JP2007106780A - Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic equipment - Google Patents
Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007106780A JP2007106780A JP2005295970A JP2005295970A JP2007106780A JP 2007106780 A JP2007106780 A JP 2007106780A JP 2005295970 A JP2005295970 A JP 2005295970A JP 2005295970 A JP2005295970 A JP 2005295970A JP 2007106780 A JP2007106780 A JP 2007106780A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substituent
- layer
- conductive
- compound
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 112
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 158
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 97
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 38
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims abstract description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 125
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 97
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 52
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 32
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000011669 selenium Chemical group 0.000 claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052714 tellurium Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 5
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical group [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011593 sulfur Chemical group 0.000 claims description 4
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical group [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 291
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 description 66
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 41
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 36
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 25
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 24
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 18
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 17
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 14
- JPOVFJVXRISZEE-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)butan-1-ol Chemical compound NC1=CC=C(CCCCO)C=C1 JPOVFJVXRISZEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 125000005241 heteroarylamino group Chemical class 0.000 description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- NDWAJMWJTWOGFN-UHFFFAOYSA-N 4-(4-bromophenyl)butan-1-ol Chemical compound OCCCCC1=CC=C(Br)C=C1 NDWAJMWJTWOGFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 10
- UDSJZSITOZVZLX-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(4-iodophenyl)thiophene Chemical compound C1=CC(I)=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(I)=CC=2)S1 UDSJZSITOZVZLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 9
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 9
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N acetic acid anhydride Natural products CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N dibenzyl ether Chemical group C=1C=CC=CC=1COCC1=CC=CC=C1 MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 5
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical group C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 5
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylbutan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)=O SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UDAZBTGNUGCSKH-UHFFFAOYSA-N 8-(4-aminophenyl)octan-1-ol Chemical compound NC1=CC=C(CCCCCCCCO)C=C1 UDAZBTGNUGCSKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 4
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 4
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 4
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 4
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 4
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 4
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 4
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QXHDYMUPPXAMPQ-UHFFFAOYSA-N 2-(4-aminophenyl)ethanol Chemical compound NC1=CC=C(CCO)C=C1 QXHDYMUPPXAMPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 0 C*c1csc(CC=*)cc1 Chemical compound C*c1csc(CC=*)cc1 0.000 description 3
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 3
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 3
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- AXKGIPZJYUNAIW-UHFFFAOYSA-N (4-aminophenyl)methanol Chemical compound NC1=CC=C(CO)C=C1 AXKGIPZJYUNAIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- PMOSJSPFNDUAFY-UHFFFAOYSA-N 2-(4-bromophenyl)ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(Br)C=C1 PMOSJSPFNDUAFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NFCNEDKYXMWATM-UHFFFAOYSA-N 3,5-diiodo-1h-1,2,4-triazole Chemical compound IC1=NNC(I)=N1 NFCNEDKYXMWATM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCKCHBRVJUMFY-UHFFFAOYSA-N 7-(4-aminophenyl)heptan-1-ol Chemical compound NC1=CC=C(CCCCCCCO)C=C1 XHCKCHBRVJUMFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHMIULKDKPIJMB-UHFFFAOYSA-N 7-(4-bromophenyl)heptan-1-ol Chemical compound OCCCCCCCC1=CC=C(Br)C=C1 VHMIULKDKPIJMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LAOMLBDTIYCOAR-UHFFFAOYSA-N 8-(4-bromophenyl)octan-1-ol Chemical compound OCCCCCCCCC1=CC=C(Br)C=C1 LAOMLBDTIYCOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZMGYPLQYOPHEL-UHFFFAOYSA-N Boron trifluoride etherate Chemical compound FB(F)F.CCOCC KZMGYPLQYOPHEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N Ethynylbenzene Chemical group C#CC1=CC=CC=C1 UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100489577 Solanum lycopersicum TFT10 gene Proteins 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical class C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 238000012663 cationic photopolymerization Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- RZXMPPFPUUCRFN-UHFFFAOYSA-N p-toluidine Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1 RZXMPPFPUUCRFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VEDDBHYQWFOITD-UHFFFAOYSA-N para-bromobenzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=C(Br)C=C1 VEDDBHYQWFOITD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N sulfonic acid Chemical compound OS(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N tert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N trans,trans-1,4-Diphenyl-1,3-butadiene Chemical group C=1C=CC=CC=1\C=C\C=C\C1=CC=CC=C1 JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N (1,10,13-trimethyl-3-oxo-4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl) heptanoate Chemical compound C1CC2CC(=O)C=C(C)C2(C)C2C1C1CCC(OC(=O)CCCCCC)C1(C)CC2 TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIGRWGTZFONRKA-UHFFFAOYSA-N 1-(bromomethyl)-4-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(CBr)C=C1 GIGRWGTZFONRKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBTMRBYMKUEVEU-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(Br)C=C1 ZBTMRBYMKUEVEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JESJOGPIHWMFRW-UHFFFAOYSA-N 1-cyclopenta-2,4-dien-1-ylpentaphene Chemical compound C1(=CC=CC2=CC3=CC=C4C=C5C=CC=CC5=CC4=C3C=C12)C1C=CC=C1 JESJOGPIHWMFRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUBZFHYBYZPADO-UHFFFAOYSA-N 1-iodo-3-(3-iodo-2-benzothiophen-1-yl)-2-benzothiophene Chemical compound C1=CC=CC2=C(I)SC(C3=C4C=CC=CC4=C(I)S3)=C21 ZUBZFHYBYZPADO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- LAXWTHPUJQUILB-UHFFFAOYSA-N 1h-benzimidazole;1h-imidazole Chemical class C1=CNC=N1.C1=CC=C2NC=NC2=C1 LAXWTHPUJQUILB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrrolo[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=N1 XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBTIQTBNYBGTHU-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(4-iodo-2-methylphenyl)thiophene Chemical compound CC1=CC(I)=CC=C1C1=CC=C(C=2C(=CC(I)=CC=2)C)S1 GBTIQTBNYBGTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BICBCKBIINIKHH-UHFFFAOYSA-N 2-(4-amino-2,6-dimethylphenyl)ethanol Chemical compound CC1=CC(N)=CC(C)=C1CCO BICBCKBIINIKHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PORKWWLSRFDCLR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[4-[2-(1,3-benzothiazol-2-yl)ethenyl]phenyl]ethenyl]-1,3-benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC(C=CC=3C=CC(C=CC=4SC5=CC=CC=C5N=4)=CC=3)=NC2=C1 PORKWWLSRFDCLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000175 2-thienyl group Chemical group S1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- LLTSIOOHJBUDCP-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-triphenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=CC=C1 LLTSIOOHJBUDCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEQJRCRMCYYJMV-UHFFFAOYSA-N 3,4-bis(2-phenylethenyl)benzene-1,2-diamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=C(N)C(N)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 VEQJRCRMCYYJMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006306 4-iodophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1I 0.000 description 1
- YAHHNSBXSDGEFB-UHFFFAOYSA-N 4-phenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=NN=CN1C1=CC=CC=C1 YAHHNSBXSDGEFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBMJUDRXJXZBKI-UHFFFAOYSA-N 5-(4-tert-butylphenyl)-2-(4-phenylphenyl)-5h-1,2,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1N=CN(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 OBMJUDRXJXZBKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCKGFTQIICXDQW-ZEQRLZLVSA-N 5-[(1r)-1-hydroxy-2-[4-[(2r)-2-hydroxy-2-(4-methyl-1-oxo-3h-2-benzofuran-5-yl)ethyl]piperazin-1-yl]ethyl]-4-methyl-3h-2-benzofuran-1-one Chemical compound C1=C2C(=O)OCC2=C(C)C([C@@H](O)CN2CCN(CC2)C[C@H](O)C2=CC=C3C(=O)OCC3=C2C)=C1 OCKGFTQIICXDQW-ZEQRLZLVSA-N 0.000 description 1
- UAWLTQJFZUYROA-UHFFFAOYSA-N 6-Nitrochrysene Chemical compound C1=CC=C2C([N+](=O)[O-])=CC3=C(C=CC=C4)C4=CC=C3C2=C1 UAWLTQJFZUYROA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVQAWGMZPAPCPS-UHFFFAOYSA-N C=1C=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=1[SiH2]C1=CC=CC=C1 Chemical compound C=1C=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=1[SiH2]C1=CC=CC=C1 JVQAWGMZPAPCPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWINMVFKPHMJB-UHFFFAOYSA-N CC1=CCCC=C1 Chemical compound CC1=CCCC=C1 XMWINMVFKPHMJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHOOLJLEYYXKTK-UHFFFAOYSA-N Cc1cnc(C)nc1 Chemical compound Cc1cnc(C)nc1 RHOOLJLEYYXKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPFYXYFORQJZEC-FOCLMDBBSA-N Phenazopyridine Chemical class NC1=NC(N)=CC=C1\N=N\C1=CC=CC=C1 QPFYXYFORQJZEC-FOCLMDBBSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- WFWLQNSHRPWKFK-UHFFFAOYSA-N Tegafur Chemical compound O=C1NC(=O)C(F)=CN1C1OCCC1 WFWLQNSHRPWKFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005377 adsorption chromatography Methods 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 229940049706 benzodiazepine Drugs 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRXXLCKWQFKACW-UHFFFAOYSA-N biphenylacetylene Chemical group C1=CC=CC=C1C#CC1=CC=CC=C1 JRXXLCKWQFKACW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N butadiene group Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- QGJOPFRUJISHPQ-NJFSPNSNSA-N carbon disulfide-14c Chemical compound S=[14C]=S QGJOPFRUJISHPQ-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N copper lithium Chemical compound [Li].[Cu] OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005677 ethinylene group Chemical group [*:2]C#C[*:1] 0.000 description 1
- LNBHUCHAFZUEGJ-UHFFFAOYSA-N europium(3+) Chemical compound [Eu+3] LNBHUCHAFZUEGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N formic acid ethyl ester Natural products CCOC=O WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- BWHLPLXXIDYSNW-UHFFFAOYSA-N ketorolac tromethamine Chemical compound OCC(N)(CO)CO.OC(=O)C1CCN2C1=CC=C2C(=O)C1=CC=CC=C1 BWHLPLXXIDYSNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001623 magnesium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N methyl(phenyl)silicon Chemical compound C[Si]C1=CC=CC=C1 LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- HCIIFBHDBOCSAF-UHFFFAOYSA-N octaethylporphyrin Chemical compound N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 HCIIFBHDBOCSAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004880 oxines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- HRGDZIGMBDGFTC-UHFFFAOYSA-N platinum(2+) Chemical compound [Pt+2] HRGDZIGMBDGFTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- GNHGQOQUCKGFCV-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol;zinc Chemical compound [Zn].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 GNHGQOQUCKGFCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000012312 sodium hydride Substances 0.000 description 1
- 229910000104 sodium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000001119 stannous chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000003470 sulfuric acid monoesters Chemical class 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[5,4-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2SN=NC2=C1 QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N thioridazine hydrochloride Chemical class Cl.C12=CC(SC)=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1CCC1CCCCN1C NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- ZWYDDDAMNQQZHD-UHFFFAOYSA-L titanium(ii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ti+2] ZWYDDDAMNQQZHD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXXNJJQVBPWGTP-UHFFFAOYSA-K tris[(4-methylquinolin-8-yl)oxy]alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-] SXXNJJQVBPWGTP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
本発明は、導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。 The present invention relates to a composition for a conductive material, a conductive material, a conductive layer, an electronic device, and an electronic apparatus.
有機材料を使用したエレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子（発光素子）としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。
一般に、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に発光層を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。
Electroluminescent elements using organic materials (hereinafter simply referred to as “organic EL elements”) are promising for use as solid light-emitting, inexpensive, large-area full-color display elements (light-emitting elements), and many developments have been made. It has been broken.
In general, an organic EL device has a light emitting layer between a cathode and an anode. When an electric field is applied between the cathode and the anode, electrons are injected into the light emitting layer from the cathode side, and holes are formed from the anode side. Is injected.
そして、注入された電子と正孔とが発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の励起エネルギーを光エネルギーとして放出することにより、発光層が発光する。
このような有機ＥＬ素子において、有機ＥＬ素子の高効率化、すなわち、高い発光を得るためには、電子または正孔のキャリア輸送性の異なる有機材料で構成される有機層を、発光層と、陰極および／または陽極との間に積層する素子構造が有効であることが判っている。
Then, the injected electrons and holes are recombined in the light emitting layer, and the light emitting layer emits light by releasing the excitation energy when the energy level returns from the conduction band to the valence band as light energy.
In such an organic EL element, in order to increase the efficiency of the organic EL element, that is, to obtain high light emission, an organic layer composed of organic materials having different electron or hole carrier transport properties, and a light emitting layer, It has been found that an element structure laminated between the cathode and / or the anode is effective.
そこで、キャリア輸送特性の異なる発光層と有機層と（以下、これらを併せて「有機層」という。）を電極上に積層する必要があるが、従来の塗布法を用いる製造方法においては、有機層を積層する際に、隣接する有機層との間で相溶解が生じ、その結果として、有機ＥＬ素子としての発光効率、発色の色純度またはパターン精度が悪くなる等の特性が低下するという問題があった。 Therefore, it is necessary to laminate a light emitting layer and an organic layer (hereinafter collectively referred to as “organic layer”) having different carrier transport properties on the electrode. In the manufacturing method using the conventional coating method, When laminating layers, phase dissolution occurs between adjacent organic layers, resulting in a decrease in characteristics such as emission efficiency, color purity or color accuracy of the organic EL element. was there.
そのため、有機層を積層する場合には、有機材料として溶解性の異なるものを組み合わせて用いることにより、積層するのに限られていた。
このような問題点を解決する方法として、下層となる有機層を構成する有機材料同士を重合化させることにより、下層の耐久性すなわち耐溶剤性を向上させる方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
Therefore, in the case of stacking organic layers, the organic material is limited to stacking by using a combination of organic materials having different solubility.
As a method for solving such problems, a method for improving the durability of the lower layer, that is, the solvent resistance by polymerizing organic materials constituting the lower organic layer has been disclosed (for example, patents) Reference 1).
また、下層となる有機層を構成する有機材料に硬化性樹脂を添加し、この硬化性樹脂と一緒に硬化させることによって、下層の耐溶剤性を向上させる方法も開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
しかしながら、これらのような方法を用いた場合においても、有機ＥＬ素子の特性の向上は、期待するほど得られていないのが実情である。
また、このような問題は、有機材料を使用した薄膜トランジスタにおいても同様に生じている。
Also disclosed is a method for improving the solvent resistance of the lower layer by adding a curable resin to the organic material constituting the lower organic layer and curing it together with the curable resin (for example, patents). Reference 2).
However, even when these methods are used, the actual situation is that the improvement of the characteristics of the organic EL element has not been obtained as expected.
Such a problem also occurs in a thin film transistor using an organic material.
本発明の目的は、キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物、かかる導電性材料用組成物を用いて得られたキャリア輸送能の優れた導電性材料、かかる導電性材料を主材料とする導電層、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a conductive material composition capable of forming a conductive layer having excellent carrier transporting ability, a conductive material having excellent carrier transporting ability obtained by using such a conductive material composition, An object of the present invention is to provide a conductive layer mainly composed of such a conductive material, a highly reliable electronic device, and an electronic apparatus.
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の導電性材料用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする。
これにより、キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物とすることができる。
Such an object is achieved by the present invention described below.
The composition for conductive materials of the present invention contains a compound represented by the following general formula (1).
Thereby, it can be set as the composition for conductive materials which can form the conductive layer excellent in carrier transport ability.
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘ１と前記置換基Ｘ３とは、同一であることが好ましい。
これにより、前記一般式（１）で表される化合物同士を置換基Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４のいずれかにおいて重合反応させて得られた高分子（導電性材料）において、前記一般式（１）で表される化合物の置換基Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４以外の主骨格同士の離間距離のばらつきを小さくすることができる。これにより、高分子のキャリア輸送能を向上させることができる。
In the composition for conductive material of the present invention, the substituent X 1 and the substituent X 3 are preferably the same.
Thereby, in the polymer (conductive material) obtained by polymerizing the compounds represented by the general formula (1) in any of the substituents X 1 , X 2 , X 3 and X 4 , Variation in the distance between main skeletons other than the substituents X 1 , X 2 , X 3 and X 4 of the compound represented by the general formula (1) can be reduced. Thereby, the carrier transport ability of the polymer can be improved.
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘ２と前記置換基Ｘ４とは、同一であることが好ましい。
これにより、得られる高分子において、主骨格同士の離間距離のばらつきをより小さくすることができる。その結果、高分子のキャリア輸送能をより向上させることができる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４は、同一であることが好ましい。
これにより、得られる高分子において、主骨格同士の離間距離のばらつきをさらに小さくすることができる。その結果、高分子のキャリア輸送能をさらに向上させることができる。
In the composition for conductive material of the present invention, the substituent X 2 and the substituent X 4 are preferably the same.
Thereby, in the obtained polymer, variation in the separation distance between the main skeletons can be further reduced. As a result, the carrier transport ability of the polymer can be further improved.
In the composition for conductive material of the present invention, the substituent X 1 , the substituent X 2 , the substituent X 3 and the substituent X 4 are preferably the same.
Thereby, in the obtained polymer, variation in the separation distance between the main skeletons can be further reduced. As a result, the carrier transport ability of the polymer can be further improved.
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４は、それぞれが結合するベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合していることが好ましい。
これにより、得られる高分子において、隣接する主骨格同士をより確実に離間させて、主骨格同士が接近しすぎるのをより確実に阻止することができる。
In the composition for a conductive material of the present invention, the substituent X 1 , the substituent X 2 , the substituent X 3 and the substituent X 4 are each in the 3rd, 4th or 5th position of the benzene ring to which they are bonded. It is preferably bound to any of the positions.
Thereby, in the obtained polymer, the adjacent main skeletons can be more reliably separated from each other, and the main skeletons can be more reliably prevented from being too close to each other.
本発明の導電性材料用組成物では、前記複素環は、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有することが好ましい。
これにより、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等がより容易に変化して、高分子のキャリア輸送能の特性を確実に変化させることができる。
In the composition for a conductive material of the present invention, the heterocyclic ring preferably contains at least one heteroatom selected from nitrogen, oxygen, sulfur, selenium and tellurium.
As a result, the energy level of the valence band and the conduction band of the polymer, the size of the band gap (forbidden band width), etc. can be changed more easily, and the characteristics of the carrier transport ability of the polymer can be changed reliably. Can do.
本発明の導電性材料用組成物では、前記複素環は、芳香族系のものであることが好ましい。
これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止して、高分子のキャリア輸送能の低下を防止することができる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙは、複素環を１〜５つ含むものであることが好ましい。
基Ｙにこのような数の複素環が存在すれば、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を十分に変化させることができる。
In the composition for a conductive material of the present invention, the heterocyclic ring is preferably aromatic.
