JP2007114360A - 薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 配線層それ自体の厚さの増加及びアンダーカットの生成に起因するステップカバレッジの低下と、生産性の低下、製造コストの上昇という難点を生じないで、透明導電層の腐食及びコンタクト抵抗の増加という問題を解消できる液晶表示装置と、その製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板1上に形成されたAl層またはAl合金層からなる第1配線層2を、第1配線層2の一部を露出させるコンタクトホール33を持つ第1絶縁層3で覆う。メッキ法で堆積した金属よりなる第1導電材9bをコンタクトホール33中に配置し、第1配線層2の露出部分に接触させ且つその露出部分全体を覆う。第1導電材9b上に第1透明導電層10bを形成し、第1透明導電層10bを第1導電材9bを介して第1配線層1に電気的に接続する。
【選択図】 図1
【解決手段】 絶縁性基板1上に形成されたAl層またはAl合金層からなる第1配線層2を、第1配線層2の一部を露出させるコンタクトホール33を持つ第1絶縁層3で覆う。メッキ法で堆積した金属よりなる第1導電材9bをコンタクトホール33中に配置し、第1配線層2の露出部分に接触させ且つその露出部分全体を覆う。第1導電材9b上に第1透明導電層10bを形成し、第1透明導電層10bを第1導電材9bを介して第1配線層1に電気的に接続する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、薄膜トランジスタ(Thin-Film Transistor,以下、TFTという)を備えた液晶表示装置及びその製造方法に関し、さらに言えば、アルミニウム(Al)またはその合金を用いて形成された配線と、ITO(Indium Tin Oxide、インジウム錫酸化物)等の透明導電材よりなる層(透明導電層)とを電気的に接続した液晶表示装置と、その製造方法に関する。
近年、高解像度のディスプレイとして液晶表示装置が広く用いられている。この液晶表示装置は、一般に、TFT等のスイッチング素子が形成された基板(以下、TFT基板という)と、カラーフィルタ、ブラックマトリクス等が形成された対向基板と、両基板の間に配置された液晶層とを備え、TFT基板と対向基板の各々に設けた電極の間、またはTFT基板内に設けた複数の電極の間に生じる電界で液晶分子の配向方向を変化させることにより、光の透過量を画素毎に制御して画像を表示するものである。上記TFT基板には、ゲート電極線(走査線)やドレイン電極線(信号線)、共通電極線などの各種配線が格子状に形成され、これらの配線の端部には、ゲート電極入力端子、ドレイン電極入力端子、共通電極入力端子等が設けられており、それらの端子を用いて外部の駆動回路素子に電気的に接続されている。この外部駆動回路素子は、TAB(Tape Automated Bonding)法などによって、上記TFT基板に取り付けられる。
以上の構成を持つ液晶表示装置は、大型になるほど上述した各種配線が長くなるから、それに伴って配線の電気抵抗(以下、単に抵抗という)が増加し、その影響による信号の伝搬遅延によって表示品位が低下してしまう。また、近年、液晶表示装置には高密度化や開口率の向上が求められているから、そのためには配線を細くする必要があるが、配線を細くすると抵抗が増加するため、やはり信号の伝搬遅延による表示品位の低下が生じる。このため、従来、上述した各種配線には、低抵抗の配線材であるアルミニウム(Al)が用いられてきている。
しかし、Alの標準電極電位は、画素電極などに使用される透明導電材(例えばITO)のそれとは大きく乖離しているため、透明導電材の層(透明導電層)をパターニングする際に使用する現像液やエッチング液を介して当該透明導電材が電気化学反応を起こし、腐食してしまうという問題がある。また、Al層と透明導電材を直接接続すると、透明導電材中の酸素(O)原子がAl層に引き抜かれてしまい、両者の界面に絶縁性の酸化アルミニウム(Al2O3)層が形成されてコンタクト抵抗が大きくなるという問題もある。
そこで、これら二つの問題すなわち、「透明導電層の腐食」及び「コンタクト抵抗の増加」という問題を解消するために、Al層の上にタングステン(W)等からなる導電性バリア層(上位バリア層)を積層形成してなる二段構造の配線と、Al層の上下にそれぞれW等からなる導電性バリア層(上位・下位バリア層)を積層形成してなる三段構造の配線が提案された。その一例を図4に示す。
図4は、従来のTFTを備えた液晶表示装置の要部構成を示す部分断面図であり、TFTを含むトランジスタ部と、TFTのゲート電極に接続されたゲート電極線の端子部(ゲート端子部)と、TFTのドレイン電極に接続されたドレイン電極線の端子部(ドレイン端子部)とを示している。
図4に示すように、ガラス基板101の上に、Al合金層102とその上に積層された上位バリア金属層111からなる2段構造のゲート電極121と、ゲート電極121と同じ2段構造のゲート電極線122とが形成されている。ゲート電極線122は、ゲート電極121と一体的に形成されていて、ゲート端子部まで延在している。ゲート電極121とゲート電極線122は、ガラス基板101の全面に形成されたゲート絶縁層103で覆われている。ゲート絶縁層103は、ゲート端子部にコンタクトホール133を有しており、そのコンタクトホール133から下方にあるゲート電極線122の一部が露出している。
トランジスタ部では、ゲート絶縁層103の上に、ゲート電極121と重なるように、島状にパターン化されたアモルファスシリコン(以下、a−Siという)層104が形成されている。a−Si層104は、内部にチャネルを形成するための導電層である。a−Si層104の上には、島状にパターン化された一対のn+型a−Si層105a及び105bが所定間隔をあけて形成されている。n+型a−Si層105a及び105bの上には、ソース電極123及びドレイン電極124がそれぞれ形成されている。ソース電極123とドレイン電極124の間には、所定間隔が設けられている。これらn+型a−Si層105a及び105bは、それらの上にそれぞれ配置されるソース電極123及びドレイン電極124と、a−Si層104とのオ−ミック接触改善のための導電層である。
ソース電極123は、下位バリア金属層106と、その上に積層されたAl合金層107と、その上に形成された上位バリア金属層112からなる三段構造を持つ。ドレイン電極124は、ソース電極123と同じ三段構造を持つ。ドレイン電極線125は、ドレイン電極123と同じ三段構造を持つ。
ソース電極123、ドレイン電極124及びドレイン電極線125は、ガラス基板101の全面に形成されたパッシベーション絶縁層108によって覆われている。パッシベーション絶縁層108は、ソース電極123とドレイン電極124の間の隙間にも入り込んでいる。
