JP2007095780A - 半導体装置製造用治具と半導体装置製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 安定したダイシングと容易なピクアップを可能とする半導体装置製造用治具を提供する。
【解決手段】 この治具は、半導体ウエハを半導体チップに分割するための切断領域を支持する格子部１１と底部１３により、上部に搭載する半導体ウエハとの間に密閉したキャビティＣを形成できる。複数のキャビティＣは、格子部１１に設けられた連結孔１１ａで接続され、外枠部１２に設けられた吸排気口１２ａによって内部の空気を出し入れすることができる。従って、半導体ウエハの裏面にバンプ等の凹凸があっても、これらの凹凸はキャビティＣ内に収まるので、半導体ウエハを治具に確実に固定することができる。また、切断後の半導体チップは、吸排気口１２ａを開けてキャビティ内部を常圧に戻すことにより、容易に取り出すことができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体装置製造用治具、特にダイシングの際に使用する治具と、これを用いた半導体装置製造方法に関するものである。

従来、集積回路が形成された半導体ウエハをダイシングによって個々の半導体チップに切断する工程は、次のような手順で行われていた。

まず、半導体ウエハの裏面全体にダイシングテープを張り付ける。なお、ダイシングテープは、表面に半導体ウエハを張り付けるための接着剤が予め塗布され、所定の厚さを有する樹脂製のテープである。

次に、裏面にダイシングテープが張り付けられた半導体ウエハの表面を上にして、ダイシング装置のウエハ載置台にセットし、この半導体ウエハを真空吸着して固定する。

更に、回転ブレードを用い、半導体ウエハの表面から所定の切断線（グリッドライン）に沿って個々の半導体チップに切断する。この時、切断する深さは、ダイシングテープの表面に達し、しかも、このダイシングテープを完全に切断しない程度に調整される。

その後、ピックアップヘッドを用い、ダイシングテープから個々の半導体チップを引き剥がして取り出す。

特開平５−３３５４０５号公報

上記特許文献１には、ウエハ載置台に複数の突起を設けることによって、ダイシングされた個々の半導体チップのピックアップを効率良く行うことを目的とした半導体装置製造装置が記載されている。

しかしながら、前記半導体チップの切断方法では、次のような問題があった。
即ち、完成した半導体ウエハの裏面に、配線基板等へ接続するためのバンプや配線が形成されている場合、この半導体ウエハの裏面とダイシングテープとの間に空間が発生しやすい。特に、半導体ウエハのグリッドライン部分がダイシングテープに密着していないと、切断時に半導体ウエハが移動したり、振動したりすることにより、クラックが生じるという問題がある。

一方、半導体ウエハとダイシングテープを密着させると、バンプ等がダイシングテープ中に埋め込まれるので、切断後の半導体チップのピックアップ時に剥がれに難くなる。そして、無理に半導体チップを剥がすことにより、損傷を与えてしまうという問題があった。このように、ダイシング時とピックアップ時の問題点に対し、ダイシングテープに対する要求は相反し、対策が立て難かった。

本発明は、安定したダイシングと容易なピクアップを可能とする半導体装置製造用治具を提供することを目的としている。

本発明の半導体装置製造用治具は、半導体ウエハに形成された複数の集積回路を複数の半導体チップに分割する切断領域を支持するために格子状に形成された格子部と、前記半導体ウエハの外周部を支持するために前記格子部を囲むように形成された外枠部と、前記格子部で囲まれた複数の領域の下側を塞ぎ、該格子部及び前記外枠部の上側に搭載される前記半導体ウエハとの間に密閉したキャビティを形成するための底部とを備えたことを特徴としている。

本発明の治具は、半導体ウエハを複数の半導体チップに分割するための切断領域を支持する格子部と底部によって、この半導体ウエハとの間に密閉したキャビティが形成できるようになっている。従って、例えば、減圧された容器の中で治具に切断対象の半導体ウエハを位置合わせした後、この容器内部を常圧に戻すことによってこの半導体ウエハを治具に吸着固定したり、或いは、治具の外枠部に設けられた吸排気口からキャビティ内の空気を吸い出すことによってこの半導体ウエハを治具に吸着固定したりすることができる。これにより、半導体ウエハの裏面にバンプや配線等の凹凸があっても、これらの凹凸はキャビティ内に収まるので、半導体ウエハを治具に確実に固定することができる。また、切断後の半導体チップの取り出しの際には、治具の底部に穴を空けたり、外枠部に設けられた吸排気口を開けたりすることによりキャビティ内部を常圧に戻し、半導体チップを容易に取り出すことができる、という効果がある。

