JP2007123658A - Expansion apparatus of adhesive tape - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an expansion apparatus of an adhesive tape which equally expands a heat-shrinkable adhesive tape to which a wafer is stuck, mounted so as to cover an opening inside of an annular frame. <P>SOLUTION: The apparatus is provided with: the annular frame holding the heat-shrinkable adhesive tape 3 to which the wafer 10 is stuck; a frame holding means for holding the frame with a clamp 52; an annular expansion member 61 provided with an expansion auxiliary roller 613 acting on a shrinking area between a wafer-stuck area of the adhesive tape and the frame; a holding table 62 provided with a holding surface for sucking and holding the wafer-stuck area in the adhesive tape; a forward and backward moving means for moving the expansion member and the holding table 62 relatively in an axial direction with respect to the frame holding means; an evacuation means 7 for operating the expansion member so that the expansion auxiliary roller 613 arranged at the expansion member may be at an evacuation position below the holding surface of the holding table; and a heating means for heating the shrinking area in the adhesive tape. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、環状のフレームの内側開口部を覆うように装着され、格子状に形成された複数のストリートによって複数の領域が区画されているウエーハが貼着された粘着テープを拡張するための貼着テープの拡張装置に関する。   The present invention provides a tape for expanding a pressure-sensitive adhesive tape that is attached so as to cover an inner opening of an annular frame and has a wafer in which a plurality of areas are defined by a plurality of streets formed in a lattice shape. The present invention relates to a receiving tape expansion device.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って分割することにより個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って分割することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスを製造している。   In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are defined by streets formed in a lattice pattern on the surface of a substantially disc-shaped semiconductor wafer, and devices such as IC and LSI are formed in the partitioned regions. Individual semiconductor chips are manufactured by dividing the semiconductor wafer along the streets. In addition, an optical device wafer in which a gallium nitride compound semiconductor or the like is laminated on the surface of a sapphire substrate is also divided along the street to manufacture individual optical devices such as light emitting diodes and laser diodes.

上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のストリートに沿った分割は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードを備えた切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを具備し、切削ブレードを回転しつつチャックテーブル加工送りすることにより、ウエーハをストリートに沿って切断する。   The division along the streets of the above-described semiconductor wafer, optical device wafer or the like is usually performed by a cutting apparatus called a dicer. The cutting apparatus includes a chuck table for holding a workpiece such as a semiconductor wafer, a cutting means having a cutting blade for cutting the workpiece held on the chuck table, and a chuck table and the cutting means. And a processing feed means for processing and feeding to the chuck, and the wafer is cut along the street by feeding the chuck table while rotating the cutting blade.

一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する赤外光領域のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部に分割予定ラインに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。（例えば、特許文献１参照。）
特許第３４０８８０５号公報 On the other hand, in recent years, as a method of dividing a plate-like workpiece such as a semiconductor wafer, a pulse laser beam that uses a pulsed laser beam that is transparent to the workpiece and aligns a condensing point inside the region to be divided A laser processing method for irradiating the film has also been attempted. In the dividing method using this laser processing method, a pulse laser beam in an infrared light region having a light-transmitting property with respect to the work piece is irradiated from the one surface side of the work piece to the inside, and irradiated. The workpiece is divided by continuously forming a deteriorated layer along the planned division line inside the workpiece and applying external force along the planned division line whose strength has been reduced by the formation of this modified layer. To do. (For example, refer to Patent Document 1.)
Japanese Patent No. 3408805

上述したようにウエーハを個々のチップに分割する場合、分割されたチップがバラバラにならないようにウエーハは環状のフレームに装着された粘着テープの表面に貼着されている。このようにして複数のチップに分割されたウエーハは、粘着テープを介して環状のフレームに支持された状態で次工程に搬送される。   As described above, when a wafer is divided into individual chips, the wafer is adhered to the surface of an adhesive tape mounted on an annular frame so that the divided chips do not fall apart. The wafer thus divided into a plurality of chips is conveyed to the next process while being supported by the annular frame via the adhesive tape.

しかるに、ウエーハは脆性材料によって形成されているために、粘着テープに貼着されている複数のチップの各チップ間に十分な隙間が存在しない場合には、搬送時に粘着テープの撓みに起因して隣接するチップ同士が接触して欠損または破損の原因となるという問題がある。   However, since the wafer is formed of a brittle material, if there is not enough space between each chip of a plurality of chips attached to the adhesive tape, it is caused by the deflection of the adhesive tape during transportation. There is a problem that adjacent chips come into contact with each other to cause a defect or damage.

このような問題を解消するため、複数のチップが貼着された粘着テープを拡張して各チップ間の間隔を広げるチップ間隔拡張装置が、下記特許文献２に開示されている。この特許文献２に開示されたチップ間隔拡張装置は、複数のチップが貼着された熱収縮性粘着テープが装着されている環状のフレームを保持する筒状のベースと、該筒状のベース内に同心的に配設され筒状のベースの軸方向に基準位置から拡張位置の間を移動可能に構成された筒状の拡張部材と、筒状の拡張部材の上端に装着され熱収縮性粘着テープにおける複数のチップが貼着されている領域を吸引保持する支持テーブルと、筒状の拡張部材と筒状のベースとの間に配設され熱収縮性粘着テープにおける複数のチップが貼着されている領域と環状のフレームとの間の領域に赤外線を照射する赤外線ヒータとを有する拡張手段とによって構成されている。
特開２００３−５１４６５号公報 In order to solve such a problem, a chip interval expanding device that expands an adhesive tape to which a plurality of chips are attached to increase the interval between the chips is disclosed in Patent Document 2 below. The chip interval expanding device disclosed in Patent Document 2 includes a cylindrical base that holds an annular frame on which a heat-shrinkable adhesive tape having a plurality of chips attached thereto is mounted, and an inner portion of the cylindrical base. A cylindrical expansion member that is arranged concentrically with the cylindrical base so as to be movable between a reference position and an expansion position in the axial direction of the cylindrical base, and a heat-shrinkable adhesive that is attached to the upper end of the cylindrical expansion member A plurality of chips in a heat-shrinkable adhesive tape are attached between a support table that sucks and holds a region where a plurality of chips on the tape are attached, a cylindrical expansion member, and a cylindrical base. And an expansion means having an infrared heater for irradiating infrared light to the region between the region and the annular frame.
JP 2003-51465 A

