JP2007172815A - 耐食性を改善する極薄核生成膜を備えた垂直磁気記録ディスク及び同ディスクの製造方法 - Google Patents
耐食性を改善する極薄核生成膜を備えた垂直磁気記録ディスク及び同ディスクの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】軟磁性下地層SULと垂直記録層RLとの間の中間層ILを低スパッタ圧で形成すると、RLの凹凸を低減してディスクの耐食性を改善することができる。しかしながら、低スパッタ圧でILを形成すると、ディスクの保磁力が大きく低下するため記録性能が低下する。
【解決手段】垂直磁気記録ディスクは、酸化物を添加された粒状コバルト合金記録層RLと、軟磁性下地層SUL上に形成された交換ブレーク層としての中間層IL、およびILとRLの間に形成された極薄核生成膜（NF: Nucleation film）を有する。同ディスクの作製においては、ILを従来に比べてかなり低スパッタ圧で堆積させ、それによってRLとその上のオーバーコートOCの凹凸度を低減する。NFとRLは、かなり高いスパッタ圧で堆積させる。その結果、良好な記録特性を有し、改善された耐食性を有するディスクが得られる。
【選択図】図５
【解決手段】垂直磁気記録ディスクは、酸化物を添加された粒状コバルト合金記録層RLと、軟磁性下地層SUL上に形成された交換ブレーク層としての中間層IL、およびILとRLの間に形成された極薄核生成膜（NF: Nucleation film）を有する。同ディスクの作製においては、ILを従来に比べてかなり低スパッタ圧で堆積させ、それによってRLとその上のオーバーコートOCの凹凸度を低減する。NFとRLは、かなり高いスパッタ圧で堆積させる。その結果、良好な記録特性を有し、改善された耐食性を有するディスクが得られる。
【選択図】図５
Description
本発明は、広くは垂直磁気記録媒体、特に垂直磁気記録層を有した磁気記録ハードディスク装置用ディスクに関する。
記録ビットが記録層の垂直すなわち面外方向に記憶される垂直磁気記録は、超高記録密度磁気記録ハードディスク装置への有望な道である。一般的な垂直磁気記録システムとしては、「２層」媒体を使用するものが挙げられる。単磁極型記録ヘッドを備えたこの方式のシステムを図１に示した。２層媒体は、垂直記録層 (RL: perpendicular recording layer)と、同層がその上に形成された「ソフト」すなわち比較的低保磁力の軟磁性下地層（SUL: soft underlayer）を有する。SULは、記録ヘッドの書き込み磁極からリターン磁極までの領域において、磁束帰還路として働く。RLは図１において、垂直に記録すなわち磁化された領域を有し、隣接する磁化領域は矢印で示したように互いに逆方向に磁化されている。逆方向に磁化されている隣接領域間の磁気遷移は、再生素子すなわちヘッドによって記録ビットとして検出することができる。
図２は、従来の垂直磁気記録ディスクの模式断面図で、記録磁界HWが記録層 RLに作用している。同ディスクはさらに、ハード ディスク基板, SULを成長させるためのシード層すなわちオンセット層(OL: onset layer)、SULとRLの間の中間層(IL: intermediate laser)、および、保護オーバーコート(OC: overcoat)を有する。ILは非磁性の多層構造で、交換ブレーク層(EBL: exchange break layer)とも呼ばれ、透磁膜であるSULとRLの間の磁気交換結合を弱め、また、RLのエピタキシャル成長を容易にする。図２には示されていないが、SULの上には一般に、ILの成長を容易にするためにシード層が直接蒸着されている。RLは、図２に示されているように、「見かけ上の」記録ヘッド(ARH: apparent recording head)のギャップ内に位置し、水平すなわち面内記録と比べてかなり大きい記録磁界を見込んでいる。ARHは、ディスク上の実際の記録ヘッド(RWH: real write head)である書き込み磁極(図１)と、RLの下にある実効的副記録磁極(SWP: secondary write pole)からなる。SWPは、SULによって支援される。SULは、ILによってRLから分離されており、記録処理時にその高透磁性によりRWHの磁気ミラーイメージを生成する。その結果、RLは実効的にARHのギャップ内に存在することになり、RL内部に大きな記録磁界HWが見込まれる。
RLの材料としては、CoPtCr合金など、ｃ軸がほぼRLの面外方向すなわち垂直方向に配向した六方細密(hcp: hexagonal-close-packed)結晶構造を有する粒状強磁性コバルト合金がある。高保磁力(HC)媒体を生成するためには、また、高固有ノイズの原因となる粒間交換結合を低減するためには、粒状コバルト合金RLは、良好に分離された微細粒子構造を有するべきである。コバルト合金RL内の粒子分離は、SiやTa, Ti,
Nbの酸化物を添加することによって強化できる。これらの酸化物は粒界に沈澱し、コバルト合金の成分と非磁性粒界物質を形成する性質がある。SiO2が添加されたCoPtCr粒状合金のRLを有した垂直磁気記録媒体について、非特許文献１に記載されている。Ta2O5が添加されたCoPt粒状合金RLを有した垂直磁気記録媒体が、非特許文献２に記載されている。
Nbの酸化物を添加することによって強化できる。これらの酸化物は粒界に沈澱し、コバルト合金の成分と非磁性粒界物質を形成する性質がある。SiO2が添加されたCoPtCr粒状合金のRLを有した垂直磁気記録媒体について、非特許文献１に記載されている。Ta2O5が添加されたCoPt粒状合金RLを有した垂直磁気記録媒体が、非特許文献２に記載されている。
H. Uwazumi, et al.,"CoPtCr-SiO2 Granular Media for High-Density Perpendicular Recording"，IEEE Transactions on Magnetics, Vol. 39, No. 4, July 2003, pp. 1914-1918
T. Chiba et al., "Structure and magnetic properties of Co-Pt-alloy Ta2O5 film for perpendicular magnetic recording media", Journal of Magnetism and Magnetic Materials, Vol. 287, February 2005, pp. 167-171
コバルト合金RLは、蒸着時にそのhcp結晶構造のｃ軸の成長が層平面にほぼ垂直方向に促進される結果、ほぼ面外方向すなわち垂直方向の磁気異方性を有する。RLのhcp成長を促進するために、RLをその上に形成するILもhcp材料で形成する。ルテニウム(Ru)やRuCrなどの特定のRu合金が非磁性hcp材料としてILに使用される。
酸化物の添加によってRL内の磁性粒子の偏析を強化することは、面密度と記録性能を高めるために重要である。この粒間物質により、粒間交換結合が低減されるだけでなく、RL内の磁性粒子のサイズと分布が制御される。現在のディスク製造方法では、この偏析RLは、粒子が柱状成長したILの上にRLを成長させることによって得ている。ILの柱状成長は、比較的高スパッタ圧でのスパッタ成膜によって得る。しかしながら、こうしたILの上にRLを成長させると、かなり凸凹が大きく不規則なRLとなり、その結果、OCによる保護も物理的に不完全なものとなる。不完全なOC保護、RLの凸凹、およびILの柱状成長により、水と腐食性物質が比較的容易にこれらの層を通り抜けてSULと作用する。低スパッタ圧でILを形成すれば、RLの凹凸を低減してディスクの耐食性を改善することができる。しかしながら、低スパッタ圧でILを形成すると、そのディスクの保磁力が大きく低下するため記録性能が低下する。
求められている垂直磁気記録媒体は、酸化物を添加した粒状コバルト合金RLを有し、記録性能を犠牲にすることなく良好な耐食性を実現した垂直磁気記録媒体である。
求められている垂直磁気記録媒体は、酸化物を添加した粒状コバルト合金RLを有し、記録性能を犠牲にすることなく良好な耐食性を実現した垂直磁気記録媒体である。
本発明は、酸化物を添加された粒状コバルト合金記録層（RL）と、SUL上に形成された交換ブレーク層としての中間層（IL）、およびILとRLの間に形成された極薄核生成膜（NF）を有した垂直磁気記録ディスクである。同ディスクの作製においては、ILを従来に比べてかなり低スパッタ圧で堆積させ、それによってRLとオーバーコート（OC）の凹凸度を低減する。NFとRLは、かなり高いスパッタ圧で堆積させる。その結果、良好な記録特性を有し、高スパッタ圧でILを堆積しNFを形成しないディスクと比べて改善された耐食性を有するディスクが得られる。
NFは極めて薄く、1.5nm未満であり、好ましくは1.0nm未満である。こうした厚さ領域では、厚さは不連続膜の「平均」であり、RLを堆積する面には、IL材料とNF材料の粒子の両方が含まれる。一実施例においては、TaやTi, Nb, Si, Mn、Hfの酸化物でNFを形成する。NFはまた、こうした酸化物の他にCoやCo合金を含んでもよい。
本発明の本質と利点をより完全に理解するには、添付図面とともに以下の詳細な説明を参照してもらいたい。
NFは極めて薄く、1.5nm未満であり、好ましくは1.0nm未満である。こうした厚さ領域では、厚さは不連続膜の「平均」であり、RLを堆積する面には、IL材料とNF材料の粒子の両方が含まれる。一実施例においては、TaやTi, Nb, Si, Mn、Hfの酸化物でNFを形成する。NFはまた、こうした酸化物の他にCoやCo合金を含んでもよい。
本発明の本質と利点をより完全に理解するには、添付図面とともに以下の詳細な説明を参照してもらいたい。
本発明によれば、酸化物を添加した粒状コバルト合金垂直記録層を有し、記録性能を犠牲にすることなく良好な耐食性を実現した垂直磁気記録媒体を提供することができる。
図３は、従来の垂直磁気記録ディスクの模式断面図である。反強磁性結合SULが示されている。ディスクを構成する多様な層がハードディスク基板上に配されている。基板は市販のいずれのガラス基板でよいが、NiPで表面を被覆した従来のアルミニウム合金でもよい。シリコン、カナサイト、炭化珪素などの代替基板でもよい。SULは基板の上に配される。基板の上に直接、あるいは、固着層すなわちOLの上に形成する。OLは、SULの成長を容易にする層で、約2〜5ナノメータ（nm）の厚さを持たせたAlTi合金等の層であればよい。図３のディスクにおけるSULは、複数の軟磁性層（SULaとSULb）から成る積層／多層SULである。SULaとSULbは、SULaとSULb間の反強磁***換結合を仲介する反強磁性（AF: antiferromagnetic）結合膜として働く中間膜（Ru, Ir, Crなど）で分離されている。このようなSULは、米国特許第6,686,070号明細書と米国特許第6,835,475号明細書に記載されている。ただし、AF結合SULの代わりに、単層SULであってもよい。あるいは、複数の軟磁性膜を非磁性膜（炭素膜やSiN膜、あるいはAlやCoCrの導電膜）で分離して形成した非AF結合の積層／多層SULであてもよい。SULを構成する１ないし複数の層は、CoNiFe， FeCoB，CoCuFe, NiFe, FeAlSi, FeTaN, FeN, FeTaC，CoTaZr，CoFeB，CoZrNbなどの非晶質透磁性物質で形成されている。SULの厚さは通常、およそ50〜400nmの範囲である。RL上に形成されるOCは、非晶質の「ダイアモンド状」炭素膜や、窒化シリコン（SiN）など、他の既知の保護オーバーコートであってもよい。
SUL上の非磁性ILは、粒状RL内の六方細密(hcp)結晶方位を制御するためのhcp結晶構造を有する非磁性の金属もしくは合金である。ILは、そのc軸がほぼ垂直に配向されるように、hcp粒状RLの成長を促し、その結果、RLは垂直の磁気異方性を有する。ILの材料としては通常、ルテニウム(Ru)が使用されるが、TiやRe, Osでもよく、またRu系合金（RuCr合金等）など、Ti, Re, Ru, Osのうち少なくとも一つの元素を含んだ合金であってもよい。ILは、SUL上に形成したシード層(SL: seed layer)の上に形成してもよい。
RLは粒状の強磁性Co合金であり、酸化物を含んだ粒間材料を有する。同酸化物としては、通常、Si, Ta, Ti, Nbの酸化物のうち１ないし複数の酸化物が含有される。また、RLはCrを含有していてもよく、さらに、粒間材料としてCrの酸化物を含有していてもよい。
図４は、透過型電子顕微鏡(TEM: transmission electron microscopy)によるディスクの画像であり、２層RuのIL上に形成されたCoPtCr-SiO2記録層を示している。図４には、RLの偏析状態、すなわち、SiO2 を主とする層間材料によって磁性材料が分離されている様子が示されている。ILは、比較的低圧（6 mTorr）でスパッタ成膜した第１のRu層(5 nm)と、それに続けて比較的高圧（36 mTorr）でスパッタ成膜した第２のRu層(12 nm)から成る。ILの上部Ru層の柱状成長は、図４に示したように、RL内の磁性粒子の偏析を促す。柱状成長は、高圧スパッタ環境においては衝突が多発して運動エネルギを失うため、スパッタされた粒子が表面上をあまり移動できないことが原因であると思われる。ILの高圧スパッタ成膜により、隣接するRL内の柱状粒子の高さバラツキをOCの厚さ程度に増大させる可能性があり、この場合、OCの欠陥が生じ得る。RL内の粒間領域も高密度の中空や結晶欠陥を含むため、湿気や腐食性ガスが侵入して下地のSULと反応する可能性がある。
IL成膜時のスパッタ圧を低減することによってディスクの耐食性が向上することが知られている。たとえば、２層RuのILを有した上記ディスクの場合、上部Ru層成膜時のスパッタ圧を46 mTorrから36 mTorrに減じると、ディスクの耐食性が改善された。しかしながら、スパッタ圧を大きく下げると、保磁力と核生成磁界が許容値に満たないRLとなる。たとえば200G bits/in2を越える超高記録密度において高性能の垂直磁気記録を行うためには、RLは、低い固有媒体ノイズ（高信号雑音比すなわち高SNR）と、約5000 Oeを越える保磁力Hc、-1500 Oeを越える（より負）核生成磁界Hnを有する必要がある。核生成磁界Hnは複数の意味で使用されるが、ここでは、M-Hヒステリシスループにおいて磁化を飽和値Msの90%に低減する反転磁界（好ましくは第２象限内）を意味するものとする。核生成磁界がより負であるほど、磁化を変更するためにより大きな反転磁界が必要であるため、より安定した残留磁化状態となる。表１に、CoPtCr-SiO2から成るRLとRu75RCr25から成る厚さ16 nmのIL（下付きの添え字は原子百分率）を有したディスクのHc値、Hn値を示した。ILを多様なスパッタ圧で成膜している。
表１に示されているように、ILのスパッタ圧を下げるとHcとHnが大きく低下する。この原因は、IL-RL界面の凹凸度などの界面形態が変化し、RL粒子の望ましい偏析すなわちHcとHnの増大が妨げられることにあると考えられる。
本発明による垂直磁気記録ディスクを図５に示した。構造は図３に示した従来構造に類似しているが、ILとRLの間に極薄の核生成膜(NF)を有する。同ディスクのRLのHcとHnは高い値であるが、ディスクの作成においてILを高スパッタ圧で成膜する必要はない。ILは、比較的低スパッタ圧（約12 mTorr未満）で成膜している。その結果、RLとOCの凹凸度が増大することはなく、したがって耐腐食性の低下はない。NFが、RLのc軸を面外に配向するために必要なRLのエピタキシャル成長に悪影響を及ぼすことなく、RLの磁性粒の偏析を制御する。NFは極めて薄く、概略厚さは1.5 nm未満、好ましくは1.0 nm未満である。こうした厚さ領域では、厚さは不連続膜の「平均」であり、RLを堆積する面には、IL材料とNF材料の粒子の両方が含まれる。NFは、IL上のクラスタ形成を促進するため比較的高いスパッタ圧（約30 mTorr以上）で成膜する。また、RLを比較的遅い堆積／成長速度で成膜しても、RL内の磁性粒の偏析が改善される。
表２に、同様に、CoPtCr-SiO2から成るRLとRu75RCr25から成る厚さ16 nmのILを有したディスクのHcとHnの値を示した。ただし、ILは２値の低スパッタ圧で成膜している。また、RLを成膜する前に、Ta2O5から成る厚さ0.03 nm未満のNFをIL上に形成している。
表２に示されているように、NFを形成せずに高圧でスパッタ成膜したRu75Cr25IL上にRLを形成した場合の値（表１）に比べて保磁力Hcと核生成磁界Hnが改善されている。
表２のデータはTaの酸化物でNFを形成した場合のものであるが、NFによる効果は、Ti, Nb, Si, Mn, Hfなど他の酸化物でも得られると思われる。
表２のデータはTaの酸化物でNFを形成した場合のものであるが、NFによる効果は、Ti, Nb, Si, Mn, Hfなど他の酸化物でも得られると思われる。
NFは、酸化物の他にCoやCo合金を含んでもよい。１例では、NFとして、Co,
Cr56Pt44およびTa2O5の各ターゲットからの同時スパッタリングによって厚さ0.3 nmのCoCrPt-Ta2O5膜を形成した。このNFについては、Co含有量を8から62 at.%まで変化させ多様な組成をテストした。Co含有量が50 at.%未満のNFの場合、RLの保磁力が6000 Oeを越えた。このCo含有量は、RLにおけるCo含有量（通常50 at. %超）に比べてかなり少ない。
Cr56Pt44およびTa2O5の各ターゲットからの同時スパッタリングによって厚さ0.3 nmのCoCrPt-Ta2O5膜を形成した。このNFについては、Co含有量を8から62 at.%まで変化させ多様な組成をテストした。Co含有量が50 at.%未満のNFの場合、RLの保磁力が6000 Oeを越えた。このCo含有量は、RLにおけるCo含有量（通常50 at. %超）に比べてかなり少ない。
NFはまた、酸化物の他にRuを含んでもよい。１例では、NFとして、70〜96%のRuを含むように製造された単一ターゲットからのスパッタリングによって厚さ0.5〜1.5 nmのRu-Ta2O5膜を形成した。このNFについては、Ta2O5含有量を4から15 at.%(Ru含有量は85〜96 at.%)まで変化させ多様な組成をテストした。単一Ru-Ta2O5ターゲットからのスパッタによって成膜したNFの場合も、Ru、Ta2O5の各ターゲットからの同時スパッタリングによって成膜したNFと同等の記録特性の改善が得られた。
Coやコバルト合金を含むNFの場合、RLをILのスパッタ圧よりもかなり高いスパッタ圧および比較的遅い堆積／成長速度で成膜すると、記録特性が改善される。保磁力とスパッタ圧の関係を図６に示した。NFがCo81(Ta2O5)19、RLがCoPtCr-SiO2、ILがRu75Cr25で形成されている場合で、ILはスパッタ圧9.7 mTorrで成膜している。RLにおける保磁力の最上値は、スパッタ圧が30〜60 mTorrのときに得られる。RLの保磁力とRLの成膜速度の関係を図７に示した。同様に、NFがCo81(Ta2O5)19、RLがCoPtCr-SiO2、ILがRu75Cr25で形成されている場合で、ILスパッタ圧も9.7 mTorrである。
NFは、また、Co, Cr, Ti, Zr, Mo, V, Wなど２つ以上の元素から成る合金であってもよい。１例では、Co(Cr56Pt44)から成るNFが、酸化物から成るNFと同等の結果を示した。
NFは、また、Co, Cr, Ti, Zr, Mo, V, Wなど２つ以上の元素から成る合金であってもよい。１例では、Co(Cr56Pt44)から成るNFが、酸化物から成るNFと同等の結果を示した。
本発明のディスクはまた、核生成膜を有しない同等のディスクに比べてSNRの改善をもたらした。 46 mTorr, 9.7 mTorrおよび4 mTorrでそれぞれ成膜した単層Ru75Cr25 ILを有するディスクにおいて、約750k fci(flux changes per inch: 1インチあたりの磁化反転数)の線密度で行ったSNR測定では、スパッタ圧を46 mTorrから9.7 mTorrと4 mTorrに低減するとSNRがそれぞれ5.6dB, 8dB下がることが示された。これは、スパッタ圧がそれぞれ9.7 mTorr, 4 mTorrであると、記録ノイズが3.6倍、6.3倍増加することに相当する。それに比べ、それぞれスパッタ圧9.7 mTorrおよび4 mTorrで成膜したRu75Cr25 IL上にCoPtCr-Ta2O5NFを形成したディスクの場合、SNRの低下は1.0dBと2.7dBのみであった。Ta2O5や（Cr56Pt44)(Ta2O5)から成るNFを有した構造においても同様の向上が測定された。
ジッターとビットエラーレート（BER: bit error rate）の測定においても、本発明のディスクは、核生成膜なしの同等のディスクに比べて改善が得られることが示された。
ジッターとビットエラーレート（BER: bit error rate）の測定においても、本発明のディスクは、核生成膜なしの同等のディスクに比べて改善が得られることが示された。
以上、好適な実施例を参照しながら、本発明を詳細に示し説明したが、当業者は、発明の趣旨と範囲を逸脱しないで形状や内容の様々な変更が可能であることを理解するであろう。したがって、開示された発明は、発明を説明する以上のものでなく、発明の範囲は添付の請求の範囲でのみ規定されるものとする。
Claims (26)
- 基板と、
前記基板上にある透磁性材料の下地層と、
前記下地層上に形成された非磁性中間層と
前記下地層上にある粒状の強磁性Co合金の垂直磁気記録層と、
前記中間層と前記記録層の間にある概略厚さが1.5nm未満の核生成膜とを有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 前記核生成膜の概略厚さが1.0nm未満であることを特徴とする請求項１記載の媒体。
- 前記核生成膜が断続膜であることを特徴とする請求項１記載の媒体。
- 前記核生成膜が、Ta, Nb, Ti, Si, MnおよびHfから成るグループから選択した元素の１ないし複数の酸化物を含むことを特徴とする請求項１記載の媒体。
- 前記核生成膜がCoを含み、該核生成膜内のCoの原子百分率（at.%）が前記記録層内のCoのat.%よりもかなり低いことを特徴とする請求項４記載の媒体。
- 前記核生成膜がRu, Ta2O5を含み、該核生成膜内のRuの原子百分率が、およそ８５から９６の範囲にあることを特徴とする請求項４記載の媒体。
- 前記核生成膜がCo, Cr, Ti, Zr, Mo, VおよびWの二つ以上の合金を含むことを特徴とする請求項１記載の媒体。
- 前記中間層が、Ru, Ti, ReおよびOsから選択された金属を含むことを特徴とする請求項１記載の媒体。
- 前記中間層が、Ru, Ti, ReおよびOsから選択された少なくとも１つの金属を含有した合金を含むことを特徴とする請求項８記載の媒体。
- 前記中間層がRuCr合金を含むことを特徴とする請求項９記載の媒体。
- 透磁性材料から成る前記下地層が、CoFe, CoNiFe, NiFe, FeCoB, CoCuFe, FeAlSi, FeTaN, FeN, FeTaC, CoTaZrおよびCoZrNbから成る合金グループから選択した材料から形成されていることを特徴とする請求項１記載の媒体。
- 透磁性材料から成る前記下地層が、複数の透磁性膜を非磁性膜で分離した積層膜であることを特徴とする請求項１記載の媒体。
- 前記積層膜内の前記非磁性膜が、前記積層膜内の前記透磁性膜を反強磁性結合することを特徴とする請求項１２記載の媒体。
- 前記記録層がさらに、Si, Ta, TiおよびNbのうちの１つ以上の１ないし複数の酸化物を含むことを特徴とする請求項１記載の媒体。
- 基板と、
前記基板上にある透磁性材料の下地層と、
前記下地層上にあるRuあるいはRu合金を含む非磁性中間層と
粒状の強磁性Co合金と、Si, Ta, TiおよびNbのうちの１つ以上の１ないし複数の酸化物を含む垂直磁気記録層と、
前記中間層と前記記録層の間にある概略厚さが1.0nm未満の断続核生成膜とを含むことを特徴とする垂直磁気記録ディスク。 - 前記核生成膜が、Ta, Nb, Ti, Si, MnおよびHfから成るグループから選択した元素の１ないし複数の酸化物を含むことを特徴とする請求項１５記載のディスク。
- 前記核生成膜がCoを含み、該核生成膜内のCoの原子百分率（at.%）が前記記録層内のCoのat.%よりもかなり低いことを特徴とする請求項１６記載のディスク。
- 前記核生成膜がRuとTa2O5を含み、該核生成膜内のRuの原子百分率が、およそ８５から９６の範囲にあることを特徴とする請求項１６記載のディスク。
- 前記核生成膜がCo, Cr, Ti, Zr, Mo, VおよびWの二つ以上の合金を含むことを特徴とする請求項１５記載のディスク。
- 請求項１５のディスクと、
前記ディスクの記録層内の領域を磁化するための記録ヘッドと、
前記磁化領域間の遷移を検出するための再生ヘッドを有することを特徴とする垂直磁気記録システム。 - 基板と、前記基板上にある透磁性材料の下地層と、前記下地層上にあるRuあるいはRu合金の非磁性中間層と、粒状の強磁性Co合金とSi, Ta, TiおよびNbのうちの１つ以上の１ないし複数の酸化物を含む垂直磁気記録層と、前記中間層と前記記録層の間にある核生成膜を有する垂直磁気記録ディスクを製造するための方法であって、
前記中間層を概略12 mTorrを下回るスパッタ圧でスパッタ成膜するステップと、
概略30 mTorrを越えるスパッタ圧で前記中間層上に概略厚さ1.5 nm未満の前記核生成膜をスパッタ成膜するステップとを含むことを特徴とする方法。 - 前記中間層をスパッタ成膜するステップは、Ru合金の中間層をスパッタ成膜するステップを含むことを特徴とする請求項２１記載の方法。
- 前記核生成層をスパッタ成膜するステップは、Ta, Nb, Ti, Si, MnおよびHfから成るグループから選択した元素の１ないし複数の酸化物を含む膜をスパッタ成膜するステップを含むことを特徴とする請求項２１記載の方法。
- 前記核生成層をスパッタ成膜するステップは、前記記録層内のCoの原子百分率値よりもかなり低い原子百分率でCoを含む膜をスパッタ成膜するステップを含むことを特徴とする請求項２３記載の方法。
- 前記核生成層をスパッタ成膜するステップは、RuとTa2O5を含みRuの概略原子百分率が８５から９６の範囲にある膜をスパッタ成膜するステップを含むことを特徴とする請求項２３記載の方法。
- さらに、前記核生成膜上に、概略３０ mTorrを超えるスパッタ圧で前記記録層をスパッタ成膜するステップを含むことを特徴とする請求項２１記載の方法。
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