としてのシリンドリカルレンズ５８、及びミラー５９を含んで構成され、−Ｘ側から＋Ｘ方向に向けて、発散する検査光Ｌ４をペリクルＰの面上に照射する。光源５６は、例えば半導体レーザダイオードであり、所定の角度で発散するレーザ光を光軸ＢＸ方向に射出する。コリメートレンズ５７は、光源５６から射出されるレーザ光を平行光に変換する。シリンドリカルレンズ５８は、光軸ＢＸが含まれる面内でコリメートレンズ５７を介したレーザ光を所定の角度で発散させる。ミラー５９は、シリンドリカルレンズ５８で発散されたレーザ光を＋Ｘ方向に偏向して検査光Ｌ４とする。   As shown in FIGS. 11 and 12, the second illumination system 51 includes a light source 56, a collimating lens 57, a cylindrical lens 58 as an irradiation member, and a mirror 59. From the −X side toward the + X direction, The diverging inspection light L4 is irradiated onto the surface of the pellicle P. The light source 56 is, for example, a semiconductor laser diode, and emits laser light that diverges at a predetermined angle in the direction of the optical axis BX. The collimating lens 57 converts the laser light emitted from the light source 56 into parallel light. The cylindrical lens 58 diverges the laser light via the collimating lens 57 at a predetermined angle within a plane including the optical axis BX. The mirror 59 deflects the laser light diverged by the cylindrical lens 58 in the + X direction to obtain inspection light L4.

ミラー５９の偏向角は、ペリクルの面に対する光軸ＢＸの角度（即ち、検査光Ｌ４の入射角）が第１〜第３実施形態で説明した検査光Ｌ１，Ｌ２の入射角よりも小さくなるように設定される。ここで、本実施形態では第２照明系５１が備えるシリンドリカルレンズ５８によってコリメートレンズ５７を介したレーザ光を光軸ＢＸが含まれる面内で発散させている。このため、検査光Ｌ４の入射角を小さくしても、図１１に示す通り、ペリクルＰのＸ方向については検査光Ｌ４がペリクルＰを覆うよう照射される。尚、シリンドリカルレンズ２８で発散させているのは光軸ＢＸ（ミラー５９で折り曲げられている光軸ＢＸ）が含まれる面内のみであり、検査光Ｌ４がペリクルＰの全面に照射される訳ではない点に注意されたい。   The deflection angle of the mirror 59 is such that the angle of the optical axis BX with respect to the pellicle surface (that is, the incident angle of the inspection light L4) is smaller than the incident angles of the inspection lights L1 and L2 described in the first to third embodiments. Set to Here, in the present embodiment, the laser light that has passed through the collimating lens 57 is diverged in the plane including the optical axis BX by the cylindrical lens 58 provided in the second illumination system 51. Therefore, even if the incident angle of the inspection light L4 is reduced, the inspection light L4 is irradiated so as to cover the pellicle P in the X direction of the pellicle P as shown in FIG. The cylindrical lens 28 diverges only in the plane including the optical axis BX (the optical axis BX bent by the mirror 59), and the inspection light L4 is irradiated on the entire surface of the pellicle P. Note that there is no point.

ここで、シリンドリカルレンズ５８による発散角は、検査光Ｌ４がＸ方向についてペリクルＰを覆うのに最低限必要な角度以上の角度に設定されている。これは、ペリクル高さが異なるレチクルＲが配置された場合であっても、ペリクルＰの面上におけるＸ方向に延びた照射面の全体に検査光Ｌ４を照射するためである。   Here, the divergence angle by the cylindrical lens 58 is set to an angle larger than the minimum necessary angle for the inspection light L4 to cover the pellicle P in the X direction. This is because, even when reticles R having different pellicle heights are arranged, the entire irradiation surface extending in the X direction on the surface of the pellicle P is irradiated with the inspection light L4.

このため、図１１（ａ）に示す通り、ペリクル高さが基準ペリクル高さであるレチクルＲの検査を行う場合には、ペリクルＰに向けて照射される検査光Ｌ４のうち、ペリクルＰの面上に照射されない検査光Ｌ５（ペリクルＰの枠に照射されて反射される検査光Ｌ５）が存在する。また、図１１（ｂ）に示す通り、ペリクル高さが基準ペリクル高さよりも低いレチクルＲの検査を行う場合には、ペリクルＰに向けて照射される検査光Ｌ４のうち、ペリクルＰの面上に照射されない検査光Ｌ６が存在する。   For this reason, as shown in FIG. 11A, in the case of inspecting the reticle R whose pellicle height is the reference pellicle height, the surface of the pellicle P among the inspection light L4 irradiated toward the pellicle P There is inspection light L5 (inspection light L5 irradiated and reflected on the frame of the pellicle P) that is not irradiated on the top. Further, as shown in FIG. 11B, when performing inspection of the reticle R whose pellicle height is lower than the reference pellicle height, of the inspection light L4 emitted toward the pellicle P, the surface of the pellicle P There is inspection light L6 that is not irradiated.

