JP2007114360A - 薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 配線層それ自体の厚さの増加及びアンダーカットの生成に起因するステップカバレッジの低下と、生産性の低下、製造コストの上昇という難点を生じないで、透明導電層の腐食及びコンタクト抵抗の増加という問題を解消できる液晶表示装置と、その製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板１上に形成されたＡｌ層またはＡｌ合金層からなる第１配線層２を、第１配線層２の一部を露出させるコンタクトホール３３を持つ第１絶縁層３で覆う。メッキ法で堆積した金属よりなる第１導電材９ｂをコンタクトホール３３中に配置し、第１配線層２の露出部分に接触させ且つその露出部分全体を覆う。第１導電材９ｂ上に第１透明導電層１０ｂを形成し、第１透明導電層１０ｂを第１導電材９ｂを介して第１配線層１に電気的に接続する。
【選択図】 図１
【解決手段】 絶縁性基板１上に形成されたＡｌ層またはＡｌ合金層からなる第１配線層２を、第１配線層２の一部を露出させるコンタクトホール３３を持つ第１絶縁層３で覆う。メッキ法で堆積した金属よりなる第１導電材９ｂをコンタクトホール３３中に配置し、第１配線層２の露出部分に接触させ且つその露出部分全体を覆う。第１導電材９ｂ上に第１透明導電層１０ｂを形成し、第１透明導電層１０ｂを第１導電材９ｂを介して第１配線層１に電気的に接続する。
【選択図】 図１
Description
本発明は、薄膜トランジスタ（Thin-Film Transistor,以下、ＴＦＴという）を備えた液晶表示装置及びその製造方法に関し、さらに言えば、アルミニウム（Ａｌ）またはその合金を用いて形成された配線と、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide、インジウム錫酸化物）等の透明導電材よりなる層（透明導電層）とを電気的に接続した液晶表示装置と、その製造方法に関する。
近年、高解像度のディスプレイとして液晶表示装置が広く用いられている。この液晶表示装置は、一般に、ＴＦＴ等のスイッチング素子が形成された基板（以下、ＴＦＴ基板という）と、カラーフィルタ、ブラックマトリクス等が形成された対向基板と、両基板の間に配置された液晶層とを備え、ＴＦＴ基板と対向基板の各々に設けた電極の間、またはＴＦＴ基板内に設けた複数の電極の間に生じる電界で液晶分子の配向方向を変化させることにより、光の透過量を画素毎に制御して画像を表示するものである。上記ＴＦＴ基板には、ゲート電極線（走査線）やドレイン電極線（信号線）、共通電極線などの各種配線が格子状に形成され、これらの配線の端部には、ゲート電極入力端子、ドレイン電極入力端子、共通電極入力端子等が設けられており、それらの端子を用いて外部の駆動回路素子に電気的に接続されている。この外部駆動回路素子は、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）法などによって、上記ＴＦＴ基板に取り付けられる。
以上の構成を持つ液晶表示装置は、大型になるほど上述した各種配線が長くなるから、それに伴って配線の電気抵抗（以下、単に抵抗という）が増加し、その影響による信号の伝搬遅延によって表示品位が低下してしまう。また、近年、液晶表示装置には高密度化や開口率の向上が求められているから、そのためには配線を細くする必要があるが、配線を細くすると抵抗が増加するため、やはり信号の伝搬遅延による表示品位の低下が生じる。このため、従来、上述した各種配線には、低抵抗の配線材であるアルミニウム（Ａｌ）が用いられてきている。
しかし、Ａｌの標準電極電位は、画素電極などに使用される透明導電材（例えばＩＴＯ）のそれとは大きく乖離しているため、透明導電材の層（透明導電層）をパターニングする際に使用する現像液やエッチング液を介して当該透明導電材が電気化学反応を起こし、腐食してしまうという問題がある。また、Ａｌ層と透明導電材を直接接続すると、透明導電材中の酸素（Ｏ）原子がＡｌ層に引き抜かれてしまい、両者の界面に絶縁性の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）層が形成されてコンタクト抵抗が大きくなるという問題もある。
そこで、これら二つの問題すなわち、「透明導電層の腐食」及び「コンタクト抵抗の増加」という問題を解消するために、Ａｌ層の上にタングステン（Ｗ）等からなる導電性バリア層（上位バリア層）を積層形成してなる二段構造の配線と、Ａｌ層の上下にそれぞれＷ等からなる導電性バリア層（上位・下位バリア層）を積層形成してなる三段構造の配線が提案された。その一例を図４に示す。
図４は、従来のＴＦＴを備えた液晶表示装置の要部構成を示す部分断面図であり、ＴＦＴを含むトランジスタ部と、ＴＦＴのゲート電極に接続されたゲート電極線の端子部（ゲート端子部）と、ＴＦＴのドレイン電極に接続されたドレイン電極線の端子部（ドレイン端子部）とを示している。
図４に示すように、ガラス基板１０１の上に、Ａｌ合金層１０２とその上に積層された上位バリア金属層１１１からなる２段構造のゲート電極１２１と、ゲート電極１２１と同じ２段構造のゲート電極線１２２とが形成されている。ゲート電極線１２２は、ゲート電極１２１と一体的に形成されていて、ゲート端子部まで延在している。ゲート電極１２１とゲート電極線１２２は、ガラス基板１０１の全面に形成されたゲート絶縁層１０３で覆われている。ゲート絶縁層１０３は、ゲート端子部にコンタクトホール１３３を有しており、そのコンタクトホール１３３から下方にあるゲート電極線１２２の一部が露出している。
トランジスタ部では、ゲート絶縁層１０３の上に、ゲート電極１２１と重なるように、島状にパターン化されたアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉという）層１０４が形成されている。ａ−Ｓｉ層１０４は、内部にチャネルを形成するための導電層である。ａ−Ｓｉ層１０４の上には、島状にパターン化された一対のｎ+型ａ−Ｓｉ層１０５ａ及び１０５ｂが所定間隔をあけて形成されている。ｎ+型ａ−Ｓｉ層１０５ａ及び１０５ｂの上には、ソース電極１２３及びドレイン電極１２４がそれぞれ形成されている。ソース電極１２３とドレイン電極１２４の間には、所定間隔が設けられている。これらｎ+型ａ−Ｓｉ層１０５ａ及び１０５ｂは、それらの上にそれぞれ配置されるソース電極１２３及びドレイン電極１２４と、ａ−Ｓｉ層１０４とのオ−ミック接触改善のための導電層である。
ソース電極１２３は、下位バリア金属層１０６と、その上に積層されたＡｌ合金層１０７と、その上に形成された上位バリア金属層１１２からなる三段構造を持つ。ドレイン電極１２４は、ソース電極１２３と同じ三段構造を持つ。ドレイン電極線１２５は、ドレイン電極１２３と同じ三段構造を持つ。
ソース電極１２３、ドレイン電極１２４及びドレイン電極線１２５は、ガラス基板１０１の全面に形成されたパッシベーション絶縁層１０８によって覆われている。パッシベーション絶縁層１０８は、ソース電極１２３とドレイン電極１２４の間の隙間にも入り込んでいる。
