JP2007123493A

JP2007123493A - Plasma cvd device

Info

Publication number: JP2007123493A
Application number: JP2005312696A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Tanaka; 聡田中
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2005-10-27
Filing date: 2005-10-27
Publication date: 2007-05-17

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma CVD device capable of preventing occurrence of defective film formation in a wafer as well as improving workability. <P>SOLUTION: In the inside of a CVC chamber to which gas is supplied for performing film formation processing to a wafer, an electrode plate is arranged for placing a wafer. To at least a part of circumferences of a wafer, a wafer guide jig 101 is arranged as engaged on the surface by the side of the wafer of the electrode plate. The wafer guide jig 101 has an almost straight line-shaped portion by plane view. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明はプラズマＣＶＤ装置に関する。 The present invention relates to a plasma CVD apparatus.

図１に、ＣＶＤ（化学蒸気堆積）成膜処理が施された従来の太陽電池の概略構造を示す。そして、図２に、上記従来の太陽電池の製造プロセスのフローチャートを示す。 FIG. 1 shows a schematic structure of a conventional solar cell subjected to a CVD (chemical vapor deposition) film forming process. FIG. 2 shows a flowchart of the conventional solar cell manufacturing process.

図１において、１はＰ型シリコン基板、２はＮ型拡散層、３は反射防止膜、４はアルミペースト電極、５は銀ペースト電極、７は半田層である。 In FIG. 1, 1 is a P-type silicon substrate, 2 is an N-type diffusion layer, 3 is an antireflection film, 4 is an aluminum paste electrode, 5 is a silver paste electrode, and 7 is a solder layer.

上記太陽電池の製造する場合、まず、図２に示すように、ステップＳ１で、Ｐ型シリコン基板に対してエッチングを行って、Ｐ型シリコン基板の一方の表面にテクスチャを形成する。 When manufacturing the solar cell, first, as shown in FIG. 2, in step S1, the P-type silicon substrate is etched to form a texture on one surface of the P-type silicon substrate.

次に、ステップＳ２で、Ｐ型シリコン基板において受光面となる一方の表面側にＮ型拡散層２を０．４μｍ程度形成する。 Next, in step S2, the N-type diffusion layer 2 is formed to have a thickness of about 0.4 μm on one surface side serving as a light receiving surface in the P-type silicon substrate.

次に、ステップＳ３で、Ｎ型拡散層４上に、表面反射率を低減させるための反射防止膜３を形成する。この反射防止膜３は、プラズマＣＶＤ装置で堆積した膜厚がおよそ８０ｎｍ程度のシリコン窒化膜である。 Next, in step S <b> 3, the antireflection film 3 for reducing the surface reflectance is formed on the N-type diffusion layer 4. This antireflection film 3 is a silicon nitride film having a thickness of about 80 nm deposited by a plasma CVD apparatus.

次に、ステップＳ４で、Ｐ型シリコン基板１の裏面に、Ａｌペーストをスクリーン印刷法により、略全面に印刷し、酸化性雰囲気中で高温焼成して、アルミペースト電極４を形成する。 Next, in step S4, an Al paste is printed on the substantially entire surface of the back surface of the P-type silicon substrate 1 by a screen printing method and baked at a high temperature in an oxidizing atmosphere to form the aluminum paste electrode 4.

次に、ステップＳ５で、スクリーン印刷法により、アルミペースト電極４の一部と、受光面側の反射防止膜３の一部とに銀ペーストをパターン状に印刷し、１５０℃程度で乾燥させた後、酸化性雰囲気中において約６００℃程度，１〜２分程度焼成して、銀ペースト電極５を形成する。 Next, in step S5, silver paste was printed in a pattern on a part of the aluminum paste electrode 4 and a part of the antireflection film 3 on the light receiving surface side by screen printing, and dried at about 150 ° C. Thereafter, the silver paste electrode 5 is formed by baking at about 600 ° C. for about 1 to 2 minutes in an oxidizing atmosphere.

最後に、ステップＳ６で、銀ペースト電極５を半田コーティングし、銀ペースト電極５を半田層７で覆う。 Finally, in step S6, the silver paste electrode 5 is solder-coated, and the silver paste electrode 5 is covered with the solder layer 7.

図６に、上記プラズマＣＶＤ装置の概略構成図を示す。 FIG. 6 shows a schematic configuration diagram of the plasma CVD apparatus.

上記プラズマＣＶＤ装置は平行平板型と呼ばれものであり、ＣＶＤチャンバ２０と、このＣＶＤチャンバ２０内に配置され、複数のウエハ２３を一方の表面に搭載する電極板２４と、この電極板２４の表面に対向する対向電極２７とを備えている。なお、ＣＶＤチャンバ２０は反応室の一例であり、電極板２４がウエハ搭載用電極の一例である。 The plasma CVD apparatus is called a parallel plate type, and includes a CVD chamber 20, an electrode plate 24 disposed in the CVD chamber 20 and mounting a plurality of wafers 23 on one surface, and the electrode plate 24. And a counter electrode 27 facing the surface. The CVD chamber 20 is an example of a reaction chamber, and the electrode plate 24 is an example of a wafer mounting electrode.

上記対向電極２７は、図示しない複数の穴が形成されたガス拡散板２２を電極板２４側に有している。このガス拡散板の複数の穴からは、ガス導入口２１を流れて来たＣＶＤ反応ガスがＣＶＤチャンバ２０内に向かって吹き出す。そして、電極板２４と対向電極２７との間には、高周波電源２６によって高周波電力が印加される。 The counter electrode 27 has a gas diffusion plate 22 formed with a plurality of holes (not shown) on the electrode plate 24 side. From the plurality of holes of the gas diffusion plate, the CVD reaction gas flowing through the gas inlet 21 is blown out into the CVD chamber 20. A high frequency power is applied between the electrode plate 24 and the counter electrode 27 by a high frequency power source 26.

