JP2007150226A5 - - Google Patents

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  1. 有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、
    前記有機化合物はアリールアミン骨格を有する高分子化合物であり、
    前記複合材料の吸収スペクトルが、前記高分子化合物、前記無機化合物のどちらの吸収スペクトルにも吸収ピークが現れない波長に吸収ピークを有することを特徴とする複合材料。
  2. 有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、
    前記有機化合物はアリールアミン骨格を有する高分子化合物であり、
    前記無機化合物は周期表第５族乃至第７族のいずれかの金属の金属酸化物からなることを特徴とする複合材料。
  3. 有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、
    前記有機化合物はアリールアミン骨格を有する高分子化合物であり、
    前記無機化合物は酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化ニオブ、又は酸化レニウムからなることを特徴とする複合材料。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか１において、前記高分子化合物が下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有することを特徴とする複合材料。
    Figure 2007150226
     （但し式中Ｒ１は水素、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基のいずれかを表し、式中Ｒ２はトリアリールアミン構造を有する１価の置換基を表す。）
  5. 請求項１乃至請求項３のいずれか１において、前記高分子化合物が下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有し、
    Figure 2007150226
     式中Ｒ１は水素、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基のいずれかであり、式中Ｒ２は下記式（２）で表される基であることを特徴とする複合材料。
    Figure 2007150226
     （ただし式中Ａｒ１は置換基を有しても有さずとも良い炭素数６〜１２のアリーレン基、Ａｒ２、Ａｒ３は置換基を有しても有さずとも良い炭素数６〜１４のアリール基を表す。）
  6. 請求項１乃至請求項３のいずれか１において、前記高分子化合物が下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有し、
    Figure 2007150226
     式中Ｒ１は水素、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基のいずれかであり、式中Ｒ２は下記式（３）で表される基であることを特徴とする複合材料。
    Figure 2007150226
     （但し式中Ａｒ１〜Ａｒ３は置換基を有しても有さずとも良い炭素数６〜１４のアリール基を表す。）
  7. 請求項１乃至請求項３のいずれか１において、前記高分子化合物が下記構造式（４）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物であることを特徴とする複合材料。
    Figure 2007150226
  8. 有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、
    前記有機化合物は下記構造式（７８）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物であり、
    前記複合材料の吸収スペクトルが前記高分子化合物、前記無機化合物のどちらの吸収スペクトルとも異なることを特徴とする複合材料。
    Figure 2007150226
  9. 有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、
    前記有機化合物は下記構造式（７８）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物であり、
    前記複合材料の吸収スペクトルが、前記高分子化合物、前記無機化合物のどちらの吸収スペクトルにも吸収ピークが現れない波長に吸収ピークを有することを特徴とする複合材料。
    Figure 2007150226
  10. 有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、
    前記有機化合物は下記構造式（７８）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物であり、
    前記無機化合物は周期表第５族乃至第７族のいずれかの金属の金属酸化物からなることを特徴とする複合材料。
    Figure 2007150226
  11. 有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、
    前記有機化合物は下記構造式（７８）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物であり、
    前記無機化合物は酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化ニオブ、又は酸化レニウムからなることを特徴とする複合材料。
    Figure 2007150226
  12. 請求項１乃至請求項１１のいずれか１において、前記無機化合物は粒子を形成しており、前記粒子の粒径は２０ｎｍ以下であることを特徴とする複合材料。
  13. 請求項１乃至請求項１２のいずれか１に記載の複合材料を用いたことを特徴とする発光素子用材料。
  14. 第１の電極と、
    第２の電極と、
    前記第１の電極及び前記第２の電極の間に発光積層体と、を有し、
    請求項１乃至請求項１２のいずれか１に記載の複合材料からなる層を前記発光積層体の一部として有することを特徴とする発光素子。
  15. 陽極として機能する電極と、
    陰極として機能する電極と、
    前記陽極として機能する電極及び前記第陰極として機能する電極の間に発光積層体と、を有し、
    請求項１乃至請求項１２のいずれか１に記載の複合材料からなる層を前記発光積層体の一部として有し、
    前記複合材料からなる層は前記陽極として機能する電極に接して設けられていることを特徴とする発光素子。
  16. 陽極として機能する電極と、
    陰極として機能する電極と、
    前記陽極として機能する電極及び前記陰極として機能する電極の間に発光積層体と、を有し、
    請求項１乃至請求項１２のいずれか１に記載の複合材料からなる層を前記発光積層体の一部として有し、
    前記複合材料からなる層は前記陰極として機能する電極に接して設けられていることを特徴とする発光素子。
  17. 請求項１４乃至請求項１６のいずれか１に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する手段とを有することを特徴とする発光装置。
  18. 表示部を有し、前記表示部は請求項１４乃至請求項１６のいずれか１に記載の発光素子を有し、前記発光素子の発光を制御する手段を備えたことを特徴とする電子機器。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009107497A1 (ja) * 2008-02-27 2009-09-03 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及び表示装置
JP5326780B2 (ja) * 2008-04-28 2013-10-30 大日本印刷株式会社 正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法、並びに正孔注入輸送層形成用インク
CN103107289B (zh) * 2008-04-28 2015-08-26 大日本印刷株式会社 用于形成空穴注入传输层的含过渡金属的纳米粒子及其制造方法
JP5560996B2 (ja) * 2009-07-31 2014-07-30 大日本印刷株式会社 正孔注入輸送層用デバイス材料、正孔注入輸送層形成用インク、正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法
JP5531843B2 (ja) * 2009-07-31 2014-06-25 大日本印刷株式会社 正孔注入輸送層用デバイス材料、正孔注入輸送層形成用インク、正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法
WO2011052645A1 (ja) * 2009-10-27 2011-05-05 大日本印刷株式会社 遷移金属化合物含有ナノ粒子及びその製造方法、正孔注入輸送層用インク、並びに正孔注入輸送層を有するデバイス及びその製造方法
JP4798282B2 (ja) * 2009-10-27 2011-10-19 大日本印刷株式会社 正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法、並びに正孔注入輸送層形成用インク
WO2011052625A1 (ja) * 2009-10-27 2011-05-05 昭和電工株式会社 陽極バッファ層用組成物、陽極バッファ層用高分子化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法およびその用途
GB2480323A (en) * 2010-05-14 2011-11-16 Cambridge Display Tech Ltd OLED hole transport layer
GB2486202A (en) 2010-12-06 2012-06-13 Cambridge Display Tech Ltd Adhesion layer for solution-processed transition metal oxides on inert metal contacts of organic thin film transistors.
GB2486203A (en) * 2010-12-06 2012-06-13 Cambridge Display Tech Ltd Transition metal oxide doped interface by deposition and drying of precursor
EP2764518A1 (en) * 2011-10-04 2014-08-13 Plextronics, Inc. Improved doping methods for hole injection and transport layers
JP2019518845A (ja) * 2016-06-28 2019-07-04 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 有機電荷輸送膜を作製するためのプロセス

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150169A (ja) * 1998-09-10 2000-05-30 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
JP2000315581A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP3933591B2 (ja) * 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子

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