JP2007109710A - Manufacturing method of wiring board - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reliable wiring board by forming wiring using a simple manufacturing process. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the wiring board 100 comprises a process for providing a first surface-active agent layer 16 on the surface of a photomask 22 having a light-shielding section 24 (a); a process for providing a catalyst layer 32 containing a catalyst on the first surface-active agent layer (b); a process for removing the first surface-active agent layer and the catalyst layer provided at a region by decomposing the first surface-active agent layer, at the region where no light-shielding layers are formed by applying light from the back of the photomask (c); a process for transferring the catalyst layer provided at the region where the light-shielding section is provided to the upper portion of the substrate 10 (d); and a process for providing a metal layer 36 by depositing metal on the catalyst layer transferred to the substrate (e). <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、配線基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board.

フレキシブル基板に配線を形成する方法として、サブトラクティブ法やアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法では、フレキシブル基板の全面に金属層を形成し、金属層上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストをバリヤとして金属層をエッチングする。アディティブ法では、フレキシブル基板上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストからの開口部にめっき処理によって金属層を析出させる。   Subtractive methods and additive methods are known as methods for forming wiring on a flexible substrate. In the subtractive method, a metal layer is formed on the entire surface of the flexible substrate, a photoresist is patterned on the metal layer, and the metal layer is etched using the photoresist as a barrier. In the additive method, a photoresist is formed by patterning on a flexible substrate, and a metal layer is deposited by plating on the opening from the photoresist.

これらの方法によれば、フォトレジストを最終的に除去する点、さらにサブトラクティブ法では金属層の一部を除去する点において、資源及び材料の消費が課題となっていた。また、フォトレジストの形成及び除去工程が必要となるので、製造工程数が多いことが課題となっていた。さらに、配線の寸法精度がフォトレジストの解像度に依存するため、より高精度の配線を形成するには限界があった。
特開平１０−６５３１５号公報 According to these methods, consumption of resources and materials has been a problem in that the photoresist is finally removed, and further, in the subtractive method, a part of the metal layer is removed. In addition, since a photoresist formation and removal process is required, a large number of manufacturing processes has been a problem. Furthermore, since the dimensional accuracy of the wiring depends on the resolution of the photoresist, there is a limit to forming a highly accurate wiring.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-65315

本発明の目的は、簡単な製造プロセスで配線を形成し、信頼性の高い配線基板を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a highly reliable wiring board by forming wiring by a simple manufacturing process.

本発明にかかる配線基板の製造方法は、
（ａ）遮光部を有するフォトマスクの表面に第１の界面活性剤層を設ける工程と、
（ｂ）前記第１の界面活性剤層上に触媒を含む触媒層を設ける工程と、
（ｃ）前記フォトマスクの裏面から光を照射することにより前記遮光部が形成されていない領域の前記第１の界面活性剤層を分解して、該遮光部が形成されていない領域に設けられている前記第１の界面活性剤層および触媒層を除去する工程と、
（ｄ）前記遮光部が形成されている領域に設けられた触媒層を基板（第２の基板）の上方に転写する工程と、
（ｅ）前記基板（第２の基板）に転写された前記触媒層上に金属を析出させることによって金属層を設ける工程と、
を含む。 A method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes:
(A) providing a first surfactant layer on the surface of a photomask having a light shielding portion;
(B) providing a catalyst layer containing a catalyst on the first surfactant layer;
(C) By irradiating light from the back surface of the photomask, the first surfactant layer in the region where the light shielding portion is not formed is decomposed and provided in the region where the light shielding portion is not formed. Removing the first surfactant layer and the catalyst layer,
(D) transferring the catalyst layer provided in the region where the light shielding portion is formed above the substrate (second substrate);
(E) providing a metal layer by depositing a metal on the catalyst layer transferred to the substrate (second substrate);
including.

本実施の形態にかかる配線基板の製造方法によれば、遮光部以外の領域に形成された触媒層が除去された後に、遮光部上の触媒層を基板上に転写するため、精度よく遮光部にそった配線パターンを形成することができる。これにより、簡単なプロセスで信頼性の高い配線基板を提供することができる。   According to the method for manufacturing a wiring board according to the present embodiment, after the catalyst layer formed in the region other than the light shielding portion is removed, the catalyst layer on the light shielding portion is transferred onto the substrate. A wiring pattern along the line can be formed. Thereby, a highly reliable wiring board can be provided by a simple process.

本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ｄ）の前に、前記基板上に第２の界面活性剤層を設ける工程をさらに含むことができる。 In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention,
A step of providing a second surfactant layer on the substrate may be further included before the step (d).

本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記第１の界面活性剤層の前記触媒に対する吸着力は、前記第２の界面活性剤層の触媒に対する吸着力未満であることができる。 In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention,
The adsorptive power of the first surfactant layer on the catalyst may be less than the adsorptive power of the second surfactant layer on the catalyst.

本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記フォトマスクの表面は、前記遮光部が埋め込まれていることにより、平坦に形成されていることができる。 In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention,
The surface of the photomask can be formed flat by embedding the light shielding portion.

本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ｃ）では、前記フォトマスクの表面と前記基板とを接触させることができる。 In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention,
In the step (c), the surface of the photomask and the substrate can be brought into contact with each other.

