JP2007141611A - Socket for measurement and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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稔 小見山
Shigeru Haga
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a socket for measurement restraining temperature increase of a semiconductor device mounted thereon, performing a measurement with high accuracy when measuring electric characteristics. <P>SOLUTION: The socket for measurement 1 is used for measurement of electric characteristics of the semiconductor device like RF module of a movable phone or the like. On the socket for measurement 1, a heat radiation structure 3 made of metal with high heat conductivity like brass is fitted into central part of a housing 2 made of plastic material or the like. When the semiconductor device is mounted on the socket for measurement, surface of a package of the semiconductor device contacts a main face of the heat radiation structure 3 and the heat can be released through the heat radiation structure 3, and temperature increase of the semiconductor device can be restrained. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体装置の検査技術に関し、特に、ＲＦ（高周波）電力増幅モジュールにおける電気的特性の計測に有効な技術に関する。   The present invention relates to a semiconductor device inspection technique, and more particularly to a technique effective for measuring electrical characteristics in an RF (high frequency) power amplification module.

たとえば、移動体通信の１つである携帯電話などに用いられるＲＦ電力増幅モジュール（以下、ＲＦモジュールという）などの半導体装置では、良品の判定を行うテストとして電気的特性の試験が行われている。   For example, in a semiconductor device such as an RF power amplification module (hereinafter referred to as an RF module) used for a mobile phone which is one of mobile communications, an electrical characteristic test is performed as a test for determining non-defective products. .

この場合、電気的特性の測定は、ＲＦモジュールをテスタに接続された測定用ソケットに装着し、該測定用ソケットを介してＲＦモジュールに通電を行うことにより、電気的特性の計測を行っている。   In this case, the electrical characteristics are measured by attaching the RF module to a measurement socket connected to a tester and energizing the RF module through the measurement socket. .

ところが、上記のような半導体装置の電気的特性の試験技術では、次のような問題点があることが本発明者により見い出された。   However, the present inventors have found that the above-described test technique for electrical characteristics of a semiconductor device has the following problems.

近年、携帯電話における機能の多様性が求められており、ＲＦ（高周波）モジュールに対しては、小型化、ならびに高機能化の要求が非常に強くなっている。   In recent years, the diversity of functions in mobile phones has been demanded, and the demand for miniaturization and high functionality has become very strong for RF (high frequency) modules.

これに伴い、ＲＦモジュールの発熱量が大きくなり、電気的特性の試験における測定時のＲＦモジュールそれ自体の温度上昇が大きくなる傾向にある。ＲＦモジュールの温度上昇が大きくなると、その温度変動により、電気的特性の正確なデータの取得が困難になってしまうという問題がある。   As a result, the amount of heat generated by the RF module increases, and the temperature rise of the RF module itself during measurement in the electrical characteristic test tends to increase. When the temperature rise of the RF module increases, there is a problem that it is difficult to obtain accurate data of electrical characteristics due to the temperature fluctuation.

また、ＲＦモジュールの温度上昇によって、ＲＦモジュールそれ自体が熱破壊などを起こしてしまう恐れも生じている。   Further, there is a possibility that the RF module itself may be thermally destroyed due to the temperature rise of the RF module.

本発明の目的は、電気的特性の測定時において、測定用ソケットに装着された半導体装置の温度上昇を抑え、精度の高い測定を行う技術を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a technique for suppressing a temperature rise of a semiconductor device mounted in a measuring socket and performing highly accurate measurement when measuring electrical characteristics.

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴については、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。   Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.

本発明の測定用ソケットは、周辺部に半導体装置の位置決めガイドが形成され、中央部に挿入孔が形成された四角形の額縁状からなるハウジングと、該ハウジングの中央部に形成された挿入孔に挿入された放熱機構とを備え、該放熱機構は、半導体装置を装着した際に、該半導体装置の裏面と接触することにより、半導体装置からの熱を放熱するものである。   The measuring socket of the present invention includes a housing having a rectangular frame shape in which a positioning guide for a semiconductor device is formed in the peripheral portion and an insertion hole is formed in the central portion, and an insertion hole formed in the central portion of the housing. And a heat dissipation mechanism inserted therein, which dissipates heat from the semiconductor device by contacting the back surface of the semiconductor device when the semiconductor device is mounted.

また、本発明の測定用ソケットは、前記放熱機構の露出面に放熱フィンを設けたものである。   Moreover, the measuring socket of the present invention is provided with a heat radiating fin on the exposed surface of the heat radiating mechanism.

さらに、本発明の測定用ソケットは、前記放熱機構が、半導体装置が接触する放熱面に、半導体装置が測定用ソケットに装着された際に、半導体装置の表面に密着するように移動可能に設けられた密着放熱部を備えたものである。   Further, in the measurement socket of the present invention, the heat dissipation mechanism is provided on a heat dissipation surface that contacts the semiconductor device so as to be in close contact with the surface of the semiconductor device when the semiconductor device is mounted on the measurement socket. Provided with a close contact heat dissipation portion.

また、本願のその他の発明の概要を簡単に示す。   Moreover, the outline | summary of the other invention of this application is shown briefly.

本発明の半導体装置の製造方法は、電気的特性の測定が行われる半導体装置を準備する工程と、プリント配線基板に実装され、中央部に放熱機構を有し、該放熱機構を介して半導体装置の放熱を行う測定用ソケットを準備する工程と、該測定用ソケットに半導体装置を装着する工程と、該測定用ソケットを介して半導体装置に通電を行い、半導体装置の電気的特性の測定を行う工程とを有したものである。   A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of preparing a semiconductor device in which measurement of electrical characteristics is performed, a semiconductor device mounted on a printed wiring board, having a heat dissipation mechanism at a central portion, and through the heat dissipation mechanism. A step of preparing a measurement socket for radiating heat, a step of attaching a semiconductor device to the measurement socket, and energizing the semiconductor device through the measurement socket to measure electrical characteristics of the semiconductor device It has a process.

また、本発明の半導体装置の製造方法は、電気的特性の測定が行われる半導体装置を準備する工程と、プリント配線基板に実装され、中央部に半導体装置が測定用ソケットに装着された際に、半導体装置の表面に密着するように移動可能に設けられた密着放熱部を備えた放熱機構を有し、該放熱機構を介して半導体装置の放熱を行う測定用ソケットを準備する工程と、測定用ソケットに半導体装置を装着する工程と、測定用ソケットを介して半導体装置に通電を行い、半導体装置の電気的特性の測定を行う工程とを有したものである。   In addition, the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of preparing a semiconductor device in which electrical characteristics are measured, and when the semiconductor device is mounted on a printed wiring board, and the semiconductor device is mounted in a measurement socket in the center. And a step of preparing a measurement socket having a heat radiation mechanism having a close heat radiation portion movably provided so as to be in close contact with the surface of the semiconductor device, and performing heat radiation of the semiconductor device through the heat radiation mechanism, and measurement A step of mounting the semiconductor device in the socket for measurement, and a step of measuring the electrical characteristics of the semiconductor device by energizing the semiconductor device through the measurement socket.

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。   Among the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.

（１）電気的特性の測定において、半導体装置の温度上昇を抑えることができるので、安定して正確に特性測定データを取得することができる。   (1) Since the temperature rise of the semiconductor device can be suppressed in the measurement of electrical characteristics, characteristic measurement data can be acquired stably and accurately.

（２）また、電気的特性の測定時の半導体装置におけるデバイス破壊などを防止することができるので、テストスループットを向上させることができる。   (2) In addition, since it is possible to prevent device breakdown in the semiconductor device during measurement of electrical characteristics, it is possible to improve test throughput.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiment, and the repetitive description thereof will be omitted.

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１による測定用ソケットの説明図、図２は、プリント配線基板に実装された図１の測定用ソケットの断面図である。 (Embodiment 1)
1 is an explanatory diagram of a measurement socket according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the measurement socket of FIG. 1 mounted on a printed wiring board.

本実施の形態１において、測定用ソケット１は、携帯電話などのＲＦモジュールなどの半導体装置における電気的特性の測定に用いられる。測定用ソケット１には、図１、および図２に示すようにハウジング２が備えられている。   In the first embodiment, the measurement socket 1 is used for measuring electrical characteristics in a semiconductor device such as an RF module such as a mobile phone. As shown in FIGS. 1 and 2, the measurement socket 1 is provided with a housing 2.

ハウジング２は、四角形の額縁状からなり、たとえば、プラスティック材などから形成されている。ハウジング２の周辺部には、位置決めガイド２ａが形成されている。   The housing 2 has a rectangular frame shape, and is formed of, for example, a plastic material. A positioning guide 2 a is formed on the periphery of the housing 2.

ハウジング２の中央部には、四角形状の放熱用孔２ｂが形成されており、該放熱用孔２ｂには、たとえば、真鍮などの熱伝導率の高い金属からなる放熱機構３がはめ込まれている。   A rectangular heat radiation hole 2b is formed in the center of the housing 2, and a heat radiation mechanism 3 made of a metal having high thermal conductivity such as brass is fitted in the heat radiation hole 2b. .

半導体装置を測定用ソケット１に装着する際には、位置決めガイド２ａ内に、たとえば、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏ−ｌｅａｄ）パッケージなどからなる半導体装置を挿入することにより、パッケージの位置決めが行われる。このとき、放熱機構３の主面には、半導体装置のパッケージ表面が接触することになる。   When the semiconductor device is mounted in the measurement socket 1, the package is positioned by inserting a semiconductor device made of, for example, a QFN (Quad Flat No-lead) package into the positioning guide 2a. At this time, the package surface of the semiconductor device comes into contact with the main surface of the heat dissipation mechanism 3.

ハウジング２の主面において、放熱用孔２ｂの外周部近傍には、測定用ソケット１に装着される半導体装置の外部ピンの配置に対応するパッド２ｃが配列形成されている。また、ハウジング２の裏面（実装面）には、プリント配線基板Ｐに形成された電極と電気的に接続される接続用のピンが形成されている。   On the main surface of the housing 2, pads 2 c corresponding to the arrangement of the external pins of the semiconductor device attached to the measurement socket 1 are arranged in the vicinity of the outer periphery of the heat radiation hole 2 b. In addition, on the back surface (mounting surface) of the housing 2, connection pins that are electrically connected to the electrodes formed on the printed wiring board P are formed.

プリント配線基板Ｐにおいて、測定用ソケット１が実装された際に放熱機構３が対応する位置には、孔が形成されており、測定用ソケット１がプリント配線基板Ｐに実装された状態で、該放熱機構３の裏面側は露出するようになっている。   In the printed wiring board P, a hole is formed at a position corresponding to the heat dissipation mechanism 3 when the measuring socket 1 is mounted. In the state where the measuring socket 1 is mounted on the printed wiring board P, the hole is formed. The back side of the heat dissipation mechanism 3 is exposed.

次に、本実施の形態による測定用ソケット１を用いた電気的特性の試験技術について説明する。   Next, an electrical characteristic test technique using the measurement socket 1 according to the present embodiment will be described.

まず、被測定デバイスとなる半導体装置をプリント配線基板Ｐに実装された測定用ソケット１に搭載する。続いて、ハンドラに備えられたコレットなどによって、上方から下方にかけて半導体装置を押さえつける。   First, a semiconductor device as a device to be measured is mounted on a measurement socket 1 mounted on a printed wiring board P. Subsequently, the semiconductor device is pressed from above to below by a collet or the like provided in the handler.

これにより、半導体装置に設けられた外部ピンと測定用ソケット１のパッド２ｃとが圧着して電気的に接続される。その後、テスタは、測定用ソケット１に装着された半導体装置の電気的特性の測定を行う。   Thereby, the external pin provided in the semiconductor device and the pad 2c of the measuring socket 1 are crimped and electrically connected. Thereafter, the tester measures the electrical characteristics of the semiconductor device mounted in the measurement socket 1.

この測定時において、コレットにより半導体装置が押さえつけられることによって、該半導体装置のパッケージ表面と放熱機構３の主面とが密着することにより、半導体装置からの発熱を放熱機構３を介して放熱することが可能となり、半導体装置の温度上昇を抑えることができる。   In this measurement, the semiconductor device is pressed by the collet so that the package surface of the semiconductor device and the main surface of the heat dissipation mechanism 3 are in close contact with each other, so that heat generated from the semiconductor device is dissipated through the heat dissipation mechanism 3. Thus, the temperature rise of the semiconductor device can be suppressed.

続いて、電気的特性の測定が終了すると、コレットを移動して半導体装置が測定用ソケット１から取り外される。   Subsequently, when the measurement of the electrical characteristics is completed, the collet is moved and the semiconductor device is removed from the measurement socket 1.

以上の動作を繰り返すことによって、各々のＲＦモジュールの電気的特性の測定が行われる。   By repeating the above operation, the electrical characteristics of each RF module are measured.

それにより、本実施の形態によれば、半導体装置の電気的特性の測定において、該半導体装置の温度上昇を抑えることができるので、安定して正確に特性測定データの取得を可能にすることができる。   Thereby, according to the present embodiment, the temperature rise of the semiconductor device can be suppressed in the measurement of the electrical characteristics of the semiconductor device, so that it is possible to stably and accurately acquire the characteristic measurement data. it can.

また、電気的特性の測定時の半導体装置におけるデバイス破壊などを防止することができるので、テストスループットを向上させることができる。   In addition, since it is possible to prevent device breakdown in the semiconductor device during measurement of electrical characteristics, it is possible to improve test throughput.

さらに、本実施の形態では、測定用ソケット１に放熱機構３を備えた構成としたが、たとえば、図３に示すように、プリント配線基板Ｐの裏面側の放熱機構３が露出した位置に、放熱フィン３ａを設けることにより、より放熱効果を向上させることができる。   Furthermore, in the present embodiment, the measurement socket 1 is provided with the heat dissipation mechanism 3, but, for example, as shown in FIG. 3, at the position where the heat dissipation mechanism 3 on the back side of the printed wiring board P is exposed, By providing the heat radiation fins 3a, the heat radiation effect can be further improved.

それにより、電気的特性の測定時における半導体装置の温度上昇を、より抑えることが可能になる。   Thereby, it is possible to further suppress the temperature rise of the semiconductor device when measuring the electrical characteristics.

（実施の形態２）
図４は、本発明の実施の形態２によるプリント配線基板に搭載された測定用ソケットの断面図である。 (Embodiment 2)
FIG. 4 is a sectional view of a measuring socket mounted on a printed wiring board according to Embodiment 2 of the present invention.

本実施の形態２においては、図４に示すように、前記実施の形態１と同様の構成からなる測定用ソケット１に密着放熱部３ｂが新たに備えられた構成となっている。   In the second embodiment, as shown in FIG. 4, the measurement socket 1 having the same configuration as that of the first embodiment is newly provided with a close contact heat radiating portion 3 b.

この密着放熱部３ｂは、放熱機構３の主面側に備えられおり、半導体装置が測定用ソケット１に装着された際に、たとえば、バネなどによって密着放熱部３ｂがパッケージ表面に押し当てられるような機構となっている。   The close contact heat dissipating part 3b is provided on the main surface side of the heat dissipating mechanism 3. When the semiconductor device is mounted on the measuring socket 1, the close contact heat dissipating part 3b is pressed against the package surface by a spring or the like, for example. Mechanism.

これにより、半導体装置のパッケージの厚さなどが変化しても、密着放熱部３ｂが確実にパッケージと密着することになるので測定用ソケットをパッケージ形状に見合ったものに変更することなく半導体装置の測定を行うことが可能となる。   As a result, even if the thickness of the package of the semiconductor device changes, the close contact heat radiation portion 3b is surely in close contact with the package, so that the measurement socket is not changed to match the package shape. Measurement can be performed.

それにより、本実施の形態２においては、パッケージ厚さなどが異なる半導体装置であっても温度上昇を安定して抑えることができる。   Thereby, in the second embodiment, the temperature rise can be stably suppressed even in the case of semiconductor devices having different package thicknesses.

また、測定用ソケット１の交換などが不要となるので、測定に係る工数を低減することができ、テストコストをより小さくすることができる。   In addition, since the measurement socket 1 need not be replaced, the number of man-hours for measurement can be reduced, and the test cost can be further reduced.

さらに、本実施の形態２の構成の測定用ソケット１に、図３で示した放熱フィン３ａを設けるようにしてもよい。これにより、より一層半導体装置の温度上昇を効率よく抑えることができる。   Further, the radiation socket 3a shown in FIG. 3 may be provided in the measurement socket 1 having the configuration of the second embodiment. Thereby, the temperature rise of a semiconductor device can be suppressed more efficiently.

以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。   As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments of the invention. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

たとえば、前記実施の形態１，２では、測定用ソケットに放熱機構を備えた構成としたが、図５に示すように、電気的特性の測定時に半導体装置のパッケージＰＫを測定用ソケット１に押さえつけるコレット４を金属部材によって形成し、放熱機構として用いるようにしてもよい。   For example, in the first and second embodiments, the measurement socket is provided with the heat dissipation mechanism. However, as shown in FIG. 5, the package PK of the semiconductor device is pressed against the measurement socket 1 when measuring the electrical characteristics. The collet 4 may be formed of a metal member and used as a heat dissipation mechanism.

通常、コレットは、プラスティックなどの熱伝導率の低い材質で形成されているが、真鍮などの金属によってコレット４を形成することにより、パッケージＰＫの主面に密着したコレット４によってパッケージ主面側からも効率よく放熱を行うことができる。   Normally, the collet is formed of a material having low thermal conductivity such as plastic, but by forming the collet 4 with a metal such as brass, the collet 4 which is in close contact with the main surface of the package PK is used from the package main surface side. Can also efficiently dissipate heat.

それにより、半導体装置の放熱を、より促進することが可能となるので、該半導体装置の温度上昇を、より抑えることが可能になり、高精度な測定結果を得ることができる。   As a result, the heat dissipation of the semiconductor device can be further promoted, so that the temperature rise of the semiconductor device can be further suppressed, and a highly accurate measurement result can be obtained.

本発明は、電気的特性の測定を行う際に、ＲＦモジュールなどの半導体装置の効果的な放熱技術に適している。   The present invention is suitable for an effective heat dissipation technique for a semiconductor device such as an RF module when measuring electrical characteristics.

本発明の実施の形態１による測定用ソケットの説明図である。It is explanatory drawing of the socket for a measurement by Embodiment 1 of this invention. プリント配線基板に実装された図１の測定用ソケットの断面図である。It is sectional drawing of the measuring socket of FIG. 1 mounted in the printed wiring board. 本発明の他の実施の形態によるプリント配線基板に搭載された測定用ソケットの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the socket for a measurement mounted in the printed wiring board by other embodiment of this invention. 本発明の実施の形態２によるプリント配線基板に搭載された測定用ソケットの断面図である。It is sectional drawing of the socket for a measurement mounted in the printed wiring board by Embodiment 2 of this invention. 本発明の他の実施の形態によるプリント配線基板に搭載された測定用ソケット、およびコレットの説明図である。It is explanatory drawing of the socket for a measurement mounted in the printed wiring board by other embodiment of this invention, and a collet.

符号の説明Explanation of symbols

１ 測定用ソケット
２ ハウジング
２ａ 位置決めガイド
２ｂ 放熱用孔
２ｃ パッド
３ 放熱機構
３ａ 放熱フィン
３ｂ 密着放熱部
４ コレット
Ｐ プリント配線基板
ＰＫ パッケージ 1 Measurement Socket 2 Housing 2a Positioning Guide 2b Heat Dissipation Hole 2c Pad 3 Heat Dissipation Mechanism 3a Heat Dissipation Fin 3b Adhesion Heat Dissipation Part 4 Collet P Printed Circuit Board PK Package

Claims (5)

周辺部に半導体装置の位置決めガイドが形成され、中央部に挿入孔が形成された四角形の額縁状からなるハウジングと、
前記ハウジングの中央部に形成された挿入孔に挿入された放熱機構とを備え、
前記放熱機構は、
前記半導体装置を装着した際に、前記半導体装置の裏面と接触することにより、前記半導体装置からの熱を放熱することを特徴とする測定用ソケット。 A housing having a rectangular frame shape in which a positioning guide for the semiconductor device is formed in the peripheral portion and an insertion hole is formed in the central portion;
A heat dissipation mechanism inserted into an insertion hole formed in the center of the housing,
The heat dissipation mechanism is
A measurement socket, wherein when the semiconductor device is mounted, the heat from the semiconductor device is dissipated by contacting the back surface of the semiconductor device. 請求項１記載の測定用ソケットにおいて、
前記放熱機構の露出面に、放熱フィンが設けられたことを特徴とする測定用ソケット。 The measuring socket according to claim 1,
A measuring socket, wherein a radiation fin is provided on an exposed surface of the radiation mechanism. 請求項１または２記載の測定用ソケットにおいて、
前記放熱機構は、
前記半導体装置が接触する放熱面に、前記半導体装置が前記測定用ソケットに装着された際に、前記半導体装置の表面に密着するように移動可能に設けられた密着放熱部を備えたことを特徴とする測定用ソケット。 The measuring socket according to claim 1 or 2,
The heat dissipation mechanism is
A heat dissipation surface provided in contact with the semiconductor device is provided with a close heat dissipating portion movably provided so as to be in close contact with the surface of the semiconductor device when the semiconductor device is attached to the measurement socket. Measuring socket. 電気的特性の測定が行われる半導体装置を準備する工程と、
プリント配線基板に実装され、中央部に放熱機構を有し、前記放熱機構を介して前記半導体装置の放熱を行う測定用ソケットを準備する工程と、
前記測定用ソケットに前記半導体装置を装着する工程と、
前記測定用ソケットを介して前記半導体装置に通電を行い、前記半導体装置の電気的特性の測定を行う工程とを有したことを特徴とする半導体装置の製造方法。 Preparing a semiconductor device for measuring electrical characteristics;
A step of mounting a measurement socket mounted on a printed wiring board, having a heat dissipation mechanism in the center, and performing heat dissipation of the semiconductor device via the heat dissipation mechanism;
Attaching the semiconductor device to the measurement socket;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: energizing the semiconductor device through the measurement socket and measuring electrical characteristics of the semiconductor device. 電気的特性の測定が行われる半導体装置を準備する工程と、
プリント配線基板に実装され、中央部に前記半導体装置が装着された際に、前記半導体装置の表面に密着するように移動可能に設けられた密着放熱部を備えた放熱機構を有し、前記放熱機構を介して前記半導体装置の放熱を行う測定用ソケットを準備する工程と、
前記測定用ソケットに前記半導体装置を装着する工程と、
前記測定用ソケットを介して前記半導体装置に通電を行い、前記半導体装置の電気的特性の測定を行う工程とを有したことを特徴とする半導体装置の製造方法。 Preparing a semiconductor device for measuring electrical characteristics;
A heat dissipating mechanism provided with a close heat dissipating portion mounted so as to be in close contact with the surface of the semiconductor device when the semiconductor device is mounted in a central portion and mounted on a printed wiring board; Preparing a measurement socket for radiating heat of the semiconductor device through a mechanism;
Attaching the semiconductor device to the measurement socket;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: energizing the semiconductor device through the measurement socket and measuring electrical characteristics of the semiconductor device.
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WO2023032176A1 (en) * 2021-09-03 2023-03-09 日本電信電話株式会社 Semiconductor module inspection device

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