JP2007133392A - 表示特性が向上した液晶表示パネル及びこれの製造に使用されるマスク - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、表示特性が向上した液晶表示パネル及びこれの製造に使用されるマスクを提供する。
【解決手段】互いに対向する第１の表示板１０及び第２の表示板２０と、第１の表示板１０と第２の表示板２０との間に介在される液晶層５０と、第１の表示板１０と第２の表示板２０とを結合して液晶層５０の漏洩を防止するためのシール４０と、シール４０内側に配列され、シール４０から第１の表示板１０及び第２の表示板２０のアクティブ領域Ａ１に不純物が流入されることを遮断し、シール５０側に液晶５０ａの流動が可能な流動経路を備える不純物遮断液晶流動構造物３０と、を含んでいる。
【選択図】図２

Description

本発明は、表示特性が向上した液晶表示パネル及びこれの製造に使用されるマスクに関する。

液晶表示装置は、２枚の表示板を結合し、これら表示板内部に介在された液晶の配列をパネル内に形成される電界によって変更させ、これを通じて光の透過率を調節することによって画像を表現する液晶表示装置である。

２枚の表示板の整列及び結合はシールによって実現される。シールは、その間に介在された液晶の漏洩を防止し、外部環境からの液晶セルを保護する機能を遂行する。ところで、工程上の問題又は素材上の問題によって熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂からなったシールの硬化が十分に行われることができない場合がある。未硬化されたシールは、液晶と接触反応して不純物粒子を発生させる。そして、この不純物粒子が画像を表示するアクティブ領域に流入してしまうと、液晶の光透過性を変化させて表示特性を低下させる原因となる。
大韓民国特許公開１０−２００３−００４９５４０号公報

本発明は、上記技術的課題を解決するために成されたものであり、表示特性を向上させた液晶表示パネルを提供することを目的とする。

また、本発明が解決しようとする他の技術的課題は、表示特性が向上した液晶表示パネルの製造に使用されるマスクを提供することにある。

前記目的を達成するための本発明に係る液晶表示パネルは、互いに対向する第１の表示板及び第２の表示板と、前記第１の表示板と前記第２の表示板との間に介在される液晶層と、前記第１の表示板と前記第２の表示板とを結合して前記液晶層の漏洩を防止するためのシールと、前記シール内側に配列され、前記シールから前記第１の表示板及び第２の表示板のアクティブ領域に不純物が流入されることを遮断し、前記シール側に液晶の流動が可能な流動経路を備える不純物遮断液晶流動構造物と、を含むことを特徴とする。

前記目的を達成するための本発明に係るカラーフィルターアレイ形成用マスクは、カラムスペーサパターン及び不純物遮断液晶流動構造物パターンを含むことを特徴とする。

また、前記目的を達成するための本発明に係るカラーフィルターアレイ形成用マスクは、液晶配向の規制する突起を形成するための突起パターン及び不純物遮断液晶流動構造物パターンを含むことを特徴とする。

前記他の技術的課題を達成するための本発明のさらに他の実施形態によるマスクは、薄膜トランジスタのドレーン電極を露出させるコンタクトホールパターン及び不純物遮断液晶流動構造物パターンを含む薄膜トランジスタアレイ形成用マスクである。

本発明に係る液晶表示装置は、未硬化されたシールが液晶と接触して形成した不純物がアクティブ領域に流入されることを効果的に遮断すると共に、液晶が自由に移動することができる流動経路を備えることによって液晶の効果的な広がりが可能となる。

本明細書中で使用される用語は、本発明の一実施形態を説明するためのものであり、この用語によって本発明を制限されるものではない。本明細書中で、単数型は文句で特別に言及しない限り複数型も含む。明細書で使用される“含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）及び／又は成る（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）”は、言及された構成要素、段階、動作及び／又は素子以外の一つ以上の他の構成要素、段階、動作及び／又は素子の存在又は追加を排除しない意味として使用する。そして、「及び／又は」言及された要素のそれぞれ及び一つ以上の全ての組み合わせを含む。なお、明細書全体にかけて同一参照符号は同一構成要素を示すものとする。

また、本明細書で記述する実施形態は、本発明の理想的な例示図である断面図及び平面図を参照して説明される。したがって、製造技術及び／又は許容誤差などによって例示図の形態を変形することができる。これにより、本発明の実施形態は図面で示す特定形態に制限されることはなく、製造工程によって生成する形態の変化も含む。したがって、図面で例示された領域は概略的な属性を有し、図面に例示された領域の形は素子の領域の特定形態を例示するためのことであり、発明の範疇を制限するためのものではない。また、本発明に示す各図面において、各構成要素は説明の便宜を考慮して多少拡大又は縮小されて示されたものである。

以下、本発明では、実際の画像表示領域であるアクティブ領域に不純物が流入することを遮断して、当該表示特性の低下を防止すると共に、液晶が流動し得る流動経路を備えることによって液晶の自由な流動を可能なようにしている。

図１は、本発明の実施形態による液晶表示パネルの平面図であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切った断面図である。

図１及び図２を参照すれば、液晶表示パネル１は、表示部Ａと非表示部Ｂとに区分される。

非表示部Ｂは、第２の表示板２０より大きい第１の表示板１０から成る領域である。非表示部Ｂは、表示部Ａに画像を表示するための信号を伝達する駆動回路と、駆動回路に連結されるゲートパッド（図示せず）と、データパッド（図示せず）とが形成されている領域である。

表示部Ａは、互いに対向する第１の表示板１０と第２の表示板２０とが結合して形成され、画像が表示される領域である。表示部Ａは、アクティブ領域Ａ１と液晶マージン領域Ａ２に区分される。

アクティブ領域Ａ１は、アクティブマトリックス駆動によって駆動される多数の画素が配列され、各画素内に形成される電界によって画像を表示する領域である。

液晶マージン領域Ａ２は、アクティブ領域Ａ１に滴下され又は注入された液晶が表示部Ａ全面にかけて均等に広がることができるように形成される領域である。この液晶マージン領域Ａ２は、液晶が重力によって一方向に偏ることを防止し、液晶が均等に広がって出ることができる空間を提供するためアクティブ領域Ａ１の周縁に形成された領域である。

