JP2007025382A - 光導波路、光導波路の製造方法及び光導波路モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】反り等の変形を抑制した光導波路を提供する。
【解決手段】光導波路1Aは、コア2a〜2cと、コア2a〜2cを覆うクラッド3を備えた平面型の光導波路で、コア2a〜2cの並ぶ方向に対向する左右の側端面4Sに応力緩和溝5Aを備える。応力緩和溝5Aはコア2a〜2cの非形成位置に形成され、クラッド3を構成するオーバークラッド層3bに上端面からアンダークラッド3aの下端面まで到達し、光導波路1Aの側端面4Sに開口を有した形状である。光導波路1Aに生じた内部応力は、応力緩和溝5Aが変形することで緩和され、光導波路1A全体が反る等の変形が抑制される。
【選択図】 図1
【解決手段】光導波路1Aは、コア2a〜2cと、コア2a〜2cを覆うクラッド3を備えた平面型の光導波路で、コア2a〜2cの並ぶ方向に対向する左右の側端面4Sに応力緩和溝5Aを備える。応力緩和溝5Aはコア2a〜2cの非形成位置に形成され、クラッド3を構成するオーバークラッド層3bに上端面からアンダークラッド3aの下端面まで到達し、光導波路1Aの側端面4Sに開口を有した形状である。光導波路1Aに生じた内部応力は、応力緩和溝5Aが変形することで緩和され、光導波路1A全体が反る等の変形が抑制される。
【選択図】 図1
Description
本発明は、コアをクラッドで覆った平面型の光導波路、この光導波路の製造方法及びこの光導波路を備えた光導波路モジュールに関する。詳しくは、コアの非形成位置に応力緩和溝を備えることで、光導波路が反る等の変形を抑制できるようにしたものである。
従来より、電子機器内のボード間、チップ間等の情報伝達は電気信号により行われてきたが、更に超高速、大容量の情報伝送を実現するために、光配線技術が注目されており、光配線技術として平面型の光導波路を用いた導波路型の光モジュールが提案されている。
導波路型の光モジュールを構成する平面型の光導波路は、1本あるいは複数本のコアをクラッドで覆い、光をコアに閉じ込めて伝搬できるようにした構成であり、シリコン等の基板上に形成される。
従来の光導波路では、基板と導波路間で生じた応力、及び導波路内部に生じた応力を緩和するために、基板と光導波路の熱膨張率の間の熱膨張率を有する材料からなる接着層を基板と光導波路の間に設ける技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
また、コアに生じる内部応力を低減するために、コアの断面形状を三角形状にする技術が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
従来の平面型の光導波路は、基板上に導波路層を作製し、基板と一体に使用する構成であった。これに対して、ウェハ基板上にシート状の導波路層を作成し、導波路シートをウェハ基板から剥離してフィルム化した光導波路を作製する技術が提案されている。
しかし、導波路作製時の熱処理により導波路シートに内部応力が生じ、ウェハ基板から剥離する際に導波路全体が反る等の変形を起こすという問題がある。
図16は従来の問題を示す説明図である。フィルム化した光導波路101を作製する工程では、シリコン等のウェハ基板102上にコア及びクラッドを構成する層を積層形成する。光導波路101を構成する材料と、ウェハ基板102を構成する材料の熱収縮率の差を図16(a)に矢印の長さで示す。矢印aは光導波路101の熱収縮率を模式的に示し、矢印bはウェハ基板102の熱収縮率を模式的に示している。
通常、光導波路101を構成する材料の方がウェハ基板102を構成する材料より熱収縮率が大きいので、製造工程中の熱処理等によって光導波路101には収縮しようとする内部応力が生じる。
また、光導波路101のコア101aを構成する材料と、クラッド101bを構成する材料の熱収縮率の差を図16(b),(c)に矢印の長さで示す。矢印cはコア101aの熱収縮率を模式的に示し、矢印dはクラッド101bの熱収縮率を模式的に示している。図16(b),(c)に示すようにコア101aを構成する材料と、クラッド101bを構成する材料の間でも熱収縮率が異なるので、製造工程中の熱処理等によって光導波路101には内部応力が生じる。
光導波路101に生じた内部応力は、光導波路101をウェハ基板102から剥離することで緩和されるが、各部の熱収縮率の違いから、導波路全体に反りが発生するという問題が生じた。
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、反り等の変形を抑制した光導波路、光導波路の製造方法及び光導波路モジュールを提供することを目的とする。
上述した課題を解決するため、本発明に係る光導波路は、少なくとも1本のコアとコアを覆うクラッドを備え、コアを光が伝搬される平面型の光導波路において、コアの非形成位置に、少なくも1本の応力緩和溝を備えたことを特徴とする。
本発明の光導波路では、製造工程で導波路内部に応力が生じた場合、応力が緩和される際には応力緩和溝の形成位置が収縮することで、光導波路全体が反る等の変形が抑制される。
本発明に係る光導波路の製造方法は、ウェハ基板上に、少なくとも1本のコアとクラッドを形成すると共に、コアの非形成位置に少なくとも1本の応力緩和溝を形成して導波路シートを作製し、導波路シートをウェハ基板から剥離して光導波路を作製することを特徴とする。
本発明の光導波路の製造方法では、熱処理の工程等で、ウェハ基板と導波路シートとの熱収縮率の違い、及び導波路シート内でのコアとクラッドとの熱収縮率の違い等により導波路シートに内部応力が生じる。導波路シートをウェハ基板から剥離すると、導波路シートに生じた内部応力が緩和されるが、応力緩和溝を形成した導波路シートをウェハ基板から剥離することで、内部応力が緩和される際には、応力緩和溝の形成位置が収縮して、光導波路全体が反る等の変形が抑制される。
本発明に係る光導波路モジュールは、上述した光導波路を備えたものであり、少なくとも1本のコアとコアを覆うクラッドを備え、コアを光が伝搬される平面型の光導波路と、コアと光学的に結合される光素子と光伝送経路の何れか、または光素子と光伝送経路の双方とを備えた光モジュールであって、光導波路は、コアの非形成位置に、少なくも1本の応力緩和溝を備えたことを特徴とする。