Thereby, it is possible to suitably prevent the deviation of the electron density in the conjugated chemical structure of the main skeleton, that is, the localization of π electrons, and to prevent the carrier transport ability of the polymer from being lowered.
In the composition for conductive material of the present invention, the group Y preferably contains 1 to 5 heterocycles.
If such a number of heterocyclic rings are present in the group Y, the energy level of the valence band and the conduction band of the polymer, the size of the band gap (forbidden band width), and the like can be sufficiently changed.
本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙは、前記複素環以外に、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含むことが好ましい。
基Ｙとして、複素環と芳香族炭化水素環とを含むものを選択することにより、目的とするキャリア輸送能の特性を高分子により確実に付与することができる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙは、前記一般式（１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する前記芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの前記複素環とを含むことが好ましい。
これにより、高分子中における電子密度に偏りが生じるのを確実に防止することができ、高分子のキャリア輸送能が均一なものとなる。
In the composition for conductive material of the present invention, it is preferable that the group Y includes at least one substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring in addition to the heterocyclic ring.
By selecting a group Y containing a heterocyclic ring and an aromatic hydrocarbon ring, the target carrier transporting property can be reliably imparted to the polymer.
In the composition for conductive material of the present invention, the group Y is between the aromatic hydrocarbon ring directly bonded to each N in the general formula (1) and the aromatic hydrocarbon ring. It is preferable that at least one said heterocyclic ring which exists is included.
Thereby, it is possible to surely prevent the electron density in the polymer from being biased, and the carrier transport ability of the polymer becomes uniform.
本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙの総炭素数は、２〜７５であることが好ましい。
これにより、前記化学式（１）で表される化合物の溶媒に対する溶解度が高くなり、導電性材料用組成物を調整する際に、溶媒の選択の幅が広がるという利点がある。
本発明の導電性材料は、下記一般式（１）で表される化合物同士を置換基Ｘ１、置換基Ｘ２、置換基Ｘ３および置換基Ｘ４のいずれかにおいて重合反応させて得られることを特徴とする。
これにより、優れたキャリア輸送能を有する導電性材料とすることができる。
In the composition for conductive material of the present invention, the total number of carbon atoms of the group Y is preferably 2 to 75.
Thereby, the solubility with respect to the solvent of the compound represented by the said Chemical formula (1) becomes high, and when adjusting the composition for electroconductive materials, there exists an advantage that the breadth of selection of a solvent spreads.
The conductive material of the present invention is obtained by subjecting compounds represented by the following general formula (1) to a polymerization reaction in any one of the substituent X 1 , the substituent X 2 , the substituent X 3 and the substituent X 4. It is characterized by that.
Thereby, it can be set as the electroconductive material which has the outstanding carrier transport ability.
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘ１と前記置換基Ｘ３とが同一であることが好ましい。
これにより、主骨格同士の離間距離のばらつきを小さくすることができる。その結果、高分子（導電性材料）のキャリア輸送能を向上させることができる。
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘ２と前記置換基Ｘ４とが同一であることが好ましい。
これにより、主骨格同士の離間距離のばらつきをより小さくすることができる。その結果、高分子（導電性材料）のキャリア輸送能をより向上させることができる。
In the conductive material of the present invention, it is preferable that the substituent X 1 and the substituent X 3 are the same.
Thereby, the dispersion | variation in the separation distance of main skeletons can be made small. As a result, the carrier transport ability of the polymer (conductive material) can be improved.
In the conductive material of the present invention, the substituent X 2 and the substituent X 4 are preferably the same.
Thereby, the dispersion | variation in the separation distance of main skeletons can be made smaller. As a result, the carrier transport ability of the polymer (conductive material) can be further improved.
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４が同一であることが好ましい。
これにより、主骨格同士の離間距離のばらつきをさらに小さくすることができる。その結果、高分子（導電性材料）のキャリア輸送能をさらに向上させることができる。
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４は、それぞれが結合するベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合していることが好ましい。
これにより、隣接する主骨格同士をより確実に離間させて、主骨格同士が接近しすぎるのをより確実に阻止することができる。
In the conductive material of the present invention, it is preferable that the substituent X 1 , the substituent X 2 , the substituent X 3 and the substituent X 4 are the same.
Thereby, the dispersion | variation in the separation distance of main skeletons can be made still smaller. As a result, the carrier transport ability of the polymer (conductive material) can be further improved.
In the conductive material of the present invention, the substituent X 1 , the substituent X 2 , the substituent X 3 and the substituent X 4 are each selected from the 3-position, 4-position or 5-position of the benzene ring to which they are bonded. It is preferable that it has couple | bonded with either.
Thereby, the adjacent main skeletons can be more reliably separated from each other, and the main skeletons can be more reliably prevented from being too close to each other.
本発明の導電性材料では、前記複素環は、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有することが好ましい。
これにより、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等がより容易に変化して、高分子のキャリア輸送能の特性を確実に変化させることができる。
In the conductive material of the present invention, the heterocyclic ring preferably contains at least one heteroatom selected from nitrogen, oxygen, sulfur, selenium and tellurium.
As a result, the energy level of the valence band and the conduction band of the polymer, the size of the band gap (forbidden band width), etc. can be changed more easily, and the characteristics of the carrier transport ability of the polymer can be changed reliably. Can do.
本発明の導電性材料では、前記複素環は、芳香族系のものであることが好ましい。
これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止して、高分子のキャリア輸送能の低下を防止することができる。
本発明の導電性材料では、前記基Ｙは、複素環を１〜５つ含むものであることが好ましい。
基Ｙにこのような数の複素環が存在すれば、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を十分に変化させることができる。
In the conductive material of the present invention, the heterocyclic ring is preferably aromatic.
Thereby, it is possible to suitably prevent the deviation of the electron density in the conjugated chemical structure of the main skeleton, that is, the localization of π electrons, and to prevent the carrier transport ability of the polymer from being lowered.
In the conductive material of the present invention, the group Y preferably contains 1 to 5 heterocycles.
If such a number of heterocyclic rings are present in the group Y, the energy level of the valence band and the conduction band of the polymer, the size of the band gap (forbidden band width), and the like can be sufficiently changed.
本発明の導電性材料では、前記基Ｙは、前記複素環以外に、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含むことが好ましい。
基Ｙとして、複素環と芳香族炭化水素環とを含むものを選択することにより、目的とするキャリア輸送能の特性を高分子により確実に付与することができる。
本発明の導電性材料では、前記基Ｙは、前記一般式（１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する前記芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの前記複素環とを含むことが好ましい。
これにより、高分子中における電子密度に偏りが生じるのを確実に防止することができ、高分子のキャリア輸送能が均一なものとなる。
In the conductive material of the present invention, the group Y preferably contains at least one substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring in addition to the heterocyclic ring.
By selecting a group Y containing a heterocyclic ring and an aromatic hydrocarbon ring, the target carrier transporting property can be reliably imparted to the polymer.
In the conductive material of the present invention, the group Y is present at least between each of the aromatic hydrocarbon rings directly bonded to each N in the general formula (1) and these aromatic hydrocarbon rings. It is preferable that it contains one said heterocyclic ring.
Thereby, it is possible to surely prevent the electron density in the polymer from being biased, and the carrier transport ability of the polymer becomes uniform.
本発明の導電性材料では、前記基Ｙの総炭素数は、２〜７５であることが好ましい。
これにより、主骨格における平面性が保たれることから、高分子におけるキャリア輸送能が低下するのを確実に防止することができる。
本発明の導電性材料では、前記化合物は、光照射により重合反応することが好ましい。
光照射によれば、高分子化させる領域および程度を比較的容易に選択することができる。
In the conductive material of the present invention, the total number of carbon atoms of the group Y is preferably 2 to 75.
Thereby, since the planarity in the main skeleton is maintained, it is possible to reliably prevent the carrier transport ability of the polymer from being lowered.
In the conductive material of the present invention, the compound preferably undergoes a polymerization reaction by light irradiation.
According to the light irradiation, it is possible to relatively easily select a region and a degree of polymerization.
本発明の導電層は、本発明の導電性材料用組成物を用いて形成されたことを特徴とする。
これにより、キャリア輸送能に優れる導電層を形成することができる。
本発明の導電層は、本発明の導電性材料を主材料とすることを特徴とする。
これにより、キャリア輸送能に優れる導電層を形成することができる。
The conductive layer of the present invention is formed using the composition for conductive material of the present invention.
Thereby, the conductive layer excellent in carrier transport ability can be formed.
The conductive layer of the present invention is characterized in that the conductive material of the present invention is a main material.
Thereby, the conductive layer excellent in carrier transport ability can be formed.
本発明の導電層は、正孔輸送層であることが好ましい。
これにより、正孔輸送能に優れる正孔輸送層を形成することができる。
本発明の導電層では、前記正孔輸送層の平均厚さは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。
The conductive layer of the present invention is preferably a hole transport layer.
Thereby, the hole transport layer excellent in hole transport ability can be formed.
In the conductive layer of the present invention, the hole transport layer preferably has an average thickness of 10 to 150 nm.
Thereby, a highly reliable organic electroluminescent element can be obtained.
本発明の導電層は、電子輸送層であることが好ましい。
これにより、電子輸送能に優れる電子輸送層を形成することができる。
本発明の導電層では、前記電子輸送層の平均厚さは、１〜１００ｎｍであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。
The conductive layer of the present invention is preferably an electron transport layer.
Thereby, an electron transport layer having excellent electron transport ability can be formed.
In the conductive layer of the present invention, the electron transport layer preferably has an average thickness of 1 to 100 nm.
Thereby, a highly reliable organic electroluminescent element can be obtained.
本発明の導電層は、有機半導体層であることが好ましい。
これにより、優れた半導体特性を示す有機半導体層を形成することができる。
本発明の導電層では、前記有機半導体層の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機薄膜トランジスタを得ることができる。
The conductive layer of the present invention is preferably an organic semiconductor layer.
Thereby, the organic-semiconductor layer which shows the outstanding semiconductor characteristic can be formed.
In the conductive layer of the present invention, the average thickness of the organic semiconductor layer is preferably 0.1 to 1000 nm.
Thereby, a highly reliable organic thin film transistor can be obtained.
本発明の電子デバイスでは、本発明の導電層を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
The electronic device of the present invention includes the conductive layer of the present invention.
Thereby, an electronic device with high reliability can be obtained.
The electronic device of the present invention is characterized by including a laminate having the conductive layer of the present invention.
Thereby, an electronic device with high reliability can be obtained.
本発明の電子デバイスは、発光素子または光電変換素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高い発光素子および光電変換素子が得られる。
本発明の電子デバイスでは、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子が得られる。
The electronic device of the present invention is preferably a light emitting element or a photoelectric conversion element.
Thereby, a highly reliable light emitting element and photoelectric conversion element are obtained.
In the electronic device of the present invention, the light emitting element is preferably an organic electroluminescence element.
Thereby, a highly reliable organic electroluminescent element is obtained.
本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスは、スイッチング素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高いスイッチング素子が得られる。
本発明の電子デバイスでは、前記スイッチング素子は、有機薄膜トランジスタであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機薄膜トランジスタが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
The electronic device of the present invention is characterized by including a laminate having the conductive layer of the present invention.
Thereby, an electronic device with high reliability can be obtained.
The electronic device of the present invention is preferably a switching element.
Thereby, a highly reliable switching element is obtained.
In the electronic device of the present invention, the switching element is preferably an organic thin film transistor.
Thereby, a highly reliable organic thin-film transistor is obtained.
An electronic apparatus according to the present invention includes the electronic device according to the present invention.
Thereby, a highly reliable electronic device can be obtained.
以下、本発明の導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜導電層＞
まず、本発明の導電性材料を主材料として構成される導電層（本発明の導電層）について説明する。
Hereinafter, the composition for conductive material, the conductive material, the conductive layer, the electronic device, and the electronic apparatus of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
<Conductive layer>
First, the conductive layer (the conductive layer of the present invention) composed of the conductive material of the present invention as a main material will be described.
本発明の導電性材料は、下記一般式（１）で表される化合物（ヘテロアリールアミン誘導体）同士を、それぞれが有する置換基Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４（以下これらのものを総称して「置換基Ｘ」ということもある。）のいずれかにおいて重合反応させて得られた高分子（ポリマー）を主成分とするものである。 The conductive material of the present invention includes compounds (heteroarylamine derivatives) represented by the following general formula (1), each having substituents X 1 , X 2 , X 3 and X 4 (hereinafter referred to as these). In general, it may be referred to as “substituent X”.), And a polymer (polymer) obtained by a polymerization reaction as a main component.
このような高分子では、置換基Ｘ以外の主骨格（ヘテロアリールアミン骨格）同士が、置換基Ｘにおいて反応して生成した化学構造（以下、この化学構造を「連結構造」という。）により連結され、これにより２次元的なネットワークが形成されやすくなる。
ここで、前記主骨格は、共役系の化学構造を有し、その特有な電子雲の広がりにより、高分子における円滑なキャリア（正孔または電子）の輸送に寄与する。
In such a polymer, main skeletons (heteroarylamine skeletons) other than the substituent X are linked to each other by a chemical structure (hereinafter, this chemical structure is referred to as “linked structure”) generated by the reaction in the substituent X. This makes it easier to form a two-dimensional network.
Here, the main skeleton has a conjugated chemical structure, and contributes to the smooth transport of carriers (holes or electrons) in the polymer due to its unique electron cloud spread.
特に、本発明における高分子では、主骨格同士が連結構造を介して、所定距離離間して存在することから、隣接する主骨格同士の間の相互作用が低減し、これらの間におけるキャリアの受け渡しが円滑に行われるようになる。
また、本発明における高分子では、主骨格がネットワークを形成するように連結していることから、例えば、ネットワークの一部において結合が切断された箇所等が存在しても、他の経路を経てキャリアが円滑に輸送されることとなる。
In particular, in the polymer of the present invention, the main skeletons are separated from each other by a predetermined distance via a connecting structure, so that the interaction between adjacent main skeletons is reduced, and carriers are transferred between them. Will be carried out smoothly.
In the polymer of the present invention, the main skeleton is connected so as to form a network. For example, even if there is a portion where the bond is broken in a part of the network, it passes through another route. The carrier will be transported smoothly.
さらに、本発明における高分子は、２次元的（平面的）な広がりを有するネットワークを形成されやすくなることから、高分子同士の間に絡まり等が生じるのを効果的に防止または抑制でき、かかる観点からも、キャリアの輸送を円滑に行うことができる。
このような本発明の導電性材料の主成分である高分子は、前述したような構造、すなわち、主骨格同士が連結構造を介して所定距離離間し、かつ、ネットワークを形成しやすくなることにより、これらの相乗効果により、極めて優れたキャリア輸送能を発揮する。その結果、本発明の導電性材料を主材料とする導電層は、キャリア輸送能に特に優れたものとなる。
Furthermore, since the polymer in the present invention is likely to form a network having a two-dimensional (planar) spread, it is possible to effectively prevent or suppress the occurrence of entanglement between the polymers. From the viewpoint, the carrier can be transported smoothly.
Such a polymer as the main component of the conductive material of the present invention has a structure as described above, that is, the main skeletons are separated from each other by a predetermined distance via a connecting structure, and a network is easily formed. These synergistic effects exhibit extremely excellent carrier transport ability. As a result, the conductive layer mainly composed of the conductive material of the present invention is particularly excellent in carrier transport ability.
なお、このような高分子において、主骨格同士の離間距離が短くなり過ぎると、隣接する主骨格同士の相互作用が大きくなる傾向を示し、主骨格の離間距離が長くなり過ぎると、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しが困難となり、高分子のキャリア輸送能が低減する傾向を示す。
かかる観点から、置換基Ｘの構造を設定するのが好ましく、置換基Ｘは、前記一般式（２）中、ｎが２〜８、特に４〜７の直鎖状の炭素−炭素結合（アルキレン基）のものが好ましい。これにより、主骨格同士の距離を適度に保つことが可能となり、高分子中において、隣接する主骨格同士の相互作用をより確実に低減することができるとともに、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しがより確実に行われることから、高分子のキャリア輸送能が優れたものとなる。
In such a polymer, if the distance between the main skeletons becomes too short, the interaction between adjacent main skeletons tends to increase, and if the distance between the main skeletons becomes too long, the main skeletons It is difficult to deliver carriers between the two, and the carrier transport ability of the polymer tends to decrease.
From this viewpoint, it is preferable to set the structure of the substituent X. The substituent X is a linear carbon-carbon bond (alkylene) in which n is 2 to 8, particularly 4 to 7, in the general formula (2). Group) is preferred. Thereby, it becomes possible to keep the distance between the main skeletons moderately, and in the polymer, the interaction between the adjacent main skeletons can be more reliably reduced, and carriers can be transferred between the main skeletons. Since it is carried out more reliably, the polymer carrier transport ability is excellent.
また、置換基Ｘ１と置換基Ｘ３とは、ほぼ同一の炭素数のものであるのが好ましく、同一の炭素数のものであるのがより好ましい。これにより、この置換基Ｘ（置換基Ｘ１または置換基Ｘ３）の重合反応により連結される主骨格同士の離間距離のばらつきを小さくすることができる。すなわち、高分子中における主骨格同士の離間距離のばらつきを小さくすることができる。その結果、この高分子中の電子密度に偏りが生じるのを好適に防止できる。これにより、高分子のキャリア輸送能を向上させることができる。 In addition, the substituent X 1 and the substituent X 3 preferably have substantially the same carbon number, and more preferably have the same carbon number. Thus, it is possible to reduce variations in the distance between the main skeletons linked by polymerization reaction of the substituents X (the substituent X 1 or a substituent X 3). That is, the variation in the separation distance between the main skeletons in the polymer can be reduced. As a result, it is possible to suitably prevent a deviation in the electron density in the polymer. Thereby, the carrier transport ability of the polymer can be improved.
かかる観点から、置換基Ｘ２と置換基Ｘ４とも、ほぼ同一の炭素数のものであるのが好ましく、同一の炭素数のものであるのがより好ましい。これにより、前記効果がより向上し、高分子のキャリア輸送能をより向上させることができる。
さらには、置換基Ｘ１、置換基Ｘ２、置換基Ｘ３および置換基Ｘ４を、好ましくは、ほぼ同一の炭素数、より好ましくは、同一の炭素数とすることにより、前記効果が特に顕著に発揮される。また、主骨格から突出している置換基Ｘの長さがほぼ同一（特に同一）となることから、置換基Ｘによる立体障害が生じる可能性を低減させることができる。これにより、置換基Ｘ同士の重合反応を確実に行うことができる。すなわち、高分子の形成を確実に行うことができる。その結果、高分子のキャリア輸送能をさらに向上させることができる。
From this viewpoint, it is preferable that the substituent X 2 and the substituent X 4 have substantially the same carbon number, and more preferably have the same carbon number. Thereby, the said effect improves more and can improve the carrier transport ability of a polymer | macromolecule more.