一般的な液晶表示パネルで液晶マージン領域Ａ２は、ブラックマトリックス領域ａ１とシール領域ａ２とからなる。ブラックマトリックス領域ａ１は、モールドフレームなどによって覆われる領域で外部からの不要な光を遮断するようにブラックマトリックス２２が形成される領域でブラックマトリックスフレーム領域とも称される。

図１及び図２でブラックマトリックス領域ａ１とシール領域ａ２が非重畳的に示されているが、場合によっては、この二つ領域が重畳してブラックマトリックス２２上部にシール４０が形成されてもよい。また、図１及び図２にはブラックマトリックス２２が第２の表示板２０上に形成された場合を例示したが、ＴＯＡ（ＴＦＴ Ｏｎ Ａｒｒａｙ）又はＣＯＴ（Ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ Ｏｎ ＴＦＴ）構造の液晶表示パネルの場合にはブラックマトリックス２２が第１の表示板１０上に形成することができる。

第１の表示板１０と第２の表示板２０とは、第２の表示板２０の周縁部に対応するシール領域ａ２に沿って形成されたシール４０によって結合される。シール４０は、第１の表示板１０と第２の表示板２０との間に介在された液晶層５０が外部に漏洩することを防止すると共に、外部環境から水分や外部の空気が液晶層５０内に流入することを防止する役割を果たす。

一方、シール４０の内側には、不純物遮断液晶流動構造物３０が設けられる。不純物遮断液晶流動構造物３０は、未硬化されたシール４０が液晶層５０内の液晶５０ａと反応して生成した不純物４０ａがアクティブ領域Ａ１に流入することを遮断し、シール４０側に液晶５０ａの流動が可能なようにする流動経路を含む。アクティブ領域Ａ１への不純物４０ａの流入を初期に遮断し、画像表示を妨害しないようにするためには、不純物遮断液晶流動構造物３０は液晶マージン領域Ａ２に形成する。一方、不純物遮断液晶流動構造物３０は、液晶セルギャップの維持を補完する役割も果たす。

不純物遮断液晶流動構造物３０の多様な構造及び配列についても図３Ａ〜図５Ｃを参照してさらに詳細に説明する。

図３Ａ〜図３Ｄに示すように、不純物遮断液晶流動構造物３０は、未硬化されたシール４０から発生した不純物４０ａがアクティブ領域Ａ１に流入することを遮断し、液晶５０ａが流動することができる流動経路７０を。したがって、不純物遮断液晶流動構造物３０は、流動経路スペースＳほど分離された不連続的な構造物である。言い換えれば、不純物遮断液晶流動構造物３０は不純物遮断液晶流動構造物の形状パターン３０ａ又は不純物遮断液晶流動構造３０の形状パターン３０ｂ（以下、「パターン」と称するが流動経路スペースＳほど離隔されて配置された構造物である。一般的に、不純物４０ａは、液晶５０ａと未硬化されたシール４０とが反応して形成されるため、不純物４０ａの大きさが液晶５０ａの大きさより大きい。したがって、液晶５０ａの選択的な移動を可能とするためには、流動経路７０の間隔Ｓは液晶５０ａの大きさよりは大きく、不純物４０ａの大きさよりは小さいことが必要である。

一方、図３Ｂに示すように構造物３０を少なくとも一つの不純物４０ａトラップ溝（Ｇ）を備えるパターン３０ｂで構成することが不純物４０ａの流入をより効果的に遮断することができる。また、効果的な不純物４０ａトラップのためには、トラップ溝Ｇはシール４０と対向するように形成される。

図３Ｃ及び図３Ｄに示すようにパターン３０ａ又はパターン３０ｂは、少なくとも２本のラインに沿って交互に配列され、第１ラインと第２のラインとに沿って配列されるパターンは、互い違いになるように配列されることが好ましい。これは、第１のラインのパターンでトラップされることができず流動経路７０を通過した不純物４０ａがあっても、第２のラインのパターンでトラップすることができるからである。この時、第２のラインのパターン（パターン３０ａ又はパターン３０ｂ）の両末端部は、第１のラインにおける一のパターンと当該一のパターンに隣接する２他のパターン（パターン３０ａ又はパターン３０ｂ）とそれぞれ一部が、図３Ｃ及び図３Ｄに示すようにオーバーラップ（Ｏｖｅｒｌａｐ）されることがトラップの完全性を担保することができる。

図４は、不純物遮断液晶流動構造物３０を構成するパターンの多様な変形例を示すレイアウトである。図４に示すように少なくとも一つのトラップ溝Ｇを備えるパターンが不純物遮断液晶流動構造物３０としてより効果的が発揮される。

一方、不純物遮断液晶流動構造物３０は、図５Ａ〜図５Ｃのような多様な構造物パターンアレイによって形成することができる。図５Ａ〜図５Ｃは液晶表示パネル１の一部の領域を例示したものである。

図５Ａは、液晶表示パネルの行方向と列方向とに沿って多数のパターンが一直線に配列された場合を示す。

図５Ｂは、図５Ａの配列で液晶表示パネルのコーナー部における配列が液晶表示パネルの対角線方向と垂直な方向に沿って一直線に配列されるようにした場合で、コーナー部の液晶マージン領域Ａ２で液晶の広がりがより効果的に行われることができるようにするための配列である。

図５Ｃは、液晶表示パネルの各領域での液晶の広がり方向についてより効果を発揮することができるような流動経路を提供するために、所定の曲率半径を有する湾曲した曲線ｃ１、ｃ２に沿って多数の構造物パターンが配列された場合を示したものである。

図１〜図５Ｃを参照して説明した本発明の一実施形態による液晶表示パネル１は、第１の表示板１０と第２の表示板２０のアクティブ領域Ａ１に画像を表示するための液晶の長軸（長手方向の軸）の初期配向と画像を表示するための電界形成方式及び電界形成手段の配列によって区分することができる。

以下、図６〜図１７を参照して各実施形態別に液晶表示パネル及びこれの製造に使用されるマスクについて説明する。

図６〜図９Ｂは、電界が印加されない状態で液晶の長軸方向が第１の表示板１０及び第２の表示板２０について平行なＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードによる液晶表示パネルの実施形態を説明するための図面である。

