JP2007177307A

JP2007177307A - Electroplating apparatus and electroplating method

Info

Publication number: JP2007177307A
Application number: JP2005378962A
Authority: JP
Inventors: Kazufumi Kodama; 多史児玉
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2005-12-28
Filing date: 2005-12-28
Publication date: 2007-07-12

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To realize an electroplating apparatus which can deposit a plating having a uniform film thickness on a substrate to be plated by using a smaller amount of plating solution. <P>SOLUTION: The electroplating apparatus 50 is provided in which a semiconductor substrate 1 connected to a cathode electrode 15 and an anode electrode 2 are dipped opposite to each other in a plating solution 4 in a plating tank 9, and electroplating is applied to the semiconductor substrate 1 by applying electric current between the anode electrode 2 and the cathode electrode 15. The electroplating apparatus 50 is equipped with: a shielding plate 3 which is disposed between the semiconductor substrate 1, is made of an insulating material, has a perforated hole provided opposite to the central part of the semiconductor substrate 1 and shields the electric field applied to the outer edge part of the semiconductor substrate 1 from the anode electrode 2; and a swinging means for swinging the anode electrode 2 and the shielding plate 3 integrally. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、電解メッキ法を適用した電解メッキ装置および該電解メッキ装置を用いた電解メッキ方法に関するものであり、特に被メッキ材において均一なメッキ厚を得るための電解メッキ装置および電解メッキ方法に関するものである。 The present invention relates to an electroplating apparatus to which an electroplating method is applied and an electroplating method using the electroplating apparatus, and more particularly to an electroplating apparatus and an electroplating method for obtaining a uniform plating thickness in a material to be plated. Is.

近年、携帯電話情報端末などの電子機器において小型軽量化が進んでおり、それに呼応してこれらの電子機器に組み込まれる半導体集積回路自体にも、小型軽量化や高密度実装化が求められている。 In recent years, electronic devices such as mobile phone information terminals have been reduced in size and weight, and in response, semiconductor integrated circuits incorporated in these electronic devices are also required to be reduced in size and weight and mounted in high density. .

半導体集積回路等（以下、半導体装置と記す）の小型化および高密度実装化を達成する有力な方法として、実装用の突起電極（所謂バンプ電極）を用いる方法が広く用いられている。この方法では半導体装置表面の所定の位置に、メッキ技術を応用して金（Ａｕ）によるバンプ電極を形成し、このバンプ電極を利用して半導体装置を実装基板に直接実装するようになっている。 As an effective method for achieving miniaturization and high-density mounting of a semiconductor integrated circuit or the like (hereinafter referred to as a semiconductor device), a method using a bump electrode for mounting (so-called bump electrode) is widely used. In this method, a bump electrode made of gold (Au) is formed at a predetermined position on the surface of the semiconductor device by applying a plating technique, and the semiconductor device is directly mounted on a mounting substrate using the bump electrode. .

バンプ電極の形成は、先ず半導体装置が多数組み込まれた半導体基板の表面にフォトレジストを塗布し、バンプ電極を形成させるべき箇所のフォトレジスト膜を開口して、該半導体基板において予め堆積させておいた下地金属膜を露出させる。次いで、半導体基板（被メッキ材）をメッキ液（電解メッキ液）に浸漬させ、フォトレジスト膜の開口部分において露出した下地金属膜上に、メッキ技術を用いてメッキ金属、例えば金（Ａｕ）を析出させ、バンプ電極を形成する。 The bump electrode is formed by first applying a photoresist to the surface of a semiconductor substrate on which a large number of semiconductor devices are incorporated, opening a photoresist film at a position where the bump electrode is to be formed, and depositing the photoresist film on the semiconductor substrate in advance. Exposed underlying metal film. Next, a semiconductor substrate (material to be plated) is immersed in a plating solution (electrolytic plating solution), and a plating metal such as gold (Au) is applied onto the underlying metal film exposed at the opening of the photoresist film using a plating technique. Precipitate to form bump electrodes.

メッキ法には、電解メッキ法と無電解メッキ法との２つの方法があるが、バンプ電極の形成には、通常電解メッキ法が用いられている。電解メッキ法とは被メッキ材を陰極に接続し、被メッキ材とアノード電極とを対向させてメッキ液中に浸漬し、所定の直流電圧を印加して被メッキ材上の所定の位置にメッキ金属を析出させる方法である。電解メッキ法は、無電解メッキ法に比べてメッキの成長速度が格段に速く、また下地金属とメッキ液との組合せの自由度が大きいこと等により、バンプ電極に必要な数十μｍの厚みのメッキ層を容易に形成させることができる。 There are two plating methods, an electrolytic plating method and an electroless plating method, but the electrolytic plating method is usually used to form the bump electrodes. In the electrolytic plating method, the material to be plated is connected to the cathode, the material to be plated and the anode electrode are opposed to each other and immersed in a plating solution, and a predetermined DC voltage is applied to plate a predetermined position on the material to be plated. This is a method of depositing metal. The electroplating method has a plating growth rate much faster than the electroless plating method, and has a large degree of freedom in the combination of the base metal and the plating solution. A plating layer can be formed easily.

また、上述のように、バンプ電極を用いて半導体装置を実装基板に実装する方法では、バンプ電極と実装基板との接続強度の確保や、接続に係る実装基板の信頼性確保の為に、半導体装置の表面に形成されるバンプ電極の高さ、つまりメッキの厚さが、半導体装置内はもとより半導体基板内で均一であることが必要不可欠である。 Further, as described above, in the method of mounting a semiconductor device on a mounting substrate using bump electrodes, a semiconductor is used to ensure the connection strength between the bump electrodes and the mounting substrate and to ensure the reliability of the mounting substrate related to the connection. It is essential that the height of the bump electrode formed on the surface of the device, that is, the thickness of the plating is uniform not only in the semiconductor device but also in the semiconductor substrate.

一般的に、メッキの厚さを半導体基板内で均一にするためには、（１）被メッキ材、つまり半導体基板近傍におけるメッキ金属のイオン濃度を所定の濃度に保つこと、（２）被メッキ材近傍におけるメッキ液の電気力線の密度を均一にすること、が必要である。 In general, in order to make the plating thickness uniform within a semiconductor substrate, (1) the ion concentration of the plating material, that is, the plating metal in the vicinity of the semiconductor substrate is maintained at a predetermined concentration, and (2) the plating is performed. It is necessary to make the density of the electric lines of force of the plating solution near the material uniform.

メッキ金属のイオン濃度を所定の濃度に保つ方法としては、メッキ液に所定の流速を与えることにより、被メッキ材周辺で常にメッキ液を置換する方法（例えば、特許文献１〜３参照）、アノード電極およびカソード電極とは別に攪拌装置を設ける方法（例えば、特許文献１、２参照）、アノード電極、カソード電極および被メッキ材を揺動させる方法（例えば、特許文献３参照）、が知られている。また、被メッキ材近傍におけるメッキ液の電気力線の密度を均一にする方法としては、被メッキ材とアノード電極との間に遮蔽板を設置する方法（例えば、特許文献４参照）が知られている。 As a method of maintaining the ion concentration of the plating metal at a predetermined concentration, a method of constantly replacing the plating solution around the material to be plated by applying a predetermined flow rate to the plating solution (for example, see Patent Documents 1 to 3), anode A method of providing a stirring device separately from the electrode and the cathode electrode (for example, see Patent Documents 1 and 2) and a method of swinging the anode electrode, the cathode electrode, and the material to be plated (for example, see Patent Document 3) are known. Yes. Further, as a method of making the density of the electric field lines of the plating solution near the material to be plated, a method of installing a shielding plate between the material to be plated and the anode electrode (for example, see Patent Document 4) is known. ing.

以下に、上記従来の電解メッキ装置について、図１１〜図１３を参照してより具体的に説明する。 Hereinafter, the conventional electrolytic plating apparatus will be described more specifically with reference to FIGS.

図１１は、特許文献１に記載の電解メッキ装置の概略構成を示す断面図である。 FIG. 11 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the electrolytic plating apparatus described in Patent Document 1. As shown in FIG.

図１２は、特許文献３に記載の電解メッキ装置の概略構成を示す断面図である。また、図１３は図１２に示す電解メッキ装置のＡ−Ａ’線矢視断面図である。 FIG. 12 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the electrolytic plating apparatus described in Patent Document 3. As shown in FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of the electrolytic plating apparatus shown in FIG.

図１１に示すように、特許文献１に記載の電解メッキ装置１００は、メッキ液１０４を充填するためのメッキ処理槽１０５の中に、カソード電極１０６に接続された被メッキ材１０１表面と平行に対向するように設置した平板状のアノード電極１０２を備えている。上記電解メッキ装置１００は、被メッキ材１０１とアノード電極１０２との間を通電させることで被メッキ材１０１表面にメッキを行っている。上記電解メッキ装置１００には、被メッキ材１０１近傍におけるメッキ金属のイオン濃度を所定の濃度に保つため、攪拌棒等の攪拌部材１３０が被メッキ材１０１の近傍に設けられている。また、上記電解メッキ装置１００では、メッキ液１０４を下方から上方に向かって循環させている。これにより、被メッキ材１０１の周辺では、常にメッキ液１０４が置換されるので、被メッキ材１０１の表面にはメッキ金属が十分に補充されることになる。 As shown in FIG. 11, the electroplating apparatus 100 described in Patent Document 1 is placed in parallel to the surface of the material to be plated 101 connected to the cathode electrode 106 in a plating tank 105 for filling a plating solution 104. A flat plate-like anode electrode 102 is provided so as to face each other. The electrolytic plating apparatus 100 performs plating on the surface of the material to be plated 101 by energizing between the material to be plated 101 and the anode electrode 102. The electrolytic plating apparatus 100 is provided with a stirring member 130 such as a stirring rod in the vicinity of the material to be plated 101 in order to keep the ion concentration of the plating metal in the vicinity of the material to be plated 101 at a predetermined concentration. Further, in the electrolytic plating apparatus 100, the plating solution 104 is circulated from below to above. As a result, the plating solution 104 is always replaced around the material to be plated 101, so that the surface of the material to be plated 101 is sufficiently supplemented with plating metal.

また、特許文献３に記載の電解メッキ装置２００は、図１２に示すように、攪拌部材１３０に代えて、メッキ液２０５中でメッキ治具２０４を揺動させるメッキ治具昇降ユニット２０６を備えている。メッキ治具２０４には、図１３に示すように、アノード電極２０１、カソード電極２０２および被メッキ材２０３が備えられている。
特開平８−３１１６９９号公報（平成８年１１月２６日公開）特開２００５−５４２０６号公報（平成１７年３月３日公開）特開平５−２５１６０６号公報（平成５年９月２８日公開）特開２００３−３４８９３号公報（平成１５年２月７日公開） In addition, as shown in FIG. 12, the electroplating apparatus 200 described in Patent Document 3 includes a plating jig lifting / lowering unit 206 that swings the plating jig 204 in the plating solution 205 instead of the stirring member 130. Yes. As shown in FIG. 13, the plating jig 204 includes an anode electrode 201, a cathode electrode 202, and a material to be plated 203.
JP-A-8-311699 (released on November 26, 1996) JP 2005-54206 A (published March 3, 2005) JP-A-5-251606 (published on September 28, 1993) JP 2003-34893 A (published February 7, 2003)

しかしながら、上記図１１に示す電解メッキ装置１００のように、メッキ処理槽１０５の中に被メッキ材１０１並びにアノード電極１０２とは別に攪拌部材１３０を設置すると、メッキ処理槽１０５の容量が大きくなってしまい、多量のメッキ液１０４が必要となる。また、このように攪拌部材１３０を設置すると、メッキ処理槽１０５内に設置する部品が多くなるために、メッキ液１０４がメッキ処理槽１０５内の部品と接する接液面積が大きくなり、目的部位以外におけるメッキ金属の析出が生じ易くなる。目的部位以外におけるメッキ金属の析出が増加すると、メッキ液１０４中のメッキ金属の濃度が低下するため、被メッキ材１０１をメッキするのに必要なメッキ液１０４の量が増加する。更には、攪拌部材１３０と被メッキ材１０１とが近接することで、攪拌部材１３０近傍の被メッキ材１０１のみにメッキが厚く形成されてしまうなどの問題が生じる。 However, if the stirring member 130 is installed in the plating tank 105 separately from the material 101 and the anode electrode 102 in the plating tank 105 as in the electrolytic plating apparatus 100 shown in FIG. 11, the capacity of the plating tank 105 increases. As a result, a large amount of plating solution 104 is required. Further, when the agitating member 130 is installed in this manner, the number of parts to be installed in the plating tank 105 increases, so that the liquid contact area where the plating solution 104 comes into contact with the parts in the plating tank 105 increases. Precipitation of plating metal is likely to occur. If the deposition of the plating metal in areas other than the target portion increases, the concentration of the plating metal in the plating liquid 104 decreases, so that the amount of the plating liquid 104 necessary for plating the material to be plated 101 increases. Furthermore, since the stirring member 130 and the material to be plated 101 are close to each other, there is a problem that the plating is formed thick only on the material 101 to be plated near the stirring member 130.

一方、図１２および図１３に示すように、メッキ治具２０４そのものを揺動させた場合、上記問題点は解決される。しかしながら、電解メッキ法では、一般的に、メッキ液２０５中における電気力線は、被メッキ材２０３の中心部では電界方向と平行であり、互いの電気力線は平行で、密度もほぼ均一であるが、被メッキ材２０３の外縁部では、電気力線が集中する傾向がある。このため、特許文献３の構成では、被メッキ材２０３の外縁部のメッキ厚が厚くなってしまい、上記被メッキ材として、例えば半導体基板を使用した場合に半導体基板表面に均一な膜厚のメッキを形成することができない。 On the other hand, as shown in FIGS. 12 and 13, when the plating jig 204 itself is swung, the above problem is solved. However, in the electroplating method, generally, the electric lines of force in the plating solution 205 are parallel to the electric field direction at the center of the material 203 to be plated, the electric lines of force are parallel, and the density is substantially uniform. However, the electric lines of force tend to concentrate at the outer edge of the material 203 to be plated. For this reason, in the configuration of Patent Document 3, the plating thickness of the outer edge portion of the material to be plated 203 is increased, and when a semiconductor substrate is used as the material to be plated, for example, plating with a uniform film thickness on the surface of the semiconductor substrate. Can not form.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、より少ないメッキ液の使用量で、被メッキ材表面、特に半導体基板表面に均一な膜厚のメッキを形成することができる電解メッキ装置および電解メッキ方法を実現することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to form a plating with a uniform film thickness on the surface of a material to be plated, particularly the surface of a semiconductor substrate, with a smaller amount of plating solution used. It is to realize an electrolytic plating apparatus and an electrolytic plating method capable of performing the above.

本発明に係る電解メッキ装置は、上記課題を解決するために、メッキ処理槽内のメッキ液に、カソード電極に接続された被メッキ材とアノード電極とを対向させて浸漬し、上記アノード電極とカソード電極とを通電させることにより上記被メッキ材に電解メッキを行う電解メッキ装置であって、上記被メッキ材とアノード電極との間に、上記被メッキ材の中央部と対向して設けられた貫通口を有する絶縁体から成り、上記アノード電極から上記被メッキ材の外縁部に印加される電界を遮蔽する遮蔽板を備えるとともに、上記アノード電極と遮蔽板とを一体的に揺動させる揺動手段を備えていることを特徴とする。 In order to solve the above-described problem, an electrolytic plating apparatus according to the present invention immerses a plating material in a plating tank so that a material to be plated connected to a cathode electrode and an anode electrode are opposed to each other. An electroplating apparatus that performs electroplating on the material to be plated by energizing a cathode electrode, and is provided between the material to be plated and the anode electrode so as to face a central portion of the material to be plated. A swing that is made of an insulator having a through-hole and that shields the electric field applied from the anode electrode to the outer edge of the material to be plated, and swings the anode electrode and the shield plate integrally. Means are provided.

上記構成によれば、上記電解メッキ装置が上記遮蔽板を備えるとともに上記アノード電極と遮蔽板とを一体的に揺動させることで、上記アノード電極を揺動させているにも拘らず、上記アノード電極から上記被メッキ材の外縁部に印加される電界を遮蔽して上記被メッキ材の外縁部への電気力線の集中を防止することができる。また、上記構成によれば、上記アノード電極の揺動によるメッキ液の攪拌が上記アノード電極と被メッキ材との間に設けられた遮蔽板によって阻害されることがないので、被メッキ材近傍のメッキ液を効率良く攪拌することができる。従って、上記構成によれば、被メッキ材近傍の電気力線を均一な状態に維持したまま、被メッキ材近傍のメッキ液を効率良く攪拌することができる。 According to the above configuration, the electrolytic plating apparatus includes the shielding plate, and the anode electrode and the shielding plate are integrally swung, so that the anode electrode is swung, but the anode is swung. The electric field applied from the electrode to the outer edge portion of the material to be plated can be shielded to prevent the concentration of electric lines of force on the outer edge portion of the material to be plated. Further, according to the above configuration, the stirring of the plating solution due to the swing of the anode electrode is not hindered by the shielding plate provided between the anode electrode and the material to be plated. The plating solution can be stirred efficiently. Therefore, according to the above configuration, it is possible to efficiently stir the plating solution in the vicinity of the material to be plated while maintaining the electric lines of force in the vicinity of the material to be plated in a uniform state.

また、被メッキ材近傍のメッキ液を効率良く攪拌することにより、被メッキ材近傍のメッキ液中のメッキ金属イオン濃度が安定化されるため、メッキの成長レートが低下し難い。従って、上記構成によれば、安定したメッキの成長レートで電解メッキを行うことができる。 Further, by efficiently stirring the plating solution in the vicinity of the material to be plated, the plating metal ion concentration in the plating solution in the vicinity of the material to be plated is stabilized, so that the plating growth rate is unlikely to decrease. Therefore, according to the above configuration, electrolytic plating can be performed at a stable plating growth rate.

しかも、上記構成によれば、前記特許文献１に記載の電解メッキ装置のように攪拌棒を使用することなく、被メッキ材近傍のメッキ液を攪拌することができるため、前記特許文献１に記載の電解メッキ装置のように攪拌棒近傍の被メッキ材のみにメッキが厚く形成されてしまう等の問題が生じない。 In addition, according to the above configuration, the plating solution in the vicinity of the material to be plated can be stirred without using a stirring bar as in the electroplating apparatus described in Patent Document 1, and thus described in Patent Document 1. As in the case of the electroplating apparatus, the problem that the plating is thickly formed only on the material to be plated near the stirring bar does not occur.

このため、上記構成によれば、被メッキ材表面に、均一な膜厚のメッキを形成することができる。 For this reason, according to the said structure, plating of a uniform film thickness can be formed on the to-be-plated material surface.

更に、上記構成によれば、被メッキ材近傍のメッキ液を攪拌するために、前記特許文献１に記載の電解メッキ装置のように攪拌棒等の攪拌装置を上記アノード電極等とは別に設ける必要がない。このため、上記構成によれば、メッキ処理槽内に、アノード電極等とは別に攪拌装置を設ける場合と比較して、メッキ処理槽の容量を低減させることができ、メッキ液の使用量を低減することができる。 Furthermore, according to the above configuration, in order to stir the plating solution in the vicinity of the material to be plated, it is necessary to provide a stirring device such as a stirring rod separately from the anode electrode and the like as in the electrolytic plating device described in Patent Document 1. There is no. For this reason, according to the said structure, compared with the case where a stirring apparatus is provided in a plating processing tank separately from an anode electrode etc., the capacity | capacitance of a plating processing tank can be reduced and the usage-amount of plating liquid is reduced. can do.

また、上記構成によれば、メッキ処理槽内に、アノード電極等とは別に攪拌装置を設ける場合と比較して、メッキ液がメッキ処理槽内の部品と接する接液面積を小さくすることができる。これにより、目的とする領域以外におけるメッキ金属の析出を抑制することができるため、無駄なメッキ金属の析出が抑制され、メッキ液の使用量を低減することができる。 Moreover, according to the said structure, compared with the case where a stirring apparatus is provided in a plating process tank separately from an anode electrode etc., the liquid contact area which a plating solution contacts with the components in a plating process tank can be made small. . Thereby, since precipitation of the plating metal in areas other than the target region can be suppressed, the useless deposition of the plating metal can be suppressed and the amount of the plating solution used can be reduced.

従って、上記構成によれば、より少ないメッキ液の使用量で、被メッキ材に対して均一な膜厚のメッキを形成させることができる電解メッキ装置を提供することができるという効果を奏する。 Therefore, according to the said structure, there exists an effect that the electrolytic plating apparatus which can form the plating of a uniform film thickness with respect to a to-be-plated material can be provided with the usage-amount of a smaller plating liquid.

本発明に係る電解メッキ装置では、上記揺動手段は、上記アノード電極と遮蔽板とを、上記被メッキ材と平行に揺動させることが好ましい。 In the electrolytic plating apparatus according to the present invention, it is preferable that the swinging means swings the anode electrode and the shielding plate in parallel with the material to be plated.

上記構成によれば、上記アノード電極と被メッキ材との間の距離を一定に保ったまま上記被メッキ材近傍のメッキ液を攪拌することができる。このため、上記の構成によれば、上記アノード電極と被メッキ材との間の電界を容易に制御することができるとともに、被メッキ材表面に形成されるメッキの膜厚の制御が容易となるという更なる効果を奏する。 According to the above configuration, the plating solution in the vicinity of the material to be plated can be agitated while keeping the distance between the anode electrode and the material to be plated constant. For this reason, according to said structure, while being able to control the electric field between the said anode electrode and a to-be-plated material easily, control of the film thickness of the plating formed in the to-be-plated material surface becomes easy. There is a further effect.

本発明に係る電解メッキ装置では、上記メッキ処理槽に、上記メッキ処理槽内のメッキ液を循環させるための配管が設けられているとともに、上記配管から上記メッキ処理槽内にメッキ液を供給するメッキ液供給口が、上記被メッキ材と遮蔽板との間に設けられていることが好ましい。 In the electrolytic plating apparatus according to the present invention, the plating tank is provided with a pipe for circulating the plating liquid in the plating tank, and the plating liquid is supplied from the pipe into the plating tank. The plating solution supply port is preferably provided between the material to be plated and the shielding plate.

上記構成によれば、上記メッキ処理槽内のメッキ液を循環させて上記被メッキ材と遮蔽板との間に供給することで、被メッキ材近傍におけるメッキ液を、常に置換することができるとともに、この置換したメッキ液を、上記遮蔽板およびアノード電極の揺動により、効率良く攪拌することができる。このため、上記の構成によれば、被メッキ材近傍におけるメッキ液を、より効率よく攪拌して均一にすることができるため、被メッキ材に対してより均一な膜厚のメッキを形成させることができるという更なる効果を奏する。 According to the above configuration, the plating solution in the vicinity of the material to be plated can be always replaced by circulating the plating solution in the plating tank and supplying it between the material to be plated and the shielding plate. The substituted plating solution can be efficiently stirred by swinging the shielding plate and the anode electrode. For this reason, according to said structure, since the plating liquid in the vicinity of a to-be-plated material can be stirred more efficiently and can be made uniform, plating with a more uniform film thickness can be formed on the to-be-plated material. There is a further effect of being able to.

本発明に係る電解メッキ装置では、上記揺動手段は、上記アノード電極と遮蔽板とを、上記被メッキ材と平行かつ上記メッキ液の液流方向と直交する方向に揺動させることが好ましい。 In the electrolytic plating apparatus according to the present invention, it is preferable that the swinging means swings the anode electrode and the shielding plate in a direction parallel to the material to be plated and perpendicular to the liquid flow direction of the plating solution.

上記構成によれば、上記アノード電極と被メッキ材との間の距離を一定に保ったまま、被メッキ材近傍のメッキ液を、上記メッキ液の液流方向、すなわち、上記配管のメッキ液供給口に対する延設方向と、上記アノード電極および遮蔽板の揺動方向との互いに直交する２方向から攪拌することができるため、被メッキ材近傍のメッキ液をより均一に攪拌することができる。従って、上記構成によれば、被メッキ材に対してより均一な膜厚のメッキを形成させることができるという更なる効果を奏する。 According to the above configuration, the plating solution in the vicinity of the material to be plated is supplied in the direction of the flow of the plating solution, that is, the plating solution is supplied to the pipe while keeping the distance between the anode electrode and the material to be plated constant. Since the agitating direction can be agitated from two directions orthogonal to the extending direction with respect to the mouth and the swinging direction of the anode electrode and the shielding plate, the plating solution in the vicinity of the material to be plated can be agitated more uniformly. Therefore, according to the said structure, there exists the further effect that plating with a more uniform film thickness can be formed with respect to a to-be-plated material.

本発明に係る電解メッキ装置では、上記遮蔽板は、上記アノード電極における上記被メッキ材との対向面に、上記アノード電極と一体的に形成されていることが好ましい。 In the electrolytic plating apparatus according to the present invention, the shielding plate is preferably formed integrally with the anode electrode on a surface of the anode electrode facing the material to be plated.

上記構成によれば、アノード電極と遮蔽板との間のスペースを無くすことができるため、メッキ処理槽の容量をより低減させることができる。また、メッキ処理槽内における部品の数が減少するため、メッキ液がメッキ処理槽内の部品と接する接液面積をより小さくすることができ、目的とする領域以外におけるメッキ金属の析出をより抑制することができる。従って、上記構成によれば、さらにメッキ液の使用量を低減させた電解メッキ装置を提供することができるという更なる効果を奏する。 According to the said structure, since the space between an anode electrode and a shielding board can be eliminated, the capacity | capacitance of a plating process tank can be reduced more. In addition, since the number of parts in the plating tank is reduced, the liquid contact area where the plating solution contacts the parts in the plating tank can be made smaller, and plating metal deposition outside the target area can be further suppressed. can do. Therefore, according to the said structure, there exists the further effect that the electrolytic plating apparatus which further reduced the usage-amount of plating solution can be provided.

また、上記構成によれば、上記遮蔽板が、上記アノード電極における上記被メッキ材との対向面に、上記アノード電極と一体的に形成されていることで、上記遮蔽板とアノード電極とを、容易に、一体的に揺動させることができる。このため、上記遮蔽板とアノード電極とが別個に設けられている場合と比較して、上記揺動手段をより簡素な構成とすることができるとともに、上記揺動のための駆動制御が容易であるため、より安価な構成とすることができるという効果を併せて奏する。 Moreover, according to the said structure, the said shielding board is integrally formed with the said anode electrode in the opposing surface with the said to-be-plated material in the said anode electrode, The said shielding board and an anode electrode are formed, It can be easily swung integrally. For this reason, compared with the case where the shielding plate and the anode electrode are provided separately, the rocking means can be made simpler and the drive control for the rocking is easy. Therefore, there is an effect that the structure can be made cheaper.

本発明に係る電解メッキ装置では、上記アノード電極は、上記アノード電極と被メッキ材との間の距離が１０〜５０ｍｍの範囲内となるように設けられていることが好ましい。 In the electrolytic plating apparatus according to the present invention, it is preferable that the anode electrode is provided so that a distance between the anode electrode and the material to be plated is within a range of 10 to 50 mm.

上記構成によれば、上記被メッキ材近傍におけるメッキ液を均一に攪拌することができるため、被メッキ材に対してより均一な膜厚のメッキを形成させることができる。 According to the above configuration, since the plating solution in the vicinity of the material to be plated can be uniformly stirred, plating with a more uniform film thickness can be formed on the material to be plated.

本発明に係る電解メッキ装置では、上記遮蔽板における上記被メッキ材との対向面に突起が設けられていることが好ましい。 In the electrolytic plating apparatus according to the present invention, it is preferable that a projection is provided on a surface of the shielding plate facing the material to be plated.

上記構成によれば、上記遮蔽板における上記被メッキ材との対向面に突起が設けられていることで、上記突起が設けられていない場合と比較して、攪拌効率を向上させることができる。また、上記の構成によれば、上記遮蔽板の揺動により、上記突起近傍のメッキ液を上記被メッキ材近傍に押し出すことも可能となる。このため、上記の構成によれば、被メッキ材近傍におけるメッキ液を、より効率よく攪拌して均一にすることができるので、被メッキ材表面に、より均一な膜厚のメッキを形成させることができるという更なる効果を奏する。 According to the said structure, stirring efficiency can be improved compared with the case where the said processus | protrusion is not provided by providing a processus | protrusion in the surface facing the said to-be-plated material in the said shielding board. Further, according to the above configuration, the plating solution in the vicinity of the protrusion can be pushed out to the vicinity of the material to be plated by swinging the shielding plate. For this reason, according to said structure, since the plating liquid in the vicinity of a to-be-plated material can be stirred more efficiently and can be made uniform, plating with a more uniform film thickness can be formed on the to-be-plated material surface. There is a further effect of being able to.

また、突起が遮蔽板と同じ絶縁体である場合には、突起により被メッキ材とアノード電極との間の電界を制御することができる。具体的には、上記アノード電極から上記被メッキ材へ印加される電界分布の遮蔽板の貫通口を通った後の広がりが、突起によって抑制される。これにより、より均一に被メッキ材に対してメッキを行うことができる。 When the protrusion is the same insulator as the shielding plate, the electric field between the material to be plated and the anode electrode can be controlled by the protrusion. Specifically, the protrusion of the electric field distribution applied from the anode electrode to the material to be plated after passing through the through-hole of the shielding plate is suppressed by the protrusion. Thereby, it can plate more uniformly with respect to a to-be-plated material.

このため、上記の構成によれば、被メッキ材表面に形成されるメッキの膜厚の制御が容易になるという効果を併せて奏する。 For this reason, according to said structure, there exists an effect that control of the film thickness of the plating formed in the to-be-plated material surface becomes easy.

本発明に係る電解メッキ装置では、上記メッキ処理槽に、上記メッキ処理槽内のメッキ液を循環させるための配管が設けられているとともに、上記配管から上記メッキ処理槽内にメッキ液を供給するメッキ液供給口が、上記被メッキ材と遮蔽板との間に設けられており、上記突起は、上記メッキ液供給口から供給されたメッキ液の液流方向と平行に延設された板状の突起であることが好ましい。 In the electrolytic plating apparatus according to the present invention, the plating tank is provided with a pipe for circulating the plating liquid in the plating tank, and the plating liquid is supplied from the pipe into the plating tank. A plating solution supply port is provided between the material to be plated and the shielding plate, and the protrusions extend in parallel with the flow direction of the plating solution supplied from the plating solution supply port. It is preferable that it is protrusion of this.

上記構成によれば、上記突起が板状に形成されていることで、メッキ液の攪拌効率を向上させることができるとともに、上記突起がメッキ液の流れに沿って延設されていることで、このように板状の突起を形成した場合においても、上記突起によってメッキ液の流れが大きく妨げられることなくメッキ液を攪拌および循環させることができるので、被メッキ材近傍のメッキ液中のメッキ金属イオン濃度をより均一にすることができるという更なる効果を奏する。 According to the above configuration, since the protrusion is formed in a plate shape, the stirring efficiency of the plating solution can be improved, and the protrusion extends along the flow of the plating solution. Even when the plate-like projections are formed in this way, the plating solution can be stirred and circulated without the flow of the plating solution being greatly hindered by the projections, so that the plating metal in the plating solution in the vicinity of the material to be plated There is a further effect that the ion concentration can be made more uniform.

本発明に係る電解メッキ装置では、上記揺動手段は、上記アノード電極と遮蔽板とを、上記被メッキ材と平行に揺動させるとともに、上記突起の先端部における上記遮蔽板の揺動方向の幅は、上記突起の底面における上記遮蔽板の揺動方向の幅よりも小さいことが好ましい。より具体的には、例えば、上記突起は、上記遮蔽板の揺動方向における上記突起の断面の形状が、三角形状または台形状の突起であることが好ましい。 In the electrolytic plating apparatus according to the present invention, the swinging means swings the anode electrode and the shielding plate in parallel with the material to be plated, and in the swinging direction of the shielding plate at the tip of the projection. The width is preferably smaller than the width of the shielding plate on the bottom surface of the protrusion in the swing direction. More specifically, for example, the protrusion is preferably a protrusion having a triangular or trapezoidal cross-sectional shape in the swinging direction of the shielding plate.

上記構成によれば、上記遮蔽板の揺動により、上記突起近傍のメッキ液をより効率よく被メッキ材近傍へ向けて送液することができる。このため、上記の構成によれば、被メッキ材近傍におけるメッキ液をより均一に攪拌することができ、被メッキ材に対してより均一な膜厚のメッキを形成させることができるという更なる効果を奏する。 According to the above configuration, the plating solution in the vicinity of the protrusion can be fed more efficiently toward the vicinity of the material to be plated by the swinging of the shielding plate. For this reason, according to said structure, the plating liquid in the vicinity of a to-be-plated material can be stirred more uniformly, and the further effect that plating with a more uniform film thickness can be formed with respect to a to-be-plated material. Play.

本発明に係る電解メッキ装置では、上記揺動手段は、上記アノード電極と遮蔽板とを、上記被メッキ材と平行に揺動させるとともに、上記突起の高さは、上記被メッキ材と遮蔽板との間の距離の１／２以上であり、上記被メッキ材と遮蔽板との間の距離より１ｍｍ短い距離以下の範囲内であることが好ましい。 In the electroplating apparatus according to the present invention, the swinging means swings the anode electrode and the shielding plate in parallel with the material to be plated, and the height of the protrusion is the material to be plated and the shielding plate. It is preferable that it is within the range of 1/2 or less of the distance between and 1 mm shorter than the distance between the material to be plated and the shielding plate.

上記構成によれば、突起が受けるストレスを抑制しながら、上記被メッキ材近傍におけるメッキ液をより均一に攪拌することができる。具体的には、上記突起の高さ（遮蔽板から被メッキ材へ向かう方向における幅）が上記被メッキ材と遮蔽板との間の距離の１／２以上であることにより、レイノルズ数が低く抑えられ、メッキ液を安定的に被メッキ材近傍に供給することができる。これにより、被メッキ材近傍におけるメッキ液をより均一に攪拌することができる。一方、上記突起の高さが、被メッキ材と遮蔽板との間の距離より１ｍｍ短い距離以下であることにより、上記突起の高さが高くなるに従って大きくなる突起が受けるストレスを低減することができ、突起が変形したり、剥がれてしまうといった問題を抑制することができる。従って、上記構成によれば、突起の耐久性を保持しながら、被メッキ材に対してより均一な膜厚のメッキを形成させることができるという更なる効果を奏する。 According to the said structure, the plating liquid in the said to-be-plated material vicinity can be stirred more uniformly, suppressing the stress which protrusion receives. Specifically, the Reynolds number is low because the height of the protrusion (width in the direction from the shielding plate toward the material to be plated) is 1/2 or more of the distance between the material to be plated and the shielding plate. The plating solution can be stably supplied to the vicinity of the material to be plated. Thereby, the plating solution in the vicinity of the material to be plated can be stirred more uniformly. On the other hand, when the height of the protrusion is 1 mm or less shorter than the distance between the material to be plated and the shielding plate, the stress received by the protrusion that increases as the height of the protrusion increases can be reduced. And the problem that the protrusion is deformed or peeled off can be suppressed. Therefore, according to the said structure, there exists the further effect that plating with a more uniform film thickness can be formed with respect to a to-be-plated material, maintaining durability of protrusion.

本発明に係る電解メッキ装置では、上記揺動手段は、上記アノード電極と遮蔽板とを、上記被メッキ材と平行に揺動させるとともに、上記遮蔽板が揺動する距離の幅は、上記突起の底面における上記遮蔽板の揺動方向の幅以上であり、隣接する突起間の幅以下であることが好ましい。 In the electrolytic plating apparatus according to the present invention, the swinging means swings the anode electrode and the shielding plate in parallel with the material to be plated, and the width of the distance by which the shielding plate swings is the protrusion. It is preferable that it is more than the width | variety of the said rocking | fluctuation direction of the said shielding board in the bottom face, and below the width between adjacent protrusions.

上記構成によれば、上記遮蔽板が揺動する距離の幅は上記突起の底面における上記遮蔽板の揺動方向の幅以上であるため、上記遮蔽板およびアノード電極を揺動させることにより、電界方向において被メッキ材が常に突起によってアノード電極から遮蔽される領域が生じることを避けることができる。このため、被メッキ材における電気力線への上記突起による影響を除去することができる。よって、上記の構成によれば、突起の形状に拘らず、被メッキ材表面に、均一な膜厚のメッキを形成させることができる。 According to the above configuration, since the width of the distance that the shielding plate swings is equal to or larger than the width of the shielding plate in the swinging direction on the bottom surface of the protrusion, the electric field is generated by swinging the shielding plate and the anode electrode. It is possible to avoid a region where the material to be plated is always shielded from the anode electrode by the protrusion in the direction. For this reason, the influence by the said protrusion on the electric force line in a to-be-plated material can be removed. Therefore, according to the above configuration, plating with a uniform film thickness can be formed on the surface of the material to be plated regardless of the shape of the protrusions.