Furthermore, when the substituent X 1 , the substituent X 2 , the substituent X 3 and the substituent X 4 are preferably substantially the same carbon number, more preferably, the same carbon number, Prominently demonstrated. In addition, since the lengths of the substituents X protruding from the main skeleton are substantially the same (particularly the same), the possibility of steric hindrance due to the substituents X can be reduced. Thereby, the polymerization reaction between the substituents X can be reliably performed. That is, the polymer can be reliably formed. As a result, the carrier transport ability of the polymer can be further improved.
また、置換基Ｘは、前記一般式（２）に示すように、その末端に、官能基としてビニルエーテル基を有している。ここで、ビニルエーテル基は、高い反応性および結合安定性を有することから、比較的容易に置換基Ｘ同士を重合反応させて、２次元的な広がりの大きいネットワークを形成することができる。
さらに、ビニルエーテル基は、置換基Ｘ同士が重合反応する際、すなわち、ビニルエーテル基同士が重合反応（結合）する際に、これらのものが結合して得られる生成物以外のもの（副生成物）が生成しにくいので、導電性材料中に不純物が混入するのを好適に防止することができる。
Moreover, the substituent X has the vinyl ether group as a functional group at the terminal, as shown in the general formula (2). Here, since the vinyl ether group has high reactivity and bond stability, the substituents X can be polymerized relatively easily to form a network having a large two-dimensional spread.
Furthermore, when the vinyl ether group undergoes a polymerization reaction between the substituents X, that is, when the vinyl ether groups undergo a polymerization reaction (bonding), those other than the product obtained by combining these (by-products). Therefore, it is possible to suitably prevent impurities from being mixed into the conductive material.
また、ビニルエーテル基を用いて重合反応させることにより生じた連結構造中には、エーテル結合と、直鎖状の炭素−炭素結合（アルキレン基）とが存在することとなる。このような構造を有する連結構造中においては、キャリアの移動が抑制されることとなる。これにより、主骨格同士の距離が比較的短くなった場合においても、主骨格同士の相互作用が増強するのを防止または抑制することができる。 Further, an ether bond and a linear carbon-carbon bond (alkylene group) are present in the linked structure produced by the polymerization reaction using the vinyl ether group. In the connection structure having such a structure, carrier movement is suppressed. Thereby, even when the distance between the main skeletons becomes relatively short, it is possible to prevent or suppress the interaction between the main skeletons from increasing.
なお、例えば、ベンゼン環のように、π結合の中でも共役系の結合が多い構造が連結構造中に存在すると、この構造を介して隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼすようになり、主骨格同士を離間することによる効果が相殺されてしまう。
また、置換基Ｘは、ベンゼン環の２位から６位のいずれの位置に結合してもよいが、特に、３位、４位または５位のうちのいずれかに結合しているのが好ましい。これにより、隣接する主骨格同士の結合を連結構造を介して行うことの効果をより顕著に発揮させることができる。すなわち、隣接する主骨格同士をより確実に離間させることができる。
For example, when a structure having many conjugated bonds among π bonds, such as a benzene ring, is present in a linked structure, adjacent main skeletons interact with each other through this structure, and the main skeleton The effect of separating them will be offset.
The substituent X may be bonded to any position from the 2-position to the 6-position of the benzene ring, but is particularly preferably bonded to any one of the 3-position, 4-position or 5-position. . Thereby, the effect of performing the coupling | bonding of adjacent main frame | skeletons via a connection structure can be exhibited more notably. That is, the adjacent main skeletons can be separated more reliably.
次に、高分子において、キャリア輸送に寄与する主骨格について説明をする。
この主骨格において、基（結合基）Ｙの化学構造を適宜設定することにより、高分子のキャリア輸送能の特性を変化させることができる。
これは、キャリア輸送に寄与する主骨格における電子雲の広がり（電子の分布状態）が変化することに伴って、高分子において、例えば、その価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等が変化することに起因すると考えられる。
Next, the main skeleton that contributes to carrier transport in the polymer will be described.
By appropriately setting the chemical structure of the group (bonding group) Y in this main skeleton, the characteristics of the polymer carrier transport ability can be changed.
This is because, in the polymer, for example, the energy levels and band gaps of the valence band and the conduction band (the band gap (electron distribution state) of the main skeleton that contributes to carrier transport change. This is thought to be due to the change in the size of the forbidden band.
本発明の導電性材料では、基Ｙに置換もしくは無置換の複素環が少なくとも１つ含まれており、この複素環の種類を選択することにより、高分子におけるキャリア輸送能の特性を比較的容易に調整することができる。
この複素環は、高分子に所望のキャリア輸送能が得られるように選択すればよいが、特に、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有するものを選択するのが好ましい。かかる種類のヘテロ原子を含有する複素環を選択することにより、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を変化させることがより容易となる。
In the conductive material of the present invention, the group Y contains at least one substituted or unsubstituted heterocyclic ring. By selecting the type of the heterocyclic ring, the characteristics of the carrier transport ability in the polymer are relatively easy. Can be adjusted.
The heterocyclic ring may be selected so that the polymer can have a desired carrier transporting ability. In particular, a heterocyclic ring containing at least one heteroatom selected from nitrogen, oxygen, sulfur, selenium and tellurium is selected. It is preferable to do this. By selecting a heterocyclic ring containing this kind of heteroatom, it becomes easier to change the energy level of the valence band and conduction band of the polymer, the size of the band gap (forbidden band width), and the like. .
また、複素環は、芳香族系および非芳香族系のいずれであってもよいが、芳香族系のものであるのが好ましい。これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止して、高分子のキャリア輸送能の低下を防止することができる。
基Ｙは、同一または異なる複素環を１〜５つ含むものが好ましく、１〜３つ含むものがより好ましい。基Ｙにこのような数の複素環が存在すれば、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を十分に変化させることができる。
The heterocyclic ring may be either aromatic or non-aromatic, but is preferably aromatic. Thereby, it is possible to suitably prevent the deviation of the electron density in the conjugated chemical structure of the main skeleton, that is, the localization of π electrons, and to prevent the carrier transport ability of the polymer from being lowered.
The group Y preferably contains 1 to 5 heterocycles that are the same or different, and more preferably contains 1 to 3 heterocycles. If such a number of heterocyclic rings are present in the group Y, the energy level of the valence band and the conduction band of the polymer, the size of the band gap (forbidden band width), and the like can be sufficiently changed.
さらに、基Ｙは、複素環以外に、芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含むものを選択することもできる。基Ｙとして、複素環と芳香族炭化水素環とを含むものを選択することにより、目的とするキャリア輸送能の特性を高分子により確実に付与することができる。
このような基Ｙは、前記一般式（１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの複素環とを含むものであるのが、特に好ましい。これにより、高分子中における電子密度に偏りが生じるのを確実に防止することができる。その結果、高分子のキャリア輸送能が均一なものとなる。
Furthermore, the group Y can also select what contains at least 1 aromatic-hydrocarbon ring other than a heterocyclic ring. By selecting a group Y containing a heterocyclic ring and an aromatic hydrocarbon ring, the target carrier transporting property can be reliably imparted to the polymer.
Such a group Y includes an aromatic hydrocarbon ring directly bonded to each N in the general formula (1) and at least one heterocyclic ring existing between these aromatic hydrocarbon rings. It is particularly preferable that the Thereby, it is possible to reliably prevent the occurrence of bias in the electron density in the polymer. As a result, the carrier transport ability of the polymer becomes uniform.
また、基Ｙの総炭素数は、２〜７５であるのが好ましく、２〜５０であるのがより好ましい。基Ｙの総炭素数が多すぎると、置換基Ｘの種類によっては、前記化学式（１）で表される化合物の溶媒に対する溶解度が低下する傾向を示し、本発明の導電性材料用組成物を調整する際の溶媒の選択の幅が狭くなるおそれがある。
また、基Ｙの総炭素数をかかる範囲内とすることにより、主骨格における平面性が保たれることから、高分子におけるキャリア輸送能が低下するのを確実に防止することができる。
これらのことを考慮すると、前記一般式（１）で表される化合物において、基Ｙとしては、例えば、下記化学式（３）〜（２２）で表されるものが特に好ましい構造である。
In addition, the total number of carbon atoms in the group Y is preferably 2 to 75, and more preferably 2 to 50. When the total number of carbon atoms of the group Y is too large, depending on the type of the substituent X, the solubility of the compound represented by the chemical formula (1) in the solvent tends to decrease, and the composition for conductive material of the present invention is reduced. There is a possibility that the range of selection of the solvent at the time of adjustment becomes narrow.
In addition, by setting the total number of carbon atoms of the group Y within such a range, the planarity of the main skeleton is maintained, so that it is possible to reliably prevent the carrier transport ability of the polymer from being lowered.
In consideration of these, in the compound represented by the general formula (1), as the group Y, for example, those represented by the following chemical formulas (3) to (22) are particularly preferable structures.
また、基Ｙに含まれる複素環や芳香族炭化水素環には、主骨格における平面性が大きく阻害されないような置換基が導入されていてもよい。このような置換基としては、例えば、比較的炭素数の少ないアルキル基やハロゲン基等が挙げられる。
さて、置換基Ｒは、水素原子、メチル基またはエチル基であり、置換基Ｒは、置換基Ｘの炭素数に応じて選択するようにすればよい。例えば、置換基Ｘの炭素数が大きい場合には、置換基Ｒとしては、水素原子を選択し、置換基Ｘの炭素数が小さい場合には、置換基Ｒとしては、メチル基もしくはエチル基を選択するようにすればよい。
In addition, the heterocyclic ring or aromatic hydrocarbon ring contained in the group Y may be introduced with a substituent that does not significantly impair the planarity of the main skeleton. Examples of such a substituent include an alkyl group and a halogen group having a relatively small number of carbon atoms.
The substituent R is a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, and the substituent R may be selected according to the number of carbon atoms of the substituent X. For example, when the carbon number of the substituent X is large, a hydrogen atom is selected as the substituent R, and when the carbon number of the substituent X is small, the substituent R is a methyl group or an ethyl group. You may make it choose.
このような導電層は、重合反応により得られたネットワーク形状の高分子を主材料とすることから、耐溶剤性に優れたものとなる。その結果、この導電層上に接触して上層を形成する場合に、この上層を形成するための材料に含まれる溶媒または分散媒により、導電層が膨潤または溶解するのを確実に防止することができる。
また、このような導電層を有する積層体を用いて、後述するような電子デバイスを構築した場合、この導電層がネットワーク形状の高分子を主材料として構成されていることから、この導電層と接触する層（接触層）の界面付近において、導電層の構成材料と接触層の構成材料とが経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。その結果、電子デバイスの特性が経時的に劣化するのを防止することができる。
Since such a conductive layer is mainly composed of a network-shaped polymer obtained by a polymerization reaction, it has excellent solvent resistance. As a result, when the upper layer is formed in contact with the conductive layer, it is possible to reliably prevent the conductive layer from swelling or dissolving by the solvent or dispersion medium contained in the material for forming the upper layer. it can.
In addition, when an electronic device as described later is constructed using a laminate having such a conductive layer, the conductive layer is composed mainly of a network-shaped polymer. In the vicinity of the interface of the contact layer (contact layer), the constituent material of the conductive layer and the constituent material of the contact layer can be reliably prevented from being mixed with time. As a result, it is possible to prevent the characteristics of the electronic device from deteriorating with time.
＜有機エレクトロルミネッセンス素子＞
次に、本発明の電子デバイスを、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）に適用した場合の実施形態について説明する。
図１は、有機ＥＬ素子の一例を示した縦断面図である。
図１に示す有機ＥＬ素子１は、透明な基板２と、基板２上に設けられた陽極３と、陽極３上に設けられた有機ＥＬ層４と、有機ＥＬ層４上に設けられた陰極５と、各前記層３、４、５を覆うように設けられた保護層６とを備えている。
<Organic electroluminescence device>
Next, an embodiment in which the electronic device of the present invention is applied to an organic electroluminescence element (hereinafter simply referred to as “organic EL element”) which is a light emitting element will be described.
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of an organic EL element.
An
基板２は、有機ＥＬ素子１の支持体となるものであり、この基板２上に各前記層が形成されている。
基板２の構成材料としては、透光性を有し、光学特性が良好な材料を用いることができる。
このような材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような各種樹脂材料や、各種ガラス材料等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
The substrate 2 serves as a support for the
As a constituent material of the substrate 2, a material having translucency and good optical characteristics can be used.
Examples of such materials include various resin materials such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, cycloolefin polymer, polyamide, polyethersulfone, polymethyl methacrylate, polycarbonate, and polyarylate, and various glass materials. And at least one of these can be used.
基板２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
陽極３は、有機ＥＬ層４（後述する正孔輸送層４１）に正孔を注入する電極である。また、この陽極３は、有機ＥＬ層４（後述する発光層４２）からの発光を視認し得るように、実質的に透明（無色透明、有色透明、半透明）とされている。
かかる観点から、陽極３の構成材料（陽極材料）としては、仕事関数が大きく、導電性に優れ、また、透光性を有する材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
Although the thickness (average) of the board | substrate 2 is not specifically limited, It is preferable that it is about 0.1-30 mm, and it is more preferable that it is about 0.1-10 mm.
The
From such a viewpoint, as the constituent material (anode material) of the
Examples of such an anode material include ITO (Indium Tin Oxide), SnO 2 , Sb-containing SnO 2 , oxides such as Al-containing ZnO, Au, Pt, Ag, Cu, or alloys containing these, and the like. At least one of these can be used.
陽極３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、陽極材料の種類等によっては、光の透過率が著しく低下し、実用に適さなくなるおそれがある。
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。
The thickness (average) of the
As the anode material, for example, a conductive resin material such as polythiophene or polypyrrole can be used.
一方、陰極５は、有機ＥＬ層４（後述する電子輸送層４３）に電子を注入する電極である。
陰極５の構成材料（陰極材料）としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
このような陰極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
On the other hand, the
As a constituent material (cathode material) of the
Examples of such cathode materials include Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, Yb, Ag, Cu, Al, Cs, Rb, and alloys containing these, and the like. At least one of them can be used.
特に、陰極材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極材料として用いることにより、陰極５の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
陰極５の厚さ（平均）は、１ｎｍ〜１μｍ程度であるのが好ましく、１００〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極５の厚さが薄すぎると、陰極５としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極５が厚過ぎると、有機ＥＬ素子１の発光効率が低下するおそれがある。
In particular, when an alloy is used as the cathode material, an alloy containing a stable metal element such as Ag, Al, or Cu, specifically, an alloy such as MgAg, AlLi, or CuLi is preferably used. By using such an alloy as the cathode material, the electron injection efficiency and stability of the
The thickness (average) of the
陽極３と陰極５との間には、有機ＥＬ層（有機層）４が設けられている。有機ＥＬ層４は、正孔輸送層４１と、発光層４２と、電子輸送層４３とを備え、これらがこの順で陽極３上に形成されている。
正孔輸送層４１は、陽極３から注入された正孔を発光層４２まで輸送する機能を有するものであり、電子輸送層４３は、陰極５から注入された電子を発光層４２まで輸送する機能を有するものである。
An organic EL layer (organic layer) 4 is provided between the
The
これら正孔輸送層４１および電子輸送層４３の構成材料としてそれぞれ、本発明の導電性材料を用いることができる。
ここで、正孔輸送層４１と電子輸送層４３との双方を本発明の導電性材料を主材料として構成する場合、導電性材料の正孔輸送能および電子輸送能を考慮して、これらの構成材料を選択すればよい。
As the constituent materials of the
Here, in the case where both the
すなわち、正孔輸送層４１が電子輸送層４３に対して相対的に正孔輸送能が高くかつ電子輸送能が低くなるように、換言すれば、電子輸送層４３が正孔輸送層４１に対して相対的に電子輸送能が高くかつ正孔輸送能が低くなるように、これらの構成材料を選択すればよい。
例えば、正孔輸送層４１に用いる導電性材料として、基Ｙの化学構造が前記化学式（２０）または（２２）のものを選択した場合には、電子輸送層４３を構成する導電性材料として、基Ｙの化学構造が前記化学式（９）または（２１）のものを選択するのが好ましく、前記化学式（１９）のものを選択することもできる。また、電子輸送層４３を構成する導電性材料として、上記のものを用いた場合には、正孔輸送層４１を構成する導電性材料として、基Ｙの化学構造が前記化学式（４）または、（１８）のものを選択することもできる。
That is, the
For example, as the conductive material used for the
また、正孔輸送層４１は、その体積抵抗率が１０Ω・ｃｍ以上であるのが好ましく、１０２Ω・ｃｍ以上であるのがより好ましい。これにより、発光効率のより高い有機ＥＬ素子１を得ることができる。
正孔輸送層４１の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。正孔輸送層４１の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じるおそれがあり、一方、正孔輸送層４１が厚過ぎると、正孔輸送層４１の透過率が悪くなる原因となり、有機ＥＬ素子１の発光色の色度（色相）が変化してしまうおそれがある。
Further, the
The thickness (average) of the
さらに、電子輸送層４３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。電子輸送層４３の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じショートするおそれがあり、一方、電子輸送層４３が厚過ぎると、抵抗値が高くなるおそれがある。
また、本発明の導電性材料は、かかる比較的薄い正孔輸送層４１および電子輸送層４３を形成する場合に、特に有用である。
Furthermore, the thickness (average) of the
In addition, the conductive material of the present invention is particularly useful when such a relatively thin
さて、陽極３と陰極５との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層４１中を正孔が、また、電子輸送層４３中を電子が移動し、発光層４２において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層４２では、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
When the
この発光層４２の構成材料（発光材料）としては、電圧印加時に陽極３側から正孔を、また、陰極５側から電子を注入することができ、正孔と電子が再結合する場を提供できるものであれば、いかなるものであってもよい。
このような発光材料には、以下に示すような、各種低分子の発光材料、各種高分子の発光材料があり、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
As a constituent material (light emitting material) of the
Such light-emitting materials include various low-molecular light-emitting materials and various high-molecular light-emitting materials as described below, and at least one of these can be used.