図６は、ＴＮモードによる液晶表示パネルの第２の表示板２０であるカラーフィルターアレイ表示板の断面図である。

図６を参照すれば、透明基板１００上にブラックマトリックス１１０が形成されている。

ブラックマトリックス１１０は、第１の表示板１０のアクティブ領域Ａ１に形成された薄膜トランジスタ、ゲート配線、データ配線を覆う領域に形成されたブラックマトリックス１０２と液晶マージン領域Ａ２に形成されたブラックマトリックス２２とを含む。ブラックマトリックス１１０上にカラーフィルター１２０が形成され、カラーフィルター１２０上にオーバーコート層１３０が形成されている。

オーバーコート層１３０は、カラーフィルター１２０によって生じた段差を平坦化するために形成する。オーバーコート層１３０上にアクティブ領域Ａ１全体にかけて一つの共通電極１４０が形成されている。共通電極１４０上に第２の表示板２０と第１の表示板１０の間のセルギャップを維持するためのカラムスペーサ１５０が形成されている。そして、液晶マージン領域Ａ２に形成されたブラックマトリックス２２上に不純物遮断液晶流動構造物３０が形成されている。カラムスペーサ１５０と不純物遮断液晶流動構造物３０は同一工程で同一物質として形成することが製造工程の単純化の面で有効である。

以下、図７Ａ及び図７Ｂを参照して、図６に示されている第２の表示板２０の好適な製造方法の一実施形態を説明する。

図７Ａは、カラムスペーサ１５０と不純物遮断液晶流動構造物３０を形成するためのマスク３００のレイアウトを示す。

図７Ａを参照すれば、マスク３００は、アクティブ領域Ａ１に形成される多数のカラムスペーサパターン３５０と液晶マージン領域Ａ２に形成される不純物遮断液晶流動構造物パターン３３０とを含む。露光しようとする対象がポジティブ感光性有機絶縁膜である場合にはパターン３５０、３３０は、透明基板上に形成された遮光パターンであることができ、露光しようとする対象がネガティブ感光性有機絶縁膜である場合には投光パターンである。

一方、カラムスペーサ１５０の高さに比べて不純物遮断液晶流動構造物３０の高さが高い場合、カラムスペーサパターン３５０をスリットパターン、格子形態のパターン又は半透過膜パターンで構成することができる。この時、スリットの間に設けられたパターンの線幅やパターンの間の間隔、すなわちスリットの幅は露光時使用する露光機の分解能より狭いことが好ましく、半透過膜パターンを用いる場合には、マスクを製作するとき透過率を調節するために異なる透過率を有する薄膜を用いるか、或いは厚さが異なる薄膜を用いることができる。図７Ａに示す参照符号２８２は、第１の表示板１０に形成される画素電極の概略的な輪郭を示す。

図７Ｂはカラムスペーサ１５０と不純物遮断液晶流動構造物３０を形成するための露光工程を示す断面図である。

図７Ｂを参照すれば、ブラックマトリックス１１０、カラーフィルター１２０、オーバーコート層１３０、共通電極１４０、及び感光性有機絶縁膜１５０ａが形成されている基板１００について図７Ａに示すマスク３００を使用して露光工程を実施する。なお、ブラックマトリックス１１０、カラーフィルター１２０、オーバーコート層１３０、共通電極１４０、感光性有機絶縁膜１５０ａの形成は、当業者に広く知られた工程段階によって形成することができるので詳細な説明は適宜省略して説明する。

図７Ｂは、感光性有機絶縁膜１５０ａをネガティブ感光性有機絶縁物として形成した場合を例示する。図７Ｂに示すように、露光された領域の有機絶縁膜１５０ａは、露光によって架橋結合が起こるため後の現像工程時における露光部分のみが残留するようになり、図６に示すカラムスペーサ１５０と不純物遮断液晶流動構造物３０とが形成されるようになる。

図８Ａと図８Ｂは、図６を参照して説明した第２の表示板２０と一緒にＴＮモードの液晶表示パネルを構成する第１の表示板１０である薄膜トランジスタアレイ表示板を示す断面図とレイアウトである。

図８Ａ及び図８Ｂを参照すれば、絶縁基板２００上にゲート信号を伝達する複数のゲート配線２２０が形成されている。ゲート配線２２０は、横方向にのびているゲート線２２２、ゲート線２２２の端部に連結されていて外部からのゲート信号が印加されてゲート線２２２に伝達するゲートパッド２２４、ゲート線２２２に連結されて突起形態に延長された薄膜トランジスタのゲート電極２２６を含む。一方、ゲート線２２２と平行に維持電極２２７が配列され、維持電極線２２８が隣接する維持電極２２７を連結する。図８Ａ及び図８Ｂには、維持電極２２７が別途に形成された場合が例示されているが、ゲート線２２２を維持電極として使用する場合も適用することが可能である。維持電極２２７は、後述する画素電極２８２と連結されたドレーン電極拡張部２６７と重畳されて画素の電荷保存能力を向上させる維持キャパシタを構成する。

キャッピング層２２９がゲート配線２２０上に形成され、後の高温熱処理によるヒロック現象を防止することができる。キャッピング層２２９上にはゲート絶縁膜２３０が形成されている。ゲート絶縁膜２３０上部には水素化非晶質珪素又は多結晶珪素などの半導体から形成される半導体パターン２４０が形成されており、半導体パターン２４０の上部には抵抗性接触パターン２５５、２５６がそれぞれ形成されている。チャネル部を内部に含む半導体パターン２４０の外側プロファイルと抵抗性接触パターン２５５、２５６の外側プロファイルとは実質的に同一である。

抵抗性接触パターン２５５、２５６及びゲート絶縁膜２３０上にはデータ配線２６０が形成されている。データ配線２６０は、縦方向に形成されてゲート線２２２と交差して画素を画定するデータ線２６２、データ線２６２の分枝であり、抵抗性接触パターン２５５の上部まで延長されているソース電極２６５、データ線２６２の一側端部に連結されて外部からの画像信号が印加されるデータパッド２６８、ソース電極２６５と分離されており、ゲート電極２２６又は薄膜トランジスタのチャネル部についてソース電極２６５の反対側抵抗性接触パターン２５６上部に形成されているドレーン電極２６６、及びドレーン電極２６６から延長されて維持電極２２７と重畳する広い面積のドレーン電極拡張部２６７を含む。

