JP2007095441A - Organic electroluminescent panel - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL panel composed by preventing or delaying reduction of a luminescent area due to impairing light emission from an edge of a luminescent area, in a bottom emission type organic EL element. <P>SOLUTION: This bottom emission type organic electroluminescent panel is characterized in that an end of a reflecting electrode formation surface is present outside an end of the luminescent area, in a part not less than 90% on a circumferential line showing the end of the luminescent area. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、平面光源やディスプレイ等に用いられるボトムエミッション型有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）パネルに関する。   The present invention relates to a bottom emission type organic electroluminescence (EL) panel used for a flat light source, a display and the like.

近年、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子が広く開発されている。有機ＥＬ素子は少なくとも１層以上の有機層（発光層を含む）が電極薄膜で挟まれた薄膜素子であり、有機層を様々の有機低分子化合物や高分子化合物の蛍光体の中から（適当なものを）選択し形成することで、赤から青までの発光色が得られ、各種表示への応用が試みられている。   In recent years, organic electroluminescence (EL) elements have been widely developed. An organic EL element is a thin film element in which at least one organic layer (including a light emitting layer) is sandwiched between electrode thin films, and the organic layer is selected from various organic low molecular compound and high molecular compound phosphors (appropriate By selecting and forming a light source, emission colors from red to blue can be obtained, and application to various displays has been attempted.

ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子は、ガラスなどの透明基板上に、下部電極として、例えばＩＴＯ膜などの透明導電膜をパターニングし、この陽極上に発光層を含む有機層、更に反射電極として陰極が積層された構成であり基板側から発光を取り出す構成となっている。   A bottom emission type organic EL device has a transparent conductive film such as an ITO film patterned on a transparent substrate such as glass as a lower electrode, an organic layer including a light emitting layer on the anode, and a cathode as a reflective electrode. It is a laminated structure, and the light emission is extracted from the substrate side.

図１は単純マトリクス型のボトムエミッションタイプの有機ＥＬ素子の例を示す図である。単純マトリクス型においては、ガラス基板１上にストライプ状にＩＴＯ膜をパターニングし透明電極（陽極）２を形成し、更に有機層３を設けた後、透明電極パターンと直交する形で、例えばアルミニウム等により反射電極（陰極）４をやはりストライプ状に設け形成される（有機層は全面を覆って形成されているので図１（ａ）では省略されている。）。   FIG. 1 is a diagram showing an example of a simple matrix bottom emission type organic EL element. In the simple matrix type, a transparent electrode (anode) 2 is formed by patterning an ITO film in a stripe shape on a glass substrate 1, and an organic layer 3 is further provided, and then in a form orthogonal to the transparent electrode pattern, such as aluminum. Thus, the reflective electrode (cathode) 4 is also provided and formed in a stripe shape (the organic layer is omitted in FIG. 1A because it is formed so as to cover the entire surface).

これらの素子においては、陽極と陰極との重なり部分が発光エリアとなるが、点灯、即ち通電を長時間続けると、発光エリアの反射電極（陰極）のエッジ部分から発光しなくなる現象があり発光面積が縮小してゆくことが判った（図１（ａ）および（ｂ）において５がその領域を示す）。これは反射電極が外側（大気側）にあることと関係すると思われる。   In these elements, the overlapping area between the anode and the cathode is the light emitting area. However, when lighting, that is, energization is continued for a long time, there is a phenomenon that light is not emitted from the edge portion of the reflective electrode (cathode) in the light emitting area. (5 in FIG. 1 (a) and (b) indicates the region). This seems to be related to the fact that the reflective electrode is on the outside (atmosphere side).

本発明は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子において電極の配置を工夫し前記の発光面積の縮小を防止或いは、低減するものである。   The present invention intends to prevent or reduce the reduction of the light emitting area by devising the arrangement of electrodes in a bottom emission type organic EL element.

尚、アルミニウム等の仕事関数４．８ｅＶ以下の金属からなる薄膜を、本発明に似たかたちでＩＴＯ電極周囲に配置した、ボトムエミッション型のセグメント発光有機ＥＬ素子の例は知られているが（例えば特許文献１参照）、本発明とは、目的において異なるものである。
特開２０００−３５７５８９号公報 An example of a bottom emission type segment light emitting organic EL element in which a thin film made of a metal having a work function of 4.8 eV or less such as aluminum is arranged around the ITO electrode in a manner similar to the present invention is known ( For example, refer to Patent Document 1), which differs from the present invention in terms of purpose.
JP 2000-357589 A

従って、本発明の目的は、ボトムエミッション型有機ＥＬ素子において、発光エリアのエッジから発光が損なわれ発光面積が縮小することを防止乃至遅らせた有機ＥＬパネルを提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an organic EL panel in which bottom emission type organic EL elements prevent or delay the emission of light from the edge of the light emitting area and reducing the light emitting area.

本発明の上記課題は以下の手段により達成されるものである。   The above object of the present invention is achieved by the following means.

１．発光エリアの端部を示す外周線上の９０％以上の部分において、発光エリアの端部より外側に反射電極形成面の端部が存在することを特徴とするボトムエミッション型有機エレクトロルミネッセンスパネル。   1. A bottom emission type organic electroluminescence panel, wherein an end portion of a reflective electrode forming surface is present outside an end portion of the light emitting area in a portion of 90% or more on an outer peripheral line indicating the end portion of the light emitting area.

２．白色発光することを特徴とする前記１記載のボトムエミッション型有機エレクトロルミネッセンスパネル。   2. 2. The bottom emission type organic electroluminescence panel as described in 1 above, which emits white light.

本発明により、点灯を続けても、反射電極のエッジからおこる発光面積の縮小が少ないボトムエミッション型有機ＥＬパネルが得られる。   According to the present invention, it is possible to obtain a bottom emission type organic EL panel with little reduction in the light emitting area that occurs from the edge of the reflective electrode even if lighting is continued.

以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described in detail.

本発明は、発光エリアの端部を示す外周線上の９０％以上の部分において、発光エリアの端部より外側に反射電極形成面の端部が存在するようにボトムエミッション型有機エレクトロルミネッセンスパネルを構成することからなる。   In the present invention, the bottom emission type organic electroluminescence panel is configured such that the end portion of the reflective electrode forming surface exists outside the end portion of the light emitting area in 90% or more of the outer peripheral line indicating the end portion of the light emitting area. Made up of.

