JP2007109926A - Object optical system, aberration measuring device, and aligner - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、対物光学系、収差測定装置、および露光装置に関し、特に露光装置に搭載される投影光学系の波面収差を測定する装置に好適な対物光学系に関するものである。 The present invention relates to an objective optical system, an aberration measuring apparatus, and an exposure apparatus, and more particularly to an objective optical system suitable for an apparatus for measuring wavefront aberration of a projection optical system mounted on the exposure apparatus.
たとえば半導体素子や液晶表示素子などのマイクロデバイスをフォトリソグラフィ工程で製造する際に使用される露光装置に搭載される投影光学系には、高解像度の実現のために、その残存収差が極めて小さいことが要求される。したがって、露光装置の製造に際して、所定の収差測定装置(波面測定装置)を用いて投影光学系の波面収差の測定を行い、その測定結果に基づいて投影光学系の光学調整を行っている。 For example, a projection optical system mounted on an exposure apparatus used when manufacturing a microdevice such as a semiconductor element or a liquid crystal display element in a photolithography process has a very small residual aberration in order to realize high resolution. Is required. Therefore, when manufacturing the exposure apparatus, the wavefront aberration of the projection optical system is measured using a predetermined aberration measuring apparatus (wavefront measuring apparatus), and the projection optical system is optically adjusted based on the measurement result.
この場合、この種の収差測定装置に用いられる対物光学系において、最も物体側(投影光学系側)には、物体側の面にピンホールやアライメントマークのようなパターンが形成されたピンホール部材が配置されることが多い(たとえば特許文献1を参照)。 In this case, in the objective optical system used in this type of aberration measuring apparatus, a pinhole member in which a pattern such as a pinhole or an alignment mark is formed on the object side surface closest to the object side (projection optical system side) Is often arranged (see, for example, Patent Document 1).
特許文献1には投影光学系(結像光学系)の波面収差をシャック・ハルトマン方式で検出する収差測定装置が開示されており、この収差測定装置の対物光学系は複数種類の光学材料により形成されている。その結果、従来の収差測定装置では、対物光学系において大気圧の変化に起因する収差の発生を抑えることができず、結像光学系の波面収差を所要の精度で測定することができない。 Patent Document 1 discloses an aberration measuring device that detects the wavefront aberration of a projection optical system (imaging optical system) by the Shack-Hartmann method, and the objective optical system of this aberration measuring device is formed of a plurality of types of optical materials. Has been. As a result, the conventional aberration measuring apparatus cannot suppress the occurrence of aberration due to the change in atmospheric pressure in the objective optical system, and cannot measure the wavefront aberration of the imaging optical system with a required accuracy.
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、大気圧の変化に起因する収差の発生を抑えることのできる対物光学系を提供することを目的とする。また、大気圧の変化に起因する収差の発生を抑えることのできる対物光学系を用いて、結像光学系の波面収差を高精度に測定することのできる収差測定装置を提供することを目的とする。また、波面収差を高精度に測定することのできる収差測定装置を用いて高精度に光学調整された投影光学系を介して、高精度で良好な投影露光を行うことのできる露光装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an objective optical system that can suppress the occurrence of aberration due to a change in atmospheric pressure. Another object of the present invention is to provide an aberration measuring apparatus that can measure the wavefront aberration of an imaging optical system with high accuracy by using an objective optical system that can suppress the occurrence of aberration due to changes in atmospheric pressure. To do. Also provided is an exposure apparatus capable of performing high-accuracy and good projection exposure through a projection optical system optically adjusted with high accuracy using an aberration measuring apparatus capable of measuring wavefront aberration with high precision. For the purpose.
前記課題を解決するために、本発明の第1形態では、結像光学系の結像特性を測定するための装置に用いられる対物光学系において、単一種類の光学材料により形成された複数の光学部材を備え、大気圧の変化に起因する収差の発生を抑えるために、前記大気圧の変化に応じて使用光の波長が変化することを特徴とする対物光学系を提供する。 In order to solve the above-described problems, in the first embodiment of the present invention, in an objective optical system used in an apparatus for measuring the imaging characteristics of an imaging optical system, a plurality of optical materials formed of a single type of optical material are used. Provided is an objective optical system comprising an optical member, wherein the wavelength of used light changes according to the change in atmospheric pressure in order to suppress the occurrence of aberration due to the change in atmospheric pressure.
本発明の第2形態では、結像光学系の波面収差を測定する収差測定装置において、第1形態の対物光学系を備えていることを特徴とする収差測定装置を提供する。 According to a second aspect of the present invention, there is provided an aberration measuring apparatus for measuring the wavefront aberration of an imaging optical system, comprising the objective optical system of the first aspect.
本発明の第3形態では、所定のパターンを、投影光学系を介して感光性基板上に露光する露光装置において、前記投影光学系の波面収差を測定するための第2形態の収差測定装置を備えていることを特徴とする露光装置を提供する。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an aberration measuring apparatus according to the second aspect for measuring a wavefront aberration of the projection optical system in an exposure apparatus that exposes a predetermined pattern onto a photosensitive substrate via the projection optical system. An exposure apparatus is provided.
本発明の典型的な態様にしたがう対物光学系では、光学系を構成するすべての光学部材を単一種類の光学材料により形成し、大気圧の変化に応じて使用光の波長を変化させることにより、大気圧の変化に起因する収差の発生を抑えている。具体的には、たとえば大気圧および使用光の波長の変化前における各光学部材の屈折率と各光学部材間の雰囲気の屈折率との比が、大気圧および使用光の波長の変化後における各光学部材の屈折率と各光学部材間の雰囲気の屈折率との比とほぼ一致するように、使用光の波長を所要量だけ変化させることにより、大気圧の変化に起因する収差の発生を抑えることができる。 In the objective optical system according to the typical aspect of the present invention, all optical members constituting the optical system are formed of a single type of optical material, and the wavelength of light used is changed in accordance with changes in atmospheric pressure. The occurrence of aberrations due to changes in atmospheric pressure is suppressed. Specifically, for example, the ratio of the refractive index of each optical member before the change of the atmospheric pressure and the wavelength of the used light to the refractive index of the atmosphere between the optical members is By changing the wavelength of the used light by a required amount so as to substantially match the ratio between the refractive index of the optical member and the refractive index of the atmosphere between the optical members, the occurrence of aberration due to changes in atmospheric pressure is suppressed. be able to.