ソース電極２６５は、半導体パターン２４０と少なくとも一部分が重畳され、ドレーン電極２６６はゲート電極２２６を中心にソース電極２６５と対向し、少なくとも一部分が半導体パターン２４０と重畳される。ここで、抵抗性接触パターン２５５、２５６は、その下部の半導体パターン２４０と、その上部のソース電極２６５及びドレーン電極２６６間に存在し、接触抵抗を低下させる役割を果たす。

ドレーン電極拡張部２６７は、維持電極２２７と重畳されるように形成され、維持電極２２７とゲート絶縁膜２３０とを挟んで維持キャパシタンスを形成する。維持電極２２７を形成しない場合には、ドレーン電極拡張部２６７を省略することができる。

データ配線２６０及び半導体パターン２４０（データ配線２６０が覆われていない部分）上部には、保護膜２７０が形成されている。保護膜２７０が有機物質でとして形成される場合、ソース電極２６５とドレーン電極２６６の間の半導体パターン２４０が表れた部分が接触することを防止するために、有機物質から形成された保護膜２７０の下部に窒化珪素（ＳｉＮｘ）又は酸化珪素（ＳｉＯ_２）からなった絶縁膜（図示せず）が追加に形成されてもよい。

保護膜２７０には、ドレーン電極拡張部２６７を露出させるコンタクトホール２７７とデータパッド２６８を露出させるコンタクトホール２７８が形成されており、保護膜２７０とゲート絶縁膜２３０とには、ゲートパッド２２４を表わすコンタクトホール２７４が形成されている。保護膜２７０上には、コンタクトホール２７７を通じてドレーン電極２６６と電気的に連結され、画素に設けられる画素電極２８２が形成されている。データ電圧が印加された画素電極２８２は、第２の表示板２０の共通電極（図６の参照符号１４０）と一緒に電界を生成することによって画素電極２８２と共通電極１４０との間の液晶層の液晶分子の配列を決定して所望の画像を表示する。

また、保護膜２７０上には、コンタクトホール２７４を通じてゲートパッド２２４と連結されている補助ゲートパッド２８４及びコンタクトホール２７８を通じてデータパッド２６４と連結されている補助データパッド２８８が形成されている。

図９Ａ及び図９Ｂは、図６〜図７Ｂを参照して説明した第２の表示板２０と一緒にＴＮモードの液晶表示パネルを構成する第１の表示板１０である薄膜トランジスタアレイ表示板の他の断面図及びそのレイアウトである。図８Ａ及び図８Ｂに含まれた構成要素と実質的に同一な構成要素はその説明を省略（または簡略）する。

図８Ａ及び図８Ｂに示す第１の表示板１０の製造時には５枚のマスクが使用される反面、図９Ａ及び図９Ｂに示す第１の表示板１０の製造時には４枚のマスクが使用される。

すなわち、データ配線２６０形成時、抵抗性接触層２５０と半導体層２４０が同時にパターニングされる。したがって、ゲート線２２２と交差して画素を画定するデータ線２６２下部にこれと同一な形状の抵抗性接触層２５２と半導体パターン２４２とを含む。データ線２６２の一側端部に連結されて外部からの画像信号が印加されるデータパッド２６８とドレーン電極２６６から延長されて維持電極２２７と重畳する広い面積のドレーン電極拡張部２６７下部にもこれらと実質的に同一なプロファイルの抵抗性接触層（図示せず）と半導体パターン（図示せず）とを含む。

また、薄膜トランジスタを構成するチャネル領域を内部に含む半導体パターン（薄膜トランジスタ用半導体パターン）２４４の外観形状と抵抗性接触パターン２５５、２５６の外観形状とは、ソース電極２６５及びドレーン電極２６６の外観形状と同一である。すなわち、薄膜トランジスタのチャネル部でソース電極２６５とドレーン電極２６６が分離されており、ソース電極２６５下部の抵抗性接触パターン２５５とドレーン電極２６６下部の抵抗性接触パターン２５６も分離されているが、半導体パターン２４４はこの箇所で切れず連結されて薄膜トランジスタのチャネルを生成する。

図１０Ａ〜図１３Ｂは、電界が印加されない状態で液晶の長軸方向が第１及び第２の表示板１０、２０について垂直なＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードによる液晶表示パネルの実施形態を説明するための図面である。ＶＡモードは、電界形成手段である画素電極と共通電極とをパターニングするＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ＶＡ）やＳＰＶＡ（Ｓｕｐｅｒ ＰＶＡ）モード、あるいは、共通電極または画素電極上に突起を形成するＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉｄｏｍａｉｎ ＶＡ）モードに区分することができる。

図１０Ａと図１０Ｂは、ＰＶＡとＳＰＶＡモードによる液晶表示パネルの第２の表示板２０であるカラーフィルターアレイ表示板の断面図と共通電極のレイアウトである。共通電極は、一つの画素のレイアウトのみ示した。

図１０Ａ及び図１０Ｂを参照すれば、透明基板１００上にブラックマトリックス１１０が形成されている。ブラックマトリックス１１０は、第１の表示板１０のアクティブ領域Ａ１に形成された薄膜トランジスタ、ゲート配線、データ配線を覆う領域に形成されたブラックマトリックス１０２、共通電極の切開部１４２を覆うブラックマトリックス１０４、及び液晶マージン領域Ａ２に形成されたブラックマトリックス２２を含む。ブラックマトリックス１１０上にカラーフィルター１２０が形成され、カラーフィルター１２０上にオーバーコート層１３０が形成されている。共通電極１４０は、各画素別にゲート線（図１１Ａの参照符号２２２）について約４５度又は約−４５度に傾斜した多数の切開部１４２を有している。

多数の切開部１４２を含む共通電極１４０上に第２の表示板２０と第１の表示板１０との間のセルギャップを維持するためのカラムスペーサ１５０が形成されている。そして、カラムスペーサ１５０と同一工程で形成された不純物遮断液晶流動構造物３０が液晶マージン領域Ａ２上のブラックマトリックス２２上に形成されている。また、カラムスペーサ１５０と不純物遮断液晶流動構造物３０とは同一物質で形成される。