パッシベーション絶縁層108の上には、ITOよりなる透明導電層110a、110b及び110cが形成されている。透明導電層110a、110b及び110cは、パッシベーション絶縁層108とゲート絶縁層103に形成されたコンタクトホールを介して、ドレイン電極124とゲート電極線122とドレイン電極線125に接触せしめられている。すなわち、トランジスタ部にある透明導電層110aは、パッシベーション絶縁層108に形成されたコンタクトホール131を介して、ドレイン電極124を構成する上位バリア金属層112に接触している。ゲート端子部にある透明導電層110bは、パッシベーション絶縁層108に形成されたコンタクトホール132とゲート絶縁層103に形成されたコンタクトホール133とを介して、ゲート電極線122を構成する上位バリア金属層112に接触している。ドレイン端子部にある透明導電層110cは、パッシベーション絶縁層108に形成されたコンタクトホール134を介して、ドレイン電極線125を構成する上位バリア金属層112に接触している。
上述したように、図4に示した従来の配線構造では、透明導電層110a、110b及び110cは、ドレイン電極124のAl合金層107やゲート電極線122のAl合金層102やドレイン電極線125のAl合金層107には直接接触しないので、現像液やエッチング液による電気化学反応が抑制される。また、透明導電層110a、110b及び110cとAl合金層102または107の間に、上位バリア金属層111または112が介在しているので、透明導電層110a、110b及び110cとAl合金層102または107の間のコンタクト抵抗は増加しない。
しかしながら、このような「二段構造配線」には、いくつかの難点がある。(この点については、「三段構造配線」も「二段構造配線」と同様なので、以下の説明では「二段構造配線」についてのみ言及する。)
第一の難点は、「二段構造配線」の場合、Al合金層102または107の上に上位バリア金属層111または112が積層されているので、上位バリア金属層111または112の分だけゲート電極線122及びドレイン電極線125(すなわち配線)の厚さが大きくなり、その結果、ゲート電極線122及びドレイン電極線125の上位に配置される層のステップカバレッジを低下させてしまう、ということである。
第一の難点は、「二段構造配線」の場合、Al合金層102または107の上に上位バリア金属層111または112が積層されているので、上位バリア金属層111または112の分だけゲート電極線122及びドレイン電極線125(すなわち配線)の厚さが大きくなり、その結果、ゲート電極線122及びドレイン電極線125の上位に配置される層のステップカバレッジを低下させてしまう、ということである。
第二の難点は、二段構造配線のパターニングのために上位バリア金属層111または112とAl合金層102または107を一括してウェットエッチングすると、Al合金層102または107のみがサイドエッチングされるため、上位バリア金属層111または112の下位にアンダーカットが生じる。このため、ゲート電極線122及びドレイン電極線125の上位に配置される層のステップカバレッジを著しく低下させる可能性がある、ということである。
第三の難点は、上位バリア金属層111または112の形成のためにCVDあるいはスパッタリング用のチャンバーを別個に用意する必要があるため、生産性が低下し、結果として製造コスト上昇につながる、ということである。
このため、これら三つの難点を生じることなく「透明導電層の腐食」及び「コンタクト抵抗の増加」という問題を解消し得る技術が望まれるが、そのような技術は従来から数多く提案されている。
例えば、特開平11−64887号公報に開示された薄膜トランジスタ型液晶表示装置では、配線用のAl層を覆う絶縁層に当該Al層の表面に達するコンタクトホールを設けると共に、このコンタクトホールの内面を含む前記絶縁層上にITO層(透明導電層)を形成し、前記コンタクトホールの底面上において前記ITO層と前記Al層の間にシリサイド層を介在させている。このように構成することにより、前記シリサイド層の介在により、前記ITO層と前記Al層とが直接接触することによるコンタクト抵抗の増加が防止される。また、前記シリサイド層は前記絶縁層のコンタクトホールの底面上にのみ形成されているため、前記絶縁層は前記Al層のみを覆えばよく、したがって前記絶縁層のステップカバレッジが向上する。また、前記絶縁層のコンタクトホールの底面上に形成された前記シリサイド層の分だけ前記コンタクトホールが浅くなるため、前記ITO層のステップカバレッジも向上する。さらに、配線が前記Al層だけで形成されるため、エッチングが1回ですむから、配線パターンの形成が容易となる(請求項1、段落0005、0006、図1を参照)。
特開2004−6936号公報には、基板上に形成された第1金属膜と前記第1金属膜上に形成された第2金属膜(キャッピング膜)よるなるゲート電極と、前記基板上に形成された第2金属膜よりなるゲートパッドと、前記ゲート電極及びゲートパッドが形成された基板上に、前記ゲートパッドの第2金属膜の一部を露出させるように形成された絶縁膜と、ゲート電極上の前記絶縁膜上に形成された半導体膜パターンと、前記半導体膜パターン上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールと前記ゲートパッドの第2金属膜を露出させるコンタクトホールを持つように形成された保護膜パターンと、前記保護膜パターン上に、前記ドレイン電極と接触する第1画素電極パターン、前記ゲートパッドの第2金属膜と接触する第2画素電極パターンを備えたTFT基板が開示されている。前記第1金属膜は、例えばAlまたはAl合金よりなる。前記第2金属膜は、例えばCr、Mo、TaまたはTiよりなる。前記第2画素電極パターンは、例えばITOよりなる。(請求項1〜3、段落0012〜0014、図11を参照)。
このTFT基板では、ゲート電極をAlまたはAl合金(第1金属膜)と、Cr、Mo、Ta、Ti等の耐火性(高融点)金属(第2金属膜)との二重構造に形成することにより、AlとITOの直接的な接触による電池反応及びヒロックを防止することができる。また、第2金属膜(キャッピング膜)により陽極酸化工程を省くことができ、絶縁膜及び保護膜を同時に蝕刻することができるため、写真工程の数を減らし得る。さらに、第1金属膜の大きさを第2金属膜と同様にするか、又は更に大きくすることができるので、ゲート電極にアンダーカットが発生しない。従って、ゲート電極の形成以後、絶縁膜の蒸着時にステップカバレッジの不良に起因して絶縁特性が低下することを防止することができる。
特開平11−64887号公報(請求項1、段落0005、0006、図1)
特開平2004−6936号公報(請求項1〜3、段落0012〜0014、図11)
しかしながら、上述した特開平11−64887号公報に開示された薄膜トランジスタ型液晶表示装置では、前記Al層を形成した後に、ガラス基板の加熱を要するプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法やスパッタ法によって前記シリサイド層を形成する必要があるので、プラズマCVD装置や、スパッタ装置及びスパッタリング・ターゲットを用意する必要があり、したがってその分だけ製造コストが上昇する、という難点がある。また、前記シリサイド層の形成工程は、熱履歴による前記Al層のヒロックやボイドの発生を助長する、という難点もある。
また、上述した特開平2004−6936号公報に開示されたTFT基板では、ゲート電極が、AlまたはAl合金(第1金属膜)と、その上に形成されたCr、Mo、Ta、Ti等の耐火性(高融点)金属(第2金属膜)との二段構造となっているから、ゲート電極と同じ構成で形成されるゲート電極線もそれと同じ二段構造となる。したがって、図4に示した従来の配線構造と同様の難点がある。
そこで、本発明の目的は、上述した、配線層それ自体の厚さの増加に起因するステップカバレッジの低下、アンダーカットの生成に起因するステップカバレッジの低下、そして生産性の低下と製造コストの上昇という三つの難点を生じることなく、透明導電層の腐食及びコンタクト抵抗の増加という問題を解消することができる液晶表示装置と、その製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、厳しい環境に曝されるゲート端子部及びドレイン端子部の信頼性を改善することができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
ここに明記しない本発明の他の目的は、以下の説明及び添付図面から明らかであろう。
(1) 本発明の第1の観点では、TFTを備えた液晶表示装置が提供される。この液晶表示装置は、
絶縁性基板上に直接または絶縁層を介して配置された、パターン化されたAl層またはAl合金層からなる第1配線層と、
前記第1配線層を覆うように前記基板上に配置され、且つ前記第1配線層の一部を露出させるコンタクトホールを有する第1絶縁層と、
前記コンタクトホール中で前記第1配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆うように形成された、メッキ金属よりなる第1導電材と、
前記第1導電材に接触せしめられた第1透明導電層とを備え、
前記第1透明導電層は、前記第1導電材を介して前記第1配線層に電気的に接続されていることを特徴とするものである。
絶縁性基板上に直接または絶縁層を介して配置された、パターン化されたAl層またはAl合金層からなる第1配線層と、
前記第1配線層を覆うように前記基板上に配置され、且つ前記第1配線層の一部を露出させるコンタクトホールを有する第1絶縁層と、
前記コンタクトホール中で前記第1配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆うように形成された、メッキ金属よりなる第1導電材と、
前記第1導電材に接触せしめられた第1透明導電層とを備え、
前記第1透明導電層は、前記第1導電材を介して前記第1配線層に電気的に接続されていることを特徴とするものである。
本発明の第1の観点による液晶表示装置では、絶縁性基板上に直接または絶縁層を介して配置され且つパターン化されたAlまたはAl合金製の第1配線層を備えており、その第1配線層は第1絶縁層で覆われている。その第1絶縁層は、前記第1配線層の一部を露出させるコンタクトホールを有しており、前記第1配線層の露出部分全体は、そのコンタクトホール中においてメッキ金属(メッキ法で堆積された金属)よりなる第1導電材で覆われている。第1透明導電層は、その第1導電材に対して接触せしめられていて、その第1導電材を介して前記第1配線層に電気的に接続されている。このため、「透明導電層の腐食」及び「コンタクト抵抗の増加」という問題を解消することができる。
しかも、前記第1導電材は、前記第1絶縁層のコンタクトホール中で前記第1配線層の露出部分に接触し、且つその露出部分全体を覆うように形成されているから、前記第1絶縁層は前記第1配線層を覆うのみである。したがって、パターン化されたAlまたはAl合金層の表面全体に上位バリア金属層が積層形成されており、しかも絶縁層がAlまたはAl合金層と上位バリア金属層の双方を覆っている従来の配線構造(図4を参照)とは明らかに異なる。よって、「配線層それ自体の厚さの増加に起因するステップカバレッジの低下」という上述した第一の難点は生じない。
また、同様の理由により、エッチングによりパターン化されるのは前記第1配線層のみであり、前記導電材に対してはエッチング(パターン化)を行う必要がないので、「アンダーカットの生成に起因するステップカバレッジの低下」という上述した第二の難点も生じない。
さらに、前記導電材は、メッキ金属よりなっているので、当該導電材の形成のためにCVD用やスパッタ用のチャンバーを別個に用意する必要がない。よって、「生産性の低下と製造コストの上昇」という第三の難点も生じない。
なお、前記第1配線層は、パターン化されたAl層またはAl合金層のみから形成されるのが好ましいが、パターン化されたAl層またはAl合金層と、パターン化された他の導電層をそのAl層またはAl合金層の下に配置した二段構造であってもよい。
本発明の第1の観点による液晶表示装置の好ましい例では、前記第1導電材が、前記第1絶縁層のコンタクトホール中にのみ配置される。この例では、当該コンタクトホールの中で前記第1導電材の厚さの分だけ前記第1透明導電層が持ち上げられ、また、前記第1導電材は前記第1絶縁層の上に配置されない。このため、前記第1透明導電層(及びその上に形成される層)のステップカバレッジが改善される、という利点がある。この利点は、前記第1配線層がドレイン電極線の場合であってもゲート電極線であっても生じるが、ゲート電極線である場合により顕著となる。ゲート電極線は、前記第1透明導電層との距離がドレイン電極線の場合よりも大きいため、両者の間に生じる段差がより大きくなるからである。
本発明の第1の観点による液晶表示装置の他の好ましい例では、前記第1導電材の幅が、前記第1配線層の幅よりも小さくされる。また、前記第1導電材の底が、前記コンタクトホールの底と同一平面内にあるようにされる。
本発明の第1の観点による液晶表示装置のさらに他の好ましい例では、前記第1導電材が、Ni、Ag、Au及びCrよりなる群から選ばれる一種とされる。これらは、当該液晶表示装置の使用環境に対する耐食性に優れた、メッキ法で堆積可能な金属であり、好ましいが、本発明ではこれら以外の金属も使用可能である。
