JP2007049482A - Elastic boundary wave element - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、接合した一対の圧電材料の接合部にすだれ状電極を設けた弾性境界波素子に関する。 The present invention relates to a boundary acoustic wave element in which interdigital electrodes are provided at a joint portion of a pair of joined piezoelectric materials.
弾性表面波共振器、弾性表面波フィルタなどの弾性表面波(Surface Acoustic Wave:SAW)デバイスを形成するSAW素子は、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電材料の表面に、すだれ状電極を備えている。すだれ状電極は、圧電材料を励振して弾性表面波を発生する。SAW素子に生ずる弾性表面波は、基本的にすだれ状電極の電極指の形成ピッチに依存している。そして、SAW素子は、弾性表面波が高周波数になればなるほど、すだれ状電極の電極指の形成ピッチが狭くなる。このため、このようなSAW素子を備えたSAWデバイスは、塵埃などの微小な異物が付着すると、すだれ状電極が短絡したりする。したがって、SAWデバイスは、付着した異物によるすだれ状電極の短絡を防止するために、SAW素子を外部から隔てる容器を必要とし、SAWデバイスの小型化の障害になる。 SAW elements forming surface acoustic wave (SAW) devices such as surface acoustic wave resonators and surface acoustic wave filters are interdigital electrodes on the surface of piezoelectric materials such as quartz, lithium tantalate, and lithium niobate. It has. The interdigital electrode generates a surface acoustic wave by exciting a piezoelectric material. The surface acoustic wave generated in the SAW element basically depends on the formation pitch of the interdigital electrodes. In the SAW element, the higher the surface acoustic wave becomes, the narrower the pitch between the interdigital electrodes. For this reason, in a SAW device provided with such a SAW element, when a minute foreign matter such as dust adheres, the interdigital electrode is short-circuited. Therefore, the SAW device requires a container that separates the SAW element from the outside in order to prevent the interdigital electrodes from being short-circuited by the attached foreign matter, which is an obstacle to miniaturization of the SAW device.
そこで、すだれ状電極を外部に露出させずに弾性波を励振できる弾性境界波素子の開発が進められている(例えば、特許文献1)。この特許文献1に記載の弾性境界波素子は、すだれ状電極を挟み込んで接合した一対の固体材料の少なくとも一方に、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)などの圧電効果を有する材料(圧電材料)を用いたものである。このような弾性境界波素子は、接合した一対の固体材料の接合部(境界部)に、挟み込んだすだれ状電極によってストンリー波と呼ばれる弾性境界波を励振することができる。このような弾性境界波素子は、すだれ状電極が外部に露出していないため、容器に収容しなくとも塵埃などの異物の付着による短絡を防止することができる。
ところで、弾性境界波は、どのような圧電材料を用いても得られるものではない。例えば、STカット水晶板は、弾性表面波であるレイリー波を利用した弾性表面波素子に広く用いられている。しかし、発明者らの研究によると、STカット水晶板を用いたのでは弾性境界波を発生させることができない。さらに、発明者等は、G.W.Farnell,“Symmetry Considerations for Elastic Layer Modes Propagating in Anisotropic Piezoelectric Crystals”,IEEE Trans.Sonics Ultrason.,vol.SU-17,NO.4,pp.229~238,1079.(以下、技術文献という)に記載された方法により、運動方程式、圧電方程式等に基づいてSTカット水晶板について、弾性境界波を励振させうる境界条件を満足するカット角を求めたところ、STカット水晶板を特定の角度面内回転させた場合に、弾性境界波を励振できることがわかった。このことは、他の圧電材料についても同様であって、単に弾性表面波を励振させることができる圧電材料を用いたからといって、弾性境界波を励振できるものでなく、詳細に検討しなければ弾性境界波を発生させられないことがわかった。 By the way, the boundary acoustic wave is not obtained by using any piezoelectric material. For example, ST-cut quartz plates are widely used for surface acoustic wave elements that use Rayleigh waves, which are surface acoustic waves. However, according to the research by the inventors, boundary acoustic waves cannot be generated by using ST cut quartz plates. Furthermore, the inventors have described GWFarnell, “Symmetry Considerations for Elastic Layer Modes Propagating in Anisotropic Piezoelectric Crystals”, IEEE Trans.Sonics Ultrason., Vol.SU-17, NO.4, pp.229-238,1079. The cut angle satisfying the boundary condition capable of exciting the boundary acoustic wave was determined for the ST-cut quartz plate based on the equation of motion, the piezoelectric equation, etc. by the method described in the technical literature. It was found that boundary acoustic waves can be excited when the plate is rotated in a specific angle plane. This is the same for other piezoelectric materials, and simply using a piezoelectric material that can excite surface acoustic waves cannot excite boundary acoustic waves, and must be studied in detail. It was found that elastic boundary waves cannot be generated.