而して、上記特許文献２に開示されたチップ間隔拡張装置においては、筒状の拡張部材を基準位置から拡張位置に移動する際に熱収縮性粘着テープとの間に生ずる摩擦力が大きいため、熱収縮性粘着テープを均一に拡張することができず、従って熱収縮性粘着テープに貼着されている複数のチップ間に均一な間隔を形成することができない。また、熱収縮性粘着テープを拡張した後に熱収縮性粘着テープにおける複数のチップが貼着されている領域を支持テーブルに吸引保持し、筒状の拡張部材を拡張位置から基準位置に移動して、熱収縮性粘着テープにおける複数個のチップが貼着されている領域と環状のフレームとの間を赤外線ヒータによって加熱して熱収縮性粘着テープを収縮させるが、熱収縮性粘着テープを確実に収縮することができない。即ち、熱収縮性粘着テープを加熱しても筒状の拡張部材が熱収縮性粘着テープに接触しているために、熱が筒状の拡張部材に吸収され熱収縮性粘着テープにおける筒状の拡張部材と接触している領域が収縮されず皺状になってしまう。   Thus, in the chip interval expansion device disclosed in Patent Document 2, the frictional force generated between the cylindrical expansion member and the heat-shrinkable adhesive tape when moving the cylindrical expansion member from the reference position to the expansion position is large. The heat-shrinkable adhesive tape cannot be expanded uniformly, and therefore a uniform interval cannot be formed between the plurality of chips attached to the heat-shrinkable adhesive tape. In addition, after expanding the heat-shrinkable adhesive tape, the area where the plurality of chips in the heat-shrinkable adhesive tape are attached is sucked and held on the support table, and the cylindrical expansion member is moved from the expanded position to the reference position. The heat shrinkable adhesive tape is shrunk by heating with an infrared heater between the area where the plurality of chips in the heat shrinkable adhesive tape are attached and the annular frame. Can't shrink. That is, since the cylindrical expansion member is in contact with the heat-shrinkable adhesive tape even when the heat-shrinkable adhesive tape is heated, the heat is absorbed by the cylindrical expansion member and the cylindrical expansion member in the heat-shrinkable adhesive tape is The region in contact with the expansion member is not shrunk and becomes hooked.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、環状のフレームの内側開口部を覆うように装着されウエーハが貼着された熱収縮性粘着テープを均一に拡張することができるとともに、該熱収縮性粘着テープにおけるウエーハが貼着されている領域と環状のフレームとの間の領域を均一に収縮することができる粘着テープの拡張装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and its main technical problem is to uniformly expand the heat-shrinkable adhesive tape that is mounted so as to cover the inner opening of the annular frame and to which the wafer is attached. Another object of the present invention is to provide a pressure-sensitive adhesive tape expansion device capable of uniformly shrinking a region between a wafer-attached region and an annular frame in the heat-shrinkable pressure-sensitive adhesive tape.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、環状のフレームの内側開口部を覆うように装着されウエーハが貼着された熱収縮性粘着テープを拡張する貼着テープの拡張装置において、
該環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、
該フレーム保持手段に保持された該環状のフレームに装着された該熱収縮性粘着テープにおけるウエーハが貼着されているウエーハ貼着領域と該環状のフレームとの間の収縮領域に作用する拡張補助ローラを備えた環状の拡張部材と、
該拡張部材内に配設され該熱収縮性粘着テープにおける該ウエーハ貼着領域を吸引保持する保持面を備えた保持テーブルと、
該フレーム保持手段と該拡張部材および該保持テーブルとを軸方向に基準位置から拡張位置の間を相対的に移動せしめる進退手段と、
該拡張部材に配設された該拡張補助ローラが該保持テーブルの保持面より下方の退避位置になるように該拡張部材を作動する退避手段と、
該環状のフレームが該フレーム保持手段に保持された状態で該環状のフレームに装着された該熱収縮性粘着テープにおける該収縮領域を加熱する加熱手段と、を具備している、
ことを特徴とする粘着テープの拡張装置が提供される。 In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, in the expansion device for the adhesive tape that extends the heat-shrinkable adhesive tape that is attached so as to cover the inner opening of the annular frame and the wafer is attached,
Frame holding means for holding the annular frame;
Expansion aid that acts on the shrinkage area between the wafer attachment area where the wafer is attached to the heat-shrinkable adhesive tape attached to the annular frame held by the frame holding means and the annular frame An annular expansion member with a roller;
A holding table provided in the expansion member and having a holding surface for sucking and holding the wafer attaching region in the heat-shrinkable adhesive tape;
Advancing / retracting means for relatively moving the frame holding means, the extension member and the holding table in the axial direction between a reference position and an extended position;
Retraction means for operating the expansion member so that the expansion auxiliary roller disposed on the expansion member is at a retraction position below the holding surface of the holding table;
Heating means for heating the shrinkage region in the heat-shrinkable adhesive tape attached to the annular frame in a state where the annular frame is held by the frame holding means;
An expansion device for an adhesive tape is provided.

本発明による粘着テープの拡張装置によれば、環状の拡張部材は熱収縮性粘着テープにおける収縮領域に作用する拡張補助ローラを備えているので、拡張補助ローラと熱収縮性粘着との間に生ずる摩擦力が小さいため、熱収縮性粘着テープは均一に拡張される。従って、ウエーハが格子状のストリートに沿って分離され各チップ間の間隔が均一となる。また、本発明によれば、熱収縮性粘着テープにおける収縮領域を加熱手段によって加熱して収縮させる際には、退避手段を作動して拡張部材を拡張補助ローラが保持テーブルの保持面より下方となる退避位置に位置付けるので、拡張補助ローラが熱収縮性粘着テープと接触していないため、加熱手段によって熱収縮性粘着テープが過熱された熱を吸収することはない。従って、熱収縮性粘着テープは部分的に冷却されることがないので皺状にならないため、熱収縮性粘着テープにおける収縮領域を均一に収縮することができる。この結果、熱収縮性粘着テープに貼着されている各チップ間に形成された間隔が均一に維持され、個々のチップ同士が接触することはなく、搬送時等においてチップ同士が接触することによる損傷を防止することができる。   According to the pressure-sensitive adhesive tape expansion device of the present invention, the annular expansion member includes the expansion auxiliary roller that acts on the contraction region of the heat-shrinkable pressure-sensitive adhesive tape, and thus occurs between the expansion auxiliary roller and the heat-shrinkable pressure-sensitive adhesive. Since the frictional force is small, the heat-shrinkable adhesive tape is uniformly expanded. Therefore, the wafer is separated along the grid-like street, and the distance between the chips becomes uniform. Further, according to the present invention, when the shrinkage region of the heat-shrinkable adhesive tape is heated and shrunk by the heating means, the retracting means is operated so that the extension member is positioned below the holding surface of the holding table. Since the expansion auxiliary roller is not in contact with the heat-shrinkable adhesive tape, the heat-shrinkable adhesive tape does not absorb the heat overheated by the heating means. Therefore, since the heat-shrinkable adhesive tape is not partially cooled and does not become a cocoon, the shrinkage region in the heat-shrinkable adhesive tape can be uniformly shrunk. As a result, the space formed between the chips attached to the heat-shrinkable adhesive tape is maintained uniformly, the individual chips do not contact each other, and the chips contact each other during transportation. Damage can be prevented.

以下、本発明に従って構成された粘着テープの拡張装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, a preferred embodiment of an expansion device for an adhesive tape constructed according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１には、本発明による粘着テープの拡張装置によって拡張される粘着テープに貼着されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ１０は、例えば厚さが３００μmのシリコンウエーハからなっており、表面１０ａには複数の分離分割予定ライン１０１が格子状に形成されている。そして、半導体ウエーハ１０の表面１０aには、格子状に形成された複数のストリート１０１によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス１０２が形成されている。   FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer as a wafer adhered to an adhesive tape that is expanded by an adhesive tape expansion device according to the present invention. A semiconductor wafer 10 shown in FIG. 1 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 300 μm, and a plurality of scheduled division lines 101 are formed in a lattice shape on a surface 10a. On the surface 10 a of the semiconductor wafer 10, devices 102 such as ICs and LSIs are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets 101 formed in a lattice shape.

上記半導体ウエーハ１０をストリート１０１に沿って分割し個々のチップに分離する方法の一例について説明する。
図示の実施形態においては、先ず半導体ウエーハ１０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線をストリートに１０１に沿って照射し、半導体ウエーハ１０の内部にストリート１０１に沿って変質層を形成することにより、ストリート１０１に沿って強度を低下せしめる変質層形成工程を実施する。この変質層形成工程は、図２に示すレーザー加工装置１を用いて実施する。図２に示すレーザー加工装置１は、被加工物を保持するチャックテーブル１１と、該チャックテーブル１１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段１２と、チャックテーブル１１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段１３を具備している。チャックテーブル１１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図２において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。 An example of a method of dividing the semiconductor wafer 10 along the street 101 and separating it into individual chips will be described.
In the illustrated embodiment, first, a pulsed laser beam having a wavelength that is transparent to the semiconductor wafer 10 is irradiated along the street 101 along the street 101, thereby forming a deteriorated layer along the street 101 inside the semiconductor wafer 10. Then, a deteriorated layer forming step for reducing the strength along the street 101 is performed. This deteriorated layer forming step is performed using a laser processing apparatus 1 shown in FIG. A laser processing apparatus 1 shown in FIG. 2 has a chuck table 11 that holds a workpiece, a laser beam irradiation means 12 that irradiates a workpiece held on the chuck table 11 with a laser beam, and a chuck table 11 that holds the workpiece. An image pickup means 13 for picking up an image of the processed workpiece is provided. The chuck table 11 is configured to suck and hold a workpiece, and can be moved in a machining feed direction indicated by an arrow X and an index feed direction indicated by an arrow Y in FIG. Yes.

上記レーザー光線照射手段１２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング１２１を含んでいる。ケーシング１２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング１２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器１２２が装着されている。   The laser beam irradiation means 12 includes a cylindrical casing 121 disposed substantially horizontally. In the casing 121, a pulse laser beam oscillation means including a pulse laser beam oscillator or a repetition frequency setting means (not shown) including a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator is disposed. A condenser 122 for condensing the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillating means is attached to the tip of the casing 121.

上記レーザー光線照射手段１２を構成するケーシング１２１の先端部に装着された撮像手段１３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。   In the illustrated embodiment, the image pickup means 13 mounted on the tip of the casing 121 constituting the laser beam irradiation means 12 emits infrared rays to the workpiece in addition to a normal image pickup device (CCD) that picks up an image with visible light. Infrared illumination means for irradiating, an optical system for capturing infrared light emitted by the infrared illumination means, an image pickup device (infrared CCD) for outputting an electrical signal corresponding to the infrared light captured by the optical system, and the like Then, the captured image signal is sent to a control means (not shown).

上述したレーザー加工装置１を用いて実施する変質層形成工程について、図２乃至４を参照して説明する。
この変質層形成行程は、先ず上述した図２に示すレーザー加工装置１のチャックテーブル１１上に半導体ウエーハ１０を裏面１０ｂを上にして載置し、該チャックテーブル１１上に半導体ウエーハ１０を吸着保持する。半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル１１は、図示しない移動機構によって撮像手段１３の直下に位置付けられる。 The deteriorated layer forming step performed using the laser processing apparatus 1 described above will be described with reference to FIGS.
In this deteriorated layer forming step, first, the semiconductor wafer 10 is placed on the chuck table 11 of the laser processing apparatus 1 shown in FIG. 2 with the back surface 10b facing up, and the semiconductor wafer 10 is held on the chuck table 11 by suction. To do. The chuck table 11 that sucks and holds the semiconductor wafer 10 is positioned directly below the imaging means 13 by a moving mechanism (not shown).

チャックテーブル１１が撮像手段１３の直下に位置付けられると、撮像手段１３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段１３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されているストリート１０１と、該ストリート１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段１２の集光器１２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ１０に形成されている所定方向と直交する方向に形成されているストリート１０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ１０のストリート１０１が形成されている表面１０ａは下側に位置しているが、撮像手段１３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面１０ｂから透かしてストリート１０１を撮像することができる。   When the chuck table 11 is positioned immediately below the image pickup means 13, an alignment operation for detecting a processing region to be laser processed of the semiconductor wafer 10 is executed by the image pickup means 13 and a control means (not shown). That is, the imaging unit 13 and the control unit (not shown) align the street 101 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 10 and the condenser 122 of the laser beam irradiation unit 12 that irradiates the laser beam along the street 101. Image processing such as pattern matching is performed to perform the laser beam irradiation position alignment. Similarly, the alignment of the laser beam irradiation position is performed on the street 101 formed in the direction orthogonal to the predetermined direction formed in the semiconductor wafer 10. At this time, the surface 10a on which the street 101 of the semiconductor wafer 10 is formed is located on the lower side. However, as described above, the imaging unit 13 is an infrared illumination unit, an optical system that captures infrared rays, and an electrical signal corresponding to the infrared rays. Since the image pickup means (infrared CCD) or the like is provided, the street 101 can be imaged through the back surface 10b.