本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記光は、真空紫外線であることができる。 In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention,
The light may be vacuum ultraviolet light.

以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

１．配線基板の製造方法
図１〜図１３は、本実施の形態にかかる配線基板１００（図１３参照）の製造方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっきを適用して配線基板を製造する。 1. Manufacturing Method of Wiring Board FIGS. 1 to 13 are diagrams showing a manufacturing method of the wiring board 100 (see FIG. 13) according to the present embodiment. In the present embodiment, a wiring board is manufactured by applying electroless plating.

（１）まず、フォトマスク２２を用意する。フォトマスク２２は、第１の基板２３と、遮光部２４を有する。第１の基板２３は、所定波長の光に対して透過性を有する。遮光部２４は、所定波長の光を透過しない材質からなる。第１の基板２３としては、たとえば高純度石英ガラスからなることができる。高純度石英ガラスとは、たとえば真空紫外放射（ＶＵＶ；vacuum ultraviolet）での透過率が８０％以上の石英ガラスをいう。遮光部２４は、所定のパターンを有し、たとえばクロム等の金属材料やレジスト材料からなることができる。   (1) First, a photomask 22 is prepared. The photomask 22 includes a first substrate 23 and a light shielding portion 24. The first substrate 23 is transmissive to light having a predetermined wavelength. The light shielding unit 24 is made of a material that does not transmit light of a predetermined wavelength. The first substrate 23 can be made of, for example, high-purity quartz glass. High purity quartz glass refers to, for example, quartz glass having a transmittance of 80% or more in vacuum ultraviolet (VUV). The light shielding portion 24 has a predetermined pattern and can be made of a metal material such as chromium or a resist material, for example.

（２）次にフォトマスク２２を洗浄する。フォトマスク２２の洗浄は、図１に示すように、ドライ洗浄でもよいし、ウエット洗浄でもよい。ドライ洗浄は、真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、遮光部２４がクロム等の金属材料の場合には３０秒〜９００秒間、レジスト材料からなる場合には３０秒〜１２０秒間、真空紫外線を照射して行うことができる。フォトマスク２２を洗浄することによって、フォトマスク２２の表面に付着している油脂などの汚れを除去することができる。   (2) Next, the photomask 22 is washed. The cleaning of the photomask 22 may be dry cleaning or wet cleaning as shown in FIG. Dry cleaning uses a vacuum ultraviolet lamp (wavelength: 172 nm, output: 10 mW, distance between samples: 1 mm), and from a resist material for 30 seconds to 900 seconds in a nitrogen atmosphere when the light shielding part 24 is a metal material such as chromium. In this case, it can be performed by irradiating with vacuum ultraviolet rays for 30 seconds to 120 seconds. By washing the photomask 22, dirt such as oil and fat adhering to the surface of the photomask 22 can be removed.

（３）次に、図２に示すように、フォトマスク２２を界面活性剤溶液１４に浸漬する。界面活性剤溶液１４は、第１の界面活性剤を含む。第１の界面活性剤としては、カチオン系界面活性剤またはアニオン系界面活性剤を含む。フォトマスク２２の表面の液中表面電位が負電位の場合には、第１の界面活性剤として、カチオン系界面活性剤を適用することが好ましい。カチオン系界面活性剤は、他の界面活性剤に比べてフォトマスク２２に吸着しやすいからである。一方、フォトマスク２２の表面の液中表面電位が正電位の場合には、界面活性剤溶液１４に含まれる界面活性剤として、アニオン系界面活性剤を適用することが好ましい。   (3) Next, as shown in FIG. 2, the photomask 22 is immersed in the surfactant solution 14. The surfactant solution 14 contains a first surfactant. The first surfactant includes a cationic surfactant or an anionic surfactant. When the surface potential in liquid on the surface of the photomask 22 is negative, it is preferable to apply a cationic surfactant as the first surfactant. This is because the cationic surfactant is easily adsorbed to the photomask 22 as compared with other surfactants. On the other hand, when the surface potential in the liquid on the surface of the photomask 22 is positive, it is preferable to apply an anionic surfactant as the surfactant contained in the surfactant solution 14.

界面活性剤溶液１４としては、例えば、アミノシラン系成分を含む水溶性界面活性剤（テクニックジャパン（株）製ＦＰＤコンディショナー）や、アルキルアンモニウム系界面活性剤（例えば、セチルトリメチルアンモニウムクロリド、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチルジメチルアンモニウムブロマイド等）などを用いることができる。アニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩（ソディウムドデシルサルフェート、リチウムドデシルサルフェート、Ｎ−ラウロイルサルコシン）などを用いることができる。浸漬時間は、例えば、１分〜１０分程度とすることができる。   Examples of the surfactant solution 14 include a water-soluble surfactant containing an aminosilane-based component (FPD conditioner manufactured by Technique Japan Co., Ltd.) and an alkylammonium surfactant (for example, cetyltrimethylammonium chloride, cetyltrimethylammonium bromide). Cetyldimethylammonium bromide, etc.) can be used. As the anionic surfactant, polyoxyethylene alkyl ether sulfate (sodium dodecyl sulfate, lithium dodecyl sulfate, N-lauroyl sarcosine) or the like can be used. The immersion time can be set to about 1 to 10 minutes, for example.

