JP2007057849A

JP2007057849A - Pattern inspection method, exposure mask, and pattern inspection program

Info

Publication number: JP2007057849A
Application number: JP2005243363A
Authority: JP
Inventors: Noriyuki Honda; 憲之本田; Hiroe Miyamoto; 博枝宮本; Noriko Yamaguchi; 則子山口
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Microelectronics Corp
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Priority date: 2005-08-24
Filing date: 2005-08-24
Publication date: 2007-03-08

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern inspection method for efficiently performing lithography rule check on a design pattern after optical proximity correction. <P>SOLUTION: The method includes: a first step (S01 to S03) of subjecting a cell pattern preliminarily registered in a cell library to optical proximity correction (OPC) subjecting the pattern after the OPC to lithography rule checking (LRC) and registering a cell having the pattern passing the LRC in a data base; a second step (S05, S06) of identifying a cell from a design pattern after OPC, the cell which is equal to a cell registered in the data base by referring to the data base; a third step (S07, S08) of extracting an object pattern for the LRC from the design pattern after OPC based on the outer shape of the identified cell; and a fourth step (S09) of subjecting the object pattern for LRC to LRC. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、パターン検査方法、露光用マスク、およびパターン検査プログラムに係り、特に効率的にリソグラフィールールチェックを行うのに好適なパターン検査方法、露光用マスク、およびパターン検査プログラムに関する。 The present invention relates to a pattern inspection method, an exposure mask, and a pattern inspection program, and more particularly to a pattern inspection method, an exposure mask, and a pattern inspection program that are suitable for performing a lithography rule check efficiently.

近年の半導体製造技術の進歩は非常に目覚しく、例えば最小加工寸法が０．１３μｍの半導体装置が量産されている。
このような微細化は、マスクプロセス技術、光リソグラフィー技術、エッチング技術等の微細パターン形成技術の飛躍的な進歩により実現されている。 In recent years, the progress of semiconductor manufacturing technology is very remarkable. For example, semiconductor devices having a minimum processing dimension of 0.13 μm are mass-produced.
Such miniaturization is realized by dramatic progress in fine pattern formation techniques such as a mask process technique, an optical lithography technique, and an etching technique.

パターンサイズが十分大きい場合には、ウェーハ上に形成したいＬＳＩパターンの平面形状をそのまま設計パターンとして描き、その設計パターンに忠実なマスクパターンを作成し、そのマスクパターンを投影光学系によってウェーハ上に転写し、下地をエッチングすることによってほぼ設計パターン通りのパターンをウェーハ上に形成することが可能である。 If the pattern size is sufficiently large, draw the planar shape of the LSI pattern you want to form on the wafer as a design pattern, create a mask pattern that is faithful to the design pattern, and transfer the mask pattern onto the wafer by the projection optical system. Then, by etching the base, a pattern almost as designed can be formed on the wafer.

しかし、パターンの微細化が進むにつれ、各プロセスでパターンを忠実に形成することが困難になってきており、最終的な仕上がり寸法が設計パターン通りにならない問題が生じてきた。 However, as the pattern becomes finer, it has become difficult to faithfully form the pattern in each process, and a problem has arisen that the final finished dimension does not match the design pattern.

特に、微細加工を達成するために最も重要なリソグラフィー及びエッチングプロセスにおいては、形成したいパターンの周辺に配置された他のパターンレイアウト環境が、そのパターンの寸法精度に大きく影響する。 In particular, in the lithography and etching processes that are the most important for achieving microfabrication, other pattern layout environments arranged around the pattern to be formed greatly affect the dimensional accuracy of the pattern.

そこで、これらの影響を低減させるために、加工後の寸法が所望の寸法となるように、予め設計パターンに補助パターンを付加する光近接効果補正（ＯＰＣ：Optical Proximity Correction）技術等がデバイス製造にとって必須の技術となっている（例えば、特許文献１参照）。 Therefore, in order to reduce these effects, optical proximity correction (OPC) technology that adds an auxiliary pattern to the design pattern in advance so that the dimension after processing becomes a desired dimension is for device manufacturing. It is an indispensable technique (see, for example, Patent Document 1).

特許文献１に開示された光近接効果補正方法は、設計パターンデータで特定されるマスクパターンを限定領域Ａ〜Ｃに分割し、参照データベースＲＢに登録されている補正結果を流用することにより、限定領域ＡについてのＯＰＣ付加パターンを生成し、限定領域ＢについてルールベースＯＰＣを適用することにより、限定領域ＢについてのＯＰＣ付加パターンを生成し、これら限定領域Ａ、ＢについてのＯＰＣ付加パターンおよび限定領域Ｃの元のマスクパターンを合成している。 The optical proximity effect correction method disclosed in Patent Document 1 divides a mask pattern specified by design pattern data into limited areas A to C, and uses the correction result registered in the reference database RB to limit the mask pattern. An OPC addition pattern for the limited area B is generated by generating an OPC additional pattern for the area A and applying a rule-based OPC for the limited area B, and the OPC additional pattern and the limited area for these limited areas A and B The original mask pattern of C is synthesized.