本発明の第1の観点による液晶表示装置のさらに他の好ましい例では、
前記第1絶縁層の上に形成された、パターン化されたAl層またはAl合金層からなる第2配線層と、
前記第2配線層を覆うように前記第1絶縁層の上に形成され、且つ前記第2配線層の一部を露出させるコンタクトホールを有する第2絶縁層と、
前記第2配線層の前記コンタクトホール中で前記第2配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆うように形成された、メッキ可能な金属よりなる第2導電材と、
前記第2導電材に接触せしめられた第2透明導電層とをさらに備えており、
前記第2透明導電層は、前記第2導電材を介して前記第2配線層に電気的に接続される。
前記第1絶縁層の上に形成された、パターン化されたAl層またはAl合金層からなる第2配線層と、
前記第2配線層を覆うように前記第1絶縁層の上に形成され、且つ前記第2配線層の一部を露出させるコンタクトホールを有する第2絶縁層と、
前記第2配線層の前記コンタクトホール中で前記第2配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆うように形成された、メッキ可能な金属よりなる第2導電材と、
前記第2導電材に接触せしめられた第2透明導電層とをさらに備えており、
前記第2透明導電層は、前記第2導電材を介して前記第2配線層に電気的に接続される。
この例では、好ましくは、前記第1配線層がゲート電極線とされ、前記第2配線層がドレイン電極線とされる。この場合、ゲート電極線とドレイン電極線の双方に関して前記第1透明導電層及び第2透明導電層のステップカバレッジが改善される、という利点がある。
本発明の第1の観点による液晶表示装置のさらに他の好ましい例では、前記第2導電材が、Ni、Ag、Au及びCrよりなる群から選ばれる一種とされる。
(2) 本発明の第2の観点では、本発明の第1の観点による液晶表示装置の製造方法が提供される。この液晶表示装置の製造方法は、
絶縁性基板上に直接または絶縁層を介して、Al層またはAl合金層を形成する工程と、
前記Al層またはAl合金層をパターン化して第1配線層を形成する工程と
前記基板上に前記第1配線層を覆うように第1絶縁層を形成する工程と、
前記第1絶縁層を選択的にエッチングして、前記第1配線層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、
前記第1絶縁層の前記コンタクトホール中に金属をメッキ法で堆積させ、もって前記第1配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆う第1導電材を形成する工程と、
前記第1導電材の上に第1透明導電層を形成してその第1透明導電層を前記第1導電材に接触せしめ、もって前記第1透明導電層を前記第1導電材を介して前記第1配線層に電気的に接続せしめる工程とを備えてなることを特徴とするものである。
(2) 本発明の第2の観点では、本発明の第1の観点による液晶表示装置の製造方法が提供される。この液晶表示装置の製造方法は、
絶縁性基板上に直接または絶縁層を介して、Al層またはAl合金層を形成する工程と、
前記Al層またはAl合金層をパターン化して第1配線層を形成する工程と
前記基板上に前記第1配線層を覆うように第1絶縁層を形成する工程と、
前記第1絶縁層を選択的にエッチングして、前記第1配線層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、
前記第1絶縁層の前記コンタクトホール中に金属をメッキ法で堆積させ、もって前記第1配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆う第1導電材を形成する工程と、
前記第1導電材の上に第1透明導電層を形成してその第1透明導電層を前記第1導電材に接触せしめ、もって前記第1透明導電層を前記第1導電材を介して前記第1配線層に電気的に接続せしめる工程とを備えてなることを特徴とするものである。
本発明の第2の観点による液晶表示装置の製造方法では、絶縁性基板上に直接または絶縁層を介してAl層またはAl合金層を形成し、それをパターン化して第1配線層を形成する。次に、前記基板上に前記第1配線層を覆うように第1絶縁層を形成し、それを選択的にエッチングして、前記第1配線層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する。その後、前記第1絶縁層の前記コンタクトホール中に金属をメッキ法で堆積させ、もって前記第1配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆う第1導電材を形成してから、その第1導電材の上に第1透明導電材を形成してその第1透明導電層を前記第1導電材に接触せしめる。こうして前記第1透明導電層を、前記第1導電材を介して前記第1配線層に電気的に接続する。
よって、本発明の第1の観点による液晶表示装置が製造されることが明らかである。
本発明の第2の観点による液晶表示装置の製造方法の好ましい例では、前記第1導電材が、前記第1絶縁層のコンタクトホール中にのみ配置される。
本発明の第2の観点による液晶表示装置の製造方法の他の好ましい例では、前記第1配線層によりゲート電極線が形成される。
本発明の第2の観点による液晶表示装置の製造方法の他の好ましい例では、前記第1導電材の幅が前記第1配線層の幅よりも小さく設定される。
本発明の第2の観点による液晶表示装置の製造方法のさらに他の好ましい例では、前記第1導電材が、Ni、Ag、Au及びCrよりなる群から選ばれる一種とされる。
本発明の第2の観点による液晶表示装置の製造方法のさらに他の好ましい例では、前記メッキ法として、電解メッキ法が使用される。
本発明の第2の観点による液晶表示装置の製造方法のさらに他の好ましい例では、さらに、
前記第1絶縁層の上に形成された、パターン化されたAl層またはAl合金層からなる第2配線層を形成する工程と、
前記第1絶縁層の上に前記第2配線層を覆うように第2絶縁層を形成する工程と、
前記第2絶縁層を選択的にエッチングして、前記第2配線層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、
前記第2絶縁層の前記コンタクトホール中に金属をメッキ法で堆積させ、もって前記第2配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆う第2導電材を形成する工程と、