次に、界面活性剤溶液からフォトマスク２２を取り出し、超純水で洗浄する。その後、フォトマスク２２を、例えば、室温下で自然乾燥し、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、９０℃〜１２０℃のオーブン内に１０分〜１時間程度放置して乾燥させる。以上の工程により、図３に示すように、第１の界面活性剤層１６をフォトマスク２２に設けることができる。このとき、第１の界面活性剤としてカチオン系界面活性剤を適用した場合には、フォトマスク２２の表面の液中表面電位は吸着前よりも正電位側にシフトしている。   Next, the photomask 22 is taken out from the surfactant solution and washed with ultrapure water. Then, the photomask 22 is naturally dried at room temperature, for example, or sprayed with compressed air to remove water droplets, and then left in an oven at 90 ° C. to 120 ° C. for about 10 minutes to 1 hour to dry. Through the above steps, the first surfactant layer 16 can be provided on the photomask 22 as shown in FIG. At this time, when a cationic surfactant is applied as the first surfactant, the surface potential in the liquid on the surface of the photomask 22 is shifted to the positive potential side than before the adsorption.

（４）次に、図４に示すように、触媒溶液３０にフォトマスク２２を浸漬する。触媒溶液３０は、無電解めっきの触媒として機能する触媒成分を含む。触媒成分としては、たとえばパラジウムを用いることができる。   (4) Next, as shown in FIG. 4, the photomask 22 is immersed in the catalyst solution 30. The catalyst solution 30 includes a catalyst component that functions as a catalyst for electroless plating. As the catalyst component, for example, palladium can be used.

たとえば、以下の手順により触媒溶液３０を作製することができる。
（４ａ）純度９９．９９％のパラジウムペレットを塩酸と過酸化水素水と水との混合溶液に溶解させ、パラジウム濃度が０．１〜０．５ｇ／ｌの塩化パラジウム溶液とする。
（４ｂ）上述した塩化パラジウム溶液をさらに水で希釈することによりパラジウム濃度を０．０１〜０．０５ｇ／ｌとする。
（４ｃ）水酸化ナトリウム水溶液等を用いて、塩化パラジウム溶液のｐＨを４．５〜６．８に調整する。 For example, the catalyst solution 30 can be produced by the following procedure.
(4a) Palladium pellets having a purity of 99.99% are dissolved in a mixed solution of hydrochloric acid, hydrogen peroxide solution, and water to obtain a palladium chloride solution having a palladium concentration of 0.1 to 0.5 g / l.
(4b) The palladium chloride solution is further diluted with water to adjust the palladium concentration to 0.01 to 0.05 g / l.
(4c) The pH of the palladium chloride solution is adjusted to 4.5 to 6.8 using an aqueous sodium hydroxide solution or the like.

このように作製された触媒溶液３０にフォトマスク２２を浸漬すると、図５に示すように、触媒層３２が形成される。触媒溶液３０に浸漬した後、フォトマスク２２を水洗してもよい。水洗は、純水によって行われることができる。この水洗によって、触媒の残渣が後述する無電界めっき液に混入するのを防止することができる。   When the photomask 22 is immersed in the catalyst solution 30 thus produced, a catalyst layer 32 is formed as shown in FIG. After immersing in the catalyst solution 30, the photomask 22 may be washed with water. The washing with water can be performed with pure water. This washing with water can prevent catalyst residues from being mixed into the electroless plating solution described below.

（５）次に、図６に示すように、フォトマスク２２の裏面（下方）から光を照射することにより、遮光部２４が形成されていない領域の第１の界面活性剤層１６を光分解する。照射する光２０としては、例えば真空紫外線（ＶＵＶ；vacuum ultraviolet）を用いることができる。光２０の波長を、例えば１７０ｎｍ〜２６０ｎｍとすることにより、原子間結合（例えば、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｎ、Ｃ＝Ｏ、Ｏ＝Ｏ、Ｏ−Ｈ、Ｈ−Ｆ、Ｈ−Ｃｌ、Ｎ−Ｈなど）を切断することができる。光２０は、第１の基板２３を介して第１の界面活性剤層１６に照射される。すなわち光２０は、遮光部２４が形成されていない領域のみ、フォトマスク２２を透過する。これにより、遮光部２４が形成されていない領域に設けられた第１の界面活性剤層１６を光分解させることができる。また、この波長帯域の光２０を用いることにより、イエロールームなどの設備が不要となり、例えば白色灯下で本実施形態に係る一連の工程を行うことができる。   (5) Next, as shown in FIG. 6, the first surfactant layer 16 in the region where the light shielding portion 24 is not formed is photodecomposed by irradiating light from the back surface (lower side) of the photomask 22. To do. As the irradiation light 20, for example, vacuum ultraviolet (VUV) can be used. By setting the wavelength of the light 20 to, for example, 170 nm to 260 nm, interatomic bonds (for example, C—C, C═C, C—H, C—F, C—Cl, C—O, C—N, C = O, O = O, OH, HF, H-Cl, NH, etc.). The light 20 is applied to the first surfactant layer 16 through the first substrate 23. That is, the light 20 is transmitted through the photomask 22 only in the region where the light shielding portion 24 is not formed. Thereby, the 1st surfactant layer 16 provided in the area | region in which the light-shielding part 24 is not formed can be photolyzed. In addition, by using the light 20 in this wavelength band, a facility such as a yellow room is not required, and a series of steps according to the present embodiment can be performed under a white lamp, for example.