パッシベーション絶縁層１０８の上には、ＩＴＯよりなる透明導電層１１０ａ、１１０ｂ及び１１０ｃが形成されている。透明導電層１１０ａ、１１０ｂ及び１１０ｃは、パッシベーション絶縁層１０８とゲート絶縁層１０３に形成されたコンタクトホールを介して、ドレイン電極１２４とゲート電極線１２２とドレイン電極線１２５に接触せしめられている。すなわち、トランジスタ部にある透明導電層１１０ａは、パッシベーション絶縁層１０８に形成されたコンタクトホール１３１を介して、ドレイン電極１２４を構成する上位バリア金属層１１２に接触している。ゲート端子部にある透明導電層１１０ｂは、パッシベーション絶縁層１０８に形成されたコンタクトホール１３２とゲート絶縁層１０３に形成されたコンタクトホール１３３とを介して、ゲート電極線１２２を構成する上位バリア金属層１１２に接触している。ドレイン端子部にある透明導電層１１０ｃは、パッシベーション絶縁層１０８に形成されたコンタクトホール１３４を介して、ドレイン電極線１２５を構成する上位バリア金属層１１２に接触している。
上述したように、図４に示した従来の配線構造では、透明導電層１１０ａ、１１０ｂ及び１１０ｃは、ドレイン電極１２４のＡｌ合金層１０７やゲート電極線１２２のＡｌ合金層１０２やドレイン電極線１２５のＡｌ合金層１０７には直接接触しないので、現像液やエッチング液による電気化学反応が抑制される。また、透明導電層１１０ａ、１１０ｂ及び１１０ｃとＡｌ合金層１０２または１０７の間に、上位バリア金属層１１１または１１２が介在しているので、透明導電層１１０ａ、１１０ｂ及び１１０ｃとＡｌ合金層１０２または１０７の間のコンタクト抵抗は増加しない。
しかしながら、このような「二段構造配線」には、いくつかの難点がある。（この点については、「三段構造配線」も「二段構造配線」と同様なので、以下の説明では「二段構造配線」についてのみ言及する。）
第一の難点は、「二段構造配線」の場合、Ａｌ合金層１０２または１０７の上に上位バリア金属層１１１または１１２が積層されているので、上位バリア金属層１１１または１１２の分だけゲート電極線１２２及びドレイン電極線１２５（すなわち配線）の厚さが大きくなり、その結果、ゲート電極線１２２及びドレイン電極線１２５の上位に配置される層のステップカバレッジを低下させてしまう、ということである。
第一の難点は、「二段構造配線」の場合、Ａｌ合金層１０２または１０７の上に上位バリア金属層１１１または１１２が積層されているので、上位バリア金属層１１１または１１２の分だけゲート電極線１２２及びドレイン電極線１２５（すなわち配線）の厚さが大きくなり、その結果、ゲート電極線１２２及びドレイン電極線１２５の上位に配置される層のステップカバレッジを低下させてしまう、ということである。
第二の難点は、二段構造配線のパターニングのために上位バリア金属層１１１または１１２とＡｌ合金層１０２または１０７を一括してウェットエッチングすると、Ａｌ合金層１０２または１０７のみがサイドエッチングされるため、上位バリア金属層１１１または１１２の下位にアンダーカットが生じる。このため、ゲート電極線１２２及びドレイン電極線１２５の上位に配置される層のステップカバレッジを著しく低下させる可能性がある、ということである。
第三の難点は、上位バリア金属層１１１または１１２の形成のためにＣＶＤあるいはスパッタリング用のチャンバーを別個に用意する必要があるため、生産性が低下し、結果として製造コスト上昇につながる、ということである。
このため、これら三つの難点を生じることなく「透明導電層の腐食」及び「コンタクト抵抗の増加」という問題を解消し得る技術が望まれるが、そのような技術は従来から数多く提案されている。
例えば、特開平１１−６４８８７号公報に開示された薄膜トランジスタ型液晶表示装置では、配線用のＡｌ層を覆う絶縁層に当該Ａｌ層の表面に達するコンタクトホールを設けると共に、このコンタクトホールの内面を含む前記絶縁層上にＩＴＯ層（透明導電層）を形成し、前記コンタクトホールの底面上において前記ＩＴＯ層と前記Ａｌ層の間にシリサイド層を介在させている。このように構成することにより、前記シリサイド層の介在により、前記ＩＴＯ層と前記Ａｌ層とが直接接触することによるコンタクト抵抗の増加が防止される。また、前記シリサイド層は前記絶縁層のコンタクトホールの底面上にのみ形成されているため、前記絶縁層は前記Ａｌ層のみを覆えばよく、したがって前記絶縁層のステップカバレッジが向上する。また、前記絶縁層のコンタクトホールの底面上に形成された前記シリサイド層の分だけ前記コンタクトホールが浅くなるため、前記ＩＴＯ層のステップカバレッジも向上する。さらに、配線が前記Ａｌ層だけで形成されるため、エッチングが１回ですむから、配線パターンの形成が容易となる（請求項１、段落０００５、０００６、図１を参照）。
特開２００４−６９３６号公報には、基板上に形成された第１金属膜と前記第１金属膜上に形成された第２金属膜（キャッピング膜）よるなるゲート電極と、前記基板上に形成された第２金属膜よりなるゲートパッドと、前記ゲート電極及びゲートパッドが形成された基板上に、前記ゲートパッドの第２金属膜の一部を露出させるように形成された絶縁膜と、ゲート電極上の前記絶縁膜上に形成された半導体膜パターンと、前記半導体膜パターン上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールと前記ゲートパッドの第２金属膜を露出させるコンタクトホールを持つように形成された保護膜パターンと、前記保護膜パターン上に、前記ドレイン電極と接触する第１画素電極パターン、前記ゲートパッドの第２金属膜と接触する第２画素電極パターンを備えたＴＦＴ基板が開示されている。前記第１金属膜は、例えばＡｌまたはＡｌ合金よりなる。前記第２金属膜は、例えばＣｒ、Ｍｏ、ＴａまたはＴｉよりなる。前記第２画素電極パターンは、例えばＩＴＯよりなる。（請求項１〜３、段落００１２〜００１４、図１１を参照）。
このＴＦＴ基板では、ゲート電極をＡｌまたはＡｌ合金（第１金属膜）と、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ等の耐火性（高融点）金属（第２金属膜）との二重構造に形成することにより、ＡｌとＩＴＯの直接的な接触による電池反応及びヒロックを防止することができる。また、第２金属膜（キャッピング膜）により陽極酸化工程を省くことができ、絶縁膜及び保護膜を同時に蝕刻することができるため、写真工程の数を減らし得る。さらに、第１金属膜の大きさを第２金属膜と同様にするか、又は更に大きくすることができるので、ゲート電極にアンダーカットが発生しない。従って、ゲート電極の形成以後、絶縁膜の蒸着時にステップカバレッジの不良に起因して絶縁特性が低下することを防止することができる。
特開平１１−６４８８７号公報（請求項１、段落０００５、０００６、図１）
特開平２００４−６９３６号公報（請求項１〜３、段落００１２〜００１４、図１１）
しかしながら、上述した特開平１１−６４８８７号公報に開示された薄膜トランジスタ型液晶表示装置では、前記Ａｌ層を形成した後に、ガラス基板の加熱を要するプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やスパッタ法によって前記シリサイド層を形成する必要があるので、プラズマＣＶＤ装置や、スパッタ装置及びスパッタリング・ターゲットを用意する必要があり、したがってその分だけ製造コストが上昇する、という難点がある。また、前記シリサイド層の形成工程は、熱履歴による前記Ａｌ層のヒロックやボイドの発生を助長する、という難点もある。
