JP2007049165A - リソグラフィ装置及びメトロロジ・システムを使用するデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】システム及び方法は、移動可能な支持体上に支持された対象物と、対象物上に放射を送る光学システムと、貫通した開口を有する支持体と、支持体に結合されるセンサ・システムと、センサ・システム及び移動可能な支持体に結合された制御システムとを含む。センサ・システムは、対象物の表面を測定するために開口に対して配置され、且つ制御システムに測定信号を送り、制御システムは、開口を介して光学システムによって送られた光を受ける対象物の表面が、光学システムの焦点面にあることを確実にするように、移動可能な支持体によって受けられ且つ使用される制御信号を生成する。
【選択図】図3
Description
図5は、本発明の一実施例による、方法500を示すフローチャートを示す。例えば、上記の1つ以上のシステムは、方法500を実施するために使用されることができる。ステップ502において、対象物(例えば、基板、ウエハなど)の表面は、開口(例えば200)の第1の側に配置された第1の対のセンサ(例えば、センサ206又は208)で測定される。ステップ504において、対象物の表面は、第1の対のセンサと開口との間に配置される第1の組のセンサ(例えばセンサ210又は212)で測定される。
本発明の様々な実施例が、上述されたが、それら実施例は、例示だけによって示されるものであり、それらに限定するものでないことを理解すべきである。形態及び詳細における様々な変更は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、それらに行われ得ることは当業者には明らかである。したがって、本発明の幅及び範囲は、任意の上述された例示的な実施例によって制限されるべきではなく、特許請求の範囲及びそれらの均等物に従ってのみ定義されるべきである。
102 メトロロジ又はセンサ・システム
200 開口
204 移動の軸
206、208、224、226 センサの対
210、212 センサの組
214、218 第1のセンサ
216、220 第2のセンサ
222 中央長手方向軸
330 システム
332 ベース・フレーム支持体
334 サブ・ステージ移動構造体
336 焦点アクチュエータ
338 基板ステージ
340 基板
342 コントローラ
343 制御信号
344 基板表面
345 測定された信号
400 流れ図
450 フィードバック信号
458 位置方向データ
459 ウエハ・ステージ移動プロファイル
461 メイン・リソグラフィ・ツール・コントローラ
462 加算器
464、466、474 信号
476 駆動増幅器
AD 調整器
B 放射ビーム
BD ビーム送りシステム
C ターゲット部分
CO コンデンサ
IL 照明システム
PD パターン形成デバイス
PS 投影システム
PW ポジショナ
SO 放射源
W 基板
WT 基板又はウエハ・ステージ
Claims (25)
- 貫通した開口を有する支持体と、
前記開口の第1の側で前記支持体に結合される第1の対のセンサと、
前記第1の対のセンサと前記開口との間で、前記開口の前記第1の側で前記支持体に結合される第1の組のセンサとを備えるシステムであって、
前記第1の組及び前記第1の対のセンサが、支持体デバイスの運動の軸線に沿って配置されるシステム。 - 前記第1の対のセンサにおける第1及び第2のセンサは、前記第1の組のセンサと前記開口の中央長手方向軸との間の距離と同じ距離だけ離れて離間される請求項1に記載のシステム。
- 前記開口の第2の反対の側で前記支持体に結合される第2の対のセンサと、
前記第2の対のセンサと前記開口との間で、前記開口の第2の側で前記支持体に結合される第2の組のセンサとをさらに備える請求項1に記載のシステム。 - 前記第1の対のセンサにおける第1及び第2のセンサは、前記第1の組のセンサと前記開口の中央長手方向軸との間の距離と同じ距離だけ離れて離間され、
前記第2の対のセンサにおける第1及び第2のセンサは、前記第2の組のセンサと前記開口の前記長手方向軸との間の距離と同じ距離だけ離れて離間される請求項3に記載のシステム。 - 前記第1の組のセンサは、基板の表面のトポグラフィを測定する請求項1に記載のシステム。
- 前記開口のそれぞれ第3及び第4の側で前記支持体に結合された第3及び第4の対のセンサをさらに備える請求項1に記載のシステム。
- 前記第1の組のセンサは、4個のセンサのアレイを備える請求項1に記載のシステム。
- 前記第1の組及び第1の対のセンサは、容量センサを含む請求項1に記載のシステム。
- 前記センサは、流体ゲージ・センサを含む請求項1に記載のシステム。
- 全ての前記センサから信号を受信し、且つそれらから制御信号を生成する制御システムと、
前記センサが結合される表面とは反対側の前記支持体の表面に結合され、且つパターン形成されたデバイスによって生成された放射のパターン形成されたビームを向ける光学システムと、
前記パターン形成されたビームを受けるように配置された対象物と、
前記パターン形成されたビームを受ける前記対象物の表面が、前記光学システムの焦点面に実質的に留まるように、少なくとも前記制御信号に基づき前記対象物を移動する移動可能な対象物支持体とをさらに備える請求項1に記載のシステム。 - 前記対象物は、投影システムのディスプレイ・スクリーンである請求項10に記載のシステム。
- 前記対象物は、ウエハである請求項10に記載のシステム。
- 前記対象物は、フラット・パネル・ディスプレイ基板である請求項10に記載のシステム。
- 放射ビームを調整する照明源と、
前記ビームをパターン形成するパタン形成デバイスと、
基板を保持する基板ステージと、
貫通した開口を有する支持体と、
前記開口を通り前記基板のターゲット領域上に前記パターン形成されたビームを投影する、前記支持体の第1の表面に結合された投影システムと、
前記開口の第1の側の前記支持体の、前記第1の表面とは反対側である、第2の表面に結合された第1の対のセンサと、
前記第1の対のセンサと前記開口との間で、前記開口の第1の側で前記支持体の前記第2の表面に結合される第1の組のセンサと
前記センサから信号を受信し、且つそれらから制御信号を生成する制御システムとを備えるリソグラフィ装置であって、
前記センサは、支持体デバイスの運動の軸線に沿って配置され、
前記基板ステージは、前記パターン形成されたビームを受ける前記基板の表面が、前記投影システムの焦点面に実質的に留まるように、前記制御信号を受け且つ前記基板を移動させるリソグラフィ装置。 - 前記開口の第2の反対の側で前記支持体の第2の表面に結合される第2の対のセンサと、
前記第2の対のセンサと前記開口との間で、前記開口の第2の側で前記支持体の前記第2の表面に結合される第2の組のセンサとをさらに備える請求項14に記載のリソグラフィ装置。 - 前記基板は、半導体ウエハである請求項14に記載のリソグラフィ装置。
- 前記基板は、フラット・パネル・ディスプレイ基板である請求項14に記載のリソグラフィ装置。
- (a)開口の第1の側に配置された第1の対のセンサで、対象物の表面を測定するステップと、
(b)前記第1の対のセンサと前記開口との間に配置された第1の組のセンサで、前記対象物の前記表面を測定するステップと、
(c)前記測定するステップに基づき、前記対象物の前記表面の表面トポグラフィを決定するステップとを含む方法。 - ステップ(c)の前に、
前記開口の第2の側に配置された第2の対のセンサで、前記対象物の前記表面を測定するステップと、
前記第2の対のセンサと前記開口との間に配置された第2の組のセンサで、前記対象物の前記表面を測定するステップとをさらに含む請求項18に記載の方法。 - 前記開口の中央長手方向軸から前記第1及び第2の組のセンサのそれぞれのセンサへの距離と同じ距離に、前記第1及び第2の対のセンサのそれぞれのセンサに第1及び第2のセンサを配置することをさらに含む請求項19に記載の方法。
- (a)放射ビームをパターン形成するステップと、
(b)投影システムを使用して、基板のターゲット部分に開口を通して前記放射ビームを投影するステップと、
(c)(i)前記開口の第1の側に配置された第1の組のセンサで、前記基板の表面を測定するステップと、
(ii)前記第1の対のセンサと前記開口との間に配置された第1の組のセンサで、前記基板の前記表面を測定するステップと、
(iii)前記測定するステップに基づき前記基板の前記表面の表面トポグラフィを決定するステップを含む、前記基板のトポグラフィを測定するステップと、
(d)前記基板の前記表面が、前記投影システムの焦点面に留まるように、前記基板の決定された表面トポグラフィに基づき前記基板を移動させるステップとを含むデバイス製造方法。 - ステップ(c)(iii)の前に、
前記開口の第2の側に配置された第2の対のセンサで、前記基板の前記表面を測定するステップと、
前記第2の対のセンサと前記開口との間に配置された第2の組のセンサで、前記基板の前記表面を測定するステップとをさらに含む請求項21に記載の方法。 - 前記開口の中央長手方向軸から前記第1の組のセンサへの距離と同じ距離だけ離れて、前記第1の対のセンサに第1及び第2のセンサを配置するステップをさらに含む請求項21に記載のデバイス製造方法。
- 請求項21の方法によって製造されるフラット・パネル・ディスプレイ。
- 請求項21の方法によって製造される集積回路。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009054734A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009054735A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2011508960A (ja) * | 2007-11-08 | 2011-03-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び方法 |
JP2011097056A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ方法および装置 |
WO2013055708A1 (en) * | 2011-10-10 | 2013-04-18 | Kla-Tencor Corporation | Capacitive inspection of euv photomasks |
JP2013164416A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Dr Johannes Heidenhain Gmbh | 位置測定装置で複数の走査検知ユニットを有する構造 |
KR20220020903A (ko) * | 2019-07-11 | 2022-02-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판 높이를 측정하기 위한 장치 및 방법 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9715180B2 (en) * | 2013-06-11 | 2017-07-25 | Cymer, Llc | Wafer-based light source parameter control |
JP2018138990A (ja) | 2016-12-08 | 2018-09-06 | ウルトラテック インク | 再構成ウェハーのリソグラフィ処理のための焦点制御のための走査方法 |
EP4310885A1 (en) * | 2022-07-21 | 2024-01-24 | ASML Netherlands B.V. | Electron-optical apparatus and method of obtaining topographical information about a sample surface |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11233398A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP2003031493A (ja) * | 2001-04-25 | 2003-01-31 | Asml Us Inc | リソグラフィーシステムのフォーカス精度を向上させるための方法およびシステム |
JP2004039707A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4550592A (en) * | 1984-05-07 | 1985-11-05 | Dechape Michel L | Pneumatic gauging circuit |
US4953388A (en) * | 1989-01-25 | 1990-09-04 | The Perkin-Elmer Corporation | Air gauge sensor |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
US6633050B1 (en) * | 2000-08-15 | 2003-10-14 | Asml Holding Nv. | Virtual gauging system for use in lithographic processing |
US7010958B2 (en) * | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
US20050044963A1 (en) * | 2003-08-25 | 2005-03-03 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
-
2005
- 2005-08-11 US US11/201,162 patent/US7369214B2/en active Active
-
2006
- 2006-08-10 JP JP2006217885A patent/JP2007049165A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11233398A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP2003031493A (ja) * | 2001-04-25 | 2003-01-31 | Asml Us Inc | リソグラフィーシステムのフォーカス精度を向上させるための方法およびシステム |
JP2004039707A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009054734A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009054735A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2011508960A (ja) * | 2007-11-08 | 2011-03-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び方法 |
US9383195B2 (en) | 2007-11-08 | 2016-07-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US8705004B2 (en) | 2009-10-30 | 2014-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic method and apparatus |
JP2011097056A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ方法および装置 |
WO2013055708A1 (en) * | 2011-10-10 | 2013-04-18 | Kla-Tencor Corporation | Capacitive inspection of euv photomasks |
JP2013164416A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Dr Johannes Heidenhain Gmbh | 位置測定装置で複数の走査検知ユニットを有する構造 |
KR20220020903A (ko) * | 2019-07-11 | 2022-02-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판 높이를 측정하기 위한 장치 및 방법 |
JP2022539475A (ja) * | 2019-07-11 | 2022-09-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板高さを測定する装置及び方法 |
US11662669B2 (en) | 2019-07-11 | 2023-05-30 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for measuring substrate height |
JP7331238B2 (ja) | 2019-07-11 | 2023-08-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板高さを測定する装置及び方法 |
KR102670417B1 (ko) | 2019-07-11 | 2024-05-30 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판 높이를 측정하기 위한 장치 및 방법 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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US20070035714A1 (en) | 2007-02-15 |
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