以上のようにしてチャックテーブル１１上に保持された半導体ウエーハ１０に形成されているストリート１０１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図３の（ａ）で示すようにチャックテーブル１１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段１２の集光器１２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート１０１の一端（図３の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段１２の集光器１２２の直下に位置付ける。そして、集光器１２２から半導体ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル１１を図３の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図３の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段１２の集光器１２２の照射位置がストリート１０１の他端（図３の（b）において右端）の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル１１の移動を停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ１０の表面１０ａ（下面）付近に合わせる。この結果、半導体ウエーハ１０の表面１０ａ（下面）に露出するとともに表面１０ａから内部に向けて変質層１１０が形成される。この変質層１１０は、溶融再固化層として形成される。   When the street 101 formed on the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 11 is detected as described above and alignment of the laser beam irradiation position is performed, the chuck as shown in FIG. The table 11 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 122 of the laser beam irradiation means 12 for irradiating the laser beam is located, and one end of the predetermined street 101 (the left end in FIG. 3A) is condensed by the laser beam irradiation means 12. Positioned just below the vessel 122. Then, the chuck table 11 is moved at a predetermined processing feed rate in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 3A while irradiating a pulse laser beam having a wavelength that is transmissive to the semiconductor wafer from the condenser 122. When the irradiation position of the condenser 122 of the laser beam irradiation means 12 reaches the position of the other end of the street 101 (the right end in FIG. 3B) as shown in FIG. And the movement of the chuck table 11 is stopped. In this deteriorated layer forming step, the condensing point P of the pulse laser beam is matched with the vicinity of the surface 10 a (lower surface) of the semiconductor wafer 10. As a result, the altered layer 110 is formed from the surface 10a to the inside while being exposed to the surface 10a (lower surface) of the semiconductor wafer 10. This altered layer 110 is formed as a melt-resolidified layer.

上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４スレーザー
波長 ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
パルス出力 ：１０μＪ
集光スポット径 ：φ１μｍ
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒 The processing conditions in the deteriorated layer forming step are set as follows, for example.
Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO4 laser Laser wavelength: 1064 nm pulse laser Pulse output: 10 μJ
Condensing spot diameter: φ1μm
Repetition frequency: 100 kHz
Processing feed rate: 100 mm / sec

なお、半導体ウエーハ１０の厚さが厚い場合には、図４に示すように集光点Ｐを段階的に変えて上述した変質層形成工程を複数回実行することにより、複数の変質層１１０を形成する。例えば、上述した加工条件においては１回に形成される変質層の厚さは約５０μｍであるため、上記変質層形成工程を例えば３回実施して１５０μmの変質層１１０を形成する。また、厚さが３００μｍのウエーハ１０に対して６層の変質層を形成し、半導体ウエーハ１０の内部にストリート１０１に沿って表面１０ａから裏面１０ｂに渡って変質層を形成してもよい。   When the thickness of the semiconductor wafer 10 is large, the plurality of deteriorated layers 110 are formed by changing the condensing point P stepwise as shown in FIG. Form. For example, since the thickness of the deteriorated layer formed at one time is about 50 μm under the above-described processing conditions, the deteriorated layer forming step 110 is performed three times to form the deteriorated layer 110 having a thickness of 150 μm. Alternatively, six altered layers may be formed on the wafer 10 having a thickness of 300 μm, and the altered layer may be formed in the semiconductor wafer 10 along the street 101 from the front surface 10a to the back surface 10b.

上述した変質層形成工程によって半導体ウエーハ１０の内部に全てのストリート１０１に沿って変質層１１０を形成したならば、環状のフレームに装着された熱収縮性粘着テープの表面にウエーハの一方の面を貼着する（ウエーハ支持工程）。即ち、図５に示すように環状のフレーム２の内側開口部を覆うように外周部が装着された熱収縮性粘着テープ３の表面に半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂを貼着する。なお、上記熱収縮性粘着テープ３は、図示の実施形態においては厚さが７０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート基材の表面に、アクリル樹脂系の粘着層が厚さが５μｍ程度塗布されている。また、熱収縮性粘着テープ３のシート基材としては、常温では伸縮性を有し所定温度（例えば７０度）以上の熱によって収縮する性質を有するポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリオレフィン等の合成樹脂シートを用いることが望ましい。なお、上述した熱収縮性粘着テープとしては、例えば特開２００４−１１９９９２号公報に開示されたシートを用いることができる。   If the altered layer 110 is formed along all the streets 101 in the semiconductor wafer 10 by the altered layer forming process described above, one surface of the wafer is attached to the surface of the heat-shrinkable adhesive tape attached to the annular frame. Adhere (wafer support process). That is, as shown in FIG. 5, the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is adhered to the surface of the heat-shrinkable adhesive tape 3 having the outer peripheral portion mounted so as to cover the inner opening of the annular frame 2. In the illustrated embodiment, the heat-shrinkable pressure-sensitive adhesive tape 3 has an acrylic resin-based pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of about 5 μm applied to the surface of a sheet substrate made of polyvinyl chloride (PVC) having a thickness of 70 μm. Has been. Moreover, as a sheet base material of the heat-shrinkable pressure-sensitive adhesive tape 3, polyvinyl chloride (PVC), polypropylene, polyethylene, polyolefin which has a property of being stretchable at room temperature and shrinking by heat at a predetermined temperature (for example, 70 degrees) or more. It is desirable to use a synthetic resin sheet such as In addition, as a heat shrinkable adhesive tape mentioned above, the sheet | seat disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-119992 can be used, for example.

なお、上述したウエーハ支持工程は、上記変質層形成工程を実施する前に実施してもよい。この場合、環状のフレーム２に装着された上記熱収縮性粘着テープ３の表面に半導体ウエーハ１０の表面１０aを貼着する（従って、半導体ウエーハ１０の裏面１０bが上側となる）。そして、環状のフレーム２に装着された上記熱収縮性粘着テープ３に半導体ウエーハ１０が貼着された状態で上記変質層形成工程を実施する。   In addition, you may implement the wafer support process mentioned above before implementing the said deteriorated layer formation process. In this case, the surface 10a of the semiconductor wafer 10 is adhered to the surface of the heat-shrinkable adhesive tape 3 mounted on the annular frame 2 (therefore, the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is on the upper side). Then, the deteriorated layer forming step is performed in a state where the semiconductor wafer 10 is adhered to the heat-shrinkable adhesive tape 3 attached to the annular frame 2.