本発明の光導波路モジュールでは、光導波路のコアと光素子が結合され、光素子が発光素子であれば、光素子から出射された光はコアに入射して、コアを伝搬される。また、光素子が受光素子であれば、コアを伝搬された光が受光素子に入射する。
更に、光導波路のコアと光伝送経路が結合されていれば、コアを伝搬された光は光伝送経路に入射して、光伝送経路を伝搬され、また、光伝送経路を伝搬された光はコアに入射して、コアを伝搬される。
光素子や光伝送経路と結合される光導波路は、製造工程で内部応力が生じた場合、応力が緩和される際には応力緩和溝の形成位置が収縮することで、光導波路全体が反る等の変形は抑制され、光素子や光伝送経路との位置合わせが正確に行われる。
本発明の光導波路によれば、導波路内部に生じた応力を緩和する応力緩和溝をコアの非形成位置に備えたので、応力緩和溝の変形で内部応力を緩和することができ、導波路全体が反る等の変形を抑制することができる。
また、本発明の光導波路の製造方法によれば、ウェハ基板上に応力緩和溝を形成した導波路シートを作製し、導波路シートをウェハ基板から剥離して光導波路を作製するので、導波路シートをウェハ基板から剥離することにより、製造工程で導波路内部に生じた応力が緩和する際には、応力緩和溝の変形で内部応力を緩和することができ、反り等の変形が抑制された光導波路を製造できる。
更に、本発明の光導波路モジュールによれば、上述したように反り等の変形が抑制された光導波路を備えたことで、光素子や光伝送経路との結合効率を向上させることができると共に、光導波路での損失を低下させることができる。
また、光導波路をフィルム化することができるので、モジュールの小型化が可能である。更に、ウェア基板上で光導波路を作製することとすれば、大量生産が可能となり、低コスト化が可能である。
以下、図面を参照して本発明の光導波路、光導波路の製造方法及び光導波路モジュールの実施の形態について説明する。
<第1の実施の形態の光導波路の構成例>
図1は第1の実施の形態の光導波路の一例を示す構成図で、図1(a)は平面図、図1(b)は斜視図である。
図1は第1の実施の形態の光導波路の一例を示す構成図で、図1(a)は平面図、図1(b)は斜視図である。
第1の実施の形態の光導波路1Aは、複数本のコア2a〜2cと、各コア2a〜2cを覆うクラッド3を備える。光導波路1Aは、例えば感光性を有する紫外線硬化型のアクリル系高分子材料で構成され、クラッド3を構成するアンダークラッド層3a上に、本例では3本の直線状のコア2a〜2cが所定のピッチで並列に配置され、アンダークラッド層3a上のコア2a〜2cが、クラッド3を構成するオーバークラッド層3bで覆われた埋め込み型導波路である。
光導波路1Aは、各コア2a〜2cの屈折率が、アンダークラッド層3a及びオーバークラッド層3bの屈折率より若干大きくなるように構成され、コア2a〜2cに結合された光は、コア2a〜2cに閉じ込められて伝搬される。光導波路1Aでは、各コア2a〜2cのコア径は約40×40μm、アンダークラッド層3aの厚みは約40μm、オーバークラッド層3bのコア2a〜2cより上側の部分の厚みは約30μmとし、光導波路1Aの厚みは約110μmとした。
光導波路1Aは四角形状で、コア2a〜2cの並ぶ方向に対向する左右両側の側端面4Sに、応力緩和溝5Aを備える。応力緩和溝5Aの形成位置は、コア2a〜2cの非形成位置で、本例では、光導波路1Aの側端面4Sの中央部付近としてある。
応力緩和溝5Aの形状は、光導波路1Aの側端面4Sからコア2a〜2cの並び方向に沿って凹状となった直方体形状で、光導波路1Aの側端面4Sに開口を有すると共に、オーバークラッド層3bの上端面からアンダークラッド層3aの下端面まで到達している。これにより、応力緩和溝5Aの深さは、光導波路1Aの厚さと同等で、本例では約110μmである。
ここで、各応力緩和溝5Aの先端位置P1からコア2a及びコア2cまでの距離は、コア2a,2cから応力緩和溝5Aへの光の漏洩を防ぐのに十分な距離に設定されている。
光導波路1Aは、コア2a〜2cの延びる方向に沿った前端面4Fに、ファイバ挿入溝6を備える。ファイバ挿入溝6は直方体形状で、オーバークラッド層3bの上端面からアンダークラッド層3aの下端面まで到達している これにより、ファイバ挿入溝6の深さは、光導波路1Aの厚さと同等で、本例では約110μmである。
<第2の実施の形態の光導波路の構成例>
図2は第2の実施の形態の光導波路の一例を示す構成図である。
図2は第2の実施の形態の光導波路の一例を示す構成図である。
第2の実施の形態の光導波路1Bは、第1の実施の形態の光導波路1Aと同様に感光性のアクリル系高分子材料で構成され、所定のピッチで並列した3本のコア2a〜2cと、各コア2a〜2cを覆うクラッド3を備える。また、光導波路1Bは、コア2a〜2cの延びる方向に沿った前端面4Fに、ファイバ挿入溝6を備える。
光導波路1Bは、コア2a〜2cの並ぶ方向に対向する左右両側の側端面4Sに、応力緩和溝5Aを備える。応力緩和溝5Aの形成位置は、コア2a〜2cの非形成位置で、本例では、光導波路1Bの側端面4Sの中央部付近としてある。
応力緩和溝5Aの形状は、光導波路1Bの側端面4Sからコア2a〜2cの並び方向に沿って凹状となった直方体形状で、クラッド3上端面から下端面まで到達している。これにより、応力緩和溝5Aの深さは、光導波路1Bの厚さと同等で、本例では約110μmである。
光導波路1Bは、コア2a〜2cの延びる方向に沿った後端面4Rに、応力緩和溝5Bを備える。応力緩和溝5Bの形成位置は、コア2a〜2cの非形成位置で、本例では、並列したコア2aとコア2bの間、及びコア2bとコア2cの間としてある。
応力緩和溝5Bの形状は、光導波路1Bの後端面4Rからコア2a〜2cの延びる方向に沿って凹状となった直方体形状で、光導波路1Bの後端面4Rに開口を有すると共に、クラッド3の上端面から下端面まで到達している。これにより、応力緩和溝5Bの深さは、光導波路1Bの厚さと同等で、本例では約110μmである。