本発明に係る電解メッキ装置では、上記メッキ処理槽に、上記メッキ処理槽内のメッキ液を循環させるための配管が設けられているとともに、上記配管から上記メッキ処理槽内にメッキ液を供給するメッキ液供給口が、上記被メッキ材と遮蔽板との間に設けられており、上記揺動手段は、上記アノード電極と遮蔽板とを、上記被メッキ材と平行かつ上記メッキ液の液流方向と直交する方向に揺動させることが好ましい。 In the electrolytic plating apparatus according to the present invention, the plating tank is provided with a pipe for circulating the plating liquid in the plating tank, and the plating liquid is supplied from the pipe into the plating tank. A plating solution supply port is provided between the material to be plated and the shielding plate, and the swinging means connects the anode electrode and the shielding plate in parallel with the material to be plated and the liquid flow of the plating solution. It is preferable to swing in a direction orthogonal to the direction.

上記構成によれば、上記突起により、上記アノード電極と被メッキ材との間の距離を一定に保ったまま、被メッキ材近傍のメッキ液を、上記メッキ液の液流方向、すなわち、上記配管のメッキ液供給口に対する延設方向と、上記アノード電極および遮蔽板の揺動方向との互いに直交する２方向から攪拌することができるため、被メッキ材近傍のメッキ液をより均一に攪拌することができる。従って、上記構成によれば、被メッキ材に対してより均一な膜厚のメッキを形成させることができるという更なる効果を奏する。 According to the above configuration, the plating liquid in the vicinity of the material to be plated is flowed in the liquid flow direction of the plating liquid, that is, the pipe while the distance between the anode electrode and the material to be plated is kept constant by the protrusion. Can be stirred from two directions orthogonal to the extending direction of the plating solution supply port and the swing direction of the anode electrode and the shielding plate, so that the plating solution near the material to be plated can be stirred more uniformly. Can do. Therefore, according to the said structure, there exists the further effect that plating with a more uniform film thickness can be formed with respect to a to-be-plated material.

本発明に係る電解メッキ装置では、上記被メッキ材が半導体基板であることが好ましい。 In the electrolytic plating apparatus according to the present invention, the material to be plated is preferably a semiconductor substrate.

上記構成によれば、半導体基板に対して、より少ないメッキ液の使用量で均一な膜厚のメッキを形成させることができる。 According to the above configuration, plating with a uniform film thickness can be formed on a semiconductor substrate with a smaller amount of plating solution used.

バンプ電極を用いて半導体装置を実装基板に実装する方法では、バンプ電極と実装基板との接続強度の確保や、接続に係る実装基板の信頼性確保の為に、半導体装置の表面に形成されるバンプ電極の高さ、つまりメッキの厚さが、半導体装置内はもとより半導体基板内で均一であることが必要不可欠である。本発明によれば、このようにバンプ電極に必要なメッキ層を、より少ないメッキ液の使用量で、容易に、かつ均一な膜厚で形成することができる。このため、本発明に係る電界メッキ装置は、被メッキ材として半導体基板を用いたメッキの形成に、特に好適に使用することができる。 In a method of mounting a semiconductor device on a mounting board using bump electrodes, the bump electrode is formed on the surface of the semiconductor device in order to ensure the connection strength between the bump electrode and the mounting board and to ensure the reliability of the mounting board for connection. It is essential that the height of the bump electrode, that is, the thickness of the plating is uniform not only in the semiconductor device but also in the semiconductor substrate. According to the present invention, the plating layer necessary for the bump electrode can be easily and uniformly formed with a smaller amount of plating solution used. For this reason, the electroplating apparatus according to the present invention can be particularly suitably used for forming a plating using a semiconductor substrate as a material to be plated.

本発明に係る電解メッキ方法は、上記課題を解決するために、メッキ処理槽内のメッキ液に、カソード電極に接続された被メッキ材とアノード電極とを対向させて浸漬し、上記アノード電極とカソード電極とを通電させることにより上記被メッキ材に電解メッキを行う電解メッキ方法であって、上記被メッキ材とアノード電極との間に、上記被メッキ材の中央部と対向して設けられた貫通口を有する絶縁体から成り、上記アノード電極から上記被メッキ材の外縁部に印加される電界を遮蔽する遮蔽板を配置し、上記アノード電極と遮蔽板とを一体的に揺動させながら上記アノード電極とカソード電極とを通電させることを特徴としている。 In order to solve the above-described problem, the electrolytic plating method according to the present invention immerses a plating solution in a plating tank so that a material to be plated connected to the cathode electrode and the anode electrode face each other, and An electrolytic plating method for performing electroplating on the material to be plated by energizing a cathode electrode, wherein the method is provided between the material to be plated and the anode electrode so as to face a central portion of the material to be plated. A shielding plate that is made of an insulator having a through hole and shields an electric field applied from the anode electrode to the outer edge portion of the material to be plated is disposed, and the anode electrode and the shielding plate are integrally swung while It is characterized in that an anode electrode and a cathode electrode are energized.

上記方法によれば、上記遮蔽板を配置するとともに上記アノード電極と遮蔽板とを一体的に揺動させることで、上記アノード電極を揺動させているにも拘らず、上記アノード電極から上記被メッキ材の外縁部に印加される電界を遮蔽して上記被メッキ材の外縁部への電気力線の集中を防止することができる。また、上記方法によれば、上記アノード電極の揺動によるメッキ液の攪拌が上記アノード電極と被メッキ材との間に設けられた遮蔽板によって阻害されることがないので、被メッキ材近傍のメッキ液を効率良く攪拌することができる。従って、上記方法によれば、被メッキ材近傍の電気力線を均一な状態に維持したまま、被メッキ材近傍のメッキ液を効率良く攪拌することができる。 According to the above method, the shield plate is disposed and the anode electrode and the shield plate are integrally swung, so that the anode electrode is swung in spite of the rocking of the anode electrode. The electric field applied to the outer edge portion of the plating material can be shielded to prevent the concentration of electric lines of force on the outer edge portion of the material to be plated. Further, according to the above method, the stirring of the plating solution due to the swing of the anode electrode is not hindered by the shielding plate provided between the anode electrode and the material to be plated. The plating solution can be stirred efficiently. Therefore, according to the above method, the plating solution in the vicinity of the material to be plated can be efficiently agitated while maintaining the electric lines of force in the vicinity of the material to be plated in a uniform state.

しかも、上記方法によれば、前記特許文献１に記載の電解メッキ装置のように攪拌棒を使用することなく、被メッキ材近傍のメッキ液を攪拌するため、前記特許文献１に記載の電解メッキ装置のように攪拌棒近傍の被メッキ材のみにメッキが厚く形成されてしまう等の問題が生じない。 Moreover, according to the above method, since the plating solution in the vicinity of the material to be plated is stirred without using a stirring bar as in the electrolytic plating apparatus described in Patent Document 1, the electrolytic plating described in Patent Document 1 is used. There is no problem that the plating is thickly formed only on the material to be plated in the vicinity of the stirring rod as in the apparatus.

このため、上記方法によれば、被メッキ材表面に、均一な膜厚のメッキを形成することができる。 For this reason, according to the said method, plating of a uniform film thickness can be formed on the to-be-plated material surface.

更に、上記方法によれば、被メッキ材近傍のメッキ液を攪拌するために、前記特許文献１に記載の電解メッキ装置のように攪拌棒等の攪拌装置を上記アノード電極等とは別に設ける必要がない。このため、上記方法によれば、メッキ処理槽内に、アノード電極等とは別に攪拌装置を設ける場合と比較して、使用するメッキ処理槽の容量を低減させることができ、メッキ液の使用量を低減することができる。 Further, according to the above method, in order to stir the plating solution in the vicinity of the material to be plated, it is necessary to provide a stirring device such as a stirring rod separately from the anode electrode and the like as in the electrolytic plating device described in Patent Document 1. There is no. For this reason, according to the above method, the capacity of the plating tank to be used can be reduced compared with the case where a stirring device is provided in the plating tank separately from the anode electrode, etc. Can be reduced.

また、上記方法によれば、メッキ処理槽内に、アノード電極等とは別に攪拌装置を設ける場合と比較して、メッキ液がメッキ処理槽内の部品と接する接液面積を小さくすることができる。これにより、目的とする領域以外におけるメッキ金属の析出を抑制することができるため、無駄なメッキ金属の析出が抑制され、メッキ液の使用量を低減することができる。 Further, according to the above method, compared to the case where a stirring device is provided in the plating treatment tank separately from the anode electrode or the like, it is possible to reduce the liquid contact area where the plating solution is in contact with the components in the plating treatment tank. . Thereby, since precipitation of the plating metal in areas other than the target region can be suppressed, the useless deposition of the plating metal can be suppressed and the amount of the plating solution used can be reduced.

従って、上記方法によれば、より少ないメッキ液の使用量で、被メッキ材に対して均一な膜厚のメッキを形成させることができるという効果を奏する。 Therefore, according to the above method, it is possible to form a plating with a uniform film thickness on the material to be plated with a smaller amount of plating solution used.

本発明に係る電解メッキ方法では、上記アノード電極と遮蔽板とを上記被メッキ材と平行に揺動させながら上記アノード電極とカソード電極とを通電させることが好ましい。 In the electrolytic plating method according to the present invention, it is preferable that the anode electrode and the cathode electrode are energized while the anode electrode and the shielding plate are swung in parallel with the material to be plated.

上記方法によれば、上記アノード電極と被メッキ材との間の距離を一定に保ったまま上記被メッキ材近傍のメッキ液を攪拌することができる。このため、上記方法によれば、上記アノード電極と被メッキ材との間の電界を容易に制御することができるとともに、被メッキ材表面に形成されるメッキの膜厚の制御が容易となるという更なる効果を奏する。 According to the above method, it is possible to agitate the plating solution in the vicinity of the material to be plated while keeping the distance between the anode electrode and the material to be plated constant. Therefore, according to the above method, the electric field between the anode electrode and the material to be plated can be easily controlled, and the thickness of the plating formed on the surface of the material to be plated can be easily controlled. There is a further effect.

本発明に係る電解メッキ方法では、上記メッキ処理槽内のメッキ液を循環させて上記被メッキ材と遮蔽板との間に供給しながら上記電解メッキを行うことが好ましい。 In the electrolytic plating method according to the present invention, it is preferable to perform the electrolytic plating while circulating the plating solution in the plating tank and supplying it between the material to be plated and the shielding plate.

上記方法によれば、上記メッキ処理槽内のメッキ液を循環させて上記被メッキ材と遮蔽板との間に供給することで、被メッキ材近傍におけるメッキ液を、常に置換することができるとともに、この置換したメッキ液を、上記遮蔽板およびアノード電極の揺動により、効率良く攪拌することができる。このため、上記の方法によれば、被メッキ材近傍におけるメッキ液を、より効率よく攪拌して均一にすることができるため、被メッキ材に対してより均一な膜厚のメッキを形成させることができるという更なる効果を奏する。 According to the above method, the plating solution in the vicinity of the material to be plated can be always replaced by circulating the plating solution in the plating tank and supplying it between the material to be plated and the shielding plate. The substituted plating solution can be efficiently stirred by swinging the shielding plate and the anode electrode. For this reason, according to the above method, the plating solution in the vicinity of the material to be plated can be more efficiently stirred and made uniform, so that plating with a more uniform film thickness can be formed on the material to be plated. There is a further effect of being able to.

本発明に係る電解メッキ方法では、上記アノード電極と遮蔽板とを上記被メッキ材と平行かつ上記メッキ液の液流方向と直交する方向に揺動させながら上記アノード電極とカソード電極とを通電させることが好ましい。 In the electrolytic plating method according to the present invention, the anode electrode and the cathode electrode are energized while the anode electrode and the shielding plate are swung in a direction parallel to the material to be plated and perpendicular to the liquid flow direction of the plating solution. It is preferable.

上記方法によれば、上記アノード電極と被メッキ材との間の距離を一定に保ったまま、被メッキ材近傍のメッキ液を、上記メッキ液の液流方向、すなわち、上記配管のメッキ液供給口に対する延設方向と、上記アノード電極および遮蔽板の揺動方向との互いに直交する２方向から攪拌することができるため、被メッキ材近傍のメッキ液をより均一に攪拌することができる。従って、上記方法によれば、被メッキ材に対してより均一な膜厚のメッキを形成させることができるという更なる効果を奏する。 According to the above method, while keeping the distance between the anode electrode and the material to be plated constant, the plating solution in the vicinity of the material to be plated is supplied in the flow direction of the plating solution, that is, the plating solution supplied to the pipe. Since the agitating direction can be agitated from two directions orthogonal to the extending direction with respect to the mouth and the swinging direction of the anode electrode and the shielding plate, the plating solution in the vicinity of the material to be plated can be agitated more uniformly. Therefore, according to the said method, there exists the further effect that plating with a more uniform film thickness can be formed with respect to a to-be-plated material.

本発明に係る電解メッキ方法では、上記遮蔽板として、上記被メッキ材との対向面に突起が設けられている遮蔽板を使用することが好ましい。 In the electrolytic plating method according to the present invention, it is preferable to use, as the shielding plate, a shielding plate provided with a protrusion on the surface facing the material to be plated.

上記方法によれば、上記遮蔽板における上記被メッキ材との対向面に突起が設けられていることで、上記突起が設けられていない場合と比較して、攪拌効率を向上させることができる。また、上記の方法によれば、上記遮蔽板の揺動により、上記突起近傍のメッキ液を上記被メッキ材近傍に押し出すことも可能となる。このため、上記の方法によれば、被メッキ材近傍におけるメッキ液を、より効率よく攪拌して均一にすることができるので、被メッキ材表面に、より均一な膜厚のメッキを形成させることができるという更なる効果を奏する。 According to the above method, since the protrusion is provided on the surface of the shielding plate facing the material to be plated, the stirring efficiency can be improved as compared with the case where the protrusion is not provided. In addition, according to the above method, the plating solution in the vicinity of the protrusion can be pushed out to the vicinity of the material to be plated by swinging the shielding plate. For this reason, according to the above method, the plating solution in the vicinity of the material to be plated can be more efficiently stirred and made uniform, so that plating with a more uniform film thickness can be formed on the surface of the material to be plated. There is a further effect of being able to.

更に、上記方法によれば、上記遮蔽板における上記被メッキ材との対向面に突起が設けられていることで、上記遮蔽板を介して上記アノード電極から被メッキ材に印加される電界を容易に制御することができる。このため、上記の方法によれば、被メッキ材表面に形成されるメッキの膜厚の制御が容易になるという効果を併せて奏する。 Further, according to the above method, since the projection is provided on the surface of the shielding plate facing the material to be plated, the electric field applied to the material to be plated from the anode electrode via the shielding plate can be easily achieved. Can be controlled. For this reason, according to said method, there exists an effect that control of the film thickness of the plating formed in the to-be-plated material surface becomes easy.

本発明に係る電解メッキ装置は、以上のように、メッキ処理槽内のメッキ液に、カソード電極に接続された被メッキ材とアノード電極とを対向させて浸漬し、上記アノード電極とカソード電極とを通電させることにより上記被メッキ材に電解メッキを行う電解メッキ装置であって、上記被メッキ材とアノード電極との間に、上記被メッキ材の中央部と対向して設けられた貫通口を有する絶縁体から成り、上記アノード電極から上記被メッキ材の外縁部に印加される電界を遮蔽する遮蔽板を備えるとともに、上記アノード電極と遮蔽板とを一体的に揺動させる揺動手段を備えていることを特徴とする。 As described above, the electrolytic plating apparatus according to the present invention is immersed in the plating solution in the plating tank so that the material to be plated connected to the cathode electrode and the anode electrode are opposed to each other. An electroplating apparatus for performing electroplating on the material to be plated by energizing the substrate, and having a through-hole provided between the material to be plated and the anode electrode so as to face the central portion of the material to be plated. A shielding plate for shielding an electric field applied from the anode electrode to the outer edge of the material to be plated, and a swinging means for swinging the anode electrode and the shielding plate integrally. It is characterized by.

上記構成によれば、上記電解メッキ装置が上記遮蔽板を備えるとともに上記アノード電極と遮蔽板とを一体的に揺動させることで、上記アノード電極を揺動させているにも拘らず、上記アノード電極から上記被メッキ材の外縁部に印加される電界を遮蔽して上記被メッキ材の外縁部への電気力線の集中を防止することができる。従って、被メッキ材近傍の電気力線を均一な状態に維持したまま、被メッキ材近傍のメッキ液を効率良く攪拌することができ、より少ないメッキ液の使用量で、被メッキ材に対して均一な膜厚のメッキを形成させることができる電解メッキ装置を提供することができるという効果を奏する。 According to the above configuration, the electrolytic plating apparatus includes the shielding plate, and the anode electrode and the shielding plate are integrally swung, so that the anode electrode is swung, but the anode is swung. The electric field applied from the electrode to the outer edge portion of the material to be plated can be shielded to prevent the concentration of electric lines of force on the outer edge portion of the material to be plated. Therefore, it is possible to efficiently agitate the plating solution in the vicinity of the material to be plated while maintaining the electric lines of force in the vicinity of the material to be plated in a uniform state. There is an effect that it is possible to provide an electrolytic plating apparatus capable of forming a plating with a uniform film thickness.

また、本発明に係る電解メッキ方法は、メッキ処理槽内のメッキ液に、カソード電極に接続された被メッキ材とアノード電極とを対向させて浸漬し、上記アノード電極とカソード電極とを通電させることにより上記被メッキ材に電解メッキを行う電解メッキ方法であって、上記被メッキ材とアノード電極との間に、上記被メッキ材の中央部と対向して設けられた貫通口を有する絶縁体から成り、上記アノード電極から上記被メッキ材の外縁部に印加される電界を遮蔽する遮蔽板を配置し、上記アノード電極と遮蔽板とを一体的に揺動させながら上記アノード電極とカソード電極とを通電させることを特徴としている。 In the electrolytic plating method according to the present invention, the material to be plated and the anode electrode connected to the cathode electrode are immersed in the plating solution in the plating tank so that the anode electrode and the cathode electrode are energized. An electroplating method for performing electroplating on the material to be plated, the insulator having a through-hole provided between the material to be plated and the anode electrode so as to face the central portion of the material to be plated A shielding plate for shielding an electric field applied from the anode electrode to the outer edge of the material to be plated, and the anode electrode and the cathode electrode while swinging the anode electrode and the shielding plate integrally. It is characterized by energizing.

上記方法によれば、上記遮蔽板を使用するとともに上記アノード電極と遮蔽板とを一体的に揺動させることで、上記アノード電極を揺動させているにも拘らず、上記アノード電極から上記被メッキ材の外縁部に印加される電界を遮蔽して上記被メッキ材の外縁部への電気力線の集中を防止することができる。従って、被メッキ材近傍の電気力線を均一な状態に維持したまま、被メッキ材近傍のメッキ液を効率良く攪拌することができ、より少ないメッキ液の使用量で、被メッキ材に対して均一な膜厚のメッキを形成させることができるという効果を奏する。 According to the above method, the anode electrode and the shielding plate are integrally swung by using the shielding plate, and the anode electrode is swung while the anode electrode is swung. The electric field applied to the outer edge portion of the plating material can be shielded to prevent the concentration of electric lines of force on the outer edge portion of the material to be plated. Therefore, it is possible to efficiently agitate the plating solution in the vicinity of the material to be plated while maintaining the electric lines of force in the vicinity of the material to be plated in a uniform state. There is an effect that plating with a uniform film thickness can be formed.

