JP2007096189A - プラズマcvd装置の管理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマCVD絶縁膜の加工性を均一化するとともに、薄膜トランジスタ特性(閾値など)への影響も均一し、薄膜トランジスタ特性(閾値など)を安定化させる。
【解決手段】各真空チャンバー1内の下部電極11上に配置された基板12上にシリコン窒化膜17をプラズマCVDにより成膜する。各真空チャンバー1で成膜されたシリコン窒化膜17のエッチングレートを測定する。そして、それらのエッチングレートが所定範囲内(例えば、目標値の±10%以内)となるように、ヒーター13の加熱調整により、基板12の温度を調整する。
【選択図】 図1
【解決手段】各真空チャンバー1内の下部電極11上に配置された基板12上にシリコン窒化膜17をプラズマCVDにより成膜する。各真空チャンバー1で成膜されたシリコン窒化膜17のエッチングレートを測定する。そして、それらのエッチングレートが所定範囲内(例えば、目標値の±10%以内)となるように、ヒーター13の加熱調整により、基板12の温度を調整する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、複数のチャンバーを備えたプラズマCVD装置の管理方法に関する。
従来より、プラズマCVD装置は半導体装置や液晶表示装置のプラズマCVD絶縁膜の形成に広く用いられている。また、プラズマCVD工程の生産性を向上させるために、複数の真空チャンバーを備え、各真空チャンバーで同時にプラズマCVD絶縁膜を成膜することができるマルチチャンバー式のプラズマCVD装置が知られている。このマルチチャンバー式のプラズマCVD装置では、各真空チャンバーで形成されるプラズマCVD絶縁膜の膜質や膜の加工性の均一化を図る必要がある。そこで、従来は、プラズマCVD絶縁膜の成膜条件(各真空チャンバー内の反応ガスの流量、圧力、高周波電力、電極感距離)を各真空チャンバー間で統一するとともに、成膜時間の調整により、膜質の合わせ込みが行われていた。
特開2000−178749号公報
しかしながら、マルチチャンバー式のプラズマCVD装置では、各真空チャンバーの状態が多少異なることから、上述のような成膜条件の統一化等を図っても、成膜されたプラズマCVD絶縁膜の膜質や加工性にばらつきが生じていた。特に、液晶表示装置で用いられる層間絶縁膜を成膜する場合には、この層間絶縁膜の膜質による薄膜トランジスタ特性(閾値など)への影響にもばらつきが生じるという問題があった。
そこで、本発明のプラズマCVD装置の管理方法は、複数の真空チャンバーを備えたプラズマCVD装置の管理方法において、各真空チャンバー内に配置された基板上にシリコン窒化膜をプラズマCVDにより成膜し、各真空チャンバーで成膜されたシリコン窒化膜のエッチングレートを測定し、それらのエッチングレートが所定範囲内となるように前記基板の温度を調整することを特徴とするものである。
本発明のプラズマCVD装置の管理方法によれば、プラズマCVD絶縁膜の加工性が均一になるとともに、薄膜トランジスタ特性(閾値など)への影響も均一することができ、薄膜トランジスタ特性(閾値など)を安定化できるという効果を奏する。
次に、本発明のプラズマCVD装置の管理方法について図面を参照しながら説明する。図1はマルチチャンバー方式のプラズマCVD装置の平面図である。このプラズマCVD装置は4つの真空チャンバー1と1つの加熱チャンバー2を備えている。プラズマCVD絶縁膜が成膜される基板は、ロードロック機構3を通してプラズマCVD装置の内に搬入及び搬出が可能である。搬送ロボット4はロードロック機構3と各真空チャンバー1、加熱チャンバー2の間で基板の搬送を行っている。
図2は、1つの真空チャンバー1の断面構造図である。真空チャンバー1の底部に下部電極11が配置され、この下部電極11上にガラスや半導体等から成る基板12が載置される。下部電極11には下部電極11を介して基板12の温度調整を行うためのヒーター13が取り付けられている。下部電極11は接地されている。
また、下部電極11の上方に対向して上部電極14が配置されている。上部電極14にはガス供給管15が接続され、バルブBを開けられると反応ガスが、ガス供給管15から上部電極14の空間を通して、真空チャンバー1内に導入されるように構成されている。また、上部電極14には高周波電源16から高周波電圧が供給される。
このプラズマCVD装置の管理方法は、各真空チャンバー1内に配置された基板12上にシリコン窒化膜17をプラズマCVDにより成膜し、各真空チャンバー1で成膜されたシリコン窒化膜17のエッチングレートを測定し、それらのエッチングレートが所定範囲内(例えば、目標値の±10%以内)となるように、ヒーター13の加熱調整により、基板12の温度を調整するというものである。
具体的には、加熱チャンバー2で基板12を予めある程度加熱し、その後、その基板12を真空チャンバー1内の下部電極11上に載せる。そして、不図示の真空ポンプにより真空チャンバー1内の空気を排気して真空チャンバー1内を真空状態とする。そして、バルブBを開け、真空チャンバー1内にSiH4ガス、N2ガス及びNH3ガスを供給する。真空チャンバー1の上部電極14と下部電極11の容量がおよそ4000cc程度であれば、SiH4ガスの流量は、100sccm〜500sccm、N2ガスの流量は3000sccm〜6000sccm、NH3ガスの流量は500sccm〜2000sccmである。また、真空チャンバー1内の圧力は0.5Torr〜2Torrである。
そして、真空チャンバー1内に供給される上記ガスが安定した後、上部電極14に高周波電源16から500W〜2000Wの高周波電力を供給することでチャンバー1内にプラズマ放電を生じさせると、SiH4ガス、N2ガス、NH3ガスの化学反応が起こり、基板12上にシリコン窒化膜17が気相成長される。真空チャンバー1からシリコン窒化膜17が形成された基板12を搬送ロボット4を用いて取り出し、さらにロードロック機構3を用いて、プラズマCVD装置の外に排出する。
そして、基板12上にシリコン窒化膜17をフッ酸によってウエットエッチングし、そのエッチングレートを測定する。図3はシリコン窒化膜17のエッチングレートと基板12の温度の関係を示す図である。例えば、ある真空チャンバー1について、エッチングレートの目標値が1000Åであるとすると、そのエッチングレートを実現するための基板12の温度は360℃である。いま、エッチングレートの実測値が1200Åであったとすれば、基板12の温度を360℃まで上げればよい。このようにして、実測されたエッチングレートが目標値の±10%以内に収まるように、4つの真空チャンバー1のそれぞれについて、基板12の温度が調整される。
本発明によれば、シリコン窒化膜17のエッチングレートが各真空チャンバー1間で均一化されることにより、その膜質や加工性も均一化され、シリコン窒化膜17を液晶表示装置等の層間絶縁膜として用いる場合に、薄膜トランジスタ特性(閾値など)への影響も均一することができ、薄膜トランジスタ特性(閾値など)も安定化するという効果を奏する。また、シリコン窒化膜17のエッチングートをモニターして各真空チャンバー1の状態を調整した結果、シリコン酸化膜等の成膜を行う場合にも、それらの膜質や加工性も均一化されるという効果がある。
1 真空チャンバー 2 加熱チャンバー 3 ロードロック機構
4 搬送ロボット 11 下部電極 12 基板
13 ヒーター 14 上部電極 15 ガス供給管
16 高周波電源 17 シリコン窒化膜
4 搬送ロボット 11 下部電極 12 基板
13 ヒーター 14 上部電極 15 ガス供給管
16 高周波電源 17 シリコン窒化膜
Claims (3)
- 複数の真空チャンバーを備えたプラズマCVD装置の管理方法において、各真空チャンバー内に配置された基板上にシリコン窒化膜をプラズマCVDにより成膜し、各真空チャンバーで成膜されたシリコン窒化膜のエッチングレートを測定し、それらのエッチングレートが所定範囲内となるように前記基板の温度を調整することを特徴とするプラズマCVD装置の管理方法。
- 前記基板を載せる下部電極と、前記下部電極に取り付けられたヒーターとを備え、前記エッチングレートが所定範囲内となるように前記ヒーターの加熱調整を行うことを特徴とする請求項1に記載のプラズマCVD装置の管理方法。
- 前記エッチングレートはウエットエッチングによるエッチングレートであること特徴とする請求項1又は請求項2に記載のプラズマCVD装置の管理方法。
Priority Applications (1)
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JP2005286377A JP2007096189A (ja) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | プラズマcvd装置の管理方法 |
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Publications (1)
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Family
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Family Applications (1)
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KR20160038688A (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
CN112951694A (zh) * | 2019-11-26 | 2021-06-11 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置及其半导体晶圆的处理方法 |
CN113745082A (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-03 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置及其加热装置与工作方法 |
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2005
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KR101664153B1 (ko) * | 2014-09-30 | 2016-10-10 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
CN106033735A (zh) * | 2014-09-30 | 2016-10-19 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
CN112951694A (zh) * | 2019-11-26 | 2021-06-11 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置及其半导体晶圆的处理方法 |
CN112951694B (zh) * | 2019-11-26 | 2024-05-10 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置及其半导体晶圆的处理方法 |
CN113745082A (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-03 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置及其加热装置与工作方法 |
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