図１１（ａ），（ｂ）に示す通り、本実施形態では、ペリクルＰに向けて照射される検査光Ｌ４のうち、検査に寄与しない検査光Ｌ５，Ｌ６が存在する。このため、これらの検査光Ｌ５，Ｌ６が検査に悪影響を与えないように、照明系及び受光側の配置を工夫し、或いはこれらの検査光Ｌ５，Ｌ６が受光側に迷光として入射するのを防止する対策を施すのが望ましい。   As shown in FIGS. 11A and 11B, in this embodiment, there are inspection lights L5 and L6 that do not contribute to the inspection among the inspection light L4 irradiated toward the pellicle P. For this reason, the illumination system and the arrangement on the light receiving side are devised so that these inspection lights L5 and L6 do not adversely affect the inspection, or these inspection lights L5 and L6 are prevented from entering the light receiving side as stray light. It is desirable to take measures to

次に、図１２を参照して受光側の構成について説明する。第２受光系５２は、第２照明系５１からの検査光Ｌ４がペリクルＰの面上における異物Ｄ（異物Ｄ１又は異物Ｄ２）に照射されて生ずる散乱光を受光する。第２ラインセンサ５３は、第２受光系５２で受光された散乱光の光強度に応じた信号を出力する。第２ラインセンサ５３から出力される信号は主制御系ＭＣに供給される。   Next, the configuration on the light receiving side will be described with reference to FIG. The second light receiving system 52 receives scattered light generated when the inspection light L4 from the second illumination system 51 is applied to the foreign matter D (foreign matter D1 or foreign matter D2) on the surface of the pellicle P. The second line sensor 53 outputs a signal corresponding to the light intensity of the scattered light received by the second light receiving system 52. A signal output from the second line sensor 53 is supplied to the main control system MC.

ここで、第２受光系５２と第２ラインセンサ５３とからなる受光側の構成は、側面から見た場合に、その光軸ＣＸが第２照明系５１の光軸ＢＸと９０°の角度をなすよう配置される。具体的には、前述した通り、第２照明系５１は側面から見た場合に、その光軸ＢＸがＺＸ平面に対して角度θだけ傾むくように配置されているため、第２受光系５２と第２ラインセンサ５３とからなる受光側の構成は、側面から見た場合に、その光軸ＣＸがＺＸ平面に対して角度（９０°−θ）だけ傾むくように配置されている。   Here, the configuration on the light receiving side composed of the second light receiving system 52 and the second line sensor 53 has an optical axis CX of an angle of 90 ° with the optical axis BX of the second illumination system 51 when viewed from the side. It is arranged to make. Specifically, as described above, the second illumination system 51 is arranged so that the optical axis BX is inclined at an angle θ with respect to the ZX plane when viewed from the side surface. And the second line sensor 53 are arranged such that the optical axis CX is inclined by an angle (90 ° −θ) with respect to the ZX plane when viewed from the side.

第２受光系５２と第２ラインセンサ５３とからなる受光側の構成をかかる配置とするのは、ペリクル高さが異なる場合であってもペリクル高さの相違に拘わらず、第２受光系５２に関して第２ラインセンサ５３の受光面とペリクルＰの面内における検査光Ｌ４の照射面とを共役にするためである。   The arrangement on the light receiving side composed of the second light receiving system 52 and the second line sensor 53 is such an arrangement even when the pellicle height is different, regardless of the difference in the pellicle height. This is because the light receiving surface of the second line sensor 53 and the irradiation surface of the inspection light L4 in the surface of the pellicle P are conjugated.

いま、ペリクル高さが基準ペリクル高さＺ０であるとする。かかるペリクル高さＺ０のペリクル面上における微小な異物Ｄ１からの散乱光は第２受光系５２を介して第２ラインセンサ５３の受光面上における点ｆ５に集光される。一方、ペリクル高さ基準ペリクル高さＺ０よりも低いＺ１であるペリクルＰの面上における微小な異物Ｄ１からの散乱光は第２受光系５２を介して第２ラインセンサ５３の受光面上における点ｆ６に集光される。   Assume that the pellicle height is the reference pellicle height Z0. The scattered light from the minute foreign matter D1 on the pellicle surface having the pellicle height Z0 is condensed via the second light receiving system 52 at a point f5 on the light receiving surface of the second line sensor 53. On the other hand, the scattered light from the minute foreign matter D1 on the surface of the pellicle P which is Z1 lower than the pellicle height reference pellicle height Z0 is a point on the light receiving surface of the second line sensor 53 via the second light receiving system 52. Focused on f6.