また、上述した特開平２００４−６９３６号公報に開示されたＴＦＴ基板では、ゲート電極が、ＡｌまたはＡｌ合金（第１金属膜）と、その上に形成されたＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ等の耐火性（高融点）金属（第２金属膜）との二段構造となっているから、ゲート電極と同じ構成で形成されるゲート電極線もそれと同じ二段構造となる。したがって、図４に示した従来の配線構造と同様の難点がある。
そこで、本発明の目的は、上述した、配線層それ自体の厚さの増加に起因するステップカバレッジの低下、アンダーカットの生成に起因するステップカバレッジの低下、そして生産性の低下と製造コストの上昇という三つの難点を生じることなく、透明導電層の腐食及びコンタクト抵抗の増加という問題を解消することができる液晶表示装置と、その製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、厳しい環境に曝されるゲート端子部及びドレイン端子部の信頼性を改善することができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
ここに明記しない本発明の他の目的は、以下の説明及び添付図面から明らかであろう。
（１） 本発明の第１の観点では、ＴＦＴを備えた液晶表示装置が提供される。この液晶表示装置は、
絶縁性基板上に直接または絶縁層を介して配置された、パターン化されたＡｌ層またはＡｌ合金層からなる第１配線層と、
前記第１配線層を覆うように前記基板上に配置され、且つ前記第１配線層の一部を露出させるコンタクトホールを有する第１絶縁層と、
前記コンタクトホール中で前記第１配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆うように形成された、メッキ金属よりなる第１導電材と、
前記第１導電材に接触せしめられた第１透明導電層とを備え、
前記第１透明導電層は、前記第１導電材を介して前記第１配線層に電気的に接続されていることを特徴とするものである。
絶縁性基板上に直接または絶縁層を介して配置された、パターン化されたＡｌ層またはＡｌ合金層からなる第１配線層と、
前記第１配線層を覆うように前記基板上に配置され、且つ前記第１配線層の一部を露出させるコンタクトホールを有する第１絶縁層と、
前記コンタクトホール中で前記第１配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆うように形成された、メッキ金属よりなる第１導電材と、
前記第１導電材に接触せしめられた第１透明導電層とを備え、
前記第１透明導電層は、前記第１導電材を介して前記第１配線層に電気的に接続されていることを特徴とするものである。
本発明の第１の観点による液晶表示装置では、絶縁性基板上に直接または絶縁層を介して配置され且つパターン化されたＡｌまたはＡｌ合金製の第１配線層を備えており、その第１配線層は第１絶縁層で覆われている。その第１絶縁層は、前記第１配線層の一部を露出させるコンタクトホールを有しており、前記第１配線層の露出部分全体は、そのコンタクトホール中においてメッキ金属（メッキ法で堆積された金属）よりなる第１導電材で覆われている。第１透明導電層は、その第１導電材に対して接触せしめられていて、その第１導電材を介して前記第１配線層に電気的に接続されている。このため、「透明導電層の腐食」及び「コンタクト抵抗の増加」という問題を解消することができる。
しかも、前記第１導電材は、前記第１絶縁層のコンタクトホール中で前記第１配線層の露出部分に接触し、且つその露出部分全体を覆うように形成されているから、前記第１絶縁層は前記第１配線層を覆うのみである。したがって、パターン化されたＡｌまたはＡｌ合金層の表面全体に上位バリア金属層が積層形成されており、しかも絶縁層がＡｌまたはＡｌ合金層と上位バリア金属層の双方を覆っている従来の配線構造（図４を参照）とは明らかに異なる。よって、「配線層それ自体の厚さの増加に起因するステップカバレッジの低下」という上述した第一の難点は生じない。
また、同様の理由により、エッチングによりパターン化されるのは前記第１配線層のみであり、前記導電材に対してはエッチング（パターン化）を行う必要がないので、「アンダーカットの生成に起因するステップカバレッジの低下」という上述した第二の難点も生じない。
さらに、前記導電材は、メッキ金属よりなっているので、当該導電材の形成のためにＣＶＤ用やスパッタ用のチャンバーを別個に用意する必要がない。よって、「生産性の低下と製造コストの上昇」という第三の難点も生じない。
なお、前記第１配線層は、パターン化されたＡｌ層またはＡｌ合金層のみから形成されるのが好ましいが、パターン化されたＡｌ層またはＡｌ合金層と、パターン化された他の導電層をそのＡｌ層またはＡｌ合金層の下に配置した二段構造であってもよい。
本発明の第１の観点による液晶表示装置の好ましい例では、前記第１導電材が、前記第１絶縁層のコンタクトホール中にのみ配置される。この例では、当該コンタクトホールの中で前記第１導電材の厚さの分だけ前記第１透明導電層が持ち上げられ、また、前記第１導電材は前記第１絶縁層の上に配置されない。このため、前記第１透明導電層（及びその上に形成される層）のステップカバレッジが改善される、という利点がある。この利点は、前記第１配線層がドレイン電極線の場合であってもゲート電極線であっても生じるが、ゲート電極線である場合により顕著となる。ゲート電極線は、前記第１透明導電層との距離がドレイン電極線の場合よりも大きいため、両者の間に生じる段差がより大きくなるからである。
本発明の第１の観点による液晶表示装置の他の好ましい例では、前記第１導電材の幅が、前記第１配線層の幅よりも小さくされる。また、前記第１導電材の底が、前記コンタクトホールの底と同一平面内にあるようにされる。
本発明の第１の観点による液晶表示装置のさらに他の好ましい例では、前記第１導電材が、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ及びＣｒよりなる群から選ばれる一種とされる。これらは、当該液晶表示装置の使用環境に対する耐食性に優れた、メッキ法で堆積可能な金属であり、好ましいが、本発明ではこれら以外の金属も使用可能である。
本発明の第１の観点による液晶表示装置のさらに他の好ましい例では、
前記第１絶縁層の上に形成された、パターン化されたＡｌ層またはＡｌ合金層からなる第２配線層と、
前記第２配線層を覆うように前記第１絶縁層の上に形成され、且つ前記第２配線層の一部を露出させるコンタクトホールを有する第２絶縁層と、
前記第２配線層の前記コンタクトホール中で前記第２配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆うように形成された、メッキ可能な金属よりなる第２導電材と、
前記第２導電材に接触せしめられた第２透明導電層とをさらに備えており、
前記第２透明導電層は、前記第２導電材を介して前記第２配線層に電気的に接続される。
