JP2007142995A - Aggregate of element piece for piezoelectric device, piezoelectric device and method for manufacturing piezoelectric device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、圧電基板をエッチングして形成される圧電デバイス用の素子片集合体と、こ
れを利用して形成される圧電デバイスならびに圧電デバイスの製造方法の改良に関する。
The present invention relates to an element piece assembly for a piezoelectric device formed by etching a piezoelectric substrate, a piezoelectric device formed using the same, and an improvement in a method for manufacturing the piezoelectric device.
図7は、従来の圧電デバイスに用いる圧電振動片を製造する工程において、水晶ウエハ
をフォトリソグラフィの手法により、ウエットエッチングして得られる素子片集合体(圧
電振動片を製造するための多数の素子片が、エッチング残りの水晶フレームに支持された
状態のもの)1を示す部分概略斜視図である(特許文献1、第7図参照)。
図において、素子片集合体1は、図示の場合、個々の振動片の素子片(いまだ駆動電極
を形成する前の圧電振動片)を縦横に多数支持している。
FIG. 7 shows an assembly of element pieces (many elements for producing a piezoelectric vibrating piece) obtained by wet etching a quartz crystal wafer by a photolithography technique in a process of manufacturing a piezoelectric vibrating piece used in a conventional piezoelectric device. FIG. 6 is a partial schematic perspective view showing a piece 1 in a state where the piece is supported by a crystal frame remaining after etching (see Patent Document 1 and FIG. 7).
In the drawing, the element piece assembly 1 supports a large number of element pieces (piezoelectric vibration pieces before forming the drive electrodes) of the individual vibration pieces in the vertical and horizontal directions in the illustrated case.
すなわち、水晶ウエハをエッチングすることにより、素子片2の外形の周囲が、エッチ
ングにより残された水晶材料から分離されていて、枠状のエッチング残り材料から延びる
幅の細い支持部6,7により支持されている。
この素子片集合体1を用いて、図示するように、折りピン5等が用いられ、鎖線に沿っ
て該折りピン5が降下することにより、素子片2の先端部3を押し下げることで、各支持
部6,7を折る。これにより、個々の素子片2を折り取って、これをパッケージなどに接
合することにより圧電デバイスを製造するようにしている。
That is, by etching the crystal wafer, the periphery of the outer shape of the
Using this element piece assembly 1, as shown in the figure, a folding pin 5 or the like is used, and when the folding pin 5 descends along the chain line, the
しかしながら、特許文献1の構造では、折り取った素子片2では、図8に示すような状
態で支持部6,7が残される。
ここで、水晶には、ウエットエッチングを行うと、エッチング異方性が見られ、結晶軸
方位によりエッチングの進行速度に違いが生じる。
このことに起因して、素子片集合体1では、左右の支持部6,7の形状などに相違が生
じる。このため、図8に示すように、折り取った支持部に、例えば符号7aのような突起
ができる場合がある。このような異形の突起7aが生じると、素子片に駆動電極を形成し
て、上記したように、パッケージなどに接合する際に、パッケージやケースなどの内側に
、該突起7aが干渉するという問題がある。
However, in the structure of Patent Document 1, the
Here, when wet etching is performed on crystal, etching anisotropy is observed, and the etching progress speed varies depending on the crystal axis orientation.
Due to this, in the element piece assembly 1, there is a difference in the shapes of the left and
本発明は、以上の課題を解決するためになされたもので、折り取りの際に、異形の突起
を生じにくい素子片集合体と、これを利用して形成される圧電デバイスならびに圧電デバ
イスの製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-described problems, and is an element piece assembly that is unlikely to generate irregular projections when folded, and a piezoelectric device and a piezoelectric device that are formed using the element piece assembly. It aims to provide a method.
上述の目的は、第1の発明にあっては、エッチング異方性をもつ圧電基板をエッチング
することにより折り取り可能とされた複数の素子片を同時に形成する圧電デバイス用の素
子片集合体であって、前記エッチング後において、個々の素子片の外形の周囲が、エッチ
ングで残された前記圧電基板材料から分離されており、かつ前記残された圧電基板材料か
ら並列に延びる少なくとも一対の複数の細いフレーム部が、前記素子片に対して一体に接
続されて素子片との支持部とされていて、複数ある前記支持部のうち、Z軸(光軸)に関
してマイナス側の支持部の前記素子片と一体とされている箇所の表面部幅寸法W1が、Z
軸に関してプラス側の支持部の前記素子片と一体とされている箇所の表面部幅寸法W2よ
りも大きくされている素子片集合体により、達成される。
According to the first aspect of the present invention, there is provided an element piece assembly for a piezoelectric device that simultaneously forms a plurality of element pieces that can be folded by etching a piezoelectric substrate having etching anisotropy. In addition, after the etching, the periphery of the outer shape of each element piece is separated from the piezoelectric substrate material left by etching, and at least a plurality of a plurality of parallel extensions extending in parallel from the remaining piezoelectric substrate material A thin frame part is integrally connected to the element piece to be a support part for the element piece, and the element of the support part on the minus side with respect to the Z axis (optical axis) among the plurality of support parts The width W1 of the surface portion of the portion integrated with the piece is Z
This is achieved by an element piece assembly that is larger than the surface portion width dimension W2 of the portion that is integral with the element piece of the support portion on the plus side with respect to the axis.
