JP2007049208A - 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線パターンの設計仕様に応じて配線間隔等を比較的自由に調節することができる露光装置を提供する。
【解決手段】周期的に配列された複数の素子によって構成される光像形成部VMを有し、且つ該光像形成部に投影すべきパターンを生成する可変パターン生成装置と、前記可変パターン生成装置によって生成された前記パターンの像を感光性基板PL上に投影像として投影する投影手段61とを備え、前記光像形成部は回転可能であり、前記投影手段の光学特性を可変とする光学特性可変手段67を備える。
【選択図】図1
【解決手段】周期的に配列された複数の素子によって構成される光像形成部VMを有し、且つ該光像形成部に投影すべきパターンを生成する可変パターン生成装置と、前記可変パターン生成装置によって生成された前記パターンの像を感光性基板PL上に投影像として投影する投影手段61とを備え、前記光像形成部は回転可能であり、前記投影手段の光学特性を可変とする光学特性可変手段67を備える。
【選択図】図1
Description
この発明は、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法に関するものである。
露光装置として、回路パターンを表示する液晶ディスプレイとウェハとを相対的に移動させつつ、液晶ディスプレイに表示された回路パターンをウェハの移動に同期して変化させるものが知られている(例えば特許文献1参照)。
特開平9−17718号公報
しかし、上記露光装置では、液晶ディスプレイに表示された画素を最小単位としてウェハを露光するので、配線パターンの設計仕様に応じて配線間隔等を自在に調節することができず、設計の自由度が制限されていた。
本発明は、配線パターンの設計仕様に応じて配線間隔等を比較的自由に調節することができる露光装置、露光方法及び該露光方法を用いたデバイス製造方法を提供することを目的とする。
本発明の露光装置は、周期的に配列された複数の素子によって構成される光像形成部を有し、且つ該光像形成部に投影すべきパターンを生成する可変パターン生成装置と、前記可変パターン生成装置によって生成された前記パターンの像を感光性基板上に投影像として投影する投影手段とを備え、前記光像形成部は回転可能であり、前記投影手段の光学特性を可変とする光学特性可変手段を備えることを特徴とする。
ここで、「光像形成部」は、自発光型画像表示素子と非発光型画像表示素子の双方を含む概念である。前者の自発光型画像表示素子には、CRT(cathode ray tube)、無機EL(electro luminescence)ディスプレイ、有機ELディスプレイ、LEDディスプレイ、OLED(organic light emitting diode)ディスプレイ、LDディスプレイ、電界放出ディスプレイ(FED: field emission display)、プラズマディスプレイ(PDP: plasma display pane)等が含まれる。また、後者の非発光型画像表示素子は、空間光変調器(spatial light modulator)とも呼ばれ、光の振幅、位相あるいは偏光の状態を空間的に変調する素子であり、透過型空間光変調器と反射型空間光変調器とに分けられる。透過型空間光変調器には、透過型液晶表示素子(LCD: liquid crystal display)、エレクトロクロミックディスプレイ(ECD)等が含まれる。また、反射型空間光変調器には、DMD(digital mirror device, or digital micro−mirror device)、反射ミラーアレイ、反射型液晶表示素子、電気泳動ディスプレイ(EPD: electrophoretic display)、電子ペーパ(又は電子インク)、光回折ライトバルブ(grating light valve)等が含まれる。
また、本発明においては、前記光学特性可変手段が前記投影像の投影倍率を可変とする変倍手段を備えることが好ましい。そして、本発明においては、前記感光性基板を前記投影すべきパターンに対して所定移動方向に移動させる基板支持手段をさらに備えることが好ましい。
また、本発明では、前記光像形成部の回転によって前記パターン像の幅及び間隔を調整し、前記変倍手段によって前記パターン像の幅及び間隔を調整することが好ましい。
また、本発明では、前記可変パターン生成装置によって生成される前記パターンは、前記複数の素子の中の所定の個数の素子により生成され、前記パターン像の幅及び間隔を調整するために前記所定の個数は変更可能であることが好ましい。