なお、低分子の発光材料を用いることにより、緻密な発光層４２が得られるため、発光層４２の発光効率が向上する。また、高分子の発光材料を用いることにより、比較的容易に溶剤へ溶解させることができるため、インクジェット印刷法等の各種塗布法による発光層４２の形成を容易に行うことができる。さらに、低分子の発光材料と高分子の発光材料とを組み合わせて用いることにより、低分子の発光材料および高分子の発光材料を用いる効果を併有すること、すなわち、緻密かつ発光効率に優れる発光層４２を、インクジェット印刷法等の各種塗布法により、容易に形成することができるという効果が得られる。
In addition, since the dense
低分子の発光材料としては、例えば、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、６−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレン−ジ−カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、４−（ジ−シアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、２，５−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、２，２’−（パラ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル（１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、１，２，３，４，５−ペンタフェニル−１，３−シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、２，２’，７，７’−テトラフェニル−９，９’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン（Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス−（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオネート）ユーロピウム（III）（Ｅｕ（ＴＴＡ）３（ｐｈｅｎ））、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン）プラチナム（II）のような各種金属錯体等が挙げられる。 Examples of low-molecular light-emitting materials include benzene compounds such as distyrylbenzene (DSB) and diaminodistyrylbenzene (DADSB), naphthalene compounds such as naphthalene and nile red, and phenanthrene compounds such as phenanthrene. Chrysene, chrysene compounds such as 6-nitrochrysene, perylene, N, N′-bis (2,5-di-t-butylphenyl) -3,4,9,10-perylene-di-carboximide (BPPC) Perylene compounds such as coronene, anthracene compounds such as anthracene and bisstyrylanthracene, pyrene compounds such as pyrene, 4- (di-cyanomethylene) -2-methyl-6 Such as-(para-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (DCM) Pyran compounds, acridine compounds such as acridine, stilbene compounds such as stilbene, thiophene compounds such as 2,5-dibenzoxazole thiophene, benzoxazole compounds such as benzoxazole, benzos such as benzimidazole Imidazole compounds, benzothiazole compounds such as 2,2 '-(para-phenylenedivinylene) -bisbenzothiazole, bistyryl (1,4-diphenyl-1,3-butadiene), butadienes such as tetraphenylbutadiene Compounds, naphthalimide compounds such as naphthalimide, coumarin compounds such as coumarin, perinone compounds such as perinone, oxadiazole compounds such as oxadiazole, aldazine compounds, 1, 2, 3 , 4, Cyclopentadiene compounds such as 5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene (PPCP), quinacridone compounds such as quinacridone and quinacridone red, pyridine compounds such as pyrrolopyridine and thiadiazolopyridine, 2,2 Spiro compounds such as', 7,7'-tetraphenyl-9,9'-spirobifluorene, phthalocyanine (H 2 Pc), metal or non-metal phthalocyanine compounds such as copper phthalocyanine, florene such as fluorene Compounds, (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq 3 ), tris (4-methyl-8quinolinolate) aluminum (III) (Almq 3 ), (8-hydroxyquinoline) zinc (Znq 2 ), (1,10- Phenanthroline) -tris- (4,4,4-trif Oro-1- (2-thienyl) - butane-1,3-Jioneto) europium (III) (Eu (TTA) 3 (phen)), factory scan (2-phenylpyridine) iridium (Ir (ppy) 3), Examples include (2, 3, 7, 8, 12, 13, 17, 18-octaethyl-21H, 23H-porphine) various metal complexes such as platinum (II).
高分子の発光材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ−フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（アルキル，フェニルアセチレン）（ＰＡＰＡ）のようなポリアセチレン系化合物、ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン）（ＲＯ−ＰＰＶ）、シアノ−置換−ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（２−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ−ＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチルヘキソキシ）−パラ−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）、ポリ（オキシプロピレン）トリオール（ＰＯＰＴ）のようなポリチオフェン系化合物、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、α，ω−ビス［Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］−ポリ［９，９−ビス（２−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）のようなポリフルオレン系化合物、ポリ（パラ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレン）（ＲＯ−ＰＰＰ）のようなポリパラフェニレン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）のようなポリカルバゾール系化合物、ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）のようなポリシラン系化合物等が挙げられる。 Examples of the polymer light-emitting material include polyacetylene compounds such as trans-type polyacetylene, cis-type polyacetylene, poly (di-phenylacetylene) (PDPA), poly (alkyl, phenylacetylene) (PAPA), and poly (para-para-). Fenvinylene) (PPV), poly (2,5-dialkoxy-para-phenylenevinylene) (RO-PPV), cyano-substituted-poly (para-phenvinylene) (CN-PPV), poly (2-dimethyloctyl) Polyparaphenylene vinylene compounds such as silyl-para-phenylene vinylene (DMOS-PPV), poly (2-methoxy, 5- (2′-ethylhexoxy) -para-phenylene vinylene) (MEH-PPV), poly ( 3-alkylthiophene) (PAT), poly (oxypropylene) Polythiophene compounds such as riol (POPT), poly (9,9-dialkylfluorene) (PDAF), α, ω-bis [N, N′-di (methylphenyl) aminophenyl] -poly [9,9- Bis (2-ethylhexyl) fluorene-2,7-diyl] (PF2 / 6am4), poly (9,9-dioctyl-2,7-divinylenefluorenyl-ortho-co (anthracene-9,10-diyl) Polyfluorene compounds such as poly (para-phenylene) (PPP), polyparaphenylene compounds such as poly (1,5-dialkoxy-para-phenylene) (RO-PPP), poly (N-vinyl) Polycarbazole compounds such as carbazole (PVK), poly (methylphenylsilane) (PMPS), poly (naphthylphenylsilane) PnPs), polysilane-based compounds such as poly (biphenylyl phenyl silane) (pBPS), and the like.
また、正孔輸送層４１と電子輸送層４３とに用いる構成材料の組み合わせによっては、発光材料として本発明の導電性材料を用いることもできる。
例えば、正孔輸送層４１の構成材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）のようなポリ（チオフェン／スチレンスルホン酸）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（α−ＮＰＤ）のようなアリールアミン化合物等を用い、電子輸送層４３の構成材料として３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，５−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール化合物等を用いた場合には、発光層４２を構成する導電性材料として、基Ｙの化学構造が前記化学式（１４）および（１６）等のものを用いることができる。
Further, depending on the combination of constituent materials used for the
For example, as a constituent material of the
発光層４２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。発光層の厚さを前記範囲とすることにより、正孔と電子との再結合が効率よくなされ、発光層４２の発光効率をより向上させることができる。
なお、有機ＥＬ素子１は、正孔輸送層４１、発光層４２および電子輸送層４３のうちのいずれか１つが本発明の導電性材料で構成されるようなものであってもよく、これらの全てが本発明の導電性材料で構成されるようなものであってもよい。
The thickness (average) of the
The
また、発光層４２は、正孔輸送層４１および電子輸送層４３と別個に設けられているが、正孔輸送層４１と発光層４２とを兼ねた正孔輸送性発光層や、電子輸送層４３と発光層４２とを兼ねた電子輸送性発光層とすることもできる。この場合、正孔輸送性発光層の電子輸送層４３との界面付近が、また、電子輸送性発光層の正孔輸送層４１との界面付近が、それぞれ、発光層４２として機能する。
In addition, the
さらに、正孔輸送性発光層を用いた場合には、陽極から正孔輸送性発光層に注入された正孔が電子輸送層によって閉じこめられ、また、電子輸送性発光層を用いた場合には、陰極から電子輸送性発光層に注入された電子が電子輸送性発光層に閉じこめられるため、いずれも、正孔と電子との再結合効率を向上させることができるという利点がある。
なお、各層３、４、５同士の間には、任意の目的の層が設けられていてもよい。例えば、正孔輸送層４１と陽極３との間には、陽極３からの正孔の注入効率を向上させる正孔注入層を設けることができる。また、電子輸送層４３と陰極５との間には、陰極５からの電子の注入効率を向上させる電子注入層等を設けることができる。このように、有機ＥＬ素子１に正孔注入層および電子注入層を設ける場合には、この正孔注入層および電子注入層の構成材料として、本発明の導電性材料を用いることができる。
また、正孔注入層の構成材料としては、本発明の導電性材料の他、例えば、銅フタロシアニンや４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（Ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等を用いることもできる。
Furthermore, when a hole transporting light emitting layer is used, holes injected from the anode into the hole transporting light emitting layer are confined by the electron transport layer, and when an electron transporting light emitting layer is used, Since electrons injected from the cathode into the electron-transporting light-emitting layer are confined in the electron-transporting light-emitting layer, both have the advantage that the recombination efficiency between holes and electrons can be improved.
An arbitrary target layer may be provided between the
As the constituent material of the hole injection layer, in addition to the conductive material of the present invention, for example, copper phthalocyanine or 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-phenyl-3-methylphenylamino) tris Phenylamine (M-MTDATA) can also be used.
保護層６は、有機ＥＬ素子１を構成する各層３、４、５を覆うように設けられている。この保護層６は、有機ＥＬ素子１を構成する各層３、４、５を気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。保護層６を設けることにより、有機ＥＬ素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果が得られる。
保護層６の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、保護層６の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、保護層６と各層３、４、５との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
The protective layer 6 is provided so as to cover the
Examples of the constituent material of the protective layer 6 include Al, Au, Cr, Nb, Ta, Ti, alloys containing these, silicon oxide, various resin materials, and the like. In addition, when using the material which has electroconductivity as a constituent material of the protective layer 6, in order to prevent a short circuit, between the protective layer 6 and each
この有機ＥＬ素子１は、例えばディスプレイ用として用いることができるが、その他にも光源等としても使用可能であり、種々の光学的用途等に用いることが可能である。
また、有機ＥＬ素子１をディスプレイに適用する場合、その駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
このような有機ＥＬ素子１は、例えば、次のようにして製造することができる。
The
Further, when the
Such an
［Ａ１］陽極形成工程
まず、基板２を用意し、この基板２上に陽極３を形成する。
陽極３は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
[A1] Anode Formation Step First, the substrate 2 is prepared, and the
The
［Ａ２］正孔輸送層形成工程（第１の構成）
［Ａ２−１］ まず、前記一般式（１）で表される化合物（以下、単に「化合物（１）」という。）を含有する導電性材料用組成物（正孔輸送材料）を陽極３上に塗布（供給）する。
この塗布には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることができる。かかる塗布法によれば、正孔輸送材料を比較的容易に陽極３上に供給することができる。
[A2] Hole transport layer forming step (first configuration)
[A2-1] First, a composition for a conductive material (hole transport material) containing a compound represented by the general formula (1) (hereinafter simply referred to as “compound (1)”) is placed on the
For this coating, spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, spray coating method, screen printing method, flexographic printing method, Various coating methods such as an offset printing method and an ink jet printing method can be used. According to such a coating method, the hole transport material can be supplied onto the
化合物（１）を溶媒に溶解または分散媒に分散する場合、用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。 When the compound (1) is dissolved in a solvent or dispersed in a dispersion medium, examples of the solvent or dispersion medium to be used include inorganic solvents such as nitric acid, sulfuric acid, ammonia, hydrogen peroxide, water, carbon disulfide, and ethylene carbonate, Ketone solvents such as methyl ethyl ketone (MEK), acetone, diethyl ketone, methyl isobutyl ketone (MIBK), methyl isopropyl ketone (MIPK), cyclohexanone, alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, ethylene glycol, diethylene glycol (DEG), glycerin Solvent, diethyl ether, diisopropyl ether, 1,2-dimethoxyethane (DME), 1,4-dioxane, tetrahydrofuran (THF), tetrahydropyran (THP), anisole, diethylene glycol dimethyl Ether solvents such as ether (diglyme), diethylene glycol ethyl ether (carbitol), cellosolv solvents such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve, phenyl cellosolve, aliphatic hydrocarbon solvents such as hexane, pentane, heptane, cyclohexane, toluene, Aromatic hydrocarbon solvents such as xylene and benzene, aromatic heterocyclic solvents such as pyridine, pyrazine, furan, pyrrole, thiophene and methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide Amide solvents such as (DMA), halogen compound solvents such as dichloromethane, chloroform, carbon tetrachloride, 1,2-dichloroethane, ester solvents such as ethyl acetate, methyl acetate, ethyl formate, dimethyl sulfoxide (DMSO), Various organic solvents such as sulfur compound solvents such as horan, nitrile solvents such as acetonitrile, propionitrile, acrylonitrile, organic acid solvents such as formic acid, acetic acid, trichloroacetic acid, trifluoroacetic acid, or mixtures containing these A solvent etc. are mentioned.
なお、導電性材料用組成物には、重合開始剤を添加するのが好ましい。これにより、次工程［Ａ２−２］において、加熱や光照射のような所定の処理を施す際に、置換基Ｘにおける重合反応を促進させることができる。
重合開始剤としては、特に限定されないが、例えば、光カチオン重合開始剤や光ラジカル重合開始剤のような光重合開始剤、熱重合開始剤および嫌気重合開始剤等が挙げられ、これらの中でも、光カチオン重合開始剤を用いるのが特に好ましい。これにより、次工程［Ａ２−２］において、置換基Ｘを比較的容易に重合反応させることができる。
In addition, it is preferable to add a polymerization initiator to the composition for conductive materials. Thereby, in the next step [A2-2], when a predetermined treatment such as heating or light irradiation is performed, the polymerization reaction in the substituent X can be promoted.
The polymerization initiator is not particularly limited, and examples thereof include a photopolymerization initiator such as a photocationic polymerization initiator and a radical photopolymerization initiator, a thermal polymerization initiator, an anaerobic polymerization initiator, and the like. It is particularly preferable to use a photocationic polymerization initiator. Thereby, in the next step [A2-2], the substituent X can be polymerized relatively easily.
光カチオン重合開始剤としては、各種の光カチオン重合開始剤を用いることができるが、例えば、芳香族スルホニウム塩系、芳香族ヨードニウム塩系、芳香族ジアゾニウム塩系、ピリジウム塩系および芳香族ホスホニウム塩系等のオニウム塩系の光カチオン重合開始剤や、鉄アレーン錯体およびスルホン酸エステル等の非イオン系の光カチオン重合開始剤を用いることができる。
さらに、重合開始剤として光重合開始剤を用いる場合には、光重合開始剤に適した増感剤を導電性材料用組成物に添加してもよい。
As the cationic photopolymerization initiator, various kinds of cationic photopolymerization initiators can be used. For example, aromatic sulfonium salt type, aromatic iodonium salt type, aromatic diazonium salt type, pyridium salt type and aromatic phosphonium salt. An onium salt-based photocationic polymerization initiator such as a non-ionic photocationic polymerization initiator such as an iron arene complex or a sulfonic acid ester can be used.
Furthermore, when using a photoinitiator as a polymerization initiator, you may add the sensitizer suitable for a photoinitiator to the composition for electroconductive materials.
［Ａ２−２］ 次に、陽極３上に供給された正孔輸送材料に光照射する。
これにより、正孔輸送材料に含まれる化合物（１）同士を置換基Ｘにおいて重合反応させたネットワーク形状の高分子（本発明の導電性材料）を得ることができる。その結果、本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層４１が陽極３上に形成される。
正孔輸送層４１を本発明の導電性材料を主材料として構成することにより、次工程［Ａ３］において、発光層材料を供給した際に、この発光層材料に含まれる溶媒または分散媒により、正孔輸送層４１が膨潤および溶解するのを防止することができる。その結果、正孔輸送層４１と発光層４２との相溶解を確実に防止することができる。
[A2-2] Next, the hole transport material supplied onto the
As a result, a network-shaped polymer (the conductive material of the present invention) in which the compounds (1) contained in the hole transport material are subjected to a polymerization reaction in the substituent X can be obtained. As a result, a
By configuring the
また、正孔輸送層４１を本発明の導電性材料（高分子）を主材料として構成することにより、得られた有機ＥＬ素子１において、正孔輸送層４１と発光層４２との界面付近において、これらの構成材料同士が経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。
この高分子の重量平均分子量は、特に限定されないが、１００００〜１００００００程度であるのが好ましく、１５０００〜３０００００程度であるのがより好ましい。これにより、高分子の膨潤および溶解をより確実に抑制または防止することができる。
Moreover, in the
The weight average molecular weight of the polymer is not particularly limited, but is preferably about 10,000 to 1,000,000, more preferably about 15,000 to 300,000. Thereby, swelling and dissolution of the polymer can be suppressed or prevented more reliably.
なお、正孔輸送層４１は、この正孔輸送層４１と発光層４２との相溶解が防止される範囲において、化合物（１）の低分子（モノマーやオリゴマー）を含んでいてもよい。
正孔輸送材料に光照射する光としては、例えば、赤外線、可視光線、紫外線およびＸ線等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、紫外線を用いるのが特に好ましい。これにより、置換基Ｘにおける重合反応を容易かつ確実に進行させることができる。
In addition, the
Examples of the light that irradiates the hole transport material include infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, and X-rays, and one or more of these can be used in combination. Among these, it is particularly preferable to use ultraviolet rays. Thereby, the polymerization reaction in the substituent X can be easily and reliably advanced.
光照射する紫外線の波長は、２００〜４２０ｎｍ程度であるのが好ましく、２５０〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、紫外線の照射強度は、１０〜５０００ｍＷ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、２０〜１０００ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
さらに、紫外線の照射時間は、５〜３００秒程度であるのが好ましく、１０〜１５０秒程度であるのがより好ましい。
紫外線の波長、照射強度および照射時間をかかる範囲にすることにより、陽極３上に供給された正孔輸送材料の重合反応の進行を比較的容易に制御することができる。
The wavelength of the ultraviolet rays to be irradiated is preferably about 200 to 420 nm, and more preferably about 250 to 400 nm.
The irradiation intensity of ultraviolet light is preferably in the range of about 10~5000mW / cm 2, more preferably about 20 to 1000 mW / cm 2.
Furthermore, the ultraviolet irradiation time is preferably about 5 to 300 seconds, and more preferably about 10 to 150 seconds.
By setting the ultraviolet wavelength, irradiation intensity, and irradiation time within such ranges, the progress of the polymerization reaction of the hole transport material supplied onto the
［２’］正孔輸送層形成工程（第２の構成）
［２’−１］ まず、化合物（１）を溶解し得る反応溶媒に、化合物（１）を溶解させて導電性材料用組成物を得る。
反応溶媒としては、前記工程［２−１］で説明した溶媒または分散媒と同様のものを用いることができる。ただし、前記工程［２−１］で説明したもののうち、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、芳香族複素環化合物系溶媒、ハロゲン化合物系溶媒、硫黄化合物系溶媒のような比較的塩基性の弱いものを選択するのが好ましい。これにより、次工程［２’−２］における化合物（１）の高分子化を、選択した反応溶媒により阻害されることなく確実に進行させることができる。また、これらの中でも、特に、誘電率が小さいものを選択するのが好ましい。これにより、化合物（１）の高分子化の重合速度が低下し、比較的分子量の小さい高分子を容易に得ることができることから、得られる化合物（１）の重合物の分子量の制御を比較的容易に行うことができる。
[2 ′] Hole transport layer forming step (second configuration)
[2′-1] First, compound (1) is dissolved in a reaction solvent capable of dissolving compound (1) to obtain a composition for conductive material.