前記第１絶縁層の上に形成された、パターン化されたＡｌ層またはＡｌ合金層からなる第２配線層と、
前記第２配線層を覆うように前記第１絶縁層の上に形成され、且つ前記第２配線層の一部を露出させるコンタクトホールを有する第２絶縁層と、
前記第２配線層の前記コンタクトホール中で前記第２配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆うように形成された、メッキ可能な金属よりなる第２導電材と、
前記第２導電材に接触せしめられた第２透明導電層とをさらに備えており、
前記第２透明導電層は、前記第２導電材を介して前記第２配線層に電気的に接続される。
この例では、好ましくは、前記第１配線層がゲート電極線とされ、前記第２配線層がドレイン電極線とされる。この場合、ゲート電極線とドレイン電極線の双方に関して前記第１透明導電層及び第２透明導電層のステップカバレッジが改善される、という利点がある。
本発明の第１の観点による液晶表示装置のさらに他の好ましい例では、前記第２導電材が、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ及びＣｒよりなる群から選ばれる一種とされる。
（２） 本発明の第２の観点では、本発明の第１の観点による液晶表示装置の製造方法が提供される。この液晶表示装置の製造方法は、
絶縁性基板上に直接または絶縁層を介して、Ａｌ層またはＡｌ合金層を形成する工程と、
前記Ａｌ層またはＡｌ合金層をパターン化して第１配線層を形成する工程と
前記基板上に前記第１配線層を覆うように第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層を選択的にエッチングして、前記第１配線層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、
前記第１絶縁層の前記コンタクトホール中に金属をメッキ法で堆積させ、もって前記第１配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆う第１導電材を形成する工程と、
前記第１導電材の上に第１透明導電層を形成してその第１透明導電層を前記第１導電材に接触せしめ、もって前記第１透明導電層を前記第１導電材を介して前記第１配線層に電気的に接続せしめる工程とを備えてなることを特徴とするものである。
（２） 本発明の第２の観点では、本発明の第１の観点による液晶表示装置の製造方法が提供される。この液晶表示装置の製造方法は、
絶縁性基板上に直接または絶縁層を介して、Ａｌ層またはＡｌ合金層を形成する工程と、
前記Ａｌ層またはＡｌ合金層をパターン化して第１配線層を形成する工程と
前記基板上に前記第１配線層を覆うように第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層を選択的にエッチングして、前記第１配線層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、
前記第１絶縁層の前記コンタクトホール中に金属をメッキ法で堆積させ、もって前記第１配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆う第１導電材を形成する工程と、
前記第１導電材の上に第１透明導電層を形成してその第１透明導電層を前記第１導電材に接触せしめ、もって前記第１透明導電層を前記第１導電材を介して前記第１配線層に電気的に接続せしめる工程とを備えてなることを特徴とするものである。
本発明の第２の観点による液晶表示装置の製造方法では、絶縁性基板上に直接または絶縁層を介してＡｌ層またはＡｌ合金層を形成し、それをパターン化して第１配線層を形成する。次に、前記基板上に前記第１配線層を覆うように第１絶縁層を形成し、それを選択的にエッチングして、前記第１配線層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する。その後、前記第１絶縁層の前記コンタクトホール中に金属をメッキ法で堆積させ、もって前記第１配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆う第１導電材を形成してから、その第１導電材の上に第１透明導電材を形成してその第１透明導電層を前記第１導電材に接触せしめる。こうして前記第１透明導電層を、前記第１導電材を介して前記第１配線層に電気的に接続する。
よって、本発明の第１の観点による液晶表示装置が製造されることが明らかである。
本発明の第２の観点による液晶表示装置の製造方法の好ましい例では、前記第１導電材が、前記第１絶縁層のコンタクトホール中にのみ配置される。
本発明の第２の観点による液晶表示装置の製造方法の他の好ましい例では、前記第１配線層によりゲート電極線が形成される。
本発明の第２の観点による液晶表示装置の製造方法の他の好ましい例では、前記第１導電材の幅が前記第１配線層の幅よりも小さく設定される。
本発明の第２の観点による液晶表示装置の製造方法のさらに他の好ましい例では、前記第１導電材が、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ及びＣｒよりなる群から選ばれる一種とされる。
本発明の第２の観点による液晶表示装置の製造方法のさらに他の好ましい例では、前記メッキ法として、電解メッキ法が使用される。
本発明の第２の観点による液晶表示装置の製造方法のさらに他の好ましい例では、さらに、
前記第１絶縁層の上に形成された、パターン化されたＡｌ層またはＡｌ合金層からなる第２配線層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上に前記第２配線層を覆うように第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層を選択的にエッチングして、前記第２配線層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、
前記第２絶縁層の前記コンタクトホール中に金属をメッキ法で堆積させ、もって前記第２配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆う第２導電材を形成する工程と、
前記第２導電材の上に第２透明導電材を形成してその第２透明導電層を前記第２導電材に接触せしめ、もって前記第２透明導電層を前記第２導電材を介して前記第２配線層に電気的に接続せしめる工程とを備える。
前記第１絶縁層の上に形成された、パターン化されたＡｌ層またはＡｌ合金層からなる第２配線層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上に前記第２配線層を覆うように第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層を選択的にエッチングして、前記第２配線層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、
前記第２絶縁層の前記コンタクトホール中に金属をメッキ法で堆積させ、もって前記第２配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆う第２導電材を形成する工程と、
