JP2007043019A - 半導体評価装置および半導体処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 高い感度で基板を評価可能な半導体評価装置を提供する。
【解決手段】 半導体評価装置は、半導体基板に向かって進行する第1プローブ光を照射するプローブレーザPbを含む。第1ハーフミラーMh2は、第1プローブ光の一部の第2プローブ光を第1プローブ光から取り出す。光測定器Dは、第1プローブ光が半導体基板により反射されることにより得られる第1反射プローブ光と、第2プローブ光が参照用の内部状態を有する第1参照サンプルにより反射されることにより得られる第2反射プローブ光と、を同じ光軸上で取り込む。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体評価装置は、半導体基板に向かって進行する第1プローブ光を照射するプローブレーザPbを含む。第1ハーフミラーMh2は、第1プローブ光の一部の第2プローブ光を第1プローブ光から取り出す。光測定器Dは、第1プローブ光が半導体基板により反射されることにより得られる第1反射プローブ光と、第2プローブ光が参照用の内部状態を有する第1参照サンプルにより反射されることにより得られる第2反射プローブ光と、を同じ光軸上で取り込む。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体評価装置および半導体処理装置に関し、例えば、半導体装置製造の際の不純物導入工程、アニール工程時の評価に関する。
半導体ウェハ上に集積回路を形成する一連の製造工程には、通常、電荷を帯びた原子あるいは分子を半導体ウェハに打ち込むイオン注入工程が含まれる。イオン注入に伴い、注入イオンと半導体ウェハ中の結晶格子とが衝突し、半導体ウェハ内に格子間原子や原子空孔などの点欠陥が発生する。この現象を利用して、注入されたイオンのドーズ量を測定する方法が知られている。
この測定方法の1つとして、サーマルウェーブ法などの光を使った方法が使われている。サーマルウェーブ法は、半導体ウェハに光を照射して、半導体ウェハによって反射された光を分析することにより、半導体ウェハの状態を評価する。反射光は半導体内の微妙な構造も反映をしているために、半導体内に形成された欠陥などを検出することが可能である。この評価の際に、精度を向上させるために、入射光に強度変調をかけて、外乱による信号光の変化を取り除くなどの方法が採られる。また、入射光をハーフミラーで取り出して、光源の変調に対して補正を行っている。
しかしながら、現状では、反射光から得られる信号が非常に微少であるために、イオン注入の角度等の微妙な状態を評価することが難しい。
予め、サーマルウェーブ法で試料の光熱変位(Pa値)と、欠陥密度および総周辺長とを測定して、両者の関係を求めておき、評価すべき試料のPa値と比較することにより、評価試料の欠陥密度および総周辺長を求める技術が知られている(例えば特許文献1)。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては次のものがある。
特許第3,290,352号公報
本発明は、高い感度で基板を評価可能な半導体評価装置および半導体処理装置を提供しようとするものである。
本発明の第1の視点による半導体評価装置は、半導体基板に向かって進行する第1プローブ光を照射するプローブレーザと、前記第1プローブ光の一部の第2プローブ光を前記第1プローブ光から取り出す第1ハーフミラーと、前記第1プローブ光が前記半導体基板により反射されることにより得られる第1反射プローブ光と、前記第2プローブ光が参照用の内部状態を有する第1参照サンプルにより反射されることにより得られる第2反射プローブ光と、を同じ光軸上で取り込む光測定器と、を具備することを特徴とする。
本発明の第2の視点による半導体処理装置は、半導体基板に向かって進行する第1プローブ光を照射するプローブレーザと、前記第1プローブ光の一部の第2プローブ光を前記第1プローブ光から取り出す第1ハーフミラーと、前記第1プローブ光が前記半導体基板により反射されることにより得られる第1反射プローブ光と、前記第2プローブ光が参照用の内部状態を有する第1参照サンプルにより反射されることにより得られる第2反射プローブ光と、を同じ光軸上で取り込む光測定器と、前記半導体基板にイオンビームを照射するイオン照射部と、を具備することを特徴とする。
本発明の第3の視点による半導体評価装置は、半導体処理装置内に配置された半導体基板を評価する半導体評価装置であって、前記半導体基板に向かって進行する第1プローブ光を照射するプローブレーザと、前記第1プローブ光の一部の第2プローブ光を前記第1プローブ光から取り出す第1ハーフミラーと、前記第1プローブ光を透過することにより前記第1プローブ光を前記半導体評価装置の外部へと送出する光出力部と、前記第1プローブ光が前記半導体基板に反射されることにより得られる第1反射プローブ光を透過することにより前記第1反射プローブ光を前記半導体評価装置内に取り込む光入力部と、前記第1反射プローブ光と、前記第2プローブ光が参照用の内部状態を有する第1参照サンプルにより反射されることにより得られる第2反射プローブ光と、を同じ光軸上で取り込む光測定器と、を具備することを特徴とする。
本発明によれば、高い感度で基板を評価可能な半導体評価装置および半導体処理装置を提供できる。
以下に本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体評価装置の主要部を概略的に示す図である。図1に示すように、半導体評価装置は、第1ポンプレーザPm1、第2ポンプレーザPm2、プロープレーザPb、ハーフミラー(反射部材)Mh1乃至Mh6、ミラー(反射部材)M1、フィルタF1乃至F3、光測定器D等を有する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体評価装置の主要部を概略的に示す図である。図1に示すように、半導体評価装置は、第1ポンプレーザPm1、第2ポンプレーザPm2、プロープレーザPb、ハーフミラー(反射部材)Mh1乃至Mh6、ミラー(反射部材)M1、フィルタF1乃至F3、光測定器D等を有する。
シリコンからなる基板Sが、本実施形態に係る半導体評価装置が評価を行う対象である。参照サンプルRに対しては、所定の条件下でイオン注入が予め行われており、所望の不純物濃度、濃度プロファイルを有する不純物領域が形成されている。
第1ポンプレーザPm1は、基板Sの上方に設けられ、第1ポンプ光Lm1を生成する。第1ポンプ光Lm1は、例えば波長が830nmのレーザ光であり、基板Sに向かって照射される。また、第1ポンプ光Lm1は、時間によらずに一定の直流成分に、一定の周期で時間的に変化する変調成分が重畳された特性を有する。第1ポンプ光Lm1は、基板S内に過剰キャリアを生成する機能を有する。
第2ポンプレーザPm2は、参照サンプルRの上方に設けられ、第2ポンプ光Lm2を生成する。第2ポンプ光Lm2は、参照サンプルRに向かって照射され、後述のように、評価方法に応じて、第1ポンプ光Lm1と同じまたは異なる特性を有する。第2ポンプ光Lm2は、参照サンプルR内に過剰キャリアを生成する機能を有する。
プローブレーザPbは、基板Sの上方に設けられ、第1ポンプ光Lm1に向かってプローブ光Lbを生成する。プローブ光は、時間的によらずに一定の強度を有し、例えば、波長が980nmのレーザ光である。
ハーフミラーMh1は、第1ポンプ光Lm1とプローブ光Lbとが交わる位置に設けられる。ハーフミラーMh1は、第1ポンプ光Lm1を透過させるとともに、プローブ光Lbを反射させて、第1ポンプ光の光軸上へと誘導する。
ハーフミラーMh2は、第1ポンプ光Lm1の光軸上に設けられる。ハーフミラーMh2は、第1ポンプ光Lm1およびプローブ光Lbの各一部を透過させるとともに、残りの一部を反射する。ハーフミラーMh2により反射された第1ポンプ光Lm1およびプローブ光Lbは、第2ポンプ光Lm2の光軸へと向かう。
第1ポンプ光Lm1の光軸上の、ハーフミラーMh2と基板Sとの間には、ハーフミラーMh3が設けられる。ハーフミラーMh3は、ハーフミラーMh2を透過した第1ポンプ光Lm1およびプローブ光Lbを透過させる。ハーフミラーMh3を透過した第1ポンプ光Lm1およびプローブ光Lbは、基板Sによって反射される。基板Sによって反射された第1ポンプ光Lm1、および基板によって反射されたプローブ光(以下、第1反射プローブ光Lbr1と称する)は、ハーフミラーMh3により反射される。
フィルタF1は、ハーフミラーMh3と対向し、ハーフミラーMh3により反射された第1ポンプ光Lm1および第1反射プローブ光Lbr1の光軸上に設けられる。フィルタF1は、ポンプ光Lm1を吸収し、第1反射プローブ光Lbr1を透過させる。
ハーフミラーMh4は、ハーフミラーMh3とフィルタF1とを結ぶ線の延長線上に設けられる。フィルタF1を透過した第1反射プローブ光Lbr1は、ハーフミラーMh4を透過する。
フィルタF2は、ハーフミラーMh2と第2ポンプ光Lm2の光軸との間に設けられ、ハーフミラーMh2により反射された第1ポンプ光Lm1を吸収し、第1ハーフミラーにより反射されたプローブ光Lbを透過させる。
ハーフミラーMh5は、第2ポンプの光軸上でハーフミラーMh2と面する位置に設けられる。ハーフミラーMh5は、第2ポンプ光Lm2を透過させるとともに、フィルタF2を透過したプローブ光Lbを反射して第2ポンプ光Lm2の光軸上に誘導する。
第2ポンプ光Lm2の光軸上で、ハーフミラーMh5と参照サンプルRとの間には、ハーフミラーMh6が設けられる。ハーフミラーMh6は、第2ポンプ光Lm2およびプローブ光Lbを透過させる。ハーフミラーMh6を透過した第2ポンプ光Lm2およびプローブ光Lbは、参照サンプルRによって反射される。参照サンプルRによって反射された第2ポンプ光Lm2、および参照サンプルRによって反射されたプローブ光Lb(以下、第2反射プローブ光Lbr2と称する)は、ハーフミラーMh6により反射される。ハーフミラーMh6は、垂直方向(第2ポンプレーザPm2と参照サンプルRとを結ぶ方向)に沿って可動とされている。
フィルタF3は、ハーフミラーMh6と対向する位置に設けられ、ハーフミラーMh6により反射された第2ポンプ光Lm2を吸収し、ハーフミラーMh6により反射された第2反射プローブ光Lbr2を透過させる。
ミラーM1は、ハーフミラーMh6とフィルタF3とを結ぶ線の延長線上で、ハーフミラーMh6と対向する位置に設けられる。ミラーM1は、フィルタF3を透過した第2反射プローブ光Lbr2を反射する。ミラーM1は、垂直方向(第1ポンプレーザLm1と基板Sとを結ぶ方向)に沿って可動とされている。
ハーフミラーMh3は、ミラーM1により反射された第2反射プローブ光Lbr2を反射して、フィルタF1を透過した第1反射プローブ光Lbr1の光軸上に誘導する。
第1反射プローブ光Lbr1および第2反射プローブ光Lbr2の合成光は、光測定器Dに入射する。光測定器Dは、例えば、フォトディテクターのような、光の強度をアナログ的に検出する装置により実現される。光測定器Dは、入射した光を電気信号Sgに変換して出力する。電気信号Sgは、必要に応じて計算機Cに供給され、計算機Cは、電気信号Sgを用いて所定の処理を行う。
第1ポンプ光Lm1の光子エネルギーをシリコンのバンドギャップエネルギーより大きくしておくことにより、基板Sに吸収される第1ポンプ光Lm1は、基板S中に1対の電子および正孔からなる過剰キャリア(以下、光キャリアと呼ぶ)を励起する。
光キャリアが消滅するまでの時間(ライフタイム)は、基板Sの結晶性に依存する。例えばイオン注入によって結晶構造が損傷を受けたり改質している領域では結晶性が悪い。よって、結晶性が悪い領域では、ライフタイムは比較的短く、過剰キャリアがすぐに再結合するために荷電子の量は少ない。そして、不純物が多く注入されていれば、結晶性もそれに連れて悪くなるので、不純物濃度と荷電子の量とは相互に関係を有する。同様の理由により、不純物濃度プロファイルと荷電子の量の分布も相互に関係を有する。
また、イオン注入後にアニール処理が行われた領域では、イオン注入よって変化した結晶構造が回復する。結晶性が良い領域では、ライフタイムは比較的長く、過剰キャリアの密度は高い。すなわち、荷電子の量は多い。
ある物質の反射率は、この物質内の荷電子の量に応じて変化する。よって、ある物質にポンプ光を照射して、このときの物質に照射されたプローブ光の反射光の強度を評価することにより、物質内の荷電子の量、すなわち、結晶性を評価できる。そして、各結晶状態と不純物の状態とを予め関係付けておくことにより、結晶性を評価することによって不純物の濃度、プロファイル、アニール後の基板の状態を評価できる。
しかしながら、このようにして観測された反射光の強度の変化は非常に小さい。そこで、過剰キャリアを生成するためのポンプ光の強度の時間的に一定な直流成分に時間的に変化する交流成分を加える。すると、過剰キャリアの生成も時間を追って変化する。この結果、反射プローブ光の強度も、ポンプ光の変調周期と同じ周期で変化する。
第1ポンプ光Lm1は、基板Sに到達し、ここで、光キャリアを励起する。
同様に、第2ポンプ光Lm2も、直流成分に交流成分が重畳されている。第2ポンプ光Lm2は、参照用サンプルに到達し、ここで、光キャリアを励起する。
プローブレーザが照射するプローブ光Lbは、ハーフミラーMh2により2つへと分岐され、それぞれが、以下に示す相互に異なる光路を取る。すなわち、一方のプローブ光Lbは、ハーフミラーMh3を透過し、基板Sにより反射される。基板Sにより反射されたプローブ光Lbr、すなわち第1反射プローブ光Lbr1は、基板Sの、不純物濃度、不純物濃度プロファイル等(以下、内部状態)の情報を含んでいる。この内部状態の情報は、第1反射プローブ光Lbr1が有する、基板Sの結晶状態に応じた強度によって表現される。そして、第1反射プローブ光Lbr1は、ハーフミラーMh3により反射され、ハーフミラーMh4を透過して光測定器Dに達する。
分岐したうちの他方のプローブ光Lbは、ハーフミラーMh5により反射され、ハーフミラーMh6を透過して、参照サンプルRにより反射される。参照サンプルRにより反射されたプローブ光Lbr、すなわち第2反射プローブ光Lbr2は、参照サンプルRの内部状態の情報を含んでいる。この内部状態の情報は、第2反射プローブ光Lbr2が有する、参照サンプルRの結晶状態に応じた強度によって表現される。そして、第2反射プローブ光Lbr2は、ハーフミラーMh6、ミラーM1、ハーフミラーMh4により順次反射され、第1反射プローブ光Lbr1と同じ光軸上で光測定器Dに入射する。