上述した変質層形成工程およびウエーハ支持工程を実施したならば、環状のフレーム２に装着された熱収縮性粘着テープ３を拡張し、該熱収縮性粘着テープ３に貼着されている半導体ウエーハ１０を変質層１１０が形成されたストリート１０１に沿って個々のチップに分離するウエーハ分離工程を実施する。   If the above-mentioned deteriorated layer forming step and wafer supporting step are performed, the heat shrinkable adhesive tape 3 attached to the annular frame 2 is expanded and the semiconductor wafer 10 attached to the heat shrinkable adhesive tape 3 is attached. A wafer separation process is performed for separating the wafers into individual chips along the street 101 where the altered layer 110 is formed.

次に、ウエーハ分離工程を実施するための粘着テープの拡張装置について、図６および図７を参照して説明する。
図６には本発明に従って構成された粘着テープの拡張装置の分解斜視図が示されており、図７には粘着テープの拡張装置の断面図が示されている。
図６および図７に示す粘着テープの拡張装置４は、矩形状の基台４０を具備している。この基台４０の上面に上記環状のフレーム２を保持するフレーム保持手段５が配設されている。このフレーム保持手段５は、基台４０の上面に配設された筒状のベース５１と、該筒状のベース５１の上端部外周に配設された固定手段としての４個のクランプ５２とからなっている。筒状のベース５１の上面は環状のフレーム２を載置する載置面５１１を形成しており、この載置面５１１上に環状のフレーム２が載置される。そして、載置面５１１上に載置された環状のフレーム２は、クランプ５２によって筒状のベース５１に固定される。 Next, an expansion device for an adhesive tape for carrying out the wafer separation step will be described with reference to FIGS.
FIG. 6 shows an exploded perspective view of an adhesive tape expansion device constructed in accordance with the present invention, and FIG. 7 shows a cross-sectional view of the adhesive tape expansion device.
The adhesive tape expansion device 4 shown in FIGS. 6 and 7 includes a rectangular base 40. Frame holding means 5 for holding the annular frame 2 is disposed on the upper surface of the base 40. The frame holding means 5 includes a cylindrical base 51 disposed on the upper surface of the base 40 and four clamps 52 as fixing means disposed on the outer periphery of the upper end of the cylindrical base 51. It has become. An upper surface of the cylindrical base 51 forms a mounting surface 511 on which the annular frame 2 is placed, and the annular frame 2 is placed on the mounting surface 511. The annular frame 2 placed on the placement surface 511 is fixed to the cylindrical base 51 by a clamp 52.

上記フレーム保持手段５の筒状のベース５１内には、環状のフレーム２に装着された上記熱収縮性粘着テープ３を拡張するテープ拡張手段６が配設されている。このテープ拡張手段６は、図示の実施形態においては環状のフレーム２に装着された熱収縮性粘着テープ３におけるウエーハが貼着されているウエーハ貼着領域と環状のフレーム２との間の収縮領域に作用する拡張部材６１と、熱収縮性粘着テープ３におけるウエーハ貼着領域を吸引保持する保持面を備えた保持テーブル６２と、拡張部材６１および支持テーブル６２を図７に示す基準位置から該基準位置より上方の拡張位置の間を移動せしめる進退手段６３を具備している。   Inside the cylindrical base 51 of the frame holding means 5, tape expansion means 6 for expanding the heat-shrinkable adhesive tape 3 attached to the annular frame 2 is disposed. In the illustrated embodiment, the tape expansion means 6 is a shrinkage region between the wafer attachment region where the wafer is attached to the heat-shrinkable adhesive tape 3 attached to the annular frame 2 and the annular frame 2. The expansion member 61 acting on the holding member 62, the holding table 62 having a holding surface for sucking and holding the wafer adhering region in the heat-shrinkable adhesive tape 3, and the expansion member 61 and the support table 62 from the reference position shown in FIG. Advancing / retreating means 63 for moving between the extended positions above the position is provided.

上記進退手段６３は、図示の実施形態においてはエアシリンダ機構からなり、そのピストンロッド６３１の上端に円形状の支持基台６３２が設けられている。支持基台６３２およびピストンロッド６３１の中心には図７に示すように吸引通路６３３が形成されており、この吸引通路６３３は図示しない吸引手段に連通されている。また、支持基台６３２の上面中心には、上記吸引通路６３３と連通する通路６３４を備えた接続管６３５が設けられている。   In the illustrated embodiment, the advance / retreat means 63 comprises an air cylinder mechanism, and a circular support base 632 is provided at the upper end of the piston rod 631. As shown in FIG. 7, a suction passage 633 is formed at the center of the support base 632 and the piston rod 631, and the suction passage 633 communicates with suction means (not shown). A connecting pipe 635 including a passage 634 communicating with the suction passage 633 is provided at the center of the upper surface of the support base 632.

上述したように構成された支持基台６３２の上面には、上記拡張部材６１を後述する退避位置に位置付ける退避手段７が配設されている。この退避手段７は図示の実施形態においては４個のエアシリンダ機構からなり、４個のエアシリンダ機構は支持基台６３２の外周に沿って等間隔で配設されている。このように構成された４個のエアシリンダ機構からなる退避手段７は、そのピストンロッド７１の上端において拡張部材６１を支持する。   On the upper surface of the support base 632 configured as described above, the retracting means 7 for positioning the expansion member 61 at a retracted position to be described later is disposed. The retracting means 7 includes four air cylinder mechanisms in the illustrated embodiment, and the four air cylinder mechanisms are arranged along the outer periphery of the support base 632 at equal intervals. The retracting means 7 composed of the four air cylinder mechanisms configured as described above supports the expansion member 61 at the upper end of the piston rod 71.

上記拡張部材６１は、環状に形成された周壁６１１と該周壁６１１の下面を覆う円形状の底壁６１２とからなっており、底壁６１２には上記接続管６３５が嵌合する穴６１２aが設けられている。この拡張部材６１における環状の周壁６１１の上端に、複数の拡張補助ローラ６１３が配設されている。このように構成された拡張部材６１は、図７に示すように底壁６１２に設けられた穴６１２aを上記接続管６３５に嵌合することにより、底壁６１２が４個のエアシリンダ機構からなる退避手段７のピストンロッド７１の上端に支持される。   The expansion member 61 includes an annular peripheral wall 611 and a circular bottom wall 612 that covers the lower surface of the peripheral wall 611. The bottom wall 612 has a hole 612a into which the connection pipe 635 is fitted. It has been. A plurality of expansion auxiliary rollers 613 are disposed at the upper end of the annular peripheral wall 611 of the expansion member 61. As shown in FIG. 7, the expansion member 61 configured as described above is configured such that the bottom wall 612 includes four air cylinder mechanisms by fitting a hole 612 a provided in the bottom wall 612 to the connection pipe 635. It is supported on the upper end of the piston rod 71 of the retracting means 7.