光２０の照射は、具体的には、例えば、光源１８として真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、３０秒〜９００秒間行うことができる。光源１８は、例えばＸｅガスが封入されたエキシマランプであってもよい。なお、光２０の波長は、第１の界面活性剤層１６を光分解することができるものであれば、特に限定されない。窒素雰囲気中で光照射処理を行えば、光２０が減衰しにくいので好ましい。   Specifically, the irradiation with the light 20 can be performed for 30 seconds to 900 seconds in a nitrogen atmosphere using, for example, a vacuum ultraviolet lamp (wavelength 172 nm, output 10 mW, distance between samples 1 mm) as the light source 18. The light source 18 may be, for example, an excimer lamp in which Xe gas is sealed. The wavelength of the light 20 is not particularly limited as long as it can photodecompose the first surfactant layer 16. It is preferable to perform the light irradiation treatment in a nitrogen atmosphere because the light 20 is not easily attenuated.

こうして、第１の界面活性剤層１６を光分解すると、遮光部２４が形成されていない領域に設けられた第１の界面活性剤層１６および触媒層３２は、図７に示すように、除去されることができる。   Thus, when the first surfactant layer 16 is photodecomposed, the first surfactant layer 16 and the catalyst layer 32 provided in the region where the light shielding portion 24 is not formed are removed as shown in FIG. Can be done.

（６）第２の基板１０を用意する。第２の基板１０は、絶縁基板であってもよい。第２の基板１０は、有機系基板（例えばプラスチック材、樹脂基板）であってもよいし、無機系基板（例えば石英ガラス、シリコンウエハ、酸化物層）であってもよい。プラスチック材としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネイト、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。あるいは、第２の基板１０は、光透過性基板（例えば透明基板）であってもよい。第２の基板１０は、単層のみならず、ベース基板上に少なくとも１層の絶縁層が形成されている多層のものも含む。本実施の形態では、第２の基板１０上に金属層を形成する。   (6) The second substrate 10 is prepared. The second substrate 10 may be an insulating substrate. The second substrate 10 may be an organic substrate (for example, a plastic material or a resin substrate) or an inorganic substrate (for example, quartz glass, a silicon wafer, or an oxide layer). Examples of the plastic material include polyimide, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyphenylene sulfide, and polyethylene terephthalate. Alternatively, the second substrate 10 may be a light transmissive substrate (for example, a transparent substrate). The second substrate 10 includes not only a single layer but also a multilayer substrate in which at least one insulating layer is formed on a base substrate. In this embodiment mode, a metal layer is formed over the second substrate 10.

（７）次に、第２の基板１０を洗浄する。第２の基板１０の洗浄は、ドライ洗浄でもよいし、図８に示すようにウエット洗浄でもよい。ウエット洗浄は、例えば、第２の基板１０をオゾン水１２（オゾン濃度１０ｐｐｍ〜２０ｐｐｍ）に室温状態で５分〜３０分程度浸漬することで行うことができる。またドライ洗浄は、真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、３０秒〜９００秒間、真空紫外線を照射して行うことができる。第２の基板１０を洗浄することによって、第２の基板１０の表面に付着している油脂などの汚れを除去することができる。また、第２の基板１０の表面を撥水性から親水性に変化させることができる。また、第２の基板１０の液中表面電位が負電位であれば、第２の基板１０の洗浄により均一な負電位面を形成することができる。   (7) Next, the second substrate 10 is cleaned. The cleaning of the second substrate 10 may be dry cleaning or wet cleaning as shown in FIG. The wet cleaning can be performed, for example, by immersing the second substrate 10 in ozone water 12 (ozone concentration 10 ppm to 20 ppm) at room temperature for about 5 to 30 minutes. Dry cleaning can be performed by irradiating with vacuum ultraviolet rays for 30 seconds to 900 seconds in a nitrogen atmosphere using a vacuum ultraviolet lamp (wavelength 172 nm, output 10 mW, distance between samples 1 mm). By cleaning the second substrate 10, dirt such as oil and fat adhering to the surface of the second substrate 10 can be removed. Further, the surface of the second substrate 10 can be changed from water repellent to hydrophilic. If the surface potential in liquid of the second substrate 10 is a negative potential, a uniform negative potential surface can be formed by cleaning the second substrate 10.

