JP2007024817A - 放射線画像変換パネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、当該基板内の位置による温度の差をより小さく抑えることにより均一な輝尽性蛍光体層を形成することができる放射線画像変換パネルの製造方法と輝度分布の均一性及び画像欠陥数が大幅に改良された放射線画像変換パネルを提供する。
【解決手段】当該基板１を粘着シート１０２と断熱材１３０を介して金属ブロック１０３に密着させ、蒸着装置内の基板支持体に設置後、気相成長法により当該基板表面に輝尽性蛍光体層を形成させる。
【選択図】図４

Description

本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル及びその製造方法に関する。

Ｘ線画像のような放射線画像は、病気診断用などの分野で多く用いられている。このＸ線画像を得る方法としては、被写体を通過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、これにより可視光を生じさせた後、この可視光を通常の写真を撮るときと同様にして、ハロゲン化銀写真感光材料（以下、単に感光材料ともいう）に照射し、次いで現像処理を施して可視銀画像を得る、いわゆる放射線写真方式が広く利用されている。

しかしながら、近年では、ハロゲン化銀塩を有する感光材料による画像形成方法に代わり、蛍光体層から直接画像を取り出す新たな方法が開示されている。この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起することにより、この蛍光体が上記吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出し画像化する方法がある。具体的には、例えば、米国特許第３，８５９，５２７号及び特開昭５５−１２１４４号公報等に記載されているような輝尽性蛍光体を用いる放射線画像変換方法が知られている。この方法は、輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体を用いる放射線像変換パネルを使用するもので、この放射線像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて、その後、輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波（励起光）で時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出させ、この光の強弱による信号を、例えば、光電変換して、電気信号を得て、この信号を感光材料等の記録材料、ＣＲＴ等の表示装置上に可視像として再生するものである。

上記の放射線画像の再生方法によれば、従来の放射線写真フィルムと増感紙との組合せによる放射線写真法と比較して、はるかに少ない被曝線量で、情報量の豊富な放射線画像を得ることができるという利点を有している。

これらの輝尽性蛍光体を使用した放射線画像変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後、励起光の走査によって蓄積エネルギーを放出するので、走査後に再度放射線画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可能である。つまり従来の放射線写真法では、一回の撮影ごとに放射線写真フィルムを消費するのに対して、この放射線画像変換方法では放射線画像変換パネルを繰り返し使用するので、資源保護、経済効率の面からも有利である。

更に、近年、診断画像の解析においてより高鮮鋭性の放射線画像変換パネルが要求されている。鮮鋭性改善の為の手段として、例えば、形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし、感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。これらの試みの１つとして、例えば、特開昭６１−１４２４９７号公報に記載されている微細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍光体層を用いる方法がある。

また、特開昭６１−１４２５００号公報に記載のように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショック処理を施して、更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルを用いる方法、更には支持体の面に形成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬柱状とした放射線画像変換パネルを用いる方法（特許文献１参照）、更には支持体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設ける方法等も提案されている（特許文献２参照）。更に、気相成長法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルが提案されている（特許文献３参照）。

最近では、ＣｓＢｒなどのハロゲン化アルカリを母体にＥｕを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルが提案され、特にＥｕを賦活剤とすることで従来得られていなかった高いＸ線変換効率を導き出すことが可能となった。

また、基板としてアルミニウムのような高反射率材料を選択することにより、励起光や輝尽発光が反射され、高輝度の放射線画像変換パネルが得られることが知られている。

しかしながら、一般に放射線画像変換パネルの作製に使用される基板は基板面の面積が大きく（例えば３００ｍｍ×３００ｍｍ以上）、上記基板面の面積に比して厚さが薄いため、蒸着装置内に支持されて輝尽性蛍光体の蒸着が施される際に、基板の中央部が重力により下方に撓んでしまい、均一な輝尽性蛍光体層を基板上に形成することが難しいという問題がある。

すなわち、蒸着装置内での基板への蒸着に際し、この基板を支持している基板支持部から熱伝導等によって伝えられる熱により基板の温度を所定の温度に高めてから蒸着が施されるが、上記基板は基板支持部によりこの基板の周縁部で支持されているので基板の中央部が下方に撓んでしまい、基板支持部から基板の中央部へ熱伝導によって直接熱が伝えられることはない。そのため、基板の中央部に伝えられる熱は、基板支持部から基板の周縁部を通して伝えられ、基板の中央部に伝わるまでに輻射等によって熱が失われてしまい基板の中央部の温度は周縁部ほど高くならない。したがって、この基板内に温度分布が生じ、基板内の位置によって蒸着条件の差が生じる。これにより、上記のように均一な輝尽性蛍光体層を基板上に形成することが難しくなる。
特開昭６２−３９７３７号公報 特開昭６２−１１０２００号公報 特開平２−５８０００号公報