また、本発明の露光方法は、周期的に配列された複数の素子によって構成される光像形成部に投影すべきパターンを生成するパターン生成工程と、前記パターン生成工程にて生成された前記パターンの像を、投影手段を用いて感光性基板上に投影像として投影する投影工程と、前記光像形成部を回転させる光像形成部回転工程と、前記投影手段の光学特性を可変とする光学特性可変工程とを含むことを特徴とする。
また、本発明のデバイス製造方法は、本発明の露光方法に基づいて感光性基板上にパターンを転写する露光工程と、露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とする。
また、本発明のデバイス製造方法において、前記デバイスが表示素子であることが好ましい。
〔第1実施形態〕
図1は、第1実施形態に係る露光装置の概略構成を示す図である。この露光装置10は、照明光源装置2と、マスク装置4と、投影部6と、ステージ装置7と、主制御部8とを備え、ステージ装置7に載置したプレート(感光性基板)PL上に、マスク装置4に設けた可変パターン生成マスクVMの像を投影することによって露光処理を行う。
図1は、第1実施形態に係る露光装置の概略構成を示す図である。この露光装置10は、照明光源装置2と、マスク装置4と、投影部6と、ステージ装置7と、主制御部8とを備え、ステージ装置7に載置したプレート(感光性基板)PL上に、マスク装置4に設けた可変パターン生成マスクVMの像を投影することによって露光処理を行う。
ここで、照明光源装置2は、マスク装置4に設けた可変パターン生成マスクVMに対して波面分割重畳型のケーラー照明を行うものであり、光源、コリメートレンズ、フライアイ光学系、集光レンズ、視野絞り、リレーレンズ等からなる照明光学系21と、照明光学系21の動作状態を制御する光源制御系23とを備える。この照明光学系21により、そのフライアイレンズ光学系の各レンズエレメントの後側焦点面に形成された2次光源像から射出される照明光ILを、それぞれ平行光束として重畳した状態で可変パターン生成マスクVMに入射させることができる。つまり、所望波長の光源光を極めて均一化した照明光ILによって、可変パターン生成マスクVM全体を均一に照明することができる。また、フライアイ光学系によって形成される2次光源の位置又はその近傍に開口絞りを配置してその開口径を調節することによって、照明条件を決定する重要なファクタであるσ値(投影部6を構成する投影レンズ61の瞳面の開口EPの径に対するその瞳面上での2次光源像の口径の比)を所望の値に設定することができる。
マスク装置4は、ステージ装置7に載置したプレートPLに投影すべきパターンを生成するための可変パターン生成装置であり、光像形成部である可変パターン生成マスクVMと、可変パターン生成マスクVMを支持するマスクホルダ41と、可変パターン生成マスクVMの動作状態を制御するマスク制御系43とを備える。
ここで、可変パターン生成マスクVMは、例えば非発光型画像表示素子すなわち空間光変調器と呼ばれる透過型液晶表示素子(LCD)からなり、入射光の位相状態を空間的に変調することができる。この場合、透過型液晶表示素子(LCD)周辺の光路上には、透過光の偏光状態に応じた透過率変化を与えるための偏光子が配置されている。マスクホルダ41は、可変パターン生成マスクVMを投影レンズ61等に対して固定的に保持するものであるが、その際、可変パターン生成マスクVMの投影レンズ61等に対する姿勢をアライメントによって調整することができる。すなわち、可変パターン生成マスクVMは、マスクホルダ41によって基準光軸AXに垂直な面内で2次元的に適宜移動させることができるとともに、基準光軸AXの回りに所望の回転角だけ回転させることができる。この際、可変パターン生成マスクVMの位置は、マスクホルダ41に設けたレーザ干渉計等によって計測され、マスク制御系43に出力される。マスク制御系43は、計測データに基づいて可変パターン生成マスクVMの位置を調整する。また、マスク制御系43は、主制御部8から出力される指令やデータに基づいて可変パターン生成マスクVMに表示動作を行わせることができる。具体的には、可変パターン生成マスクVMに生成すべきパターン情報に基づいて可変パターン生成マスクVMを電子的に制御して、可変パターン生成マスクVMに所望のパターンを生成するとともに、ステージ装置7に載置したプレートPLの移動に同期してそのパターンを適宜変化させる。この際、可変パターン生成マスクVMの各画素位置における透過率は、最大透光状態と最大遮光状態との2値の間でON及びOFFのスイッチ動作とする。なお、ON及びOFFのスイッチ動作とすることによって、最大透光状態と最大遮光状態の飽和状態でパターンが生成されるので、露光量を安定した状態とすることができ、露光量の精密な制御が可能になる。