（８）次に、図９に示すように、第２の基板１０を界面活性剤溶液１４に浸漬する。界面活性剤溶液１４は、第２の界面活性剤を含む。第２の界面活性剤としては、カチオン系界面活性剤またはアニオン系界面活性剤を含む。第２の基板１０の表面の液中表面電位が負電位の場合には、第２の界面活性剤として、カチオン系界面活性剤を適用することが好ましい。カチオン系界面活性剤は、他の界面活性剤に比べて第２の基板１０に吸着しやすいからである。一方、第２の基板１０の表面の液中表面電位が正電位の場合には、界面活性剤溶液１４に含まれる界面活性剤として、アニオン系界面活性剤を適用することが好ましい。   (8) Next, as shown in FIG. 9, the second substrate 10 is immersed in the surfactant solution 14. The surfactant solution 14 contains a second surfactant. The second surfactant includes a cationic surfactant or an anionic surfactant. When the surface potential in liquid on the surface of the second substrate 10 is a negative potential, it is preferable to apply a cationic surfactant as the second surfactant. This is because the cationic surfactant is easily adsorbed on the second substrate 10 as compared with other surfactants. On the other hand, when the surface potential in the liquid on the surface of the second substrate 10 is positive, it is preferable to apply an anionic surfactant as the surfactant contained in the surfactant solution 14.

界面活性剤溶液１４としては、例えば、アミノシラン系成分を含む水溶性界面活性剤（テクニックジャパン（株）製ＦＰＤコンディショナー）や、アルキルアンモニウム系界面活性剤（例えば、セチルトリメチルアンモニウムクロリド、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチルジメチルアンモニウムブロマイド等）などを用いることができる。アニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩（ソディウムドデシルサルフェート、リチウムドデシルサルフェート、Ｎ−ラウロイルサルコシン）などを用いることができる。浸漬時間は、例えば、１分〜１０分程度とすることができる。   Examples of the surfactant solution 14 include a water-soluble surfactant containing an aminosilane-based component (FPD conditioner manufactured by Technique Japan Co., Ltd.) and an alkylammonium surfactant (for example, cetyltrimethylammonium chloride, cetyltrimethylammonium bromide). Cetyldimethylammonium bromide, etc.) can be used. As the anionic surfactant, polyoxyethylene alkyl ether sulfate (sodium dodecyl sulfate, lithium dodecyl sulfate, N-lauroyl sarcosine) or the like can be used. The immersion time can be set to about 1 to 10 minutes, for example.

次に、界面活性剤溶液から第２の基板１０を取り出し、超純水で洗浄する。その後、第２の基板１０を、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、９０℃〜１２０℃のオーブン内に１０分〜１時間程度放置して乾燥させる。以上の工程により、図１０に示すように、第２の界面活性剤層２６を第２の基板１０に設けることができる。このとき、第２の界面活性剤としてカチオン系界面活性剤を適用した場合には、第２の基板１０の液中表面電位は吸着前よりも正電位側にシフトしている。   Next, the second substrate 10 is taken out from the surfactant solution and washed with ultrapure water. Thereafter, the second substrate 10 is naturally dried at room temperature, for example, or sprayed with compressed air to remove water droplets, and then left in an oven at 90 ° C. to 120 ° C. for about 10 minutes to 1 hour to dry. . Through the above steps, the second surfactant layer 26 can be provided on the second substrate 10 as shown in FIG. At this time, when a cationic surfactant is applied as the second surfactant, the surface potential in liquid of the second substrate 10 is shifted to the positive potential side than before the adsorption.

（９）次に、図１１に示すように、フォトマスク２２に対向させて、触媒層３２の上方に第２の基板１０を配置する。ここで、「触媒層３２の上方」とは、触媒層３２を基準として第１の基板２３と反対側の方向をいう。第１の基板２３は、図１１に示すように、第２の基板１０と平行に配置される。   (9) Next, as shown in FIG. 11, the second substrate 10 is disposed above the catalyst layer 32 so as to face the photomask 22. Here, “above the catalyst layer 32” refers to a direction opposite to the first substrate 23 with respect to the catalyst layer 32. As shown in FIG. 11, the first substrate 23 is arranged in parallel with the second substrate 10.

この工程では、フォトマスク２２を第１の基板１０に対して押し付けることにより、フォトマスク２２の表面と第２の基板１０とを接触させてもよい。具体的には、図１１に示すように、遮光部２４の上方に形成されている触媒層３２と、第２の基板１０上に形成されている第２の界面活性剤層２６とが領域２８において接触する。   In this step, the surface of the photomask 22 and the second substrate 10 may be brought into contact with each other by pressing the photomask 22 against the first substrate 10. Specifically, as shown in FIG. 11, a catalyst layer 32 formed above the light shielding portion 24 and a second surfactant layer 26 formed on the second substrate 10 are regions 28. In contact.

このとき、触媒層３２は、第２の基板１０に転写される。第１の界面活性剤層１６の触媒層３２に対する吸着力は、第２の界面活性剤層２６の触媒層３２に対する吸着力未満であることが好ましい。この吸着力の差は、触媒の液中表面電位と、界面活性剤の液中表面電位との差に起因する。即ち、触媒層３２に含まれる触媒表面が負に帯電している場合には、液中表面電位が大きく正に帯電している界面活性剤を含む界面活性剤層の吸着力が大きい。一方、触媒層３２に含まれる触媒表面が正に帯電している場合には、液中表面電位が大きく負に帯電している界面活性剤を含む界面活性剤層の吸着力が大きい。たとえば、触媒層３２に含まれる触媒がパラジウムであり、このパラジウム表面に負の電荷をもつイオンに取り囲まれている場合には、このパラジウムには、アニオン系界面活性剤よりカチオン系界面活性剤が吸着しやすい。   At this time, the catalyst layer 32 is transferred to the second substrate 10. The adsorption force of the first surfactant layer 16 on the catalyst layer 32 is preferably less than the adsorption force of the second surfactant layer 26 on the catalyst layer 32. This difference in adsorption force is caused by the difference between the surface potential of the catalyst in liquid and the surface potential of the surfactant in liquid. That is, when the surface of the catalyst contained in the catalyst layer 32 is negatively charged, the adsorbing power of the surfactant layer containing a surfactant that has a large surface potential in the liquid and is positively charged is large. On the other hand, when the surface of the catalyst contained in the catalyst layer 32 is positively charged, the adsorbing power of the surfactant layer containing the surfactant having a large surface potential in liquid and negatively charged is large. For example, when the catalyst contained in the catalyst layer 32 is palladium and the palladium surface is surrounded by negatively charged ions, the palladium has a cationic surfactant rather than an anionic surfactant. Easy to adsorb.

たとえば、第２の基板１０としてガラス基板を用い、これを水酸化ナトリウム溶液によりウェット洗浄すると表面電位が−６６ｍＶになる。このガラス基板に、カチオン系界面活性剤としては、ジアルキルジメチルアンモニウム系の界面活性剤を吸着させて界面活性剤層を形成すると、表面電位は−２３ｍＶになる。また、同様にウェット洗浄したガラス基板に、上述したアミン塩系ＦＰＤコンディショナーを吸着させて界面活性剤層を形成すると、表面電位は＋５２ｍＶになる。したがって、ジアルキルジメチルアンモニウム系の界面活性剤は、アミン塩系ＦＰＤコンディショナーより吸着力が小さいため、第１の界面活性剤層１６の形成に用いられ、アミン塩系ＦＰＤコンディショナーは、第２の界面活性剤層２６に形成に用いられることが好ましい。   For example, when a glass substrate is used as the second substrate 10 and wet-washed with a sodium hydroxide solution, the surface potential becomes −66 mV. When a surfactant layer is formed by adsorbing a dialkyldimethylammonium surfactant as a cationic surfactant on this glass substrate, the surface potential becomes -23 mV. Similarly, when the above-described amine salt FPD conditioner is adsorbed onto a wet-cleaned glass substrate to form a surfactant layer, the surface potential becomes +52 mV. Accordingly, since the dialkyldimethylammonium surfactant has a smaller adsorbing power than the amine salt FPD conditioner, it is used for forming the first surfactant layer 16, and the amine salt FPD conditioner is used as the second surfactant. It is preferably used for forming the agent layer 26.

このように、第１の界面活性剤層１６の触媒層３２に対する吸着力が、第２の界面活性剤層２６の触媒層３２に対する吸着力未満であるとき、触媒層３２は、第１の界面活性剤層１６から離脱して、第２の界面活性剤層２６に容易に吸着でき、転写されることができる。   Thus, when the adsorption force of the first surfactant layer 16 on the catalyst layer 32 is less than the adsorption force of the second surfactant layer 26 on the catalyst layer 32, the catalyst layer 32 is It can be detached from the activator layer 16 and easily adsorbed and transferred to the second surfactant layer 26.

（１０）次に、フォトマスク２２を第２の基板１０から剥がす。このとき、領域２８には、第２の界面活性剤層２６上に触媒層３２が形成されている（図１２参照）。その後、超純水によるリンス洗浄を行い、自然乾燥および圧縮空気を吹きかけることによって水滴を除去してもよい。この水洗によって、界面活性剤の残渣が後述する無電界めっき液に混入するのを防止することができる。   (10) Next, the photomask 22 is peeled off from the second substrate 10. At this time, the catalyst layer 32 is formed on the second surfactant layer 26 in the region 28 (see FIG. 12). Thereafter, rinsing with ultrapure water may be performed, and water droplets may be removed by spraying with natural drying and compressed air. By this washing with water, it is possible to prevent the residue of the surfactant from being mixed into the electroless plating solution described later.

