JP2007021580A - スパッタリングターゲット製造用はんだ合金およびこれを用いたスパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲット製造用はんだ合金およびこれを用いたスパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007021580A JP2007021580A JP2006161048A JP2006161048A JP2007021580A JP 2007021580 A JP2007021580 A JP 2007021580A JP 2006161048 A JP2006161048 A JP 2006161048A JP 2006161048 A JP2006161048 A JP 2006161048A JP 2007021580 A JP2007021580 A JP 2007021580A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- backing plate
- solder alloy
- target material
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【効果】本発明のはんだ合金によれば、高温時においても高い接合強度を有する接合材層を形成できるため、過酷なスパッタリング条件下でもターゲット材がバッキングプレートから剥離するのを防止でき、さらに接合時におけるバッキングプレートのCu侵食量を著しく低減して、該バッキングプレートの繰り返し使用による強度劣化を防止できる。また、本発明のはんだ合金によれば、裏打ち膜不要となる程度にターゲット材との濡れ性が優れているため、裏打ち膜の作製に必要な装置と工程を省略でき、スパッタリングターゲットの生産性を大幅に向上できる。
【選択図】なし
Description
スパッタリングに用いられるターゲット材は、スパッタリング時にイオンなどの高エネルギー粒子による衝撃を受け続けるため、熱が内部に蓄積し高温となる。このため熱伝導性の良い材料、通常、CuやCu合金からなるバッキングプレートと呼ばれる冷却板をターゲット材に接合し、このバッキングプレートを冷却することにより、ターゲット材の熱を逃がすようにしている。
接合材としては、従来、低融点であるInやInを主成分とするIn合金が広く用いられてきた(特許文献1参照)。
ターゲット材とバッキングプレートとの剥離の問題を解決できない。
不足したりして、ターゲット材とバッキングプレートとの剥離の問題を解決できない。
本発明に係るはんだ合金は、スパッタリングターゲット製造の際にターゲット材とCu製もしくはCu合金製バッキングプレートとの接合に用いられるはんだ合金であって、Znを3〜9重量%含み、残部がSnおよび不可避的不純物からなることを特徴としている。
また、本発明に係るスパッタリングターゲットは、前記はんだ合金を用いて、ターゲット材とCu製もしくはCu合金製バッキングプレートとを接合して得られることを特徴としている。
<スパッタリングターゲット製造用はんだ合金>
本発明のはんだ合金は、スパッタリングターゲットの製造の際にターゲット材とCu製もしくはCu合金製バッキングプレートとの接合に用いられる接合材であって、Znを3〜9重量%の量で含み、残部がSnおよび不可避的不純物からなることを特徴としている。ここで、不可避的不純物とは、合金に不可避的に含まれるごく微量の、ZnおよびSn以外の他の元素を意味する。言い換えれば、本発明のはんだ合金は、実質的にはSnとZnとからなる。
はんだ合金との濡れ性がよく、接合強度がとくに高くなる点から、CuおよびCu合金が好ましく、Cuがより好ましい。Cu合金としては、クロム銅などのCuを主成分とする合金が挙げられる。本発明のはんだ合金によれば、上記Cu製もしくはCu合金製バッキングプレートとターゲット材とをはんだ合金で接合する際の、バッキングプレートのCuの侵食量を著しく低減できるため、該バッキングプレートの繰り返し使用による強度劣化を防止できる。
本発明のスパッタリングターゲットは、上述したターゲット材とバッキングプレートとを、通常の方法で、本発明のはんだ合金から形成される接合材層を介して接合することによって製造することができる。
Sn(純度99.99%)、Zn(純度99.99%)を原料として、これらをSn/
Zn(重量%)=97/3、91/9の割合で含むSn−Znはんだ合金(各順にサンプルNo.1、2という)を調製した。
(各順にサンプルNo.7、8という)を調製した。
依存性と(3)バッキングプレート(Cu)の侵食量と(4)Al製ターゲット材との濡れ性を評価した。
(1)融点の測定方法
上記サンプルNo.1〜8それぞれについて、示差熱分析装置TG-DTA2000S(MAC Science社
製)にて昇温速度20℃/時間で300℃まで加熱した時の吸熱反応ピーク値を測定し、該ピーク値の温度を融点とした。
上記サンプルNo.1〜8をそれぞれ使用して、裏打ち膜なしのφ10mm×50mmの円柱状
のAlターゲット材と20mm×20mm×5mmtのCu製バッキングプレートとを接合し
、引張り試験装置オートグラフAGS-500B(島津製作所製)を用いて室温(23℃)における接合強度を測定した。また、接合部付近を熱電対で温度を計測しながらHeating Gun(白
光社製)で加熱し、温度上昇時(60、90、120、150℃)の接合強度についても、同様にそれぞれ測定した。
上記サンプルNo.1〜8をそれぞれ、ホットプレート上で260℃に加熱したCu製バッキングプレート50×50mm□内に超音波ハンダゴテを用いて下塗りした。下塗り後、バッキングプレート上のはんだ合金をシリコンラバーのハケで削ぎ取り、削ぎ取ったはんだ合金をICP(SPS5100;エスアイアイナノテクノロジー製)を用いて分析し、Cu量を定量し
た。
上記サンプルNo.1〜8をそれぞれ、ホットプレート上で260℃に加熱したAl製ターゲット材50×50mm□内に超音波ハンダコテを用いて10秒間下塗りした。次いで、Al製ターゲット材を、一旦室温まで冷まし、再び260℃まで加熱した後、該Al製ターゲット材上
のはんだ合金をシリコンラバーのハケで削ぎ取った。その後、はんだ合金が剥げずにAl製ターゲット材上に一面に均一に残っているかを目視にて観察し、濡れ性がよく、はんだ合金が一面に均一に残り、剥げていないものを○で、濡れ性が悪く、はんだ合金が剥げたものを×で評価した。
)と異なり、高温時の接合強度が高く、かつバッキングプレート由来のCuの侵食量が著しく低減されており、さらにAl製ターゲット材との濡れ性も良好であることがわかる。
[実施例3〜17]
上記実施例2のサンプルNo.2(Sn/Zn(重量%)=91/9)のはんだ合金を用いて、裏打ち膜なしのφ10mm×50mmの円柱状の各種ターゲット材(Al合金、Ti、Ti合金、Mo、Mo合金、Ta、Si、Nb、Cu、Cr、Ag、Ag合金)と20mm×20mm×5mmtのCu製バッキングプレートとを接合し、引張り試験装置オートグラフAGS
-500B(島津製作所製)を用いて室温(23℃)における接合強度を測定した。また、接合
部付近を熱電対で温度を計測しながらHeating Gun(白光社製)で加熱し、温度上昇時(60、90、120、150℃)の接合強度についても、それぞれ測定した。
なお、各バッキングプレート(Cu)の侵食量を実施例2と同様の方法で測定したところ、実施例2の結果とほぼ同じ値となった。
Claims (4)
- スパッタリングターゲット製造の際にターゲット材とCu製もしくはCu合金製バッキングプレートとの接合に用いられるはんだ合金であって、Znを3〜9重量%含み、残部がSnおよび不可避的不純物からなることを特徴とするはんだ合金。
- 前記ターゲット材が、金属または合金からなることを特徴とする請求項1に記載のはんだ合金。
- 前記ターゲット材が、AlまたはAl合金からなることを特徴とする請求項1に記載のはんだ合金。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のはんだ合金を用いて、ターゲット材とCu製もしくはCu合金製バッキングプレートとを接合して得られることを特徴とするスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006161048A JP2007021580A (ja) | 2005-06-15 | 2006-06-09 | スパッタリングターゲット製造用はんだ合金およびこれを用いたスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005175628 | 2005-06-15 | ||
JP2006161048A JP2007021580A (ja) | 2005-06-15 | 2006-06-09 | スパッタリングターゲット製造用はんだ合金およびこれを用いたスパッタリングターゲット |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007021580A true JP2007021580A (ja) | 2007-02-01 |
Family
ID=37783004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006161048A Pending JP2007021580A (ja) | 2005-06-15 | 2006-06-09 | スパッタリングターゲット製造用はんだ合金およびこれを用いたスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007021580A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101056059B1 (ko) | 2008-12-01 | 2011-08-10 | 주식회사 코멧네트워크 | 타겟 접합제 |
CN103785911A (zh) * | 2012-10-30 | 2014-05-14 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 靶材组件的焊接方法 |
JPWO2014007151A1 (ja) * | 2012-07-04 | 2016-06-02 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
JP2017060990A (ja) * | 2015-09-23 | 2017-03-30 | 住華科技股▲フン▼有限公司Sumika Technology Co.,Ltd | はんだ、スパッタリングターゲット材およびスパッタリングターゲット材の作製方法 |
US20180282859A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target-backing plate assembly and production method thereof |
JP2020059915A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-04-16 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-06-09 JP JP2006161048A patent/JP2007021580A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101056059B1 (ko) | 2008-12-01 | 2011-08-10 | 주식회사 코멧네트워크 | 타겟 접합제 |
JPWO2014007151A1 (ja) * | 2012-07-04 | 2016-06-02 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
CN103785911A (zh) * | 2012-10-30 | 2014-05-14 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 靶材组件的焊接方法 |
JP2017060990A (ja) * | 2015-09-23 | 2017-03-30 | 住華科技股▲フン▼有限公司Sumika Technology Co.,Ltd | はんだ、スパッタリングターゲット材およびスパッタリングターゲット材の作製方法 |
US20180282859A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target-backing plate assembly and production method thereof |
JP2018172740A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
US11414745B2 (en) | 2017-03-31 | 2022-08-16 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target-backing plate assembly and production method thereof |
JP2020059915A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-04-16 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
JP6991172B2 (ja) | 2019-03-20 | 2022-01-12 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5285079B2 (ja) | はんだ合金および半導体装置 | |
CN101529583B (zh) | 功能部件用盖及其制造方法 | |
KR100875125B1 (ko) | 스퍼터링 타겟 제조용 땜납합금 및 이를 이용한 스퍼터링타겟 | |
JP2007021580A (ja) | スパッタリングターゲット製造用はんだ合金およびこれを用いたスパッタリングターゲット | |
CN109732166B (zh) | 一种硬质合金与奥氏体不锈钢的扩散钎焊方法 | |
JP6036202B2 (ja) | Au−Ag−Ge系はんだ合金 | |
KR100771434B1 (ko) | 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 스퍼터링 타겟 | |
KR100785208B1 (ko) | 스퍼터링 타깃 제조용 땜납 합금 및 이것을 이용한스퍼터링 타깃 | |
EP0587307B1 (en) | Aluminium alloys | |
JP5672132B2 (ja) | Znを主成分とするPbフリーはんだ合金およびその製造方法 | |
US20130048153A1 (en) | High-Temperature Solder with Multi-Layer Structure and Manufacturing Method Thereof | |
TW201837218A (zh) | 清洗濺鍍靶的靶材的方法、靶材的製造方法、再生鑄錠的製造方法及再生鑄錠 | |
JP6887183B1 (ja) | はんだ合金および成形はんだ | |
JP5526997B2 (ja) | Bi系はんだ接合用の電子部品と基板及び電子部品実装基板 | |
JP2017035708A (ja) | Pbを含まないSb−Cu系はんだ合金 | |
SK500792017U1 (sk) | Mäkká bezolovnatá aktívna spájka a spôsob spájkovania | |
CN111001923B (zh) | 一种搅拌工具表面处理方法 | |
TWI511827B (zh) | Active soft solder filler composition | |
JP5652001B2 (ja) | Znを主成分とするPbフリーはんだ合金 | |
JP2011235314A (ja) | Znを主成分とするPbフリーはんだ合金 | |
JP2016052687A (ja) | はんだ接着体 | |
CN109175573A (zh) | 一种Cu-Ni合金化基板与无铅钎料的焊点及其制备方法 | |
JP2022026897A (ja) | 積層体および積層体の製造方法 | |
JP2013132643A (ja) | はんだ接着体 | |
JP2011240372A (ja) | Znを主成分とするPbフリーはんだ合金 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070312 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20090624 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20090630 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20090817 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091020 |