JP2007149384A

JP2007149384A - Manufacturing method of plasma display panel and plasma display panel

Info

Publication number: JP2007149384A
Application number: JP2005338910A
Authority: JP
Inventors: Junichi Sano; 潤一佐野; Takeshi Sato; 健佐藤
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2005-11-24
Filing date: 2005-11-24
Publication date: 2007-06-14

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a plasma display panel capable of forming an excellent protection layer appropriately. <P>SOLUTION: A protection layer forming process comprises a coating process to coat a coating liquid in which single crystal MgO 342A is dispersed in a solvent and glass powder is added. Thereby, a crystal MgO layer 342 having single crystal MgO 342A and glass frit 342B in which glass powder is melted and solidified can be formed. Thus, the glass frit 342B can be interposed between neighboring single crystal MgO 342A or between single crystal MgO 342A and a thin film MgO layer 341, and bonding force of the single crystal MgO 342A and the thin film MgO layer 341 can be strengthened. Thereby, scattering of single crystal MgO 342A by discharge at the time of use of a PDP can be suppressed and deterioration of discharge probability can be suppressed. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法、および、プラズマディスプレイパネルに関する。 The present invention relates to a plasma display panel manufacturing method and a plasma display panel.

プラズマディスプレイパネルは、放電空間を介して互いに対向配置された一対の平面ガラス基板である前面基板および背面基板を備えており、背面基板の内面上に井桁状などの隔壁を設けて前記放電空間を複数個の放電セルに区画し、これら複数個の放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像表示を実施する。 The plasma display panel includes a front substrate and a rear substrate, which are a pair of flat glass substrates disposed to face each other through a discharge space, and a partition wall such as a cross-beam is provided on the inner surface of the rear substrate to form the discharge space. An image is displayed by dividing into a plurality of discharge cells and selectively emitting light in the plurality of discharge cells.

このようなプラズマディスプレイパネルの前面基板の内面側には、放電ギャップを介して対向する複数の透明電極およびこれら透明電極の一端部に積層するバス電極を備えた複数の表示電極対と、これら表示電極対間に設けられた複数のブラックストライプと、これら表示電極対およびブラックストライプ上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層と、などがそれぞれ設けられている。 On the inner surface side of the front substrate of such a plasma display panel, a plurality of display electrode pairs including a plurality of transparent electrodes opposed via a discharge gap and a bus electrode laminated on one end of these transparent electrodes, and these displays A plurality of black stripes provided between the electrode pairs, a dielectric layer covering the display electrode pairs and the black stripes, a protective layer covering the dielectric layers, and the like are provided.

上記保護層は、誘電体層が放電によりスパッタリングされることを防ぐと共に、低電圧で放電を発生させるための二次電子の放出層としての役割も持っている。また、発光は保護層を通して前面基板側から観察されるため可視光に対する透明性も必要とされる。このため、保護層の材料としては、低スパッタ率、高二次電子放出係数、可視光に対する透明性などの特性により酸化マグネシウム（以下、ＭｇＯと記す）が広く用いられている。 The protective layer prevents the dielectric layer from being sputtered by discharge, and also serves as a secondary electron emission layer for generating discharge at a low voltage. Further, since light emission is observed from the front substrate side through the protective layer, transparency to visible light is also required. For this reason, magnesium oxide (hereinafter referred to as MgO) is widely used as a material for the protective layer due to characteristics such as a low sputtering rate, a high secondary electron emission coefficient, and transparency to visible light.

従来、このようなＭｇＯによる保護層の形成方法として、スプレーガンを用いたスプレー法により、ＭｇＯの微結晶粉末を溶剤に分散させた塗工液を基板に対して吹き付けるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。 Conventionally, as a method for forming such a protective layer with MgO, there is known a method in which a coating liquid in which MgO microcrystalline powder is dispersed in a solvent is sprayed onto a substrate by a spray method using a spray gun ( For example, see Patent Document 1).

特許文献１に記載の構成では、直径が１〜２μｍのＭｇＯの微結晶粉末をエチルアルコールを分散溶媒として分散させ、吹き付けに用いる懸濁液としている。そして、スプレーガンに懸濁液と霧化用の高圧エアを供給し、懸濁液をガラス基板上にスプレー塗布した後、ガラス基板を２００℃に加熱しエチルアルコールを充分に蒸発させ、ＭｇＯ微結晶が積層したＭｇＯ膜を得る構成が採用されている。 In the configuration described in Patent Document 1, MgO microcrystalline powder having a diameter of 1 to 2 μm is dispersed in ethyl alcohol as a dispersion solvent to form a suspension used for spraying. Then, the suspension and high-pressure air for atomization are supplied to the spray gun, and the suspension is spray-coated on the glass substrate. Then, the glass substrate is heated to 200 ° C. to sufficiently evaporate ethyl alcohol. A configuration for obtaining an MgO film in which crystals are stacked is employed.

特開平７−２９６７１８号公報JP-A-7-296718

しかしながら、上述したような特許文献１のような構成では、ガラス基板を誘電体層が溶けない２００℃で加熱してＭｇＯ膜を得るため、ＭｇＯ膜が誘電体層上に載っている状態で設けられてしまい、ＭｇＯ膜と誘電体層との結合力が弱くなるおそれがある。
このため、例えばプラズマディスプレイパネルの使用時における放電により、ＭｇＯが飛散してしまい、放電確率の低下を引き起こすおそれがある。 However, in the configuration as in Patent Document 1 as described above, the MgO film is obtained by heating the glass substrate at 200 ° C. at which the dielectric layer does not melt, so that the MgO film is placed on the dielectric layer. As a result, the bonding force between the MgO film and the dielectric layer may be weakened.
For this reason, for example, MgO scatters due to discharge during use of the plasma display panel, which may cause a decrease in discharge probability.

本発明は、上述したような問題点に鑑みて、良好な保護層を形成可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法およびプラズマディスプレイパネルを提供することを１つの目的とする。 In view of the above-described problems, an object of the present invention is to provide a plasma display panel manufacturing method and a plasma display panel capable of forming a good protective layer.

請求項１に記載の発明は、放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極対と、これら電極対上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記保護層を形成する保護層形成工程には、酸化マグネシウム粉体を溶剤に分散させた塗工液を塗布する塗布工程が含まれ、前記塗工液には、ガラス粉体が添加されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。 According to the first aspect of the present invention, a pair of substrates opposed to each other through a discharge space, a plurality of electrode pairs formed on the inner surface of one of the pair of substrates, and the electrode pairs A plasma display panel manufacturing method for manufacturing a plasma display panel comprising a dielectric layer to be coated and a protective layer covering the dielectric layer, the protective layer forming step for forming the protective layer, A method for producing a plasma display panel, comprising a coating step of coating a coating liquid in which magnesium oxide powder is dispersed in a solvent, wherein glass powder is added to the coating liquid. .

請求項１０に記載の発明は、放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極対と、これら電極対上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルであって、前記保護層には、酸化マグネシウム粉体と、ガラスフリットとが含まれることを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。 According to a tenth aspect of the present invention, a pair of substrates opposed to each other via a discharge space, a plurality of electrode pairs formed on the inner surface of one of the pair of substrates, and the electrode pairs A plasma display panel comprising a dielectric layer to be coated and a protective layer covering the dielectric layer, wherein the protective layer includes magnesium oxide powder and glass frit It is a plasma display panel.

以下、本発明の一実施形態について図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した分解斜視図である。図２は、プラズマディスプレイパネルを模式的に示した正面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。図５は、保護層近傍の部分拡大図である。図６は、塗工装置の概略構成を示す概念図である。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is an exploded perspective view showing an internal structure of a plasma display panel according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a front view schematically showing the plasma display panel. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. FIG. 5 is a partially enlarged view in the vicinity of the protective layer. FIG. 6 is a conceptual diagram showing a schematic configuration of the coating apparatus.

〔プラズマディスプレイパネルの構成〕
本実施形態において、図１に示すように、１はプラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）であり、このＰＤＰ１は、例えば略平面長方形状に形成され、プラズマ放電による発光を利用して画像を表示する装置である。このＰＤＰ１は、画像表示領域を構成する放電空間Ｈを介して、互いに対向配置された一対の基板である背面基板２および前面基板３を備えている。 [Configuration of plasma display panel]
In this embodiment, as shown in FIG. 1, reference numeral 1 denotes a plasma display panel (PDP). The PDP 1 is formed in, for example, a substantially planar rectangular shape, and uses a light emission by plasma discharge to display an image. It is a device to display. The PDP 1 includes a rear substrate 2 and a front substrate 3 which are a pair of substrates disposed to face each other via a discharge space H constituting an image display area.

これら背面基板２および前面基板３は、それぞれの外周縁部に図示しないシールフリットが設けられて封着されている。そして、封着された当該空間内部は例えば６．７×１０^４Ｐａ（５００Ｔｏｒｒ）程度の減圧状態とされ、当該空間にはＨｅ−Ｘｅ（ヘリウム−キセノン）系やＮｅ−Ｘｅ（ネオン−キセノン）系の不活性ガスが充填されている。 The back substrate 2 and the front substrate 3 are sealed by providing seal frits (not shown) at their outer peripheral edges. The sealed interior of the space is in a reduced pressure state of, for example, about 6.7 × 10 ⁴ Pa (500 Torr), and the space is He—Xe (helium-xenon) or Ne—Xe (neon-xenon). The system is filled with inert gas.

背面基板２は、例えば板状ガラス材にて平面長方形状に形成されている。この背面基板２の内面上には、図１に示すように、複数の直線状のアドレス電極２１と、これらアドレス電極２１上を覆うアドレス電極保護層２２と、このアドレス電極保護層２２上に一体的に設けられた隔壁２３と、この隔壁２３の放電セル２３１内部に充填された蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）と、などがそれぞれ設けられている。 The back substrate 2 is formed in a planar rectangular shape with, for example, a sheet glass material. As shown in FIG. 1, a plurality of linear address electrodes 21, an address electrode protection layer 22 covering the address electrodes 21, and the address electrode protection layer 22 are integrated on the inner surface of the rear substrate 2. The barrier ribs 23 provided in this manner and the phosphor layers (24R, 24G, 24B) filled in the discharge cells 231 of the barrier ribs 23 are provided.

具体的には、アドレス電極２１は、例えばＡｌ（アルミニウム）などにて形成され、図１および２に示すように、背面基板２の長手方向に略直交して一定の間隔で配設されている。それぞれのアドレス電極２１の一端には図示しないアドレス電極引出部が形成されて、このアドレス電極引出部を介して各アドレス電極２１に図示しない列電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。 Specifically, the address electrodes 21 are formed of Al (aluminum), for example, and are disposed at regular intervals substantially orthogonal to the longitudinal direction of the back substrate 2 as shown in FIGS. . An address electrode lead portion (not shown) is formed at one end of each address electrode 21, and a voltage pulse from a column electrode driving portion (not shown) is applied to each address electrode 21 via the address electrode lead portion. ing.