光近接効果補正は露光装置の最も安定した条件で行なわれるが、実際の露光条件には必ずばらつきが存在する。 The optical proximity effect correction is performed under the most stable conditions of the exposure apparatus, but there are always variations in actual exposure conditions.

その結果、得られた光近接効果補正後のパターンにおいて露光条件がばらついた場合でも、加工後のパターン寸法が所望の範囲内に収まっているかについては保証されない。 As a result, even if the exposure conditions vary in the obtained pattern after the optical proximity effect correction, it is not guaranteed whether the processed pattern dimensions are within a desired range.

そのため、別途露光条件を振って光近接効果補正を施し、加工後のパターン寸法が所望の範囲内に収まっているか否かを検証するリソグラフィールールチェック（ＬＲＣ：Lithography Rule Check）を行う必要がある。 Therefore, it is necessary to perform a lithography rule check (LRC: Lithography Rule Check) for verifying whether or not the processed pattern dimension is within a desired range by separately correcting the optical proximity effect under different exposure conditions.

然しながら、従来のリソグラフィールールチェックでは、全ての設計パターンに対して露光条件を振って複数回の光近接効果補正を施すために長い検査時間を要するという問題がある。
特開２００５−４９４０３号公報（７頁、図１） However, in the conventional lithography rule check, there is a problem that a long inspection time is required to perform the optical proximity effect correction a plurality of times by changing the exposure conditions for all design patterns.
Japanese Patent Laying-Open No. 2005-49403 (page 7, FIG. 1)

本発明は、光近接効果補正後の設計パターンに対して効率的にリソグラフィールールチェックを行うパターン検査方法を提供する。 The present invention provides a pattern inspection method for efficiently performing a lithography rule check on a design pattern after optical proximity effect correction.

本発明の一態様のパターン検査方法は、光近接効果補正後の設計パターンに対してリソグラフィールールチェックを行うパターン検査方法であって、予めセルライブラリに登録されているセルのパターンに対して光近接効果補正を施し、前記光近接効果補正後のパターンに対してリソグラフィールールチェックを行い、前記リソグラフィールールチェックをパスしたパターンを有するセルをデータベースに登録する第１の工程と、前記データベースを参照して、前記光近接効果補正後の設計パターンから前記データベースに登録されているセルと等しいセルを特定する第２の工程と、前記特定されたセルの外形に基づいて、前記光近接効果補正後の設計パターンからリソグラフィールールチェック対象パターンを抽出する第３の工程と、前記リソグラフィールールチェック対象パターンに対してリソグラフィールールチェックを行う第４の工程と、を具備することを特徴としている。 A pattern inspection method according to an aspect of the present invention is a pattern inspection method for performing a lithography rule check on a design pattern after optical proximity effect correction, and the optical proximity to a cell pattern registered in a cell library in advance. A first step of performing an effect correction, performing a lithography rule check on the pattern after the optical proximity correction, and registering a cell having a pattern that has passed the lithography rule check in a database; and referring to the database A second step of specifying a cell equal to a cell registered in the database from the design pattern after the optical proximity effect correction, and the design after the optical proximity effect correction based on the outer shape of the specified cell. A third step of extracting a lithography rule check target pattern from the pattern; It is characterized by comprising a fourth step of performing lithography rule check, the relative source chromatography rule checked pattern.

本発明の一態様の露光用マスクは、光近接効果補正後の設計パターンに対して、予めセルライブラリに登録されているセルのパターンに対して光近接効果補正を施し、前記光近接効果補正後のパターンに対してリソグラフィールールチェックを行い、前記リソグラフィールールチェックをパスしたパターンを有するセルをデータベースに登録する工程と、前記データベースを参照して、光近接効果補正後の設計パターンから前記データベースに登録されているセルと等しいセルを特定する工程と、前記特定されたセルの外形に基づいて、前記光近接効果補正後の設計パターンからリソグラフィールールチェック対象パターンを抽出する工程と、前記リソグラフィールールチェック対象パターンに対してリソグラフィールールチェックを行う工程と、を有するパターン検査が施されたマスクパターンが形成されていることを特徴としている。 The exposure mask of one embodiment of the present invention performs optical proximity effect correction on a cell pattern registered in advance in a cell library with respect to a design pattern after optical proximity effect correction, and the optical proximity effect corrected A lithography rule check is performed on the pattern, and a cell having a pattern that passes the lithography rule check is registered in the database, and the design pattern after optical proximity correction is registered in the database with reference to the database. A cell that is equal to the cell being identified, a step of extracting a lithography rule check target pattern from the design pattern after the optical proximity effect correction based on the outer shape of the specified cell, and the lithography rule check target A process to perform lithography rule check on patterns When, is characterized in that it is formed a mask pattern pattern inspection has been performed with.