図１０Ａに示すカラムスペーサ１５０と不純物遮断液晶流動構造物３０の製造は、図７Ａ及び図７Ｂを参照して説明したマスクと製造方法によって形成することができるため、これについての説明は省略する。

図１１Ａ〜図１１Ｃは、図１０Ａ及び図１０Ｂに示す第２の表示板２０と結合してＶＡモードの液晶表示パネルを構成する第１の表示板１０である薄膜トランジスタアレイ表示板を示すレイアウト図である。

図１１Ａは、ＰＶＡモードによる薄膜トランジスタアレイ表示板のレイアウトを、図１１Ｂはカップリングキャパシタンスを使用するＳＰＶＡモードによる薄膜トランジスタアレイ表示板のレイアウトを、図１１Ｃは２個のトランジスタを使用するＳＰＶＡモードによる薄膜トランジスタアレイ表示板のレイアウトをそれぞれ示す。

図１１Ａ〜図１１Ｃにおいて、図８Ｂ及び図９Ｂの参照符号と同一の構成要素は、重複説明を避けるため省略する。また、同じ構成要素には、同じ参照符号を付してある。

図１１Ａを参照すれば、図８Ｂとは異なり、画素電極２８２内に多数の切開部２８３を備える。画素電極２８２の切開部２８３は、切開部２８３の間に共通電極の切開部１４２が置かれるようにレイアウトされ、各画素の表示領域を多数のドメインに分割する。したがって、各ドメイン別に液晶分子の傾斜方向を多くの方向に分散させることによって基準視野角が拡大されて側面視認性が改善することができる。

図１１Ｂを参照すれば、図１１Ａとは異なり、画素電極２８２が第１のサブ画素電極２８２ａと第２のサブ画素電極２８２ｂとに分離されている。第１のサブ画素電極２８２ａと第２のサブ画素電極２８２ｂとは画素領域を上下に二等分し、ゲート線２２２と並んだ線について実質的に鏡像的な対称関係である。そして、第１のサブ画素電極２８２ａと第２のサブ画素電極２８２ｂ内部に形成された切開部２８３と第１のサブ画素電極２８２ａと第２のサブ画素電極２８２ｂとの間に間隙２８４が形成され、共通電極１４０と共に画素を多数のドメインに分割する。

第１のサブ画素電極２８２ａは、薄膜トランジスタのドレーン電極２６６を通じて直接的に画像信号電圧が印加される反面、第２のサブ画素電極２８２ｂはドレーン電極拡張部２６７との結合によって電圧が変動するようになる。具体的には、第２のサブ画素電極２８２ｂの電圧は、第１のサブ画素電極２８２ａの電圧に比べて絶対値が常に低くなる。一つの画素領域内に電圧が異なる二つサブ画素電極を配置すれば、二つサブ画素電極が互いに補償しあいガンマ曲線の歪曲を減らすことができる。

図１１Ｃを参照すれば、図１１Ｂとは異なり、分離された第１のサブ画素電極２８２ａ及び第２のサブ画素電極２８２ｂがそれぞれ別個の薄膜トランジスタのドレーン電極２６６ａ、２６６ｂによって画像信号電圧が印加される。したがって、画素の周縁部に薄膜トランジスタが対称的にさらに一つ形成されたような構造を有することになる。第１のサブ画素電極２８２ａ及び第２のサブ画素電極２８２ｂにそれぞれ別個の画像信号電圧を印加することができるので、図１１Ｂの場合に比べてより効果的に側面視認性を改善すると共に、ガンマ曲線の歪曲を減らすことができる。

図１２Ａ〜図１２Ｃは、ＭＶＡモードによる液晶表示パネルの第２の表示板２０であるカラーフィルターアレイ表示板を示す断面図である。

図１２Ａ〜図１２Ｃを参照すれば、透明基板１００上にブラックマトリックス１１０が形成されている。ブラックマトリックス１１０は、第１の表示板１０のアクティブ領域Ａ１に形成された薄膜トランジスタ、ゲート配線、データ配線を覆う領域として形成されたブラックマトリックス１０２、及び液晶マージン領域Ａ２に形成されたブラックマトリックス２２を含む。ブラックマトリックス１１０上にカラーフィルター１２０が形成され、カラーフィルター１２０上にオーバーコート層１３０が形成されている。オーバーコート層１３０上にアクティブ領域Ａ１の全面にかけて一つの共通電極１４０が形成されている。共通電極１４０上に多数の突起１４５が形成されている。突起１４５は、画素を多数のドメインに区分して液晶配向を規制するためのものである。

図１２Ａは、突起１４５と同一工程及び同一物質で形成された液晶マージン領域Ａ２に、不純物遮断液晶流動構造物３０が形成されている実施形態を示したものである。この場合、カラムスペーサ（図示せず）は散布方式で提供されるか、または、突起１４５及び純物遮断液晶流動構造物３０と別個のパターニング工程を経て形成することができる。

図１２Ｂは、突起１４５、カラムスペーサ１５０、及び不純物遮断液晶流動構造物３０が同一物質として同時に形成された実施形態を示したものである。

図１２Ｃは、図１２Ｂと同様に、突起１４５、カラムスペーサ１５０、及び不純物遮断液晶流動構造物３０が同一物質で同時に形成された場合を示し、カラムスペーサ１５０の下部にＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルターパターンの積層構造が形成されている実施形態を示したものである。

図１３Ａ及び図１３Ｂは、図１２Ｃに示す第２の表示板２０の製造方法を説明するための図である。

図１３Ａを参照すれば、マスク４００は液晶マージン領域Ａ２に形成される不純物遮断液晶流動構造物パターン４３０、アクティブ領域Ａ１に形成される多数の突起パターン４４５、及びカラムスペーサパターン４５０を含む。露光しようとする対象がポジティブ感光性有機絶縁膜である場合、不純物遮断液晶流動構造物パターン４３０、突起パターン４４５、カラムスペーサパターン４５０は、透明基板上に形成された遮光パターンであることができる。一方、露光しようとする対象がネガティブ感光性有機絶縁膜である場合、投光パターンであることができる。形成しようとする不純物遮断液晶流動構造物３０の高さが突起１４５とカラムスペーサ１５０の高さに比べて高いので突起パターン４４５と、カラムスペーサパターン４５０とをスリットパターン、格子形態のパターン、又は半透過膜パターンで構成することができる。この時、スリットの間に設けられたパターンの線幅やパターンの間の間隔、すなわち、スリットの幅は、露光時に使用する露光機の分解能より狭いことが好ましく、半透過膜パターンを用いる場合にはマスクを製作するとき透過率を調節するために他の透過率を有する薄膜を用いるか、または厚さが異なる薄膜を用いることができる。