ここで、各応力緩和溝5Bの側面位置P2からコア2a〜コア2cまでの距離は、コア2a〜2cから応力緩和溝5Bへの光の漏洩を防ぐのに十分な距離に設定されている。
<第3の実施の形態の光導波路の構成例>
図3は第3の実施の形態の光導波路の一例を示す構成図である。
図3は第3の実施の形態の光導波路の一例を示す構成図である。
第3の実施の形態の光導波路1Cは、第1の実施の形態の光導波路1Aと同様に感光性のアクリル系高分子材料で構成され、所定のピッチで並列した3本のコア2a〜2cと、各コア2a〜2cを覆うクラッド3を備える。また、光導波路1Cは、コア2a〜2cの延びる方向に沿った前端面4Fに、ファイバ挿入溝6を備える。
光導波路1Cは、コア2a〜2cの並ぶ方向に対向する左右両側の側端面4Sに、応力緩和溝5Cを備える。応力緩和溝5Cの形成位置は、コア2a〜2cの非形成位置で、本例では、光導波路1Bの側端面4Sの中央部付近としてある。
応力緩和溝5Cの形状は、光導波路1Cの側端面4Sからコア2a〜2cの並び方向に沿って凹状となった三角柱形状で、光導波路1Cの側端面4Sに開口を有すると共に、クラッド3の上端面から下端面まで到達している。これにより、応力緩和溝5Cの深さは、光導波路1Cの厚さと同等で、本例では約110μmである。
光導波路1Cは、コア2a〜2cの延びる方向に沿った後端面4Rに、応力緩和溝5Dを備える。応力緩和溝5Dの形成位置は、コア2a〜2cの非形成位置で、本例では、並列したコア2aとコア2bの間、及びコア2bとコア2cの間としてある。
応力緩和溝5Dの形状は、光導波路1Cの後端面4Rからコア2a〜2cの延びる方向に沿って凹状となった三角柱形状で、光導波路1Cの後端面4Rに開口を有すると共に、クラッド3の上端面から下端面まで到達している。これにより、応力緩和溝5Dの深さは、光導波路1Cの厚さと同等で、本例では約110μmである。
なお、応力緩和溝5C及び応力緩和溝5Dでも、応力緩和溝5C,5Dの形成位置及び寸法は、コア2a〜2cからの光の漏洩を防ぐのに十分な距離が得られるように設定されている。
<第4の実施の形態の光導波路の構成例>
図4は第4の実施の形態の光導波路の一例を示す構成図で、図4(a)は平面図、図4(b)は斜視図である。
図4は第4の実施の形態の光導波路の一例を示す構成図で、図4(a)は平面図、図4(b)は斜視図である。
第4の実施の形態の光導波路1Dは、第1の実施の形態の光導波路1Aと同様に感光性のアクリル系高分子材料で構成され、所定のピッチで並列した3本のコア2a〜2cと、各コア2a〜2cを覆うクラッド3を備える。また、光導波路1Dは、コア2a〜2cの延びる方向に沿った前端面4Fに、ファイバ挿入溝6を備える。
光導波路1Dは、クラッド3を構成するアンダークラッド層3aの下部に、バッファークラッド層3cを備える。バッファークラッド層3cは補強層の一例で、コア2a〜2cを構成する材料もしくはクラッド3を構成する材料で構成され、アンダークラッド層3aの下面全体に形成される。ここで、バッファークラッド層3cは、本例ではクラッド3を構成する材料で構成した。また、バッファークラッド層3cの厚みは約20μmとした。
なお、第4の実施の形態の光導波路1Dにおける各部の寸法は、第1の実施の形態の光導波路1Aと同じであり、バッファークラッド層3cを含めた光導波路1Dの厚みは約130μmとなる。
光導波路1Dは、コア2a〜2cの並ぶ方向に対向する左右両側の側端面4Sに、応力緩和溝5Eを備える。応力緩和溝5Eの形成位置は、コア2a〜2cの非形成位置で、本例では、光導波路1Dの側端面4Sの中央部付近としてある。
応力緩和溝5Eの形状は、光導波路1Dの側端面4Sからコア2a〜2cの並び方向に沿って凹状となった直方体形状で、オーバークラッド層3bの上端面からバッファークラッド層3cの上端面まで到達している。
これにより、応力緩和溝5Eの深さは、光導波路1Dのアンダークラッド層3aからオーバークラッド層3bまでの厚さと同等で、本例では約110μmである。なお、応力緩和溝5Eの形成位置及び寸法は、コア2a〜2cからの光の漏洩を防ぐのに十分な距離が得られるように設定されている。
<第5の実施の形態の光導波路の構成例>
図5は第5の実施の形態の光導波路の一例を示す構成図である。第5の実施の形態の光導波路1Eは、第2の実施の形態の光導波路1Bに、バッファークラッド層3cを備えたものである。
図5は第5の実施の形態の光導波路の一例を示す構成図である。第5の実施の形態の光導波路1Eは、第2の実施の形態の光導波路1Bに、バッファークラッド層3cを備えたものである。
すなわち、光導波路1Eは、感光性のアクリル系高分子材料で構成され、所定のピッチで並列した3本のコア2a〜2cと、各コア2a〜2cを覆うクラッド3を備える。また、光導波路1Eは、コア2a〜2cの延びる方向に沿った前端面4Fに、ファイバ挿入溝6を備える。更に、光導波路1Eは、クラッド3の下部にバッファークラッド層3cを備える。
なお、第5の実施の形態の光導波路1Eにおける各部の寸法は、第1の実施の形態の光導波路1Aと同じであり、光導波路1Eにおいてバッファークラッド層3cの厚みを約20μmとすることで、バッファークラッド層3cを含めた光導波路1Eの厚みは約130μmとなる。
光導波路1Eは、コア2a〜2cの並ぶ方向に対向する左右両側の側端面4Sに、応力緩和溝5Eを備える。応力緩和溝5Eの形成位置は、コア2a〜2cの非形成位置で、本例では、光導波路1Eの側端面4Sの中央部付近としてある。
応力緩和溝5Eの形状は、光導波路1Eの側端面4Sからコア2a〜2cの並び方向に沿って凹状となった直方体形状で、クラッド3の上端面からバッファークラッド層3cの上端面まで到達している。これにより、応力緩和溝5Eの深さは、光導波路1Eのクラッド3の厚さと同等である。
光導波路1Eは、コア2a〜2cの延びる方向に沿った後端面4Rに、応力緩和溝5Fを備える。応力緩和溝5Fの形成位置は、コア2a〜2cの非形成位置で、本例では、並列したコア2aとコア2bの間、及びコア2bとコア2cの間としてある。
応力緩和溝5Fの形状は、光導波路1Eの後端面4Rからコア2a〜2cの延びる方向に沿って凹状となった直方体形状で、クラッド3の上端面からバッファークラッド層3cの上端面まで到達している。
これにより、応力緩和溝5Fの深さは、クラッド3の厚さと同等で、応力緩和溝5E及び応力緩和溝5Fの深さは約110μmである。なお、応力緩和溝5E,5Fの形成位置及び寸法は、コア2a〜2cからの光の漏洩を防ぐのに十分な距離が得られるように設定されている。
<第6の実施の形態の光導波路の構成例>
図6は第6の実施の形態の光導波路の一例を示す構成図である。第6の実施の形態の光導波路1Fは、第3の実施の形態の光導波路1Cに、バッファークラッド層3cを備えたものである。
図6は第6の実施の形態の光導波路の一例を示す構成図である。第6の実施の形態の光導波路1Fは、第3の実施の形態の光導波路1Cに、バッファークラッド層3cを備えたものである。
すなわち、光導波路1Fは、感光性のアクリル系高分子材料で構成され、所定のピッチで並列した3本のコア2a〜2cと、各コア2a〜2cを覆うクラッド3を備える。また、光導波路1Fは、コア2a〜2cの延びる方向に沿った前端面4Fに、ファイバ挿入溝6を備える。更に、光導波路1Fは、クラッド3の下部にバッファークラッド層3cを備える。
なお、第6の実施の形態の光導波路1Fにおける各部の寸法は、第1の実施の形態の光導波路1Aと同じであり、光導波路1Fにおいてバッファークラッド層3cの厚みを約20μmとすることで、バッファークラッド層3cを含めた光導波路1Fの厚みは約130μmとなる。
光導波路1Fは、コア2a〜2cの並ぶ方向に対向する左右両側の側端面4Sに、応力緩和溝5Gを備える。応力緩和溝5Gの形成位置は、コア2a〜2cの非形成位置で、本例では、光導波路1Fの側端面4Sの中央部付近としてある。
応力緩和溝5Gの形状は、光導波路1Fの側端面4Sからコア2a〜2cの並び方向に沿って凹状となった三角柱形状で、クラッド3の上端面からバッファークラッド層3cの上端面まで到達している。
光導波路1Fは、コア2a〜2cの延びる方向に沿った後端面4Rに、応力緩和溝5Hを備える。応力緩和溝5Hの形成位置は、コア2a〜2cの非形成位置で、本例では、並列したコア2aとコア2bの間、及びコア2bとコア2cの間としてある。
応力緩和溝5Hの形状は、光導波路1Fの後端面4Rからコア2a〜2cの延びる方向に沿って凹状となった三角柱形状で、クラッド3の上端面からバッファークラッド層3cの上端面まで到達している。
これにより、応力緩和溝5G及び応力緩和溝5Hの深さは、光導波路1Fのクラッド3の厚さと同等で、本例では約110μmである。なお、応力緩和溝5G,5Hの形成位置及び寸法は、コア2a〜2cからの光の漏洩を防ぐのに十分な距離が得られるように設定されている。
<第1の実施の形態の光導波路モジュールの構成例>
上述した第1の実施の形態の光導波路1A、第2の実施の形態の光導波路1B及び第3の実施の形態の光導波路1Cは、光信号の送信、光信号の受信もしくは光信号の送受信を行う光導波路モジュールを構成する。次に、光導波路の一例として第1の実施の形態の光導波路1Aを備えた光導波路モジュールについて説明する。
上述した第1の実施の形態の光導波路1A、第2の実施の形態の光導波路1B及び第3の実施の形態の光導波路1Cは、光信号の送信、光信号の受信もしくは光信号の送受信を行う光導波路モジュールを構成する。次に、光導波路の一例として第1の実施の形態の光導波路1Aを備えた光導波路モジュールについて説明する。
図7は第1の実施の形態の光導波路モジュールの一例を示す構成図で、図7(a)は平面図、図7(b)は図7(a)のA−A断面図である。
第1の実施の形態の光導波路モジュール11Aは、図1で説明した光導波路1Aと、光導波路1Aと結合する光素子としての面型発光素子12及び面型受光素子13と、光導波路1Aと結合する光伝送経路としての光ファイバ14を備える。また、光導波路モジュール11Aは、光導波路1Aと、面型発光素子12と、面型受光素子13と、光ファイバ14が実装される実装基板15とを備える。
光導波路1Aは、上述したように感光性のアクリル系高分子材料で構成され、所定のピッチで並列した直線状の3本のコア2a〜2cと、各コア2a〜2cを覆うクラッド3を備える。
光導波路1Aは、クラッド3を構成するアンダークラッド層3aとオーバークラッド層3bでコア2a〜2cを覆った埋め込み型導波路で、コア2a〜2cの屈折率が、アンダークラッド層3a及びオーバークラッド層3bの屈折率より若干大きくなるように構成され、コア2a〜2cに結合された光は、コア2a〜2cに閉じ込められて伝搬される。
光導波路1Aは四角形状で、コア2a〜2cの並ぶ方向に対向する左右両側の側端面4Sに、応力緩和溝5Aを備える。応力緩和溝5Aは、光導波路1Aの側端面4Sからコア2a〜2cの並び方向に沿って凹状となった直方体形状で、オーバークラッド層3bの上端面からアンダークラッド層3aの下端面まで到達している。これにより、応力緩和溝5Aの深さは、光導波路1Aの厚さと同等である。ここで、応力緩和溝5Aの形成位置は、光導波路1Aの側端面4Sの中央部付近としてある。
また、光導波路1Aは、コア2a〜2cの延びる方向に沿った前端面4Fに、ファイバ挿入溝6を備える。ファイバ挿入溝6は直方体形状で、光導波路1Aに結合する光ファイバ14の直径と同等の幅を有する。本例では、光ファイバ14として、基本モードと少なくとも1つ以上の高次のモードが伝搬されるマルチモードの光ファイバが用いられるので、光ファイバ14の直径は約125μmである。このため、ファイバ挿入溝6の幅は上述したように約130μmとした。
光導波路1Aは、各コア2a〜2cが交差する後端面に、傾斜端面16を備える。傾斜端面16は、光導波路1Aの面に対して略45度の傾斜を有した斜面で、各コア2a〜2cの端面が露出して反射面17が形成される。反射面17は、各コア2a〜2cの端面が傾斜端面16と同一面に露出することで形成され、各コア2a〜2cの延びる方向に対して略45度の傾斜を有する。
実装基板15は、例えばシリコン(Si)で構成され、表面に光導波路1Aが実装される。また、実装基板15は、面型発光素子12と面型受光素子13の実装位置に素子搭載凹部18が形成されて、光導波路1Aの傾斜端面16の下側に、面型発光素子12と面型受光素子13が実装される空間が形成される。
面型発光素子(VCSEL)12は、光導波路1Aの本例ではコア2aとコア2cの反射面17に対向して、実装基板15の素子搭載凹部18に実装され、各面型発光素子12は、それぞれ反射面17を通してコア2a,2cと光学的に結合する。面型発光素子12は、図示しないドライバIC(Integrated Circuit)と接続され、ドライバICから入力された電気信号を光信号に変換して出射する。
また、面型受光素子(PD)13は、光導波路1Aの本例ではコア2bの反射面17に対向して、実装基板15の素子搭載凹部18に実装され、面型受光素子13は、反射面17を通してコア2bと光学的に結合する。面型受光素子13は、図示しないレシーバICに接続され、入射した光信号を電気信号に変換して、レシーバICに出力する。
光ファイバ14は、ファイバ挿入溝6に挿入されて光導波路1Aに接続される。ファイバ挿入溝6は、光ファイバ14が挿入されると、光ファイバ14のコア14aと光導波路1Aの対応するコア2(a〜c)が光学的に結合するように、形成位置等が設定される。
ここで、光導波路モジュール11Aの製造工程では、実装基板15の素子搭載凹部18に面型発光素子12及び面型受光素子13を実装した後に、光導波路1Aを接着等により実装基板15に実装している。面型発光素子12及び面型受光素子13の実装工程では、電気的な接続のために半田等が利用される。このため、光導波路1Aの実装工程を面型発光素子12及び面型受光素子13の実装工程の後にして、光導波路1Aが面型発光素子12及び面型受光素子13の実装工程で加わる熱の影響を受けないようにしてある。
なお、光導波路1Aを実装基板15に実装する際に、面型発光素子12及び面型受光素子13との位置合わせを画像認識等を利用してパッシブアライメントで行うため、光導波路1Aには基準位置を示すマーカ19が形成されている。
<第1の実施の形態の光導波路モジュールの動作例>
次に、第1の実施の形態の光導波路モジュール11Aの動作例について説明する。面型発光素子12は、図示しないドライバICから入力された電気信号を光信号に変換して出射する。
次に、第1の実施の形態の光導波路モジュール11Aの動作例について説明する。面型発光素子12は、図示しないドライバICから入力された電気信号を光信号に変換して出射する。
各面型発光素子12から出射される光信号は、実装基板15に対して略垂直な向きで出射され、光導波路1Aの下面から入射する。一方の面型発光素子12から出射され、光導波路1Aの下面から略垂直に入射した光信号は、反射面17で反射してコア2aに結合されて、コア2aを伝搬される。また、他方の面型発光素子12から出射され、光導波路1Aの下面から略垂直に入射した光信号は、反射面17で反射してコア2cに結合されて、コア2cを伝搬される。そして、コア2a及びコア2cを伝播された光信号は、図示しない対向装置で受信される。
これに対して、図示しない対向装置から出力され、コア2bを伝搬される光信号は、反射面17で反射して、光導波路1Aの下面から略垂直に出射する。そして、光導波路1Aの下面から略垂直に出射した光信号は、面型受光素子13に入射し、電気信号に変換される。そして、面型受光素子13から出力される電気信号は、図示しないレシーバICに伝送される。
これにより、光導波路モジュール1Aは、面型発光素子12からの光信号を光導波路1Aの2本のコア2a,2cを通して送信する機能と、1本のコア2bから入力された光信号を面型受光素子13で受信する機能を備えたパラレル送受信モジュールとして機能する。
<第1の実施の形態の光導波路の製造工程例>
バッファークラッド層を備えていない上述した第1の実施の形態の光導波路1A、第2の実施の形態の光導波路1B及び第3の実施の形態の光導波路1Cは、同じフォトリソグラフィプロセスにより応力緩和溝5を備えて作製される。
バッファークラッド層を備えていない上述した第1の実施の形態の光導波路1A、第2の実施の形態の光導波路1B及び第3の実施の形態の光導波路1Cは、同じフォトリソグラフィプロセスにより応力緩和溝5を備えて作製される。
図8〜図10は第1の実施の形態の光導波路の製造工程の一例を示す説明図で、以下に、バッファークラッド層を備えていない光導波路の製造工程について説明する。
まず、図8(a)に示すように、アンダークラッド層3aを構成する感光性の高分子材料により、シリコン(Si)等のウェハ基板21上にアンダークラッド形成薄膜22aを所定の膜厚で塗布する。本例では、コア2(a〜c)と、アンダークラッド層3a及びオーバークラッド層3bを構成する高分子材料として、紫外線硬化型のアクリル系高分子材料を用いる。
次に、応力緩和溝5(A〜D)及びファイバ挿入溝6のパターンが形成されたマスク23を介してアンダークラッド形成薄膜22aに紫外線(UV)を照射し、応力緩和溝5及びファイバ挿入溝6を形成する部位以外のアンダークラッド形成薄膜22aを硬化させる。
そして、図8(b)に示すように、例えば溶液現像によって、応力緩和溝5及びファイバ挿入溝6の形成部位24を除去し、熱処理を行って、アンダークラッド層3aを形成する。ここで、溶液現像で使用される現像液としては、例えばTMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide)水溶液を使用する。次に、アンダークラッド層3a上の所定の位置に、図7で説明したマーカ19を蒸着等により形成する。
次に、図8(c)に示すように、ウェハ基板21上に形成されたアンダークラッド層3a上に、コア2を構成する感光性の高分子材料により、コア形成薄膜25を所定の膜厚で塗布する。コア2を構成する高分子材料は、アンダークラッド層3a及びオーバークラッド層3bを構成する高分子材料より若干屈折率が大きい材料を用いる。
次に、コア2のパターンが形成されたマスク26を介してコア形成薄膜25に紫外線を照射し、コア2を形成する部位のコア形成薄膜25を硬化させる。そして、図9(a)に示すように、溶液現像によって、コア2の形成部位以外を除去し、熱処理を行って、図1に示すような所定のパターンでコア2を形成する。
次に、図9(b)に示すように、ウェハ基板21上に形成されたアンダークラッド層3a及びコア2上に、オーバークラッド層3bを構成する感光性の高分子材料により、オーバークラッド形成薄膜22bを所定の膜厚で塗布する。