（１１）次に、図１３に示すように、触媒層３２上に金属層３６を析出させる。具体的には、第２の基板１０を無電解めっき液に浸漬させることによって、触媒層３２上に金属層３６を析出させることができる。金属層３６としてニッケル層を析出させる場合を説明すると、無電解めっき液としては、硫酸ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることができる。例えば、第２の基板１０をこのような無電解めっき液（温度７０〜８０℃）に１分〜１０分程度浸漬することによって、０．１μｍ〜１．０μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。あるいは、無電解めっき液として、塩化ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることもできる。例えば、第２の基板１０をこのような無電解めっき液（温度６０〜７５℃）に０．５分〜１０分程度浸漬することによって、０．１μｍ〜１．０μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。なお、金属層３６の材料は触媒によってめっき反応が起こる材料であれば特に限定されず、例えば白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などからも形成することができる。こうして、第２の基板１０上に金属層３６を形成することができる。その後、超純水によるリンス洗浄を行い、自然乾燥および圧縮空気を吹きかけることによって水滴を除去してもよい。   (11) Next, as shown in FIG. 13, a metal layer 36 is deposited on the catalyst layer 32. Specifically, the metal layer 36 can be deposited on the catalyst layer 32 by immersing the second substrate 10 in an electroless plating solution. The case where a nickel layer is deposited as the metal layer 36 will be described. As the electroless plating solution, a solution mainly composed of nickel sulfate hexahydrate and containing sodium hypophosphite as a reducing agent can be used. For example, a nickel layer having a thickness of 0.1 μm to 1.0 μm is formed by immersing the second substrate 10 in such an electroless plating solution (temperature 70 to 80 ° C.) for about 1 minute to 10 minutes. be able to. Alternatively, an electroless plating solution containing nickel chloride hexahydrate as a main component and sodium hypophosphite as a reducing agent can be used. For example, a nickel layer having a thickness of 0.1 μm to 1.0 μm is formed by immersing the second substrate 10 in such an electroless plating solution (temperature 60 to 75 ° C.) for about 0.5 to 10 minutes. Can be formed. The material of the metal layer 36 is not particularly limited as long as a plating reaction is caused by a catalyst. For example, the metal layer 36 can be formed of platinum (Pt), copper (Cu), gold (Au), or the like. Thus, the metal layer 36 can be formed on the second substrate 10. Thereafter, rinsing with ultrapure water may be performed, and water droplets may be removed by spraying with natural drying and compressed air.

以上の工程により、図１３に示すように、配線基板１００を形成することができる。本実施の形態にかかる配線基板１００の形成方法によれば、遮光部２４以外の領域に形成された触媒層３２が除去された後に、遮光部２４上の触媒層３２を第２の基板１０上に転写するため、精度よく遮光部２４にそった配線パターンを形成することができる。これにより、簡単なプロセスで信頼性の高い配線基板を提供することができる。   Through the above steps, the wiring substrate 100 can be formed as shown in FIG. According to the method for forming the wiring substrate 100 according to the present embodiment, after the catalyst layer 32 formed in the region other than the light shielding portion 24 is removed, the catalyst layer 32 on the light shielding portion 24 is placed on the second substrate 10. Therefore, the wiring pattern along the light shielding portion 24 can be formed with high accuracy. Thereby, a highly reliable wiring board can be provided by a simple process.

２．配線基板および電子デバイス
図１４は、本実施の形態にかかる配線基板の製造方法によって製造される配線基板を適用した電子デバイスの一例を示す。電子デバイス１０００は、配線基板１００と、集積回路チップ９０と、他の基板９２とを含む。 2. Wiring Board and Electronic Device FIG. 14 shows an example of an electronic device to which the wiring board manufactured by the wiring board manufacturing method according to the present embodiment is applied. The electronic device 1000 includes a wiring substrate 100, an integrated circuit chip 90, and another substrate 92.

配線基板１００に形成された配線パターンは、電子部品同士を電気的に接続するためのものであってもよい。配線基板１００は、上述した製造方法によって製造される。図１４に示す例では、配線基板１００には、集積回路チップ９０が電気的に接続され、配線基板１００の一方の端部は、他の基板９２（例えば表示パネル）に電気的に接続されている。電子デバイス１０００は、液晶ディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置、ＥＬ（Electro luminescence）ディスプレイ装置などの表示装置であってもよい。   The wiring pattern formed on the wiring board 100 may be for electrically connecting electronic components. The wiring board 100 is manufactured by the manufacturing method described above. In the example shown in FIG. 14, an integrated circuit chip 90 is electrically connected to the wiring board 100, and one end of the wiring board 100 is electrically connected to another substrate 92 (for example, a display panel). Yes. The electronic device 1000 may be a display device such as a liquid crystal display device, a plasma display device, or an EL (Electro luminescence) display device.

３．変形例
次に、図１５を用いて、変形例にかかる配線基板の製造方法について説明する。変形例にかかるフォトマスク１２２は、遮光部１２４が第１の基板１２３に埋め込まれている点で、遮光部２４が第１の基板２３の上に形成されているフォトマスク２２と異なる。変形例にかかる配線基板の製造方法の手順については、上述した本実施の形態にかかる配線基板の製造方法と同様であるので説明を省略する。 3. Next, a method for manufacturing a wiring board according to a modification will be described with reference to FIG. The photomask 122 according to the modification is different from the photomask 22 in which the light shielding portion 24 is formed on the first substrate 23 in that the light shielding portion 124 is embedded in the first substrate 123. The procedure of the wiring board manufacturing method according to the modification is the same as that of the wiring board manufacturing method according to the above-described embodiment, and thus the description thereof is omitted.

図１５は、変形例にかかるフォトマスク１２２の断面を模式的に示す図である。図１５に示すように、遮光部１２４が第１の基板１２３に埋め込まれているため、フォトマスク１２２の表面は、平坦な形状を有する。   FIG. 15 is a diagram schematically showing a cross section of a photomask 122 according to a modification. As shown in FIG. 15, since the light shielding portion 124 is embedded in the first substrate 123, the surface of the photomask 122 has a flat shape.

