JP2007024633A - 圧力センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】共晶接合を行う際に発生する接合不良を解決する静電容量型圧力センサを提供する。
【解決手段】絶縁材料から成る固定基板3と、固定基板の上面中央部に順次積層されたAu固定電極膜4及び誘電体膜5と、該固定基板の上面外周縁に積層されたAu接合膜23aと、誘電体膜と対向する位置に薄肉部21を備えるとともにAu接合膜23aと対向する位置にAu接合膜6aを備え、Au接合膜23aとの間をAu−Sn接合膜23cを介して溶融接合される可動基板21と、該薄肉部の少なくとも一部に形成され且つ固定電極膜と対向する位置関係にある可動電極膜22と、を備え、該可動電極膜と該誘電体膜との間に微小ギャップの気密空間Sを備えた圧力センサ1において、固定基板側のAu接合膜面、或いは可動基板側のAu接合膜面にバリアメタルとしてのNi接合膜23bを介在させて、可動基板側或いは固定基板側のAu接合膜と溶融接合させた。
【選択図】図1
【解決手段】絶縁材料から成る固定基板3と、固定基板の上面中央部に順次積層されたAu固定電極膜4及び誘電体膜5と、該固定基板の上面外周縁に積層されたAu接合膜23aと、誘電体膜と対向する位置に薄肉部21を備えるとともにAu接合膜23aと対向する位置にAu接合膜6aを備え、Au接合膜23aとの間をAu−Sn接合膜23cを介して溶融接合される可動基板21と、該薄肉部の少なくとも一部に形成され且つ固定電極膜と対向する位置関係にある可動電極膜22と、を備え、該可動電極膜と該誘電体膜との間に微小ギャップの気密空間Sを備えた圧力センサ1において、固定基板側のAu接合膜面、或いは可動基板側のAu接合膜面にバリアメタルとしてのNi接合膜23bを介在させて、可動基板側或いは固定基板側のAu接合膜と溶融接合させた。
【選択図】図1
Description
本発明は、水晶基板等の圧電基板上に電極パターンを形成した圧電振動素子を用いた静電容量型圧力センサの改良に関し、特に軸方向に圧力を加えることによって共振周波数が変化する圧電振動素子を用いた圧力センサに関する。
水圧計、気圧計、差圧計等、流体の圧力を測定するための静電容量型圧力センサは、圧力が小さい段階では速やかに撓み変形する一方で、高圧力の状態では徐々に撓むように薄肉部(ダイヤフラム)を構成することによって圧力感度特性の直線性を向上させるように構成されている。
この種の静電容量型圧力センサとしては、検知素子として水晶振動素子を使用したタイプが知られている。水晶振動素子は、板状の水晶基板上に電極パターンを形成した構成を備え、その軸方向に圧力が加わった際に共振周波数が変化する性質を利用して圧力の変化を検出するようにしたのが圧力センサである。
水晶振動素子を用いた静電容量型圧力センサにあっては、印加した圧力にほぼ比例(2次曲線)して共振周波数が変化するため、周波数変化量と印加圧力との関係を2次方程式を用いて補正することによって、高精度の圧力測定が可能となる。
この種の静電容量型圧力センサとしては、検知素子として水晶振動素子を使用したタイプが知られている。水晶振動素子は、板状の水晶基板上に電極パターンを形成した構成を備え、その軸方向に圧力が加わった際に共振周波数が変化する性質を利用して圧力の変化を検出するようにしたのが圧力センサである。
水晶振動素子を用いた静電容量型圧力センサにあっては、印加した圧力にほぼ比例(2次曲線)して共振周波数が変化するため、周波数変化量と印加圧力との関係を2次方程式を用いて補正することによって、高精度の圧力測定が可能となる。
図4(a)及び(b)は従来の静電容量型圧力センサの接合前と接合後における接合部構造を示す断面図である。
この静電容量型圧力センサ100は、絶縁材料から成る固定基板101と、固定基板101の上面中央部に順次積層されたAu固定電極膜102及び誘電体膜103と、固定基板の上面外周縁に順次積層されてAu固定電極膜102と導通したAu接合膜104と、誘電体膜103と対向する位置に薄肉部111を備えるとともに固定基板のAu接合膜104と対向する位置にAu接合膜112を備え、固定基板側のAu接合膜104との間をAu−Sn接合膜(組成比 Au:Sn=8:2)120を介して共晶接合される可動基板110と、薄肉部111下面の少なくとも一部に形成されると共に固定電極膜102と対向する位置関係にあり且つAu接合膜112と導通した可動電極膜105と、を備え、可動電極膜105と誘電体膜103との間に微小ギャップの気密空間Sと、を備えている。
