JP2007141582A - 放電プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】被処理体への放電面積を十分に大きくすることができ、被処理体にプラズマダメージが生じにくい放電プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】各電極間にプラズマ化するガスが供給された後、第１電極１２に高周波電圧が印加される。これにより、第１電極１２と第２電極１６との間に電位差が生じこの電極１２、１６間にプラズマＰ１が発生する。このプラズマＰ１が発生することにより、第２電極１６にわずかな電位が発生する。第２電極１６にわずかな電位が発生すると、第２電極１６と第３電極１８との間に電位差が生じ、この電極１６、１８間にもプラズマＰ２が発生する。このプラズマＰ２の電位はプラズマＰ１の電位よりも格段に低くなり、このプラズマＰ２により第２電極１６と第３電極１８との間の被処理体２２の処理が行われる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、放電プラズマ処理装置に係り、特に放電開始時の高電界を生じさせないプラズマを発生させることができ、さらに励起効率を高めることができる多段型の放電プラズマ処理装置に関する。

従来から、様々な放電プラズマの発生方式や処理方式の放電プラズマ処理装置が提案され、実用化されている。特に、一対の平行平板を電極として、この電極間に電圧を印加し、発生したプラズマ中で被処理体を処理する方法が最も汎用されている（従来技術１）。この方法は、最も簡便な電極構造であり、装置としても小型化でき、また被処理体を放電空間に設置するので処理速度が速くなるという性質がある。

しかし、上記従来技術１では、放電空間に被処理体を設置するため、被処理体にプラズマダメージを与えることになり易いという問題があった。特に、大気圧近傍での放電プラズマの場合には、電界が安定せず、ストリーマー放電等が生じやすく、プラズマダメージや静電破壊が極めて生じ易いという問題があった。

上記問題を解決するため、誘導結合型プラズマやマイクロ波プラズマなど被処理体と離れたところでプラズマを発生させ、被処理体を処理する放電処理装置がある（従来技術２）。この方法では、高密度プラズマを発生させることができるため、被処理体と離れていても、十分な処理速度が得られることになる。
特開平１１−１９５６８９号公報

ところが、上記従来技術２では、構造が複雑となるため、装置の製造コストが上昇することと、プラズマを励起させる原理上、大型化することが難しいという問題がある。また、大気圧近傍の放電プラズマにおいても、プラズマガスを噴出すリモート型プラズマ処理装置が開発されているが、被処理体へのダメージは軽減されるものの、処理速度が遅く、被処理体の放電面積も大きくできない、使用ガス量が多い、という問題がある。

そこで、本発明は、上記事情を考慮し、被処理体への放電面積を十分に大きくすることができ、かつ被処理体にプラズマダメージが生じにくい放電プラズマ処理装置を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は、高周波電圧が印加される第１の電極と、前記第１の電極に対して対向するように配置され、アース接続された第２の電極と、前記第２の電極と対向するように配置され、アース接続された第３の電極と、前記第１の電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、前記第１の電極と前記第２の電極との間及び前記第２の電極と前記第３の電極との間にプラズマ化するガスを供給するガス供給手段と、を含んで構成されたことを特徴とする。

請求項１に記載の発明によれば、第２の電極と第３の電極との間に被処理体が配置されると、ガス供給手段により、第１の電極と第２の電極との間及び第２の電極と第３の電極との間に、プラズマ化するガスが供給される。第１の電極と第２の電極との間及び第２の電極と第３の電極との間に、プラズマ化するガスが供給されると、第１の電極と第２の電極との間及び第２の電極と第３の電極との間には、ガスが充満する。その後、高周波電源により第１の電極に高周波電圧が印加される。第１の電極に高周波電圧が印加されると、第２の電極がアース接続されているため、第１の電極と第２の電極との間に電位差が生じる。これにより、第１の電極と第２の電極との間にプラズマが発生する。