以上の通り、本実施形態では、側面から見た場合に、第２受光系５２と第２ラインセンサ５３とからなる受光側を、その光軸ＣＸが第２照明系５１の光軸ＢＸと９０°の角度をなすよう配置しているため、ペリクル高さが異なっていても第２受光系５２に関して第２ラインセンサ５３の受光面とペリクルＰの面（検査光Ｌ４の照射面）とを共役にすることができる。これにより、ペリクル高さが異なるレチクルＲの検査を行う場合の第２受光系の焦点位置調整又は第２ラインセンサの移動調整が不要となる。   As described above, in the present embodiment, when viewed from the side, the light receiving side including the second light receiving system 52 and the second line sensor 53 is arranged such that the optical axis CX is 90 with the optical axes BX of the second illumination system 51. Since they are arranged at an angle of °, the light receiving surface of the second line sensor 53 and the surface of the pellicle P (irradiation surface of the inspection light L4) are conjugated with respect to the second light receiving system 52 even if the pellicle height is different. Can be. This eliminates the need for adjusting the focal position of the second light receiving system or moving the second line sensor when inspecting the reticle R having a different pellicle height.

上記構成において、レチクルＲの上面及びペリクルＰの面上における異物を検査する場合には、まず第１実施形態と同様に、レチクルＲに貼付されたバーコードの読み取りが行われてペリクル高さが求められる。尚、本実施形態においては、第１照明系３１ａ及び第２照明系５１の位置は固定であるが、第１照明系３１ａ及び第２照明系５１とは別途に、図５に示す方法によりペリクル高さの自動検出を行うための照明系を設け、ペリクル高さを自動検出しても良い。   In the above configuration, when inspecting the foreign matter on the upper surface of the reticle R and the surface of the pellicle P, first, as in the first embodiment, the barcode attached to the reticle R is read to determine the height of the pellicle. Desired. In the present embodiment, the positions of the first illumination system 31a and the second illumination system 51 are fixed, but the pellicle is separated from the first illumination system 31a and the second illumination system 51 by the method shown in FIG. An illumination system for performing automatic height detection may be provided to automatically detect the pellicle height.

以上の前処理を終えると、検査対象のレチクルＲが搬送アームＡＲ上に載置された状態で異物検査装置ＤＩ内に搬送される。レチクルＲが搬送アームＡＲにより検査開始位置までに搬送されると、第１照明系３１ａから検査光Ｌ１が射出されるとともに第２照明系５１から検査光Ｌ４が照射される。第１照明系３１ａからの検査光Ｌ１はレチクルＲの上面上におけるＸ方向に延びた照射面に照射され、第２照明系５１からの検査光Ｌ４はペリクルＰの面上におけるＸ方向に延びた照射面に照射される。   When the above pre-processing is completed, the reticle R to be inspected is transported into the foreign matter inspection apparatus DI while being placed on the transport arm AR. When the reticle R is transported to the inspection start position by the transport arm AR, the inspection light L1 is emitted from the first illumination system 31a and the inspection light L4 is emitted from the second illumination system 51. The inspection light L1 from the first illumination system 31a is applied to the irradiation surface extending in the X direction on the upper surface of the reticle R, and the inspection light L4 from the second illumination system 51 extends in the X direction on the surface of the pellicle P. Irradiated to the irradiated surface.

この状態で搬送アームＡＲを＋Ｙ方向に一定速度で移動させると、レチクルＲの上面が検査光Ｌ１によって走査され、ペリクルＰの面が検査光Ｌ４によって走査される。このようにしてレチクルＲの上面とペリクルＰの面の検査が行われる。尚、第１実施形態と同様に、検査は往路で行っても良く、復路で行っても良い。或いは、往路と復路との両方で行い、各々の検査結果を総合して検査精度を高めるようにしても良い。   When the transfer arm AR is moved at a constant speed in the + Y direction in this state, the upper surface of the reticle R is scanned with the inspection light L1, and the surface of the pellicle P is scanned with the inspection light L4. In this way, the upper surface of the reticle R and the surface of the pellicle P are inspected. Note that, as in the first embodiment, the inspection may be performed on the outward path or on the return path. Alternatively, the inspection accuracy may be improved by performing both the outward path and the return path and combining the inspection results.