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、基板上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、当該基板内の位置による温度の差をより小さく抑えることにより均一な輝尽性蛍光体層を形成することができる放射線画像変換パネルの製造方法と輝度分布の均一性及び画像欠陥数が大幅に改良された放射線画像変換パネルを提供することにある。

本発明の上記課題は、以下の構成により達成される。

（請求項１）
基板上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、当該基板を金属ブロックに密着させ、蒸着装置内の基板支持体に設置後、気相成長法により当該基板表面に輝尽性蛍光体層を形成させることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。

（請求項２）
基板と金属ブロックとの間に粘着材を有することを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。

（請求項３）
金属ブロック上に粘着材を設置後、当該粘着材上に基板を乗せ、当該基板上の画像領域に接触させずに当該基板を当該金属ブロックに密着させることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。

（請求項４）
金属ブロック上に粘着材を設置後、当該粘着材上に基板を乗せ、当該基板と当該粘着剤との接触部の領域を減圧することにより当該基板を当該金属ブロックに密着させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。

（請求項５）
請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法によって製造された放射線画像変換パネルであって、当該放射線画像変換パネルが有する輝尽性蛍光体層が下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする放射線画像変換パネル。
一般式（１） Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′₂：ｅＡ、Ａ″
（式中、Ｍ¹はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ²はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｘ、Ｘ′はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａ及びＡ″はＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ及びＹからなる群から選ばれる少なくとも１種の希土類元素であり、またａ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。）

本発明の上記構成により、基板上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、当該基板内の位置による温度の差をより小さく抑えることにより均一な輝尽性蛍光体層が形成可能な放射線画像変換パネルの製造方法と輝度分布の均一性及び画像欠陥数が大幅に改良された放射線画像変換パネルを提供することができる。

本発明の放射線画像変換パネルの製造方法は、基板上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、当該基板を金属ブロックに密着させ、蒸着装置内の基板支持体に設置後、気相成長法により当該基板表面に輝尽性蛍光体層を形成させることを特徴とする。また、当該金属ブロック上に粘着材を設置後、当該粘着材上に基板を乗せ、当該基板上の画像領域に接触させずに当該基板を当該金属ブロックに密着させることを特徴とする。以下本発明及び構成要素等について詳細に説明する。

（放射線画像変換パネルの製造方法）
〔基板支持部〕
本発明においては、基板支持部（基板ホルダ）が金属ブロックで、基板と金属ブロックが密着されていることにより、蒸着時に基板変形が抑制され、基板支持部から基板への熱伝導が基板面内に均一にすることが可能となる。さらに、基板支持部から基板への熱伝導性を制御するために、上記粘着材と基板間に断熱効果を有する部材を挟んでもよい。

本発明に係る金属ブロックとしては、熱伝導率が高く、重力で部分的に変形を生じない程度に厚みを有していれば特に制限ない。コスト、強度の両立性の観点からアルミが好ましい。

〔粘着材〕
本発明に係る粘着材は基板を金属ブロックに密着させる際、基板面内が均一に金属ブロックに密着させるために有効である。粘着材としては、作業性、環境性の観点から、粘着性シートが好ましい。

粘着シートを金属ブロックに貼り付けた後、その上に基板を貼り付ける手段として、手で直接基板に触れて押し付けると、基板面内に凹凸が生じたり、基板表面に異物を付着させ、その結果蒸着により得られた画像変換パネルに画像欠陥が生じることがある。従って、異物付着を抑制する手段として、粘着シート上に基板を乗せた後、基板表面上にシート状のものを乗せ、その上から押し付ける手段が好ましい。さらに、基板上の画像領域に接触させずに基板を金属ブロックに密着させる手段を用いるとより好ましい。この方法を用いると、貼付け時に生じる基板表面の凹凸をも抑制することが可能となる。そのほかに貼付け時に生じる基板表面の凹凸抑制手段として、基板上の画像領域外、即ち基板周辺部を押し付ける方法がある。基板上の画像領域に接触させずに基板を金属ブロックに密着させる手段として、より好ましくは基板と粘着材との接触部の領域を減圧することが挙げられる。