本発明の一態様のパターン検査プログラムは、光近接効果補正後の設計パターンに対してリソグラフィールールチェックを行うパターン検査プログラムであって、セルライブラリに登録されているセルのパターンに対して光近接効果補正を施し、前記光近接効果補正後のパターンに対してリソグラフィールールチェックを行い、前記リソグラフィールールチェックをパスしたパターンを有するセルをデータベースに登録する第１の機能と、前記データベースを参照して、前記光近接効果補正後の設計パターンから前記データベースに登録されているセルと等しいセルを特定する第２の機能と、前記特定されたセルの外形に基づいて、前記光近接効果補正後の設計パターンからリソグラフィールールチェック対象パターンを抽出する第３の機能と、前記リソグラフィールールチェック対象パターンに対してリソグラフィールールチェックを行う第４の機能と、を具備することを特徴としている。 A pattern inspection program according to an aspect of the present invention is a pattern inspection program for performing a lithography rule check on a design pattern after optical proximity effect correction, and the optical proximity effect is applied to a cell pattern registered in a cell library. Performing a correction, performing a lithography rule check on the pattern after the optical proximity correction, a first function of registering a cell having a pattern that has passed the lithography rule check in a database, and referring to the database, Based on the second function for specifying a cell equal to the cell registered in the database from the design pattern after the optical proximity effect correction, and the design pattern after the optical proximity effect correction based on the outer shape of the specified cell Function to extract lithography rule check target pattern from image It is characterized by comprising a fourth function of performing lithography rule check on the lithographic rule check target pattern.

本発明によれば、光近接効果補正後の設計パターンに対して効率的にリソグラフィールールチェックを行うパターン検査方法が得られる。 According to the present invention, a pattern inspection method for efficiently performing a lithography rule check on a design pattern after optical proximity effect correction is obtained.

以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１は本発明の実施例に係るパターン検査方法を示すフローチャートである。
図１に示すように、本実施例のパターン検査方法は予めセルライブラリに登録されているセルのパターンに対して光近接効果補正を施し、光近接効果補正後のパターンに対してリソグラフィールールチェックを行い、リソグラフィールールチェックをパスしたパターンを有するセルをデータベースに登録する第１の工程（ステップＳ０１〜Ｓ０３）を具備している。 FIG. 1 is a flowchart showing a pattern inspection method according to an embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the pattern inspection method of this embodiment performs optical proximity effect correction on a cell pattern registered in the cell library in advance, and performs lithography rule check on the pattern after optical proximity effect correction. And a first step (steps S01 to S03) of registering in the database a cell having a pattern that has passed the lithography rule check.

更に、データベースを参照して、光近接効果補正後の設計パターンからデータベースに登録されたセルと等しいセルを特定する第２の工程（ステップＳ０５、Ｓ０６）と、特定されたセルの外形に基づいて、光近接効果補正後の設計パターンからリソグラフィールールチェック対象パターンを抽出する第３の工程（ステップＳ０７、Ｓ０８）と、リソグラフィールールチェック対象パターンに対してリソグラフィールールチェックを行う第４の工程（ステップＳ０９）と、を具備している。 Further, referring to the database, based on the second step (steps S05 and S06) for specifying a cell equal to the cell registered in the database from the design pattern after the optical proximity effect correction, and the outer shape of the specified cell A third step (steps S07 and S08) of extracting a lithography rule check target pattern from the design pattern after the optical proximity effect correction, and a fourth step of performing a lithography rule check on the lithography rule check target pattern (step S09) And).

即ち、セルライブラリに登録されているセルのパターンデータが読み込まれ、各セルのパターンに対して光近接効果補正が露光装置の最も安定した条件（ベスト条件）にて施される（ステップＳ０１）。 That is, the cell pattern data registered in the cell library is read, and the optical proximity correction is performed on the pattern of each cell under the most stable condition (best condition) of the exposure apparatus (step S01).

次に、光近接効果補正後のセルのパターンに対して、例えば露光装置の露光量のばらつき範囲内で露光量が最大となる条件（オーバ条件）および露光量が最小となる条件（アンダー条件）で光近接効果補正を施し、露光量がばらついても加工後のパターン寸法が所望の範囲内に収まるか否かを検証するリソグラフィールールチェックが行われる（ステップＳ０２）。 Next, with respect to the cell pattern after the optical proximity effect correction, for example, a condition in which the exposure amount is maximized within an exposure amount variation range of the exposure apparatus (over condition) and a condition in which the exposure amount is minimized (under condition) Then, the optical proximity effect is corrected, and a lithography rule check is performed to verify whether or not the processed pattern dimensions are within a desired range even if the exposure amount varies (step S02).

次に、リソグラフィールールチェック結果が判定され（ステップＳ０３）、加工後のパターン寸法が所望の範囲内に収まるセルを認定セルとして、例えば図２に示すようなファイル形式で認定セルデータベースに登録する（ステップＳ０３のＹｅｓ）。
一方、所望の範囲内に収まらないセルは非認定セルとして非認定セルデータベースに登録する（ステップＳ０３のＮｏ）。 Next, the result of the lithography rule check is determined (step S03), and a cell in which the processed pattern dimension falls within a desired range is registered as a certified cell in the certified cell database in a file format as shown in FIG. Yes in step S03).
On the other hand, cells that do not fall within the desired range are registered in the non-certified cell database as non-certified cells (No in step S03).

次に、設計パターンに対して光近接効果補正が露光装置の最も安定した条件（ベスト条件）にて施される（ステップＳ０５）。 Next, the optical proximity effect correction is performed on the design pattern under the most stable condition (best condition) of the exposure apparatus (step S05).

次に、認定セルデータベースを参照して、光近接効果補正後の設計パターンからデータベースに登録されたセルと等しいセルを特定し、特定されたセルのセル外形を抽出し、セル外形の内側に配置されたパターンを認定セルのパターンとし、セル外形の外側に配置されたパターンを非認定セルのパターンとして抽出する（ステップＳ０６）。 Next, refer to the certified cell database, identify the cell that is equal to the cell registered in the database from the design pattern after the optical proximity effect correction, extract the cell outline of the identified cell, and place it inside the cell outline The certified pattern is used as a certified cell pattern, and a pattern arranged outside the cell outer shape is extracted as a non-certified cell pattern (step S06).

即ち、図３に示すように、例えば光近接効果補正後の設計パターンにデータベースに登録されたセルと等しい３×３個の認定セル１０ａ〜１０ｉが存在する場合に、認定セル１０ａ〜１０ｉの互いに隣接していない辺からなる矩形が認定セルの外形１１として抽出される。 That is, as shown in FIG. 3, for example, when there are 3 × 3 certified cells 10a to 10i equal to the cells registered in the database in the design pattern after the optical proximity effect correction, the certified cells 10a to 10i are mutually connected. A rectangle composed of non-adjacent sides is extracted as the outer shape 11 of the certified cell.

認定セルの外形１１の内側に配置された１７個のパターンが認定セル１０ａ〜１０ｉのパターン１２として抽出され、セル外形１１の外側に配置されたパターンが非認定セル１３のパターン１４として抽出される。パターン１４がリソグラフィールールチェック対象パターンである。 Seventeen patterns arranged inside the outer shape 11 of the certified cell are extracted as the patterns 12 of the certified cells 10a to 10i, and patterns arranged outside the cell outer shape 11 are extracted as the pattern 14 of the non-certified cell 13. . The pattern 14 is a lithography rule check target pattern.

次に、非認定セルのパターンから光近接効果補正の影響範囲にかかるパターンをリソグラフィールールチェック対象パターンとして抽出し、光近接効果補正の影響範囲にかからないパターンを参照パターンとして抽出する（ステップＳ０７）。 Next, a pattern in the influence range of the optical proximity effect correction is extracted as a lithography rule check target pattern from the pattern of the non-certified cell, and a pattern not in the influence range of the optical proximity effect correction is extracted as a reference pattern (step S07).

即ち、図４に示すように、非認定セル１３のパターン１４から光近接効果補正の影響範囲２０、例えばパターン１４からの距離Ｌが１μｍの範囲にかかる認定セル１０ａのパターン２１および認定セル１０ｂのパターン２２がリソグラフィールールチェック対象パターンとして抽出され、それ以外の認定セル１０ａ〜１０ｉのパターンが参照パターン２３として抽出される。 That is, as shown in FIG. 4, the range 20 of the optical proximity effect correction from the pattern 14 of the non-certified cell 13, for example, the pattern 21 of the certified cell 10 a and the certified cell 10 b of which the distance L from the pattern 14 is 1 μm. The pattern 22 is extracted as a lithography rule check target pattern, and the other patterns of the certified cells 10 a to 10 i are extracted as the reference pattern 23.

次に、参照パターン２３から光近接効果補正の影響範囲にかかる参照パターンのみを残存させ、それ以外の参照パターンを削除する（ステップＳ０８）。 Next, only the reference pattern in the influence range of the optical proximity effect correction is left from the reference pattern 23, and the other reference patterns are deleted (step S08).

即ち、図５に示すように、参照パターン２３から光近接効果補正の影響範囲３０、例えばパターン２１、２２からの距離Ｌが１μｍの範囲にかかる認定セル１０ａのパターン３１、認定セル１０ｂのパターン３２、認定セル１０ｃのパターン３３、３４の４個のパターンのみが参照パターンとして残存し、それ以外の参照パターンは削除される。 That is, as shown in FIG. 5, the pattern 31 of the certified cell 10a and the pattern 32 of the certified cell 10b are within the range 30 of the optical proximity effect correction from the reference pattern 23, for example, the distance L from the patterns 21 and 22 is 1 μm. Only the four patterns 33 and 34 of the certified cell 10c remain as reference patterns, and the other reference patterns are deleted.

次に、リソグラフィールールチェック対象パターンに対して、例えば露光装置の露光量のばらつき範囲内で露光量が最大となる条件（オーバ条件）および露光量が最小となる条件（アンダー条件）で光近接効果補正を施し、露光量がばらついても加工後のパターン寸法が所望の範囲内に収まっているか否かを検証するリソグラフィールールチェックが行われる（ステップＳ０９）。 Next, for the lithography rule check target pattern, for example, the optical proximity effect under the condition that the exposure amount is maximum (over condition) and the condition that the exposure amount is minimum (under condition) within the exposure amount variation range of the exposure apparatus. Correction is performed, and a lithography rule check is performed to verify whether the processed pattern dimensions are within a desired range even if the exposure amount varies (step S09).