一方、特許文献1に記載の弾性境界波素子は、すだれ状電極が露出していないため、すだれ状電極の短絡を防ぐことができ、パッケージを用いることなくフィルタなどを形成することができる。しかし、特許文献1に記載の弾性境界波素子は、圧電材料としてニオブ酸リチウムを使用している。ニオブ酸リチウムは、電気機械結合係数が水晶より大きいとはいえ、約20%であり、決して充分に大きいということができない。このため、フィルタを形成した場合に、広い通過帯域のフィルタとすることが困難となる。
本発明は、前記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、電気機械結合係数の大きな弾性境界波素子が得られるようにすることを目的としている。
On the other hand, in the boundary acoustic wave element described in
The present invention has been made in order to eliminate the above-mentioned drawbacks of the prior art, and an object thereof is to obtain a boundary acoustic wave device having a large electromechanical coupling coefficient.
発明者等は、上記技術文献に記載の方法により運動方程式、圧電方程式等を計算して、各種の圧電材料について弾性境界波が得られる境界条件が存在するか否かを詳細に検討し、検討結果に基づいて、弾性境界波を発生させる実験を行なった。その結果、電気機械結合係数の大きなニオブ酸カリウム(KNbO3)は、弾性境界波を発生させうる境界条件を満足する圧電材料であることがわかった。 The inventors calculated the equations of motion, piezoelectric equations, etc. by the method described in the above technical document, and examined in detail whether or not there are boundary conditions for obtaining elastic boundary waves for various piezoelectric materials. Based on the results, an experiment was conducted to generate boundary acoustic waves. As a result, it was found that potassium niobate (KNbO 3 ) having a large electromechanical coupling coefficient is a piezoelectric material that satisfies boundary conditions that can generate boundary acoustic waves.
本発明は、このような知見に基づいてなされたものである。すなわち、上記の目的を達成するために、本発明に係る弾性境界波素子は、ニオブ酸カリウムからなる第1圧電基板と、前記第1圧電基板に接合したニオブ酸カリウムからなる第2圧電基板と、前記第1圧電基板と前記第2圧電基板との少なくともいずれか一方に、他方に対面させて形成したすだれ状電極と、を有することを特徴としている。 The present invention has been made based on such knowledge. That is, in order to achieve the above object, the boundary acoustic wave device according to the present invention includes a first piezoelectric substrate made of potassium niobate, and a second piezoelectric substrate made of potassium niobate bonded to the first piezoelectric substrate. In addition, at least one of the first piezoelectric substrate and the second piezoelectric substrate has an interdigital electrode formed so as to face the other.