減圧貼付け方法について図面を用いて説明する。金属ブロック上に粘着シート、基板を乗せた後（以降「金属ブロック〜基板の積層物を積層物」と呼ぶ。）、該積層物（図４）を吸引貼付け治具１０４に設置する。吸引貼付け治具に積層物を設置した時の断面図、真上から見た図をそれぞれ図５、図６に示す。このとき基板接触部１０５は基板の非画像領域１１１と接触するよう寸法調整しておく。次に吸引口１０６に吸引装置例えば真空ポンプを接続し吸引すると、吸引貼付け治具と基板で閉じられた領域が減圧領域１０７となる。すると基板表面部に大気圧が均一にかかり、基板の画像領域１１２（図７）に触れることなく、基板を粘着シートに密着させることができる。このとき、基板支持部から基板への熱伝導性を制御するために、上記粘着シートと基板間に断熱効果を有する部材１３０を挟んでもよい。

〔基板〕
本発明に係る放射線画像変換パネルに用いられる基板としては、各種のガラス、高分子材料、金属等が用いられるが、例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、又、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或いは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。

〔輝尽性蛍光体層〕
本発明に係る輝尽性蛍光体層について図面を用いて説明する。図１は、本発明の基板上に形成した柱状結晶形状の一例を示す概略図である。図１のａ）、ｂ）において、２は気相堆積法により、基板１上に形成された輝尽性蛍光体の柱状結晶であり、その結晶先端部において、結晶成長方向の中心を通る垂線３と結晶先端断面部の接線４とのなす角度（θ）が２０°〜８０°であることが好ましく、より好ましくは４０°〜８０°である。図１のａ）は、柱状結晶のほぼ中心部に尖角部を有する一例であり、また図１のｂ）は、柱状結晶の先端部が一定の傾斜を有し、柱状結晶の側面部に尖角部を有する一例である。

また、本発明においては、柱状結晶の平均結晶径が０．５〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１〜５０μｍである。上記で規定する柱状結晶の平均結晶径とすることにより、輝尽性蛍光体層ｂのヘイズ率を低下することができ、結果として優れた鮮鋭性を実現することができる。柱状結晶の平均結晶径とは、柱状結晶を支持体と平行な面から観察したときの各柱状結晶の断面積の円換算した直径の平均値であり、少なくとも１００個以上の柱状結晶を視野中に含む電子顕微鏡写真から計算する。

柱状結晶径は、支持体温度、真空度、蒸気流入射角度等によって影響を受け、これらを制御することによって所望の太さの柱状結晶を形成することができる。例えば、支持体温度については、温度が低くなるほど細くなる傾向にあるが、低すぎると柱状状態の維持が困難となる。好ましい支持体の温度としては、１００〜３００℃であり、より好ましくは１５０〜２７０℃である。蒸気流の入射角度としては、０〜５°が好ましい。また、真空度については、１．３×１０^-1Ｐａ以下であることが好ましい。

〔気相成長法〕
本発明に係る気相成長法（「気相堆積法」ともいう。）で形成する輝尽性蛍光体層で用いることのできる輝尽性蛍光体としては、例えば、特開昭４８−８０４８７号に記載されているＢａＳＯ₄：Ａ_xで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇＳＯ₄：Ａ_xで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載されているＳｒＳＯ₄：Ａ_xで表される蛍光体、特開昭５１−２９８８９号に記載されているＮａ₂ＳＯ₄、ＣａＳＯ₄及びＢａＳＯ₄等にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂの中少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭５２−３０４８７号に記載されているＢｅＯ、ＬｉＦ、ＭｇＳＯ₄及びＣａＦ₂等の蛍光体、特開昭５３−３９２７７号に記載されているＬｉ₂Ｂ₄Ｏ₇：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記載されているＬｉ₂Ｏ・（Ｂｅ₂Ｏ₂）ｘ：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、米国特許第３，８５９，５２７号に記載されているＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｌａ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ及び（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎｘで表される蛍光体があげられる。

また、特開昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ蛍光体、一般式がＢａＯ・ｘＡｌ₂Ｏ₃：Ｅｕであげられるアルミン酸バリウム蛍光体及び一般式がＭ（II）Ｏ・ｘＳｉＯ２：Ａで表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体があげられる。

また、特開昭５５−１２１４３号に記載されている一般式が（Ｂａ_1-x-yＭｇ_xＣａ_y）Ｆ_x：Ｅｕ₂ ⁺で表されるアルカリ土類フッ化ハロゲン化物蛍光体、特開昭５５−１２１４４号に記載されている一般式がＬｎＯＸ：ｘＡで表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載されている一般式が（Ｂａ_1-xＭ（II）_x）Ｆ_x：ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−８４３８９号に記載されている一般式がＢａＦＸ：ｘＣｅ，ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載されている一般式がＭ（II）ＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎで表される希土類元素賦活二価金属フルオロハライド蛍光体、一般式ＺｎＳ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ，Ｘで表される蛍光体、特開昭５９−３８２７８号に記載されている下記の何れかの一般式で表される蛍光体、
一般式
ｘＭ₃（ＰＯ₄）₂・ＮＸ₂：ｙＡ
ｘＭ₃（ＰＯ₄）₂：ｙＡ
特開昭５９−１５５４８７号公報に記載されている下記の何れかの一般式で表される蛍光体、
一般式
ｎＲｅＸ₃・ｍＡＸ′₂：ｘＥｕ
ｎＲｅＸ₃・ｍＡＸ′₂：ｘＥｕ，ｙＳｍ
特開昭６１−７２０８７号に記載されている下記一般式、
Ｍ（Ｉ）Ｘ・ａＭ（II）Ｘ′₂・ｂＭ（III）Ｘ″₃：ｃＡ
で表されるアルカリハライド蛍光体及び特開昭６１−２２８４００号に記載されている
一般式
Ｍ（Ｉ）Ｘ：ｘＢｉ
で表されるビスマス賦活アルカリハライド蛍光体等があげられる。特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成させやすく好ましい。

次に、本発明の前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体について説明する。本発明の前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体において、Ｍ^Iは、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表し、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、更に好ましくはＣｓ原子である。

Ｍ²はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。

Ｍ³はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。

ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子である。

輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲンで原子を表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましく、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が更に好ましい。

また、一般式（１）において、ｂ値は０≦ｂ＜０．５を表すが、好ましくは、０≦ｂ≦１０^-2である。

本発明の一般式（１）で表される輝尽性蛍光体は、例えば以下に述べる製造方法により製造される。蛍光体原料としては、
（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物が用いられる。
（ｂ）ＭｇＦ₂、ＭｇＣｌ₂、ＭｇＢｒ₂、ＭｇＩ₂、ＣａＦ₂、ＣａＣｌ₂、ＣａＢｒ₂、ＣａＩ₂、ＳｒＦ₂、ＳｒＣＩ₂、ＳｒＢｒ₂、ＳｒＩ₂、ＢａＦ₂、ＢａＣｌ₂、ＢａＢｒ₂、ＢａＢｒ₂・２Ｈ₂Ｏ、ＢａＩ₂、ＺｎＦ₂、ＺｎＣｌ₂、ＺｎＢｒ₂、ＺｎＩ₂、ＣｄＦ₂、ＣｄＣｌ₂、ＣｄＢｒ₂、ＣｄＩ₂、ＣｕＦ₂、ＣｕＣｌ₂、ＣｕＢｒ₂、ＣｕＩ、ＮｉＦ₂、ＮｉＣｌ₂、ＮｉＢｒ₂及びＮｉＩ₂の化合物から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の化合物が用いられる。
（ｃ）前記一般式（１）において、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。

一般式（Ｉ）で表される化合物において、ａは０≦ａ＜０．５、好ましくは０≦ａ＜０．０１、ｂは０≦ｂ＜０．５、好ましくは０≦ｂ≦１０^-2、ｅは０＜ｅ≦０．２、好ましくは０＜ｅ≦０．１である。

上記の数値範囲の混合組成になるように前記（ａ）〜（ｃ）の蛍光体原料を秤量し、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合する。

次に、得られた蛍光体原料混合物を石英ルツボ又はアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。

焼成温度は３００〜１０００℃が適当である。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、一般には０．５〜６時間が適当である。

焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気或いは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。

尚、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更に高めることができ好ましい。

また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気又は中性雰囲気のままで冷却してもよい。

また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気 もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。

また、本発明の輝尽性蛍光体層は気相成長法によって形成されることを特徴としている。

輝尽性蛍光体の気相成長法としては蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、その他の方法を用いることができる。

本発明においては、例えば、以下の方法が挙げられる。第１の方法の蒸着法は、まず、支持体を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して１．３３３×１０^-4Ｐａ程度の真空度とする。

次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。

また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。

蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の放射線画像変換パネルが製造されることが好ましい。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設ける手順をとってもよい。

さらに、前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被蒸着体（支持体、保護層又は中間層）を冷却あるいは加熱してもよい。

また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。また、前記蒸着法においては必要に応じてＯ₂、Ｈ₂等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。

第２の方法としてのスパッタリング法は、蒸着法と同様、保護層又は中間層を有する支持体をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して１．３３３×１０^-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して１．３３３×１０^-1Ｐａ程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、前記支持体上に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに成長させる。

前記スパッタリング工程では蒸着法と同様に各種の応用処理を用いることができる。

第３の方法としてＣＶＤ法があり、又、第４の方法としてイオンプレーティング法がある。

また、前記気相成長における輝尽性蛍光体層の成長速度は０．０５μｍ／分〜３００μｍ／分であることが好ましい。成長速度が０．０５μｍ／分未満の場合には本発明の放射線画像変換パネルの生産性が低く好ましくない。また成長速度が３００μｍ／分を越える場合には成長速度のコントロールがむずかしく好ましくない。

放射線画像変換パネルを、前記の真空蒸着法、スパッタリング法などにより得る場合には、結着剤が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大でき、感度、解像力の上で好ましい放射線画像変換パネルが得られ、好ましい。

前記輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線画像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から５０μｍ〜１ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１００〜６００μｍであり、更に好ましくは３００〜６００μｍである。

上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温度は、１００℃以上に設定することが好ましく、更に好ましくは、１５０℃以上であり、特に好ましくは１５０〜４００℃である。

本発明に係る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層は、支持体上に前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を気相成長させて形成されることが好ましく、層形成時に該輝尽性蛍光体が柱状結晶を形成することがより好ましい。

蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成するためには、前記一般式（１）で表される化合物（輝尽性蛍光体）が用いられるが、中でもＣｓＢｒ系蛍光体が特に好ましく用いられる。

また、本発明においては、柱状結晶が、主成分として下記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を有することが好ましい。

一般式（２）：ＣｓＸ：Ａ
一般式（２）において、ＸはＢｒ又はＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、Ｔｂ又はＣｅを表す。

支持体上に、気相堆積法により蛍光体層を形成する方法としては、輝尽性蛍光体の蒸気又は該原料を供給し、蒸着等の気相成長（堆積）させる方法によって独立した細長い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を得ることができる。

これらの場合において、支持体と坩堝との最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて通常１０〜６０ｃｍに設置するのが好ましい。

蒸発源となる輝尽性蛍光体は、均一に溶解させるか、プレス、ホットプレスによって成形して坩堝に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好ましい。蒸発源から輝尽性蛍光体を蒸発させる方法は電子銃により発した電子ビームの走査により行われるが、これ以外の方法にて蒸発させることもできる。

また、蒸発源は必ずしも輝尽性蛍光体単体である必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであってもよい。

また、蛍光体の母体に対して賦活剤を後からドープしてもよい。例えば、母体であるＲｂＢｒのみを蒸着した後、賦活剤であるＴｌをドープしてもよい。即ち、結晶が独立しているため、膜が厚くとも充分にドープ可能であるし、結晶成長が起こりにくいので、ＭＴＦは低下しないからである。

ドーピングは形成された蛍光体の母体層中にドーピング剤（賦活剤）を熱拡散、イオン注入法によって行うことが出来る。

また、各柱状結晶間の間隙の大きさは３０μｍ以下がよく、更に好ましくは５μｍ以下がよい。即ち、間隙が３０μｍを越える場合は蛍光体層中のレーザー光の散乱が増加し、鮮鋭性が低下してしまう。

〔輝尽性蛍光体層の形成〕
次に、本発明に係る輝尽性蛍光体層の形成を図２を用いて説明する。図２は、支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成される様子を示す図であるが、輝尽性蛍光体蒸気流１６を支持体面の法線方向に対する入射角度として０〜５°の範囲で入射することにより、柱状結晶が形成される。

この様にして支持体上に形成した輝尽性蛍光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルより層厚を薄くすることができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱が減少することで像の鮮鋭性が向上する。

また、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、高光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい、これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。

高反射率の物質とは、輝尽励起光（５００〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反射率の高いものをいい例えばアルミニウム、マグネシウム、銀、インジウムその他の金属など、白色顔料及び緑色から赤色領域の色材を用いることができる。

高感度である放射線画像変換パネルを得る観点から、本発明の輝尽性蛍光体層の反射率は２０％以上であることが好ましく、より好ましくは３０％以上であり、特に好ましくは４０％以上である。尚、上限は１００％である。

高反射率の物質とは、輝尽励起光（５００〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反射率の高いものをいい例えばアルミニウム、マグネシウム、銀、インジウムその他の金属など、白色顔料及び緑色から赤色領域の色材を用いることができる。