上記のように、光測定器Dには、第1反射プローブLbr1光と第2反射プローブ光Lbr2とが同じ光軸上で入射する。ここで、図2(a)、図2(b)に示すように、第1ポンプ光Lm1と第2ポンプ光Lm2との時間に対する変調周波数が同じであるとする。この場合、基板Sの内部状態が参照サンプルRの内部状態と同じであれば、第1反射プローブ光Lbr1と第2反射プローブ光Lbr2とは、同じ強度で、時間に対して同じ周波数を有する。このため、プローブレーザPbから第1反射プローブ光Lbr1として光測定器Dに入射する光の光路(第1反射プローブ光Lbr1の光路)と、プローブレーザPbから第2反射プローブ光Lbr2として光測定器Dに入射する光の光路(第2反射プローブ光Lbr2の光路)と、の差がプローブ光Lbの波長の整数倍のとき、2つの光は強め合う。よって、図2(c)に示すように、光測定器Dに入射する、第1反射プローブ光Lbr1と第2反射プローブ光Lbr2との合成光(以下、測定合成光)は、周波数がプローブ光と同じで、強度の振幅がプローブ光の2倍の光である。
また、第1反射プローブ光Lbr1および第2反射プローブ光Lbr2の光路差がプローブ光Lbの波長の整数倍+1/2のとき、2つの光が光測定器Dに到達した時点での位相がずれるので、2つの光は互いに打ち消しあう。このため、図3に示すように、光測定器Dに入射する測定合成光は、強度がゼロで、周波数もゼロである(消光位である)。このときの光路差を基準光路差と称する。なお、第2反射プローブ光Lbr2の光路は、ハーフミラーMh6およびミラーM1を共に同じ量、垂直移動させることにより、任意に変更できる。
一方、基板Sの内部状態が参照サンプルRの内部状態と異なれば、第2反射プローブ光Lbr2は、第1反射プローブ光Lbr1と強度が異なる。このため、2つの反射プローブ光の光路差が基準光路差であっても、測定合成光は最小ではない。この測定合成光の強度が最小となるように、ハーフミラーMh6およびミラーM1を移動させることにより、2つの反射プローブ光の光路差を変更する。そして、測定合成光の強度が最小の時の光路差(測定光路差)と、基準光路差との差が求められる。図4に示す2つの同じ測定光路差の場合を例に取れば、実線の光路差が最小の強度の時の光路差となる。破線の波形から、実線の波形が得られるように、第1反射プローブ光Lbr1の光路差を調整する。
光路差の差が観測された場合は、基板Sの内部状態が参照サンプルRの内部状態と異なる、すなわち、基板Sが所望の内部状態を有していないと判定できる。また、この光路差の差は、基板Sの状態に応じて変化する。このため、基準光路差と測定光路差の差を測定することにより、基板Sの内部状態の所望の状態からのずれの程度を知得することができる。
また、本実施形態では、第1ポンプ光Lm1源と第2ポンプ光Lm2源とが独立して設けられているので、2つのポンプ光の位相を調整することもできる。位相を調整することにより、ポンプ光の位相と同じ位相を有する2つのプローブ光に光路差を生じさせるのと同じ結果を得られる。
次に、第1ポンプ光Lm1と第2ポンプ光Lm2との変調周波数が異なる場合について説明する。図5(a)、図5(b)に示すように、第1ポンプ光Lm1と第2ポンプ光Lm2との変調周波数が異なる場合、第1反射プローブ光Lbr1と第2反射プローブ光Lbr2の変調周波数も異なる。このため、図5(c)に示すように、光測定器Dにおいて、時間軸に対してうねりを有する測定合成光が観測される。このうねりを、その強度と時間のグラフによって表現すると、うねりの周波数と位相の情報が得られる。この情報を利用して、基板Sの所望の状態からの違いを検出できる。この場合、第1ポンプ光Lm1および第2ポンプ光Lm2の強度をそれぞれ適切に調整することにより、うねりが発生するようにする。2つのポンプ光の強度が違いすぎると、うねりが観測されないからである。
まず、基板Sとして、所望の状態を有するもの、または参照サンプルRと同じものを用意する。この基板Sを用いた場合の、うねりの周波数と位相の情報を予め準備する。このときの情報を基準情報と称する。
次に、実際に評価すべき基板を用いて、うねりの周波数と位相の情報(評価情報と称する)を求める。そして、評価情報が、基準情報から予め設定された所定の範囲に収まっているか否かが判定される。この範囲に収まっている場合、基板が「良」として判定される。
本発明の第1実施形態に係る半導体評価装置によれば、基板Sによって反射された第1反射プローブ光Lbr1と、第1反射プローブ光Lbr1に近い第2反射プローブ光Lbr2との合成光の干渉を用いて基板Sを評価する。このため、電気信号に変換されたプローブ光を、ある基準の電気信号と比較する場合より、高い感度で基板Sの内部状態を評価できる。
(第2実施形態)
第2実施形態では、第2反射プローブ光Lbr2の光路を調整する機構が第1実施形態と異なる。
第2実施形態では、第2反射プローブ光Lbr2の光路を調整する機構が第1実施形態と異なる。
図6は、本発明の第2実施形態に係る半導体評価装置の主要部を概略的に示す図である。図6に示すように、ハーフミラーMh6とミラーM1との間に、ミラーM2が設けられる。ミラーM2と対向する位置にミラーM3が設けられ、ミラーM3と対向する位置にミラーM4が設けられ、ミラーM4と対向する位置にミラーM5が設けられる。
ミラーM2乃至ミラーM5は、ハーフミラーMh6により反射された第2反射プローブ光Lbr2が、ミラーM2、ミラーM3、ミラーM4、ミラーM5により順次反射されてミラーM1に向かうように配置される。
ミラーM3およびミラーM4は、ある操作によって、垂直方向において同じ方向、同じ量、一括に移動可能なように構成されている。よって、ミラーM3およびミラーM4を適当な量、上下に動かすことにより、第2反射プローブ光Lbr2の光路を調整できる。
なお、ミラーM2乃至ミラーM5の位置は図6のものに限定されず、第2反射プローブ光Lbr2の光路を調整できる位置あれば、すなわち第2反射プローブ光Lbr2の光路上に配置されていればよい。
ミラーM3およびミラーM4を移動することによって第2反射プローブ光Lbr2の光路を調整する。その他の構成、および基板Sの評価方法は、第1実施形態と同じである。
本発明の第2実施形態に係る半導体評価装置によれば、第1実施形態と同じく、基板Sによって反射された第1反射プローブ光Lbr1と、第1反射プローブ光Lbr1に近い第2反射プローブ光Lbr2との合成光の干渉を用いて基板Sを評価する。このため、第1実施形態と同じ効果を得られる。
また、第2実施形態によれば、同じ方向、同じ量、一括に移動可能なように構成されているミラーM3およびミラーM4によって、第2反射プローブ光Lbr2の光路を調整できる。このため、第2反射プローブ光Lbr2の光路を調整が容易となる。
(第3実施形態)
第3実施形態では、光学素子を用いることにより、第1反射プローブ光Lbr1の光路が調整される。
第3実施形態では、光学素子を用いることにより、第1反射プローブ光Lbr1の光路が調整される。
図7は、本発明の第3実施形態に係る半導体評価装置の主要部を概略的に示す図である。図7に示すように、ハーフミラーMh6とミラーM1との間に、光学素子ODが設けられている。ハーフミラーMh6により反射された第2反射プローブ光Lbr2は、光学素子ODを通過してミラーM1に到達する。
光学素子ODは、この光学素子ODを通過する光の光路を、この光の1波長以上の範囲で任意に調整できる。または、入射光と出射光との位相を調整することによっても、同じ結果を得られる。このような光学素子ODとして、電気光学効果、電気磁気効果、圧電効果によって光学素子を通過する光の屈折率を変化させるもの、または、重ね合わせられた2つ以上の光学結晶の重なり分の厚さを調整することによって光路を変化させるもの等を用いることができる。より具体的には、バビネソレイユ補償板等を用いることができる。