図１６は、第１の界面活性剤層１１６および触媒層１３２が形成されたフォトマスク１２２の断面を模式的に示す図である。図１６に示すように、フォトマスク１２２の表面が平坦な形状を有するため、第１の界面活性剤層１１６および触媒層１３２も平坦に形成される。これにより、遮光部１２４が形成されていない領域の第１の界面活性剤層１１６および触媒層１３２を、遮光部１２４が形成されている領域と同じ密度で形成することができる。   FIG. 16 is a diagram schematically showing a cross section of the photomask 122 on which the first surfactant layer 116 and the catalyst layer 132 are formed. As shown in FIG. 16, since the surface of the photomask 122 has a flat shape, the first surfactant layer 116 and the catalyst layer 132 are also formed flat. As a result, the first surfactant layer 116 and the catalyst layer 132 in the region where the light shielding portion 124 is not formed can be formed at the same density as the region where the light shielding portion 124 is formed.

本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, the present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same purposes and results). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the wiring board concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the wiring board concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the wiring board concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the wiring board concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the wiring board concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the wiring board concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the wiring board concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the wiring board concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the wiring board concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the wiring board concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the wiring board concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the wiring board concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the wiring board concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる配線基板を適用した電子デバイスの一例を示す図。The figure which shows an example of the electronic device to which the wiring board concerning this Embodiment is applied. 変形例にかかるフォトマスクの断面を模式的に示す図。The figure which shows typically the cross section of the photomask concerning a modification. 第１の界面活性剤層および触媒層が形成されたフォトマスクの断面を模式的に示す図。The figure which shows typically the cross section of the photomask in which the 1st surfactant layer and the catalyst layer were formed.

符号の説明Explanation of symbols

１０ 第２の基板、１２ オゾン水、１４ 界面活性剤溶液、１６ 第１の界面活性剤層、１８ 光源、２０ 光、２２、１２２ フォトマスク、２３、１２３ 第１の基板、２４、１２４ 遮光部、２６ 第２の界面活性剤層、２８ 領域、３０ 触媒溶液、３２ 触媒層、３６金属層、９０ 集積回路チップ、９２ 他の第２の基板、１００ 配線基板、１０００ 電子デバイス DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 2nd board | substrate, 12 Ozone water, 14 Surfactant solution, 16 1st surfactant layer, 18 Light source, 20 Light, 22, 122 Photomask, 23, 123 1st board | substrate, 24, 124 Light-shielding part , 26 second surfactant layer, 28 region, 30 catalyst solution, 32 catalyst layer, 36 metal layer, 90 integrated circuit chip, 92 other second substrate, 100 wiring substrate, 1000 electronic device

Claims (6)

（ａ）遮光部を有するフォトマスクの表面に第１の界面活性剤層を設ける工程と、
（ｂ）前記第１の界面活性剤層上に触媒を含む触媒層を設ける工程と、
（ｃ）前記フォトマスクの裏面から光を照射することにより前記遮光部が形成されていない領域の前記第１の界面活性剤層を分解して、該遮光部が形成されていない領域に設けられている前記第１の界面活性剤層および触媒層を除去する工程と、
（ｄ）前記遮光部が形成されている領域に設けられた触媒層を基板の上方に転写する工程と、
（ｅ）前記基板に転写された前記触媒層上に金属を析出させることによって金属層を設ける工程と、
を含む、配線基板の製造方法。 (A) providing a first surfactant layer on the surface of a photomask having a light shielding portion;
(B) providing a catalyst layer containing a catalyst on the first surfactant layer;
(C) By irradiating light from the back surface of the photomask, the first surfactant layer in the region where the light shielding portion is not formed is decomposed and provided in the region where the light shielding portion is not formed. Removing the first surfactant layer and the catalyst layer,
(D) transferring the catalyst layer provided in the region where the light shielding portion is formed above the substrate;
(E) providing a metal layer by depositing a metal on the catalyst layer transferred to the substrate;
A method for manufacturing a wiring board, comprising: 請求項１において、
前記工程（ｄ）の前に、前記基板上に第２の界面活性剤層を設ける工程をさらに含む、配線基板の製造方法。 In claim 1,
A method for manufacturing a wiring board, further comprising a step of providing a second surfactant layer on the substrate before the step (d). 請求項２において、
前記第１の界面活性剤層の前記触媒に対する吸着力は、前記第２の界面活性剤層の触媒に対する吸着力未満である、配線基板の製造方法。 In claim 2,
The method for manufacturing a wiring board, wherein the adsorption force of the first surfactant layer to the catalyst is less than the adsorption force of the second surfactant layer to the catalyst. 請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記フォトマスクの表面は、前記遮光部が埋め込まれていることにより、平坦に形成されている、配線基板の製造方法。 In any of claims 1 to 3,
The method of manufacturing a wiring board, wherein the surface of the photomask is formed flat by embedding the light shielding portion. 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記工程（ｃ）では、前記フォトマスクの表面と前記基板とを接触させる、配線基板の製造方法。 In any of claims 1 to 4,
In the step (c), a method of manufacturing a wiring board, wherein the surface of the photomask and the substrate are brought into contact with each other. 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記光は、真空紫外線である、配線基板の製造方法。 In any of claims 1 to 5,
The method for manufacturing a wiring board, wherein the light is vacuum ultraviolet rays.

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