以上の通り、本実施形態ではシリンドリカルレンズ５８による発散角を、検査光Ｌ４がＸ方向についてペリクルＰを覆うのに最低限必要な角度以上の角度に設定しているため、ペリクル高さが異なっていてもペリクルＰの面上に検査光Ｌ４を照射することができる。よって、本実施形態では、第２照明系５１の焦点位置調整若しくは第２ラインセンサの移動調整又は搬送アームＡＲのＺ方向への移動をすることなくペリクル高さが異なるレチクルＲを検査することができる。また、本実施形態では受光側の構成を駆動する必要がなく、第２受光系５２及び第２ラインセンサ５３の位置ぶれを防止することができる。これにより、フォーカスが合った状態の安定した信号が得られ、より精確な検査を行うことができる。   As described above, in the present embodiment, the divergence angle by the cylindrical lens 58 is set to an angle larger than the minimum necessary angle for the inspection light L4 to cover the pellicle P in the X direction. However, the inspection light L4 can be irradiated onto the surface of the pellicle P. Therefore, in the present embodiment, the reticle R having a different pellicle height can be inspected without adjusting the focal position of the second illumination system 51, adjusting the movement of the second line sensor, or moving the transfer arm AR in the Z direction. it can. Further, in the present embodiment, it is not necessary to drive the configuration on the light receiving side, and the second light receiving system 52 and the second line sensor 53 can be prevented from being displaced. Thereby, a stable signal in a focused state can be obtained, and a more accurate inspection can be performed.

尚、上述の通り、本実施形態では、側面から見た場合に、第２受光系５２と第２ラインセンサ５３とからなる受光側の光軸ＣＸと第２照明系５１の光軸ＢＸとが９０°の角度をなすように受光側全体を配置するする場合を例に挙げて説明した。しかしながら、光軸ＢＢＸと光軸ＣＸが上記の関係となるように、第２照明系５１に設けられるシリンドリカルレンズ５８の向きのみを変え、又はミラー５９の姿勢のみを変えても良い。   As described above, in the present embodiment, when viewed from the side, the light receiving side optical axis CX composed of the second light receiving system 52 and the second line sensor 53 and the optical axis BX of the second illumination system 51 are The case where the entire light receiving side is arranged to form an angle of 90 ° has been described as an example. However, only the direction of the cylindrical lens 58 provided in the second illumination system 51 or only the posture of the mirror 59 may be changed so that the optical axis BBX and the optical axis CX have the above relationship.

〔露光装置の動作〕
次に、本発明の一実施形態による露光装置ＥＸの動作について簡単に説明する。露光処理が開始されると、レチクルライブラリ２１から所定のレチクルＲが取り出されレチクル搬送装置２２によって搬送される。このとき、レチクルＲに貼付されたバーコードが読み取り装置２３で読み取られ、その情報が主制御系ＭＣに供給される。主制御系ＭＣは、この情報に基づいてレチクル搬送装置２２によって搬送されているレチクルＲのレチクル高さを求め、異物検査装置ＤＩに対して制御信号を出力する。 [Exposure operation]
Next, the operation of the exposure apparatus EX according to an embodiment of the present invention will be briefly described. When the exposure process is started, a predetermined reticle R is taken out from the reticle library 21 and conveyed by the reticle conveying device 22. At this time, the barcode attached to the reticle R is read by the reading device 23, and the information is supplied to the main control system MC. Based on this information, the main control system MC obtains the reticle height of the reticle R being conveyed by the reticle conveyance device 22, and outputs a control signal to the foreign substance inspection device DI.

具体的には、露光装置ＥＸに第１実施形態の異物検査装置ＤＩが設けられている場合には、主制御系ＭＣは第２照明系３１ｂのＺ方向の位置調整のための制御信号を駆動装置３９に出力するための制御信号を出力する。また、これとともに、第２照明系３１ｂの焦点位置調整のための制御信号を調整装置４０に出力し、又は第２ラインセンサの移動調整のための制御信号を移動装置４１に出力する。露光装置ＥＸに第２実施形態の異物検査装置ＤＩが設けられている場合には、主制御系ＭＣは、搬送アームＡＲのＺ方向への移動量を示す制御信号を異物検査装置ＤＩに出力する。   Specifically, when the foreign substance inspection apparatus DI of the first embodiment is provided in the exposure apparatus EX, the main control system MC drives a control signal for adjusting the position of the second illumination system 31b in the Z direction. A control signal for outputting to the device 39 is output. At the same time, a control signal for adjusting the focal position of the second illumination system 31b is output to the adjusting device 40, or a control signal for adjusting the movement of the second line sensor is output to the moving device 41. When the foreign substance inspection apparatus DI of the second embodiment is provided in the exposure apparatus EX, the main control system MC outputs a control signal indicating the amount of movement of the transport arm AR in the Z direction to the foreign substance inspection apparatus DI. .