次に、応力緩和溝5及びファイバ挿入溝6のパターンが形成されたマスク23を介してオーバークラッド形成薄膜22bに紫外線を照射し、応力緩和溝5及びファイバ挿入溝6を形成する部位以外のオーバークラッド形成薄膜22bを硬化させる。そして、図9(c)に示すように、溶液現像によって、応力緩和溝5及びファイバ挿入溝6の形成部位を除去し、熱処理を行って、オーバークラッド層3bを形成する。
これにより、コア2が所定のパターンで形成されると共に、応力緩和溝5及びファイバ挿入溝6が形成された導波路シート27Aが、ウェハ基板21上に作製される。
次に、図10(a)及び図10(b)に示すように、導波路シート27Aをダイシングによりカットする。ここで、図7で示した反射面17を形成する場合は、ミラーカット位置C1は、断面形状がV字型の刃部を有する図示しないミラーカットブレードでカットする。これにより、ミラーカット位置C1では、図10(a)に示すように、コア2を横切って導波路シート27Aの端面が略45度の傾斜でカットされて、反射面17を有する傾斜端面16が形成される。
傾斜端面16を形成しない他の分割カット位置C2は、断面形状が垂直な刃部を有する図示しないダイシングブレードによりカットする。これにより、分割カット位置C2では、導波路シート27Aの端面が略90度にカットされて、導波路シート27Aがバッファークラッド層を備えていない光導波路1A〜1C、例えば光導波路1Aとして分割される。なお、図10(b)において、1枚のウェハ基板上に形成される光導波路1Aの数は一例である。
次に、光導波路1Aとして分割された導波路シート27Aをウェハ基板21から剥離する。これにより、例えば図7に示すように、コア2が所定のパターンで形成されると共に、応力緩和溝5及びファイバ挿入溝6と、反射面17を有する傾斜端面16が形成された光導波路1Aが作製される。
<第2の実施の形態の光導波路の製造工程例>
バッファークラッド3c層を備えた上述した第4の実施の形態の光導波路1D、第5の実施の形態の光導波路1E及び第6の実施の形態の光導波路1Fは、同じフォトリソグラフィプロセスにより応力緩和溝5を備えて作製される。
バッファークラッド3c層を備えた上述した第4の実施の形態の光導波路1D、第5の実施の形態の光導波路1E及び第6の実施の形態の光導波路1Fは、同じフォトリソグラフィプロセスにより応力緩和溝5を備えて作製される。
図11〜図13は第2の実施の形態の光導波路の製造工程の一例を示す説明図で、以下に、バッファークラッド層を備えた光導波路の製造工程について説明する。
まず、図11(a)に示すように、バッファークラッド層3cを構成する紫外線硬化型のアクリル系高分子材料により、ウェハ基板21上にバッファークラッド形成薄膜22cを所定の膜厚で塗布する。バッファークラッド層3cは、コア2を構成する材料で構成しても良いし、クラッド3を構成する材料で構成しても良いが、本例では、クラッド3を構成する材料で構成する。
次に、バッファークラッド形成薄膜22cに紫外線(UV)を照射して硬化させ、熱処理を行って、図11(b)に示すように、バッファークラッド層3cを形成する。次に、バッファークラッド層3c上の所定の位置に、図7で説明したマーカ19を蒸着等により形成する。
次に、図11(c)に示すように、ウェハ基板21上に形成されたバッファークラッド層3c上に、アンダークラッド層3aを構成する感光性の高分子材料により、アンダークラッド形成薄膜22aを所定の膜厚で塗布する。
次に、応力緩和溝5(E〜H)及びファイバ挿入溝6のパターンが形成されたマスク23を介してアンダークラッド形成薄膜22aに紫外線を照射し、応力緩和溝5及びファイバ挿入溝6を形成する部位以外のアンダークラッド形成薄膜22aを硬化させる。
そして、図11(d)に示すように、例えば溶液現像によって、応力緩和溝5及びファイバ挿入溝6の形成部位24を除去し、熱処理を行って、アンダークラッド層3aを形成する。
次に、図11(e)に示すように、バッファークラッド層3c上に形成されたアンダークラッド層3a上に、コア2を構成する感光性の高分子材料により、コア形成薄膜25を所定の膜厚で塗布する。
次に、コア2のパターンが形成されたマスク26を介してコア形成薄膜25に紫外線を照射し、コア2を形成する部位のコア形成薄膜25を硬化させる。そして、図12(a)に示すように、溶液現像によって、コア2の形成部位以外を除去し、熱処理を行って、図4に示すような所定のパターンでコア2を形成する。
次に、図12(b)に示すように、バッファークラッド層3c上に形成されたアンダークラッド層3a及びコア2上に、オーバークラッド層3bを構成する感光性の高分子材料により、オーバークラッド形成薄膜22bを所定の膜厚で塗布する。
次に、応力緩和溝5及びファイバ挿入溝6のパターンが形成されたマスク23を介してオーバークラッド形成薄膜22bに紫外線を照射し、応力緩和溝5及びファイバ挿入溝6を形成する部位以外のオーバークラッド形成薄膜22bを硬化させる。そして、図12(c)に示すように、溶液現像によって、応力緩和溝5及びファイバ挿入溝6の形成部位を除去し、熱処理を行って、オーバークラッド層3bを形成する。
これにより、コア2が所定のパターンで形成されると共に、バッファークラッド層3cより上側に応力緩和溝5及びファイバ挿入溝6が形成された導波路シート27Bが、ウェハ基板21上に作製される。
次に、図13(a)及び図13(b)に示すように、導波路シート27Bをダイシングによりカットする。ここで、図7で示した反射面17を形成する場合は、ミラーカット位置C1は、断面形状がV字型の刃部を有する図示しないミラーカットブレードでカットする。これにより、ミラーカット位置C1では、図13(a)に示すように、コア2を横切って導波路シート27Bの端面が略45度の傾斜でカットされて、反射面17を有する傾斜端面16が形成される。
傾斜端面16を形成しない他の分割カット位置C2は、断面形状が垂直な刃部を有する図示しないダイシングブレードによりカットする。これにより、分割カット位置C2では、導波路シート27Bの端面が略90度にカットされて、導波路シート27Bがバッファークラッド層3cを備えた光導波路1D〜1F、例えば光導波路1Dとして分割される。なお、図13(b)において、1枚のウェハ基板上に形成される光導波路1Dの数は一例である。
次に、光導波路1Dとして分割された導波路シート27Bをウェハ基板21から剥離する。これにより、例えば図4に示すように、コア2が所定のパターンで形成されると共に、応力緩和溝5及びファイバ挿入溝6が形成された光導波路1Dが作製される。
<本発明を適用した光導波路と従来の光導波路の対比>
次に、本発明の実施例として、応力緩和溝を有した光導波路を上述した製造工程で作製すると共に、従来の光導波路を同じ製造工程で作製し、比較を行った。
次に、本発明の実施例として、応力緩和溝を有した光導波路を上述した製造工程で作製すると共に、従来の光導波路を同じ製造工程で作製し、比較を行った。
図14は光導波路の実施例を示す構成図である。図14(a)に示す実施例1の光導波路1Aは、図1で説明した第1の実施の形態の光導波路の具体例であって、側端面に直方体形状の応力緩和溝5Aを備えたものである。
光導波路1Aにおいてコア2の延びる方向に沿った縦方向の寸法とコア2の並ぶ方向に沿った横方向の寸法は、約8000×8000μmとした。また、応力緩和溝5Aの幅は約130μmとし、奥行き方向の長さは約1000μmとした。
更に、各コア2のピッチは2500μmとした。また、ファイバ挿入溝6の幅は、結合される光ファイバの直径に合わせて約130μmとした。更に、ファイバ挿入溝6の光導波路1Aの奥行き方向の長さは約3000μmとした。
図14(b)に示す実施例2の光導波路1Bは、図2で説明した第2の実施の形態の光導波路の具体例であって、側端面に直方体形状の応力緩和溝5Aを備えると共に、後端面に直方体形状の応力緩和溝5Bを備えたものであり、応力緩和溝5Bの幅は約130μmとし、奥行き方向の長さは約1000μmとした。他の寸法は実施例1と同じとした。
図14(b)に示す実施例2の光導波路1Bは、図2で説明した第2の実施の形態の光導波路の具体例であって、側端面に直方体形状の応力緩和溝5Aを備えると共に、後端面に直方体形状の応力緩和溝5Bを備えたものであり、応力緩和溝5Bの幅は約130μmとし、奥行き方向の長さは約1000μmとした。他の寸法は実施例1と同じとした。
図14(c)に示す実施例3の光導波路1Cは、図3で説明した第3の実施の形態の光導波路の具体例であって、側端面に三角柱形状の応力緩和溝5Cを備えると共に、後端面に三角柱形状の応力緩和溝5Dを備えたものであり、横断面形状が三角形の応力緩和溝5C及び応力緩和溝5Dの幅の最も広い底辺部分の幅は約100μmとし、奥行き方向の長さは約100μmとした。他の寸法は実施例1と同じとした。
図14(d)に示す実施例4の光導波路1Dは、図4で説明した第4の実施の形態の光導波路の具体例であって、実施例1の光導波路1Aにバッファークラッド層3cを備えたものであり、各部の寸法は実施例1と同じとした。
図14(e)に示す実施例5の光導波路1Eは、図5で説明した第5の実施の形態の光導波路の具体例であって、実施例1の光導波路1Aにバッファークラッド層3cを備えたものであり、各部の寸法は実施例1と同じとした。
図14(f)に示す実施例6の光導波路1Fは、図6で説明した第6の実施の形態の光導波路の具体例であって、実施例1の光導波路1Aにバッファークラッド層3cを備えたものであり、各部の寸法は実施例1と同じとした。
上述した各実施の形態の光導波路1(A〜F)に対して、従来の光導波路として以下に示す比較例の光導波路を作製し、製造工程時における反り等の変形の発生の有無を比較した。
図15は比較例の光導波路を示す構成図である。図15(a)に示す比較例1の光導波路51Aは、実施例1の光導波路1Aにおいて、応力緩和溝を非形成としたものである。また、バッファークラッド層も備えていない。比較例1の光導波路51Aでは、各コア2に対応してファイバ挿入溝6は形成されており、ファイバ挿入溝6は、クラッド3の上端面から下端面まで到達している。比較例1の光導波路51Aにおいて、各部の寸法は実施例1と同じとした。
図15(b)に示す比較例2の光導波路51Bは、実施例4の光導波路1Dにおいて、応力緩和溝を非形成としたものである。これにより、比較例2の光導波路51Bでは、クラッド3の下面にバッファークラッド層3cを備えている。更に、第2の比較例の光導波路51Bでは、各コア2に対応してファイバ挿入溝6が形成されており、ファイバ挿入溝6は、クラッド3の上端面からバッファークラッド層3cの上端面まで到達している。比較例2の光導波路51Bにおいて、各部の寸法は実施例1と同じとした。
バッファークラッド層を備えない実施例1〜3の光導波路1A〜1Cと、比較例1の光導波路51Aを、図8〜図10で説明した製造工程で製造し、バッファークラッド層3cを備えた実施例4〜6の光導波路1D〜1Fと、比較例2の光導波路51Bを、図11〜図13で説明した製造工程で製造した場合の、各光導波路での反り等の変形の有無を検証した。
実施例1〜6の光導波路1A〜1F及び比較例1,2の光導波路51A,51Bを、上述した製造工程によって作製すると、コア2及びクラッド3を構成する高分子材料と、コア2及びクラッド3を積層形成するウェハ基板21では、熱収縮率が異なるので、コア2及びクラッド3をウェハ基板21上に作製する工程で、熱処理を行うことにより、ウェハ基板21上に作製した導波路シート27(A,B)には内部応力が生じる。
このため、導波路シート27をダイシング等で分割して作製した各光導波路1を、ウェハ基板21から剥離する工程で、光導波路1がウェハ基板21から剥離され、内部応力が緩和される際には、コア2を構成する材料とクラッド3を構成する材料で熱収縮率が異なることから、光導波路1が変形しようとする。
実施例1〜6の光導波路1A〜1Fでは、応力緩和溝5(A〜H)を備えたことで、応力が緩和される際には応力緩和溝5の形成位置が収縮することで、光導波路1全体の変形は抑制される。各実施例1〜6の光導波路1A〜1Fでは、応力緩和溝5が導波路端面に開口を有した形状であるので、応力緩和溝5が変形し易い構成であり、光導波路1で生じた内部応力を応力緩和溝5の形成位置で十分に緩和することができる。
また、応力緩和溝5を導波路端面に形成することで、応力緩和溝5とコア2との距離を十分に開けることができるので、コア2から応力緩和溝5への光の漏れが発生することも無かった。
これに対して、応力緩和溝を非形成とした比較例の光導波路51A,51Bでは、光導波路51をウェハ基板21から剥離することで、内部応力が緩和される際には、コア2を構成する材料とクラッド3を構成する材料の熱収縮率の違いから、光導波路51の全体が収縮して、光導波路51が全体として反った形状となった。
上述した実施例1〜実施例6の光導波路1A〜1Fと、比較例1,2の光導波路51A,51Bの反りの発生の有無を評価した結果を以下の表1に示す。
これに対して、応力緩和溝を形成していない比較例1,2の光導波路51A,51Bでは、反りが発生した。
光導波路に反りが発生すると、図7で説明したような光導波路モジュールを構成した際に、反射面17の傾斜角度が45度でなくなり、光素子とコア2との結合効率が低下する。また、コア2が曲がることで、伝搬損失が増加する。
これに対して、実施例1〜実施例6の光導波路1A〜1Fのように、反りの発生が抑制されることで、図7で説明したような光導波路モジュールを構成した際に、反射面17の傾斜角度が45度となり、光素子とコア2との結合効率が向上する。また、コア2が直線状となるので、伝搬損失が減少する。
以上のことから、フィルム化した光導波路1を使用して、結合効率が高く、かつ伝搬損失の少ない光モジュールを構成できる。また、図7に示すように、光導波路1の端面に反射面17を形成すれば、面型発光素子12や面型受光素子13等の光素子を光導波路1の下側に配置できるので、結合効率の低下や伝搬損失の増加を招くことなく、モジュールの小型化が可能である。
更に、フォトリソグラフィプロセスを用いて光導波路1を作製することが可能となるので、位置合わせのマーカ19を高精度に形成できる。これにより、光導波路1と、光導波路1を実装する実装基板15との位置合わせにマーカ19を利用すれば、画像認識等を利用したパッシブアライメントで光素子とコア2を容易に結合させることが可能であり、実装工程が簡単な作業で行えるようになる。
なお、バッファークラッド層3cを備えた実施例4〜6の光導波路1D〜1Fでは、応力緩和溝5E〜5Hの底部がバッファークラッド層3cで固定されるので、応力緩和溝5E〜5Hの周辺部分の強度が向上し、応力緩和溝の形成位置から光導波路が割れる等の問題の発生を抑制することができる。
<光導波路の変形例>
以上説明した各実施の形態の光導波路1A〜1Fの形状は、これに限るものではなく、コア2のパターンは、分岐部を有したり曲線部を有したパターンでも良い。
以上説明した各実施の形態の光導波路1A〜1Fの形状は、これに限るものではなく、コア2のパターンは、分岐部を有したり曲線部を有したパターンでも良い。
また、応力緩和溝5の形状は、製造工程時の内部応力を緩和することができる構成であれば、どのような形状でも良い。更に、応力緩和溝5の形成位置は、光導波路1の中央付近ではなく、端部付近でも良く、光導波路の端部でなく内側に形成しても良い。また、応力緩和溝5を光導波路1の1つの辺に対して形成する数は、1個でも複数個でも良い。更に、バッファークラッド層3cを備えた光導波路では、応力緩和溝5がバッファークラッド層3cの下端面まで到達する形状としても良い。
また、光導波路1を構成する材料は、アクリル系高分子材料に限るものではなく、エポキシ系高分子材料や、ポリイミド、その他例えばシロキサン構造(Si−O−Si)を有するような無機高分子材料でも良い。
更に、光導波路1の作製プロセスは、フォトリソグラフィプロセスに限定されるものではなく、例えば金型を用いて作製しても良い。
本発明は、電子機器のボード間やチップ間の光通信モジュールや、光ファイバを利用した通信ケーブルのコネクタ等に適用される。
1A〜1F・・・光導波路、2a,2b,2c・・・コア、3・・・クラッド、3a・・・アンダークラッド層、3b・・・オーバークラッド層、3c・・・アンダークラッド層、4F・・・前端面、4R・・・後端面、4S・・・側端面、5A〜5H・・・応力緩和溝、6・・・ファイバ挿入溝、11A・・・光導波路モジュール、12・・・面型発光素子、13・・・面型受光素子、14・・・光ファイバ、15・・・実装基板、16・・・傾斜端面、17・・・反射面、18・・・素子搭載凹部、19・・・マーカ、21・・・ウェハ基板
Claims (8)
- 少なくとも1本のコアと前記コアを覆うクラッドを備え、前記コアを光が伝搬される平面型の光導波路において、
前記コアの非形成位置に、少なくも1本の応力緩和溝を備えた
ことを特徴とする光導波路。 - 前記応力緩和溝は、導波路端面に開口を有して形成される
ことを特徴とする請求項1記載の光導波路。 - 前記応力緩和溝は、前記クラッドの上端面から下端面まで開口して形成される。
ことを特徴とする請求項1記載の光導波路。 - 前記クラッドは、前記応力緩和溝の下面に補強層を備えた
ことを特徴とする請求項1記載の光導波路。 - 前記コアと前記クラッドは、高分子材料で構成される
ことを特徴とする請求項1記載の光導波路。 - ウェハ基板上に、少なくとも1本のコアとクラッドを形成すると共に、前記コアの非形成位置に少なくとも1本の応力緩和溝を形成して導波路シートを作製し、前記導波路シートを前記ウェハ基板から剥離して光導波路を作製する
ことを特徴とする光導波路の製造方法。 - 少なくとも1本のコアと前記コアを覆うクラッドを備え、前記コアを光が伝搬される平面型の光導波路と、
前記コアと光学的に結合される光素子と光伝送経路の何れか、または光素子と光伝送経路の双方とを備えた光モジュールであって、
前記光導波路は、前記コアの非形成位置に、少なくも1本の応力緩和溝を備えた
ことを特徴とする光導波路モジュール。 - 前記光導波路は、前記コアの延びる方向に沿った端部に傾斜端面が形成され、前記傾斜端面に露出した前記コアの端面により反射面が形成されると共に、
前記光素子として、面型光素子が前記反射面と対向して配置された
ことを特徴とする請求項7記載の光導波路モジュール。
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