JP2007103511A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 波長290〜380nmの中近紫外線を含む光を発生する発光素子3と、発光素子3が発する光のうち少なくとも一部の光を、波長400〜760nmの可視光に変換する波長変換器4とを備え、波長変換器4は平均粒子径0.5〜70nmの蛍光体を含有しており、波長変換器4が変換した波長400〜760nmの可視光に加えて、発光素子3が発生する波長290〜380nmの中近紫外線を含む光を出力する発光装置を製造した。
【選択図】図1
Description
(1) 少なくとも波長290〜380nmの中近紫外線を含む光を発生する発光素子と、前記発光素子が発する光のうち少なくとも一部の光を、波長400〜760nmの可視光に変換する波長変換器とを備え、前記波長変換器は平均粒子径0.5〜70nmの蛍光体を含有しており、前記波長変換器が変換した波長400〜760nmの可視光に加えて、前記発光素子が発生する波長290〜380nmの中近紫外線を含む光を出力することを特徴とする発光装置。
(2) 前記発光装置から出力される光における波長400〜760nmの可視光と波長290〜380nmの中近紫外線との割合が、可視光85〜99%に対して中近紫外線1〜15%であることを特徴とする(1)に記載の発光装置。
(3) 前記波長変換器は、前記蛍光体を0.5〜20質量%含有していることを特徴とする(1)または(2)に記載の発光装置。
(4) 前記発光素子の発する励起光のピーク波長が380〜410nmであることを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載の発光装置。
(5) 前記波長変換器は透明な固体マトリクス中に前記蛍光体を分散させており、前記固体マトリクスは、ポリエチレン、ポリイソプロピレンおよびシリコーン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1つの樹脂からなることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載の発光装置。
電極1は、発光素子3を電気的に接続するための導電路としての機能を有し、導電性接合材で発光素子3と接続されている。電極1としては、例えば金属粉末を含むメタライズ層などを用いることができる。具体的には、W,Mo,Cu,Ag等の金属粉末のメタライズ層を用いることが好ましい。
図1の発光装置では、セラミック製の基板2を用いている。基板2としては、例えばアルミナ、窒素アルミニウム等のセラミック材料の他に、金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂などを用いてもよい。図1に示すように、基板2には凹部が設けられており、その凹部に発光素子3が設けられている。
発光素子3は、高い外部量子効率の点で、半導体材料からなる発光層を備えることが好ましい。このような半導体材料としては、少なくとも波長290〜380nmの中近紫外線を含む光を発する発光素子3を構成することができる半導体材料であれば、種類は特に限定されないが、例えばZnSeや窒化物半導体などの種々の半導体が挙げられる。
蛍光体としては、化合物半導体からなる蛍光体を用いることが好ましい。ここでいう化合物半導体は、特に限定されないが、例えば、周期律表第I−b族、第II族(ただし、Be、Hg、Raを除く)、第III族(ただし、Tl、Ac系列元素を除く)、第IV族(ただし、Pb、Hfを除く)、第V族(ただし、AsとPa系列を除く)、第VI族(ただし、Uを除く)に属する少なくとも2種類以上の元素からなる化合物が挙げられる。具体的には、BN、BP、BAs、AlN、AlP、AlSb、GaN、GaP、GaSb、InN、InP、InSb等のIII−V族化合物半導体、ZnO、ZnS等のII−VI族化合物半導体、CuInS2、CuGaS2、CuAlS2、Cu(In1-xAlx)S2(xは0≦x≦1で示される値)、CuInS2、Cu(In1-xGax)S2(xは0≦x≦1で示される値)などが好適に用いられる。
波長変換器4は、発光素子3から発せられる光の一部を吸収して、可視光(波長400〜760nm)に変換して出力する。本発明の発光装置は、図1に示す波長変換器4を図2のごとく発光素子を覆うように蛍光体ペーストを塗布して蛍光体層を設置した後、この上部に樹脂などの充填剤を充填し、さらにこの上に保護層を形成すること、あるいは図3に示すように蛍光体をインキ状にして基板2の凹部および発光素子部3に拭き付け塗布し、その上に樹脂コートすることも考えられるが、図1に示すように、透明な固体マトリクス42中に蛍光体41が分散されてなるコンポジットを波長変換器4とすることが好ましい。また、蛍光体の平均粒子径は0.5〜70nmであることが好ましい。以下、波長変換器4の例であるコンポジットについて、図1を用いて説明する。
図2の発光装置を以下に示す通りに作製した。
(蛍光体の作製)
ホットソープ法にて、セレン化カドミウム(CdSe)ナノ粒子を合成した。このとき、それぞれのCdSeナノ粒子の表面には、1〜2nmの硫化亜鉛膜をコートした。CdSeナノ粒子は、平均粒子径を変えて、下記に示す蛍光波長の異なるAからCの3種類の粒子を準備した。
CdSeナノ粒子A:平均粒子径、2.1nm;蛍光波長、520nm
CdSeナノ粒子B:平均粒子径、4.5nm;蛍光波長、630nm
CdSeナノ粒子C:平均粒子径、5.5nm;蛍光波長、700nm
CdSeナノ粒子の平均粒子径の測定は次のように行った。溶液に分散したCdSeナノ粒子の、粒子濃度が0.002〜0.02モル/リットルの範囲の粒子分散液を調整した。溶媒はIPAやトルエンを用いる。
次に、TEM観察用マイクログリッドをこの粒子分散液に浸して粒子を付着させ、常温でデシケーター中に静置して粒子分散液を乾燥させ、CdSeナノ粒子が表面に付着したTEM観察用マイクログリッドを作成して測定に供する。
倍率は500000倍から1000000倍で、粒子の格子縞が見えるように焦点を合わせ、得られたTEM像の拡大写真上で200個以上の粒子を試料として、粒子径を測定した。粒子径が大きくて粒子全体が視野に入らない場合は、格子縞が見える高倍率で1次粒子であることを確認ののち、粒子全体が視野に入る倍率でTEM像を観察し、格子像の直径を測定した。CdSeナノ粒子の粒子径は、JEOL製透過型電子顕微鏡(TEM)JEM2010Fにより、加速電圧200kVで観察した。
この際、写真撮影するCdSeナノ粒子は格子縞が見えている部分のみを対象としており、粒子表面に吸着している有機配位子などの有機物は格子像の直径に含めない。
測定した格子像の直径は、ヒストグラムを書いて統計的に計算することで、長さ平均直径を算出した。長さ平均直径の算出方法は、直径区に属する個数をカウントし、直径区の中心値と個数のそれぞれの積の和を、測定した粒子の個数の総数で割るという方法を用いた(平均粒子径の形状とその計算式、「セラミックの製造プロセス」p.11〜12、窯業協会編集委員会講座小委員会編)。このようにして計算した長さ平均直径をCdSeナノ粒子の平均粒子径として扱った。
なお、TEM観察で得られた像を透明な樹脂フィルムシートに写し取り、画像解析処理装置によって、粒子の平均粒子径を求める方法でも測定は可能であることを確認した。
CdSeナノ粒子A〜Cは、得られる波長変換器4総量に対してそれぞれ2.7質量%、2.2質量%、1.1質量%となるように縮合型のシリコーン樹脂に混合し、ドクターブレード法で成形した後、80℃で硬化させて、厚み2mmのコンポジットフィルムを形成した。
この時、コンポジット内部のCdSeナノ粒子の分散状態および粒子径はTEMにより確認した。
コンポジットを超薄切片法で100nm以下に薄片化した後、目安として30nm程度の部分を、TEM観察に供する。このとき、樹脂が柔らかすぎて薄片化が難しい場合は、液体窒素で凍結させて加工した後、TEM観察に供する。
CdSeナノ粒子の粒子径は、JEOL製透過型電子顕微鏡(TEM)JEM2010Fにより、加速電圧200kVで観察した。
CdSeナノ粒子の凝集の有無を再度500,000倍で確認した後、倍率を4,000,000倍としてCdSeナノ粒子の格子像の観察を行なった。
また、格子像の確認できたナノ蛍光体粒子200個を選び、各々のナノ蛍光体粒子の格子像の直径を測長した。測定した格子像の直径を、前記と同様にしてヒストグラムを書いて統計的に計算することで、長さ平均直径を算出し、これをCdSeナノ粒子の粒子径とみなした。
次に、これを直径2mmに打ち抜き、波長変換器4とした。その後、先に準備したセラミック(アルミナ)基板上に実装された発光素子3上に、この波長変換器4を配置して発光装置を作製した。発光素子3は、InGaN−GaNからなる発光波長395nm、サイズ0.35mm×0.35mmのチップとした。この発光装置が発する光の強度を、波長290〜760nmの範囲で測定したところ、波長290〜380nmの中近紫外線が7.8%、波長400〜760nmの可視光が92.2%の光を得ることができた。
蛍光体(CdSeナノ粒子A〜C)の混合比率を表1に示す比率とした以外は、上記実施例1と同様の方法にて発光装置を作製した。
2 基板
3 発光素子
4 波長変換器
5 保護層
41 蛍光体
42 固体マトリクス
45 内部層
Claims (5)
- 少なくとも波長290〜380nmの中近紫外線を含む光を発生する発光素子と、前記発光素子が発する光のうち少なくとも一部の光を波長400〜760nmの可視光に変換する波長変換器とを備え、
前記波長変換器は平均粒子径0.5〜70nmの蛍光体を含有しており、
前記波長変換器が変換した波長400〜760nmの可視光に加えて、前記発光素子が発生する波長290〜380nmの中近紫外線を含む光を出力することを特徴とする発光装置。 - 前記発光装置から出力される光における波長400〜760nmの可視光と波長290〜380nmの中近紫外線との割合が、可視光85〜99%に対して中近紫外線1〜15%であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記波長変換器は、前記蛍光体を0.5〜20質量%含有していることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記発光素子の発する励起光のピーク波長が380〜410nmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の発光装置。
- 前記波長変換器は透明な固体マトリクス中に前記蛍光体を分散させており、
前記固体マトリクスは、ポリエチレン、ポリイソプロピレンおよびシリコーン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1つの樹脂からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の発光装置。
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