本発明においては、基板上にアルミニウム等の光を反射するような鏡面処理（例えば、蒸着等）が行われている場合は、輝尽性蛍光体層の反射率を測定する。

ここで、反射率の測定は、下記の測定装置を用い、同様の測定条件にて行うことができる。

装置：ＨＩＴＡＣＨＩ５５７型、Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ
（測定条件）
測定光の波長 ：６８０ｎｍ
スキャンスピード ：１２０ｎｍ／ｍｉｎ
繰り返し回数 ：１０回
レスポンス ：自動設定
白色顔料は輝尽発光も反射することができる。白色顔料として、ＴｉＯ₂（アナターゼ型、ルチル型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ₃・Ｐｂ（ＯＨ）₂、ＢａＳＯ₄、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｍ（II）ＦＸ（但し、Ｍ（II）はＢａ、Ｓｒ及びＣａの中の少なくとも一種であり、ＸはＣｌ、及びＢｒのうちの少なくとも一種である。）、ＣａＣＯ₃、ＺｎＯ、Ｓｂ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、リトポン（ＢａＳＯ₄・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸塩、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウムなどがあげられる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの感度を顕著に向上さることができる。

また、高光吸収率の物質としては、例えば、カーボンブラック、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄など及び青の色材が用いられる。このうちカーボンブラックは輝尽発光も吸収する。

また、色材は、有機若しくは無機系色材のいずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルーＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライオノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。またカラーインデクスＮｏ．２４４１１、２３１６０、７４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２３１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５７６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４２５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金属錯塩色材もあげられる。無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ₂−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料があげられる。

〔保護層〕
また、本発明に係る輝尽性蛍光体層は、保護層を有していても良い。保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手順を取ってもよい。保護層の材料としては酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層としてもちいることもできる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、Ａｌ₂Ｏ₃などの無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は一般的には０．１〜２０００μｍ程度が好ましい。

図３は、本発明の放射線画像変換パネル及び放射線画像読み取り装置の構成の１例を示す概略図である。

図３において２１は放射線発生装置、２２は被写体、２３は輝尽性蛍光体を含有する可視光ないし赤外光輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル、２４は放射線画像変換パネル２３の放射線潜像を輝尽発光として放出させるための輝尽励起光源、２５は放射線画像変換パネル２３より放出された輝尽発光を検出する光電変換装置、２６は光電変換装置２５で検出された光電変換信号を画像として再生する画像再生装置、２７は再生された画像を表示する画像表示装置、２８は輝尽励起光源２４からの反射光をカットし、放射線画像変換パネル２３より放出された光のみを透過させるためのフィルタである。尚、図３は被写体の放射線透過像を得る場合の例であるが、被写体２２自体が放射線を放射する場合には、前記放射線発生装置２１は特に必要ない。

また、光電変換装置２５以降は放射線画像変換パネル２３からの光情報を何らかの形で画像として再生できるものであればよく、前記に限定されない。

図３に示されるように、被写体２２を放射線発生装置２１と放射線画像変換パネル２３の間に配置し放射線Ｒを照射すると、放射線Ｒは被写体２２の各部の放射線透過率の変化に従って透過し、その透過像ＲＩ（すなわち放射線の強弱の像）が放射線画像変換パネル２３に入射する。この入射した透過像ＲＩは放射線画像変換パネル２３の輝尽性蛍光体層に吸収され、これによって輝尽性蛍光体層中に吸収された放射線量に比例した数の電子及び／又は正孔が発生し、これが輝尽性蛍光体のトラップレベルに蓄積される。すなわち放射線透過像のエネルギーを蓄積した潜像が形成される。次にこの潜像を光エネルギーで励起して顕在化する。すなわち可視あるいは赤外領域の光を照射する輝尽励起光源２４によって輝尽性蛍光体層に照射してトラップレベルに蓄積された電子及び／又は正孔を追い出し、蓄積されたエネルギーを輝尽発光として放出せしめる。この放出された輝尽発光の強弱は蓄積された電子及び／又は正孔の数、すなわち放射線画像変換パネル２３の輝尽性蛍光体層に吸収された放射線エネルギーの強弱に比例しており、この光信号を例えば光電子増倍管等の光電変換装置２５で電気信号に変換し、画像再生装置２６によって画像として再生し、画像表示装置２７によってこの画像を表示する。画像再生装置２６は単に電気信号を画像信号として再生するのみでなく、いわゆる画像処理や画像の演算、画像の記憶、保存等が出来るものを使用するとより有効である。

また、光エネルギーで励起する際、輝尽励起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される輝尽発光とを分離する必要があることと、輝尽性蛍光体層から放出される発光を受光する光電変換器は一般に６００ｎｍ以下の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなるという理由から、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光はできるだけ短波長領域にスペクトル分布を持ったものが望ましい。本発明の輝尽性蛍光体の発光波長域は３００〜５００ｎｍであり、一方輝尽励起波長域は５００〜９００ｎｍであるので前記の条件を同時に満たすが、最近、診断装置のダウンサイジング化が進み、放射画像変換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は高出力で且つ、コンパクト化が容易な半導体レーザーが好まれ、そのレーザー光の波長は６８０ｎｍであり、本発明の放射線画像変換パネルに組み込まれた輝尽性蛍光体は、６８０ｎｍの励起波長を用いた時に、極めて良好な鮮鋭性を示すものである。

すなわち、本発明の輝尽性蛍光体はいずれも５００ｎｍ以下に主ピークを有する発光を示し、輝尽励起光の分離が容易でしかも受光器の分光感度とよく一致するため、効率よく受光できる結果、受像系の感度を固めることができる。

輝尽励起光源２４としては、放射線画像変換パネル２３に使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長を含む光源が使用される。特にレーザー光を用いると光学系が簡単になり、又、輝尽励起光強度を大きくすることができるために輝尽発光効率をあげることができ、より好ましい結果が得られる。

本発明においては、輝尽性蛍光体層に照射されるレーザー径が１００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは８０μｍ以下である。

レーザーとしては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、Ａｒイオンレーザー、Ｋｒイオンレーザー、Ｎ₂レーザー、ＹＡＧレーザー及びその第２高調波、ルビーレーザー、半導体レーザー、各種の色素レーザー、銅蒸気レーザー等の金属蒸気レーザー等がある。通常はＨｅ−ＮｅレーザーやＡｒイオンレーザーのような連続発振のレーザーが望ましいが、パネル１画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザーを用いることもできる。又、フィルタ２８を用いずに特開昭５９−２２０４６号公報に示されるような、発光の遅延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザーを用いて変調するよりもパルス発振のレーザーを用いる方が好ましい。

上記の各種レーザー光源の中でも、半導体レーザーは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるので特に好ましく用いられる。

フィルタ２８としては放射線画像変換パネル２３から放射される輝尽発光を透過し、輝尽励起光をカットするものであるから、これは放射線画像変換パネル２３に含有する輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と輝尽励起光源２４の波長の組合わせによって決定される。

例えば、輝尽励起波長が５００〜９００ｎｍで輝尽発光波長が３００〜５００ｎｍにあるような実用上好ましい組合わせの場合、フィルタとしては、例えば、東芝社製Ｃ−３９、Ｃ−４０、Ｖ−４０、Ｖ−４２、Ｖ−４４、コーニング社製７−５４、７−５９、スペクトロフィルム社製ＢＧ−１、ＢＧ−３、ＢＧ−２５、ＢＧ−３７、ＢＧ−３８等の紫〜青色ガラスフィルタを用いることができる。又、干渉フィルタを用いると、ある程度、任意の特性のフィルタを選択して使用できる。光電変換装置２５としては、光電管、光電子倍増管、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池、光導電素子等光量の変化を電子信号の変化に変換し得るものなら何れでもよい。

以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。

《放射線画像変換パネルの作製》
（放射線画像変換パネル１〜４の作製）
表１に示す条件で金属ブロックに貼り付けた４３ｃｍ×４３ｃｍ（１７インチ×１７インチ）サイズのアルミ基板Ｎｏ．１〜４をそれぞれ積層物一式ずつ蒸着装置の真空槽に設置し、図８に示す蒸着装置を使用して以下に示す方法で各アルミ基板上に輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を有する輝尽性蛍光体層を形成した。

先ず、前記基板を真空槽内に設置し、次いで、蛍光体原料（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を蒸着源としてプレス成形し水冷したルツボにいれた。その後、真空槽内を一旦排気し、その後にＮ₂ガスを導入し０．１３３Ｐａに真空度を調整した後、１０ｒｐｍの速度で下引き樹脂層塗布済み試料を回転させながら、下引き樹脂層塗布済み試料の温度（基板温度ともいう。）を約１４０℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して輝尽性蛍光体を蒸着し、輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μｍとなったところで蒸着を終了させた。次いで、乾燥空気内で輝尽性蛍光体層を保護層袋に入れ、輝尽性蛍光体層が密封された構造の、アルミ基板Ｎｏ．１〜４に対応した放射線画像変換パネル試料１〜４を得た。