例えば、非認定セル１３のパターン１４に対してはリソグラフィールールチェック対象パターン２１、２２を参照してリソグラフィールールチェックが行われる。 For example, the lithography rule check is performed on the pattern 14 of the non-certified cell 13 with reference to the lithography rule check target patterns 21 and 22.

リソグラフィールールチェック対象パターン２１に対してはリソグラフィールールチェック対象パターン１４、２２および参照パターン３１、３２を参照してリソグラフィールールチェックが行われる。 The lithography rule check target pattern 21 is subjected to a lithography rule check with reference to the lithography rule check target patterns 14 and 22 and the reference patterns 31 and 32.

リソグラフィールールチェック対象パターン２２に対してはリソグラフィールールチェック対象パターン１４、２１および参照パターン３１〜３４を参照してリソグラフィールールチェックが行われる。 The lithography rule check target pattern 22 is subjected to a lithography rule check with reference to the lithography rule check target patterns 14 and 21 and the reference patterns 31 to 34.

そのため、図６に示すように、設計パターン４０に対してリソグラフィールールチェックをパスした光近接効果補正後のパターン４１では、露光条件がベスト条件における加工後のパターン４２と、例えば露光量がオーバ条件における加工後のパターン４３およびアンダー条件における加工後のパターン４４のいずれのパターンでもパターンの許容範囲δ内（例えば５ｎｍ）に収めることができる。 Therefore, as shown in FIG. 6, in the pattern 41 after the optical proximity effect correction that passed the lithography rule check with respect to the design pattern 40, the processed pattern 42 under the best exposure condition, for example, the exposure amount is an over condition Any of the pattern 43 after processing and the pattern 44 after processing under the under condition can be within the allowable range δ (for example, 5 nm) of the pattern.

これにより、光近接効果補正後の設計パターンを認定セルと非認定セルとに分別し、非認定セルのパターンと光近接効果補正の影響範囲にかかるリソグラフィールールチェック対象パターンに対してのみリソグラフィールールチェックを行うことが可能である。 As a result, the design pattern after optical proximity effect correction is classified into certified cells and non-certified cells, and the lithography rule check is performed only for the non-certified cell pattern and the lithography rule check target pattern that is affected by the optical proximity effect correction. Can be done.

図７は本実施例のパターン検査が施されたマスクパターンが形成された露光用膜マスクを示す図である。 FIG. 7 is a view showing an exposure film mask on which a mask pattern subjected to the pattern inspection of this embodiment is formed.

図７に示すように、露光用膜マスク５０はマスク基材５１、例えば石英ガラス上に論理回路パターン５２、メモリパターン５３、デコーダパターン５４およびＩ／Ｏパターン５５が形成されている。 As shown in FIG. 7, the exposure film mask 50 has a logic circuit pattern 52, a memory pattern 53, a decoder pattern 54, and an I / O pattern 55 formed on a mask base 51, for example, quartz glass.

論理回路パターン５２、メモリパターン５３、デコーダパターン５４およびＩ／Ｏパターン５５には、それぞれの設計パターンに対して予めセルライブラリに登録されているセルのパターンに対して光近接効果補正を施し、前記光近接効果補正後のパターンに対してリソグラフィールールチェックを行い、前記リソグラフィールールチェックをパスしたパターンを有するセルをデータベースに登録する工程と、前記データベースを参照して、光近接効果補正後の設計パターンから前記データベースに登録されているセルと等しいセルを特定する工程と、前記特定されたセルの外形に基づいて、前記光近接効果補正後の設計パターンからリソグラフィールールチェック対象パターンを抽出する工程と、前記リソグラフィールールチェック対象パターンに対してリソグラフィールールチェックを行う工程を経て、パターン検査が施されている。 For the logic circuit pattern 52, the memory pattern 53, the decoder pattern 54, and the I / O pattern 55, the optical proximity effect correction is performed on the pattern of the cell registered in advance in the cell library for each design pattern, A process of performing a lithography rule check on the pattern after the optical proximity effect correction, registering a cell having a pattern that has passed the lithography rule check in a database, and a design pattern after the optical proximity effect correction with reference to the database A step of identifying a cell equal to a cell registered in the database from the step of extracting a lithography rule check target pattern from the design pattern after the optical proximity correction based on the outer shape of the identified cell; The lithography rule check target Through a step of performing lithography rule check against over emissions, pattern inspection is applied.

図８は本実施例のパターン検査を実現するパターン検査システムの構成を示すブロック図である。 FIG. 8 is a block diagram showing the configuration of a pattern inspection system for realizing the pattern inspection of this embodiment.

図８に示すように、本実施例のパターン検査システム６０は、汎用的に使用されるセルのパターンを格納したセルライブラリ記憶部６１と、検査する設計パターンが格納された設計パターン記憶部６２と、光近接効果補正演算、リソグラフィールールチェック演算、認定セル、ルールチェック検査対象パターン、参照パターンを抽出するプログラムなどを格納したプログラム格納部６３とを具備している。 As shown in FIG. 8, the pattern inspection system 60 of this embodiment includes a cell library storage unit 61 that stores general-purpose cell patterns, and a design pattern storage unit 62 that stores design patterns to be inspected. A program storage unit 63 for storing a program for extracting an optical proximity effect correction calculation, a lithography rule check calculation, a certified cell, a rule check inspection target pattern, a reference pattern, and the like.