治具の格子部と外枠部の上側に、半導体ウエハとの密着性を高めると共に、この半導体ウエハを切断するときに格子部を保護するための所定の厚さを有する膜を設ける。これにより、半導体ウエハを切断するときに、格子部には傷が付かないので、保護用の膜を取り替えるだけで、本体部分を再利用することができる。

この発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、次の好ましい実施例の説明を添付図面と照らし合わせて読むと、より完全に明らかになるであろう。但し、図面は、もっぱら解説のためのものであって、この発明の範囲を限定するものではない。

図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例１を示すダイシング用治具の構成図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）中のＸ−Ｘ線に沿う部分の断面図、及び同図（ｃ）は同図（ａ）中のＹ部の拡大斜視図である。

このダイシング用治具１０は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、ダイシング対象の半導体ウエハのグリッドラインに対応して格子型に形成された格子部１１と、この格子部１１の周囲を取り囲み、かつ半導体ウエハよりも一回り大きく形成された外枠部１２と、これら格子部１１及び外枠部１２の下側を覆う底部１３で構成されている。

格子部１１と外枠部１２の表面は同一平面を構成するように、同じ高さに形成されている。また、格子部１１の側面には、これらの格子部１１、または格子部１１と外枠部１２で囲まれる空間（キャビティ）Ｃを結合するための連結孔１１ａが設けられている。更に、外枠部１２には、連結孔１１ａで結合されたキャビティ内の空気を排気したり、このキャビティ内に空気を注入したりするための吸排気口１２ａが設けられている。

なお、このダイシング用治具１０は、アルミニウムやステンレス鋼等の金属材料で構成されている。また、このダイシング用治具１０の直径や、格子部１１及び外枠部１２の寸法は、取り扱う半導体ウエハの寸法に対応し、キャビティＣの深さは、この半導体ウエハの裏面に形成されたバンプ等の高さに応じた寸法となっている。また、底部１３の厚さは、全体的な強度によって決定されるが、通常０．５ｍｍ程度あれば良い。

図２は、図１のダイシング用治具を用いた半導体ウエハの切断方法の説明図である。以下、この図２を参照しつつ、図１のダイシング用治具１０を用いた半導体ウエハＷのダイシング方法を説明する。

まず、図２（ａ）に示すように、ダイシング対象の半導体ウエハＷの裏面に形成されたバンプや配線部分等がダイシング用治具１０のキャビティＣに収まり、この半導体ウエハＷのグリッドラインがダイシング用治具１０の格子部１１上に位置するように、半導体ウエハＷをダイシング用治具１０上に位置合わせする。

次に、図２（ｂ）に示すように、ダイシング用治具１０の外枠部１２に設けられた吸排気口１２ａに真空ポンプ１を接続し、キャビティＣ内の空気を排出する。これにより、キャビティＣ内の気圧が低くなり、半導体ウエハＷはダイシング用治具１０の格子部１１と外枠部１２の表面に密着固定される。その後、吸排気口１２ａに栓１２ｂをしてキャビティＣ内を減圧状態に保持し、真空ポンプ１を外す。

更に、半導体ウエハＷが吸着されたダイシング用治具１０を、図示しないダイシング装置のウエハ載置台にセットする。そして、図２（ｃ）に示すように、回転ブレード２を用い、半導体ウエハＷの表面から所定のグリッドラインに沿って個々の半導体チップＣＰに切断する。この時、切断する深さは、半導体ウエハＷを完全に切断し、かつダイシング用治具１０の格子部１１の表面に達する程度に調整する。