前記第２導電材の上に第２透明導電材を形成してその第２透明導電層を前記第２導電材に接触せしめ、もって前記第２透明導電層を前記第２導電材を介して前記第２配線層に電気的に接続せしめる工程とを備える。
この例では、好ましくは、前記第１配線層がゲート電極線とされ、前記第２配線層がドレイン電極線とされる。この場合、ゲート電極線とドレイン電極線の双方に関して前記第１透明導電層及び第２透明導電層のステップカバレッジが改善される、という利点がある。
本発明の第２の観点による液晶表示装置の製造方法の好ましい例では、前記第２導電材が、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ及びＣｒよりなる群から選ばれる一種とされる。
本発明の液晶表示装置及びその製造方法によれば、（ａ）配線層それ自体の厚さの増加に起因するステップカバレッジの低下、アンダーカットの生成に起因するステップカバレッジの低下、そして生産性の低下と製造コストの上昇という三つの難点を生じることなく、透明導電層の腐食及びコンタクト抵抗の増加という問題を解消することができる、（ｂ）厳しい環境に曝されるゲート端子部及びドレイン端子部の信頼性を改善することができる、という効果が得られる。
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
（液晶表示装置の構成）
図１は、本発明の一実施形態の液晶表示装置の要部構成を示す部分断面図であり、ＴＦＴを含むトランジスタ部と、ＴＦＴのゲート電極に接続されたゲート電極線の端子部（ゲート端子部）と、ＴＦＴのドレイン電極に接続されたドレイン電極線の端子部（ドレイン端子部）とを示している。ここでは、逆スタガ構造のチャネルエッチ型ＴＦＴについて説明するが、本発明はＡｌまたはＡｌ合金を用いた配線層を使用するその他の型式のＴＦＴにも適用できるものである。
図１は、本発明の一実施形態の液晶表示装置の要部構成を示す部分断面図であり、ＴＦＴを含むトランジスタ部と、ＴＦＴのゲート電極に接続されたゲート電極線の端子部（ゲート端子部）と、ＴＦＴのドレイン電極に接続されたドレイン電極線の端子部（ドレイン端子部）とを示している。ここでは、逆スタガ構造のチャネルエッチ型ＴＦＴについて説明するが、本発明はＡｌまたはＡｌ合金を用いた配線層を使用するその他の型式のＴＦＴにも適用できるものである。
図１に示すように、矩形のガラス基板１の上に直接あるいは下地絶縁層（図示省略）を介して、パターン化されたＡｌ合金層２からなる１段構造のゲート電極２１と、ゲート電極２１と同じＡｌ合金層２をパターン化してなるゲート電極線２２とが形成されている。ゲート電極線２２は、ゲート電極２１と一体的に形成されていて、ゲート端子部まで延在している。ゲート電極２１とゲート電極線２２は、ガラス基板１の全面に形成されたゲート絶縁層３で覆われている。ゲート絶縁層３は、ゲート端子部にコンタクトホール３３を有しており、そのコンタクトホール３３から下方にあるゲート電極線２２の一部が露出せしめられている。
トランジスタ部では、ゲート絶縁層３の上に、ゲート電極２１と重なるように、島状にパターン化されたａ−Ｓｉ層４が形成されている。ａ−Ｓｉ層４は、内部にチャネルを形成するための導電層である。ａ−Ｓｉ層４の上には、島状にパターン化された一対のｎ+型ａ−Ｓｉ層５ａ及び５ｂが所定間隔をあけて形成されている。ｎ+型ａ−Ｓｉ層５ａ及び５ｂの上には、金属製のソース電極２３及びドレイン電極２４がそれぞれ形成されている。これらｎ+型ａ−Ｓｉ層５ａ及び５ｂは、それらの上にあるソース電極２３及びドレイン電極２４と、それらの下位にあるａ−Ｓｉ層４とのオ−ミック接触改善のための導電層である。
ソース電極２３は、パターン化された下位バリア金属層６と、その上に積層されたパターン化されたＡｌ合金層７とからなる二段構造を持つ。ドレイン電極２４は、ソース電極２３と同じ二段構造を持つ。ソース電極２３及びドレイン電極２４は、ガラス基板１の全面に形成されたパッシベーション絶縁層８によって覆われている。
パッシベーション絶縁層８は、トランジスタ部とゲート端子部とドレイン端子部にそれぞれコンタクトホール３１、３２、３４を有している。トランジスタ部では、パッシベーション絶縁層８のコンタクトホール３１を介して、下方にあるドレイン電極２４（の上段部を構成するＡｌ合金層７）の一部が露出せしめられている。ゲート端子部では、ゲート絶縁層３のコンタクトホール３３と、それに重ねて形成されたパッシベーション絶縁層８のコンタクトホール３２とを介して、下方にあるゲート電極線２２（を構成するＡｌ合金層２）の一部が露出せしめられている。ドレイン端子部では、パッシベーション絶縁層８のコンタクトホール３４を介して、下方にあるドレイン電極線２５（の上段部を構成するＡｌ合金層７）の一部が露出せしめられている。
パッシベーション絶縁層８のコンタクトホール３１の内部には、メッキ金属からなる導電材９ａが配置されている。この導電材９ａの底部は、ドレイン電極２４の表面（すなわちＡｌ合金層７の表面）に接触しており、しかもドレイン電極２４（すなわちＡｌ合金層７）の表面の露出部分全体を覆っている。導電材９ａの厚さ（高さ）は、コンタクトホール３１の深さよりも少し小さくされている。したがって、導電材９ａはコンタクトホール３１の内部にのみ配置されており、コンタクトホール３１の外部には突出していない。
パッシベーション絶縁層８のコンタクトホール３２に重ねて形成されたゲート絶縁層３のコンタクトホール３３の内部には、メッキ金属からなる導電材９ｂが配置されている。この導電材９ｂの底部は、ゲート電極線２２の表面（すなわちＡｌ合金層２の表面）に接触しており、しかもゲート電極線２２（すなわちＡｌ合金層２）の表面の露出部分全体を覆っている。導電材９ｂの厚さ（高さ）は、コンタクトホール３３の深さの半分程度である。したがって、導電材９ｂの頂部は、パッシベーション絶縁層８のコンタクトホール３２の内部には達していない。つまり、導電材９ｂはコンタクトホール３３の内部にのみ配置されており、コンタクトホール３３の外部には突出していない。
パッシベーション絶縁層８のコンタクトホール３４の内部には、メッキ金属からなる導電材９ｃが配置されている。この導電材９ｃの底部は、ドレイン電極線２５の表面（すなわちＡｌ合金層７の表面）に接触しており、しかもドレイン電極線２５（すなわちＡｌ合金層７）の表面の露出部分全体を覆っている。導電材９ｃの厚さ（高さ）は、コンタクトホール３４の深さよりも少し小さくされている。したがって、導電材９ｃはコンタクトホール３４の内部にのみ配置されており、コンタクトホール３４の外部には突出していない。
パッシベーション絶縁層８の上には、コンタクトホール３１、３２及び３４にそれぞれ重なるようにして、ＩＴＯよりなる透明導電層１０ａ、１０ｂ及び１０ｃが形成されている。透明導電層１０ａは、パッシベーション絶縁層８の上でコンタクトホール３１に重なるように形成されていて、その底面はコンタクトホール３１の内部に配置された導電材９ａの表面に接触せしめられている。透明導電層１０ａは、このようにして、導電材９ａを介してドレイン電極２４を構成するＡｌ合金層７に電気的に接続されている。