このように、本発明では、大気圧の変化に起因する収差の発生を抑えることのできる対物光学系を実現することができる。その結果、本発明では、大気圧の変化に起因する収差の発生を抑えることのできる対物光学系を用いて、結像光学系の波面収差を高精度に測定することのできる収差測定装置を実現することができる。また、本発明の露光装置では、波面収差を高精度に測定することのできる収差測定装置を用いて高精度に光学調整された投影光学系を介して、高精度で良好な投影露光を行うことができ、ひいては高精度で良好なデバイスを製造することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to realize an objective optical system that can suppress the occurrence of aberration due to a change in atmospheric pressure. As a result, the present invention realizes an aberration measuring apparatus that can measure the wavefront aberration of the imaging optical system with high accuracy by using an objective optical system that can suppress the occurrence of aberration due to changes in atmospheric pressure. can do. In the exposure apparatus of the present invention, high-accuracy and good projection exposure can be performed via a projection optical system optically adjusted with high accuracy using an aberration measuring apparatus capable of measuring wavefront aberration with high accuracy. As a result, a good device can be manufactured with high accuracy.
まず、本発明の具体的な実施形態の説明に先立って、本発明の基本的な考え方(原理)を説明する。大気圧が変化すると、光学系を構成する光学部材(光透過部材)間の雰囲気(気体)の屈折率が変化する。波長λaの光線が特定のレンズの入射側光学面で屈折される場合、当該光学面の入射側雰囲気の波長λaでの屈折率をn1とし、当該光学面へ入射する光線の入射角をθ1とし、当該光学面の射出側媒質(つまり上記特定のレンズを形成する光学材料)の波長λaでの屈折率をn2とし、当該光学面からの上記光線の射出角をθ2とすると、以下の式(a)に示す関係が成立する。また、式(a)を変形すると、式(b)に示す関係が得られる。
n1×sinθ1=n2×sinθ2 (a)
n1/n2=sinθ2/sinθ1 (b)
First, prior to the description of specific embodiments of the present invention, the basic concept (principle) of the present invention will be described. When the atmospheric pressure changes, the refractive index of the atmosphere (gas) between the optical members (light transmitting members) constituting the optical system changes. When a light beam having a wavelength λa is refracted by the incident-side optical surface of a specific lens, the refractive index at the wavelength λa of the incident-side atmosphere of the optical surface is n 1 and the incident angle of the light beam incident on the optical surface is 1 , the refractive index at the wavelength λa of the exit side medium (that is, the optical material forming the specific lens) of the optical surface is n 2, and the exit angle of the light beam from the optical surface is θ 2 The relationship shown in the following formula (a) is established. Further, when the equation (a) is transformed, the relationship shown in the equation (b) is obtained.
n 1 × sinθ 1 = n 2 × sinθ 2 (a)
n 1 / n 2 = sin θ 2 / sin θ 1 (b)
大気圧が変化すると、入射側雰囲気の屈折率n1がn1'に変化するが、射出側媒質の屈折率n2は変化しない。その結果、式(b)の左辺に対応する値が変化し、ひいては上記光線の入射角θ1と射出角θ2との関係が変化するため、大気圧の変化に起因して収差が発生することになる。一方、屈折率は光の波長の関数で表わされるため、大気圧の変化後に光の波長をλaからλbに変化させると、入射側雰囲気の大気圧変化後の屈折率n1'がn1''に変化し、射出側媒質の屈折率n2はn2'に変化する。このとき、次の式(c)に示す関係が成立するように大気圧の変化に応じて光の波長を所要量だけ変化させることにより、上記光線の入射角θ1と射出角θ2との関係を変化させることなく、大気圧の変化に起因する収差の発生を回避することができる。
n1/n2=n1''/n2' (c)
When the atmospheric pressure changes, the refractive index n 1 of the incident side atmosphere changes to n 1 ′, but the refractive index n 2 of the exit side medium does not change. As a result, the value corresponding to the left side of the equation (b) changes, and as a result, the relationship between the incident angle θ 1 and the exit angle θ 2 of the light beam changes, so that aberration occurs due to a change in atmospheric pressure. It will be. On the other hand, since the refractive index is expressed as a function of the wavelength of light, if the wavelength of light is changed from λa to λb after the change in atmospheric pressure, the refractive index n 1 ′ after the change in atmospheric pressure of the incident side atmosphere becomes n 1 ′. The refractive index n 2 of the exit side medium changes to n 2 ′. At this time, by changing the wavelength of the light by a required amount according to the change in atmospheric pressure so that the relationship shown in the following equation (c) is satisfied, the incident angle θ 1 and the emission angle θ 2 of the light beam are changed. Occurrence of aberrations due to changes in atmospheric pressure can be avoided without changing the relationship.
n 1 / n 2 = n 1 ″ / n 2 ′ (c)
光学系は、複数の光学面(屈折面)を備えているため、すべての光学面において式(c)に対応する関係を満たすには、光学系を構成するすべての光学部材(レンズや平行平面板のような光透過部材)を単一種類の光学材料により形成する必要がある。そこで、本発明の対物光学系では、光学系を構成する複数の光学部材を単一種類の光学材料により形成し、大気圧の変化に応じて使用光の波長を変化させることにより、大気圧の変化に起因する収差の発生を抑えている。 Since the optical system includes a plurality of optical surfaces (refractive surfaces), in order to satisfy the relationship corresponding to the expression (c) on all the optical surfaces, all the optical members (lenses and parallel flat surfaces) constituting the optical system are satisfied. It is necessary to form a light transmitting member such as a face plate with a single type of optical material. Therefore, in the objective optical system of the present invention, a plurality of optical members constituting the optical system are formed of a single type of optical material, and the wavelength of the used light is changed in accordance with the change in the atmospheric pressure. Occurrence of aberration due to change is suppressed.
具体的には、大気圧および使用光の波長の変化前における各光学部材の屈折率と各光学部材間の雰囲気の屈折率との比(n1/n2に対応)が、大気圧および使用光の波長の変化後における各光学部材の屈折率と各光学部材間の雰囲気の屈折率との比(n1''/n2'に対応)とほぼ一致するように、使用光の波長を所要量だけ変化させることにより、大気圧の変化に起因する収差の発生を抑えることができる。 Specifically, the ratio (corresponding to n 1 / n 2 ) between the refractive index of each optical member and the refractive index of the atmosphere between each optical member before the change in the atmospheric pressure and the wavelength of the used light is the atmospheric pressure and the usage The wavelength of the used light is set so that it substantially matches the ratio (corresponding to n 1 ″ / n 2 ′) of the refractive index of each optical member and the refractive index of the atmosphere between the optical members after the change of the wavelength of light. By changing the required amount, it is possible to suppress the occurrence of aberration due to the change in atmospheric pressure.