なお、光学素子ODの位置は図7のものに限定されず、第2反射プローブ光Lbr2の光路上に配置されていればよい。
光学素子ODを用いることによって第2反射プローブ光Lbr2の光路を調整する。その他の構成、および基板Sの評価方法は、第1実施形態と同じである。
本発明の第3実施形態に係る半導体評価装置によれば、第1実施形態と同じく、基板Sによって反射された第1反射プローブ光Lbr1と、第1反射プローブ光Lbr1に近い第2反射プローブ光Lbr2との合成光の干渉を用いて基板Sを評価する。このため、第1実施形態と同じ効果を得られる。
また、第3実施形態によれば、光学素子ODを用いて第2反射プローブ光Lbr2の光路を調整する。このため、ミラーを物理的に移動する場合よりも、装置構成および光路の調整が容易になる。
(第4実施形態)
第4実施形態では、基板Sに照射するポンプ光と同じものを参照サンプルRに照射する。
第4実施形態では、基板Sに照射するポンプ光と同じものを参照サンプルRに照射する。
図8は、本発明の第4実施形態に係る半導体評価装置の主要部を概略的に示す図である。図8に示すように、第4実施形態に係る半導体評価装置は、第1実施形態(図1)に係る半導体評価装置から、フィルタF2および第2ポンプレーザPm2が除かれ、ハーフミラー5がミラーM6により置き換えられた構成を有する。よって、ハーフミラーMh2により分岐された第1ポンプ光Lm1の一部は、ミラーM6により反射され、ハーフミラーMh6を通過して参照サンプルRに到達する。そして、参照サンプルR、ハーフミラーMh6により反射された後に、フィルタF3により吸収される。
第1ポンプLm1光によって参照サンプルR内で光キャリアが励起される。その他の構成、および基板Sの評価方法は、第1実施形態と同じである。
第4実施形態によれば、第1実施形態と同じく、基板Sによって反射された第1反射プローブ光Lbr1と、第1反射プローブ光Lbr1に近い第2反射プローブ光Lbr2との合成光の干渉を用いて基板Sを評価する。このため、第1実施形態と同じ効果を得られる。
なお、第4実施形態では、基板Sと参照サンプルRに同じポンプレーザが照射されるため、第1実施形態の場合と異なり、基板S、参照サンプルRに照射されるポンプ光の強度、変調周波数を、個別に設定することはできない。しかしながら、ポンプレーザが1つで済むため、第1実施形態より装置構成が簡単になるという利点を得られる。
また、第4実施形態を、第2、第3実施形態に組み合わせることも可能である。
(第5実施形態)
第5実施形態では、参照サンプルR制御用の光を用いることにより、第2プローブ光に変化を与える。
第5実施形態では、参照サンプルR制御用の光を用いることにより、第2プローブ光に変化を与える。
図9は、本発明の第5実施形態に係る半導体評価装置の主要部を概略的に示す図である。図9に示すように、第5実施形態に係る半導体評価装置は、第1実施形態(図1)の構成に加えて、参照サンプルR制御用の光源CLを有する。
制御用光源CLは、光Lcを照射された参照サンプルRの温度を上昇させる光Lcを発する。より具体的には、光源として、例えば可視光線、赤外線等の電磁波を用いることができる。また、制御用光源CLは、参照サンプルRに光Lcを照射可能で且つ第2ポンプ光Lm2およびプローブ光Lbの光軸からずれた位置に配置される。
参照サンプルRに光Lcが照射されることにより、参照サンプルRの不純物の状態が変化する。より具体的には、不純物が拡散することにより不純物拡散領域の形状が変化したり、光キャリアが生成されやすくなる。このため、光測定器Dによって測定される第2反射プローブ光Lbr2が、光を照射されていない場合のものと異なる。よって、基板Sの内部状態が参照サンプルRと同じであったとしても、第1反射プローブ光と第2反射プローブ光との合成光(測定合成光)に干渉パターンが生じる。この干渉パターンを基準状態として用いて、種々の基板Sを用いた場合の干渉パターンと、基準状態の干渉パターンとの違いを観測することにより、基板を評価できる。
本実施形態の第5実施形態に係る半導体評価装置によれば、参照サンプルRに環境制御用の光が照射される。このような手法によっても、第1実施形態で2つのプローブ光に光路差を与えた場合と同様に、第1反射プローブ光Lbr1と第2反射プローブ光Lbr2との合成光に干渉パターンを発生させることができる。この結果、第1実施形態と同じ効果を得られる。
また、第5実施形態によれば、環境制御用の光Lcによって、第2反射プローブ光Lbr2の特性を調整する。このため、ミラーを物理的に移動する場合よりも、装置構成および光路の調整が容易になる。
(第6実施形態)
第6実施形態では、参照サンプルR制御用のヒータを用いることにより、第2プローブ光に変化を与える。
第6実施形態では、参照サンプルR制御用のヒータを用いることにより、第2プローブ光に変化を与える。
図10は、本発明の第6実施形態に係る半導体評価装置の主要部を概略的に示す図である。図10に示すように、第6実施形態に係る半導体評価装置は、第1実施形態(図1)の構成に加えて、参照サンプルR制御用のヒータHを有する。
ヒータHは、典型例として、参照サンプルRの下方に設けられる。ヒータHは、制御によって所望の熱量を放出可能なように構成されている。ヒータHが参照サンプルRを加熱することにより、第5実施形態の場合と同様に、参照サンプルRの内部状態が変化する。すなわち、不純物が拡散することにより不純物拡散領域の形状が変化したり、光キャリアが生成されやすくなる。
参照サンプルRの状態が変化するため、基板Sの状態が参照サンプルRと同じであったとしても、第1プローブ光と第2プローブ光との合成光に干渉パターンが生じる。この干渉パターンを基準状態として用いて、種々の基板Sを用いた場合の干渉パターンと、基準状態の干渉パターンとの違いを観測することにより、基板Sを評価できる。
本実施形態の第5実施形態に係る半導体評価装置によれば、参照サンプルRを加熱するヒータHが設けられる。このような手法によっても、第1実施形態で2つのプローブ光に光路差を与えた場合と同様に、第1プローブ光と第2プローブ光との合成光に干渉パターンを発生させることができる。この結果、第1実施形態と同じ効果を得られる。
また、第6実施形態によれば、ヒータHによって、第2反射プローブ光Lbr2の特性を調整する。このため、ミラーを物理的に移動する場合よりも、装置構成および光路の調整が容易になる。
(第7実施形態)
第7実施形態では、ホログラフィー素子を用いて、第2反射プローブ光と同じ特徴を有する光が再現される。
第7実施形態では、ホログラフィー素子を用いて、第2反射プローブ光と同じ特徴を有する光が再現される。
図11は、本発明の第7実施形態に係る半導体評価装置の主要部を概略的に示す図である。図11に示すように、第7実施形態に係る半導体評価装置は、第1実施形態の構成から、参照サンプルR、参照サンプルRに第2ポンプ光およびプローブ光を照射するための構成が省かれている。すなわち、第7実施形態に係る半導体評価装置は、第1ポンプレーザPm1、プローブレーザPb、ハーフミラーMh1、Mh3、Mh4、フィルタF1、ミラーM1を有する。
また、この構成に加えて、第1ポンプ光Lm1およびプローブ光Lbの光軸上で且つミラーM1と向き合う位置にハーフミラーMh11が設けられる。ハーフミラーMh11は、第1ポンプ光Lm1およびプローブ光Lbの合成光の一部をミラーM1へと反射する。
ハーフミラーMh11とミラーM1との間には、フィルタF4が設けられる。フィルタF4とミラーM1との間には、ホログラフィー素子が設けられる。フィルタF4は、ハーフミラーMh11により反射された第1ポンプ光Lm1およびプローブ光Lbのうち、プローブ光のみを透過させる。プローブ光Lbは、次いで、ホログラフィー素子HDに入射する。
ホログラフィー素子HDは、ハーフミラーMh11により反射された光を利用して、第1実施形態の第2反射プローブ光Lbr2と同じ特徴を有する光(参照光)Lhdを作り出す。よって、参照参照光Lhdは、参照サンプルRの内部状態に応じた情報を含んでいる。
上記したようなホログラフィー素子HDは、例えば以下の方法により予め作成される。すなわち、まず、第1実施形態と同様に参照サンプルRが準備される。次に、この参照サンプルRに、例えば第1実施形態と同様にしてプローブ光およびポンプ光を照射する。そして、参照サンプルRにより反射されたプローブ光を新規に用意されたホログラフィー素子に入射させる。この状態を、ホログラフィー素子HDに焼き付けることにより、ホログラフィー素子HDは、光を照射された際に参照サンプルRに反射されたプローブ光と同じ光を発する。
また、ホログラフィー素子HDとして、液晶ディスプレイと、この液晶ディスプレイに電場を印加する印加された電場印加部とから構成されたものを用いることもできる。電場印加部は、液晶ディスプレイに電場を印加することにより、液晶ディスプレイの液晶を、所望の光を再現可能な状態へと変化させる。そして、プローブ光Lbは、制御された液晶ディスプレイを通過した結果、所望の特性を有する参照光Lhdへと変換される。
ホログラフィー素子HDから発せられた参照光Lhdは、ミラーM1およびハーフミラーMh4により反射された後、光測定器Dに入射する。そして、基板Sが所望の状態の時の第1反射プローブ光Lbr1と参照光Lhdとの合成光とが、例えば第1実施形態と同様に消光位となるようにホログラフィー素子HDが設定される。この状態を基準状態とする。
そして、光測定器Dにおいて、消光位が観測されるように設定されたホログラフィー素子HDからの参照光Lhdと基板Sとの合成光を観測した状態の、基準状態からのずれを観測することによって、基板Sの内部状態を評価できる。
本発明の第7実施形態に係る半導体評価装置によれば、ホログラフィー素子HDによって再現された参照光Lhdと、第1プローブ光との合成光が観測される。このような手法によっても、第1実施形態で2つのプローブ光に光路差を与えた場合と同様に、第1プローブ光と第2プローブ光との合成光に干渉パターンを発生させることができる。この結果、第1実施形態と同じ効果を得られる。
また、第7実施形態によれば、第1実施形態と比べて、第2ポンプレーザPm2、第2ポンプ光Lm2を反射および遮断するための機構等が不要になるので、装置構成が簡略になる。
(第8実施形態)
第8実施形態では、基板Sの全面に一括でプローブレーザが照射される。
第8実施形態では、基板Sの全面に一括でプローブレーザが照射される。
図12は、本発明の第8実施形態に係る半導体評価装置の主要部を概略的に示す図である。図12に示すように、第8実施形態に係る半導体評価装置の第1ポンプレーザPm1は基板Sの全面に亘って一括で照射可能な大きさの照射口を有し、第2ポンプレーザPm2は参照サンプルRの全面に亘って一括で照射可能な大きさの照射口を有する。また、プローブレーザPbは、基板Sおよび参照サンプルRの全面に亘って一括で照射可能な大きさの照射口を有する。そして、このような第1ポンプレーザPm1、第2ポンプレーザPm2、プローブレーザPbから、基板Sおよび参照サンプルRの全面に亘って第1ポンプ光Lm1、第2ポンプ光Lm2、プローブ光Lbが照射される。
第8実施形態において、第1反射プローブ光Lbr1は基板Sの全面に亘る内部状態に関する情報を含み、第2反射プローブ光Lbr2は参照サンプルRの全面に亘る内部状態に関する情報を含む。
また、第1反射プローブ光Lbr1および第2反射プローブ光Lbr2は広範囲に亘る波面を有する。このため、光測定器Dは広範囲に亘る第1反射プローブ光Lbr1および第2反射プローブ光Lbr2を一括して捕捉できる必要がある。このような光測定器Dとして、例えばCCD(charge-coupled device)を用いることができる。
なお、光測定器Dの光入射部が大口径を有していない場合は、例えば、ハーフミラーMh3と光測定器Dとの間に、レンズLNを設けることができる。こうすることにより、広い波面を有する第1反射プローブ光Lbr1を、狭い波面を有する光へと変換することができる。レンズLNの位置は例であり、第1反射プローブ光Lbr1が取る、基板Sから光測定器Dに至るまでの光路上に設けられていればよい。
光測定器Dに入射した測定合成光を電気信号による測定信号に変換し、この測定信号を計算機Cによってデコンボリュートすることにより、測定信号の特徴をより明確に抽出することも可能である。
本発明の第8実施形態に係る半導体評価装置によれば、第1実施形態と同様に、基板Sによって反射された第1反射プローブ光Lbr1と、第1反射プローブ光Lbr1に近い第2反射プローブ光Lbr2との合成光の干渉を用いて基板Sを評価する。このため、第1実施形態と同じ効果を得られる。
また、第8実施形態よれば、基板Sの全面に渡る波面を有するプローブ光Lbが用いられる。このため、基板Sの表面の各部の位置における内部情報を短時間で取得できるため、基板Sの評価を短時間で完了することができる。
(第9実施形態)
第9実施形態では、複数の参照サンプルRと、各参照サンプルRに対してポンプレーザおよびミラーが設けられる。
第9実施形態では、複数の参照サンプルRと、各参照サンプルRに対してポンプレーザおよびミラーが設けられる。
図13は、本発明の第9実施形態に係る半導体評価装置の主要部を概略的に示す図である。図13に示すように、第1実施形態の構成に加えて、複数の参照サンプルR2、R3が並んで設けられている。各参照サンプルR、R2、R3は並んで配置されている。また、各参照サンプルR2、R3の上方には、第3ポンプレーザPm3、第4ポンプレーザPm4がそれぞれ設けられている。第3ポンプレーザPm3、第4ポンプレーザPm4は、第2ポンプレーザPm2と同じ特徴および構成を有し、第3ポンプ光Lm3、第4ポンプ光Lm4をそれぞれ照射する。
ハーフミラーMh2とハーフミラーMh5とを結ぶ仮想線の延長線上であって、第3ポンプレーザPm3と参照サンプルR2との間、および第4ポンプレーザPm4と参照サンプルR3との間に、ハーフミラーMh7、ハーフミラーMh9がそれぞれ設けられる。
また、ミラーM1とハーフミラーMh6とを結ぶ仮想線の延長線上であって、第3ポンプレーザPm3と参照サンプルR2との間、および第4ポンプレーザPm4と参照サンプルR3との間に、ハーフミラーMh8、ハーフミラーMh10がそれぞれ設けられる。
例えば、参照サンプルR、参照サンプルR2、参照サンプルR3のいずれか1つが、基準状態の反射プローブ光Lbr2を得るために用いられる。そして、選択された参照サンプルR、R2、R3にポンプ光を照射するポンプレーザが選択される。また、同時に、選択された参照サンプルR、R2、R3のみにプローブ光Lbが入射するように、他のハーフミラーは機械的な移動によって退避させられる。すなわち、例えば参照サンプルR3が用いられる場合、ハーフミラーMh5、Mh6、Mh7、Mh8が、プローブ光Lbを遮断しない位置に移動させられる。この結果、プローブ光Lbは、ハーフミラーMh9、参照サンプルR3、ハーフミラーMh10、ミラーM1、ハーフミラーMh4により順次反射されて、光測定器Dに入射する。
各参照サンプルR、R2、R3は、相互に異なる内部状態を有している。典型的な例として、2つの参照サンプルが、基板Sの状態が収まるべき範囲の上限と、下限に対応する内部状態をそれぞれ有する。そして、基板Sの内部状態がこれら上限および下限により特定される範囲に収まっているか否かを、基板Sの評価の基準とする。
本発明の第9実施形態に係る半導体評価装置によれば、第1実施形態と同じく、基板Sによって反射された第1反射プローブ光Lbr1と、第1反射プローブ光Lbr1に近い第2反射プローブ光Lbr2との合成光の干渉を用いて基板Sを評価する。このため、第1実施形態と同じ効果を得られる。
また、第9実施形態の半導体評価装置は、プローブ光Lbを反射する参照サンプルを、複数の参照サンプルR,R2、R3から選択することができる。よって、参照サンプルR、R2、R3の内部状態に違いを持たせておくことにより、種々の評価方法を実現できる。
(第10実施形態)
第10実施形態では、複数の参照サンプルR、R2、R3が設けられ、ポンプレーザPm2およびハーフミラーMh5、Mh6は、各参照サンプルRに共通である。
第10実施形態では、複数の参照サンプルR、R2、R3が設けられ、ポンプレーザPm2およびハーフミラーMh5、Mh6は、各参照サンプルRに共通である。
図14は、本発明の第10実施形態に係る半導体評価装置の主要部を概略的に示す図である。図14に示すように、第9実施形態と同様に、複数の参照サンプルR、R2、R3が並んで設けられる。各参照サンプルR、R2、R3は、1つのウェハステージST上に設けられる。ウェハステージSTは、任意に可動であり、自身の位置を適切に変更することによって、基準状態の第2反射プローブ光Lbr2を得るために用いられる任意の1つの参照サンプルR、R2、R3を第2ポンプレーザPm2の下方に位置させる。そして、選択された参照サンプルR、R2、R3によって反射された第2反射プローブ光Lbr2を用いて、基板Sの内部状態が評価される。この評価の方法は、第1実施形態と同じである。また、第9実施形態と同様にして、複数の参照サンプルR、R2、R3を用いて、基板Sの内部状態が、任意の範囲に収まっているか否かを判定することもできる。
本発明の第10実施形態に係る半導体評価装置によれば、第1実施形態と同様に、基板Sによって反射された第1反射プローブ光Lbr1と、第1反射プローブ光Lbr1に近い第2反射プローブ光Lbr2との合成光の干渉を用いて基板Sを評価する。このため、第1実施形態と同じ効果を得られる。
また、第10実施形態によれば、第9実施形態と同様に、複数の参照サンプルR、R2、R3が用いられる。このため、第9実施形態と同じ効果を得られる。
(第11実施形態)
第11実施形態では、プローブ光Lbと、第1反射プローブ光Lbr1との合成光が観察される。
第11実施形態では、プローブ光Lbと、第1反射プローブ光Lbr1との合成光が観察される。
図15は、本発明の第11実施形態に係る半導体評価装置の主要部を概略的に示す図である。第11実施形態に係る半導体評価装置は、図15に示すように、第7実施形態(図13)から、ホログラフィー素子HDが除かれた構成を有する。よって、プローブLb光および第1ポンプ光Lm1の一部は、ハーフミラーMh2により反射され、フィルタF4に入射する。そして、プローブ光Lbのみが、フィルタF4を透過し、ミラーM1、ハーフミラーMh4により反射されて、光測定器Dに入射する。このプローブ光Lbの光路は、ハーフミラーMh11およびミラーM1を共に同じ量、垂直移動させることにより、任意に変更できる。その他の構成は、第1実施形態、第11実施形態と同じである。
ハーフミラーMh11により分岐したプローブ光Lbのうち、一方はそのまま光測定器Dに入射する。これに対して、他方のもの、すなわち第1反射プローブ光Lbr1は基板Sによって反射されたため、基板Sの内部状態に応じた特性を有する。よって、プローブ光Lbおよび第1反射プローブ光Lbr1は相互に干渉し、2つの光の特性の違いに応じた光が光測定器Dにおいて観測される。
第11実施形態に係る半導体評価装置による評価方法は、例えば、以下の方法で行うことができる。まず、予め用意された所望の内部状態を有する基板(参照サンプル)を用意する。参照サンプルを、基板として用いて、ハーフミラーMh11により反射されたプローブ光が光測定器Dまでに取る光路を調整する。この調整は、プローブ光Lbと第1反射プローブ光Lbr1の合成光の強度が光測定器Dにおいて、例えば最小となるように行われる。この際の合成光の状態を基準状態、基準状態のときのプローブ光LBと第1反射プローブ光の光路の光路差を基準光路差と称する。
次に、実際に測定したい基板Sを用いて、光測定器Dにおける観測合成光を観測する。この観測合成光が、基準状態の合成光と一致すれば、基板Sの内部状態は所望の状態と一致していると評価される。一方、基準状態と異なっていれば、基板Sは、所望の状態から外れているとして評価される。そして、ハーフミラー11およびM1を調整することにより、測定合成光の強度を最小にする第1反射プローブ光Lbr1の光路を見出す。この時のプローブ光LBと第1反射プローブ光の光路の光路差と基準光路差との差を測定することにより、基板Sの内部状態の所望の状態からのずれの程度を知得することができる。
本発明の第11実施形態に係る半導体評価装置によれば、第1実施形態と同様に、2つに分岐したプローブ光Lbの一方と、基板Sの内部状態の情報を持った他方との合成光の干渉を観察することにより、基板Sを評価する。このため、第1実施形態と同じ効果を得られる。
(第12実施形態)
第12実施形態では、第1乃至第11実施形態に係る半導体評価装置と、半導体処理装置とが一体に構成されている。
第12実施形態では、第1乃至第11実施形態に係る半導体評価装置と、半導体処理装置とが一体に構成されている。
図16は、本発明の第12実施形態に係る半導体処理装置の主要部を概略的に示す図である。第12実施形態に係る半導体処理装置SE12は、図16に示すように、イオン照射部IRを有する。イオン照射部IRは、基板Sに対する注入角度が所定の値とされた軌道を有するイオンビームInを基板Sに向けて照射する。すなわち、イオン照射部IRは、イオンビームを発生し、イオンビームを所定の領域を処理できる大きさまで拡散し、拡散されたイオンビームの中に存在する個々のイオンの軌道を平行にし、平行にされたイオンビームの軌道を処理基板12に向かって変化させる。より具体的には、イオン照射部IRは、例えば、イオンビーム発生部IG、コリメータマグネットCM等を有する。
第12実施形態に係る半導体処理装置は、さらに、第1乃至第11実施形態に係る半導体評価装置によって実現される評価方法を行うための要素を有している。すなわち、基板Sの内部状態に関する情報を含む第1反射プローブ光Lbr1と、プローブ光Lbまたは基板Sに望まれる所望の内部状態に関する情報を含む第2反射プローブ光Lbr2とが光測定器Dに入射することが実現されればよい。
図16は、第1実施形態を実現するための半導体評価装置を用いた場合を例示している。図16に示すように、プローブ光Lb、第1ポンプ光Lm1、第2ポンプ光Lm2は、基板および参照サンプルRに斜め上方(図では左上)から入射し、反射されて、斜め上方(図では右上)に進行し、光測定器Dに入射する。
より具体的には、以下の構成となっている。第1ポンプレーザPm1と基板Sとの間には、ハーフミラーMh1、ハーフミラーMh2が設けられる。プローブ光源Pbは、ハーフミラーMh1に向かってプローブ光Lbを照射し、プローブ光Lbは、ハーフミラーMh2に反射され、第1ポンプ光Lm1と共に基板Sに向かって進行する。
プローブ光Lbと第1ポンプ光Lm1とは基板Sによって反射される。そして、第1反射プローブ光Lbr1と第1ポンプ光Lm1は、フィルタF1に向かって進行する。プローブ光LbのみがフィルタF1を透過し、次いで、ハーフミラーMh4を透過する。
プローブ光Lbおよび第1ポンプ光Lm1の一部はハーフミラーMh2によって反射される。ハーフミラーMh2によって反射されたプローブ光Lbおよび第1ポンプ光Lm1はフィルタF2に向かって進行し、プローブ光LbのみがフィルタF2を透過してハーフミラーMh5によって反射される。
第2ポンプレーザPm2は、ハーフミラーMh5に向かって第2ポンプ光Lm2を照射する。ハーフミラーMhを透過した第2ポンプ光Lm2と、ハーフミラーMh5によって反射されたプローブ光Lbが参照サンプルRに向かって進行する。
プローブ光Lbと第2ポンプ光Lm2とは参照サンプルRによって反射される。次に、第2反射プローブ光Lbr2と第2ポンプ光Lm2は、第2実施形態と同様に、順次向き合って配置されたミラーM2、M3、M4、M5により反射され、ミラーM1に向かう。ミラーM3およびミラーM4を移動することによって第2反射プローブ光Lbr2の光路を調整する。
ミラーM5により反射された第2反射プローブ光Lbr2と第2ポンプ光Lm2は、ミラーM1により反射された後、フィルタF3に向かって進行する。プローブ光LbのみがフィルタF3を透過し、次いで、ハーフミラーMh4に反射される。そして、第1反射プローブ光Lbr1および第2反射プローブ光Lbr2の合成光が光測定器Dに入射する。
なお、図16では、半導体評価装置とイオン注入装置とが一体に構成されている例を示している。しかしながら、これに限られず、例えばアニール装置、CMP装置、成膜装置とともに設けることも可能である。
さらに、第1実施形態に係る半導体評価装置と同様の構成を設けた例を示しているが、第2乃至第11実施形態に係る半導体評価装置と同様の構成を設けることも可能である。
本発明の第12実施形態に係る半導体処理装置によれば、第1実施形態と同じく、基板Sによって反射された第1反射プローブ光Lbr1と、第1反射プローブ光Lbr1に近い第2反射プローブ光Lbr2との合成光の干渉を用いて基板Sを評価する。このため、第1実施形態と同じ効果を得られる。
また、第12実施形態に係る半導体処理装置によれば、半導体処理装置と半導体処理装置とが一体に構成されている。このため、基板Sの処理後、基板Sを装置から取り出さずに続けて基板Sの評価を行える。このため、基板Sの処理および評価を効率的に行える。
(第13実施形態)
第13実施形態では、半導体処理装置内に設けられた基板Sを処理装置の外部から評価する。
第13実施形態では、半導体処理装置内に設けられた基板Sを処理装置の外部から評価する。
図17は、本発明の第13実施形態に係る半導体評価装置の主要部を概略的に示す図である。第13実施形態に係る半導体評価装置SE13は、図17に示すように、第12実施形態からイオン照射部IRおよび基板Sが除かれた構成を有する。
半導体処理装置SP13は、イオン照射部IRを有し、その内部に処理基板(基板)Sが配置される。半導体処理装置SP13は、例えば石英からなる窓W1、W2を有する。
半導体評価装置SE13は、窓W1、W2とそれぞれ対向し、例えば石英からなる窓W3、W4を有する。半導体評価装置SE13は、第1ポンプ光Lm1とプローブ光Lbの合成光を窓W3、W1を介して基板Sに照射する。基板Sにより反射された、第1ポンプ光Lm1とプローブ光の合成光は、窓W2を介して半導体処理装置SP13の外部へと出て、窓W4を介して半導体評価装置SE13に進入し、半導体評価装置内のフィルタF1に入射する。フィルタF1は、第1反射プローブ光Lbr1のみを透過し、第1反射プローブ光Lbr1は光測定器Dに入射する。
半導体評価装置SE13内では、第1実施形態および第12実施形態と同様に、第2ポンプ光Lm2とプローブ光の合成光が参照サンプルRによって反射され、この合成光のうち、第2反射プローブ光Lbr2が光測定器Dに入射する。この結果、第1実施形態と同じ原理により、第1反射プローブ光Lbr1と第2反射プローブ光Lbr2の合成光の干渉を利用して、基板Sの内部状態を評価できる。
本発明の第13実施形態に係る半導体処理装置によれば、第1実施形態と同じく、基板Sによって反射された第1反射プローブ光Lbr1と、第1反射プローブ光Lbr1に近い第2反射プローブ光Lbr2との合成光の干渉を用いて基板Sを評価する。このため、第1実施形態と同じ効果を得られる。
また、第13実施形態に係る半導体評価装置によれば、第1ポンプ光Lm1とプローブ光の合成光を半導体処理装置SP13内の基板Sに照射し、基板Sにより反射された第1ポンプ光Lm1とプローブ光の合成光を取り込んで、基板Sの評価を行う。このため基板Sを半導体処理装置SP13から取り出すこと無く、基板Sの評価を行える。よって、効率的に基板Sを評価できると共に、半導体評価装置SE13の構成が簡単になる。
(第14実施形態)
第14実施形態は、第13実施形態の応用例に係り、半導体評価装置と半導体処理装置との間の光の授受が光ファイバーにより行われる。
第14実施形態は、第13実施形態の応用例に係り、半導体評価装置と半導体処理装置との間の光の授受が光ファイバーにより行われる。
図18は、本発明の第14実施形態に係る半導体評価装置の主要部を概略的に示す図である。第14実施形態に係る半導体評価装置は、図18に示すように、第13実施形態に加えて、光ファイバOFを接続するためのコネクタC3、C4を有する。コネクタ(光出力用コネクタ)C4には、半導体評価装置SE14の内部から、第1ポンプ光Lm1とプローブ光Lbとの合成光が入射する。
コネクタ(光入力用コネクタ)C3には、半導体処理装置SP14内の基板Sにより反射された、第1ポンプ光Lm1とプローブ光Lbとの合成光が、半導体評価装置SE14の外部から進入する。半導体評価装置SE14のその他の構成は、第13実施形態と同じである。
第14実施形態に係る半導体評価装置SE14とともに用いられる半導体処理装置SP14は、光ファイバOFを接続するためのコネクタC1、C2を有する。コネクタ(光入力用コネクタ)C1には、半導体処理装置SP14の外部から進入し、基板Sに向かう光が入射する。コネクタ(光出力用コネクタ)C2には、半導体処理装置SP14内の基板Sによって反射された光が入射する。半導体処理装置SP14のその他の構成は、第13実施形態と同じである。
光出力用コネクタC4と光入力用コネクタC1とは、光ファイバOFにより相互に接続される。また、光出力用コネクタC2と光入力用コネクタC3とは、光ファイバOFにより相互に接続される。
半導体評価装置SE14から照射された第1ポンプ光Lm1とプローブ光Lbとの合成光は、光ファイバOFを介して半導体処理装置SP14内の基板Sに向かって進行し、次いで反射される。反射された第1ポンプ光Lm1とプローブ光Lbとの合成光は、光ファイバOFを介して半導体評価装置SE14内のフィルタF1に入射する。そして、フィルタF1を透過した第1反射プローブ光Lbr1が、光測定器Dに入射する。
半導体評価装置SE14内では、第1実施形態および第12実施形態と同様に、第2反射プローブ光Lbr2が光測定器Dに入射する。この結果、第1実施形態と同じ原理により、第1反射プローブ光Lbr1と第2反射プローブ光Lbr2の合成光の干渉を利用して、基板Sの内部状態を評価できる。
本発明の第14実施形態に係る半導体評価装置によれば、第1実施形態と同じく、基板Sによって反射された第1反射プローブ光Lbr1と、第1反射プローブ光Lbr1に近い第2反射プローブ光Lbr2との合成光の干渉を用いて基板Sを評価する。このため、第1実施形態と同じ効果を得られる。
また、第14実施形態に係る半導体評価装置によれば、第13実施形態と同様に、第1ポンプ光Lm1とプローブ光Lbの合成光を半導体処理装置SP14内の基板Sに照射し、基板Sにより反射された第1ポンプ光Lm1とプローブ光Lbの合成光を取り込んで、基板の評価を行う。このため第13実施形態と同じ効果を得られる。
また、第14実施形態によれば、半導体処理装置SP14と半導体評価装置SE14とが、光ファイバOFを介して光を授受できるように構成されている。このため、半導体処理装置SP14と半導体評価装置SE14を、これらの相対的な位置を気にすること無く設置し、光ファイバOFで相互に接続することにより、基板Sの内部状態の評価を行うことができる。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
S…基板、R…参照サンプル、Pm1…第1ポンプレーザ、Pm2…第2ポンプレーザ、Pb…プロープレーザ、Lm1…第1ポンプ光、Lm2…第2ポンプ光、Lb…プロープ光、Lbr1…第1反射プローブ光Lbr1、Lbr2…第2反射プローブ光Lbr2、Mh1乃至Mh11…ハーフミラー、M1乃至M5…ミラー、F1乃至F4…フィルタ、D…光測定器。
Claims (5)
- 半導体基板に向かって進行する第1プローブ光を照射するプローブレーザと、
前記第1プローブ光の一部の第2プローブ光を前記第1プローブ光から取り出す第1ハーフミラーと、
前記第1プローブ光が前記半導体基板により反射されることにより得られる第1反射プローブ光と、前記第2プローブ光が参照用の内部状態を有する第1参照サンプルにより反射されることにより得られる第2反射プローブ光と、を同じ光軸上で取り込む光測定器と、
を具備することを特徴とする半導体評価装置。 - 前記第2プローブ光を前記第1参照サンプルに向けて反射する第1反射部材と、
前記第2反射プローブ光を反射する第2反射部材と、
前記第2反射部材により反射された前記第2反射プローブ光を反射する第3反射部材と、
前記第1反射プローブ光を透過し、前記第3反射部材により反射された前記第2反射プローブ光を前記第1反射プローブ光の光軸上へと反射する第2ハーフミラーと、
をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体評価装置。 - 前記第1プローブ光と同じ光軸上で前記半導体基板に向かって進行する第1ポンプ光を照射する第1ポンプレーザと、
前記第1反射部材によって反射された前記第2プローブ光と同じ光軸上で前記第1参照サンプルに向かって進行する第2ポンプ光を照射する第2ポンプレーザと、
をさらに具備し、
前記第1ハーフミラーは前記第1ポンプ光を透過し、
前記第1反射部材は前記第2ポンプ光を透過するハーフミラーであって、
前記第2反射部材は前記第2ポンプ光および前記第1反射部材によって反射された前記第2プローブ光を透過するハーフミラーである、
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体評価装置。 - 半導体基板に向かって進行する第1プローブ光を照射するプローブレーザと、
前記第1プローブ光の一部の第2プローブ光を前記第1プローブ光から取り出す第1ハーフミラーと、
前記第1プローブ光が前記半導体基板により反射されることにより得られる第1反射プローブ光と、前記第2プローブ光が参照用の内部状態を有する第1参照サンプルにより反射されることにより得られる第2反射プローブ光と、を同じ光軸上で取り込む光測定器と、
前記半導体基板にイオンビームを照射するイオン照射部と、
を具備することを特徴とする半導体処理装置。 - 半導体処理装置内に配置された半導体基板を評価する半導体評価装置であって、
前記半導体基板に向かって進行する第1プローブ光を照射するプローブレーザと、
前記第1プローブ光の一部の第2プローブ光を前記第1プローブ光から取り出す第1ハーフミラーと、
前記第1プローブ光を透過することにより前記第1プローブ光を前記半導体評価装置の外部へと送出する光出力部と、
前記第1プローブ光が前記半導体基板に反射されることにより得られる第1反射プローブ光を透過することにより前記第1反射プローブ光を前記半導体評価装置内に取り込む光入力部と、
前記第1反射プローブ光と、前記第2プローブ光が参照用の内部状態を有する第1参照サンプルにより反射されることにより得られる第2反射プローブ光と、を同じ光軸上で取り込む光測定器と、
を具備することを特徴とする半導体評価装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005228261A JP2007043019A (ja) | 2005-08-05 | 2005-08-05 | 半導体評価装置および半導体処理装置 |
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JP (1) | JP2007043019A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009058274A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Kobe Steel Ltd | シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置及び方法 |
JP2012204490A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Kobe Steel Ltd | イオン注入量測定装置およびイオン注入量測定方法 |
JP2013533959A (ja) * | 2010-06-04 | 2013-08-29 | アイメック | ドープした半導体領域の活性ドーピング濃度の決定方法 |
JP2017076712A (ja) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | 株式会社Sumco | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法 |
-
2005
- 2005-08-05 JP JP2005228261A patent/JP2007043019A/ja active Pending
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