前記第2導電材の上に第2透明導電材を形成してその第2透明導電層を前記第2導電材に接触せしめ、もって前記第2透明導電層を前記第2導電材を介して前記第2配線層に電気的に接続せしめる工程とを備える。
前記第1絶縁層の上に形成された、パターン化されたAl層またはAl合金層からなる第2配線層を形成する工程と、
前記第1絶縁層の上に前記第2配線層を覆うように第2絶縁層を形成する工程と、
前記第2絶縁層を選択的にエッチングして、前記第2配線層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、
前記第2絶縁層の前記コンタクトホール中に金属をメッキ法で堆積させ、もって前記第2配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆う第2導電材を形成する工程と、
前記第2導電材の上に第2透明導電材を形成してその第2透明導電層を前記第2導電材に接触せしめ、もって前記第2透明導電層を前記第2導電材を介して前記第2配線層に電気的に接続せしめる工程とを備える。
この例では、好ましくは、前記第1配線層がゲート電極線とされ、前記第2配線層がドレイン電極線とされる。この場合、ゲート電極線とドレイン電極線の双方に関して前記第1透明導電層及び第2透明導電層のステップカバレッジが改善される、という利点がある。
本発明の第2の観点による液晶表示装置の製造方法の好ましい例では、前記第2導電材が、Ni、Ag、Au及びCrよりなる群から選ばれる一種とされる。
本発明の液晶表示装置及びその製造方法によれば、(a)配線層それ自体の厚さの増加に起因するステップカバレッジの低下、アンダーカットの生成に起因するステップカバレッジの低下、そして生産性の低下と製造コストの上昇という三つの難点を生じることなく、透明導電層の腐食及びコンタクト抵抗の増加という問題を解消することができる、(b)厳しい環境に曝されるゲート端子部及びドレイン端子部の信頼性を改善することができる、という効果が得られる。
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
(液晶表示装置の構成)
図1は、本発明の一実施形態の液晶表示装置の要部構成を示す部分断面図であり、TFTを含むトランジスタ部と、TFTのゲート電極に接続されたゲート電極線の端子部(ゲート端子部)と、TFTのドレイン電極に接続されたドレイン電極線の端子部(ドレイン端子部)とを示している。ここでは、逆スタガ構造のチャネルエッチ型TFTについて説明するが、本発明はAlまたはAl合金を用いた配線層を使用するその他の型式のTFTにも適用できるものである。
図1は、本発明の一実施形態の液晶表示装置の要部構成を示す部分断面図であり、TFTを含むトランジスタ部と、TFTのゲート電極に接続されたゲート電極線の端子部(ゲート端子部)と、TFTのドレイン電極に接続されたドレイン電極線の端子部(ドレイン端子部)とを示している。ここでは、逆スタガ構造のチャネルエッチ型TFTについて説明するが、本発明はAlまたはAl合金を用いた配線層を使用するその他の型式のTFTにも適用できるものである。
図1に示すように、矩形のガラス基板1の上に直接あるいは下地絶縁層(図示省略)を介して、パターン化されたAl合金層2からなる1段構造のゲート電極21と、ゲート電極21と同じAl合金層2をパターン化してなるゲート電極線22とが形成されている。ゲート電極線22は、ゲート電極21と一体的に形成されていて、ゲート端子部まで延在している。ゲート電極21とゲート電極線22は、ガラス基板1の全面に形成されたゲート絶縁層3で覆われている。ゲート絶縁層3は、ゲート端子部にコンタクトホール33を有しており、そのコンタクトホール33から下方にあるゲート電極線22の一部が露出せしめられている。
トランジスタ部では、ゲート絶縁層3の上に、ゲート電極21と重なるように、島状にパターン化されたa−Si層4が形成されている。a−Si層4は、内部にチャネルを形成するための導電層である。a−Si層4の上には、島状にパターン化された一対のn+型a−Si層5a及び5bが所定間隔をあけて形成されている。n+型a−Si層5a及び5bの上には、金属製のソース電極23及びドレイン電極24がそれぞれ形成されている。これらn+型a−Si層5a及び5bは、それらの上にあるソース電極23及びドレイン電極24と、それらの下位にあるa−Si層4とのオ−ミック接触改善のための導電層である。
ソース電極23は、パターン化された下位バリア金属層6と、その上に積層されたパターン化されたAl合金層7とからなる二段構造を持つ。ドレイン電極24は、ソース電極23と同じ二段構造を持つ。ソース電極23及びドレイン電極24は、ガラス基板1の全面に形成されたパッシベーション絶縁層8によって覆われている。
パッシベーション絶縁層8は、トランジスタ部とゲート端子部とドレイン端子部にそれぞれコンタクトホール31、32、34を有している。トランジスタ部では、パッシベーション絶縁層8のコンタクトホール31を介して、下方にあるドレイン電極24(の上段部を構成するAl合金層7)の一部が露出せしめられている。ゲート端子部では、ゲート絶縁層3のコンタクトホール33と、それに重ねて形成されたパッシベーション絶縁層8のコンタクトホール32とを介して、下方にあるゲート電極線22(を構成するAl合金層2)の一部が露出せしめられている。ドレイン端子部では、パッシベーション絶縁層8のコンタクトホール34を介して、下方にあるドレイン電極線25(の上段部を構成するAl合金層7)の一部が露出せしめられている。
パッシベーション絶縁層8のコンタクトホール31の内部には、メッキ金属からなる導電材9aが配置されている。この導電材9aの底部は、ドレイン電極24の表面(すなわちAl合金層7の表面)に接触しており、しかもドレイン電極24(すなわちAl合金層7)の表面の露出部分全体を覆っている。導電材9aの厚さ(高さ)は、コンタクトホール31の深さよりも少し小さくされている。したがって、導電材9aはコンタクトホール31の内部にのみ配置されており、コンタクトホール31の外部には突出していない。
パッシベーション絶縁層8のコンタクトホール32に重ねて形成されたゲート絶縁層3のコンタクトホール33の内部には、メッキ金属からなる導電材9bが配置されている。この導電材9bの底部は、ゲート電極線22の表面(すなわちAl合金層2の表面)に接触しており、しかもゲート電極線22(すなわちAl合金層2)の表面の露出部分全体を覆っている。導電材9bの厚さ(高さ)は、コンタクトホール33の深さの半分程度である。したがって、導電材9bの頂部は、パッシベーション絶縁層8のコンタクトホール32の内部には達していない。つまり、導電材9bはコンタクトホール33の内部にのみ配置されており、コンタクトホール33の外部には突出していない。