アドレス電極保護層２２は、例えばガラスペーストなどにて形成され、図１，３および４に示すように、背面基板２の内面上におけるアドレス電極引出部を除いた略全面に亘り設けられている。このアドレス電極保護層２２は、パネル駆動時において、放電によるアドレス電極２１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する誘電体層として機能する。なお、アドレス電極保護層２２の外周縁部上には前述のシールフリットが設けられている。 The address electrode protective layer 22 is formed of, for example, glass paste, and is provided over substantially the entire surface excluding the address electrode lead portion on the inner surface of the back substrate 2 as shown in FIGS. The address electrode protective layer 22 functions as a dielectric layer for preventing the wear of the address electrode 21 due to discharge and accumulating charges necessary for driving during panel driving. The above-described seal frit is provided on the outer peripheral edge portion of the address electrode protection layer 22.

隔壁２３は、図１および３に示すように、例えばアドレス電極保護層２２と同一成分のガラスペーストにて略梯子状に形成されている。そして、アドレス電極保護層２２上において、アドレス電極２１と略直交する複数の直線状の隙間Ｓ（図３参照）をそれぞれ間に挟んで、複数並列して設けられている。この隔壁２３により放電空間Ｈが複数に区画され、これにて複数の矩形状の放電セル２３１が形成されている。そして、隔壁２３は、その基端部から頂部までの高さがそれぞれ所定の高さ寸法に設定されており、背面基板２と前面基板３との間隙寸法を規定する。 As shown in FIGS. 1 and 3, the partition wall 23 is formed, for example, in a substantially ladder shape with a glass paste having the same component as that of the address electrode protection layer 22. On the address electrode protective layer 22, a plurality of linear gaps S (see FIG. 3) that are substantially orthogonal to the address electrodes 21 are provided in parallel with each other. The partition wall 23 divides the discharge space H into a plurality of sections, thereby forming a plurality of rectangular discharge cells 231. The partition wall 23 is set to have a predetermined height dimension from the base end portion to the top portion, and defines the gap dimension between the back substrate 2 and the front substrate 3.

蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）は、図１，３および４に示すように赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストが放電セル２３１内部に順に充填され、これが焼成されることにより形成される。これら蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）は、それぞれの放電セル２３１で発生した紫外光により励起され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の可視光を発光する。 As shown in FIGS. 1, 3 and 4, the phosphor layers (24R, 24G, 24B) have red (R), green (G), and blue (B) phosphor pastes in order inside the discharge cell 231. It is formed by filling and firing. These phosphor layers (24R, 24G, 24B) are excited by ultraviolet light generated in the respective discharge cells 231 and emit visible light of three primary colors of red (R), green (G), and blue (B). .

前面基板３は、ＰＤＰ１の表示面を構成し、例えば背面基板２と同一材料にて略同一形状に形成されている。この前面基板の内面上には、図１に示すように、アドレス電極２１と略直交して一定の間隔で配列された複数の表示電極対３１と、これら表示電極対３１間にそれぞれ設けられた複数のブラックストライプ３２と、これら表示電極対３１およびブラックストライプ３２上を覆う誘電体層３３と、この誘電体層３３を覆う保護層３４と、などがそれぞれ設けられている。 The front substrate 3 constitutes the display surface of the PDP 1 and is formed, for example, in substantially the same shape with the same material as the rear substrate 2. On the inner surface of the front substrate, as shown in FIG. 1, a plurality of display electrode pairs 31 that are substantially orthogonal to the address electrodes 21 and arranged at regular intervals are provided between the display electrode pairs 31. A plurality of black stripes 32, a dielectric layer 33 covering the display electrode pairs 31 and the black stripes 32, a protective layer 34 covering the dielectric layer 33, and the like are provided.

具体的には、表示電極対３１は、図２および３に示すように、放電ギャップＧ（図２参照）を介して対向する複数対の透明電極３１１ａ，３１１ｂと、これら透明電極３１１ａ，３１１ｂの一端部に積層する一対の直線状のバス電極３１２ａ，３１２ｂとを備えて構成されている。 Specifically, as shown in FIGS. 2 and 3, the display electrode pair 31 includes a plurality of pairs of transparent electrodes 311a and 311b facing each other via a discharge gap G (see FIG. 2), and the transparent electrodes 311a and 311b. It comprises a pair of linear bus electrodes 312a and 312b stacked on one end.

透明電極３１１ａ，３１１ｂは、図２に示すように、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）などの透明導電膜で略Ｔ字形状に形成されており、所定の放電セル２３１に対応して一対ずつ設けられている。 As shown in FIG. 2, the transparent electrodes 311 a and 311 b are formed in a substantially T shape with a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide), and are provided in pairs corresponding to predetermined discharge cells 231. Yes.

バス電極３１２ａ，３１２ｂは、一対の透明電極３１１ａ，３１１ｂにおける放電ギャップＧ（図２参照）に対して反対側の端部に、それぞれ積層して設けられている。これらバス電極３１２ａ，３１２ｂのそれぞれの一端には図示しないバス電極引出部が形成され、このバス電極引出部を介して各透明電極３１１ａ，３１１ｂに図示しない行電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
このようなバス電極３１２ａ，３１２ｂは、図３に示すように、透明電極３１１ａ，３１１ｂ上に積層して設けられた黒色無機顔料などからなるバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂと、これらバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂに積層して設けられたＡｇ（銀）などを主成分とする金属材料からなる主導電層３１４ａ，３１４ｂとを備えた２層構造となっている。 The bus electrodes 312a and 312b are provided to be stacked on the opposite ends of the pair of transparent electrodes 311a and 311b with respect to the discharge gap G (see FIG. 2). A bus electrode lead portion (not shown) is formed at one end of each of the bus electrodes 312a and 312b, and a voltage pulse from a row electrode driving portion (not shown) is applied to each of the transparent electrodes 311a and 311b via the bus electrode lead portion. It has become so.
As shown in FIG. 3, the bus electrodes 312 a and 312 b have bus electrode black layers 313 a and 313 b made of a black inorganic pigment provided on the transparent electrodes 311 a and 311 b and the bus electrode black layers. It has a two-layer structure including main conductive layers 314a and 314b made of a metal material mainly composed of Ag (silver) or the like provided by being laminated on 313a and 313b.

ブラックストライプ３２は、図２および３に示すように、バス電極黒層３１３ａ，３１３ｂと同質の材料にて、直線状に形成されている。このブラックストライプ３２およびバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂにて、前面基板３の外方から照射された可視光が吸収されるようになっている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the black stripe 32 is formed linearly with the same material as the bus electrode black layers 313a and 313b. Visible light irradiated from the outside of the front substrate 3 is absorbed by the black stripe 32 and the bus electrode black layers 313a and 313b.

誘電体層３３は、図３および４に示すように、例えばガラスペーストなどにて形成され、背面基板２のアドレス電極保護層２２と対向して設けられている。この誘電体層３３は、パネル駆動時において、放電による表示電極対３１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する。 As shown in FIGS. 3 and 4, the dielectric layer 33 is formed of, for example, glass paste or the like, and is provided to face the address electrode protection layer 22 of the back substrate 2. This dielectric layer 33 prevents wear of the display electrode pair 31 due to discharge during panel driving, and accumulates charges necessary for driving.

保護層３４は、図１，３，４および５に示すように、誘電体層３３の内周面の全面を被覆するＭｇＯ（酸化マグネシウム）からなる酸化マグネシウム成膜層としての薄膜ＭｇＯ層３４１と、この薄膜ＭｇＯ層３４１を被覆する結晶ＭｇＯ層３４２とを備えた２層構造となっている。 As shown in FIGS. 1, 3, 4 and 5, the protective layer 34 includes a thin-film MgO layer 341 as a magnesium oxide film-forming layer made of MgO (magnesium oxide) covering the entire inner peripheral surface of the dielectric layer 33. A two-layer structure including a crystalline MgO layer 342 covering the thin film MgO layer 341 is formed.

薄膜ＭｇＯ層３４１は、例えば蒸着法やスパッタリング法などにより形成される。 The thin film MgO layer 341 is formed by, for example, vapor deposition or sputtering.

結晶ＭｇＯ層３４２は、後述するスプレー法にて形成される。なお、結晶ＭｇＯ層３４２を、スクリーン印刷、ダイコータを用いた方法など、液状、スラリ状、ペースト状の塗工液を塗工可能な方法を用いて形成してもよい。
この結晶ＭｇＯ層３４２は、酸化マグネシウム粉体としての単結晶ＭｇＯ３４２Ａと、ガラスフリット３４２Ｂとにより層状に設けられている。具体的には、単結晶ＭｇＯ３４２Ａは、薄膜ＭｇＯ層３４１上を被覆する状態に設けられている。ガラスフリット３４２Ｂは、図５における上下左右方向に隣り合う単結晶ＭｇＯ３４２Ａ同士を結合させる状態に、かつ、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび薄膜ＭｇＯ層３４１を結合させる状態に設けられている。 The crystalline MgO layer 342 is formed by a spray method described later. Note that the crystalline MgO layer 342 may be formed using a method capable of applying a liquid, slurry, or paste coating solution, such as a method using screen printing or a die coater.
The crystalline MgO layer 342 is provided in a layered form by single crystal MgO 342A as a magnesium oxide powder and a glass frit 342B. Specifically, the single crystal MgO 342A is provided so as to cover the thin film MgO layer 341. The glass frit 342B is provided in a state in which the single crystal MgO 342A adjacent in the vertical and horizontal directions in FIG. 5 are bonded to each other, and in a state in which the single crystal MgO 342A and the thin film MgO layer 341 are bonded.

このような保護層３４は、誘電体層３３が放電によりスパッタリングされることを防ぐと共に、低電圧で放電を発生させるための二次電子の放出層として機能する。 The protective layer 34 functions as a secondary electron emission layer for preventing the dielectric layer 33 from being sputtered by discharge and generating discharge at a low voltage.

〔ＰＤＰの製造方法〕
次に、上述した構成のＰＤＰ１の製造方法について説明する。 [PDP manufacturing method]
Next, a method for manufacturing the PDP 1 configured as described above will be described.

まず、ＰＤＰ１の背面基板２の製造ラインにおいて、ガラス基板の内面側を超音波洗浄処理や中性洗剤を用いた水洗処理などにより十分に洗浄しておく。この後、当該ガラス基板の内面側の全面に金属薄膜を形成して、フォトリソグラフィ法によりアドレス電極２１のパターンを形成する。このアドレス電極２１上にガラスペーストを塗布して、当該ガラスペーストを成形・焼成することによりアドレス電極保護層２２および隔壁２３を形成する。そして、放電セル２３１内部にスクリーン印刷法などにより赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストを塗布し、これを焼成して蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）を形成する。これにより、ＰＤＰ１の背面基板２が完成する。 First, in the production line of the back substrate 2 of the PDP 1, the inner surface side of the glass substrate is sufficiently washed by ultrasonic washing treatment or water washing treatment using a neutral detergent. Thereafter, a metal thin film is formed on the entire inner surface of the glass substrate, and a pattern of the address electrode 21 is formed by photolithography. A glass paste is applied onto the address electrode 21, and the address paste protective layer 22 and the partition wall 23 are formed by molding and baking the glass paste. Then, phosphor pastes of the three primary colors of red (R), green (G), and blue (B) are applied to the inside of the discharge cell 231 by screen printing or the like, and this is fired to obtain phosphor layers (24R, 24G, 24B). Thereby, the back substrate 2 of the PDP 1 is completed.