露光装置ＥＸに第３実施形態の異物検査装置ＤＩが設けられている場合には、主制御系ＭＣは第２照明系３１ｂ及び第３照明系３１ｃの何れから検査光を射出するかを示す制御信号を異物検査装置ＤＩに出力する。また、これとともに、第２照明系３１ｂの焦点位置調整のための制御信号を調整装置４０に出力し、又は第２ラインセンサの移動調整のための制御信号を移動装置４１に出力する。尚、露光装置ＥＸに第４実施形態の異物検査装置ＤＩが設けられている場合には、主制御系ＭＣは異物検査装置ＤＩに対する制御信号の出力が不要となる。   When the exposure apparatus EX is provided with the foreign substance inspection apparatus DI of the third embodiment, the main control system MC indicates which of the second illumination system 31b and the third illumination system 31c emits the inspection light. A signal is output to the foreign substance inspection apparatus DI. At the same time, a control signal for adjusting the focal position of the second illumination system 31b is output to the adjusting device 40, or a control signal for adjusting the movement of the second line sensor is output to the moving device 41. If the exposure apparatus EX is provided with the foreign substance inspection apparatus DI of the fourth embodiment, the main control system MC does not need to output a control signal to the foreign substance inspection apparatus DI.

レチクルＲが搬送装置２２によって異物検査装置ＤＩに搬送されると、異物検査装置ＤＩにより前述したレチクルＲの検査が行われる。検査を終えたレチクルＲは搬送装置２２によって搬送されてレチクルステージＲＳＴ上に保持される。レチクルＲが保持されると、不図示のレチクルアライメントセンサによりレチクルＲとウェハステージＷＳＴとの相対位置関係が調整される。   When the reticle R is transported by the transport device 22 to the foreign matter inspection device DI, the above-described inspection of the reticle R is performed by the foreign matter inspection device DI. Reticle R that has been inspected is transported by transport device 22 and held on reticle stage RST. When reticle R is held, the relative positional relationship between reticle R and wafer stage WST is adjusted by a reticle alignment sensor (not shown).

以上の処理を終えると、ウェハステージＷＳＴが所定のローディングポジションに移動し、露光処理を行うべきウェハＷがロードされてウェハステージＷＳＴ上に保持される。ウェハＷのロードが完了すると、ウェハステージＷＳＴはアライメントセンサ２０の下方（−Ｚ方向）に移動して、ＥＧＡ計測が行われる。このＥＧＡ計測では、ウェハＷに形成された代表的な数個のアライメントマークの計測が行われ、統計演算によりウェハＷ上に設定された全てのショット領域の配列が求められる。   When the above processing is completed, wafer stage WST moves to a predetermined loading position, and wafer W to be exposed is loaded and held on wafer stage WST. When loading of wafer W is completed, wafer stage WST moves below alignment sensor 20 (−Z direction), and EGA measurement is performed. In this EGA measurement, several representative alignment marks formed on the wafer W are measured, and an array of all shot areas set on the wafer W is obtained by statistical calculation.