上記保持テーブル６２は、図７に示すように円盤状の本体６２１と、該本体６２１の上面に配設された通気性を有する吸着チャック６２２とからなっている。本体６２１はステンレス鋼等の金属材によって形成されており、その上面には円形の嵌合凹部６２１aが設けられている。この嵌合凹部６２１aには、底面の外周部に吸着チャック６２２が載置される環状の載置棚６２１bが設けられている。また、本体６２１には嵌合凹部６２１aに開口する通路６２１cが設けられている。このように形成された本体６２１は、下面が上記接続管６３５の上面に取付けられる。この結果、本体６２１に形成された通路６２１cと接続管６３５の通路６３４が連通する。   As shown in FIG. 7, the holding table 62 includes a disc-shaped main body 621 and a breathable suction chuck 622 disposed on the upper surface of the main body 621. The main body 621 is made of a metal material such as stainless steel, and a circular fitting recess 621a is provided on the upper surface thereof. The fitting recess 621a is provided with an annular mounting shelf 621b on which the suction chuck 622 is mounted on the outer periphery of the bottom surface. The main body 621 is provided with a passage 621c that opens to the fitting recess 621a. The main body 621 formed in this way has a lower surface attached to the upper surface of the connection pipe 635. As a result, the passage 621 c formed in the main body 621 communicates with the passage 634 of the connection pipe 635.

図示の実施形態における粘着テープの拡張装置４は、環状のフレーム２がフレーム保持手段５に保持された状態で環状のフレーム２に装着された熱収縮性粘着テープ３における上記収縮領域を加熱する加熱手段８を備えている。この加熱手段８は、図６に示すように赤外線ヒータ８１と、該赤外線ヒータ８１を支持する支持ロッド８２と、該支持ロッド８２を回動する回動手段８３とからなっている。赤外線ヒータ８１は熱収縮性粘着テープ３における上記収縮領域と略対応する大きさの環状に形成されている。このように構成された加熱手段８は、回動手段８３によって赤外線ヒータ８１を図６に示す退避位置と、環状のフレーム２がフレーム保持手段５に保持された状態で環状のフレーム２に装着された熱収縮性粘着テープ３における上記収縮領域の上方である加熱位置に位置付ける。   The adhesive tape expansion device 4 in the illustrated embodiment is configured to heat the shrinkage region in the heat-shrinkable adhesive tape 3 attached to the annular frame 2 in a state where the annular frame 2 is held by the frame holding means 5. Means 8 are provided. As shown in FIG. 6, the heating unit 8 includes an infrared heater 81, a support rod 82 that supports the infrared heater 81, and a rotation unit 83 that rotates the support rod 82. The infrared heater 81 is formed in an annular shape having a size substantially corresponding to the shrinkage region in the heat-shrinkable adhesive tape 3. The heating means 8 configured as described above is attached to the annular frame 2 with the infrared heater 81 being retracted as shown in FIG. 6 by the rotation means 83 and the annular frame 2 being held by the frame holding means 5. The heat shrinkable adhesive tape 3 is positioned at a heating position above the shrinkage region.

図示の実施形態における粘着テープの拡張装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
貼着テープの拡張作業を開始するに際しては、拡張部材６１および保持テーブル６２は図７に示す基準位置に位置付けられている。即ち、拡張部材６１の拡張補助ローラ６１３と保持テーブル６２を構成する吸着チャック６２２の保持面６２２aは、フレーム保持手段５を構成する筒状のベース５１の載置面５１１と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。
このように拡張部材６１および保持テーブル６２が基準位置に位置付けられている状態で、上記図５に示すように半導体ウエーハ１０を熱収縮性粘着テープ３を介して支持した環状のフレーム２を、図８に示すようにフレーム保持手段５を構成する筒状のベース５１の載置面５１１上に載置し、クランプ５２によって筒状のベース５１に固定する(フレーム保持工程)。 The adhesive tape expansion device in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
When starting the expansion work of the adhesive tape, the expansion member 61 and the holding table 62 are positioned at the reference position shown in FIG. That is, the expansion assisting roller 613 of the expansion member 61 and the holding surface 622a of the suction chuck 622 constituting the holding table 62 are the reference level that is substantially the same height as the mounting surface 511 of the cylindrical base 51 constituting the frame holding means 5. Positioned in position.
With the expansion member 61 and the holding table 62 positioned at the reference position in this way, the annular frame 2 that supports the semiconductor wafer 10 via the heat-shrinkable adhesive tape 3 as shown in FIG. As shown in FIG. 8, it mounts on the mounting surface 511 of the cylindrical base 51 which comprises the flame | frame holding means 5, and it fixes to the cylindrical base 51 with the clamp 52 (frame holding process).

次に、エアシリンダ機構からなる進退手段６３を作動して、環状の拡張部材６１および保持テーブル６２を図９に示す拡張位置まで上昇せしめる。従って、環状の拡張部材６１の上端に配設された拡張補助ローラ６１３が熱収縮性粘着テープ３に当接して押し上げるので、熱収縮性粘着テープ３が拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果、熱収縮性粘着テープ３に貼着されている半導体ウエーハ１０は、放射状に引張力が作用する。このように半導体ウエーハ１０に放射状に引張力が作用すると、ストリート１０１に沿って形成された変質層１１０は強度が低下せしめられているので、半導体ウエーハ１０は変質層１１０に沿って破断され個々の半導体チップ１００に分離される。なお、テープ拡張工程においては、環状の拡張部材６１に配設された拡張補助ローラ６１３が熱収縮性粘着テープ３と接触するので、両者間に生ずる摩擦力が小さいため、熱収縮性粘着テープ３は均一に拡張される。従って、半導体ウエーハ１０を変質層１１０が形成されたストリート１０１に沿って確実に破断することができるとともに、個々に分離された半導体チップ１００間の間隔Sが均一となる。このテープ拡張工程における熱収縮性粘着テープ３の拡張量即ち伸び量は、拡張部材６１の上方への移動量によって調整することができ、本発明者等の実験によると熱収縮性粘着テープ３を２０ｍｍ程度引き伸ばしたときに半導体ウエーハ１０を変質層１１０が形成されたストリート１０１に沿って破断することができた。このとき、各半導体チップ１００間の間隔Sは、１mm程度となった。   Next, the advancing / retreating means 63 comprising an air cylinder mechanism is actuated to raise the annular expansion member 61 and the holding table 62 to the extended position shown in FIG. Therefore, the expansion assisting roller 613 disposed at the upper end of the annular expansion member 61 abuts against the heat-shrinkable adhesive tape 3 and pushes it up, so that the heat-shrinkable adhesive tape 3 is expanded (tape expansion process). As a result, the semiconductor wafer 10 attached to the heat-shrinkable adhesive tape 3 is subjected to a tensile force radially. When a tensile force acts radially on the semiconductor wafer 10 in this way, the strength of the altered layer 110 formed along the street 101 is reduced, so that the semiconductor wafer 10 is broken along the altered layer 110 and is individually broken. The semiconductor chip 100 is separated. In the tape expansion process, the expansion auxiliary roller 613 disposed on the annular expansion member 61 comes into contact with the heat-shrinkable adhesive tape 3, and therefore the frictional force generated between the two is small. Is expanded uniformly. Therefore, the semiconductor wafer 10 can be reliably broken along the street 101 on which the deteriorated layer 110 is formed, and the interval S between the individually separated semiconductor chips 100 becomes uniform. The amount of expansion of the heat-shrinkable adhesive tape 3 in this tape expansion step, that is, the amount of elongation can be adjusted by the amount of upward movement of the expansion member 61. According to experiments by the present inventors, the heat-shrinkable adhesive tape 3 When the semiconductor wafer 10 was stretched by about 20 mm, the semiconductor wafer 10 could be broken along the street 101 where the altered layer 110 was formed. At this time, the interval S between the semiconductor chips 100 was about 1 mm.

