JP2007048579A - 酸化物半導体電極、その作製方法およびこれを備えた色素増感太陽電池 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 透明電極と、結晶性酸化物半導体粒子(B1)からなる酸化物半導体層の間に、下地層、該下地層の上に形成された中間層が介在している酸化物半導体電極であって、該下地層が25nm以下の平均粒径を有する結晶性酸化物半導体粒子(A1)からなり、該層の厚みが50〜1000nmであり、該中間層が、平均粒径および格子定数の観点から前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)と実質同一の結晶性酸化物半導体粒子(A2)と、平均粒径および格子定数の観点から前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)と実質同一の結晶性酸化物半導体粒子(B2)との混合物からなることを特徴とする酸化物半導体電極。
【選択図】 図1
Description
(1)該下地層が、25nm以下の平均粒径を有する結晶性酸化物半導体粒子(A1)からなり、該層の厚みが50〜1000nmであること、
(2)該中間層が、結晶性酸化物半導体粒子(A2)と結晶性酸化物半導体粒子(B2)との混合物からなること、
(3)該結晶性酸化物半導体粒子(A2)が以下のaおよびbの条件、すなわち、
a 前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)の平均粒径の±10%以内の範囲の平均粒径を有すること、および
b 前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)の格子定数の±10%以内の範囲の格子定数を有すること、
の条件を充たすものであること、
並びに、
(4)該結晶性酸化物半導体粒子(B2)が以下のcおよびdの条件、すなわち、
c 前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)の平均粒径の±10%以内の範囲の平均粒径を有すること、および
d 前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)の格子定数の±10%以内の範囲の格子定数を有すること、
の条件を充たすものであること、
の要件を充たすものであることを特徴とする。
(1)導電性表面を有する基板上に、25nm以下の平均粒径を有する結晶性酸化物半導体粒子(A1)またはその前駆体のペーストを塗布後、80〜550℃の温度で焼成して50〜1000nmの厚みの下地層を形成する工程、
(2)該下地層上に、結晶性酸化物半導体粒子(A2)と、結晶性酸化物半導体粒子(B2)との混合物ペーストを塗布後、80〜550℃の温度で焼成して中間層を形成する工程であって、
該結晶性酸化物半導体粒子(A2)が以下のaおよびbの条件、すなわち、
a 前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)の平均粒径の±10%以内の範囲の平均粒径を有すること、および
b 前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)の格子定数の±10%以内の範囲の格子定数を有すること、
の条件を充たし、かつ
該結晶性酸化物半導体粒子(B2)が以下のcおよびdの条件、すなわち、
c 前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)の平均粒径の±10%以内の範囲の平均粒径を有すること、および
d 前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)の格子定数の±10%以内の範囲の格子定数を有すること、
の条件を充たすものである工程、
(3)該中間層上に前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)のペーストを塗布後、400〜550℃の温度で焼成して酸化物半導体層を形成する工程、
とを順に行なうことを特徴とする。
本態様においては、導電性表面を有する基板と、結晶性酸化物半導体粒子(B1)からなる酸化物半導体層との間に、25nm以下の平均粒径を有する結晶性酸化物半導体粒子(A1)からなり、厚みが50〜1000nmである下地層と、該結晶性酸化物半導体粒子(A1)と平均粒径および格子定数の観点から実質同一の結晶性酸化物半導体粒子(A2)並びに該結晶性酸化物半導体粒子(B1)と平均粒径および格子定数の観点から実質同一の結晶性酸化物半導体粒子(B2)の混合物からなる中間層を介在させることで、各層間でのクラックの発生を抑制し、色素増感太陽電池に応用した場合に、光電変換効率を飛躍的に向上させることができる酸化物半導体電極を提供する。
孔隙率=ρV/(ρV+1)×100(%)
ρ:酸化チタンの理論密度(単結晶の密度g/cm3)
V:ガス吸着分析による単位重量当たりの細孔容積(cm3/g)
ラフネスファクター=(酸化物半導体層の全表面積*1)/(酸化物半導体層の投影面積*2)
*1 窒素等温吸着測定においてBET式により求める。
*2 実効面積である。
これが1000以上であることが好ましい。
a. 前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)の平均粒径の±10%以内の範囲の平均粒径を有すること、および
b. 前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)の格子定数の±10%以内の範囲の格子定数を有すること、
の条件を充たす。該A2が上記aおよびbの条件を充たすことで、下地層と該中間層との間のクラックの発生の抑制に寄与する。
c 前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)の平均粒径の±10%以内の範囲の平均粒径を有すること、および
d 前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)の格子定数の±10%以内の範囲の格子定数を有すること、
の条件を充たす。
本態様においては、前記(一)の本発明の第1の態様において説明した酸化物半導体電極を含む色素増感太陽電池を提供する。常法に従い、前記第1の態様の酸化物半導体電極の酸化物半導体層上にRu増感色素等の増感色素を吸着担持させ、対極と重ね合わせた後、各種イオンの添加剤や、レドックス剤としてヨウ素を含んだ有機溶媒やイオン性液体等を溶媒とする電解液、あるいは導電性高分子のようなP型ホール輸送層を電極間に充填して完成させることができる。なお、対極としては、導電性基板上に触媒として白金、炭素等の元素、あるいはPEDOT等の導電性高分子を薄く多孔質状に積層させたものを好適に用いることができる。
本態様においては、前記(一)本発明の第1の態様において説明した酸化物半導体電極の製造方法を提供する。本態様の方法により、酸化物半導体ペースト塗布後の焼成の際に発生するクラックを効果的に抑制することができ、光電変換効率の大幅な向上が期待できる。
導電性表面を有する基板上に、25nm以下の平均粒径を有する結晶性酸化物半導体粒子(A1)またはその前駆体のペーストを塗布後、80〜550℃の温度で焼成して、厚みが50〜1000nmである下地層を形成する工程。
前記下地層上に、以下のaおよびbの条件を充たす結晶性酸化物半導体粒子(A2)と、以下のcおよびdの条件を充たす結晶性酸化物半導体粒子(B2)との混合物ペーストを塗布後、80〜550℃の温度で焼成して中間層を形成する工程。
a 前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)の平均粒径の±10%以内の範囲の平均粒径を有すること。
b 前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)の格子定数の±10%以内の範囲の格子定数を有すること。
c 前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)の平均粒径の±10%以内の範囲の平均粒径を有すること。
d 前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)の格子定数の±10%以内の範囲の格子定数を有すること。
前記中間層上に前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)のペーストを塗布後、400〜550℃の温度で焼成して酸化物半導体層を形成する工程。
上記各工程に用いられるA1若しくはその前駆体(第一工程)、A2とB2の混合物(第二工程)、またはB1(第三工程)(以下、「結晶性酸化物半導体粒子等」と略記する)の塗布方法としては、スピンコート法、スプレー法、ディッピング法、スクリーン印刷法、ドクターブレード法等を挙げることができるが、操作の簡便さの観点からはスピンコート法、スプレー法、ディッピング法が、量産化の観点からはスクリーン印刷法によるのが好ましい。
第一工程においては、導電性表面を有する基板上に、平均粒径25nm以下の結晶性酸化物半導体粒子(A1)またはその前駆体のペーストを塗布後、80〜550℃の温度で焼成することによって、膜厚が50〜1000nmの下地層を形成する。
第二工程においては、前記下地層上に、以下のaおよびbの条件を充たす結晶性酸化物半導体粒子(A2)と、以下のcおよびdの条件を充たす結晶性酸化物半導体粒子(B2)との混合物ペーストを塗布後、80〜550℃の温度で焼成して中間層を形成する。
a 前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)の平均粒径の±10%以内の範囲の平均粒径を有すること。
b 前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)の格子定数の±10%以内の範囲の格子定数を有すること。
c 前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)の平均粒径の±10%以内の範囲の平均粒径を有すること。
d 前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)の格子定数の±10%以内の範囲の格子定数を有すること。
第三工程においては、該中間層上に、好ましくは10〜30nm、より好ましくは15〜25nmの平均粒径の前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)のペーストを塗布後、400〜550℃の温度で焼成して酸化物半導体層を形成する。
市販品等を用いるか、または該B1がそのようなものでなくても、相当量(粒子径に依存するものの、たとえば酸化物半導体粒子の重量に対して40重量%以上)のバインダーを含むペーストを用いて中間層を作製することにより、所定の孔隙率を有する酸化物半導体層を作製できる。
18nmの平均粒径、アナタース型の結晶性を有するチタニア粒子分散液(触媒化成製、HPW−18NR)を準備し、これをそのまま粒子分散液Aとした。
下地層のペーストとして前記粒子分散液Aを用い、これをスピンコート法(1000rpm、15秒)によって導電性基板[日本板硝子製フッ素ドープSnO2(FTO)ガラス]上に約300nm程度の厚さに塗布する。その後、これを電気炉にて450℃で30分間焼成し、処理導電性基板1を得た。
まず、前記粒子分散液Aと粒子分散液Bの混合物を準備する。チタニア粒子を重量で等量混合させるため、前記粒子分散液Aと前記粒子分散液Bとを体積比2:1で混合した。さらに混合を促進させるため、超音波洗浄器で10分間攪拌混合した。それを前記処理導電性基板1上に数滴滴下し、スピンコート法(1000rpm、15秒)によって約600nm程度の厚さに塗布した。その後、電気炉にて450℃で30分間焼成することで、下地層の上に中間層を堆積させた処理導電性基板2を得た。
前記粒子分散液Bを用いて、スキージ法により、前記処理導電性基板2上に形成された中間層上に、膜厚10μmになるように粒子分散液Bを塗布し、その後、電気炉にて、450℃で30分間焼成した。これにより本発明の酸化物半導体電極E1(該酸化物半導体層の孔隙率49%)を得た。
実施例において、中間層の形成ステップを省略することで、下地層はあるが、中間層のない酸化物半導体電極E2を作製した。
実施例において、下地層の形成ステップ及び中間層の形成ステップを省略することで、中間層も下地層もない酸化物半導体電極E3を作製した。
比較例1において各層の焼成温度をすべて350℃で行って酸化物半導体電極E4を(比較例3)、同様に各層の焼成温度をすべて150℃で行って酸化物半導体電極E5を(比較例4)、同様に焼成温度をすべて室温に置き換えて酸化物半導体電極E6を(比較例5)、それぞれ作製した。
上記により得られたそれぞれの酸化物半導体電極E1〜E6の断面を集束イオンビーム(FIB)加工観察装置により観測したところ、図2〜8のFE−SEM画像を得ることができた。ここで、図2、3は実施例の電極E1、図4は比較例1の電極E2(下地層はあるが、中間層のない電極)、図5は比較例2の電極E3(下地層も中間層もない電極、焼成温度450℃)、図6は比較例3の電極E4(焼成温度を350℃に下げた電極E2に対応)、図7は比較例4の電極E5(焼成温度を150℃に下げた電極E2に対応)、図8は比較例5の電極E6(焼成温度を室温に置き換えた電極E2に対応)の断面のFE−SEM画像である。
上記のようにして作製した酸化物半導体電極の酸化物半導体層上に以下のようにして有機色素膜を形成させた。
(式1)
光電変換効率=(短絡電流密度×開放電圧×曲線因子)/(照射太陽光エネルギー)
その結果、以下の表1のような光電変換効率の結果が得られた。
4 透明電極
6 下地層
8 中間層
10 酸化物半導体層
Claims (9)
- 導電性表面を有する基板、該導電性表面の上に形成された下地層、該下地層の上に形成された中間層、および該中間層の上に形成された結晶性酸化物半導体粒子(B1)からなる酸化物半導体層を有する酸化物半導体電極であって、以下の(1)、(2)、(3)および(4)の要件、すなわち、
(1)該下地層が、25nm以下の平均粒径を有する結晶性酸化物半導体粒子(A1)からなり、該層の厚みが50〜1000nmであること、
(2)該中間層が、結晶性酸化物半導体粒子(A2)と結晶性酸化物半導体粒子(B2)との混合物からなること、
(3)該結晶性酸化物半導体粒子(A2)が以下のaおよびbの条件、すなわち、
a 前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)の平均粒径の±10%以内の範囲の平均粒径を有すること、および
b 前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)の格子定数の±10%以内の範囲の格子定数を有すること、
の条件を充たすものであること、
並びに、
(4)該結晶性酸化物半導体粒子(B2)が以下のcおよびdの条件、すなわち、
c 前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)の平均粒径の±10%以内の範囲の平均粒径を有すること、および
d 前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)の格子定数の±10%以内の範囲の格子定数を有すること、
の条件を充たすものであること、
の要件を充たすものであることを特徴とする酸化物半導体電極。 - 前記結晶性酸化物半導体粒子(A2)として前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)と同一のものを採用し、かつ、前記結晶性酸化物半導体粒子(B2)として前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)と同一のものを採用することを特徴とする請求項1に記載の酸化物半導体電極。
- 前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)の平均粒径が10〜30nmであることを特徴とする請求項1または2に記載の酸化物半導体電極。
- 前記中間層の厚みが50〜2000nmであり、前記酸化物半導体層の厚みが5〜30μmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の酸化物半導体電極。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の酸化物半導体電極を有することを特徴とする色素増感太陽電池。
- 導電性表面を有する基板、該導電性基板の上に形成された下地層、該下地層の上に形成された中間層、および該中間層の上に形成され結晶性酸化物半導体粒子(B1)からなる酸化物半導体層を有する酸化物半導体電極の作製方法であって、
(1)導電性表面を有する基板上に、25nm以下の平均粒径を有する結晶性酸化物半導体粒子(A1)またはその前駆体のペーストを塗布後、80〜550℃の温度で焼成して50〜1000nmの厚みの下地層を形成する工程、
(2)該下地層上に、結晶性酸化物半導体粒子(A2)と、結晶性酸化物半導体粒子(B2)との混合物ペーストを塗布後、80〜550℃の温度で焼成して中間層を形成する工程であって、
該結晶性酸化物半導体粒子(A2)が以下のaおよびbの条件、すなわち、
a 前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)の平均粒径の±10%以内の範囲の平均粒径を有すること、および
b 前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)の格子定数の±10%以内の範囲の格子定数を有すること、
の条件を充たし、かつ
該結晶性酸化物半導体粒子(B2)が以下のcおよびdの条件、すなわち、
c 前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)の平均粒径の±10%以内の範囲の平均粒径を有すること、および
d 前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)の格子定数の±10%以内の範囲の格子定数を有すること、
の条件を充たすものである工程、
(3)該中間層上に前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)を塗布後、400〜550℃の温度で焼成して酸化物半導体層を形成する工程、
とを順に行なうことを特徴とする酸化物半導体電極の作製方法。 - 前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)の平均粒径が10〜30nmであることを特徴とする請求項6に記載の酸化物半導体電極の作製方法。
- 前記結晶性酸化物半導体粒子(A2)として、前記結晶性酸化物半導体粒子(A1)と同一のものを採用し、かつ、前記結晶性酸化物半導体粒子(B2)として、前記結晶性酸化物半導体粒子(B1)と同一のものを採用することを特徴とする請求項6または7に記載の酸化物半導体電極の作製方法。
- 前記中間層の厚みが50〜2000nmであり、前記酸化物半導体層の厚みが5〜30μmであることを特徴とする請求項6〜8に記載の酸化物半導体電極の作製方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009087573A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 酸化物半導体電極用積層体、酸化物半導体電極、色素増感型太陽電池、酸化物半導体電極用積層体の製造方法、および、酸化物半導体電極の製造方法 |
WO2009087848A1 (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-16 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 色素増感型太陽電池 |
JP2012209171A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Fujifilm Corp | 光電変換素子、光電気化学電池及びこれに用いられる酸化チタン粒子 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004335366A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Sharp Corp | 色素増感太陽電池 |
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004335366A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Sharp Corp | 色素増感太陽電池 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009087573A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 酸化物半導体電極用積層体、酸化物半導体電極、色素増感型太陽電池、酸化物半導体電極用積層体の製造方法、および、酸化物半導体電極の製造方法 |
WO2009087848A1 (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-16 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 色素増感型太陽電池 |
JPWO2009087848A1 (ja) * | 2008-01-08 | 2011-05-26 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 色素増感型太陽電池 |
JP2012209171A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Fujifilm Corp | 光電変換素子、光電気化学電池及びこれに用いられる酸化チタン粒子 |
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