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。また、図2は、本実施形態にかかる収差測定装置の内部構成を概略的に示す図である。なお、図1において、投影光学系PLの光軸AXに平行にZ軸を、光軸AXに垂直な面内において図1の紙面に平行にY軸を、図1の紙面に垂直にX軸をそれぞれ設定している。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a drawing schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram schematically showing an internal configuration of the aberration measuring apparatus according to the present embodiment. In FIG. 1, the Z axis is parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL, the Y axis is parallel to the paper surface of FIG. 1 in the plane perpendicular to the optical axis AX, and the X axis is perpendicular to the paper surface of FIG. Are set respectively.
図1を参照すると、本実施形態の露光装置は、紫外領域の照明光を供給するための光源100として、たとえばArFエキシマレーザ光源やKrFエキシマレーザ光源を備えている。光源100から射出された光は、照明光学系ILを介して、所定のパターンが形成されたレチクル(マスク)Rを重畳的に照明する。なお、光源100として例えばArFエキシマレーザ光源を用いる場合、光源100と照明光学系ILとの間の光路はケーシング(不図示)で密封されており、光源100から照明光学系IL中の最もレチクル側の光学部材までの空間は、露光光の吸収率が低い気体であるヘリウムガスや窒素などの不活性ガスで置換されているか、あるいはほぼ真空状態に保持されている。
Referring to FIG. 1, the exposure apparatus of this embodiment includes, for example, an ArF excimer laser light source or a KrF excimer laser light source as a
レチクルRは、レチクルホルダRHを介して、レチクルステージRS上においてXY平面に平行に保持されている。レチクルRには転写すべきパターンが形成されており、矩形状のパターン領域が照明される。レチクルステージRSは、図示を省略した駆動系の作用により、レチクル面(すなわちXY平面)に沿って二次元的に移動可能であり、その位置座標はレチクル移動鏡RMを用いた干渉計RIFによって計測され且つ位置制御されるように構成されている。レチクルRに形成されたパターンからの光は、投影光学系PLを介して、感光性基板であるウェハW上にレチクルパターン像を形成する。 The reticle R is held parallel to the XY plane on the reticle stage RS via the reticle holder RH. A pattern to be transferred is formed on the reticle R, and a rectangular pattern region is illuminated. Reticle stage RS can be moved two-dimensionally along the reticle plane (ie, XY plane) by the action of a drive system (not shown), and its position coordinates are measured by interferometer RIF using reticle moving mirror RM. And the position is controlled. Light from the pattern formed on the reticle R forms a reticle pattern image on the wafer W, which is a photosensitive substrate, via the projection optical system PL.
ウェハWは、ウェハホルダテーブルWTを介して、ウェハステージWS上においてXY平面に平行に保持されている。そして、レチクルR上での矩形状の照明領域に光学的に対応するように、ウェハW上では矩形状の静止露光領域(実効露光領域)にパターン像が形成される。ウェハステージWSは、図示を省略した駆動系の作用によりウェハ面(すなわちXY平面)に沿って二次元的に移動可能であり、その位置座標はウェハ移動鏡WMを用いた干渉計WIFによって計測され且つ位置制御されるように構成されている。 The wafer W is held parallel to the XY plane on the wafer stage WS via the wafer holder table WT. Then, a pattern image is formed in the rectangular still exposure region (effective exposure region) on the wafer W so as to optically correspond to the rectangular illumination region on the reticle R. The wafer stage WS can be moved two-dimensionally along the wafer surface (that is, the XY plane) by the action of a drive system (not shown), and its position coordinates are measured by an interferometer WIF using a wafer moving mirror WM. In addition, the position is controlled.
光源100として例えばArFエキシマレーザ光源を用いる場合、投影光学系PLの内部が気密状態を保つように構成され、投影光学系PLの内部の気体はヘリウムガスや窒素などの不活性ガスで置換されているか、あるいはほぼ真空状態に保持されている。さらに、照明光学系ILと投影光学系PLとの間の狭い光路には、レチクルRおよびレチクルステージRSなどが配置されているが、レチクルRおよびレチクルステージRSなどを密封包囲するケーシング(不図示)の内部に窒素やヘリウムガスなどの不活性ガスが充填されているか、あるいはほぼ真空状態に保持されている。
For example, when an ArF excimer laser light source is used as the
こうして、駆動系および干渉計(RIF,WIF)などを用いて、投影光学系PLの光軸AXと直交する平面(XY平面)内においてウェハWを二次元的に駆動制御しながら一括露光を行うことにより、いわゆるステップ・アンド・リピート方式にしたがって、ウェハWのショット領域にはレチクルRのパターンが逐次露光される。あるいは、投影光学系PLの光軸AXと直交する平面(XY平面)内においてレチクルRおよびウェハWを投影光学系PLに対して相対移動させながら、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式にしたがって、ウェハWの各露光領域にレチクルRのパターンをスキャン露光する。 In this way, collective exposure is performed using a drive system and an interferometer (RIF, WIF) or the like while two-dimensionally driving and controlling the wafer W in a plane (XY plane) orthogonal to the optical axis AX of the projection optical system PL. Thus, the pattern of the reticle R is sequentially exposed on the shot area of the wafer W in accordance with the so-called step-and-repeat method. Alternatively, the wafer W is moved according to a so-called step-and-scan method while moving the reticle R and the wafer W relative to the projection optical system PL in a plane (XY plane) orthogonal to the optical axis AX of the projection optical system PL. The reticle R pattern is scanned and exposed in each of the exposure regions.