試料１は、蒸着前にアルミ基板のみを基板支持部に設置して得た。試料２は、蒸着前にアルミ製ブロック上に粘着シートを貼り合わせ、その上に基板を乗せて手で直接押し付けて得た積層物を用いた。試料３は、試料２と同様に粘着シート上に基板を乗せた後、５０ｃｍ×５０ｃｍに断裁したペットフィルムを該基板上に乗せ、その上から手で基板を押し付けて得た積層物を用いた。試料４は、試料２，３と同様に、粘着シートを上に基板を乗せた後、該積層物を吸引貼付け治具に設置し、真空ポンプを接続し吸引貼付け治具と基板で閉じられた領域と大気圧との差圧が１０ｋＰａの状態で１分間減圧して、基板を粘着シートに密着させて得た積層物を用いた。

《評価》
以上のようにして作製した各放射線画像変換パネルを用いて、以下の評価を行った。得られた結果を表１に示す。

《画像欠陥の評価》
蒸着後、基板表面を目視観察し、直径０．５ｍｍ以上の突起の個数で評価した。

《輝度、輝度分布の評価》
輝度はコニカ（株）製Ｒｅｇｉｕｓ３５０を用いて評価を行った。Ｘ線をタングステン管球にて８０ｋＶｐ、１０ｍＡｓで***線源とプレート間距離２ｍで照射した後、Ｒｅｇｉｕｓ３５０にプレートを設置して読み取った。得られたフォトマルからの電気信号をもとに評価を行った。

撮影された面内のフォトマルからの電気信号分布を相対評価し、標準偏差を求め、輝度分布（Ｓ．Ｄ．）とした。

評価結果を表１に示す。

表１の結果から、金属ブロック、粘着シートを有することにより、輝度分布の均一性が大幅に向上した。また、金属ブロック上に粘着材を設置後、該粘着材上に基板を乗せ、基板上の画像領域に接触させず、基板と粘着剤との接触部の領域を減圧することにより、画像欠陥が著しく減少した。

支持体上に形成した柱状結晶形状の一例を示す概略図 支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成される様子の一例を示す概略図 放射線画像変換パネル及び放射線画像読み取り装置の構成の一例を示す概略図 基板、粘着シート、金属ブロック等の積層物 吸引貼付け治具（断面図） 吸引貼付け治具（上から見た図） 基板の蒸着面（上から見た図） 蒸着装置の一例の概略構成を示す断面図

符号の説明

１ 基板
２ 柱状結晶
３ 結晶成長方向の中心を通る線
４ 結晶先端断面部の接線
５ 柱状結晶の結晶径
１５ 基板支持部
１６ 輝尽性蛍光体蒸気流
２１ 放射線発生装置
２２ 被写体
２３ 放射線画像変換パネル
２４ 輝尽励起光源
２５ 光電変換装置
２６ 画像再生装置
２７ 画像表示装置
２８ フィルタ
１０２ 粘着シート
１０３ 金属ブロック
１０４ 吸引貼付け治具
１０５ 基板接触部
１０６ 吸引口
１０７ 減圧領域（斜線部）
１１１ 非画像領域
１１２ 画像領域
１２０ 基板支持部
１２１ 基板回転機構
１３０ 断熱材
１４０ 輝尽性蛍光体原料
１５０ ルツボ
１６０ （蒸着装置の）真空槽

Claims (5)

1. 基板上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、当該基板を金属ブロックに密着させ、蒸着装置内の基板支持体に設置後、気相成長法により当該基板表面に輝尽性蛍光体層を形成させることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
2. 基板と金属ブロックとの間に粘着材を有することを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
3. 金属ブロック上に粘着材を設置後、当該粘着材上に基板を乗せ、当該基板上の画像領域に接触させずに当該基板を当該金属ブロックに密着させることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
4. 金属ブロック上に粘着材を設置後、当該粘着材上に基板を乗せ、当該基板と当該粘着剤との接触部の領域を減圧することにより当該基板を当該金属ブロックに密着させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法によって製造された放射線画像変換パネルであって、当該放射線画像変換パネルが有する輝尽性蛍光体層が下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする放射線画像変換パネル。
   一般式（１） Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′₂：ｅＡ、Ａ″
   （式中、Ｍ¹はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ²はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｘ、Ｘ′はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａ及びＡ″はＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ及びＹからなる群から選ばれる少なくとも１種の希土類元素であり、またａ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。）

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