第1の発明の構成によれば、素子片を支持する支持部のうち、Z軸(光軸)に関してマ
イナス側の支持部の前記素子片と一体とされている箇所の表面部幅寸法W1が、Z軸に関
してプラス側の支持部の前記素子片と一体とされている箇所の表面部幅寸法W2よりも大
きくされている。
すなわち、圧電材料のエッチング異方性により、異形にエッチングされる影響が出やす
いZ軸に関してプラス側の支持部の前記素子片と一体とされている箇所の表面は、エッチ
ング残りが出やすいので、バリを形成しやすい。そこで、こちら側の幅寸法W2を細くす
る。
これに対して、各支持部の前記素子片と一体とされている箇所を皆細くすると、製造工
程で素子片集合体を取り扱う間に、支持部が折れて、素子片が落下するなどの不都合があ
る。このため、上記寸法W1を大きくすれば、十分な強度を得るようにすることができる
。
According to the configuration of the first invention, among the support portions that support the element pieces, the surface portion width dimension W1 of the portion integrated with the element pieces of the support portion on the negative side with respect to the Z axis (optical axis) is The surface portion width dimension W2 of the portion of the support portion on the plus side with respect to the Z axis that is integrated with the element piece is larger.
In other words, due to the etching anisotropy of the piezoelectric material, the surface of the portion that is integrated with the element piece of the support portion on the plus side with respect to the Z axis that is likely to be etched into an irregular shape is likely to have etching residue, Easy to form burrs. Therefore, the width dimension W2 on this side is narrowed.
On the other hand, if all the portions of each support part integrated with the element piece are made thin, the support part breaks and the element piece falls during handling of the element piece assembly in the manufacturing process. There is. For this reason, if the said dimension W1 is enlarged, sufficient intensity | strength can be obtained.
第2の発明は、第1の発明の構成において、前記圧電基板が、水晶であり、該水晶のX
軸(電機軸)に対して平行で、しかもZ軸(光軸)に対してカット面をもつ水晶基板であ
ることを特徴とする。
第2の発明の構成によれば、圧電材料として水晶を用いた場合、特にエッチング異方性
による影響を好適に防止することができる。
According to a second invention, in the configuration of the first invention, the piezoelectric substrate is a crystal, and the X of the crystal
The quartz substrate is parallel to the axis (electrical axis) and has a cut surface with respect to the Z axis (optical axis).
According to the configuration of the second invention, when quartz is used as the piezoelectric material, it is possible to suitably prevent the influence due to the etching anisotropy.
第3の発明は、第2の発明の構成において、前記支持部は、前記Z軸方向に並列的に一
対設けられており、前記圧電基板材料から延びる前記フレーム部が、前記素子片と一体と
されている箇所で、幅寸法が小さくされたネック部を備えていて、プラスZ軸側のネック
部は、前記フレーム部を内側から縮幅することにより形成されていることを特徴とする。
第3の発明の構成によれば、プラスZ軸側のネック部を折った後で、該ネック部から外
側へのバリの飛び出しを特に有効に防止できる。
According to a third invention, in the configuration of the second invention, a pair of the support portions are provided in parallel in the Z-axis direction, and the frame portion extending from the piezoelectric substrate material is integrated with the element piece. In this case, a neck portion having a reduced width is provided, and the neck portion on the plus Z-axis side is formed by reducing the width of the frame portion from the inside.
According to the configuration of the third aspect of the invention, it is possible to particularly effectively prevent the burr from jumping out from the neck portion after the neck portion on the plus Z-axis side is folded.
第4の発明は、第3の発明の構成において、プラスZ軸側およびマイナスZ軸側の両ネ
ック部が、各フレーム部を内側および外側から縮幅することにより形成されていることを
特徴とする。
第4の発明の構成によれば、両ネック部を折った後において、よりバリの突出を防いで
、きれいな仕上がりを実現できる。
A fourth invention is characterized in that, in the configuration of the third invention, both the neck portions on the plus Z-axis side and the minus Z-axis side are formed by reducing the width of each frame portion from the inside and the outside. To do.
According to the configuration of the fourth aspect of the invention, after the both neck portions are folded, the protrusion of the burr can be prevented and a beautiful finish can be realized.
第5の発明は、第3または4のいずれかの発明の構成において、プラスZ軸側ネック部
の表面側幅寸法W1に関して、前記圧電基板の厚み寸法をTとした場合に、0.5T<W
1<1.5Tであることを特徴とする。
第5の発明の構成によれば、寸法W1が材料厚み寸法をTとした場合の1.5Tを超え
た大きさとなると、折り取りが困難になり、別のバリができる。寸法W1が材料厚み寸法
をTとした場合の0.5Tより小さくなると、製造工程において、素子片の保持ができな
い場合がある。
According to a fifth aspect of the present invention, in the configuration of the third or fourth aspect, when the thickness dimension of the piezoelectric substrate is T with respect to the surface side width dimension W1 of the plus Z-axis side neck portion, 0.5T < W
1 <1.5T.
According to the configuration of the fifth aspect of the invention, when the dimension W1 exceeds 1.5T where the material thickness dimension is T, it becomes difficult to break and another burr can be formed. If the dimension W1 is smaller than 0.5T when the material thickness dimension is T, the element piece may not be held in the manufacturing process.
第6の発明は、第3ないし5のいずれかの発明の構成において、マイナスZ軸側ネック
部の表面側幅寸法W2に関して、前記圧電基板の厚み寸法をTとした場合に、0<W2<
0.5Tであることを特徴とする。
第6の発明の構成によれば、寸法W2が材料厚み寸法をTとした場合の0.5Tを超え
た大きさとなると、折り取りが困難になり、図8の7aのようにバリができる。寸法W2
が0に近づくと、製造工程において、支持部が折れて素子片が脱落するという不都合があ
る。
According to a sixth invention, in the configuration of any one of the third to fifth inventions, when the thickness dimension of the piezoelectric substrate is T with respect to the surface-side width dimension W2 of the minus Z-axis side neck portion, 0 <W2 <
It is characterized by 0.5T.
According to the configuration of the sixth aspect of the invention, when the dimension W2 exceeds 0.5T where the material thickness dimension is T, it becomes difficult to break and burr can be formed as shown in 7a in FIG. Dimension W2
When the value approaches 0, there is an inconvenience that the support part is broken and the element piece falls off in the manufacturing process.
また、上記目的は、第7の発明にあっては、パッケージまたはケース内に圧電振動片を
収容した圧電デバイスであって、前記圧電振動片は、エッチング異方性をもつ圧電基板を
エッチングすることにより折り取り可能とされた複数の素子片を同時に形成する圧電デバ
イス用の素子片集合体であって、前記エッチング後において、個々の素子片の外形の周囲
が、エッチングで残された前記圧電基板材料から分離されており、かつ前記残された圧電
基板材料から並列に延びる少なくとも一対の複数の細いフレーム部が、前記素子片に対し
て一体に接続されて素子片との支持部とされていて、複数ある前記支持部のうち、Z軸(
光軸)に関してマイナス側の支持部の前記素子片と一体とされている箇所の表面部幅寸法
W1が、Z軸に関してプラス側の支持部の前記素子片と一体とされている箇所の表面部幅
寸法W2よりも大きくされている前記素子片集合体の該素子に必要な駆動電極を成膜して
、折り取られた素子により形成されている圧電デバイスにより、達成される。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a piezoelectric device in which a piezoelectric vibrating piece is accommodated in a package or case, wherein the piezoelectric vibrating piece etches a piezoelectric substrate having etching anisotropy. An element piece assembly for a piezoelectric device that simultaneously forms a plurality of element pieces that can be folded by the step, wherein the periphery of the outer shape of each element piece is left behind by etching after the etching. At least a pair of a plurality of thin frame portions separated from the material and extending in parallel from the remaining piezoelectric substrate material are integrally connected to the element piece to be a support portion for the element piece. Among the plurality of support portions, the Z axis (
The surface portion width dimension W1 of the portion of the minus side support portion integrated with the element piece with respect to the optical axis) is the surface portion of the portion of the plus side support portion integrated with the element piece. This is achieved by a piezoelectric device formed by forming a drive electrode necessary for the element of the element piece assembly having a width dimension W2 larger than that of the element piece assembly.
また、上記目的は、第8の発明にあっては、パッケージまたはケース内に圧電振動片を
収容した圧電デバイスの製造方法であって、前記圧電振動片は、エッチング異方性をもつ
圧電基板をエッチングすることにより折り取り可能とされた複数の素子片を同時に形成す
る圧電デバイス用の素子片集合体であって、前記エッチング後において、個々の素子片の
外形の周囲が、エッチングで残された前記圧電基板材料から分離されており、かつ前記残
された圧電基板材料から並列に延びる少なくとも一対の複数の細いフレーム部が、前記素
子片に対して一体に接続されて素子片との支持部とされていて、複数ある前記支持部のう
ち、Z軸(光軸)に関してマイナス側の支持部の前記素子片と一体とされている箇所の表
面部幅寸法W1が、Z軸に関してプラス側の支持部の前記素子片と一体とされている箇所
の表面部幅寸法W2よりも大きくされている前記素子片集合体の該素子に必要な駆動電極
を成膜して、折り取ることで形成され、さらに前記圧電振動片を前記パッケージなどに収
容し封止する圧電デバイスの製造方法により、達成される。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a piezoelectric device in which a piezoelectric vibrating piece is accommodated in a package or case, wherein the piezoelectric vibrating piece includes a piezoelectric substrate having etching anisotropy. An element piece assembly for a piezoelectric device that simultaneously forms a plurality of element pieces that can be folded by etching. After the etching, the periphery of the outer shape of each element piece is left behind by etching. At least a pair of a plurality of thin frame portions separated from the piezoelectric substrate material and extending in parallel from the remaining piezoelectric substrate material are integrally connected to the element piece to support the element piece; Of the plurality of support portions, the surface portion width dimension W1 of the portion integrated with the element piece of the support portion on the negative side with respect to the Z axis (optical axis) is related to the Z axis. Form a drive electrode necessary for the element of the element piece assembly, which is larger than the surface width W2 of the portion of the plus side supporting part integrated with the element piece, and fold it off. And is achieved by a method of manufacturing a piezoelectric device in which the piezoelectric vibrating piece is accommodated in the package or the like and sealed.
図1および図2は、本発明の圧電デバイスの実施形態を示しており、図1は圧電デバイ
スの概略平面図、図2は図1の圧電デバイスに収容された圧電振動片の概略断面図である
。
図1において、圧電デバイス30は、圧電振動子を構成した例を示しており、圧電デバ
イス30のパッケージ31内に圧電振動片40を収容している。
パッケージ31は、セラミックが適しており、特に、好ましい材料としては圧電振動片
40や、後述する蓋体の熱膨張係数と一致もしくは、きわめて近い熱膨張係数を備えたも
のが選択され、この実施形態では、例えば、セラミックのグリーンシートが利用されてい
る。グリーンシートは、例えば、所定の溶液中にセラミックパウダを分散させ、バインダ
を添加して生成される混練物をシート状の長いテープ形状に成形し、これを所定の長さに
カットして得られるものである。
1 and 2 show an embodiment of a piezoelectric device of the present invention, FIG. 1 is a schematic plan view of the piezoelectric device, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a piezoelectric vibrating piece housed in the piezoelectric device of FIG. is there.
In FIG. 1, the
The
すなわち、パッケージ31は、図2の形状に成形したグリーンシートを積層し、焼結し
て形成することができる。この場合、パッケージ31の底部を構成する基板には、電極部
33が形成されている。
上記基板に重ねられるグリーンシートは、内側の材料が除去された枠状のものであり、
これを上記基板に重ねることで、パッケージ31は内部空間Sを有する箱状の収容体とさ
れている。この内部空間Sを利用して、圧電振動片40を収容するようにしている。この
パッケージ31には、セラミックやガラスあるいはコバールなどの金属で形成された蓋体
35が低融点ガラスやニッケルなどを介して接合されている。これにより、パッケージ3
1は気密に封止されている。
That is, the
The green sheet to be stacked on the substrate is a frame-like shape with the inner material removed,
By stacking this on the substrate, the
1 is hermetically sealed.
パッケージ31を形成するセラミック材料の上には、例えば、銀・パラジウムなどの導
電ペーストもしくはタングステンメタライズなどの導電ペーストなどを用いて、必要とさ
れる導電パターンを形成後に、焼結をした後で、ニッケルおよび金もしくは銀などを順次
メッキして、上述した電極部33が形成されている。
該電極部33は、パッケージ31の底面に露出した実装端子32,32と図示しない導
電パターンにより接続されている。この電極部33と実装端子32とを接続するための導
電パターンは、パッケージ31の形成時に利用されるキャスタレーション(図示せず)の
表面に形成して、パッケージ31の外面を引き回してもよいし、あるいはパッケージ31
の底部を構成する絶縁基板を貫通する導電スルーホールなどにより接続してもよい。
On the ceramic material forming the
The
They may be connected by a conductive through-hole penetrating an insulating substrate constituting the bottom of the substrate.
圧電振動片40を作るために、図2に示すように、例えば圧電材料により形成されたウ
エハを厚みの薄い矩形の基板となるように加工した、所謂、ATカット振動片が使用され
る。すなわち、圧電チップである素子片が後述のように先ず形成され、この素子片に駆動
用の励振電極41を形成したものが、ATカット振動片である圧電振動片40である。
圧電振動片40を形成するには、圧電材料として、例えば、この実施形態では水晶が使
用されており、水晶以外にもタンタル酸リチウム,ニオブ酸リチウム等の圧電材料を利用
することができる。また、圧電チップの形状もフラットタイプに限らず、コンベックスタ
イプや、逆メサ型の振動片を用いることができる。
In order to make the piezoelectric vibrating
In order to form the piezoelectric vibrating
すなわち、素子片51としての圧電チップの表面には、駆動用の電極として、励振電極
41が形成されている。励振電極41は、圧電チップの積極的に振動させようとする領域
に形成され、圧電材料に駆動電圧を印加することで、材料内に効率よく電界を生じさせ、
励振するためのものである。励振電極41は、素子片51の裏面にも同様の形態で形成さ
れている。
また、図2に示すように、励振電極41は、それぞれ圧電振動片40の長さ方向の端部
において、その幅方向の両端にそれぞれ形成された接続電極である引出し電極42に対し
て、各別に接続されている。各引出し電極42は圧電チップの側面を回り込んで、裏面に
も形成されている。
That is, the
It is for excitation. The
In addition, as shown in FIG. 2, the
このような圧電振動片40は、図1に示されているように、パッケージ31側の電極部
33の上に片持ち式に接合されている。
これにより、パッケージ31の外部から実装端子32,32を介して供給された駆動電
圧は、パッケージ31側の電極部33から導電性接着剤43および圧電振動片40の引出
し電極42を介して、励振電極41に印加される。したがって、圧電振動片40の主面は
圧電作用により厚みすべり振動することで、駆動されるようになっている。
As shown in FIG. 1, such a piezoelectric vibrating
As a result, the drive voltage supplied from the outside of the
なお、パッケージ31を箱状ではなく、単なる絶縁基板として、その上に電極を形成し
、浅い箱状とした蓋体(図示せず)により、圧電振動片40を気密に封止する形式のパッ
ケージを用いてもよい。あるいは、圧電振動片40に外部の駆動電圧源と接続したプラグ
を接続し、一端を閉止した金属製の筒状のケースに圧電振動片40を差し入れて、このプ
ラグによりケースを気密に封止するようにしてもよい(図示せず)。
Note that the
(素子片集合体の構造および圧電デバイスの製造方法)
次に、上記した圧電デバイス30の製造方法の実施形態を説明する。
先ず、圧電振動片40を形成する。
そのために、上述したように、例えば水晶ウエハが使用される。この場合、水晶ウエハ
は水晶の結晶軸に関して、X軸が電気軸、Y軸が機械軸及びZ軸が光学軸となるように、
水晶の単結晶から切り出されることになる。また、水晶の単結晶から切り出す際、上述の
X軸、Y軸及びZ軸からなる直交座標系において、Z軸から所定角度、例えば、35.1
5度傾けた面で切り出したATカット水晶板を得る。
(Structure of element piece assembly and manufacturing method of piezoelectric device)
Next, an embodiment of a method for manufacturing the
First, the piezoelectric vibrating
For this purpose, for example, a quartz wafer is used as described above. In this case, with respect to the crystal axis of the crystal wafer, the X axis is an electric axis, the Y axis is a mechanical axis, and the Z axis is an optical axis.
It will be cut from a single crystal of quartz. Further, when cutting out from a single crystal of quartz, in the orthogonal coordinate system composed of the X axis, Y axis, and Z axis described above, a predetermined angle from the Z axis, for example, 35.1.
An AT-cut quartz plate cut out by a surface inclined by 5 degrees is obtained.
次に、上記圧電素子片であるATカット水晶板の主面を研磨して平坦度を持たせて、所
謂水晶ウエハを形成し、これをウエットエッチングして、図7で説明したような素子片集
合体を得る。
すなわち、水晶ウエハを、例えばフッ酸などでウエットエッチングすることにより、多
数の素子片の個々の外形周囲を分離し、細い支持部で、エッチング残りの枠状の水晶材料
と接続した形態のものを得る。
図3は、このような素子片集合体50の一部を拡大して示すものである。
Next, the main surface of the AT-cut quartz plate that is the piezoelectric element piece is polished to have flatness to form a so-called quartz wafer, which is wet-etched, and the element piece as described in FIG. Get an aggregate.
That is, the quartz wafer is wet-etched with, for example, hydrofluoric acid, so that the outer periphery of each element piece is separated and connected to the remaining frame-like quartz material with a thin support. obtain.
FIG. 3 shows an enlarged part of such an
枠部52は、エッチング残りの材料であり、枠部52からはX軸(電機軸)方向に向け
て、複数のフレーム部が支持部として延びている。図示の場合、一対の支持部53,54
が延びており、素子片51と一体となる箇所で幅寸法が狭くされてネック部55,56と
なっている。
この場合、プラスZ軸側のネック部55もマイナスZ軸側のネック部56も、各支持部
53,54が、それぞれ内側からも外側からも幅寸法を縮幅されて形成されている。これ
により、折り取り後に各ネック部の箇所からバリが外方へ突出するのを効果的に防止して
いる。
The frame part 52 is a material remaining after etching, and a plurality of frame parts extend as support parts from the frame part 52 in the X-axis (electrical machine axis) direction. In the case of illustration, a pair of
, And the width dimension is narrowed at the portion integrated with the
In this case, the
水晶材料はウエットエッチングにおいて、エッチング異方性があり、そのため、図3お
よび図3のA−A栓断面図である図4に示すように、プラスZ軸側のネック部56の外側
が異形に凹んだようにエッチングされる。
また、図4により理解されるように、各ネック部55,56では、図3における表面側
(手前側)と、裏面側とで幅寸法が異なり、図示のW1は、図3におけるプラスZ軸側ネ
ック部55の表面側の幅寸法(以下、単に「幅寸法W1」という)であり、W2は、図3
におけるマイナスZ軸側ネック部56の表面側の幅寸法(以下、単に「幅寸法W2」とい
う)である。
The quartz material has etching anisotropy in wet etching. Therefore, as shown in FIG. 4 which is a cross-sectional view of the AA plug of FIG. 3 and FIG. 3, the outer side of the
Further, as understood from FIG. 4, in each
Is the width dimension on the surface side of the negative Z-axis side neck portion 56 (hereinafter, simply referred to as “width dimension W2”).
ここで、素子片集合体50では、幅寸法W1が、幅寸法W2よりも大きくされている。
このようにするのは、水晶ウエハのエッチング異方性により、異形にエッチングされる
影響が出やすいZ軸に関してプラス側の支持部の前記素子片と一体とされている箇所の表
面は、エッチング残りが出やすいので、バリを形成しやすい。そこで、バリを形成しやす
い幅寸法W2を細くする。
これに対して、各支持部の前記素子片と一体とされている箇所を皆細くすると、製造工
程で素子片集合体を取り扱う間に、支持部が折れて、素子片が落下するなどの不都合があ
る。このため、寸法W1をW2よりも大きくすれば、十分な強度を得るようにすることが
できる。
Here, in the
This is because the surface of the place where the element piece of the support portion on the plus side with respect to the Z axis, which is likely to be etched abnormally due to the etching anisotropy of the crystal wafer, is unetched is left unetched. Is easy to form, so it is easy to form burrs. Therefore, the width dimension W2 at which burrs are easily formed is reduced.
On the other hand, if all the portions of each support part integrated with the element piece are made thin, the support part breaks and the element piece falls during handling of the element piece assembly in the manufacturing process. There is. For this reason, if the dimension W1 is made larger than W2, sufficient strength can be obtained.
ここで、好ましくは、上記したプラスZ軸側ネック部55の表面側幅寸法W1に関して
、水晶ウエハの厚み寸法をTとした場合に、0.5T<W1<1.5Tとする。
これは以下の理由による。すなわち、寸法W1が1.5Tを超えた大きさとなると、折
り取りが困難になり、別のバリができるからである。また、寸法W1が0.5Tより小さ
くなると、製造工程において、素子片の保持ができない場合があるからである。
Here, preferably, regarding the surface side width dimension W1 of the plus Z-axis
This is due to the following reason. That is, when the dimension W1 exceeds 1.5T, it becomes difficult to break and another burr can be formed. Further, if the dimension W1 is smaller than 0.5T, the element piece may not be held in the manufacturing process.
図5は図4の構造において、バリを形成しやすい幅寸法W2を極端に小さくした場合を
示しており、図5(b)は図5(a)のB−B線断面図である。
この場合のマイナスZ軸側ネック部の表面側幅寸法W2は、水晶ウエハの厚み寸法をT
とした場合に、0<W2<0.5Tであることが好ましい。
これは以下の理由による。すなわち、寸法W2が材料厚み寸法をTとした場合の0.5
Tを超えた大きさとなると、折り取りが困難になり、図8の7aのようにバリができる。
寸法W2が0に近づくと、製造工程において、支持部が折れて素子片が脱落するという不
都合があるからである。
5 shows a case where the width dimension W2 at which the burr is easily formed is extremely reduced in the structure of FIG. 4, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG.
In this case, the surface side width dimension W2 of the minus Z-axis side neck part is the thickness dimension of the quartz wafer T
In this case, 0 <W2 <0.5T is preferable.
This is due to the following reason. That is, the dimension W2 is 0.5 when the material thickness dimension is T.
When the size exceeds T, it becomes difficult to break, and burrs are formed as shown in 7a of FIG.
This is because when the dimension W2 approaches 0, there is an inconvenience that in the manufacturing process, the support portion is broken and the element piece falls off.
図6は図4の構造において、バリを形成し難いネック部56の別の形成例であり、図6
(b)は図6(a)のC−C線断面図である。
図示されているように、この場合、プラスZ軸側のネック部56は、寸法W2に関して
、フレーム部である支持部54を内側から縮幅することにより形成されていることを特徴
とする。
これにより、プラスZ軸側のネック部56を折った後で、該ネック部56から外側への
バリの飛び出しを特に有効に防止できる。
6 is another example of forming the
(B) is CC sectional view taken on the line of Fig.6 (a).
As shown in the drawing, in this case, the
Thereby, after the
以上のような形態を有する素子片集合体50を形成したら、例えば、その表裏の全面に
蒸着などにより電極金属を成膜する。電極金属は、例えば、クロム(Cr)を下地として
金(Au)を成膜することにより、形成され、図2で示した励振電極41や引出し電極4
2を作るように、フォトリソグラフィの手法などにより、電極が形成される。
その後、図7で説明したのと同様の手法により個々の圧電振動片40(図1参照)を折
り取る。この場合、上述したように、各ネック部において、エッチング異方性に起因して
、バリなどが有害な突出をしないので、以下の接合工程で有利である。
After the
As shown in FIG. 2, an electrode is formed by a photolithography technique or the like.
Thereafter, the individual piezoelectric vibrating reeds 40 (see FIG. 1) are folded by the same method as described in FIG. In this case, as described above, burrs or the like do not cause harmful protrusions due to the etching anisotropy at each neck portion, which is advantageous in the following joining process.
続いて、上記工程と別に形成された図1および図2のパッケージ31側の電極部33の
上に導電性接着剤43を塗布し、その上に、素子片集合体50から折り取られた圧電振動
片40の図2で説明した各引出し電極42が形成されている基端部もしくは一端部を載置
する。
そして、これら導電性接着剤43を加熱して硬化させることにより圧電振動片40をパ
ッケージ31の内側底面に片持ち式に接合する。
ここで、導電性接着剤43としては、所定の合成樹脂でなるバインダー成分に、銀粒子
などの導電粒子を添加したものを使用することができる。また、圧電振動片40は必ずし
も片持ち式でなく、先端側の一部をパッケージ31の内側底面に形成した凸部(枕部)に
載置した構成としてもよい。
Subsequently, a
The piezoelectric
Here, as the
そして、圧電振動片40に対して、パッケージ31の実装端子32などから駆動電圧を
印加し、圧電振動片40を駆動してその周波数を計測して、計測結果に基づいて、励振電
極41の一部を削減することで、重量を減じて周波数調整する。
この周波数調整工程では、さらに、周囲の温度環境を変化させて駆動電圧を印加し、温
度変化に応じた周波数を計測して圧電振動片40の温度−周波数特性を合わせて計測し、
その結果に応じて調整を行う。
Then, a driving voltage is applied to the piezoelectric vibrating
In this frequency adjustment step, the driving temperature is further applied by changing the ambient temperature environment, the frequency according to the temperature change is measured, and the temperature-frequency characteristics of the piezoelectric vibrating
Adjustments are made according to the results.
次に、パッケージ31を真空チャンバー内に移し、セラミックやガラスあるいはコバー
ルなどの金属で形成された蓋体35を低融点ガラスやニッケルなどを介して真空雰囲気下
で接合する。これにより、パッケージ31は気密に封止される。
最後に必要な検査を経て、圧電デバイス30が完成する。
Next, the
Finally, through the necessary inspection, the
本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わ
せたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
また、この発明は、パッケージやケースを利用し、内部に圧電振動片を収容するもので
あれば、圧電振動子、圧電発振器等の名称にかかわらず、全ての圧電デバイスに適用する
ことができる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment. Each configuration of each embodiment can be appropriately combined or omitted, and can be combined with other configurations not shown.
The present invention can be applied to all piezoelectric devices regardless of the names of piezoelectric vibrators, piezoelectric oscillators, etc., as long as they use a package or a case and accommodate a piezoelectric vibrating piece therein.
30・・・圧電デバイス、31・・・パッケージ、40・・・圧電振動片、41・・・
励振電極、50・・・素子片集合体、51・・・素子片、53,54・・・支持部(フレ
ーム部)、55,56・・・ネック部
30 ... piezoelectric device, 31 ... package, 40 ... piezoelectric vibrating piece, 41 ...
Excitation electrode, 50... Element piece assembly, 51... Element piece, 53 and 54... Support part (frame part), 55 and 56.
Claims (8)
数の素子片を同時に形成する圧電デバイス用の素子片集合体であって、
前記エッチング後において、個々の素子片の外形の周囲が、エッチングで残された前記
圧電基板材料から分離されており、
かつ前記残された圧電基板材料から並列に延びる少なくとも一対の複数の細いフレーム
部が、前記素子片に対して一体に接続されて素子片との支持部とされていて、
複数ある前記支持部のうち、Z軸(光軸)に関してマイナス側の支持部の前記素子片と
一体とされている箇所の表面部幅寸法W1が、Z軸に関してプラス側の支持部の前記素子
片と一体とされている箇所の表面部幅寸法W2よりも大きくされている
ことを特徴とする素子片集合体。 An element piece assembly for a piezoelectric device that simultaneously forms a plurality of element pieces that can be folded by etching a piezoelectric substrate having etching anisotropy,
After the etching, the periphery of the outer shape of each element piece is separated from the piezoelectric substrate material left by etching,
And at least a pair of a plurality of thin frame portions extending in parallel from the remaining piezoelectric substrate material are integrally connected to the element piece to be a support portion for the element piece,
Among the plurality of support portions, the surface portion width dimension W1 of a portion integrated with the element piece of the minus side support portion with respect to the Z axis (optical axis) is the element of the plus side support portion with respect to the Z axis. The element piece assembly, wherein the element piece assembly is larger than the width W2 of the surface portion of the portion integrated with the piece.
光軸)に対してカット面をもつ水晶基板であることを特徴とする請求項1に記載の素子片
集合体。 The piezoelectric substrate is a crystal, which is parallel to the X-axis (electrical machine axis) of the crystal and is also Z-axis (
2. The element piece assembly according to claim 1, wherein the element piece assembly is a quartz substrate having a cut surface with respect to an optical axis).
びる前記フレーム部が、前記素子片と一体とされている箇所で、幅寸法が小さくされたネ
ック部を備えていて、プラスZ軸側のネック部は、前記フレーム部を内側から縮幅するこ
とにより形成されていることを特徴とする請求項2に記載の素子片集合体。 A pair of the support portions are provided in parallel in the Z-axis direction, and the frame portion extending from the piezoelectric substrate material is integrated with the element piece, and a neck portion having a reduced width dimension The element piece assembly according to claim 2, wherein the neck portion on the plus Z-axis side is formed by reducing the width of the frame portion from the inside.
ら縮幅することにより形成されていることを特徴とする請求項3に記載の素子片集合体。 4. The element piece assembly according to claim 3, wherein both the plus Z-axis side and the minus Z-axis side neck portions are formed by reducing the width of each frame portion from the inside and the outside.
た場合に、0.5T<W1<1.5Tであることを特徴とする請求項3または4のいずれ
かに記載の素子片集合体。 5. The surface width dimension W1 of the plus Z-axis side neck portion, where T is the thickness dimension of the piezoelectric substrate, 0.5T <W1 <1.5T. An element piece assembly according to claim 1.
した場合に、0<W2<0.5Tであることを特徴とする請求項3ないし5のいずれかに
記載の素子片集合体。 6. The surface width dimension W2 of the negative Z-axis side neck portion, where T is the thickness dimension of the piezoelectric substrate, 0 <W2 <0.5T. The element piece assembly as described.
前記圧電振動片は、
エッチング異方性をもつ圧電基板をエッチングすることにより折り取り可能とされた複
数の素子片を同時に形成する圧電デバイス用の素子片集合体であって、
前記エッチング後において、個々の素子片の外形の周囲が、エッチングで残された前記
圧電基板材料から分離されており、
かつ前記残された圧電基板材料から並列に延びる少なくとも一対の複数の細いフレーム
部が、前記素子片に対して一体に接続されて素子片との支持部とされていて、
複数ある前記支持部のうち、Z軸(光軸)に関してマイナス側の支持部の前記素子片と
一体とされている箇所の表面部幅寸法W1が、Z軸に関してプラス側の支持部の前記素子
片と一体とされている箇所の表面部幅寸法W2よりも大きくされている前記素子片集合体
の該素子に必要な駆動電極を成膜して、折り取られた素子により形成されている
ことを特徴とする圧電デバイス。 A piezoelectric device containing a piezoelectric vibrating piece in a package or case,
The piezoelectric vibrating piece is
An element piece assembly for a piezoelectric device that simultaneously forms a plurality of element pieces that can be folded by etching a piezoelectric substrate having etching anisotropy,
After the etching, the periphery of the outer shape of each element piece is separated from the piezoelectric substrate material left by etching,
And at least a pair of a plurality of thin frame portions extending in parallel from the remaining piezoelectric substrate material are integrally connected to the element piece to be a support portion for the element piece,
Among the plurality of support portions, the surface portion width dimension W1 of a portion integrated with the element piece of the minus side support portion with respect to the Z axis (optical axis) is the element of the plus side support portion with respect to the Z axis. A drive electrode necessary for the element of the element piece assembly, which is larger than the surface width dimension W2 of the part integrated with the piece, is formed, and formed by a folded element. A piezoelectric device characterized by the above.
前記圧電振動片は、
エッチング異方性をもつ圧電基板をエッチングすることにより折り取り可能とされた複
数の素子片を同時に形成する圧電デバイス用の素子片集合体であって、
前記エッチング後において、個々の素子片の外形の周囲が、エッチングで残された前記
圧電基板材料から分離されており、
かつ前記残された圧電基板材料から並列に延びる少なくとも一対の複数の細いフレーム
部が、前記素子片に対して一体に接続されて素子片との支持部とされていて、
複数ある前記支持部のうち、Z軸(光軸)に関してマイナス側の支持部の前記素子片と
一体とされている箇所の表面部幅寸法W1が、Z軸に関してプラス側の支持部の前記素子
片と一体とされている箇所の表面部幅寸法W2よりも大きくされている前記素子片集合体
の該素子に必要な駆動電極を成膜して、折り取ることで形成され、
さらに前記圧電振動片を前記パッケージなどに収容し封止する
ことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。 A method of manufacturing a piezoelectric device in which a piezoelectric vibrating piece is accommodated in a package or case,
The piezoelectric vibrating piece is
An element piece assembly for a piezoelectric device that simultaneously forms a plurality of element pieces that can be folded by etching a piezoelectric substrate having etching anisotropy,
After the etching, the periphery of the outer shape of each element piece is separated from the piezoelectric substrate material left by etching,
And at least a pair of a plurality of thin frame portions extending in parallel from the remaining piezoelectric substrate material are integrally connected to the element piece to be a support portion for the element piece,
Among the plurality of support portions, the surface portion width dimension W1 of a portion integrated with the element piece of the minus side support portion with respect to the Z axis (optical axis) is the element of the plus side support portion with respect to the Z axis. Formed by forming a drive electrode necessary for the element of the element piece assembly that is larger than the surface portion width dimension W2 of the part integrated with the piece, and then breaking it,
Further, the piezoelectric vibrating piece is accommodated in the package or the like and sealed.
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