As the reaction solvent, the same solvent or dispersion medium as described in the above step [2-1] can be used. However, among those described in the above step [2-1], a comparison such as an aliphatic hydrocarbon solvent, an aromatic hydrocarbon solvent, an aromatic heterocyclic compound solvent, a halogen compound solvent, and a sulfur compound solvent. It is preferable to select those with weak basicity. Thereby, the high molecularization of the compound (1) in the next step [2′-2] can surely proceed without being inhibited by the selected reaction solvent. Among these, it is particularly preferable to select one having a small dielectric constant. As a result, the polymerization rate of the polymerization of the compound (1) decreases, and a polymer having a relatively small molecular weight can be easily obtained. Therefore, the control of the molecular weight of the resulting polymer of the compound (1) can be controlled relatively. It can be done easily.
［２’−２］ 次に、導電性材料用組成物に含まれる、化合物（１）同士を置換基Ｘにおいて重合反応させて、化合物（１）の重合物（可溶性ポリマー）が反応溶媒中に可溶な範囲内にまで、化合物（１）を高分子化させる。
この際、導電性材料用組成物に、重合触媒を添加することにより、置換基Ｘにおける重合反応すなわち化合物（１）の高分子化を促進させることができる。
[2′-2] Next, the compounds (1) contained in the composition for conductive materials are subjected to a polymerization reaction in the substituent X, and the polymer (soluble polymer) of the compound (1) is contained in the reaction solvent. The compound (1) is polymerized to a soluble range.
At this time, by adding a polymerization catalyst to the composition for conductive material, the polymerization reaction in the substituent X, that is, the polymerization of the compound (1) can be promoted.
このような化合物（１）の重合物（可溶性ポリマー）の重量平均分子量は、化合物（１）の種類によっても若干異なり、特に限定されるものではないが、８００〜１００００程度であるのが好ましく、１５００〜５０００程度であるのがより好ましい。これにより、化合物（１）の重合物が不溶化して、導電性材料用組成物中に析出（沈殿）するのを確実に防止することができる。 The weight average molecular weight of the polymer (soluble polymer) of such a compound (1) is slightly different depending on the type of the compound (1) and is not particularly limited, but is preferably about 800 to 10,000. More preferably, it is about 1500 to 5000. Thereby, it can prevent reliably that the polymer of a compound (1) insolubilizes and precipitates in the composition for electroconductive materials.
このような化合物（１）の重合物は、重合触媒の存在下において、例えば、反応温度の制御、光照射、嫌気処理のような所定の処理を導電性材料用組成物に行うことにより得ることができる。
化合物（１）同士の重合反応は、前記所定の処理の条件を適宜設定することにより比較的容易に制御することができる。そのため、不溶性の高分子が生成されるより前に、すなわち、重合反応が進行して形成された高分子が不溶化する前に、化合物（１）の高分子化を確実に停止させることができる。
Such a polymer of compound (1) can be obtained by subjecting the composition for a conductive material to predetermined treatment such as control of reaction temperature, light irradiation, and anaerobic treatment in the presence of a polymerization catalyst. Can do.
The polymerization reaction between the compounds (1) can be controlled relatively easily by appropriately setting the conditions for the predetermined treatment. Therefore, the polymerization of the compound (1) can be surely stopped before the insoluble polymer is generated, that is, before the polymer formed by the progress of the polymerization reaction is insolubilized.
また、所定の処理としては、前述したものの中でも、反応温度の制御を選択するのが好ましい。反応温度を制御する際の処理条件を適宜設定することにより、化合物（１）の高分子化をより容易に制御することができる。
反応温度を制御する際の導電性材料用組成物の温度は、前述した反応溶媒の種類によっても若干異なるが、−７８〜２５℃程度であるのが好ましく、−４０〜０℃程度であるのがより好ましい。
As the predetermined treatment, it is preferable to select control of the reaction temperature among the above-mentioned treatments. Polymerization of compound (1) can be more easily controlled by appropriately setting treatment conditions for controlling the reaction temperature.
The temperature of the composition for conductive material when controlling the reaction temperature is slightly different depending on the kind of the reaction solvent described above, but is preferably about −78 to 25 ° C., and is about −40 to 0 ° C. Is more preferable.
反応温度を制御する時間も、前述した反応溶媒の種類によっても若干異なるが、０．５〜２４時間程度であるのが好ましく、１〜５時間程度であるのがより好ましい。
導電性材料用組成物の温度、および反応温度を制御する時間をかかる範囲にすることにより、化合物（１）を不溶化させることなく高分子化させることができる。
なお、化合物（１）の重合物（可溶性ポリマー）が得られた際には、導電性材料用組成物に、重合停止剤を添加するようにしてもよい。これにより、化合物（１）の高分子化をより確実に停止させることができる。
The time for controlling the reaction temperature also varies slightly depending on the kind of the reaction solvent described above, but is preferably about 0.5 to 24 hours, more preferably about 1 to 5 hours.
By controlling the temperature of the composition for conductive material and the time for controlling the reaction temperature in such a range, the compound (1) can be polymerized without insolubilization.
In addition, when the polymer (soluble polymer) of a compound (1) is obtained, you may make it add a polymerization terminator to the composition for electroconductive materials. Thereby, the high molecularization of compound (1) can be stopped more reliably.
このような重合停止剤としては、例えば、アンモニア水のような塩基性化合物を含有するメタノール、エタノールおよびイソプロピルアルコール等の低級アルコールや、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒が挙げられる。
また、前記重合触媒としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲノカルボン酸、スルホン酸、硫酸モノエステル、リン酸モノエステルのようなプロトン酸、三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ素エーテレート（ＢＦ３／ＯＥｔ２）、ニ塩化チタン、四塩化チタン、塩化第一スズ、塩化第二スズ、塩化アルミニウム、塩化亜鉛、臭化マグネシウム、塩化第二鉄のようなルイス酸等が挙げられる。ただし、重合触媒としてルイス酸を用いる場合には、水、アルコール、カルボン酸、エーテルのような不対電子を有する化合物を共触媒として導電性材料用組成物に添加するのが好ましい。これにより、化合物（１）の高分子化をより確実に行うことができる。
［２’−３］ 次に、導電性材料用組成物に含まれる化合物（１）の重合物（可溶性ポリマー）以外の不純物を導電性用組成物から除去する。
Examples of such a polymerization terminator include lower alcohols such as methanol, ethanol and isopropyl alcohol containing a basic compound such as aqueous ammonia, and ether solvents such as diethyl ether and tetrahydrofuran.
The polymerization catalyst is not particularly limited. For example, protonic acids such as halogenocarboxylic acid, sulfonic acid, sulfuric acid monoester, and phosphoric acid monoester, boron trifluoride, boron trifluoride etherate (BF 3 / OEt 2 ), titanium dichloride, titanium tetrachloride, stannous chloride, stannic chloride, aluminum chloride, zinc chloride, magnesium bromide, ferric chloride and the like. However, when a Lewis acid is used as a polymerization catalyst, it is preferable to add a compound having unpaired electrons such as water, alcohol, carboxylic acid, and ether as a cocatalyst to the conductive material composition. Thereby, high molecularization of a compound (1) can be performed more reliably.
[2′-3] Next, impurities other than the polymer (soluble polymer) of the compound (1) contained in the composition for conductive material are removed from the composition for conductive material.
この不純物としては、例えば、化合物（１）の低分子（モノマーやオリゴマー）、重合触媒、共触媒、化合物（１）を合成する際に生成および／または混入したものおよび反応溶媒中に混入したもの等が挙げられる。
このような不純物は、カチオン性、アニオン性およびノニオン性の不純物に分類される。これらの内、カチオン性およびアニオン性の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルトレーション法、吸着クロマトグラフィー法およびイオン交換クロマトグラフィー法等が挙げられるが、これらの中でも、フィルトレーション法を用いるのが好ましい。フィルトレーション法によれば、用いるフィルターの種類を適宜選択するだけで、目的とするカチオン性不純物やアニオン性不純物を効率よく確実に除去することができる。
As this impurity, for example, a low molecule (monomer or oligomer) of compound (1), a polymerization catalyst, a cocatalyst, a product produced and / or mixed when synthesizing compound (1), and a compound mixed in a reaction solvent Etc.
Such impurities are classified as cationic, anionic and nonionic impurities. Among these, examples of methods for removing cationic and anionic impurities include filtration methods, adsorption chromatography methods and ion exchange chromatography methods. Among these methods, filtration methods are used. It is preferable to use it. According to the filtration method, the target cationic impurities and anionic impurities can be efficiently and reliably removed by simply selecting the type of filter to be used.
すなわち、フィルターとして、例えば、強酸性陽イオン交換樹脂、弱酸性陽イオン交換樹脂、重金属を選択的に除去し得るキレート樹脂のような陽イオン交換樹脂を主材料として構成されるものを選択することにより、カチオン性不純物を除去することができる。
また、フィルターとして、例えば、最強塩基性陰イオン交換樹脂、強塩基性陰イオン交換樹脂、中塩基性陰イオン交換樹脂、弱塩基性陰イオン交換樹脂等のような陰イオン交換樹脂を主材料として構成されるものを選択することにより、アニオン性不純物を除去することができる。
That is, as a filter, for example, a material composed mainly of a cation exchange resin such as a strong acid cation exchange resin, a weak acid cation exchange resin, or a chelate resin capable of selectively removing heavy metals is selected. Thus, cationic impurities can be removed.
In addition, as a filter, for example, an anion exchange resin such as the strongest basic anion exchange resin, strong basic anion exchange resin, medium basic anion exchange resin, weak basic anion exchange resin, etc. is used as a main material. By selecting a constituent, anionic impurities can be removed.
また、ノニオン性の不純物を除去する方法としては、例えば、限外ろ過膜法やゲル浸透クロマトグラフィー法等が挙げられるが、これらの中でも、限外ろ過膜法を用いるのが好ましい。限外ろ過膜法は、分子量に応じた各種物質の分離特性に優れており、用いる限外ろ過膜の種類を適宜選択するだけで、目的とする分子量より小さいノニオン性不純物を効率よく確実に除去することができる。 Examples of the method for removing nonionic impurities include an ultrafiltration membrane method and a gel permeation chromatography method. Among these, the ultrafiltration membrane method is preferably used. The ultrafiltration membrane method is excellent in the separation characteristics of various substances according to the molecular weight, and by simply selecting the type of ultrafiltration membrane to be used, nonionic impurities smaller than the target molecular weight can be removed efficiently and reliably. can do.
［２’−４］ 次に、化合物（１）の重合物（可溶性ポリマー）を含有する導電性材料用組成物を陽極３上に塗布（供給）する。
この塗布には、前記工程［２−１］で説明したのと同様の方法を用いることができる。
なお、この導電性材料用組成物には、重合開始剤を添加するのが好ましい。これにより、次工程［２’−５］において、加熱や光照射のような所定の処理を施す際に、化合物（１）の重合物同士の置換基Ｘにおける重合反応を促進させることができる。
この重合開始剤としても、前記工程［２−１］で説明したのと同様のものを用いることができる。
[2′-4] Next, a conductive material composition containing a polymer (soluble polymer) of compound (1) is applied (supplied) onto
For this coating, the same method as described in the above step [2-1] can be used.
In addition, it is preferable to add a polymerization initiator to this composition for conductive materials. Thereby, in the next step [2′-5], when a predetermined treatment such as heating or light irradiation is performed, the polymerization reaction in the substituent X between the polymers of the compound (1) can be promoted.
As this polymerization initiator, the same ones as described in the above step [2-1] can be used.
［２’−５］ 次に、陽極３上に供給された導電性材料用組成物に光照射する。
これにより、導電性材料用組成物に含まれる、化合物（１）の重合物同士を置換基Ｘにおいて重合反応させることができる。これにより、化合物（１）の重合物（可溶性ポリマー）がさらに高分子化することにより不溶化して、導電性材料用組成物中に析出することとなる。その結果、化合物（１）の重合物（不溶性ポリマー）すなわち本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層４１が陽極３上に形成される。
[2′-5] Next, the composition for conductive material supplied onto the
Thereby, the polymer of compound (1) contained in the composition for conductive materials can be polymerized in the substituent X. Thereby, the polymer (soluble polymer) of the compound (1) is further insolubilized by being polymerized, and is precipitated in the composition for conductive material. As a result, a
この化合物（１）の重合物（不溶性ポリマー）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１５０００〜１００００００程度であるのが好ましく、２００００〜３０００００程度であるのがより好ましい。これにより、高分子の膨潤および溶解をより確実に抑制または防止することができる。
導電性材料用組成物に光照射する光としては、前記工程［２−２］で説明したのと同様のものを用いることができる。
Although the weight average molecular weight of the polymer (insoluble polymer) of this compound (1) is not particularly limited, it is preferably about 15,000 to 1,000,000, and more preferably about 20,000 to 300,000. Thereby, swelling and dissolution of the polymer can be suppressed or prevented more reliably.
As the light for irradiating the composition for conductive material, the same light as described in the step [2-2] can be used.
以上のような［２’］の工程を経て正孔輸送層４１が形成される。かかる工程により正孔輸送層４１を形成することにより、前記工程［２’−５］において、陽極３上に供給される導電性材料用組成物に、化合物（１）の重合物（可溶性ポリマー）が含まれていることから、重合開始剤の添加量を、比較的少なく設定することができる。その結果、得られる正孔輸送層４１に残存する重合開始剤の量が比較的少なくなる。これにより、正孔輸送層４１中の正孔が重合開始剤により捕捉されるのを好適に防止または抑制することができることから、得られる正孔輸送層４１により優れた正孔輸送能を発揮させることができる。
The
また、［２’］の方法では、化合物（１）の重合物（可溶性ポリマー）を陽極３上に供給した後に、この重合物をさらに高分子化することにより不溶化させて正孔輸送層４１が形成されることから、正孔輸送層４１を比較的容易に、かつ分子量分布の狭い均一な膜を形成（成膜）できるという利点もある。
なお、得られた正孔輸送層４１には、必要に応じて、例えば大気中、不活性雰囲気中、減圧（または真空）下等において熱処理を施すようにしてもよい。これにより、例えば、正孔輸送層４１の乾燥・固化（脱溶媒または脱分散媒）等を行うことができる。なお、正孔輸送層４１は、熱処理によらず乾燥してもよい。
In the method [2 ′], after the polymer (soluble polymer) of the compound (1) is supplied onto the
Note that the obtained
また、置換基Ｘにおいて重合反応させるための所定の処理としては、前記工程［２−２］および前記工程［２’−５］で説明した光照射の他、例えば、加熱および嫌気処理等が挙げられるが、これらの中でも、光照射を用いるのが好ましい。光照射によれば、高分子化させる領域および程度を比較的容易に選択することができる。 In addition to the light irradiation described in the step [2-2] and the step [2′-5], examples of the predetermined treatment for causing the polymerization reaction in the substituent X include heating and anaerobic treatment. Among these, it is preferable to use light irradiation. According to the light irradiation, it is possible to relatively easily select a region and a degree to be polymerized.
［Ａ３］発光層形成工程
次に、正孔輸送層４１上に発光層４２を形成する。
発光層４２は、例えば、前述したような発光材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる発光層材料（発光層形成用材料）を、正孔輸送層４１上に塗布して形成することができる。
発光材料を溶解または分散させる溶媒または分散媒としては、正孔輸送層４１を形成する際に用いた溶媒または分散媒と同様のものを用いることができる。
また、発光層材料を、正孔輸送層４１上に塗布する方法としても、正孔輸送層４１を形成する際に用いた塗布方法と同様の方法を用いることができる。
[A3] Light-Emitting Layer Formation Step Next, the light-emitting
The
As the solvent or dispersion medium for dissolving or dispersing the light emitting material, the same solvent or dispersion medium used when forming the
Further, as a method of applying the light emitting layer material on the
［Ａ４］電子輸送層形成工程
次に、発光層４２上に電子輸送層４３を形成する。
電子輸送層４３は、前記正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したのと同様の方法で、本発明の導電性材料用組成物を用いて形成することができる。
なお、発光層４２が本発明の導電性材料のような高分子により構成されない場合、電子輸送層４３を形成するために用いる導電性材料用組成物を、溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、発光層４２が膨潤および溶解しないものを選択するようにすればよい。これにより、発光層４２と電子輸送層４３との相溶解を確実に防止することができる。
［Ａ５］陰極形成工程
次に、電子輸送層４３上に陰極５を形成する。
陰極５は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
[A4] Electron Transport Layer Formation Step Next, the
The
In addition, when the
[A5] Cathode Formation Step Next, the
The
［Ａ６］保護層形成工程
次に、陽極３、有機ＥＬ層４および陰極５を覆うように、保護層６を形成する。
保護層６は、例えば、前述したような材料で構成される箱状の保護カバーを、各種硬化性樹脂（接着剤）で接合すること等により形成する（設ける）ことができる。
硬化性樹脂には、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、反応性硬化樹脂、嫌気性硬化樹脂のいずれも使用可能である。
以上のような工程を経て、有機ＥＬ素子１が製造される。
[A6] Protective Layer Formation Step Next, the protective layer 6 is formed so as to cover the
The protective layer 6 can be formed (provided), for example, by bonding a box-shaped protective cover made of the above-described material with various curable resins (adhesives).
As the curable resin, any of a thermosetting resin, a photocurable resin, a reactive curable resin, and an anaerobic curable resin can be used.
The
＜有機薄膜トランジスタ＞
次に、本発明の電子デバイスを、スイッチング素子である有機薄膜トランジスタ（以下、単に「有機ＴＦＴ」という。）に適用した場合の実施形態について説明する。
図２は、有機ＴＦＴ１０を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。なお、以下の説明では、図２（ａ）中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
<Organic thin film transistor>
Next, an embodiment in which the electronic device of the present invention is applied to an organic thin film transistor (hereinafter simply referred to as “organic TFT”) as a switching element will be described.
2A and 2B are diagrams showing the
図２に示す有機ＴＦＴ１０は、基板２０上に設けられており、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、有機半導体層（本発明の導電層）５０と、ゲート絶縁層６０と、ゲート電極７０とが、この順で基板２０側から積層されて構成されている。
具体的には、有機ＴＦＴ１０は、基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０が分離して設けられ、これら電極３０、４０を覆うように有機半導体層５０が設けられている。さらに有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられ、さらにこの上に、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０の間の領域に重なるようにゲート電極７０が設けられている。
The
Specifically, in the
この有機ＴＦＴ１０では、有機半導体層５０のうち、ソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域５１０となっている。以下、このチャネル領域５１０において、キャリアの移動方向の長さ、すなわちソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離をチャネル長Ｌ、チャネル長Ｌ方向と直交する方向の長さをチャネル幅Ｗと言う。
このような有機ＴＦＴ１０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、ゲート絶縁層６０を介してゲート電極７０よりも基板２０側に設けられた構成の有機ＴＦＴ、すなわち、トップゲート構造の有機ＴＦＴである。
In the
Such an
以下、有機ＴＦＴ１０を構成する各部について、順次説明する。
基板２０は、有機ＴＦＴ１０を構成する各層（各部）を支持するものである。基板２０には、例えば、前述した有機ＥＬ素子１で説明した基板２と同様のものを用いることができる他、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。
基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、チャネル長Ｌ方向に沿って、所定距離離間して並設されている。
Hereinafter, each part which comprises organic TFT10 is demonstrated sequentially.