本実施形態の露光装置は、結像光学系としての投影光学系PLの波面収差を測定するための収差測定装置10(図1では不図示)を備えている。図2を参照すると、本実施形態の収差測定装置10では、被検光学系である投影光学系PLの波面収差の測定に際して、レチクルステージRS上に収差測定用のテストマスクTMが設置される。テストマスクTMには、収差測定用の円形状の開口部TMaが二次元的に(たとえばX方向およびY方向に沿ってマトリックス状に)複数個形成されている。
The exposure apparatus of this embodiment includes an aberration measuring apparatus 10 (not shown in FIG. 1) for measuring the wavefront aberration of the projection optical system PL as an imaging optical system. Referring to FIG. 2, in the
また、本実施形態の収差測定装置10は、ウェハステージWS上においてウェハWの露光面とほぼ同じ高さ位置(Z方向位置)に取り付けられたピンホール部材11aと後続レンズ群11bとからなる対物光学系11を備えている。すなわち、ピンホール部材11aの物体側(投影光学系PL側)の光学面は、投影光学系PLの像面に位置決めされ、その光学面の中央部にはピンホール11aaが形成されている。ピンホール部材11aの物体側の光学面においてピンホール11aaの周辺には、投影光学系PLに対するピンホール部材11aのアライメント(位置合わせ)を行うためのアライメントマーク(不図示)が形成されている。なお、ピンホール11aaは、投影光学系PLを介して形成されるテストマスクTMの開口部TMaの像よりも大きく設定されている。
In addition, the
本実施形態では、露光光としてArFエキシマレーザ光を用いる場合、投影光学系PLとしてウェハ(基板)Wとの間に純水のような液体を満たした液浸型の光学系が用いられ、対物光学系11として後述する第1実施例の対物光学系が用いられる。また、露光光としてKrFエキシマレーザ光を用いる場合、投影光学系PLとしてウェハWとの間に気体を満たした乾燥型の光学系が用いられ、対物光学系11として後述する第2実施例の対物光学系が用いられる。なお、液浸型の投影光学系の構成および作用については、たとえば国際公開第WO2004/019128号パンフレットを参照することができる。
In this embodiment, when ArF excimer laser light is used as exposure light, an immersion type optical system in which a liquid such as pure water is filled between the wafer (substrate) W and the projection optical system PL is used. As the
収差測定装置10では、テストマスクTMの1つの開口部TMa、投影光学系PL、ピンホール部材11aのピンホール11aaを通過した光が、対物光学系11およびアフォーカルリレーレンズ(不図示)を介して、マイクロフライアイレンズ(マイクロレンズアレイ)12に入射する。マイクロフライアイレンズ12は、その入射面が対物光学系11の射出瞳の位置またはその近傍に位置するように配置されている。マイクロフライアイレンズ12は、たとえば正方形状の断面を有し且つ正屈折力を有する多数の微小レンズ12aを縦横に且つ稠密に配列して構成された光学素子である。マイクロフライアイレンズ12は、例えば平行平面ガラス板にエッチング処理を施して微小レンズ群を形成することによって構成され、波面分割素子として機能する。
In the
したがって、マイクロフライアイレンズ12に入射した光束は、多数の微小レンズ12aにより二次元的に分割され、各微小レンズ12aの後側焦点面の近傍にはそれぞれ1つの開口部TMaの像が形成される。換言すると、マイクロフライアイレンズ12の後側焦点面の近傍には、開口部TMaの像が多数形成される。こうして形成された多数の開口部TMaの像は、二次元撮像素子としてのCCD13によって検出される。CCD13の出力は、信号処理ユニット14に供給される。
Therefore, the light beam incident on the micro fly's
本実施形態の収差測定装置10では、CCD13から信号処理ユニット14へ供給された多数の開口部TMaの像に関する情報に基づいて、ピンホール11aaの位置に関する投影光学系PLの波面収差を測定することができる。なお、対物光学系11を除く収差測定装置10の詳細な構成および作用については、たとえば特開2002−169083号公報を参照することができる。以下、本実施形態にかかる対物光学系11の構成および作用について説明する。
In the
本実施形態の各実施例では、海抜56mの高さ位置に初期的に設置された露光装置を、海抜2000mの高さ位置に移設するものとする。一般に、標高が高くなると気圧が下がる。空気の温度がt(°C)である場合、標高h(m)と気圧B(hPa)との関係は、次の式(d)で表わされる。式(d)において、B0(hPa)は空気の温度が0°Cのときの標高0m(海抜0m)における大気圧であり、αは空気の膨張係数(α=0.0036728(1/°C))である。
h=18400×(1ogB0−1ogB)(1+αt) (d)
In each example of the present embodiment, the exposure apparatus initially installed at a height of 56 m above sea level is moved to a height of 2000 m above sea level. In general, the atmospheric pressure decreases as the altitude increases. When the temperature of the air is t (° C.), the relationship between the altitude h (m) and the atmospheric pressure B (hPa) is expressed by the following equation (d). In the equation (d), B 0 (hPa) is the atmospheric pressure at an altitude of 0 m (0 m above sea level) when the air temperature is 0 ° C., and α is the air expansion coefficient (α = 0.367728 (1 / ° C)).
h = 18400 × (1 ogB 0 −1 ogB) (1 + αt) (d)
本実施形態の各実施例において、対物光学系11は無限遠設計されているので、対物光学系11の像側(射出側)に所定の空気間隔を隔てて第2対物レンズを配置し、対物光学系11と第2対物レンズとの組合せにより有限光学系を形成して対物光学系11の性能評価を行っている。
In each example of the present embodiment, the objective
[第1実施例]
図3は、本実施形態の第1実施例にかかる対物光学系のレンズ構成を概略的に示す図である。図3を参照すると、第1実施例の対物光学系は、物体側から順に、物体側に平面を向けた平凸レンズL1(ピンホール部材11a)と、物体側に凹面を向けた正メニスカスレンズL2と、物体側に凹面を向けた正メニスカスレンズL3と、物体側に凹面を向けた正メニスカスレンズL4と、物体側に凹面を向けた正メニスカスレンズL5と、物体側に凸面を向けた負メニスカスレンズL6と、両凸レンズL7と、両凹レンズL8とにより構成されている。
[First embodiment]
FIG. 3 is a diagram schematically showing a lens configuration of the objective optical system according to the first example of the present embodiment. Referring to FIG. 3, the objective optical system of the first example includes, in order from the object side, a planoconvex lens L1 (
第1実施例では、対物光学系を構成するすべての光学部材(レンズL1〜L8)が石英により形成されている。また、第1実施例において露光装置を海抜56mの高さ位置に設置した初期状態では、使用光(ArFエキシマレーザ光)の波長を193.306nmに設定している。初期状態の大気圧において使用波長(λ=193.306nm)に対する上記石英の屈折率は1.560326であり、各光学部材間の空気(雰囲気)の屈折率は1.000000である。 In the first embodiment, all optical members (lenses L1 to L8) constituting the objective optical system are made of quartz. In the first embodiment, the wavelength of the used light (ArF excimer laser light) is set to 193.306 nm in the initial state where the exposure apparatus is installed at a height of 56 m above sea level. At the atmospheric pressure in the initial state, the quartz has a refractive index of 1.560326 with respect to the wavelength used (λ = 193.306 nm), and the refractive index of air (atmosphere) between the optical members is 1.000000.