上述したようにテープ拡張工程を実施したならば、個々の半導体チップ１００間が広がった状態（図９に示す状態）で、図示しない吸引手段を作動して保持テーブル６２の吸着チャック６２２に負圧を作用せしめる。この結果、環状のフレーム２に装着された熱収縮性粘着テープ３における半導体ウエーハ１０（個々の半導体チップ１００に分離されている）が貼着されているウエーハ貼着領域３aが吸引保持される（テープ吸引保持工程）。   If the tape expansion process is performed as described above, the suction means (not shown) is operated in a state where the space between the individual semiconductor chips 100 is widened (the state shown in FIG. 9), and negative pressure is applied to the suction chuck 622 of the holding table 62. To act. As a result, the wafer attaching region 3a where the semiconductor wafer 10 (separated into individual semiconductor chips 100) in the heat-shrinkable adhesive tape 3 attached to the annular frame 2 is attached is sucked and held ( Tape suction holding process).

上述したテープ吸引保持工程を実施したならば、図９に示す状態から進退手段６３を作動して拡張部材６１および保持テーブル６２を下降して基準位置に位置付け、更に、４個のエアシリンダ機構からなる退避手段７を作動して拡張部材６１を下降し、図１０に示す退避位置に位置付ける（拡張部材退避工程）。従って、拡張部材６は、熱収縮性粘着テープ３から離隔する。この結果、環状のフレーム２に装着された熱収縮性粘着テープ３におけるウエーハ貼着領域３aと環状のフレーム２との間の収縮領域３bに弛みが生ずる。   When the above-described tape suction and holding step is performed, the advance / retreat means 63 is operated from the state shown in FIG. 9 to lower the expansion member 61 and the holding table 62 to the reference position, and further, from the four air cylinder mechanisms. The retracting means 7 is actuated to lower the expansion member 61 and position it at the retracted position shown in FIG. 10 (expansion member retracting step). Therefore, the expansion member 6 is separated from the heat-shrinkable adhesive tape 3. As a result, the shrinkage region 3b between the wafer adhering region 3a and the annular frame 2 in the heat-shrinkable adhesive tape 3 attached to the annular frame 2 is loosened.

次に、図１１に示すように加熱手段８の赤外線ヒータ８１を熱収縮性粘着テープ３における収縮領域３bの上方である加熱位置に位置付ける。そして、赤外線ヒータ８１を附勢（ON）する。この結果、熱収縮性粘着テープ３における収縮領域３bは、図１１に示すように赤外線ヒータ８１によって照射される赤外線により加熱され収縮する（テープ収縮工程）。このとき、拡張部材６が上述したように熱収縮性粘着テープ３から離隔しており熱収縮性粘着テープ３と接触していないので、赤外線ヒータ８１によって熱収縮性粘着テープ３が加熱された熱を拡張部材６１が吸収することはない。従って、熱収縮性粘着テープ３は部分的に冷却されることがないので皺状にならないため、熱収縮性粘着テープ３における収縮領域３aを均一に収縮することができる。なお、上記赤外線ヒータ８１による熱収縮性粘着テープ３の加熱温度は７０〜１００℃が適当であり、加熱時間は５〜１０秒でよい。このように、熱収縮性粘着テープ３における収縮領域３bを収縮させることにより、上述したテープ拡張工程において各半導体チップ１００間に形成された間隔Sが均一に維持される。従って、個々の半導体チップ１００同士が接触することはなく、搬送時等において半導体チップ１００同士が接触することによる損傷を防止することができる。   Next, as shown in FIG. 11, the infrared heater 81 of the heating means 8 is positioned at a heating position above the shrink region 3 b in the heat shrinkable adhesive tape 3. Then, the infrared heater 81 is energized (ON). As a result, the shrinkage region 3b in the heat-shrinkable adhesive tape 3 is heated and shrunk by infrared rays irradiated by the infrared heater 81 as shown in FIG. 11 (tape shrinking process). At this time, since the expansion member 6 is separated from the heat-shrinkable adhesive tape 3 as described above and is not in contact with the heat-shrinkable adhesive tape 3, the heat that the heat-shrinkable adhesive tape 3 is heated by the infrared heater 81. Is not absorbed by the expansion member 61. Therefore, since the heat-shrinkable adhesive tape 3 is not partially cooled and does not become a bowl shape, the shrinkage region 3a in the heat-shrinkable adhesive tape 3 can be uniformly shrunk. The heating temperature of the heat-shrinkable adhesive tape 3 by the infrared heater 81 is suitably 70 to 100 ° C., and the heating time may be 5 to 10 seconds. As described above, by contracting the contraction region 3b of the heat-shrinkable adhesive tape 3, the spacing S formed between the semiconductor chips 100 in the tape expansion process described above is maintained uniformly. Therefore, the individual semiconductor chips 100 do not come into contact with each other, and damage due to the contact between the semiconductor chips 100 during transportation or the like can be prevented.

なお、図示の実施形態においては、粘着テープの拡張装置４を用いて格子状に形成されたストリート１０１に沿って変質層１１０が形成された半導体ウエーハ１０を個々の半導体チップ１００に分離するとともに、個々の半導体チップ１００間を拡張する例を示したが、粘着テープの拡張装置４はウエーハが格子状に形成されたストリートに沿って切断され個々に分離された複数のチップが貼着されている熱収縮性粘着テープを拡張して各チップ間を拡張する場合にも適用することができる。また、図示の実施形態においては、加熱手段８として赤外線ヒータ８１を用いた例を示したが、加熱手段８は熱風を吹き付ける方式でもよい。   In the illustrated embodiment, the semiconductor wafer 10 in which the altered layer 110 is formed along the streets 101 formed in a lattice shape using the adhesive tape expansion device 4 is separated into individual semiconductor chips 100, and Although an example of expanding between the individual semiconductor chips 100 has been shown, the adhesive tape expanding device 4 has a plurality of chips that are cut and separated along a street in which a wafer is formed in a lattice shape. The present invention can also be applied to the case where the heat-shrinkable adhesive tape is expanded to expand each chip. In the illustrated embodiment, an example in which the infrared heater 81 is used as the heating unit 8 has been described. However, the heating unit 8 may be a system in which hot air is blown.

本発明による粘着テープの拡張装置によって拡張される粘着テープに貼着されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。The perspective view of the semiconductor wafer as a wafer affixed on the adhesive tape extended by the expansion apparatus of the adhesive tape by this invention. 図１に示す半導体ウエーハに変質層を形成するための変質層形成行程を実施するレーザー加工装置の要部斜視図。FIG. 2 is a perspective view of a main part of a laser processing apparatus for performing a deteriorated layer forming step for forming a deteriorated layer on the semiconductor wafer shown in FIG. 1. 図２に示すレーザー加工装置によって実施する変質層形成行程の説明図。Explanatory drawing of the deteriorated layer formation process implemented with the laser processing apparatus shown in FIG. 図４に示す変質層形成行程において半導体ウエーハの内部に変質層を積層して形成した状態を示す説明図。FIG. 5 is an explanatory view showing a state in which a deteriorated layer is formed inside the semiconductor wafer in the deteriorated layer forming step shown in FIG. 4. 変質層形成工程が実施された半導体ウエーハを環状のフレームに装着された熱収縮性粘着テープの表面に貼着した状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state which affixed on the surface of the heat shrinkable adhesive tape with which the deteriorated layer formation process was implemented by the cyclic | annular flame | frame was mounted | worn. 本発明に従って構成された粘着テープの拡張装置の分解斜視図。The disassembled perspective view of the expansion apparatus of the adhesive tape comprised according to this invention. 本発明に従って構成された粘着テープの拡張装置の断面図。Sectional drawing of the expansion apparatus of the adhesive tape comprised according to this invention. 図６および図７に示す粘着テープの拡張装置を用いて実施するフレーム保持工程の説明図。Explanatory drawing of the flame | frame holding process implemented using the expansion apparatus of the adhesive tape shown in FIG. 6 and FIG. 図６および図７に示す粘着テープの拡張装置を用いて実施するテープ拡張工程の説明図。Explanatory drawing of the tape expansion process implemented using the expansion apparatus of the adhesive tape shown in FIG. 6 and FIG. 図６および図７に示す粘着テープの拡張装置を用いて実施する拡張部材退避工程の説明図。Explanatory drawing of the expansion member evacuation process implemented using the expansion apparatus of the adhesive tape shown in FIG. 6 and FIG. 図６および図７に示す粘着テープの拡張装置を用いて実施するテープ収縮工程の説明図。Explanatory drawing of the tape shrinking process implemented using the expansion apparatus of the adhesive tape shown in FIG. 6 and FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１： レーザー加工装置
１１：レーザー加工装置のチャックテーブル
１２：レーザー光線照射手段
１２２：集光器
２：環状のフレーム
３：熱収縮性粘着テープ
４：粘着テープの拡張装置
５：フレーム保持手段
５１：筒状のベース
５２：クランプ
６：テープ拡張手段
６１：拡張部材
６１３：拡張補助ローラ
６２：保持テーブル
６２２：吸着チャック
６３：進退手段
６３２：支持基台
７：退避手段７
８：加熱手段
８１：赤外線ヒータ
１０：半導体ウエーハ 1: Laser processing device 11: Chuck table 12 of laser processing device 12: Laser beam irradiation means 122: Concentrator 2: Annular frame 3: Heat-shrinkable adhesive tape 4: Expansion device for adhesive tape 5: Frame holding means 51: Tube Shaped base 52: clamp 6: tape expansion means 61: expansion member 613: expansion auxiliary roller 62: holding table 622: suction chuck 63: advance / retreat means 632: support base 7: retraction means 7
8: Heating means 81: Infrared heater 10: Semiconductor wafer

Claims (1)

環状のフレームの内側開口部を覆うように装着されウエーハが貼着された熱収縮性粘着テープを拡張する貼着テープの拡張装置において、
該環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、
該フレーム保持手段に保持された該環状のフレームに装着された該熱収縮性粘着テープにおけるウエーハが貼着されているウエーハ貼着領域と該環状のフレームとの間の収縮領域に作用する拡張補助ローラを備えた環状の拡張部材と、
該拡張部材内に配設され該熱収縮性粘着テープにおける該ウエーハ貼着領域を吸引保持する保持面を備えた保持テーブルと、
該フレーム保持手段と該拡張部材および該保持テーブルとを軸方向に基準位置から拡張位置の間を相対的に移動せしめる進退手段と、
該拡張部材に配設された該拡張補助ローラが該保持テーブルの保持面より下方の退避位置になるように該拡張部材を作動する退避手段と、
該環状のフレームが該フレーム保持手段に保持された状態で該環状のフレームに装着された該熱収縮性粘着テープにおける該収縮領域を加熱する加熱手段と、を具備している、
ことを特徴とする粘着テープの拡張装置。 In an expansion device for an adhesive tape that expands a heat-shrinkable adhesive tape that is attached so as to cover an inner opening of an annular frame and to which a wafer is adhered,
Frame holding means for holding the annular frame;
Expansion aid that acts on the shrinkage area between the wafer attachment area where the wafer is attached to the heat-shrinkable adhesive tape attached to the annular frame held by the frame holding means and the annular frame An annular expansion member with a roller;
A holding table provided in the expansion member and having a holding surface for sucking and holding the wafer attaching region in the heat-shrinkable adhesive tape;
Advancing / retracting means for relatively moving the frame holding means, the extension member and the holding table in the axial direction between a reference position and an extended position;
Retraction means for operating the expansion member so that the expansion auxiliary roller disposed on the expansion member is at a retraction position below the holding surface of the holding table;
Heating means for heating the shrinkage region in the heat-shrinkable adhesive tape attached to the annular frame in a state where the annular frame is held by the frame holding means;
An expansion device for adhesive tape, characterized in that.
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