パッシベーション絶縁層8のコンタクトホール34の内部には、メッキ金属からなる導電材9cが配置されている。この導電材9cの底部は、ドレイン電極線25の表面(すなわちAl合金層7の表面)に接触しており、しかもドレイン電極線25(すなわちAl合金層7)の表面の露出部分全体を覆っている。導電材9cの厚さ(高さ)は、コンタクトホール34の深さよりも少し小さくされている。したがって、導電材9cはコンタクトホール34の内部にのみ配置されており、コンタクトホール34の外部には突出していない。
パッシベーション絶縁層8の上には、コンタクトホール31、32及び34にそれぞれ重なるようにして、ITOよりなる透明導電層10a、10b及び10cが形成されている。透明導電層10aは、パッシベーション絶縁層8の上でコンタクトホール31に重なるように形成されていて、その底面はコンタクトホール31の内部に配置された導電材9aの表面に接触せしめられている。透明導電層10aは、このようにして、導電材9aを介してドレイン電極24を構成するAl合金層7に電気的に接続されている。
透明導電層10bは、パッシベーション絶縁層8の上でコンタクトホール32と33に重なるように形成されていて、その底面はコンタクトホール33の内部に配置された導電材9bの表面に接触せしめられている。透明導電層10bは、このようにして、導電材9bを介してゲート電極線22を構成するAl合金層2に電気的に接続されている。
透明導電層10cは、パッシベーション絶縁層8の上でコンタクトホール34に重なるように形成されていて、その底面はコンタクトホール34の内部に配置された導電材9cの表面に接触せしめられている。透明導電層10cは、このようにして、導電材9cを介してドレイン電極線25を構成するAl合金層7に電気的に接続されている。
(液晶表示装置の製造方法)
次に、図2及び図3を参照しながら、上記構成を持つ本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。
次に、図2及び図3を参照しながら、上記構成を持つ本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。
最初に、図2に示すように、所望の大きさを持つ矩形のガラス基板1の上に、直接あるいは下地絶縁層(図示省略)を介して、例えばスパッタ法を用いてAl合金を2000オングストローム程度の厚さで堆積させ、Al合金層2を形成する。その後、そのAl合金層2を公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングし、もってゲート電極21及びそれと一体的に接続されたゲート電極線22を形成する。Al合金としては、例えば、Al−Nd合金等の耐熱性が良好で低抵抗率の材料を好適に使用できる。Al合金層2は、リン酸/硝酸/酢酸/水の混酸を用いると、一括して順テーパーにエッチングすることができる。
その後、例えばプラズマCVD法を用いて、ガラス基板1の全面にわたって、窒化シリコン(SiNx)膜からなるゲート絶縁膜3を3000オングストローム程度の厚さで形成する。これにより、ゲート電極21とゲート電極線22は、ゲート絶縁膜3で覆われる。
次に、例えばプラズマCVD法を用いて、ゲート絶縁膜3の上に、TFTの半導体層となるa−Si層4を2000オングストローム程度の厚さで形成し、その上にn+型a−Si層を500オングストローム程度の厚さで形成する。その後、こうして形成したa−Si層4およびn+型a−Si層を公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてアイランド状にパターニングし、二層構造のTFT領域を形成する。この状態では、TFT領域以外の箇所ではゲート絶縁膜3が露出している。
その後、例えばスパッタ法を用いて、ガラス基板1の全面にわたって、500オングストローム程度の厚さの下位バリア金属層6と、2000オングストローム程度の厚さのAl合金層7をこの順に堆積・形成する。これにより、アイランド状のTFT領域は、下位バリア金属層6とAl合金層7の積層体で覆われる。この下位バリア金属層6とAl合金層7の積層体は、TFT領域以外の箇所ではゲート絶縁膜3上に位置する。下位バリア金属としては、モリブデン(Mo)などの高融点金属を好適に使用することができる。Al合金としては、Al−Nd合金などの耐熱性が良好で低抵抗率の材料を好適に使用することができる。
その後、下位バリア金属層6とAl合金層7の積層体を、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングし、トランジスタ部にソース電極23及びドレイン電極24を形成し、トランジスタ部以外の箇所にソース電極線(図示せず)及びドレイン電極線25を形成する。このエッチング工程は、リン酸/硝酸/酢酸/水の混酸を用いると、一括して順テーパーにエッチングすることができる。
その後、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、トランジスタ部にあるn+型a−Si層およびa−Si層4を、ソース電極23とドレイン電極24とで挟まれた箇所(チャネル領域)が露出するように選択的にエッチングする。すると、n+型a−Si層は二つに分けられてn+型a−Si層5a及び5bとなる。こうして、図2に示すような構成のチャネルエッチ型TFTが得られる。
次に、例えばプラズマCVD法を用いて、2000オングストローム程度の厚さのSiNx膜からなるパッシベーション絶縁層8を、ガラス基板1の全面にわたって堆積・形成する。これにより、ソース電極23、ドレイン電極24、ソース電極線(図示せず)及びドレイン電極線25は、パッシベーション絶縁層8で覆われる。この時、パッシベーション絶縁層8は、ソース電極23とドレイン電極24とで挟まれた箇所に入り込む。また、パッシベーション絶縁層8は、ソース電極23、ドレイン電極24、ソース電極線及びドレイン電極線25以外の箇所では、ゲート絶縁膜3の上に位置する。
その後、所定パターンのレジスト膜を用いて、例えばSF6系のガスを使用したドライエッチングを行うことにより、パッシベーション膜8とその下位にあるゲート絶縁膜3を順にエッチングする。こうして、パッシベーション膜8にコンタクトホール31、32及び34を形成し、ゲート絶縁膜3にコンタクトホール33を形成する。ゲート絶縁膜3のコンタクトホール33は、パッシベーション膜8のコンタクトホール32と完全に重なっていて、両者で一つのコンタクトホールのようになっている。その結果、トランジスタ部のコンタクトホール31を介して、ドレイン電極24を構成するAl合金層7の一部が露出せしめられ、ドレイン端子部のコンタクトホール34を介して、ドレイン電極線25を構成するAl合金層7の一部が露出せしめられる。また、ゲート端子部のコンタクトホール32及び33を介して、ゲート電極線を構成するAl合金層2の一部が露出せしめられる。なお、このコンタクトホールのエッチング工程には、バッファードフッ酸などの薬液によるウェットエッチングを使用することも可能である。この時の状態は、図2に示すようになる。
次に、コンタクトホール31と34の底部にそれぞれ露出したAl合金層7の表面に形成されてしまうAl自然酸化膜と、コンタクトホール32と33の底部に露出したAl合金層2の表面に形成されてしまうAl自然酸化膜とを、例えばバッファードフッ酸、リン酸などの薬液を用いて除去する。
その後、公知の電解メッキ法により、コンタクトホール31の内部のAl合金層7の露出面上に導電材9aを、コンタクトホール34の内部のAl合金層7の露出面に導電材9cを、コンタクトホール32及び33の内部のAl合金層2の露出面に導電材9bを、それぞれ選択的に形成する。この時の状態は、図3に示すようになる。導電材9a、9b及び9cとして使用可能な金属としては、NiやAg、Au、Crなどの耐食性がよく、透明導電膜とのコンタクト抵抗が低い材料を選択することが可能である。
ここで電解めっき法を用いることにより、コンタクトホール中に露出しているAl合金層2及び7の表面にのみ選択的にメッキ金属を堆積させて、導電材9a、9b及び9cを得ることができる。また、Al自然酸化膜を除去する工程と電解メッキ工程をひとつの装置内に組み込み、両工程を連続して実施すれば、Al合金層2及び7の表面に形成される自然酸化膜の厚さを小さくすることができるので、メッキ金属(すなわち導電材9a、9b及び9c)とAl合金層2または7とのコンタクト抵抗をより低減することが可能である。
ここで電解めっき法を用いることにより、コンタクトホール中に露出しているAl合金層2及び7の表面にのみ選択的にメッキ金属を堆積させて、導電材9a、9b及び9cを得ることができる。また、Al自然酸化膜を除去する工程と電解メッキ工程をひとつの装置内に組み込み、両工程を連続して実施すれば、Al合金層2及び7の表面に形成される自然酸化膜の厚さを小さくすることができるので、メッキ金属(すなわち導電材9a、9b及び9c)とAl合金層2または7とのコンタクト抵抗をより低減することが可能である。
その後、パッシベーション膜8の上に、例えばスパッタ法を用いて、透明導電材を500オングストローム程度の厚さで堆積し、それを公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングする。こうして、図1に示すように、透明導電層10a、10b及び10cを導電材9a、9b及び9cとそれぞれ重なる位置に形成する。この時、透明導電層10a、10b及び10cの底面は、導電材9a、9b及び9cの表面にそれぞれ接触するので、透明導電層10a、10b及び10cはそれぞれ、導電材9a、9b及び9cを介してAl合金層7または2に電気的に接続される。なお、この工程において、同じ透明導電材を用いて画素電極(図示せず)もパッシベーション膜8の上に形成される。画素電極はソース電極23に接続される。透明導電膜としては、ITOの他に、IZOなども使用することが可能である。
以上のような工程を経て、本発明の一実施形態の液晶表示装置が製造される。
以上のような工程を経て、本発明の一実施形態の液晶表示装置が製造される。
以上述べたように、図1に示した本発明の一実施形態の液晶表示装置では、透明導電層10a、10b及び10cが、それぞれ、ドレイン電極24のAl合金層7、ゲート電極線22のAl合金層2、そしてドレイン電極線25のAl合金層7に直接接触しないので、現像液やエッチング液による電気化学反応が抑制される。また、透明導電層10a、10b及び10cとAl合金層2または7の間に、導電材9a、9bまたは9cが介在しているので、透明導電層10a、10b及び10cとAl合金層2または7の間のコンタクト抵抗は増加しない。
しかも、導電材9a及び9cは、パッシベーション絶縁層8のコンタクトホール31及び34中でAl合金層7の露出部分にそれぞれ接触し、且つその露出部分全体を覆うように形成されており、また、導電材9bは、ゲート絶縁層3のコンタクトホール33中でAl合金層2の露出部分に接触し、且つその露出部分全体を覆うように形成されている。また、導電材9a及び9cは、それぞれコンタクトホール31及び34の内部にのみ存在し、それらの外には突出していない。導電材9bは、コンタクトホール33の内部にのみ存在し、その外には突出していない。従って、この配線構造は、図4に記載した従来の配線構造とは明らかに異なるものであり、「配線層それ自体の厚さの増加に起因するステップカバレッジの低下」という上述した第一の難点は生じないものである。
また、同様の理由により、エッチングによりパターン化されるのは、ドレイン電極24とドレイン電極線25については、下位バリア金属層6とAl合金層7のみであり、導電材9a及び9cに対してはエッチング(パターン化)が行われないので、「アンダーカットの生成に起因するステップカバレッジの低下」という上述した第二の難点も生じない。また、ゲート電極線22については、エッチングによりパターン化されるのはAl合金層2のみであり、導電材9bに対してはエッチング(パターン化)が行われないので、ゲート電極線22についても同様のことが言える。
さらに、導電材9a、9b及び9cは、いずれもメッキ金属で形成されており、公知の電解メッキ法で形成することができるから、導電材9a、9b及び9cの形成のためにCVDやスパッタ用のチャンバーを別個に用意する必要がない。よって、「生産性の低下と製造コストの上昇」という第三の難点も生じない。
さらに言えば、導電材9a、9b及び9cは、いずれも、当該液晶表示装置の使用環境に対する耐食性に優れたメッキ金属(例えばNi)で形成されるので、厳しい環境に曝されるゲート端子部やドレイン端子部の接続信頼性が改善される。その結果、液晶表示装置自体の動作信頼性も改善されることになる。
(変形例)
上述した実施形態は本発明を具体化した例を示すものである。したがって、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を外れることなく種々の変形が可能であることは言うまでもない。
上述した実施形態は本発明を具体化した例を示すものである。したがって、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を外れることなく種々の変形が可能であることは言うまでもない。
例えば、上記実施形態では、ゲート電極とゲート電極線をAl合金層のみで形成し、ドレイン電極とドレイン電極線を下位バリア金属層とAl合金層の二段構造としているが、本発明はこれには限定されない。この実施形態で、Al合金層に変えてAl層を用いてもよいことは言うまでもない。また、例えば、ゲート電極とゲート電極線をAl合金層のみで形成し、ドレイン電極とドレイン電極線をCr、Mo等の高融点金属の層のみで形成してもよい。ゲート電極とゲート電極線を、下位バリア金属層とAl層またはAl合金層の二段構造としてもよいし、ドレイン電極とドレイン電極線をAl層またはAl合金層のみで形成してもよい。
1 ガラス基板
2 Al合金層
3 ゲート絶縁層
4 a−Si層
5a、5b n+型a−Si層
6 下位バリア金属層
7 Al合金層
8 パッシベーション絶縁層
9a、9b、9c 導電材
10a、10b、10c、10d 透明導電層
21 ゲート電極
22 ゲート電極線
23 ソース電極
24 ドレイン電極
25 ドレイン電極線
31、32、34 パッシベーション絶縁層のコンタクトホール
33 ゲート絶縁層のコンタクトホール
2 Al合金層
3 ゲート絶縁層
4 a−Si層
5a、5b n+型a−Si層
6 下位バリア金属層
7 Al合金層
8 パッシベーション絶縁層
9a、9b、9c 導電材
10a、10b、10c、10d 透明導電層
21 ゲート電極
22 ゲート電極線
23 ソース電極
24 ドレイン電極
25 ドレイン電極線
31、32、34 パッシベーション絶縁層のコンタクトホール
33 ゲート絶縁層のコンタクトホール
Claims (13)
- 絶縁性基板上に直接または絶縁層を介して配置された、パターン化されたAl層またはAl合金層からなる第1配線層と、
前記第1配線層を覆うように前記基板上に配置され、且つ前記第1配線層の一部を露出させるコンタクトホールを有する第1絶縁層と、
前記コンタクトホール中で前記第1配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆うように形成された、メッキ金属よりなる第1導電材と、
前記第1導電材に接触せしめられた第1透明導電層とを備え、
前記第1透明導電層は、前記第1導電材を介して前記第1配線層に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第1導電材が、前記第1絶縁層のコンタクトホール中にのみ配置されている請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1配線層がゲート電極線である請求項1または2に記載の液晶表示装置。
- 前記第1導電材の幅が、前記第1配線層の幅よりも小さい請求項1〜3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
- 前記第1導電材が、Ni、Ag、Au及びCrよりなる群から選ばれる一種とされる請求項1〜4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
- 前記第1絶縁層の上に形成された、パターン化されたAl層またはAl合金層からなる第2配線層と、
前記第2配線層を覆うように前記第1絶縁層の上に形成され、且つ前記第2配線層の一部を露出させるコンタクトホールを有する第2絶縁層と、
前記第2配線層の前記コンタクトホール中で前記第2配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆うように形成された、メッキ可能な金属よりなる第2導電材と、
前記第2導電材に接触せしめられた第2透明導電層とをさらに備えており、
前記第2透明導電層は、前記第2導電材を介して前記第2配線層に電気的に接続されている請求項1〜5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 絶縁性基板上に直接または絶縁層を介して、Al層またはAl合金層を形成する工程と、
前記Al層またはAl合金層をパターン化して第1配線層を形成する工程と
前記基板上に前記第1配線層を覆うように第1絶縁層を形成する工程と、
前記第1絶縁層を選択的にエッチングして、前記第1配線層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、
前記第1絶縁層の前記コンタクトホール中に金属をメッキ法で堆積させ、もって前記第1配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆う第1導電材を形成する工程と、
前記第1導電材の上に第1透明導電層を形成してその第1透明導電層を前記第1導電材に接触せしめ、もって前記第1透明導電層を前記第1導電材を介して前記第1配線層に電気的に接続せしめる工程と
を備えてなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1導電材が、前記第1絶縁層のコンタクトホール中にのみ配置される請求項7に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1配線層によりゲート電極線が形成される請求項7または8に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1導電材の幅が前記第1配線層の幅よりも小さく設定される請求項7〜9のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1導電材が、Ni、Ag、Au及びCrよりなる群から選ばれる一種とされる請求項7〜10のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記メッキ法として電解メッキ法が使用される請求項7〜11のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1絶縁層の上に形成された、パターン化されたAl層またはAl合金層からなる第2配線層を形成する工程と、
前記第1絶縁層の上に前記第2配線層を覆うように第2絶縁層を形成する工程と、
前記第2絶縁層を選択的にエッチングして、前記第2配線層の一部を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、
前記第2絶縁層の前記コンタクトホール中に金属をメッキ法で堆積させ、もって前記第2配線層の露出部分に接触し且つその露出部分全体を覆う第2導電材を形成する工程と、
前記第2導電材の上に第2透明導電材を形成してその第2透明導電層を前記第2導電材に接触せしめ、もって前記第2透明導電層を前記第2導電材を介して前記第2配線層に電気的に接続せしめる工程とをさらに備えている請求項7〜12のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。
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