その後、吸排気口１２ａの栓１２ｂを外し、キャビティＣの気圧を常圧に戻す。そして、図２（ｄ）に示すように、ピックアップヘッド３を用い、ダイシング用治具１０から個々の半導体チップＣＰを引き上げて取り出す。

以上のように、この実施例１のダイシング用治具１０は、ダイシング対象の半導体ウエハＷのグリッドラインに対応した格子部１１と、この格子部１１と底部１３で囲まれたキャビティＣを有している。このため、半導体ウエハＷに形成されたバンプや回路がダイシング用治具１０に当たって損傷するおそれがない。また、キャビティＣ内の気圧を減圧状態にすることで、半導体ウエハＷのグリッドラインを格子部１１に密着して固定することができる。これにより、安定したダイシングが可能になり、半導体チップＣＰのクラックが防止できる。更に、半導体チップＣＰのピックアップ時には、吸排気口１２ａの栓１２ｂを外してキャビティＣ内を常圧に戻すことにより、チップ剥がれや損傷を与えることなく、容易に取り出すことができるという利点がある。

図３は、本発明の実施例２を示すダイシング用治具の構成図であり、図１（ｂ）の断面に対応する断面を示している。

このダイシング用治具１０Ａは、図１のダイシング用治具１０の格子部１１と外枠部１２の上面、即ちダイシング対象の半導体ウエハＷの外周部とグリッドラインに対応する部分に、例えば、ポリシリコン、シリコンゴム等の弾力性のある樹脂１４を０．１ｍｍ程度の厚さに形成したものである。この樹脂１４は、塗布または予め成型した薄膜を張り付けて形成することができる。なお、格子部１１、外枠部１２、及び底部１３の構造は、図１と同様である。

このダイシング用治具１０Ａを用いた半導体ウエハＷの切断方法は、実施例１とほぼ同様である。即ち、まず、ダイシング対象の半導体ウエハＷをダイシング用治具１０Ａの樹脂１４上に位置合わせし、吸排気口１２ａに真空ポンプ１を接続してキャビティＣ内の空気を排出し、この半導体ウエハＷをダイシング用治具１０Ａに密着固定する。更に、吸排気口１２ａに栓１２ｂをしてキャビティＣ内を減圧状態に保持し、真空ポンプ１から外してダイシング装置のウエハ載置台にセットする。

そして、回転ブレード２を用いて半導体ウエハＷの表面から所定のグリッドラインに沿って個々の半導体チップＣＰに切断する。この時、切断する深さは、ダイシング用治具１０Ａの樹脂１４の表面に達するが、金属製の格子部１１には達しない程度に調整する。

その後、吸排気口１２ａの栓１２ｂを外してキャビティＣ内を常圧に戻し、ピックアップヘッド３を用いて、ダイシング用治具１０Ａから個々の半導体チップＣＰを引き上げて取り出す。

以上のように、この実施例２のダイシング用治具１０Ａは、金属製の治具１０の上に弾力性のある樹脂１４を形成しているので、実施例１と同様の利点に加えて、ダイシング時に金属部分に切り込みが入らないので、樹脂１４を除去して再形成することにより金属部分を再利用することができるという利点がある。更に、弾力性のある樹脂１４は金属面よりも密着性があるので、キャビティＣ内の真空度が低くても半導体ウエハＷとの固定力が得られる。従って、キャビティＣの減圧による半導体ウエハＷへの応力を小さくすることができるので、半導体ウエハＷの変形による損傷が抑制できるという利点がある。

図４は、本発明の実施例３を示すダイシング用治具の構成図であり、図１（ｂ）の断面に対応する断面を示している。

このダイシング用治具２０は、図１のダイシング用治具１０の材質を、金属材料からガラスやプラスチック等の紫外線を透過する材料に変更した格子部２１、外枠部２２及び底部２３を有すると共に、これらの格子部２１と外枠部２２の上面、即ちダイシング対象の半導体ウエハＷの外周部とグリッドラインに対応する部分に、紫外線によって硬化するＵＶ硬化樹脂２４を、０．１ｍｍ程度の厚さに形成したものである。このＵＶ硬化樹脂２４は、塗布または予め成型した薄膜を張り付けて形成することができる。なお、格子部２１、外枠部２２及び底部２３の構造は、図１と同様である。但し、底部２３の厚さは、その材料であるガラスやプラスチック等の強度にあわせて設定する必要がある。