特許文献1に記載されているニオブ酸リチウムは、弾性表面波の場合、電気機械結合係数が20%で、充分大きいとはいえない。これに対して、ニオブ酸カリウムは、電気機械結合係数が約50%である。このため、本発明に係るニオブ酸カリウムを用いた弾性境界波素子は、特許文献1に記載の弾性境界波素子に比較してはるかに大きな電気機械結合係数を得ることができる。そして、弾性境界波素子は、電気機械結合係数が大きいとフィルタとして用いた場合に、通過帯域の広いフィルタとすることが知られている。したがって、本発明に係る弾性境界波素子は、通過帯域の広いフィルタとすることができる。
In the case of surface acoustic waves, lithium niobate described in
第1圧電基板を構成するニオブ酸カリウムと、第2圧電基板を構成するニオブ酸カリウムとは、オイラー角表示で(0°±30°,0°〜±180°,0°±20°)のカット角のものを使用することができる。発明者等の研究によると、ニオブ酸カリウムのカット角は、オイラー角を(φ,θ,ψ)としたときに、任意のθについて弾性境界波を発生させ得ることがわかった。したがって、ニオブ酸カリウムは、オイラー角表示で(0°±30°,0°〜±180°,0°±20°)のカット角のものを用いてよい。これにより、弾性境界波を確実に発生させることができ、電気機械結合係数の大きな弾性境界波素子を得ることができる。 The potassium niobate constituting the first piezoelectric substrate and the potassium niobate constituting the second piezoelectric substrate are expressed as Euler angles (0 ° ± 30 °, 0 ° to ± 180 °, 0 ° ± 20 °). Cut angles can be used. According to studies by the inventors, it has been found that the cut angle of potassium niobate can generate boundary acoustic waves for any θ when the Euler angles are (φ, θ, ψ). Accordingly, potassium niobate having a cut angle of Euler angles (0 ° ± 30 °, 0 ° to ± 180 °, 0 ° ± 20 °) may be used. Thereby, a boundary acoustic wave can be generated reliably, and a boundary acoustic wave element having a large electromechanical coupling coefficient can be obtained.
本発明に係る弾性境界波素子の好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る弾性境界波素子を模式的に示した説明図である。図1において、弾性境界波素子10は、第1圧電基板12と第2圧電基板14との一対の圧電基板を備えている。第1圧電基板12と第2圧電基板14とは、実施形態の場合、ニオブ酸カリウム(KNbO3)から構成してあり、相互に接合してある。これらのニオブ酸カリウムは、実施形態の場合、オイラー角表示を(φ,θ,ψ)としたときに、カット角が(0°±30°,0°〜±180°,0°±20°)となっている。また、実施形態の場合、第1圧電基板12と第2圧電基板14とは、同じカット角のニオブ酸カリウムによって形成してある。なお、図1においては、理解を容易にするため、第2圧電基板14は、2点鎖線からなる仮想線によって示してある。また、第1圧電基板12と第2圧電基板14とは、オイラー角θが異なっていてもよい。さらに、第1圧電基板12と第2圧電基板14とを同じカット角のニオブ酸カリウムを使用し、一方を他方に対して裏返しにして接合してもよい。
Preferred embodiments of a boundary acoustic wave device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is an explanatory view schematically showing a boundary acoustic wave device according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the boundary
弾性境界波素子10は、第1圧電基板12の第2圧電基板14を接合した接合面(上面)中央部にIDT(Interdigital Transducer)16が設けてある。IDT16は、一対の櫛型電極18(18a、18b)からなっている。櫛型電極18は、それぞれが複数の電極指20(20a、20b)と、バスバー22(22a、22b)とを備えている。電極指20は、長手方向が弾性境界波の伝播方向に直交しており、一端が対応するバスバー22に接続してある。そして、IDT16は、一対の櫛型電極18の各電極指20が噛み合うように配置してあり、すだれ状に形成してある。
In the boundary
さらに、弾性境界波素子10は、IDT16の弾性境界波の伝播方向両側に反射器24(24a、24b)が設けてある。反射器24は、櫛型電極18と同じ導電材によって形成してあり、長手方向を弾性境界波の伝播方向に直交させて、電極指20と平行に形成した複数の導体ストリップ26からなっている。なお、反射器24は、導体ストリップ26の両端を接続するバスバーを設けてもよい。