The
On the
これらのソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料としては、導電性を有するものであればいかなるものであってもよく、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の金属材料、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性酸化物材料、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうち導電性高分子材料は、通常塩化鉄、ヨウ素、強酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などの高分子でドープされ導電性を付与された状態で用いられる。さらに、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
The constituent material of the
ソース電極３０およびドレイン電極４０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、それぞれ、３０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
ソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離（離間距離）、すなわち、チャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、２〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。
The thickness (average) of the
The distance (separation distance) between the
チャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．３〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。
また、基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０が設けられている。
この有機半導体層５０の構成材料として、本発明の導電性材料を用いることができる。
The channel width W is preferably about 0.1 to 5 mm, and more preferably about 0.3 to 3 mm.
An
As the constituent material of the
前述したように、本発明の導電性材料は、基Ｙの化学構造を適宜設定することにより、形成される高分子に、目的とするキャリア輸送能の特性を付与することができるものである。
そこで、基Ｙの化学構造を適宜設定することにより、高分子に優れた半導体特性を付与することができることから、本発明の導電性材料を有機半導体層５０に用いるのは、特に有効である。
As described above, the conductive material of the present invention can impart desired carrier transportability characteristics to the formed polymer by appropriately setting the chemical structure of the group Y.
Therefore, by appropriately setting the chemical structure of the group Y, it is possible to impart excellent semiconductor characteristics to the polymer. Therefore, it is particularly effective to use the conductive material of the present invention for the
このような有機半導体層５０を構成する導電性材料としては、例えば、基Ｙの化学構造が前記化学式（４）、（５）、（１８）、（１９）および（２２）のもののうちいずれかが好適に選択される。
有機半導体層５０の厚さ（平均）は、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、優れたキャリア輸送能を維持しつつ、有機ＴＦＴ１０が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
As the conductive material constituting such an
The thickness (average) of the
なお、有機半導体層５０として、本発明の導電性材料のような高分子を主材料として構成されるものを用いることにより、得られる有機ＴＦＴ１０は、薄型化・軽量化が可能であるとともに、可撓性にも優れたものとなる。このような有機ＴＦＴ１０は、前述した有機ＥＬ素子を備えるフレキシブルディスプレイのスイッチング素子への適用に適している。
In addition, by using the
なお、有機半導体層５０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように設けられる構成のものに限定されず、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域（チャネル領域５１０）に設けられていればよい。
有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられている。
このゲート絶縁層６０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０に対してゲート電極７０を絶縁するものである。
Note that the
A
The
ゲート絶縁層６０は、主として有機材料（特に有機高分子材料）で構成されているのが好ましい。有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６０は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層５０との密着性の向上を図ることもできる。
このような有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
The
Examples of such organic polymer materials include polystyrene, polyimide, polyamideimide, polyvinylphenylene, polycarbonate (PC), acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PMMA), and polytetrafluoroethylene (PTFE). Fluorine resin, phenolic resin such as polyvinylphenol or novolac resin, and olefinic resins such as polyethylene, polypropylene, polyisobutylene, polybutene, etc. are used, and one or more of these may be used in combination. it can.
ゲート絶縁層６０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層６０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極３０およびドレイン電極４０とゲート電極７０とを確実に絶縁しつつ、有機ＴＦＴ１０が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
The thickness (average) of the
なお、ゲート絶縁層６０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
ゲート絶縁層６０上には、ゲート電極７０が設けられている。
ゲート電極７０の構成材料としては、前述したソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料と同様のものを用いることができる。
Note that the
A
As the constituent material of the
ゲート電極７０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜５０００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
以上のような有機ＴＦＴ１０は、ゲート電極７０に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に流れる電流量が制御される。
The thickness (average) of the
In the
すなわち、ゲート電極７０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加しても、有機半導体層５０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極７０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層５０のゲート絶縁層６０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル領域５１０にキャリアの流路が形成される。この状態でソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加すると、チャネル領域５１０を通ってキャリア（正孔または電子）が流れる。
このような有機ＴＦＴ１０は、例えば、次のようにして製造することができる。
図３〜図４は、それぞれ、図２に示す有機ＴＦＴ１０の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図３〜図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
That is, in the OFF state in which no voltage is applied to the
Such an
3 to 4 are views (longitudinal sectional views) for explaining a method of manufacturing the
［Ｂ１］ソース電極およびドレイン電極形成工程
［Ｂ１−１］ まず、図３（ａ）に示すような基板２０を用意し、この基板２０を、例えば、水（純水等）、有機溶媒等を単独または適宜組み合わせて洗浄する。
次に、基板２０上に、フォトレジストを供給し、被膜８０’を形成する（図３（ｂ）参照。）。
[B1] Source and drain electrode formation step [B1-1] First, a
Next, a photoresist is supplied onto the
基板２０上に供給するフォトレジストとしては、光が照射（露光）された領域が硬化し、この露光された領域以外の領域が現像によって溶解し、除去されるネガ型フォトレジスト、および、露光された領域が現像によって溶解し、除去されるポジ型フォトレジストのいずれを用いてもよい。
ネガ型フォトレジストとしては、ロジン−重クロム酸塩、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）−重クロム酸塩、セラック−重クロム酸塩、カゼイン−重クロム酸塩、ＰＶＡ−ジアゾ、アクリル系フォトレジスト等のような水溶性フォトレジスト、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム−アジド、ポリビニルシンナミリデンアセタート、ポリケイ皮酸β−ビニロキシエチルエステル等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
The photoresist supplied onto the
Negative photoresists include rosin-dichromate, polyvinyl alcohol (PVA) -bichromate, shellac-bichromate, casein-dichromate, PVA-diazo, acrylic photoresist, etc. And water-soluble photoresists such as oil-soluble photoresists such as polyvinyl cinnamate, cyclized rubber-azide, polyvinyl cinnamylidene acetate, and polycinnamic acid β-vinyloxyethyl ester.
また、ポジ型フォトレジストとしては、ｏ−ナフトキノンジアジド等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
フォトレジストを、基板２０上に、供給する方法としては、いかなる方法であってもよいが、塗布法が好適に用いられる。
塗布法としては有機ＥＬ素子１の製造方法の正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したものと同様の方法を用いることができる。
次に、被膜８０’を、フォトマスクを介して露光および現像し、ソース電極３０およびドレイン電極４０を形成する領域に開口部８２０を有するレジスト層８０を形成する（図３（ｃ）参照。）。
Examples of positive photoresists include oil-soluble photoresists such as o-naphthoquinonediazide.
As a method for supplying the photoresist onto the
As a coating method, the same method as described in the hole transport layer forming step [A2] of the method for producing the
Next, the
［Ｂ１−２］ 次に、図３（ｄ）に示すように、前述したような処理が施された基板２０の開口部８２０内に、形成すべきソース電極３０およびドレイン電極４０に応じて、これら電極の構成材料またはその前駆体を含有する所定量の液状材料９０を供給する。
この液状材料９０において、ソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料またはその前駆体を、溶解または分散する溶液または分散媒としては、前記正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したものと同様のものを用いることができる。
[B1-2] Next, as shown in FIG. 3D, in the
In this
また、この液状材料９０を開口部８２０内に供給する方法には、前述したものと同様の塗布法を用いることができるが、これらの中でも、インクジェット法（液滴吐出法）を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、液状材料９０を、液滴吐出ヘッドのノズルから液滴として吐出して、開口部８２０内に確実に供給することができる。その結果、レジスト層８０に液状材料９０が付着するのを確実に阻止することができる。
In addition, as a method for supplying the
［Ｂ１−３］ 次に、開口部８２０に供給された液状材料９０から溶媒または分散媒を除去して、ソース電極３０およびドレイン電極４０を形成する。
前記溶媒または分散媒を除去する際の温度（除去温度）は、特に限定されず、溶媒または分散媒の種類によって若干異なるが、２０〜２００℃程度であるのが好ましく、５０〜１００℃程度であるのがより好ましい。これにより、液状材料９０中に含まれる溶媒または分散媒を、確実に除去することができる。
なお、この溶媒または分散媒の除去を、減圧下で加熱するようにしてもよい。これにより、液状材料９０中に含まれる溶媒または分散媒を、より確実に除去することができる。
[B1-3] Next, the solvent or the dispersion medium is removed from the
The temperature at the time of removing the solvent or dispersion medium (removal temperature) is not particularly limited, and is slightly different depending on the type of the solvent or dispersion medium, but is preferably about 20 to 200 ° C, and about 50 to 100 ° C. More preferably. Thereby, the solvent or dispersion medium contained in the
In addition, you may make it heat the removal of this solvent or a dispersion medium under reduced pressure. Thereby, the solvent or the dispersion medium contained in the
［Ｂ１−４］ 次に、基板２０からレジスト層８０を除去して、基板２０上に形成されたソース電極３０およびドレイン電極４０を得る（図４（ｆ）参照。）。
レジスト層８０の除去方法は、レジスト層８０の種類に応じて適宜選択すればよく、例えば、プラズマ処理やオゾン処理のようなアッシング、紫外線の照射、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、ルビーレーザー、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ４レーザー、エキシマレーザー等の各種レーザーの照射、レジスト層８０を溶解または分解し得る溶剤との接触（例えば浸漬）等により行うことができる。
[B1-4] Next, the resist
The removal method of the resist
［Ｂ２］有機半導体層形成工程
次に、図４（ｈ）に示すように、ソース電極３０およびドレイン電極４０が形成された基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０を形成する。
このとき、ソース電極３０とドレイン電極４０との間（ゲート電極７０に対応する領域）には、チャネル領域５１０が形成される。
この有機半導体層５０は、有機ＥＬ素子１の製造方法の正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したのと同様の方法により、本発明の導電性材料用組成物を用いて形成することができる。
[B2] Organic Semiconductor Layer Formation Step Next, as shown in FIG. 4 (h), the organic layer is formed on the
At this time, a
This
ここで、有機半導体層５０は、本発明の導電性材料（高分子）を主材料として構成されるものである。これにより、次工程［Ｂ３］において、ゲート絶縁層材料を有機半導体層５０上に供給した際に、このゲート絶縁層材料に含まれる溶媒または分散媒により、高分子が膨潤および溶解することを好適に抑制または防止することができる。その結果、有機半導体層５０とゲート絶縁層６０との相溶解を確実に防止することができる。
また、有機半導体層５０を本発明の導電性材料のように高分子を主材料として構成することにより、得られた有機ＴＦＴ１０において、有機半導体層５０とゲート絶縁層６０との界面付近において、これらの構成材料同士が経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。
Here, the
In addition, in the
［Ｂ３］ゲート絶縁層形成工程
次に、図４（ｉ）に示すように、有機半導体層５０上に、ゲート絶縁層６０を塗布法を用いて形成する。
具体的には、ゲート絶縁層６０は、絶縁材料またはその前駆体を含む溶液を、前述した塗布法を用いて、有機半導体層５０上に塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
[B3] Gate Insulating Layer Formation Step Next, as shown in FIG. 4I, a
Specifically, the
［Ｂ４］ゲート電極形成工程
次に、図４（ｊ）に示すように、ゲート絶縁層６０上に、ゲート電極７０を塗布法を用いて形成する。
具体的には、ゲート電極７０は、電極材料またはその前駆体を含む溶液を、塗布法を用いて、ゲート絶縁層６０上に塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
[B4] Gate Electrode Formation Step Next, as shown in FIG. 4J, the
Specifically, the
また、塗布法には、前述したのと同様の方法を用いることができるが、特に、インクジェット法を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、電極材料またはその前駆体を含む溶液を、液滴吐出ヘッドのノズルから液滴を吐出してパターニングすることができる。その結果、ゲート絶縁層６０上に、所定形状のゲート電極７０を、容易かつ確実に形成することができる。
以上のような工程を経て、有機ＴＦＴ１０が製造される。
As the coating method, the same method as described above can be used, but it is particularly preferable to use the ink jet method. According to the inkjet method, a solution containing an electrode material or a precursor thereof can be patterned by discharging droplets from a nozzle of a droplet discharge head. As a result, the
Through the steps as described above, the
＜電子機器＞
また、前述したような、有機ＥＬ素子（発光素子）１や有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０のような本発明の電子デバイスは、各種電子機器に用いることができる。
図５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
<Electronic equipment>
Moreover, the electronic devices of the present invention such as the organic EL element (light emitting element) 1 and the organic TFT (switching element) 10 as described above can be used in various electronic devices.
FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of a mobile (or notebook) personal computer to which the electronic apparatus of the present invention is applied.
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００においては、例えば、表示ユニット１１０６が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。
In this figure, a
In the
図６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、例えば、この表示部が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。
FIG. 6 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone (including PHS) to which the electronic apparatus of the present invention is applied.
In this figure, a
In the
図７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
FIG. 7 is a perspective view showing the configuration of a digital still camera to which the electronic apparatus of the present invention is applied. In this figure, connection with an external device is also simply shown.
Here, an ordinary camera sensitizes a silver halide photographic film with a light image of a subject, whereas a
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、例えば、この表示部が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。
A display unit is provided on the back of a case (body) 1302 in the
In the
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
A
A
When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit and presses the
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
In the
なお、本発明の電子機器は、図５のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図６の携帯電話機、図７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。 In addition to the personal computer (mobile personal computer) of FIG. 5, the mobile phone of FIG. 6, and the digital still camera of FIG. 7, the electronic apparatus of the present invention includes, for example, a television, a video camera, a viewfinder type, Monitor direct-view video tape recorder, laptop personal computer, car navigation system, pager, electronic notebook (including communication function), electronic dictionary, calculator, electronic game device, word processor, workstation, videophone, security TV Monitors, electronic binoculars, POS terminals, devices with touch panels (for example, cash dispensers of financial institutions, automatic ticket vending machines), medical devices (for example, electronic thermometers, blood pressure monitors, blood glucose meters, electrocardiographs, ultrasound diagnostic devices, internal Endoscope display device), fish finder, various measuring instruments, Vessels such (e.g., gages for vehicles, aircraft, and ships), a flight simulator, various monitors, and a projection display such as a projector.
以上、本発明の導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、本発明の電子デバイスは、導電層を正孔輸送層として用いる場合、前述した表示素子（発光素子）の一例である有機ＥＬ素子に適用することができる他、例えば、受光素子（光電変換素子）の一例である太陽電池等に適用することができる。
As mentioned above, although the composition for electroconductive materials of this invention, an electroconductive material, a conductive layer, an electronic device, and an electronic device were demonstrated based on embodiment of illustration, this invention is not limited to these.
For example, when the conductive layer is used as a hole transport layer, the electronic device of the present invention can be applied to an organic EL element which is an example of the above-described display element (light emitting element), for example, a light receiving element (photoelectric conversion). The present invention can be applied to a solar cell which is an example of an element.
また、本発明の電子デバイスは、導電層を有機半導体層として用いる場合、前述したスイッチング素子の一例である有機ＴＦＴに適用することができる他、例えば、半導体素子等に適用することができる。
さらに、本発明の導電層は、上述した正孔輸送層として用いる他、例えば、配線および電極等に適用することができる。そして、この場合、本発明の電子デバイスは、例えば、配線基板等に適用することができる。
Moreover, when using an electroconductive layer as an organic-semiconductor layer, the electronic device of this invention can be applied to the organic TFT which is an example of the switching element mentioned above, for example, can be applied to a semiconductor element etc.
Furthermore, the conductive layer of the present invention can be applied to, for example, wirings and electrodes in addition to being used as the above-described hole transport layer. In this case, the electronic device of the present invention can be applied to, for example, a wiring board.
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．化合物の合成
まず、以下に示すような化合物（Ａ）〜（Ｗ）を用意した。
＜化合物（Ａ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールを無水ジメチルホルムアミド中で、４−メトキシベンジルブロミドと水素化ナトリウムで処理し、ヒドロキシル基をベンジルエーテル基に変換し保護した。
Next, specific examples of the present invention will be described.
1. Synthesis of compounds First, compounds (A) to (W) as shown below were prepared.
<Compound (A)>
4- (p-aminophenyl) butanol was treated with 4-methoxybenzyl bromide and sodium hydride in anhydrous dimethylformamide to convert and protect the hydroxyl group to a benzyl ether group.
次に、その得られた化合物１ｍｏｌを酢酸１５０ｍＬに溶解し、室温で無水酢酸を滴下後、撹拌した。反応終了後、析出した固体をろ過し、水洗後、乾燥した。
次に、４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに施したのと同様の処理により、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールから、ヒドロキシル基をベンジルエーテル基に変換し保護した乾燥物（ベンジルエーテル誘導体）を得た。
Next, 1 mol of the obtained compound was dissolved in 150 mL of acetic acid, and acetic anhydride was added dropwise at room temperature, followed by stirring. After completion of the reaction, the precipitated solid was filtered, washed with water and dried.
Next, a dried product (benzyl ether derivative) obtained by converting hydroxyl group to benzyl ether group from 4- (p-bromophenyl) butanol by the same treatment as that applied to 4- (p-aminophenyl) butanol. )
次に、４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールから得られたベンジルエーテル誘導体０．３７ｍｏｌ、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールから得られたベンジルエーテル誘導体０．６６ｍｏｌ、炭酸カリウム１.１ｍｏｌ、銅粉、ヨウ素を混合し、２００℃で加熱した。放冷後、イソアミルアルコール１３０ｍＬ、純水５０ｍＬ、水酸化カリウム０.７３ｍｏｌを加え撹拌後、乾燥した。 Next, 0.37 mol of benzyl ether derivative obtained from 4- (p-aminophenyl) butanol, 0.66 mol of benzyl ether derivative obtained from 4- (p-bromophenyl) butanol, 1.1 mol of potassium carbonate, copper Powder and iodine were mixed and heated at 200 ° C. After allowing to cool, 130 mL of isoamyl alcohol, 50 mL of pure water, and 0.73 mol of potassium hydroxide were added and the mixture was stirred and dried.