図１３Ｂは、カラムスペーサ１５０、突起１４５、及び不純物遮断液晶流動構造物３０を形成するための露光工程を示す断面図である。

図１３Ｂを参照すれば、ブラックマトリックス１１０、カラーフィルター１２０、オーバーコート層１３０、共通電極１４０、及び感光性有機絶縁膜１５０ａが順次形成されている基板１００について、図１３Ａに示すマスク４００を使用して露光工程を実施する。カラムスペーサ１５０が形成される領域にＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルターパターン１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂが積層されてカラムスペーサの下部を構成している。なお、ブラックマトリックス１１０、ブラックマトリックス２２、カラーフィルター１２０、オーバーコート層１３０、共通電極１４０、感光性有機絶縁膜１５０ａの形成は当業者に広く知られた工程段階によって形成することができるので詳細な説明は適宜省略して説明する。

図１３Ｂは、感光性有機絶縁膜１５０ａをネガティブ感光性有機絶縁物で形成した場合を例示したものである。図１３Ｂに示すように、露光された領域の有機絶縁膜１５０ａは露光によって架橋結合が起こるため後の現像工程時に露光部分だけ残留するようになり、図１２Ｃに示すカラムスペーサ１５０、突起１４５と不純物遮断液晶流動構造物３０が形成されるようになる。

図示はしないが、図１２Ａに示す第２の表示板２０は、図１３Ａでカラムスペーサパターン４５０が省略されたマスクを使用して形成することができる。また、図１２Ｂに示す第２の表示板２０は、図１３Ａでカラムスペーサパターン４５０を構成するスリットパターン、格子形態のパターン、又は半透過膜パターンを調節して、不純物遮断液晶流動構造物３０と実質的に同一であるか、または若干低い高さのカラムスペーサ１５０を形成することができる。

図１２Ａ〜図１２Ｃに示す第２の表示板２０は、図８Ａ〜図９Ｂ、図１１Ａ〜図１１Ｃを参照して説明した第１の表示板１０と結合されて液晶表示パネルを構成することができる。また、図１１Ａ〜図１１Ｃを参照して説明した第１の表示板１０を構成する画素電極の切開部を形成せず、切開部と同一なパターンの突起を画素電極上に形成した第１の表示板１０に代替してもよい。

図１４及び図１５は、電界が印加されない状態における液晶の長軸方向が第１の表示板１０及び第２の表示板２０に平行し、電界が横方向に形成されるＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードによる液晶表示パネルの実施形態を説明するための図面である。

図１４は、ＩＰＳモードによる液晶表示パネルのカラーフィルターアレイ表示板である第２の表示板２０の断面図である。

図１４を参照すれば、共通電極が形成されない点においてのみ図６に示すカラーフィルターアレイ表示板と差があり、残りの構成要素は実質的に同一である。カラムスペーサ１５０と同一物質で液晶マージン領域Ａ２に形成されたブラックマトリックス２２上に不純物遮断液晶流動構造物３０が形成されている。図１４のカラムスペーサ１５０と不純物遮断液晶流動構造物と３０は、図７Ａに示すマスクを使用して製造できるためこれについての説明は省略する。

図１５は、図１４を参照して説明した第２の表示板２０と一緒にＩＰＳモードの液晶表示パネルを構成する第１の表示板１０である薄膜トランジスタアレイ表示板のレイアウトである。

図１５を参照すれば、図７Ａ及び図７Ｂを参照して説明した第１の表示板１０とは違って、画素内に画素電極２８２と画素電極と横電界を形成するための共通電極２８９を含む。共通電極２８９は、コンタクトホール２７９を通じてゲート線２２２と平行にゲート線２２２と同一工程で同一物質として形成された共通線２２８と連結されて共通電圧が伝達される。その他図７Ａ及び図７Ｂと同一参照符号は同一構成要素を示すため、これについての説明は省略する。

図面に示さないが、図１４の第２の表示板２０と一緒に液晶表示パネルを構成できる第１の表示板１０は、ＤＦＳ、ＰＬＳモードの薄膜トランジスタアレイ表示板で実現されてもよい。

図７Ａ〜図１５では不純物遮断液晶流動構造物３０が第２の表示板２０上に形成された実施形態を例示した。特に、不純物遮断液晶流動構造物３０がカラムスペーサ１５０及び／又は突出部１４５と同一工程において同一物質で形成された場合を例示したが、不純物遮断液晶流動構造物３０はカラムスペーサ１５０及び／又は突出部１４５と別個の工程で形成することができ、この場合、カラムスペーサ１５０はパターニングによって形成した場合に制限されることではなく、散布によって第２の表示板２０上に分散されたカラムスペーサが含まれてもよい。

一方、不純物遮断液晶流動構造物３０は、第１の表示板１０である薄膜トランジスタアレイ表示板上に形成されるか、あるいは第１の表示板１０と第２の表示板２０との両側に形成されてもよい。

図１６Ａ及び図１６Ｂは、不純物遮断液晶流動構造物３０が第１の表示板１０上に形成された実施形態を例示したものである。この時、第１の表示板１０は前述したＴＮ、ＶＡ、ＩＰＳモードによる全ての表示板に適用することができるため、図１６Ａ及び図１６Ｂでは説明の簡略化のため下部ＴＦＴをボックス形態に開示し、画素電極の図示は省略する。

図１６Ａ及び図１６Ｂを参照すれば、不純物遮断液晶流動構造物３０は、前記各実施形態による第１の表示板１０でドレーン電極拡張部２６７を露出させるコンタクトホール２７７を備える保護膜２７０からなることができる。この場合、保護膜２７０は有機膜として形成できる。

図１６Ａに示すように不純物遮断液晶流動構造物３０は、コンタクトホール２７７形成と同時に形成されてもよく、図１６Ｂに示すように不純物遮断液晶流動構造物３０はコンタクトホール２７７及びカラムスペーサ２７２と一緒に形成されてもよい。

図１７は、不純物遮断及び液晶流動構造物３０が第１の表示板１０及び第２の表示板２０全てに形成された実施形態を例示したものである。第１の表示板１０と第２の表示板２０とは、前述したＴＮ、ＶＡ、ＩＰＳモードによる全ての表示板に適用することができるため、説明の簡略化のため第１の表示板１０と第２の表示板２０で多数の構成要素を概略化して示し、画素電極及び共通電極は省略して示す。

図１７を参照すれば、セルギャップの一部の高さの第１の構造物３１ａが第１の表示板１０に形成され、セルギャップの残り高さの第２の構造物３１ｂが第２の表示板２０上に形成され、第１の表示板１０及び第２の表示板２０を結合して不純物遮断液晶流動構造物３０を形成することができる。

図１７に示すように、第１の構造物３０ａ及び第２の構造物３０ｂと一緒に第１の表示板１０上にセルギャップの一部の高さの第１のカラムスペーサ２７２ａが第２の表示板２０上にセルギャップの残り高さの第２のカラムスペーサ２７２ｂが形成され、第１の表示板１０及び第２の表示板２０を結合してカラムスペーサＣＳを形成することができる。

本発明は、図面に示された実施形態を参考に説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点が理解できる。したがって、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲の記載によって決定されなければならない。

本発明は、液晶表示パネル及びその製造方法に適用されうる。

本発明の実施形態による液晶表示パネルの平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切った断面図である。 不純物遮断液晶流動構造物の多様な構造及び配列を説明するための概略図である。 不純物遮断液晶流動構造物の多様な構造及び配列を説明するための概略図である。 不純物遮断液晶流動構造物の多様な構造及び配列を説明するための概略図である。 不純物遮断液晶流動構造物の多様な構造及び配列を説明するための概略図である。 不純物遮断液晶流動構造物の多様な構造及び配列を説明するための概略図である。 不純物遮断液晶流動構造物の多様な構造及び配列を説明するための概略図である。 不純物遮断液晶流動構造物の多様な構造及び配列を説明するための概略図である。 不純物遮断液晶流動構造物の多様な構造及び配列を説明するための概略図である。 本発明の一実施形態によるＴＮモード液晶表示パネルの第２の表示板であるカラーフィルターアレイ表示板の断面図である。 図６に示すカラーフィルターアレイ表示板の製造に使用されるマスクのレイアウトである。 図７Ａのマスクを使用した露光工程を示す断面図である。 図６を参照して説明した第２の表示板と一緒にＴＮモードの液晶表示パネルを構成する第１の表示板である薄膜トランジスタアレイ表示板を示す断面図とレイアウトである。 図６を参照して説明した第２の表示板と一緒にＴＮモードの液晶表示パネルを構成する第１の表示板である薄膜トランジスタアレイ表示板を示す断面図とレイアウトである。 図６を参照して説明した第２の表示板と一緒にＴＮモードの液晶表示パネルを構成する第１の表示板である薄膜トランジスタアレイ表示板を示す断面図とレイアウトである。 図６を参照して説明した第２の表示板と一緒にＴＮモードの液晶表示パネルを構成する第１の表示板である薄膜トランジスタアレイ表示板を示す断面図とレイアウトである。 本発明の一実施形態によるＰＶＡモード及びＳＰＶＡモード液晶表示パネルの第２の表示板であるカラーフィルターアレイ表示板の断面図と共通電極のレイアウトである。 本発明の一実施形態によるＰＶＡモード及びＳＰＶＡモード液晶表示パネルの第２の表示板であるカラーフィルターアレイ表示板の断面図と共通電極のレイアウトである。 図１０Ａ及び図１０Ｂに示す第２の表示板と一緒にＶＡモード液晶表示パネルを構成する第１の表示板である薄膜トランジスタアレイ表示板の多様なレイアウトである。 図１０Ａ及び図１０Ｂに示す第２の表示板と一緒にＶＡモード液晶表示パネルを構成する第１の表示板である薄膜トランジスタアレイ表示板の多様なレイアウトである。 図１０Ａ及び図１０Ｂに示す第２の表示板と一緒にＶＡモード液晶表示パネルを構成する第１の表示板である薄膜トランジスタアレイ表示板の多様なレイアウトである。 本発明の一実施形態によるＭＶＡモード液晶表示パネルの第２の表示板であるカラーフィルターアレイ表示板の多様な断面図である。 本発明の一実施形態によるＭＶＡモード液晶表示パネルの第２の表示板であるカラーフィルターアレイ表示板の多様な断面図である。 本発明の一実施形態によるＭＶＡモード液晶表示パネルの第２の表示板であるカラーフィルターアレイ表示板の多様な断面図である。 図１２Ｃに示す第２の表示板の製造に使用されるマスクレイアウトである。 図１３Ａのマスクを使用した露光工程を示す断面図である。 本発明の一実施形態によるＩＰＳモード液晶表示パネルの第２の表示板であるカラーフィルターアレイ表示板の断面図である。 図１４を参照して説明した第２の表示板と一緒にＩＰＳモード液晶表示パネルを構成する第１の表示板である薄膜トランジスタアレイ表示板のレイアウトである。 本発明の一実施形態による液晶表示パネルの第１の表示板で不純物遮断及び液晶流動構造物が形成された薄膜トランジスタアレイ表示板の断面図である。 本発明の一実施形態による液晶表示パネルの第１の表示板で不純物遮断及び液晶流動構造物が形成された薄膜トランジスタアレイ表示板の断面図である。 不純物遮断及び液晶流動構造物が第１及び第２の表示板全てに形成された本発明の一実施形態による液晶表示パネルを示す断面図である。

符号の説明

１０ 第１の表示板、
２０ 第２の表示板、
３０ 不純物遮断液晶流動構造物、
４０ シール、
５０ 液晶層。

Claims (23)

1. 互いに対向する第１の表示板及び第２の表示板と、
   前記第１の表示板と前記第２の表示板との間に介在される液晶層と、
   前記第１の表示板と前記第２の表示板とを結合して前記液晶層の漏洩を防止するためのシールと、
   前記シール内側に配列され、前記シールから前記第１の表示板及び前記第２の表示板のアクティブ領域に不純物が流入されることを遮断し、前記シール側に液晶の流動が可能な流動経路を備える不純物遮断液晶流動構造物と、
   を含むことを特徴とする液晶表示パネル。
2. 前記不純物遮断液晶流動構造物は、前記シールと前記アクティブ領域との間のブラックマトリックスフレーム領域に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
3. 前記不純物遮断液晶流動構造物は、前記流動経路によって分離された不連続的な形状パターンを有する構造物であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
4. 前記不純物遮断液晶流動構造物は、前記シールと対向する少なくとも一つの不純物を遮断するための不純物トラップ溝を含む形状パターンを有し、一の前記不純物トラップ溝と他の前記不純物トラップ溝とは、前記流動経路の幅ほど離隔されて形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
5. 前記形状パターンは、少なくとも２つのラインに沿って反復して配列され、第１のラインに配列される形状パターンと第２のラインに配列される形状パターンとは、互い違いに配列されることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示パネル。
6. 前記第１のラインの一の形状パターンの一部と当該一の形状パターンに隣接する他の形状パターンの一部とが、前記第２のラインの形状パターンの両端部近傍と対応する領域に配列されることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示パネル。
7. 前記第２の表示板は、前記第１の表示板及び前記第２の表示板間のセルギャップを維持するためのカラムスペーサを含むカラーフィルターアレイ表示板であって、
   前記不純物遮断液晶流動構造物は、前記カラムスペーサと同一物質から形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
8. 前記第２の表示板は、切開部を含む共通電極を含み、
   前記第１の表示板は、前記切開部の間に置かれる切開部が形成された画素電極を含む薄膜トランジスタアレイ表示板であることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示パネル。
9. 前記画素電極は、各画素別に対称的に分離された第１のサブ画素電極及び第２のサブ画素電極を含み、
   前記第１のサブ画素電極は、薄膜トランジスタのドレーン電極を通じて直接、画像信号電圧が印加され、
   前記第２のサブ画素電極は、前記ドレーン電極拡張部との容量性結合によって画像信号電圧が印加されることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示パネル。
10. 前記画素電極は、各画素別に対称的に分離された第１のサブ画素電極及び第２のサブ画素電極を含み、前記第１のサブ画素電極及び前記第２のサブ画素電極はそれぞれ別個の薄膜トランジスタのドレーン電極を通じて直接、画像信号電圧が印加されることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示パネル。
11. 前記第２の表示板は、突起が形成された共通電極又は突起及びカラムスペーサが形成された共通電極を含むカラーフィルターアレイ表示板であり、
    前記不純物遮断液晶流動構造物は、前記突起及び／又は前記カラムスペーサと同一物質から形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
12. 前記カラムスペーサの下部にカラーフィルターパターンの積層構造を含むことを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示パネル。
13. 前記第１の表示板は、一の前記突起と他の前記突起との間に配置される切開部を含む画素電極、又は一の前記突起と他の前記突起との間に配置される突起を含む画素電極有する薄膜トランジスタアレイ表示板であることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示パネル。
14. 前記第２の表示板は、前記第１の表示板及び前記第２の表示板間のセルギャップを維持するためのカラムスペーサを含む一方、電極を含まないカラーフィルターアレイ表示板であり、前記不純物遮断液晶流動構造物は前記カラムスペーサと同一物質から形成され、
    前記第１の表示板は、横電界を形成するための画素電極と共通電極とを含む薄膜トランジスタアレイ表示板であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
15. 前記第１の表示板は、前記薄膜トランジスタを覆うように形成され、前記薄膜トランジスタのドレーン電極を露出させるコンタクトホールが形成された有機絶縁膜を含む薄膜トランジスタアレイ表示板であって、
    前記不純物遮断液晶流動構造物は、前記有機絶縁膜から形成されることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示パネル。
16. 前記第１の表示板は、前記有機絶縁膜から形成されるカラムスペーサをさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示パネル。
17. 前記第１の表示板上には、セルギャップの一部の高さを有する第１の不純物遮断液晶流動構造物が形成され、
    前記第２の表示板上には、前記セルギャップの高さから前記セルギャップの一部の高さ除いた高さを有する第２の不純物遮断液晶流動構造物が形成されることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示パネル。
18. 前記第１の表示板は、前記第１の不純物遮断液晶流動構造物と同一物質から形成され、前記セルギャップの一部の高さを有する第１のカラムスペーサを含み、
    前記第２の表示板は、前記第２の不純物遮断液晶流動構造物と同一物質から形成され、前記セルギャップの高さから前記セルギャップの一部の高さを除いた残り高さを有する第２のカラムスペーサを含むことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示パネル。
19. 一の表示板と他の表示板との間のセルギャップを維持するためのカラムスペーサを形成するためのカラムスペーサパターンと、
    不純物が流入されることを遮断し、液晶の流動を可能にするための流動経路を備える不純物遮断液晶流動構造物を形成するための不純物遮断液晶流動構造物パターンと、
    を含むことを特徴とするカラーフィルターアレイ形成用マスク。
20. 液晶配向の規制をする突起を形成するための突起パターンと、
    不純物が流入されることを遮断し、液晶の流動を可能にするための流動経路を備える不純物遮断液晶流動構造物を形成するための不純物遮断液晶流動構造物パターンと、
    を含むことを特徴とするカラーフィルターアレイ形成用マスク。
21. 一の表示板と他の表示板との間のセルギャップを維持するためのカラムスペーサを形成するためのカラムスペーサパターンをさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載のカラーフィルターアレイ形成用マスク。
22. 薄膜トランジスタのドレーン電極を露出させるコンタクトホールパターンと、
    不純物が流入されることを遮断し、液晶の流動を可能にするための流動経路を備える不純物遮断液晶流動構造物を形成するための不純物遮断液晶流動構造物パターンと、
    を含むことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ形成用マスク。
23. 一の表示板と他の表示板との間のセルギャップを維持するためのカラムスペーサを形成するためのカラムスペーサパターンをさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載の薄膜トランジスタアレイ形成用マスク。