更に、リソグラフィールールチェックをパスした認定セルが格納された認定セル記憶部６４と、光近接効果補正後のパターンを格納したＯＰＣ後パターン記憶部６５と、リソグラフィールールチェック対象パターンや参照パターンを格納したＬＲＣ用パターン記憶部６６と、パターン検査に必要な一連の処理を実行するための手段を備えた処理制御部６７とで構成されている。 Furthermore, a certified cell storage unit 64 that stores a certified cell that has passed the lithography rule check, a post-OPC pattern storage unit 65 that stores a pattern after optical proximity correction, and a lithography rule check target pattern and a reference pattern are stored. An LRC pattern storage unit 66 and a process control unit 67 having means for executing a series of processes necessary for pattern inspection are configured.

更に、入出力制御部６８を介して処理結果を出力する出力装置６９と、処理制御部６７への指示等を入力する入力装置７０とで構成されている。 Further, the output device 69 is configured to output a processing result via the input / output control unit 68, and the input device 70 is configured to input an instruction to the processing control unit 67.

セルライブラリ記憶部６１、設計パターン記憶部６２、プログラム格納部６３、認定セル記憶部６４、ＯＰＣ後パターン記憶部６５、ＬＲＣ用パターン記憶部６６は、一部はコンピュータ内部の主記憶装置で構成しても良いし、このコンピュータに接続された半導体メモリー、磁気ディスク、磁気テープ、光ディスクなどの記憶装置で構成しても構わない。 The cell library storage unit 61, the design pattern storage unit 62, the program storage unit 63, the certified cell storage unit 64, the post-OPC pattern storage unit 65, and the LRC pattern storage unit 66 are partially configured by a main storage device inside the computer. Alternatively, a storage device such as a semiconductor memory, a magnetic disk, a magnetic tape, or an optical disk connected to the computer may be used.

また、処理制御部６７は、コンピュータシステムの中央演算処理装置の一部を構成しており、集中処理方式または分散処理方式のコンピュータシステムで実行される。 The processing control unit 67 constitutes a part of a central processing unit of a computer system, and is executed by a centralized processing system or a distributed processing system computer system.

セルライブラリ記憶部６１から汎用的に使用されるセルのパターンデータが処理制御部６７に入力される。 Cell pattern data for general use is input from the cell library storage unit 61 to the processing control unit 67.

処理制御部６７は、予めリソグラフィールールチェックをパスしたセルのパターンデータを認定セル記憶部６４に登録する認定セル登録部７１と、光近接効果補正処理を実行する光近接効果補正部７２と、リソグラフィールールチェック対象を抽出するＬＲＣ対象パターン抽出部７３と、リソグラフィールールチェックを実行するＬＲＣ部７４と有している。 The processing control unit 67 includes a certified cell registration unit 71 that registers, in the certified cell storage unit 64, cell pattern data that has passed the lithography rule check in advance, an optical proximity effect correction unit 72 that performs optical proximity effect correction processing, and lithography. An LRC target pattern extraction unit 73 that extracts a rule check target and an LRC unit 74 that executes a lithography rule check are included.

これらの認定セル登録部７１、光近接効果補正部７２、ＬＲＣ対象パターン抽出部７３、ＬＲＣ部７４は、ソフトウェアとしてプログラム格納部６３に予め格納されており、その手順に従ってコンピュータシステムの中央演算処理装置にて実行されるが、専用のハードウェーアで実行されるものでも構わない。 The authorized cell registration unit 71, the optical proximity effect correction unit 72, the LRC target pattern extraction unit 73, and the LRC unit 74 are stored in advance in the program storage unit 63 as software, and the central processing unit of the computer system according to the procedure However, it may be executed by dedicated hardware.

以上説明したように、本実施例では、光近接効果補正後の設計パターンを認定セルと非認定セルとに分別し、非認定セルのパターンと光近接効果補正の影響範囲にかかるリソグラフィールールチェック対象パターンに対してのみリソグラフィールールチェックを行うことができる。 As described above, in this embodiment, the design pattern after the optical proximity effect correction is classified into the certified cell and the non-certified cell, and the lithography rule check target related to the influence range of the non-certified cell pattern and the optical proximity effect correction is used. The lithography rule check can be performed only on the pattern.

その結果、光近接効果補正後の設計パターンに対して効率的にリソグラフィールールチェックを行うことができる。従って、リソグラフィールールチェックに要する時間を短縮することができる。 As a result, the lithography rule check can be efficiently performed on the design pattern after the optical proximity effect correction. Therefore, the time required for the lithography rule check can be shortened.

多数の認定セルを有する半導体集積装置ほど効率的にリソグラフィールールチェックを行うことができ、例えば認定セルの占有面積とチップ面積の比が６０％程度の場合に、リソグラフィールールチェックに要する時間は従来の１／２程度に短縮することができた。 A semiconductor integrated device having a large number of certified cells can perform the lithography rule check more efficiently. For example, when the ratio of the area occupied by the certified cell to the chip area is about 60%, the time required for the lithography rule check is the conventional time. It could be shortened to about 1/2.

ここでは、効率的にリソグラフィールールチェックを行い、リソグラフィールールチェック時間を短縮する場合について説明したが、リソグラフィールールチェック時間を短縮しなくても問題が無い場合には、露光条件をより細かく振ったリソグラフィールールチェックを行っても構わない。これによれば、より精度の高い光近接効果補正を施すことができる利点がある。 Here, the case where the lithography rule check is efficiently performed and the lithography rule check time is shortened has been described. However, if there is no problem even if the lithography rule check time is not shortened, the lithography is performed with finer exposure conditions. You may do a rule check. According to this, there is an advantage that optical proximity effect correction with higher accuracy can be performed.

更に、３×３個の集合した認定セル１０ａ〜１０ｉにより認定セルのセル外形１１が矩形の場合について説明したが、認定セルの外形が矩形以外でも、また単独の認定セルであっても同様に実施することができる。 Furthermore, although the case where the cell outer shape 11 of the certified cell is rectangular by the 3 × 3 aggregated certified cells 10a to 10i has been described, the same applies regardless of whether the outer shape of the certified cell is other than a rectangle or a single certified cell. Can be implemented.

本発明の実施例に係るパターン検査方法を示すフローチャート。The flowchart which shows the pattern inspection method which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る認定セルを示すファイル。The file which shows the authorization cell which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る認定セルの外形を示す図。The figure which shows the external shape of the authorization cell which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るリソグラフィールールチェック対象パターンおよび参照パターンを示す図。The figure which shows the lithography rule check object pattern and reference pattern which concern on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る参照パターンの絞込み結果を示す図。The figure which shows the narrowing-down result of the reference pattern based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るリソグラフィールールチェック結果を示す図。The figure which shows the lithography rule check result which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る露光用マスクを模式的に示す図。The figure which shows typically the mask for exposure which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るパターン検査システムの構成を示す図。The figure which shows the structure of the pattern inspection system which concerns on the Example of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０ａ〜１０ｉ認定セル
１１認定セルの外形
１２認定セルの外形内のパターン
１３非認定セル
１４非認定セルのパターン（リソグラフィールールチェック対象パターン）
２０、３０光近接効果補正の影響範囲
２１、２２認定セルのパターン（リソグラフィールールチェック対象パターン）
２３、３１、３２、３３、３４参照パターン
４０設計パターン
４１光近接効果補正後の設計パターン（マスクパターン）
４２加工後のパターン（ベスト条件）
４３加工後のパターン（オーバ条件）
４４加工後のパターン（アンダー条件）
５０露光用マスク
５１マスク基材
５２論理回路パターン
５３メモリパターン
５４デコーダパターン
５５Ｉ／Ｏパターン
６０パターン検査システム
６１セルライブラリ記憶部
６２設計パターン記憶部
６３プログラム記憶部
６４認定セル記憶部
６５ＯＰＣ後パターン記憶部
６６ＬＲＣ用パターン記憶部
６７処理制御部
６８入出力制御部
６９出力装置
７０入力装置
７１認定セル登録部
７２光近接効果補正部
７３ＬＲＣ対象パターン抽出部
７４ＬＲＣ部
δ パターンの許容範囲 10a to 10i Certified cell 11 Outline of certified cell 12 Pattern in outline of certified cell 13 Non-certified cell 14 Pattern of non-certified cell (pattern for lithography rule check)
20, 30 Influence range of optical proximity effect correction 21, 22 Authorized cell pattern (lithographic rule check target pattern)
23, 31, 32, 33, 34 Reference pattern 40 Design pattern 41 Design pattern after correction of optical proximity effect (mask pattern)
42 Pattern after processing (best conditions)
43 Pattern after processing (over condition)
44 Pattern after processing (under condition)
50 Exposure Mask 51 Mask Base 52 Logic Circuit Pattern 53 Memory Pattern 54 Decoder Pattern 55 I / O Pattern 60 Pattern Inspection System 61 Cell Library Storage Unit 62 Design Pattern Storage Unit 63 Program Storage Unit 64 Certified Cell Storage Unit 65 Pattern after OPC Storage unit 66 LRC pattern storage unit 67 Processing control unit 68 Input / output control unit 69 Output device 70 Input device 71 Authorized cell registration unit 72 Optical proximity effect correction unit 73 LRC target pattern extraction unit 74 LRC unit δ Pattern tolerance

Claims

光近接効果補正後の設計パターンに対してリソグラフィールールチェックを行うパターン検査方法であって、
予めセルライブラリに登録されているセルのパターンに対して光近接効果補正を施し、前記光近接効果補正後のパターンに対してリソグラフィールールチェックを行い、前記リソグラフィールールチェックをパスしたパターンを有するセルをデータベースに登録する第１の工程と、
前記データベースを参照して、前記光近接効果補正後の設計パターンから前記データベースに登録されているセルと等しいセルを特定する第２の工程と、
前記特定されたセルの外形に基づいて、前記光近接効果補正後の設計パターンからリソグラフィールールチェック対象パターンを抽出する第３の工程と、
前記リソグラフィールールチェック対象パターンに対してリソグラフィールールチェックを行う第４の工程と、
を具備することを特徴とするパターン検査方法。 A pattern inspection method for performing a lithography rule check on a design pattern after optical proximity correction,
An optical proximity effect correction is performed on a cell pattern registered in advance in the cell library, a lithography rule check is performed on the pattern after the optical proximity effect correction, and a cell having a pattern that passes the lithography rule check is obtained. A first step of registering in the database;
A second step of referring to the database and identifying a cell equal to a cell registered in the database from the design pattern after the optical proximity effect correction;
A third step of extracting a lithography rule check target pattern from the design pattern after the optical proximity effect correction based on the identified outer shape of the cell;
A fourth step of performing a lithography rule check on the lithography rule check target pattern;
A pattern inspection method comprising:

前記第３の工程において、前記セルの外形の外側に配置されたパターンと、前記セルの外形の内側に配置され、且つ前記パターンに対して光近接効果の影響範囲にかかるパターンとを、前記リソグラフィールールチェック対象パターンとして抽出することを特徴とする請求項１に記載のパターン検査方法。 In the third step, the pattern arranged outside the outer shape of the cell and the pattern arranged inside the outer shape of the cell and applied to the influence range of the optical proximity effect on the pattern are the lithography. The pattern inspection method according to claim 1, wherein the pattern is extracted as a rule check target pattern.

前記第４の工程において、前記リソグラフィールールチェック対象パターンを除いたパターンから、前記リソグラフィールールチェック対象パターンに対して光近接効果の影響範囲にかかるパターンを参照パターンとして、前記リソグラフィールールチェックを行うことを特徴とする請求項１に記載のパターン検査方法。 In the fourth step, the lithography rule check is performed by using, as a reference pattern, a pattern in the influence range of the optical proximity effect on the lithography rule check target pattern from a pattern excluding the lithography rule check target pattern. The pattern inspection method according to claim 1, wherein:

光近接効果補正後の設計パターンに対して、
予めセルライブラリに登録されているセルのパターンに対して光近接効果補正を施し、前記光近接効果補正後のパターンに対してリソグラフィールールチェックを行い、前記リソグラフィールールチェックをパスしたパターンを有するセルをデータベースに登録する工程と、
前記データベースを参照して、光近接効果補正後の設計パターンから前記データベースに登録されているセルと等しいセルを特定する工程と、
前記特定されたセルの外形に基づいて、前記光近接効果補正後の設計パターンからリソグラフィールールチェック対象パターンを抽出する工程と、
前記リソグラフィールールチェック対象パターンに対してリソグラフィールールチェックを行う工程と、
を有するパターン検査が施されたマスクパターンが形成されていることを特徴とする露光用マスク。 For the design pattern after optical proximity correction,
An optical proximity effect correction is performed on a cell pattern registered in the cell library in advance, a lithography rule check is performed on the pattern after the optical proximity effect correction, and a cell having a pattern that passes the lithography rule check is obtained. Registering in the database;
Referring to the database, identifying a cell equal to a cell registered in the database from a design pattern after optical proximity correction, and
Extracting a lithography rule check target pattern from the design pattern after the optical proximity effect correction based on the identified outer shape of the cell;
Performing a lithography rule check on the lithography rule check target pattern;
A mask for exposure, wherein a mask pattern subjected to pattern inspection is formed.

光近接効果補正後の設計パターンに対してリソグラフィールールチェックを行うパターン検査プログラムであって、
セルライブラリに登録されているセルのパターンに対して光近接効果補正を施し、前記光近接効果補正後のパターンに対してリソグラフィールールチェックを行い、前記リソグラフィールールチェックをパスしたパターンを有するセルをデータベースに登録する第１の機能と、
前記データベースを参照して、前記光近接効果補正後の設計パターンから前記データベースに登録されているセルと等しいセルを特定する第２の機能と、
前記特定されたセルの外形に基づいて、前記光近接効果補正後の設計パターンからリソグラフィールールチェック対象パターンを抽出する第３の機能と、
前記リソグラフィールールチェック対象パターンに対してリソグラフィールールチェックを行う第４の機能と、
を具備することを特徴とするパターン検査プログラム。 A pattern inspection program for performing a lithography rule check on a design pattern after optical proximity correction,
An optical proximity effect correction is performed on the cell pattern registered in the cell library, a lithography rule check is performed on the pattern after the optical proximity effect correction, and a cell having a pattern that passes the lithography rule check is stored in a database. A first function to register with
A second function of referring to the database and identifying a cell equal to a cell registered in the database from the design pattern after the optical proximity effect correction;
A third function of extracting a lithography rule check target pattern from the design pattern after the optical proximity effect correction based on the identified outer shape of the cell;
A fourth function of performing a lithography rule check on the lithography rule check target pattern;
A pattern inspection program comprising: