JP2007042726A - Organic electroluminescent element, display device, and illumination device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び該有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置、照明装置に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence element, a display device using the organic electroluminescence element, and an illumination apparatus.
従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）が挙げられる。 Conventionally, there is an electroluminescence display (ELD) as a light-emitting electronic display device. Examples of the constituent elements of ELD include inorganic electroluminescent elements and organic electroluminescent elements (hereinafter also referred to as organic EL elements).
有機ＥＬ素子は発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。 An organic EL device has a structure in which a light emitting layer containing a compound that emits light is sandwiched between a cathode and an anode, injects electrons and holes into the light emitting layer, and recombines them to generate excitons (exciton). It is an element that emits light by using light emission (fluorescence / phosphorescence) when this exciton is deactivated, and can emit light at a voltage of several volts to several tens of volts, and is further self-luminous. It is attracting attention from the viewpoints of space saving, portability, etc. because of its wide viewing angle, high visibility, and thin film type solid state element.
近年プリンストン大より、励起三重項からの燐光発光を用いる有機ＥＬ素子の報告（例えば、非特許文献１参照。）がされ、室温で燐光を示す材料の研究が活発になってきている（例えば、非特許文献２及び特許文献１参照。）。励起三重項を使用すると内部量子効率の上限が１００％となるため、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が４倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られ照明用にも応用可能であり注目されている。例えば、多くの化合物がイリジウム錯体系等重金属錯体を中心に合成検討がなされている（例えば、非特許文献３参照。）。 In recent years, Princeton University has reported an organic EL device using phosphorescence emission from an excited triplet (see, for example, Non-Patent Document 1), and research on materials that exhibit phosphorescence at room temperature has become active (for example, (See Non-Patent Document 2 and Patent Document 1.) When the excited triplet is used, the upper limit of the internal quantum efficiency is 100%. In principle, the luminous efficiency is four times that of the excited singlet, and the performance is almost the same as that of a cold cathode tube. Is applicable and attracts attention. For example, many compounds have been studied for synthesis centering on heavy metal complexes such as iridium complexes (see, for example, Non-Patent Document 3).
現在、この燐光発光を用いた有機ＥＬ素子の更なる発光の高効率化、長寿命化が検討されている。高い発光効率を得るために発光層の最適化（例えば、特許文献２参照。）、更には、ホールブロック層の導入（例えば、特許文献３参照。）が検討されている。緑色発光については、理論限界である２０％近くの外部取り出し効率が達成されているものの、その他の色の発光についてはまだ十分な効率が得られておらず改良が必要であった。特に青色発光で高効率に発光する素子が求められている。 Currently, further improvement in light emission efficiency and long life of organic EL elements using phosphorescence is being studied. In order to obtain high luminous efficiency, optimization of the light emitting layer (for example, refer to Patent Document 2) and introduction of a hole blocking layer (for example, refer to Patent Document 3) have been studied. For green light emission, the external extraction efficiency of 20%, which is the theoretical limit, has been achieved, but for other colors of light emission, sufficient efficiency has not yet been obtained and improvement has been required. In particular, there is a demand for an element that emits blue light with high efficiency.
一方、有機発光素子において高輝度発光を実現しているものは、有機物質を真空蒸着によって積層している素子であるが、製造工程の簡略化、加工性、大面積化等の観点から塗布方式による素子作製も開示されている（例えば、特許文献４参照。）。しかしながら、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子は、低電圧駆動したときの電圧上昇、ダークスポットの発生、更に高温、高湿下での経時安定性についての改良が望まれている。また、発光輝度の更なる改良も望まれている。
本発明の目的は、良好な発光輝度を示し、定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポットが少なく、更に高温、高湿下での経時安定性が高い有機ＥＬ素子、及びそれを用いた表示装置、照明装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide an organic EL element that exhibits good light emission luminance, has a small voltage increase when driven at a constant current, has little dark spots, and has high temporal stability under high temperature and high humidity, and a display using the same It is providing a device and a lighting device.
本発明の上記課題は、下記構成により達成された。 The above object of the present invention has been achieved by the following constitution.
（請求項１）
基板上に電極と少なくとも１層以上の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機層の少なくとも１層はドーパントを含有する発光層であり、前記発光層に隣接する電子輸送層を有し、該電子輸送層にＨＯＭＯが−５．０〜−６．９ｅＶ、ＬＵＭＯが−１．０〜−２．０ｅＶである有機化合物を含有し、前記有機層は有機溶媒を１０-2〜１０3ｐｐｍ含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(Claim 1)
In an organic electroluminescence device having an electrode and at least one organic layer on a substrate, at least one of the organic layers is a light-emitting layer containing a dopant, and has an electron transport layer adjacent to the light-emitting layer, The electron transport layer contains an organic compound having a HOMO of −5.0 to −6.9 eV and a LUMO of −1.0 to −2.0 eV, and the organic layer contains an organic solvent of 10 −2 to 10 3 ppm. An organic electroluminescence device containing the organic electroluminescence device.
（請求項２）
前記ドーパントが燐光性化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(Claim 2)
The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the dopant is a phosphorescent compound.
（請求項３）
前記有機化合物のＨＯＭＯが−５．４〜−６．８ｅＶ、ＬＵＭＯが−１．２〜−１．９ｅＶであることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(Claim 3)
The organic electroluminescent device according to claim 1 or 2, wherein the organic compound has a HOMO of -5.4 to -6.8 eV and a LUMO of -1.2 to -1.9 eV.
（請求項４）
前記有機層は有機溶媒を０．１〜１００ｐｐｍ含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(Claim 4)
The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the organic layer contains an organic solvent in an amount of 0.1 to 100 ppm.
（請求項５）
前記有機化合物の重量平均分子量が５０００以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(Claim 5)
The organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 4, wherein the organic compound has a weight average molecular weight of 5000 or more.
（請求項６）
前記基板がガスバリア層を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(Claim 6)
The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the substrate has a gas barrier layer.
（請求項７）
発光が赤色であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(Claim 7)
The organic electroluminescence element according to claim 1, wherein the light emission is red.
（請求項８）
発光が緑色であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(Claim 8)
The organic electroluminescence element according to claim 1, wherein the light emission is green.
（請求項９）
発光が青色であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(Claim 9)
The organic electroluminescence element according to claim 1, wherein the light emission is blue.
（請求項１０）
発光が白色であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(Claim 10)
The organic electroluminescence element according to claim 1, wherein the light emission is white.
（請求項１１）
請求項７〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。
(Claim 11)
A display device comprising the organic electroluminescence element according to
（請求項１２）
請求項７〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。
(Claim 12)
It has an organic electroluminescent element of any one of Claims 7-10, The illuminating device characterized by the above-mentioned.
（請求項１３）
請求項１２に記載の照明装置と表示手段としての液晶素子を有することを特徴とする表示装置。
(Claim 13)
13. A display device comprising the illumination device according to
本発明によって、良好な発光輝度を示し、定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポットが少なく、更に高温、高湿下での経時安定性が高い有機ＥＬ素子、及びそれを用いた表示装置、照明装置を提供することができた。 According to the present invention, an organic EL element which exhibits good light emission luminance, has a low voltage increase when driven at a constant current, has few dark spots, and has high temporal stability under high temperature and high humidity, and a display device using the same, A lighting device could be provided.
本発明者は、基板上に電極と少なくとも１層以上の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、有機層の少なくとも１層はドーパントを含有する発光層であり、前記発光層に隣接する電子輸送層を有し、該電子輸送層にＨＯＭＯが−５．０〜−６．９ｅＶ、ＬＵＭＯが−１．０〜−２．０ｅＶである有機化合物を含有し、更に有機層に有機溶媒を１０-2〜１０3ｐｐｍ含有させることにより、良好な発光輝度を示し、且つ定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポットが少なく、且つ高温、高湿下での経時安定性が高い有機エレクトロルミネッセンス素子とすることができることを見出した。 The inventor of the present invention provides an organic electroluminescence device having an electrode and at least one organic layer on a substrate, wherein at least one of the organic layers is a light-emitting layer containing a dopant, and is adjacent to the light-emitting layer. The electron transport layer contains an organic compound having a HOMO of −5.0 to −6.9 eV and a LUMO of −1.0 to −2.0 eV, and further contains an organic solvent in the organic layer of 10 −2. By containing -10 3 ppm, an organic electroluminescence device that exhibits good light emission luminance, has a high voltage when driven at a constant current, has few dark spots, and has high temporal stability under high temperature and high humidity. I found that I can do it.
以下、本発明の各構成要件について詳細に説明する。 Hereinafter, each component of the present invention will be described in detail.
本発明において、ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの値は米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ９８（Ｇａｕｓｓｉａｎ９８、Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ａ．１１．４，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ ＰＡ，２００２．）を用いて計算した時の値であり、キーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を用いて構造最適化を行うことにより算出した値（ｅＶ単位換算値）と定義する。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。 In the present invention, the values of HOMO and LUMO are Gaussian 98 (Gaussian 98, Revision A.11.4, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., Pittsburgh PA, software for molecular orbital calculation manufactured by Gaussian, USA. 2002.) and is defined as a value (eV unit converted value) calculated by performing structural optimization using B3LYP / 6-31G * as a keyword. This calculation value is effective because the correlation between the calculation value obtained by this method and the experimental value is high.
次に、本発明で用いられる有機溶媒含有量の測定方法について説明する。 Next, a method for measuring the organic solvent content used in the present invention will be described.
本発明に係る有機層中に含有されている有機溶媒は、パージ＆トラップサンプラーを取り付けたガスクロマトグラフィー（ＧＣ）質量分析法（ＭＳ）で測定することができる（ＰＴ−ＧＣ／ＭＳ）。具体的には１０ｃｍ×１０ｃｍ四方の有機ＥＬ素子を作製し、ガス回収用のチャンバーと有機ガス吸着管（ＴＥＮＡＸ ＧＲ）に残留溶媒を吸着させＰＴ−ＧＣ／ＭＳ測定を行った。溶媒濃度は濃度既知の基準試料を用いて作成した検量線より求めた。 The organic solvent contained in the organic layer according to the present invention can be measured by gas chromatography (GC) mass spectrometry (MS) equipped with a purge and trap sampler (PT-GC / MS). Specifically, a 10 cm × 10 cm square organic EL device was prepared, and the residual solvent was adsorbed in a gas recovery chamber and an organic gas adsorption tube (TENAX GR), and PT-GC / MS measurement was performed. The solvent concentration was determined from a calibration curve prepared using a reference sample with a known concentration.
本発明に係る有機層は有機溶媒を１０-2〜１０3ｐｐｍ含有する。好ましくは有機溶媒を０．１〜１００ｐｐｍ含有し、これにより定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポット、及び高温、高湿下での経時安定性のより一層の改良効果を有する。 The organic layer according to the present invention contains 10 −2 to 10 3 ppm of an organic solvent. Preferably, the organic solvent is contained in an amount of 0.1 to 100 ppm, and this has the effect of further improving the voltage rise when driven at a constant current, dark spots, and stability over time at high temperature and high humidity.
本発明に係る有機溶媒として特に制限はないが、例えば、アルコール類（メタノール、エタノール等）、カルボン酸エステル類（酢酸エチル、酢酸プロピル等）、ニトリル類（アセトニトリル等）、エーテル類（イソプロピルエーテル、ＴＨＦ等）、芳香族炭化水素類（シクロヘキシルベンゼン、トルエン、キシレン等）、ハロゲン化アルキル類（塩化メチレン等）、飽和炭化水素類等（ヘプタン等）が挙げられる。この中で好ましいものはカルボン酸エステル類、ニトリル類、エーテル類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化アルキル類、飽和炭化水素類であり、更に好ましくはカルボン酸エステル類、エーテル類、芳香族炭化水素類である。 Although there is no restriction | limiting in particular as an organic solvent which concerns on this invention, For example, alcohol (methanol, ethanol, etc.), carboxylic acid esters (ethyl acetate, propyl acetate, etc.), nitriles (acetonitrile, etc.), ethers (isopropyl ether, THF), aromatic hydrocarbons (cyclohexylbenzene, toluene, xylene, etc.), halogenated alkyls (methylene chloride, etc.), saturated hydrocarbons (heptane, etc.). Of these, preferred are carboxylic acid esters, nitriles, ethers, aromatic hydrocarbons, alkyl halides, saturated hydrocarbons, and more preferred are carboxylic acid esters, ethers, aromatic hydrocarbons. It is kind.
本発明に用いられる有機溶媒の沸点は２００℃以下が好ましく、更に好ましくは１５０℃以下である。 The boiling point of the organic solvent used in the present invention is preferably 200 ° C. or lower, more preferably 150 ° C. or lower.
本発明に係る有機層は蒸着法、塗布法で形成されるが、塗布法に際しては、スピンコート、ディップコート、ロールコート、バーコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット法であり、好ましくはインクジェット法である。 The organic layer according to the present invention is formed by a vapor deposition method or a coating method. In the coating method, spin coating, dip coating, roll coating, bar coating, flexographic printing, screen printing, offset printing, and inkjet method are preferable. Is an inkjet method.
次に、本発明で用いられる有機化合物について説明する。 Next, the organic compound used in the present invention will be described.
本発明において、発光層に隣接する電子輸送層に含有される有機化合物について説明する。 In the present invention, the organic compound contained in the electron transport layer adjacent to the light emitting layer will be described.
本発明で用いられる有機化合物として、ＨＯＭＯが−５．０〜−６．９ｅＶ、ＬＵＭＯが−１．０〜−２．０ｅＶである。好ましくはＨＯＭＯが−５．４〜−６．８ｅＶ、ＬＵＭＯが−１．２〜−１．９ｅＶであり、更に好ましくはＨＯＭＯが−５．５〜−６．７ｅＶ、ＬＵＭＯが−１．３〜−１．８ｅＶであり、これにより発光輝度のより一層の改良効果を有する。 As an organic compound used in the present invention, HOMO is −5.0 to −6.9 eV, and LUMO is −1.0 to −2.0 eV. Preferably, HOMO is -5.4 to -6.8 eV, LUMO is -1.2 to -1.9 eV, and more preferably, HOMO is -5.5 to -6.7 eV, and LUMO is -1.3 to -1.8 eV, which has a further effect of improving the light emission luminance.
本発明で用いられる有機化合物としては、例えば、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェナントロリン誘導体、オキサゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、有機金属化合物、アリールメタン誘導体、ホウ素化合物等が挙げられる。 Examples of the organic compound used in the present invention include carbazole derivatives, azacarbazole derivatives, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenanthroline derivatives, oxazole derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, and organic metals. Examples thereof include compounds, arylmethane derivatives, and boron compounds.
これらのうちで好ましいものはアザカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、有機金属化合物、ホウ素化合物であり、更に好ましいものとしては以下の構造で示した化合物である。 Among these, preferred are azacarbazole derivatives, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, organometallic compounds, and boron compounds, and more preferred are compounds represented by the following structures.
式中、Ｒ1、Ｒ2は水素原子、置換基を表す。Ｒ3、Ｒ4は置換基を表す。ｎ１及びｎ２は０〜３の整数を表す。Ａ1及びＡ2はアリールアミノ基もしくは以下の一般式（２）で表される構造を表す。 In formula, R < 1 >, R < 2 > represents a hydrogen atom and a substituent. R 3 and R 4 represent a substituent. n1 and n2 represent the integer of 0-3. A 1 and A 2 represent an arylamino group or a structure represented by the following general formula (2).
式中、Ｚ1は置換基を有してもよい芳香族複素環を表し、Ｚ2は置換基を有してもよい芳香族複素環もしくは芳香族炭化水素環を表し、Ｚ3は２価の連結基もしくは単なる結合手を表す。Ｌ1は２価の連結基もしくは単なる結合手を表す。 In the formula, Z 1 represents an aromatic heterocyclic ring which may have a substituent, Z 2 represents an aromatic heterocyclic ring or an aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent, and Z 3 represents a divalent group. Represents a linking group or a simple bond. L 1 represents a divalent linking group or a simple bond.
式中、Ｒ11は置換基を表す。ｎ１１は０〜４の整数を表す。Ａ11及びＡ12はアリールアミノ基もしくは前記一般式（２）で表される構造を表す。 In the formula, R 11 represents a substituent. n11 represents an integer of 0 to 4. A 11 and A 12 represent an arylamino group or a structure represented by the general formula (2).
式中、Ｒ21及びＲ22は置換基を表す。ｎ２１及びｎ２２は０〜３の整数を表す。Ａ1及びＡ2はアリールアミノ基もしくは前記一般式（２）で表される構造を表す。Ｌは２価の連結基を表す。 In the formula, R 21 and R 22 represent a substituent. n21 and n22 represent an integer of 0 to 3. A 1 and A 2 represent an arylamino group or a structure represented by the general formula (2). L represents a divalent linking group.
式中、Ｒ31及びＲ32は置換基を表す。ｎ３１及びｎ３２は０〜３の整数を表す。Ｙは酸素原子、イオウ原子、イミノ基、スルホキシド基もしくはスルホニル基を表す。Ａ31及びＡ32はアリールアミノ基もしくは前記一般式（２）で表される構造を表す。 In the formula, R 31 and R 32 represent a substituent. n31 and n32 represent an integer of 0 to 3. Y represents an oxygen atom, a sulfur atom, an imino group, a sulfoxide group or a sulfonyl group. A 31 and A 32 represent an arylamino group or a structure represented by the general formula (2).
前記一般式（１）におけるＲ1〜Ｒ4、前記一般式（３）におけるＲ11、前記一般式（４）におけるＲ21、Ｒ22及び前記一般式（５）におけるＲ31、Ｒ32が表す置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えば、メチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えば、ビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えば、プロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜２０であり、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、フェニルナフチルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、アセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えば、フェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、アセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えば、メトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えば、スルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、ウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、ジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシル基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（ヘテロ原子として、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子等を含む、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０の、例えば、イミダゾリル、ピリジル、フリル、ピペリジル、モルホリノなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、可能な場合には連結して環を形成してもよい。
R 1 to R 4 in the general formula (1), R 11 in the general formula (3), R 21 and R 22 in the general formula (4), and R 31 and R 32 in the general formula (5) are represented. Examples of the substituent include an alkyl group (preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 8 carbon atoms. For example, methyl, ethyl, iso-propyl, tert- Butyl, n-octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, etc.), an alkenyl group (preferably having 2 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 12 carbon atoms, particularly preferably C2-8, for example, vinyl, allyl, 2-butenyl, 3-pentenyl, etc.), alkynyl groups (preferably having 2-20 carbons, and more). Preferably, it has 2 to 12 carbon atoms, particularly preferably 2 to 8 carbon atoms, such as propargyl, 3-pentynyl, etc.), an aryl group (preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably carbon atoms). 6 to 20, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, for example, phenyl, p-methylphenyl, naphthyl, etc.), amino group (preferably 0 to 20 carbon atoms, for example amino, methyl Amino, dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino, diphenylamino, phenylnaphthylamino, etc.), an alkoxy group (preferably having 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, particularly preferably 1 carbon atom). -8, for example, methoxy, ethoxy, butoxy, etc.), aryloxy group (preferably
これらのうち好ましいものはアルキル基及びアリール基である。 Of these, preferred are an alkyl group and an aryl group.
２価の連結基としては、アルキレン、アルケニレン、アルキニレン、アリーレンなどの炭化水素基のほか、ヘテロ原子を含むものであってもよく、またチオフェン−２，５−ジイル基や、ピラジン−２，３−ジイル基のような、芳香族複素環を有する化合物（ヘテロ芳香族化合物ともいう）に由来する２価の連結基であってもよいし、酸素や硫黄などのカルコゲン原子であってもよい。また、イミノ基、ジアルキルシランジイル基やジアリールゲルマンジイル基のような、ヘテロ原子を会して連結する基でもよい。 The divalent linking group may be a hydrocarbon group such as alkylene, alkenylene, alkynylene, and arylene, and may contain a heteroatom, and may be a thiophene-2,5-diyl group or pyrazine-2,3. -It may be a divalent linking group derived from a compound having an aromatic heterocyclic ring (also called a heteroaromatic compound) such as a diyl group, or may be a chalcogen atom such as oxygen or sulfur. Further, it may be a group such as an imino group, a dialkylsilanediyl group, or a diarylgermandiyl group that joins and connects heteroatoms.
本発明で用いられる有機化合物としては、低分子化合物、高分子化合物いずれも使用することが可能であるが、特に高分子化合物が好ましい。 As the organic compound used in the present invention, both a low molecular compound and a high molecular compound can be used, and a high molecular compound is particularly preferable.
高分子化合物とは重合性基を少なくとも一つ有する化合物（重合性化合物）が重合したものであり、重合性基としては、例えば、ビニル基、エポキシ基、オキセタン基、イソシアネート基、チオイソシアネート基等が挙げられる。これらのうちで好ましいものはビニル基である。本発明に係る一般式（１）、（３）、（４）及び（５）で表される有機化合物は、これらの重合性基を分子内のいずれかの位置に有してもよい。 The polymer compound is obtained by polymerizing a compound having at least one polymerizable group (polymerizable compound). Examples of the polymerizable group include a vinyl group, an epoxy group, an oxetane group, an isocyanate group, and a thioisocyanate group. Is mentioned. Among these, a vinyl group is preferable. The organic compounds represented by the general formulas (1), (3), (4) and (5) according to the present invention may have these polymerizable groups at any position in the molecule.
重合性化合物の重合反応について説明する。重合が形成される時期として、予め重合した高分子を用いてもよいし、また素子作製前の溶液中でも素子作製時でも重合してよい。また素子作製後に結合を形成してもよい。重合反応を起こす場合、外部からのエネルギー（熱・光・超音波など）供給を行ってもよいし、重合開始剤、酸触媒もしくは塩基触媒を添加し反応を起こしてもよい。あるいは本発明に係る化合物を発光素子に含有したときに重合反応を起こす場合、発光素子の駆動時に供給される電流や発生する光や熱によって反応が起こってもよい。また、２つ以上の重合性化合物を重合させ、共重合体を形成してもよい。 The polymerization reaction of the polymerizable compound will be described. As the time when the polymerization is formed, a polymer that has been polymerized in advance may be used, or polymerization may be performed in the solution before the device is manufactured or during the device preparation. Further, a bond may be formed after the element is manufactured. When a polymerization reaction is caused, external energy (heat, light, ultrasonic waves, etc.) may be supplied, or a polymerization initiator, an acid catalyst or a base catalyst may be added to cause the reaction. Alternatively, when the polymerization reaction is caused when the compound according to the present invention is contained in the light emitting element, the reaction may be caused by a current supplied at the time of driving the light emitting element or generated light or heat. Two or more polymerizable compounds may be polymerized to form a copolymer.
重合した高分子は５０００〜１００００００の重量平均分子量が好ましく、更に好ましくは５０００〜１０００００である。これにより発光輝度及びダークスポットのより一層の改良効果を有する。 The polymerized polymer preferably has a weight average molecular weight of 5,000 to 1,000,000, more preferably 5,000 to 100,000. Thereby, it has the further improvement effect of light-emitting luminance and a dark spot.
ラジカル重合開始剤としては、例えば、２，２′−アゾビスブチロニトリル、２，２′−アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、１，１′−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、２，２′−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、２，２′−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２′−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）、４，４′−アゾビス（４−シアノ吉草酸）、２，２′−アゾビスイソ酪酸ジメチル、２，２′−アゾビス（２−メチルプロピオンアミドキシム）、２，２′−アゾビス（２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン）、２，２′−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）などのアゾ系開始剤、過酸化ベンゾイル、過酸化ジ−ｔ−ブチル、ｔ−ブチルヒドロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシドなどの過酸化物系開始剤、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、４−フェノキシジクロロアセトフェノン、４−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、４−ｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン、１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オンなどの芳香族カルボニル系開始剤などが挙げられる。また、テトラエチルチイラムジスルフィドなどのジスルフィド系開始剤、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルなどのニトロキシル開始剤、４，４′−ジ−ｔ−ブチル−２，２′−ビピリジン銅錯体−トリクロロ酢酸メチル複合体などのリビングラジカル重合開始剤を用いることもできる。 Examples of the radical polymerization initiator include 2,2′-azobisbutyronitrile, 2,2′-azobiscyclohexanecarbonitrile, 1,1′-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile), 2,2 ′. -Azobis (2-methylbutyronitrile), 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 4,4 '-Azobis (4-cyanovaleric acid), dimethyl 2,2'-azobisisobutyrate, 2,2'-azobis (2-methylpropionamidoxime), 2,2'-azobis (2- (2-imidazoline-2- Yl) propane), azo initiators such as 2,2'-azobis (2,4,4-trimethylpentane), benzoyl peroxide, di-t-butyl peroxide, t-butyl Peroxide initiators such as droperoxide and cumene hydroperoxide, diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, benzyldimethyl ketal, benzyl-β-methoxyethyl acetal, 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 1-hydroxycyclohexyl phenylketone, 4- Aromatic carbonyl initiators such as phenoxydichloroacetophenone, 4-t-butyldichloroacetophenone, 4-t-butyltrichloroacetophenone, 1- (4-dodecylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one Is mentioned. Further, disulfide initiators such as tetraethylthiilam disulfide, nitroxyl initiators such as 2,2,6,6-tetramethylpiperidine-1-oxyl, 4,4′-di-t-butyl-2,2′- Living radical polymerization initiators such as a bipyridine copper complex-methyl trichloroacetate complex can also be used.
酸触媒としては、活性白土、酸性白土などの白土類、硫酸、塩酸などの鉱酸類、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸などの有機酸、塩化アルミニウム、塩化第二鉄、塩化第二スズ、三塩化チタン、四塩化チタン、三フッ化硼素、フッ化水素、三臭化硼素、臭化アルミニウム、塩化ガリウム、臭化ガリウムなどのルイス酸、更に固体酸、例えば、ゼオライト、シリカ、アルミナ、シリカ・アルミナ、カチオン交換樹脂、ヘテロポリ酸（例えば、リンタングステン酸、リンモリブデン酸、ケイタングステン酸、ケイモリブデン酸）など各種のものが使用できる。 Acid catalysts include activated clays, clays such as acidic clays, mineral acids such as sulfuric acid and hydrochloric acid, organic acids such as p-toluenesulfonic acid and trifluoroacetic acid, aluminum chloride, ferric chloride, stannic chloride, Lewis acids such as titanium trichloride, titanium tetrachloride, boron trifluoride, hydrogen fluoride, boron tribromide, aluminum bromide, gallium chloride, gallium bromide, and solid acids such as zeolite, silica, alumina, silica Various types such as alumina, cation exchange resin, heteropolyacid (for example, phosphotungstic acid, phosphomolybdic acid, silicotungstic acid, silicomolybdic acid) can be used.
本発明で用いられる塩基性触媒としては、Ｌｉ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、Ｋ2ＣＯ3などのアルカリ金属炭酸塩、ＢａＣＯ3、ＣａＣＯ3などのアルカリ土類金属炭酸塩、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏなどのアルカリ金属酸化物、ＢａＯ、ＣａＯなどのアルカリ土類金属酸化物、Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、あるいはナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム等のアルコキシド等を挙げることができる。 Examples of the basic catalyst used in the present invention include alkali metal carbonates such as Li 2 CO 3 , Na 2 CO 3 and K 2 CO 3 , alkaline earth metal carbonates such as BaCO 3 and CaCO 3 , Li 2 O, Alkali metal oxides such as Na 2 O and K 2 O, alkaline earth metal oxides such as BaO and CaO, alkali metals such as Na and K, alkali metal hydroxides such as sodium hydroxide and potassium hydroxide, or Examples thereof include alkoxides such as sodium, potassium, rubidium and cesium.
以下に本発明に係る有機化合物の具体的な例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Specific examples of the organic compound according to the present invention are given below, but the present invention is not limited thereto.
本発明は上述した有機化合物の中で併用して用いてもよいし、従来公知の電子輸送材料と併用して用いてもよい。 The present invention may be used in combination with the organic compounds described above, or may be used in combination with a conventionally known electron transport material.
次に本発明に用いられるドーパントについて説明する。 Next, the dopant used in the present invention will be described.
本発明で用いられるドーパントは蛍光化合物もしくは燐光性化合物であり、特に燐光化合物が好ましい。 The dopant used in the present invention is a fluorescent compound or a phosphorescent compound, and a phosphorescent compound is particularly preferable.
本発明における燐光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、燐光量子収率が２５℃において０．００１以上の化合物である。燐光量子収率は好ましくは０．０１以上、更に好ましくは０．１以上である。上記燐光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられる燐光性化合物は、任意の溶媒の何れかにおいて上記燐光量子収率が達成されればよい。
The phosphorescent compound in the present invention is a compound in which light emission from an excited triplet is observed, and is a compound having a phosphorescence quantum yield of 0.001 or more at 25 ° C. The phosphorescent quantum yield is preferably 0.01 or more, more preferably 0.1 or more. The phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of the Fourth Edition
本発明で用いられる燐光性化合物としては、好ましくは元素の周期律表でVIII属の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。 The phosphorescent compound used in the present invention is preferably a complex compound containing a group VIII metal in the periodic table of elements, more preferably an iridium compound, an osmium compound, or a platinum compound (platinum complex compound). Of these, iridium compounds are most preferred.
以下に本発明で用いられる燐光性化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０巻、１７０４〜１７１１に記載の方法等により合成できる。なお、含有する蛍光性化合物及び燐光性化合物は、重合性基または反応性基を有していてもいなくてもよい。 Specific examples of the phosphorescent compound used in the present invention are shown below, but are not limited thereto. These compounds are described, for example, in Inorg. Chem. 40, 1704-1711, and the like. In addition, the fluorescent compound and phosphorescent compound to be contained may or may not have a polymerizable group or a reactive group.
本発明で用いられる燐光性化合物は、他の燐光性化合物もしくは蛍光性化合物と併用してもよい。 The phosphorescent compound used in the present invention may be used in combination with other phosphorescent compounds or fluorescent compounds.
本発明で用いられる蛍光性化合物とは、蛍光化合物を含有することにより含有しない場合と異なる極大発光波長の蛍光発光が得られる化合物であり、好ましいものは溶液状態で蛍光量子収率が高いものである。ここで蛍光量子収率は１０％以上、特に３０％以上が好ましい。具体的な蛍光性化合物は、例えば、クマリン系色素、アントラセン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。ここでの蛍光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３６２頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定することができる。
The fluorescent compound used in the present invention is a compound capable of obtaining fluorescence emission with a maximum emission wavelength different from the case where the fluorescent compound is not contained, and preferable one is that having a high fluorescence quantum yield in a solution state. is there. Here, the fluorescence quantum yield is preferably 10% or more, particularly preferably 30% or more. Specific fluorescent compounds include, for example, coumarin dyes, anthracene dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, and pyrylium dyes. Examples thereof include dyes, perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex phosphors. The fluorescence quantum yield here can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 362 (1992 edition, Maruzen) of 4th edition
以下に本発明に係る蛍光化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。 Specific examples of the fluorescent compound according to the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto.
《有機エレクトロルミネッセンス素子の層構成》
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の層構成について説明する。
<< Layer structure of organic electroluminescence element >>
The layer structure of the organic electroluminescence element (organic EL element) of the present invention will be described.
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板上に電極（陰極と陽極）と少なくとも１層以上の有機層を有し、有機層の少なくとも１層は燐光性化合物を含有する発光層である。 The organic electroluminescence device of the present invention has an electrode (cathode and anode) and at least one organic layer on a substrate, and at least one of the organic layers is a light emitting layer containing a phosphorescent compound.
本発明に係る発光層は、広義の意味では陰極と陽極からなる電極に電流を流した際に発光する層のことであり、具体的には陰極と陽極からなる電極に電流を流した際に発光する化合物を含有する層のことをさす。 In a broad sense, the light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light when a current is passed through an electrode composed of a cathode and an anode. Specifically, when a current is passed through an electrode composed of a cathode and an anode, A layer containing a compound that emits light.
本発明の有機ＥＬ素子は有機層の少なくとも１層は発光層であり、この発光層に隣接する電子輸送層を有する。必要に応じ発光層、電子輸送層の他に正孔輸送層、陽極バッファー層及び陰極バッファー層等を有してもよく、陰極と陽極で挟持された構造をとる。具体的には以下に示される構造が挙げられる。 In the organic EL device of the present invention, at least one of the organic layers is a light emitting layer, and has an electron transport layer adjacent to the light emitting layer. If necessary, in addition to the light-emitting layer and the electron transport layer, a hole transport layer, an anode buffer layer, a cathode buffer layer, and the like may be included, and a structure sandwiched between the cathode and the anode is employed. Specific examples include the structures shown below.
（ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
上記有機ＥＬ素子を構成する電極（陽極及び陰極）間に挟持された複数層のうち、有機層は２層以上であることが好ましく、更に好ましくは３層以上である。
(I) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (ii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (iii) Anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport Layer / cathode buffer layer / cathode Among the plural layers sandwiched between the electrodes (anode and cathode) constituting the organic EL element, the organic layer is preferably 2 layers or more, more preferably 3 layers or more. .
《発光層》
本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、ホスト化合物と燐光性化合物（燐光発光性化合物ともいう）が含有されることが好ましい。これにより、より一層発光効率を高くすることができる。
<Light emitting layer>
The light emitting layer of the organic EL device of the present invention preferably contains a host compound and a phosphorescent compound (also referred to as a phosphorescent compound). Thereby, the luminous efficiency can be further increased.
本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物のうちで室温（２５℃）において燐光発光の燐光量子収率が０．０１未満の化合物と定義される。 In the present invention, the host compound is defined as a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission of less than 0.01 at room temperature (25 ° C.) among compounds contained in the light emitting layer.
更に、ホスト化合物を複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、燐光性化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。燐光性化合物の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用もできる。 Further, a plurality of host compounds may be used in combination. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient. Further, by using a plurality of types of phosphorescent compounds, it is possible to mix different light emission, and thereby any light emission color can be obtained. White light emission is possible by adjusting the kind of phosphorescent compound and the amount of doping, and can also be applied to illumination and backlight.
本発明に係るホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。ホスト化合物としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、例えば、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、フェナントロリン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、有機金属化合物、アリールメタン誘導体等が挙げられる。 The host compound according to the present invention is preferably a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents the emission of light from becoming longer, and has a high Tg (glass transition temperature). The host compound has one of hole injection or transport and electron barrier properties. For example, a carbazole derivative, an azacarbazole derivative, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, Examples include pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, phenanthroline derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, organometallic compounds, and arylmethane derivatives.
これらのうち、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体を用いることが好ましい。 Of these, carbazole derivatives and azacarbazole derivatives are preferably used.
このようにして形成された発光層の膜厚については特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することができるが、５ｎｍ〜５μｍの範囲に膜厚調整することが好ましい。 There is no restriction | limiting in particular about the film thickness of the light emitting layer formed in this way, Although it can select suitably according to a condition, It is preferable to adjust film thickness in the range of 5 nm-5 micrometers.
次に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等、発光層と組み合わせて有機ＥＬ素子を構成するその他の層について説明する。 Next, other layers constituting the organic EL element in combination with the light emitting layer, such as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer, will be described.
《正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層》
本発明に用いられる正孔注入層、正孔輸送層は、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入層、正孔輸送層を陽極と発光層の間に介在させることにより、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入され、その上発光層に陰極、電子注入層、または電子輸送層より注入された電子は、発光層と正孔注入層もしくは正孔輸送層の界面に存在する電子の障壁により、発光層内の界面に累積され発光効率が向上するなど発光性能の優れた素子となる。
<< Hole injection layer, hole transport layer, electron injection layer, electron transport layer >>
The hole injection layer and hole transport layer used in the present invention have a function of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer. The hole injection layer and hole transport layer are formed of an anode and a light emitting layer. By interposing them, many holes are injected into the light emitting layer with a lower electric field, and electrons injected into the light emitting layer from the cathode, electron injection layer, or electron transport layer are injected into the light emitting layer and holes. Due to an electron barrier existing at the interface of the layer or the hole transport layer, it is accumulated at the interface in the light emitting layer, and the light emitting efficiency is improved.
《正孔注入材料、正孔輸送材料》
この正孔注入層、正孔輸送層の材料（以下、正孔注入材料、正孔輸送材料という）については、前記の陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有する性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝性材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものや、ＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
《Hole injection material, hole transport material》
The material of the hole injection layer and hole transport layer (hereinafter referred to as hole injection material and hole transport material) has the property of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer. If it is a thing, there will be no restriction | limiting in particular, In a photoconductive material, what is conventionally used as a charge injection transport material of a hole, and well-known used for the hole injection layer of a EL element, a hole transport layer Any one can be selected and used.
上記正孔注入材料、正孔輸送材料は正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。この正孔注入材料、正孔輸送材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、または導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどが挙げられる。 The hole injection material and the hole transport material have either hole injection or transport or electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. Examples of the hole injection material and hole transport material include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, An oxazole derivative, a styryl anthracene derivative, a fluorenone derivative, a hydrazone derivative, a stilbene derivative, a silazane derivative, an aniline-based copolymer, or a conductive polymer oligomer, particularly a thiophene oligomer can be used.
正孔注入材料、正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。 The above-mentioned materials can be used as the hole injection material and the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound. .
上記芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更に米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（α−ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）などが挙げられる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。 Representative examples of the aromatic tertiary amine compound and styrylamine compound include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl; N, N′-diphenyl-N, N ′. -Bis (3-methylphenyl)-[1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; Bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p- Tolylaminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N′-diphenyl-N, N -Di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadri N; N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenyl Amino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and two more described in US Pat. No. 5,061,569 Having a condensed aromatic ring of, for example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α-NPD), JP-A-4-30 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 8688 are linked in a starburst type ( MTDATA) etc. Further, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
またはｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣなどの無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。この正孔注入層、正孔輸送層は上記正孔注入材料、正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。 Alternatively, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material. The hole injection layer and the hole transport layer are formed by thinning the hole injection material and the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method. Can be formed.
正孔注入層、正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、５ｎｍ〜５μｍ程度での範囲に調整することが好ましい。この正孔注入層、正孔輸送層は上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよく、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。 Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole injection layer and a positive hole transport layer, It is preferable to adjust to the range about 5 nm-5 micrometers. The hole injection layer and hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
《電子輸送層、電子輸送材料》
本発明に係る電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
<< Electron transport layer, electron transport material >>
The electron transport layer according to the present invention is only required to have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer, and as the material thereof, any one of conventionally known compounds can be selected and used. Can do.
更に本発明においては、陽極と発光層または正孔注入層の間、及び陰極と発光層または電子注入層との間にはバッファー層（電極界面層）を存在させてもよい。 Further, in the present invention, a buffer layer (electrode interface layer) may exist between the anode and the light emitting layer or the hole injection layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron injection layer.
バッファー層とは、駆動電圧低下や発光効率向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、陽極バッファー層と陰極バッファー層とがある。 The buffer layer is a layer provided between the electrode and the organic layer in order to lower the driving voltage and improve the luminous efficiency. “The organic EL element and its forefront of industrialization (published by NTS Corporation on November 30, 1998) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes an anode buffer layer and a cathode buffer layer.
陽極バッファー層は特開平９−４５４７９号、同９−２６００６２号、同８−２８８０６９号の各公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。 The details of the anode buffer layer are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. Specific examples include a phthalocyanine buffer layer represented by copper phthalocyanine, Examples thereof include an oxide buffer layer typified by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.
陰極バッファー層は特開平６−３２５８７１号、同９−１７５７４号、同１０−７４５８６号の各公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウム、酸化リチウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。 The details of the cathode buffer layer are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, and JP-A-10-74586, and specifically, metal buffers represented by strontium, aluminum and the like. Examples thereof include an alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, an alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, an oxide buffer layer typified by aluminum oxide and lithium oxide, and the like.
上記バッファー層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１〜１００ｎｍの範囲が好ましい。 The buffer layer is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 to 100 nm, although it depends on the material.
更に上記基本構成層の他に必要に応じてその他の機能を有する層を積層してもよく、例えば、特開平１１−２０４２５８号、同１１−２０４３５９号の各公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層などのような機能層を有していてもよい。 Further, in addition to the above basic constituent layers, layers having other functions may be laminated as required. For example, JP-A-11-204258, JP-A-11-204359, and “Organic EL element and its It may have a functional layer such as a hole blocking layer described on page 237 of “Industrialization Front Line (November 30, 1998, issued by NTT)”.
《電極》
次に有機ＥＬ素子の電極について説明する。有機ＥＬ素子の電極は陰極と陽極からなる。この有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕなどの金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯなどの導電性透明材料が挙げられる。
"electrode"
Next, the electrode of the organic EL element will be described. The electrode of the organic EL element consists of a cathode and an anode. As the anode in the organic EL element, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used. Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO.
上記陽極は蒸着やスパッタリングなどの方法により、これらの電極物質の薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合（１００μｍ以上程度）は、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、または陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。 The anode may be formed by depositing a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or the pattern accuracy is not required so much (about 100 μm or more) ) May form a pattern through a mask having a desired shape during vapor deposition or sputtering of the electrode material. When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance is greater than 10%, or the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 10 to 200 nm.
一方、陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げられる。これらの中で電子注入性及び酸化などに対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム／アルミニウム混合物などが好適である。 On the other hand, as the cathode, those having an electrode substance of a metal having a low work function (4 eV or less) (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound and a mixture thereof are preferably used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among these, from the viewpoint of electron injecting property and durability against oxidation, a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function value than this, for example, a magnesium / silver mixture, magnesium / Aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures and the like are preferred.
上記陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。または陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお発光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば、発光効率が向上するので好都合である。 The cathode can be produced by forming a thin film from these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. Alternatively, the sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 50 to 200 nm. In addition, in order to transmit light emission, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, it is advantageous because the light emission efficiency is improved.
《基板》
本発明の有機ＥＬ素子は、基板（以下、基材、基体、支持体、フィルム等ともいう）上に形成されているのが好ましい。
"substrate"
The organic EL element of the present invention is preferably formed on a substrate (hereinafter also referred to as a base material, a substrate, a support, a film, etc.).
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる基材としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基材としては、例えば、ガラス、石英、透明フィルムを挙げることができる。特に好ましい基材は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な透明フィルムである。 As a substrate that can be used in the organic EL device of the present invention, there is no particular limitation on the type of glass, plastic, etc., and there is no particular limitation as long as it is transparent, For example, glass, quartz, and a transparent film can be mentioned. A particularly preferable substrate is a transparent film that can give flexibility to the organic EL element.
具体的にはエチレン、ポリプロピレン、ブテン等の単独重合体または共重合体、または共重合体等のポリオレフィン（ＰＯ）樹脂、環状ポリオレフィン等の非晶質ポリオレフィン樹脂（ＡＰＯ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン２，６−ナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル系樹脂、ナイロン６、ナイロン１２、共重合ナイロン等のポリアミド系（ＰＡ）樹脂、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）樹脂、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）等のポリビニルアルコール系樹脂、ポリイミド（ＰＩ）樹脂、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）樹脂、ポリサルホン（ＰＳ）樹脂、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリビニルブチラート（ＰＶＢ）樹脂、ポリアリレート（ＰＡＲ）樹脂、エチレン−四フッ化エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、三フッ化塩化エチレン（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＦＥＰ）、フッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、フッ化ビニル（ＰＶＦ）、パーフルオロエチレン−パーフロロプロピレン−パーフロロビニルエーテル−共重合体（ＥＰＡ）等のフッ素系樹脂等を用いることができる。
Specifically, homopolymers or copolymers such as ethylene, polypropylene and butene, polyolefin (PO) resins such as copolymers, amorphous polyolefin resins (APO) such as cyclic polyolefins, polyethylene terephthalate (PET), Polyester resins such as polyethylene 2,6-naphthalate (PEN), polyamide (PA) resins such as
また上記に挙げた樹脂以外にも、ラジカル反応性不飽和化合物を有するアクリレート化合物によりなる樹脂組成物や、上記アクリルレート化合物とチオール基を有するメルカプト化合物よりなる樹脂組成物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート等のオリゴマーを多官能アクリレートモノマーに溶解せしめた樹脂組成物等の光硬化性樹脂及びこれらの混合物等を用いることも可能である。更に、これらの樹脂の１または２種以上をラミネート、コーティング等の手段によって積層させたものを基材フィルムとして用いることも可能である。 In addition to the resins listed above, a resin composition comprising an acrylate compound having a radical-reactive unsaturated compound, a resin composition comprising an acrylate compound and a mercapto compound having a thiol group, epoxy acrylate, urethane acrylate, It is also possible to use a photocurable resin such as a resin composition in which an oligomer such as polyester acrylate or polyether acrylate is dissolved in a polyfunctional acrylate monomer, and a mixture thereof. Furthermore, it is also possible to use as a substrate film a laminate of one or more of these resins by means such as laminating or coating.
これらの素材は単独であるいは適宜混合されて使用することもできる。中でもゼオネックスやゼオノア（日本ゼオン（株）製）、非晶質シクロポリオレフィン樹脂フィルムのＡＲＴＯＮ（ジェイエスアール（株）製）、ポリカーボネートフィルムのピュアエース（帝人（株）製）、セルローストリアセテートフィルムのコニカタックＫＣ４ＵＸ、ＫＣ８ＵＸ（コニカミノルタオプト（株）製）などの市販品を好ましく使用することができる。 These materials can be used alone or in combination as appropriate. Above all, ZEONEX and ZEONOR (manufactured by ZEON CORPORATION), amorphous cyclopolyolefin resin film ARTON (manufactured by JSR Corporation), polycarbonate film Pure Ace (manufactured by Teijin Limited), Konicatac of cellulose triacetate film Commercially available products such as KC4UX and KC8UX (manufactured by Konica Minolta Opto Co., Ltd.) can be preferably used.
また、上記に挙げた樹脂等を用いた本発明に係る基材は、未延伸フィルムでもよく、延伸フィルムでもよい。 In addition, the base material according to the present invention using the above-described resins or the like may be an unstretched film or a stretched film.
本発明に係る基材は、従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。例えば、材料となる樹脂を押し出し機により溶融し、環状ダイやＴダイにより押し出して急冷することにより、実質的に無定形で配向していない未延伸の基材を製造することができる。また、未延伸の基材を一軸延伸、テンター式逐次二軸延伸、テンター式同時二軸延伸、チューブラー式同時二軸延伸などの公知の方法により、基材の流れ（縦軸）方向、または基材の流れ方向と直角（横軸）方向に延伸することにより延伸基材を製造することができる。この場合の延伸倍率は、基材の原料となる樹脂に合わせて適宜選択することできるが、縦軸方向及び横軸方向にそれぞれ２〜１０倍が好ましい。 The base material according to the present invention can be produced by a conventionally known general method. For example, an unstretched substrate that is substantially amorphous and not oriented can be produced by melting a resin as a material with an extruder, extruding it with an annular die or a T-die, and quenching. In addition, the unstretched base material is subjected to a known method such as uniaxial stretching, tenter-type sequential biaxial stretching, tenter-type simultaneous biaxial stretching, tubular-type simultaneous biaxial stretching, or the flow direction of the base material (vertical axis), or A stretched substrate can be produced by stretching in the direction perpendicular to the flow direction of the substrate (horizontal axis). The draw ratio in this case can be appropriately selected according to the resin as the raw material of the base material, but is preferably 2 to 10 times in each of the vertical axis direction and the horizontal axis direction.
また、本発明に係る基材においては、蒸着膜を形成する前にコロナ処理、火炎処理、プラズマ処理、グロー放電処理、粗面化処理、薬品処理などの表面処理を行ってもよい。 Moreover, in the base material which concerns on this invention, you may perform surface treatments, such as a corona treatment, a flame treatment, a plasma treatment, a glow discharge process, a roughening process, a chemical treatment, before forming a vapor deposition film.
更に本発明に係る基材表面には、蒸着膜との密着性の向上を目的としてアンカーコート剤層を形成してもよい。このアンカーコート剤層に用いられるアンカーコート剤としては、ポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、エチレンビニルアルコール樹脂、ビニル変性樹脂、エポキシ樹脂、変性スチレン樹脂、変性シリコン樹脂、及びアルキルチタネート等を、１または２種以上併せて使用することができる。これらのアンカーコート剤には、従来公知の添加剤を加えることもできる。そして、上記のアンカーコート剤はロールコート、グラビアコート、ナイフコート、ディップコート、スプレーコート等の公知の方法により基材上にコーティングし、溶剤、希釈剤等を乾燥除去することによりアンカーコーティングすることができる。上記のアンカーコート剤の塗布量としては、０．１〜５ｇ／ｍ2（乾燥状態）程度が好ましい。 Furthermore, you may form an anchor coating agent layer in the base-material surface based on this invention for the purpose of the adhesive improvement with a vapor deposition film. Examples of the anchor coating agent used in this anchor coating agent layer include polyester resin, isocyanate resin, urethane resin, acrylic resin, ethylene vinyl alcohol resin, vinyl modified resin, epoxy resin, modified styrene resin, modified silicon resin, and alkyl titanate. Can be used alone or in combination. Conventionally known additives can be added to these anchor coating agents. The above-mentioned anchor coating agent is coated on the substrate by a known method such as roll coating, gravure coating, knife coating, dip coating, spray coating, etc., and anchor coating is performed by drying and removing the solvent, diluent, etc. Can do. The application amount of the anchor coating agent is preferably about 0.1 to 5 g / m 2 (dry state).
基材はロール状に巻き上げられた長尺品が便利である。基材の厚さは得られるフィルムの用途によって異なるので一概には規定できないが、フィルムを包装用途とする場合には、特に制限を受けるものではなく、包装材料としての適性から３〜４００μｍ、中でも６〜３０μｍの範囲内とすることが好ましい。 The substrate is conveniently a long product wound up in a roll. Since the thickness of the base material varies depending on the use of the film to be obtained, it cannot be specified unconditionally. However, when the film is used for packaging, it is not particularly limited, and is 3 to 400 μm from the suitability as a packaging material. It is preferable to be in the range of 6 to 30 μm.
また、本発明に用いられる基材は、フィルム形状のものの膜厚としては１０〜２００μｍが好ましく、より好ましくは５０〜１００μｍである。 Moreover, as for the base material used for this invention, 10-200 micrometers is preferable as a film thickness of a film-shaped thing, More preferably, it is 50-100 micrometers.
《表示装置》
本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。または一色の発光色、例えば、白色発光をカラーフィルターを用いてＢＧＲにし、フルカラー化することも可能である。更に有機ＥＬの発光色を色変換フィルターを用いて他色に変換しフルカラー化することも可能であるが、その場合、有機ＥＬ発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下であることが好ましい。
<Display device>
The organic EL device of the present invention may be used as a kind of lamp such as an illumination or exposure light source, a projection device that projects an image, or a display device that directly recognizes a still image or a moving image. (Display) may be used. The driving method when used as a display device for moving image reproduction may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method. Alternatively, a full-color display device can be manufactured by using two or more organic EL elements of the present invention having different emission colors. Alternatively, it is possible to change the color of one emission color, for example, white emission to BGR using a color filter, and to achieve full color. Furthermore, it is possible to convert the emission color of the organic EL to another color by using a color conversion filter, and in this case, λmax of the organic EL emission is preferably 480 nm or less.
本発明の有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を図面に基づいて説明する。 An example of a display device composed of the organic EL element of the present invention will be described with reference to the drawings.
図４は、有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。 FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of a display device including organic EL elements. It is a schematic diagram of a display such as a mobile phone that displays image information by light emission of an organic EL element.
ディスプレイ１は、複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ等からなる。制御部Ｂは、表示部Ａと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。 The display 1 includes a display unit A having a plurality of pixels, a control unit B that performs image scanning of the display unit A based on image information, and the like. The control unit B is electrically connected to the display unit A, and sends a scanning signal and an image data signal to each of the plurality of pixels based on image information from the outside. The pixels for each scanning line are converted into image data signals by the scanning signal. In response to this, light is sequentially emitted and image scanning is performed to display image information on the display unit A.
図５は、表示部Ａの模式図である。 FIG. 5 is a schematic diagram of the display unit A.
表示部Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。図５においては、画素３の発光した光が、白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。配線部の走査線５及び複数のデータ線６は、各々導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。画素３は走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
The display unit A includes a wiring unit including a plurality of
次に、画素の発光プロセスを説明する。図６は画素の模式図である。 Next, the light emission process of the pixel will be described. FIG. 6 is a schematic diagram of a pixel.
画素は有機ＥＬ素子１０、スイッチングトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサ１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０として、赤色、緑色、青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
The pixel includes an
図６において、制御部Ｂからデータ線６を介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達される。
In FIG. 6, an image data signal is applied from the control unit B to the drain of the switching
画像データ信号の伝達により、コンデンサ１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トランジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。
By transmitting the image data signal, the
制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフしてもコンデンサ１３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。
When the scanning signal is moved to the
即ち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
That is, the light emission of the
ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサ１３の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
Here, the light emission of the
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。 In the present invention, not only the active matrix method described above, but also a passive matrix light emission drive in which the organic EL element emits light according to the data signal only when the scanning signal is scanned.
図７はパッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図７において、複数の走査線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子状に設けられている。
FIG. 7 is a schematic diagram of a passive matrix display device. In FIG. 7, a plurality of
順次走査により走査線５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５に接続している画素３が画像データ信号に応じて発光する。パッシブマトリクス方式では画素３にアクティブ素子がなく、製造コストの低減が計れる。
When the scanning signal of the
《光取り出し技術》
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層から放射された光の取り出し効率を向上させるため、基板の表面にプリズムやレンズ状の加工を施す、もしくは基板の表面にプリズムシートやレンズシートを貼りつけてもよい。
《Light extraction technology》
In the organic EL device of the present invention, in order to improve the extraction efficiency of light emitted from the light emitting layer, a prism or lens-like process is applied to the surface of the substrate, or a prism sheet or a lens sheet is attached to the surface of the substrate. Also good.
本発明の有機ＥＬ素子は、電極と基板の間に低屈折率層を有してもよい。低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマーなどが挙げられる。 The organic EL device of the present invention may have a low refractive index layer between the electrode and the substrate. Examples of the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer.
基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。また更に１．３５以下であることが好ましい。また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。 Since the refractive index of the substrate is generally about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Furthermore, it is preferable that it is 1.35 or less. The thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium is about the wavelength of light and the electromagnetic wave that has exuded by evanescent enters the substrate.
本発明の有機ＥＬ素子は、いずれかの層間もしくは媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を有してもよい。導入する回折格子は二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。回折格子を導入する位置としては前述のとおり、いずれかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状など、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。 The organic EL device of the present invention may have a diffraction grating in any interlayer or medium (in a transparent substrate or a transparent electrode). It is desirable that the diffraction grating to be introduced has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. Therefore, the light extraction efficiency does not increase so much. However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased. As described above, the position where the diffraction grating is introduced may be in any of the layers or in the medium (in the transparent substrate or the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated. At this time, the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium. The arrangement of the diffraction grating is preferably two-dimensionally repeated such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.
本発明に係る基材は、ガスバリア層を有することが好ましい。これによりダークスポット及び高温、高湿下での経時安定性のより一層の改良効果を有する。 The substrate according to the present invention preferably has a gas barrier layer. Thereby, it has the further improvement effect of the aging stability in a dark spot and high temperature and high humidity.
《ガスバリア層》
本発明に係るガスバリア層とは、酸素及び水蒸気の透過を阻止する層であれば、その組成等は特に限定されるものではない。酸素の透過度が２３℃、０％ＲＨにおいて０．００５ｍｌ／ｍ2／ｄａｙ以下が好ましく、また、ＪＩＳ Ｋ７１２９ Ｂ法に従って測定した水蒸気透過度が０．１ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下が好ましい。本発明に係るガスバリア層を構成する材料として、具体的には無機酸化物が好ましく、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化窒化珪素、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ等を挙げることができる。
《Gas barrier layer》
The composition of the gas barrier layer according to the present invention is not particularly limited as long as it is a layer that blocks permeation of oxygen and water vapor. The oxygen permeability is preferably 0.005 ml / m 2 / day or less at 23 ° C. and 0% RH, and the water vapor permeability measured according to the JIS K7129 B method is preferably 0.1 g / m 2 / day or less. Specifically, an inorganic oxide is preferable as the material constituting the gas barrier layer according to the present invention, and examples include silicon oxide, aluminum oxide, silicon oxynitride, aluminum oxynitride, magnesium oxide, zinc oxide, indium oxide, and tin oxide. be able to.
また、本発明におけるガスバリア層の厚さは用いられる材料の種類、構成により最適条件が異なり、適宜選択されるが、５〜２０００ｎｍの範囲内であることが好ましい。ガスバリア層の厚さが上記の範囲より薄い場合には、均一な膜が得られず、ガスに対するバリア性を得ることが困難であるからである。またガスバリア層の厚さが上記の範囲より厚い場合には、ガスバリア性フィルムにフレキシビリティを保持させることが困難であり、成膜後に折り曲げ、引っ張り等の外的要因により、ガスバリア性フィルムに亀裂が生じる等のおそれがあるからである。 The thickness of the gas barrier layer in the present invention is appropriately selected depending on the type and configuration of the material used, and is suitably selected, but is preferably in the range of 5 to 2000 nm. This is because when the thickness of the gas barrier layer is thinner than the above range, a uniform film cannot be obtained, and it is difficult to obtain a barrier property against gas. Further, when the thickness of the gas barrier layer is larger than the above range, it is difficult to maintain the flexibility of the gas barrier film, and the gas barrier film is cracked due to external factors such as bending and pulling after film formation. This is because it may occur.
本発明に係るガスバリア層は、後述する原材料をスプレー法、スピンコート法、スパッタリング法、イオンアシスト法、プラズマＣＶＤ法、後述する大気圧または大気圧近傍の圧力下でのプラズマＣＶＤ法等を適用して形成することができる。 For the gas barrier layer according to the present invention, a raw material described later is applied by a spray method, a spin coat method, a sputtering method, an ion assist method, a plasma CVD method, a plasma CVD method under atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure described later, and the like. Can be formed.
図１は、本発明に係るガスバリア層を有する基材の構成を示す模式図である。 FIG. 1 is a schematic view showing a configuration of a substrate having a gas barrier layer according to the present invention.
本発明に係るガスバリア層を有する基材の構成とその密度について説明する。 The structure and density of the substrate having the gas barrier layer according to the present invention will be described.
本発明に係るガスバリア層２１は、基材２２上に密度の異なる層を積層しており、密着膜２３、セラミック膜２４及び保護膜２５を積層した構成をとる。図１においては３層を積層した例を示してある。各層内における密度分布は均一とし、セラミック膜の密度をその上下に位置する密着膜及び保護膜のそれぞれの密度よりも高く設定している。なお、図１においては各層を１層として示したが、必要に応じてそれぞれ２層以上の構成をとってもよい。
The
基材上に密着膜、セラミック膜及び保護膜を形成する方法としては、スプレー法、スピンコート法、スパッタリング法、イオンアシスト法、プラズマＣＶＤ法、大気圧または大気圧近傍の圧力下でのプラズマＣＶＤ法等を適用して形成することができる。 As a method for forming an adhesion film, a ceramic film and a protective film on a substrate, a spray method, a spin coating method, a sputtering method, an ion assist method, a plasma CVD method, or a plasma CVD under a pressure at or near atmospheric pressure. It can be formed by applying a law or the like.
以下、本発明について実施例をもって説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 Hereinafter, although an example explains the present invention, the present invention is not limited to this.
実施例１
〈有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の作製〉
基材として、厚さ１００μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人・デユポン社製フィルム）上に、下記の大気圧プラズマ放電処理装置及び放電条件で、図１記載プロファイル構成でバリア層を有する基材１を作製した。
Example 1
<Preparation of organic EL element OLED1-1>
As a base material, a base material 1 having a barrier layer with a profile configuration shown in FIG. 1 is formed on a polyethylene naphthalate film (film made by Teijin-Dyupon Co., Ltd.) having a thickness of 100 μm with the following atmospheric pressure plasma discharge treatment apparatus and discharge conditions Produced.
（大気圧プラズマ放電処理装置）
図２の大気圧プラズマ放電処理装置を用い、誘電体で被覆したロール電極及び複数の角筒型電極のセットを以下のように作製した。
(Atmospheric pressure plasma discharge treatment equipment)
Using the atmospheric pressure plasma discharge treatment apparatus of FIG. 2, a set of a roll electrode covered with a dielectric and a plurality of rectangular tube electrodes was produced as follows.
第１電極となるロール電極３５は、冷却水による冷却手段を有するチタン合金Ｔ６４製ジャケットロール金属質母材に対して、大気プラズマ法により高密度、高密着性のアルミナ溶射膜を被覆し、ロール径１０００ｍｍφとなるようにした。一方、第２電極の角筒型電極３６は、中空の角筒型のチタン合金Ｔ６４に対し、上記同様の誘電体を同条件にて方肉で１ｍｍ被覆し、対向する角筒型固定電極群とした。
A
この角筒型電極をロール回転電極のまわりに、対向電極間隙を１ｍｍとして１０本配置した。角筒型固定電極群の放電総面積は、１５０ｃｍ（幅手方向の長さ）×４ｃｍ（搬送方向の長さ）×１０本（電極の数）＝６０００ｃｍ2であった。なお、いずれもフィルターは適切なものを設置した。 Ten square tube electrodes were arranged around the roll rotating electrode with a counter electrode gap of 1 mm. The total discharge area of the rectangular tube type fixed electrode group was 150 cm (length in the width direction) × 4 cm (length in the transport direction) × 10 (number of electrodes) = 6000 cm 2 . In all cases, appropriate filters were installed.
プラズマ放電中、第１電極（ロール回転電極）は１２０℃及び第２電極（角筒型固定電極群）は８０℃になるように調節保温し、ロール回転電極はドライブで回転させて薄膜形成を行った。上記１０本の角筒型固定電極中、上流側より２本を下記第１層（密着層）の製膜用に、次の６本を下記第２層（セラミック層）の製膜用に、次の２本を第３層（保護層）の製膜用に使用し、各条件を設定して１パスで３層を積層した。 During plasma discharge, the first electrode (roll rotating electrode) is kept at a temperature of 120 ° C. and the second electrode (square tube fixed electrode group) is adjusted to 80 ° C., and the roll rotating electrode is rotated by a drive to form a thin film. went. Among the 10 rectangular tube-shaped fixed electrodes, two from the upstream side are used for forming the following first layer (adhesion layer), and the following six are used for forming the following second layer (ceramic layer). The following two were used for film formation of the third layer (protective layer), each condition was set, and three layers were laminated in one pass.
（第１層：密着層）
下記の条件でプラズマ放電を行って、厚さ約５０ｎｍの密着層を形成した。
(First layer: adhesion layer)
Plasma discharge was performed under the following conditions to form an adhesion layer having a thickness of about 50 nm.
〈ガス条件〉
放電ガス：窒素ガス ９４．５体積％
薄膜形成性ガス：ヘキサメチルジシロキサン
（リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化） ０．５体積％
添加ガス：酸素ガス ５．０体積％
〈電源条件：第１電極側の電源のみを使用した〉
第１電極側 電源種類 応用電機社製高周波電源
周波数 ８０ｋＨｚ
出力密度 １０Ｗ／ｃｍ2
上記形成した第１層（密着層）の密度は、前述のマックサイエンス社製ＭＸＰ２１を用いたＸ線反射率法で測定した結果、１．９０であった。
<Gas conditions>
Discharge gas: Nitrogen gas 94.5% by volume
Thin-film forming gas: Hexamethyldisiloxane (vaporized by mixing with nitrogen gas with a vaporizer manufactured by Lintec) 0.5% by volume
Additive gas: Oxygen gas 5.0% by volume
<Power supply conditions: Only the power supply on the first electrode side was used>
1st electrode side Power supply type
Frequency 80kHz
Output density 10W / cm 2
The density of the formed first layer (adhesion layer) was 1.90 as a result of measurement by the X-ray reflectivity method using MXP21 manufactured by MacScience.
（第２層：セラミック層）
下記の条件でプラズマ放電を行って、厚さ約３０ｎｍのセラミック層を形成した。
(Second layer: Ceramic layer)
Plasma discharge was performed under the following conditions to form a ceramic layer having a thickness of about 30 nm.
〈ガス条件〉
放電ガス：窒素ガス ９４．９体積％
薄膜形成性ガス：ヘキサメチルジシロキサン
（リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化） ０．１体積％
添加ガス：酸素ガス ５．０体積％
〈電源条件〉
第１電極側 電源種類 応用電機社製高周波電源
周波数 ８０ｋＨｚ
出力密度 １０Ｗ／ｃｍ2
第２電極側 電源種類 パール工業社製高周波電源
周波数 １３．５６ＭＨｚ
出力密度 １０Ｗ／ｃｍ2
上記形成した第２層（セラミック層）の密度は、前述のマックサイエンス社製ＭＸＰ２１を用いたＸ線反射率法で測定した結果、２．２０であった。
<Gas conditions>
Discharge gas: Nitrogen gas 94.9% by volume
Thin film forming gas: Hexamethyldisiloxane (vaporized by mixing with nitrogen gas using a vaporizer manufactured by Lintec) 0.1% by volume
Additive gas: Oxygen gas 5.0% by volume
<Power supply conditions>
1st electrode side Power supply type
Frequency 80kHz
Output density 10W / cm 2
Second electrode side Power supply type High frequency power supply manufactured by Pearl Industrial Co., Ltd.
Frequency 13.56MHz
Output density 10W / cm 2
The density of the formed second layer (ceramic layer) was 2.20 as a result of measurement by the X-ray reflectivity method using MXP21 manufactured by Mac Science.
（第３層：保護層）
下記の条件でプラズマ放電を行って、厚さ約２００ｎｍの保護層を形成した。
(3rd layer: protective layer)
Plasma discharge was performed under the following conditions to form a protective layer having a thickness of about 200 nm.
〈ガス条件〉
放電ガス：窒素ガス ９３．０体積％
薄膜形成性ガス：ヘキサメチルジシロキサン
（リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化） ２．０体積％
添加ガス：酸素ガス ５．０体積％
〈電源条件：第１電極側の電源のみを使用した〉
第１電極側 電源種類 応用電機社製高周波電源
周波数 ８０ｋＨｚ
出力密度 １０Ｗ／ｃｍ2
上記形成した第３層（保護層）の密度は、前述のマックサイエンス社製ＭＸＰ２１を用いたＸ線反射率法で測定した結果、１．９５であった。
<Gas conditions>
Discharge gas: Nitrogen gas 93.0% by volume
Thin-film forming gas: Hexamethyldisiloxane (vaporized by mixing with nitrogen gas using a vaporizer manufactured by Lintec) 2.0% by volume
Additive gas: Oxygen gas 5.0% by volume
<Power supply conditions: Only the power supply on the first electrode side was used>
1st electrode side Power supply type
Frequency 80kHz
Output density 10W / cm 2
The density of the formed third layer (protective layer) was 1.95 as a result of measurement by the X-ray reflectivity method using MXP21 manufactured by MacScience.
ＪＩＳ−Ｋ−７１２９Ｂに準拠した方法により水蒸気透過率を測定した結果、１０-3ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下であった。ＪＩＳ−Ｋ−７１２６Ｂに準拠した方法により酸素透過率を測定した結果、１０-3ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下であった。 As a result of measuring the water vapor transmission rate by a method based on JIS-K-7129B, it was 10 −3 g / m 2 / day or less. As a result of measuring the oxygen transmission rate by a method based on JIS-K-7126B, it was 10 −3 g / m 2 / day or less.
次いで、ガスバリア層を有する基材１上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１２０ｎｍ成膜した基板にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を付けた基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空度４×１０-4Ｐａまで減圧し、ＩＴＯ基板１００を作製した。
Next, after patterning a substrate having a 120 nm ITO (Indium Tin Oxide) film formed on the base material 1 having a gas barrier layer, the substrate with the ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol and dried nitrogen gas. And UV ozone cleaning was performed for 5 minutes. The
次に市販のインクジェット式ヘッド１０（コニカミノルタ製ＫＭ５１２Ｓ非水系ヘッド）を用いて、ホスト化合物としてＭ１、燐光性化合物Ｉｒ−１、２，２′−アゾビス（イソブチロニトリル）：ＡＩＢＮ（質量比１００：５：１）及びＴＨＦを含む流動体Ｄ１をＩＴＯ基板１００上に吐出させ、１００℃、４０分で乾燥を行い、膜厚５０ｎｍの発光層１１１を形成した。
Next, using a commercially available inkjet head 10 (KM512S non-aqueous head manufactured by Konica Minolta), M1 as a host compound, phosphorescent compound Ir-1,2,2′-azobis (isobutyronitrile): AIBN (mass ratio) The fluid D1 containing 100: 5: 1) and THF was discharged onto the
次に、インクジェット式ヘッド１０を用いて、例示化合物Ａ１０とＡＩＢＮ（質量比１００：１）及びＴＨＦを含む流動体Ｄ２を発光層１１１上に吐出させ、１００℃、４０分で乾燥を行い、膜厚５０ｎｍの電子輸送層１１２を形成した。
Next, using the
次に、電子輸送層１１２の上に厚さ２００ｎｍのアルミニウム１１３（陰極）を蒸着形成した。
Next, an aluminum layer 113 (cathode) having a thickness of 200 nm was formed on the
更に、発光層１１１と電子輸送層１１２の有機溶媒の含有率が５．０ｐｐｍとなるように乾燥を行った。更にその上にガスバリア層を有する基材１を貼りつけて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１を形成した。
Further, drying was performed so that the organic solvent content of the
図３に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の吐出及び成膜工程を示す。 FIG. 3 shows the discharge and film forming steps of the organic EL element OLED1-1.
〈有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−２、１−３の作製〉
反応容器に例示化合物Ａ９、１．４ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、ＡＩＢＮ０．０１０ｇ（０．０６１ｍｍｏｌ）、酢酸ブチル３０ｍｌを入れて窒素置換を行った後、８０℃で１０時間反応させた。反応後、アセトンに投入して再沈殿を行い、濾過によりポリマーを回収した。回収したポリマーのクロロホルム溶液をメタノール中に投入して再沈殿させることを更に２回行うことにより精製し、回収後真空乾燥して、目的とする例示化合物Ａ９の重合体１．２ｇを粉末として得た。この共重合体の重量平均分子量はポリスチレン換算で１１０００（ＨＦＩＰ（ヘキサフルオロイソプロパノール）を溶離液に用いたＧＰＣ測定による）であった。
<Preparation of organic EL element OLED1-2, 1-3>
Illustrative compound A9, 1.4 g (2.5 mmol), AIBN 0.010 g (0.061 mmol), and 30 ml of butyl acetate were added to the reaction vessel, and the reaction was carried out at 80 ° C. for 10 hours. After the reaction, it was poured into acetone for reprecipitation, and the polymer was recovered by filtration. The recovered polymer chloroform solution is purified by adding it again into methanol and reprecipitating twice, and after recovery, vacuum drying is performed to obtain 1.2 g of the target Exemplified Compound A9 polymer as a powder. It was. The copolymer had a weight average molecular weight of 11000 in terms of polystyrene (according to GPC measurement using HFIP (hexafluoroisopropanol) as an eluent).
同様の方法で化合物Ｍ２の重合体を合成した（重量平均分子量１６０００）。 A polymer of compound M2 was synthesized in the same manner (weight average molecular weight 16000).
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の製造方法において、流動体Ｄ１に替えて、上述のＭ２の重合体、燐光性化合物Ｉｒ−１（質量比１００：５）及びＴＨＦを含む流動体Ｄ３を用い、流動体Ｄ２に替えて、上述の例示化合物Ａ９の重合体及びＴＨＦを含む流動体Ｄ４を用い、更に発光層１１１と電子輸送層１１２の有機溶媒が１３ｐｐｍとなるように乾燥を行った以外は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の製造方法と同様の製造方法で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−２を作製した。
In the manufacturing method of the organic EL element OLED1-1, instead of the fluid D1, the fluid D3 containing the polymer of M2 described above, the phosphorescent compound Ir-1 (mass ratio 100: 5) and THF is used. Instead of D2, a fluid D4 containing the polymer of the exemplified compound A9 and THF described above was used, and the organic EL of the
また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−２の製造方法において、発光層１１１と電子輸送層１１２の有機溶媒が０．７質量％なるように乾燥を行った以外は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−２の製造方法と同様の製造方法で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−３を作製した。
Moreover, in the manufacturing method of organic EL element OLED1-2, except having dried so that the organic solvent of the
〈有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−４〜１−８の作製〉
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−３の製造方法において、各層の材料を下記表１に示す材料に替え、更に有機層の有機溶媒残存含有量を表１に示すように乾燥を行った以外は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−３の製造方法と同様の製造方法で、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−４〜１−８を作製した。
<Preparation of organic EL elements OLED1-4 to 1-8>
In the manufacturing method of organic EL element OLED1-3, the organic EL element except that the material of each layer was changed to the material shown in Table 1 below and the organic solvent residual content of the organic layer was further dried as shown in Table 1. Organic EL elements OLED1-4 to 1-8 were produced by the same production method as the production method of OLED1-3.
〈有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−９の作製〉
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−２の製造方法において、各層の材料を下記表１に示す材料に替え、かつインジウムチンオキシド透明電極（ＩＴＯ電極）を有するガラス基板に替えた以外は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−２の製造方法と同様の製造方法で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−９を作製した。
<Preparation of organic EL element OLED1-9>
In the manufacturing method of the organic EL element OLED1-2, the material of each layer was changed to the material shown in Table 1 below, and the organic EL element OLED1-2 was changed to a glass substrate having an indium tin oxide transparent electrode (ITO electrode). Organic EL element OLED1-9 was produced with the manufacturing method similar to this manufacturing method.
〈有機ＥＬ素子の評価〉
以下のようにして得られた有機ＥＬ素子の評価を行い、結果を表１に示す。
<Evaluation of organic EL element>
The organic EL device obtained as described below was evaluated, and the results are shown in Table 1.
（発光輝度）
有機ＥＬ素子の温度２３℃、１０Ｖ直流電圧を印加した時の発光輝度（ｃｄ／ｍ2）を測定した。発光輝度は有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤ１−３を１００とした時の相対値で表した。発光輝度については、ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）を用いて測定した。
(Luminance brightness)
The emission luminance (cd / m 2 ) of the organic EL device at a temperature of 23 ° C. and a 10 V DC voltage was measured. The light emission luminance was expressed as a relative value when the organic electroluminescence element OLED1-3 was set to 100. The light emission luminance was measured using CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing).
（ダークスポット）
また１０ｍＡ／ｃｍ2の一定電流で３０時間駆動させた後に、２ｍｍ×２ｍｍ四方の範囲での目視で確認できる非発光点（ダークスポット）の数を測定した。
(Dark spot)
Further, after driving for 30 hours at a constant current of 10 mA / cm 2 , the number of non-luminous spots (dark spots) that can be visually confirmed in a range of 2 mm × 2 mm square was measured.
（電圧上昇率）
１０ｍＡ／ｃｍ2の一定電流で駆動したときに、初期電圧と１００時間後の電圧を測定した。初期電圧に対する１００時間後の電圧の相対値を電圧上昇率とした。
(Voltage increase rate)
When driven at a constant current of 10 mA / cm 2 , the initial voltage and the voltage after 100 hours were measured. The relative value of the voltage after 100 hours with respect to the initial voltage was defined as the voltage increase rate.
（経時安定性）
有機ＥＬ素子を５０℃、６０％ＲＨの条件で１ヶ月保存後、実施例１と同様に発光輝度（ｃｄ／ｍ2）を測定した。経時安定性は保存前の発光輝度測定値に対して相対値で表した。
(Stability over time)
After the organic EL device was stored for 1 month at 50 ° C. and 60% RH, the emission luminance (cd / m 2 ) was measured in the same manner as in Example 1. The stability over time was expressed as a relative value with respect to the measured luminance value before storage.
表２から明らかなように、本発明に係る方法を用いた有機ＥＬ素子ではダークスポット、電圧上昇率が大幅に減少し、経時安定性が向上し、更に発光輝度の向上も認められた。 As is apparent from Table 2, in the organic EL device using the method according to the present invention, the dark spot and the voltage increase rate were greatly reduced, the temporal stability was improved, and the emission luminance was also improved.
実施例２
実施例１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−３の製造方法において、各層の材料を下記表３に示す材料に替え、更に有機層の有機溶媒残存含有量を表３に示すように乾燥を行った以外は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−３の製造方法と同様の製造方法で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−１〜２−４を作製した。
Example 2
In the manufacturing method of the organic EL element OLED1-3 of Example 1, the material of each layer was changed to the material shown in Table 3 below, and the organic solvent residual content of the organic layer was further dried as shown in Table 3. Organic EL elements OLED2-1 to 2-4 were produced by the same production method as that for organic EL element OLED1-3.
更に実施例１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の製造方法において、各層の材料を下記表３に示す材料に替え、更に有機層の有機溶媒残存含有量を表３に示すように乾燥を行った以外は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の製造方法と同様の製造方法で、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−５〜２−７を作製した。 Furthermore, in the manufacturing method of organic EL element OLED1-1 of Example 1, the material of each layer was changed to the material shown in Table 3 below, and the organic solvent remaining content of the organic layer was further dried as shown in Table 3. Produced the organic EL elements OLED2-5 to 2-7 by the same manufacturing method as that of the organic EL element OLED1-1.
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−１〜２−７についても、実施例１と同じ評価方法で評価を行った。なお、発光輝度は有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤ２−１を１００とした時の相対値で表した。表４に有機ＥＬ素子の評価結果を示す。 The organic EL elements OLED2-1 to 2-7 were also evaluated by the same evaluation method as in Example 1. The light emission luminance is expressed as a relative value when the organic electroluminescence element OLED2-1 is 100. Table 4 shows the evaluation results of the organic EL element.
表４の結果から明らかなように、本発明の有機ＥＬ素子は発光輝度に優れ、定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポットが少なく、更に高温、高湿下での経時安定性が高い素子であることがわかった。 As is apparent from the results in Table 4, the organic EL device of the present invention is excellent in light emission luminance, has little voltage increase and dark spot when driven at a constant current, and has high temporal stability under high temperature and high humidity. I found out that
実施例３
〈有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３−１、３−２の作製〉
インジウムチンオキシド透明電極（ＩＴＯ電極）を有するガラス基板上に、正孔輸送層としてＮＰＤを５０ｎｍの膜厚で定法に従い蒸着成膜した後に、発光層としてＣＢＰ、燐光性化合物Ｉｒ−１２（質量比１００：５）を５０ｎｍ膜厚で、電子輸送層としてＡ１７を５０ｎｍ膜厚で蒸着成膜し、次いでＡｌを１１０ｎｍ膜厚で蒸着して陰極を形成した。これを、窒素雰囲気下でＴＨＦの蒸気を含有する試料瓶に封入し、表５のように含有量を調整し、ガスバリア層を有する基材１を貼り合わせて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３−１及び３−２を作製した。
Example 3
<Preparation of organic EL element OLED3-1, 3-2>
On a glass substrate having an indium tin oxide transparent electrode (ITO electrode), after depositing NPD as a hole transport layer with a film thickness of 50 nm according to a conventional method, CBP as a light emitting layer, phosphorescent compound Ir-12 (mass ratio) 100: 5) was deposited to a thickness of 50 nm, A17 was deposited as an electron transport layer to a thickness of 50 nm, and then Al was deposited to a thickness of 110 nm to form a cathode. This was sealed in a sample bottle containing THF vapor under a nitrogen atmosphere, the content was adjusted as shown in Table 5, the base material 1 having a gas barrier layer was bonded, and the organic EL elements OLEDs 3-1 and 3 -2 was produced.
〈有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３−３の作製〉
正孔輸送材料としてＭ１を用い、るつぼ温度２１０℃、照射電子電流５ｍＡ、照射電子エネルギー５０ｅＶの条件にて、インジウムチンオキシド透明電極（ＩＴＯ電極）を有するガラス基板上に成膜を行ない、高分子薄膜を形成した。膜成長速度は毎分６ｎｍであり、形成した高分子の膜厚は５０ｎｍ、平均分子量は約１１０００であった。
<Preparation of organic EL element OLED3-3>
Using M1 as a hole transport material, film formation was performed on a glass substrate having an indium tin oxide transparent electrode (ITO electrode) under conditions of a crucible temperature of 210 ° C., an irradiation electron current of 5 mA, and an irradiation electron energy of 50 eV. A thin film was formed. The film growth rate was 6 nm per minute, the film thickness of the polymer formed was 50 nm, and the average molecular weight was about 11000.
次いで、発光層の有機化合物としてＭ２、燐光性化合物Ｉｒ−１２（質量比１００：５）を用い、るつぼ温度２１０℃、照射電子電流５ｍＡ、照射電子エネルギー５０ｅＶの条件にて、高分子薄膜を形成した。形成した高分子の膜厚は５０ｎｍ、平均分子量は約１１０００であった。 Next, a polymer thin film is formed using M2 and phosphorescent compound Ir-12 (mass ratio 100: 5) as the organic compound of the light emitting layer under conditions of a crucible temperature of 210 ° C., an irradiation electron current of 5 mA, and an irradiation electron energy of 50 eV. did. The formed polymer had a film thickness of 50 nm and an average molecular weight of about 11,000.
同様に電子輸送材料として例示化合物Ａ９を用い、るつぼ温度２１０℃、照射電子電流５ｍＡ、照射電子エネルギー５０ｅＶの条件にて、高分子薄膜を形成した。高分子薄膜を形成した。形成した高分子の膜厚は５０ｎｍ、平均分子量は約１００００であった。 Similarly, Example Compound A9 was used as an electron transport material, and a polymer thin film was formed under the conditions of a crucible temperature of 210 ° C., an irradiation electron current of 5 mA, and an irradiation electron energy of 50 eV. A polymer thin film was formed. The formed polymer had a thickness of 50 nm and an average molecular weight of about 10,000.
次いで、厚さ１１０ｎｍのアルミニウムを蒸着した。これを窒素雰囲気下でＴＨＦの蒸気を含有する試料瓶に封入し、表５のように含有量を調整し、ガスバリア層を有する基材１を貼り合わせて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３−３を作製した。 Next, aluminum having a thickness of 110 nm was deposited. This was sealed in a sample bottle containing THF vapor under a nitrogen atmosphere, the content was adjusted as shown in Table 5, and the base material 1 having a gas barrier layer was bonded to produce an organic EL element OLED3-3. .
〈有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３−４の作製〉
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−３の製造方法において、各層の材料を下記表５に示す材料に替え、更に有機層の有機溶媒残存含有量を表５に示すように乾燥を行った以外は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−３の製造方法と同様の製造方法で、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３−４を作製した。
<Preparation of organic EL element OLED3-4>
In the manufacturing method of the organic EL element OLED1-3, the material of each layer was changed to the material shown in Table 5 below, and the organic solvent remaining content of the organic layer was further dried as shown in Table 5 to be an organic EL element. Organic EL element OLED3-4 was produced with the manufacturing method similar to the manufacturing method of OLED1-3.
このようにして作製した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３−１〜３−４を、実施例１と同様に性能評価した。なお、発光輝度は有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤ３−１を１００とした時の相対値で表した。 The performance of the organic EL elements OLED3-1 to 3-4 produced in this manner was evaluated in the same manner as in Example 1. The light emission luminance is expressed as a relative value when the organic electroluminescence element OLED3-1 is 100.
表６の結果から明らかなように、本発明の有機ＥＬ素子は発光輝度に優れ、定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポットが少なく、更に高温、高湿下での経時安定性が高い素子であることがわかった。 As is apparent from the results in Table 6, the organic EL device of the present invention is excellent in light emission luminance, has little increase in voltage and dark spots when driven at a constant current, and has high stability over time at high temperature and high humidity. I found out that
実施例４
実施例２で作製した本発明の有機ＥＬ素子２−３と、実施例２で作製した本発明の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−３の燐光性化合物をＩｒ−１に換えた以外は、同様にして作製した緑色発光有機ＥＬ素子と、本発明の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−３の燐光性化合物をＩｒ−９に置き換えた以外は、同様にして作製した赤色発光有機ＥＬ素子を同一基板上に並置し、第４図に示すアクティブマトリックス方式フルカラー表示装置を作製した。第５図には作製したフルカラー表示装置の表示部Ａの模式図のみを示した。即ち、同一基板上に複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と並置した複数の画素３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。前記複数の画素３はそれぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリックス方式で駆動されており、走査線５から走査信号が印加されるとデータ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。このように各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
Example 4
Fabricated in the same manner except that the phosphorescent compound of the organic EL device 2-3 of the present invention produced in Example 2 and the organic EL device OLED2-3 of the present invention produced in Example 2 was replaced with Ir-1. The green light-emitting organic EL element and the red light-emitting organic EL element produced in the same manner except that the phosphorescent compound of the organic EL element OLED2-3 of the present invention was replaced with Ir-9 were juxtaposed on the same substrate. An active matrix type full-color display device shown in FIG. 4 was produced. FIG. 5 shows only a schematic diagram of the display section A of the produced full-color display device. That is, a plurality of pixels 3 (light emission color is a red region pixel, a green region pixel, a blue region pixel, etc.) juxtaposed with a wiring portion including a plurality of
フルカラー表示装置を駆動することにより、鮮明なフルカラー動画表示が得られた。 By driving the full-color display device, a clear full-color moving image display was obtained.
実施例５
《照明装置の作製》
実施例４で作製した青色発光、緑色発光及び赤色発光の有機ＥＬ素子各々の非発光面をガラスケースで覆い、照明装置とした。照明装置は発光効率が高く、発光寿命の長い白色光を発する薄型の照明装置として使用することができた。図８は照明装置の概略図で、図９は照明装置の断面図である。有機ＥＬ素子１０１をガラスカバー１０２で覆った。１０５は陰極で１０６は有機ＥＬ層、１０７は透明電極付きガラス基板である。なおガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。
Example 5
<Production of lighting device>
A non-light emitting surface of each of the blue, green, and red light emitting organic EL elements produced in Example 4 was covered with a glass case to obtain a lighting device. The lighting device has high luminous efficiency and can be used as a thin lighting device that emits white light with a long emission life. FIG. 8 is a schematic view of the lighting device, and FIG. 9 is a cross-sectional view of the lighting device. The
実施例６
〈有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ６−１の作製〉
実施例１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−３を作製した条件と同じ条件で、下記表７に示す材料及び膜厚構成の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ６−１を作製した。表７中の％は質量比（％）を表す。
Example 6
<Preparation of organic EL element OLED6-1>
An organic EL element OLED6-1 having a material and a film thickness configuration shown in Table 7 below was manufactured under the same conditions as the conditions for manufacturing the organic EL element OLED1-3 of Example 1. % In Table 7 represents a mass ratio (%).
有機層の有機溶媒含有量は１５ｐｐｍとなるよう乾燥条件を調整した。次いで、その上に厚さ２００ｎｍのアルミニウムを蒸着した。封止にあたっては、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１と同様にガスバリア層を有する基材１を貼りつけた。 The drying conditions were adjusted so that the organic solvent content of the organic layer was 15 ppm. Next, aluminum having a thickness of 200 nm was deposited thereon. In sealing, the base material 1 which has a gas barrier layer was affixed similarly to organic EL element OLED1-1.
得られた有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ６−１を実施例５と同様に図８に示すような照明装置とした。照明装置は発光効率が高く、発光寿命の長い白色光を発する薄型の照明装置として使用することができた。 The obtained organic EL element OLED6-1 was used as an illumination device as shown in FIG. The lighting device has high luminous efficiency and can be used as a thin lighting device that emits white light with a long emission life.
次いで、ディスプレイ用として市販されているカラーフィルターを組み合わせた際の色再現域を評価した。有機ＥＬ素子６−１とカラーフィルターの組み合わせにおいて、色再現域が広く、色再現性において優れた性能を有することが確認された。 Subsequently, the color gamut when the color filter marketed for displays was combined was evaluated. It was confirmed that the combination of the organic EL element 6-1 and the color filter has a wide color gamut and excellent performance in color reproducibility.
３０ プラズマ放電処理室
３５ ロール電極
３６ 電極
４１、４２ 電源
５１ ガス供給装置
５５ 電極冷却ユニット
１００ ＩＴＯ基板
１１１ 正孔輸送層
１１２ 電子輸送層
１１３ 陰極
１１４ ガスバリア膜
１０ インクジェット式ヘッド
Ｄ 液滴
１ ディスプレイ
３ 画素
５ 走査線
６ データ線
７ 電源ライン
１０ 有機ＥＬ素子
１１ スイッチングトランジスタ
１２ 駆動トランジスタ
１３ コンデンサ
Ａ 表示部
Ｂ 制御部
１０７ 透明電極付きガラス基板
１０６ 有機ＥＬ層
１０５ 陰極
１０２ ガラスカバー
１０８ 窒素ガス
１０９ 捕水剤
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