次に、ＰＤＰ１の前面基板３の製造ラインにおいて、ガラス基板の内面側を超音波洗浄処理や中性洗剤を用いた水洗処理などにより十分に洗浄しておく。この後、当該ガラス基板の内面側の全面に透明電極材料層を形成して、フォトリソグラフィ法などにより複数の透明電極３１１ａ，３１１ｂを形成する。この透明電極対上にスクリーン印刷法などにより黒色無機顔料のペーストパターンを積層形成し、更にこのパターン上にＡｇペーストのパターンを積層形成する。そして、これらのパターンを焼成して、バス電極黒層３１３ａ，３１３ｂおよび主導電層３１４ａ，３１４ｂからなる２層構造のバス電極３１２ａ，３１２ｂを形成する。この後、これらバス電極３１２ａ，３１２ｂ間にスクリーン印刷法などにより黒色無機顔料のペーストパターンを塗布して、これを焼成して複数のブラックストライプ３２を形成する。さらに、透明電極３１１ａ，３１１ｂ、バス電極３１２ａ，３１２ｂおよびブラックストライプ３２を被覆する状態にダイコータなどによりガラスペーストを塗布する。そして、このガラスペーストを焼成して誘電体層３３を形成する。この後、誘電体層３３の上に保護層３４を形成する保護層形成工程と、この形成された保護層３４を焼成する保護層焼成工程とを実施する。ここで、保護層焼成工程では、誘電体層３３のガラスペーストの軟化点よりも低く、かつ、後述する塗工液ＬＱに含有されているガラス粉体の軟化点よりも高い温度で焼成が実施される。これにより、ＰＤＰ１の前面基板３が完成する。 Next, in the production line for the front substrate 3 of the PDP 1, the inner surface side of the glass substrate is sufficiently washed by ultrasonic washing treatment, water washing treatment using a neutral detergent, or the like. Thereafter, a transparent electrode material layer is formed on the entire inner surface of the glass substrate, and a plurality of transparent electrodes 311a and 311b are formed by a photolithography method or the like. A paste pattern of black inorganic pigment is laminated on the transparent electrode pair by screen printing or the like, and an Ag paste pattern is further laminated on the pattern. Then, these patterns are fired to form bus electrodes 312a and 312b having a two-layer structure including bus electrode black layers 313a and 313b and main conductive layers 314a and 314b. Thereafter, a paste pattern of black inorganic pigment is applied between the bus electrodes 312a and 312b by a screen printing method or the like, and this is fired to form a plurality of black stripes 32. Further, a glass paste is applied by a die coater or the like to cover the transparent electrodes 311a and 311b, the bus electrodes 312a and 312b, and the black stripe 32. Then, the glass paste is fired to form the dielectric layer 33. Thereafter, a protective layer forming step for forming the protective layer 34 on the dielectric layer 33 and a protective layer firing step for firing the formed protective layer 34 are performed. Here, in the protective layer firing step, firing is performed at a temperature lower than the softening point of the glass paste of the dielectric layer 33 and higher than the softening point of the glass powder contained in the coating liquid LQ described later. Is done. Thereby, the front substrate 3 of the PDP 1 is completed.

ここで、保護層形成工程は、蒸着法により薄膜ＭｇＯ層３４１を形成する下地酸化マグネシウム形成工程としての薄膜ＭｇＯ層形成工程と、薄膜ＭｇＯ層３４１上に結晶ＭｇＯ層３４２を形成するための塗工液ＬＱを塗布する塗布工程とを含んでいる。以下に、塗布工程で用いるスプレー法について詳細に説明する。 Here, the protective layer forming step includes a thin film MgO layer forming step as a base magnesium oxide forming step for forming the thin film MgO layer 341 by vapor deposition, and a coating for forming the crystalline MgO layer 342 on the thin film MgO layer 341. And an application step of applying the liquid LQ. Below, the spray method used at the application | coating process is demonstrated in detail.

（スプレー法の構成）
まず、スプレー法で用いる塗工装置について説明する。
図６において、９００は塗工装置で、この塗工装置９００は、ガラス基板Ｋの上述した薄膜ＭｇＯ層３４１上に詳細は後述する所定の組成の塗工液ＬＱをスプレー塗布する装置である。
そして、塗工装置９００は、塗工液ＬＱを貯留する塗工液タンク９１０と、この塗工液タンク９１０に配管９１１を介して接続されて塗工液タンク９１０内の塗工液ＬＱを吸引する液送ポンプ９２０と、この液送ポンプ９２０に配管９２１を介して接続された三方弁９３０と、この三方弁９３０に配管９３１を介して接続されて塗工液ＬＱをガラス基板Ｋ上に対してスプレー塗布するスプレーガン９４０とを備えている。また、三方弁９３０は、配管９３２を介して塗工液タンク９１０内に接続されている。 (Configuration of spray method)
First, a coating apparatus used in the spray method will be described.
In FIG. 6, reference numeral 900 denotes a coating apparatus, which is an apparatus for spray-coating a coating liquid LQ having a predetermined composition, which will be described in detail later, on the above-described thin film MgO layer 341 of the glass substrate K.
The coating apparatus 900 is connected to the coating liquid tank 910 that stores the coating liquid LQ and the coating liquid tank 910 via a pipe 911 and sucks the coating liquid LQ in the coating liquid tank 910. Liquid feeding pump 920, a three-way valve 930 connected to the liquid feeding pump 920 via a pipe 921, and a coating liquid LQ connected to the three-way valve 930 via a pipe 931 to apply the coating liquid LQ onto the glass substrate K. A spray gun 940 for spray application. The three-way valve 930 is connected to the coating liquid tank 910 via a pipe 932.

（スプレー塗布方法）
塗工装置９００を用いて、スプレー塗布を実施する場合にのみ、三方弁９３０をスプレーガン９４０側に切り換えて塗工液ＬＱをスプレーガン９４０に供給し、スプレーガン９４０から薄膜ＭｇＯ層３４１上に塗工液ＬＱを吹き付ける。一方、スプレー塗布を実施しない間は、塗工液タンク９１０、配管９１１、液送ポンプ９２０、配管９２１、三方弁９３０、配管９３２、塗工液タンク９１０と順に塗工液ＬＱを循環させ、スプレー塗布の実施の有無に関わらず塗工液ＬＱを絶えず循環させておく。 (Spray application method)
Only when spray coating is performed using the coating apparatus 900, the three-way valve 930 is switched to the spray gun 940 side to supply the coating liquid LQ to the spray gun 940, and from the spray gun 940 onto the thin-film MgO layer 341. Spray coating liquid LQ. On the other hand, while the spray coating is not performed, the coating liquid LQ is circulated in the order of the coating liquid tank 910, the pipe 911, the liquid feed pump 920, the pipe 921, the three-way valve 930, the pipe 932, and the coating liquid tank 910 in order. The coating liquid LQ is constantly circulated regardless of whether or not the application is performed.

（塗工液の組成）
上述の塗工装置９００でスプレー塗布する塗工液ＬＱは、以下の組成となっている。
塗工液ＬＱは、無機粉粒物である単結晶ＭｇＯ３４２ＡからなるＭｇＯ粉体と、ガラス粉体とを含有する無機物含有スラリである。この塗工液ＬＱは、溶剤にＭｇＯ粉体を分散するとともにガラス粉体を添加して、ＭｇＯ粉体およびガラス粉体の混合物の含有率（以下、混合物含有率と記す）が５ｗｔ％となる状態に調製されている。また、ＭｇＯ粉体とガラス粉体の質量の和に対するガラス粉体の含有率（以下、ガラス粉体含有率と記す）が、３ｗｔ％以上かつ３０ｗｔ％以下となる状態に調整されている。なお、分散剤を適宜添加することが好ましい。 (Composition of coating solution)
The coating liquid LQ applied by spraying with the above-described coating apparatus 900 has the following composition.
The coating liquid LQ is an inorganic substance-containing slurry containing MgO powder made of single crystal MgO 342A, which is an inorganic powder, and glass powder. In this coating liquid LQ, MgO powder is dispersed in a solvent and glass powder is added, so that the content of the mixture of MgO powder and glass powder (hereinafter referred to as the mixture content) is 5 wt%. Has been prepared to the state. In addition, the content of the glass powder relative to the sum of the masses of the MgO powder and the glass powder (hereinafter referred to as the glass powder content) is adjusted to be 3 wt% or more and 30 wt% or less. In addition, it is preferable to add a dispersing agent suitably.

ＭｇＯ粉体には、例えば、ＢＥＴ法によって測定した平均粒径が５００Å以上（好ましくは２０００Å以上）の単結晶ＭｇＯ３４２Ａが用いられる。なお、ＭｇＯ粉体としては、これに限らない。 As the MgO powder, for example, single crystal MgO342A having an average particle diameter measured by the BET method of 500 mm or more (preferably 2000 mm or more) is used. The MgO powder is not limited to this.

ガラス粉体には、平均粒径が単結晶ＭｇＯ３４２Ａよりも小さいものが用いられる。また、ガラス粉体には、単結晶ＭｇＯ３４２Ａよりも塩基度が高い材料である酸化鉛−ホウケイ酸ガラスが用いられる。ここで、ガラス粉体としては、酸化鉛−ホウケイ酸ガラスの他、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏなどのアルカリ金属酸化物などの含有量が多く、単結晶ＭｇＯ３４２Ａよりも塩基度が高いものを用いることが好ましい。さらに、ガラス粉体には、軟化点が誘電体層３３を形成するガラスペーストよりも低いものが用いられる。なお、ガラス粉体としては、これに限らない。 As the glass powder, one having an average particle size smaller than that of single crystal MgO342A is used. As the glass powder, lead oxide-borosilicate glass which is a material having a higher basicity than single crystal MgO342A is used. Here, as the glass powder, in addition to lead oxide-borosilicate glass, the content of alkali metal oxides such as K ₂ O, Na ₂ O, and Li ₂ O is large, and the basicity is higher than that of single crystal MgO 342A. It is preferable to use a high one. Further, a glass powder having a softening point lower than that of the glass paste forming the dielectric layer 33 is used. The glass powder is not limited to this.

ここで、軟化点が誘電体層３３よりも低いガラス粉体を用いるのは、以下の理由によるものである。すなわち、ＰＤＰ１は、図３に示すように、列方向に隣接する放電セル２３１へ放電が飛び移ることによる誤放電を防止するために、誘電体層３３のバス電極３１２ａ，３１２ｂに対向する部分の膜厚が他の部分よりも厚くなっている構成、すなわち誘電体層３３がパターンニングされている構成を有している。このため、ガラス粉体の軟化点が誘電体層３３よりも高いと、ガラス粉体を溶融させる温度で焼成した場合に誘電体層３３も溶融して、バス電極３１２ａ，３１２ｂに対向する部分の膜厚が他の部分と略等しくなってしまい、誤放電を防止できなくなるおそれがあるためである。
なお、誘電体層３３のバス電極３１２ａ，３１２ｂに対向する部分の膜厚が他の部分と略等しい構成の場合、誘電体層３３が溶融しても溶融前とは形状がほとんど変化しないので、ガラス粉体として、軟化点が誘電体層３３と略等しいあるいは誘電体層３３よりも高いものを用いることができる。 Here, the glass powder whose softening point is lower than that of the dielectric layer 33 is used for the following reason. That is, as shown in FIG. 3, the PDP 1 has a portion of the dielectric layer 33 facing the bus electrodes 312a and 312b in order to prevent erroneous discharge due to the discharge jumping to the discharge cells 231 adjacent in the column direction. It has a configuration in which the film thickness is thicker than other portions, that is, a configuration in which the dielectric layer 33 is patterned. For this reason, if the softening point of the glass powder is higher than that of the dielectric layer 33, the dielectric layer 33 is also melted when fired at a temperature at which the glass powder is melted, and the portion of the portion facing the bus electrodes 312a and 312b is melted. This is because the film thickness becomes substantially equal to other portions, and there is a possibility that erroneous discharge cannot be prevented.
In the case where the thickness of the portion of the dielectric layer 33 facing the bus electrodes 312a and 312b is substantially equal to that of the other portions, the shape of the dielectric layer 33 is almost the same as before melting even when the dielectric layer 33 is melted. A glass powder having a softening point substantially equal to or higher than that of the dielectric layer 33 can be used.

このようなＭｇＯ粉体およびガラス粉体を含有する塗工液ＬＱを用いて結晶ＭｇＯ層３４２を形成することにより、ＰＤＰ１の放電特性が改善（放電遅れの減少、放電確率の向上）されることになる。すなわち、放電によって発生する電子線の照射によって、結晶ＭｇＯ層３４２に含まれる粒径の大きな単結晶ＭｇＯ３４２Ａから、３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光に加えて、波長域２００〜３００ｎｍ（特に、２３５ｎｍ付近、２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光が励起される。そして、当該単結晶ＭｇＯ３４２Ａは、そのピーク波長に対応したエネルギ準位を有し、そのエネルギ準位によって電子を長時間（数ｍｓｅｃ以上）トラップすることができる。この電子が電界によって取り出されることで、放電開始に必要な初期電子が得られ、結果として、放電遅れが減少し、放電確率が向上する。 By forming the crystalline MgO layer 342 using the coating liquid LQ containing such MgO powder and glass powder, the discharge characteristics of the PDP 1 are improved (reduction in discharge delay and increase in discharge probability). become. That is, in addition to CL emission having a peak at 300 to 400 nm from single crystal MgO 342A having a large particle size contained in the crystalline MgO layer 342 by irradiation with an electron beam generated by discharge, a wavelength region of 200 to 300 nm (particularly, 235 nm). CL emission having a peak in the vicinity (within 230 to 250 nm) is excited. The single crystal MgO 342A has an energy level corresponding to the peak wavelength, and can trap electrons for a long time (several milliseconds or more) by the energy level. By taking out these electrons by the electric field, initial electrons necessary for the start of discharge are obtained. As a result, the discharge delay is reduced and the discharge probability is improved.

また、ガラス粉体が溶融、凝固して形成されるガラスフリット３４２Ｂが、隣り合う単結晶ＭｇＯ３４２Ａ同士を結合するとともに、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび薄膜ＭｇＯ層３４１を結合する状態で設けられる。このため、放電時における単結晶ＭｇＯ３４２Ａの飛散を抑制できる。また、薄膜ＭｇＯ層３４１におけるスパッタリングされやすい部分である単結晶ＭｇＯ３４２Ａに隣接する部分に、ガラスフリット３４２Ｂが介在することにより、薄膜ＭｇＯ層３４１がスパッタリングされるのを抑制できる。 Further, a glass frit 342B formed by melting and solidifying glass powder is provided in a state where adjacent single crystal MgO 342A is bonded to each other, and single crystal MgO 342A and a thin film MgO layer 341 are bonded. For this reason, scattering of the single crystal MgO342A at the time of discharge can be suppressed. In addition, since the glass frit 342B is interposed in a portion adjacent to the single crystal MgO 342A, which is a portion that is easily sputtered, in the thin film MgO layer 341, it is possible to suppress sputtering of the thin film MgO layer 341.

さらに、単結晶ＭｇＯ３４２Ａ同士がガラスフリット３４２Ｂにより結合されることにより、スパッタリングされたＭｇＯ分子が放電に寄与する単結晶ＭｇＯ３４２Ａの上部まで到達するのを防ぐことができ、ＭｇＯ分子が結晶ＭｇＯ層３４２上で成長するのを抑制できる。さらに、ガラスフリット３４２Ｂは、ＭｇＯとは異種の材質であるため、ＭｇＯ分子の成長が起こりにくい。以上のことから、結晶ＭｇＯ層３４２上でのＭｇＯ分子の成長が抑制され、結果として、放電確率の低下を抑制できるとともに、高寿命化を図ることができる。 Furthermore, the single crystal MgO 342A is bonded to each other by the glass frit 342B, so that the sputtered MgO molecules can be prevented from reaching the upper part of the single crystal MgO 342A contributing to the discharge, and the MgO molecules are formed on the crystalline MgO layer 342. Can suppress growth. Furthermore, since the glass frit 342B is made of a material different from MgO, the growth of MgO molecules hardly occurs. From the above, the growth of MgO molecules on the crystalline MgO layer 342 is suppressed, and as a result, the decrease in the discharge probability can be suppressed and the lifetime can be increased.

また、単結晶ＭｇＯ３４２Ａよりも平均粒径が小さいガラス粉体を用いているので、ガラス粉体が溶融、凝固したガラスフリット３４２Ｂで単結晶ＭｇＯ３４２Ａの表面が覆われて表面積が減少してしまうのを抑制でき、放電確率の低下をより抑制できる。そして、単結晶ＭｇＯ３４２Ａよりも塩基度が高いガラス粉体を用いているので、単結晶ＭｇＯ３４２Ａあるいは薄膜ＭｇＯ層３４１と、ガラスフリット３４２Ｂとの結合力を高めることができ、単結晶ＭｇＯ３４２Ａ同士、あるいは単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび薄膜ＭｇＯ層３４１をより強固に結合できる。 Further, since glass powder having an average particle size smaller than that of the single crystal MgO 342A is used, the surface of the single crystal MgO 342A is covered with the glass frit 342B obtained by melting and solidifying the glass powder, and the surface area is reduced. It can suppress, and the fall of the discharge probability can be suppressed more. Since glass powder having a higher basicity than single crystal MgO 342A is used, the bonding force between single crystal MgO 342A or thin film MgO layer 341 and glass frit 342B can be increased. The crystalline MgO 342A and the thin film MgO layer 341 can be bonded more firmly.

〔実施例〕
本実施形態の効果を確認するための実施例を以下に示す。〔Example〕
An example for confirming the effect of this embodiment will be described below.

（塗工液におけるガラス粉体含有率と、結晶ＭｇＯ層の付着力との関係）
塗工液におけるガラス粉体含有率と、結晶ＭｇＯ層の付着力との関係について調べた。
ＭｇＯ粉体は、平均粒径が約１μｍで、放電確率が薄膜ＭｇＯ層のＭｇＯよりも高い単結晶ＭｇＯを用いた。
ガラス粉体は、材質が酸化鉛−ホウケイ酸ガラス、軟化点が５３０℃、平均粒径が約０．２μｍのものを用いた。
これらＭｇＯ粉体およびガラス粉体の混合は、エアーブローにより混合槽内の粉粒体を流動させる方式を用いて実施した。そして、ＭｇＯ粉体およびガラス粉体の混合物を、塗工液の混合物含有率が５ｗｔ％となるように溶剤のＩＰＡ（２−プロパノール）に分散させた。この混合物の分散には、超音波振動を用い、塗工液の温度が常温から５０℃になるまで超音波振動させた。 (Relationship between glass powder content in coating liquid and adhesion of crystalline MgO layer)
The relationship between the glass powder content in the coating solution and the adhesion of the crystalline MgO layer was examined.
As the MgO powder, single crystal MgO having an average particle diameter of about 1 μm and a discharge probability higher than that of MgO in the thin-film MgO layer was used.
The glass powder used was a lead oxide-borosilicate glass, a softening point of 530 ° C., and an average particle size of about 0.2 μm.
Mixing of these MgO powder and glass powder was implemented using the system which makes the granular material in a mixing tank flow by an air blow. And the mixture of MgO powder and glass powder was disperse | distributed to IPA (2-propanol) of a solvent so that the mixture content rate of a coating liquid might be 5 wt%. For the dispersion of this mixture, ultrasonic vibration was used, and ultrasonic vibration was applied until the temperature of the coating liquid reached from room temperature to 50 ° C.

スプレー法に利用する塗工装置９００として、液送ポンプ９２０に定量性のあるギヤポンプを使用し、スプレーガン９４０にエア霧化方式の２流体ノズル（エア、塗工液）を用いた。そして、スプレーガン９４０の霧化エア圧力を、０．２Ｍｐａに設定した。また、塗工液タンク９１０内では、塗工液の沈降防止のために攪拌を行なった。
そして、このような塗工装置９００を用いて、以下のような、実施例１−１〜１−４の基板と、比較例１−１の基板とを用意した。 As the coating apparatus 900 used for the spray method, a quantitative gear pump was used for the liquid feed pump 920, and an air atomization type two-fluid nozzle (air, coating liquid) was used for the spray gun 940. And the atomization air pressure of the spray gun 940 was set to 0.2 Mpa. In the coating liquid tank 910, stirring was performed to prevent the coating liquid from settling.
Then, using such a coating apparatus 900, the following substrates of Examples 1-1 to 1-4 and a substrate of Comparative Example 1-1 were prepared.

ここで、実施例１−１〜１−４、比較例１−１の基板の構成について説明する。
実施例１−１〜１−４の基板を作製する際には、基板の誘電体層上に、混合物含有率が５ｗｔ％であり、かつ、ガラス粉体含有率が１，３，５，１０ｗｔ％の塗工液をスプレー塗布し、５６０℃の温度で焼成することにより、単結晶ＭｇＯおよびガラスフリットを備えた結晶ＭｇＯ層を形成した。
比較例１−１の基板を作製する際には、基板の誘電体層上に、混合物含有率が５ｗｔ％であり、かつ、ＭｇＯ粉体とガラス粉体の質量の和に対するガラス粉体含有率（以下単に、ガラス粉体含有率とする）が０ｗｔ％の塗工液をスプレー塗布し、５６０℃の温度で焼成することにより、単結晶ＭｇＯのみを備えた結晶ＭｇＯ層を形成した。
なお、塗工液および焼成条件は、結晶ＭｇＯ層形成後の基板の透過率（以下、設定透過率と記す）が７０％となるように調製および設定した。 Here, the structure of the board | substrate of Examples 1-1 to 1-4 and Comparative Example 1-1 is demonstrated.
When producing the substrates of Examples 1-1 to 1-4, the mixture content was 5 wt% and the glass powder content was 1, 3, 5, 10 wt on the dielectric layer of the substrate. % Of the coating liquid was sprayed and fired at a temperature of 560 ° C. to form a crystalline MgO layer having single crystal MgO and glass frit.
When producing the substrate of Comparative Example 1-1, the glass content relative to the sum of the masses of the MgO powder and the glass powder is 5 wt% on the dielectric layer of the substrate. A crystalline MgO layer having only single-crystal MgO was formed by spray-coating a coating solution of 0 wt% (hereinafter simply referred to as glass powder content) and firing at a temperature of 560 ° C.
The coating liquid and firing conditions were prepared and set so that the transmittance of the substrate after forming the crystalline MgO layer (hereinafter referred to as the set transmittance) was 70%.

結晶ＭｇＯ層の付着力の評価は、以下のようにして実施した。
まず、硬度７０°のゴムを結晶ＭｇＯ層の表面に約１０ｇ／ｃｍ^２の一定荷重で押し付けて、３往復分擦る。そして、表面をＩＰＡで洗浄した後に透過率を測定した。この透過率の測定結果を図７に示す。 Evaluation of the adhesion of the crystalline MgO layer was performed as follows.
First, rubber having a hardness of 70 ° is pressed against the surface of the crystalline MgO layer with a constant load of about 10 g / cm ² and rubbed for three reciprocations. And the transmittance | permeability was measured after wash | cleaning the surface with IPA. The measurement results of this transmittance are shown in FIG.

図７より、ガラス粉体含有率が０，１ｗｔ％の基板（比較例１−１，実施例１−１）は、透過率が８０％以上となり、３，５，１０ｗｔ％の基板（実施例１−２〜１−４）は、透過率が約７０％となることがわかる。
これは、ガラス粉体含有率が０，１ｗｔ％のもの（比較例１−１，実施例１−１）は、ガラス粉体の溶融により形成されるガラスフリットの量が少なく、単結晶ＭｇＯ同士、あるいは、単結晶ＭｇＯおよび誘電体層が十分に結合されないため、結晶ＭｇＯ層が剥がれてしまい、透過率が設定透過率の７０％よりもはるかに大きくなったことを意味している。また、ガラス粉体含有率が３，５，１０ｗｔ％のもの（実施例１−２〜１−４）は、ガラスフリットの量が多く、単結晶ＭｇＯ同士、あるいは、単結晶ＭｇＯおよび誘電体層が十分に結合されているため、結晶ＭｇＯ層が剥がれずに、透過率が設定透過率の７０％から変化していないことを意味している。
以上のことから、結晶ＭｇＯ層の付着力を十分に確保するためには、ガラス粉体含有率を３ｗｔ％以上にする必要があることがわかる。 As shown in FIG. 7, the substrate having the glass powder content of 0.1 wt% (Comparative Example 1-1, Example 1-1) has a transmittance of 80% or more, and the substrate having 3, 5, 10 wt% (Example). 1-2 to 1-4) shows that the transmittance is about 70%.
This is because the glass powder content of 0.1 wt% (Comparative Example 1-1, Example 1-1) has a small amount of glass frit formed by melting the glass powder, and single crystal MgO Alternatively, since the single crystal MgO and the dielectric layer are not sufficiently combined, the crystal MgO layer is peeled off, which means that the transmittance is much higher than 70% of the set transmittance. Moreover, the glass powder content rate of 3, 5 and 10 wt% (Examples 1-2 to 1-4) has a large amount of glass frit, and single crystal MgOs or single crystal MgO and dielectric layers. This means that the crystal MgO layer does not peel off and the transmittance does not change from 70% of the set transmittance.
From the above, it can be seen that the glass powder content needs to be 3 wt% or more in order to ensure sufficient adhesion of the crystalline MgO layer.

（塗工液におけるガラス粉体含有率と、規格化放電確率との関係）
次に、塗工液におけるガラス粉体含有率と、規格化放電確率との関係について調べた。
以下のような、実施例２−１〜２−４のＰＤＰと、比較例２−１，２−２のＰＤＰとを用意した。 (Relationship between glass powder content in coating liquid and normalized discharge probability)
Next, the relationship between the glass powder content in the coating solution and the normalized discharge probability was examined.
The following PDPs of Examples 2-1 to 2-4 and PDPs of Comparative Examples 2-1 and 2-2 were prepared.

ここで、実施例２−１〜２−４、比較例２−１，２−２のＰＤＰの構成について説明する。
実施例２−１〜２−４のＰＤＰを作製する際には、誘電体層上に例えば蒸着法を用いて薄膜ＭｇＯ層を形成する。そして、薄膜ＭｇＯ層上に、上述した塗工装置９００を用いて、混合物含有率が５ｗｔ％であり、かつ、ガラス粉体含有率が１０，３０，５０，７０ｗｔ％の塗工液をスプレー塗布し、５６０℃の温度で焼成することにより単結晶ＭｇＯおよびガラスフリットを備えた結晶ＭｇＯ層を形成した。そして、薄膜ＭｇＯ層および結晶ＭｇＯ層が形成された各基板を用いて、通常の工程にて実施例２−１〜２−４のＰＤＰを製造した。
比較例２−１のＰＤＰを作製する際には、薄膜ＭｇＯ層上に上述した比較例１−１の例（ガラス粉体含有率：０ｗｔ％）、すなわち単結晶ＭｇＯのみを備えた結晶ＭｇＯ層が形成された基板を用いて、通常の工程にて比較例２−１のＰＤＰを製造した。
比較例２−２のＰＤＰは、比較例２−１のＰＤＰに結晶ＭｇＯ層を設けていない構成、すなわち保護層として薄膜ＭｇＯ層のみを形成した構成を有している。なお、この比較例２−２のＰＤＰの構成は、現状における一般的なＰＤＰの構成である。 Here, the configurations of the PDPs of Examples 2-1 to 2-4 and Comparative Examples 2-1 and 2-2 will be described.
When producing the PDPs of Examples 2-1 to 2-4, a thin film MgO layer is formed on the dielectric layer by using, for example, a vapor deposition method. Then, on the thin-film MgO layer, the above-described coating apparatus 900 is used to spray coat a coating solution having a mixture content of 5 wt% and a glass powder content of 10, 30, 50, 70 wt%. Then, by firing at a temperature of 560 ° C., a crystalline MgO layer provided with single crystal MgO and glass frit was formed. And PDP of Examples 2-1 to 2-4 was manufactured in the normal process using each board | substrate with which the thin film MgO layer and the crystalline MgO layer were formed.
When producing the PDP of Comparative Example 2-1, the above-described Example of Comparative Example 1-1 (glass powder content: 0 wt%) on the thin-film MgO layer, that is, a crystalline MgO layer comprising only single-crystal MgO The PDP of Comparative Example 2-1 was manufactured by a normal process using the substrate on which the was formed.
The PDP of Comparative Example 2-2 has a configuration in which a crystalline MgO layer is not provided on the PDP of Comparative Example 2-1, that is, a configuration in which only a thin film MgO layer is formed as a protective layer. The configuration of the PDP of Comparative Example 2-2 is a general PDP configuration at present.

そして、比較例２−２のＰＤＰの面内２０点について、放電確率を調べた。この後、実施例２−１〜２−４、比較例２−１のＰＤＰの面内２０点について放電確率を調べ、比較例２−２の放電確率の平均値で規格化した確率を、規格化放電確率として算出した。この規格化放電確率の算出結果を図８に示す。 And the discharge probability was investigated about 20 points | pieces in the surface of PDP of the comparative example 2-2. Thereafter, the discharge probability was examined for 20 points in the surface of the PDPs of Examples 2-1 to 2-4 and Comparative Example 2-1, and the probability normalized by the average value of the discharge probability of Comparative Example 2-2 was determined as the standard. It was calculated as the probability of commutation discharge. The calculation result of the normalized discharge probability is shown in FIG.

図８より、ガラス粉体含有率が小さいものほど、面内でのばらつきが小さく、かつ、比較例２−２と比べて放電確率が十分に増加していることがわかる。また、ガラス粉体含有率が大きいものほど、放電確率が低下し、ガラス粉体含有率が７０ｗｔ％のもの（実施例２−４）は、規格化放電確率が１程度で比較例２−２と性能的に大差ないことがわかる。
これは、ガラス粉体含有率が大きくなるほど、結晶ＭｇＯ層の付着力が向上するが、ガラスフリットの量が増加するためガラスフリットによる単結晶ＭｇＯの被覆率が大きくなり、表面積が減少して放電確率が低下してしまうことを意味している。
以上のことから、現状の一般的なＰＤＰ（比較例２−２）よりも良好な放電確率を得るためには、ガラス粉体含有率を５０ｗｔ％以下にする必要があることがわかる。さらに、結晶ＭｇＯ層が単結晶ＭｇＯのみで構成され、単結晶ＭｇＯがガラスフリットで覆われないため放電確率が最大となるＰＤＰ（比較例２−１）と同様の放電確率を得るために、ガラスフリット含有率を３０ｗｔ％以下にする必要があることがわかる。 From FIG. 8, it can be seen that the smaller the glass powder content, the smaller the in-plane variation, and the sufficiently increased discharge probability as compared with Comparative Example 2-2. In addition, the larger the glass powder content, the lower the discharge probability, and the glass powder content of 70 wt% (Example 2-4) has a normalized discharge probability of about 1 and Comparative Example 2-2. It can be seen that there is no significant difference in performance.
This is because as the glass powder content increases, the adhesion of the crystalline MgO layer improves, but the amount of glass frit increases, so the coverage of single crystal MgO by the glass frit increases, the surface area decreases, and discharge occurs. This means that the probability will decrease.
From the above, it can be seen that in order to obtain a better discharge probability than the current general PDP (Comparative Example 2-2), the glass powder content needs to be 50 wt% or less. Further, in order to obtain a discharge probability similar to that of PDP (Comparative Example 2-1) in which the crystal MgO layer is composed only of single crystal MgO and the single crystal MgO is not covered with the glass frit, the discharge probability is maximized. It can be seen that the frit content must be 30 wt% or less.

（塗工液におけるガラス粉体含有率と、ＰＤＰの寿命との関係）
次に、塗工液におけるガラス粉体含有率と、ＰＤＰの寿命との関係について調べた。
上述した実施例２−１，２−４、比較例２−１，２−２のＰＤＰを用意した。 (Relationship between glass powder content in coating liquid and PDP life)
Next, the relationship between the glass powder content in the coating solution and the life of the PDP was examined.
The PDPs of Examples 2-1 and 2-4 and Comparative Examples 2-1 and 2-2 described above were prepared.

そして、実施例２−１，２−４、比較例２−１，２−２のＰＤＰについて、輝度の劣化に基づいて寿命を評価した。
この結果、単結晶ＭｇＯが設けられたＰＤＰ（実施例２−１，２−４、比較例２−１）の輝度の劣化が、蒸着法でＭｇＯが設けられたＰＤＰ（比較例２−２）よりも小さいことが確認できた。また、単結晶ＭｇＯおよびガラスフリットが設けられたＰＤＰ（実施例２−１，２−４）の輝度の劣化は、略等しく、かつ、単結晶ＭｇＯのみが設けられたＰＤＰ（比較例２−１）よりも小さいことが確認できた。
これは、ガラスフリットにより結晶ＭｇＯ層および薄膜ＭｇＯ層の結合が強くなり、放電時に単結晶ＭｇＯが飛散しにくくなったことを意味する。単結晶ＭｇＯは、薄膜ＭｇＯ層のＭｇＯよりも結晶性がよいためにスパッタリング耐性があり、基板への付着力が強ければ、長時間安定して放電特性改善に寄与することとなる。 The lifetimes of the PDPs of Examples 2-1 and 2-4 and Comparative Examples 2-1 and 2-2 were evaluated based on the deterioration of luminance.
As a result, the deterioration in luminance of the PDP provided with the single crystal MgO (Examples 2-1 and 2-4, Comparative Example 2-1) was caused by the PDP provided with MgO by the evaporation method (Comparative Example 2-2). It was confirmed that it was smaller. Further, the PDPs (Examples 2-1 and 2-4) provided with the single crystal MgO and the glass frit are substantially equal in luminance, and the PDPs provided with only the single crystal MgO (Comparative Example 2-1). ).
This means that the bonding between the crystalline MgO layer and the thin film MgO layer is strengthened by the glass frit, and the single crystal MgO is less likely to be scattered during discharge. Single crystal MgO is more resistant to sputtering because it has better crystallinity than MgO of the thin-film MgO layer, and if the adhesion to the substrate is strong, it will contribute to improving discharge characteristics stably for a long time.

さらに、５００００時間使用後に相当する実施例２−１，２−４、比較例２−１，２−２のＭｇＯをＳＥＭ（走査電子顕微鏡）で観察すると、結晶ＭｇＯ層が設けられていないＰＤＰ（比較例２−２）は、蒸着法により設けられたＭｇＯが柱状結晶となっており結晶としての強度が弱いため、維持電極のエッジ上のＭｇＯがスパッタリングにより掘られており、下地の誘電体層が露出していたことが確認できた。
また、単結晶ＭｇＯのみが設けられたＰＤＰ（比較例２−１）は、維持電極のエッジ上のＭｇＯが多少掘られていたことが確認できた。
さらに、単結晶ＭｇＯおよびガラスフリットが設けられたＰＤＰ（実施例２−１，２−４）は、ＭｇＯが飛散した跡が確認できないとともに、単結晶ＭｇＯ上のＭｇＯの多結晶、アモルファスでの成長がガラスフリットを備えないＰＤＰ（比較例２−１）よりも少ないことが確認できた。
これは、ガラスフリットにより結晶ＭｇＯ層および薄膜ＭｇＯ層の結合が強くなり、放電時に単結晶ＭｇＯが飛散しにくくなったため、維持電極のエッジ上のＭｇＯも飛散しなくなったことを意味する。 Further, when the MgO of Examples 2-1 and 2-4 and Comparative Examples 2-1 and 2-2 corresponding to the use after 50000 hours was observed with a SEM (scanning electron microscope), the PDP without the crystalline MgO layer ( In Comparative Example 2-2), MgO provided by the vapor deposition method is a columnar crystal and the strength as the crystal is weak, so MgO on the edge of the sustain electrode is dug by sputtering, and the underlying dielectric layer It was confirmed that was exposed.
Further, it was confirmed that the PDP provided with only the single crystal MgO (Comparative Example 2-1) had some MgO on the edge of the sustain electrode dug.
Further, in the PDP (Examples 2-1 and 2-4) provided with single crystal MgO and glass frit, traces of MgO scattering cannot be confirmed, and MgO on single crystal MgO grows in a polycrystalline or amorphous state. It was confirmed that there was less than PDP (Comparative Example 2-1) without a glass frit.
This means that the bonding between the crystalline MgO layer and the thin film MgO layer is strengthened by the glass frit, and the single crystal MgO is less likely to be scattered during discharge, so that the MgO on the edge of the sustain electrode is not scattered.

また、残像特性（輝度残像）は、ガラスフリットが設けられたＰＤＰ（実施例２−１，２−４）の方が、ガラスフリットが設けられていないＰＤＰ（比較例２−１）よりも良好であることが確認できた。
これは、ガラスフリットが設けられたＰＤＰは、結晶ＭｇＯ層および薄膜ＭｇＯ層の結合力が強いので、輝度残像の発生がガラスフリットが設けられていないＰＤＰと比べて低下することを示している。具体的には、ＭｇＯが関連する残像は、ＭｇＯの状態が関係している。すなわち、ある一部分のセルを放電させたときには、そこから飛ばされるスパッタリングなどで生じるＭｇＯが周りのセルに移る。そして、このセルが放電する際に、飛ばされてきたＭｇＯにより、他の部分よりも輝度が増加して残像現象が発生する。
このため、ガラスフリットが設けられていないＰＤＰ（比較例２−１）は、ＭｇＯが飛散しやすいために、残像が発生やすい。また、ガラスフリットが設けられたＰＤＰは、残像の程度は結晶ＭｇＯ層が設けられていないＰＤＰ（比較例２−２）と同程度であり、ガラスフリットが設けられていないＰＤＰ（比較例２−１）と比べて、良好な結果となった。 Further, the afterimage characteristics (luminance afterimage) of the PDP with the glass frit (Examples 2-1 and 2-4) are better than the PDP without the glass frit (Comparative Example 2-1). It was confirmed that.
This indicates that the PDP provided with the glass frit has a strong bonding force between the crystalline MgO layer and the thin film MgO layer, so that the generation of luminance afterimage is reduced as compared with the PDP not provided with the glass frit. Specifically, the afterimage associated with MgO is related to the state of MgO. That is, when a certain part of cells is discharged, MgO generated by sputtering or the like is transferred from the cells to surrounding cells. Then, when this cell is discharged, MgO that has been blown off increases the luminance as compared with other portions and causes an afterimage phenomenon.
For this reason, in the PDP not provided with the glass frit (Comparative Example 2-1), afterimage is likely to occur because MgO is easily scattered. The PDP with the glass frit has the same degree of afterimage as the PDP without the crystalline MgO layer (Comparative Example 2-2), and the PDP without the glass frit (Comparative Example 2- Compared with 1), good results were obtained.

〔実施形態の効果〕
上述したように、上記実施の形態におけるＰＤＰ１によれば、以下の効果を奏することができる。 [Effect of the embodiment]
As described above, according to the PDP 1 in the above embodiment, the following effects can be obtained.

（１）保護層形成工程に、単結晶ＭｇＯ３４２Ａを溶剤に分散させるとともにガラス粉体を添加した塗工液ＬＱを塗布する塗布工程を含んでいる。
これにより、単結晶ＭｇＯ３４２Ａと、ガラス粉体を溶融、凝固させたガラスフリット３４２Ｂとを備えた結晶ＭｇＯ層３４２を形成することができる。
このため、ガラスフリット３４２Ｂを、隣り合う単結晶ＭｇＯ３４２Ａの間、あるいは、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３上の構造物の間に介在させることができ、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３の結合力を強めることができる。したがって、ＰＤＰ１の使用時における放電による単結晶ＭｇＯ３４２Ａの飛散を抑制でき、放電確率の低下を抑制できる。
よって、良好な保護層３４が形成されたＰＤＰ１を得ることができる。 (1) The protective layer forming step includes a coating step of applying a coating liquid LQ in which single crystal MgO 342A is dispersed in a solvent and glass powder is added.
Thereby, the crystalline MgO layer 342 including the single crystal MgO 342A and the glass frit 342B obtained by melting and solidifying glass powder can be formed.
For this reason, the glass frit 342B can be interposed between the adjacent single crystal MgO 342A or between the single crystal MgO 342A and the structure on the front substrate 3, thereby strengthening the bonding force between the single crystal MgO 342A and the front substrate 3. be able to. Therefore, scattering of the single crystal MgO 342A due to discharge during use of the PDP 1 can be suppressed, and a decrease in discharge probability can be suppressed.
Therefore, the PDP 1 on which the good protective layer 34 is formed can be obtained.

（２）保護層形成工程で形成された保護層３４を焼成する保護層焼成工程を含んでいる。
このため、一連の製造ラインで保護層３４の形成および焼成を実施することができ、製造性を向上できる。 (2) It includes a protective layer baking step of baking the protective layer 34 formed in the protective layer forming step.
For this reason, formation and baking of the protective layer 34 can be implemented in a series of production lines, and productivity can be improved.

（３）ＭｇＯ粉体とガラス粉体の質量の和に対するガラス粉体の含有率、すなわちガラス粉体含有率を、３ｗｔ％以上としている。
このため、結晶ＭｇＯ層３４２におけるガラスフリット３４２Ｂの量を十分な量にすることができる、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３の結合力を、擦った程度では単結晶ＭｇＯ３４２Ａが剥がれないくらいまで大きくすることができる。 (3) The content of the glass powder with respect to the sum of the masses of the MgO powder and the glass powder, that is, the glass powder content is 3 wt% or more.
For this reason, the amount of the glass frit 342B in the crystalline MgO layer 342 can be made a sufficient amount, and the bonding force between the single crystal MgO 342A and the front substrate 3 is increased to such an extent that the single crystal MgO 342A is not peeled off by rubbing. Can do.

（４）ガラス粉体含有率を、５０ｗｔ％以下としている。
このため、単結晶ＭｇＯ３４２Ａがガラスフリット３４２Ｂにより覆われて表面積が減少してしまうのを抑制でき、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３の結合力を高めた状態で、ＰＤＰ１の放電確率を現状の一般的なものよりも高くすることができる。 (4) The glass powder content is 50 wt% or less.
Therefore, the single crystal MgO 342A can be prevented from being covered with the glass frit 342B and the surface area can be reduced, and the discharge probability of the PDP 1 can be reduced in a state where the bonding force between the single crystal MgO 342A and the front substrate 3 is increased. It can be higher than anything.

（５）ガラス粉体含有率を、３０ｗｔ％以下としている。
このため、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３の結合力を高めた状態で、放電確率を単結晶ＭｇＯ３４２Ａがガラスフリット３４２Ｂで覆われないものと同様にすること、すなわち放電確率を最大限まで高めることができる。 (5) The glass powder content is 30 wt% or less.
For this reason, the discharge probability is made the same as that in which the single crystal MgO 342A is not covered with the glass frit 342B in a state where the bonding strength between the single crystal MgO 342A and the front substrate 3 is increased, that is, the discharge probability is maximized. it can.

（６）ガラス粉体の平均粒径を、単結晶ＭｇＯ３４２Ａの平均粒径よりも小さくしている。
このため、単結晶ＭｇＯ３４２Ａがガラスフリット３４２Ｂにより覆われて表面積が減少してしまうのをより抑制でき、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３の結合力を高めた状態で、ＰＤＰ１の放電確率を現状の一般的なものよりもより高くすることができる。 (6) The average particle size of the glass powder is made smaller than the average particle size of the single crystal MgO342A.
For this reason, the single crystal MgO 342A can be further prevented from being covered with the glass frit 342B and the surface area can be reduced, and the discharge probability of the PDP 1 can be reduced in a state where the bonding force between the single crystal MgO 342A and the front substrate 3 is increased. Can be higher than typical.

（７）ガラス粉体の塩基度を、単結晶ＭｇＯ３４２Ａの塩基度よりも高くしている。
このため、単結晶ＭｇＯ３４２Ａ同士、あるいは単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび薄膜ＭｇＯ層３４１をより強固に結合でき、放電確率の低下をより抑制できる。 (7) The basicity of the glass powder is set higher than that of the single crystal MgO342A.
Therefore, the single crystal MgO 342A or the single crystal MgO 342A and the thin film MgO layer 341 can be bonded more firmly, and the decrease in the discharge probability can be further suppressed.

（８）ＭｇＯ粉体を、単結晶ＭｇＯ３４２Ａにより構成している。
このため、単結晶ＭｇＯ３４２Ａを用いて薄膜ＭｇＯ層３４１を形成することにより、ＰＤＰ１において、放電遅れが減少しかつ放電確率が向上するなど、放電特性を改善することができる。 (8) The MgO powder is composed of single crystal MgO342A.
Therefore, by forming the thin-film MgO layer 341 using the single crystal MgO 342A, the discharge characteristics can be improved in the PDP 1, such that the discharge delay is reduced and the discharge probability is improved.

（９）保護層形成工程に、塗布工程の前段階において、薄膜ＭｇＯ層３４１を誘電体層３３上に成膜する薄膜ＭｇＯ層形成工程を含んでいる。
このため、薄膜ＭｇＯ層形成工程により、十分な低スパッタ率、高二次電子放出係数、可視光に対する透明性などの特性を向上させるべく結晶ＭｇＯ層３４２を薄膜ＭｇＯ層３４１に積層形成しているので、特に、略均一な厚さで形成することができるがある程度の厚さで形成しにくく、柱状結晶構造で溶剤が侵入しやすくかつ抜けにくい蒸着やスパッタリングにより形成される薄膜ＭｇＯ層３４１のＭｇＯが潮解したり不純物が吸着するなどの特性変化を生じず、十分な厚さで良好な特性の保護層３４を形成できる。したがって、輝度の経時劣化が小さく、長期間安定した特性のＰＤＰ１を容易に製造できる。
さらに、薄膜ＭｇＯ層３４１を設けることにより、設けない場合と比べて放電応答速度が速くなるので、点灯させる放電セル２３１（以下、点灯セル２３１と記す）と点灯させない放電セル２３１（以下、非点灯セル２３１と記す）を設定するアドレス工程の時間短縮を図ることができる。さらには、放電応答速度が速いので、ＰＤＰ１の上または下のいずれか一方のみに列電極駆動部を設置し、上から下まであるいは下から上までＰＤＰ１全体に対して１つの列電極駆動部で、点灯セル２３１および非点灯セル２３１を設定することができる。したがって、列電極駆動部を１つ削減でき、部品点数を低減できる。さらに、アドレス工程の時間を短縮できるので、いわゆるサブフィールド数を増やすことができ、表示色数が増加し高解像度の表示が可能となる。 (9) The protective layer forming process includes a thin film MgO layer forming process in which the thin film MgO layer 341 is formed on the dielectric layer 33 in the previous stage of the coating process.
For this reason, the crystalline MgO layer 342 is laminated on the thin film MgO layer 341 in order to improve characteristics such as a sufficiently low sputtering rate, a high secondary electron emission coefficient, and transparency to visible light by the thin film MgO layer forming step. In particular, the MgO of the thin-film MgO layer 341 formed by vapor deposition or sputtering, which can be formed with a substantially uniform thickness but is difficult to form with a certain thickness, is easy to penetrate the solvent and has a columnar crystal structure, and is difficult to escape. The protective layer 34 having good characteristics can be formed with a sufficient thickness without causing a change in characteristics such as deliquescence or adsorption of impurities. Therefore, it is possible to easily manufacture the PDP 1 having a small luminance deterioration with time and stable characteristics for a long time.
Further, since the discharge response speed is increased by providing the thin-film MgO layer 341 as compared with the case where the thin-film MgO layer 341 is not provided, the discharge cell 231 to be lit (hereinafter referred to as the lit cell 231) and the discharge cell 231 that is not lit (hereinafter not lit) It is possible to shorten the time of the addressing process for setting the cell 231). Furthermore, since the discharge response speed is high, the column electrode drive unit is installed only on either the top or bottom of the PDP 1 and one column electrode drive unit is provided for the entire PDP 1 from top to bottom or from bottom to top. The lighting cell 231 and the non-lighting cell 231 can be set. Therefore, one column electrode drive unit can be reduced, and the number of parts can be reduced. Furthermore, since the addressing process time can be shortened, the number of so-called subfields can be increased, the number of display colors can be increased, and high-resolution display can be achieved.

〔実施形態の変形〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。 [Modification of Embodiment]
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.

例えば、前記実施形態では、ガラス粉体含有率を３ｗｔ％以上かつ３０ｗｔ％以下としたが、わずかでもガラス粉体が含有されていれば３ｗｔ％未満であってもよいし、３０ｗｔ％以上、さらには５０ｗｔ％以上とする構成としてもよい。これらのような構成にしても、塗工液ＬＱにガラス粉体を含有せずに、結晶ＭｇＯ層３４２にガラスフリット３４２Ｂを設けない構成と比べて、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３の結合力を強めることができ、単結晶ＭｇＯ３４２Ａの飛散による放電確率の低下を抑制できる。 For example, in the above embodiment, the glass powder content is 3 wt% or more and 30 wt% or less, but may be less than 3 wt% as long as the glass powder is contained, or 30 wt% or more. May be 50 wt% or more. Even in such a configuration, the bonding force between the single crystal MgO 342A and the front substrate 3 is not compared with the configuration in which the glass frit 342B is not provided in the crystalline MgO layer 342 without containing the glass powder in the coating liquid LQ. It can be strengthened, and a decrease in discharge probability due to scattering of the single crystal MgO 342A can be suppressed.

前記実施形態では、ガラス粉体の塩基度を単結晶ＭｇＯ３４２Ａの塩基度よりも高くしたが、これに限らず低くしてもよい。このような構成により、ガラス粉体の材質が限定されることがなくなるので、ガラス粉体の調達を容易にできる。 In the above embodiment, the basicity of the glass powder is set higher than that of the single crystal MgO342A. With such a configuration, the material of the glass powder is not limited, so that the glass powder can be easily procured.

前記実施形態では、ＭｇＯ粉体を単結晶ＭｇＯ３４２Ａからなるとしたが、多結晶あるいはアモルファスのＭｇＯからなる構成としてもよい。このような構成により、ＭｇＯ粉体の材質が限定されることがなくなるので、ＭｇＯ粉体の調達を容易にできる。 In the embodiment, the MgO powder is made of single crystal MgO 342A. However, the MgO powder may be made of polycrystalline or amorphous MgO. With such a configuration, the material of the MgO powder is not limited, so that the MgO powder can be easily procured.

前記実施形態では、薄膜ＭｇＯ層３４１を設けたが、薄膜ＭｇＯ層３４１を設けない構成としてもよい。このような構成の場合、前記実施形態と同様の作用効果を奏するためには、結晶ＭｇＯ層３４２の単結晶ＭｇＯ３４２Ａが薄膜ＭｇＯ層３４１の役割を果たす必要があり、単結晶ＭｇＯ３４２Ａを高密度で誘電体層３３上に塗工する必要がある。
このため、塗工液中における単結晶ＭｇＯ３４２Ａの濃度を高くすることができる塗工方法、すなわちスクリーン印刷、ダイコータ、フィルムを利用した方法を用いることが好ましい。
スプレー法を用いる場合、霧粒子の乾燥時に粒体が凝集しやすいため、単結晶ＭｇＯ３４２Ａを高密度で塗工するのは困難である。このため、分散剤を添加して、誘電体層３３との付着力を増加させることや、粉体濃度を高くして単結晶ＭｇＯ３４２Ａの含有量を増やす必要がある。
一方、スクリーン印刷、ダイコータ、フィルムを利用した方法を用いる場合、高密度の塗工を実施しやすいが、バインダーを使用する際には、バインダー樹脂が完全に除去でき、バインダー除去時に発生する反応ガスにより、単結晶ＭｇＯ３４２Ａの放電確率が低下しないものを選択する必要がある。また、このようなバインダーには、分子量が高く、粘度が高い分散剤を選択することもできる。 In the embodiment, the thin film MgO layer 341 is provided. However, the thin film MgO layer 341 may be omitted. In the case of such a configuration, in order to achieve the same effect as that of the above embodiment, the single crystal MgO 342A of the crystalline MgO layer 342 needs to play the role of the thin film MgO layer 341. It is necessary to apply on the body layer 33.
For this reason, it is preferable to use a coating method capable of increasing the concentration of single crystal MgO342A in the coating solution, that is, a method using screen printing, a die coater, or a film.
When the spray method is used, it is difficult to apply single crystal MgO342A at a high density because the particles are likely to aggregate when the mist particles are dried. For this reason, it is necessary to add a dispersing agent to increase the adhesion with the dielectric layer 33, or to increase the content of the single crystal MgO 342A by increasing the powder concentration.
On the other hand, when using a method that utilizes screen printing, die coater, or film, high-density coating is easy to implement, but when using a binder, the binder resin can be completely removed, and the reaction gas generated when the binder is removed. Therefore, it is necessary to select a single crystal MgO342A whose discharge probability does not decrease. For such a binder, a dispersant having a high molecular weight and a high viscosity can also be selected.

また、薄膜ＭｇＯ層３４１を設けない構成の場合、塗工する単結晶ＭｇＯ３４２Ａが、少なくとも放電領域付近では密集していることが好ましい。これは、密集しておらず被覆率が低い場合、放電確率が低下するためである。さらに、被覆率のばらつきは、放電確率のばらつきとなるため、面内でのばらつきが大きいと輝度ムラを引き起こすこととなる。したがって、塗工分散状態が高いほど、良好なＰＤＰとすることができる。 In the case where the thin film MgO layer 341 is not provided, it is preferable that the single crystal MgO 342A to be applied is dense at least in the vicinity of the discharge region. This is because the discharge probability decreases when the area is not dense and the coverage is low. Furthermore, since the variation in coverage is a variation in discharge probability, a large variation in the plane causes luminance unevenness. Therefore, the higher the coating dispersion state, the better the PDP.

前記実施形態のＰＤＰ１を、前面基板３に表示電極対３１を形成し誘電体層３３によって被覆しかつ背面基板２側に蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）とアドレス電極２１を形成した反射型交流ＰＤＰとするとしたが、これに限らない。すなわち、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、前面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成して誘電体層によって被覆し、背面基板に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰや、前面基板側に蛍光体層を形成し背面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成して誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰ、放電空間の表示電極対とアドレス電極との交差部分に放電セルが形成される三電極型交流ＰＤＰ、放電空間の表示電極とアドレス電極との交差部分に放電セルが形成される二電極型交流ＰＤＰなどの種々の形式のＰＤＰに適用することができる。 The PDP 1 of the above embodiment is a reflective type in which a display electrode pair 31 is formed on a front substrate 3 and covered with a dielectric layer 33, and a phosphor layer (24R, 24G, 24B) and an address electrode 21 are formed on the back substrate 2 side. Although it was set as AC PDP, it is not restricted to this. That is, the plasma display panel manufacturing method of the present invention includes a reflective AC PDP in which a display electrode pair and an address electrode are formed on the front substrate side and covered with a dielectric layer, and a phosphor layer is formed on the rear substrate, A transmission type AC PDP in which a phosphor layer is formed on the substrate side, a display electrode pair and an address electrode are formed on the back substrate side and covered with a dielectric layer, a discharge cell at the intersection of the display electrode pair and the address electrode in the discharge space The present invention can be applied to various types of PDPs such as a three-electrode AC PDP in which discharge cells are formed and a two-electrode AC PDP in which discharge cells are formed at intersections between display electrodes and address electrodes in the discharge space.

前記実施形態では、隔壁２３を梯子状に形成するとしたが、これに限らず、井桁状やストライプ状の隔壁としてもよい。 In the above-described embodiment, the partition wall 23 is formed in a ladder shape. However, the present invention is not limited to this, and a partition wall or stripe-shaped partition wall may be used.

〔実施形態の作用効果〕
上述したように、前記実施形態では、保護層形成工程に、単結晶ＭｇＯ３４２Ａを溶剤に分散させるとともにガラス粉体を添加した塗工液ＬＱを塗布する塗布工程を含んでいる。
これにより、単結晶ＭｇＯ３４２Ａと、ガラス粉体を溶融、凝固させたガラスフリット３４２Ｂとを備えた結晶ＭｇＯ層３４２を形成することができる。
このため、ガラスフリット３４２Ｂを、隣り合う単結晶ＭｇＯ３４２Ａの間、あるいは、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３上の構造物の間に介在させることができ、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３の結合力を強めることができる。したがって、ＰＤＰ１の使用時における放電による単結晶ＭｇＯ３４２Ａの飛散を抑制でき、放電確率の低下を抑制できる。
よって、良好な保護層３４が形成されたＰＤＰ１を得ることができる。 [Effects of Embodiment]
As described above, in the embodiment, the protective layer forming step includes the coating step of applying the coating liquid LQ in which the single crystal MgO 342A is dispersed in the solvent and the glass powder is added.
Thereby, the crystalline MgO layer 342 including the single crystal MgO 342A and the glass frit 342B obtained by melting and solidifying glass powder can be formed.
For this reason, the glass frit 342B can be interposed between the adjacent single crystal MgO 342A or between the single crystal MgO 342A and the structure on the front substrate 3, thereby strengthening the bonding force between the single crystal MgO 342A and the front substrate 3. be able to. Therefore, scattering of the single crystal MgO 342A due to discharge during use of the PDP 1 can be suppressed, and a decrease in discharge probability can be suppressed.
Therefore, the PDP 1 on which the good protective layer 34 is formed can be obtained.

本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した分解斜視図である。1 is an exploded perspective view showing an internal structure of a plasma display panel according to an embodiment of the present invention. 前記実施形態におけるプラズマディスプレイパネルを模式的に示した正面図である。It is the front view which showed typically the plasma display panel in the said embodiment. 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。It is sectional drawing in the III-III line of FIG. 図２のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。It is sectional drawing in the IV-IV line of FIG. 前記実施形態における保護層近傍の部分拡大図である。It is the elements on larger scale near the protective layer in the embodiment. 前記実施形態における塗工装置の概略構成を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows schematic structure of the coating apparatus in the said embodiment. 前記実施形態における塗工液におけるガラス粉体含有率と透過率との関係である。It is the relationship between the glass powder content rate and the transmittance | permeability in the coating liquid in the said embodiment. 前記実施形態における塗工液におけるガラス粉体含有率と規格化放電確率との関係である。It is the relationship between the glass powder content rate in the coating liquid in the said embodiment, and the normalized discharge probability.

符号の説明Explanation of symbols

１…プラズマディスプレイパネル
２…背面基板
３…前面基板
３１…表示電極対
３３…誘電体層
３４…保護層
３４１…酸化マグネシウム成膜層としての薄膜ＭｇＯ層
３４２Ａ…酸化マグネシウム粉体としての単結晶酸化マグネシウム（ＭｇＯ）
３４２Ｂ…ガラスフリット DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Plasma display panel 2 ... Back substrate 3 ... Front substrate 31 ... Display electrode pair 33 ... Dielectric layer 34 ... Protective layer 341 ... Thin film MgO layer 342A as a magnesium oxide film-forming layer ... Single crystal oxidation as magnesium oxide powder Magnesium (MgO)
342B ... Glass frit

Claims

放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極対と、これら電極対上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記保護層を形成する保護層形成工程には、酸化マグネシウム粉体を溶剤に分散させた塗工液を塗布する塗布工程が含まれ、
前記塗工液には、ガラス粉体が添加されている
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 A pair of substrates opposed to each other through the discharge space, a plurality of electrode pairs formed on the inner surface of one of the pair of substrates, a dielectric layer covering the electrode pairs, and the dielectric A plasma display panel manufacturing method for manufacturing a plasma display panel comprising a protective layer covering a body layer,
The protective layer forming step of forming the protective layer includes an application step of applying a coating liquid in which magnesium oxide powder is dispersed in a solvent,
A glass powder is added to the coating liquid. A method for producing a plasma display panel, wherein:

請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記保護層形成工程で形成された前記保護層を、前記ガラス粉体が溶融する条件で焼成する保護層焼成工程を含んでいる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 In the manufacturing method of the plasma display panel of Claim 1,
The manufacturing method of the plasma display panel characterized by including the protective layer baking process of baking the said protective layer formed at the said protective layer formation process on the conditions which the said glass powder fuses.

請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記塗工液における前記酸化マグネシウム粉体と前記ガラス粉体の質量の和に対する、前記ガラス粉体の含有率は、３ｗｔ％以上である
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 In the manufacturing method of the plasma display panel of Claim 1 or Claim 2,
The method for manufacturing a plasma display panel, wherein a content of the glass powder with respect to a sum of masses of the magnesium oxide powder and the glass powder in the coating liquid is 3 wt% or more.

請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記塗工液における前記酸化マグネシウム粉体と前記ガラス粉体の質量の和に対する、前記ガラス粉体の含有率は、５０ｗｔ％以下である
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 In the manufacturing method of the plasma display panel in any one of Claims 1 thru | or 3,
The method for producing a plasma display panel, wherein a content of the glass powder with respect to a sum of masses of the magnesium oxide powder and the glass powder in the coating liquid is 50 wt% or less.

請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記塗工液における前記酸化マグネシウム粉体と前記ガラス粉体の質量の和に対する、前記ガラス粉体の含有率は、３０ｗｔ％以下である
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 In the manufacturing method of the plasma display panel of Claim 4,
The method for producing a plasma display panel, wherein a content of the glass powder with respect to a sum of masses of the magnesium oxide powder and the glass powder in the coating liquid is 30 wt% or less.

請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記ガラス粉体の平均粒径は、前記酸化マグネシウム粉体の平均粒径よりも小さい
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 In the manufacturing method of the plasma display panel in any one of Claims 1 thru | or 5,
The method for producing a plasma display panel, wherein an average particle size of the glass powder is smaller than an average particle size of the magnesium oxide powder.

請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記ガラス粉体の塩基度は、前記酸化マグネシウム粉体の塩基度よりも高い
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 In the manufacturing method of the plasma display panel in any one of Claims 1 thru | or 6,
The method for producing a plasma display panel, wherein the basicity of the glass powder is higher than the basicity of the magnesium oxide powder.

請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記酸化マグネシウム粉体は、単結晶酸化マグネシウムからなる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 In the manufacturing method of the plasma display panel in any one of Claim 1 thru | or 7,
The method for manufacturing a plasma display panel, wherein the magnesium oxide powder is made of single crystal magnesium oxide.

請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記保護層形成工程には、前記塗布工程の前段階において、酸化マグネシウムの薄膜を前記誘電体層上に成膜する下地酸化マグネシウム層成膜工程が含まれる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 In the manufacturing method of the plasma display panel in any one of Claims 1 thru | or 8,
The protective layer forming step includes a base magnesium oxide layer forming step of forming a magnesium oxide thin film on the dielectric layer in a stage before the coating step. Method.

放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極対と、これら電極対上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護層には、酸化マグネシウム粉体と、ガラスフリットとが含まれる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 A pair of substrates opposed to each other through the discharge space, a plurality of electrode pairs formed on the inner surface of one of the pair of substrates, a dielectric layer covering the electrode pairs, and the dielectric A plasma display panel comprising a protective layer covering the body layer,
The plasma display panel, wherein the protective layer includes magnesium oxide powder and glass frit.

請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記酸化マグネシウム粉体の間に前記ガラスフリットが介在する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 The plasma display panel according to claim 10, wherein
The plasma display panel, wherein the glass frit is interposed between the magnesium oxide powders.

請求項１０または請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記酸化マグネシウム粉体は、単結晶酸化マグネシウムからなる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 The plasma display panel according to claim 10 or 11,
The plasma display panel, wherein the magnesium oxide powder is made of single crystal magnesium oxide.

請求項１０ないし請求項１２のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記保護層には、前記誘電体層上に薄膜状に成膜された酸化マグネシウム成膜層と、この酸化マグネシウム成膜層上に設けられた前記酸化マグネシウム粉体および前記ガラスフリットとが含まれる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 The plasma display panel according to any one of claims 10 to 12,
The protective layer includes a magnesium oxide film formed in a thin film on the dielectric layer, and the magnesium oxide powder and the glass frit provided on the magnesium oxide film. A plasma display panel characterized by that.