ＥＧＡ計測が終了すると、ウェハＷ上に設定された各ショット領域に対する露光が行われる。この処理では、主制御系ＭＣがウェハ駆動装置１８を駆動し、最初に露光すべきショット領域が移動開始位置に配置されるようウェハステージＷＳＴを移動させる。これと同時にレチクルステージＲＳＴも移動開始に配置される。以上の配置が完了すると、主制御系ＭＣはレチクルステージＲＳＴ及びウェハステージＷＳＴの移動を開始させ、レチクルステージＲＳＴ及びウェハステージＷＳＴが所定の速度に達してから整定時間（レチクルステージＲＳＴ及びウェハステージＷＳＴの加速により生じた振動を収めるために設けられる時間）経過後に露光光ＥＬがレチクルＲに照射されてショット領域の露光が開始される。１つのショット領域に対する露光処理が終了すると、主制御系ＭＣはウェハステージＷＳＴをＸ方向にステップ移動させ、次に露光すべきショット領域を移動開始位置に配置する。以下、同様にしてウェハＷ上のショット領域の全てに対する露光が行われる。   When the EGA measurement is completed, exposure is performed on each shot area set on the wafer W. In this process, the main control system MC drives the wafer drive device 18 to move the wafer stage WST so that the shot area to be exposed first is arranged at the movement start position. At the same time, reticle stage RST is also arranged at the start of movement. When the above arrangement is completed, the main control system MC starts to move the reticle stage RST and the wafer stage WST, and the settling time (reticle stage RST and wafer stage WST after the reticle stage RST and wafer stage WST reach a predetermined speed). The exposure light EL is irradiated onto the reticle R after the elapse of time (which is provided for accommodating vibrations generated by acceleration), and exposure of the shot area is started. When the exposure process for one shot area is completed, the main control system MC moves the wafer stage WST stepwise in the X direction, and places the shot area to be exposed next at the movement start position. Thereafter, the exposure of all shot areas on the wafer W is similarly performed.

以上、本発明の一実施形態による露光装置及び異物検査装置について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に挙げて説明したが、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置にも適用可能である。また、半導体素子の製造に用いられる露光装置だけではなく、液晶表示素子（ＬＣＤ）等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウェハ上へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等にも本発明を適用することができる。   The exposure apparatus and the foreign substance inspection apparatus according to the embodiment of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above embodiment, and can be freely changed within the scope of the present invention. For example, in the above embodiment, the step-and-scan type exposure apparatus has been described as an example, but the present invention is also applicable to a step-and-repeat type exposure apparatus. Moreover, it is used not only for the exposure apparatus used for the manufacture of semiconductor elements, but also for the manufacture of displays including liquid crystal display elements (LCD), etc., and for the manufacture of exposure apparatuses that transfer device patterns onto glass plates and the production of thin film magnetic heads Thus, the present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a device pattern onto a ceramic wafer, an exposure apparatus that is used to manufacture an image sensor such as a CCD, and the like.

本発明の一実施形態による露光装置の概略構成を示す側面図である。It is a side view which shows schematic structure of the exposure apparatus by one Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態による異物検査装置を示す平面図である。It is a top view which shows the foreign material inspection apparatus by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態による異物検査装置を示す正面図である。It is a front view which shows the foreign material inspection apparatus by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態による異物検査装置を示す側面図である。It is a side view which shows the foreign material inspection apparatus by 1st Embodiment of this invention. ペリクル高さが異なるレチクルＲの検査を行う場合の照明系の説明図である。It is explanatory drawing of an illumination system in the case of test | inspecting the reticle R from which pellicle height differs. ペリクル高さが異なるレチクルＲの検査を行う場合の受光系の説明図である。It is explanatory drawing of the light-receiving system in the case of test | inspecting the reticle R from which pellicle height differs. ペリクル高さが変化してもペリクルＰの面と第２ラインセンサ３３ｂの受光面との共役関係を保つ構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure which maintains the conjugate relationship of the surface of the pellicle P and the light-receiving surface of the 2nd line sensor 33b even if the pellicle height changes. レチクルＲのペリクル高さを自動的に検出する方法を説明するために図である。It is a figure for demonstrating the method to detect the pellicle height of the reticle R automatically. 本発明の第２実施形態による異物検査装置を示す正面図である。It is a front view which shows the foreign material inspection apparatus by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態による異物検査装置を示す側面図である。It is a side view which shows the foreign material inspection apparatus by 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態による同異物検査装置を示す正面図である。It is a front view which shows the same foreign material inspection apparatus by 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態による同異物検査装置を示す側面図である。It is a side view which shows the same foreign material inspection apparatus by 4th Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

２３ 読み取り装置
３１ａ 第１照明系
３１ｂ 第２照明系
３１ｃ 第３照明系
３２ａ 第１受光系
３２ｂ 第２受光系
３３ａ 第１ラインセンサ
３３ｂ 第２ラインセンサ
３４ ラインセンサ
３９ 駆動装置
４０ 調整装置
４１ 移動装置
５１ 第２照明系
５２ 第２受光系
５３ 第２ラインセンサ
５８ シリンドリカルレンズ
ＡＲ 搬送アーム
Ｄ，Ｄ１，Ｄ２ 異物
ＤＩ 異物検査装置
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４ 検査光
Ｒ レチクル

