JP2007017181A - Device and method for inspecting surface - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は表面検査装置及び表面検査方法に関し、特に半導体デバイスの製造に用いられる試料表面の状態を検査する表面検査装置及び表面検査方法に関する。 The present invention relates to a surface inspection apparatus and a surface inspection method, and more particularly, to a surface inspection apparatus and a surface inspection method for inspecting a state of a sample surface used for manufacturing a semiconductor device.
従来から、半導体デバイスの製造に用いられる試料表面の状態、例えば、うねり、ディンプル、突起、洗浄不良又はバフダメージなどを検出する検査装置として、光源から試料表面に光を照射し、試料表面の反射光から試料表面の状態を検出する表面検査装置が知られている。 Conventionally, as an inspection device for detecting the state of a sample surface used for manufacturing a semiconductor device, such as waviness, dimples, protrusions, poor cleaning, or buff damage, the sample surface is irradiated with light and the sample surface is reflected. A surface inspection apparatus that detects the state of a sample surface from light is known.
このような表面検査装置を用いた表面検査方法としては、例えば、バンプが形成されたチップを検査対象として、このチップ表面の状態、すなわちバンプの変形や欠落などを判定する方法が知られている。 As a surface inspection method using such a surface inspection apparatus, for example, a method is known in which a chip on which a bump is formed is inspected, and the state of the chip surface, that is, a deformation or missing of the bump is determined. .
例えば、特許文献1には、バンプが形成された基板上をリング状照明装置によって照明し、上方から撮像装置により撮像して得られた円環状の撮影画像を利用して、バンプの変形や欠落を検査する表面検査装置が記載されている(特許文献1)。この表面検査装置によれば、バンプが形成された部分は比較的明るく撮影されることから、撮影画像の明暗パターンにより、基板上でバンプが形成された部分とベース部分との検出をすることが可能となる。
しかしながら、上記の表面検査装置のように、基板上を照明する手段としてリング状照明装置を用いると、撮像装置が基板上のバンプにおける反射光のみならずベース面における反射光も拾ってしまうため、特にバンプが細かく形成された基板の検査では、撮影画像においてバンプとベース面とのコントラストがつきにくく、チップ上でバンプが形成された位置を容易に検出することができないという問題があった。 However, when a ring-shaped illumination device is used as a means for illuminating the substrate like the surface inspection device described above, the imaging device picks up not only the reflected light on the bumps on the substrate but also the reflected light on the base surface, In particular, in the inspection of the substrate on which the bumps are finely formed, there is a problem in that the contrast between the bump and the base surface is difficult to be obtained in the photographed image, and the position where the bump is formed on the chip cannot be easily detected.
また、この場合に、リング状照明装置を近づけて撮像を行うとコントラストをある程度改善することができるが、リング状照明装置を基板に近づけすぎるとワークスペースを確保することができないという問題があった。 In this case, the contrast can be improved to some extent if the ring illumination device is brought close to the image, but there is a problem that the work space cannot be secured if the ring illumination device is too close to the substrate. .
本発明の課題は、半導体デバイスの製造に用いられる試料の表面検査において、撮影画像のコントラストを改善してチップ表面の凸部を容易に検出することを可能とする表面検査装置又は表面検査方法を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a surface inspection apparatus or surface inspection method capable of improving the contrast of a photographed image and easily detecting convex portions on a chip surface in the surface inspection of a sample used for manufacturing a semiconductor device. It is to provide.
上記課題を解決するために請求項1記載の発明は、表面検査装置であって、光源からの光をライン状にしてステージ上に支持されたチップの表面に斜め一方向から光を照射するラインライトガイドと、前記チップ表面の反射光を透過させるテレセントリック光学系とを設け、前記テレセントリック光学系によって結像された反射光により前記チップ表面の凸部を検出することを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to
請求項2記載の発明は、請求項1記載の表面検査装置であって、前記チップは表面にバンプが形成されたバンプ付きチップであり、前記バンプ付きチップにおいてバンプが形成された部分を検出することを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the surface inspection apparatus according to the first aspect, the chip is a bumped chip having a bump formed on a surface thereof, and the bump formed chip is detected in the bumped chip. It is characterized by that.