図１で示される単純マトリクス駆動タイプの有機ＥＬ素子においては、それぞれ直交した陽極と陰極の重なり部分が発光する。ガラス基板上に透明電極（陽極例えばＩＴＯ）／有機層／反射電極（陰極例えばアルミニウム）と順次積層されたボトムエミッション型発光素子の場合、発光エリアのうち、反射電極のエッジによって決まる部分からの発光面積の減少が劣化の大きな部分である。つまり点灯を継続すると、反射電極幅よりも発光面積が細ってくる現象が起こる。一方、透明電極幅方向の発光面積の細りはない。これは、その部分は反射電極膜によってカバーされているために、その部分には外部からの水分或いは酸素等のガスの浸入が防止されているためと考えられる。即ち、電極間に挟持された発光層を含む有機層中には電流が流れているが、この様な状態において外部から水分或いは酸素等が浸入すると、有機層中の有機化合物の変化或いは変質により発光機能が低下或いは破壊されると考えられる。   In the simple matrix driving type organic EL element shown in FIG. 1, the overlapping portions of the anode and the cathode which are orthogonal to each other emit light. In the case of a bottom emission type light emitting device in which a transparent electrode (anode, for example, ITO) / organic layer / reflecting electrode (for example, aluminum) is sequentially laminated on a glass substrate, light emission from the portion determined by the edge of the reflecting electrode in the light emitting area The decrease in area is a large part of deterioration. That is, when lighting is continued, a phenomenon occurs in which the light emission area becomes narrower than the width of the reflective electrode. On the other hand, there is no thinning of the light emission area in the transparent electrode width direction. This is presumably because the portion is covered with the reflective electrode film, so that the entry of gas such as moisture or oxygen from the outside is prevented. That is, an electric current flows in the organic layer including the light emitting layer sandwiched between the electrodes. However, when moisture or oxygen enters from outside in such a state, the organic compound in the organic layer is changed or altered. It is considered that the light emitting function is reduced or destroyed.

従って、本発明は、発光面積はなるべく透明電極（例えばＩＴＯ）のパターンで決定し、反射電極（例えばアルミニウムによる陰極）はそれより大きなパターンで形成することによって、水分が浸入する部分をなくすものである。   Therefore, in the present invention, the light emitting area is determined as much as possible by the pattern of the transparent electrode (for example, ITO), and the reflective electrode (for example, the cathode made of aluminum) is formed in a larger pattern, thereby eliminating the portion where moisture enters. is there.

従って、ＩＴＯ等基板上に形成される透明電極取出部分はなるべく小さくし、外部と接する発光エリアのエッジの長さをなるべく短くする。   Therefore, the transparent electrode extraction part formed on the substrate such as ITO is made as small as possible, and the length of the edge of the light emitting area in contact with the outside is made as short as possible.

即ち、基板上にＩＴＯ等、透明電極層／有機層／反射電極が順次形成されたボトムエミッション型有機ＥＬパネルにおいて、発光面積はなるべく透明電極であるＩＴＯで決定し、反射陰極はそれより大きなパターンで形成することによって、水分が浸入する部分をなくすというものである。ＩＴＯ等の電極取出し部分はなるべく小さくし、外部と接する発光エリアのエッジ長はなるべく短くする。   That is, in a bottom emission type organic EL panel in which a transparent electrode layer / organic layer / reflective electrode such as ITO is sequentially formed on a substrate, the light emitting area is determined by ITO as a transparent electrode as much as possible, and the reflective cathode has a larger pattern. By forming the film, the portion where moisture enters is eliminated. The electrode extraction part such as ITO is made as small as possible, and the edge length of the light emitting area in contact with the outside is made as short as possible.

以上、図１に示した単純マトリクス駆動タイプの有機ＥＬパネルを例にとって発光面積の減少を示したが、本発明の上記考え方は、単純マトリクス駆動タイプのみでなく、セグメント発光型のパネル、例えば白色光源として用いる有機ＥＬパネル、またアクティブマトリクス方式の駆動による有機ＥＬパネルの各画素に等においても適用可能である
前記特許文献１には、ボトムエミッション型有機ＥＬ素子において、ＩＴＯ透明電極よりも外側の領域に、仕事関数４．８ｅＶ以下の金属薄膜（例えば、アルミニウム薄膜）を有するセグメントの表示の有機ＥＬ素子が開示されているが、ここでは金属膜を反射電極として用いておらず、ホールの注入を抑える作用を利用し絶縁膜の代わりに発光エリア周囲に用いるセグメント表示の有機ＥＬパネルに関するものであり本発明とは目的が異なっている。 As described above, the light emission area has been reduced by taking the simple matrix driving type organic EL panel shown in FIG. 1 as an example. However, the above-mentioned concept of the present invention is not limited to the simple matrix driving type but also a segment light emitting type panel, for example, white It can also be applied to each pixel of an organic EL panel used as a light source, or an organic EL panel driven by an active matrix method. In Patent Document 1, a bottom emission type organic EL element is arranged outside an ITO transparent electrode. An organic EL element for displaying a segment having a metal thin film (for example, an aluminum thin film) having a work function of 4.8 eV or less in the region is disclosed. However, here, the metal film is not used as a reflective electrode, and holes are injected. Segment display organic EL panel used around the light emitting area instead of insulating film. The object is different from the present invention.

本発明では、一部引出電極として用いるが、透明電極を発光エリアの決定に用い、反射電極の面積を透明電極よりも大きくして反射電極により素子を封止するところが重要である。   In the present invention, a part of the electrode is used as an extraction electrode. However, it is important that the transparent electrode is used for determining the light emitting area, the area of the reflective electrode is made larger than the transparent electrode, and the element is sealed with the reflective electrode.

以下、セグメント発光型の有機ＥＬパネルを例にとって、図を用いて本発明を詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings, taking a segment light emission type organic EL panel as an example.

図２に、本発明に係わる有機ＥＬパネルの電極構造を示す。   FIG. 2 shows an electrode structure of an organic EL panel according to the present invention.

図２（ａ）は、基板（例えばガラス）１上に例えばＩＴＯ薄膜からなる透明電極２、さらに発光層等を含む有機層３、そして、仕事関数４．８ｅＶ以下の金属、例えばアルミニウム等の金属薄膜からなる陰極が反射電極４として順次形成されたボトムエミッション型有機ＥＬパネルの一例を示す。   FIG. 2A shows a transparent electrode 2 made of, for example, an ITO thin film on a substrate (for example, glass) 1, an organic layer 3 including a light emitting layer, and a metal having a work function of 4.8 eV or less, such as a metal such as aluminum. An example of a bottom emission type organic EL panel in which a thin film cathode is sequentially formed as a reflective electrode 4 is shown.

発光エリアは、透明電極（陽極）と、反射電極（陰極）との重なり合った部分である。   The light emitting area is an overlapping portion of the transparent electrode (anode) and the reflective electrode (cathode).

