JP2007162133A - Method and apparatus for forming microsphere - Google Patents

Method and apparatus for forming microsphere Download PDF

Info

Publication number
JP2007162133A
JP2007162133A JP2006319790A JP2006319790A JP2007162133A JP 2007162133 A JP2007162133 A JP 2007162133A JP 2006319790 A JP2006319790 A JP 2006319790A JP 2006319790 A JP2006319790 A JP 2006319790A JP 2007162133 A JP2007162133 A JP 2007162133A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
microsphere
fine particles
forming
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006319790A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4285530B2 (en
Inventor
Takuya Miyagawa
拓也 宮川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2006319790A priority Critical patent/JP4285530B2/en
Publication of JP2007162133A publication Critical patent/JP2007162133A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4285530B2 publication Critical patent/JP4285530B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and a method for forming a microsphere capable of exerting a stable performance, by forming the microshere of a fixed size. <P>SOLUTION: A microsphere raw material 11 containing a liquid organometallic compound or a liquid organosilicon compound is atomized to obtain a liquid particulate 15. The liquid particulate 15 is heated to decompose the liquid organometallic compound or the liquid organosilicon compound and subsequently cooled to form the microsphere 15b. The microsphere 15b is deposited on a semiconductor wafer 18 to form a porous membrane 17 comprising the microsphere 15b. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、多孔質膜形成方法及び多孔質膜形成装置並びに微小球体形成方法及び微小球体形成装置に関する。   The present invention relates to a porous film forming method, a porous film forming apparatus, a microsphere forming method, and a microsphere forming apparatus.

従来、半導体ウエハ上に層間絶縁膜を形成したり、半導体ウエハに設けた配線間に絶縁膜を形成する場合には、CVD(Chemical Vapor Deposition)によりSiO2などを半導体ウエハに堆積して成膜する方法が一般的である。 Conventionally, when an interlayer insulating film is formed on a semiconductor wafer or an insulating film is formed between wirings provided on a semiconductor wafer, SiO 2 or the like is deposited on the semiconductor wafer by CVD (Chemical Vapor Deposition). The method to do is common.

また、時計の駆動部や、マイクロマシンの回転部には、低エネルギーで円滑に回転させるために、ベアリングが必要である。このような、ベアリングとして微小な球体を用いることがある。従来においては、原料を機械的に粉砕することで、微小球体を形成していた。また、従来においては、原料を溶解した溶湯を霧吹きのノズルなどで噴霧して微小化し、この微小化した液滴を固体化することにより微小球体を形成していた。   In addition, bearings are necessary for the driving part of the timepiece and the rotating part of the micromachine to rotate smoothly with low energy. Such a sphere may be used as a bearing. In the past, microspheres were formed by mechanically crushing raw materials. Conventionally, the molten metal in which the raw material is dissolved is atomized by a spray nozzle or the like, and the microspheres are formed by solidifying the micronized droplets.

しかし、従来においては以下のような問題があった。   However, there have been the following problems in the prior art.

CVDにより形成した絶縁膜は、半導体ウエハ上に密に充填されている。前記絶縁膜は誘電率が高くなり、高インピーダンスとなっている。高周波電圧を前記半導体ウエハに印加する場合に、半導体ウエハに形成した回路への信号の伝達が遅れたり、また伝達させる信号の周波数を上げることができないという問題があった。前記絶縁膜の誘電率を小さくして低インピーダンスとすることにより、信号の高速化を図ることが望まれていた。   The insulating film formed by CVD is densely filled on the semiconductor wafer. The insulating film has a high dielectric constant and a high impedance. When a high frequency voltage is applied to the semiconductor wafer, there is a problem that transmission of a signal to a circuit formed on the semiconductor wafer is delayed or the frequency of the signal to be transmitted cannot be increased. It has been desired to increase the signal speed by reducing the dielectric constant of the insulating film to reduce the impedance.

また、従来における微小球体の形成については、機械的に粉砕して微小球体化する場合、材質によっては真円状に形成することが困難であり、また形成した微小球体のサイズにもばらつきが生じてしまう。溶湯を霧吹きのノズルで噴霧して微小球体を形成する場合にも、霧吹きから噴霧される液滴の容量にバラツキがあるため、形成する微小球体のサイズを一定化させることが困難であった。特に、マイクロマシンに使用する微小球体においては、数μmの非常に微小なサイズに形成することが望まれるため、従来の方法ではこのような微小球体の形成が困難であった。   In addition, in the conventional formation of microspheres, when mechanically pulverized into microspheres, it is difficult to form a perfect circle depending on the material, and the size of the formed microspheres also varies. End up. Even when the molten metal is sprayed by a spray nozzle to form microspheres, it is difficult to make the size of the microspheres to be formed uniform because of variations in the volume of droplets sprayed from the spray. In particular, in a microsphere used for a micromachine, it is desired to form the microsphere with a very small size of several μm. Therefore, it is difficult to form such a microsphere by a conventional method.

本発明の一の目的は、上記問題点を解決するためになされたもので、誘電率を小さくして低インピーダンス化を図ることができるとともに、品質を一定化することのできる多孔質膜形成装置及び多孔質膜形成方法を提供することにある。   One object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and it is possible to achieve a low impedance by reducing the dielectric constant, and at the same time, a porous film forming apparatus capable of making the quality constant And a porous film forming method.

また、本発明の他の目的は、真円状の微小球体を形成することができるとともに、形成する微小球体のサイズを一定化することができ、また微小球体のサイズを相対的に縮小することができる微小球体形成装置及び微小球体形成方法を提供することにある。   Another object of the present invention is to form a perfect circular microsphere, to make the size of the formed microsphere constant, and to relatively reduce the size of the microsphere. An object of the present invention is to provide a microsphere forming apparatus and a method for forming a microsphere.

上記目的を達成するために、本発明における多孔質膜形成方法においては、液体有機金属化合物または液体有機ケイ素化合物を含む溶液を微粒子化し、微粒子化した液体微粒子を加熱して前記液体有機物金属化合物または前記液体有機ケイ素化合物を分解したのち、前記液体微粒子を冷却して球状体を形成し、この球状体を加熱したワークに堆積する構成とした。ワークとしては、半導体チップや半導体ウエハなどがある。このように球状体により多孔質膜を形成するため、空隙率の高い膜を形成することができ、膜の誘電率を従来よりも低くすることができ、低インピーダンス化することができる。このため、ワークが半導体ウエハの場合、当該半導体ウエハを組み込んだ半導体装置の高速化を図ることができる。前記微粒子の加熱は、ヒータで行ってもよいし、レーザや赤外線で行ってもよい。   In order to achieve the above object, in the porous film forming method of the present invention, a solution containing a liquid organometallic compound or a liquid organosilicon compound is microparticulated, and the liquid organometallic compound or the liquid organometallic compound or After the liquid organosilicon compound was decomposed, the liquid fine particles were cooled to form a spherical body, and the spherical body was deposited on a heated workpiece. Examples of the work include a semiconductor chip and a semiconductor wafer. Since the porous film is formed from the spherical body in this way, a film with a high porosity can be formed, the dielectric constant of the film can be made lower than before, and the impedance can be reduced. For this reason, when the workpiece is a semiconductor wafer, the speed of the semiconductor device incorporating the semiconductor wafer can be increased. The heating of the fine particles may be performed with a heater, or may be performed with a laser or infrared rays.

上記構成においては、前記液体有機金属化合物または液体有機ケイ素化合物を溶媒に溶解したのち、微粒子化した構成とすることができる。このため、溶媒を含まない場合よりもさらに微小化した微小球体で多孔質膜を形成することができ、品質を高い精度で一定化させることができる。   In the above structure, the liquid organometallic compound or the liquid organosilicon compound can be dissolved in a solvent and then finely divided. For this reason, it is possible to form a porous film with microspheres that are further miniaturized compared with the case where no solvent is contained, and the quality can be made constant with high accuracy.