さらに、そこで得られた化合物１３０ｍｍｏｌ、２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェン６２ｍｍｏｌ、酢酸パラジウム１.３ｍｍｏｌ、ｔ−ブチルホスフィン５.２ｍｍｏｌ、ｔ−ブトキシナトリム２６０ｍｍｏｌ、キシレン７００ｍＬを混合して、１２０℃で撹拌した。その後、放冷し、結晶化した。
その得られた化合物を、Ｐｄ−Ｃ触媒下水素ガスで還元し、ベンジルエーテル基からヒドロキシル基へ変換し脱保護した。
Further, 130 mmol of the compound obtained there, 62 mmol of 2,5-bis (4-iodophenyl) -thiophene, 1.3 mmol of palladium acetate, 5.2 mmol of t-butylphosphine, 260 mmol of t-butoxynatrim, and 700 mL of xylene were mixed. , And stirred at 120 ° C. Then, it stood to cool and crystallized.
The obtained compound was reduced with hydrogen gas under a Pd—C catalyst, converted from a benzyl ether group to a hydroxyl group, and deprotected.
次に、その化合物１００ｍｍｏｌを５０％水酸化カリウム水溶液中に加え、加熱しながら撹拌した。次に、加圧下（５ＭＰａ）で１５０℃に保ちながら、アセチレンを毎時１ｌの流速で１０時間反応させた後、放冷し結晶化して化合物を得た。
そして、質量スペクトル（ＭＳ）法、1Ｈ-核磁気共鳴（1Ｈ-ＮＭＲ）スペクトル法、13Ｃ-核磁気共鳴（13Ｃ-ＮＭＲ）スペクトル法、およびフーリエ変換赤外吸収（ＦＴ−ＩＲ）スペクトル法により、得られた化合物が下記化合物（Ａ）であることを確認した。
Next, 100 mmol of the compound was added to a 50% aqueous potassium hydroxide solution and stirred while heating. Next, acetylene was reacted at a flow rate of 1 liter per hour for 10 hours while maintaining at 150 ° C. under pressure (5 MPa), and then allowed to cool and crystallize to obtain a compound.
And mass spectrum (MS) method, 1 H-nuclear magnetic resonance ( 1 H-NMR) spectrum method, 13 C-nuclear magnetic resonance ( 13 C-NMR) spectrum method, and Fourier transform infrared absorption (FT-IR) It was confirmed by a spectral method that the obtained compound was the following compound (A).
＜化合物（Ｂ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて２，５−ビス（２−メチル−４−ヨードフェニル）−チオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｂ）を得た。
<Compound (B)>
Compound similar to the above compound (A) except that 2,5-bis (2-methyl-4-iodophenyl) -thiophene was used instead of 2,5-bis (4-iodophenyl) -thiophene (B) was obtained.
＜化合物（Ｃ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて７−（ｐ−アミノフェニル）ヘプタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて７−（ｐ−ブロモフェニル）ヘプタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｃ）を得た。
<Compound (C)>
Except for using 7- (p-aminophenyl) heptanol instead of 4- (p-aminophenyl) butanol and using 7- (p-bromophenyl) heptanol instead of 4- (p-bromophenyl) butanol. In the same manner as in the compound (A), a compound (C) was obtained.
＜化合物（Ｄ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて２−（ｐ−アミノフェニル）エタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて２−（ｐ−ブロモフェニル）エタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｄ）を得た。
<Compound (D)>
Except for using 2- (p-aminophenyl) ethanol instead of 4- (p-aminophenyl) butanol and using 2- (p-bromophenyl) ethanol instead of 4- (p-bromophenyl) butanol. In the same manner as in the compound (A), a compound (D) was obtained.
＜化合物（Ｅ）＞
２−（ｐ−アミノフェニル）エタノールに代えて２−（２’，６’−ジメチル−４’−アミノフェニル）エタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｅ）を得た。
<Compound (E)>
Compound (E) is the same as Compound (D) except that 2- (2 ′, 6′-dimethyl-4′-aminophenyl) ethanol is used instead of 2- (p-aminophenyl) ethanol. Got.
＜化合物（Ｆ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−ブロモフェニル）オクタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｆ）を得た。
<Compound (F)>
Except for using 8- (p-aminophenyl) octanol in place of 4- (p-aminophenyl) butanol and using 8- (p-bromophenyl) octanol in place of 4- (p-bromophenyl) butanol. The compound (F) was obtained in the same manner as the compound (A).
＜化合物（Ｇ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｇ）を得た。
<Compound (G)>
Compound (G) was obtained in the same manner as Compound (A) except that 8- (p-aminophenyl) octanol was used instead of 4- (p-aminophenyl) butanol.
＜化合物（Ｈ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて１−（ｐ−アミノフェニル）メタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて１−（ｐ−ブロモフェニル）メタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｈ）を得た。
<Compound (H)>
1- (p-aminophenyl) methanol was used instead of 4- (p-aminophenyl) butanol, and 1- (p-bromophenyl) methanol was used instead of 4- (p-bromophenyl) butanol. The compound (H) was obtained in the same manner as the compound (A).
＜化合物（Ｉ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて５，５’’−ビス（４−ヨードフェニル）−２，２’：５’，２’’−ターチオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｉ）を得た。
<Compound (I)>
Except for using 5,5 ″ -bis (4-iodophenyl) -2,2 ′: 5 ′, 2 ″ -terthiophene instead of 2,5-bis (4-iodophenyl) -thiophene Compound (I) was obtained in the same manner as Compound (A).
＜化合物（Ｊ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて３，５−ジヨード−１，２，４−トリアゾールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｊ）を得た。
<Compound (J)>
Compound (J) was prepared in the same manner as Compound (A) except that 3,5-diiodo-1,2,4-triazole was used instead of 2,5-bis (4-iodophenyl) -thiophene. Obtained.
＜化合物（Ｋ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて２，５−（４−ヨードフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｋ）を得た。
<Compound (K)>
The same as the compound (A) except that 2,5- (4-iodophenyl) -1,3,4-oxadiazole was used instead of 2,5-bis (4-iodophenyl) -thiophene. Thus, compound (K) was obtained.
＜化合物（Ｌ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて３，３’−ジヨード−１，１’−ビイソベンゾチオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｌ）を得た。
<Compound (L)>
Compound (A) is the same as compound (A) except that 3,3′-diiodo-1,1′-biisobenzothiophene is used instead of 2,5-bis (4-iodophenyl) -thiophene. L) was obtained.
＜化合物（Ｍ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて７−（ｐ−アミノフェニル）ヘプタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて７−（ｐ−ブロモフェニル）ヘプタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｌ）と同様にして、化合物（Ｍ）を得た。
<Compound (M)>
Except for using 7- (p-aminophenyl) heptanol instead of 4- (p-aminophenyl) butanol and using 7- (p-bromophenyl) heptanol instead of 4- (p-bromophenyl) butanol. The compound (M) was obtained in the same manner as the compound (L).
＜化合物（Ｎ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて２−（ｐ−アミノフェニル）エタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて２−（ｐ−ブロモフェニル）エタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｌ）と同様にして、化合物（Ｎ）を得た。
<Compound (N)>
Except for using 2- (p-aminophenyl) ethanol instead of 4- (p-aminophenyl) butanol and using 2- (p-bromophenyl) ethanol instead of 4- (p-bromophenyl) butanol. The compound (N) was obtained in the same manner as the compound (L).
＜化合物（Ｏ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−ブロモフェニル）オクタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｌ）と同様にして、化合物（Ｏ）を得た。
<Compound (O)>
Except for using 8- (p-aminophenyl) octanol in place of 4- (p-aminophenyl) butanol and using 8- (p-bromophenyl) octanol in place of 4- (p-bromophenyl) butanol. In the same manner as in the compound (L), a compound (O) was obtained.
＜化合物（Ｐ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｌ）と同様にして、化合物（Ｐ）を得た。
<Compound (P)>
Compound (P) was obtained in the same manner as Compound (L) except that 8- (p-aminophenyl) octanol was used instead of 4- (p-aminophenyl) butanol.
＜化合物（Ｑ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて１−（ｐ−アミノフェニル）メタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて１−（ｐ−ブロモフェニル）メタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｌ）と同様にして、化合物（Ｑ）を得た。
<Compound (Q)>
1- (p-aminophenyl) methanol was used instead of 4- (p-aminophenyl) butanol, and 1- (p-bromophenyl) methanol was used instead of 4- (p-bromophenyl) butanol. The compound (Q) was obtained in the same manner as the compound (L).
＜化合物（Ｒ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて５，５’−ジヨード−２,２’−ビ（３，４−ジオキシエチレンセレノフェン）を用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｒ）を得た。
<Compound (R)>
The above compound (A) except that 5,5′-diiodo-2,2′-bi (3,4-dioxyethyleneselenophene) was used in place of 2,5-bis (4-iodophenyl) -thiophene ) To give compound (R).
＜化合物（Ｓ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて５，５’’−ジヨード−２，２’：５’，２’’−ターセレノフェンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｓ）を得た。
<Compound (S)>
The above compound (A) except that 5,5 ″ -diiodo-2,2 ′: 5 ′, 2 ″ -terselenophene was used instead of 2,5-bis (4-iodophenyl) -thiophene In the same manner as above, compound (S) was obtained.
＜化合物（Ｔ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて５，５’’−ジヨード−３，３’：５’，３’’−ター（４−フェニル−１，２，４−トリアゾール）を用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｔ）を得た。
<Compound (T)>
5,5 ″ -diiodo-3,3 ′: 5 ′, 3 ″ -ter (4-phenyl-1,2,4-triazole) instead of 2,5-bis (4-iodophenyl) -thiophene Compound (T) was obtained in the same manner as Compound (A) except that was used.
＜化合物（Ｕ）＞
１−アミノ−４−メチルベンゼン１ｍｏｌを酢酸１５０ｍＬに溶解し、室温で無水酢酸を滴下後、撹拌した。反応終了後、析出した固体をろ過し、水洗後、乾燥した。
次に、その得られた物質０．３７ｍｏｌ、１−ブロモ−４−メチルベンゼン０．６６ｍｏｌ、炭酸カリウム１.１ｍｏｌ、銅粉、ヨウ素を混合し、２００℃で加熱した。放冷後、イソアミルアルコール１３０ｍＬ、純水５０ｍＬ、水酸化カリウム０.７３ｍｏｌを加え撹拌後、乾燥した。
<Compound (U)>
1 mol of 1-amino-4-methylbenzene was dissolved in 150 mL of acetic acid, and acetic anhydride was added dropwise at room temperature, followed by stirring. After completion of the reaction, the precipitated solid was filtered, washed with water and dried.
Next, 0.37 mol of the obtained substance, 0.66 mol of 1-bromo-4-methylbenzene, 1.1 mol of potassium carbonate, copper powder and iodine were mixed and heated at 200 ° C. After allowing to cool, 130 mL of isoamyl alcohol, 50 mL of pure water, and 0.73 mol of potassium hydroxide were added and the mixture was stirred and dried.
さらに、そこで得られた化合物１３０ｍｍｏｌ、２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェン６２ｍｍｏｌ、酢酸パラジウム１.３ｍｍｏｌ、ｔ−ブチルホスフィン５.２ｍｍｏｌ、ｔ−ブトキシナトリム２６０ｍｍｏｌ、キシレン７００ｍＬを混合して、１２０℃で撹拌した。
その後、放冷し、結晶化して化合物を得た。
そして、質量スペクトル（ＭＳ）法、1Ｈ−核磁気共鳴（1Ｈ−ＮＭＲ）スペクトル法、13Ｃ−核磁気共鳴（13Ｃ−ＮＭＲ）スペクトル法、およびフーリエ変換赤外吸収（ＦＴ−ＩＲ）スペクトル法により、得られた化合物が下記化合物（Ｕ）であることを確認した。
Further, 130 mmol of the compound obtained there, 62 mmol of 2,5-bis (4-iodophenyl) -thiophene, 1.3 mmol of palladium acetate, 5.2 mmol of t-butylphosphine, 260 mmol of t-butoxynatrim, and 700 mL of xylene were mixed. , And stirred at 120 ° C.
Thereafter, the mixture was allowed to cool and crystallized to obtain a compound.
And mass spectrum (MS) method, 1 H-nuclear magnetic resonance ( 1 H-NMR) spectrum method, 13 C-nuclear magnetic resonance ( 13 C-NMR) spectrum method, and Fourier transform infrared absorption (FT-IR) It was confirmed by a spectral method that the obtained compound was the following compound (U).
＜化合物（Ｖ）＞
下記化合物（Ｖ）として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（バイエル社製、「バイトロンＰ」）を用意した。
<Compound (V)>
As the following compound (V), poly (3,4-ethylenedioxythiophene / styrene sulfonic acid) (manufactured by Bayer, “Vitron P”) was prepared.
＜化合物（Ｗ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて３，５−ジヨード−１，２，４−トリアゾールを用いた以外は、前記化合物（Ｕ）と同様にして、化合物（Ｗ）を得た。
<Compound (W)>
Compound (W) was prepared in the same manner as Compound (U) except that 3,5-diiodo-1,2,4-triazole was used instead of 2,5-bis (4-iodophenyl) -thiophene. Obtained.
２．有機ＥＬ素子の製造
以下の各実施例および各比較例において、有機ＥＬ素子を５個ずつ製造した。
（実施例１Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ａ）を用い、化合物（Ａ）と光カチオン重合開始剤（住友スリーエム社製、「ＦＣ−５０８」）とを重量比で９９：１の比率でジクロロエタンに溶解させて、正孔輸送材料（導電性材料用組成物）を得た。
［電子輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｊ）を用いた以外は、前記正孔輸送材料と同様にして、電子輸送材料（導電性材料用組成物）を得た。
2. Manufacture of an organic EL element Five organic EL elements were manufactured in each of the following Examples and Comparative Examples.
Example 1A
[Preparation of hole transport material]
Using compound (A) as a heteroarylamine derivative, compound (A) and a photocationic polymerization initiator (manufactured by Sumitomo 3M, "FC-508") are dissolved in dichloroethane at a weight ratio of 99: 1. Thus, a hole transport material (composition for conductive material) was obtained.
[Preparation of electron transport material]
An electron transport material (composition for conductive material) was obtained in the same manner as the hole transport material except that the compound (J) was used as the heteroarylamine derivative.
［有機ＥＬ素子の作製］
−１Ａ− まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板上に、真空蒸着法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
−２Ａ− 次に、ＩＴＯ電極上に、前記正孔輸送材料を、スピンコート法により塗布し乾燥した。
その後、水銀ランプ（ウシオ電機社製、「ＵＭ−４５２型式」）にフィルターを用いて、乾燥大気中で波長３６５ｎｍ、照射強度５００ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を１５秒間照射後、１１０℃で６０分間加熱することにより、化合物（Ａ）を重合反応させて、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
[Production of organic EL element]
-1A- First, an ITO electrode (anode) having an average thickness of 100 nm was formed on a transparent glass substrate having an average thickness of 0.5 mm by vacuum deposition.
-2A- Next, the hole transport material was applied onto the ITO electrode by a spin coating method and dried.
Then, using a filter for a mercury lamp (USHIO, “UM-452 model”), irradiated with ultraviolet rays having a wavelength of 365 nm and an irradiation intensity of 500 mW / cm 2 in a dry atmosphere for 15 seconds and then heated at 110 ° C. for 60 minutes Thus, the compound (A) was polymerized to form a hole transport layer having an average thickness of 50 nm.
−３Ａ− 次に、正孔輸送層上に、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）（重量平均分子量２０００００）の１．７ｗｔ％キシレン溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥して、平均厚さ５０ｎｍの発光層を形成した。
−４Ａ− 次に、前記正孔輸送材料に代えて前記電子輸送材料を用いた以外は、前記工程−２Ａ−と同様にすることにより、化合物（Ｊ）を重合反応させて、平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
−５Ａ− 次に、電子輸送層上に、真空蒸着法により、平均厚さ３００ｎｍのＡｌＬｉ電極（陰極）を形成した。
−６Ａ− 次に、形成した各層を覆うように、ポリカーボネート製の保護カバーを被せ、紫外線硬化性樹脂により固定、封止して、有機ＥＬ素子を完成した。
-3A- Next, on the hole transport layer, poly (9,9-dioctyl-2,7-divinylenefluorenyl-ortho-co (anthracene-9,10-diyl) (weight average molecular weight 200000) A 1.7 wt% xylene solution was applied by spin coating and then dried to form a light emitting layer having an average thickness of 50 nm.
-4A- Next, the compound (J) was subjected to a polymerization reaction in the same manner as in Step-2A- except that the electron transport material was used instead of the hole transport material, and the average thickness was 20 nm. The electron transport layer was formed.
-5A- Next, an AlLi electrode (cathode) having an average thickness of 300 nm was formed on the electron transport layer by vacuum deposition.
-6A- Next, a protective cover made of polycarbonate was placed so as to cover each formed layer, and fixed and sealed with an ultraviolet curable resin to complete an organic EL element.
（実施例２Ａ〜１５Ａ）
正孔輸送材料および電子輸送材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表１に示すものをそれぞれ用いた以外は、前記実施例１Ａと同様にして、正孔輸送材料および電子輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
(Examples 2A to 15A)
After preparing the hole transport material and the electron transport material in the same manner as in Example 1A, except that the heteroarylamine derivatives used in the hole transport material and the electron transport material are those shown in Table 1, respectively. An organic EL device was manufactured.
（比較例１Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
化合物（Ｕ）をキシレンに溶解させて、正孔輸送材料を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
前記工程−２Ａ−において、水銀ランプによる紫外線の照射と加熱処理とを省略して正孔輸送層を形成し、前記工程−４Ａ−において、化合物（Ｗ）を真空蒸着して電子輸送層を形成した以外は、前記実施例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。
(Comparative Example 1A)
[Preparation of hole transport material]
Compound (U) was dissolved in xylene to obtain a hole transport material.
[Production of organic EL element]
In the step-2A-, the hole transport layer is formed by omitting the ultraviolet ray irradiation and heat treatment by the mercury lamp, and in the step-4A-, the compound (W) is vacuum-deposited to form the electron transport layer. An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1A except that.
（比較例２Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
化合物（Ｖ）を水に分散させることにより、２．０ｗｔ％水分散液を調製して、正孔輸送材料を得た。
なお、化合物（Ｖ）としては、３，４−エチレンジオキシチオフェンとスチレンスルホン酸との比率が、重量比で１：２０のものを用いた。
［有機ＥＬ素子の作製］
正孔輸送材料として、前記正孔輸送材料を用いた以外は、前記比較例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。
(Comparative Example 2A)
[Preparation of hole transport material]
By dispersing the compound (V) in water, a 2.0 wt% aqueous dispersion was prepared to obtain a hole transport material.
In addition, as a compound (V), the thing of the ratio of 3, 4- ethylenedioxythiophene and styrenesulfonic acid 1:20 by weight ratio was used.
[Production of organic EL element]
An organic EL device was produced in the same manner as in Comparative Example 1A except that the hole transport material was used as the hole transport material.