Furthermore, the boundary
さらに、各反射器24の外側には、電極部30(30a、30b)が設けてある。これらの電極部30は、配線部32(32a、32b)を介して対応する櫛型電極18のバスバー22に接続してある。電極部30は、図1に示したように、第2圧電基板14から露出する位置に形成してあり、図示しないボンディングワイヤなどを介して実装基板の回路に電気的に接続される。すなわち、第2圧電基板14は、第1圧電基板12に設けたIDT16と一対の反射器24とを覆い、電極部30を露出させる大きさに形成してある。
Furthermore, the electrode part 30 (30a, 30b) is provided in the outer side of each reflector 24. FIG. These electrode portions 30 are connected to the bus bars 22 of the corresponding comb-shaped electrodes 18 through wiring portions 32 (32a, 32b). As shown in FIG. 1, the electrode part 30 is formed at a position exposed from the second
なお、反射器24とIDT16とは、図2に示したように、第1圧電基板12に形成した溝28内に形成してあり、上面が第1圧電基板12の接合面と一致しているか、やや低くなっており、第2圧電基板14を第1圧電基板12に接合するのに支障がないようにしてある。
As shown in FIG. 2, the reflector 24 and the
このようになっている実施形態の弾性境界波素子10は、IDT16の一対の櫛型電極18a、18b間に所定周波数の電気信号を与えると、第1圧電基板12、第2圧電基板14の境界部にストンリー波と呼ばれる弾性境界波が励振される。図3、図4は、実施形態の弾性境界波素子10のように、2枚のニオブ酸カリウム基板を張り合わせた状態の境界(またはニオブ酸カリウム基板内)を伝播する境界波の伝播特性を、前記した技術文献に記載の方法により運動方程式、圧電方程式等を計算し、境界条件を満足するしたときの伝播速度と電気機械係数とを計算して求めたものである。
In the boundary
図3、図4の横軸は、いずれもカット角がオイラー角表示で(0°,θ,0°)の場合におけるθを度で示している。また、図3の縦軸は、弾性境界波の伝播速度をm/sで示している。そして、図4の縦軸は、電気機械結合係数K2である。これらの図に示してあるように、θが90°のところで、境界波の伝播速度が約2900m/sと最も遅くなり、電気機械結合係数K2が約0.55と最大値を示す。また、電気機械結合係数K2は、θ=0°、θ=180°のところで約0.29と最小値を示す。したがって、カット角がオイラー角表示で(0°,θ,0°)のニオブ酸カリウム基板を用いた実施形態の弾性境界波素子10は、電気機械結合係数が約30〜50%の高い値を有する。この結果、実施形態の弾性境界波素子10は、通過帯域の広いフィルタを形成することができる。しかも、IDT16が第2圧電基板14に覆われているため、異物の付着によるIDT16の短絡を防止することができ、ケースに収容する必要がない。
The horizontal axis in FIGS. 3 and 4 indicates θ in degrees when the cut angle is Euler angle display (0 °, θ, 0 °). The vertical axis in FIG. 3 indicates the propagation velocity of the boundary acoustic wave in m / s. The vertical axis of FIG. 4 is an electro-mechanical coupling coefficient K 2. As is shown in these figures, theta is at the 90 °, the propagation velocity of a boundary wave is the slowest of about 2900 m / s, the electromechanical coupling coefficient K 2 indicates about 0.55 and a maximum value. Further, the electromechanical coupling factor K 2 is, theta = 0 °, indicating about 0.29 and the minimum value at the θ = 180 °. Therefore, the boundary
なお、前記実施形態においては、IDTが1つの場合について説明したが、IDTは、弾性境界波の伝播方向に沿って複数設けてもよい。また、前記実施形態においては、IDT16の両側に反射器24を設けた場合について説明したが、一対のIDTを離間して設け、反射器を省略したいわゆるトランスバーサル形であってもよい。さらに、前記実施形態においては、電極部30を第1圧電基板12の上面に形成した場合について説明したが、第1圧電基板と第2圧電基板とを同じ大きさに形成し、電極部を圧電基板の側面に形成してもよいし、圧電基板の下面に形成して表面実装形としてもよい。
In the embodiment, the case where there is one IDT has been described. However, a plurality of IDTs may be provided along the propagation direction of the boundary acoustic wave. In the above embodiment, the case where the reflectors 24 are provided on both sides of the
図5ないし図7は、カット角がオイラー角表示で(0°,θ,0°)の2枚のニオブ酸カリウム基板を接合した弾性境界波素子の、θの変化に対する弾性境界波の成分の状態を、計算により求めた図である。これらの図において、実線はP波(縦波)成分であり、破線がSH波成分、1点鎖線がSV波成分である。そして、図5ないし図7のいずれも、横軸が基板の厚み方向の距離であって、(−)側がIDTを設けた側の基板の境界(接合面)からの距離を境界波の波長λで示し、(+)がIDTを設けていない側の基板の境界からの距離を示している。また、縦軸は、変位量を示しており、それぞれのカット角における最大の変位を1として規格化してある。 FIGS. 5 to 7 show the boundary acoustic wave component of the boundary acoustic wave element in which two potassium niobate substrates with Euler angles represented by (0 °, θ, 0 °) are joined. It is the figure which calculated | required the state by calculation. In these figures, the solid line is the P wave (longitudinal wave) component, the broken line is the SH wave component, and the one-dot chain line is the SV wave component. 5 to 7, the horizontal axis is the distance in the thickness direction of the substrate, and the (−) side is the distance from the boundary (bonding surface) of the substrate on the side where the IDT is provided. (+) Indicates the distance from the substrate boundary on the side where no IDT is provided. The vertical axis indicates the amount of displacement, and the maximum displacement at each cut angle is normalized to 1.
図5(1)はθ=0°、同図(2)はθ=22.5°、同図(3)はθ=45°である。また、図6(1)はθ=67.5°、同図(2)はθ=90°、同図(3)はθ=112.5°である。さらに、図7(1)はθ=135°、同図(2)はθ=157.5°、同図(3)はθ=180°である。これらの図に示されているように、θが0°、180°においては、SH波成分はほとんど現れず、SV成分が優勢となる。また、θ=90°の場合は、P波成分とSV波成分とはほとんど現れず、SH波成分のみとなる。 5 (1) shows θ = 0 °, FIG. 5 (2) shows θ = 22.5 °, and FIG. 5 (3) shows θ = 45 °. 6 (1) is θ = 67.5 °, FIG. 6 (2) is θ = 90 °, and FIG. 6 (3) is θ = 112.5 °. Further, FIG. 7 (1) shows θ = 135 °, FIG. 7 (2) shows θ = 157.5 °, and FIG. 7 (3) shows θ = 180 °. As shown in these figures, when θ is 0 ° and 180 °, the SH wave component hardly appears and the SV component becomes dominant. In the case of θ = 90 °, the P wave component and the SV wave component hardly appear and only the SH wave component is present.
図8は、弾性境界波素子10を製造する方法の一例を示す工程図である。まず、接合面を研磨、洗浄したニオブ酸カリウムからなる第1圧電基板12の接合面にフォトレジストを塗布し、固化させてレジスト膜を形成する。次に、フォトマスク(図示せず)を介してレジスト膜を露光したのち、現像液を用いて現像し、図8(1)に示したように、IDT16や反射器24などに対応したパターンを有するように、レジスト膜34をパターニングする。
FIG. 8 is a process diagram showing an example of a method for manufacturing the boundary
その後、レジスト膜34をマスクにして第1圧電基板12をエッチングし、同図(2)に示したように、第1圧電基板12の接合面に、IDT16や反射器24などに対応した所定深さの溝28を形成する。所定深さの溝28を形成したならば、レジスト膜34を剥離して除去する。この溝28を形成する第1圧電基板12のエッチングは、ウエットエッチングまたはドライエッチングのどちらでもよいが、ドライエッチングの方が寸法精度の高い溝28を形成することができる。
Thereafter, the first
次に、図8(3)に示したように、第1圧電基板12の接合面全体にネガ型フォトレジストを塗布して固化させ、レジスト膜36を形成する。さらに、レジスト膜36を露光、現像し、図8(4)に示したように、溝28に対応したパターンがオーバーハング形状になるようにレジスト膜36をパターニングする。ネガ型フォトレジストは、光(紫外線)の当たった部分が硬化して現像液に不溶となる。そして、フォトマスクを介してレジスト膜36を露光した場合に、フォトマスクのパターン開口の縁部における露光量が開口中心部より相対的に少なく、フォトレジストの厚み方向において光の強度が次第に弱くなる。このため、ネガ型フォトレジストを露光、現像してパターニングすると、オーバーハング形状にパターニングされる。
Next, as shown in FIG. 8 (3), a negative photoresist is applied and solidified on the entire bonding surface of the first
その後、図8(5)に示したように、レジスト膜36を設けた第1圧電基板12の全面に、アルミニウムなどの導電性を有する金属38をスパッタリングや真空蒸着などによって堆積し、溝28に金属38を充填する。このとき、レジスト膜36は、オーバーハング形状となっているため、図8(5)に示されているように、側面に金属38が付着するのを防止することができる。溝28を金属38によって充填したならば、図8(6)に示したように、レジスト膜36を剥離して除去する。レジスト膜36は、側面に金属38が付着していないため、容易に剥離することができる。これにより、第1圧電基板12にIDT16や反射器24、電極部30などが形成される。
After that, as shown in FIG. 8 (5), a
その後、図8(7)に示したように、第1圧電基板12の接合面に、接合面を研磨、洗浄したニオブ酸カリウムからなる第2圧電基板14を接合する。これにより、弾性境界波素子10が形成される。
Thereafter, as shown in FIG. 8 (7), the second
第1圧電基板12と第2圧電基板14との接合は、例えば、第1圧電基板12と第2圧電基板14との接合面に薄い金属膜を形成し、両者を圧接した状態で金属膜を溶着させる金属接合によって行なうことができる。また、両者の接合面をイオンビームやプラズマを照射して活性化し、または両者の接合面を親水化処理し、両者を直接接合してもよい。なお、溝28への金属38の充填は、第1圧電基板12と第2圧電基板14との接合の障害とならないように、金属38の上面が第1圧電基板12の接合面と同じ高さになるか、やや低くなるようにする。また、金属38の上面が第1圧電基板12の接合面より高くなる場合、あるいは高くなるおそれがある場合、第1圧電基板12の接合面を研磨してから第2圧電基板14を接合するとよい。また、前記実施形態においては、第1圧電基板12に溝28を形成するためのレジスト膜と、溝28に金属38を充填するためのレジスト膜とを別々に形成した場合について説明したが、オーバーハング形状のパターンを有するレジスト膜を形成し、このレジスト膜を用いてドライエッチングにより溝28を形成し、その後、同じレジスト膜を用いて溝28に金属38を充填するようにしてもよい。
For example, the first
10………弾性境界波素子、12………第1圧電基板、14………第2圧電基板、16………IDT、18a、18b………櫛型電極、20a、20b………電極指、24a、24b………反射器。
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記第1圧電基板に接合したニオブ酸カリウムからなる第2圧電基板と、
前記第1圧電基板と前記第2圧電基板との少なくともいずれか一方に、他方に対面させて形成したすだれ状電極と、
を有することを特徴とする弾性境界波素子。 A first piezoelectric substrate made of potassium niobate;
A second piezoelectric substrate made of potassium niobate bonded to the first piezoelectric substrate;
Interdigital electrodes formed on at least one of the first piezoelectric substrate and the second piezoelectric substrate so as to face each other;
A boundary acoustic wave device comprising:
前記第1圧電基板を構成する前記ニオブ酸カリウムと、前記第2圧電基板を構成する前記ニオブ酸カリウムとは、カット角がオイラー角表示で(0°±30°,0°〜±180°,0°±20°)であることを特徴とする弾性境界波素子。 The boundary acoustic wave device according to claim 1,
The potassium niobate constituting the first piezoelectric substrate and the potassium niobate constituting the second piezoelectric substrate have a cut angle represented by Euler angles (0 ° ± 30 °, 0 ° to ± 180 °, A boundary acoustic wave element characterized by being 0 ° ± 20 °.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20100401 |