上記構成において、無機物の微粉末を分散させた溶液を微粒子化し、液体微粒子を前記無機物の融点以上に加熱して溶媒を蒸発させたのち、溶融した前記無機物を冷却して球状体を形成し、当該球状体を加熱したワークに堆積する構成とすることができる。これにより、純粋な無機物の成分で多孔質膜を形成することができる。また、このような多孔質膜の用途としては、ストレーナやフィルタ材がある。   In the above configuration, the solution in which the fine powder of the inorganic material is dispersed is made into fine particles, the liquid fine particles are heated to the melting point of the inorganic material or more to evaporate the solvent, and then the molten inorganic material is cooled to form a spherical body. It can be set as the structure which accumulates the said spherical body on the heated workpiece | work. Thereby, a porous film can be formed with a pure inorganic component. Moreover, there exist a strainer and a filter material as an application of such a porous membrane.

上記構成において、前記液体微粒子の加熱は不活性気体中で行う構成とすることができる。このようにしたため、加熱時に不純物が混入するおそれがなく、純度の高い多孔質膜を形成することができる。   In the above configuration, the liquid fine particles may be heated in an inert gas. Since it did in this way, there is no possibility that an impurity may mix at the time of heating, and a highly pure porous membrane can be formed.

上記構成において、前記液体微粒子の加熱は真空中で行う構成とすることができる。このようにしたため、多孔質膜の形成工程において、余計な不純物が付着するおそれがなく、純度の高い多孔質膜を形成することができる。   In the above configuration, the liquid fine particles may be heated in a vacuum. Since it did in this way, there is no possibility that an extra impurity may adhere in the formation process of a porous film, and a porous film with high purity can be formed.

上記構成において、前記液体微粒子の加熱は酸化性ガスを供給して行う構成とすることができる。このようにしたため、微小球体を形成時に確実に酸化させることができ、良好な絶縁膜を形成することができる。   In the above configuration, the liquid fine particles may be heated by supplying an oxidizing gas. Since it did in this way, a microsphere can be reliably oxidized at the time of formation, and a favorable insulating film can be formed.

上記構成において、前記液体微粒子の加熱はアンモニアガスを供給して行う構成とすることができる。このようにしたため、微小球体を形成時に確実に窒化させることができ、良好な窒化膜を形成することができる。   In the above configuration, the liquid fine particles may be heated by supplying ammonia gas. Since it did in this way, a microsphere can be nitrided reliably at the time of formation, and a favorable nitride film can be formed.

上記構成において、前記微粒子化は、液体の一定量を吐出可能な定量吐出手段にて行う構成とすることができる。このようにしたため、多孔質膜を形成する微小球体のサイズを一定化させることができ、多孔質膜の品質を一定化させることができる。   The said structure WHEREIN: The said fine particle formation can be set as the structure performed by the fixed amount discharge means which can discharge a fixed quantity of liquid. Since it did in this way, the size of the microsphere which forms a porous membrane can be made constant, and the quality of a porous membrane can be made constant.

上記構成において、前記ワークと吐出手段とは、相対移動可能とした構成とすることができる。このようにしたため、ワークの所望の場所に多孔質膜を形成させることができる。この場合、ワークを移動させてもよいし、吐出手段を移動させてもよい。あるいは、両方を移動させてもよい。   The said structure WHEREIN: The said workpiece | work and discharge means can be set as the structure which enabled relative movement. Since it did in this way, a porous film | membrane can be formed in the desired location of a workpiece | work. In this case, the workpiece may be moved, or the discharge unit may be moved. Alternatively, both may be moved.

上記構成において、前記堆積はフッ化ガス中で行う構成とすることができる。
これにより、形成した多孔質膜の表面にフッ素樹脂を形成することができ、潤滑性を向上させることができる。
In the above configuration, the deposition may be performed in a fluorinated gas.
Thereby, a fluororesin can be formed on the surface of the formed porous film, and lubricity can be improved.

上記構成において、前記ワークは、前記球状体の融点以下であって、融点の近傍に加熱してある構成とすることができる。これにより、球状体を半固体状にしてワークの表面に接触させることができるため、球状体がワークから分離するおそれがなくワークに一体化させることができ、良好な多孔質膜を形成することができる。   The said structure WHEREIN: The said workpiece | work is below melting | fusing point of the said spherical body, Comprising: It can be set as the structure heated to the vicinity of melting | fusing point. Thereby, since the spherical body can be made semi-solid and brought into contact with the surface of the work, the spherical body can be integrated with the work without fear of separation from the work, and a good porous film can be formed. Can do.

本発明における多孔質膜形成装置においては、球状体形成原料を含む液体を一定量ずつ微粒子化して吐出可能な定量吐出手段と、液体微粒子を加熱しようとする加熱手段と、加熱手段の加熱により、液体微粒子から生成された球状体が堆積される冷却手段と、前記球状体を堆積するワークを加熱するワーク加熱手段とを有する構成とした。本発明における多孔質形成装置においては、球状体形成原料を含む液体を一定量ずつ微粒子化して吐出可能な定量吐出手段と、液体微粒子を加熱する加熱手段と、この加熱手段が加熱する前記液体微粒子の周囲に不活性ガスまたは酸化性ガスまたはアンモニアガスを供給可能なガス供給手段と、前記加熱手段の加熱により、液体微粒子から生成された球状体を冷却する冷却手段と、前記球状手段が堆積されるワークを加熱するワーク加熱手段と、を有する構成とした。上記構成においては、前記吐出手段は、平面移動可能に形成してある構成とすることができる。   In the porous film forming apparatus according to the present invention, the liquid containing the spherical body forming raw material is atomized by a certain amount and can be discharged by a fixed amount, a heating means for heating the liquid fine particles, and heating of the heating means, The cooling unit for depositing the spherical body generated from the liquid fine particles and the workpiece heating unit for heating the workpiece for depositing the spherical body are used. In the porous forming apparatus according to the present invention, the fixed amount discharge means capable of discharging the liquid containing the spherical body forming raw material into fine particles by a certain amount, the heating means for heating the liquid fine particles, and the liquid fine particles heated by the heating means A gas supply means capable of supplying an inert gas, an oxidizing gas or an ammonia gas to the surroundings, a cooling means for cooling a spherical body generated from liquid fine particles by heating of the heating means, and the spherical means are deposited. And a workpiece heating means for heating the workpiece. In the above configuration, the ejection unit may be configured to be movable in a plane.

本発明に係る微小球体形成方法においては、液体有機金属化合物または液体有機ケイ素化合物もしくは有機金属化合物または有機ケイ素化合物を含む溶液を微粒子化し、液体微粒子を加熱して前記液体有機化合物または前記液体有機ケイ素化合物を分解したのち、冷却して球状体を形成する構成とした。このようにしたため、真円形状の微小球体を形成することができるとともに、形成する微小球体のサイズを一定化させることができ、従来に比してサイズの小さい微小球体の形成を行うことができる。例えば、4pl(ピコリットル)の溶液から、サイズ(直径)が10μmの微小球体を形成することができる。このように形成した微小球体は、時計の駆動部や、マイクロマシンの回転部に組み込むベアリングとして好適に使用することができる。   In the method of forming a microsphere according to the present invention, a liquid organometallic compound, a liquid organosilicon compound, a solution containing an organometallic compound or an organosilicon compound is made into fine particles, and the liquid fine particles are heated to form the liquid organic compound or the liquid organosilicon. After decomposing the compound, it was cooled to form a spherical body. As a result, it is possible to form a perfect circle-shaped microsphere, to make the size of the microsphere to be formed constant, and to form a microsphere that is smaller than the conventional size. . For example, microspheres having a size (diameter) of 10 μm can be formed from a 4 pl (picoliter) solution. The microsphere formed in this way can be suitably used as a bearing incorporated in a timepiece drive unit or a micromachine rotation unit.