このダイシング用治具２０を用いた半導体ウエハＷの切断方法は、実施例２とほぼ同様であり、まず、半導体ウエハＷをダイシング用治具２０のＵＶ硬化樹脂２４上に位置合わせし、吸排気口２２ａに真空ポンプ１を接続してキャビティＣ内の空気を排出して半導体ウエハＷをダイシング用治具２０に密着固定する。更に、吸排気口２２ａに栓２２ｂをしてキャビティＣ内を減圧状態に保持して真空ポンプ１を外し、ダイシング装置のウエハ載置台にセットする。

そして、回転ブレード２を用いて半導体ウエハＷの表面から所定のグリッドラインに沿って個々の半導体チップＣＰに切断する。この時、切断する深さは、ダイシング用治具２０のＵＶ硬化樹脂２４の表面に達するが、ガラス等で形成された格子部２１には達しない程度に調整する。

その後、ダイシング用治具２０の裏面から紫外線を照射してＵＶ硬化樹脂２４を硬化させ、半導体ウエハＷの裏面とこのＵＶ硬化樹脂２４の密着力を弱くする。そして、吸排気口２２ａの栓２２ｂを外してキャビティＣ内を常圧に戻し、ピックアップヘッド３を用いて、ダイシング用治具２０から個々の半導体チップＣＰを引き上げて取り出す。

以上のように、この実施例３のダイシング用治具２０は、ガラス等の紫外線を透過する材料で形成された治具の上にＵＶ硬化樹脂２４を設けているので、実施例１及び実施例２と同様の利点に加えて、ダイシング時に半導体ウエハＷとＵＶ硬化樹脂２４の密着力を更に強くすることができ、より安定したダイシングが可能になる。また、ピックアップ時に紫外線を照射することによって半導体ウエハＷとＵＶ硬化樹脂２４の密着力を弱めることができるので、個々の半導体チップＣＰを損傷せず容易にピクアップできるという利点がある。

図５（ａ），（ｂ）は、本発明の実施例４を示すダイシング用治具の構成図であり、同図（ａ）は平面図、及び同図（ｂ）は同図（ａ）中のＺ−Ｚ線に沿う部分の断面図である。

このダイシング用治具３０は、ダイシング対象の半導体ウエハＷのグリッドラインに対応して格子型に形成された格子部３１と、この格子部３１の周囲を取り囲み、かつ半導体ウエハＷよりも一回り大きく形成された外枠部３２と、これら格子部３１及び外枠部３２の下側を覆う底部３３で構成されている。

格子部３１と外枠部３２の表面は同一平面を構成するように、同じ高さに形成されている。また、これらの格子部３１、または格子部３１と外枠部３２、及び底部３３で囲まれる空間は、それぞれ独立したキャビティＣを形成している。即ち、実施例１〜３で採用されているキャビティＣ間を結合する連結孔や、キャビティＣ内の空気を出し入れするための吸排気口は、このダイシング用治具３０には設けられていない。

図６は、図５のダイシング用治具を用いた半導体ウエハの切断方法の説明図である。以下、この図６を参照しつつ、図５のダイシング用治具３０を用いた半導体ウエハＷのダイシング方法を説明する。

まず、図６（ａ）に示すように、真空ポンプ１によって減圧状態にされた密閉容器４の中で、ダイシング対象の半導体ウエハＷの裏面に形成されたバンプや配線部分等がダイシング用治具３０のキャビティＣに収まり、この半導体ウエハＷのグリッドラインがダイシング用治具３０の格子部３１上に位置するように、半導体ウエハＷをダイシング用治具３０上に位置合わせする。

その後、密閉容器４の空気弁５を開き、この密閉容器４内に気圧を常圧に戻す。これにより、ダイシング用治具３０のキャビティＣの内部が減圧状態になるので、半導体ウエハＷはダイシング用治具３０に吸着され、格子部３１及び外枠部３２との間で密着固定される。

次に、半導体ウエハＷが吸着されたダイシング用治具３０を、図示しないダイシング装置のウエハ載置台にセットする。そして、図６（ｂ）に示すように、回転ブレード２を用い、半導体ウエハＷの表面から所定のグリッドラインに沿って個々の半導体チップＣＰに切断する。この時、切断する深さは、半導体ウエハＷを完全に切断し、かつダイシング用治具３０の格子部３１の表面に達する程度に調整する。

更に、図６（ｃ）に示すように、個片化された複数の半導体チップＣＰが吸着されたダイシング用治具３０をダイスピックアップ装置にセットし、ピックアップヘッド３で半導体チップＣＰを固定する。そして、固定した半導体チップＣＰに対応するダイシング用治具３０のキャビティＣの底部３３を、ピン６で突き破る。これにより、キャビティＣ内の気圧は常圧に戻る。

その後、図６（ｄ）に示すように、ピックアップヘッド３によって、ダイシング用治具３０から半導体チップＣＰを引き上げて取り出す。

以上のように、この実施例４のダイシング用治具３０は、連結孔や吸排気口がないので、実施例１〜３のダイシング用治具に比べて構造が単純で作成が容易である。

また、実施例１等と同様に、ダイシング対象の半導体ウエハＷのグリッドラインに対応した格子部３１と、この格子部３１と底部３３で囲まれたキャビティＣを有している。このため、半導体ウエハＷに形成されたバンプや配線部分等がダイシング用治具３０に当たって損傷するおそれがない。また、キャビティＣ内の気圧を減圧状態にすることで、半導体ウエハＷのグリッドラインを格子部３１に密着して固定することができる。これにより、安定したダイシングが可能になり、半導体チップＣＰのクラックが防止できる。更に、半導体チップＣＰのピックアップ時には、底部３３を突き破ってキャビティＣ内を常圧に戻すことにより、チップ剥がれや損傷を与えることなく、容易に取り出すことができるという利点がある。

更に、ピックアップ時に、キャビティＣは実施例１〜３と異なり個別に常圧に戻すので、ダイシング用治具３０上に残っている半導体チップＣＰの位置ずれが発生しないという利点がある。

図７は、本発明の実施例５を示すダイシング用治具の構成図であり、図５（ｂ）の断面に対応する断面を示している。

このダイシング用治具４０は、図５のダイシング用治具３０の格子部３１と外枠部３２に対応する部分をアルミニウム等の金属材料で形成した枠部４１と、この枠部４１の底面に張り付けた透光性（可視光または赤外線を透過するもの）を有するダイシングテープ４２とで構成されている。

このダイシング用治具４０を用いた半導体ウエハＷの切断方法は、実施例４とほぼ同様である。即ち、まず、真空ポンプ１によって減圧状態にされた密閉容器４の中で、ダイシング対象の半導体ウエハＷの裏面に形成されたバンプや回路部分がダイシング用治具４０のキャビティＣに収まり、この半導体ウエハＷのグリッドラインがダイシング用治具４０の格子部上に位置するように、半導体ウエハＷをダイシング用治具４０上に位置合わせを行う。この位置合わせは、ダイシング用治具４０の下側、即ち、ダイシングテープ４２側から可視光または赤外線を使用するカメラを用いて行う。

その後、密閉容器４の空気弁５を開き、この密閉容器４内に気圧を常圧に戻す。これにより、ダイシング用治具４０のキャビティＣの内部が減圧状態になるので、半導体ウエハＷはダイシング用治具３４に吸着され、格子部及び外枠部との間で密着固定される。

次に、半導体ウエハＷが吸着されたダイシング用治具４０を、図示しないダイシング装置のウエハ載置台にセットする。そして、回転ブレード２を用い、半導体ウエハＷの表面から所定のグリッドラインに沿って個々の半導体チップＣＰに切断する。この時、切断する深さは、半導体ウエハＷを完全に切断し、かつダイシング用治具４０の格子部の表面に達する程度に調整する。

更に、個片化された複数の半導体チップＣＰが吸着されたダイシング用治具４０をダイスピックアップ装置にセットし、ピックアップヘッド３で半導体チップＣＰを固定する。そして、固定した半導体チップＣＰに対応するダイシング用治具４０のキャビティＣの底部のダイシングテープ４２を、ピン６で突き破る。これにより、キャビティＣ内の気圧は常圧に戻る。その後、ピックアップヘッド３によって、ダイシング用治具４０から半導体チップＣＰを引き上げて取り出す。

以上のように、この実施例５のダイシング用治具４０は、実施例４と同様の利点に加えて、底部が透光性のダイシングテープ４２で構成されているので、半導体ウエハＷの正確な位置合わせを行うことが可能になる。

これにより、実施例１〜４に比べて合わせずれマージンを小さくすることができるので、キャビティＣの寸法や、キャビティ間の寸法を小さくすることができ、合わせずれマージンのためにチップサイズを大きくする必要がなくなる。

また、高精度のロボットアームや特殊なカメラを必要とせずに、正確な位置合わせができるので、高価な製造設備が不要となる。

なお、本発明は、上記実施例に限定されず、種々の変形が可能である。この変形例としては、例えば、次のようなものがある。
（１） ダイシング対象の半導体ウエハは、裏面にバンプ等の凹凸があるものに限定されず、裏面が平坦なものでも同様に適用でき、同様の効果がある。
（２） ダイシングは、回転ブレードによる切断の他、レーザービームによる切断等も可能である。
（３） 実施例３のガラス等で構成したダイシング用治具２０の場合、実施例５と同様に、ダイシング用治具２０の下側からカメラを用いて、半導体ウエハの位置合わせを行うことができる。その場合、実施例５と同様に位置合わせマージンを小さくすることができ、チップサイズの小型化が可能になる。
（４） 実施例４のダイシング用治具３０の格子部３１と外枠部３２の表面に、実施例２と同様の弾力性のある樹脂を張り付けることができる。これにより、実施例２と同様に、半導体ウエハとの密着力を向上させることができる。
（５） 実施例４のダイシング用治具３０を、実施例３と同様の紫外線を透過する材料で構成すると共に、その格子部３１と外枠部３２の表面に、実施例３と同様のＵＶ硬化樹脂を張り付けることができる。これにより、実施例３と同様に、半導体ウエハとの密着力を向上させることができる。
（６） 実施例５のダイシング用治具４０の枠部４１の表面に、実施例２と同様の弾力性のある樹脂、または実施例３と同様のＵＶ硬化樹脂を張り付けることができる。これにより、実施例２，３と同様に、半導体ウエハとの密着力を向上させると共に、枠部４１の再利用が可能になる。
（７） 実施例５のダイシング用治具４０は金属製の枠部４１を使用しているが、この枠部４１の材質は金属に限定されない。例えば、ポリイミド等の膜で構成しても良い。ポリイミド膜の場合、感光性ポリイミド膜をダイシングテープ４２上に塗布し、その後、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術によってパターニングして、格子部と外枠部を有する枠型の膜を形成する。

本発明の実施例１を示すダイシング用治具の構成図である。 図１のダイシング治具を用いた半導体ウエハの切断方法の説明図である。 本発明の実施例２を示すダイシング用治具の構成図である。 本発明の実施例３を示すダイシング用治具の構成図である。 本発明の実施例４を示すダイシング用治具の構成図である。 図５のダイシング治具を用いた半導体ウエハの切断方法の説明図である。 本発明の実施例５を示すダイシング用治具の構成図である。

符号の説明

１ 真空ポンプ
２ 回転ブレード
３ ピックアップヘッド
４ 密閉容器
６ ピン
１０，１０Ａ，２０，３０，４０ ダイシング用治具
１１，２１，３１ 格子部
１１ａ 連結孔
１２，２２，３２ 外枠部
１２ａ 吸排気口
１２ｂ 栓
１３，２３，３３ 底部
１４ 樹脂
２４ ＵＶ硬化樹脂
４１ 枠部
４２ ダイシングテープ
Ｃ キャビティ
ＣＰ 半導体チップ
Ｗ 半導体ウエハ

Claims (10)

1. 半導体ウエハに形成された複数の集積回路を複数の半導体チップに分割する切断領域を支持するために格子状に形成された格子部と、
   前記半導体ウエハの外周部を支持するために前記格子部を囲むように形成された外枠部と、
   前記格子部で囲まれた複数の領域の下側を塞ぎ、該格子部及び前記外枠部の上側に搭載される前記半導体ウエハとの間に密閉したキャビティを形成するための底部とを、
   備えたことを特徴とする半導体装置製造用治具。
2. 前記格子部に前記キャビティ同士を連結する連結孔を設けると共に、前記外枠部に前記キャビティ内の空気を出し入れするための吸排気口を設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置製造用治具。
3. 前記半導体装置製造用治具は、透光性を有する材料で形成したことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置製造用治具。
4. 前記底部を透光性を有する材料で形成したことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置製造用治具。
5. 前記格子部と前記外枠部の上側に、前記半導体ウエハとの密着性を高めると共に、該半導体ウエハを切断するときに該格子部を保護するための所定の厚さを有する膜を設けたことを特徴とする請求項１、２、３または４記載の半導体装置製造用治具。
6. 前記底部を紫外線を透過する材料で形成すると共に、前記膜を紫外線照射によって硬化する材料で形成したことを特徴とする請求項５記載の半導体装置製造用治具。
7. 減圧された容器の中で、半導体ウエハの切断領域を支持する格子部と該格子部を囲むように形成された外枠部と該格子部で囲まれた複数の領域の下側を塞ぐことによって上側に搭載される半導体ウエハとの間に密閉したキャビティを形成する底部とを備えた半導体装置製造用治具の上側に、ダイシングの対象となる半導体ウエハを搭載する搭載工程と、
   前記容器の内部の気圧を常圧に戻すことにより、前記キャビティ内の減圧された気圧によって前記導体ウエハを前記半導体装置製造用治具に密着させる密着工程と、
   前記半導体ウエハの切断領域を切断して複数の半導体チップに分割する切断工程と、
   前記半導体装置製造用治具の底部に穴を開けることによって対応する前記キャビティ内の気圧を常圧に戻し、前記半導体チップを取り出す取出工程とを、
   有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 半導体ウエハの切断領域を支持する格子部と該格子部を囲むように形成された外枠部と該格子部で囲まれた複数の領域の下側を塞ぐことによって上側に搭載される半導体ウエハとの間に密閉したキャビティを形成する底部とを備え、該格子部に該キャビティ同士を連結する連結孔が設けられると共に、該外枠部には該キャビティ内の空気を出し入れするための吸排気口が設けられた半導体装置製造用治具の上側に、ダイシングの対象となる半導体ウエハを搭載する搭載工程と、
   前記半導体装置製造用治具の前記吸排気口から前記キャビティ内の空気を引き抜いて該キャビティ内部を減圧状態にすることにより、前記半導体ウエハを該半導体装置製造用治具に密着させる密着工程と、
   前記半導体ウエハの切断領域を切断して複数の半導体チップに分割する切断工程と、
   前記半導体装置製造用治具の前記吸排気口から前記キャビティ内に空気を入れて該キャビティ内部を常圧に戻し、前記半導体チップを取り出す取出工程とを、
   有することを特徴とする半導体装置製造方法。
9. 前記半導体装置製造用治具の格子部、外枠部及び底部の内、少なくとも底部は透光性材料で構成され、前記搭載工程において、該半導体装置製造用治具の裏側から前記半導体ウエハを監視しながら該半導体ウエハの搭載位置の位置合わせを行うことを特徴とする請求項７または８記載の半導体装置製造方法。
10. 前記半導体装置製造用治具の格子部、外枠部及び底部の内、少なくとも底部は透光性材料で構成され、前記搭載工程において、該格子部及び外枠部の上に紫外線照射によって硬化する樹脂を介して前記半導体ウエハ搭載し、前記取出工程において、該半導体装置製造用治具の底面から紫外線を照射して該樹脂を硬化させた後で、前記キャビティ内部を常圧に戻して前記半導体チップを取り出すことを特徴とする請求項７、８または９記載の半導体装置製造方法。

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