図２（ａ）は、本発明に係わる有機ＥＬパネルの電極構造を陰極形成面側から見た図であり、図２（ｂ）は同じものを発光面（基板側或いは透明電極側）からみたものである。
尚、図２（ｃ）は、図２（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、また図２（ｄ）は、Ｂ−Ｂ断面図である。 2A is a view of the electrode structure of the organic EL panel according to the present invention as seen from the cathode forming surface side, and FIG. 2B is the same as seen from the light emitting surface (substrate side or transparent electrode side). Is.
2C is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 2A, and FIG. 2D is a cross-sectional view taken along the line BB.

図２においては、透明電極の引き出し部２′を除き、透明電極２の端部よりも、有機層３の端部、そして反射電極４の外側端部と順に大きくなっており（図２（ｃ）Ａ−Ａ断面図にこれを示した。）、反射電極４は有機層３を覆うように、また有機層３も透明電極２を覆うように形成されている。   In FIG. 2, except for the transparent electrode lead portion 2 ′, the end of the organic layer 3 and the outer end of the reflective electrode 4 are sequentially larger than the end of the transparent electrode 2 (FIG. 2 (c This is shown in the AA sectional view.) The reflective electrode 4 is formed so as to cover the organic layer 3, and the organic layer 3 is also formed so as to cover the transparent electrode 2.

但し、各電極には取出部が必要であるため、最も面積の小さい透明電極２を反射電極４よりも外側に引き出す取出部２′が形成されており、その端部は有機層よりも外側の部分で基板上に露出している。因みに４′は反射電極の取り出し部である。   However, since each electrode requires an extraction portion, an extraction portion 2 ′ is formed to draw out the transparent electrode 2 having the smallest area to the outside of the reflection electrode 4, and its end portion is outside the organic layer. The part is exposed on the substrate. Incidentally, reference numeral 4 'denotes a reflection electrode take-out portion.

透明電極２と反射電極４は直接接し短絡しては発光素子として機能しないので、この透明電極取出部２′では、有機層３を反射電極４の外側の端部よりもさらに外側の領域まで形成する。即ち、基板端まで引き出された透明電極の取出部２′の上には反射電極４の外側端部よりも有機層３の端部がより外側に形成されており、反射電極と透明電極が短絡しないよう配置される。   Since the transparent electrode 2 and the reflective electrode 4 are in direct contact with each other and short-circuited, they do not function as a light emitting element. Therefore, in the transparent electrode extraction portion 2 ′, the organic layer 3 is formed to a region further outside the outer end of the reflective electrode 4. To do. That is, the end portion of the organic layer 3 is formed more outward than the outer end portion of the reflective electrode 4 on the extraction portion 2 ′ of the transparent electrode drawn out to the substrate end, and the reflective electrode and the transparent electrode are short-circuited. Arranged not to.

図２（ｄ）は、透明電極２の取出部、反射電極４の取出部を含む本発明に係わるパネルのＢ−Ｂ断面図である。   FIG. 2D is a cross-sectional view taken along the line B-B of the panel according to the present invention including the extraction portion of the transparent electrode 2 and the extraction portion of the reflective electrode 4.

発光エリアは、図２において透明電極（陽極）と、反射電極（陰極）との重なり合った部分（図２（ｅ）において塗りつぶした領域）であるが、本発明においては、発光エリアの端部を示す外周線上の９０％以上の部分において、反射電極形成面の端部が発光エリア端部より外側に存在するボトムエミッション型有機ＥＬパネルであり、例えば、図の例では、発光エリア全体の周囲長に対し、透明電極引出部における反射電極端部（発光エリア端）の長さを１０％未満とすればよい。   The light emitting area is an overlapped portion of the transparent electrode (anode) and the reflective electrode (cathode) in FIG. 2 (the area filled in in FIG. 2E). In the portion of 90% or more on the outer peripheral line shown, the end of the reflective electrode forming surface is a bottom emission type organic EL panel existing outside the end of the light emitting area. For example, in the example of the figure, the peripheral length of the entire light emitting area On the other hand, the length of the reflective electrode end (light emitting area end) in the transparent electrode lead-out portion may be less than 10%.

また、好ましくは、発光エリアの端部を示す外周線上の９５％以上の部分において、発光エリアの端部より外側に陰極形成面の端部が存在することが好ましい。   In addition, it is preferable that the end portion of the cathode forming surface exists outside the end portion of the light emitting area in a portion of 95% or more on the outer peripheral line indicating the end portion of the light emitting area.

発光エリアの端部を示す外周線上の１００％の部分において、発光エリアの端部より外側に反射電極（陰極）の端部が存在することが、前記の発光面積の低下防止するという観点では一番好ましく、透明電極引出部の面積が小さい（細い）ほどよいが、ＩＴＯ膜の比抵抗（ＩＴＯ膜は金属薄膜よりは比抵抗値が高い）等から膜厚を厚くしないと、引出部の抵抗値が低くならないため、実技上は９９．５％以下である。また、９０％より小さくなると、発光エリアの周囲長の１０％を超える部分において発光面積の低下が起こり、発光の低下が視認される様になる。   From the viewpoint of preventing the reduction of the light emitting area, the fact that the edge of the reflective electrode (cathode) is present outside the edge of the light emitting area in 100% of the outer peripheral line indicating the edge of the light emitting area. Most preferably, the area of the transparent electrode lead-out portion is smaller (thin), but the resistance of the lead-out portion is better unless the film thickness is increased due to the specific resistance of the ITO film (ITO film has a higher specific resistance value than the metal thin film). Since the value does not decrease, practically it is 99.5% or less. On the other hand, if it is smaller than 90%, the light emission area is reduced at a portion exceeding 10% of the peripheral length of the light emission area, and the light emission reduction is visually recognized.

また、陰極が発光エリアを覆う部分での発光エリア端と陰極端のオーバーラップ幅は、１０μｍから２０ｍｍあればよく、好ましくは１００μｍから２ｍｍ程度である。   Further, the overlap width between the light emitting area edge and the cathode edge at the portion where the cathode covers the light emitting area may be 10 μm to 20 mm, preferably about 100 μm to 2 mm.

以上、発光エリア形状が方形のセグメント表示の有機ＥＬパネルを例にして本発明を説明したが本発明は発光エリアの形状には依存しない。   The present invention has been described above by taking the organic EL panel of a segment display having a square light emitting area shape as an example, but the present invention does not depend on the shape of the light emitting area.