投影部6は、照明光ILによって照明された可変パターン生成マスクVMの像光IMを適当な倍率でプレートPL上に投影するための投影手段であり、屈折レンズ等の光学素子からなる投影レンズ61と、投影レンズ61の動作状態を制御する投影レンズ駆動系63とを備える。このうち、投影レンズ61は、本体部分65と変倍部分67とを備える。前者の本体部分65は、例えばレンズ系で構成されたテレセントリック光学系であり、可変パターン生成マスクVMからの像光IMを適当な倍率でプレートPL上に投影する。後者の変倍部分67は、複数のレンズ要素67a〜67cからなる変倍手段であり、これらのレンズ要素67a〜67cの間隔や位置を調節することによって可変パターン生成マスクVMの投影倍率を補助的に調整できるようになっている。なお、変倍部分67は、可変パターン生成マスクVMの投影倍率を基準光軸AXに関して対称的に変更する。投影レンズ駆動系63は、主制御部8からの指令に基づいて、変倍部分67を構成する各レンズ要素67a〜67cを基準光軸AXに沿って所望量だけ移動させることができる。
ステージ装置7は、プレートPLをアライメントして支持した状態で投影レンズ61に対して所定速度で移動させるためのものであり、ステージ71と、ステージ71の動作状態を制御するステージ駆動系73とを備える。ステージ71は、ステージ駆動系73に駆動されて基準光軸AXに垂直な面内及び基準光軸AXに沿って3次元的に移動してアライメント可能である。さらに、ステージ71は、ステージ駆動系73に駆動されて基準光軸AXに垂直な所定方向(例えば紙面に垂直な方向)に所望の速度で移動させることができ、可変パターン生成マスクVMに生成した表示画像の変化に同期してプレートPLを移動させる走査型の露光を可能にする。
なお、ステージ71の位置は、ステージ駆動系73に設けたレーザ干渉計やフォーカスセンサ等によって計測され、主制御部8に出力される。主制御部8は、この位置情報に基づいてステージ駆動系73に設けたモータを駆動してプレートPLを目標位置に所望の速度で移動させることができる。
主制御部8は、照明光源装置2、マスク装置4、投影部6、ステージ装置7等を適当なタイミングで動作させて、プレートPL上の適所に可変パターン生成マスクVMの像を投影させる。この際、主制御部8は、プレートPLを適当な速度で移動させつつ、これに同期して可変パターン生成マスクVMに形成したパターンをスクロールすることによって、走査型の露光を行う。なお、主制御部8にはハードディスク等の記憶装置が内臓されており、この記憶装置内には露光データファイルが格納されている。露光データファイルには、プレートPLの露光を行う上で必要となる処理内容及びその処理順序が記憶されており、これらの処理毎に、所謂レシピデータとして、(1)変倍部分67による補助倍率βhの設定値、可変パターン生成マスクVMに生成すべきパターン、スクロール速度、プレートPLの移動速度等の走査露光用パラメータ、(2)プレートPL上に塗布されているレジストに関する情報(例えば、レジストの分光特性)、(3)必要となる解像度、(4)照明光学系の補正量(照明光学特性情報)、(5)投影レンズ61の倍率以外に関する補正量(投影光学特性情報)、及び(6)プレートPLの平坦性に関する情報等の各種情報が含まれている。
図2は、図1に示す投影レンズ61に設けた変倍部分67の役割を説明する図である。可変パターン生成マスクVMの投影像PIは、同一周期でマトリックス状に配列された画素を投影した投影画素PXからなっており、可変パターン生成マスクVMによるパターン生成によって、一画素分の幅を有しX軸方向に延びる一対のラインパターンLAが走査方向であるY軸方向に一定の間隔で投影されている。この場合、投影レンズ61に設けた変倍部分67による補助倍率βhが1であるとして、本体部分65による基本倍率βkのみによって投影像が形成されるものとする。この条件の下で、各ラインパターンLAの幅は、投影画素PXのピッチに対応する投影単位距離P1として与えられ、両ラインパターンLA間の間隔は、投影画素PXのピッチを自然数倍した間隔m×P1(ここで、mは自然数であり、図示の例ではm=8)として与えられる。なお、図示の例では、投影画素PXやラインパターンLAが四角形として便宜上概念的に示されているが、実際の投影画素PX等は、各種収差によって角がとれて鈍った形状となっている。
ここで、両ラインパターンLAの間隔m×P1は、投影単位距離P1の倍数であり、離散的で不連続な値となっているので、ラインパターンLAの設計に際して要求される比較的厳密な寸法を満足しない場合がある。このため、投影レンズ61に設けた変倍部分67による補助倍率βhを1でない値(βh≒1)として、両ラインパターンLAの間隔を微調整する。具体的には、変倍後の投影像PI’において、本体部分65による基本倍率βkを変倍部分67の補助倍率βhによって修正した状態で投影像を形成する。これにより、実際に投影される各ラインパターンLA’の幅は、P1×βhとして与えられ、両ラインパターンLA’間の間隔は、間隔P2=m×P1×βhとして与えられる。ここで、調整の対象部分である間隔P2は、ラインパターンLA’の間隔の精密な設計値として与えられるべきものであり、以下詳述する変倍によって任意の連続的な値とすることができる。
このようなラインパターンLA’の間隔P2を与える補助倍率βhの値は、(P2/P1)の値の整数部分をnとし、δを許容誤差とした場合に、
βh≧P2/((n+1)×P1)−δ (1)
βh≦P2/(n×P1)+δ (2)
の両式をともに満足する。これにより、ラインパターンLA’の間隔P2を投影単位距離P1程度以下の比較的小さな範囲内で微調整することができる。
βh≧P2/((n+1)×P1)−δ (1)
βh≦P2/(n×P1)+δ (2)
の両式をともに満足する。これにより、ラインパターンLA’の間隔P2を投影単位距離P1程度以下の比較的小さな範囲内で微調整することができる。
さらに、補助倍率βhは、(P2/P1)の値の小数部分をdとした場合に、d≦0.5のときは、
|βh−P2/(n×P1)|≦δ (3)
を満足するものとする。これにより、ラインパターンLA’の間隔P2を許容誤差δの範囲内で精密に設定することができる。なお、この場合、補助倍率βhは1以上となるが、このように拡大する方が縮小する場合よりも補助倍率βhを1に近くすることになるので、変倍範囲を制限的なものとして投影精度を確保することができる。一方、d>0.5のときは、
|βh−P2/((n+1)×P1)|≦δ (4)
を満足する。これにより、ラインパターンLA’の間隔P2を許容誤差δの範囲内で精密に設定することができる。なお、この場合、補助倍率βhは1以下となるが、このように縮小する方が拡大する場合よりも補助倍率βhを1に近くすることになるので、変倍範囲を制限的なものとして投影精度を確保することができる。
|βh−P2/(n×P1)|≦δ (3)
を満足するものとする。これにより、ラインパターンLA’の間隔P2を許容誤差δの範囲内で精密に設定することができる。なお、この場合、補助倍率βhは1以上となるが、このように拡大する方が縮小する場合よりも補助倍率βhを1に近くすることになるので、変倍範囲を制限的なものとして投影精度を確保することができる。一方、d>0.5のときは、
|βh−P2/((n+1)×P1)|≦δ (4)
を満足する。これにより、ラインパターンLA’の間隔P2を許容誤差δの範囲内で精密に設定することができる。なお、この場合、補助倍率βhは1以下となるが、このように縮小する方が拡大する場合よりも補助倍率βhを1に近くすることになるので、変倍範囲を制限的なものとして投影精度を確保することができる。
具体的な例で説明すると、投影レンズ61の本体部分65による基本倍率βkを等倍で1とし、可変パターン生成マスクVMの画素ピッチを3μmとすると、各ラインパターンLAの幅は、例えば投影単位距離P1=3μmに設定することができる。ここで、両ラインパターンLAの目標とする間隔P2を80μmとすると、補助倍率βhを1にリセットした状態では、両ラインパターンLAの間隔を78μm又は81μmのいずれかとする必要があり、目標とするライン間隔で露光を行うことができなくなる。そこで、変倍部分67を調整して補助倍率βhによる補正を行うが、(P2/P1)の整数部分がn=26、小数部分がk=0.666…であることから、
βh=80/(27×3)=0.987…
として補助的な縮小を行う。なお、
βh=80/(26×3)=1.025…
と拡大することもできるが、倍率の補正量が増加する。
βh=80/(27×3)=0.987…
として補助的な縮小を行う。なお、
βh=80/(26×3)=1.025…
と拡大することもできるが、倍率の補正量が増加する。
以上は、走査方向であるY軸方向に関するラインパターンLA’の寸法調整の説明であったが、ラインパターンLA’は、走査方向に直交するX軸方向についても同様に補助倍率βhで拡大又は縮小された状態となる。ただし、ラインパターンLA’のX軸方向の長さ等は、ステージ71によるプレートPLの移動速度と、これに同期する可変パターン生成マスクVMの表示のスクロール速度とを調整することによっても適宜変更することができる。また、以上の場合、線間隔に連動して線幅が変動するが、線幅よりも通常線間隔の方が大きく、線幅に対する影響よりも線間隔に対する影響の方が重大となる場合が大きい。また、線間隔の制御が比較的重要となる場合には、線間隔の調整によって線幅が多少変動することは許容される。
図3は、可変パターン生成マスクVMに生成されるパターンPAと、プレートPL上の投影像PIとの関係を説明する斜視図である。可変パターン生成マスクVMに生成されるパターンPAは、プレートPL上に反転した投影像PIとして投射される。プレートPLは、Y軸方向に一定速度で移動しており、投影像PIがプレートPL上で徐々に移動する。これに伴って、プレートPL上で投影像PIが移動するとともに、パターンPAが−Y軸方向に一定速度でスクロールされる。図示の場合は、パターンPA中のパターン領域であるラインパターン部LPに対応してプレートPL上にラインパターンLA’が投射されるが、この場合スクロールによってもパターンPAが変化せず、ライン状の露光パターンEPが形成される。この際、一対の露光パターンEPのX軸方向の間隔は、投影レンズ61の変倍部分67を利用して補助的な縮小若しくは拡大を行ったものとなっており、可変パターン生成マスクVMの画素ピッチに影響されない所望の値に設定される。
以下、図1等に示す第1実施形態に係る露光装置10の動作について説明する。パターンが形成された可変パターン生成マスクVMは、照明光学系21からの照明光ILによって重畳的に均一に照明される。可変パターン生成マスクVMのパターンを透過した光束は、投影レンズ61を介して、感光性基板であるプレートPL上にマスクパターンの像を形成する。そして、投影レンズ61の光軸すなわち基準光軸AXと直交する平面内においてプレートPLをY軸方向に走査しつつ、これに同期して可変パターン生成マスクVMに形成したパターンをスクロールすることによって、プレートPLの全面に所望のパターンが徐々に露光される。この際、主制御部8は、投影レンズ駆動系63を介して投影レンズ61の変倍部分67を駆動することによって、プレートPL上における投影像PIのライン間隔等を精密に微調整する。つまり、可変パターン生成マスクVMの画素ピッチによって段階的なサイズで形成されるパターンを基板上に投影する際に、変倍部分67によって投影パターンのサイズを可変に設定することができるので、投影像すなわち露光パターンにおける配線間隔等の各部寸法を連続的な任意のサイズに設定することができる。
〔第2実施形態〕
以下、第2実施形態に係る露光装置について説明する。第2実施形態の露光装置は、第1実施形態の露光装置においてマスク装置4の動作等を変形したものであり、装置の全体的構成は共通するので、異なる部分についてのみ説明する。
以下、第2実施形態に係る露光装置について説明する。第2実施形態の露光装置は、第1実施形態の露光装置においてマスク装置4の動作等を変形したものであり、装置の全体的構成は共通するので、異なる部分についてのみ説明する。
図4は、第1実施形態の図2に対応するものであり、図1のマスク装置4によって形成される露光パターンの、別の寸法調節法を説明する図である。この場合、可変パターン生成マスクVMは、マスクホルダ41の調節等によって、走査の行われるY軸方向を基準として基準光軸AXのまわりに所定の傾斜角θだけ回転した状態となっている。この結果、可変パターン生成マスクVMの投影像PIも、基準光軸AXのまわりに所定の傾斜角θだけ回転した状態となっており、可変パターン生成マスクVMを構成する各画素の配列方向は、プレートPLを移動させるY軸方向に対して傾斜角θをなしている。この結果、投影画素PXのX軸方向に関する幅W2は、投影単位距離をP1として、
W2=P1(sinθ+cosθ)
=√2×P1×sin(θ+π/4)
となる。よって、隣接するj個(jは自然数)の投影画素PXを連ねてパターン領域PA2(j=1,2,3,…)を形成し、これらのパターン領域PA2をY軸方向に走査した場合、X軸方向に幅W2(j)
W2(j)=P1(sinθ+cosθ)+(j−1)×P1×sinθ
=P1(j×sinθ+cosθ)
を有する露光パターンEP2(j=1,2,3,…)を形成することができる。つまり、傾斜角θと個数jとを適宜設定することによって任意の幅を有する露光パターンEP2を形成することができる。同様にして、露光パターンEP2の間隔も任意に調節することができる。以上をまとめるならば、傾斜角θや個数jの設定によって露光パターンの幅や間隔を粗調整することができ、変倍部分67で設定する補助倍率βhによって露光パターンの幅や間隔を微調整することができる。なお、図4の場合、個数j=2で幅W2(2)=P1(2sinθ+cosθ)の露光パターンEP2(2)が複数形成されている。
W2=P1(sinθ+cosθ)
=√2×P1×sin(θ+π/4)
となる。よって、隣接するj個(jは自然数)の投影画素PXを連ねてパターン領域PA2(j=1,2,3,…)を形成し、これらのパターン領域PA2をY軸方向に走査した場合、X軸方向に幅W2(j)
W2(j)=P1(sinθ+cosθ)+(j−1)×P1×sinθ
=P1(j×sinθ+cosθ)
を有する露光パターンEP2(j=1,2,3,…)を形成することができる。つまり、傾斜角θと個数jとを適宜設定することによって任意の幅を有する露光パターンEP2を形成することができる。同様にして、露光パターンEP2の間隔も任意に調節することができる。以上をまとめるならば、傾斜角θや個数jの設定によって露光パターンの幅や間隔を粗調整することができ、変倍部分67で設定する補助倍率βhによって露光パターンの幅や間隔を微調整することができる。なお、図4の場合、個数j=2で幅W2(2)=P1(2sinθ+cosθ)の露光パターンEP2(2)が複数形成されている。
図5は、図4に示すパターン領域PA2を変更した例を示し、異なる線幅の一対の露光パターンEP2が形成されている。すなわち、個数j=8で幅W2(8)=P1(8sinθ+cosθ)の露光パターンEP2(8)と、個数j=2で幅W2(2)=P1(2sinθ+cosθ)の露光パターンEP2(2)とが形成されている。
図6は、プレートPL上におけるパターン領域PA2(8)の移動を説明する図である。この場合、点線で示すようにパターン領域PA2(8)が−Y軸方向に徐々に移動して結果的に幅W2(8)を有する滑らかなラインを露光することができる。なお、図示を省略しているが、ラインの端部では、パターン領域PA2(8)の長さをプレートPLの移動と同期して徐々に減少させることにより、ほぼX軸方向に延びる端部とすることができる。
図5に戻って、同図からも明らかなように、一対のパターン領域PA2(8),PA2(2)は、点灯される投影画素PXの密度が異なる。このため、両露光パターンEP2(8),EP2(2)の露光量を相対的に調整することが精密な線幅制御にとって不可欠である。具体的には、露光パターンEP2(8)の動作画素密度は、EP2(2)の動作画素密度の2倍となっているので、パターン領域PA2(8)の形成に用いる投影画素PXの点灯時間のデューティ比を、パターン領域PA2(2)の形成に用いる投影画素PXの点灯時間のデューティ比の約1/3とする。これにより、両露光パターンEP2(8),EP2(2)の露光量を等しく設定することができる。なお、点灯時間のデューティ比を調整する代わりに、各パターン領域PA2(8),PA2(2)を構成する各群の投影画素PXの透過光量を相互に調整することによっても、両露光パターンEP2(8),EP2(2)の露光量を調整することができる。さらに、パターン領域PA2(2)の形成に寄与する投影画素PXを適当に間引くことによっても、両露光パターンEP2(8),EP2(2)の露光量を相互に調整することができる。
〔第3実施形態〕
以下、第3実施形態に係る露光装置について説明する。第3実施形態の露光装置は、第2実施形態の露光装置を変形したものである。
以下、第3実施形態に係る露光装置について説明する。第3実施形態の露光装置は、第2実施形態の露光装置を変形したものである。
図7は、本実施形態の可変パターン生成マスクVMによって形成されるパターンのプレートPL上における投影像PIを説明するものである。この場合、可変パターン生成マスクVMには、直交格子ではなく斜め格子に配列された投影画素PX’が形成されている。この場合、投影画素PX’の横の配列はX軸方向と一致しており、投影画素PX’の縦の配列は走査の行われるY軸方向に対して1/iピッチ(iは自然数)だけ徐々にずれている。この場合も、図5等に示す場合と同様に、縦配列の傾斜角θや露光に寄与する投影画素PX’の個数の設定によって露光パターンの幅や間隔を粗調整することができる。
〔第4実施形態〕
以下、本発明の第4実施形態に係る投影露光方法について説明する。この投影露光方法は、第1〜3実施形態の露光装置をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法である。この場合、ウェハ上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る。
以下、本発明の第4実施形態に係る投影露光方法について説明する。この投影露光方法は、第1〜3実施形態の露光装置をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法である。この場合、ウェハ上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る。
図8は、マイクロデバイスとしての半導体デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。まず、図8のステップS40において、ウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップS42において、ウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布され、プレートPLである感光性基板が準備される。その後、ステップS44において、上記実施形態に係る露光装置を用いることによって、可変パターン生成マスクVM上でスクロールされるパターンの像が、走査によって移動するプレートPL上に投影レンズ61を介して投影される。これにより、所望のサイズ及び間隔を有する露光パターンがプレートPLに転写される。
その後、ステップS46において、プレートPL上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップS48において、プレートPL上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、可変パターン生成マスクVM上に生成されるパターンに対応する回路パターンが形成されたプレートPLが準備される。その後、更にプレートPLを加工した基板上に上側のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細で精密な線幅、間隔等を有する回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。
〔第5実施形態〕
以下、本発明の第5実施形態に係る投影露光方法について説明する。図9は、第1〜3実施形態の露光装置を用いて、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を製造する方法を説明するためのフローチャートである。この場合、ガラス基板上に所定のパターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得る。
以下、本発明の第5実施形態に係る投影露光方法について説明する。図9は、第1〜3実施形態の露光装置を用いて、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を製造する方法を説明するためのフローチャートである。この場合、ガラス基板上に所定のパターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得る。
図9のパターン形成工程(ステップS50)では、第1〜3実施形態の露光装置を用いて、第4実施形態の場合と同様に、可変パターン生成マスクVM上でスクロールされるパターンをプレートPLである感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、プレートPL上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光されたプレートPLは、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、所定のパターンが形成された基板として、次のカラーフィルタ形成工程(ステップS52)へ移行する。
次のカラーフィルタ形成工程S52では、R、G、Bに対応した3つのドットの組がマトリックス状に多数配列され、或いはR、G、Bの3本からなるストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルタを形成する。 そして、カラーフィルタ形成工程(ステップS52)の後に、セル組み立て工程(ステップS54)が実行される。このセル組み立て工程では、パターン形成工程(ステップS50)にて得られた所定パターンを有する基板、及びカラーフィルタ形成工程(ステップS52)にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネルすなわち液晶セルを組み立てる。
セル組み立て工程(ステップS54)では、例えば、パターン形成工程(ステップS50)にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程(ステップS52)にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネルを製造する。その後、モジュール組立工程(ステップS56)にて、組み立てられた液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、精密な線幅、間隔等を有する回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。
以上、実施形態に即して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、可変パターン生成マスクVMとして透過型液晶表示素子(LCD)を用いたが、これに代えて、エレクトロクロミックディスプレイ(ECD)、デジタルミラーデバイス(DMD)等の非発光型画像表示素子を用いることができる。また、可変パターン生成マスクVMに代えて、CRT、ELディスプレイ、LEDディスプレイ等の自発光型画像表示素子を用いることもできる。この場合、図1に示す照明光源装置2は不要となる。
また、上記実施形態では、投影レンズ61を本体部分65及び変倍部分67に分けて構成しているが、変倍部分67を特に設けず、本体部分65の要素レンズを移動させることによって変倍手段とすることもできる。
また、上記実施形態では、ラインパターンLAの幅や間隔を変倍等によって調節する場合について説明したが、サイズを調節する対象には、ラインパターンに限らず、ドットを含む矩形や円形のパターン領域の寸法や、これらのパターン領域間の間隔も含む。この場合も、パターン領域の寸法や間隔を、上述の変倍部分67を利用した補助変倍や可変パターン生成マスクVMの微小回転等によって微調整若しくは粗調整することができる。
また、上記実施形態では、格子状の画素が形成されている可変パターン生成マスクVMを用いているが、このような規則性を持たない可変パターン生成マスクVMを用いることもできる。具体的には、3μm、4μm、5μm等の複数種類のピッチの画素列を交互に繰り返すタイプの各種ディスプレイを用いてパターンを形成することもできる。この場合、露光されるパターンの自由度が増す。
また、上記実施形態では、投影レンズ61に対してプレートPLをY軸方向に走査しつつ可変パターン生成マスクVMのパターンをスクロールしているが、Y軸方向に走査終了後にプレートPLを投影レンズ61に対してX軸方向にステップ移動させた後に、プレートPLを再度Y軸方向に走査しつつ可変パターン生成マスクVMのパターンをスクロールすることもでき、この場合、広域の露光が可能になる。
また、上記実施形態では、露光装置が基本的に屈折光学系で構成される場合について説明したが、投影レンズ61等は、すべて等価若しくは類似の機能を有する反射光学系又は反射屈折光学系に置き換えることができる。
2…照明光源装置、4…マスク装置、6…投影部、8…主制御部、10…露光装置、21…照明光学系、23…光源制御系、41…マスクホルダ、43…マスク制御系、61…投影レンズ、63…投影レンズ駆動系、65…本体部分、67…変倍部分、71…ステージ、73…ステージ駆動系、AX…基準光軸、IL…照明光、IM…像光、LA,LA’ …両ラインパターン、PL…プレート、VM…可変パターン生成マスク
Claims (8)
- 周期的に配列された複数の素子によって構成される光像形成部を有し、且つ該光像形成部に投影すべきパターンを生成する可変パターン生成装置と、
前記可変パターン生成装置によって生成された前記パターンの像を感光性基板上に投影像として投影する投影手段とを備え、
前記光像形成部は回転可能であり、
前記投影手段の光学特性を可変とする光学特性可変手段を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記光学特性可変手段は、前記投影像の投影倍率を可変とする変倍手段を備えることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記感光性基板を前記投影すべきパターンに対して所定移動方向に移動させる基板支持手段をさらに備えることを特徴とする請求項2記載の露光装置。
- 前記光像形成部の回転によって前記パターン像の幅及び間隔を調整し、前記変倍手段によって前記パターン像の幅及び間隔を調整することを特徴とする請求項2又は請求項3記載の露光装置。
- 前記可変パターン生成装置によって生成される前記パターンは、前記複数の素子の中の所定の個数の素子により生成され、
前記パターン像の幅及び間隔を調整するために前記所定の個数は変更可能であることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか一項記載の露光装置。 - 周期的に配列された複数の素子によって構成される光像形成部に投影すべきパターンを生成するパターン生成工程と、
前記パターン生成工程にて生成された前記パターンの像を、投影手段を用いて感光性基板上に投影像として投影する投影工程と、
前記光像形成部を回転させる光像形成部回転工程と、
前記投影手段の光学特性を可変とする光学特性可変工程とを含むことを特徴とする露光方法。 - 請求項6に記載の露光方法に基づいて感光性基板上にパターンを転写する露光工程と、
露光された前記感光性基板を現像する現像工程と
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。 - 前記デバイスは表示素子であることを特徴とする請求項7記載のデバイス製造方法。
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JP2007049208A true JP2007049208A (ja) | 2007-02-22 |
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-
2006
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