ここで、第２の電極はアース接続されているため、第２の電極の初期の電位は０Ｖであるが、第１の電極と第２の電極との間にプラズマが発生することにより、第２の電極にわずかな電位が発生するようになる。第２の電極にわずかな電位が発生すると、第３の電極はアース接続されているため、第２の電極と第３の電極との間に電位差が生じ、第２の電極と第３の電極との間にもプラズマが発生する。このとき、第２の電極と第３の電極との間に発生するプラズマの電位は、第２の電極と第３の電極との間の電位差が第１の電極と第２の電極との間の電位差と比較して格段に小さくなるため、第１の電極と第２の電極との間に発生するプラズマの電位よりも格段に低くなる。そして、電位が格段に低いプラズマにより、第２の電極と第３の電極との間に配置された被処理体の処理が行われる。

以上のように、本発明によれば、電位が格段に低いプラズマにより、被処理体の処理が行われるため、被処理体のプラズマダメージを大幅に低減させることができる。また、被処理体が配置される第２の電極と第３の電極との間の電位差が小さいため、静電破壊が発生することも防止できる。さらに、上述したように、放電プラズマ処理装置の構造が簡易なものであり、装置の製造コストも低減させることができる。

特に、各電極を所定の大きさ以上に設定するだけで、被処理体への放電面積が大きくなり、被処理体の広い面積を一括して処理することができる。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の放電プラズマ処理装置において、前記第１の電極又は前記第２の電極の少なくとも一の電極には、厚み方向に貫通し前記ガスが流れる貫通孔が形成されていることを特徴とする。

請求項２に記載の発明によれば、ガスが第１の電極に形成された貫通孔を通って第１の電極と第２の電極との間に供給され、さらに第２の電極に形成された貫通孔を通って第２の電極と第３の電極との間に供給されるため、第１の電極と第２の電極との間及び第２の電極と第３の電極との間にガスを供給し易くすることができる。この結果、放電プラズマを容易に発生させることができる。また、第１の電極と第２の電極との間のガス濃度と第２の電極と第３の電極との間のガス濃度を略均一にすることができる。これにより、各電極を所定の大きさ以上に設定した場合でも、被処理体の大面積を斑なく処理することができ、被処理体の処理精度を向上させることができる。

請求項３に記載の発明は、高周波電圧が印加される第１の電極と、前記第１の電極に対して対向するように配置され、アース接続された第２の電極と、前記第２の電極に対して対向するように配置され、高周波電圧が印加される第３の電極と、前記第３の電極に対して対向するように配置され、アース接続された第４の電極と、前記第４の電極に対して対向するように配置され、アース接続された第５の電極と、前記第１の電極及び前記第３の電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、前記第１の電極と前記第２の電極との間、前記第２の電極と前記第３の電極との間、前記第３の電極と前記第４の電極との間及び前記第４の電極と前記第５の電極との間にプラズマ化するガスを供給するガス供給手段と、を含んで構成されたことを特徴とする。

請求項３に記載の発明によれば、第４の電極と第５電極との間に、処理の対象である被処理体が配置される。そして、ガス供給手段により、第１の電極と第２の電極との間、第２の電極と第３の電極との間、第３の電極と第４の電極との間及び第４の電極と第５の電極との間に、プラズマ化するガスが供給される。各電極間にプラズマ化するガスが供給されると、第１の電極と第２の電極との間、第２の電極と第３の電極との間、第３の電極と第４の電極との間及び第４の電極と第５の電極との間にはガスが充満する。

その後、例えば、高周波電源により第１の電極及び第３の電極に電圧が印加される。第１の電極及び第３の電極に高周波電圧が印加されると、第２の電極がアース接続されているため、第１の電極と第２の電極との間、及び第３の電極と第２の電極との間に電位差が生じる。これにより、第１の電極と第２の電極との間、及び第３の電極と第２の電極との間にプラズマが発生する。また、同様に、第３の電極に高周波電圧が印加されると、第４の電極がアース接続されているため、第３の電極と第４の電極との間に電位差が生じる。これにより、第３の電極と第４の電極との間にもプラズマが発生する。

ここで、第４の電極はアース接続されているため、第４の電極の初期の電位は０Ｖであるが、第３の電極と第４の電極との間にプラズマが発生することにより、第４の電極にわずかな電位が発生するようになる。

第４の電極にわずかな電位が発生すると、第５の電極はアース接続されているため、第４の電極と第５の電極との間に電位差が生じ、第４の電極と第５の電極との間にもプラズマが発生する。このとき、第４の電極と第５の電極との間に発生するプラズマの電位は、第４の電極と第５の電極との間の電位差が第３の電極と第４の電極との間の電位差と比較して格段に小さくなるため、第３の電極と第４の電極との間に発生するプラズマの電位よりも格段に低くなる。そして、電位が格段に低いプラズマにより、第４の電極と第５の電極との間に配置された被処理体の処理が行われる。

以上のように、本発明によれば、電位が格段に低いプラズマにより、被処理体の処理が行われるため、被処理体のプラズマダメージを大幅に低減させることができる。また、被処理体が配置される第４の電極と第５の電極との間の電位差が小さいため、静電破壊が発生することも防止できる。さらに、上述したように、放電プラズマ処理装置の構造が簡易なものであり、装置の製造コストも低減させることができる。

特に、各電極間に直接供給されるガス以外に、第１の電極と第２の電極との間でプラズマ化されたガスが、下段の第２の電極と第３の電極との間に流れ込むため、第２の電極と第３の電極との間のプラズマは、第１の電極と第２の電極との間のプラズマに比べ、励起効率が高くなる。順次、第２の電極と第３の電極との間でプラズマ化されたガスは第３の電極と第４の電極との間に徐々に励起されながら流れ込み、また、第３の電極と第４の電極との間でプラズマ化されたガスは第４の電極と第５の電極との間に徐々に励起されながら流れ込むため、第４の電極と第５の電極との間のプラズマは、電位が低いにも関わらず、高い励起効率のプラズマとなる。

特に、各電極を所定の大きさ以上に設定するだけで、被処理体への放電面積が大きくなり、被処理体の広い面積を一括して処理することができる。

また、それぞれの電極の間に、それぞれ別種類のガスを供給することにより、被処理体の物理化学的性質や処理の程度に合わせた最適な処理を行うことができる。

さらに、第１の電極と第３の電極にそれぞれ異なる高周波数電圧を印加することにより、被処理体の物理化学的性質や処理の程度に合わせた処理を実現することができる。

請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の放電プラズマ処理装置において、前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極又は前記第４の電極の少なくとも一の電極には、厚み方向に貫通し前記ガスが流れる貫通孔が形成されていることを特徴とする。

請求項４に記載の発明によれば、ガスが第１の電極に形成された貫通孔を通って第１の電極と第２の電極との間に均一に供給される。これにより、第１の電極と第２の電極との間にプラズマが発生する。また、ガスが第２の電極に形成された貫通孔を通って第２の電極と第３の電極との間に供給される。これにより、第２の電極と第３の電極との間にプラズマが発生する。また、ガスが第３の電極に形成された貫通孔を通って第３の電極と第４の電極との間に供給される。これにより、第３の電極と第４の電極との間にプラズマが発生する。また、ガスが第４の電極に形成された貫通孔を通って第４の電極と第５の電極との間に供給される。これにより、第４の電極と第５の電極との間にプラズマが発生する。

以上のように、本発明によれば、各電極間にガスがプラズマに順次励起されていくため、励起効率の高い放電プラズマによって、第４の電極と第５の電極との間に配置された被処理体に対して高速度でかつ安定した処理を行うことができる。

本発明によれば、被処理体への放電面積を十分に大きくすることができ、かつ被処理体にプラズマダメージを生じにくくすることができる。

次に、本発明の第１実施形態に係る放電プラズマ処理装置について、図面を参照して説明する。

図１に示すように、放電プラズマ処理装置１０は、平板型の第１電極１２を備えている。この第１電極１２には、後述の高周波電源１４から高周波電圧が印加される。また、第１電極１２の下方には、第１電極１２に対して平行となるように、平板型の第２電極１６が配置されている。この第２電極１６は初期の電位がゼロとなるようにアース接続（接地）されている。また、第２電極１６の下方には、第２電極１６に対して平行となるように、平板型の第３電極１８が配置されている。この第３電極１８は初期の電位がゼロとなるようにアース接続（接地）されている。

また、放電プラズマ処理装置１０は、高周波電源１４を備えている。上述のように、この高周波電源１４により、第１電極１２に高周波電圧が印加される。さらに、放電プラズマ処理装置１０は、ガスユニット２０を備えている。このガスユニット２０により、第１電極１２と第２電極１６との間及び第２電極１６と第３電極１８との間には、プラズマ化するガスが供給される。

以上のように、本実施形態の放電プラズマ処理装置１０では、３つの各電極１２、１６、１８が相互に平行に配置された多段型のものであり、第１電極１２には、上記高周波電源１４から高周波電圧が印加されるように構成されている。

次に、本実施形態に係る放電プラズマ処理装置１０の作用について説明する。

図１に示すように、第２電極１６と第３電極１８との間に処理の対象である被処理体２２が配置される。そして、ガスユニット２０により、第１電極１２と第２電極１６との間及び第２電極１６と第３電極１８との間に、プラズマ化するガスが供給される。第１電極１２と第２電極１６との間及び第２電極１６と第３電極１８との間に、プラズマ化するガスが供給されると、第１電極１２と第２電極１６との間及び第２電極１６と第３電極１８との間には、ガスが充満する。

その後、高周波電源１４により第１電極１２に高周波電圧が印加される。第１電極１２に高周波電圧が印加されると、第２電極１６がアース（接地）されているため、第１電極１２と第２電極１６との間に電位差が生じる。これにより、第１電極１２と第２電極１６との間にプラズマＰ１が発生する。

ここで、第２電極１６はアース（接地）されているため、第２電極１６の初期の電位は０Ｖであるが、第１電極１２と第２電極１６との間にプラズマＰ１が発生することにより、第２電極１６にわずかな電位が発生するようになる。

第２電極１６にわずかな電位が発生すると、第３電極１８はアース（接地）されているため、第２電極１６と第３電極１８との間に電位差が生じ、第２電極１６と第３電極１８との間にもプラズマＰ２が発生する。このとき、第２電極１６と第３電極１８との間に発生するプラズマＰ２の電位は、第２電極１６と第３電極１８との間の電位差が第１電極１２と第２電極１６との間の電位差と比較して格段に小さくなるため、第１電極１２と第２電極１６との間に発生するプラズマＰ１の電位よりも格段に低くなる。

そして、電位が格段に低いプラズマＰ２により、第２電極１６と第３電極１８との間に配置された被処理体２２の処理が行われる。

以上のように、本実施形態の放電プラズマ処理装置１０によれば、電位が格段に低いプラズマＰ２により、被処理体２２の処理が行われるため、被処理体２２のプラズマダメージを大幅に低減させることができる。また、被処理体２２が配置される第２電極１６と第３電極１８との間の電位差が小さいため、静電破壊が発生することも防止できる。さらに、上述したように、放電プラズマ処理装置１０の構造が簡易なものであり、装置の製造コストも低減させることができる。

特に、各電極１２、１６、１８を所定の大きさ以上に設定するだけで、被処理体２２への放電面積が大きくなり、被処理体２２の広い面積を一括して処理することができる。

なお、図１に示すように、本実施形態では各電極１２、１６、１８を全て直列的に積層した構成を示したが、この構成に限られるものではなく、その一部を並列的に積層させたものでもよい。すなわち、図２に示すように、第１電極１２と第２電極１６とを分割させて、第１電極１２Ａと第２電極１６Ａ（第１電極１２Ｂと第２電極１６Ｂ）の対を複数（図２では対を２つ設けた構成を図示）設けた構成でもよい。

次に、本発明の第２実施形態に係る放電プラズマ処理装置について説明する。

図３に示すように、放電プラズマ処理装置３０は、平板型の第１電極３２を備えている。この第１電極３２には、後述の高周波電源３４から高周波電圧が印加される。また、第１電極３２の下方には、第１電極３２に対して平行となるように、平板型の第２電極３６が配置されている。この第２電極３６は初期の電位がゼロとなるようにアース接続（接地）されている。また、第２電極３６の下方には、第２電極３６に対して平行となるように、平板型の第３電極３８が配置されている。この第３電極３８には、後述の高周波電源３４から高周波電圧が印加される。また、第３電極３８の下方には、第３電極３８に対して平行となるように、平板型の第４電極４０が配置されている。この第４電極４０は初期の電位がゼロとなるようにアース接続（接地）されている。また、第４電極４０の下方には、第４電極４０に対して平行となるように、平板型の第５電極４２が配置されている。この第５電極４２は初期の電位がゼロとなるようにアース接続（接地）されている。

また、放電プラズマ処理装置３０は、高周波電源３４を備えている。上述のように、この高周波電源３４により、第１電極３２と第２電極３６とに高周波電圧がそれぞれ印加される。さらに、放電プラズマ処理装置３０は、ガスユニット４４を備えている。このガスユニット４４により、第１電極３２と第２電極３６との間、第２電極３６と第３電極３８との間、第３電極３８と第４電極４０との間、第４電極４０と第５電極４２との間には、プラズマ化するガスが供給される。

以上のように、本実施形態の放電プラズマ処理装置３０では、５つの各電極３２、３６、３８、４０、４２が相互に平行に積層されるように配置された多段型のものであり、第１電極３２と第３電極３８には、上記高周波電源３４から高周波電圧がそれぞれ印加されるように構成されている。

次に、本発明の第２実施形態に係る放電プラズマ処理装置３０の作用について説明する。

図３に示すように、第４電極４０と第５電極４２との間に、処理の対象である被処理体４８が配置される。そして、ガスユニット４４により、第１電極３２と第２電極３６との間、第２電極３６と第３電極３８との間、第３電極３８と第４電極４０との間及び第４電極４０と第５電極４２との間に、プラズマ化するガスが供給される。各電極間にプラズマ化するガスが供給されると、第１電極３２と第２電極３６との間、第２電極３６と第３電極３８との間、第３電極３８と第４電極４０との間及び第４電極４０と第５電極４２との間にはガスが充満する。

その後、高周波電源３４により第１電極３２と第３電極３８に高周波電圧がそれぞれ印加される。第１電極３２と第３電極３８に高周波電圧が印加されると、第２電極３６がアース（接地）されているため、第１電極３２と第２電極３６との間、及び第２電極３６と第３電極３８との間に電位差が生じる。これにより、第１電極３２と第２電極３６との間にプラズマＰ１が、第２電極３６と第３電極３８との間にプラズマＰ２がそれぞれ発生する。また、同様に、第３電極３８に高周波電圧が印加されると、第４電極４０がアース（接地）されているため、第３電極３８と第４電極４０との間に電位差が生じる。これにより、第３電極３８と第４電極４０との間にプラズマＰ３が発生する。

第３電極３８と第４電極４０との間にプラズマＰ３が発生すると、第４電極４０にわずかな電位が発生する。第５電極４２はアース（接地）されているため、第４電極４０と第５電極４２との間に電位差が生じ、第４電極４０と第５電極４２との間にもプラズマＰ４が発生する。このとき、第４電極４０と第５電極４２との間に発生するプラズマＰ４の電位は、第４電極４０と第５電極４２との間の電位差が第３電極３８と第４電極４０との間の電位差と比較して格段に小さくなるため、第３電極３８と第４電極４０との間に発生するプラズマＰ２の電位よりも格段に低くなる。

ここで、各電極間のプラズマＰ１、Ｐ２、Ｐ３によって励起されたガスが、順次各電極間を通過して第４電極４０と第５電極４２の間に流れ込む。このガスは励起されたガスのため、第４電極４０と第５電極４２との間で容易に励起されるため、格段に低い電位差でもプラズマＰ４が容易に発生する。

そして、電位が格段に低いプラズマＰ４により、第４電極４０と第５電極４２との間に配置された被処理体４８の処理が行われる。

以上のように、本実施形態の放電プラズマ処理装置３０によれば、電位が格段に低いプラズマＰ４により、被処理体４８の処理が行われるため、被処理体４８のプラズマダメージを大幅に低減させることができる。また、第４電極４０と第５電極４２との間の電位差が小さいため、静電破壊が発生することも防止できる。さらに、上述したように、放電プラズマ処理装置３０の構造が簡易なものであり、装置の製造コストも低減させることができる。

特に、各電極３２、３６、３８、４０、４２を所定の大きさ以上に設定するだけで、被処理体４８への放電面積が大きくなり、被処理体４８の広い面積を一括して処理することができる。

また、各電極間に、それぞれ別種類のガスを供給することにより、被処理体４８の物理化学的性質に合わせた最適なプラズマ状態で処理を行うことができる。

また、第１電極３２と第３電極３８にそれぞれ異なる高周波数電圧を印加することにより、被処理体４８の物理化学的性質や処理の程度に合わせた最適なプラズマ状態で処理を実現することができる。

次に、本発明の第３実施形態に係る放電プラズマ処理装置について説明する。
なお、第１実施形態の放電プラズマ処理装置１０の構成と重複する構成については、同符号を付し、適宜説明を省略する。また、第１実施形態の放電プラズマ処理装置１０の作用効果と同様の作用効果についても、適宜説明を省略する。

図４に示すように、本実施形態の放電プラズマ処理装置５０は、第１実施形態の放電プラズマ処理装置１０をベースに設定されたものである。

すなわち、本実施形態の放電プラズマ処理装置５０の第１電極１２と第２電極１６には、その厚み方向に貫通する複数の貫通孔５２がそれぞれ形成されている。また、第１電極１２に形成された貫通孔５２には、ガスユニット２０からガスが供給される。

本実施形態の放電プラズマ処理装置５０によれば、図４に示すように、ガスが第１電極１２に形成された貫通孔５２を通って第１電極１２と第２電極１６との間に供給され、さらに第２電極１６に形成された貫通孔５２を通って第２電極１６と第３電極１８との間に供給されるため、第１電極１２と第２電極１６との間及び第２電極１６と第３電極１８との間にガスを均一に供給し易くすることができる。この結果、放電プラズマを容易に均一に発生させることができる。また、第１電極１２と第２電極１６との間のガス濃度と第２電極１６と第３電極１８との間のガス濃度を略均一にすることができる。これにより、各電極１２、１６、１８を所定の大きさ以上に設定した場合でも、被処理体２２の大面積を斑なく処理することができ、被処理体２２の処理精度を向上させることができる。

次に、本発明の第４実施形態に係る放電プラズマ処理装置について説明する。
なお、第２実施形態の放電プラズマ処理装置３０の構成と重複する構成については、同符号を付し、適宜説明を省略する。また、第２実施形態の放電プラズマ処理装置３０の作用効果と同様の作用効果についても、適宜説明を省略する。

図５に示すように、本実施形態の放電プラズマ処理装置６０は、第２実施形態の放電プラズマ処理装置３０をベースに設定されたものである。

すなわち、本実施形態の放電プラズマ処理装置６０の第１電極３２、第２電極３６、第３電極３８及び第４電極４０には、その厚み方向に貫通する複数の貫通孔６２がそれぞれ形成されている。また、第１電極３２に形成された貫通孔６２には、ガスユニット４４からガスが供給される。

本実施形態の放電プラズマ処理装置６０によれば、図５に示すように、ガスが第１電極３２に形成された貫通孔６２を通って第１電極３２と第２電極３６との間に均一に供給される。これにより、第１電極３２と第２電極３６との間に均一なプラズマＰ１が発生する。次に、ガスが第２電極３６に形成された貫通孔６２を通って第２電極３６と第３電極３８との間に均一に供給される。これにより、第２電極３６と第３電極３８との間に均一なプラズマＰ２が発生する。次に、ガスが第３電極３８に形成された貫通孔６２を通って第３電極３８と第４電極４０との間に均一に供給される。これにより、第３電極３８と第４電極４０との間に均一なプラズマＰ３が発生する。次に、ガスが第４電極４０に形成された貫通孔６２を通って第４電極４０と第５電極４２との間に均一に供給される。これにより、第４電極４０と第５電極４２との間に均一なプラズマＰ４が発生する。

以上のように、本実施形態の放電プラズマ処理装置６０によれば、各電極間にガスがプラズマに順次励起されていくため、励起効率の高い均一な放電プラズマによって、第４電極４０と第５電極４２との間に配置された被処理体４８に対して高速度で均一でかつ安定した処理を行うことができる。

本発明の第１実施形態に係る放電プラズマ処理装置の構成図である。 本発明の第１実施形態に係る放電プラズマ処理装置の変形例である放電プラズマ処理装置の構成図である。 本発明の第２実施形態に係る放電プラズマ処理装置の構成図である。 本発明の第３実施形態に係る放電プラズマ処理装置の構成図である。 本発明の第４実施形態に係る放電プラズマ処理装置の構成図である。

符号の説明

１０、５０ 放電プラズマ処理装置
１２ 第１電極（第１の電極）
１４ 高周波電源
１６ 第２電極（第２の電極）
１８ 第３電極（第３の電極）
２０ ガスユニット（ガス供給手段）
３０、６０ 放電プラズマ処理装置
３２ 第１電極（第１の電極）
３４ 高周波電源
３６ 第２電極（第２の電極）
３８ 第３電極（第３の電極）
４０ 第４電極（第４の電極）
４２ 第５電極（第５の電極）
４４ ガスユニット（ガス供給手段）
５２ 貫通孔
６２ 貫通孔

Claims (4)

1. 高周波電圧が印加される第１の電極と、
   前記第１の電極に対して対向するように配置され、アース接続された第２の電極と、
   前記第２の電極と対向するように配置され、アース接続された第３の電極と、
   前記第１の電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、
   前記第１の電極と前記第２の電極との間及び前記第２の電極と前記第３の電極との間にプラズマ化するガスを供給するガス供給手段と、
   を含んで構成されたことを特徴とする放電プラズマ処理装置。
2. 前記第１の電極又は前記第２の電極の少なくとも一の電極には、厚み方向に貫通し前記ガスが流れる貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の放電プラズマ処理装置。
3. 高周波電圧が印加される第１の電極と、
   前記第１の電極に対して対向するように配置され、アース接続された第２の電極と、
   前記第２の電極に対して対向するように配置され、高周波電圧が印加される第３の電極と、
   前記第３の電極に対して対向するように配置され、アース接続された第４の電極と、
   前記第４の電極に対して対向するように配置され、アース接続された第５の電極と、
   前記第１の電極及び前記第３の電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、
   前記第１の電極と前記第２の電極との間、前記第２の電極と前記第３の電極との間、前記第３の電極と前記第４の電極との間及び前記第４の電極と前記第５の電極との間にプラズマ化するガスを供給するガス供給手段と、
   を含んで構成されたことを特徴とする放電プラズマ処理装置。
4. 前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極又は前記第４の電極の少なくとも一の電極には、厚み方向に貫通し前記ガスが流れる貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の放電プラズマ処理装置。
   

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