上記構成において、前記液体有機金属化合物または前記液体有機ケイ素化合物を溶媒に溶解したのち、微粒子化する構成とすることができる。このようにしたため、溶媒を用いない場合よりもさらに微小な微小球体を形成することができる。例えば、溶媒に0.1容量%だけ溶解させた4pl(ピコリットル)の溶液から、サイズが1μmの微小球体を形成することができる。   In the above structure, the liquid organometallic compound or the liquid organosilicon compound may be dissolved in a solvent and then finely divided. Since it did in this way, a microsphere further smaller than the case where a solvent is not used can be formed. For example, a microsphere having a size of 1 μm can be formed from a 4 pl (picoliter) solution dissolved in a solvent by 0.1% by volume.

また、本発明に係る微小球体形成方法においては、金属またはケイ素などの無機物の微粉末を分散させた溶液を微粒子化し、液体微粒子を前記無機物の融点以上に加熱して溶媒を蒸発させたのち、溶融した前記無機物を冷却して球状体を形成する構成とした。このように一旦溶融してから凝固するため、真円に近い球状体を形成することができる。   In the method for forming microspheres according to the present invention, a solution in which fine powder of an inorganic substance such as metal or silicon is dispersed is made into fine particles, and after the liquid fine particles are heated to the melting point of the inorganic substance or more to evaporate the solvent, The molten inorganic substance was cooled to form a spherical body. In this way, since it is once melted and then solidified, a spherical body close to a perfect circle can be formed.

上記構成において、前記液体微粒子の加熱は、不活性気体中で行う構成とすることができる。このようにしたため、周囲のガスとの反応による不純物の混入するおそれがなく純度の高い球状体を形成することができる。   In the above configuration, the liquid fine particles may be heated in an inert gas. Since it did in this way, there exists no possibility that the impurity by reaction with surrounding gas mixes, and a spherical body with high purity can be formed.

上記構成において、前記液体微粒子の加熱は、真空中で行う構成とすることができる。このようにしたため、不純物などが混入するおそれがなく純度の高い球状体を形成することができる。   In the above configuration, the liquid fine particles may be heated in a vacuum. Since it did in this way, a spherical body with high purity can be formed, without a possibility that impurities will mix.

上記構成において、前記液体微粒子の加熱は、酸化性ガスを供給して行う構成とすることができる。このようにしたため、加熱時に微粒子を酸化することができ、酸化した球状体を形成することができる。例えば、原料がシリコンを含む成分であれば、SiO2の微小球体を形成することができ、耐摩耗性に優れた微小球体を形成することができる。 In the above configuration, the liquid fine particles may be heated by supplying an oxidizing gas. Since it did in this way, microparticles | fine-particles can be oxidized at the time of a heating, and the oxidized spherical body can be formed. For example, if the raw material is a component containing silicon, SiO 2 microspheres can be formed, and microspheres excellent in wear resistance can be formed.

上記構成において、前記液体微粒子の加熱は、アンモニアガスを供給して行う構成とすることができる。このようにしたため、加熱時に微粒子を窒化することができ、窒化した球状体を形成することができる。例えば、原料がチタンを含む成分であれば、TiNの微小球体を形成することができ、硬度の高い微小球体を形成することができる。   In the above configuration, the liquid fine particles may be heated by supplying ammonia gas. Since it did in this way, fine particles can be nitrided at the time of a heating, and the nitrided spherical body can be formed. For example, if the raw material is a component containing titanium, TiN microspheres can be formed, and microspheres with high hardness can be formed.

また、本発明における微小球体形成方法においては、液体有機金属化合物または液体有機ケイ素化合物もしくは有機金属化合物または有機ケイ素化合物を含む溶液を微粒子化して真空容器内に供給し、真空容器内にプラズマを発生させて前記液体有機金属化合物または液体有機ケイ素化合物を分解したのち、冷却する構成とした。このように真空で形成することで、純度の高い微小球体を形成することができる。   In the method for forming microspheres according to the present invention, a liquid organometallic compound or a liquid organosilicon compound, or a solution containing an organometallic compound or organosilicon compound is atomized and supplied into a vacuum vessel, and plasma is generated in the vacuum vessel. The liquid organometallic compound or the liquid organosilicon compound is decomposed and then cooled. By forming in vacuum in this way, highly pure microspheres can be formed.

上記構成においては、前記液体有機金属化合物または前記液体有機ケイ素化合物を溶媒に溶解したのち、微粒子化する構成とすることができる。このようにすることで、溶媒を使用しない場合よりも一層微小な球状体を形成することができる。   In the above structure, the liquid organometallic compound or the liquid organosilicon compound is dissolved in a solvent and then made into fine particles. By doing in this way, a much smaller spherical body can be formed than the case where a solvent is not used.

上記構成においては、前記真空容器内に酸化性ガスを供給する構成とすることができる。このようにしたため、酸化した微小球体を形成することができる。   In the said structure, it can be set as the structure which supplies oxidizing gas in the said vacuum vessel. As a result, oxidized microspheres can be formed.

上記構成においては、前記真空容器内にアンモニアを供給する構成とすることができる。このようにしたため、窒化した微小球体を形成することができる。   In the said structure, it can be set as the structure which supplies ammonia in the said vacuum vessel. As a result, nitrided microspheres can be formed.

上記構成においては、前記真空容器内に有機フッ素化合物を供給する構成とすることができる。このようにしたため、微小球体の表面にフッ素樹脂をコーティングすることができ、微小球体の潤滑性を高めることができる。   In the said structure, it can be set as the structure which supplies an organic fluorine compound in the said vacuum vessel. Since it did in this way, a fluororesin can be coated on the surface of a microsphere, and the lubricity of a microsphere can be improved.

上記構成においては、前記微粒子化は、液体の定量を吐出可能な定量吐出手段で行う構成とすることができる。このようにしたため、定量の液体から微小球体が形成され、球状体のサイズの一定化を図ることができる。   In the above configuration, the microparticulation can be performed by a fixed amount discharge unit capable of discharging a fixed amount of liquid. As a result, microspheres are formed from a fixed amount of liquid, and the size of the spheres can be made constant.

本発明における微小球体形成装置においては、球状体形成原料を含む液体を一定量ずつ微粒子化して吐出可能な定量吐出手段と、液体微粒子を加熱する加熱手段とを有する構成とした。本発明における微小球体形成装置においては、球状体形成原料を含む液体を一定量ずつ微粒子化して吐出可能な定量吐出手段と、液体微粒子を加熱する加熱手段と、この加熱手段が加熱する液体微粒子の周囲に不活性気体または酸化性ガスまたはアンモニアガスを供給可能なガス供給手段と、を有する構成とした。上記構成においては、前記液体微粒子の加熱部の下方に冷却部が配設してある構成とすることができる。本発明における微小球体形成装置においては、真空容器と、この真空容器内に液体を一定量ずつ微粒子化して吐出可能な定量吐出手段と、真空容器内にプラズマを発生させる電極とを有する構成とした。上記構成においては、前記真空容器には、容器内に酸化性ガスまたはアンモニアガスを供給可能なガス供給手段が設けてある構成とすることができる。上記構成においては、前記真空容器には、前記真空容器内に有機フッ素化合物を供給するフッ素化合物供給手段が設けてある構成とすることができる。上記構成においては、前記真空容器下部には、冷却手段が配設してある構成とすることができる。   The microsphere forming apparatus according to the present invention is configured to have a fixed amount discharge means capable of discharging a liquid containing the spherical body forming raw material into fine particles by a certain amount and a heating means for heating the liquid fine particles. In the microsphere forming apparatus according to the present invention, a fixed amount discharge means capable of discharging a liquid containing a spherical body forming raw material into fine particles by a certain amount, a heating means for heating the liquid fine particles, and a liquid fine particle heated by the heating means. And a gas supply means capable of supplying an inert gas, an oxidizing gas, or an ammonia gas to the surroundings. In the said structure, it can be set as the structure by which the cooling part is arrange | positioned under the heating part of the said liquid microparticles | fine-particles. The microsphere forming apparatus according to the present invention has a configuration including a vacuum container, a fixed-quantity discharge means capable of atomizing and discharging a liquid into the vacuum container by a certain amount, and an electrode for generating plasma in the vacuum container. . In the above configuration, the vacuum vessel may be provided with a gas supply means capable of supplying oxidizing gas or ammonia gas in the vessel. In the said structure, the said vacuum vessel can be set as the structure by which the fluorine compound supply means which supplies an organic fluorine compound in the said vacuum vessel is provided. In the above configuration, a cooling unit may be provided at the lower part of the vacuum vessel.

本発明の実施形態における多孔質膜形成方法及び多孔質膜形成装置並びに微小球体形成方法及び微小球体形成装置について図面を用いて詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS A porous film forming method, a porous film forming apparatus, a microsphere forming method, and a microsphere forming apparatus in an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、本発明の第一実施形態における多孔質膜形成装置10の概略断面図である。本実施形態においては、ワークである半導体ウエハ18の表面にシリコン酸化膜(SiO2)の多孔質膜を形成する場合について説明する。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a porous film forming apparatus 10 in the first embodiment of the present invention. In the present embodiment, a case where a porous film of a silicon oxide film (SiO 2 ) is formed on the surface of a semiconductor wafer 18 as a workpiece will be described.

本実施形態における微小球体原料11には、有機ケイ素化合物であるTEOS(テトラエトキシシラン)を有機溶媒に溶解したものを用いている。前記有機溶媒としては、トルエンなどの炭化水素からなるものが好ましい。本実施形態においては、微小球体原料11中に含まれるTEOSの割合を0.1容量%程度にしている。   As the microsphere material 11 in the present embodiment, TEOS (tetraethoxysilane), which is an organosilicon compound, is dissolved in an organic solvent. As said organic solvent, what consists of hydrocarbons, such as toluene, is preferable. In the present embodiment, the ratio of TEOS contained in the microsphere raw material 11 is set to about 0.1% by volume.

図1に示したように、多孔質膜形成装置10の上部には、例えばインクジェットプリンタのプリンタヘッドのような、定量吐出手段であるジェットノズルヘッド12が設けてあり、当該ジェットノズルヘッド12下端より微小球体原料11を下方に向けて放射できるようになっている。前記ジェットノズルヘッド12は、微小球体原料11を一定量ずつ微粒子化して吐出可能となっている。本実施形態においては、微小球体原料11が前記ジェットノズルヘッド12から4pl(ピコリットル)ずつ吐出される。   As shown in FIG. 1, the upper part of the porous film forming apparatus 10 is provided with a jet nozzle head 12 which is a constant discharge means such as a printer head of an ink jet printer. The microsphere raw material 11 can be radiated downward. The jet nozzle head 12 can discharge the microsphere raw material 11 by making a certain amount of fine particles. In the present embodiment, the microsphere raw material 11 is discharged from the jet nozzle head 12 by 4 pl (picoliter).

本実施形態における多孔質膜形成装置10は、ケーシング13に覆われている。そして、ケーシング13にはガス導入管70を設けてあり、当該ガス導入管70を介してオゾンなどの酸化性のガスを導入し、ケーシング13内を酸化雰囲気に保持している。   The porous film forming apparatus 10 in this embodiment is covered with a casing 13. The casing 13 is provided with a gas introduction pipe 70, and an oxidizing gas such as ozone is introduced through the gas introduction pipe 70 to keep the inside of the casing 13 in an oxidizing atmosphere.

そして、前記ケーシング13の中部には、加熱手段である例えばドーナツ状のヒータ14を設けて周囲を覆わせている。前記ヒータ14により、ケーシング13の覆った部分を加熱する。これにより、ジェットノズルヘッド12から放出された微小球体原料11が前記ヒータ14により加熱される。本実施形態においては、ヒータ14の表面温度を微小球体原料11が分解する温度、例えば600℃以上に加熱してある。この加熱により、微小球体原料11中の有機溶媒は瞬間的に気化して拡散する。一方、微小球体原料11中のTEOSは、ヒータ14の加熱により分解され、有機物成分は拡散する。そして、シリコン成分が周囲の酸素原子等により酸化され、SiO2からなる液状微粒子15とすることができる。
また、本実施形態における液状微粒子15は、サイズ1μm程度に形成することができる。
A central portion of the casing 13 is provided with, for example, a donut-shaped heater 14 serving as a heating means to cover the periphery. The covered portion of the casing 13 is heated by the heater 14. As a result, the microsphere material 11 discharged from the jet nozzle head 12 is heated by the heater 14. In the present embodiment, the surface temperature of the heater 14 is heated to a temperature at which the microsphere raw material 11 decomposes, for example, 600 ° C. or higher. By this heating, the organic solvent in the microsphere raw material 11 is instantaneously vaporized and diffused. On the other hand, TEOS in the microsphere raw material 11 is decomposed by the heating of the heater 14, and the organic component diffuses. Then, the silicon component is oxidized by surrounding oxygen atoms or the like, and the liquid fine particles 15 made of SiO 2 can be obtained.
Further, the liquid fine particles 15 in the present embodiment can be formed to a size of about 1 μm.

ヒータ14の下方には、冷却手段である冷却器16を設けてあり、ケーシング13下方部を冷却できるようになっている。これにより、ヒータ14により加熱された液状微粒子15を固化して微小球体15bを形成させている。本実施形態においては、液状微粒子15のSiO2成分が半固体となる程度の温度に冷却させている。これにより、半導体ウエハ18に微小球体15bが付着する際に、微小球体15bが潰れたり跳ね返ったりすることなく、好適に半導体ウエハ18に付着させることができる。 A cooler 16 as a cooling means is provided below the heater 14 so that the lower part of the casing 13 can be cooled. Thereby, the liquid fine particles 15 heated by the heater 14 are solidified to form the microspheres 15b. In the present embodiment, the liquid fine particles 15 are cooled to a temperature at which the SiO 2 component becomes semi-solid. Thereby, when the microsphere 15b adheres to the semiconductor wafer 18, the microsphere 15b can be suitably attached to the semiconductor wafer 18 without being crushed or rebounded.

そして、前記冷却器16の下面に対向するように、半導体ウエハ18が配置されている。前記半導体ウエハ18は、ウエハ加熱ヒータ19の上に戴置されている。前記ウエハ加熱ヒータ19により、前記半導体ウエハ18の表面は、微小球体15bの融点以下であって、融点の近傍に加熱している。これにより、微小球体15bが半固体状となって半導体ウエハ18上に一体的に付着するため、微小球体15bが分離などするおそれなく半導体ウエハ18上に多孔質膜17を形成できる。そして、前記ウエハ加熱ヒータ19は、前記半導体ウエハ18と一体的に、矢印71に示したように所定方向に平行移動することができる。このため、半導体ウエハ18は前記ジェットノズルヘッド12に対して相対的に移動をすることができ、これにより半導体ウエハ18の所望の位置に多孔質膜17を形成させることができる。また、半導体ウエハ18上にマスクパターンを予め塗布しておくことで、半導体ウエハ18上に形成する多孔質膜17のパターンニングをすることができる。   A semiconductor wafer 18 is arranged so as to face the lower surface of the cooler 16. The semiconductor wafer 18 is placed on a wafer heater 19. The wafer heater 19 heats the surface of the semiconductor wafer 18 to a temperature below the melting point of the microsphere 15b and close to the melting point. As a result, the microspheres 15b become semi-solid and are integrally attached to the semiconductor wafer 18, so that the porous film 17 can be formed on the semiconductor wafer 18 without fear of separation of the microspheres 15b. The wafer heater 19 can move in a predetermined direction integrally with the semiconductor wafer 18 as indicated by an arrow 71. For this reason, the semiconductor wafer 18 can move relative to the jet nozzle head 12, whereby the porous film 17 can be formed at a desired position of the semiconductor wafer 18. Further, by applying a mask pattern on the semiconductor wafer 18 in advance, the porous film 17 formed on the semiconductor wafer 18 can be patterned.