（比較例３Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｕ）を用い、光架橋剤として２官能エポキシ化合物（ナガセケムテックス社製、「デナコール ＥＸ−２１２」）を用いて、化合物（Ｕ）とエポキシ化合物、光カチオン重合開始剤（住友スリーエム社製、「ＦＣ−５０８」）を重量比で５０：４９：１の比率でジクロロエタンに混合させて、正孔輸送材料を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
正孔輸送材料として、前記正孔輸送材料を用い、前記工程−４Ａ−において、化合物（Ｗ）を真空蒸着して電子輸送層を形成した以外は、前記実施例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。
（比較例４Ａ）
正孔輸送材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｈ）を用いた以外は、前記比較例３Ａと同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
(Comparative Example 3A)
[Preparation of hole transport material]
Using compound (U) as a heteroarylamine derivative and using a bifunctional epoxy compound (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, “Denacol EX-212”) as a photocrosslinking agent, compound (U), an epoxy compound, and initiation of photocationic polymerization The agent (Sumitomo 3M, “FC-508”) was mixed with dichloroethane in a weight ratio of 50: 49: 1 to obtain a hole transport material.
[Production of organic EL element]
As the hole transport material, the organic EL layer was formed in the same manner as in Example 1A except that the hole transport material was used, and the compound (W) was vacuum-deposited to form an electron transport layer in the step-4A-. A device was manufactured.
(Comparative Example 4A)
An organic EL device was manufactured after preparing a hole transport material in the same manner as in Comparative Example 3A, except that the compound (H) was used as the heteroarylamine derivative used for the hole transport material.
３．有機ＥＬ素子の評価
各実施例および各比較例の有機ＥＬ素子について、それぞれ、発光輝度（ｃｄ／ｍ２）、最大発光効率（ｌｍ／Ｗ）を測定すると共に、発光輝度が初期値の半分になる時間（半減期）を測定した。
また、各測定値は、いずれも、５個の有機ＥＬ素子の平均値を求めた。
3. Evaluation of organic EL elements For the organic EL elements of the examples and comparative examples, the light emission luminance (cd / m 2 ) and the maximum light emission efficiency (lm / W) were measured, respectively, and the light emission luminance was reduced to half of the initial value. The time (half-life) was measured.
Moreover, each measured value calculated | required the average value of five organic EL elements.
なお、発光輝度の測定は、ＩＴＯ電極とＡｌＬｉ電極との間に６Ｖの電圧を印加することで行った。
そして、比較例１Ａで測定された各測定値（発光輝度、最大発光効率、半減期）を基準値として、各実施例および各比較例で測定された各測定値を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。
The measurement of light emission luminance was performed by applying a voltage of 6 V between the ITO electrode and the AlLi electrode.
Then, each measurement value measured in each Example and each Comparative Example is set to the following four levels using each measurement value (luminescence brightness, maximum luminous efficiency, half-life) measured in Comparative Example 1A as a reference value. Evaluation was performed according to the criteria.
◎：比較例１Ａの測定値に対し、１．５０倍以上である
○：比較例１Ａの測定値に対し、１．２５倍以上、１．５０倍未満である
△：比較例１Ａの測定値に対し、１．００倍以上、１．２５倍未満である
×：比較例１Ａの測定値に対し、０．７５倍以上、１．００倍未満である
これらの評価結果を、それぞれ、以下の表１に示す。
A: The measurement value of Comparative Example 1A is 1.50 times or more. O: The measurement value of Comparative Example 1A is 1.25 times or more and less than 1.50 times. Δ: The measurement value of Comparative Example 1A. In contrast, 1.00 times or more and less than 1.25 times x: 0.75 times or more and less than 1.00 times the measured value of Comparative Example 1A. Table 1 shows.
表１に示すように、各実施例の有機ＥＬ素子（本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層と電子輸送層とを備える有機ＥＬ素子）は、いずれも、各比較例の有機ＥＬ素子と比較して、発光輝度、最大発光効率および半減期ともに、優れた結果が得られた。
これにより、本発明の有機ＥＬ素子は、主骨格同士の相互作用が好適に低減されていることが明らかとなった。また、正孔輸送層と発光層との相溶解が好適に防止されていることが明らかとなった。
As shown in Table 1, each of the organic EL elements of the respective examples (organic EL elements including a hole transport layer and an electron transport layer mainly composed of the conductive material of the present invention) is of each comparative example. Compared to the organic EL device, excellent results were obtained in terms of emission luminance, maximum emission efficiency, and half-life.
Thereby, it became clear that the interaction between main skeletons was suitably reduced in the organic EL element of the present invention. Moreover, it became clear that the phase dissolution of the hole transport layer and the light emitting layer was suitably prevented.
また、置換基Ｘを適宜選択することにより、各実施例において、主骨格の離間距離が適切な大きさに保たれているものほど、優れた発光輝度の向上、最大発光効率の向上および半減期の延長を示す結果が得られた。
さらに、正孔輸送層および電子輸送層を構成する導電性材料をそれぞれ適宜選択すること、すなわち、化合物（１）の基Ｙを適宜選択することにより、各実施例において、正孔輸送層と電子輸送層との組み合わせが適切なものほど、優れた発光輝度の向上、最大発光効率の向上および半減期の延長を示す結果が得られた。
Further, by appropriately selecting the substituent X, in each example, the more the main skeleton separation distance is kept at an appropriate size, the better the emission luminance, the maximum emission efficiency, and the half-life A result indicating an extension of was obtained.
Furthermore, in each Example, by appropriately selecting the conductive materials constituting the hole transport layer and the electron transport layer, that is, by appropriately selecting the group Y of the compound (1). The more appropriate the combination with the transport layer, the better the emission luminance, the maximum emission efficiency, and the half-life.
４．有機ＴＦＴの製造
以下の各実施例および各比較例において、有機ＴＦＴを５個ずつ製造した。
（実施例１Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｌ）を用いた以外は、前記実施例１Ａの正孔輸送材料と同様にして、有機半導体材料（導電性材料用組成物）を得た。
4). Production of Organic TFT Five organic TFTs were produced in each of the following Examples and Comparative Examples.
(Example 1B)
[Preparation of organic semiconductor materials]
An organic semiconductor material (composition for conductive material) was obtained in the same manner as the hole transport material of Example 1A except that the compound (L) was used as the heteroarylamine derivative.
［有機ＴＦＴの製造］
−１Ｂ− まず、平均厚さ１ｍｍのガラス基板を用意し、水（洗浄液）を用いて洗浄した。
次に、ガラス基板上に、スピンコート法によってフォトレジストを塗布した後、プレベーク処理を行うことによって被膜を形成した。
次に、この被膜に対して、フォトマスクを介して紫外線を照射（露光）した後に、現像を行った。これにより、ソース電極およびドレイン電極を形成する領域に開口部を有するレジスト層を形成した。
[Manufacture of organic TFT]
-1B- First, a glass substrate having an average thickness of 1 mm was prepared and washed with water (cleaning liquid).
Next, a photoresist was applied on a glass substrate by a spin coating method, and then a pre-baking process was performed to form a film.
Next, the coating film was developed after being irradiated (exposed) with ultraviolet rays through a photomask. Thus, a resist layer having an opening in a region where the source electrode and the drain electrode are formed was formed.
−２Ｂ− 次に、この開口部内に、金コロイド水溶液を、インクジェット法により供給した。その後、金コロイド水溶液が供給されたガラス基板を加熱乾燥して、ソース電極およびドレイン電極を得た。
−３Ｂ− 次に、レジスト層を、酸素プラズマ処理によって除去した後、ソース電極およびドレイン電極が形成されたガラス基板を、水およびメタノールで順次洗浄した。
-2B- Next, a gold colloid aqueous solution was supplied into the opening by an ink jet method. Thereafter, the glass substrate supplied with the aqueous gold colloid solution was dried by heating to obtain a source electrode and a drain electrode.
-3B- Next, after the resist layer was removed by oxygen plasma treatment, the glass substrate on which the source electrode and the drain electrode were formed was sequentially washed with water and methanol.
−４Ｂ− 次に、前記正孔輸送材料に代えて前記有機半導体材料を用いた以外は、前記工程−２Ａ−と同様にすることにより、化合物（Ｌ）を重合反応させて、平均厚さ５０ｎｍの有機半導体層を形成した。
−５Ｂ− 次に、有機半導体層上に、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）の酢酸ブチル溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥させることにより、平均厚さ５００ｎｍのゲート絶縁層を形成した。
−６Ｂ− 次に、ゲート絶縁層上の、ソース電極とドレイン電極との間の領域に対応する部分に、ポリエチレンジオキシチオフェンの水分散液を、インクジェット法により塗布した後乾燥した。これにより、平均厚さ１００ｎｍのゲート電極を形成した。
以上の工程により、有機ＴＦＴを製造した。
-4B- Next, an average thickness of 50 nm was obtained by polymerizing the compound (L) in the same manner as in Step-2A-, except that the organic semiconductor material was used instead of the hole transport material. An organic semiconductor layer was formed.
-5B- Next, a butyl acetate solution of polymethyl methacrylate (PMMA) was applied on the organic semiconductor layer by a spin coating method, and then dried to form a gate insulating layer having an average thickness of 500 nm.
-6B- Next, an aqueous dispersion of polyethylene dioxythiophene was applied to the region corresponding to the region between the source electrode and the drain electrode on the gate insulating layer by an ink jet method and then dried. Thereby, a gate electrode having an average thickness of 100 nm was formed.
The organic TFT was manufactured by the above process.
（実施例２Ｂ〜９Ｂ）
有機半導体材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表２に示すものを用いた以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
(Examples 2B-9B)
An organic TFT was manufactured after preparing an organic semiconductor material in the same manner as in Example 1B except that the heteroarylamine derivatives used in the organic semiconductor material were those shown in Table 2.
（比較例１Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
化合物（Ｕ）をキシレンに溶解させて、有機半導体材料を得た。
［有機ＴＦＴの作製］
前記工程−４Ｂ−において、水銀ランプによる紫外線の照射と加熱処理とを省略した以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機ＴＦＴを製造した。
(Comparative Example 1B)
[Preparation of organic semiconductor materials]
Compound (U) was dissolved in xylene to obtain an organic semiconductor material.
[Production of organic TFT]
An organic TFT was produced in the same manner as in Example 1B, except that in the step 4B-, the irradiation of ultraviolet rays with a mercury lamp and the heat treatment were omitted.
（比較例２Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｕ）を用い、光架橋剤として２官能エポキシ化合物（ナガセケムテックス社製、「デナコール ＥＸ−２１２」）を用いて、化合物（Ｕ）とエポキシ化合物、光カチオン重合開始剤（住友スリーエム社製、「ＦＣ−５０８」）を重量比で５０：４９：１の比率でジクロロエタンに混合させて、有機半導体材料を得た。
［有機ＴＦＴの作製］
有機半導体材料として、前記有機半導体材料を用いた以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機ＴＦＴを製造した。
(Comparative Example 2B)
[Preparation of organic semiconductor materials]
Using compound (U) as a heteroarylamine derivative and using a bifunctional epoxy compound (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, “Denacol EX-212”) as a photocrosslinking agent, compound (U), an epoxy compound, and initiation of photocationic polymerization An organic semiconductor material was obtained by mixing an agent (Sumitomo 3M, “FC-508”) in a weight ratio of 50: 49: 1 with dichloroethane.
[Production of organic TFT]
An organic TFT was manufactured in the same manner as in Example 1B except that the organic semiconductor material was used as the organic semiconductor material.
（比較例３Ｂ）
有機半導体材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｑ）を用いた以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
(Comparative Example 3B)
An organic TFT was manufactured after preparing an organic semiconductor material in the same manner as in Example 1B except that the compound (Q) was used as the heteroarylamine derivative used for the organic semiconductor material.
５．有機ＴＦＴの評価
各実施例および各比較例で製造した有機ＴＦＴについて、それぞれ、ＯＦＦ電流、ＯＮ電流の値を測定した。
ここで、ＯＦＦ電流とは、ゲート電圧を印加しないときに、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の値のことであり、ＯＮ電流とは、ゲート電圧を印加したときに、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の値のことである。
5. Evaluation of Organic TFT The values of OFF current and ON current were measured for the organic TFTs produced in each Example and each Comparative Example.
Here, the OFF current is a value of a current that flows between the source electrode and the drain electrode when no gate voltage is applied, and the ON current is the value of the source electrode when the gate voltage is applied. It is the value of the current flowing between the drain electrode.
したがって、ＯＦＦ電流の絶対値と、ＯＮ電流の絶対値との比（ＯＮ／ＯＦＦ比）の値が大きいもの程、良好な特性を有する有機ＴＦＴであることを意味する。
ＯＦＦ電流は、ソース電極とドレイン電極との電位差を３０Ｖとして測定し、ＯＮ電流は、ソース電極とドレイン電極との電位差を３０Ｖとし、ゲート電圧の絶対値を４０Ｖとして測定した。
そして、各実施例および各比較例で測定されたＯＮ／ＯＦＦ比の値を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。
Therefore, the larger the ratio of the absolute value of the OFF current and the absolute value of the ON current (ON / OFF ratio), the more the organic TFT has better characteristics.
The OFF current was measured with the potential difference between the source electrode and the drain electrode as 30 V, and the ON current was measured with the potential difference between the source electrode and the drain electrode as 30 V and the absolute value of the gate voltage as 40 V.
And the value of ON / OFF ratio measured by each Example and each comparative example was evaluated in accordance with the following four steps, respectively.
◎：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０４以上である
○：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０３以上、１０４未満である
△：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０２以上、１０３未満である
×：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０２未満である
これらの評価結果を、それぞれ、以下の表２に示す。
A: ON / OFF ratio value is 10 4 or more B: ON / OFF ratio value is 10 3 or more, less than 10 4 Δ: ON / OFF ratio value is 10 2 or more, 10 3 × less than: the value of the oN / OFF ratio is less than 10 2 these evaluation results, respectively, shown in Table 2 below.
表２に示すように、各実施例の有機ＴＦＴは、いずれも、各比較例の有機ＴＦＴと比較して、ＯＮ／ＯＦＦ比の値が大きく、特性に優れた結果が得られた。
これにより、主骨格同士の相互作用が好適に低減されていることが明らかとなった。また、有機半導体層とゲート絶縁層との相溶解が好適に防止されていることが明らかとなった。
また、置換基Ｘを適宜選択することにより、各実施例において、主骨格の離間距離が適切な大きさに保たれているものほど、ＯＮ／ＯＦＦ比の値が大きく、良好な特性を示す結果が得られた。
As shown in Table 2, each of the organic TFTs of each example had a large ON / OFF ratio value and excellent characteristics as compared with the organic TFT of each comparative example.
Thereby, it became clear that the interaction between the main skeletons was suitably reduced. Moreover, it became clear that the phase dissolution of the organic semiconductor layer and the gate insulating layer was suitably prevented.
In addition, by appropriately selecting the substituent X, in each example, as the main skeleton separation distance is maintained at an appropriate size, the value of the ON / OFF ratio is larger and the result shows better characteristics. was gotten.
１……有機ＥＬ素子 ２……基板 ３……陽極 ４……有機ＥＬ層 ４１……正孔輸送層 ４２……発光層 ４３……電子輸送層 ５……陰極 ６……保護層 １０‥‥有機薄膜トランジスタ ２０‥‥基板 ３０‥‥ソース電極 ４０‥‥ドレイン電極 ５０‥‥有機半導体層 ５１０‥‥チャネル領域 ６０‥‥ゲート絶縁層 ７０‥‥ゲート電極 ８０‥‥レジスト層 ８０’‥‥被膜 ８２０‥‥開口部 ９０‥‥液状材料 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００‥‥ディジタルスチルカメラ １３０２‥‥ケース（ボディー） １３０４‥‥受光ユニット １３０６‥‥シャッタボタン １３０８‥‥回路基板 １３１２‥‥ビデオ信号出力端子 １３１４‥‥データ通信用の入出力端子 １４３０‥‥テレビモニタ １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
DESCRIPTION OF
Claims (29)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005295970A JP2007106780A (en) | 2005-10-11 | 2005-10-11 | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic equipment |
| PCT/JP2006/320519 WO2007043675A1 (en) | 2005-10-11 | 2006-10-10 | Composition for conductive materials, conductive material, conductive layer, electronic device, and electronic equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005295970A JP2007106780A (en) | 2005-10-11 | 2005-10-11 | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007106780A true JP2007106780A (en) | 2007-04-26 |
Family
ID=38032908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005295970A Withdrawn JP2007106780A (en) | 2005-10-11 | 2005-10-11 | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2007106780A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011181928A (en) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Xerox Corp | Charge transport particle and electronic device |
-
2005
- 2005-10-11 JP JP2005295970A patent/JP2007106780A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011181928A (en) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Xerox Corp | Charge transport particle and electronic device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006302556A (en) | Manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device, electronic device, and electronic apparatus | |
| JP4513599B2 (en) | Composition for conductive material, conductive material, hole transport layer, electronic device and electronic apparatus | |
| JP2006302927A (en) | Material for forming semiconductor layer, semiconductor element, formation method thereof, electronic device, and electronic equipment | |
| JP2007197587A (en) | Composition for electrically conductive material, electrically conductive material, electrically conductive layer, electronic device and electronic equipment | |
| JP4457946B2 (en) | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic apparatus | |
| JP4867169B2 (en) | Conductive polymer, conductive layer, electronic device and electronic equipment | |
| JP4466290B2 (en) | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic apparatus | |
| JP2006245178A (en) | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic apparatus | |
| JP4844030B2 (en) | Light emitting element and electronic device | |
| JP2006245261A (en) | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic apparatus | |
| JP4311336B2 (en) | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic apparatus | |
| JP4457947B2 (en) | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic apparatus | |
| JP2006199909A (en) | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device, and electronic equipment | |
| JP2007129118A (en) | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic equipment | |
| JP4311335B2 (en) | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic apparatus | |
| JP4506508B2 (en) | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic apparatus | |
| JP2006193706A (en) | Composition for electroconductive material, electroconductive material, electroconductive layer, electronic device and electronic instrument | |
| JP2007042914A (en) | Electronic device and electronic apparatus | |
| JP2006241267A (en) | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic equipment | |
| JP2006213904A (en) | Conductive material, composition for conductive material, conductive layer, electronic device and electronic apparatus | |
| JP2007106780A (en) | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic equipment | |
| JP4513602B2 (en) | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic apparatus | |
| JP2006193705A (en) | Composition for electroconductive material, electroconductive material, electroconductive layer, electronic device and electronic instrument | |
| JP2006241266A (en) | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic equipment | |
| JP2006237442A (en) | Composition for conductive material, conductive material, conductive layer, electronic device and electronic apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070405 |
|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090106 |