23 reading device 31a first illumination system 31b second illumination system 31c third illumination system 32a first light receiving system 32b second light receiving system 33a first line sensor 33b second line sensor 34 line sensor 39 driving device 40 adjusting device 41 moving device 51 Second illumination system 52 Second light receiving system 53 Second line sensor 58 Cylindrical lens AR Transfer arm D, D1, D2 Foreign matter DI Foreign matter inspection device L1, L2, L3, L4 Inspection light R Reticle

Claims (15)

検査光を被検査面に照射する照明系と、前記被検査面に付着した異物からの散乱光を受光する受光系と、当該受光系で受光された散乱光の光強度に応じた信号を出力する光電検出素子とを備える異物検査装置において、
前記照明系の少なくとも一部を移動させて前記被検査面に対する前記検査光の照射位置を可変する駆動装置を備えることを特徴とする異物検査装置。 An illumination system that irradiates the inspection surface with the inspection light, a light reception system that receives the scattered light from the foreign matter adhering to the inspection surface, and a signal corresponding to the light intensity of the scattered light received by the light reception system In a foreign matter inspection apparatus comprising a photoelectric detection element that performs
A foreign matter inspection apparatus comprising: a drive device that moves at least a part of the illumination system to vary the irradiation position of the inspection light on the surface to be inspected. 前記照明系は、前記検査光を射出する光源と、
前記光源からの前記検査光を、前記被検査面に向けて偏向する偏向部材とを備えることを特徴とする請求項１記載の異物検査装置。 The illumination system includes a light source that emits the inspection light;
The foreign matter inspection apparatus according to claim 1, further comprising a deflection member that deflects the inspection light from the light source toward the surface to be inspected. 前記駆動装置は、前記偏向部材を移動させて前記被検査面に対する前記検査光の照射位置を可変することを特徴とする請求項２記載の異物検査装置。   The foreign matter inspection apparatus according to claim 2, wherein the driving device varies the irradiation position of the inspection light with respect to the surface to be inspected by moving the deflection member. 前記駆動装置は、前記光源及び前記偏向部材を一体的に移動させて前記被検査面に対する前記検査光の照射位置を可変することを特徴とする請求項２記載の異物検査装置。   The foreign matter inspection apparatus according to claim 2, wherein the driving device integrally moves the light source and the deflection member to vary the irradiation position of the inspection light with respect to the surface to be inspected. 前記被検査面の面位置を示す情報を読み取る読取装置を備え、
前記駆動装置は、前記読取装置で読み取られた情報に基づいて前記照明系の少なくとも一部を移動させることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の異物検査装置。 A reading device that reads information indicating the surface position of the surface to be inspected;
5. The foreign matter inspection apparatus according to claim 1, wherein the driving device moves at least a part of the illumination system based on information read by the reading device. 前記駆動装置は、前記被検査面に対する前記検査光の照射位置を可変させつつ光電検出素子から出力される前記信号をモニタして前記被検査面の面位置を求め、前記照明系の少なくとも一部の移動量を制御することを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の異物検査装置。   The driving device obtains a surface position of the surface to be inspected by monitoring the signal output from the photoelectric detection element while changing an irradiation position of the inspection light on the surface to be inspected, and at least a part of the illumination system The foreign matter inspection apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the movement amount is controlled. 前記被検査面に対する前記検査光の照射位置に応じて前記受光系の焦点位置を可変させる焦点可変装置を備えることを特徴とする請求項１から請求項６の何れか一項に記載の異物検査装置。   The foreign object inspection according to any one of claims 1 to 6, further comprising a focus changing device that changes a focus position of the light receiving system in accordance with an irradiation position of the inspection light with respect to the inspection surface. apparatus. 前記被検査面に対する前記検査光の照射位置に応じて前記光電検出素子を移動させ、前記被検査面と前記光電検出素子の受光面とを共役関係にする素子駆動装置を備えることを特徴とする請求項１から請求項６の何れか一項に記載の異物検査装置。   An element driving device is provided that moves the photoelectric detection element in accordance with an irradiation position of the inspection light with respect to the inspection surface and brings the inspection surface and a light receiving surface of the photoelectric detection element into a conjugate relationship. The foreign matter inspection apparatus according to any one of claims 1 to 6. 検査光を被検査面に照射する照明系と、前記被検査面に付着した異物からの散乱光を受光する受光系と、当該受光系で受光された散乱光の光強度に応じた信号を出力する光電検出素子とを備える異物検査装置において、
異なる高さ位置に設定される前記被検査面の各々に対応して設けられ、各々の被検査面に対して前記検査光を同一の入射角で照射する複数の照明系を備えることを特徴とする異物検査装置。 An illumination system that irradiates the inspection surface with the inspection light, a light reception system that receives the scattered light from the foreign matter adhering to the inspection surface, and a signal corresponding to the light intensity of the scattered light received by the light reception system In a foreign matter inspection apparatus comprising a photoelectric detection element that performs
It is provided corresponding to each of the inspected surfaces set at different height positions, and includes a plurality of illumination systems that irradiate the inspecting light to each inspected surface at the same incident angle. Foreign matter inspection device. 検査光を被検査面に照射する照明系と、前記被検査面に付着した異物からの散乱光を受光する受光系と、当該受光系で受光された散乱光の光強度に応じた信号を出力する光電検出素子と、前記被検査面とされる面を有する物体と前記検査光との所定の関係を保ちつつ前記物体を搬送する搬送装置とを備える異物検査装置において、
前記搬送装置は、前記被検査面に交差する方向の位置が可変であることを特徴とする異物検査装置。 An illumination system that irradiates the inspection surface with the inspection light, a light reception system that receives the scattered light from the foreign matter adhering to the inspection surface, and a signal corresponding to the light intensity of the scattered light received by the light reception system In a foreign matter inspection apparatus comprising: a photoelectric detection element, and a transport device that transports the object while maintaining a predetermined relationship between the inspection light and an object having a surface to be inspected.
The foreign material inspection apparatus according to claim 1, wherein the transport device has a variable position in a direction intersecting the surface to be inspected. 前記物体は、前記被検査面として互いに平行な第１面及び第２面を有しており、
前記照明系は、前記第１面側に前記検査光を照射する第１照明系と、前記第２面側に前記検査光を照射する第２照明系とを備え、
前記搬送装置は、前記第１面の検査を行う場合には前記被検査面に交差する方向の位置を可変して前記第１照明系からの検査光の照射位置に前記第１面を合わせ、前記第２面の検査を行う場合には前記被検査面に交差する方向の位置を可変して前記第２照明系からの検査光の照射位置に前記第２面を合わせることを特徴とする請求項１０記載の異物検査装置。 The object has a first surface and a second surface parallel to each other as the surface to be inspected,
The illumination system includes a first illumination system that irradiates the inspection light on the first surface side, and a second illumination system that irradiates the inspection light on the second surface side,
When carrying out the inspection of the first surface, the transfer device varies the position in the direction intersecting the surface to be inspected, and aligns the first surface with the irradiation position of the inspection light from the first illumination system, When the inspection of the second surface is performed, the position in the direction intersecting the surface to be inspected is changed, and the second surface is aligned with the irradiation position of the inspection light from the second illumination system. Item 10. A foreign matter inspection apparatus according to Item 10. 前記搬送装置は、前記第１面の検査を行う場合には前記物体の搬送路に沿う第１方向に前記物体を搬送し、前記第２面の検査を行う場合には前記第１方向とは逆の第２方向に前記物体を搬送することを特徴とする請求項１１記載の異物検査装置。   The transport device transports the object in a first direction along the transport path of the object when inspecting the first surface, and the first direction when inspecting the second surface. The foreign object inspection apparatus according to claim 11, wherein the object is conveyed in a reverse second direction. 検査光を被検査面に照射する照明系と、前記被検査面に付着した異物からの散乱光を受光する受光系と、当該受光系で受光された散乱光の光強度に応じた信号を出力する光電検出素子とを備える異物検査装置において、
前記照明系は、前記被検査面の面位置に拘わらず前記被検査面内の所定方向に関して前記被検査面の全体に前記検査光を照射する照射部材を備えることを特徴とする異物検査装置。 An illumination system that irradiates the inspection surface with the inspection light, a light reception system that receives the scattered light from the foreign matter adhering to the inspection surface, and a signal corresponding to the light intensity of the scattered light received by the light reception system In a foreign matter inspection apparatus comprising a photoelectric detection element that performs
The illumination system includes an irradiation member that irradiates the entire surface to be inspected with respect to a predetermined direction in the surface to be inspected regardless of the surface position of the surface to be inspected. 前記照明系及び前記受光系は、各々の光軸が互いに直交し、且つ前記所定方向と直交するよう配置されていることを特徴とする請求項１３記載の異物検査装置。   14. The foreign substance inspection apparatus according to claim 13, wherein the illumination system and the light receiving system are arranged such that their optical axes are orthogonal to each other and orthogonal to the predetermined direction. 請求項１から請求項１４の何れか一項に記載の異物検査装置を備えることを特徴とする露光装置。

An exposure apparatus comprising the foreign matter inspection apparatus according to any one of claims 1 to 14.

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