なお、本実施形態においては、前記冷却器16を設けたことにより多孔質膜形成装置10をコンパクト化することができるが、液状微粒子15は室温程度でも一定時間経過すれば充分に冷却されて固化することができるため、ヒータ14と半導体ウエハ18との間隔を大きくして、冷却器16を省略した多孔質膜形成装置10としてもよい。   In the present embodiment, the porous film forming apparatus 10 can be made compact by providing the cooler 16, but the liquid fine particles 15 are sufficiently cooled and solidified after a certain period of time even at about room temperature. Therefore, the gap between the heater 14 and the semiconductor wafer 18 may be increased, and the porous film forming apparatus 10 in which the cooler 16 is omitted may be used.

また、本実施形態においては、ケーシング内を酸化雰囲気としたが、多孔質膜として窒化膜を形成する場合には、ガス導入管70からアンモニアガスなどの窒化性のガスをケーシング13内に導入して、ケーシング13内を窒化雰囲気にする。
そして、微小球体原料11としてTEOSを用いると、Si34のような窒化膜を形成することができる。
In the present embodiment, the inside of the casing is an oxidizing atmosphere, but when a nitride film is formed as a porous film, a nitriding gas such as ammonia gas is introduced into the casing 13 from the gas introduction pipe 70. Thus, the inside of the casing 13 is made a nitriding atmosphere.
When TEOS is used as the microsphere raw material 11, a nitride film such as Si 3 N 4 can be formed.

また、本実施形態においてケーシング13内に窒素などの還元性ガスや希ガスなどの不活性ガスを導入することで、Siの微小球体を堆積した多孔質膜を形成することができる。   In this embodiment, a porous film in which Si microspheres are deposited can be formed by introducing a reducing gas such as nitrogen or an inert gas such as a rare gas into the casing 13.

微小球体を形成する有機ケイ素化合物としては、上記したTEOSの他に、オレガノシラン、オレガノシロキサン等がある。   Examples of the organosilicon compound that forms the microsphere include, in addition to the above-described TEOS, oreganosilane and oreganosiloxane.

また、多孔質膜19を形成する材料としては、これに限らず、有機金属化合物を用いることができる。有機金属化合物としては、トリエチルアルミニウム、シクロペンタジエニルクロム、同チタン、同鉄などがある。例えば、シクロペンタジエチルチタンを微小球体原料とした場合に、窒化雰囲気で形成するとTiNからなる多孔質膜を形成することができる。また、有機フッ素化合物を有機金属化合物と同時に供給することにより、フッ素樹脂をコーティングした多孔質膜19を形成することができる。フッ素化合物としては、C38などのパーフロロカーボンなどがある。このような材料から形成した多孔質膜19を用いて、フィルタやストレーナを形成することもできる。 The material for forming the porous film 19 is not limited to this, and an organic metal compound can be used. Examples of the organometallic compound include triethylaluminum, cyclopentadienylchromium, titanium, and iron. For example, when cyclopentadiethyl titanium is used as a microsphere raw material, a porous film made of TiN can be formed when formed in a nitriding atmosphere. Further, by supplying the organic fluorine compound simultaneously with the organometallic compound, the porous film 19 coated with the fluororesin can be formed. Examples of the fluorine compound include perfluorocarbons such as C 3 F 8 . A filter or a strainer can be formed using the porous film 19 formed of such a material.

図2は、本発明の第二実施形態における多孔質膜形成装置20の概略断面図である。本実施形態においても、第一実施形態と同様に、半導体ウエハの上にSiO2からなる多孔質膜を形成する場合について説明する。図2に示したように、本実施形態においても上部に吐出手段であるジェットノズル22を設けている。
前記ノズルヘッド22下方の一側面側には、加熱手段としてのレーザ照射器24を設けている。前記レーザ照射器24からレーザ74を微小球体原料21に照射することにより、微小球体原料21を加熱して、微小球体原料21から有機溶媒成分や有機物成分を飛散させることができる。そして、残ったシリコン成分は周囲の酸素と反応し、SiO2成分のみにて液状微粒子25を形成させることができる。また、本実施形態においては、前記ジェットノズル22が半導体ウエハ28に対して矢印72に示したように相対的に移動できるようにしている。これにより、ジェットノズル22の下方に配置した半導体ウエハ38に対して、多孔質膜を所定の位置に所定の形状に形成させることができる。なお、本実施形態においては、レーザ74にて微小球体原料を加熱したが、これに限らず赤外線などの電磁波や誘導加熱装置を用いて加熱を行ってもよい。また、本実施形態においても、レーザ照射器24の下方側に、第一実施形態と同様に、冷却器を設けてもよい。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the porous film forming apparatus 20 in the second embodiment of the present invention. In the present embodiment, as in the first embodiment, the case where a porous film made of SiO 2 is formed on a semiconductor wafer will be described. As shown in FIG. 2, also in this embodiment, a jet nozzle 22 which is a discharge means is provided in the upper part.
A laser irradiator 24 as a heating means is provided on one side surface below the nozzle head 22. By irradiating the microsphere raw material 21 with the laser 74 from the laser irradiator 24, the microsphere raw material 21 can be heated and the organic solvent component or the organic matter component can be scattered from the microsphere raw material 21. The remaining silicon component reacts with surrounding oxygen, and the liquid fine particles 25 can be formed only with the SiO 2 component. In the present embodiment, the jet nozzle 22 can move relative to the semiconductor wafer 28 as indicated by an arrow 72. Thus, the porous film can be formed in a predetermined shape at a predetermined position on the semiconductor wafer 38 disposed below the jet nozzle 22. In the present embodiment, the microsphere raw material is heated by the laser 74. However, the present invention is not limited to this, and heating may be performed using electromagnetic waves such as infrared rays or an induction heating device. Also in this embodiment, a cooler may be provided on the lower side of the laser irradiator 24 as in the first embodiment.

本発明の微小球体形成装置について図面を用いて詳細に説明する。図3は、本発明の第三実施形態における微小球体形成装置30の概略断面図である。本実施形態においては、微小球体原料31として、有機金属化合物であるトリエチルアルミニウムを有機溶媒に溶解したものを用いている。本実施形態においては、微小球体原料11中に含まれるトリエチルアルミニウムの割合を0.1容量%程度にしている。図3に示したように、微小球体形成装置30は、上記した多孔質膜形成装置10とほぼ同様であるが、上部に定量吐出手段であるジェットノズルヘッド32を有しており、当該ジェットノズルヘッド32から、微小球体原料31が4pl(ピコリットル)ずつ吐出される。そして、ケーシング33にはガス導入管70を設けてあり、当該ガス導入管70を介してオゾンなどの酸化性のガスを導入し、ケーシング33内を酸化雰囲気中にしている。   The microsphere forming apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the microsphere forming apparatus 30 in the third embodiment of the present invention. In the present embodiment, the microsphere raw material 31 is prepared by dissolving triethylaluminum, which is an organometallic compound, in an organic solvent. In the present embodiment, the proportion of triethylaluminum contained in the microsphere raw material 11 is set to about 0.1% by volume. As shown in FIG. 3, the microsphere forming apparatus 30 is substantially the same as the porous film forming apparatus 10 described above, but has a jet nozzle head 32 serving as a quantitative discharge means at the top, and the jet nozzle From the head 32, the microsphere raw material 31 is discharged by 4 pl (picoliter). The casing 33 is provided with a gas introduction pipe 70, and an oxidizing gas such as ozone is introduced through the gas introduction pipe 70 so that the inside of the casing 33 is in an oxidizing atmosphere.

ケーシング33中部の周囲を加熱手段であるヒータ34にて囲み、当該ヒータ34により、微小球体原料31を分解する温度以上に加熱する。これにより、微小球体原料31の溶媒成分や有機成分が分解して拡散する。そして、Al成分が周囲の酸素原子等により酸化され、アルミナ成分からなる液状微粒子35とすることができる。また、本実施形態における液状微粒子35は、サイズ1μm程度に形成することができる。   The middle part of the casing 33 is surrounded by a heater 34 that is a heating means, and the heater 34 heats the microsphere raw material 31 to a temperature at which the microsphere raw material 31 is decomposed. Thereby, the solvent component and organic component of the microsphere raw material 31 are decomposed and diffused. Then, the Al component is oxidized by surrounding oxygen atoms or the like, so that liquid fine particles 35 made of an alumina component can be obtained. Further, the liquid fine particles 35 in the present embodiment can be formed to a size of about 1 μm.

ヒータ34の下部には、冷却手段である冷却器36を設けてあり、これにより液状微粒子35を冷却固化して微小球体39を形成させる。そして、このように形成した微小球体39を保持させるための受け皿38を、前記冷却器36の下に設けている。本実施形態においては、液状微粒子35を完全に固化する温度まで冷却器36により冷却させる。これにより、受け皿38に保持するときに、微小球体39が溶けたり、破損したりすることを防止することができる。このように、本実施形態においては、溶媒に0.1容量%だけ溶解させた4pl(ピコリットル)の微小球体原料31から、サイズが1μmの微小球体39を形成することができる。このように形成した微小球体39は、例えば時計のベアリングなどに使用することができる。また、微小球体39は、マイクロマシンに用いるベアリングにも好適に使用することができる。本実施形態のようにすることで、微小なサイズの微小球体39をばらつきなく形成させることができる。なお、本実施形態においては、ケーシング33内を酸化雰囲気としたが、窒化成分の微小球体39を形成する場合には、ガス導入管70からアンモニアガスなどの窒化性のガスをケーシング33内に導入して、ケーシング33内を窒化雰囲気にする。そして、微小球体原料31としてシクロペンタジエニルチタンを用いると、TiNからなる微小球体39を形成することができる。また、ケーシング33内に窒素などの還元性ガスや希ガスなどの不活性ガスを導入することで、Tiからなる微小球体39を形成することができる。   A cooler 36 as a cooling means is provided below the heater 34, whereby the liquid fine particles 35 are cooled and solidified to form microspheres 39. A tray 38 for holding the microsphere 39 formed in this way is provided under the cooler 36. In the present embodiment, the cooler 36 cools the liquid fine particles 35 to a temperature at which they are completely solidified. Thereby, when it hold | maintains at the receiving tray 38, it can prevent that the microsphere 39 is melt | dissolved or damaged. Thus, in the present embodiment, the microsphere 39 having a size of 1 μm can be formed from the 4 pl (picoliter) microsphere raw material 31 dissolved by 0.1% by volume in the solvent. The microsphere 39 formed in this way can be used for a bearing of a watch, for example. Moreover, the microsphere 39 can be suitably used for a bearing used in a micromachine. By using the present embodiment, it is possible to form the microspheres 39 having a very small size without variation. In the present embodiment, the inside of the casing 33 is an oxidizing atmosphere. However, when the nitriding component microsphere 39 is formed, a nitriding gas such as ammonia gas is introduced into the casing 33 from the gas introduction pipe 70. Thus, the inside of the casing 33 is made a nitriding atmosphere. When cyclopentadienyl titanium is used as the microsphere raw material 31, a microsphere 39 made of TiN can be formed. Further, by introducing a reducing gas such as nitrogen or an inert gas such as a rare gas into the casing 33, the microsphere 39 made of Ti can be formed.

また、微小球体を形成する有機ケイ素化合物としては、これに限らず、上記したTEOSの他に、オレガノシラン、オレガノシロキサン等がある。   The organosilicon compounds that form the microspheres are not limited to this, and include, in addition to the above-described TEOS, oreganosilane, oreganosiloxane.

また、フッ素化合物を用いることにより、フッ素樹脂をコーティングした微小球体39を形成することができる。フッ素化合物としては、パーフロロカーボンなどがある。また、微小球体39の表面に潤滑油を塗ると、潤滑性を向上させることができる。このようにすることで、微小球体39の酸化を防止して錆の発生を防ぐことができる。なお、本実施形態においても、ヒータ34と受け皿38との間隔を大きくして、冷却器36を省略した多孔質膜形成装置30としてもよい。また、上記したように、レーザや電磁波、または誘導加熱装置により原料を加熱して、微小球体39を形成させてもよい。   In addition, by using a fluorine compound, the microsphere 39 coated with a fluororesin can be formed. Examples of the fluorine compound include perfluorocarbon. Further, when lubricating oil is applied to the surface of the microsphere 39, the lubricity can be improved. By doing in this way, oxidation of the microsphere 39 can be prevented and generation | occurrence | production of rust can be prevented. Also in this embodiment, the porous film forming apparatus 30 may be configured such that the space between the heater 34 and the tray 38 is increased and the cooler 36 is omitted. Further, as described above, the microsphere 39 may be formed by heating the raw material with a laser, an electromagnetic wave, or an induction heating device.

図4は、本発明の第四実施形態における微小球体形成装置40の概略断面図である。図4に示したように、本実施形態における微小球体形成装置40は、微小球体形成を行うための、チャンバ43を有している。前記チャンバ43の上部には、吐出手段であるジェットノズルヘッド42を有している。前記ジェットノズルヘッド42の下端から、微小球体原料49が吐出するのである。前記チャンバ43には、プラズマガス供給源41が接続しており、当該ガス供給源41からチャンバ43内にプラズマガスが供給できるようになっている。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the microsphere forming apparatus 40 in the fourth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, the microsphere forming apparatus 40 in the present embodiment has a chamber 43 for performing microsphere formation. A jet nozzle head 42 as discharge means is provided on the upper portion of the chamber 43. The microsphere raw material 49 is discharged from the lower end of the jet nozzle head 42. A plasma gas supply source 41 is connected to the chamber 43 so that plasma gas can be supplied from the gas supply source 41 into the chamber 43.

また、前記チャンバ43を接地電極47に接続されてなるとともに、チャンバ43内に放電電極44が挿入配置されている。前記放電電極44は、電源45に接続してあり、電源45により電圧が印加される。このため、チャンバ43内全体において、放電を発生することができるようになっている。前記電源45は、直流のものを用いてもよいし、交流であってもよい。交流の場合には、高周波電圧のものを用いるのが望ましい。   The chamber 43 is connected to the ground electrode 47, and the discharge electrode 44 is inserted into the chamber 43. The discharge electrode 44 is connected to a power source 45, and a voltage is applied by the power source 45. For this reason, discharge can be generated in the entire chamber 43. The power source 45 may be a direct current or an alternating current. In the case of alternating current, it is desirable to use a high frequency voltage.

前記チャンバ43には、真空ポンプ46が設けてあり、当該真空ポンプ46により、チャンバ43内を真空状態に保持させて真空容器とすることができる。これにより、気体放電が起こりやすくなり、チャンバ43内をプラズマ雰囲気に保持することができる。そして、チャンバ43室内下部においては、前実施形態と同様に受け皿48を設けてあり、形成した微小球体50を当該受け皿48にて保持することができるようになっている。   The chamber 43 is provided with a vacuum pump 46, and the vacuum pump 46 can hold the chamber 43 in a vacuum state to form a vacuum container. As a result, gas discharge easily occurs, and the inside of the chamber 43 can be maintained in a plasma atmosphere. In the lower part of the chamber 43, a tray 48 is provided as in the previous embodiment, and the formed microsphere 50 can be held by the tray 48.

上記のように構成した微小球体形成装置40の作用は以下のようになる。本実施形態においては、微小球体原料49として、有機金属化合物であるトリエチルアルミニウムを用いている。また、本実施形態においては、導入ガスとしてC38を用いる。この状態で気体放電を発生させると、微小球体原料49の溶媒成分や有機成分が分解してAl成分からなる球体が形成される。さらに、導入したC38が、気体放電により励起され、重合されることでフッ素樹脂を形成する。
このフッ素樹脂がAl成分からなる微小球体の表面に被膜するため、Al成分の表面にフッ素樹脂をコーティングした微小球体50を形成することができる。このため、形成した微小球体50の潤滑性を向上させることができる。
The operation of the microsphere forming apparatus 40 configured as described above is as follows. In the present embodiment, triethylaluminum that is an organometallic compound is used as the microsphere raw material 49. In this embodiment, C 3 F 8 is used as the introduced gas. When gas discharge is generated in this state, the solvent component and the organic component of the microsphere raw material 49 are decomposed to form a sphere composed of an Al component. Furthermore, the introduced C 3 F 8 is excited by gas discharge and polymerized to form a fluororesin.
Since this fluororesin coats the surface of the microsphere made of the Al component, the microsphere 50 in which the surface of the Al component is coated with the fluororesin can be formed. For this reason, the lubricity of the formed microsphere 50 can be improved.

以上説明したように、本発明においては、球状体により多孔質膜を形成するため、空隙率の高い膜を形成することができ、膜の誘電率を従来よりも低くすることができ、低インピーダンス化することができる。   As described above, in the present invention, since the porous film is formed of a spherical body, a film with a high porosity can be formed, the dielectric constant of the film can be made lower than before, and a low impedance Can be

また、本発明においては、真円形状の微小球体を形成することができるとともに、形成する微小球体のサイズを一定化させることができ、従来に比してサイズの小さい微小球体の形成を行うことができる。   In addition, in the present invention, a perfect circular microsphere can be formed, the size of the microsphere to be formed can be made constant, and a microsphere having a smaller size than before can be formed. Can do.

本発明の第一実施形態における多孔質膜形成装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the porous film forming apparatus in 1st embodiment of this invention. 本発明の第二実施形態における多孔質膜形成装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the porous film forming apparatus in 2nd embodiment of this invention. 本発明の第三実施形態における微小球体形成装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the microsphere formation apparatus in 3rd embodiment of this invention. 本発明の第四実施形態における微小球体形成装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the microsphere formation apparatus in 4th embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10…多孔質膜形成装置、11…微小球体原料、12…ジェットノズルヘッド、13…ケーシング、14…ヒータ、15…液状微粒子、16…冷却器、17…多孔質膜、18…半導体ウエハ、19…ウエハ加熱ヒータ、20…多孔質膜形成装置、21…微小球体原料、22…ジェットノズルヘッド、24…レーザ照射器、25…液状微粒子、27…多孔質膜、28…半導体ウエハ、29…ウエハ加熱ヒータ、30…微小球体形成装置、31…微小球体原料、32…ジェットノズルヘッド、33…ケーシング、34…ヒータ、35…液状微粒子、36…冷却器、38…受け皿、39…微小球体、40…微小球体形成装置、41…ガス供給源、42…ジェットノズルヘッド、43…チャンバ、44…放電電極、45…電源、46…真空ポンプ、47…接地電極、48…受け皿、49…微小球体原料、50…微小球体、70…ガス導入管、71…矢印、72…矢印、74…レーザ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Porous film formation apparatus, 11 ... Microsphere raw material, 12 ... Jet nozzle head, 13 ... Casing, 14 ... Heater, 15 ... Liquid fine particle, 16 ... Cooler, 17 ... Porous film, 18 ... Semiconductor wafer, 19 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Wafer heater, 20 ... Porous film forming apparatus, 21 ... Microsphere raw material, 22 ... Jet nozzle head, 24 ... Laser irradiator, 25 ... Liquid fine particle, 27 ... Porous film, 28 ... Semiconductor wafer, 29 ... Wafer Heating heater, 30 ... microsphere forming device, 31 ... microsphere raw material, 32 ... jet nozzle head, 33 ... casing, 34 ... heater, 35 ... liquid fine particles, 36 ... cooler, 38 ... dish, 39 ... microsphere, 40 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Microsphere formation apparatus, 41 ... Gas supply source, 42 ... Jet nozzle head, 43 ... Chamber, 44 ... Discharge electrode, 45 ... Power supply, 46 ... Vacuum pump, 4 ... ground electrode, 48 ... receiving tray, 49 ... microspheres raw material, 50 ... microspheres, 70 ... gas inlet, 71 ... arrow 72 ... arrow 74 ... laser.

Claims (20)

液体有機金属化合物または液体有機ケイ素化合物もしくは有機金属化合物または有機ケイ素化合物を含む溶液を微粒子化し、液体微粒子を加熱して前記液体有機化合物または前記液体有機ケイ素化合物を分解したのち、冷却して球状体を形成することを特徴とする微小球体形成方法。   Liquid organometallic compound or liquid organosilicon compound or solution containing organometallic compound or organosilicon compound is made into fine particles, the liquid fine particles are heated to decompose the liquid organic compound or the liquid organosilicon compound, and then cooled to form a spherical body Forming a microsphere. 前記液体有機金属化合物または前記液体有機ケイ素化合物を溶媒に溶解したのち、微粒子化することを特徴とする請求項1に記載の微小球体形成方法。   2. The method for forming microspheres according to claim 1, wherein the liquid organometallic compound or the liquid organosilicon compound is dissolved in a solvent and then made into fine particles. 金属またはケイ素などの無機物の微粉末を分散させた溶液を微粒子化し、液体微粒子を前記無機物の融点以上に加熱して溶媒を蒸発させたのち、溶融した前記無機物を冷却して球状体を形成することを特徴とする微小球体形成方法。   A solution in which a fine powder of an inorganic substance such as metal or silicon is dispersed is made into fine particles, the liquid fine particles are heated to a temperature higher than the melting point of the inorganic substance to evaporate the solvent, and then the molten inorganic substance is cooled to form a spherical body. A method for forming microspheres. 前記液体微粒子の加熱は、不活性気体中で行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の微小球体形成方法。   The method for forming a microsphere according to any one of claims 1 to 3, wherein the liquid fine particles are heated in an inert gas. 前記液体微粒子の加熱は、真空中で行うことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一項に記載の微小球体形成方法。   The method of forming a microsphere according to any one of claims 1 to 13, wherein the liquid fine particles are heated in a vacuum. 前記液体微粒子の加熱は、酸化性ガスを供給して行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の微小球体形成方法。   The method for forming a microsphere according to any one of claims 1 to 3, wherein the liquid fine particles are heated by supplying an oxidizing gas. 前記液体微粒子の加熱は、アンモニアガスを供給して行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の微小球体形成方法。   The method for forming a microsphere according to any one of claims 1 to 3, wherein the liquid fine particles are heated by supplying ammonia gas. 液体有機金属化合物または液体有機ケイ素化合物もしくは有機金属化合物または有機ケイ素化合物を含む溶液を微粒子化して真空容器内に供給し、真空容器内にプラズマを発生させて前記液体有機金属化合物または液体有機ケイ素化合物を分解したのち、冷却することを特徴とする微小球体形成方法。   A liquid organometallic compound or a liquid organosilicon compound or a solution containing an organometallic compound or an organosilicon compound is atomized and supplied into a vacuum vessel, and plasma is generated in the vacuum vessel to generate the liquid organometallic compound or the liquid organosilicon compound. A method for forming a microsphere, which comprises cooling after disassembling. 前記液体有機金属化合物または前記液体有機ケイ素化合物を溶媒に溶解したのち、微粒子化することを特徴とする請求項8に記載の微小球体形成方法。   9. The method for forming microspheres according to claim 8, wherein the liquid organometallic compound or the liquid organosilicon compound is dissolved in a solvent and then made into fine particles. 前記真空容器内に酸化性ガスを供給することを特徴とする請求項8または9に記載の微小球体形成方法。   The method for forming microspheres according to claim 8 or 9, wherein an oxidizing gas is supplied into the vacuum vessel. 前記真空容器内にアンモニアを供給することを特徴とする請求項8または9に記載の微小球体形成方法。   The method for forming microspheres according to claim 8 or 9, wherein ammonia is supplied into the vacuum vessel. 前記真空容器内に有機フッ素化合物を供給することを特徴とする請求項8乃至11のいずれか一項に記載の微小球体形成方法。   The method for forming microspheres according to any one of claims 8 to 11, wherein an organic fluorine compound is supplied into the vacuum vessel. 前記微粒子化は、液体の定量を吐出可能な定量吐出手段で行うことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の微小球体形成方法。   The method for forming microspheres according to any one of claims 1 to 12, wherein the microparticulation is performed by a fixed amount discharge unit capable of discharging a fixed amount of liquid. 球状体形成原料を含む液体を一定量ずつ微粒子化して吐出可能な定量吐出手段と、液体微粒子を加熱する加熱手段とを有することを特徴とする微小球体形成装置。   A microsphere forming apparatus comprising: a quantitative discharge means capable of atomizing and discharging a liquid containing a spherical body forming raw material by a predetermined amount; and a heating means for heating the liquid fine particles. 球状体形成原料を含む液体を一定量ずつ微粒子化して吐出可能な定量吐出手段と、液体微粒子を加熱する加熱手段と、この加熱手段が加熱する液体微粒子の周囲に不活性気体または酸化性ガスまたはアンモニアガスを供給可能なガス供給手段と、を有することを特徴とする微小球体形成装置。   A fixed-quantity discharge means capable of atomizing and discharging a liquid containing a spherical body forming raw material by a certain amount, a heating means for heating the liquid fine particles, and an inert gas or an oxidizing gas around the liquid fine particles heated by the heating means. And a gas supply unit capable of supplying ammonia gas. 前記液体微粒子の加熱部の下方に冷却部が配設してあることを特徴とする請求項14または15に記載の微小球体形成装置。   The microsphere forming apparatus according to claim 14, wherein a cooling unit is disposed below the heating unit for the liquid fine particles. 真空容器と、この真空容器内に液体を一定量ずつ微粒子化して吐出可能な定量吐出手段と、真空容器内にプラズマを発生させる電極とを有することを特徴とする微小球体形成装置。   An apparatus for forming microspheres, comprising: a vacuum container; a quantitative discharge means capable of atomizing and discharging a liquid into the vacuum container by a certain amount; and an electrode for generating plasma in the vacuum container. 前記真空容器には、容器内に酸化性ガスまたはアンモニアガスを供給可能なガス供給手段が設けてあることを特徴とする請求項17に記載の微小球体形成装置。   18. The microsphere forming apparatus according to claim 17, wherein the vacuum container is provided with gas supply means capable of supplying an oxidizing gas or ammonia gas in the container. 前記真空容器には、前記真空容器内に有機フッ素化合物を供給するフッ素化合物供給手段が設けてあることを特徴とする請求項17または18に記載の微小球体形成装置。   The microsphere forming apparatus according to claim 17 or 18, wherein the vacuum container is provided with a fluorine compound supply means for supplying an organic fluorine compound into the vacuum container. 前記真空容器下部には、冷却手段が配設してあることを特徴とする請求項17乃至19のいずれか一項に記載の微小球体形成装置。   The microsphere forming apparatus according to any one of claims 17 to 19, wherein a cooling means is disposed in the lower part of the vacuum vessel.
JP2006319790A 2006-11-28 2006-11-28 Microsphere forming method and microsphere forming apparatus Expired - Fee Related JP4285530B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006319790A JP4285530B2 (en) 2006-11-28 2006-11-28 Microsphere forming method and microsphere forming apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006319790A JP4285530B2 (en) 2006-11-28 2006-11-28 Microsphere forming method and microsphere forming apparatus