透明導電層１０ｂは、パッシベーション絶縁層８の上でコンタクトホール３２と３３に重なるように形成されていて、その底面はコンタクトホール３３の内部に配置された導電材９ｂの表面に接触せしめられている。透明導電層１０ｂは、このようにして、導電材９ｂを介してゲート電極線２２を構成するＡｌ合金層２に電気的に接続されている。
透明導電層１０ｃは、パッシベーション絶縁層８の上でコンタクトホール３４に重なるように形成されていて、その底面はコンタクトホール３４の内部に配置された導電材９ｃの表面に接触せしめられている。透明導電層１０ｃは、このようにして、導電材９ｃを介してドレイン電極線２５を構成するＡｌ合金層７に電気的に接続されている。
（液晶表示装置の製造方法）
次に、図２及び図３を参照しながら、上記構成を持つ本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。
次に、図２及び図３を参照しながら、上記構成を持つ本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。
最初に、図２に示すように、所望の大きさを持つ矩形のガラス基板１の上に、直接あるいは下地絶縁層（図示省略）を介して、例えばスパッタ法を用いてＡｌ合金を２０００オングストローム程度の厚さで堆積させ、Ａｌ合金層２を形成する。その後、そのＡｌ合金層２を公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングし、もってゲート電極２１及びそれと一体的に接続されたゲート電極線２２を形成する。Ａｌ合金としては、例えば、Ａｌ−Ｎｄ合金等の耐熱性が良好で低抵抗率の材料を好適に使用できる。Ａｌ合金層２は、リン酸／硝酸／酢酸／水の混酸を用いると、一括して順テーパーにエッチングすることができる。
その後、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、ガラス基板１の全面にわたって、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜からなるゲート絶縁膜３を３０００オングストローム程度の厚さで形成する。これにより、ゲート電極２１とゲート電極線２２は、ゲート絶縁膜３で覆われる。
次に、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、ゲート絶縁膜３の上に、ＴＦＴの半導体層となるａ−Ｓｉ層４を２０００オングストローム程度の厚さで形成し、その上にｎ+型ａ−Ｓｉ層を５００オングストローム程度の厚さで形成する。その後、こうして形成したａ−Ｓｉ層４およびｎ+型ａ−Ｓｉ層を公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてアイランド状にパターニングし、二層構造のＴＦＴ領域を形成する。この状態では、ＴＦＴ領域以外の箇所ではゲート絶縁膜３が露出している。
その後、例えばスパッタ法を用いて、ガラス基板１の全面にわたって、５００オングストローム程度の厚さの下位バリア金属層６と、２０００オングストローム程度の厚さのＡｌ合金層７をこの順に堆積・形成する。これにより、アイランド状のＴＦＴ領域は、下位バリア金属層６とＡｌ合金層７の積層体で覆われる。この下位バリア金属層６とＡｌ合金層７の積層体は、ＴＦＴ領域以外の箇所ではゲート絶縁膜３上に位置する。下位バリア金属としては、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属を好適に使用することができる。Ａｌ合金としては、Ａｌ−Ｎｄ合金などの耐熱性が良好で低抵抗率の材料を好適に使用することができる。
その後、下位バリア金属層６とＡｌ合金層７の積層体を、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングし、トランジスタ部にソース電極２３及びドレイン電極２４を形成し、トランジスタ部以外の箇所にソース電極線（図示せず）及びドレイン電極線２５を形成する。このエッチング工程は、リン酸／硝酸／酢酸／水の混酸を用いると、一括して順テーパーにエッチングすることができる。
その後、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、トランジスタ部にあるｎ+型ａ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層４を、ソース電極２３とドレイン電極２４とで挟まれた箇所（チャネル領域）が露出するように選択的にエッチングする。すると、ｎ+型ａ−Ｓｉ層は二つに分けられてｎ+型ａ−Ｓｉ層５ａ及び５ｂとなる。こうして、図２に示すような構成のチャネルエッチ型ＴＦＴが得られる。
次に、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、２０００オングストローム程度の厚さのＳｉＮｘ膜からなるパッシベーション絶縁層８を、ガラス基板１の全面にわたって堆積・形成する。これにより、ソース電極２３、ドレイン電極２４、ソース電極線（図示せず）及びドレイン電極線２５は、パッシベーション絶縁層８で覆われる。この時、パッシベーション絶縁層８は、ソース電極２３とドレイン電極２４とで挟まれた箇所に入り込む。また、パッシベーション絶縁層８は、ソース電極２３、ドレイン電極２４、ソース電極線及びドレイン電極線２５以外の箇所では、ゲート絶縁膜３の上に位置する。
その後、所定パターンのレジスト膜を用いて、例えばＳＦ6系のガスを使用したドライエッチングを行うことにより、パッシベーション膜８とその下位にあるゲート絶縁膜３を順にエッチングする。こうして、パッシベーション膜８にコンタクトホール３１、３２及び３４を形成し、ゲート絶縁膜３にコンタクトホール３３を形成する。ゲート絶縁膜３のコンタクトホール３３は、パッシベーション膜８のコンタクトホール３２と完全に重なっていて、両者で一つのコンタクトホールのようになっている。その結果、トランジスタ部のコンタクトホール３１を介して、ドレイン電極２４を構成するＡｌ合金層７の一部が露出せしめられ、ドレイン端子部のコンタクトホール３４を介して、ドレイン電極線２５を構成するＡｌ合金層７の一部が露出せしめられる。また、ゲート端子部のコンタクトホール３２及び３３を介して、ゲート電極線を構成するＡｌ合金層２の一部が露出せしめられる。なお、このコンタクトホールのエッチング工程には、バッファードフッ酸などの薬液によるウェットエッチングを使用することも可能である。この時の状態は、図２に示すようになる。
次に、コンタクトホール３１と３４の底部にそれぞれ露出したＡｌ合金層７の表面に形成されてしまうＡｌ自然酸化膜と、コンタクトホール３２と３３の底部に露出したＡｌ合金層２の表面に形成されてしまうＡｌ自然酸化膜とを、例えばバッファードフッ酸、リン酸などの薬液を用いて除去する。
その後、公知の電解メッキ法により、コンタクトホール３１の内部のＡｌ合金層７の露出面上に導電材９ａを、コンタクトホール３４の内部のＡｌ合金層７の露出面に導電材９ｃを、コンタクトホール３２及び３３の内部のＡｌ合金層２の露出面に導電材９ｂを、それぞれ選択的に形成する。この時の状態は、図３に示すようになる。導電材９ａ、９ｂ及び９ｃとして使用可能な金属としては、ＮｉやＡｇ、Ａｕ、Ｃｒなどの耐食性がよく、透明導電膜とのコンタクト抵抗が低い材料を選択することが可能である。
ここで電解めっき法を用いることにより、コンタクトホール中に露出しているＡｌ合金層２及び７の表面にのみ選択的にメッキ金属を堆積させて、導電材９ａ、９ｂ及び９ｃを得ることができる。また、Ａｌ自然酸化膜を除去する工程と電解メッキ工程をひとつの装置内に組み込み、両工程を連続して実施すれば、Ａｌ合金層２及び７の表面に形成される自然酸化膜の厚さを小さくすることができるので、メッキ金属（すなわち導電材９ａ、９ｂ及び９ｃ）とＡｌ合金層２または７とのコンタクト抵抗をより低減することが可能である。
ここで電解めっき法を用いることにより、コンタクトホール中に露出しているＡｌ合金層２及び７の表面にのみ選択的にメッキ金属を堆積させて、導電材９ａ、９ｂ及び９ｃを得ることができる。また、Ａｌ自然酸化膜を除去する工程と電解メッキ工程をひとつの装置内に組み込み、両工程を連続して実施すれば、Ａｌ合金層２及び７の表面に形成される自然酸化膜の厚さを小さくすることができるので、メッキ金属（すなわち導電材９ａ、９ｂ及び９ｃ）とＡｌ合金層２または７とのコンタクト抵抗をより低減することが可能である。
その後、パッシベーション膜８の上に、例えばスパッタ法を用いて、透明導電材を５００オングストローム程度の厚さで堆積し、それを公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングする。こうして、図１に示すように、透明導電層１０ａ、１０ｂ及び１０ｃを導電材９ａ、９ｂ及び９ｃとそれぞれ重なる位置に形成する。この時、透明導電層１０ａ、１０ｂ及び１０ｃの底面は、導電材９ａ、９ｂ及び９ｃの表面にそれぞれ接触するので、透明導電層１０ａ、１０ｂ及び１０ｃはそれぞれ、導電材９ａ、９ｂ及び９ｃを介してＡｌ合金層７または２に電気的に接続される。なお、この工程において、同じ透明導電材を用いて画素電極（図示せず）もパッシベーション膜８の上に形成される。画素電極はソース電極２３に接続される。透明導電膜としては、ＩＴＯの他に、ＩＺＯなども使用することが可能である。
以上のような工程を経て、本発明の一実施形態の液晶表示装置が製造される。
以上のような工程を経て、本発明の一実施形態の液晶表示装置が製造される。
以上述べたように、図１に示した本発明の一実施形態の液晶表示装置では、透明導電層１０ａ、１０ｂ及び１０ｃが、それぞれ、ドレイン電極２４のＡｌ合金層７、ゲート電極線２２のＡｌ合金層２、そしてドレイン電極線２５のＡｌ合金層７に直接接触しないので、現像液やエッチング液による電気化学反応が抑制される。また、透明導電層１０ａ、１０ｂ及び１０ｃとＡｌ合金層２または７の間に、導電材９ａ、９ｂまたは９ｃが介在しているので、透明導電層１０ａ、１０ｂ及び１０ｃとＡｌ合金層２または７の間のコンタクト抵抗は増加しない。
しかも、導電材９ａ及び９ｃは、パッシベーション絶縁層８のコンタクトホール３１及び３４中でＡｌ合金層７の露出部分にそれぞれ接触し、且つその露出部分全体を覆うように形成されており、また、導電材９ｂは、ゲート絶縁層３のコンタクトホール３３中でＡｌ合金層２の露出部分に接触し、且つその露出部分全体を覆うように形成されている。また、導電材９ａ及び９ｃは、それぞれコンタクトホール３１及び３４の内部にのみ存在し、それらの外には突出していない。導電材９ｂは、コンタクトホール３３の内部にのみ存在し、その外には突出していない。従って、この配線構造は、図４に記載した従来の配線構造とは明らかに異なるものであり、「配線層それ自体の厚さの増加に起因するステップカバレッジの低下」という上述した第一の難点は生じないものである。
また、同様の理由により、エッチングによりパターン化されるのは、ドレイン電極２４とドレイン電極線２５については、下位バリア金属層６とＡｌ合金層７のみであり、導電材９ａ及び９ｃに対してはエッチング（パターン化）が行われないので、「アンダーカットの生成に起因するステップカバレッジの低下」という上述した第二の難点も生じない。また、ゲート電極線２２については、エッチングによりパターン化されるのはＡｌ合金層２のみであり、導電材９ｂに対してはエッチング（パターン化）が行われないので、ゲート電極線２２についても同様のことが言える。
さらに、導電材９ａ、９ｂ及び９ｃは、いずれもメッキ金属で形成されており、公知の電解メッキ法で形成することができるから、導電材９ａ、９ｂ及び９ｃの形成のためにＣＶＤやスパッタ用のチャンバーを別個に用意する必要がない。よって、「生産性の低下と製造コストの上昇」という第三の難点も生じない。
さらに言えば、導電材９ａ、９ｂ及び９ｃは、いずれも、当該液晶表示装置の使用環境に対する耐食性に優れたメッキ金属（例えばＮｉ）で形成されるので、厳しい環境に曝されるゲート端子部やドレイン端子部の接続信頼性が改善される。その結果、液晶表示装置自体の動作信頼性も改善されることになる。
（変形例）
上述した実施形態は本発明を具体化した例を示すものである。したがって、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を外れることなく種々の変形が可能であることは言うまでもない。
上述した実施形態は本発明を具体化した例を示すものである。したがって、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を外れることなく種々の変形が可能であることは言うまでもない。
例えば、上記実施形態では、ゲート電極とゲート電極線をＡｌ合金層のみで形成し、ドレイン電極とドレイン電極線を下位バリア金属層とＡｌ合金層の二段構造としているが、本発明はこれには限定されない。この実施形態で、Ａｌ合金層に変えてＡｌ層を用いてもよいことは言うまでもない。また、例えば、ゲート電極とゲート電極線をＡｌ合金層のみで形成し、ドレイン電極とドレイン電極線をＣｒ、Ｍｏ等の高融点金属の層のみで形成してもよい。ゲート電極とゲート電極線を、下位バリア金属層とＡｌ層またはＡｌ合金層の二段構造としてもよいし、ドレイン電極とドレイン電極線をＡｌ層またはＡｌ合金層のみで形成してもよい。
１ ガラス基板
２ Ａｌ合金層
３ ゲート絶縁層
４ ａ−Ｓｉ層
５ａ、５ｂ ｎ+型ａ−Ｓｉ層
６ 下位バリア金属層
７ Ａｌ合金層
８ パッシベーション絶縁層
９ａ、９ｂ、９ｃ 導電材
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ 透明導電層
２１ ゲート電極
２２ ゲート電極線
２３ ソース電極
２４ ドレイン電極
２５ ドレイン電極線
３１、３２、３４ パッシベーション絶縁層のコンタクトホール
３３ ゲート絶縁層のコンタクトホール
２ Ａｌ合金層
３ ゲート絶縁層
４ ａ−Ｓｉ層
５ａ、５ｂ ｎ+型ａ−Ｓｉ層
６ 下位バリア金属層
７ Ａｌ合金層
８ パッシベーション絶縁層
９ａ、９ｂ、９ｃ 導電材
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ 透明導電層
２１ ゲート電極
２２ ゲート電極線
２３ ソース電極
２４ ドレイン電極
２５ ドレイン電極線
３１、３２、３４ パッシベーション絶縁層のコンタクトホール
３３ ゲート絶縁層のコンタクトホール
Claims (13)
- 絶縁性基板上に直接または絶縁層を介して配置された、パターン化されたＡｌ層またはＡｌ合金層からなる第１配線層と、
前記第１配線層を覆うように前記基板上に配置され、且つ前記第１配線層の一部を露出させるコンタクトホールを有する第１絶縁層と、
前記コンタクトホール中で前記第１配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆うように形成された、メッキ金属よりなる第１導電材と、
前記第１導電材に接触せしめられた第１透明導電層とを備え、
前記第１透明導電層は、前記第１導電材を介して前記第１配線層に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第１導電材が、前記第１絶縁層のコンタクトホール中にのみ配置されている請求項１に記載の液晶表示装置。
- 前記第１配線層がゲート電極線である請求項１または２に記載の液晶表示装置。
- 前記第１導電材の幅が、前記第１配線層の幅よりも小さい請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
- 前記第１導電材が、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ及びＣｒよりなる群から選ばれる一種とされる請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
- 前記第１絶縁層の上に形成された、パターン化されたＡｌ層またはＡｌ合金層からなる第２配線層と、
前記第２配線層を覆うように前記第１絶縁層の上に形成され、且つ前記第２配線層の一部を露出させるコンタクトホールを有する第２絶縁層と、
前記第２配線層の前記コンタクトホール中で前記第２配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆うように形成された、メッキ可能な金属よりなる第２導電材と、
前記第２導電材に接触せしめられた第２透明導電層とをさらに備えており、
前記第２透明導電層は、前記第２導電材を介して前記第２配線層に電気的に接続されている請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。 - 絶縁性基板上に直接または絶縁層を介して、Ａｌ層またはＡｌ合金層を形成する工程と、
前記Ａｌ層またはＡｌ合金層をパターン化して第１配線層を形成する工程と
前記基板上に前記第１配線層を覆うように第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層を選択的にエッチングして、前記第１配線層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、
前記第１絶縁層の前記コンタクトホール中に金属をメッキ法で堆積させ、もって前記第１配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆う第１導電材を形成する工程と、
前記第１導電材の上に第１透明導電層を形成してその第１透明導電層を前記第１導電材に接触せしめ、もって前記第１透明導電層を前記第１導電材を介して前記第１配線層に電気的に接続せしめる工程と
を備えてなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記第１導電材が、前記第１絶縁層のコンタクトホール中にのみ配置される請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第１配線層によりゲート電極線が形成される請求項７または８に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第１導電材の幅が前記第１配線層の幅よりも小さく設定される請求項７〜９のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第１導電材が、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ及びＣｒよりなる群から選ばれる一種とされる請求項７〜１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記メッキ法として電解メッキ法が使用される請求項７〜１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第１絶縁層の上に形成された、パターン化されたＡｌ層またはＡｌ合金層からなる第２配線層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上に前記第２配線層を覆うように第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層を選択的にエッチングして、前記第２配線層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、
前記第２絶縁層の前記コンタクトホール中に金属をメッキ法で堆積させ、もって前記第２配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆う第２導電材を形成する工程と、
前記第２導電材の上に第２透明導電材を形成してその第２透明導電層を前記第２導電材に接触せしめ、もって前記第２透明導電層を前記第２導電材を介して前記第２配線層に電気的に接続せしめる工程とをさらに備えている請求項７〜１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
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|---|---|---|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0925185A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-01-28 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 炭化珪素膜被覆部材及びその製造方法 |
| JP2010169165A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Daikin Ind Ltd | 食い込み式管接続構造、弁、食い込み式管継手及び冷凍装置 |
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| JP2011100011A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置 |
| JP2013161090A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Samsung Display Co Ltd | 薄膜トランジスター表示板及びその製造方法 |
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