上記電極板２４は、カーボンからなり、カート２５に搭載されている。この電極板２４の一方の表面では、図３Ａに示すように、ウエハ１２が並べられ、ウエハ１２の上部空間で発生せしめたプラズマ反応によってウエハ１２上にシリコン窒化膜が堆積する。このとき、使用するＣＶＤ反応ガスはシランガスとアンモニアガスであり、温度は４５０℃、膜厚は反応時間によって制御して約８０ｎｍとしている。また、上記電極板２４の一方の表面では、図３Ｂに示すように、予め決めた位置に複数のウエハガイド用穴２８を形成している。 The electrode plate 24 is made of carbon and is mounted on a cart 25. As shown in FIG. 3A, the wafers 12 are arranged on one surface of the electrode plate 24, and a silicon nitride film is deposited on the wafer 12 by a plasma reaction generated in the upper space of the wafer 12. At this time, the CVD reaction gas used is silane gas and ammonia gas, the temperature is 450 ° C., and the film thickness is controlled by the reaction time to be about 80 nm. On one surface of the electrode plate 24, as shown in FIG. 3B, a plurality of wafer guide holes 28 are formed at predetermined positions.

図５−１に、上記各ウエハガイド用穴２８に嵌め込まれるウエハガイド用部品２９の概略平面図を示す。また、図５−２に、ウエハガイド用部品２９を矢印Ｓ方向から見た概略側面図を示すと共に、図５−３に、図５−１の矢印Ｆ方向からウエハガイド用部品２９を見た概略正面図を示す。 FIG. 5A is a schematic plan view of the wafer guide component 29 fitted into each of the wafer guide holes 28. FIG. 5-2 shows a schematic side view of the wafer guide component 29 as seen from the direction of arrow S, and FIG. 5-3 shows the wafer guide component 29 as seen from the direction of arrow F in FIG. A schematic front view is shown.

上記ウエハガイド用物品２９はＳＵＳ（ステンレス）製またはアルミナ製の突起（ピン）である。このウエハガイド用部品２９を各ウエハガイド用穴２８に嵌め込んだ状態で、ウエハ１２上にシリコン窒化膜を堆積する。これにより、上記シリコン窒化膜の堆積の際、電極板２４上に並べられた複数のウエハ２３同士が重なるのを防ぐことができる。 The wafer guide article 29 is a protrusion (pin) made of SUS (stainless steel) or alumina. A silicon nitride film is deposited on the wafer 12 in a state where the wafer guide component 29 is fitted into each wafer guide hole 28. Thereby, it is possible to prevent the plurality of wafers 23 arranged on the electrode plate 24 from overlapping when the silicon nitride film is deposited.

実際には、電極板２４は並置の３枚のカーボン板で構成されていて、電極板２４の一方の表面の面積は約１．２ｍ^２となっている。これに対して、ウエハガイド用部品２９の大きさは、直径１.５ｍｍ、長さ７ｍｍ程度と非常に小さい。 Actually, the electrode plate 24 is composed of three carbon plates arranged side by side, and the area of one surface of the electrode plate 24 is about 1.2 m ² . On the other hand, the size of the wafer guide component 29 is very small with a diameter of about 1.5 mm and a length of about 7 mm.

ところで、上記カート２５は、図示しないチェーンベルトによって、ＣＶＤチャンバ２０内に機械的に搬入されたり、ＣＶＤチャンバ２０外から機械的に搬出されたりする。このカート２５の搬入および搬出の際、ウエハガイド用部品２９が振動で穴から外れたり、ウエハガイド用部品２９が緩んだりすることが散見されていた。 Incidentally, the cart 25 is mechanically carried into the CVD chamber 20 or mechanically carried out from the CVD chamber 20 by a chain belt (not shown). At the time of loading and unloading of the cart 25, it has been found that the wafer guide component 29 is detached from the hole due to vibration or the wafer guide component 29 is loosened.

また、上記電極板２４は連続生産に使用するため、定期的にＨＦ（フッ化水素）系液体で洗浄することでクリーニングする。このクリーニングにより、複数のウエハガイド用部品２９が穴から抜けて電極板２４上に落ちる、または、複数のウエハガイド用部品２９が穴から抜け落ちそうになることが多い。 Further, since the electrode plate 24 is used for continuous production, the electrode plate 24 is periodically cleaned with an HF (hydrogen fluoride) liquid. This cleaning often causes the plurality of wafer guide components 29 to fall out of the holes and fall onto the electrode plate 24, or the plurality of wafer guide components 29 to fall out of the holes.

したがって、上記電極板２４を乾燥させた後、電極板２４を再び生産に使用するときには、抜け落ちて紛失したウエハガイド用部品２９の補充作業、または、抜け落ちそうなウエハガイド用部品２９を穴へ押し込む作業が必要になるため、作業性が低下してしまうという問題あった。 Therefore, after the electrode plate 24 is dried, when the electrode plate 24 is used again for production, the wafer guide component 29 that has been dropped and lost is replenished, or the wafer guide component 29 that is likely to fall is pushed into the hole. Since work is required, there is a problem that workability deteriorates.

また、上記ウエハガイド用部品２９が生産中に穴から抜け落ちて電極板２４の表面に転がっていると、ウエハ２３がそのウエハガイド用部品２９の上に乗り上がった状態でシリコン窒化膜が堆積されてしまう。 If the wafer guide component 29 falls out of the hole during production and rolls onto the surface of the electrode plate 24, a silicon nitride film is deposited with the wafer 23 riding on the wafer guide component 29. End up.

したがって、上記シリコン窒化膜の膜厚不良すなわち外観色目不良が発生してしまうという問題があった。 Therefore, there has been a problem that a film thickness defect of the silicon nitride film, that is, an appearance color defect occurs.

また、上記ウエハガイド用部品２９は、耐熱性が良くてデバイスに悪影響を及ぼさないセラミックで形成されているため、１本あたり数千円と高価であるため、ウエハガイド用部品２９を紛失すると損害が大きい。 The wafer guide component 29 is made of ceramic that has good heat resistance and does not adversely affect the device. Therefore, the wafer guide component 29 is expensive at several thousand yen. Is big.

また、上記電極板２４のクリーニング時にウエハガイド用部品２９もＨＦ系液体に浸漬されるので、ウエハガイド用部品２９は使用回数の増加に伴って劣化が進行する。
特開２００２−８３７７２号公報 Further, since the wafer guide component 29 is also immersed in the HF liquid during the cleaning of the electrode plate 24, the wafer guide component 29 deteriorates as the number of uses increases.
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-83772

そこで、本発明の課題は、作業性を向上させることができ、ウエハにおける成膜不良の発生を防ぐことができるプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is to provide a plasma CVD apparatus that can improve workability and can prevent the occurrence of film formation defects on a wafer.

上記課題を解決するため、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、
ウエハに成膜処理を施すためのガスが供給される反応室と、
上記反応室内に配置され、上記ウエハを搭載するウエハ搭載用電極と、
上記ウエハの少なくとも一部の周囲に配置されて上記ウエハ搭載用電極の上記ウエハ側の表面に係止すると共に、平面視で略直線形状の部分を少なくとも有するウエハガイド用部品と
を備えたことを特徴としている。 In order to solve the above problems, the plasma CVD apparatus of the present invention is
A reaction chamber to which a gas for performing a film forming process on the wafer is supplied;
A wafer mounting electrode disposed in the reaction chamber and mounting the wafer;
A wafer guide component disposed around at least a part of the wafer and engaged with the wafer-side surface of the wafer mounting electrode, and having at least a substantially linear portion in plan view. It is a feature.

上記構成のＣＶＤ装置によれば、上記ウエハガイド用部品が平面視で略直線形状の部分を少なくとも有することによって、ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面に対するウエハガイド用部品の接触面積が増えるので、ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面からウエハガイド用部品が離間し難くなる。 According to the CVD apparatus having the above configuration, since the wafer guide part has at least a substantially linear portion in plan view, the contact area of the wafer guide part with the wafer-side surface of the wafer mounting electrode increases. Wafer guide components are less likely to be separated from the wafer-side surface of the wafer mounting electrode.

したがって、上記ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面から離間したウエハガイド用部品を補充する作業と、ウエハガイド用部品の位置を修正する作業とを減らすことができるから、作業性を向上させることができる。 Therefore, it is possible to reduce the work of replenishing the wafer guide parts separated from the wafer-side surface of the wafer mounting electrode and the work of correcting the position of the wafer guide parts, thereby improving workability. it can.

また、上記ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面からウエハガイド用部品が離間し難くなるので、ウエハがウエハガイド用部品の上に乗り上ることが少なくなって、ウエハにおける成膜不良の発生を防ぐことができる。 Further, since the wafer guide component is difficult to separate from the wafer-side surface of the wafer mounting electrode, the wafer is less likely to climb on the wafer guide component, thereby preventing film formation defects on the wafer. be able to.

また、万一、上記ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面からウエハガイド用部品が離間したとしても、ウエハガイド用部品が平面視で略直線形状の部分を少なくとも有するから、ウエハガイド用物品を見失って紛失する可能性は、図５−１，図５−２，図５−３の従来のウエハガイド用物品に比べて格段に低くなっている。 Even if the wafer guide component is separated from the wafer-side surface of the wafer mounting electrode, the wafer guide component has at least a substantially linear portion in plan view, so that the wafer guide article is lost. The possibility of losing is significantly lower than the conventional wafer guide article of FIGS. 5-1, 5-2, and 5-3.

また、上記ウエハ搭載用電極のクリーニング時には、ウエハ搭載用電極からウエハガイド用物品を予め取り外しておくことにより、クリーニング液によるウエハガイド用物品の劣化を防ぐことができる。 Further, when the wafer mounting electrode is cleaned, it is possible to prevent the wafer guide article from being deteriorated by the cleaning liquid by previously removing the wafer guide article from the wafer mounting electrode.

一実施形態のプラズマＣＶＤ装置では、
上記ウエハガイド用部品は、上記ウエハ搭載電極に係合する少なくとも２つ以上の突起部を有し、上記ウエハ搭載用の上記ウエハ側の表面に着脱自在に取り付けられる。 In the plasma CVD apparatus of one embodiment,
The wafer guide component has at least two protrusions engaged with the wafer mounting electrode, and is detachably attached to the wafer side surface for mounting the wafer.

上記実施形態のプラズマＣＶＤ装置によれば、上記ウエハガイド用部品がウエハ搭載電極に係合する少なくとも２つ以上の突起部を有するから、ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面に対するウエハガイド用物品の固定機能を高めることができる。 According to the plasma CVD apparatus of the above embodiment, since the wafer guide component has at least two protrusions that engage with the wafer mounting electrode, the wafer guide article on the wafer side surface of the wafer mounting electrode The fixing function can be enhanced.

一実施形態のプラズマＣＶＤ装置では、
上記ウエハガイド用部品の平面視の形状が、略Ｉ字形状または略Ｌ字形状または略ロ字形状である。 In the plasma CVD apparatus of one embodiment,
The shape of the wafer guide component in plan view is a substantially I shape, a substantially L shape, or a substantially B shape.

上記実施形態のプラズマＣＶＤ装置によれば、上記ウエハガイド用部品の平面視の形状が、略Ｉ字形状または略Ｌ字形状または略ロ字形状であるから、１枚のウエハに対して使用するウエハガイド用物品の数を少なくなる。 According to the plasma CVD apparatus of the above embodiment, since the shape of the wafer guide component in a plan view is a substantially I shape, a substantially L shape, or a substantially square shape, it is used for one wafer. The number of wafer guide articles is reduced.

したがって、上記ウエハガイド用部品の平面視の形状が略Ｉ字形状または略Ｌ字形状または略ロ字形状でない場合よりも、ウエハガイド用物品を設置に要する時間が少なく、作業効率を向上させることができる。 Therefore, it takes less time to install the wafer guide article and the work efficiency is improved than when the shape of the wafer guide component in plan view is not substantially I-shaped, L-shaped, or generally R-shaped. Can do.

一実施形態のプラズマＣＶＤ装置では、
上記突起部の材質が、アルミナまたは窒化ケイ素またはジルコニアまたはガラス類である。 In the plasma CVD apparatus of one embodiment,
The material of the protrusion is alumina, silicon nitride, zirconia, or glass.

上記実施形態のプラズマＣＶＤ装置によれば、上記突起部の材質が、アルミナまたは窒化ケイ素またはジルコニアまたはガラス類であるから、ウエハにおいて膜厚が不均一な部分が生じるのを防ぐことができる。 According to the plasma CVD apparatus of the embodiment, since the material of the protrusion is alumina, silicon nitride, zirconia, or glass, it is possible to prevent a portion having a non-uniform film thickness from occurring on the wafer.

もし、上記突起部が導電材料で形成されている場合、突起部が電極として機能し、突起部近傍においてウエハのデポ膜厚が厚くなり、ウエハにおいて膜厚が不均一な部分が生じてしまう。 If the protrusion is made of a conductive material, the protrusion functions as an electrode, and the deposited film thickness of the wafer is increased in the vicinity of the protrusion, resulting in a portion having an uneven film thickness.

また、上記突起部はガラス材料で形成することもかのうであるが、耐久性の点からセラミックス材料で形成する方が好ましい。 Moreover, although the said protrusion part can also be formed with a glass material, it is more preferable to form with a ceramic material from a durable point.

一実施形態のプラズマＣＶＤ装置では、
上記ウエハ搭載用電極の上記ウエハ側の表面に対する上記ウエハガイド治具の高さは、上記ウエハの厚みよりも大きい。 In the plasma CVD apparatus of one embodiment,
The height of the wafer guide jig relative to the wafer-side surface of the wafer mounting electrode is larger than the thickness of the wafer.

上記実施形態のプラズマＣＶＤ装置によれば、上記ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面に対するウエハガイド治具の高さは、ウエハの厚みよりも大きいから、ウエハガイド用部品上へのウエハの乗り上げを激減させることができる。 According to the plasma CVD apparatus of the above embodiment, the height of the wafer guide jig with respect to the wafer-side surface of the wafer mounting electrode is larger than the thickness of the wafer. It can be drastically reduced.

本発明のプラズマＣＶＤ装置によれば、ウエハガイド用部品が平面視で略直線形状の部分を少なくとも有することによって、ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面に対するウエハガイド用部品の接触面積が増えるので、ウエハ搭載用電極のウエハ側の表面からウエハガイド用部品が離間し難くなる。 According to the plasma CVD apparatus of the present invention, since the wafer guide component has at least a substantially linear portion in plan view, the contact area of the wafer guide component with respect to the wafer side surface of the wafer mounting electrode increases. Wafer guide components are less likely to be separated from the wafer-side surface of the wafer mounting electrode.

さらに、本発明は、従来プロセスとの変更点は冶具の変更のみであって、従来の設備、製造条件を全てそのまま適用できる。 Furthermore, the present invention is different from the conventional process only in the change of the jig, and all the conventional equipment and manufacturing conditions can be applied as they are.

（第１実施形態）
厚さ２２０μｍで１２５ｍｍ角の正方形板状のＰ型シリコン基板の一方の表面にテクスチャを形成した後、そのテクスチャが形成された表面に、９００℃のＰ（燐）の熱拡散を行って、約５０Ω/□の面抵抗値をもつＮ型拡散層を形成する。そして、上記Ｎ型拡散層上に、プラズマＣＶＤ法により膜厚約８０ｎｍのシリコン窒化膜を反射防止膜としての一例として形成する。 (First embodiment)
After forming a texture on one surface of a square plate-shaped P-type silicon substrate having a thickness of 220 μm and a square plate of 125 mm, thermal diffusion of P (phosphorus) at 900 ° C. is performed on the surface on which the texture is formed. An N-type diffusion layer having a surface resistance value of 50Ω / □ is formed. Then, a silicon nitride film having a thickness of about 80 nm is formed as an example of an antireflection film on the N-type diffusion layer by plasma CVD.

上記シリコン窒化膜を形成するときに、図４Ａ−１，図４Ａ−２，図４Ａ−３に示す平面視でＩ字形状のウエハガイド治具１０１を使用する。このウエハガイド治具１０１の全部が例えばアルミナや窒化ケイ素やジルコニア等のセラミックスまたはガラス等の絶縁材料で形成されている。そして、ウエハガイド治具１０１は、略四角柱形状の本体１０２と、この本体１０２の下面から突出した４個の突起部１０３とを有する。なお、ウエハガイド治具１０１はウエハガイド用物品の一例である。また、堆積条件等の製造条件は図２の従来の太陽電池の製造プロセスと同一とする。 When forming the silicon nitride film, an I-shaped wafer guide jig 101 is used in a plan view shown in FIGS. 4A-1, 4A-2, and 4A-3. The entire wafer guide jig 101 is made of an insulating material such as ceramics such as alumina, silicon nitride, zirconia, or glass. The wafer guide jig 101 includes a substantially quadrangular prism-shaped main body 102 and four protrusions 103 protruding from the lower surface of the main body 102. The wafer guide jig 101 is an example of a wafer guide article. The manufacturing conditions such as the deposition conditions are the same as the manufacturing process of the conventional solar cell of FIG.

また、上記シリコン窒化膜を形成した後は、図２の太陽電池の製造プロセスと同一の工程を行って、太陽電池を製造する。 In addition, after the silicon nitride film is formed, the solar cell is manufactured by performing the same steps as the solar cell manufacturing process of FIG.

図７に、上記ウエハガイド治具１０１を電極板２４にセットした状態を示す。また、図７において、図３に示した構成部または物は、図３における構成部または物と同一参照番号を付して説明を省略する。 FIG. 7 shows a state where the wafer guide jig 101 is set on the electrode plate 24. Further, in FIG. 7, the components or objects shown in FIG. 3 are given the same reference numerals as those of the components or objects in FIG.

上記ウエハガイド治具１０１は、ウエハ２３の各角部の周囲に配置される。このとき、ウエハガイド治具１０１の突起部１０３はウエハガイド用穴２８に嵌合させる。 The wafer guide jig 101 is arranged around each corner of the wafer 23. At this time, the protrusion 103 of the wafer guide jig 101 is fitted into the wafer guide hole 28.

上記ウエハガイド治具１０１を搭載した図６のプラズマＣＶＤ装置で太陽電池を製造したときの外観検査結果を下表１に示す。また、下表１内には、従来のウエハガイド用物品２８を搭載した図６のプラズマＣＶＤ装置で太陽電池を製造したときの外観検査結果を比較例として示す。なお、上記外検査は肉眼で行った。また、検査ウエハ枚数は１０，８００枚（２００カート分）とした。

Table 1 shows the appearance inspection results when the solar cell was manufactured by the plasma CVD apparatus of FIG. 6 equipped with the wafer guide jig 101. Also, in Table 1 below, the appearance inspection result when a solar cell is manufactured by the plasma CVD apparatus of FIG. 6 equipped with the conventional wafer guide article 28 is shown as a comparative example. The external inspection was performed with the naked eye. The number of inspection wafers was 10,800 (for 200 carts).

本明細書において、外観不良率とは、受光面全体に対し、１ｍｍφ以上の不堆積領域が１個以上ある場合と、色むら不良（外観限度見本による。概ね１００ｎｍ以上あるいは６０ｎｍ未満の領域が約１割以上存在する場合）を意味する。１ｍｍφ以上の不堆積領域が１個以上派生する原因は、抜けた治具がウエハ２３上に乗った状態でシリコン窒化膜が形成されたためだと考えられる。一方、色むら不良が発生する原因は、ウエハ２３が治具に乗り上げた状態でシリコン窒化膜を形成されたためだと考えられる。 In this specification, the appearance defect rate refers to a case where there are one or more non-deposited areas of 1 mmφ or more on the entire light receiving surface, and a color unevenness defect (according to an appearance limit sample. An area of approximately 100 nm or more or less than 60 nm is approximately Meaning more than 10%). The reason why one or more non-deposition regions with a diameter of 1 mmφ or more are derived is that the silicon nitride film is formed in a state where the removed jig is placed on the wafer 23. On the other hand, it is considered that the reason why the color unevenness occurs is that the silicon nitride film is formed with the wafer 23 placed on the jig.

上記表１から明らかなように、ウエハガイド用物品２８を用いてシリコン窒化膜を形成する場合よりも、ウエハガイド冶具１０１を用いてシリコン窒化膜を形成する場合の方が、１カートあたりに使用する治具の個数を低減できる。 As apparent from Table 1 above, the case where the silicon nitride film is formed using the wafer guide jig 101 is used per cart rather than the case where the silicon nitride film is formed using the wafer guide article 28. The number of jigs to be reduced can be reduced.

また、上記ウエハガイド治具１０１はウエハガイド用穴２８への押し込みが不要であることによって、第１実施形態の１カートあたりの冶具セット時間は、従来の１カートあたりの冶具セット時間の約１２分の１となるので、大幅に作業性を向上させることができる。 Further, since the wafer guide jig 101 does not need to be pushed into the wafer guide hole 28, the jig setting time per cart in the first embodiment is about 12 times the conventional jig setting time per cart. Therefore, workability can be greatly improved.

さらには、従来の治具を用いるよりも、第１実施形態の治具を用いる方が、治具の抜け数および合計外観不良率を大幅に低減できる。 Furthermore, the number of missing jigs and the total appearance defect rate can be greatly reduced by using the jig of the first embodiment rather than using the conventional jig.

上記第１実施形態によれば、図６に示したプラズマＣＶＤ装置において、ウエハガイド用物品２８をウエハガイド冶具１０１に変更しただけで、図２の従来の太陽電池の製造プロセスを全てそのまま行えるから、製造コストの増大を防ぐことができる。 According to the first embodiment, in the plasma CVD apparatus shown in FIG. 6, all of the conventional solar cell manufacturing process of FIG. 2 can be performed as it is simply by changing the wafer guide article 28 to the wafer guide jig 101. Thus, an increase in manufacturing cost can be prevented.

上記第１実施形態では、ウエハガイド冶具１０１をプラズマＣＶＤ装置に搭載したが、図４Ｄ−１，図４Ｄ−２，図４Ｄ−３の平面視でコ字形状のウエハガイド治具４０１や、図４Ｆ−１，図４Ｆ−２，図４Ｆ−３の平面視でＩ字形状のウエハガイド治具６０１を、図６のプラズマＣＶＤ装置に搭載してもよい。この場合でも、上記第１実施形態と同様の効果が得られるのは言うまでもない。 In the first embodiment, the wafer guide jig 101 is mounted on the plasma CVD apparatus. However, the U-shaped wafer guide jig 401 in the plan view of FIGS. 4D-1, 4D-2, and 4D-3, An I-shaped wafer guide jig 601 in plan view of 4F-1, FIG. 4F-2, and FIG. 4F-3 may be mounted on the plasma CVD apparatus of FIG. Even in this case, it goes without saying that the same effect as in the first embodiment can be obtained.

上記ウエハガイド治具４０１は、図４Ｄ−１，図４Ｄ−２，図４Ｄ−３に示すように、本体４０２と、この本体４０２の下面から突出した２４個の突起部４０３とを有する。 As shown in FIGS. 4D-1, 4D-2, and 4D-3, the wafer guide jig 401 includes a main body 402 and 24 protrusions 403 protruding from the lower surface of the main body 402.

上記ウエハガイド治具６０１は、図４Ｆ−１，図４Ｆ−２，図４Ｆ−３に示すように、略四角柱形状の本体６０２と、この本体６０２の下面から突出した２個の突起部６０３とを有する。 As shown in FIGS. 4F-1, 4F-2, and 4F-3, the wafer guide jig 601 includes a substantially quadrangular prism-shaped main body 602 and two protrusions 603 protruding from the lower surface of the main body 602. And have.

また、上記ウエハガイド治具４０１，６０１の全部が、ウエハガイド治具１０１と同様に、例えばアルミナや窒化ケイ素やジルコニア等のセラミックスまたはガラス等の絶縁材料で形成されている。 The wafer guide jigs 401 and 601 are all made of an insulating material such as ceramics such as alumina, silicon nitride, zirconia, or glass, as with the wafer guide jig 101.

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態は、図４Ｂ−１，図４Ｂ−２，図４Ｂ−３の平面視でＩ字形状のウエハガイド治具２０１と、図４Ｃ−１，図４Ｃ−２，図４Ｃ−３の平面視でＬ字形状のウエハガイド治具３０１とを、図６のプラズマＣＶＤ装置に搭載する以外は、上記第１実施形態と同様である。なお、ウエハガイド治具２０１，３０１は、それぞれ、ウエハガイド用物品の一例である。 (Second Embodiment)
The second embodiment of the present invention includes an I-shaped wafer guide jig 201 in plan view of FIGS. 4B-1, 4B-2, and 4B-3, and FIGS. 4C-1, 4C-2, and 4C. 3 is the same as that of the first embodiment except that the L-shaped wafer guide jig 301 in a plan view is mounted on the plasma CVD apparatus of FIG. The wafer guide jigs 201 and 301 are examples of wafer guide articles.

上記ウエハガイド治具２０１は、図４Ｂ−１，図４Ｂ−２，図４Ｂ−３に示すように、略四角柱形状の本体２０２と、この本体２０２の下面から突出した８個の突起部２０３とを有する。 As shown in FIGS. 4B-1, 4B-2, and 4B-3, the wafer guide jig 201 includes a main body 202 having a substantially quadrangular prism shape and eight protrusions 203 protruding from the lower surface of the main body 202. And have.

上記ウエハガイド治具３０１は、図４Ｃ−１，図４Ｃ−２，図４Ｃ−３に示すように、本体３０２と、この本体３０２の下面から突出した１６個の突起部２０３とを有する。 As shown in FIGS. 4C-1, 4C-2, and 4C-3, the wafer guide jig 301 has a main body 302 and 16 protrusions 203 protruding from the lower surface of the main body 302.

また、上記ウエハガイド治具２０１，３０１が、ウエハガイド治具１０１と同様に、例えばアルミナや窒化ケイ素やジルコニア等のセラミックスまたはガラス等の絶縁材料で形成されている。 The wafer guide jigs 201 and 301 are formed of an insulating material such as ceramics such as alumina, silicon nitride, zirconia, or glass, for example, as with the wafer guide jig 101.

上記ウエハガイド治具２０１とウエハガイド用物品３０１とを搭載した図６のプラズマＣＶＤ装置で太陽電池を製造したときの外観検査結果を下表２に示す。また、下表２内には、従来のウエハガイド用物品２８を搭載した図６のプラズマＣＶＤ装置で太陽電池を製造したときの外観検査結果を比較例として示す。なお、上記外検査は肉眼で行った。また、検査ウエハ枚数は１０，８００枚（２００カート分）とした。

Table 2 shows the appearance inspection results when the solar cell was manufactured by the plasma CVD apparatus of FIG. 6 on which the wafer guide jig 201 and the wafer guide article 301 were mounted. Further, in Table 2 below, the appearance inspection result when the solar cell is manufactured by the plasma CVD apparatus of FIG. 6 equipped with the conventional wafer guide article 28 is shown as a comparative example. The external inspection was performed with the naked eye. The number of inspection wafers was 10,800 (for 200 carts).

上記表２から明らかなように、ウエハガイド治具２０１とウエハガイド用物品３０１とを組合せてＣＶＤ成膜に用いることによって、上記第１実施形態よりも、１カートあたりに使用する治具の個数を低減できる。 As is apparent from Table 2 above, the number of jigs used per cart is higher than that of the first embodiment by using the wafer guide jig 201 and the wafer guide article 301 in combination for the CVD film formation. Can be reduced.

また、上記ウエハガイド治具２０１およびウエハガイド用物品３０１はウエハガイド用穴２８への押し込みが不要であることによって、第２実施形態の１カートあたりの冶具セット時間は、従来の１カートあたりの冶具セット時間の約２４分の１となるので、上記第１実施形態の治具を用いたときよりも作業性を向上させることができる。 Further, since the wafer guide jig 201 and the wafer guide article 301 do not need to be pushed into the wafer guide hole 28, the jig setting time per cart in the second embodiment is the same as that per conventional cart. Since the jig setting time is about 1/24, workability can be improved as compared with the case of using the jig of the first embodiment.

さらには、上記第１実施形態の治具を用いるよりも、第２実施形態の治具を用いる方が、治具の抜け数および合計外観不良率を低減できる。 Furthermore, the number of missing jigs and the total appearance defect rate can be reduced by using the jig of the second embodiment rather than using the jig of the first embodiment.

上記第２実施形態によれば、図６のプラズマＣＶＤ装置において、ウエハガイド用物品２８をウエハガイド治具２０１およびウエハガイド用物品３０１に変更しただけで、図２の従来の太陽電池の製造プロセスを全てそのまま行えるから、製造コストの増大を防ぐことができる。 According to the second embodiment, in the plasma CVD apparatus of FIG. 6, the manufacturing process of the conventional solar cell of FIG. 2 is performed only by changing the wafer guide article 28 to the wafer guide jig 201 and the wafer guide article 301. Therefore, it is possible to prevent an increase in manufacturing cost.

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態は、図４Ｂ−１，図４Ｂ−２，図４Ｂ−３の平面視でＩ字形状のウエハガイド治具２０１と、図４Ｃ−１，図４Ｃ−２，図４Ｃ−３の平面視でＬ字形状のウエハガイド治具３０１と、図４Ｅ−１，図４Ｅ−２，図４Ｅ−３の平面視でロ字形状のウエハガイド治具５０１とを、図６のプラズマＣＶＤ装置に搭載する以外は、上記第１実施形態と同様である。なお、ウエハガイド治具５０１はウエハガイド用物品の一例である。 (Third embodiment)
The third embodiment of the present invention includes an I-shaped wafer guide jig 201 in the plan view of FIGS. 4B-1, 4B-2, and 4B-3, and FIGS. 4C-1, 4C-2, and 4C. -3 of the wafer guide jig 301 having an L shape in plan view, and a wafer guide jig 501 having a square shape in plan view of FIGS. 4E-1, 4E-2, and 4E-3. Except for being mounted on a plasma CVD apparatus, it is the same as in the first embodiment. The wafer guide jig 501 is an example of an article for wafer guide.

上記ウエハガイド治具５０１は、図４Ｅ−１，図４Ｅ−２，図４Ｅ−３に示すように、フレーム形状の本体５０２と、この本体５０２の下面から突出した３２個の突起部５０３とを有する。 As shown in FIGS. 4E-1, 4E-2, and 4E-3, the wafer guide jig 501 includes a frame-shaped main body 502 and 32 protrusions 503 protruding from the lower surface of the main body 502. Have.

また、上記ウエハガイド治具５０１は、ウエハガイド治具１０１と同様に、例えばアルミナや窒化ケイ素やジルコニア等のセラミックスまたはガラス等の絶縁材料で形成されている。 The wafer guide jig 501 is formed of an insulating material such as ceramics such as alumina, silicon nitride, zirconia, or glass, as with the wafer guide jig 101.

なお、上記ウエハガイド治具２０１，３０１については上記第２実施形態で説明したので、説明を省略する。 Since the wafer guide jigs 201 and 301 have been described in the second embodiment, description thereof will be omitted.

上記ウエハガイド治具２０１、ウエハガイド用物品３０１およびウエハガイド治具５０１を搭載した図６のプラズマＣＶＤ装置で太陽電池を製造したときの外観検査結果を下表３に示す。また、下表２内には、従来のウエハガイド用物品２８を搭載した図６のプラズマＣＶＤ装置で太陽電池を製造したときの外観検査結果を比較例として示す。なお、上記外検査は肉眼で行った。また、検査ウエハ枚数は１０，８００枚（２００カート分）とした。

Table 3 shows the appearance inspection results when the solar cell was manufactured by the plasma CVD apparatus of FIG. 6 on which the wafer guide jig 201, the wafer guide article 301 and the wafer guide jig 501 were mounted. Further, in Table 2 below, the appearance inspection result when the solar cell is manufactured by the plasma CVD apparatus of FIG. 6 equipped with the conventional wafer guide article 28 is shown as a comparative example. The external inspection was performed with the naked eye. The number of inspection wafers was 10,800 (for 200 carts).

上記表３から明らかなように、ウエハガイド治具２０１、ウエハガイド用物品３０１およびウエハガイド治具５０１を組合せてＣＶＤ成膜に用いることによって、上記第２実施形態よりも、１カートあたりに使用する治具の個数を低減できる。 As is apparent from Table 3 above, the wafer guide jig 201, the wafer guide article 301, and the wafer guide jig 501 are used for CVD film formation in combination with the second embodiment to be used per cart. The number of jigs to be reduced can be reduced.

また、上記ウエハガイド治具２０１、ウエハガイド用物品３０１およびウエハガイド治具５０１はウエハガイド用穴２８への押し込みが不要であることによって、第２実施形態の１カートあたりの冶具セット時間は、従来の１カートあたりの冶具セット時間の約３８分の１となるので、上記第２実施形態の治具を用いたときよりも作業性を向上させることができる。 Further, since the wafer guide jig 201, the wafer guide article 301 and the wafer guide jig 501 do not need to be pushed into the wafer guide hole 28, the jig setting time per cart in the second embodiment is Since the conventional jig setting time per cart is about 1/38, workability can be improved as compared with the case of using the jig of the second embodiment.

さらには、上記第１実施形態の治具を用いるよりも、第３実施形態の治具を用いる方が、治具の抜け数および合計外観不良率を低減できる。 Furthermore, the number of missing jigs and the total appearance defect rate can be reduced by using the jig of the third embodiment rather than using the jig of the first embodiment.

上記第３実施形態によれば、図６のプラズマＣＶＤ装置において、ウエハガイド用物品２８をウエハガイド治具２０１およびウエハガイド用物品３０１に変更しただけで、図２の従来の太陽電池の製造プロセスを全てそのまま行えるから、製造コストの増大を防ぐことができる。 According to the third embodiment, in the plasma CVD apparatus of FIG. 6, the manufacturing process of the conventional solar cell of FIG. 2 is performed only by changing the wafer guide article 28 to the wafer guide jig 201 and the wafer guide article 301. Therefore, it is possible to prevent an increase in manufacturing cost.

上記第１〜第３実施形態では、ウエハガイド治具１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１について説明したが、ウエハガイド治具１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１のうちのどれを図６のプラズマＣＶＤ装置に搭載するか、および、ウエハガイド治具１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１のうちのどれとどれを組み合わせて図６のプラズマＣＶＤ装置に搭載するかは、上記第１〜第３実施形態に限定されず、ウエハ２３の枚数や配置に応じて適宜選択してもよい。 In the first to third embodiments, the wafer guide jigs 101, 201, 301, 401, 501, and 601 have been described. Any of the wafer guide jigs 101, 201, 301, 401, 501, and 601 is used. Whether it is mounted on the plasma CVD apparatus of FIG. 6 and which of the wafer guide jigs 101, 201, 301, 401, 501, 601 is combined with which is mounted on the plasma CVD apparatus of FIG. The present invention is not limited to the first to third embodiments, and may be appropriately selected according to the number and arrangement of the wafers 23.

上記第１〜第３実施形態では、ウエハガイド治具の全部をアルミナや窒化ケイ素やジルコニア等のセラミックスまたはガラス等の絶縁材料で形成していたが、ウエハガイド治具の突起部のみをアルミナや窒化ケイ素やジルコニア等のセラミックスまたはガラス等の絶縁材料で形成してもよい。 In the first to third embodiments, the entire wafer guide jig is made of an insulating material such as alumina, silicon nitride, zirconia, or other ceramics or glass, but only the protrusions of the wafer guide jig are made of alumina or You may form with insulating materials, such as ceramics or glass, such as silicon nitride and a zirconia.

図１は従来の太陽電池のプラズマＣＶＤ装置の概略構造図である。FIG. 1 is a schematic structural diagram of a conventional plasma CVD apparatus for solar cells. 図２は上記従来の太陽電池の製造プロセスのフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart of the manufacturing process of the conventional solar cell. 図３Ａはカートの概略平面図である。FIG. 3A is a schematic plan view of the cart. 図３Ｂは図３Ａの円内の部分の概略拡大図である。FIG. 3B is a schematic enlarged view of a portion in the circle of FIG. 3A. 図４Ａ−１は、本発明の第１実施形態のプラズマＣＶＤ装置に搭載されるウエハガイド治具の概略正面図である。FIG. 4A-1 is a schematic front view of a wafer guide jig mounted on the plasma CVD apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図４Ａ−２は、図４Ａ−１のウエハガイド治具を矢印Ｓ方向から見た概略側面図である。4A-2 is a schematic side view of the wafer guide jig of FIG. 4A-1 viewed from the direction of arrow S. FIG. 図４Ａ−３は、図４Ａ−１のウエハガイド治具を矢印Ｆ方向から見た概略正面図である。4A-3 is a schematic front view of the wafer guide jig of FIG. 4A-1 viewed from the direction of arrow F. FIG. 図４Ｂ−１は、本発明の第２，第３実施形態のプラズマＣＶＤ装置に搭載されるウエハガイド治具の概略正面図である。FIG. 4B-1 is a schematic front view of a wafer guide jig mounted on the plasma CVD apparatus according to the second and third embodiments of the present invention. 図４Ｂ−２は、図４Ｂ−１のウエハガイド治具を矢印Ｓ方向から見た概略側面図である。4B-2 is a schematic side view of the wafer guide jig of FIG. 4B-1 as viewed from the direction of arrow S. FIG. 図４Ｂ−３は、図４Ｂ−１のウエハガイド治具を矢印Ｆ方向から見た概略正面図である。4B-3 is a schematic front view of the wafer guide jig of FIG. 4B-1 as seen from the direction of arrow F. FIG. 図４Ｃ−１は、本発明の第２，第３実施形態のプラズマＣＶＤ装置に搭載されるウエハガイド治具の概略正面図である。FIG. 4C-1 is a schematic front view of a wafer guide jig mounted on the plasma CVD apparatus according to the second and third embodiments of the present invention. 図４Ｃ−２は、図４Ｃ−１のウエハガイド治具を矢印Ｓ方向から見た概略側面図である。4C-2 is a schematic side view of the wafer guide jig of FIG. 4C-1 as viewed from the direction of arrow S. FIG. 図４Ｃ−３は、図４Ｃ−１のウエハガイド治具を矢印Ｆ方向から見た概略正面図である。4C-3 is a schematic front view of the wafer guide jig of FIG. 4C-1 viewed from the direction of arrow F. FIG. 図４Ｄ−１は、本発明の第１実施形態のプラズマＣＶＤ装置に搭載されるウエハガイド治具の概略正面図である。FIG. 4D-1 is a schematic front view of a wafer guide jig mounted on the plasma CVD apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図４Ｄ−２は、図４Ｄ−１のウエハガイド治具を矢印Ｓ方向から見た概略側面図である。4D-2 is a schematic side view of the wafer guide jig of FIG. 4D-1 viewed from the direction of arrow S. FIG. 図４Ｄ−３は、図４Ｄ−１のウエハガイド治具を矢印Ｆ方向から見た概略正面図である。4D-3 is a schematic front view of the wafer guide jig of FIG. 4D-1 viewed from the direction of arrow F. FIG. 図４Ｅ−１は、本発明の第３実施形態のプラズマＣＶＤ装置に搭載されるウエハガイド治具の概略正面図である。FIG. 4E-1 is a schematic front view of a wafer guide jig mounted on the plasma CVD apparatus according to the third embodiment of the present invention. 図４Ｅ−２は、図４Ｅ−１のウエハガイド治具を矢印Ｓ方向から見た概略側面図である。4E-2 is a schematic side view of the wafer guide jig of FIG. 4E-1 viewed from the direction of arrow S. FIG. 図４Ｅ−３は、図４Ｅ−１のウエハガイド治具を矢印Ｆ方向から見た概略正面図である。4E-3 is a schematic front view of the wafer guide jig of FIG. 4E-1 viewed from the direction of arrow F. FIG. 図４Ｆ−１は、本発明の第１実施形態のプラズマＣＶＤ装置に搭載されるウエハガイド治具の概略正面図である。FIG. 4F-1 is a schematic front view of a wafer guide jig mounted on the plasma CVD apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図４Ｆ−２は、図４Ｆ−１のウエハガイド治具を矢印Ｓ方向から見た概略側面図である。4F-2 is a schematic side view of the wafer guide jig of FIG. 4F-1 viewed from the direction of arrow S. FIG. 図４Ｆ−３は、図４Ｆ−１のウエハガイド治具を矢印Ｆ方向から見た概略正面図である。4F-3 is a schematic front view of the wafer guide jig of FIG. 4F-1 viewed from the direction of arrow F. FIG. 図５−１は、従来のプラズマＣＶＤ装置に搭載されるウエハガイド用物品の概略平面図である。FIG. 5A is a schematic plan view of an article for wafer guide mounted on a conventional plasma CVD apparatus. 図５−２は、図５−１のウエハガイド用部品を矢印Ｓ方向から見た概略側面図である。FIG. 5B is a schematic side view of the wafer guide component shown in FIG. 図５−３は、図５−１のウエハガイド用部品を矢印Ｆ方向から見た概略正面図である。FIG. 5C is a schematic front view of the wafer guide component shown in FIG. 図６はプラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a plasma CVD apparatus. 図７は、図４Ａ−１，図４Ａ−２，図４Ａ−３のウエハガイド治具を電極板にセットした状態の概略図である。FIG. 7 is a schematic view of the wafer guide jig of FIGS. 4A-1, 4A-2, and 4A-3 set on an electrode plate.

符号の説明Explanation of symbols

１Ｐ型シリコン基板
２Ｎ型拡散層
３反射防止膜
４アルミペースト電極
５銀ペースト電極
７半田層
２０ＣＶＤチャンバ
２１ガス導入口
２２ガス拡散板
２３ウエハ
２４電極板
２５カート
２６高周波電源
２７対向電極
２８ウエハガイド用穴
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１ウエハガイド治具
１０２，２０２，３０２，４０２，５０２，６０２本体
１０３，２０３，３０３，４０３，５０３，６０３突起部
1 P-type silicon substrate 2 N-type diffusion layer 3 Antireflection film 4 Aluminum paste electrode 5 Silver paste electrode 7 Solder layer 20 CVD chamber 21 Gas inlet 22 Gas diffusion plate 23 Wafer 24 Electrode plate 25 Cart 26 High frequency power supply 27 Counter electrode 28 Wafer guide holes 101, 201, 301, 401, 501, 601 Wafer guide jigs 102, 202, 302, 402, 502, 602 Main bodies 103, 203, 303, 403, 503, 603 Protrusions

Claims

ウエハに成膜処理を施すためのガスが供給される反応室と、
上記反応室内に配置され、上記ウエハを搭載するウエハ搭載用電極と、
上記ウエハの少なくとも一部の周囲に配置されて上記ウエハ搭載用電極の上記ウエハ側の表面に係止すると共に、平面視で略直線形状の部分を少なくとも有するウエハガイド用部品と
を備えたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 A reaction chamber to which a gas for performing a film forming process on the wafer is supplied;
A wafer mounting electrode disposed in the reaction chamber and mounting the wafer;
A wafer guide component disposed around at least a portion of the wafer and engaged with the wafer-side surface of the wafer mounting electrode, and having at least a substantially linear portion in plan view. A characteristic plasma CVD apparatus.

請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置において、
上記ウエハガイド用部品は、上記ウエハ搭載電極に係合する少なくとも２つ以上の突起部を有し、上記ウエハ搭載用の上記ウエハ側の表面に着脱自在に取り付けられることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 The plasma CVD apparatus according to claim 1, wherein
The wafer CVD component has at least two or more protrusions engaged with the wafer mounting electrode, and is detachably attached to the wafer side surface for mounting the wafer. .

請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置において、
上記ウエハガイド用部品の平面視の形状が、略Ｉ字形状または略Ｌ字形状または略ロ字形状であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 The plasma CVD apparatus according to claim 1, wherein
A plasma CVD apparatus characterized in that a shape of the wafer guide component in a plan view is substantially I-shaped, substantially L-shaped, or substantially square-shaped.

請求項２に記載のプラズマＣＶＤ装置において、
上記突起部の材質が、アルミナまたは窒化ケイ素またはジルコニアまたはガラス類であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
In the plasma CVD apparatus according to claim 2,
The plasma CVD apparatus characterized in that the material of the protrusion is alumina, silicon nitride, zirconia, or glass.