各電極膜、接合膜は、スパッタリング、又は真空蒸着により形成される。Au−Sn接合膜120は、固定基板101、或いは可動基板110の何れか一方、又は両方のAu接合膜上に予め形成される。
図4(a)に示した如き構成を備えた可動基板110を固定基板101上に接合する際には、可動基板110側のAu接合膜112の下面に予め接合されたAu−Sn接合膜120を、固定基板101側のAu接合膜104上に載置した状態で加圧しながら加熱することによってAu−Sn接合膜120を溶解させることにより、Au−Sn接合膜120とAu接合膜104との間で共晶接合が行われる。
特に、この圧力センサがタッチモード式であれば、気密空間Sの間隙を狭く構成する必要があるため、Au−Sn接合膜120を1μm以下に薄くする必要がある。
この静電容量型圧力センサ100は、絶縁材料から成る固定基板101と、固定基板101の上面中央部に順次積層されたAu固定電極膜102及び誘電体膜103と、固定基板の上面外周縁に順次積層されてAu固定電極膜102と導通したAu接合膜104と、誘電体膜103と対向する位置に薄肉部111を備えるとともに固定基板のAu接合膜104と対向する位置にAu接合膜112を備え、固定基板側のAu接合膜104との間をAu−Sn接合膜(組成比 Au:Sn=8:2)120を介して共晶接合される可動基板110と、薄肉部111下面の少なくとも一部に形成されると共に固定電極膜102と対向する位置関係にあり且つAu接合膜112と導通した可動電極膜105と、を備え、可動電極膜105と誘電体膜103との間に微小ギャップの気密空間Sと、を備えている。
各電極膜、接合膜は、スパッタリング、又は真空蒸着により形成される。Au−Sn接合膜120は、固定基板101、或いは可動基板110の何れか一方、又は両方のAu接合膜上に予め形成される。
図4(a)に示した如き構成を備えた可動基板110を固定基板101上に接合する際には、可動基板110側のAu接合膜112の下面に予め接合されたAu−Sn接合膜120を、固定基板101側のAu接合膜104上に載置した状態で加圧しながら加熱することによってAu−Sn接合膜120を溶解させることにより、Au−Sn接合膜120とAu接合膜104との間で共晶接合が行われる。
特に、この圧力センサがタッチモード式であれば、気密空間Sの間隙を狭く構成する必要があるため、Au−Sn接合膜120を1μm以下に薄くする必要がある。
一般にこのような共晶接合は、数μm以上の厚膜のAu−Sn接合膜を用いて行われることによって理想的な接合状態を得ることができるが、1μm以下の薄膜のAu−Sn接合膜を用いて行った場合にはAu−Sn接合膜の組成比最適状態(Au:Sn=8:2)が崩れやすく、接合強度が不安定化し易かった。その原因は、可動基板110上においてAu−Sn接合膜120をAu接合膜112に接合する際に、両接合膜が反応(共晶接合)して混ざり合い、組成比がAuリッチのAu−Sn接合膜120が形成されるために、固定基板101側のAu接合膜104との間の接合力が低下するためである。
実開昭63−175833号公報
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、静電容量型圧力センサにおいて、固定基板と可動基板側に夫々形成されたAu接合膜同志を接合するに際して、厚さ1μm以下の薄いAu−Sn接合膜を介在させた共晶接合を行う際に発生する接合不良を解決することができる圧力センサを提供することを目的としている。
上記課題を達成するため、請求項1の発明は絶縁材料から成る固定基板と、該固定基板の上面に順次積層されたAu固定電極膜及び誘電体膜と、該固定基板の上面外周縁に沿って積層されたAu接合膜と、前記誘電体膜と対向する位置に薄肉部を備えるとともに前記固定基板のAu接合膜と対向する位置にAu接合膜を備え、前記固定基板側のAu接合膜との間をAu−Sn接合膜を介して溶融接合される可動基板と、該薄肉部の下面に形成され且つ前記固定電極膜及び誘電体膜と対向する位置関係にある可動電極膜と、を備え、該可動電極膜と該誘電体膜との間に微小ギャップの気密空間を備えた静電容量型圧力センサにおいて、前記固定基板側のAu接合膜面、或いは可動基板側のAu接合膜面の少なくとも一方に備えたNi接合膜を介して、両Au接合膜間を接合させた構造を備えていることを特徴とする。