露光装置を海抜2000mの高さ位置へ移設した高地状態では、海抜56mにおける大気圧から海抜2000mにおける大気圧への変化に応じて、上述の式(c)に示す関係がほぼ成立するように、使用光(ArFエキシマレーザ光)の波長を193.306nmから193.3688nmに変更している。高地状態の大気圧において使用波長(λ=193.3688nm)に対する上記石英の屈折率は1.560226であり、各光学部材間の空気(雰囲気)の屈折率は0.999936である。 In the high altitude state where the exposure apparatus is moved to a height of 2000 m above sea level, the relationship shown in the above equation (c) is substantially established according to the change from atmospheric pressure at 56 m above sea level to atmospheric pressure at 2000 m above sea level. The wavelength of the used light (ArF excimer laser light) is changed from 193.306 nm to 193.3688 nm. The quartz has a refractive index of 1.560226 with respect to the wavelength used (λ = 193.3688 nm) at atmospheric pressure in a high altitude state, and the refractive index of air (atmosphere) between the optical members is 0.999936.
次の表(1)に、第1実施例にかかる対物光学系の諸元の値を掲げる。表(1)の主要諸元の欄において、NAは対物光学系の開口数を、HTは最大物体高をそれぞれ表している。また、表(1)の光学部材諸元の欄において、面番号は物体側からの各面の順序を、rは各面の曲率半径(mm)を、dは各面の間隔(mm)を、nは使用波長(海抜56mの場合にはλ=193.306nm,海抜2000mの場合にはλ=193.3688nm)に対する屈折率をそれぞれ示している。なお、表(1)における表記は、以降の表(2)においても同様である。 The following table (1) lists the values of the specifications of the objective optical system according to the first example. In the column of main specifications in Table (1), NA represents the numerical aperture of the objective optical system, and HT represents the maximum object height. Also, in the column of optical member specifications in Table (1), the surface number is the order of each surface from the object side, r is the radius of curvature (mm) of each surface, and d is the spacing (mm) between the surfaces. , N represents the refractive index with respect to the wavelength used (λ = 193.306 nm for an altitude of 56 m and λ = 193.688 nm for an altitude of 2000 m). The notation in Table (1) is the same in the following Table (2).
(表1)
(主要諸元)
NA=1.08, HT=0.010mm
(海抜56mの初期状態における光学部材諸元)
面番号 r d n 光学部材
1 ∞ 6.508395 1.560326 (L1:11a)
2 -5.12316 0.51389 1.000000
3 -11.87294 4.447252 1.560326 (L2)
4 -9.51361 0.621988 1.000000
5 -17.70407 3.988077 1.560326 (L3)
6 -12.88577 1.258768 1.000000
7 -37.75488 4.300539 1.560326 (L4)
8 -21.00936 0.3 1.000000
9 -1081.46327 3.736443 1.560326 (L5)
10 -43.00058 0.6 1.000000
11 29.10571 2 1.560326 (L6)
12 21.34442 1.126269 1.000000
13 30.64185 5.049233 1.560326 (L7)
14 -47.9042 8.265614 1.000000
15 -32.44069 2 1.560326 (L8)
16 29.85656
(海抜2000mの高地状態における光学部材諸元)
面番号 r d n 光学部材
1 ∞ 6.508395 1.560226 (L1:11a)
2 -5.12316 0.51389 0.999936
3 -11.87294 4.447252 1.560226 (L2)
4 -9.51361 0.621988 0.999936
5 -17.70407 3.988077 1.560226 (L3)
6 -12.88577 1.258768 0.999936
7 -37.75488 4.300539 1.560226 (L4)
8 -21.00936 0.3 0.999936
9 -1081.46327 3.736443 1.560226 (L5)
10 -43.00058 0.6 0.999936
11 29.10571 2 1.560226 (L6)
12 21.34442 1.126269 0.999936
13 30.64185 5.049233 1.560226 (L7)
14 -47.9042 8.265614 0.999936
15 -32.44069 2 1.560226 (L8)
16 29.85656
(Table 1)
(Main specifications)
NA = 1.08, HT = 0.010mm
(Specifications of optical members in the initial state at 56m above sea level)
Surface number r dn optical member
1 ∞ 6.508395 1.560326 (L1: 11a)
2 -5.12316 0.51389 1.000000
3 -11.87294 4.447252 1.560326 (L2)
4 -9.51361 0.621988 1.000000
5 -17.70407 3.988077 1.560326 (L3)
6 -12.88577 1.258768 1.000000
7 -37.75488 4.300539 1.560326 (L4)
8 -21.00936 0.3 1.000000
9 -1081.46327 3.736443 1.560326 (L5)
10 -43.00058 0.6 1.000000
11 29.10571 2 1.560326 (L6)
12 21.34442 1.126269 1.000000
13 30.64185 5.049233 1.560326 (L7)
14 -47.9042 8.265614 1.000000
15 -32.44069 2 1.560326 (L8)
16 29.85656
(Specifications of optical components in a high altitude state 2000 m above sea level)
Surface number r dn optical member
1 ∞ 6.508395 1.560226 (L1: 11a)
2 -5.12316 0.51389 0.999936
3 -11.87294 4.447252 1.560226 (L2)
4 -9.51361 0.621988 0.999936
5 -17.70407 3.988077 1.560226 (L3)
6 -12.88577 1.258768 0.999936
7 -37.75488 4.300539 1.560226 (L4)
8 -21.00936 0.3 0.999936
9 -1081.46327 3.736443 1.560226 (L5)
10 -43.00058 0.6 0.999936
11 29.10571 2 1.560226 (L6)
12 21.34442 1.126269 0.999936
13 30.64185 5.049233 1.560226 (L7)
14 -47.9042 8.265614 0.999936
15 -32.44069 2 1.560226 (L8)
16 29.85656
図4は、第1実施例の対物光学系と第2対物レンズとから構成された有限光学系の海抜56mの初期状態における非点収差、歪曲収差および球面収差を示す図である。また、図5は、第1実施例の対物光学系と第2対物レンズとから構成された有限光学系の海抜56mの初期状態における横収差を示す図である。図6は、第1実施例の対物光学系と第2対物レンズとから構成された有限光学系の海抜2000mの高地状態における非点収差、歪曲収差および球面収差を示す図である。また、図7は、第1実施例の対物光学系と第2対物レンズとから構成された有限光学系の海抜2000mの高地状態における横収差を示す図である。 FIG. 4 is a diagram showing astigmatism, distortion, and spherical aberration in the initial state of the finite optical system constituted by the objective optical system of the first embodiment and the second objective lens at an altitude of 56 m. FIG. 5 is a diagram showing transverse aberration in an initial state of 56 m above sea level of the finite optical system constituted by the objective optical system of the first example and the second objective lens. FIG. 6 is a diagram showing astigmatism, distortion aberration, and spherical aberration in the high altitude state of 2000 m above sea level of the finite optical system constituted by the objective optical system of the first example and the second objective lens. FIG. 7 is a diagram showing transverse aberration in a high altitude state at 2000 m above sea level of the finite optical system constituted by the objective optical system of the first example and the second objective lens.
各収差図において、HTは最大物体高(mm)を、NAは対物光学系の開口数をそれぞれ示している。また、非点収差を示す収差図において、実線はサジタル像面を示し、破線はタンジェンシャル像面を示している。海抜56mの初期状態における収差図を示す図4および図5と、海抜2000mの高地状態における収差図を示す図6および図7とを比較参照すると、海抜56mの初期状態から海抜2000mの高地状態への大気圧の比較的大きな変化にもかかわらず、本発明にしたがって使用光の波長を所要量だけ変化させることにより、大気圧の変化に起因する収差の発生が良好に抑えられていることがわかる。 In each aberration diagram, HT represents the maximum object height (mm), and NA represents the numerical aperture of the objective optical system. In the aberration diagrams showing astigmatism, the solid line shows the sagittal image plane, and the broken line shows the tangential image plane. 4 and 5 showing an aberration diagram in an initial state at an altitude of 56 m, and FIGS. 6 and 7 showing an aberration diagram in an altitude state at an altitude of 2000 m, a comparison is made from an initial state at an altitude of 56 m to an altitude state at an altitude of 2000 m. In spite of the relatively large change in atmospheric pressure, it is understood that the occurrence of aberration due to the change in atmospheric pressure is suppressed satisfactorily by changing the wavelength of the used light by the required amount according to the present invention. .
[第2実施例]
図8は、本実施形態の第2実施例にかかる対物光学系のレンズ構成を概略的に示す図である。図8を参照すると、第2実施例の対物光学系は、物体側から順に、物体側に平面を向けた平凸レンズL1(ピンホール部材11a)と、物体側に凹面を向けた正メニスカスレンズL2と、物体側に凹面を向けた正メニスカスレンズL3と、物体側に凹面を向けた正メニスカスレンズL4と、両凸レンズL5と、両凸レンズL6と、両凹レンズL7と、平行平面板L8とにより構成されている。
[Second Embodiment]
FIG. 8 is a diagram schematically showing a lens configuration of the objective optical system according to the second example of the present embodiment. Referring to FIG. 8, the objective optical system of the second example includes, in order from the object side, a planoconvex lens L1 (
第2実施例においても、対物光学系を構成するすべての光学部材(レンズL1〜L7、平行平面板L8)が石英により形成されている。また、第2実施例において露光装置を海抜56mの高さ位置に設置した初期状態では、使用光(KrFエキシマレーザ光)の波長を248.385nmに設定している。初期状態の大気圧において使用波長(λ=248.385nm)に対する上記石英の屈折率は1.50839であり、各光学部材間の空気(雰囲気)の屈折率は1.00000である。 Also in the second embodiment, all optical members (lenses L1 to L7, parallel plane plate L8) constituting the objective optical system are made of quartz. In the second embodiment, in the initial state where the exposure apparatus is installed at a height of 56 m above sea level, the wavelength of the used light (KrF excimer laser light) is set to 248.385 nm. The quartz has a refractive index of 1.50839 with respect to the wavelength used (λ = 248.385 nm) at the atmospheric pressure in the initial state, and the refractive index of air (atmosphere) between the optical members is 1.0000.
露光装置を海抜2000mの高さ位置へ移設した高地状態では、海抜56mにおける大気圧から海抜2000mにおける大気圧への変化に応じて、上述の式(c)に示す関係がほぼ成立するように、使用光(KrFエキシマレーザ光)の波長を248.385nmから248.447nmに変更している。高地状態の大気圧において使用波長(λ=248.447nm)に対する上記石英の屈折率は1.508301であり、各光学部材間の空気(雰囲気)の屈折率は0.999941である。次の表(2)に、第2実施例にかかる対物光学系の諸元の値を掲げる。 In the high altitude state where the exposure apparatus is moved to a height of 2000 m above sea level, the relationship shown in the above equation (c) is substantially established according to the change from atmospheric pressure at 56 m above sea level to atmospheric pressure at 2000 m above sea level. The wavelength of the used light (KrF excimer laser light) is changed from 248.385 nm to 248.447 nm. The quartz has a refractive index of 1.508301 with respect to the wavelength used (λ = 248.447 nm) at atmospheric pressure in a high altitude state, and the refractive index of air (atmosphere) between the optical members is 0.999941. The following table (2) lists the values of the specifications of the objective optical system according to the second example.
