JP2007142055A

JP2007142055A - 発光装置

Info

Publication number: JP2007142055A
Application number: JP2005332197A
Authority: JP
Inventors: Yukio Shakuda; 幸男尺田
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2005-11-16
Filing date: 2005-11-16
Publication date: 2007-06-07
Also published as: WO2007058215A1; TW200731862A; US20090160361A1; US7902770B2

Abstract

【課題】交流電圧で駆動可能な発光装置の回路保護を向上し、あるいは輝度の安定性を高める。
【解決手段】発光素子群１０は、直列に接続される複数の発光素子ユニットＤＵを含む。第１電流制限回路２０は、発光素子群１０と直列に設けられ、発光素子群１０の一端から他端に流れる第１駆動電流Ｉｄｒｖ１を制限する。第２電流制限回路３０は、第１電流制限回路２０と並列に設けられ、発光素子群１０に、第１駆動電流Ｉｄｒｖ１と逆向きに流れる第２駆動電流Ｉｄｒｖ２を制限する。発光素子ユニットＤＵは、第１発光素子Ｄａと第２発光素子Ｄｂを含み、第１発光素子Ｄａのアノードと、第２発光素子Ｄｂのカソードを接続し、第２発光素子Ｄｂのアノードと、第１発光素子Ｄａのカソードを接続して構成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光ダイオード（以下、ＬＥＤとする）や有機ＥＬ素子などの発光素子の駆動技術に関し、特に交流電圧による駆動技術に関する。

近年、発光効率の高いＬＥＤなどの発光素子が、従来の照明などに変わる光源として注目を浴びている。たとえば、ＬＥＤなどの発光素子を、蛍光灯の代わりに照明として用いたり、自動車のヘッドライトなどの照明などに用いる試みがなされている。

このように、ＬＥＤの用途が広がるなかで、たとえばＬＥＤを蛍光灯などに置き換えて使用する場合を考慮すると、１００Ｖの商用電源などの交流電圧を用いて、発光素子をそのまま駆動できることが望ましい。ＬＥＤを交流電圧で駆動するための技術は、たとえば特許文献１、２に開示される。
特開平８−１４８７２１号公報国際公開番号ＷＯ２００３／０５６８７８

ＬＥＤなどの発光素子を交流電圧で駆動する場合、発光素子に定格を超える大電流が流れると、回路の信頼性に影響を及ぼすおそれがある。また、発光素子の輝度は、交流電圧の振幅が変動しても一定値に保たれることが望ましい。

本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、回路保護を向上し、あるいは輝度の安定性を高めた交流電圧で駆動可能な発光装置の提供にある。

本発明のある態様は、交流電圧により駆動される発光装置に関する。この発光装置は、直列に接続される複数の発光素子ユニットを含む発光素子群と、発光素子群と直列に設けられ、発光素子群の一端から他端に流れる第１駆動電流を制限する第１電流制限回路と、第１電流制限回路と並列に設けられ、発光素子群に第１駆動電流と逆向きに流れる第２駆動電流を制限する第２電流制限回路と、を備える。発光素子ユニットは、第１発光素子と第２発光素子を含み、第１発光素子のアノードと、第２発光素子のカソードを接続し、第２発光素子のアノードと、第１発光素子のカソードを接続して構成される。

この態様によると、交流電圧の半波ごとに、第１駆動電流と第２駆動電流とが交互に流れ、発光素子群に含まれる第１発光素子と、第２発光素子とが交互に発光する。第１駆動電流と、第２駆動電流は、それぞれ第１電流制限回路および第２電流制限回路によって制限されるため、輝度が安定化されるとともに、発光素子に定格を超える大電流が流れるのを防止することができる。

第１、第２電流制限回路は、それぞれ、第１駆動電流および第２駆動電流を所定の電流値にクランプするクランプ回路であってもよい。この場合、発光素子群に含まれる第１発光素子および第２発光素子に流れる電流は、交流半波のピーク付近で一定値となるため、輝度をさらに安定化することができる。

クランプ回路は、クランプ対象の電流経路上に設けられた定電流ダイオードを含んでもよい。定電流ダイオードを利用することにより、発光素子群に流れる電流を一定値に安定化することができる。

第１、第２電流制限回路は、それぞれ、第１駆動電流および第２駆動電流が所定のしきい値電流を超えると、経路を遮断する電流遮断回路であってもよい。
この場合、第１、第２駆動電流がしきい値電流を超えると、発光素子群に電流が流れなくなるため、より回路保護を高めることができる。

第１電流制限回路である電流遮断回路は、ＮＰＮ型の第１バイポーラトランジスタと、第１バイポーラトランジスタのベースコレクタ間に設けられた第１抵抗と、エミッタが第１バイポーラトランジスタのベースに接続されたＰＮＰ型の第２バイポーラトランジスタと、コレクタが第２バイポーラトランジスタのベースに接続され、ベースが第２バイポーラトランジスタのコレクタに接続されたＮＰＮ型の第３バイポーラトランジスタと、アノードが第１バイポーラトランジスタのエミッタに接続された第１ダイオードと、一端が第１ダイオードのカソードに接続され、他端が第３バイポーラトランジスタのベースに接続された第２抵抗と、一端が第１ダイオードのカソードに接続され、他端が第３バイポーラトランジスタのエミッタに接続された第３抵抗と、を含み、第１バイポーラトランジスタのコレクタ端子を入力端子とし、第３バイポーラトランジスタのエミッタを出力端子としてもよい。

また、第２電流制限回路である電流遮断回路は、ＰＮＰ型の第４バイポーラトランジスタと、第４バイポーラトランジスタのベースコレクタ間に設けられた第４抵抗と、エミッタが第４バイポーラトランジスタのベースに接続されたＮＰＮ型の第５バイポーラトランジスタと、コレクタが第５バイポーラトランジスタのベースに接続され、ベースが第２バイポーラトランジスタのコレクタに接続されたＰＮＰ型の第６バイポーラトランジスタと、カソードが第４バイポーラトランジスタのエミッタに接続された第２ダイオードと、一端が第２ダイオードのアノードに接続され、他端が第６バイポーラトランジスタのベースに接続された第５抵抗と、一端が第２ダイオードのアノードに接続され、他端が第６バイポーラトランジスタのエミッタに接続された第６抵抗と、を含み、第６バイポーラトランジスタのエミッタを入力端子とし、第４バイポーラトランジスタのコレクタ端子を出力端子としてもよい。

第１、第２電流制限回路の遮断回路を、上述の構成とした場合、第１駆動電流あるいは第２駆動電流が、第１抵抗あるいは第４抵抗で定まるしきい値電流を超えたときに、発光素子群に流れる電流を好適に遮断することができる。

発光装置は、ひとつの半導体基板上に一体集積化されてもよい。「一体集積化」とは、回路の構成要素のすべてが半導体基板上に形成される場合や、回路の主要構成要素が一体集積化される場合が含まれ、回路定数の調節用に一部の抵抗やキャパシタなどが半導体基板の外部に設けられていてもよい。発光装置を１つのＬＳＩとして集積化することにより、回路面積を削減することができるとともに、回路素子の特性を均一に保つことができる。

なお、以上の構成要素の任意の組合せや、本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。

本発明に係る発光装置によれば、輝度を安定化し、また回路保護機能を高めることができる。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１００の構成を示す回路図である。発光装置１００、交流電圧源１１０から供給される交流電圧Ｖａｃにより駆動される。本実施の形態に係る発光装置１００は、発光素子群１０、第１電流制限回路２０、第２電流制限回路３０を備える。発光素子群１０は、直列に接続されるｎ個（ｎは自然数）の発光素子ユニットＤＵ１〜ＤＵｎを含む。各発光素子ユニットＤＵ１〜ＤＵｎは、それぞれ、第１発光素子Ｄａと、第２発光素子Ｄｂを含んで構成される。本実施の形態において、第１発光素子Ｄａ、第２発光素子Ｄｂは、発光ダイオードである。第１発光素子Ｄａのアノードと、第２発光素子Ｄｂのカソードは接続され、第２発光素子Ｄｂのアノードと、第１発光素子Ｄａのカソードは接続される。

第１電流制限回路２０は、発光素子群１０と、交流電圧源１１０による駆動経路上に直列に設けられ、発光素子群１０の一端１０ａから他端１０ｂに流れる第１駆動電流Ｉｄｒｖ１を制限する。第２電流制限回路３０は、第１電流制限回路２０と並列に設けられ、発光素子群１０に、第１駆動電流Ｉｄｒｖ１と逆向きに、すなわち、一端１０ｂから他端１０ｂに向かって流れる第２駆動電流Ｉｄｒｖ２を制限する。

本実施の形態において、第１電流制限回路２０、第２電流制限回路３０は、それぞれ、第１駆動電流Ｉｄｒｖ１および第２駆動電流Ｉｄｒｖ２を所定の電流値にクランプするクランプ回路である。図２は、本実施の形態に係る第１電流制限回路２０および第２電流制限回路３０の構成例を示す回路図である。第１電流制限回路２０および第２電流制限回路３０は、クランプ対象の電流の経路上に設けられた第１定電流ダイオードＤｃｃ１、第２定電流ダイオードＤｃｃ２を含む。図２の構成によれば、第１駆動電流Ｉｄｒｖ１、第２駆動電流Ｉｄｒｖ２は、それぞれ第１定電流ダイオードＤｃｃ１、第２定電流ダイオードＤｃｃ２により規定される定電流に安定される。

図３は、図２の第１電流制限回路２０および第２電流制限回路３０を、発光素子群１０に直列に接続したときの発光素子群の電流電圧特性を示す図である。図３は、横軸が電圧、縦軸が電流を示す。図３に示すように、発光装置１００に印加される電圧Ｖが増加するに従って、発光素子群１０に流れる電流は上昇し、数Ｖ程度の電圧Ｖ１に達すると、所定の電流Ｉｍａｘにクランプされる。所定の電流Ｉｍａｘは、第１発光素子Ｄａ、第２発光素子Ｄｂの定格電流よりも低く設定する。

以上のように構成された本実施の形態に係る発光装置１００の動作について説明する。図４（ａ）〜（ｃ）は、図１の発光装置１００の動作波形図を示す。図４（ａ）は、交流電圧Ｖａｃを、同図（ｂ）は、第１駆動電流Ｉｄｒｖ１を、同図（ｃ）は、第２駆動電流Ｉｄｒｖ２を、交流の一周期にわたって示している。

交流電圧Ｖａｃが正となる半波において、第１電流制限回路２０および発光素子群１０内の第１発光素子Ｄａにより形成される経路に第１駆動電流Ｉｄｒｖ１が流れる。交流電圧Ｖａｃが、電圧Ｖ１より低い期間においては、図３に示す電流電圧特性に従い、第１駆動電流Ｉｄｒｖ１も上昇していく。時刻ｔ１に交流電圧Ｖａｃが電圧Ｖ１に達すると、第１駆動電流Ｉｄｒｖ１は、所定の電流Ｉｍａｘにクランプされる。時刻ｔ２に交流電圧Ｖａｃが、電圧Ｖ１よりも低くなると、第１駆動電流Ｉｄｒｖ１は、図３に示す電流電圧特性に従い低下していく。時刻ｔ３に、交流電圧Ｖａｃが負となると、第１駆動電流Ｉｄｒｖは０となる。

逆に、交流電圧Ｖａｃが負となる半波においては、第２電流制限回路３０および発光素子群１０内の第２発光素子Ｄｂにより形成される経路に第２駆動電流Ｉｄｒｖ２が流れる。この第２駆動電流Ｉｄｒｖ２は、上述の第１駆動電流Ｉｄｒｖ１について説明したのと同様の作用によって、その振幅が所定の電流Ｉｍａｘにクランプされる。

本実施の形態に係る発光装置１００によれば、発光素子群１０に、交流電圧の相に応じて、交互に流れる第１駆動電流Ｉｄｒｖ１、第２駆動電流Ｉｄｒｖ２が、所定の電流値Ｉｍａｘにクランプされるため、発光素子に定格を超える電流が流れるのを防止することができる。

さらに、交流電圧Ｖａｃの振幅が変動した場合においても、第１駆動電流Ｉｄｒｖ１、第２駆動電流Ｉｄｒｖ２は、定電流ダイオードによって定まる所定の電流値にクランプされるため、発光素子の輝度が変動するのを防止することができ、安定に発光させることができる。

また、図４（ｂ）、（ｃ）に示すように第１駆動電流Ｉｄｒｖ１、第２駆動電流Ｉｄｒｖ２は、交流電圧Ｖａｃの半波ごとに流れることになる。すなわち、第１発光素子Ｄａおよび第２発光素子Ｄｂには、それぞれ、交流電圧の１／２周期の期間のみ電流が流れ、発光する。もし、発光素子群１０を図１に示す構造とはせずに、一方向の発光素子のみ（すなわち第１発光素子Ｄａもしくは第２発光素子Ｄｂのいずれか一方のみ）を設け、さらに、交流電圧Ｖａｃを半波整流してこの発光素子を駆動する場合には、交流電圧の１周期全体にわたって駆動電流が流れるため、発光素子の駆動時間は本実施の形態に比べて長くなってしまう。したがって、本実施の形態に係る発光装置１００によれば、１つの発光素子の実効的な発光時間を短くすることができるため、長期的な信頼性を向上することができる。

（第２の実施の形態）
第２の実施の形態に係る発光装置１００は、第１の実施の形態と比べて、第１電流制限回路２０、第２電流制限回路３０の機能が異なる。以下、本実施の形態に係る発光装置１００について、第１の実施の形態との差異を中心に説明する。

本実施の形態に係る第１電流制限回路２０、第２電流制限回路３０は、それぞれ、第１駆動電流Ｉｄｒｖ１および第２駆動電流Ｉｄｒｖ２が所定のしきい値電流Ｉｍａｘを超えると、経路を遮断する電流遮断回路として構成される。

図５は、本実施の形態に係る第１電流制限回路２０、第２電流制限回路３０の構成例を示す回路図である。

第１電流制限回路２０である電流遮断回路は、第１バイポーラトランジスタＱ１〜第３バイポーラトランジスタＱ３、第１抵抗Ｒ１〜第３抵抗Ｒ３、第１ダイオードＤ１を含む。
第１バイポーラトランジスタＱ１は、ＮＰＮ型である。第１抵抗Ｒ１は、第１バイポーラトランジスタＱ１のベースコレクタ間に設けられる。第２バイポーラトランジスタＱ２は、ＰＮＰ型であって、エミッタが第１バイポーラトランジスタＱ１のベースに接続される。第３バイポーラトランジスタＱ３は、ＮＰＮ型であって、コレクタが第２バイポーラトランジスタＱ２のベースに接続され、ベースが第２バイポーラトランジスタＱ２のコレクタに接続される。第１ダイオードＤ１は、アノードが第１バイポーラトランジスタＱ１のエミッタに接続される。第２抵抗Ｒ２は、一端がダイオードＤ１のカソードに接続され、他端が第３バイポーラトランジスタＱ３のベースに接続される。第３抵抗Ｒ３は、一端が第１ダイオードＤ１のカソードに接続され、他端が第３バイポーラトランジスタＱ３のエミッタに接続される。この第１電流制限回路２０は、第１バイポーラトランジスタＱ１のコレクタ端子を入力端子とし、第３バイポーラトランジスタＱ３のエミッタを出力端子とする。

第２電流制限回路３０は、第１電流制限回路２０とバイポーラトランジスタのＮＰＮ型とＰＮＰ型を反転し、ダイオードのアノードとカソードを反転して構成される。すなわち、第１バイポーラトランジスタＱ１に対応する第４バイポーラトランジスタＱ４は、ＰＮＰ型である。第４抵抗Ｒ４は、第４バイポーラトランジスタＱ４のベースコレクタ間に設けられる。第５バイポーラトランジスタＱ５はＮＰＮ型であって、エミッタが第４バイポーラトランジスタＱ４のベースに接続される。第６バイポーラトランジスタＱ６はＰＮＰ型であって、コレクタが第５バイポーラトランジスタＱ５のベースに接続され、ベースが第５バイポーラトランジスタＱ５のコレクタに接続される。第２ダイオードＤ２は、カソードが第４バイポーラトランジスタＱ４のエミッタに接続される。第５抵抗Ｒ５は、一端が第２ダイオードＤ２のアノードに接続され、他端が第６バイポーラトランジスタＱ６のベースに接続される。第６抵抗Ｒ６は、一端が第２ダイオードＤ２のアノードに接続され、他端が第６バイポーラトランジスタＱ６のエミッタに接続される。この第２電流制限回路３０は、第６バイポーラトランジスタＱ６のエミッタを入力端子とし、第４バイポーラトランジスタＱ４のコレクタ端子を出力端子とする。

第２電流制限回路３０は、第１電流制限回路２０の向きを単純に反対として用いてもよい。逆に、第１電流制限回路２０を、第２電流制限回路３０の向きを単純に反対として配置してもよい。

図６は、図５の第１電流制限回路２０および第２電流制限回路３０を、発光素子群１０に直列に接続したときの発光素子群の電流電圧特性を示す図である。図５は、横軸が電圧、縦軸が電流を示す。図５に示すように、発光装置１００に印加される電圧Ｖが増加するに従って、発光素子群１０に流れる電流は上昇し、所定のしきい値電流Ｉｍａｘに達すると、電流経路が遮断され、電流が０Ａ付近まで低下する。所定の電流Ｉｍａｘは、第１発光素子Ｄａ、第２発光素子Ｄｂの定格電流よりも低く設定する。

以上のように構成された本実施の形態に係る発光装置１００の動作について説明する。
図７（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施の形態に係る発光装置１００の動作波形図を示す。図７（ａ）は、交流電圧Ｖａｃを、同図（ｂ）は、第１駆動電流Ｉｄｒｖ１を、同図（ｃ）は、第２駆動電流Ｉｄｒｖ２を、交流の一周期にわたって示している。

交流電圧Ｖａｃが正となる半波において、第１電流制限回路２０および発光素子群１０内の第１発光素子Ｄａにより形成される経路に第１駆動電流Ｉｄｒｖ１が流れる。交流電圧Ｖａｃが、電圧Ｖｍａｘより低い期間においては、図６に示す電流電圧特性に従い、第１駆動電流Ｉｄｒｖ１も上昇していく。時刻ｔ１に交流電圧Ｖａｃが電圧Ｖｍａｘに達すると、第１駆動電流Ｉｄｒｖ１は遮断され、０Ａ付近まで低下する。時刻ｔ２に交流電圧Ｖａｃが、電圧Ｖｍａｘより低くなると、第１駆動電流Ｉｄｒｖ１が再度流れはじめ、図６に示す電流電圧特性に従い低下していく。時刻ｔ３に、交流電圧Ｖａｃが負となると、第１駆動電流Ｉｄｒｖは０となる。

逆に、交流電圧Ｖａｃが負となる半波においては、第２電流制限回路３０および発光素子群１０内の第２発光素子Ｄｂにより形成される経路に第２駆動電流Ｉｄｒｖ２が流れる。この第２駆動電流Ｉｄｒｖ２は、上述の第１駆動電流Ｉｄｒｖ１について説明したのと同様の作用によって、図７（ｃ）に示す波形となる。

本実施の形態に係る発光装置１００によれば、発光素子群１０に、交流電圧の相に応じて、交互に流れる第１駆動電流Ｉｄｒｖ１、第２駆動電流Ｉｄｒｖ２は、交流電圧が所定の電圧を超えると０Ａ付近まで減少するため、発光素子に定格を超える電流が流れるのを好適に防止することができる。

さらに、交流電圧Ｖａｃの振幅が変動した場合においても、発光素子は、交流電圧の振幅が電圧Ｖｍａｘより低い領域でのみ発光するため、発光素子の輝度が変動するのを防止することができ、安定に発光させることができる。

また、本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、ひとつの発光素子の発光時間は、交流電圧の１／２周期以下に制限されることから、発光装置の長期信頼性を改善することができる。

実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。

発光装置１００は、すべて一体集積化されていてもよく、あるいは、その一部がディスクリート部品やチップ部品で構成されていてもよい。たとえば、第１電流制限回路２０おおび第２電流制限回路３０を一体集積化し、別のチップ上に発光素子群１０を集積化して構成してもよい。どの部分をどの程度集積化するかは、発光装置１００の仕様、コストや占有面積などによって決めればよい。

また、実施の形態では、並列に接続される第１電流制限回路２０および第２電流制限回路３０の一方にのみ発光素子群１０を設ける場合について説明したが、その両端に２つの発光素子群１０を設けてもよい。さらに、発光素子群１０を複数、並列に接続してもよい。

また、第１の実施の形態において第１電流制限回路２０、第２電流制限回路３０として使用したクランプ回路や、第２の実施の形態で使用した電流遮断回路は、同様の機能を有する他の構成の回路に置換してもよい。

第１の実施の形態に係る発光装置の構成を示す回路図である。第１の実施の形態に係る第１電流制限回路および第２電流制限回路の構成例を示す回路図である。図２の第１電流制限回路および第２電流制限回路を、発光素子群に直列に接続したときの発光素子群の電流電圧特性を示す図である。図１の発光装置の動作波形図である。第２の実施の形態に係る第１電流制限回路、第２電流制限回路の構成例を示す回路図である。図５の第１電流制限回路および第２電流制限回路を、発光素子群に直列に接続したときの発光素子群の電流電圧特性を示す図である。第２の実施の形態に係る発光装置の動作波形図である。

符号の説明

１００発光装置、１０発光素子群、２０第１電流制限回路、３０第２電流制限回路、Ｑ１第１バイポーラトランジスタ、Ｑ２第２バイポーラトランジスタ、Ｑ３第３バイポーラトランジスタ、Ｑ４第４バイポーラトランジスタ、Ｑ５第５バイポーラトランジスタ、Ｑ６第６バイポーラトランジスタ、Ｒ１第１抵抗、Ｒ２第２抵抗、Ｒ３第３抵抗、Ｒ４第４抵抗、Ｒ５第５抵抗、Ｒ６第６抵抗、Ｄ１第１ダイオード、Ｄ２第２ダイオード、Ｄａ第１発光素子、Ｄｂ第２発光素子、ＤＵ発光素子ユニット、１１０交流電圧源、Ｖａｃ交流電圧、Ｉｄｒｖ１第１駆動電流、Ｉｄｒｖ２第２駆動電流。

Claims

交流電圧により駆動される発光装置であって、
直列に接続される複数の発光素子ユニットを含む発光素子群と、
前記発光素子群と直列に設けられ、前記発光素子群の一端から他端に流れる第１駆動電流を制限する第１電流制限回路と、
前記第１電流制限回路と並列に設けられ、前記発光素子群に、前記第１駆動電流と逆向きに流れる第２駆動電流を制限する第２電流制限回路と、
を備え、
前記発光素子ユニットは、第１発光素子と第２発光素子を含み、前記第１発光素子のアノードと、前記第２発光素子のカソードを接続し、前記第２発光素子のアノードと、前記第１発光素子のカソードを接続して構成されることを特徴とする発光装置。
前記第１、第２電流制限回路は、それぞれ、前記第１駆動電流および前記第２駆動電流を所定の電流値にクランプするクランプ回路であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
前記クランプ回路は、クランプ対象の電流経路上に設けられた定電流ダイオードを含むことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
前記第１、第２電流制限回路は、それぞれ、前記第１駆動電流および前記第２駆動電流が所定のしきい値電流を超えると、経路を遮断する電流遮断回路であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
前記第１電流制限回路である電流遮断回路は、
ＮＰＮ型の第１バイポーラトランジスタと、
前記第１バイポーラトランジスタのベースコレクタ間に設けられた第１抵抗と、
エミッタが前記第１バイポーラトランジスタのベースに接続されたＰＮＰ型の第２バイポーラトランジスタと、
コレクタが前記第２バイポーラトランジスタのベースに接続され、ベースが前記第２バイポーラトランジスタのコレクタに接続されたＮＰＮ型の第３バイポーラトランジスタと、
アノードが前記第１バイポーラトランジスタのエミッタに接続された第１ダイオードと、
一端が前記第１ダイオードのカソードに接続され、他端が前記第３バイポーラトランジスタのベースに接続された第２抵抗と、
一端が前記第１ダイオードのカソードに接続され、他端が前記第３バイポーラトランジスタのエミッタに接続された第３抵抗と、
を含み、前記第１バイポーラトランジスタのコレクタ端子を入力端子とし、前記第３バイポーラトランジスタのエミッタを出力端子とすることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
前記第２電流制限回路である電流遮断回路は、
ＰＮＰ型の第４バイポーラトランジスタと、
前記第４バイポーラトランジスタのベースコレクタ間に設けられた第４抵抗と、
エミッタが前記第４バイポーラトランジスタのベースに接続されたＮＰＮ型の第５バイポーラトランジスタと、
コレクタが前記第５バイポーラトランジスタのベースに接続され、ベースが前記第５バイポーラトランジスタのコレクタに接続されたＰＮＰ型の第６バイポーラトランジスタと、
カソードが前記第４バイポーラトランジスタのエミッタに接続された第２ダイオードと、
一端が前記第２ダイオードのアノードに接続され、他端が前記第６バイポーラトランジスタのベースに接続された第５抵抗と、
一端が前記第２ダイオードのアノードに接続され、他端が前記第６バイポーラトランジスタのエミッタに接続された第６抵抗と、
を含み、前記第６バイポーラトランジスタのエミッタを入力端子とし、前記第４バイポーラトランジスタのコレクタ端子を出力端子とすることを特徴とする請求項４または５に記載の発光装置。
ひとつの半導体基板上に一体集積化されたことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の発光装置。