以上のように、本発明のボトムエミッション型有機ＥＬパネルにおいては発光エリアは透明電極の形成されたエリアでほぼ決定されるため、本発明においては発光領域周囲の殆どにおいて発光面積低下が起こらない。透明電極取出部の一部においては発光の低下が起こるもののその領域は全体に比べ小さく発光全体への寄与も小さい。   As described above, in the bottom emission type organic EL panel according to the present invention, the light emitting area is almost determined by the area where the transparent electrode is formed. Therefore, in the present invention, the light emitting area does not decrease in most of the periphery of the light emitting area. Although a part of the transparent electrode extraction part causes a decrease in light emission, the area is smaller than the whole, and the contribution to the entire light emission is small.

本発明においては、反射電極は、有機層への水、また酸素等のガスの浸入を防ぐ封止層として作用しており、外気からこれらの浸入を防いでいる。これらの素子を、別に封止材（例えば封止缶や防湿性フィルム）を用い封止した場合でも、完全な封止を行なうことは実際上難しいため、全体に寿命は延びるものの本発明の効果は変わらない。   In the present invention, the reflective electrode functions as a sealing layer that prevents the entry of water or a gas such as oxygen into the organic layer, and prevents these penetration from the outside air. Even when these elements are separately sealed using a sealing material (for example, a sealing can or a moisture-proof film), it is practically difficult to perform complete sealing. Will not change.

図２においては、セグメント表示の有機ＥＬパネルを例にとり説明したが、本発明は、セグメント発光型のパネルに好適に適用でき、例えば例えば白色光源として用いる有機ＥＬパネルに有用である。しかしながらこれのみでなく、単純マトリクス駆動タイプの有機ＥＬパネル、またアクティブマトリクス方式の駆動による有機ＥＬ素子各画素に等においても好適に用いることができる。   In FIG. 2, the segment display organic EL panel has been described as an example. However, the present invention can be suitably applied to a segment light emission type panel, and is useful, for example, for an organic EL panel used as a white light source. However, not only this but also a simple matrix driving type organic EL panel, or an organic EL element driven by an active matrix system, can be suitably used for each pixel.

以下、本発明に係わる有機ＥＬパネルについて詳細に説明する。   Hereinafter, the organic EL panel according to the present invention will be described in detail.

〔有機ＥＬ素子〕
次に、本発明に係わる有機ＥＬパネルの構成層について詳細に説明する。
本発明のボトムエミッション型有機ＥＬパネルは、基板側から光を取り出すものであり、基板上に透明電極を例えば陽極として設け、反射電極である陰極との間に、以下のように有機層を順次形成し挟持して構成される。
（１）陽極（透明電極）／発光層／電子輸送層／陰極（反射電極）
（２）陽極（透明電極）／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極（反射電極）
（３）陽極（透明電極）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極（反射電極）
（４）陽極（透明電極）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極（反射電極）
（５）陽極（透明電極）／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極（反射電極）
（陽極）
有機ＥＬパネルにおける陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させる。フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子の場合、この陽極より発光を取り出すため、透過率を１０％より大奇異ものが好ましく、特に、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）が好ましい。膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。 [Organic EL device]
Next, the constituent layers of the organic EL panel according to the present invention will be described in detail.
The bottom emission type organic EL panel of the present invention takes out light from the substrate side. A transparent electrode is provided on the substrate as an anode, for example, and an organic layer is sequentially formed between the reflective electrode and the cathode as follows. Formed and sandwiched.
(1) Anode (transparent electrode) / light emitting layer / electron transport layer / cathode (reflecting electrode)
(2) Anode (transparent electrode) / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (reflecting electrode)
(3) Anode (transparent electrode) / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode (reflecting electrode)
(4) Anode (transparent electrode) / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (reflecting electrode)
(5) Anode (transparent electrode) / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (reflecting electrode)
(anode)
As the anode in the organic EL panel, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used. Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO ₂ and ZnO. Alternatively, an amorphous material such as IDIXO (In ₂ O ₃ —ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used. The anode forms a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. A pattern having a desired shape may be formed by photolithography, or when pattern accuracy is not so high (about 100 μm or more), the pattern is formed through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material. It may be formed. The sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. In the case of a bottom emission type organic EL element, in order to take out light emission from the anode, the transmittance is more than 10%, and indium tin oxide (ITO) is particularly preferable. Although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm.

（陰極）
一方、陰極（反射電極）としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質、例えば、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。 (cathode)
On the other hand, as the cathode (reflecting electrode), a metal having a small work function (4 eV or less) (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound and a mixture thereof are used as electrode materials such as electron injecting and oxidizing. From the standpoint of durability, a magnesium / silver mixture, a magnesium / aluminum mixture, a magnesium / indium mixture, an aluminum / aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) mixture, a lithium / aluminum mixture, aluminum and the like are preferable. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 to 200 nm.

通常陰極は反射電極として構成されるが、陰極に上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明においてあげられた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。   Usually, the cathode is configured as a reflective electrode. After the metal is formed on the cathode with a film thickness of 1 to 20 nm, the conductive transparent material mentioned in the description of the anode is formed thereon, so that it is transparent or semi-transparent. A transparent cathode can be manufactured, and by applying this, an element in which both the anode and the cathode are transmissive can be manufactured.

或いは、陽極を金の様な反射電極で構成し、陰極を半透明として、反対の層構成を有するボトムエミッション型有機ＥＬ素子とすることもできる。   Alternatively, a bottom emission type organic EL element having an opposite layer configuration in which the anode is formed of a reflective electrode such as gold and the cathode is translucent can be used.

次に、本発明の有機ＥＬ素子における有機層（注入層、阻止層、電子輸送層等）について説明する。   Next, the organic layers (injection layer, blocking layer, electron transport layer, etc.) in the organic EL device of the present invention will be described.

（注入層：電子注入層、正孔注入層）
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。 (Injection layer: electron injection layer, hole injection layer)
The injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, it exists between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. May be.

注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。   An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce drive voltage and improve light emission luminance. “Organic EL element and its forefront of industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).

陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。   The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, copper phthalocyanine is used. Examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.

陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。   The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer typified by lithium, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc. . The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm although it depends on the material.

（阻止層：正孔阻止層、電子阻止層）
阻止層は、上記の如く、有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。 (Blocking layer: hole blocking layer, electron blocking layer)
As described above, the blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258, 11-204359, and “Organic EL elements and their forefront of industrialization” (issued by NTT, Inc. on November 30, 1998). There is a hole blocking (hole blocking) layer.

正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。   The hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense, and is made of a hole blocking material that has a function of transporting electrons and has a remarkably small ability to transport holes. The probability of recombination of electrons and holes can be improved by blocking. Moreover, the structure of the electron carrying layer mentioned later can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed.

一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。   On the other hand, the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense, and is made of a material that has a function of transporting holes and has an extremely small ability to transport electrons, and transports electrons while transporting holes. By blocking, the recombination probability of electrons and holes can be improved. Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed.

（発光層）
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。 (Light emitting layer)
The light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.

本発明にかかわる有機ＥＬパネルの発光層には、以下に示すホスト化合物とドーパント化合物が含有されることが好ましい。これにより、より一層発光効率を高くすることができる。   The light emitting layer of the organic EL panel according to the present invention preferably contains the following host compound and dopant compound. Thereby, the luminous efficiency can be further increased.

発光ドーパントは、大きく分けて、蛍光を発光する蛍光性ドーパントとリン光を発光するリン光性ドーパントの２種類がある。   The light-emitting dopant is roughly classified into two types: a fluorescent dopant that emits fluorescence and a phosphorescent dopant that emits phosphorescence.

前者（蛍光性ドーパント）の代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。   Representative examples of the former (fluorescent dopant) include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, Examples include perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex phosphors.

後者（リン光性ドーパント）の代表例としては、好ましくは元素の周期表で８属、９属、１０属の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム化合物であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。具体的には以下の特許公報に記載されている化合物である。   Typical examples of the latter (phosphorescent dopant) are preferably complex compounds containing metals of Groups 8, 9, and 10 in the periodic table of elements, more preferably iridium compounds and osmium compounds. Of these, iridium compounds are most preferred. Specifically, it is a compound described in the following patent publications.

国際公開第００／７０６５５号パンフレット、特開２００２−２８０１７８号公報、同２００１−１８１６１６号公報、同２００２−２８０１７９号公報、同２００１−１８１６１７号公報、同２００２−２８０１８０号公報、同２００１−２４７８５９号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００１−３１３１７８号公報、同２００２−３０２６７１号公報、同２００１−３４５１８３号公報、同２００２−３２４６７９号公報、国際公開第０２／１５６４５号パンフレット、特開２００２−３３２２９１号公報、同２００２−５０４８４号公報、同２００２−３３２２９２号公報、同２００２−８３６８４号公報、特表２００２−５４０５７２号公報、特開２００２−１１７９７８号公報、同２００２−３３８５８８号公報、同２００２−１７０６８４号公報、同２００２−３５２９６０号公報、国際公開第０１／９３６４２号パンフレット、特開２００２−５０４８３号公報、同２００２−１００４７６号公報、同２００２−１７３６７４号公報、同２００２−３５９０８２号公報、同２００２−１７５８８４号公報、同２００２−３６３５５２号公報、同２００２−１８４５８２号公報、同２００３−７４６９号公報、特表２００２−５２５８０８号公報、特開２００３−７４７１号公報、特表２００２−５２５８３３号公報、特開２００３−３１３６６号公報、同２００２−２２６４９５号公報、同２００２−２３４８９４号公報、同２００２−２３５０７６号公報、同２００２−２４１７５１号公報、同２００１−３１９７７９号公報、同２００１−３１９７８０号公報、同２００２−６２８２４号公報、同２００２−１００４７４号公報、同２００２−２０３６７９号公報、同２００２−３４３５７２号公報、同２００２−２０３６７８号公報等。   International Publication No. 00/70655 pamphlet, JP 2002-280178 A, 2001-181616, 2002-280179, 2001-181617, 2002-280180, 2001-247859. Gazette, 2002-299060, 2001-313178, 2002-302671, 2001-345183, 2002-324679, WO 02/15645, JP 2002 No. 332291, No. 2002-50484, No. 2002-332292, No. 2002-83684, No. 2002-540572, No. 2002-117978, No. 2002-338588, 002-170684, 2002-352960, WO 01/93642, JP 2002-50483, 2002-1000047, 2002-173684, 2002-35982 No. 2002-175844, No. 2002-363552, No. 2002-184582, No. 2003-7469, No. 2002-525808, No. 2003-7471, No. 2002-525833. Publication No. 2003-31366 Publication No. 2002-226495 Publication No. 2002-234894 Publication No. 2002-2335076 Publication No. 2002-241751 Publication No. 2001-319779 Publication No. 2001-3197 0, JP same 2002-62824, JP same 2002-100474, JP same 2002-203679, JP same 2002-343572, JP same 2002-203678 Patent Publication.

その具体例の一部を下記に示す。   Some examples are shown below.

発光ドーパントは複数種の化合物を混合して用いてもよい。   The light emitting dopant may be used by mixing a plurality of kinds of compounds.

〈発光ホスト〉
発光ホスト（単にホストともいう）とは、２種以上の化合物で構成される発光層中にて混合比（質量）の最も多い化合物のことを意味し、それ以外の化合物については「ドーパント化合物（単に、ドーパントともいう）」という。例えば、発光層を化合物Ａ、化合物Ｂという２種で構成し、その混合比がＡ：Ｂ＝１０：９０であれば化合物Ａがドーパント化合物であり、化合物Ｂがホスト化合物である。さらに、発光層を化合物Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃの３種から構成し、その混合比がＡ：Ｂ：Ｃ＝５：１０：８５であれば、化合物Ａ、化合物Ｂがドーパント化合物であり、化合物Ｃがホスト化合物である。 <Light emitting host>
A light-emitting host (also simply referred to as a host) means a compound having the largest mixing ratio (mass) in a light-emitting layer composed of two or more compounds. For other compounds, “dopant compound ( Simply referred to as a dopant). " For example, if the light emitting layer is composed of two types of compound A and compound B and the mixing ratio is A: B = 10: 90, compound A is a dopant compound and compound B is a host compound. Furthermore, if a light emitting layer is comprised from 3 types of compound A, compound B, and compound C, and the mixing ratio is A: B: C = 5: 10: 85, compound A and compound B are dopant compounds, Compound C is a host compound.

本発明に用いられる発光ホストとしては、構造的には特に制限はないが、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、または、カルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体（ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも一つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。）等が挙げられる。   The light-emitting host used in the present invention is not particularly limited in terms of structure, but is typically a carbazole derivative, a triarylamine derivative, an aromatic borane derivative, a nitrogen-containing heterocyclic compound, a thiophene derivative, a furan derivative, an oligo Those having a basic skeleton such as an arylene compound, or a carboline derivative or diazacarbazole derivative (here, a diazacarbazole derivative is a nitrogen atom in which at least one carbon atom of the hydrocarbon ring constituting the carboline ring of the carboline derivative is a nitrogen atom) And the like.) And the like.

中でもカルボリン誘導体、ジアザカルバゾール誘導体等が好ましく用いられる。   Of these, carboline derivatives, diazacarbazole derivatives and the like are preferably used.

以下に、カルボリン誘導体、ジアザカルバゾール誘導体等の具体例を挙げるが、本発明
はこれらに限定されない。 Specific examples of carboline derivatives, diazacarbazole derivatives and the like are given below, but the present invention is not limited thereto.

また、本発明に用いられる発光ホストは低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもいい。   The light emitting host used in the present invention may be a low molecular compound, a high molecular compound having a repeating unit, or a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (evaporation polymerizable light emitting host). .

発光ホストとしては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。発光ホストの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が好適である。例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等。   As the light-emitting host, a compound having a hole transporting ability and an electron transporting ability and preventing a long wavelength of light emission and having a high Tg (glass transition temperature) is preferable. As specific examples of the light-emitting host, compounds described in the following documents are suitable. For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860 Gazette, 2002-334787 gazette, 2002-15871 gazette, 2002-334788 gazette, 2002-43056 gazette, 2002-334789 gazette, 2002-75645 gazette, 2002-338579 gazette. No. 2002-105445, No. 2002-343568, No. 2002-141173, No. 2002-352957, No. 2002-203683, No. 2002-363227, No. 2002-231453. No. 2003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-286061, No. 2002-280183, No. 2002-299060. 2002-302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837, and the like.

さらに公知のホスト化合物を複数種併用して用いてもよい。また、ドーパント化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。リン光性化合物の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、セグメント表示をさせることで、白色の照明、バックライトへの応用ができる。   Further, a plurality of known host compounds may be used in combination. Moreover, it becomes possible to mix different light emission by using multiple types of dopant compounds, and can thereby obtain arbitrary luminescent colors. White light emission is possible by adjusting the kind of phosphorescent compound and the amount of doping, and application to white illumination and backlight can be performed by displaying a segment.

本発明の有機ＥＬ素子の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。   The color emitted by the organic EL device of the present invention is shown in FIG. 4.16 on page 108 of “New Color Science Handbook” (edited by the Japan Society for Color Science, University of Tokyo Press, 1985). It is determined by the color when the result measured by Minolta Sensing Co., Ltd. is applied to the CIE chromaticity coordinates.

発光層は上記化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により成膜して形成することができる。発光層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。この発光層はこれらのリン光性化合物やホスト化合物が１種または２種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。   The light emitting layer can be formed by forming the above compound by a known thinning method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, or an ink jet method. Although the film thickness as a light emitting layer does not have a restriction | limiting in particular, Usually, 5 nm-5 micrometers, Preferably it is chosen in the range of 5-200 nm. This light emitting layer may have a single layer structure in which these phosphorescent compounds and host compounds are composed of one or more kinds, or may have a laminated structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

（正孔輸送層）
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。 (Hole transport layer)
The hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。   The hole transport material has any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole conductors, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.

正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。   The above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.

芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。   Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl-N, N'- Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4'-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, as well as two of those described in US Pat. No. 5,061,569 Having a condensed aromatic ring in the molecule, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-308 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 88 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.

さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used. In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.

正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。   The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. it can. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5-200 nm. The hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号、特開２０００−１９６１４０号、特開２００１−１０２１７５号、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。   Alternatively, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

（電子輸送層）
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。 (Electron transport layer)
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Conventionally, in the case of a single electron transport layer and a plurality of layers, an electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for an electron transport layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side is injected from the cathode. As long as it has a function of transferring electrons to the light-emitting layer, any material can be selected and used from among conventionally known compounds. For example, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives Thiopyrandioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives and the like. Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material. Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。   In addition, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum. Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), and the like, and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the electron transport material. In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material. In addition, the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as an electron transport material, and similarly to the hole injection layer and the hole transport layer, inorganic such as n-type-Si and n-type-SiC can be used. A semiconductor can also be used as an electron transport material.

電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。   The electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5-200 nm. The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号、特開２０００−１９６１４０号、特開２００１−１０２１７５号、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。   Further, an electron transport layer having a high n property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

（基板）
有機ＥＬパネルを構成する基板としては、例えば、ガラス、石英等の基板のほか、光透過性樹脂フィルムが挙げられる。樹脂フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。 (substrate)
As a board | substrate which comprises an organic electroluminescent panel, in addition to board | substrates, such as glass and quartz, a light transmissive resin film is mentioned, for example. Examples of the resin film include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polyetherimide, polyetheretherketone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, polycarbonate (PC), and cellulose triacetate. Examples thereof include films made of (TAC), cellulose acetate propionate (CAP) and the like.

樹脂フィルムの表面には、ガスバリア性の無機物（例えば、酸化珪素、酸化窒化珪素等）、もしくは有機物の皮膜またはそのハイブリッド皮膜が形成されていてもよく、水蒸気透過率が０．０１ｇ／ｍ²・ｄａｙ・ａｔｍ以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 On the surface of the resin film, a gas barrier inorganic substance (for example, silicon oxide, silicon oxynitride, etc.), an organic film or a hybrid film thereof may be formed, and the water vapor transmission rate is 0.01 g / m ^2. A high barrier film of day · atm or less is preferable.

（有機ＥＬ素子の作製方法）
有機ＥＬパネル作製は、上記の各構成層を基板上に順次形成させ行う。 (Method for producing organic EL element)
The organic EL panel is manufactured by sequentially forming the above constituent layers on a substrate.

例えば、先ずガラス等の基板上に陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング、プラズマＣＶＤ等の方法により形成させ陽極を作製する。   For example, an anode is first prepared by forming a thin film made of an anode material on a substrate such as glass by a method such as vapor deposition, sputtering, or plasma CVD so as to have a thickness of 1 μm or less, preferably 10 to 200 nm.

有機材料を有する有機層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層等）の形成には、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等が好ましい。また層毎に異なる成膜法を適用してもよい。成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１０^-6〜１０^-2Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚０．１ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。 For the formation of organic layers containing organic materials (hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, electron transport layer, electron injection layer, hole blocking layer, etc.), it is easy to obtain a homogeneous film and pinholes A vacuum vapor deposition method, a spin coating method, an ink jet method, a printing method, or the like is preferred. Different film formation methods may be applied for each layer. When a vapor deposition method is employed for film formation, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally a boat heating temperature of 50 to 450 ° C., a degree of vacuum of 10 ⁻⁶ to 10 ⁻² Pa, a vapor deposition rate of 0.01 to It is desirable to select appropriately within the range of 50 nm / second, substrate temperature −50 to 300 ° C., film thickness 0.1 nm to 5 μm, preferably 5 to 200 nm.

これら有機層形成後、更に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陰極を設ける。有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。   After the formation of these organic layers, a thin film made of a cathode material is further formed in a thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 to 200 nm, by a method such as vapor deposition or sputtering, and a cathode is provided. The organic EL element is preferably manufactured from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but may be taken out halfway and subjected to different film forming methods. At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere.

また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。   In addition, it is also possible to reverse the production order and produce the cathode, the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode in this order. When a DC voltage is applied to the multicolor display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. An alternating voltage may be applied. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.

（発明の実施の形態）
以下、本発明に係わる有機ＥＬ素子の作製について、好ましい実施態様を説明する。 (Embodiment of the Invention)
Hereinafter, a preferable embodiment will be described for production of the organic EL device according to the present invention.

有機ＥＬ素子の一例として、ガラス基板上に、透明電極（陽極）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／反射電極（陰極）からなる構成を有するセグメント表示の白色発光有機ＥＬパネルの作製を図３を用いて説明する。図において長さは全てｍｍで示した。   As an example of an organic EL element, a segment having a configuration comprising a transparent electrode (anode) / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / reflection electrode (cathode) on a glass substrate The production of the display white light-emitting organic EL panel will be described with reference to FIG. In the figure, all lengths are shown in mm.

まず、１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍ（厚み）のガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）を用いて、ＩＴＯ膜を、レジストを用い、フォトリソグラフィー法によりパターニングした。即ち、非導電性領域以外の部分をレジストでマスクした後、２５％塩酸水溶液に浸漬し非導電性領域部分（露出部分）のＩＴＯ膜を除去した。この後、１．５％水酸化ナトリウム水溶液に浸してレジストを除去し、さらに水洗と乾燥を行った。   First, using a 100 mm × 100 mm × 1.1 mm (thickness) glass substrate made of 100 nm of ITO (indium tin oxide) (NH45 manufactured by NH Techno Glass), an ITO film is formed using a resist, a photo Patterning was performed by a lithography method. That is, after masking portions other than the non-conductive region with a resist, it was immersed in a 25% hydrochloric acid aqueous solution to remove the ITO film in the non-conductive region portion (exposed portion). Thereafter, the resist was removed by dipping in a 1.5% aqueous sodium hydroxide solution, followed by washing with water and drying.

１００ｍｍ×１００ｍｍのガラス基板の中央に９０ｍｍ×９０ｍｍの表示部となる透明電極と基板端部までの電極引出部１０ｍｍ×１０ｍｍからなるＩＴＯからなる透明電極２のパターンを形成した（図の３（ａ））。   In the center of a 100 mm × 100 mm glass substrate, a transparent electrode 2 pattern made of ITO consisting of a transparent electrode serving as a display portion of 90 mm × 90 mm and an electrode lead-out portion 10 mm × 10 mm up to the end of the substrate was formed (3 (a in FIG. )).

次いで、透明電極パターンを形成したガラス基板の周囲をマスクで覆い、有機ＥＬ素子を構成する各有機層を透明電極および引出部を覆うよう真空蒸着により形成した（図３（ｂ）に有機層３のパターンを示す）。基板中央の透明電極を覆う９２ｍｍ×９２ｍｍの領域と透明電極引出部を覆う１２ｍｍ×４ｍｍの領域に有機層３が形成された。なお、透明電極引出部の基板端部には有機層を形成せず透明電極を露出させた（図３（ｂ））。   Next, the periphery of the glass substrate on which the transparent electrode pattern was formed was covered with a mask, and each organic layer constituting the organic EL element was formed by vacuum deposition so as to cover the transparent electrode and the extraction portion (the organic layer 3 in FIG. 3B). Shows the pattern). The organic layer 3 was formed in a 92 mm × 92 mm region covering the transparent electrode at the center of the substrate and a 12 mm × 4 mm region covering the transparent electrode lead portion. The transparent electrode was exposed without forming an organic layer at the substrate end of the transparent electrode lead-out portion (FIG. 3B).

なお、各有機層の形成は真空蒸着法を用いて以下のように行った。   In addition, formation of each organic layer was performed as follows using the vacuum evaporation method.

ＩＴＯ透明電極パターンの形成されたガラス基板をマスクで覆い、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、以下のように有機層を順次形成した。   The glass substrate on which the ITO transparent electrode pattern was formed was covered with a mask, fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, and organic layers were sequentially formed as follows.

先ず、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、ｍ−ＭＴＤＡＴＸＡの入ったタンタル製抵抗加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで透明支持基板に蒸着し４０ｎｍの正孔輸送層を設けた。 First, after reducing the vacuum chamber to 4 × 10 ⁻⁴ Pa, the tantalum resistance heating boat containing m-MTDATXA was energized and heated, and deposited on the transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 nm / sec. A hole transport layer was provided.

その後、以下に示すように、発光層Ａ、Ｂまた中間層１、２の各組成を用い、以下に示すような構成で発光層各層を積層形成した。   Thereafter, as shown below, each composition of the light-emitting layers A and B and the intermediate layers 1 and 2 was used to laminate each of the light-emitting layers in the following configuration.

各発光層は、それぞれホスト化合物、ドーパントを以下の割合となるようそれぞれタンタル製の抵抗加熱ボートに容れ、ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで記載された厚みに各発光層を蒸着し形成した。   Each light-emitting layer is filled with a resistance heating boat made of tantalum so that the host compound and the dopant are in the following proportions, heated by energizing the boat, and each light-emitting layer has a thickness described at a deposition rate of 0.1 nm / sec. Layers were deposited and formed.

発光層Ａ ＣＤＢＰ：Ｉｒ−１５（３％） ２５ｎｍ
中間層１ Ｌ−９８ ３ｎｍ
発光層Ｂ ＣＤＢＰ：Ｉｒ−１６（８％） １０ｎｍ
ここで各発光層において、ＣＤＢＰ：Ｉｒ−１５（３％） ２５ｎｍとあるのは、ホストであるＣＤＢＰに対しドーパントであるＩｒ−１５が３質量％含まれる２５ｎｍの蒸着膜であることを示す。 Light-emitting layer A CDBP: Ir-15 (3%) 25 nm
Intermediate layer 1 L-98 3nm
Light emitting layer B CDBP: Ir-16 (8%) 10 nm
Here, in each light emitting layer, CDBP: Ir-15 (3%) 25 nm indicates that the deposited film is 25 nm containing 3% by mass of Ir-15 as a dopant with respect to CDBP as a host.

次いで、その上に正孔阻止層としてＬ−９８を１０ｎｍ蒸着した。   Next, 10 nm of L-98 was deposited thereon as a hole blocking layer.

更にＡｌｑ₃の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔阻止層上に蒸着して膜厚３５ｎｍの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温で行った。 Further, a heating boat containing Alq ₃ was energized and heated, and deposited on the hole blocking layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide an electron transport layer having a thickness of 35 nm. The substrate temperature during vapor deposition was room temperature.

引き続き陰極バッファー層（電子注入層）としてフッ化リチウム０．５ｎｍを蒸着し、た。   Subsequently, 0.5 nm of lithium fluoride was deposited as a cathode buffer layer (electron injection layer).

次いで、同じ真空蒸着装置を用いて、やはりマスクを用いることで、図３（ｃ）に示すパターンで、有機層上にこれを覆うようにアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して反射電極（陰極）４を形成した。反射電極は基板中央の９４ｍｍ×９４ｍｍの領域および１０ｍｍ×８ｍｍの引出部からなる。   Next, by using the same vacuum deposition apparatus and using a mask, a reflective electrode (cathode) 4 is formed by depositing aluminum 110 nm on the organic layer so as to cover the organic layer in the pattern shown in FIG. did. The reflective electrode is composed of a 94 mm × 94 mm region at the center of the substrate and a 10 mm × 8 mm lead portion.

反射電極が透明電極を覆うオーバーラップ部分で透明電極端から２ｍｍ外側まで反射電極端が形成されている。また反射電極は透明電極引き出し部においては有機層を形成した領域の内側までしか形成せず透明電極とは短絡しないようにした。これにより、ＩＴＯ透明電極の引出部の端部を露出させ残し、また、反射電極引出部を有する有機ＥＬパネルが形成された。図３（ｃ）は、形成されたパネルを反射電極側からみた平面図であり、図３（ｄ）はそのＣ−Ｃ断面図を示す。   The reflective electrode end is formed from the transparent electrode end to the outside by 2 mm at the overlap portion where the reflective electrode covers the transparent electrode. In addition, the reflective electrode was formed only up to the inside of the region where the organic layer was formed in the transparent electrode lead-out portion, so that it was not short-circuited with the transparent electrode. Thereby, the edge part of the extraction part of ITO transparent electrode was exposed and left, and the organic EL panel which has a reflection electrode extraction part was formed. FIG.3 (c) is the top view which looked at the formed panel from the reflective electrode side, and FIG.3 (d) shows the CC sectional drawing.

これにより、発光エリア周囲長の殆どにおいて、反射電極が、有機層また透明電極を覆う構成をもち、発光機能が損なわれる反射電極エッジ長が少ない白色発光有機ＥＬパネルが得られる。   As a result, a white light-emitting organic EL panel having a configuration in which the reflective electrode covers the organic layer or the transparent electrode in most of the peripheral length of the light-emitting area and has a small reflective electrode edge length that impairs the light-emitting function can be obtained.

図３（ｅ）は基板側からみた発光エリアを示す図であり、透明電極と反射電極の重なり合った部分が発光する。この有機ＥＬパネルの例では、発光エリアの周囲長は３６４ｍｍであり、透明電極が反射電極より外側にある長さは１０ｍｍなので、発光エリアの周囲長の９７．３％の部分で反射電極（陰極）端が透明電極端よりも外側にある。   FIG. 3 (e) is a diagram showing a light emitting area viewed from the substrate side, and a portion where the transparent electrode and the reflective electrode overlap is emitted. In this example of the organic EL panel, the peripheral length of the light emitting area is 364 mm, and the length of the transparent electrode outside the reflective electrode is 10 mm. Therefore, the reflective electrode (cathode) is 97.3% of the peripheral length of the light emitting area. ) The end is outside the transparent electrode end.

作製したパネルの電極間に、電流を流すことで、点灯し白色に発光したが、長時間点灯させても発光領域の縮小は目視による観察ではみられない。この様に形成された有機ＥＬパネルは、反射電極（陰極）端部の透明電極引出部と重なったところ（１０ｍｍ長）で、長時間の点灯により、微視的には発光領域の縮小が観察されるが、全体の寄与としては小さく、発光領域の縮小は目視では確認できなかった。   When a current is passed between the electrodes of the manufactured panel, the panel is turned on and emits white light. However, even if the panel is lit for a long time, the reduction of the light emitting area is not observed by visual observation. The organic EL panel formed in this way overlaps with the transparent electrode lead-out part at the end of the reflective electrode (cathode) (10 mm long), and microscopic observation of the reduction of the light emitting area is observed due to long-time lighting. However, the overall contribution was small, and the reduction of the light emitting region could not be confirmed visually.

本発明の有機ＥＬパネルは家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等に用いることができるがこれらに限定するものではない。   The organic EL panel of the present invention includes home lighting, interior lighting, backlights for clocks and liquid crystals, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light sensors Although it can use for a light source etc., it is not limited to these.

本発明の有機ＥＬ素子は、表示装置にも適用でき、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。表示デバイス、ディスプレイとしてはテレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリックス（パッシブマトリックス）方式でもアクティブマトリックス方式でもどちらでもよい。   The organic EL element of the present invention can be applied to a display device, and can be used as a display device, a display, or various light sources. In a display device or display, full-color display is possible by using three types of organic EL elements of blue, red, and green light emission. Examples of the display device and the display include a television, a personal computer, a mobile device, an AV device, a character broadcast display, and an information display in a car. In particular, it may be used as a display device for reproducing still images and moving images, and the driving method when used as a display device for reproducing moving images may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.

単純マトリクス型のボトムエミッションタイプ有機ＥＬ素子の例を示す図である。It is a figure which shows the example of a simple matrix type bottom emission type organic EL element. 本発明に係わる有機ＥＬパネルの電極構造を示す図である。It is a figure which shows the electrode structure of the organic electroluminescent panel concerning this invention. セグメント表示の有機ＥＬパネルの作製例を示す図である。It is a figure which shows the preparation example of the organic electroluminescent panel of a segment display.

符号の説明Explanation of symbols

１ 基板
２ 透明電極
３ 有機層
４ 反射電極 1 substrate 2 transparent electrode 3 organic layer 4 reflective electrode

Claims (2)

発光エリアの端部を示す外周線上の９０％以上の部分において、発光エリアの端部より外側に反射電極形成面の端部が存在することを特徴とするボトムエミッション型有機エレクトロルミネッセンスパネル。 A bottom emission type organic electroluminescence panel, wherein an end portion of a reflective electrode forming surface is present outside an end portion of the light emitting area in a portion of 90% or more on an outer peripheral line indicating the end portion of the light emitting area. 白色発光することを特徴とする請求項１記載のボトムエミッション型有機エレクトロルミネッセンスパネル。 2. The bottom emission type organic electroluminescence panel according to claim 1, which emits white light.

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