請求項3記載の発明は、請求項2記載の表面検査装置であって、前記ラインライトガイドは光軸が前記ステージと36°の角をなすように設置され、前記テレセントリック光学系は前記ステージの法線方向に設置されていることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the surface inspection apparatus according to the second aspect, the line light guide is installed so that an optical axis forms an angle of 36 ° with the stage, and the telecentric optical system is mounted on the stage. It is installed in the normal direction.
請求項4記載の発明は、請求項1記載の表面検査装置であって、前記チップは成形チップ及び鏡面を備えた鏡面チップであり、前記鏡面チップにおいて成形チップ及び鏡面の境界を検出することを特徴とする。 A fourth aspect of the present invention is the surface inspection apparatus according to the first aspect, wherein the chip is a mirror chip having a molding chip and a mirror surface, and the boundary between the molding chip and the mirror surface is detected in the mirror chip. Features.
請求項5記載の発明は、請求項1〜請求項4いずれか一項に記載の表面検査装置であって、前記ステージは360°回転可能であり、前記ラインライトガイドによってどの角度からでも前記チップ表面に光を照射することができることを特徴とする。 A fifth aspect of the present invention is the surface inspection apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein the stage is rotatable by 360 °, and the chip can be rotated from any angle by the line light guide. It is characterized in that the surface can be irradiated with light.
請求項6記載の発明は、表面検査方法であって、ステージ上に支持されたチップの表面を検査する方法において、ラインライトガイドの使用により光源からの光をライン状にして前記チップ表面に斜め一方向から光を照射し、前記チップ表面における反射光を透過させるテレセントリック光学系を使用し、前記テレセントリック光学系によって結像された反射光により前記チップ表面の凸部を検出することを特徴とする。
The invention according to
請求項7記載の発明は、請求項6記載の表面検査方法であって、前記チップは表面にバンプが形成されたバンプ付きチップであり、前記バンプ付きチップにおいてバンプが形成された部分を検出することを特徴とする。
The invention according to
請求項8記載の発明は、請求項7記載の表面検査方法であって、前記ラインライトガイドは光軸が前記ステージと36°の角をなすように設置され、前記テレセントリック光学系は前記ステージの法線方向に設置されていることを特徴とする。
The invention according to
請求項9記載の発明は、請求項6記載の表面検査方法であって、前記チップは成形チップ及び鏡面を備えた鏡面チップであり、前記鏡面チップにおいて成形チップ及び鏡面の境界を検出することを特徴とする。
The invention according to
請求項10記載の発明は、請求項6〜請求項9いずれか一項に記載の表面検査方法であって、前記ステージは360°回転可能であり、前記ラインライトガイドはどの角度からでも前記チップ表面に光を照射することができることを特徴とする。 A tenth aspect of the present invention is the surface inspection method according to any one of the sixth to ninth aspects, wherein the stage can be rotated 360 °, and the line light guide can be rotated from any angle. It is characterized in that the surface can be irradiated with light.
請求項1又は請求項6記載の発明によれば、ラインライトガイドによってライン状の平行光を斜め一方向から照射するため、単にハロゲンランプなどの光源を用いて照明を行った場合に比べて、チップ表面の凸部の反射光を一方向に強く反射させることができる。これにより、チップ表面における凸部の検出が容易となり、ラインライトガイドとチップとの間のワークスペースを確保することも可能となる。また、ラインライトガイドとテレセントリック光学系とを組み合わせて使用することにより、テレセントリック光学系の絞りを介してチップ表面を観測すると、チップ表面の凸部の反射光と異なる方向に反射した光は絞りによって遮られるため、チップ表面における凸部の検出が一層容易となる。
According to the invention of
請求項2又は請求項7記載の発明によれば、ラインライトガイドによってライン状の平行光を斜め一方向から照射することによって、バンプ付きチップの表面に形成されたバンプに当たった光を一方向に強く反射させることができる。また、バンプ付きチップの表面のバンプにおける反射光と異なる方向に反射した光はテレセントリック光学系の絞りによって遮られるため、バンプが形成された部分を検出することが一層容易となる。
According to the invention of
請求項3又は請求項8記載の発明によれば、ラインライトガイドは斜め36°の角度から光を照射することから、チップ表面の凸部に当たった光はステージの法線方向付近に強く反射する。また、テレセントリック光学系はステージの法線方向に設置されており、ステージの法線方向と異なる方向に反射した光は絞りによって遮られるため、チップ表面における凸部の検出が一層容易となる。
According to the invention of
請求項4又は請求項9記載の発明によれば、ラインライトガイドによってライン状の平行光を斜め一方向から照射することによって、鏡面チップの表面の成形チップに当たった光を一方向に強く反射させることができる。また、鏡面チップの表面の成形チップにおける反射光と異なる方向に反射した光はテレセントリック光学系の絞りによって遮られるため、成形チップ及び鏡面の境界を検出することが一層容易となる。
According to the invention of
請求項5又は請求項10記載の発明によれば、ラインライトガイドによってどの角度からでもチップ表面に光を照射することができることから、例えば、鏡面チップの表面を検査する場合、成形パターンの方向に応じてチップ表面の凸部に当たった光が特に強く反射する方向から光を照射することが可能となる。これにより、チップ表面における凸部の検出が一層容易となる。
According to the invention of
図1は本発明の実施の形態に係る表面検査装置1の概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a
本実施形態の表面検査装置1は、バンプ付きチップ2の表面におけるバンプの有無について検査を行う装置であり、光源3、ファイバ4、ラインライトガイド5、バンプ付きチップ2を支持するステージ6、テレセントリック光学系7及びCCD8から構成されている。
The
バンプ付きチップ2は、半導体チップの電極パッド部分に半田の突起であるバンプが形成されたものである。本実施形態のバンプはボールバンプであるが、上部が球状に形成されていればマッシュルームバンプであってもよい。
The bumped
光源3としては特に限定されないが、本実施形態ではハロゲンランプを使用している。また、メタルハライドランプ、キセノンランプ、発光ダイオード又はレーザなどを使用することも可能である。
Although it does not specifically limit as the
ファイバ4は、高純度のガラス又はプラスチックなどによって形成された光通信用ケーブルであり、本実施形態では複数本のファイバ4が光源3の出力光をラインライトガイド5に送信するようになっている。
The
ラインライトガイド5は、筐体の一側面に矩形のファイバ挿入孔9をライン状に形成することによって構成されており、複数のファイバ4を挿入することによって、ファイバ4の先端をライン状に束ねてライン光を出射させるようになっている。本実施形態のラインライトガイド5のファイバ挿入孔9は幅寸法1mm、長さ寸法50mmとされており、ファイバ挿入孔9から断面形状の面積が1mm×50mmのライン光を出射させるようになっている。
The
ラインライトガイド5は、ステージ6との距離が200mm以上となるように設置されており、ワークスペースが確保されている。
The line
また、ラインライトガイド5は、光軸を中心として左右の傾きが可変となるように設置され、ファイバ挿入孔9から出射されるライン光の傾きを変化させることができるようになっている。本実施形態では、ラインライトガイド5は光軸を中心として左右の傾きがないように設置されている。
Further, the line
また、ラインライトガイド5は、ラインライトガイド5の光軸とステージ6とが成す角の角度が可変であるように設置されており、ステージ6に支持されたバンプ付きチップ2の表面に斜め一方向から光を照射することができるようになっている。これにより、単にハロゲンランプなどの光源を用いて照明を行った場合に比べて、チップ表面の凸部の反射光を一方向に強く反射させることができるようになっている。
Further, the line
本実施形態のラインライトガイド5は、ラインライトガイド5の光軸とステージ6とが成す角の角度が36°となるように設置されており、ラインライトガイド5から出射された光は、36°の角度でバンプ付きチップ2の表面のバンプに照射されるようになっている。また、上述のように本実施形態のバンプは上部が球状のボールバンプであり、このバンプに36°の角度で光が照射されると、球状のバンプの斜め上部付近に当たった光は主にステージ6の法線方向に反射する。したがって、この反射光をステージ6の真上方向から撮像することにより、バンプの頂部付近の位置ひいてはバンプの位置を容易に検出することができるようになっている。なお、バンプがマッシュルームバンプの場合も同様である。
The line
ステージ6は、中心線を軸として傾きが可変であるように設置されており、本実施形態のtilt許容角度は±5°となっている。
The
また、ステージ6は被検体であるバンプ付きチップ2を支持して360°回転可能なように構成されており、ラインライトガイド5によってどの角度からでもバンプ付きチップ2の表面に光を照射することができるようになっている。
Further, the
テレセントリック光学系7は、ステージ6の法線方向に設置されている。また、テレセントリック光学系7はステージ6との距離が200mmとなるように設置されており、ワークスペースが確保されている。
The telecentric
また、テレセントリック光学系7は前側レンズと後側レンズの2つから構成され、前側レンズの後側焦点と後側レンズの前側焦点を一致させて配列し、この焦点位置に絞りが設けられたいわゆる両側テレセントリック光学系として構成されている。このテレセントリック光学系7の絞りは可変絞りとして構成され、0.5〜4.0の範囲で可変とされており、本実施形態では絞りを2としている。
The telecentric
このように、テレセントリック光学系7をラインライトガイド5と組み合わせて使用することにより、バンプ付きチップ2のバンプに当たって反射した光を一層容易に検出することができるようになっている。すなわち、本実施形態では上述のように、ラインライトガイド5からバンプ付きチップ2に36°の角度で光が照射されると、球状のバンプの斜め上部付近に当たった光は主にステージ6の法線方向に反射する。そして、テレセントリック光学系7はステージ6の法線方向に設置されているため、バンプの反射光を容易に検出することができる。また、ステージ6の法線方向と異なる方向に反射した光はテレセントリック光学系7の絞りによって遮られることから、バンプの反射光を検出することが一層容易となる。これにより、バンプ付きチップ2の表面におけるバンプの有無を容易に検出することができる。
As described above, by using the telecentric
CCD(Charge Coupled Device)8は、テレセントリック光学系7からの光を受光して電気信号に変換するものである。
A CCD (Charge Coupled Device) 8 receives light from the telecentric
次に、図2に本実施形態の表面検査装置1の機能的構成を示す。
Next, FIG. 2 shows a functional configuration of the
図2に示すように、本実施形態の表面検査装置1は制御装置10を備えている。
As shown in FIG. 2, the
制御装置10は制御部11を備えており、制御部11は、ROMに記録された処理プログラムをRAMに展開してCPUによってこの処理プログラムを実行することにより、表面検査装置1の各構成部分を駆動制御するようになっている。
The
また、制御装置10はキーボード又はマウスなどから構成される入力部12を備え、ユーザによる指示入力ができるようになっている。
In addition, the
また、制御装置10は、半導体メモリなどからなる記憶部13を備えている。記憶部13は、例えばフラッシュメモリなどの内蔵型メモリや着脱可能なメモリカードやメモリスティックであってもよく、また、ハードディスク又はフロッピー(登録商標)ディスクなどの磁気記録媒体などであってもよい。
In addition, the
図2に示すように、制御装置10には光源3、ステージ駆動機構14及びCCD8が電気的に接続されている。
As shown in FIG. 2, the
光源3としてのハロゲンランプは、制御部11によってON/OFFが制御されるようになっている。
The halogen lamp as the
ステージ駆動機構14は、バンプ付きチップ2を支持するステージ6の回転や傾斜を制御することにより、ラインライトガイド5からバンプ付きチップ2の表面に入射する光の位置を調整するようになっている。本実施形態において、ステージ6は360°回転することが可能であり、また、ステージ6の傾きの許容範囲は±5°程度となっている。
The
CCD8は、制御部11の制御により所定のタイミングでテレセントリック光学系7からの光を受光して電気信号に変換し、画像データとして制御部11に送信するようになっている。本実施形態のCCD8は、ステージ6の法線方向に設置されたテレセントリック光学系7に近接して設置されており、テレセントリック光学系7を透過した反射光を受光してバンプ付きチップ2を真上から撮像するようになっている。
The
次に、上記の表面検査装置1を使用した本発明の表面検査方法について説明する。
Next, the surface inspection method of the present invention using the
ユーザは、バンプ付きチップ2を表面検査装置1のステージ6に支持させる。
The user supports the
バンプ付きチップ2の表面検査が開始されると、制御部11は光源3としてのハロゲンランプをONにする。
When the surface inspection of the bumped
光源3から出射された光はファイバ4によりラインライトガイド5に送信され、ラインライトガイド5のファイバ挿入孔9から断面形状の面積が1mm×50mmの光として出射される。
The light emitted from the
ラインライトガイド5から出射された光は、36°の角度でバンプ付きチップ2の表面に形成されたバンプに照射される。すると、球状のバンプの斜め上部付近に当たって反射した光は主にステージ6の法線方向に反射する。
The light emitted from the line
続いて、球状のバンプの斜め上部付近に当たって反射した光は、テレセントリック光学系7を透過する。この際、ステージ6の法線方向と異なる方向に反射した光はテレセントリック光学系7の絞りによって遮られる。更に、CCD8は、テレセントリック光学系7を透過した光をステージ6の真上から受光して光電変換することにより、バンプ付きチップ2を撮像し、画像データを制御部11に送信するようになっている。
Subsequently, the light reflected by hitting the vicinity of the oblique upper portion of the spherical bump passes through the telecentric
制御部11は、CCD8から受信した画像データを図示しないモニタに表示する。そして、この撮影画像により、バンプの頂部付近の位置ひいてはバンプの位置を検出する。
The
以上のように、本実施形態に係る表面検査装置1によれば、ラインライトガイド5によってライン状の平行光を斜め一方向から照射するため、単にハロゲンランプなどの光源を用いて照明を行った場合に比べて、バンプ付きチップ2のバンプの反射光を一方向に強く反射させることができる。これにより、バンプ付きチップ2の表面におけるバンプ形成部分の検出が容易となり、ラインライトガイド5とバンプ付きチップ2との間のワークスペースを確保することも可能となる。
As described above, according to the
また、ラインライトガイド5から36°の角度でバンプ付きチップ2の表面に光を照射することにより、球状のバンプの斜め上部付近に当たった光は主にステージ6の法線方向に反射する。したがって、この反射光をステージ6の真上方向から撮像することにより、バンプの頂部付近の位置ひいてはバンプの位置を容易に検出することができるようになっている。
Further, by irradiating the surface of the bumped
更に、テレセントリック光学系7をラインライトガイド5と組み合わせて使用することにより、バンプ付きチップ2のバンプに当たって反射した光を一層容易に検出することができる。すなわち、テレセントリック光学系7はステージ6の法線方向に設置されているため、球状のバンプの斜め上部付近に当たってステージ6の法線方向に反射した光を容易に検出することができる。また、ステージ6の法線方向と異なる方向に反射した光はテレセントリック光学系7の絞りによって遮られることから、バンプの反射光を検出することが一層容易となる。
Furthermore, by using the telecentric
また、本実施形態では表面検査装置1の被検体をバンプ付きチップ2としたが、例えば被検体を鏡面チップとして、鏡面チップにおいて鏡面と成形チップとの境界を検出することも可能である。
In the present embodiment, the subject of the
すなわち、ラインライトガイド5によってライン状の平行光を斜め一方向から照射することにより、鏡面チップの成形チップに当たった光を一方向に強く反射させることができる。また、成形チップにおける反射光と異なる方向に反射した光はテレセントリック光学系7の絞りによって遮られるため、鏡面チップにおいて鏡面と成形チップとの境界を検出することが一層容易となる。
That is, by irradiating the line-shaped parallel light from one oblique direction with the line
この場合において、上述のようにステージ6は被検体であるバンプ付きチップ2を支持して360°回転可能となるように構成されており、鏡面チップの表面における成形パターンの方向に応じて、鏡面チップの表面の凸部に当たった光が特に強く反射する方向から光を照射することが可能となる。これにより、鏡面チップにおいて成形チップ及び鏡面の境界を検出することが一層容易となる。
In this case, as described above, the
以上詳細に説明したように本発明の表面検査装置又は表面検査方法によれば、半導体デバイスの製造に用いられる試料の表面検査において、撮影画像のコントラストを改善することができる。 As described above in detail, according to the surface inspection apparatus or the surface inspection method of the present invention, the contrast of a photographed image can be improved in the surface inspection of a sample used for manufacturing a semiconductor device.
1 表面検査装置
2 チップ
3 光源
4 ファイバ
5 ラインライトガイド
6 ステージ
7 テレセントリック光学系
8 CCD
9 ファイバ挿入孔
10 制御装置
11 制御部
12 入力部
13 記憶部
14 ステージ駆動機構
1
9
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