本発明の一実施形態について図１〜図１０に基づいて説明すると以下の通りである。尚、以下の説明においては、本発明を適用する電解メッキ装置として、金メッキによりバンプ電極を形成する半導体集積回路の製造に用いられる電解メッキ装置を例示する。また、半導体集積回路の製造工程や製造条件等は、通常の半導体集積回路の製造工程にて用いられているものと同じである。 One embodiment of the present invention is described below with reference to FIGS. In the following description, as an electroplating apparatus to which the present invention is applied, an electroplating apparatus used for manufacturing a semiconductor integrated circuit in which bump electrodes are formed by gold plating will be exemplified. The manufacturing process and manufacturing conditions of the semiconductor integrated circuit are the same as those used in the normal manufacturing process of the semiconductor integrated circuit.

図１は、本実施の形態に係る電解メッキ装置の概略構成を示す断面図であり、図２は、図１に示す電解メッキ装置におけるＢ−Ｂ’線矢視断面図である。また、図３は、図２に示すアノード組品における半導体基板との対向面の概略構成を示す正面図であり、図４は、図３に示すアノード組品の概略構成を示す斜視図である。また、図５（ａ）・（ｂ）は、図３および図４に示すアノード組品における遮蔽板表面に設けられる突起の形状例を示す斜視図であり、図５（ａ）は突起５が四角柱である場合、図５（ｂ）は突起５が曲面を有する場合を示す。また、図６は、本実施の形態に係る電解メッキ装置を上方から見たときの概略構成を示す平面図であり、図７は本実施の形態に係る電解メッキ装置における揺動手段の動作を説明するため平面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the electroplating apparatus according to the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line B-B ′ in the electroplating apparatus shown in FIG. 1. 3 is a front view showing a schematic configuration of a surface facing the semiconductor substrate in the anode assembly shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a perspective view showing a schematic configuration of the anode assembly shown in FIG. . 5 (a) and 5 (b) are perspective views showing an example of the shape of protrusions provided on the surface of the shielding plate in the anode assembly shown in FIGS. 3 and 4, and FIG. In the case of a quadrangular prism, FIG. 5B shows a case where the protrusion 5 has a curved surface. FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration when the electroplating apparatus according to the present embodiment is viewed from above. FIG. 7 shows the operation of the swinging means in the electroplating apparatus according to the present embodiment. It is a top view for explaining.

図１に示すように、本実施の形態に係る電解メッキ装置５０は、カソード電極１５と、アノード電極２および遮蔽板３からなるアノード組品１６と、このアノード組品１６を揺動させる偏芯カムなどの揺動手段４０（図６参照）と、メッキ処理槽９と、オーバーフロー槽１０と、温調槽１１と、循環ポンプ８と、フィルタ７と、配管１２とを備えている。上記カソード電極１５は、被メッキ材としての半導体基板１にメッキ処理を施す際に、上記半導体基板１と接続される。上記半導体基板１は、メッキ処理を行う際に、上記アノード組品１６と対向するように、内部にメッキ液４が収容されたメッキ処理槽９内に配置される。これにより、上記カソード電極１５および上記アノード電極２に電源６から所定の直流電流を印加することで上記半導体基板１にメッキ処理が施される。すなわち、上記メッキ処理槽９は、上記アノード組品１６を内部に備え、内部に半導体基板１を設置することができるようになっている。オーバーフロー槽１０は、メッキ処理槽９から流出してくるメッキ液４を受けるためにメッキ処理槽９と隣接して設けられている。 As shown in FIG. 1, an electroplating apparatus 50 according to the present embodiment includes a cathode electrode 15, an anode assembly 16 composed of an anode electrode 2 and a shielding plate 3, and an eccentricity that swings the anode assembly 16. A swinging means 40 such as a cam (see FIG. 6), a plating tank 9, an overflow tank 10, a temperature control tank 11, a circulation pump 8, a filter 7, and a pipe 12 are provided. The cathode electrode 15 is connected to the semiconductor substrate 1 when the semiconductor substrate 1 as a material to be plated is plated. The semiconductor substrate 1 is arranged in a plating treatment tank 9 in which a plating solution 4 is accommodated so as to face the anode assembly 16 when performing the plating treatment. Thus, the semiconductor substrate 1 is plated by applying a predetermined direct current from the power source 6 to the cathode electrode 15 and the anode electrode 2. That is, the plating treatment tank 9 includes the anode assembly 16 therein, and the semiconductor substrate 1 can be installed therein. The overflow tank 10 is provided adjacent to the plating tank 9 in order to receive the plating solution 4 flowing out from the plating tank 9.

上記メッキ処理槽９およびオーバーフロー槽１０は、上記配管１２を介して、温調槽１１、循環ポンプ８、およびフィルタ７と接続されている。具体的には、温調槽１１は、オーバーフロー槽１０の底壁１０ａに設けられた配管１２を介して、オーバーフロー槽１０と接続されている。温調槽１１は、温調槽１１内のメッキ液４の液温を一定の範囲内に調整する。循環ポンプ８は、配管１２を介して温調槽１１とフィルタ７との間に備えられ、温調槽１１から流入するメッキ液４をフィルタ７へ吐出することにより、メッキ液４を循環させる。フィルタ７は、配管１２を介して、一方が循環ポンプ８の吐出側に接続され、もう一方がメッキ処理槽９の底壁９ａと接続されており、メッキ液４中に混入した異物をメッキ処理槽９にメッキ液４が流入する直前で除去する。つまり、本実施の形態に係る電解メッキ装置５０は、温調槽１１、循環ポンプ８、フィルタ７、メッキ処理槽９、オーバーフロー槽１０の順でメッキ液４を循環する構成となっている。 The plating tank 9 and the overflow tank 10 are connected to the temperature control tank 11, the circulation pump 8, and the filter 7 through the pipe 12. Specifically, the temperature control tank 11 is connected to the overflow tank 10 via a pipe 12 provided on the bottom wall 10 a of the overflow tank 10. The temperature control tank 11 adjusts the temperature of the plating solution 4 in the temperature control tank 11 within a certain range. The circulation pump 8 is provided between the temperature control tank 11 and the filter 7 via the pipe 12, and circulates the plating liquid 4 by discharging the plating liquid 4 flowing from the temperature control tank 11 to the filter 7. One side of the filter 7 is connected to the discharge side of the circulation pump 8 via the pipe 12, and the other side is connected to the bottom wall 9 a of the plating tank 9, and the foreign matter mixed in the plating solution 4 is plated. It is removed immediately before the plating solution 4 flows into the tank 9. That is, the electrolytic plating apparatus 50 according to the present embodiment is configured to circulate the plating solution 4 in the order of the temperature control tank 11, the circulation pump 8, the filter 7, the plating treatment tank 9, and the overflow tank 10.

このようにメッキ液４を循環させることにより、本実施の形態に係る電解メッキ装置５０は、半導体基板１近傍のメッキ液４の金属イオン濃度を一定濃度に保っている。 By circulating the plating solution 4 in this manner, the electrolytic plating apparatus 50 according to the present embodiment maintains the metal ion concentration of the plating solution 4 in the vicinity of the semiconductor substrate 1 at a constant concentration.

また、本実施の形態において、上記メッキ処理槽９に接続された配管１２、つまり、上記配管１２からメッキ処理槽９にメッキ液４を流入させるための供給口（メッキ液供給口）１２ａは、メッキ処理槽９の底壁９ａにおける、半導体基板１とアノード組品１６との間に面する位置に設けられている。このように、本実施の形態では、メッキ液４を循環させて上記半導体基板１とアノード組品１６との間に供給しながら電解メッキを行うことで、半導体基板１近傍のメッキ液４を、常に置換することができるとともに、この置換したメッキ液４を、上記アノード組品１６の揺動により、効率良く攪拌することができる。 In the present embodiment, the pipe 12 connected to the plating tank 9, that is, the supply port (plating liquid supply port) 12 a for allowing the plating solution 4 to flow into the plating tank 9 from the pipe 12, The bottom wall 9 a of the plating tank 9 is provided at a position facing the semiconductor substrate 1 and the anode assembly 16. Thus, in the present embodiment, the plating solution 4 in the vicinity of the semiconductor substrate 1 is obtained by performing electrolytic plating while circulating the plating solution 4 and supplying the plating solution 4 between the semiconductor substrate 1 and the anode assembly 16. It can always be replaced, and the replaced plating solution 4 can be efficiently stirred by the oscillation of the anode assembly 16.

循環するメッキ液４の流速は、特には限定されず、電解メッキ装置５０の構成、被メッキ材の種類、メッキ金属の種類、メッキ液４の流速などの諸条件に応じて選択すればよい。 The flow rate of the circulating plating solution 4 is not particularly limited, and may be selected according to various conditions such as the configuration of the electrolytic plating apparatus 50, the type of material to be plated, the type of plating metal, and the flow rate of the plating solution 4.

尚、上記電解メッキ装置５０には、これらの他に、その他多くの部品等が付随しているが、図面の煩雑さを避けるために特に関係のない構成については図面中の記載を省略している。 In addition to the above, the electroplating apparatus 50 is accompanied by many other components. However, in order to avoid the complexity of the drawing, the description of the configuration that is not particularly relevant is omitted in the drawing. Yes.

本実施の形態において、上記半導体基板１としては、例えば、後述する工程により作成される複数個の半導体集積回路が組み込まれた半導体ウエハが使用される。より具体的には、本実施の形態では、直径６インチ（約１５０ｍｍ）のシリコンウエハに集積回路が組み込まれたものを使用している。 In the present embodiment, as the semiconductor substrate 1, for example, a semiconductor wafer in which a plurality of semiconductor integrated circuits created by processes described later are incorporated is used. More specifically, in this embodiment, a silicon wafer having a diameter of 6 inches (about 150 mm) and an integrated circuit incorporated therein is used.

上記カソード電極１５は、導電性物質から構成され、メッキ液４中の陽イオンを上記半導体基板１に引き寄せる（陰イオンを放出する）ものである。カソード電極１５の材質としては、導電性物質であれば特には限定されず、例えば、白金、チタン、ニオブ等の従来公知の種々の材料を単独で、もしくは互いに組み合わせて使用することができる。 The cathode electrode 15 is made of a conductive material and attracts cations in the plating solution 4 to the semiconductor substrate 1 (releases anions). The material of the cathode electrode 15 is not particularly limited as long as it is a conductive substance. For example, various conventionally known materials such as platinum, titanium, niobium and the like can be used alone or in combination with each other.

カソード電極１５の大きさや形状は、半導体基板１に効率よく通電することができれば特には限定されず、従来公知の大きさや形状のものを使用することができる。 The size and shape of the cathode electrode 15 are not particularly limited as long as the semiconductor substrate 1 can be energized efficiently, and a conventionally known size and shape can be used.

アノード電極２は、導電性物質から構成され、メッキ液４中の陰イオンを引き寄せる（陽イオンを放出する）ものである。アノード電極２の材質としては、導電性物質であれば特には限定されず、白金、チタン、ニオブ等の従来公知の種々の材料を単独で、もしくは互いに組み合わせて使用することができる。 The anode electrode 2 is made of a conductive material and attracts anions (releases cations) in the plating solution 4. The material of the anode electrode 2 is not particularly limited as long as it is a conductive substance, and various conventionally known materials such as platinum, titanium, niobium and the like can be used alone or in combination with each other.

アノード電極２の大きさや形状は特には限定されないが、半導体基板１に対して効率よくメッキ（電解メッキ）を行う観点から、半導体基板１と対向する面が、半導体基板１における被メッキ面と同じ形状であるものが好ましい。本実施の形態では、上記アノード電極２として、電解メッキ装置への固定の容易さから、底面が四角形の平板状であるメッシュ形状のチタンからなるアノード電極を用いている。 The size and shape of the anode electrode 2 are not particularly limited, but the surface facing the semiconductor substrate 1 is the same as the surface to be plated in the semiconductor substrate 1 from the viewpoint of efficiently plating (electrolytic plating) on the semiconductor substrate 1. The shape is preferable. In the present embodiment, as the anode electrode 2, an anode electrode made of mesh-shaped titanium having a rectangular flat plate at the bottom is used for ease of fixing to the electrolytic plating apparatus.

アノード電極２と半導体基板１との間の距離は、１０ｍｍ〜５０ｍｍの範囲内であることが好ましい。アノード電極２と半導体基板１との間の距離が上記範囲内であれば、半導体基板１近傍のメッキ液４の攪拌性を低下させることなく、アノード電極２と半導体基板１との間のスペースを低減することができる。これにより、より少ないメッキ液４の使用量で、半導体基板１に対して均一な膜厚のメッキを形成させることができる。尚、本実施の形態では、アノード電極２と半導体基板１との間の距離は４０ｍｍに設定している。 The distance between the anode electrode 2 and the semiconductor substrate 1 is preferably in the range of 10 mm to 50 mm. If the distance between the anode electrode 2 and the semiconductor substrate 1 is within the above range, the space between the anode electrode 2 and the semiconductor substrate 1 is reduced without reducing the stirring property of the plating solution 4 in the vicinity of the semiconductor substrate 1. Can be reduced. Thereby, plating with a uniform film thickness can be formed on the semiconductor substrate 1 with a smaller amount of the plating solution 4 used. In the present embodiment, the distance between the anode electrode 2 and the semiconductor substrate 1 is set to 40 mm.

また、上記半導体基板１とアノード電極２との間には、上記半導体基板１の中央部と対向して設けられた貫通口３０を有する絶縁体から成り、上記アノード電極２から上記半導体基板１の表面における周縁部（外縁部）に印加される電界を遮蔽する遮蔽板３（電界遮蔽板）が設けられている。 The semiconductor substrate 1 and the anode electrode 2 are made of an insulator having a through-hole 30 provided to face the central portion of the semiconductor substrate 1, and the anode electrode 2 to the semiconductor substrate 1 A shielding plate 3 (electric field shielding plate) that shields the electric field applied to the peripheral edge (outer edge) on the surface is provided.

上記貫通口３０は、半導体基板１に印加される電界を均一にすることができれば、その形状、位置、数などは特には限定はされないが、半導体基板１の外縁よりも３０〜９０ｍｍ小さい外縁を有する形状を有していることが好ましい。 As long as the electric field applied to the semiconductor substrate 1 can be made uniform, the shape, position, number, etc. of the through-hole 30 are not particularly limited, but an outer edge 30 to 90 mm smaller than the outer edge of the semiconductor substrate 1 is used. It is preferable to have the shape to have.

電解メッキ法によるメッキでは被メッキ材の外縁領域に電気力線が集中することにより被メッキ材の中心部よりも外縁（周縁）領域のメッキ厚が厚くなることが知られているため、貫通口３０の形状を半導体基板１と同じ大きさの形状とした場合では外縁領域のメッキ厚が中心部よりも厚くなってしまう。このため、貫通口３０を半導体基板１の外縁（周縁）よりも３０〜９０ｍｍ小さい外縁（周縁）を有する形状とすることにより、半導体基板１の外縁領域における電気力線の密度を低くすることができ、半導体基板１における全体の電気力線の密度を均一にすることができる。尚、本実施の形態では、遮蔽板３における貫通口３０は、半導体基板１の外縁よりも６０ｍｍ小さい略円形となっている。つまり、本実施の形態では半導体基板１の直径が略１５０ｍｍの円形であるので、貫通口３０は直径が略９０ｍｍの円形に設けられている。 In electroplating, it is known that the electric lines of force concentrate on the outer edge area of the material to be plated, so that the plating thickness of the outer edge (periphery) area is thicker than the central part of the material to be plated. When the shape of 30 is the same size as that of the semiconductor substrate 1, the plating thickness of the outer edge region becomes thicker than the central portion. For this reason, the density of the electric lines of force in the outer edge region of the semiconductor substrate 1 can be reduced by forming the through hole 30 to have a shape having an outer edge (periphery) 30 to 90 mm smaller than the outer edge (periphery) of the semiconductor substrate 1. In addition, the density of the entire lines of electric force in the semiconductor substrate 1 can be made uniform. In the present embodiment, the through hole 30 in the shielding plate 3 has a substantially circular shape that is 60 mm smaller than the outer edge of the semiconductor substrate 1. That is, in this embodiment, since the semiconductor substrate 1 has a circular shape with a diameter of about 150 mm, the through hole 30 is provided with a circular shape with a diameter of about 90 mm.

上記遮蔽板３の材質としては、絶縁体であれば特には限定されず、従来公知の種々の材料を使用することができる。上記遮蔽板３の材料としては、例えば、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、石英等が挙げられ、メッキ金属の析出を抑制するという理由から好ましくは石英である。遮蔽板３の形状は特には限定されないが、メッキ処理槽９の容量を増加させないという観点から、アノード電極２と対向する面が、アノード電極２における遮蔽板３と対向する面と同じ形状であるものが好ましい。 The material of the shielding plate 3 is not particularly limited as long as it is an insulator, and various conventionally known materials can be used. Examples of the material of the shielding plate 3 include polyvinyl chloride (PVC), quartz, and the like, and quartz is preferable because it suppresses deposition of plating metal. The shape of the shielding plate 3 is not particularly limited, but the surface facing the anode electrode 2 is the same shape as the surface facing the shielding plate 3 in the anode electrode 2 from the viewpoint of not increasing the capacity of the plating bath 9. Those are preferred.

また、上記アノード電極２と遮蔽板３とは、メッキ処理槽９の容量をより小さくする上で、できるだけ近接させて設けられていることが好ましい。 The anode electrode 2 and the shielding plate 3 are preferably provided as close to each other as possible in order to reduce the capacity of the plating tank 9.

特に、本実施の形態では、上記アノード電極２と遮蔽板３とは、揺動手段４０により一体的に揺動されるため、上記アノード電極２と遮蔽板３とは、互いに一体的に固定されていることがより好ましい。さらには、図１および図２に示すように、上記アノード組品１６は、上記アノード電極２における上記半導体基板１との対向面に、上記遮蔽板３が、上記アノード電極２と一体的に形成（積層固定）されていることがより一層好ましい。 In particular, in the present embodiment, the anode electrode 2 and the shielding plate 3 are integrally rocked by the rocking means 40, so that the anode electrode 2 and the shielding plate 3 are fixed integrally with each other. More preferably. Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the anode assembly 16 is configured such that the shielding plate 3 is formed integrally with the anode electrode 2 on the surface of the anode electrode 2 facing the semiconductor substrate 1. It is even more preferable that they are (laminated and fixed).

これにより、アノード電極２と遮蔽板３との間のスペースを小さくし、好適には無くすことができるため、メッキ処理槽９の容量を小さくすることができ、この結果、メッキ液４の使用量を低減させることができる。さらには、メッキ処理槽９内における部品の数が減少するため、メッキ液４がメッキ処理槽９内の部品と接する接液面積をより小さくすることができ、目的とする領域以外におけるメッキ金属の析出を抑制することができる。 Thereby, since the space between the anode electrode 2 and the shielding plate 3 can be reduced and preferably eliminated, the capacity of the plating tank 9 can be reduced. As a result, the amount of the plating solution 4 used Can be reduced. Furthermore, since the number of parts in the plating tank 9 is reduced, the liquid contact area where the plating solution 4 comes into contact with the parts in the plating tank 9 can be further reduced. Precipitation can be suppressed.

本実施の形態では、例えば図１および図２に示すように、アノード電極２と遮蔽板３とは一体となって１つの部材（アノード組品１６）を形成している。 In the present embodiment, for example, as shown in FIGS. 1 and 2, the anode electrode 2 and the shielding plate 3 are integrated to form one member (anode assembly 16).

本実施の形態において、上記アノード組品１６は、上記揺動手段４０によって、半導体基板１におけるアノード電極２と対向する面と平行な方向に揺動する。揺動手段４０としては、偏芯カム（カム構造）、油圧ポンプ、駆動用エアー（ベローズ構造）などによる構成が挙げられる。電界メッキ装置５０では揺動による攪拌速度が速く、オン／オフの切り替え回数が多いため、動作スピード及び動作の信頼性が要求される。このため、上記揺動手段４０としては、偏芯カムによる構成がより好ましい。 In the present embodiment, the anode assembly 16 is swung in the direction parallel to the surface of the semiconductor substrate 1 facing the anode electrode 2 by the rocking means 40. Examples of the swinging means 40 include an eccentric cam (cam structure), a hydraulic pump, driving air (bellows structure), and the like. In the electroplating apparatus 50, since the stirring speed by rocking is fast and the number of on / off switching is large, the operation speed and the reliability of the operation are required. For this reason, as the said rocking | swiveling means 40, the structure by an eccentric cam is more preferable.

本実施の形態では、上記揺動手段４０として、図６に示すような偏芯カム（カム構造）が用いられる。上記偏芯カムを用いた揺動手段４０は、図７に示すように、回転軸４２、突起部４４を有する回転部材４１、アノード組品１６と接続された揺動部材４３、およびスライダー４５からなる。揺動部材４３は、上記突起部４４の直径と略同じ幅で、回転軸４２と突起部４４との距離の略２倍の長さを有する楕円形状の開口部を有する。揺動部材４３は、回転部材４１の上に配置され、揺動部材４３の開口部に回転部材４１の突起部４４が挿入される。揺動部材４３の両端の下には、揺動部材４３の動作を水平方向に限定するためのスライダー４５が配置されている。 In the present embodiment, an eccentric cam (cam structure) as shown in FIG. As shown in FIG. 7, the swinging means 40 using the eccentric cam includes a rotating shaft 42, a rotating member 41 having a projection 44, a swinging member 43 connected to the anode assembly 16, and a slider 45. Become. The swing member 43 has an elliptical opening having a width substantially the same as the diameter of the protrusion 44 and a length approximately twice the distance between the rotation shaft 42 and the protrusion 44. The swing member 43 is disposed on the rotating member 41, and the protrusion 44 of the rotating member 41 is inserted into the opening of the swing member 43. Below both ends of the swing member 43, a slider 45 for limiting the operation of the swing member 43 in the horizontal direction is arranged.

上記揺動手段４０は、図７に示すように、揺動部材４３を、回転軸４２を中心に回転させることで、アノード組品１６と接続された揺動部材４３をスライダー４５に沿って揺動させる構成となっている。これより、アノード組品１６は半導体基板１に対して平行に揺動する。 As shown in FIG. 7, the swinging means 40 rotates the swinging member 43 about the rotation shaft 42 to swing the swinging member 43 connected to the anode assembly 16 along the slider 45. It is configured to move. As a result, the anode assembly 16 swings in parallel to the semiconductor substrate 1.

上記アノード組品１６の揺動方向は、半導体基板１におけるアノード電極２と対向する面と平行の方向であれば、メッキ液４の液流方向と平行の方向であっても、メッキ液４の液流方向と直交する方向であってもかまわない。上記アノード組品１６の揺動方向が、半導体基板１におけるアノード電極２と対向する面と平行の方向でない場合、アノード組品１６がより接近する半導体基板１の部分では、メッキ液４の供給が過多となり、メッキが厚く形成されてしまう。 If the swing direction of the anode assembly 16 is parallel to the surface of the semiconductor substrate 1 facing the anode electrode 2, even if the direction is parallel to the flow direction of the plating solution 4, The direction may be perpendicular to the liquid flow direction. When the swing direction of the anode assembly 16 is not parallel to the surface of the semiconductor substrate 1 facing the anode electrode 2, the plating solution 4 is supplied to the portion of the semiconductor substrate 1 closer to the anode assembly 16. An excessive amount results in a thick plating.

また、本実施の形態のようにメッキ液４を循環させる場合には、メッキ液４を均一に、且つ効率よく攪拌するという観点から、上記アノード組品１６の揺動方向は、半導体基板１におけるアノード電極２と対向する面と平行であり、且つ、メッキ液４の液流方向と直交する方向であることがより好ましい。以下、本実施の形態では、アノード組品１６は、半導体基板１におけるアノード電極２と対向する面と平行であり、且つ、メッキ液４の液流方向と直交する方向に揺動する場合を例に挙げて説明する。 When the plating solution 4 is circulated as in the present embodiment, the swing direction of the anode assembly 16 is determined in the semiconductor substrate 1 from the viewpoint of stirring the plating solution 4 uniformly and efficiently. More preferably, the direction is parallel to the surface facing the anode electrode 2 and perpendicular to the liquid flow direction of the plating solution 4. Hereinafter, in the present embodiment, an example in which the anode assembly 16 swings in a direction parallel to the surface of the semiconductor substrate 1 facing the anode electrode 2 and orthogonal to the liquid flow direction of the plating solution 4 is described. Will be described.

尚、本実施の形態における「メッキ液４の液流方向」とは、メッキ処理槽９の供給口１２ａへの配管１２の延設方向を意味している。 In the present embodiment, the “flow direction of the plating solution 4” means the extending direction of the pipe 12 to the supply port 12 a of the plating treatment tank 9.

また、本実施の形態で用いられる上記遮蔽板３は、上記半導体基板１との対向面に、突起５が設けられていることが好ましい。このように上記遮蔽板３に突起５を設けることで、上記突起５が設けられていない場合と比較して、攪拌効率を向上させることができる。また、このように上記遮蔽板３に突起５を設けることで、上記遮蔽板３の揺動により、上記突起５近傍のメッキ液４を上記半導体基板１近傍に押し出すことも可能となる。このため、本実施の形態によれば、上記遮蔽板３に上記突起５が設けられていることで、遮蔽板３の動作により半導体基板１近傍のメッキ液４をより効率良くかつ均一に攪拌することができるため、半導体基板１に対してより均一な膜厚のメッキを形成させることができる。 Moreover, it is preferable that the shielding plate 3 used in the present embodiment is provided with a protrusion 5 on the surface facing the semiconductor substrate 1. By providing the projections 5 on the shielding plate 3 as described above, the stirring efficiency can be improved as compared with the case where the projections 5 are not provided. Further, by providing the projection 5 on the shielding plate 3 as described above, the plating solution 4 in the vicinity of the projection 5 can be pushed out to the vicinity of the semiconductor substrate 1 by the swinging of the shielding plate 3. For this reason, according to the present embodiment, since the projection 5 is provided on the shielding plate 3, the plating solution 4 in the vicinity of the semiconductor substrate 1 is more efficiently and uniformly stirred by the operation of the shielding plate 3. Therefore, plating with a more uniform film thickness can be formed on the semiconductor substrate 1.

また、上記したように、上記遮蔽板３における上記半導体基板１との対向面に突起５が設けられていることで、上記遮蔽板３を介して上記アノード電極２から半導体基板１に印加される電界を容易に制御することができる。このため、上記半導体基板１に形成されるメッキの膜厚の制御が容易になる。以下、図８を用いて具体的に説明する。 Further, as described above, the projection 5 is provided on the surface of the shielding plate 3 facing the semiconductor substrate 1, so that the anode electrode 2 is applied to the semiconductor substrate 1 through the shielding plate 3. The electric field can be easily controlled. For this reason, control of the film thickness of the plating formed on the semiconductor substrate 1 becomes easy. Hereinafter, this will be specifically described with reference to FIG.

図８は、アノード電極２と半導体基板１との間の電界分布を説明するための図１におけるＢ−Ｂ’線矢視断面図であり、（ａ）は突起５を有しない構成である場合を示し、（ｂ）は突起５を有する構成の場合を示す。 FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 1 for explaining the electric field distribution between the anode electrode 2 and the semiconductor substrate 1, and (a) is a configuration without the protrusion 5. (B) shows the case of the structure having the protrusions 5.

図８（ａ）に示すように、突起５がない場合では、上記電界における電気力線は、遮蔽板３の貫通口３０を通過した後には、一旦拡散してから、半導体基板１近傍で半導体基板１に集まるような分布となる。これに対して、突起５を有する場合では、図８（ｂ）に示すように、上記電界における電気力線は、遮蔽板３の貫通口３０を通過した後であっても突起５により拡散が抑制されるため、突起５がない場合と比べて広がりの小さい分布となる。従って、突起５を設けることによって、より均一に電界を半導体基板１に印加することができるため、より均一に半導体基板１にメッキを形成させることができる。 As shown in FIG. 8A, in the case where there is no protrusion 5, the electric field lines in the electric field diffuse once after passing through the through-hole 30 of the shielding plate 3, and then the semiconductor near the semiconductor substrate 1. The distribution gathers on the substrate 1. On the other hand, in the case where the projection 5 is provided, the electric lines of force in the electric field are diffused by the projection 5 even after passing through the through hole 30 of the shielding plate 3 as shown in FIG. Since it is suppressed, the distribution is smaller than that in the case where there is no protrusion 5. Accordingly, by providing the protrusions 5, the electric field can be more uniformly applied to the semiconductor substrate 1, and therefore, the plating can be more uniformly formed on the semiconductor substrate 1.

更には、突起５を有する場合では、図８（ｂ）に示すように、電気力線の拡散が抑制されているため、半導体基板１の外縁（周縁）領域に電気力線が集中し難い。このため、アノード電極２を揺動させる場合であっても、半導体基板１の外縁（周縁）領域に電気力線が集中し難く、より均一に半導体基板１にメッキを形成させることができる。 Furthermore, in the case of having the protrusions 5, as shown in FIG. 8B, the diffusion of the electric lines of force is suppressed, so that the electric lines of force are difficult to concentrate on the outer edge (periphery) region of the semiconductor substrate 1. For this reason, even when the anode electrode 2 is swung, it is difficult for electric lines of force to concentrate on the outer edge (periphery) region of the semiconductor substrate 1, and plating can be formed on the semiconductor substrate 1 more uniformly.

突起５の形状は、特に限定はされないが、好ましくは、板形状であり、より好ましくは遮蔽板３の一辺と同じ長さを長辺とした長方形を底面とする板形状である。上記突起５の形状として、板形状ではなく、遮蔽板３と接する面が円形である円錐形状、遮蔽板３と接する面が正方形である直方体形状などでもかまわないが、遮蔽板３はメッキ液４の中で揺動するため、突起５と遮蔽板３との接合強度を確保するためには、突起５を、遮蔽板３の一辺と同じ長さを長辺とした長方形を底面とする板形状とし、該遮蔽板３の一辺と突起５の底面における長辺とが平行に、且つ、突起５の両端と遮蔽板３の両端とが揃うように、突起５を遮蔽板３に配置することが好ましい。さらには、遮蔽板３の上下で突起５を確実に固定することが好ましく、突起５と遮蔽板３とを一体成形で加工することがより好ましい。突起５と遮蔽板３とを一体成形で加工する場合、突起５と遮蔽板３とを、樹脂などのブロックの削り出しや、金型を用いた一体成形により作製することができる。 The shape of the protrusion 5 is not particularly limited, but is preferably a plate shape, more preferably a plate shape having a bottom surface of a rectangle having the same length as one side of the shielding plate 3 as a long side. The shape of the protrusion 5 is not a plate shape, but may be a conical shape in which the surface in contact with the shielding plate 3 is circular, or a rectangular parallelepiped shape in which the surface in contact with the shielding plate 3 is a square. In order to ensure the bonding strength between the projection 5 and the shielding plate 3, the projection 5 has a plate shape whose bottom surface is a rectangle having the same length as one side of the shielding plate 3. The projection 5 may be disposed on the shielding plate 3 so that one side of the shielding plate 3 and the long side of the bottom surface of the projection 5 are parallel to each other and both ends of the projection 5 and both ends of the shielding plate 3 are aligned. preferable. Furthermore, it is preferable to securely fix the protrusions 5 above and below the shielding plate 3, and it is more preferable to process the protrusions 5 and the shielding plate 3 by integral molding. When the projection 5 and the shielding plate 3 are processed by integral molding, the projection 5 and the shielding plate 3 can be produced by cutting out a block of resin or the like or by integral molding using a mold.

尚、本実施の形態において用いられる「板形状」とは、厚さが均一である長方形を底面とする直方体には限定されず、底面における短辺方向に向かって厚さが変化するもの、例えば断面が三角形や台形であるものなども板形状として扱う。 The “plate shape” used in the present embodiment is not limited to a rectangular parallelepiped with a rectangular bottom having a uniform thickness, and has a thickness that changes in the short side direction on the bottom, for example, Those having a triangular or trapezoidal cross section are also treated as plate shapes.

突起５が上述したような板形状である場合、図２に示すように、遮蔽板３との接触面の短辺方向における突起５の幅ｗ、つまり、上記突起５の底面における上記遮蔽板３の揺動方向の幅ｗの方向と平行にアノード組品１６を揺動させることで、突起５のメッキ液４と作用する面積を最大化させることができるため、メッキ液４の攪拌効率を最大限に高めることができる。 When the protrusion 5 has a plate shape as described above, as shown in FIG. 2, the width w of the protrusion 5 in the short side direction of the contact surface with the shielding plate 3, that is, the shielding plate 3 on the bottom surface of the protrusion 5. By oscillating the anode assembly 16 in parallel with the direction of the width w of the oscillating direction, the area of the protrusion 5 that interacts with the plating solution 4 can be maximized, so that the stirring efficiency of the plating solution 4 is maximized. Can be increased to the limit.

また、遮蔽板３の揺動により更に効率よく半導体基板１にメッキ液４を送液させるため、上記突起５の先端部における上記遮蔽板３の揺動方向の幅は、上記突起５の底面における上記遮蔽板３の揺動方向の幅ｗよりも小さいことが好ましい。つまり、上記突起５は、例えば、図２に示すように、上記遮蔽板３が揺動する方向における上記突起５の幅が、上記突起５の先端側程小さくなるように形成されていることが好ましい。 Further, in order to more efficiently feed the plating solution 4 to the semiconductor substrate 1 by swinging the shielding plate 3, the width in the swinging direction of the shielding plate 3 at the tip of the projection 5 is set at the bottom surface of the projection 5. It is preferable that the width of the shielding plate 3 is smaller than the width w in the swinging direction. That is, for example, as shown in FIG. 2, the protrusion 5 is formed so that the width of the protrusion 5 in the direction in which the shielding plate 3 swings becomes smaller toward the tip end side of the protrusion 5. preferable.

具体的には、突起５の形状としては、突起５の断面の形状が台形または三角形であるものなどが挙げられる。つまり、突起５の形状としては、例えば、図４に示すように、突起５の遮蔽板３との接触面の短辺方向における断面形状が三角形であり、該三角形の底辺と接する側面を遮蔽板３との接触面とする三角柱、または、図５（ａ）に示すように、突起５の遮蔽板３との接触面の短辺方向における断面形状が台形であり、該台形の下辺（１組の平行な辺における長い方の辺）と接する側面を遮蔽板３との接触面とする四角柱などが挙げられる。 Specifically, examples of the shape of the protrusion 5 include those in which the cross-sectional shape of the protrusion 5 is a trapezoid or a triangle. That is, as the shape of the protrusion 5, for example, as shown in FIG. 4, the cross-sectional shape in the short side direction of the contact surface of the protrusion 5 with the shielding plate 3 is a triangle, and the side surface in contact with the bottom of the triangle is the shielding plate. As shown in FIG. 5A, the cross-sectional shape in the short side direction of the contact surface of the projection 5 with the shielding plate 3 is a trapezoid, and the lower side of the trapezoid (one set) And a rectangular column having a side surface in contact with the shielding plate 3 as a side surface in contact with the longer side of the parallel sides.

突起５における遮蔽板３との接触面以外の面は、必ずしも平面である必要はなく、曲面などであってもかまわない。曲面を有する突起５の形状としては、例えば図５（ｂ）に示すような突起５における遮蔽板３との接触面以外の面である２つの側面が内側に窪んだ曲面となっているものなどが挙げられる。 The surface of the protrusion 5 other than the contact surface with the shielding plate 3 is not necessarily a flat surface and may be a curved surface. As the shape of the projection 5 having a curved surface, for example, as shown in FIG. 5B, the projection 5 has a curved surface in which two side surfaces other than the contact surface with the shielding plate 3 are recessed inward. Is mentioned.

上記したように、上記突起５の先端部における上記遮蔽板３の揺動方向の幅ｐ（図５（ａ）参照）が、上記突起５の底面における上記遮蔽板３の揺動方向の幅よりも小さいことにより、メッキ液４をより効率よく半導体基板１近傍へ向けて送液することができる。このため、半導体基板１近傍におけるメッキ液４はより均一に攪拌され、半導体基板１に対してより均一な膜厚のメッキを形成させることができる。 As described above, the width p (see FIG. 5A) of the shielding plate 3 in the rocking direction at the tip of the protrusion 5 is larger than the width in the rocking direction of the shielding plate 3 on the bottom surface of the protrusion 5. Is smaller, the plating solution 4 can be fed toward the vicinity of the semiconductor substrate 1 more efficiently. For this reason, the plating solution 4 in the vicinity of the semiconductor substrate 1 is stirred more uniformly, and plating with a more uniform film thickness can be formed on the semiconductor substrate 1.

また、図２に示すように、遮蔽板３が備える突起５の高さｈは、メッキ液４の攪拌を有効に行うために、半導体基板１と遮蔽板３との間の距離ｄの１／２以上とすることが好ましい。突起５の高さｈが距離ｄの１／２未満であっても半導体基板１にメッキを形成させることはできるが、メッキ厚の均一性およびメッキの成長速度の観点から、突起５は半導体基板１に接近していることが好ましい。一方、突起５の高さｈが距離ｄより１ｍｍ短い距離（距離ｄ−１ｍｍ）を超えると、遮蔽板３が揺動する際に突起５が受けるストレスが大きくなり、突起５の変形、剥離などが生じ易くなるため、突起５の高さｈは距離ｄより１ｍｍ短い距離以下であることが好ましい。 As shown in FIG. 2, the height h of the protrusion 5 provided in the shielding plate 3 is 1 / of the distance d between the semiconductor substrate 1 and the shielding plate 3 in order to effectively stir the plating solution 4. Two or more are preferable. Although the semiconductor substrate 1 can be plated even if the height h of the protrusion 5 is less than ½ of the distance d, the protrusion 5 is formed on the semiconductor substrate from the viewpoint of the uniformity of the plating thickness and the growth rate of the plating. Preferably it is close to 1. On the other hand, when the height h of the protrusion 5 exceeds a distance 1 mm shorter than the distance d (distance d-1 mm), the stress received by the protrusion 5 when the shielding plate 3 swings increases, and the protrusion 5 is deformed or peeled off. Therefore, the height h of the protrusion 5 is preferably 1 mm or less shorter than the distance d.

遮蔽板３における突起５の設置位置は、特には限定されないが、循環するメッキ液４の液流を妨げない位置であり、遮蔽板３の揺動による攪拌を均一に行うことができる位置に配置することが好ましい。具体的には、例えば、循環するメッキ液４の液流を妨げないために、突起５の遮蔽板３と接する面における長辺方向をメッキ液４の液流方向と平行になるように突起５を配置することが好ましい。具体的には、上記遮蔽板３における半導体基板１との対向面に、配管１２のメッキ液４の供給口１２ａの延設方向と平行に延設された板状の突起５が設けられていることが好ましい。また、突起５が複数個設けられている場合では、遮蔽板３の揺動による攪拌を均一に行うため、それぞれの突起５の間隔が一定となるように突起５を配置することがより好ましい。 The installation position of the protrusion 5 on the shielding plate 3 is not particularly limited, but is a position that does not interfere with the flow of the circulating plating solution 4 and is disposed at a position where stirring by the shaking of the shielding plate 3 can be performed uniformly. It is preferable to do. Specifically, for example, in order not to disturb the liquid flow of the circulating plating solution 4, the long side direction on the surface of the protrusion 5 in contact with the shielding plate 3 is parallel to the liquid flow direction of the plating solution 4. Is preferably arranged. Specifically, a plate-like protrusion 5 extending in parallel with the extending direction of the supply port 12 a of the plating solution 4 of the pipe 12 is provided on the surface of the shielding plate 3 facing the semiconductor substrate 1. It is preferable. Further, in the case where a plurality of protrusions 5 are provided, it is more preferable that the protrusions 5 are arranged so that the distance between the protrusions 5 is constant in order to perform uniform stirring by swinging the shielding plate 3.

尚、本実施の形態では、突起５は、半導体基板１側に突出するように遮蔽板３に設けられている。また、遮蔽板３に設置される突起５の形状は、図４に示すように、側面が二等辺三角形であり、三角柱形状である板形状のものを用いている。突起５は遮蔽板３に９個設置されており、それぞれの突起５は、突起５における遮蔽板３と接する面の長辺方向が全てメッキ液４の液流方向と平行となるように、遮蔽板３に配置されている。また、隣り合う突起５間の間隔は全て同じ距離になるように、遮蔽板３に配置されている。 In the present embodiment, the protrusion 5 is provided on the shielding plate 3 so as to protrude toward the semiconductor substrate 1 side. Further, as shown in FIG. 4, the shape of the protrusion 5 installed on the shielding plate 3 is a plate shape having a triangular prism shape with side surfaces being isosceles triangles. Nine protrusions 5 are provided on the shielding plate 3, and each protrusion 5 is shielded so that the long side direction of the surface of the protrusion 5 in contact with the shielding plate 3 is parallel to the liquid flow direction of the plating solution 4. Arranged on the plate 3. Moreover, it arrange | positions at the shielding board 3 so that all the space | intervals between the adjacent protrusions 5 may become the same distance.

また、本実施の形態において、上記アノード組品１６が揺動する振幅（揺動する距離の幅）は、突起５の底面におけるアノード組品１６の揺動方向の幅ｗ（図２および図３参照）以上であることが好ましい。上記アノード組品１６の揺動の振幅が、突起５の底面におけるアノード組品１６の揺動方向の幅ｗより短い場合には、電界方向において、遮蔽板３によりアノード電極２から常に遮蔽される領域が半導体基板１表面に生じてしまう。このため、半導体基板１表面における電界が不均一となり、半導体基板１に形成されるメッキの厚さが不均一となるおそれがある。 In the present embodiment, the amplitude at which the anode assembly 16 swings (the width of the swing distance) is the width w in the swing direction of the anode assembly 16 on the bottom surface of the protrusion 5 (FIGS. 2 and 3). It is preferable that it is the above. When the amplitude of the swing of the anode assembly 16 is shorter than the width w of the swing direction of the anode assembly 16 on the bottom surface of the protrusion 5, the anode assembly 16 is always shielded from the anode electrode 2 by the shielding plate 3 in the electric field direction. A region is generated on the surface of the semiconductor substrate 1. For this reason, the electric field on the surface of the semiconductor substrate 1 becomes nonuniform, and the thickness of the plating formed on the semiconductor substrate 1 may become nonuniform.

特に、図３および図４に示すように、突起５が、遮蔽板３の一辺と同じ長さを長辺とした長方形を底面とする板形状である場合、上記半導体基板１の一方の端から他方の端まで、ライン状に、上記半導体基板１が突起５によって常にアノード電極２から電界遮蔽される。このため、このように半導体基板１における電気力線への突起５による影響が大きい場合には特に、半導体基板１表面における電界が不均一となり、半導体基板１に形成されるメッキの厚さが不均一となるおそれが大きい。このため、上記アノード組品１６が揺動する距離の幅は、突起５の底面におけるアノード組品１６の揺動方向の幅ｗ以上の幅に設定されていることが好ましい。 In particular, as shown in FIGS. 3 and 4, when the protrusion 5 has a plate shape having a bottom surface of a rectangle having the same length as one side of the shielding plate 3 as a long side, the projection 5 starts from one end of the semiconductor substrate 1. The semiconductor substrate 1 is always shielded from the anode electrode 2 by the protrusions 5 in a line shape up to the other end. For this reason, particularly when the influence of the projection 5 on the electric field lines in the semiconductor substrate 1 is large, the electric field on the surface of the semiconductor substrate 1 becomes non-uniform, and the thickness of the plating formed on the semiconductor substrate 1 is not uniform. There is a high risk of being uniform. Therefore, the width of the distance at which the anode assembly 16 swings is preferably set to a width equal to or greater than the width w in the swing direction of the anode assembly 16 on the bottom surface of the protrusion 5.

このように上記突起５の底面における上記遮蔽板３の揺動方向の幅ｗ以上に上記アノード組品１６を揺動させることにより、電界方向において上記半導体基板１が常に突起５によってアノード電極２から遮蔽される領域が生じることを避けることができるので、上記半導体基板１における電気力線への上記突起５による影響を除去することができる。したがって、上記アノード組品１６が揺動する振幅を、突起５の底面におけるアノード組品１６の揺動方向の幅ｗ以上とすることで、突起５の形状に拘らず、半導体基板１表面に、均一な膜厚のメッキを形成させることができる。 Thus, by swinging the anode assembly 16 over the width w in the swing direction of the shielding plate 3 on the bottom surface of the protrusion 5, the semiconductor substrate 1 is always moved from the anode electrode 2 by the protrusion 5 in the electric field direction. Since it is possible to avoid the occurrence of a shielded region, it is possible to eliminate the influence of the protrusions 5 on the lines of electric force in the semiconductor substrate 1. Therefore, by setting the amplitude of the swing of the anode assembly 16 to be equal to or larger than the width w of the swing direction of the anode assembly 16 on the bottom surface of the projection 5, the surface of the semiconductor substrate 1 is not affected by the shape of the projection 5. Plating with a uniform film thickness can be formed.

尚、本実施の形態では、隣接する突起５間の幅（隣接する突起５間の最短距離）ｘは２５ｍｍであり、突起５の底面における揺動方向の幅ｗは５ｍｍであり、アノード組品１６の振幅は２０ｍｍ（±２０ｍｍに揺動）に設定している。よって、アノード組品１６の振幅が突起５の底面における揺動方向の幅ｗ（ｗ＝５ｍｍ）よりも大きいため、半導体基板１が受ける突起５による遮蔽の影響は低減されている。 In the present embodiment, the width between adjacent protrusions 5 (the shortest distance between adjacent protrusions 5) x is 25 mm, the width w in the swinging direction on the bottom surface of the protrusion 5 is 5 mm, and the anode assembly The amplitude of 16 is set to 20 mm (oscillates to ± 20 mm). Therefore, since the amplitude of the anode assembly 16 is larger than the width w (w = 5 mm) in the swinging direction on the bottom surface of the protrusion 5, the influence of the shielding by the protrusion 5 on the semiconductor substrate 1 is reduced.

また、上記遮蔽板３が揺動する距離の幅は、隣接する突起５間の幅ｘ以下であることが好ましい。このため、上記遮蔽板３が揺動する距離の幅は、上記突起５の底面における上記遮蔽板３の揺動方向の幅ｗ以上であり、隣接する突起５間の幅ｘ以下であることが好ましい。更には、突起５の底面の幅ｗと、隣接する突起５間の幅ｘと、遮蔽板３が揺動する距離の幅とが同じであると、突起５による半導体基板１への遮蔽の頻度が均一となるためより好ましい。 The width of the distance by which the shielding plate 3 swings is preferably equal to or less than the width x between adjacent protrusions 5. For this reason, the width of the distance by which the shielding plate 3 swings is not less than the width w in the swinging direction of the shielding plate 3 on the bottom surface of the protrusion 5 and not more than the width x between the adjacent protrusions 5. preferable. Furthermore, if the width w of the bottom surface of the protrusion 5, the width x between the adjacent protrusions 5, and the width of the distance at which the shielding plate 3 swings are the same, the frequency of shielding the semiconductor substrate 1 by the protrusion 5. Is more preferable because it becomes uniform.

尚、上記アノード組品１６の揺動速度は、特には限定されず、電解メッキ装置５０の構成、被メッキ材の種類、メッキ金属の種類、メッキ液４の流速などの諸条件に応じて選択すればよい。 The swing speed of the anode assembly 16 is not particularly limited, and is selected according to various conditions such as the configuration of the electrolytic plating apparatus 50, the type of material to be plated, the type of plating metal, and the flow rate of the plating solution 4. do it.

以下に、上述した本実施の形態に係る電解メッキ装置５０を用いた半導体集積回路の製造方法、すなわち、半導体基板１上への金（Ａｕ）メッキによるバンプ電極形成工程について図９を用いて説明する。 Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit using the electrolytic plating apparatus 50 according to the present embodiment described above, that is, a bump electrode forming process by gold (Au) plating on the semiconductor substrate 1 will be described with reference to FIG. To do.

図９（ａ）〜（ｆ）は、シリコンウエハにバンプ電極を形成する工程をシリコンウエハの断面にて示す図である。 FIGS. 9A to 9F are views showing a process of forming bump electrodes on a silicon wafer in a cross section of the silicon wafer.

本実施の形態において被メッキ材として用いられる上記半導体基板１は以下の工程により作成される。但し、以下の説明による工程はあくまで一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。 The semiconductor substrate 1 used as a material to be plated in the present embodiment is produced by the following steps. However, the process by the following description is an example to the last, and this invention is not limited to this.

最初に、例えば図９（ａ）に示す直径６インチ（約１５０ｍｍ）のシリコンウエハ２０の表面全面に、ＳｉＯ_２等の絶縁膜（図示せず）を所定の厚さに堆積し、フォトリソグラフ技術および絶縁膜エッチング技術を用いて、該絶縁膜の所定の位置を開口する。 First, for example, an insulating film (not shown) such as SiO ₂ is deposited to a predetermined thickness on the entire surface of the silicon wafer 20 having a diameter of 6 inches (about 150 mm) shown in FIG. Then, a predetermined position of the insulating film is opened using an insulating film etching technique.

次いで、シリコンウエハ２０全面に、例えばＡｌ−Ｓｉ等の金属薄膜を約１μｍの厚さに堆積し、フォトリソグラフ技術および金属薄膜エッチング技術を用いて、図９（ｂ）に示すように、出入力用端子であるパッド電極（アルミニウムパッド）２１を形成する（パッド電極形成工程）。ここで、パッド電極２１の大きさは、略６０μｍ×１１０μｍとした。また、この際にシリコンウエハ２０表面に組み込まれたトランジスタ等の素子の相互配線なども同時に形成されるものとする。 Next, a metal thin film such as Al—Si is deposited on the entire surface of the silicon wafer 20 to a thickness of about 1 μm, and input / output is performed using a photolithographic technique and a metal thin film etching technique as shown in FIG. A pad electrode (aluminum pad) 21 serving as a terminal is formed (pad electrode forming step). Here, the size of the pad electrode 21 was about 60 μm × 110 μm. At this time, it is assumed that mutual wiring of elements such as transistors incorporated on the surface of the silicon wafer 20 is formed at the same time.

次いで、図９（ｃ）に示すように、シリコンウエハ２０全面に、表面保護膜２２として、例えばＳｉＮ膜等の絶縁膜を略０．６μｍの厚さに堆積し、フォトリソグラフ技術および絶縁膜エッチング技術を用いて、表面保護膜２２の所定の位置、つまりパッド電極２１の上部の表面保護膜２２を開口し、パッド電極２１を露出させる（表面保護膜形成工程）。表面保護膜２２の開口部２７の大きさは、略３０μｍ×８０μｍとした。 Next, as shown in FIG. 9C, an insulating film such as a SiN film, for example, is deposited on the entire surface of the silicon wafer 20 to a thickness of approximately 0.6 μm as the surface protective film 22 to thereby perform photolithographic technique and insulating film etching. Using a technique, a predetermined position of the surface protective film 22, that is, the surface protective film 22 above the pad electrode 21 is opened to expose the pad electrode 21 (surface protective film forming step). The size of the opening 27 of the surface protective film 22 was about 30 μm × 80 μm.

次いで、図９（ｄ）に示すように、シリコンウエハ２０全面に、金属薄膜（バリヤメタル）２３を所定の厚さに堆積する（金属薄膜形成工程）。この金属薄膜２３は、バンプ電極となるＡｕと、パッド電極２１の材料であるＡｌ、またはＡｌ合金との反応を阻止すると共に、電解メッキを行う際の所謂カレントフィルムの役割を果たすもので、下地金属とも称される。なお、この下地金属は、単層の金属薄膜でもかまわないが、上記のようなＡｕとＡｌまたはＡｌ合金との反応阻止性や、あるいはその他の観点から、通常は複数の金属の積層膜が用いられている。本実施の形態では、金属薄膜２３として下層にＴｉＷを約０．２μｍ、その上層にＡｕを０．２μｍを堆積させた。 Next, as shown in FIG. 9D, a metal thin film (barrier metal) 23 is deposited on the entire surface of the silicon wafer 20 to a predetermined thickness (metal thin film forming step). The metal thin film 23 serves as a so-called current film for electrolytic plating while preventing the reaction between Au as a bump electrode and Al or Al alloy as the material of the pad electrode 21. Also called metal. The underlying metal may be a single-layer metal thin film, but usually a laminated film of a plurality of metals is used from the viewpoint of preventing the reaction between Au and Al or Al alloy as described above, or other viewpoints. It has been. In the present embodiment, as the metal thin film 23, TiW is deposited to about 0.2 μm in the lower layer, and Au is deposited to 0.2 μm in the upper layer.

次いで、図９（ｅ）に示すように、シリコンウエハ２０全面にフォトレジスト２４を塗布し、フォトリソグラフ技術を用いて、シリコンウエハ２０上の所定の位置、すなわち表面保護膜２２の開口部２７上方のフォトレジスト２４を除去する（フォトレジスト形成工程）。 Next, as shown in FIG. 9E, a photoresist 24 is applied to the entire surface of the silicon wafer 20, and a predetermined position on the silicon wafer 20, that is, above the opening 27 of the surface protective film 22 is used by using a photolithography technique. The photoresist 24 is removed (photoresist formation step).

以上の工程により、次段のメッキ工程において被メッキ材となる半導体基板１が形成される。なお、シリコンウエハ２０上に残ったフォトレジスト２４はメッキ工程でのマスクの役目を果たし、メッキ金属はフォトレジスト２４の開口部２７に析出する。 Through the above steps, the semiconductor substrate 1 that is to be plated in the subsequent plating step is formed. The photoresist 24 remaining on the silicon wafer 20 serves as a mask in the plating process, and the plating metal is deposited in the opening 27 of the photoresist 24.

次に、上記半導体基板１に対して、前記した電解メッキ装置５０を用いて、Ａｕメッキによってバンプ電極を形成するメッキ工程について説明する。 Next, a plating process for forming bump electrodes on the semiconductor substrate 1 by Au plating using the electrolytic plating apparatus 50 will be described.

まず、上記半導体基板１のシリコンウエハ２０上に堆積させた金属薄膜２３の所定位置に、図１に示す電解メッキ装置５０のカソード電極１５を接続する。そして、図１に示すように、上記半導体基板１とアノード電極２とを略平行に対向させ、メッキ処理槽９に充填されたメッキ液４中に浸漬させる。この際、メッキ液４は循環ポンプ８によって循環している。 First, the cathode electrode 15 of the electrolytic plating apparatus 50 shown in FIG. 1 is connected to a predetermined position of the metal thin film 23 deposited on the silicon wafer 20 of the semiconductor substrate 1. Then, as shown in FIG. 1, the semiconductor substrate 1 and the anode electrode 2 face each other substantially in parallel and are immersed in the plating solution 4 filled in the plating treatment tank 9. At this time, the plating solution 4 is circulated by the circulation pump 8.

これに、半導体基板１とアノード電極２との間に電源６によって所定の電圧を印加することで、図９（ｆ）に示すようにメッキ金属を半導体基板１の所定の位置、すなわち、フォトレジスト２４の開口部２７に析出させる（メッキ工程）。 A predetermined voltage is applied between the semiconductor substrate 1 and the anode electrode 2 by the power source 6 to apply a plating metal to a predetermined position of the semiconductor substrate 1, that is, a photoresist as shown in FIG. It deposits in 24 opening part 27 (plating process).

半導体基板１とアノード電極２との間に印加する電圧は、半導体基板１の大きさやメッキ生成速度などから適宜設定すればよい。尚、本実施の形態では、上記メッキ工程にて析出するバンプ電極２５の高さ（すなわち、メッキ厚さ）は略１８μｍとし、バンプ電極２５の大きさは略５０μｍ×１００μｍとした。 What is necessary is just to set suitably the voltage applied between the semiconductor substrate 1 and the anode electrode 2 from the magnitude | size of the semiconductor substrate 1, a plating production | generation rate, etc. FIG. In the present embodiment, the height (namely, plating thickness) of the bump electrode 25 deposited in the plating step is about 18 μm, and the size of the bump electrode 25 is about 50 μm × 100 μm.

上記メッキ工程によるバンプ電極２５の形成が終了した半導体基板１は、図９（ｇ）に示すように、フォトレジスト２４が除去され、さらに、該バンプ電極２５自体をマスクとして不要な部分の金属薄膜２３が除去される。その後に所定の工程を経て半導体集積回路が完成する。 As shown in FIG. 9G, the semiconductor substrate 1 after the formation of the bump electrode 25 by the plating process has the photoresist 24 removed as shown in FIG. 9G, and an unnecessary portion of the metal thin film using the bump electrode 25 itself as a mask. 23 is removed. Thereafter, the semiconductor integrated circuit is completed through a predetermined process.

以上の工程により、半導体基板１に対して金（Ａｕ）メッキによるバンプ電極２５の形成が行なわれる。 Through the above steps, the bump electrode 25 is formed on the semiconductor substrate 1 by gold (Au) plating.

上述したように、本発明に係る電解メッキ装置５０は、メッキ処理槽９内のメッキ液４に、カソード電極１５に接続された半導体基板１とアノード電極２とを対向させて浸漬し、上記アノード電極２とカソード電極１５とを通電させることにより上記半導体基板１に電解メッキを行う電解メッキ装置であって、上記半導体基板１とアノード電極２との間に、上記半導体基板１の中央部と対向して設けられた貫通口３０を有する絶縁体から成り、上記アノード電極２から上記半導体基板１の外縁部に印加される電界を遮蔽する遮蔽板３を備えるとともに、上記アノード電極２と遮蔽板３とを、一体的に揺動させる揺動手段を備えている。このため、少ないメッキ液４の量で、半導体基板１に対して均一な膜厚のメッキを形成させることができる電解メッキ装置５０を提供することができる。 As described above, the electrolytic plating apparatus 50 according to the present invention is immersed in the plating solution 4 in the plating tank 9 so that the semiconductor substrate 1 and the anode electrode 2 connected to the cathode electrode 15 face each other, and the anode An electroplating apparatus for performing electroplating on the semiconductor substrate 1 by energizing an electrode 2 and a cathode electrode 15 between the semiconductor substrate 1 and the anode electrode 2 and facing a central portion of the semiconductor substrate 1. And a shielding plate 3 that shields an electric field applied to the outer edge of the semiconductor substrate 1 from the anode electrode 2, and includes the anode electrode 2 and the shielding plate 3. Are provided with swinging means for swinging together. Therefore, it is possible to provide an electrolytic plating apparatus 50 that can form a plating with a uniform film thickness on the semiconductor substrate 1 with a small amount of the plating solution 4.

また、本発明に係る電解メッキ方法は、メッキ処理槽９内のメッキ液４に、カソード電極１５に接続された半導体基板１とアノード電極２とを対向させて浸漬し、上記アノード電極２とカソード電極１５とを通電させることにより上記半導体基板１に電解メッキを行う電解メッキ方法であって、上記半導体基板１とアノード電極２との間に、上記半導体基板１の中央部と対向して設けられた貫通口３０を有する絶縁体から成り、上記アノード電極２から上記半導体基板１の外縁部に印加される電界を遮蔽する遮蔽板３を配置し、上記アノード電極２と遮蔽板３とを一体的に揺動させながら上記アノード電極２とカソード電極１５とを通電させる方法である。これにより、少ないメッキ液４の量で、半導体基板１に対して均一な膜厚のメッキを形成させることができる。 In addition, the electrolytic plating method according to the present invention immerses the semiconductor substrate 1 and the anode electrode 2 connected to the cathode electrode 15 in the plating solution 4 in the plating treatment tank 9 so as to face each other, and the anode electrode 2 and the cathode An electroplating method for performing electroplating on the semiconductor substrate 1 by energizing an electrode 15, which is provided between the semiconductor substrate 1 and the anode electrode 2 so as to face the central portion of the semiconductor substrate 1. A shielding plate 3 that is made of an insulator having a through-hole 30 and shields an electric field applied from the anode electrode 2 to the outer edge of the semiconductor substrate 1, and the anode electrode 2 and the shielding plate 3 are integrated with each other. This is a method in which the anode electrode 2 and the cathode electrode 15 are energized while being swung. Thereby, plating with a uniform film thickness can be formed on the semiconductor substrate 1 with a small amount of the plating solution 4.

尚、以上の説明においては、本発明の電解メッキ方法および電解メッキ装置を、金メッキによりバンプ電極を形成する半導体集積回路の製造に適用する場合を例示しているが、被メッキ材におけるメッキ厚の均一化を図ることは、被メッキ材の種類に関係なく、電解メッキおいて常に要求されることである。したがって、本発明の電解メッキ方法および電解メッキ装置は、半導体集積回路の製造への適用に限定されるものではなく、様々な材料に対する電解メッキ処理においても適用可能である。つまり、本実施の形態における被メッキ材はニッケル（Ｎｉ）や銅（Ｃｕ）などであってもよい。被メッキ材がニッケルや銅などであれば、本実施形態と略同様の効果が得られる。 In the above description, the case where the electrolytic plating method and the electrolytic plating apparatus of the present invention are applied to the manufacture of a semiconductor integrated circuit in which bump electrodes are formed by gold plating is exemplified. Uniformity is always required in electrolytic plating regardless of the type of material to be plated. Therefore, the electrolytic plating method and the electrolytic plating apparatus of the present invention are not limited to application to the manufacture of a semiconductor integrated circuit, and can be applied to electrolytic plating treatments for various materials. That is, the material to be plated in the present embodiment may be nickel (Ni), copper (Cu), or the like. If the material to be plated is nickel, copper, or the like, substantially the same effect as in the present embodiment can be obtained.

また、半導体集積回路の製造以外のメッキ処理へ本発明を適用する場合、被メッキ材の形状は半導体装置のウエハのように円形形状であるとは限らず、したがって遮蔽板３の貫通口３０の形状は円形以外の形状とする必要がある。例えば、図１０に示すように、被メッキ材１’の形状が矩形形状である場合、遮蔽板の貫通口３０’の形状を、被メッキ材１’よりも所定の長さＤだけ小さくなっている被メッキ材１’の相似形状とすればよい。つまり、遮蔽板の貫通口３０’の形状を、被メッキ材１’の形状と対応する辺との間の距離の全てがＤとなるようにすればよい。この場合、被メッキ材１’と遮蔽板の貫通口３０’との寸法差、すなわち（Ｌ_１−ｌ_１）および（Ｌ_２−ｌ_２）が３０〜９０ｍｍである時、被メッキ材１’に形成されるメッキの厚さが最も均一となる。 Further, when the present invention is applied to a plating process other than the manufacture of a semiconductor integrated circuit, the shape of the material to be plated is not necessarily a circular shape like a wafer of a semiconductor device. The shape must be a shape other than a circle. For example, as shown in FIG. 10, when the shape of the material to be plated 1 ′ is a rectangular shape, the shape of the through hole 30 ′ of the shielding plate is smaller than the material to be plated 1 ′ by a predetermined length D. What is necessary is just to make it the similar shape of the to-be-plated material 1 '. That is, the shape of the through hole 30 ′ of the shielding plate may be set such that the distance between the shape of the material to be plated 1 ′ and the corresponding side is D. In this case, when the dimensional difference between the material to be plated 1 ′ and the through hole 30 ′ of the shielding plate, that is, (L ₁ −l ₁ ) and (L ₂ −l ₂ ) is 30 to 90 mm, the material to be plated 1 ′. The thickness of the plating formed is the most uniform.

また、本発明における電解メッキ方法および電解メッキ装置において、メッキ金属の種類等は特に限定されるものではなく、金（Ａｕ）以外の金属を用いることも可能である。本実施の形態のように、金のような高価な金属をメッキさせる場合では、メッキにかかるコストを大幅に低減させることができるため、特に効果が大きい。 Moreover, in the electrolytic plating method and the electrolytic plating apparatus according to the present invention, the type of plating metal is not particularly limited, and a metal other than gold (Au) can be used. In the case where an expensive metal such as gold is plated as in the present embodiment, the cost for plating can be greatly reduced, so that the effect is particularly great.

尚、上述の説明では、メッキ処理槽９中のメッキ液４を循環させるため、循環ポンプ８が電解メッキ装置５０に備わっている場合について説明したが、これに限るものではない。循環ポンプ８を備えないで、アノード組品１６の揺動のみでメッキ液４を攪拌する構成であってもよい。このような場合であっても、本実施形態と略同様の効果が得られる。 In the above description, the case where the circulation pump 8 is provided in the electrolytic plating apparatus 50 to circulate the plating solution 4 in the plating treatment tank 9 has been described. However, the present invention is not limited to this. The configuration may be such that the plating solution 4 is stirred only by the swing of the anode assembly 16 without the circulation pump 8 being provided. Even in such a case, substantially the same effect as the present embodiment can be obtained.

ただし、本実施形態のように、循環ポンプ８を備えている場合は、被メッキ液近傍のメッキ液をより効率よく攪拌することができるため、特に効果が大きい。 However, when the circulation pump 8 is provided as in the present embodiment, the plating solution in the vicinity of the solution to be plated can be stirred more efficiently, so that the effect is particularly great.

尚、本実施の形態では、配管１２からメッキ処理槽９にメッキ液４を流入させるための供給口（メッキ液供給口）１２ａを、メッキ処理槽９底部に設けた構成について説明したが、上記供給口１２ａの形成位置は、これにのみ限定されるものではない。例えば、上記供給口１２ａは、メッキ処理槽９の側壁に設けられていてもよく、メッキ処理槽９の上方からメッキ液４を供給し、メッキ処理槽９の下部、例えば底部（底壁９ａ）から、配管１２を介して、一旦、別のフロー槽を介して、もしくは、直接、温調槽１１にメッキ液４が排出される構成を有していてもかまわない。但し、半導体基板１の近傍のメッキ液４を均一にする観点から、上記供給口１２ａは、メッキ液４の液流方向において半導体基板１よりも下流側、つまり本実施の形態では半導体基板１よりも下方に設けることがより好ましい。 In the present embodiment, the configuration in which the supply port (plating solution supply port) 12a for allowing the plating solution 4 to flow from the pipe 12 to the plating treatment tank 9 is provided at the bottom of the plating treatment tank 9 has been described. The formation position of the supply port 12a is not limited to this. For example, the supply port 12a may be provided on the side wall of the plating tank 9, and supplies the plating solution 4 from above the plating tank 9, so that the lower part of the plating tank 9, for example, the bottom (bottom wall 9a). The plating solution 4 may be discharged to the temperature control tank 11 once through the pipe 12 through another flow tank or directly. However, from the viewpoint of making the plating solution 4 in the vicinity of the semiconductor substrate 1 uniform, the supply port 12a is downstream of the semiconductor substrate 1 in the flow direction of the plating solution 4, that is, from the semiconductor substrate 1 in this embodiment. Is also preferably provided below.

また、何れの場合においても、上記供給口１２ａは、半導体基板１の近傍のメッキ液４をより均一にする観点から、半導体基板１とアノード組品１６との間（半導体基板１とアノード組品１６との間に面する位置）に設けられることが好ましい。これにより、メッキ処理槽９に流入したメッキ液４により、半導体基板１近傍のメッキ液４が効率よく置換され、さらには、アノード組品１６によって半導体基板１近傍のメッキ液４が効率よく攪拌される。また、上記メッキ処理槽９内におけるメッキ液４全体を均一に置換するためには、上記供給口１２ａは、メッキ処理槽９の底壁９ａの中心付近に設けられていることがより好ましい。 In any case, the supply port 12a is provided between the semiconductor substrate 1 and the anode assembly 16 (the semiconductor substrate 1 and the anode assembly) from the viewpoint of making the plating solution 4 near the semiconductor substrate 1 more uniform. 16 is preferably provided at a position facing to 16). Thereby, the plating solution 4 in the vicinity of the semiconductor substrate 1 is efficiently replaced by the plating solution 4 flowing into the plating treatment tank 9, and further, the plating solution 4 in the vicinity of the semiconductor substrate 1 is efficiently stirred by the anode assembly 16. The In order to uniformly replace the entire plating solution 4 in the plating treatment tank 9, the supply port 12 a is more preferably provided near the center of the bottom wall 9 a of the plating treatment tank 9.

また、本実施の形態では、上記オーバーフロー槽１０からメッキ液４を排出し、温調槽１１にメッキ液４を送液するための排出口１２ｂを、上記オーバーフロー槽１０の底壁１０ａに設けた構成について説明したが、上記排出口１２ｂの形成位置もまた、上記オーバーフロー槽１０の底壁１０ａにのみ限定されるものではなく、例えば、上記オーバーフロー槽１０側壁であってもよく、上記循環を妨げない範囲内で、種々の変更が可能である。 Further, in the present embodiment, a discharge port 12 b for discharging the plating solution 4 from the overflow tank 10 and feeding the plating solution 4 to the temperature control tank 11 is provided in the bottom wall 10 a of the overflow tank 10. Although the configuration has been described, the formation position of the discharge port 12b is not limited to only the bottom wall 10a of the overflow tank 10, and may be, for example, the side wall of the overflow tank 10 to prevent the circulation. Various modifications can be made without departing from the scope.

また、本実施の形態では、上記遮蔽板３が、上記アノード電極２に、上記アノード電極２における上記半導体基板１との対向面に隣接して積層されている構成について例示したが、本発明は、これに限定されるものではなく、上記アノード電極２と遮蔽板３とは、互いに一体的に揺動可能であればよい。具体的には、上記アノード電極２と遮蔽板３とは、互いに離間して設けられており、１つもしくは独立した２つの揺動手段によって、互いに一体的に揺動される構成であってもよく、上記アノード電極２と遮蔽板３とは結合手段により、互いに離間した状態で結合されている構成を有していてもよく、上記アノード電極２と遮蔽板３とが、他の層（他の機能層）を介して互いに積層されている構成を有していてもかまわない。 In the present embodiment, the shielding plate 3 is illustrated as being laminated on the anode electrode 2 adjacent to the surface of the anode electrode 2 facing the semiconductor substrate 1. However, the present invention is not limited to this, and the anode electrode 2 and the shielding plate 3 need only be able to swing together. Specifically, the anode electrode 2 and the shielding plate 3 are provided so as to be separated from each other, and can be integrally rocked by one or two independent rocking means. The anode electrode 2 and the shielding plate 3 may have a configuration in which the anode electrode 2 and the shielding plate 3 are coupled to each other by a coupling means in a state of being separated from each other. (The functional layer) may be laminated on each other.

さらに、本実施の形態では、上記アノード組品１６が、半導体基板１におけるアノード電極２と対向する面と平行の方向に揺動する場合を例に挙げて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、上記アノード組品１６が、上記半導体基板１との対面方向に揺動するものであってもかまわない。例えば、前記したように、上記アノード電極２と半導体基板１との間の距離が、好ましくは１０ｍｍ〜５０ｍｍとなる範囲内で上記アノード組品１６が、上記半導体基板１との対面方向に移動（揺動）するものであってもかまわない。但し、上記アノード組品１６を、上記半導体基板１と平行に揺動させることで、上記アノード電極と被メッキ材との間の距離を一定に保ったまま上記被メッキ材近傍のメッキ液を攪拌することができ、この結果、上記アノード電極と被メッキ材との間の電界を容易に制御することができるとともに、被メッキ材表面に形成されるメッキの膜厚の制御が容易となることから、上記アノード組品１６は、半導体基板１におけるアノード電極２と対向する面と平行の方向に揺動させることが、より好ましい。 Further, in the present embodiment, the case where the anode assembly 16 swings in a direction parallel to the surface of the semiconductor substrate 1 facing the anode electrode 2 has been described as an example. The anode assembly 16 may be one that swings in the direction facing the semiconductor substrate 1 without being limited thereto. For example, as described above, the anode assembly 16 moves in the direction facing the semiconductor substrate 1 within a range in which the distance between the anode electrode 2 and the semiconductor substrate 1 is preferably 10 mm to 50 mm ( It does not matter if it swings. However, by shaking the anode assembly 16 in parallel with the semiconductor substrate 1, the plating solution in the vicinity of the material to be plated is agitated while keeping the distance between the anode electrode and the material to be plated constant. As a result, the electric field between the anode electrode and the material to be plated can be easily controlled, and the film thickness of the plating formed on the surface of the material to be plated can be easily controlled. More preferably, the anode assembly 16 is swung in a direction parallel to the surface of the semiconductor substrate 1 facing the anode electrode 2.

また、本実施の形態では、上記アノード組品１６が、半導体基板１におけるアノード電極２と対向する面と平行の方向に揺動する場合に、上記アノード組品１６を、メッキ液４の液流方向と平行の方向（図３中、上下方向）、もしくは、メッキ液４の液流方向と直交する方向（図３中、左右上下方向）の何れかの方向に揺動する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、上記した両方向に揺動するものであってもよい。すなわち、上記アノード組品１６は、上記したように上下方向もしくは左右方向への直線的な往復運動ではなく、半導体基板１におけるアノード電極２と対向する面と平行な面内で上下左右に揺動（円運動）するものであってもかまわない。また、勿論、上記遮蔽板３が上記半導体基板１と対面した状態で、好ましくは上記アノード電極２と半導体基板１との間の距離が１０ｍｍ〜５０ｍｍとなる範囲内で、上記アノード組品１６が、上記半導体基板１との対面方向並びに半導体基板１におけるアノード電極２と対向する面と平行の方向に揺動するものであってもかまわない。 Further, in the present embodiment, when the anode assembly 16 swings in a direction parallel to the surface of the semiconductor substrate 1 facing the anode electrode 2, the anode assembly 16 is used as a liquid flow of the plating solution 4. As an example, it swings in a direction parallel to the direction (vertical direction in FIG. 3) or in a direction perpendicular to the liquid flow direction of the plating solution 4 (left and right vertical direction in FIG. 3). However, the present invention is not limited to this, and may swing in both directions described above. That is, the anode assembly 16 is not vertically reciprocated in the vertical direction or the horizontal direction as described above, but swings vertically and horizontally in a plane parallel to the surface facing the anode electrode 2 in the semiconductor substrate 1. It does not matter if it is a (round motion). Of course, in the state where the shielding plate 3 faces the semiconductor substrate 1, the anode assembly 16 is preferably within a range where the distance between the anode electrode 2 and the semiconductor substrate 1 is 10 mm to 50 mm. The substrate may swing in the direction facing the semiconductor substrate 1 and in the direction parallel to the surface of the semiconductor substrate 1 facing the anode electrode 2.

また、本実施の形態では、上記揺動手段として、偏芯カム（カム構造）を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。上記揺動手段としては、上記アノード組品１６、つまり、上記アノード電極２および遮蔽板３を、一体的に、少なくとも往復移動させることができさえすればよく、例えば、上記偏芯カムに代えて、油圧ポンプなどの駆動手段を使用することもできる。 In the present embodiment, an eccentric cam (cam structure) has been described as an example of the swinging means, but the present invention is not limited to this. As the swinging means, it is sufficient that the anode assembly 16, that is, the anode electrode 2 and the shielding plate 3, can be integrally moved at least in a reciprocating manner. For example, instead of the eccentric cam, A driving means such as a hydraulic pump can also be used.

また、本発明に係る電解メッキ装置は、メッキ液を下方から上方に循環させながら温度管理とフィルトレーション（異物除去）とを行う電解メッキ装置であり、メッキ液中にカソード組品（ウエハ）を浸漬すると共に、カソード組品から所定距離離間してカソード組品と平行にカソード組品よりわずかに大きな面状のアノード電極を浸漬して設置し、さらにカソード組品とアノード電極との間に、絶縁体からなる遮蔽板をアノード電極と平行に浸漬して設置し、上記アノード電極と遮蔽板との組品（アノード組品）を電解メッキ液中でカソード組品と平行方向に移動しながらカソード組品とアノード電極との間に通電することによってウエハ表面にメッキを行なう構成のものであってもよい。また、上記電解メッキ装置において、上記カソード組品とアノード組品との距離が１０〜５０ｍｍと近接し、アノード組品が揺動する構成であることが好ましい。また、上記電解メッキ装置において、上記アノード組品はカソード組品よりわずかに小さい貫通口を有し、絶縁体からなる遮蔽板には攪拌と電界制御とを目的とした突起が設けられていることが好ましい。また、上記電解メッキ装置において、上記突起は、板状であり、メッキ液の流れ方向と平行に設けられていることが好ましい。また、上記突起は、カソード組品にメッキ液を送ることを目的として、カソード組品側が細く、アノード電極側が太い、台形もしくは三角形の形状に設けられていることが好ましい。また、上記電解メッキ装置において、上記突起は、レイノルズ数を低く抑え、メッキ液を安定供給するために、突起における突起の高さはアノード組品とカソード組品との距離の１／２以上の高さを有することが好ましい。また、上記電解メッキ装置において、上記アノード組品の移動距離は上記台形形状の突起の底辺の長さよりも大きいことが好ましい。更には、本発明の電解メッキ方法は、上記電解メッキ装置を用いる方法であってもよい。 The electrolytic plating apparatus according to the present invention is an electrolytic plating apparatus that performs temperature management and filtration (foreign matter removal) while circulating a plating solution from below to above, and a cathode assembly (wafer) in the plating solution. In addition, a planar anode electrode slightly larger than the cathode assembly is immersed in parallel with the cathode assembly at a predetermined distance from the cathode assembly, and is further installed between the cathode assembly and the anode electrode. The insulating plate is immersed in parallel with the anode electrode and the assembly of the anode electrode and the shielding plate (anode assembly) is moved in the electrolytic plating solution in a direction parallel to the cathode assembly. A structure in which the wafer surface is plated by energizing between the cathode assembly and the anode electrode may be used. In the electrolytic plating apparatus, it is preferable that the distance between the cathode assembly and the anode assembly is as close as 10 to 50 mm, and the anode assembly swings. In the electrolytic plating apparatus, the anode assembly has a slightly smaller through hole than the cathode assembly, and the insulating shielding plate is provided with protrusions for stirring and electric field control. Is preferred. In the electrolytic plating apparatus, it is preferable that the protrusion has a plate shape and is provided in parallel with the flow direction of the plating solution. The protrusions are preferably provided in a trapezoidal or triangular shape that is thin on the cathode assembly side and thick on the anode electrode side for the purpose of sending the plating solution to the cathode assembly. In the electrolytic plating apparatus, the protrusion has a Reynolds number that is low, and in order to stably supply the plating solution, the protrusion height of the protrusion is ½ or more of the distance between the anode assembly and the cathode assembly. It is preferable to have a height. In the electrolytic plating apparatus, the moving distance of the anode assembly is preferably greater than the length of the bottom side of the trapezoidal protrusion. Furthermore, the electrolytic plating method of the present invention may be a method using the above electrolytic plating apparatus.

尚、上述の実施形態で示した電解メッキ装置５０における各々の具体的数値は一例であり、本発明はその値に限定されない。 In addition, each specific numerical value in the electroplating apparatus 50 shown by the above-mentioned embodiment is an example, and this invention is not limited to the value.

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the claims. That is, embodiments obtained by combining technical means appropriately changed within the scope of the claims are also included in the technical scope of the present invention.

本発明の電解メッキ装置は、アノード電極から被メッキ材の外縁部に印加される電界を遮蔽する遮蔽板を備えるとともに、アノード電極と遮蔽板とを、一体的に揺動させる揺動手段を備えている。このため、より少ないメッキ液の使用量で、被メッキ材に対して均一な膜厚のメッキを形成させることができる電解メッキ装置を提供することができる。従って、本発明の電解メッキ装置は、半導体集積回路の製造におけるバンプ電極形成などの電解メッキが行われる工業製品の製造などに好適に用いることができる。 The electrolytic plating apparatus of the present invention includes a shielding plate that shields an electric field applied from the anode electrode to the outer edge portion of the material to be plated, and a swinging means that swings the anode electrode and the shielding plate integrally. ing. For this reason, the electrolytic plating apparatus which can form the plating of a uniform film thickness with respect to a to-be-plated material can be provided with the usage-amount of a smaller plating liquid. Therefore, the electrolytic plating apparatus of the present invention can be suitably used for manufacturing industrial products in which electrolytic plating such as bump electrode formation in the manufacture of semiconductor integrated circuits is performed.

本発明の実施形態に係る電解メッキ装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the electroplating apparatus which concerns on embodiment of this invention. 図１に示す電解メッキ装置におけるＢ−Ｂ’線矢視断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line B-B ′ in the electrolytic plating apparatus shown in FIG. 1. 図２に示すアノード組品における半導体基板との対向面の概略構成を示す正面図である。It is a front view which shows schematic structure of the opposing surface with the semiconductor substrate in the anode assembly shown in FIG. 図３に示すアノード組品の概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic structure of the anode assembly shown in FIG. 図３および図４に示すアノード組品における遮蔽板表面に設けられる突起の形状例を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a shape example of a protrusion provided on the surface of the shielding plate in the anode assembly shown in FIGS. 3 and 4. 上記電解メッキ装置を上方から見たときの概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure when the said electroplating apparatus is seen from upper direction. 上記電解メッキ装置における揺動手段の動作を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating operation | movement of the rocking | swiveling means in the said electrolytic plating apparatus. アノード電極２と半導体基板１との間の電界分布を説明するための図１におけるＢ−Ｂ’線矢視断面図であり、（ａ）は突起５を有しない構成である場合を示し、（ｂ）は突起５を有する構成の場合を示す。FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 1 for explaining the electric field distribution between the anode electrode 2 and the semiconductor substrate 1, and FIG. b) shows the case of a configuration having protrusions 5. シリコンウエハにバンプ電極を形成する工程をシリコンウエハの断面にて示す図である。It is a figure which shows the process of forming a bump electrode in a silicon wafer in the section of a silicon wafer. 被メッキ材の形状が短形形状である場合における被メッキ材と遮蔽板の貫通口との関係を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the relationship between the to-be-plated material and the through-hole of a shielding board in case the shape of to-be-plated material is a short shape. 従来の電解メッキ装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the conventional electrolytic plating apparatus. 従来の他の電解メッキ装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the other conventional electrolytic plating apparatus. 図１２に示す従来の他の電解メッキ装置におけるＡ−Ａ’線矢視断面図である。It is A-A 'arrow sectional drawing in the other conventional electroplating apparatus shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１半導体基板（被メッキ材）
２アノード電極
３遮蔽板
４メッキ液
５突起
９メッキ処理槽
１２配管
１２ａ供給口（メッキ液供給口）
１５カソード電極
１６アノード組品
３０貫通口
４０揺動手段
５０電解メッキ装置
ｄ遮蔽板と被メッキ材と間の距離
ｗ遮蔽板が揺動する方向における突起の幅
ｈ突起の高さ
ｘ隣接する突起間の幅 1 Semiconductor substrate (material to be plated)
2 Anode electrode 3 Shielding plate 4 Plating solution 5 Projection 9 Plating tank 12 Piping 12a Supply port (Plating solution supply port)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 15 Cathode electrode 16 Anode assembly 30 Through-hole 40 Oscillating means 50 Electrolytic plating apparatus d Distance between shielding plate and material to be plated w Width of projection in direction of shielding plate oscillating h Height of projection x Adjacent projection Width between

Claims

メッキ処理槽内のメッキ液に、カソード電極に接続された被メッキ材とアノード電極とを対向させて浸漬し、上記アノード電極とカソード電極とを通電させることにより上記被メッキ材に電解メッキを行う電解メッキ装置であって、
上記被メッキ材とアノード電極との間に、上記被メッキ材の中央部と対向して設けられた貫通口を有する絶縁体から成り、上記アノード電極から上記被メッキ材の外縁部に印加される電界を遮蔽する遮蔽板を備えるとともに、
上記アノード電極と遮蔽板とを一体的に揺動させる揺動手段を備えていることを特徴とする電解メッキ装置。 Electroplating is performed on the material to be plated by immersing the material to be plated connected to the cathode electrode and the anode electrode in the plating solution in the plating tank facing each other and energizing the anode electrode and the cathode electrode. An electroplating apparatus,
It consists of an insulator having a through-hole provided between the material to be plated and the anode electrode so as to face the central portion of the material to be plated, and is applied from the anode electrode to the outer edge portion of the material to be plated. With a shielding plate that shields the electric field,
An electrolytic plating apparatus comprising swing means for swinging the anode electrode and the shielding plate integrally.

上記揺動手段は、上記アノード電極と遮蔽板とを、上記被メッキ材と平行に揺動させることを特徴とする請求項１に記載の電解メッキ装置。 2. The electroplating apparatus according to claim 1, wherein the swinging means swings the anode electrode and the shielding plate in parallel with the material to be plated.

上記メッキ処理槽に、上記メッキ処理槽内のメッキ液を循環させるための配管が設けられているとともに、上記配管から上記メッキ処理槽内にメッキ液を供給するメッキ液供給口が、上記被メッキ材と遮蔽板との間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電解メッキ装置。 The plating tank is provided with a pipe for circulating the plating liquid in the plating tank, and a plating liquid supply port for supplying the plating liquid from the pipe into the plating tank is the plating target. The electroplating apparatus according to claim 1, wherein the electroplating apparatus is provided between the material and the shielding plate.

上記揺動手段は、上記アノード電極と遮蔽板とを、上記被メッキ材と平行かつ上記メッキ液の液流方向と直交する方向に揺動させることを特徴とする請求項３に記載の電解メッキ装置。 4. The electrolytic plating according to claim 3, wherein the swinging means swings the anode electrode and the shielding plate in a direction parallel to the material to be plated and perpendicular to the liquid flow direction of the plating solution. apparatus.

上記遮蔽板は、上記アノード電極における上記被メッキ材との対向面に、上記アノード電極と一体的に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電解メッキ装置。 2. The electrolytic plating apparatus according to claim 1, wherein the shielding plate is formed integrally with the anode electrode on a surface of the anode electrode facing the material to be plated.

上記アノード電極は、上記アノード電極と被メッキ材との間の距離が１０〜５０ｍｍの範囲内となるように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電解メッキ装置。 2. The electroplating apparatus according to claim 1, wherein the anode electrode is provided so that a distance between the anode electrode and a material to be plated is within a range of 10 to 50 mm.

上記遮蔽板における上記被メッキ材との対向面に突起が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電解メッキ装置。 The electrolytic plating apparatus according to claim 1, wherein a protrusion is provided on a surface of the shielding plate facing the material to be plated.

上記メッキ処理槽に、上記メッキ処理槽内のメッキ液を循環させるための配管が設けられているとともに、上記配管から上記メッキ処理槽内にメッキ液を供給するメッキ液供給口が、上記被メッキ材と遮蔽板との間に設けられており、
上記突起は、上記メッキ液供給口から供給されたメッキ液の液流方向と平行に延設された板状の突起であることを特徴とする請求項７に記載の電解メッキ装置。 The plating tank is provided with a pipe for circulating the plating liquid in the plating tank, and a plating liquid supply port for supplying the plating liquid from the pipe into the plating tank is the plating target. Provided between the material and the shielding plate,
8. The electrolytic plating apparatus according to claim 7, wherein the protrusion is a plate-like protrusion extending in parallel with the flow direction of the plating solution supplied from the plating solution supply port.

上記揺動手段は、上記アノード電極と遮蔽板とを、上記被メッキ材と平行に揺動させるとともに、
上記突起の先端部における上記遮蔽板の揺動方向の幅は、上記突起の底面における上記遮蔽板の揺動方向の幅よりも小さいことを特徴とする請求項７に記載の電解メッキ装置。 The swinging means swings the anode electrode and the shielding plate in parallel with the material to be plated,
The electroplating apparatus according to claim 7, wherein a width of the shielding plate in the swinging direction at a tip portion of the protrusion is smaller than a width of the shielding plate in the swinging direction at the bottom surface of the protrusion.

上記遮蔽板の揺動方向における上記突起の断面の形状が、三角形状または台形状であることを特徴とする請求項９に記載の電解メッキ装置。 The electrolytic plating apparatus according to claim 9, wherein a shape of a cross section of the protrusion in a swinging direction of the shielding plate is a triangle shape or a trapezoidal shape.

上記揺動手段は、上記アノード電極と遮蔽板とを、上記被メッキ材と平行に揺動させるとともに、
上記突起の高さは、上記被メッキ材と遮蔽板との間の距離の１／２以上であり、上記被メッキ材と遮蔽板との間の距離より１ｍｍ短い距離以下の範囲内であることを特徴とする請求項７に記載の電解メッキ装置。 The swinging means swings the anode electrode and the shielding plate in parallel with the material to be plated,
The height of the protrusion is at least ½ of the distance between the material to be plated and the shielding plate, and within a range of 1 mm or less shorter than the distance between the material to be plated and the shielding plate. The electroplating apparatus according to claim 7.

上記揺動手段は、上記アノード電極と遮蔽板とを、上記被メッキ材と平行に揺動させるとともに、上記遮蔽板が揺動する距離の幅は、上記突起の底面における上記遮蔽板の揺動方向の幅以上であり、隣接する突起間の幅以下であることを特徴とする請求項７に記載の電解メッキ装置。 The swing means swings the anode electrode and the shielding plate in parallel with the material to be plated, and the width of the distance by which the shielding plate swings is the swing of the shielding plate on the bottom surface of the protrusion. The electroplating apparatus according to claim 7, wherein the electroplating apparatus has a width greater than or equal to a direction and less than or equal to a width between adjacent protrusions.

上記メッキ処理槽に、上記メッキ処理槽内のメッキ液を循環させるための配管が設けられているとともに、上記配管から上記メッキ処理槽内にメッキ液を供給するメッキ液供給口が、上記被メッキ材と遮蔽板との間に設けられており、
上記揺動手段は、上記アノード電極と遮蔽板とを、上記被メッキ材と平行かつ上記メッキ液の液流方向と直交する方向に揺動させることを特徴とする請求項７に記載の電解メッキ装置。 The plating tank is provided with a pipe for circulating the plating liquid in the plating tank, and a plating liquid supply port for supplying the plating liquid from the pipe into the plating tank is the plating target. Provided between the material and the shielding plate,
8. The electrolytic plating according to claim 7, wherein the swinging means swings the anode electrode and the shielding plate in a direction parallel to the material to be plated and perpendicular to the liquid flow direction of the plating solution. apparatus.

上記被メッキ材が半導体基板であることを特徴とする請求項１に記載の電解メッキ装置。 2. The electrolytic plating apparatus according to claim 1, wherein the material to be plated is a semiconductor substrate.

メッキ処理槽内のメッキ液に、カソード電極に接続された被メッキ材とアノード電極とを対向させて浸漬し、上記アノード電極とカソード電極とを通電させることにより上記被メッキ材に電解メッキを行う電解メッキ方法であって、
上記被メッキ材とアノード電極との間に、上記被メッキ材の中央部と対向して設けられた貫通口を有する絶縁体から成り、上記アノード電極から上記被メッキ材の外縁部に印加される電界を遮蔽する遮蔽板を配置し、上記アノード電極と遮蔽板とを一体的に揺動させながら上記アノード電極とカソード電極とを通電させることを特徴とする電解メッキ方法。 Electroplating is performed on the material to be plated by immersing the material to be plated connected to the cathode electrode and the anode electrode in the plating solution in the plating tank facing each other and energizing the anode electrode and the cathode electrode. An electrolytic plating method,
It consists of an insulator having a through-hole provided between the material to be plated and the anode electrode so as to face the central portion of the material to be plated, and is applied from the anode electrode to the outer edge portion of the material to be plated. An electrolytic plating method comprising: arranging a shielding plate that shields an electric field, and energizing the anode electrode and the cathode electrode while integrally swinging the anode electrode and the shielding plate.

上記アノード電極と遮蔽板とを上記被メッキ材と平行に揺動させながら上記アノード電極とカソード電極とを通電させることを特徴とする請求項１５に記載の電解メッキ方法。 16. The electrolytic plating method according to claim 15, wherein the anode electrode and the cathode electrode are energized while the anode electrode and the shielding plate are swung in parallel with the material to be plated.

上記メッキ処理槽内のメッキ液を循環させて上記被メッキ材と遮蔽板との間に供給しながら上記電解メッキを行うことを特徴とする請求項１５に記載の電解メッキ方法。 16. The electrolytic plating method according to claim 15, wherein the electrolytic plating is performed while circulating a plating solution in the plating tank and supplying the plating solution between the material to be plated and the shielding plate.

上記アノード電極と遮蔽板とを上記被メッキ材と平行かつ上記メッキ液の液流方向と直交する方向に揺動させながら上記アノード電極とカソード電極とを通電させることを特徴とする請求項１７に記載の電解メッキ方法。 18. The anode electrode and the cathode electrode are energized while the anode electrode and the shielding plate are swung in a direction parallel to the material to be plated and perpendicular to the liquid flow direction of the plating solution. The electrolytic plating method described.

上記遮蔽板として、上記被メッキ材との対向面に突起が設けられている遮蔽板を使用することを特徴とする請求項１５に記載の電解メッキ方法。 16. The electrolytic plating method according to claim 15, wherein the shielding plate is a shielding plate provided with a protrusion on a surface facing the material to be plated.