本発明によれば、静電容量型圧力センサにおいて、固定基板と可動基板側に夫々形成されたAu接合膜同志を接合するに際して、バリアメタルとしてNi膜、或いはSn膜を介在させるようにしたので、厚さ1μm以下の薄いAu−Sn接合膜を介在させた共晶接合を行う際に発生する接合不良を解決することができる。
以下、本発明を図面に示した実施の形態により詳細に説明する。
図1(a)及び(b)は本発明の第1の実施形態に係る静電容量型圧力センサの組付け前の構成を示す断面図、及び組付け状態を示す断面図である。
この静電容量型圧力センサ(以下、圧力センサ、という)1は、例えば自動車等の車両のタイヤ内の適所に図示しないトランスポンダーに組み付けられた状態で固定配置されて使用される。トランスポンダーは、アンテナコイルを備え、車両側のアンテナから出力された電磁波によってアンテナコイルに誘起される電流によって圧力センサ回路を作動させ、測定された圧力情報を電磁波として車両側へ出力する。タイヤ内の空気圧は、圧力センサ1の薄肉部(ダイヤフラム)に加わり、真空に設定された気密空間S内の圧力を越えた圧力が加わった場合に薄肉部21aを撓み変形させる。
この圧力センサ1は、基台2と、基台との間に気密空所Sを介在させて接合された検出素子20と、から概略構成されている。
基台2は、水晶等の絶縁材料から成る固定基板(絶縁板)3と、固定基板3の上面中央部にスパッタリング、蒸着等によって成膜されたAu(金)固定電極膜4と、Au固定電極膜4上に被覆形成された誘電体膜5と、固定基板3の上面外周縁にスパッタリング、蒸着等によって積層された接合金属膜6と、を備えている。接合金属膜6は、Au接合膜6aから成る。接合金属膜6は、Au固定電極膜4と導通している。また、接合金属膜6は図示しない引出し電極を介して外部回路と接続されている。
図1(a)及び(b)は本発明の第1の実施形態に係る静電容量型圧力センサの組付け前の構成を示す断面図、及び組付け状態を示す断面図である。
この静電容量型圧力センサ(以下、圧力センサ、という)1は、例えば自動車等の車両のタイヤ内の適所に図示しないトランスポンダーに組み付けられた状態で固定配置されて使用される。トランスポンダーは、アンテナコイルを備え、車両側のアンテナから出力された電磁波によってアンテナコイルに誘起される電流によって圧力センサ回路を作動させ、測定された圧力情報を電磁波として車両側へ出力する。タイヤ内の空気圧は、圧力センサ1の薄肉部(ダイヤフラム)に加わり、真空に設定された気密空間S内の圧力を越えた圧力が加わった場合に薄肉部21aを撓み変形させる。
この圧力センサ1は、基台2と、基台との間に気密空所Sを介在させて接合された検出素子20と、から概略構成されている。
基台2は、水晶等の絶縁材料から成る固定基板(絶縁板)3と、固定基板3の上面中央部にスパッタリング、蒸着等によって成膜されたAu(金)固定電極膜4と、Au固定電極膜4上に被覆形成された誘電体膜5と、固定基板3の上面外周縁にスパッタリング、蒸着等によって積層された接合金属膜6と、を備えている。接合金属膜6は、Au接合膜6aから成る。接合金属膜6は、Au固定電極膜4と導通している。また、接合金属膜6は図示しない引出し電極を介して外部回路と接続されている。
検出素子20は、水晶、シリコン等から成り誘電体膜5と対向する位置に薄肉部21aを備えた可動基板21と、薄肉部21aの下面に形成されて誘電体膜5と所定の微小ギャップを介して対向配置されたAu可動電極膜22と、Au接合膜6aと対向する可動基板21下面に形成された接合金属膜23と、を備えている。接合金属膜23は、可動基板21の下面にAu接合金属膜23a、バリアメタルとしてのNi(ニッケル)接合膜23b、及びAu−Sn(金錫)接合膜23cを順次積層した構成を備えている。
Au接合金属膜23aは、Au可動電極膜22と導通している。
基台2上に検出素子20を接合する際には、接合金属膜6上に接合金属膜23を当接させた状態で加圧、加熱することにより、固定基板側のAu接合膜6aとの間をAu−Sn接合膜23cを介して共晶接合させる。各接合金属膜をスペーサとすることにより基台2上面と検出素子20下面との間には気密空間Sが形成される。
本発明においては、可動基板側のAu接合金属膜23a面にバリアメタルとしてのNi接合膜23bを積層して、固定基板側のAu接合膜6aと溶融接合(共晶接合)させたので、Au接合金属膜23aを1μm以下の薄い膜厚とした場合においても、可動基板21上においてAu−Sn接合膜23cをAu接合金属膜23aに接合する際に、両接合膜が反応(共晶接合)して混ざり合い、組成比がAuリッチのAu−Sn接合膜が形成されることがなくなり、固定基板3側のAu接合膜6aとの間の接合力が低下することがなくなる。
なお、上記実施形態では検出素子20側の接合金属膜23をAu接合金属膜23a、Ni接合膜23b、Au−Sn接合膜23cにて構成したが、これとは逆に基台2側の接合金属膜6上にNi接合膜を介してAu−Sn接合膜を予め形成してもよい。或いは、基台2と検出素子20の双方の接合金属膜6、23を、Au接合膜、Ni接合膜、Au−Sn接合膜の積層体にて構成するようにしてもよい。
Au接合金属膜23aは、Au可動電極膜22と導通している。
基台2上に検出素子20を接合する際には、接合金属膜6上に接合金属膜23を当接させた状態で加圧、加熱することにより、固定基板側のAu接合膜6aとの間をAu−Sn接合膜23cを介して共晶接合させる。各接合金属膜をスペーサとすることにより基台2上面と検出素子20下面との間には気密空間Sが形成される。
本発明においては、可動基板側のAu接合金属膜23a面にバリアメタルとしてのNi接合膜23bを積層して、固定基板側のAu接合膜6aと溶融接合(共晶接合)させたので、Au接合金属膜23aを1μm以下の薄い膜厚とした場合においても、可動基板21上においてAu−Sn接合膜23cをAu接合金属膜23aに接合する際に、両接合膜が反応(共晶接合)して混ざり合い、組成比がAuリッチのAu−Sn接合膜が形成されることがなくなり、固定基板3側のAu接合膜6aとの間の接合力が低下することがなくなる。
なお、上記実施形態では検出素子20側の接合金属膜23をAu接合金属膜23a、Ni接合膜23b、Au−Sn接合膜23cにて構成したが、これとは逆に基台2側の接合金属膜6上にNi接合膜を介してAu−Sn接合膜を予め形成してもよい。或いは、基台2と検出素子20の双方の接合金属膜6、23を、Au接合膜、Ni接合膜、Au−Sn接合膜の積層体にて構成するようにしてもよい。
次に、図2は本発明の圧力センサの製造工程の説明図である。
まず、図2(a)の基板エッチング工程では、固定基板3と、可動基板21を夫々所要の形状にエッチングする。固定基板3については上面中央部に凹所3aを形成する。可動基板21については、その中央部に薄肉部21aが形成されるようにエッチングを実施する。
図2(b)のAu電極形成工程では、スパッタリング、蒸着等により固定基板3の上面凹所3a内にAu固定電極膜4を形成すると同時に、固定基板上面外周縁3bにはAu固定電極4と導通するようにAu接合膜6aを成膜する。更に、可動基板21の下面中央部にスパッタリング、蒸着等によりAu可動電極膜22を形成すると共に、可動基板下面外周縁にはAu接合膜23aを形成する。
図2(c)のNiバリアメタル形成工程では、可動基板下面のAu接合膜23aの下面にNi接合膜23bを形成する。
図2(d)の工程では、固定基板3に対して固定電極4上に誘電体膜5を形成することにより基台2を完成し、可動基板21のNi接合膜23bの下面にAu−Sn接合膜23cを形成することにより検出素子20を完成する。
図2(c)の基板接合工程で、基台2上に検出素子20を重ね合わせ、接合膜6a、23同志を溶融接合させることにより、圧力センサ1を完成する。
上記各実施形態において説明した圧力センサは、水圧センサ(水深センサ)、気圧センサ、差圧センサ等に適用することができる。
まず、図2(a)の基板エッチング工程では、固定基板3と、可動基板21を夫々所要の形状にエッチングする。固定基板3については上面中央部に凹所3aを形成する。可動基板21については、その中央部に薄肉部21aが形成されるようにエッチングを実施する。
図2(b)のAu電極形成工程では、スパッタリング、蒸着等により固定基板3の上面凹所3a内にAu固定電極膜4を形成すると同時に、固定基板上面外周縁3bにはAu固定電極4と導通するようにAu接合膜6aを成膜する。更に、可動基板21の下面中央部にスパッタリング、蒸着等によりAu可動電極膜22を形成すると共に、可動基板下面外周縁にはAu接合膜23aを形成する。
図2(c)のNiバリアメタル形成工程では、可動基板下面のAu接合膜23aの下面にNi接合膜23bを形成する。
図2(d)の工程では、固定基板3に対して固定電極4上に誘電体膜5を形成することにより基台2を完成し、可動基板21のNi接合膜23bの下面にAu−Sn接合膜23cを形成することにより検出素子20を完成する。
図2(c)の基板接合工程で、基台2上に検出素子20を重ね合わせ、接合膜6a、23同志を溶融接合させることにより、圧力センサ1を完成する。
上記各実施形態において説明した圧力センサは、水圧センサ(水深センサ)、気圧センサ、差圧センサ等に適用することができる。
1…圧力センサ、2…基台、3…固定基板、3a…凹所、3a…上面凹所、4…Au固定電極膜、5…誘電体膜、6…接合金属膜、6a…Au接合膜、6a…Au接合膜、20…検出素子、21…可動基板、21a…薄肉部、22…Au可動電極膜、23…接合金属膜、23a…Au接合膜、23b…Ni接合膜、23c…Au−Sn接合膜。
Claims (1)
- 絶縁材料から成る固定基板と、該固定基板の上面に順次積層されたAu固定電極膜及び誘電体膜と、該固定基板の上面外周縁に沿って積層されたAu接合膜と、
前記誘電体膜と対向する位置に薄肉部を備えるとともに前記固定基板のAu接合膜と対向する位置にAu接合膜を備え、前記固定基板側のAu接合膜との間をAu−Sn接合膜を介して溶融接合される可動基板と、該薄肉部の下面に形成され且つ前記固定電極膜及び誘電体膜と対向する位置関係にある可動電極膜と、を備え、該可動電極膜と該誘電体膜との間に微小ギャップの気密空間を備えた静電容量型圧力センサにおいて、
前記固定基板側のAu接合膜面、或いは可動基板側のAu接合膜面の少なくとも一方に備えたNi接合膜を介して、両Au接合膜間を接合させた構造を備えていることを特徴とする圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005205796A JP2007024633A (ja) | 2005-07-14 | 2005-07-14 | 圧力センサ |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012068149A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Japan Science & Technology Agency | 静電容量型圧力センサ、圧力測定装置、及び、静電容量型圧力センサの製造方法 |
US20200370982A1 (en) * | 2019-05-22 | 2020-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pressure measuring apparatus |
-
2005
- 2005-07-14 JP JP2005205796A patent/JP2007024633A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012068149A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Japan Science & Technology Agency | 静電容量型圧力センサ、圧力測定装置、及び、静電容量型圧力センサの製造方法 |
US20200370982A1 (en) * | 2019-05-22 | 2020-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pressure measuring apparatus |
US11662264B2 (en) * | 2019-05-22 | 2023-05-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pressure measuring apparatus for measuring a discharge pressure of a liquid discharged onto a wafer |
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