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000089583A Division JP3941325B2 (en) 2000-03-28 2000-03-28 Porous film forming method and porous film forming apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007162133A true JP2007162133A (en) 2007-06-28
JP4285530B2 JP4285530B2 (en) 2009-06-24

Family

ID=38245374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006319790A Expired - Fee Related JP4285530B2 (en) 2006-11-28 2006-11-28 Microsphere forming method and microsphere forming apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4285530B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140129289A (en) * 2012-02-28 2014-11-06 유니버시티 오브 레스터 Chemical reaction by combination of gas-phase and wet-cheminal methods
WO2017175550A1 (en) * 2016-04-08 2017-10-12 富士フイルム株式会社 Composition, method for producing composition, cured film, color filter, light-blocking film, solid-state imaging element, and image display device
CN109455728A (en) * 2018-12-29 2019-03-12 黄冈师范学院 A kind of device and method of gas heating production high-purity ultra-fine sphere silicon micro-powder

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140129289A (en) * 2012-02-28 2014-11-06 유니버시티 오브 레스터 Chemical reaction by combination of gas-phase and wet-cheminal methods
JP2015515361A (en) * 2012-02-28 2015-05-28 ユニバーシティ オブ レスターUniversity Of Leicester Chemical reaction by combination of gas phase method and wet chemical method
US9931607B2 (en) 2012-02-28 2018-04-03 Gediminas Gallinis Chemical reaction by combination of gas-phase and wet-chemical methods
KR102163177B1 (en) * 2012-02-28 2020-10-08 게디미나스 갈리니스 Chemical reaction by combination of gas-phase and wet-cheminal methods
WO2017175550A1 (en) * 2016-04-08 2017-10-12 富士フイルム株式会社 Composition, method for producing composition, cured film, color filter, light-blocking film, solid-state imaging element, and image display device
JPWO2017175550A1 (en) * 2016-04-08 2019-03-14 富士フイルム株式会社 Composition, method for producing composition, cured film, color filter, light-shielding film, solid-state imaging device, and image display device
CN109455728A (en) * 2018-12-29 2019-03-12 黄冈师范学院 A kind of device and method of gas heating production high-purity ultra-fine sphere silicon micro-powder
CN109455728B (en) * 2018-12-29 2023-03-24 黄冈师范学院 Device and method for producing high-purity superfine spherical silicon micro powder by heating gas

Also Published As

Publication number Publication date
JP4285530B2 (en) 2009-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7981190B2 (en) Ultrafine alloy particles, and process for producing the same
JP2022023164A (en) Metal powder atomization manufacturing processes
US6582763B1 (en) Process for producing oxide coated fine metal particles
RU2196846C2 (en) Nanostructural raw materials for thermic deposition
CA2183290C (en) Metal or ceramic powder production process by plasma atomization
US7431750B2 (en) Nanostructured metal powder and method of fabricating the same
EP2441922A1 (en) Metal nanoparticle dispersion
CN111954581A (en) Method and device for producing fine spherical powder from coarse and angular powder feed
JPS63243212A (en) Wet metallurgical method for producing finely divided globular high melting point metal base powder
JP2008133528A (en) Thermal spray powder, method for forming thermal spray coating and plasma resistant member
JPS61221310A (en) Method and apparatus for producing pulverous powder of metal or alloy or the like
JP4285530B2 (en) Microsphere forming method and microsphere forming apparatus
JP2009221550A (en) Powder production machine, and powder production method
JP3941325B2 (en) Porous film forming method and porous film forming apparatus
EP3868492A1 (en) Spray nozzle and metal powder manufacturing apparatus including same
JP2020105593A (en) Method for producing atomized metal powder
JP2014227591A (en) Apparatus and method for producing metal fine powder
CA2735441A1 (en) Fibers including nanoparticles and a method of producing the nanoparticles
JP2004512952A (en) Rapid surface cooling of wax droplets by flash evaporation
JP3991098B2 (en) Aluminum nitride filler powder synthesized by flame
CN109072413A (en) Evaporation of metal material
WO2009153865A1 (en) Micropowder producing apparatus and process
US11570901B2 (en) Method for manufacturing aluminum circuit board
WO2021100320A1 (en) Microparticles
TW501940B (en) Method for producing a liquid dispersion substantially containing submicron sized metal particles

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070406

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081023

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081028

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090120

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090206

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090303

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090316

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130403

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130403

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140403

Year of fee payment: 5

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees