JP2007052459A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007052459A JP2007052459A JP2006297286A JP2006297286A JP2007052459A JP 2007052459 A JP2007052459 A JP 2007052459A JP 2006297286 A JP2006297286 A JP 2006297286A JP 2006297286 A JP2006297286 A JP 2006297286A JP 2007052459 A JP2007052459 A JP 2007052459A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- methyl
- formula
- radiation
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 CC(C)(C)CC(*)(C(C)(C)C)C(OC(C)(CCO1)CC1=O)=O Chemical compound CC(C)(C)CC(*)(C(C)(C)C)C(OC(C)(CCO1)CC1=O)=O 0.000 description 3
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
【解決手段】(A)下記式(1)で表される繰り返し単位と、下記一般式(2−2)で表される繰り返し単位とを有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる樹脂、および(B)1−(4−ヒドロキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート等で代表される感放射線性酸発生剤を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
【化1】
【化2】
(但し、R1 およびR3 は水素原子またはメチル基を示す。)
【選択図】なし
Description
従来のリソグラフィープロセスでは、一般に放射線としてi線等の近紫外線が用いられているが、この近紫外線では、サブクオーターミクロンレベルの微細加工が極めて困難であると言われている。
そこで、0.20μm以下のレベルでの微細加工を可能とするために、より波長の短い放射線の利用が検討されている。このような短波長の放射線としては、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線、電子線等を挙げることができるが、これらのうち、特にKrFエキシマレーザー(波長248nm)あるいはArFエキシマレーザー(波長193nm)が注目されている。
このようなエキシマレーザーによる照射に適したレジストとして、酸解離性官能基を有する成分と放射線の照射(以下、「露光」という。)により酸を発生する成分(以下、「感放射線性酸発生剤」という。)とによる化学増幅効果を利用したレジスト(以下、「化学増幅型レジスト」という。)が数多く提案されている。
一方、レジストパターンの形状は、レジスト被膜の放射線透過率を高めることにより改善することができる。例えば、ポリメチルメタクリレートに代表される(メタ)アクリレート系樹脂は、遠紫外線に対しても透明性が高く、放射線透過率の観点から非常に好ましい樹脂であり、例えば特許文献1には、メタクリレート系樹脂を使用した化学増幅型レジストが提案されている。 しかしながら、この組成物は、微細加工性能の点では優れているものの、芳香族環をもたないため、ドライエッチング耐性が低いという欠点があり、この場合も高精度のエッチング加工を行うことが困難であり、放射線に対する透明性とドライエッチング耐性とを兼ね備えたものとは言えない。
ドライエッチング耐性に優れ、また溶解コントラストが大きな樹脂としては、例えば、(メタ)アクリル酸ノルボルナンラクトン(例えば、特許文献2参照)や(メタ)アクリル酸シクロヘキサンカルボラクトン(例えば、特許文献3参照)に由来する繰り返し単位を有する樹脂を用いたレジストが知られている。
しかしながら、これらの樹脂を用いた場合、疎水性がかなり高く、アルカリ現像液との親和性や無機基板への密着性が不足するため、パターン形状がT−トップとなったり、微細パターンの剥がれを生じやすくなり、結果として解像度が損なわれてしまう。
しかしながら、極性基としてメバロニックラクトンを単独で用いた場合、酸と反応しうる部位が過剰となり、感度が早くなって、露光余裕が狭くなってしまい、実用に耐えないという欠点があった。また、露光後の加熱処理時に脱離したアルカリ可溶性ラクトン成分が未露光部に拡散して溶解コントラストを低下させてしまうため、充分な解像度が得られなかった。
このような状況の下、集積回路素子における微細化の進行に対応しうる技術開発の観点から、遠紫外線に代表される短波長の放射線に適応可能で、放射線に対する透明性が高く、特に解像度と露光余裕とのトレードオフの問題を解決でき、またドライエッチング耐性、パターン形状等にも優れた化学増幅型レジストが強く求められている。
〔I〕下記式(1)で表される繰り返し単位と、〔II〕下記式(2−1)で表される繰り返し単位および下記式(2−2)で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種とを有するアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、酸の作用によりアルカリ可溶性となり、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量が1,000〜100,000であるラクトン系共重合樹脂(以下、「(A)ラクトン系共重合樹脂」という。)によって達成される。
(A)ラクトン系共重合樹脂、および(B)感放射線性酸発生剤(以下、「(B)酸発生剤」という。)を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物
によって達成される。
(A)ラクトン系共重合樹脂
(A)ラクトン系共重合樹脂は、〔I〕前記式(1)で表される繰り返し単位(以下、「繰り返し単位(1)」という。)と、〔II〕前記式(2−1)で表される繰り返し単位(以下、「繰り返し単位(2−1)」という。)および前記式(2−2)で表される繰り返し単位(以下、「繰り返し単位(2−2)」という。)から選ばれる少なくとも1種とを有するアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、酸の作用によりアルカリ可溶性となり、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量が1,000〜100,000である樹脂からなる。
ここでいう「アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性」とは、(A)ラクトン系共重合樹脂を含有する後述の感放射線性樹脂組成物から形成されたレジスト被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、当該レジスト被膜の代わりに(A)ラクトン系共重合樹脂のみを用いた被膜を現像した場合に、当該被膜の初期膜厚の50%以上が現像後に残存する性質を意味する。 (A)ラクトン系共重合樹脂において、繰り返し単位(1)は単独でまたは2種存在することができ、また繰り返し単位(2−1)および繰り返し単位(2−2)はそれぞれ単独でまたは2種存在することができる。
本発明における好ましい他の繰り返し単位としては、例えば、下記式(3)で表される繰り返し単位(以下、「繰り返し単位(3)」という。)、下記式(4)で表される繰り返し単位(以下、「繰り返し単位(4)」という。)等を挙げることができる。
02,6 ] デカン、テトラシクロ [4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカン、アダマンタン等の多環型脂環式炭化水素に由来する基;これらの基をメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基の1個以上もしくは1種以上で置換した基等を挙げることができる。
(メタ)アクリル酸カルボキシノルボルニル、(メタ)アクリル酸カルボキシトリシクロデカニル、(メタ)アクリル酸カルボキシテトラシクロデカニル等の不飽和カルボン酸の多環型炭化水素骨格を有するカルボキシル基含有エステル類;(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸2−メチルプロピル、(メタ)アクリル酸1−メチルプロピル、(メタ)アクリル酸t−ブチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシ−n−プロピル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−n−プロピル、(メタ)アクリル酸シクロプロピル、(メタ)アクリル酸シクロペンチル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸4−メトキシシクロヘキシル、(メタ)アクリル酸2−シクロペンチルオキシカルボニルエチル、(メタ)アクリル酸2−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、(メタ)アクリル酸2−(4−メトキシシクロヘキシル)オキシカルボニルエチル等の多環型炭化水素骨格をもたない(メタ)アクリル酸エステル類;
α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸n−プロピル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸n−ブチル等のα−ヒドロキシメチルアクリル酸エステル類;
(メタ)アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル化合物;
(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物;
N−(メタ)アクリロイルモルホリン、N−ビニル−ε−カプロラクタム、N−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物;
(メタ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、無水イタコン酸、シトラコン酸、無水シトラコン酸、メサコン酸等の不飽和カルボン酸(無水物)類
等の単官能性単量体類や、
メチレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、2,5−ジメチル−2,5−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,8−オクタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−ビス(2−ヒドロキシプロピル)ベンゼンジ(メタ)アクリレート、1,3−ビス(2−ヒドロキシプロピル)ベンゼンジ(メタ)アクリレート等の有橋式炭化水素骨格をもたない(メタ)アクリル酸エステル類
等の多官能性単量体
等の重合性不飽和結合が開裂した繰り返し単位を挙げることができる。
(A)ラクトン系共重合樹脂において、他の繰り返し単位は、単独でまたは2種以上が存在することができる。
さらに、繰り返し単位(3)および繰り返し単位(4)以外の他の繰り返し単位の合計含有率は、全繰り返し単位に対して、通常、40モル%以下、好ましくは25重量%以下である。
前記重合に使用される溶媒としては、例えば、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;2−ブタノン、4−メチル−2−ペンタノン、2−ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーエル類等を挙げることができる。
これらの溶媒は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
また、前記重合における反応温度は、通常、40〜120℃、好ましくは50〜90℃であり、反応時間は、通常、1〜48時間、好ましくは1〜24時間である。
また、(A)ラクトン系共重合樹脂のMwとゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によるポリスチレン換算数平均分子量(以下、「Mn」という。)との比(Mw/Mn)は、通常、1〜5、好ましくは1〜3である。
なお、(A)ラクトン系共重合樹脂は、ハロゲン、金属等の不純物が少ないほど好ましく、それにより、レジストとしたときの感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等をさらに改善することができる。(A)ラクトン系共重合樹脂の精製法としては、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等を挙げることができる。
以下、本発明の感放射線性樹脂組成物について説明する。
(B)酸発生剤は、露光により発生した酸の作用によって、(A)ラクトン系共重合樹脂中に存在する酸解離性基を解離させ、その結果レジスト被膜の露光部がアルカリ現像液に易溶性となり、ポジ型のレジストパターンを形成する作用を有するものである。
(B)酸発生剤としては、下記式(5)で表される化合物(以下、「酸発生剤(5)」という。)が好ましい。
また、pとしては、0または1が好ましい。
また、前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1−メトキシエチル基、2−メトキシエチル基、1−エトキシエチル基、2−エトキシエチル基等の炭素数2〜21の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。
また、前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n−プロポキシカルボニルオキシ基、i−プロポキシカルボニルオキシ基、n−ブトキシカルボニルオキシ基、t−ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素数2〜21の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。
また、前記2価の基に対する置換基としては、例えば、前記フェニル基およびアルキル置換フェニル基に対する置換基として例示したヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシル基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基と同様のものを挙げることができる。
R10が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。
また、Z- のCa F2a+1SO3 - 中のCa F2a+1−基は、炭素数aのパーフルオロアルキル基であるが、該パーフルオロアルキル基は直鎖状もしくは分岐状であることができる。
Z- におけるaとしては4または8が好ましい。
トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−ナフチルジメチルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−ナフチルジメチルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−ナフチルジエチルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−ナフチルジエチルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(4−ヒドロキシナフチル)ジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−ヒドロキシナフチル)ジエチルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−ヒドロキシナフチル)ジエチルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(4−シアノナフチル)ジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−シアノナフチル)ジメチルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−シアノナフチル)ジメチルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(4−シアノナフチル)ジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−シアノナフチル)ジエチルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−シアノナフチル)ジエチルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(4−ニトロナフチル)ジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−ニトロナフチル)ジエチルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−ニトロナフチル)ジエチルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(4−メチルナフチル)ジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−メチルナフチル)ジメチルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−メチルナフチル)ジメチルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(4−メチルナフチル)ジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−メチルナフチル)ジエチルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−メチルナフチル)ジエチルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(4−n−ブトキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(4−ヒドロキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−ヒドロキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−ヒドロキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(4−エトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−エトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−エトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(4−エトキシメトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−エトキシメトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−エトキシメトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−〔4−(1−メトキシエトキシ)ナフタレン−1−イル〕テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−〔4−(1−メトキシエトキシ)ナフタレン−1−イル〕テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−〔4−(1−メトキシエトキシ)ナフタレン−1−イル〕テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(4−メトキシカルボニルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−メトキシカルボニルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−メトキシカルボニルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(4−エトキシカルボニルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−エトキシカルボニルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−エトキシカルボニルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(4−i−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−i−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−i−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(4−n−ブトキシカルボニルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシカルボニルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシカルボニルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(4−ベンジルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−ベンジルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−ベンジルオキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−(1−ナフチルアセトメチル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(1−ナフチルアセトメチル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(1−ナフチルアセトメチル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
1−〔4−(2−テトラヒドロピラニルオキシ)ナフタレン−1−イル〕テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−〔4−(2−テトラヒドロピラニルオキシ)ナフタレン−1−イル〕テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−〔4−(2−テトラヒドロピラニルオキシ)ナフタレン−1−イル〕テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート
等を挙げることができる。
これらの他の酸発生剤としては、例えば、下記のものを挙げることができる。
オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。
オニウム塩化合物の具体例としては、
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、シクロヘキシル・2−オキソシクロヘキシル・メチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル・2−オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、2−オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等を挙げることができる。
ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物等を挙げることができる。
ハロゲン含有化合物の具体例としては、フェニルビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、4−メトキシフェニルビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、1−ナフチルビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン等の(トリクロロメチル)−s−トリアジン誘導体や、1,1−ビス(4−クロロフェニル)−2,2,2−トリクロロエタン等を挙げることができる。
ジアゾケトン化合物:
ジアゾケトン化合物としては、例えば、1,3−ジケト−2−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等を挙げることができる。
ジアゾケトンの具体例としては、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロリド、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリド、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタンの1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等を挙げることができる。
スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホンや、これらの化合物のα−ジアゾ化合物等を挙げることができる。
スルホン化合物の具体例としては、4−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス(フェニルスルホニル)メタン等を挙げることができる。
スルホン酸化合物:
スルホン酸化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、アルキルスルホン酸イミド、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。
スルホン酸化合物の具体例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールのトリス(トリフルオロメタンスルホネート)、ニトロベンジル−9,10−ジエトキシアントラセン−2−スルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボジイミド、ノナフルオロ−n−ブタンスルホニルビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボジイミド、パーフルオロ−n−オクタンスルホニルビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボジイミド、N−ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタンスルホネート、N−ヒドロキシスクシイミドノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、N−ヒドロキシスクシイミドパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、1,8−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネート、1,8−ナフタレンジカルボン酸イミドノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1,8−ナフタレンジカルボン酸イミドパーフルオロ−n−オクタンスルホネート等を挙げることができる。
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、
シクロヘキシル・2−オキソシクロヘキシル・メチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル・2−オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、2−オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
等が好ましい。
本発明において、(B)酸発生剤の使用量は、レジストとしての感度および現像性を確保する観点から、(A)ラクトン系共重合樹脂100重量部に対して、通常、0.1〜20重量部、好ましくは0.5〜10重量部である。この場合、(B)酸発生剤の使用量が0.1重量部未満では、感度および現像性が低下する傾向があり、一方20重量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、矩形のレジストパターンを得られ難くなる傾向がある。
本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて、酸拡散制御剤、酸解離性基を有する脂環族添加剤、界面活性剤、増感剤等の各種の添加剤を配合することができる。
前記酸拡散制御剤は、露光により(B)酸発生剤から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する成分である。
このような酸拡散制御剤を配合することにより、得られる感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上するとともに、露光から現像処理までの引き置き時間(PED)の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物が得られる。
前記酸拡散制御剤としては、レジストパターンの形成工程中の露光や加熱処理により塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ましい。
このような含窒素有機化合物としては、例えば、下記式(6)
含窒素化合物(ハ)としては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、2−ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等を挙げることができる。
N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、N−t−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N−t−ブトキシカルボニル−2−メチルベンズイミダゾール、N−t−ブトキシカルボニル−2−フェニルベンズイミダゾール等のN−t−ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物のほか、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N−メチルピロリドン等を挙げることができる。
前記酸拡散制御剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
このような脂環族添加剤としては、例えば、
1−アダマンタンカルボン酸t−ブチル、1−アダマンタンカルボン酸t−ブトキシカルボニルメチル、1,3−アダマンタンジカルボン酸ジ−t−ブチル、1−アダマンタン酢酸t−ブチル、1−アダマンタン酢酸t−ブトキシカルボニルメチル、1,3−アダマンタンジ酢酸ジ−t−ブチル、2,5−ビス(1−アダマンチルオキシカルボニル)−2.5−ジメチルヘキサン等のアダマンタン誘導体類;
デオキシコール酸t−ブチル、デオキシコール酸t−ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2−エトキシエチル、デオキシコール酸2−シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸3−オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエステル等のデオキシコール酸エステル類;
リトコール酸t−ブチル、リトコール酸t−ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2−エトキシエチル、リトコール酸2−シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸3−オキソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニル、リトコール酸メバロノラクトンエステル等のリトコール酸エステル類
等を挙げることができる。
これらの脂環族添加剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn−ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤のほか、以下商品名で、KP341(信越化学工業(株)製)、ポリフローNo.75,同No.95(共栄社化学(株)製)、エフトップEF301,同EF303,同EF352(トーケムプロダクツ(株)製)、メガファックスF171,同F173(大日本インキ化学工業(株)製)、フロラードFC430,同FC431(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710,サーフロンS−382,同SC−101,同SC−102,同SC−103,同SC−104,同SC−105,同SC−106(旭硝子(株)製)等を挙げることができる。
これらの界面活性剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
このような増感剤としては、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等を挙げることができる。
これらの増感剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。 また、染料あるいは顔料を配合することにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和でき、接着助剤を配合することにより、基板との接着性を改善することができる。
さらに、前記以外の添加剤としては、後述するアルカリ可溶性樹脂、酸解離性の保護基を有する低分子のアルカリ溶解性制御剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、消泡剤等を挙げることができる。
本発明の感放射線性樹脂組成物は、普通、その使用に際して、全固形分濃度が、通常、5〜50重量%、好ましくは10〜25重量%となるように、溶剤に溶解したのち、例えば孔径0.2μm程度のフィルターでろ過することによって、組成物溶液として調製される。
前記組成物溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、
2−ブタノン、2−ペンタノン、3−メチル−2−ブタノン、2−ヘキサノン、4−メチル−2−ペンタノン、3−メチル−2−ペンタノン、3,3−ジメチル−2−ブタノン、2−ヘプタノン、2−オクタノン等の直鎖状もしくは分岐状のケトン類;
シクロペンタノン、3−メチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−メチルシクロヘキサノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン、イソホロン等の環状のケトン類;
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−i−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−i−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−sec−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−t−ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;
2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシプロピオン酸n−プロピル、2−ヒドロキシプロピオン酸i−プロピル、2−ヒドロキシプロピオン酸n−ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸i−ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸sec−ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸t−ブチル等の2−ヒドロキシプロピオン酸アルキル類;
3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル等の3−アルコキシプロピオン酸アルキル類のほか、
等を挙げることができる。
本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に化学増幅型レジストとして有用である。
前記化学増幅型レジストにおいては、露光により(B)酸発生剤から発生した酸の作用によって、(A)ラクトン系共重合樹脂中の酸解離性基が解離して、カルボキシル基を生じ、その結果、レジストの露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が高くなり、該露光部がアルカリ現像液によって溶解、除去され、ポジ型のレジストパターンが得られる。
本発明の感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを形成する際には、組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆されたウエハー等の基板上に塗布することにより、レジスト被膜を形成し、場合により予め加熱処理(以下、「PB」という。)を行ったのち、所定のレジストパターンを形成するように該レジスト被膜に露光する。その際に使用される放射線としては、使用される酸発生剤(B)の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等を適宜選定して使用されるが、KrFエキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)あるいはF2 エキシマレーザー(波長157nm)に代表される遠紫外線が好ましい。
本発明においては、露光後に加熱処理(以下、「PEB」という。)を行うことが好ましい。このPEBにより、酸解離性基の解離反応が円滑に進行する。PEBの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって変わるが、通常、30〜200℃、好ましくは50〜170℃である。
次いで、露光されたレジスト被膜をアルカリ現像液を用いて現像することにより、所定のレジストパターンを形成する。
前記アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8−ジアザビシクロ−[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−[4.3.0]−5−ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ性水溶液が好ましい。
前記アルカリ性水溶液の濃度は、通常、10重量%以下である。この場合、アルカリ性水溶液の濃度が10重量%を超えると、非露光部も現像液に溶解するおそれがあり好ましくない。
これらの有機溶媒は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
有機溶媒の使用量は、アルカリ性水溶液に対して、100容量%以下が好ましい。この場合、有機溶媒の使用量が100容量%を超えると、現像性が低下して、露光部の現像残りが多くなるおそれがある。
また、前記アルカリ性水溶液には、界面活性剤等を適量添加することもできる。
なお、アルカリ現像液で現像したのちは、一般に、水で洗浄して乾燥する。
さらに、本発明の感放射線性樹脂組成物は、化学増幅型レジストとして、前述した優れた特性を示すものであり、今後ますます微細化が進行すると予想される集積回路素子の製造に極めて好適に使用することができる。
実施例および比較例における各測定・評価は、下記の要領で行った。
Mw:
東ソー(株)製GPCカラム(G2000HXL 2本、G3000HXL 1本、G4000HXL 1本)を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定した。
放射線透過率:
組成物溶液を石英ガラス上にスピンコートにより塗布し、90℃に保持したホットプレート上で60秒間PBを行って形成した膜厚0.34μmのレジスト被膜について、波長193nmにおける吸光度から、放射線透過率を算出して、遠紫外線領域における透明性の尺度とした。
基板として、表面に膜厚820ÅのARC25(ブルワー・サイエンス(Brewer Science)社製)膜を形成したシリコーンウエハー(ARC25)を用い、各組成物溶液を、基板上にスピンコートにより塗布し、ホットプレート上にて、表2に示す条件でPBを行って形成した膜厚0.34μmのレジスト被膜に、(株)ニコン製ArFエキシマレーザー露光装置(レンズ開口数0.55、露光波長193nm)により、マスクパターンを介して露光した。その後、表2に示す条件でPEBを行ったのち、2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により、25℃で60秒間現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、線幅0.17μmのライン・アンド・スペースパターン(1L1S)を1対1の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度とした。
解像度:
最適露光量で解像される最小のレジストパターンの寸法を、解像度とした。
組成物溶液をシリコーンウエハー上にスピンコートにより塗布し、乾燥して形成した膜厚0.5μmのレジスト被膜に対して、PMT社製ドライエッチング装置(Pinnacle8000) を用い、エッチングガスをCF4 とし、ガス流量75sccm、圧力2.5mTorr、出力2,500Wの条件でドライエッチングを行って、エッチング速度を測定し、クレゾールノボラック樹脂からなる被膜のエッチング速度に対する相対値により評価した。エッチング速度が小さいほど、ドライエッチング耐性に優れることを意味する。
パターン形状:
線幅0.17μmのライン・アンド・スペースパターン(1L1S)の方形状断面の下辺寸法Lb と上辺寸法La とを走査型電子顕微鏡により測定して、
0.9≦La /Lb ≦1を満足し、かつパターン形状が裾を引いていない場合を“矩形”とし、La /Lb <0.9の場合を“テーパー状”とし、
La /Lb >1の場合を“T−トップ”とした。
露光余裕:
線幅0.17μmのライン・アンド・スペースパターン(1L1S)を形成する最適露光量における線幅をA、該最適露光量に対して(100±α)%の露光量で同様にレジストパターンを形成した場合の線幅の変動値をBとして、
B/A<0.05を満たすαの最大値を露光余裕とした。
メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル43.07g、繰り返し単位(1)に対応する単量体としてメタクリル酸メバロニックラクトン36.48gおよび繰り返し単位(2−1)に対応する単量体として5−メタクリロイルオキシ−2,6−ノルボルナンカルボラクトン20.45gを、2−ブタノン250gに溶解して均一溶液とし、窒素を15分間吹き込んだのち、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)4.35gを加えた。その後、80℃で6時間重合した。重合終了後、反応溶液を室温まで冷却し、メタノール1,250g中に投入して、樹脂を凝固させた。その後、得られた樹脂を2−ブタノン100gに再溶解したのち、メタノール500g中に滴下し、析出した樹脂をろ過して、真空乾燥することにより、白色の樹脂80g(収率80重量%)を得た。
この樹脂はMwが16,000であり、メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、メタクリル酸メバロニックラクトンおよび5−メタクリロイルオキシ−2,6−ノルボルナンカルボラクトンに由来する各繰り返し単位の含有率が42/38/20(モル%)の共重合体であった。この樹脂を樹脂(A-1) とする。
メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル43.55g、メタクリル酸メバロニックラクトン36.89gおよび繰り返し単位(2−2)に対応する単量体として1−メタクリロイルオキシ−4,2−シクロヘキサンカルボラクトン19.56gを、2−ブタノン250gに溶解して均一溶液とし、窒素を15分間吹き込んだのち、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)4.28gを加えた。その後、80℃で6時間重合した。重合終了後、反応溶液を室温まで冷却し、メタノール1,250g中に投入して、樹脂を凝固させた。その後、得られた樹脂を2−ブタノン100gに再溶解したのち、メタノール500g中に滴下し、析出した樹脂をろ過して、真空乾燥することにより、白色の樹脂77g(収率77重量%)を得た。
この樹脂はMwが14,300であり、メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、メタクリル酸メバロニックラクトンおよび1−メタクリロイルオキシ−4,2−シクロヘキサンカルボラクトンに由来する各繰り返し単位の含有率が41/40/19(モル%)の共重合体であった。この樹脂を樹脂(A-2) とする。
メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル44.04gおよびメタクリル酸メバロニックラクトン55.96gを2−ブタノン250gに溶解して均一溶液とし、窒素を15分間吹き込んだのち、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)4.33gを加えた。その後、80℃で6時間重合した。重合終了後、反応溶液を室温まで冷却し、メタノール1,250g中に投入して、樹脂を凝固させた。その後、得られた樹脂を2−ブタノン100gに再溶解したのち、メタノール500g中に滴下し、析出した樹脂をろ過して、真空乾燥することにより、白色の樹脂76g(収率76重量%)を得た。
この樹脂はMwが18,100であり、メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチルおよびメタクリル酸メバロニックラクトンに由来する各繰り返し単位の含有率が42/58(モル%)の共重合体であった。この樹脂を樹脂(a-1) とする。
メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル41.24 gおよび5−メタクリロイルオキシ−2,6−ノルボルナンカルボラクトン58.76gを2−ブタノン250gに溶解して均一溶液とし、窒素を15分間吹き込んだのち、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)4.06gを加えた。その後、80℃で6時間重合した。重合終了後、反応溶液を室温まで冷却し、メタノール1,250g中に投入して、樹脂を凝固させた。その後、得られた樹脂を2−ブタノン100gに再溶解したのち、メタノール500g中に滴下し、析出した樹脂をろ過して、真空乾燥することにより、白色の樹脂87g(収率87重量%)を得た。
この樹脂はMwが9,500であり、メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチルおよび5−メタクリロイルオキシ−2,6−ノルボルナンカルボラクトンに由来する各繰り返し単位の含有率が42/58(モル%)の共重合体であった。この樹脂を樹脂(a-2) とする。
メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル42.60gおよび1−メタクリロイルオキシ−4,2−シクロヘキサンカルボラクトン57.40gを2−ブタノン250gに溶解して均一溶液とし、窒素を15分間吹き込んだのち、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)4.19gを加えた。その後、80℃で6時間重合した。重合終了後、反応溶液を室温まで冷却し、メタノール1,250g中に投入して、樹脂を凝固させた。その後、得られた樹脂を2−ブタノン100gに再溶解したのち、メタノール500g中に滴下し、析出した樹脂をろ過して、真空乾燥することにより、白色の樹脂84g(収率84重量%)を得た。
この樹脂はMwが13,000であり、メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチルおよび1−メタクリロイルオキシ−4,2−シクロヘキサンカルボラクトンに由来する各繰り返し単位の含有率が41/59(モル%)の共重合体であった。この樹脂を樹脂(a-3) とする。
表1に示す成分からなる各組成物溶液について、各種評価を行った。評価結果を表3に示す。
表1における樹脂(A-1)〜(A-2)および樹脂(a-1)〜(a-3)以外の成分は以下のとおりである。
(B)酸発生剤
B-1:1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェ ニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート
B-2:1−(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)テトラヒドロチオ フェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルフォネート
B-3:トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート
酸拡散制御剤
C-1:N−t−ブトキシカルボニル−2−フェニルベンゾイミダゾール
C-2:N−t−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン
他の添加剤
D-1:デオキシコール酸t−ブチル
D-2:デオキシコール酸t−ブトキシカルボニルメチル
D-3:2,5−ビス(1−アダマンチルオキシカルボニル)−2.5−ジメチ ルヘキサン
溶剤
E-1:2−ヘプタノン
E-2:シクロヘキサノン
E-3:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
E-4:γ−ブチロラクトン
Claims (4)
- (A)アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、酸の作用によりアルカリ可溶性となる樹脂、および(B)感放射線性酸発生剤を含有する感放射線性樹脂組成物であって、(A)成分の樹脂が、〔I〕下記式(1)で表される繰り返し単位と、〔II〕下記式(2−2)で表される繰り返し単位とを有するゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量が1,000〜100,000であるラクトン系共重合樹脂からなり、(B)成分の感放射線性酸発生剤が、1−(4−ヒドロキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−ヒドロキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネートおよび1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネートの群から選ばれる少なくとも1種からなることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
- (A)成分の樹脂が、さらに下記式(3)で表される繰り返し単位を有する樹脂からなることを特徴とする、請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。
- 式(3)中の−C(R5)3 で表される基がt−ブチル基、1−メトキシエトキシ基、1−エトキシエトキシ基、1−メチルシクロペンチル基、1−エチルシクロペンチル基、1−メチルシクロヘキシル基、1−エチルシクロヘキシル基、8−メチル−3−トリシクロ[ 5.2.1.02,6 ] デカニル基、8−エチル−3−トリシクロ[ 5.2.1.02,6 ] デカニル基、2−メチル−2−アダマンチル基、2−エチル−2−アダマンチル基または2−テトラヒドロピラニル基であることを特徴とする、請求項2に記載の感放射線性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006297286A JP4525668B2 (ja) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | 感放射線性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006297286A JP4525668B2 (ja) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | 感放射線性樹脂組成物 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002054883A Division JP4051963B2 (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | ラクトン系共重合樹脂および感放射線性樹脂組成物 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007052459A true JP2007052459A (ja) | 2007-03-01 |
JP2007052459A5 JP2007052459A5 (ja) | 2007-04-12 |
JP4525668B2 JP4525668B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=37916901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006297286A Expired - Lifetime JP4525668B2 (ja) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | 感放射線性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4525668B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101051907B1 (ko) | 2007-11-30 | 2011-07-26 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 불소 함유 화합물, 액침 노광용 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0990637A (ja) * | 1995-07-14 | 1997-04-04 | Fujitsu Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法 |
JPH1149806A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-23 | Nippon Zeon Co Ltd | (メタ)アクリル酸エステル共重合体の製造方法 |
JP2000026446A (ja) * | 1998-07-03 | 2000-01-25 | Nec Corp | ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法 |
JP2001064273A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-13 | Maruzen Petrochem Co Ltd | シクロヘキサンラクトン構造を有する重合性化合物及び重合体 |
JP2003005375A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2003252933A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Jsr Corp | ラクトン系共重合樹脂および感放射線性樹脂組成物 |
-
2006
- 2006-11-01 JP JP2006297286A patent/JP4525668B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0990637A (ja) * | 1995-07-14 | 1997-04-04 | Fujitsu Ltd | レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法 |
JPH1149806A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-23 | Nippon Zeon Co Ltd | (メタ)アクリル酸エステル共重合体の製造方法 |
JP2000026446A (ja) * | 1998-07-03 | 2000-01-25 | Nec Corp | ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法 |
JP2001064273A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-13 | Maruzen Petrochem Co Ltd | シクロヘキサンラクトン構造を有する重合性化合物及び重合体 |
JP2003005375A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2003252933A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Jsr Corp | ラクトン系共重合樹脂および感放射線性樹脂組成物 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101051907B1 (ko) | 2007-11-30 | 2011-07-26 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 불소 함유 화합물, 액침 노광용 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4525668B2 (ja) | 2010-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4877306B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP4345326B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP2008192774A (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 | |
KR20100054848A (ko) | 감방사선성 조성물 | |
JP4985944B2 (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物 | |
JPWO2007058345A1 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP5003548B2 (ja) | 半導体レジスト用重合体及び感放射線性組成物 | |
JP2007112898A (ja) | 共重合体及び感放射線性樹脂組成物 | |
JP4232577B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP5333227B2 (ja) | 感放射線性組成物、及びフォトレジストパターンの形成方法 | |
JP5299031B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP4036320B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP4051963B2 (ja) | ラクトン系共重合樹脂および感放射線性樹脂組成物 | |
JP5077353B2 (ja) | 感放射線性組成物 | |
JP2008225412A (ja) | 液浸露光用感放射線性樹脂組成物 | |
JP2007212797A (ja) | 液浸露光用感放射線性樹脂組成物 | |
JP3855770B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP2003241384A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP4525668B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP4114354B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP4752794B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物及び感放射線性樹脂組成物用重合体 | |
JP4029929B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP4848843B2 (ja) | 重合体、感放射線性樹脂組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP3975751B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP2007212796A (ja) | 液浸露光用感放射線性樹脂組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091124 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100524 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4525668 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |