JP2007047060A - 検査装置および検査方法 - Google Patents
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Abstract
【目的】本発明は、電子線ビームを試料に照射して走査し、反射された反射電子を検出・増幅して当該試料の反射電子像を生成する検査装置および検査方法に関し、従来の2次電子像のような端面強調型の画像ではなく、質量強調型の反射電子像によりパターンの形状や異物などの検査を容易かつ高精度に行うことを目的とする。
【構成】 試料上あるいは試料を固定した試料移動台上の較正パターンの反射電子像をもとに反射電子像のゲインとレベルを調整する手段と、調整した後のゲインとレベルをもとに、試料の検査対象の領域の反射電子像を生成する手段とを備える。
【選択図】 図1
【構成】 試料上あるいは試料を固定した試料移動台上の較正パターンの反射電子像をもとに反射電子像のゲインとレベルを調整する手段と、調整した後のゲインとレベルをもとに、試料の検査対象の領域の反射電子像を生成する手段とを備える。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電子線ビームを試料に照射して走査し、反射された反射電子を検出・増幅して当該試料の反射電子像を生成する検査装置および検査方法に関するものである。
近年、半導体LSI用のマスクのパターンが微細になるにつれ、元パターンであるマスクのパターンにも、RET(Resolution Enhancement Technology)と言われるパターン形成技術が織り込まれるようになってきた。
例えば、位相シフト技術、OPC(Optical Proximy Conrrection)技術等である。位相シフト技術では、従来のマスク材料が石英ガラスの上にクロム金属でパターンニングしているのに対し、酸化クロムやモリブデンシリサイド膜などが用いられている。また、下地に、タンタル金属膜でコーティングした後、タンタルシリサイド膜などでパターンが形成されている。こうしたパターン形成状態を的確に検査するには、単なるパターンの端面からの電子信号の取得を重点においた、従来のいわゆる2次電子検出を主体にした画像をもとにパターン検査していたのでは充分でなかった。
上述したように、近年、使用される位相シフト技術で用いられる石英ガラスの上に例えば一面にタンタル金属膜でコーティングした後、タンタルシリサイド膜などでパターンを形成したマスクの検査では、従来の2次電子検出によるパターンの端面からの当該2次電子信号を取得して生成した2次電子像ではその形状を的確に取得できないという問題があった。
そのため、これら位相シフト技術で用いられるマスクなどについて、2次電子像よりもより容易に検出できるいわゆる反射電子像を取得して検査を行うことが望まれている。
本発明は、これらの問題を解決するため、電子線ビームをマスクの基準パターンに照射して走査し、反射した反射電子を検出・増幅して反射電子像を生成および較正を行った後、マスクから取得した反射電子像と設計データ上の画像とを比較して検査することを目的としている。
本発明は、電子線ビームをマスクの基準パターンに照射して走査し、反射した反射電子を検出・増幅して反射電子像を生成および較正を行った後、マスクから取得した反射電子像と設計データ上の画像とを比較して検査することにより、位相シフト膜などであっても従来の2次電子像よりも大幅にパターンの欠陥を容易かつ高精度に検出できると共に、従来の2次電子像のような端面強調型の画像ではなく、質量強調型の反射電子像によりパターンの形状や異物などの検査を容易かつ高精度に行うことが可能となる。
本発明は、電子線ビームをマスクの基準パターンに照射して走査し、反射した反射電子を検出・増幅して反射電子像を生成および較正を行った後、マスクから取得した反射電子像と設計データ上の画像とを比較して検査し、位相シフト膜などであっても従来の2次電子像よりも大幅にパターンの欠陥を容易かつ高精度に検出できると共に、従来の2次電子像のような端面強調型の画像ではなく、質量強調型の反射電子像によりパターンの形状や異物などの検査を容易かつ高精度に行うことを実現した。
図1は、本発明の1実施例構成図を示す。
図1において、SEM1は、走査電子顕微鏡であって、図示の構成を持つものある。
図1において、SEM1は、走査電子顕微鏡であって、図示の構成を持つものある。
電子銃2は、電子線ビームを発生するものである(例えばタングステン線の先端を鋭利かつ所定面を持つように形成し、高電圧をアノード3に印加して電子ビームを引き出すものである)。
アノード3は、高電圧を印加し、電子銃2を構成する陰極の先端を鋭利かつ所定面を持つように形成したタングステンから放出された電子を加速するものである。
アライメントコイル4は、電子銃2から放出される電子線ビームを偏向して軸合せするためのものである。
コンデンサレンズ5は、電子銃2から放出された電子線ビームを集束するものである。
偏向走査コイル6は、対物レンズ9で試料であるマスク11上に細く絞られた電子線ビームを、X方向およびY方向に走査するためのものである。
偏向走査コイル6は、対物レンズ9で試料であるマスク11上に細く絞られた電子線ビームを、X方向およびY方向に走査するためのものである。
反射電子検出器7は、マスク11に電子線ビームを照射して走査したときに、当該マスク11から反射した反射電子を検出するものである。反射電子検出器7で検出された信号をもとに、表示装置27上に反射電子像を表示する。
2次電子検出器8は、マスク11に電子線ビームを照射して走査したときに、当該マスク11から放出された2次電子を収集・検出・増幅するものである。2次電子検出器8で検出された信号をもとに、表示装置27上に2次電子像を表示する。
対物レンズ9は、電子線ビームをマスク11上に細く絞るものである。
レーザ干渉計10は、レーザを放射してステージ12に取り付けた反射鏡で反射させて取り込んで干渉させ、超高精度にステージ12の位置(位置座標)を計測する公知のものである。
レーザ干渉計10は、レーザを放射してステージ12に取り付けた反射鏡で反射させて取り込んで干渉させ、超高精度にステージ12の位置(位置座標)を計測する公知のものである。
マスク11は、ステージ12の上に搭載(固定)された試料の例である。
ステージ12は、マスク11を搭載し、任意の座標位置に正確に移動させるものであって、モータ(あるいは超音波モータ)13で駆動されるものである。
ステージ12は、マスク11を搭載し、任意の座標位置に正確に移動させるものであって、モータ(あるいは超音波モータ)13で駆動されるものである。
モータ13は、ステージ12を駆動(X方向、Y方向)するものであって、サーボモータあるいは超音波モータなどである。
PC21は、パーソナルコンピュータであって、プログラムに従い各種処理を行うものであり、ここでは、表示手段21、基準値の算出手段24、比較手段25、メモリ25、表示装置27、および入力装置28などから構成されるものである。
表示手段21は、反射電子検出器7あるいは2次電子検出器8からの信号をもとに、表示装置27に反射電子像あるいは2次電子像を表示するものである。
基準値の算出手段24は、マスク11上あるいはステージ12上に設けた基準パターン(検査対象のパターンを構成する物質(質量(原子番号))のパターンで作成した基準パターン)の反射電子像を取得し、当該反射電子像についてゲインと、レベルとを適切に調整した後の基準値(ゲインと、レベル)を算出するものである(図3を用いて後述する)。
比較手段25は、マスク11の検査対象の領域の反射電子像と、設計データ上の画像とを比較し、許容範囲内のときに良品、許容範囲外のときに不良品と判定するものである(図2から図6を用いて後述する)。
メモリ26は、取得した反射電子像、基準値(ゲイン、レベルなど)などを記憶するものである。
表示装置27は、反射電子像などを表示するものである。
入力装置28は、各種指示やデータなどを入力するものであって、マウスやキーボードなどである。
入力装置28は、各種指示やデータなどを入力するものであって、マウスやキーボードなどである。
次に、図2のフローチャートの順番に従い、図1の構成の動作を詳細に説明する。
図2は、本発明の動作説明フローチャートを示す。
図2は、本発明の動作説明フローチャートを示す。
図2において、S1は、マスク11上の基準パターンで、白黒調整する。これは、図1で、対物レンズ9で細く絞った電子線ビームをマスク11上の基準パターン(例えばステッパー用のアライメントマーク)(あるいはステージ12上に固定した基準パターン)に照射した状態で、偏向走査コイル6によって当該マスク11上で平面走査(X方向およびY方向に走査)し、電子線ビームでマスク11を照射したことで反射した反射電子を反射電子検出器7で検出し、表示手段22が表示装置27に反射電子像を表示する。この表示した基準パターンの反射電子像について、ゲインとレベルを調整し、
・白レベル:0.90〜1.00の範囲(平均で0.95)
・灰色レベル:0.20〜0.80の範囲(平均で0.50)
・黒レベル:0.00〜0.10の範囲(平均で0.05)
となるようにする(図3で後述する)。この例では、3種類(例えば石英ガラス、石英ガラスの上に全面にタンタルをコーディング、更にその上にタンタルシリサイドを形成の3種類)の物質(基準パターン中に作成した当該各パターンの物質)を黒レベル、灰色レベル、白レベルで識別することが可能となる。尚、2種類の場合には、黒レベル、白レベルとなるようにゲインとレベルで調整すればよい。
・白レベル:0.90〜1.00の範囲(平均で0.95)
・灰色レベル:0.20〜0.80の範囲(平均で0.50)
・黒レベル:0.00〜0.10の範囲(平均で0.05)
となるようにする(図3で後述する)。この例では、3種類(例えば石英ガラス、石英ガラスの上に全面にタンタルをコーディング、更にその上にタンタルシリサイドを形成の3種類)の物質(基準パターン中に作成した当該各パターンの物質)を黒レベル、灰色レベル、白レベルで識別することが可能となる。尚、2種類の場合には、黒レベル、白レベルとなるようにゲインとレベルで調整すればよい。
以上の処理で調整したゲインとレベルを以降は用いて、マスク11の検査対象の領域の反射電子像を表示することにより、その濃度(黒ー灰色ー白)が検査対象の領域の材料の質量(原子番号)が大きくなるに従い順次明るく(原子番号が大きいほど明るい、図4参照)(あるいは逆に暗くも可)表示されるように調整されたこととなる。
S2は、マスク(材料)の反射電子像を表示する。これは、S1で、基準パターンの反射電子像をもとに適切に調整したゲインとレベルをもとに、マスク11の検査対象の領域の反射電子像を表示装置27に表示する。
S3は、メモリAに保存する。これは、マスク11上の検査対象の反射電子像をメモリAに保存する。
S4は、CADデータを取得する。これは、メモリAに保存した検査対象の画像に対応する検査用の、CADデータ(設計データ)の画像を取得する。設計データの画像は、通常は、例えば図5の(a)の表面から見たときの画像、即ち、タンタルシリサイドのパターンは黒であり、他の下地のタンタル膜は白である、2値化された画像である。尚、3種類の物質(原子番号)の膜が見える場合には、黒、灰色、白の3種類の明るさの画像を生成する(図4の原子番号が大きくなるに従い反射電子信号が増大する曲線に従いシュミレーションして3種類の物質の明るさに従い生成する(図3と同様にして生成する))。
S5は、メモリBに保存する。S5で取得した設計データの画像をメモリBに保存する。
S6は、メモリAおよびメモリBの画像を比較する。これは、メモリBに保存した設計データ上の画像を基準に、メモリAに保存したマスク11上の検査対象の反射電子像をマッチングし、許容範囲内のときは良品、許容範囲外のときは不良品と検査する。例えば、パターンの寸法精度(幅、長さなど)は単純に比較して許容範囲内か、許容範囲外か判別すればよい。また、パターン中に微小な穴があった場合も許容範囲内か許容範囲外か判別したり(図5、図6を用いて後述する)、パターン中に異物が付着した場合にも同様に許容範囲内か、許容範囲外かを判別したりなどする。
以上のように、マスク11の基準パターンで反射電子像のゲインとレベルを較正し、黒、灰色、白レベル(あるいは黒、白レベル)を調整した後、検査対象の領域の反射電子像を取得し、設計データと比較することで、良品あるいは不良品を精度良好に検査することが可能となる。以下順次詳細に説明する。
図3は、本発明の動作説明図を示す。
図3の(a)は、フローチャートを示す。
図3の(a)は、フローチャートを示す。
図3の(a)において、S11は、測定対象の黒の信号強度の平均値B1を算出する。これは、基準パターン上で測定対象となるパターンのうち黒となるパターンについて当該パターンの周辺を除いた中央部の領域についてその強度の平均B1を算出する。
S12は、測定対象の白の信号強度の平均値B2を算出する。同様に、基準パターン上で測定対象となるパターンのうち白となるパターンについて当該パターンの周辺を除いた中央部の領域のS11とほぼ同一の形状(面積)についてその強度の平均B2を算出する。
S13は、灰色の範囲を算出する。例えば右側に記載したように、
灰色の範囲=(B2−B1)×(0.2〜0.8)・・・・(式1)
として算出する。これらを模式的に表示すると、図3の(b)のようになる。
灰色の範囲=(B2−B1)×(0.2〜0.8)・・・・(式1)
として算出する。これらを模式的に表示すると、図3の(b)のようになる。
以上の手順によって、測定対象(検査対象)の物質について白、黒となる信号強度の平均B2,B1をそれぞれ算出し、更に、灰色となる範囲を(式1)で算出することが可能となる。
図3の(b)は、黒、灰色、白のレベルの例を示す。これは、既述した図3の(a)のフローチャートに従い、基準パターン上で測定対象となる物質(黒、白)についてその平均強度B1,B2を求めると共に、灰色の範囲を例えば(式1)で求めて模式的に設定したものである。図示の状態となるように、マスク11の測定対象から取得された反射電子像の信号のゲインとレベルを調整することで、以降は、当該調整した濃淡のもとで反射電子像を表示し、検査することが可能となる。
図4は、本発明の反射電子像の説明図を示す。横軸は原子番号(質量)であり、縦軸は電子線ビームをマスク11に照射したときに当該マスク11上の照射された位置の物質の原子番号に対応する反射電子信号(点線は2次電子信号)の強度を模式的に表す。反射電子信号は、照射した物質の原子番号が大きくなると、その反射率が大きくなって図示の実線の曲線のように反射電子信号の強度が大きくなるので、原子番号の違う物質を濃淡として検出することが可能となる。
一方、点線で示す2次電子信号の場合には、原子番号が小さい番号のときは原子番号の増加に従い強度が大きくなるがすぐに飽和してしまうので、原子番号が大きい物質ではその強度がほぼ同じとなり、2次電子線像の濃度でこれら原子番号の大きい物質を区別すること不可である。
図5および図6は、本発明の説明図を示す。
図5の(a)は、3層の物質で形成されているパターンの正常な反射電子像の例を示す。この例では、図5の(a−2)の断面図に示すように、石英ガラス(第1層)の上に全面にタンタル(第2層)をコーティングし、更にその上にタンタルシリサイド(TaSixOy)の縦長の矩形パターン(第3層)を形成したものである。
図5の(a)は、3層の物質で形成されているパターンの正常な反射電子像の例を示す。この例では、図5の(a−2)の断面図に示すように、石英ガラス(第1層)の上に全面にタンタル(第2層)をコーティングし、更にその上にタンタルシリサイド(TaSixOy)の縦長の矩形パターン(第3層)を形成したものである。
図5の(a−1)の反射電子像は、第2層のタンタルは図4の実線の曲線から最も反射電子信号の強度が大きくて白レベルで表示され、縦長の矩形パターンはタンタルシリサイドであってここでは、灰色で表示されている(表示されない石英ガラス(SiO2)は図4で最も反射電子信号の強度が小さくて黒レベルである)ので、正常なパターンの反射電子像であり、良品と判定される。
図5の(b)は、図5の(a)のパターンで、タンタルの膜が剥がれて、石英ガラスが露出している状態の反射電子像の例を示す。この例では、図5の(b−2)の断面図に示すように、石英ガラス(第1層)の上に全面にタンタル(第2層)をコーティングし、更にその上にタンタルシリサイド(TaSixOy)の縦長の矩形パターン(第3層)を形成した状態で、穴と記載した部分のタンタル膜が剥がれているので、当該部分は下の石英ガラス(SiO2)から反射した反射電子信号の強度は小さく(黒レベル)であるので、図示のように図5の(b−1)で穴の部分が黒となったものである。
以上のように、石英ガラスの上に全面にコーディングされたタンタル膜の一部が剥がれると、その下の石英ガラス(SiO2)の反射電子信号の強度が小さく(黒レベル、図3参照)であるので、図5の(a−1)の正常時(設計データ)の反射電子像と比較し、図5の(b−1)の反射電子像中に黒レベルの穴があり、不良品と自動判定することが可能となる。
図6の(c)は、図5の(a)のパターンで、タンタルシリサイドのパターン膜の1部が剥がれて、その下のタンタルが露出している状態の反射電子像の例を示す。この例では、図6の(c−2)の断面図に示すように、石英ガラス(第1層)の上に全面にタンタル(第2層)をコーティングし、更にその上にタンタルシリサイド(TaSixOy)の縦長の矩形パターン(第3層)を形成した状態で、ピンホールと記載した部分のタンタルシリサイド膜が剥がれているので、当該部分は下のタンタル(Ta)から反射した反射電子信号の強度は大きく(白レベル)であるので、図示のように図6の(b−1)でヒ゜ンホールの部分が白となったものである。
以上のように、石英ガラスの上に全面にタンタル膜をコーディングし、その上に形成したタンタルシリサイドのパターン膜の一部が剥がれると、その下のタンタル(Ta)の反射電子信号の強度が灰色(灰色レベル、図3参照)であるので、図5の(a−1)の正常時(設計データ)の反射電子像と比較し、図6の(c−1)の反射電子像中の灰色レベルの中に白レベルのピンホールがあり、不良品と自動判定することが可能となる。
図7は、本発明の技術世代による位相シフト膜の構造例を示す。図中で、数字は位相シフト膜厚nmの例、( )内の%は透過率の例をそれぞれ表す。
図7の(a)は、KrF(248nm)の例を示す。図7の(a−1)は図示のように、Qz(石英ガラス、SiO2)−Cr−CrFxOyの3層から構成されている。図7の(a−2)はQz(石英ガラス、SiO2)−MoSixOyの2層から構成されている。
図7の(b)は、ArF(193nm)の例を示す。図7の(b−1)は図示のように、Qz(石英ガラス、SiO2)−MoSixOyの2層から構成されている。図7の(b−2)は図示のように、Qz(石英ガラス、SiO2)−Ta−TaSixOyの3層から構成されている。
図7の(c)は、F2(157nm)の例を示す。図7の(c−1)は図示のように、Qz(石英ガラス、SiO2)−Ta−TaSixOyの3層から構成されている。
本発明は、位相シフト膜などであっても従来の2次電子像よりも大幅にパターンの欠陥を容易かつ高精度に検出できると共に、従来の2次電子像のような端面強調型の画像ではなく、質量強調型の反射電子像によりパターンの形状や異物などの検査を容易かつ高精度に行う検査装置および検査方法に関するものである。
1:SEM(走査型電子顕微鏡)
2:電子銃
3:アノード
4:アライメントコイル
5:コンデンサレンズ
6:偏向走査コイル
7:反射電子検出器
8:2次電子検出器
9:対物レンズ
10:レーザ干渉計
11:マスク
12:ステージ
13:モータ
21:PC(パソコン)
22:表示手段
24:基準値の算出手段
25:比較手段
26:メモリ
27:表示装置
28:入力装置
2:電子銃
3:アノード
4:アライメントコイル
5:コンデンサレンズ
6:偏向走査コイル
7:反射電子検出器
8:2次電子検出器
9:対物レンズ
10:レーザ干渉計
11:マスク
12:ステージ
13:モータ
21:PC(パソコン)
22:表示手段
24:基準値の算出手段
25:比較手段
26:メモリ
27:表示装置
28:入力装置
Claims (5)
- 電子線ビームを試料に照射して走査し、反射された反射電子を検出・増幅して当該試料の反射電子像を生成する検査装置において、
前記試料上あるいは当該試料を固定した試料移動台上の較正パターンの前記反射電子像をもとに当該反射電子像のゲインとレベルを調整する手段と、
前記調整した後のゲインとレベルをもとに、前記試料の検査対象の領域の反射電子像を生成する手段と
を備えたことを特徴とする検査装置。 - 前記較正パターンとして、試料上の測定対象のパターンを形成する素材の全ての素材で較正用パターンを形成したことを特徴とする請求項1記載の検査装置。
- 前記較正パターン中の較正用パターンのうちの質量の最も大きい素材のパターンの反射電子強度を白レベル、質量の最も小さいパターンの素材の反射電子強度を黒レベルとして前記ゲインおよびレベルを調整したことを特徴とする請求項1あるいは請求項2記載の検査装置。
- 前記反射電子像と、当該反射電子像に対応する設計データ上の画像とを比較し、許容範囲内のときに良品、許容範囲外のときに不良品と検査する手段を備えたことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の検査装置。
- 電子線ビームを試料に照射して走査し、反射された反射電子を検出・増幅して当該試料の反射電子像を生成する検査方法において、
前記試料上あるいは当該試料を固定した試料移動台上の較正パターンの前記反射電子像をもとに当該反射電子像のゲインとレベルを調整するステップと、
前記調整した後のゲインとレベルをもとに、前記試料の検査対象の領域の反射電子像を生成するステップと
を有する検査方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010054336A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 表面に元素薄膜が存在する微小体の識別法 |
JP2010186747A (ja) * | 2009-02-11 | 2010-08-26 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 電子放出顕微分光撮像での非点収差を補正するための方法 |
KR101009808B1 (ko) * | 2007-11-19 | 2011-01-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 검사 장치, 검사 방법 및 기억 매체 |
JP2011158331A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 薄膜状元素の識別方法 |
JP2023046640A (ja) * | 2021-09-24 | 2023-04-05 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置および画像調整方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101009808B1 (ko) * | 2007-11-19 | 2011-01-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 검사 장치, 검사 방법 및 기억 매체 |
JP2010054336A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 表面に元素薄膜が存在する微小体の識別法 |
JP2010186747A (ja) * | 2009-02-11 | 2010-08-26 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 電子放出顕微分光撮像での非点収差を補正するための方法 |
JP2011158331A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 薄膜状元素の識別方法 |
JP2023046640A (ja) * | 2021-09-24 | 2023-04-05 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置および画像調整方法 |
JP7369747B2 (ja) | 2021-09-24 | 2023-10-26 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置および画像調整方法 |
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