(表2)
(主要諸元)
NA=0.83, HT=0.010mm
(海抜56mの初期状態における光学部材諸元)
面番号 r d n 光学部材
1 ∞ 3.192022 1.50839 (L1:11a)
2 -3.51122 0.3 1.00000
3 -5.81449 5.856379 1.50839 (L2)
4 -6.6087 0.3 1.00000
5 -15.74794 3.459872 1.50839 (L3)
6 -10.19402 10.959271 1.00000
7 -73.97009 3.736926 1.50839 (L4)
8 -24.12158 0.3 1.00000
9 55.21545 5 1.50839 (L5)
10 -56.36477 4.52052 1.00000
11 31.45664 6 1.50839 (L6)
12 -94.02919 0.37501 1.00000
13 -64.23673 6 1.50839 (L7)
14 17.49236 87.447763 1.00000
15 ∞ 1.230766 1.50839 (L8)
16 ∞
(海抜2000mの高地状態における光学部材諸元)
面番号 r d n 光学部材
1 ∞ 3.192022 1.508301 (L1:11a)
2 -3.51122 0.3 0.999941
3 -5.81449 5.856379 1.508301 (L2)
4 -6.6087 0.3 0.999941
5 -15.74794 3.459872 1.508301 (L3)
6 -10.19402 10.959271 0.999941
7 -73.97009 3.736926 1.508301 (L4)
8 -24.12158 0.3 0.999941
9 55.21545 5 1.508301 (L5)
10 -56.36477 4.52052 0.999941
11 31.45664 6 1.508301 (L6)
12 -94.02919 0.37501 0.999941
13 -64.23673 6 1.508301 (L7)
14 17.49236 87.447763 0.999941
15 ∞ 1.230766 1.508301 (L8)
16 ∞
(Table 2)
(Main specifications)
NA = 0.83, HT = 0.010mm
(Specifications of optical members in the initial state at 56m above sea level)
Surface number r dn optical member
1 ∞ 3.192022 1.50839 (L1: 11a)
2 -3.51122 0.3 1.00000
3 -5.81449 5.856379 1.50839 (L2)
4 -6.6087 0.3 1.00000
5 -15.74794 3.459872 1.50839 (L3)
6 -10.19402 10.959271 1.00000
7 -73.97009 3.736926 1.50839 (L4)
8 -24.12158 0.3 1.00000
9 55.21545 5 1.50839 (L5)
10 -56.36477 4.52052 1.00000
11 31.45664 6 1.50839 (L6)
12 -94.02919 0.37501 1.00000
13 -64.23673 6 1.50839 (L7)
14 17.49236 87.447763 1.00000
15 ∞ 1.230766 1.50839 (L8)
16 ∞
(Specifications of optical components in a high altitude state 2000 m above sea level)
Surface number r dn optical member
1 ∞ 3.192022 1.508301 (L1: 11a)
2 -3.51122 0.3 0.999941
3 -5.81449 5.856379 1.508301 (L2)
4 -6.6087 0.3 0.999941
5 -15.74794 3.459872 1.508301 (L3)
6 -10.19402 10.959271 0.999941
7 -73.97009 3.736926 1.508301 (L4)
8 -24.12158 0.3 0.999941
9 55.21545 5 1.508301 (L5)
10 -56.36477 4.52052 0.999941
11 31.45664 6 1.508301 (L6)
12 -94.02919 0.37501 0.999941
13 -64.23673 6 1.508301 (L7)
14 17.49236 87.447763 0.999941
15 ∞ 1.230766 1.508301 (L8)
16 ∞
図9は、第2実施例の対物光学系と第2対物レンズとから構成された有限光学系の海抜56mの初期状態における非点収差、歪曲収差および球面収差を示す図である。また、図10は、第2実施例の対物光学系と第2対物レンズとから構成された有限光学系の海抜56mの初期状態における横収差を示す図である。図11は、第2実施例の対物光学系と第2対物レンズとから構成された有限光学系の海抜2000mの高地状態における非点収差、歪曲収差および球面収差を示す図である。また、図12は、第2実施例の対物光学系と第2対物レンズとから構成された有限光学系の海抜2000mの高地状態における横収差を示す図である。 FIG. 9 is a diagram showing astigmatism, distortion, and spherical aberration in the initial state of the 56 m above sea level of the finite optical system constituted by the objective optical system of the second example and the second objective lens. FIG. 10 is a diagram showing lateral aberrations in the initial state of the finite optical system composed of the objective optical system of the second example and the second objective lens at an elevation of 56 m above sea level. FIG. 11 is a diagram showing astigmatism, distortion aberration, and spherical aberration in the high altitude state of 2000 m above sea level of the finite optical system constituted by the objective optical system of the second example and the second objective lens. FIG. 12 is a diagram showing lateral aberration in a high altitude state at 2000 m above sea level of the finite optical system constituted by the objective optical system of the second example and the second objective lens.
各収差図において、HTは最大物体高(mm)を、NAは対物光学系の開口数をそれぞれ示している。また、非点収差を示す収差図において、実線はサジタル像面を示し、破線はタンジェンシャル像面を示している。海抜56mの初期状態における収差図を示す図9および図10と、海抜2000mの高地状態における収差図を示す図11および図12とを比較参照すると、第2実施例においても、海抜56mの初期状態から海抜2000mの高地状態への大気圧の比較的大きな変化にもかかわらず、本発明にしたがって使用光の波長を所要量だけ変化させることにより、大気圧の変化に起因する収差の発生が良好に抑えられていることがわかる。 In each aberration diagram, HT represents the maximum object height (mm), and NA represents the numerical aperture of the objective optical system. In the aberration diagrams showing astigmatism, the solid line shows the sagittal image plane, and the broken line shows the tangential image plane. 9 and 10 showing the aberration diagrams in the initial state at an altitude of 56 m, and FIGS. 11 and 12 showing the aberration diagrams in the high altitude state at an altitude of 2000 m, comparing and referring to FIG. 11 and FIG. Despite the relatively large change in atmospheric pressure from high to 2000 m above sea level, by changing the wavelength of the light used by the required amount according to the present invention, the occurrence of aberration due to the change in atmospheric pressure is improved. You can see that it is suppressed.
なお、上述の説明では、対物光学系に本発明を適用しているが、投影光学系にも本発明を適用して大気圧の変化に起因する収差の発生を抑えることができる。この場合、投影光学系を単一種類の光学材料(対物光学系を形成する光学材料と同一種類の光学材料、あるいは対物光学系を形成する光学材料とほぼ同じ屈折率特性を有する光学材料)により形成し、上述の式(c)に示す関係がほぼ成立するように、大気圧の変化に応じて使用光の波長を変化させることになる。 In the above description, the present invention is applied to the objective optical system, but the present invention can also be applied to the projection optical system to suppress the occurrence of aberrations due to changes in atmospheric pressure. In this case, the projection optical system is made of a single type of optical material (the same optical material as the optical material forming the objective optical system, or an optical material having almost the same refractive index characteristics as the optical material forming the objective optical system). The wavelength of the used light is changed according to the change in the atmospheric pressure so that the relationship shown in the above formula (c) is substantially established.
また、上述の実施形態では、最も物体側に配置されて物体側の面にピンホールが形成されたピンホール部材を備えた対物光学系に本発明を適用しているが、これに限定されることなく、一般に結像光学系の結像特性を測定するための装置に用いられる対物光学系に本発明を適用することができる。 In the above-described embodiment, the present invention is applied to an objective optical system including a pinhole member that is disposed closest to the object side and has a pinhole formed on the object-side surface. However, the present invention is not limited thereto. The present invention can be applied to an objective optical system that is generally used in an apparatus for measuring the imaging characteristics of an imaging optical system.
上述の実施形態の露光装置では、照明装置によってレチクル(マスク)を照明し(照明工程)、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する(露光工程)ことにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、本実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図13のフローチャートを参照して説明する。 In the exposure apparatus of the above-described embodiment, the reticle (mask) is illuminated by the illumination device (illumination process), and the transfer pattern formed on the mask is exposed to the photosensitive substrate using the projection optical system (exposure process). Thus, a micro device (semiconductor element, imaging element, liquid crystal display element, thin film magnetic head, etc.) can be manufactured. Hereinafter, referring to the flowchart of FIG. 13 for an example of a method for obtaining a semiconductor device as a micro device by forming a predetermined circuit pattern on a wafer or the like as a photosensitive substrate using the exposure apparatus of this embodiment. I will explain.
先ず、図13のステップ301において、1ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ302において、その1ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ303において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系を介して、その1ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップ304において、その1ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ305において、その1ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。 First, in step 301 of FIG. 13, a metal film is deposited on one lot of wafers. In the next step 302, a photoresist is applied on the metal film on the one lot of wafers. Thereafter, in step 303, using the exposure apparatus of the present embodiment, the image of the pattern on the mask is sequentially exposed and transferred to each shot area on the wafer of one lot via the projection optical system. Thereafter, in step 304, the photoresist on the one lot of wafers is developed, and in step 305, the resist pattern is etched on the one lot of wafers to form a pattern on the mask. Corresponding circuit patterns are formed in each shot area on each wafer.
その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。なお、ステップ301〜ステップ305では、ウェハ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、ウェハ上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。 Thereafter, a device pattern such as a semiconductor element is manufactured by forming a circuit pattern of an upper layer. According to the semiconductor device manufacturing method described above, a semiconductor device having an extremely fine circuit pattern can be obtained with high throughput. In steps 301 to 305, a metal is deposited on the wafer, a resist is applied on the metal film, and exposure, development, and etching processes are performed. Prior to these processes, on the wafer. It is needless to say that after forming a silicon oxide film, a resist may be applied on the silicon oxide film, and steps such as exposure, development, and etching may be performed.
また、本実施形態の露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図14を参照して、このときの手法の一例につき説明する。図14において、パターン形成工程401では、本実施形態の露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルター形成工程402へ移行する。 In the exposure apparatus of this embodiment, a liquid crystal display element as a micro device can be obtained by forming a predetermined pattern (circuit pattern, electrode pattern, etc.) on a plate (glass substrate). Hereinafter, an example of the technique at this time will be described with reference to FIG. In FIG. 14, in a pattern forming process 401, a so-called photolithography process is performed in which a mask pattern is transferred and exposed to a photosensitive substrate (such as a glass substrate coated with a resist) using the exposure apparatus of the present embodiment. By this photolithography process, a predetermined pattern including a large number of electrodes and the like is formed on the photosensitive substrate. Thereafter, the exposed substrate undergoes steps such as a developing step, an etching step, and a resist stripping step, whereby a predetermined pattern is formed on the substrate, and the process proceeds to the next color filter forming step 402.
次に、カラーフィルター形成工程402では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルターの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルターを形成する。そして、カラーフィルター形成工程402の後に、セル組み立て工程403が実行される。セル組み立て工程403では、パターン形成工程401にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター形成工程402にて得られたカラーフィルター等を用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。 Next, in the color filter forming step 402, a large number of sets of three dots corresponding to R (Red), G (Green), and B (Blue) are arranged in a matrix or three of R, G, and B A color filter is formed by arranging a plurality of stripe filter sets in the horizontal scanning line direction. Then, after the color filter forming step 402, a cell assembly step 403 is executed. In the cell assembly step 403, a liquid crystal panel (liquid crystal cell) is assembled using the substrate having the predetermined pattern obtained in the pattern formation step 401, the color filter obtained in the color filter formation step 402, and the like.
セル組み立て工程403では、例えば、パターン形成工程401にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルター形成工程402にて得られたカラーフィルターとの間に液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。その後、モジュール組み立て工程404にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。 In the cell assembly step 403, for example, liquid crystal is injected between the substrate having the predetermined pattern obtained in the pattern formation step 401 and the color filter obtained in the color filter formation step 402, and a liquid crystal panel (liquid crystal cell) is obtained. ). Thereafter, in a module assembling step 404, components such as an electric circuit and a backlight for performing a display operation of the assembled liquid crystal panel (liquid crystal cell) are attached to complete a liquid crystal display element. According to the above-described method for manufacturing a liquid crystal display element, a liquid crystal display element having an extremely fine circuit pattern can be obtained with high throughput.
なお、上述の実施形態では、ArFエキシマレーザ光源やKrFエキシマレーザ光源を用いているが、これに限定されることなく、他の適当な光源を用いることもできる。また、上述の実施形態の収差測定装置10は、ウェハステージWSに取り付け可能に構成されていても良いし、ウェハステージとは別の計測ステージに設けられていても良い。
In the above-described embodiment, an ArF excimer laser light source or a KrF excimer laser light source is used. However, the present invention is not limited to this, and other appropriate light sources can also be used. Further, the
R レチクル
PL 投影光学系
W ウェハ
10 収差測定装置
11 対物光学系
11a ピンホール部材
R reticle PL projection optical
Claims (7)
単一種類の光学材料により形成された複数の光学部材を備え、
大気圧の変化に起因する収差の発生を抑えるために、前記大気圧の変化に応じて使用光の波長が変化することを特徴とする対物光学系。 In an objective optical system used in an apparatus for measuring the imaging characteristics of an imaging optical system,
A plurality of optical members formed of a single type of optical material;
An objective optical system characterized in that the wavelength of light used changes in accordance with the change in atmospheric pressure in order to suppress the occurrence of aberration due to the change in atmospheric pressure.
請求項1または2に記載の対物光学系を備えていることを特徴とする収差測定装置。 In an aberration measuring apparatus for measuring the wavefront aberration of an imaging optical system,
An aberration measuring apparatus comprising the objective optical system according to claim 1.
前記結像用光学材料は、前記大気圧および前記使用光の波長の変化前における各結像用光学部材の屈折率と各結像用光学部材間の雰囲気の屈折率との比が、前記大気圧および前記使用光の波長の変化後における各結像用光学部材の屈折率と各結像用光学部材間の雰囲気の屈折率との比とほぼ一致するように選定されていることを特徴とする請求項3または4に記載の収差測定装置。 The imaging optical system includes a plurality of imaging optical members formed of a single type of imaging optical material,
The imaging optical material has a ratio between the refractive index of each imaging optical member and the refractive index of the atmosphere between the imaging optical members before the change in the atmospheric pressure and the wavelength of the used light. It is selected so that the ratio between the refractive index of each imaging optical member and the refractive index of the atmosphere between the imaging optical members after the change of the atmospheric pressure and the wavelength of the used light is substantially the same. The aberration measuring device according to claim 3 or 4.
前記投影光学系の波面収差を測定するための請求項3乃至6のいずれか1項に記載の収差測定装置を備えていることを特徴とする露光装置。 In an exposure apparatus that exposes a predetermined pattern onto a photosensitive substrate via a projection optical system,
An exposure apparatus comprising the aberration measuring device according to claim 3 for measuring wavefront aberration of the projection optical system.
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