JP2007016226A - 芳香族重合体 - Google Patents

Abstract

【課題】電荷輸送性、発光性に優れる新規な芳香族重合体の提供。
【解決手段】下記式（１）で示される繰り返し単位を１種類以上含む、芳香族重合体。

（式中、Ａｒ^１は縮環構造を有するアリーレン基、又はπ共役系を有する２価の複素環化合物基を表し、下記式（２）で表される基を有する。該基は、Ａｒ^１で表される縮環構造を有するアリーレン基、又はπ共役系を有する２価の複素環化合物基の環構造の環内に含まれる炭素原子であって、ｓｐ^２混成軌道を有する該炭素原子に結合している。）

【選択図】なし

Description

本発明は、新規な芳香族重合体に関する。

主鎖に芳香環を有する高分子化合物は、電荷輸送性、発光性等の電子的特性、及び剛直性、熱安定性等の機械的特性等に特異的な性質を示すことから、これまで、電子材料分野、化学分野、エネルギー材料分野、医薬分野などにおいて、盛んにその応用が進められている（例えば、非特許文献１、特許文献１）。なかでも、電子素子用として種々検討されており、例えば、高分子量の発光材料（高分子蛍光体）として用いられるものとして、ポリフルオレン、ポリパラフェニレン誘導体などのポリアリーレン系の高分子化合物、ポリアリーレンビニレン系の高分子化合物が知られている（例えば、非特許文献２）。

ジャーナル・オブ・ポリマー・サイエンス・パートＡ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ：Ｐａｒｔ Ａ）第３９巻、１５３３頁（２００１年） プログレス・イン・ポリマー・サイエンス（Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ）第２８巻、８７５頁（２００３年） 特許第３６０６２１７号特許公報

しかしながら、これまでの主鎖に芳香環を有する高分子化合物を高分子蛍光体として利用した場合に、電荷輸送性、発光性が十分なものではなかった。
本発明の目的は、新規な芳香族重合体を提供することにある。より詳細には、本発明の目的は、電荷輸送性、発光性に優れる新規な芳香族重合体を提供することにある。

本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、主鎖とπ共役系をなす炭素原子どうしで結合する特定の構造を有する基を有する芳香族繰り返し単位を含む新規な芳香族重合体を見出し、本発明を完成した。

すなわち、本発明は、主鎖に下記式（１）で示される繰り返し単位を１種類以上含む、芳香族重合体を提供するものである。

（式中、Ａｒ^１は縮環構造を有するアリーレン基、又はπ共役系を有する２価の複素環化合物基を表し、下記式（２）で表される基を有する。該基は、Ａｒ^１で表される縮環構造を有するアリーレン基、又はπ共役系を有する２価の複素環化合物基の環構造の環内に含まれる炭素原子であって、ｓｐ^２混成軌道を有する該炭素原子に結合している。

（式中、Ｅ^１は水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。Ａｒ^２は２価のπ共
役系環状化合物残基を有する基を表し、２つのＡｒ^２は同一でも異なっていてもよい。Ｘ^１は−ＮＱ^１−、−ＰＱ^２−、及び−ＢＱ^３−からなる群から選ばれる２価の基を表す。Ｑ^１
〜Ｑ^３はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｚは直接結合又は２価の連結基を表し、２つのＺは同一でも異なっていてもよい。ｍ_ｉは各々、０又は１を表す。Ｘ^１が２つ存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。））

本発明の芳香族重合体は、電子材料分野、化学分野、エネルギー材料分野、医薬分野などにおいて、種々の高機能性材料の創製に有用な高分子材料として期待される。
中でも、電子材料分野においては、例えば、高分子発光素子（以下、高分子ＬＥＤということがある。）に本発明の芳香族重合体を用いる場合、電荷輸送性の主鎖に、電荷注入・輸送性を向上させる機能性の置換基を付与することによる電荷注入・輸送性の向上や、蛍光又は燐光発光性の色素を含む機能性の置換基を付与することによる発光波長の調節、発光性の主鎖に、電荷注入性、電荷輸送性の機能性側鎖を付与することなどによる発光効率の向上、電荷注入・輸送性の向上、といった高機能化が実現できる。また、電子注入・輸送性の繰返し単位と、正孔注入・輸送性の繰返し単位、発光性の繰返し単位を組み合わせたランダム共重合体、ブロック共重合体などは、それぞれの繰返し単位自体が有している電荷注入・輸送性を互いに邪魔しあうことが考えられるが、本発明の芳香族重合体は、それらランダム共重合体、ブロック共重合体を用いる場合に比較して、主鎖と側鎖で正電荷の注入、負電荷の注入、正電荷の輸送、負電荷の輸送、発光といった機能を主鎖と側鎖又は側鎖同士で分離することにより、それぞれの機能を損なうことなく発現できること、さらにそれぞれの機能性を有する部分の導入率を自由に設定できること、すなわち、導入される機能性の置換基の量を制御することにより、主鎖の元々有している機能と導入される機能性の置換基による機能のバランスを取ることが可能となるなどの高機能化が期待される。
化学分野においては、芳香族重合体を構造材料とする場合に、芳香族重合体を主成分、又は添加剤として用いることで、相分離の抑制効果等の高機能化が期待される。
また、エネルギー材料分野においては、燃料電池用プロトン伝導膜などの高分子電解質の製造において、芳香族ポリマーを利用している例が知られているが、イオン交換性の置換基を有する側鎖を導入した芳香族重合体を用いることにより、膜強度を保ったまま、対応する直鎖ポリマーに比較してイオン交換容量を向上させるといった高機能化が期待される。
また、本発明の芳香族重合体は、主鎖と側鎖とがπ共役系をなす炭素原子どうしで結合しているため、熱的及び化学的安定性の高い芳香族重合体となることが期待される。さらに、π共役系をなす炭素原子どうしで結合していることから、側鎖による主鎖の電子的エネルギーレベルのチューニングが可能となることが期待される。加えて、本発明の芳香族重合体は側鎖とπ共役系をなす炭素原子どうしで結合している主鎖が縮環構造を有するアリーレン基又は２価の複素環基であるために、フェニレン基と結合する場合に比較して、主鎖の電荷注入・輸送性、発光性といった性質をより高いレベルで設計することが可能であり、側鎖による高機能化をより有効に実現できる。
このように、本発明の芳香族重合体は、各種機能性を有する基により、主鎖の機能を調節又は改善する、又は、主鎖の機能を損なうことなく、該基により新たな機能を付与するといったことが期待される。さらに、対応する各種直鎖状重合体の混合、ランダム共重合体、ブロック共重合体等と比較して、より制限を受けず、高い自由度をもって、各種高機能化を実現できることが期待される。

本発明の芳香族重合体は、上記式（１）で示される繰り返し単位を１種類以上含む。

上記式（１）で示される繰り返し単位は、上記式（２）で表される基を有する、縮環構造を有するアリーレン基又はπ共役系を有する２価の複素環化合物基を表す。即ち、上記式（２）で表される基は、Ａｒ^１で表される縮環構造を有するアリーレン基、又はπ共役系を有する２価の複素環化合物基の環構造の環内に含まれる炭素原子であって、ｓｐ^２混成軌道を有する該炭素原子に結合している。即ち、上記式（２）で表される基はＡｒ^１で表されるアリーレン基又はπ共役系を有する２価の複素環化合物基を核置換している。

Ａｒ^１で示される縮環構造を有するアリーレン基、又は２価の複素環化合物基に結合している上記式（２）で表される基の数は、Ａｒ^１で示される縮環構造を有するアリーレン基又は２価の複素環化合物基に該基が結合可能な数が上限とされるが、合成の容易さの観点からＡｒ^１で示される縮環構造を有するアリーレン基、又は２価の複素環化合物基１個につき、１つ以上４つ以下であることが好ましく、１つ以上２つ以下であることがより好ましく、１つであることがさらに好ましい。

縮環構造を有するアリーレン基とは、縮環構造を有する芳香族炭化水素から、主鎖となる環構造の環内に存在するｓｐ^２混成軌道を有する炭素に結合した水素原子の内の２個を除いた原子団である。縮環構造を有するアリーレン基は上記式（２）で表される基に加えて、他の置換基を有していてもよい。ただし、上記式（２）で表される基は、上記式（２）で表される置換基以外の置換基の炭素原子には結合しない。縮環構造を有するアリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は通常９〜６０程度であり、好ましくは９〜２０である。また、縮環構造を有するアリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常９〜１００程度である。アリーレン基としては、下式１Ａ−２〜１Ａ−１４で示される基などが例示される。

（上記式１Ａ−２〜１Ａ−１４において、Ｒは、結合手、前記式（２）で表される基、水素原子又は置換基を表す。複数存在するＲの内の任意の２つは結合手を表す。Ｒで表される置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒａは水素原子又は前記式（２）で表される基以外の置換基を表す。複数個のＲａは同一でも異なっていてもよい。同一原子上に２つのＲａが存在する場合、それらは２つ併せて、オキソ基、チオキソ基を形成してもよく、また、互いに結合して環を形成していてもよい。）

また、前記Ｒで表される置換基は、隣接した原子上の置換基同士で、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子が含まれてもよい５〜７員環の脂肪族環、又は５〜７員環の芳香環を形成してもよい。

Ａｒ^１で表されるアリーレン基としては、合成の容易さの観点から、上記式１Ａ−２〜１Ａ−１４のうち、ナフタレン−ジイル基（式１Ａ−２）、アントラセン−ジイル基（１Ａ−３）、フルオレン−ジイル基（式１Ａ−１３）、ベンゾフルオレン−ジイル基（１Ａ−１４）が好ましく、中でも、ナフタレン−ジイル基（式１Ａ−２）、フルオレン−ジイル基（式１Ａ−１３）、ベンゾフルオレン−ジイル基（１Ａ−１４）が好ましい。

Ａｒ^１で表されるアリーレン基としては、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合、電荷輸送性、蛍光強度、発光効率などの素子特性を高める観点からは、上記式１Ａ−２〜１Ａ−１４のうち、ジヒドロフェナントレン−ジイル基（式１Ａ−１０）、フルオレン−ジイル基（式１Ａ−１３）、ベンゾフルオレン−ジイル基（式１Ａ−１４）が好ましく、中でも、フルオレン−ジイル基（式１Ａ−１３）、ベンゾフルオレン−ジイル基（式１Ａ−１４）が好ましい。

π共役系を有する２価の複素環化合物基とは、π共役系を有する複素環化合物から、主鎖となる環構造の環内に存在するｓｐ^２混成軌道を有する炭素に結合した水素原子の内の２個を除いた原子団であり、縮合環をもつものも含まれる。π共役系を有する２価の複素環化合物基は上記式（２）で表される基に加えて、他の置換基を有していてもよい。ただし、上記式（２）で表される基は、上記式（２）で表される基以外の該置換基の炭素原子には結合しない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ芳香族化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ヒ素原子、ケイ素原子、セレン原子などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。

π共役系を有する２価の複素環化合物基における置換基を除いた部分の炭素数は通常２〜６０程度であり、好ましくは２〜２０である。また、π共役系を有する２価の複素環化合物基の置換基を含めた全炭素数は、通常２〜１００程度である。π共役系を有する２価の複素環化合物基としては、下式２Ａ−１〜２Ａ−５３などの基が例示される。

上記式２Ａ−１〜２Ａ−５３において、Ｒは、結合手、前記式（２）で表される基、水素原子又は置換基を表す。複数存在するＲの内の任意の２つは結合手を表す。Ｒで表される置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒａは水素原子又は前記式（２）で表される置換基以外の基を表す。複数個のＲａは同一でも異なっていてもよい。同一原子上に２つのＲａが存在する場合、それらは２つ併せて、オキソ基、チオキソ基を形成してもよく、また、互いに結合して環を形成していてもよい。

また、前記Ｒで表される置換基は、隣接した原子上の置換基同士で、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子が含まれる５〜７員環の脂肪族環、又は酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子が含まれてもよい５〜７員環の芳香環を形成してもよい。

Ａｒ^１で表されるπ共役系を有する２価の複素環化合物基としては、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合、電荷輸送性、蛍光強度、発光効率などの素子特性を高める観点からは、上記式２Ａ−１〜２Ａ−５３のうち、ピリジン−ジイル基（式２Ａ−１）、キノリン−ジイル基（式２Ａ−６）、イソキノリン−ジイル基（式２Ａ−７）、キノキサリン−ジイル基（式２Ａ−８）、フェナントロリン−ジイル基（２Ａ−１８）、チオフェン−ジイル基（式２Ａ−２２）、イミダゾール−ジイル基（２Ａ−２４）、オキサゾール−ジイル基（式２Ａ−２６）、チアゾール−ジイル基（２Ａ−２７）、ヘテロ原子として窒素、硫黄、酸素を含み、ベンゼン環の縮環した５員環複素環基（式２Ａ−３０〜２Ａ−３２、２Ａ−３４〜２Ａ−４０）、ヘテロ原子としてケイ素、窒素、酸素、硫黄を含むフルオレン類似骨格を有する複素環基（式２Ａ−４１〜２Ａ−４４、２Ａ−４６〜２Ａ−４７）、式（２Ａ−４８〜２Ａ−５３）で示される縮環構造を有する複素環基が好ましく、チオフェン−ジイル基（式２Ａ−２２）、チアゾール−ジイル基（式２Ａ−２７）、ベンゾチアジアゾール−ジイル基（式２Ａ−３９）、ベンゾオキサジアゾール−ジイル基（２Ａ−４０）、ジベンゾシロール−ジイル基（式２Ａ−４１）、カルバゾール−ジイル基（式２Ａ−４２）、ジベンゾフラン−ジイル基（式２Ａ−４３）、ジベンゾチオフェン−ジイル基（式２Ａ−４４）、アザフルオレン−ジイル基（式２Ａ−４７）、ジベンゾピラン−ジイル基（式２Ａ−４９）がより好ましく、カルバゾール−ジイル基（式２Ａ−４２）、ジベンゾフラン−ジイル基（式２Ａ−４３）、ジベンゾチオフェン−ジイル基（式２Ａ−４４）、ジベンゾピラン−ジイル基（式２Ａ−４９）がさらに好ましい。

Ａｒ^１で表される基としては、縮環構造を有するアリーレン基、縮環構造を有するπ共役系を有する２価の複素環化合物基が好ましく、縮環構造を有するアリーレン基がより好ましい。

Ｒ又はＲａで表される前記式（２）で表される基以外の置換基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基、１価の複素環基（以上、式Ｒ−１）、置換されていてもよいアルケニル基（式Ｒ−２）、置換されていてもよいアルキニル基（式Ｒ−３）、置換されていてもよいホルミル基（式Ｒ−４〜Ｒ−７）、置換されていてもよいチオホルミル基（式Ｒ−８〜Ｒ−１１）、置換されていてもよいイミン残基（式Ｒ−１２〜Ｒ−１５、Ｒ−２８）、置換されていてもよいヒドロキシ基（式Ｒ−１６〜Ｒ−１９）、置換されていてもよいメルカプト基（式Ｒ−２０〜Ｒ−２３）、置換されていてもよいアミノ基（式Ｒ−２４〜Ｒ−２７、Ｒ−２９）、ハロゲン原子（式Ｒ−３０〜Ｒ−３３）、置換スルホニル基（式Ｒ−３４）、置換されていてもよいシリル基（式Ｒ−３５）、置換されていてもよいシラノール基（式Ｒ−３６）、スルホン酸基（式Ｒ−３７）、ホスホン酸基（式Ｒ−３８）、シアノ基（式Ｒ−３９）、ニトロ基（式Ｒ−４０）が例示される。

〔式中、−Ｒ’はアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び１価の複素環基からなる群から選ばれる基を表し、Ｒ”は水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、及び１価の複素環基からなる群から選ばれる基を表す。〕

上記式Ｒ−１、−Ｒ’、−Ｒ”で示されるアルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ドデシル基、オクタデシル基などが挙げられる。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点からは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、２−シクロヘキシルエチル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ドデシル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基がより好ましく、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基がさらに好ましい。

上記式Ｒ−１、−Ｒ’、−Ｒ”で示されるアリール基は、芳香族炭化水素から、芳香環上の水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環をもつものも含まれる。アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基（Ｃ_１〜Ｃ_１２は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基などが例示される。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点から、又は、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の素子特性と耐熱性とのバランスからは、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基が好ましい。
Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基として具体的にはメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、ジメチル−ｔ−ブチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ｎ−ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｓ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソペンチルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、３，７−ジメチルオクチルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示され、ジメチルフェニル基、ジメチル−ｔ−ブチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ｎ−ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｓ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソペンチルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、３，７−ジメチルオクチルフェニル基、ドデシルフェニル基が好ましい。

上記式Ｒ−１、−Ｒ’、−Ｒ”で示される基のうち、アラルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基などが例示される。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点から、又は、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の素子特性と耐熱性とのバランスからは、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基が好ましい。

上記式Ｒ−１、−Ｒ’、−Ｒ”で示される１価の複素環基は、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団であり、炭素数は通常４〜６０程度、好ましくは４〜２０である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示される。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点から、又は、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の素子特性と耐熱性とのバランスからは、チエニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジル基が好ましい。

上記式Ｒ−２で示される、置換されていてもよいアルケニル基としては、末端ビニル基、アルケニル基、アリールアルケニル基が例示され；アルケニル基としては、炭素数は通常３〜２０程度であり、具体的には、１−プロペニル基、２−メチル−１−プロペニル基、１，５−シクロオクタジエン−１−イル基などが例示され；アリールアルケニル基としては、炭素数は通常８〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基などが例示される。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点から、又は、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の素子特性を高める観点からは、アリールアルケニル基が好ましく、フェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基が好ましい。

上記式Ｒ−３で示される、置換されていてもよいアルキニル基としては、末端アセチレン基、アルキニル基、アリールアルキニル基が例示され；アルキニル基としては、炭素数は通常３〜２０程度であり、具体的には、１−ヘキシン−１−イル基、３−ヘキシン−３−イル基などが例示され；アリールアルキニル基としては、炭素数は通常８〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基などが例示される。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点から、又は、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の素子特性を高める観点からは、アリールアルキニル基が好ましく、フェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基が好ましい。

上記式Ｒ−４〜Ｒ−７で示される、置換されていてもよいホルミル基としては、ホルミル基、置換カルボニル基（以上、式Ｒ−４）、カルボン酸基、置換オキシカルボニル基（以上、式Ｒ−５）、チオカルボン酸基、置換チオカルボン酸基（以上、式Ｒ−６）、ホルムアミド基、置換アミノカルボニル基（以上、式Ｒ−７）などが例示される。

上記式Ｒ−４で示される、置換カルボニル基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は１価の複素環基で置換されたホルミル基が挙げられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、アセチル基、プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、イソブチルカルボニル基、ｔ−ブチルカルボニル基、ベンゾイル基、ベンジルカルボニル基、２−チオフェンカルボニル基、３−チオフェンカルボニル基などが例示される。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点からは、アセチル基、ベンゾイル基、ベンジルカルボニル基、２−チオフェンカルボニル基、３−チオフェンカルボニル基が好ましい。

上記式Ｒ−５で示される、置換オキシカルボニル基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボン酸基が挙げられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基などが挙げられる。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点からは、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基が好ましい。

上記式Ｒ−６で示される、置換チオカルボン酸基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は１価の複素環基で置換されたチオカルボン酸基が挙げられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、メチルチオカルボン酸基、エチルチオカルボン酸基、プロピルチオカルボン酸基、イソプロピルチオカルボン酸基、ｎ−ブチルチオカルボン酸基、イソブチルチオカルボン酸基、ｔ−ブチルチオカルボン酸基、ペンチルチオカルボン酸基、ヘキシルチオカルボン酸基、シクロヘキシルチオカルボン酸基、ヘプチルチオカルボン酸基、オクチルチオカルボン酸基、２−エチルヘキシルチオカルボン酸基、ノニルチオカルボン酸基、デシルチオカルボン酸基、３，７−ジメチルオクチルチオカルボン酸基、ドデシルチオカルボン酸基、フェニルチオカルボン酸基、ナフチルチオカルボン酸基、ピリジルチオカルボン酸基などが挙げられる。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点からは、メチルチオカルボン酸基、エチルチオカルボン酸基、フェニルチオカルボン酸基が好ましい。

上記式Ｒ−７で示される、置換アミノカルボニル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノカルボニル基が挙げられ、炭素数は通常１〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８である。
具体的には、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、イソプロピルアミノカルボニル基、ジイソプロピルアミノカルボニル基、ｎ−ブチルアミノカルボニル基、イソブチルアミノカルボニル基、ｔ−ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、デシルアミノカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、シクロペンチルアミノカルボニル基、ジシクロペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、ジシクロヘキシルアミノカルボニル基、ピロリジルカルボニル基、ピペリジルカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ジフェニルアミノカルボニル基、（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノカルボニル基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノカルボニル基、１−ナフチルアミノカルボニル基、２−ナフチルアミノカルボニル基、ピリジルアミノカルボニル基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノカルボニル基、ピラジルアミノカルボニル基、トリアジルアミノカルボニル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノカルボニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノカルボニル基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノカルボニル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノカルボニル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノカルボニル基などが例示される。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点からは、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ｔ−ブチルアミノカルボニル基、ピペリジルカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ジフェニルアミノカルボニル基、（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノカルボニル基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノカルボニル基が好ましく、ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジフェニルアミノカルボニル基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノカルボニル基がより好ましい。

前記、置換されていてもよいホルミル基としては、合成の行いやすさの観点からは、ホルミル基、置換カルボニル基、カルボン酸基、置換オキシカルボニル基、ホルムアミド基、置換アミノカルボニル基が好ましく、有機溶媒への溶解性の観点からは、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、置換アミノカルボニル基が好ましい。

上記式Ｒ−８〜Ｒ−１１で表される、置換されていてもよいチオホルミル基としては、チオホルミル基、置換チオカルボニル基（以上、式Ｒ−８）、置換オキシチオカルボニル基（式Ｒ−９）、ジチオカルボン酸基、置換ジチオカルボン酸基（以上、式Ｒ−１０）、アミノチオカルボニル基、置換アミノチオカルボニル基（以上、式Ｒ−１１）が例示される。

上記式Ｒ−８で示される、置換チオカルボニル基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は１価の複素環基で置換されたチオホルミル基が挙げられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、メチルチオカルボニル基、エチルチオカルボニル基、フェニルチオカルボニル基などが挙げられる。

上記式Ｒ−９で示される、置換オキシチオカルボニル基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は１価の複素環基で置換されたヒドロキシチオカルボニル基が挙げられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、メトキシチオカルボニル基、エトキシチオカルボニル基、フェノキシチオカルボニル基などが挙げられる。

上記式Ｒ−１０で示される、置換ジチオカルボン酸基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は１価の複素環基で置換されたジチオカルボン酸基が挙げられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、メチルジチオカルボン酸基、エチルジチオカルボン酸基、フェニルジチオカルボン酸基などが挙げられる。

上記式Ｒ−１１で示される、置換アミノチオカルボニル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノカルボニル基が挙げられ、炭素数は通常２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８である。具体的には、ジメチルアミノチオカルボニル基、ジエチルアミノチオカルボニル基、フェニルアミノチオカルボニル基、ジフェニルアミノチオカルボニル基などが例示される。

前記、置換基されていてもよいチオホルミル基としては、合成の行いやすさの観点からは、チオホルミル基、置換チオカルボニル基、置換オキシチオカルボニル基、アミノチオカルボニル基、置換アミノチオカルボニル基が好ましく、有機溶媒への溶解性の観点からは、置換チオカルボニル基、置換オキシチオカルボニル基、置換アミノチオカルボニル基が好ましい。

上記式Ｒ−１２〜Ｒ−１５、及びＲ−２８で表される、置換されていてもよいイミン残基としては、イミン化合物（分子内に−Ｎ＝Ｃ−を持つ有機化合物をいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物が挙げられる）から水素原子１個を除いた残基が挙げられ、該イミン残基の炭素数は通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、以下の構造式で示される基などが例示される。

上記式Ｒ−１６〜Ｒ−１９で表される、置換されていてもよいヒドロキシ基としては、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基（以上、式Ｒ−１６）、置換カルボニルオキシ基（式Ｒ−１７）などが例示される。

上記式Ｒ−１６で示されるアルコキシ基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基などが挙げられる。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点から、又は、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の素子特性と耐熱性とのバランスからは、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。

上記式Ｒ−１６で示される、アリールオキシ基としては、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが例示される。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点から、又は、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の素子特性と耐熱性とのバランスからは、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基が好ましい。
Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基として具体的にはメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１，３，５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ｎ−ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソペンチルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。

上記式Ｒ−１６で示される、アラルキルオキシ基としては、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８であり、その具体例としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニル−ｎ−ブトキシ基、フェニルペンチルオキシ基、フェニルヘキシルオキシ基、フェニルヘプチルオキシ基、フェニルオクチルオキシ基などのフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基などが例示される。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点から、又は、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の素子特性と耐熱性とのバランスからは、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基が好ましい。

上記式Ｒ−１７で示される、置換カルボニルオキシ基は、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボニルオキシ基が挙げられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、アセチルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、イソブチルカルボニルオキシ基、ｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ベンジルカルボニルオキシ基、２−チオフェンカルボニルオキシ基、３−チオフェンカルボニルオキシ基などが例示される。

前記、置換されていてもよいヒドロキシ基としては、合成の行いやすさの観点からは、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基が好ましく、有機溶媒への溶解性、又は、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の素子特性と耐熱性とのバランスからは、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基が好ましい。

上記式Ｒ−２０〜Ｒ−２３で表される、置換されていてもよいメルカプト基としては、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基（以上式Ｒ−２０）、置換カルボニルチオ基（式Ｒ−２１）などが例示される。

上記式Ｒ−２０で示される、アルキルチオ基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ドデシルチオ基などが例示される。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点から、又は、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の素子特性と耐熱性とのバランスからは、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。

上記式Ｒ−２０で示される、アリールチオ基としては、炭素数が通常３〜６０程度であり、その具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基などが例示される。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点から、又は、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の素子特性と耐熱性とのバランスからは、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルチオ基が好ましい。

上記式Ｒ−２０で示される、アリールアルキルチオ基としては、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基などが例示される。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点から、又は、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の素子特性と耐熱性とのバランスからは、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基が好ましい。

上記式Ｒ−２１で示される、置換カルボニルチオ基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボニルチオ基が挙げられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、アセチルチオ基、プロピルカルボニルチオ基、ｎ−ブチルカルボニルチオ基、イソブチルカルボニルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ベンゾイルチオ基、ベンジルカルボニルチオ基などが例示される。

前記、置換されていてもよいメルカプト基としては、合成の行いやすさの観点からは、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が好ましく、有機溶媒への溶解性、又は、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の素子特性と耐熱性とのバランスからは、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が好ましい。

上記式Ｒ−２４〜Ｒ−２７、及びＲ−２９で表される、置換されていてもよいアミノ基としては、アミノ基、置換アミノ基（以上、式Ｒ−２４）、アミド基（式Ｒ−２５）、酸イミド基（式Ｒ−２９）などが例示される。

上記式Ｒ−２４で示される、置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノ基が挙げられ、炭素数が通常１〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８である。
具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ドデシルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジフェニルアミノ基、（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基などが例示される。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点からは、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ピペリジル基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノ基が好ましい。
本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ、素子特性、耐熱性のバランスからは、ジフェニルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノ基が好ましい。

上記式Ｒ−２５で示される、アミド基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミド基が挙げられ、炭素数が通常１〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８である。その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、Ｎ−メチルホルムアミド基、Ｎ−フェニルアセトアミド基、Ｎ−フェニルベンズアミド基などが例示される。
有機溶媒への溶解性、合成の行いやすさ等の観点からは、ホルムアミド基、アセトアミド基、Ｎ−メチルホルムアミド基、Ｎ−フェニルアセトアミド基、Ｎ−フェニルベンズアミド基が好ましい。

上記式Ｒ−２９で示される、酸イミド基としては、スクシンイミド、フタルイミド、ピロメリットイミドなどの酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が４〜２０程度であり、好ましくは以下に示す基が例示される。

前記、置換されていてもよいアミノ基としては、合成の行いやすさの観点からは、アミノ基、置換アミノ基、アミド基、酸イミド基が好ましく、有機溶媒への溶解性、又は、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の素子特性と耐熱性とのバランスからは、置換アミノ基、酸イミド基が好ましい。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される。
本発明の芳香族重合体の安定性の観点からは、フッ素原子が好ましい。

上記式Ｒ−３４で表される、置換スルホニル基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は１価の複素環基で置換されたスルホニル基が挙げられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルスルホニル基、ベンゼンスルホニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニルスルホニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルスルホニル基、１−ナフチルスルホニル基、２−ナフチルスルホニル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルスルホニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルスルホニル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルスルホニル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルスルホニル基などが例示される。
耐熱性及び有機溶媒への溶解性の観点からはベンゼンスルホニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルスルホニル基、１−ナフチルスルホニル基、２−ナフチルスルホニル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルスルホニル基が好ましく、耐熱性の観点からは、ベンゼンスルホニル基、１−ナフチルスルホニル基、２−ナフチルスルホニル基がより好ましい。

上記式Ｒ−３５で表される、置換されていてもよいシリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基が挙げられる。置換シリル基の炭素数は通常１〜６０程度、好ましくは炭素数３〜４８である。
具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピリシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ドデシルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−メチルフェニルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。

上記式Ｒ−３６で表される、置換されていてもよいシラノール基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシラノール基が挙げられる。置換シラノール基の炭素数は通常１〜６０程度、好ましくは炭素数３〜４８である。具体的には、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、トリフェノキシシリル基などが例示される。

本発明の芳香族重合体において、Ｒ又はＲａで表される置換基としては、有機溶媒への溶解性を高める観点からは、アルキル基、アリール基、アラルキル基、１価の複素環基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されていてもよいアルキニル基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、置換オキシチオカルボニル基、置換アミノカルボニル基、置換アミノチオカルボニル基、置換基されていてもよいイミン残基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、置換カルボニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、置換カルボニルチオ基、置換アミノ基、アミド基、酸イミド基、置換スルホニル基、置換されていてもよいシリル基が好ましく、アルキル基、アリール基、アラルキル基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基がより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基がさらに好ましい。

また、耐熱性、化学的安定性を高める観点からは、アルキル基、アリール基、アラルキル基、１価の複素環基、置換カルボニル基、置換アミノカルボニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、置換アミノ基、アミド基、酸イミド基、ハロゲン原子、置換スルホニル基が好ましく、アルキル基、アリール基、アラルキル基、置換アミノカルボニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、置換アミノ基、アミド基、酸イミド基、フッ素原子がより好ましく、アルキル基、アリール基、アラルキル基がさらに好ましい。

本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、アルキル基、アリール基、アラルキル基、１価の複素環基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されていてもよいアルキニル基、置換されていてもよいイミン残基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、置換アミノ基、酸イミド基、ハロゲン原子、置換されていてもよいシリル基、シアノ基が好ましく、アルキル基、アリール基、アラルキル基、１価の複素環基、置換されていてもよいイミン残基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、酸イミド基、フッ素原子、シアノ基がより好ましく、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、置換されていてもよいイミン残基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、酸イミド基、フッ素原子、シアノ基がさらに好ましい。

本発明の芳香族重合体を燃料電池用プロトン伝導膜などの高分子電解質に用いる場合は、合成の行いやすさ、有機溶媒への溶解性、耐熱性、イオン交換容量を高める観点のバランスからは、アルキル基、アリール基、置換カルボニル基、カルボン酸基、置換アミノカルボニル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミド基、酸イミド基、ハロゲン原子、置換スルホニル基、スルホン酸基、ホスホン酸基が好ましく、アルキル基、置換カルボニル基、フッ素原子、置換スルホニル基、スルホン酸基、ホスホン酸基がより好ましい。

Ｒ’又はＲ”で表される置換基上の水素原子はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等のハロゲン原子により置換されていてもよい。ハロゲン原子の中では、フッ素原子が好ましい。具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等のフッ素原子により置換されたアルキル基、ペンタフルオロフェニル基等のフッ素原子により置換されたアリール基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等のフッ素原子により置換された置換カルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基等のフッ素原子により置換された置換オキシカルボニル基、トリフルオロメチルチチオカルボン酸基、ペンタフルオロエチルチオカルボン酸基、パーフルオロブチルチオカルボン酸基、パーフルオロヘキシルチオカルボン酸基、パーフルオロオクチルチオカルボン酸基等のフッ素原子により置換された置換チオカルボン酸基、ジトリフルオロメチルアミノカルボニル基、ペンタフルオロフェニルアミノカルボニル基等のフッ素原子により置換された置換アミノカルボニル基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等のフッ素原子により置換された置換アルコキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等のフッ素原子により置換された置換カルボニルオキシ基、トリフルオロメチルチオ基等のフッ素原子により置換された置換メルカプト基、トリフルオロアセチルチオ基、ペンタフルオロベンゾイルチオ基等のフッ素原子により置換された置換カルボニルチオ基、ジトリフルオロメチルアミノ基等のフッ素原子により置換された置換アミノ基、ペンタフルオロフェニルスルホニル基等のフッ素原子により置換された置換スルホニル基などが挙げられる。

また、Ｒ’又はＲ”で表される置換基が各々アリール基、１価の複素環基を含む場合、該アリール基、１価の複素環基上の水素原子は、アルキル基で置換されていてもよいアルケニル基、アルキル基で置換されていてもよいアルキニル基、アルキル基で置換されていてもよいホルミル基、アルキル基で置換されていてもよいチオホルミル基、アルキル基で置換されていてもよいイミン残基、アルキル基で置換されていてもよいヒドロキシ基、アルキル基で置換されていてもよいメルカプト基、アルキル基で置換されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、アルキル基で置換されたスルホニル基、アルキル基で置換されていてもよいシリル基、アルキル基で置換されていてもよいシラノール基、スルホン酸基、ホスホン酸基、シアノ基、ニトロ基により置換されていてもよい。中でも、アルキル基で置換されていてもよいアルケニル基、アルキル基で置換されていてもよいアルキニル基、アルキル基で置換されていてもよいホルミル基、アルキル基で置換されていてもよいイミン残基、アルキル基で置換されていてもよいヒドロキシ基、アルキル基で置換されていてもよいメルカプト基、アルキル基で置換されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、スルホン酸基、ホスホン酸基、シアノ基、ニトロ基が好ましく、アルキル基で置換されていてもよいホルミル基、アルキル基で置換されていてもよいイミン残基、アルキル基で置換されていてもよいヒドロキシ基、アルキル基で置換されていてもよいメルカプト基、アルキル基で置換されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、スルホン酸基、ホスホン酸基、シアノ基、ニトロ基がより好ましく、アルコキシ基、アルキルチオ基がさらに好ましい。具体的には、例えば、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニルアミノカルボニル基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル）アミノカルボニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノカルボニル基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノカルボニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル）アミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基などのＣ_１〜Ｃ_１２アルコキシ置換基を有する基などが例示される。Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ドデシルオキシなどが例示される。

また、Ｒ’又はＲ”で表される置換基がアルキレン鎖を含む場合、該アルキレン鎖中の任意の−ＣＨ_２−基は、酸素、硫黄、窒素などの２価のへテロ原子、ヘテロ原子を含む２価の基、又はそれらが２個以上組み合わされた２価の基により置換されていてもよい。２価のへテロ原子、ヘテロ原子を含む２価の基としては、例えば以下式Ｘ−１〜Ｘ−６で示される基が挙げられる。

ここで、Ｒ”としては前記と同じ意味を表す。

また、上記２価のへテロ原子、ヘテロ原子を含む２価の基が２個以上組み合わされた２価の基としては、例えば以下式Ｘ−７〜Ｘ−１０で示される基が挙げられる。

上記式Ｘ−１〜Ｘ−１０の中では、式Ｘ−１、Ｘ−２、Ｘ−３、Ｘ−５、及びＸ−６で示される基が好ましく、式Ｘ−１及びＸ−２で示される基がより好ましく、式Ｘ−１で示される基がさらに好ましい。具体的には、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが例示される。

前記式（２）において、Ｅ^１は水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。Ｅ^１で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される。Ｅ^１で表されるハロゲン原子としては、化学的安定性の観点からはフッ素原子が好ましい。

また、Ｅ^１で表される１価の有機基としては、アルキル基（好ましくはＣ_１〜Ｃ_１２アルキル基）、アルコキシ基（好ましくはＣ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基）、及びアルキルチオ基（好ましくはＣ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基）が例示される。前記Ａｒ^１の置換基におけるアルキル基、アルコキシ基、及びアルキルチオ基の定義、具体例と同様である。

Ｅ^１で表される基としては、水素原子、フッ素原子、アルキル基（好ましくはＣ_１〜Ｃ_１２アルキル基）、及びアルコキシ基（好ましくはＣ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基）が好ましく、水素原子及びアルキル基（好ましくはＣ_１〜Ｃ_１２アルキル基）がより好ましい。

前記式（２）において、Ａｒ^２は２価のπ共役系環状化合物残基を有する基を表す。Ａｒ^２で表される、２価のπ共役系環状化合物残基を有する基としては、２価のπ共役系環状化合物残基、及びπ共役系環状化合物構造を有する有機配位子の配位した金属錯体化合物の２価の残基が挙げられる。ここに、π共役系環状化合物とは、芳香族炭化水素化合物、芳香族複素環化合物、及びそれらとπ共役した構造を有する環が縮合されたものが挙げられる。π共役系環状化合物は縮環構造を有してもよい。２価のπ共役系環状化合物残基とはπ共役系環状化合物の環内に存在するｓｐ^２混成軌道を有する炭素に結合した水素原子の内の２個を除いた原子団であり、縮環構造を有していてもよい。２価のπ共役系環状化合物残基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^２で表される２価のπ共役系環状化合物残基としては、アリーレン基、２価の複素環基が挙げられ、縮合環を持つものも含まれる。

アリーレン基とは、芳香族炭化水素から、環内に存在するｓｐ^２混成軌道を有する炭素に結合した水素原子の内の２個を除いた原子団であり、縮合環を持つものも含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。また、アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常６〜１００程度である。アリーレン基としては、下式１Ａ−１、前記式１Ａ−２〜１Ａ−１４などが例示される。

（Ａｒ^２で表される、上記式１Ａ−１、及び前記式１Ａ−２〜１Ａ−１４において、Ｒは、結合手、水素原子又は置換基を表す。複数存在するＲの内の任意の２つは結合手を表す。Ｒで表される置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒａは水素原子又は置換基を表す。Ｒａで表される置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。同一原子上に２つのＲａが存在する場合、それらは２つ併せて、オキソ基又はチオキソ基を形成してもよく、また、互いに結合して環を形成していてもよい。）

また、前記Ｒで表される置換基は、隣接した原子上の置換基同士で、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子が含まれてもよい５〜７員環の脂肪族環、又は炭素原子からなる５〜７員環の芳香環を形成してもよい。

Ａｒ^２で表されるアリーレン基としては、合成の容易さの観点からは、上記式１Ａ−２〜１Ａ−１４のうち、フェニレン基（１Ａ−１）、ナフタレン−ジイル基（式１Ａ−２）、アントラセン−ジイル基（１Ａ−３）、フルオレン−ジイル基（式１Ａ−１３）、ベンゾフルオレン−ジイル基（１Ａ−１４）が好ましく、中でも、フェニレン基（１Ａ−１）、ナフタレン−ジイル基（式１Ａ−２）、フルオレン−ジイル基（式１Ａ−１３）が好ましい。

Ａｒ^２で表されるアリーレン基としては、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合、電荷輸送性、蛍光強度、発光効率などの素子特性を高める観点からは、上記式１Ａ−２〜１Ａ−１４のうち、フェニレン基（１Ａ−１）、ジヒドロフェナントレン−ジイル基（式１Ａ−１０）、フルオレン−ジイル基（式１Ａ−１３）、ベンゾフルオレン−ジイル基（式１Ａ−１４）が好ましく、中でも、フェニレン基（１Ａ−１）、フルオレン−ジイル基（式１Ａ−１３）、ベンゾフルオレン−ジイル基（式１Ａ−１４）が好ましい。

Ａｒ^２で表される２価の複素環基としては、前記Ａｒ^１で表される２価の複素環基の定義、具体例において、前記式（２）で表される側鎖を有さないものと定義、例示される。

また、Ａｒ^２で表される２価の複素環基としては、加えて、以下の式３Ａ−１〜３Ａ−４が例示される。

（式中Ｒａは前記と同様の意味を表す。）

Ａｒ^２で表されるπ共役系を有する２価の複素環化合物基としては、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合、電荷輸送性、蛍光強度、発光効率などの素子特性を高める観点からは、上記式２Ａ−１〜２Ａ−５３、３Ａ−１〜３Ａ−４の内では、ピリジン−ジイル基（式２Ａ−１）、キノリン−ジイル基（式２Ａ−６）、イソキノリン−ジイル基（式２Ａ−７）、キノキサリン−ジイル基（式２Ａ−８）、フェナントロリン−ジイル基（２Ａ−１８）、チオフェン−ジイル基（式２Ａ−２２）、イミダゾール−ジイル基（２Ａ−２４）、オキサゾール−ジイル基（式２Ａ−２６）、チアゾール−ジイル基（２Ａ−２７）、ヘテロ原子として窒素、硫黄、酸素を含み、ベンゼン環の縮環した５員環複素環基（式２Ａ−３０〜２Ａ−３２、２Ａ−３４〜２Ａ−４０、３Ａ−１〜３Ａ−３））、ヘテロ原子としてケイ素、窒素、酸素、硫黄を含むフルオレン類似骨格を有する複素環基（式２Ａ−４１〜２Ａ−４４、２Ａ−４６〜２Ａ−４７）、式（２Ａ−４８〜２Ａ−５３）で示される縮環構造を有する複素環基が好ましく、チオフェン−ジイル基（式２Ａ−２２）、チアゾール−ジイル基（式２Ａ−２７）、ベンゾチアジアゾール−ジイル基（式２Ａ−３９）、ジベンゾシロール−ジイル基（式２Ａ−４１）、カルバゾール−ジイル基（式２Ａ−４２）、ジベンゾフラン−ジイル基（式２Ａ−４３）、ジベンゾチオフェン−ジイル基（式２Ａ−４４）、アザフルオレン−ジイル基（式２Ａ−４７）、ジベンゾピラン−ジイル基（式２Ａ−４９）、オキサジアゾール−ジイル基（３Ａ−２）、チオキサジアゾール−ジイル基（３Ａ−３）がより好ましく、中でも、チオフェン−ジイル基（式２Ａ−２２）、チアゾール−ジイル基（式２Ａ−２７）、ベンゾチアジアゾール−ジイル基（式２Ａ−３９）、ジベンゾシロール−ジイル基（式２Ａ−４１）、カルバゾール−ジイル基（式２Ａ−４２）、ジベンゾフラン−ジイル基（式２Ａ−４３）、ジベンゾチオフェン−ジイル基（式２Ａ−４４）、ジベンゾピラン−ジイル基（式２Ａ−４９）、オキサジアゾール−ジイル基（３Ａ−２）がさらに好ましい。

Ａｒ^２で表されるπ共役系環状化合物構造を有する有機配位子の配位した金属錯体化合物の２価の残基とは、π共役系環状化合物構造を有する有機配位子の配位した金属錯体化合物の該配位子のπ共役系に含まれる炭素原子上の水素原子２個を除いた残りの２価の基である。
該有機配位子の炭素数は、通常４〜６０程度であり、その例としては、８−キノリノール及びその誘導体、ベンゾキノリノール及びその誘導体、２−フェニル−ピリジン及びその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾール及びその誘導体、２−フェニル−ベンゾキサゾール及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体などが挙げられる。
また、該錯体の中心金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウム、テルビウムなどが挙げられる。
π共役系環状化合物構造を有する有機配位子の配位した金属錯体化合物としては、低分子の蛍光材料、燐光材料として公知の金属錯体、三重項発光錯体などが挙げられる。

π共役系環状化合物構造を有する有機配位子の配位した金属錯体化合物の２価の残基としては、具体的には、以下の式４Ａ−１〜４Ａ−７が例示される。

（上記式４Ａ−１〜４Ａ−７において、Ｒは、結合手、水素原子又は置換基を表す。複数存在するＲの内の任意の２つは結合手を表し、Ｒで表される置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒで表される置換基としては、前記と同様のものが例示される。）

Ａｒ^２で表される、２価のπ共役系環状化合物残基を有する基としては、アリーレン基、２価の複素環基が好ましく、アリーレン基がさらに好ましい。

前記式（２）において、Ｘ^１は−ＮＱ^１−、−ＰＱ^２−、及び−ＢＱ^３−からなる群から選ばれる２価の基を表す。Ｑ^１、Ｑ^２、及びＱ^３は置換基を表す。Ｑ^１〜Ｑ^３で表される置換基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基、１価の複素環基が挙げられ、前記Ａｒ^１の置換基におけるアルキル基、アリール基、アラルキル基、１価の複素環基の定義、具体例と同様である。Ｑ^１、Ｑ^２、及びＱ^３で表される置換基としては中でもアリール基、１価の複素環基が好ましい。Ｘ^１で表される２価の基の中では、本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる観点からは、−ＮＱ^１−で表される基が特に好ましい。

前記式（２）において、Ｚは直接結合、又は２価の連結基を表す。Ｚで表される２価の連結基としては、以下に示す基、又は、フタルイミド−Ｎ，４−ジイル基、ピロメリットイミド−Ｎ，Ｎ’−ジイル基が例示され、さらに、それらから選ばれる同一でも異なってもよい２個以上の基が組合わされた２価の基、それらから選ばれる同一でも異なってもよい１個以上の基と前記Ｘ^１で示される２価の基から選ばれる１個以上の基が組み合わされた２価の基が例示される。

（式中、Ｑ^４、Ｑ^５、Ｑ^６、Ｑ^７、Ｑ^８、Ｑ^９、Ｑ^１０、Ｑ^１１、Ｑ^１２、及びＱ^１３はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、１価の複素環基、ホルミル基、置換カルボニル基、ハロゲン原子、及びシアノ基からなる群から選ばれる基を表す。Ｑ^４、Ｑ^５、Ｑ^６、Ｑ^７、Ｑ^８、Ｑ^９、Ｑ^１０、Ｑ^１１、Ｑ^１２、及びＱ^１３がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｑ^４、Ｑ^５、Ｑ^６、Ｑ^７、Ｑ^８、Ｑ^９、Ｑ^１０、Ｑ^１１、Ｑ^１２、及びＱ^１３で表されるアルキル基、アリール基、アラルキル基、１価の複素環基、及び置換カルボニル基としては、前記Ａｒ^１の置換基におけるアルキル基、アリール基、アラルキル基、１価の複素環基、置換カルボニル基、及びハロゲン原子の定義、具体例と同様である。）

上記から選ばれる同一でも異なってもよい２個以上の基が組合わされた２価の基、及び上記から選ばれる同一でも異なってもよい１個以上の基と前記Ｘ^１で示される２価の有機基から選ばれる１個以上の基が組み合わされた２価の基としては、以下に示されるもの、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキル鎖、及びＣ_２〜Ｃ_２０アルキル鎖における１個以上の任意の−ＣＨ_２−基が、上記から選ばれる同一でも異なってもよい１個以上の基で置換されたものが例示される。

前記式（２）において、Ｚは、耐熱性、有機溶媒への溶解性の観点から、直接結合、又は−ＮＱ^１−、−ＣＱ^４Ｑ^５−、−ＳｉＱ^６Ｑ^７−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＳＯ_２−で示される基、及びそれらから選ばれる２個以上の基が組み合わされた基が好ましく、直接結合、アルキレン鎖、又は−ＮＱ^１−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳｉＱ^６Ｑ^７−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＳＯ_２−で示される基を含むアルキレン鎖がより好ましく、直接結合がさらにより好ましい。
本発明の芳香族グラフト重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、直接結合、−ＮＱ^１−、−ＳｉＱ^６Ｑ^７−、−ＣＱ^８＝ＣＱ^９−、及び−Ｃ≡Ｃ−で示される基が好ましく、直接結合、−ＮＱ^１−、及び−ＳｉＱ^６Ｑ^７−で示される基がより好ましく、直接結合又はアルキル鎖を含む基であることがさらに好ましい。本発明の芳香族グラフト重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合において、前記式（２）で示される側鎖の効果として、電荷輸送性、電荷注入性に寄与することが期待される場合、Ｚは直接結合であることが好ましい。

前記式（２）においてｍ_ｉは各々、０又は１を表す。２つのｍ_ｉのうちの一つは０を表すことが好ましい。

前記式（２）において、２つのＡｒ^２は同一でも異なっていてもよく、２つのＺは同一でも異なっていてもよい。Ｘ^１が２つ存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。また、本発明の芳香族重合体中に式（２）で表される側鎖が複数存在する場合、それらは同一でも互いに異なっていてもよい。

本発明の芳香族重合体は、前記式（２）で表される基により高機能化されることが期待される。例えば、本発明の芳香族重合体は電荷輸送性又は固体状態でホトルミネッセンス（光発光性）を有する。よって、前記式（２）で表される基としては、用途に応じた機能を有するものであることが好ましく、例えば、本発明の化合物を高分子ＬＥＤに用いる場合は、正孔注入・輸送機能、電子注入・輸送機能などの電荷注入・輸送機能や、蛍光又は燐光発光性、可溶性、耐熱性などといった機能を主鎖に付与するものであることが好ましい。
前記式（２）で表される正孔注入・輸送性の基としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などの骨格が含まれる基が例示される。

より具体的には、以下式（２−１）の構造が例示される。

（式中、Ａｒ^３は２価のπ共役系環状化合物残基を示す。Ａｒ^４及びＡｒ^５はそれぞれ独立にアリール基、又は１価の複素環基を表す。）

また、前記式（２）で表される電子注入・輸送性の基としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などの骨格が含まれる基が例示される。

より具体的には、限定されるものではないが、以下式（２−２）、（２−３）の構造が例示される。

（式（２−２）中、Ｒ^１は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、アラルキルチオチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シラノール基、置換シリル基、ハロゲン原子、置換カルボニル基、置換カルボニルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボン酸基、置換オキシカルボニル基、シアノ基又はニトロ基を示す。ｊは０〜２の整数を示す。Ａｒ^６はアリール基、又は１価の複素基を示す。Ｇ^１は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ_２、Ｓｅ、又はＴｅを示す。Ｒ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

（式中、Ａｒ^６はアリール基、又は１価の複素基を表す。Ｇ^２は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ_２、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ−Ｒ^８、又はＳｉＲ^９Ｒ^１０を示す。Ｇ^３及びＧ^４は、それぞれ独立にＮ又はＣ−Ｒ^１１を示す。）
式（２−３）で示される繰り返し単位の中央の５員環の例としては、チアジアゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、チオフェン、フラン、シロールなどが挙げられる。

さらに、蛍光発光性の置換基としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン若しくはその誘導体、又はテトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体などの骨格を含む基を用いることができる。
加えて、燐光発光性の置換基としては、三重項発光錯体、例えば、イリジウムを中心金属とするＩｒ（ｐｐｙ）_３、Ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、白金を中心金属とするＰｔＯＥＰ、ユーロピウムを中心金属とするＥｕ（ＴＴＡ）_３ｐｈｅｎ等の骨格を含む基が挙げられる。

本発明の芳香族重合体は、前記式（１）で示される繰り返し単位に加えて、他の繰り返し単位を含んでいてもよい。他の繰り返し単位としては、下記式（３）、（４）、（５）、（６）、及び（７）からなる群から選ばれる繰り返し単位が好ましい。

（式中、Ａｒ^８は前記式（１）におけるＡｒ^１における上記式（２）で表される側鎖を水素原子で置き換えた繰り返し単位を示す。Ａｒ^８、Ａｒ^９、Ａｒ^１０及びＡｒ^１１はそれぞれ独立に２価のπ共役系環状化合物残基を有する２価の基を表す。Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^４はそれぞれ独立に２価の連結基を表す。ｐは１又は２を表す。）

Ａｒ^８、Ａｒ^９、Ａｒ^１０及びＡｒ^１１で表される２価のπ共役系環状化合物残基を有する２価の基としての定義、例示は、前記Ａｒ^２で表される、２価のπ共役系環状化合物残基を有する２価の基におけるそれらの定義、例示と同様である。

Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^４で表される２価の連結基としては前記Ｘ^１、又はＺで表される基と同様に定義、例示される。

Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^４で表される２価の連結基としては、耐熱性の観点からは、−ＮＱ^１−、−ＣＱ^４Ｑ^５−、−ＳｉＱ^６Ｑ^７−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＳＯ_２−で示される基、及びそれらから選ばれる２個以上の基が組み合わされた基が好ましい。
また、有機溶媒への溶解性の観点からは、アルキル鎖、及び−ＮＱ^１−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＱ^４Ｑ^５−、−ＳｉＱ^６Ｑ^７−、−Ｃ（＝Ｏ）−、又は−ＳＯ_２−で示される基、並びにそれらの基を含むアルキル鎖が好ましい。
本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合の有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、−ＮＱ^１−、−ＳｉＱ^６Ｑ^７−、−ＣＱ^８＝ＣＱ^９−、及び−Ｃ≡Ｃ−で示される基が好ましく、−ＮＱ^１−、及び−ＳｉＱ^６Ｑ^７−で示される基がより好ましい。

本発明の芳香族重合体が、上記式（１）と（７）で示される繰り返し単位のみからなる場合、及び上記式（１）、（３）及び（７）で示される繰り返し単位のみからなる場合は、耐熱性、化学的安定性の観点から、式（７）で示される繰り返し単位の、式（１）、（３）及び（７）で示される繰り返し単位の合計に対する割合が４０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましい。

本発明の芳香族重合体が、上記式（１）と（６）で示される繰り返し単位のみからなる場合、及び上記式（１）、（３）及び（６）で示される繰り返し単位のみからなる場合は、耐熱性、化学的安定性の観点から、式（６）で示される繰り返し単位の、式（１）、（３）及び（６）で示される繰り返し単位の合計に対する割合が５０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましい。

上記式（１）におけるＡｒ^１で示される繰り返し単位に直接結合するＡｒ^１以外の繰り返し単位としては、式（３）、（４）、（５）、（６）、及び（７）で示される繰り返し単位のうち、式（３）、（４）、及び（５）で示される繰り返し単位、及び、式（６）で示される繰り返し単位においてＡｒ^８で示される２価のπ共役系環状化合物残基とＡｒ^１が結合する向きとなる繰り返し単位が好ましく、式（３）、（４）、及び（５）で示される繰り返し単位がより好ましい。

前記式（１）で示される繰り返し単位に加えて、本発明の芳香族重合体に含まれる繰り返し単位としては、耐熱性、化学的安定性の観点から、上記式（３）、（４）、及び（５）で示される繰り返し単位であることが好ましい。

本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤ等の電子材料分野に用いる場合には、前記式（１）で示される繰返し単位を含む芳香族重合体は、共役系高分子化合物であることが好ましい。

本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点等から、上記式（４）で示される繰り返し単位としては、前記式１Ａ−１〜１Ａ−１４、２Ａ−１〜２Ａ−５３、３Ａ−１〜３Ａ−４のうち、フェニレン基（式１Ａ−１）、ナフタレン−ジイル基（式１Ａ−２）、ジヒドロフェナントレン−ジイル基（式１Ａ−１０）、フルオレン−ジイル基（式１Ａ−１３）、ベンゾフルオレン−ジイル基（式１Ａ−１４）、チオフェン−ジイル基（式２Ａ−２２）、チアゾール−ジイル基（式２Ａ−２７）、ベンゾチアジアゾール−ジイル基（式２Ａ−３９）、ジベンゾシロール−ジイル基（式２Ａ−４１）、カルバゾール−ジイル基（式２Ａ−４２）、ジベンゾフラン−ジイル基（式２Ａ−４３）、ジベンゾチオフェン−ジイル基（式２Ａ−４４）、アザフルオレン−ジイル基（式２Ａ−４７）、ジベンゾピラン−ジイル基（式２Ａ−４９）、オキサジアゾール−ジイル基（３Ａ−２）、チオキサジアゾ−ル−ジイル基（３Ａ−３）が好ましく、中でも、フェニレン基（式１Ａ−１）、ナフタレン−ジイル基（式１Ａ−２）、フルオレン−ジイル基（式１Ａ−１３）、ベンゾフルオレン−ジイル基（式１Ａ−１４）、チオフェン−ジイル基（式２Ａ−２２）、チアゾール−ジイル基（式２Ａ−２７）、ベンゾチアジアゾール−ジイル基（式２Ａ−３９）、ジベンゾシロール−ジイル基（式２Ａ−４１）、カルバゾール−ジイル基（式２Ａ−４２）、ジベンゾフラン−ジイル基（式２Ａ−４３）、ジベンゾチオフェン−ジイル基（式２Ａ−４４）、ジベンゾピラン−ジイル基（式２Ａ−４９）、オキサジアゾール−ジイル基（３Ａ−２）がより好ましく、フェニレン基（式１Ａ−１）、ナフタレン−ジイル基（式１Ａ−２）、フルオレン−ジイル基（式１Ａ−１３）、ベンゾフルオレン−ジイル基（式１Ａ−１４）がさらに好ましい。

本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点等から、上記式（７）で示される繰り返し単位としては、下記式（８）及び式（９）で示される繰り返し単位が好ましい。

（式中、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、アラルキルチオチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シラノール基、置換シリル基、ハロゲン原子、置換カルボニル基、置換カルボニルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボン酸基、置換オキシカルボニル基、シアノ基又はニトロ基を示す。ｑ及びｑｑはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボン酸基、置換オキシカルボニル基又はシアノ基を示す。Ｒ^２及びＲ^３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

（式中、Ａｒ^１３、Ａｒ^１４、Ａｒ^１５及びＡｒ^１６はそれぞれ独立に２価のπ共役系環状化合物残基を示す。Ａｒ^１７、Ａｒ^１８及びＡｒ^１９はそれぞれ独立にアリール基、又は１価の複素環基を示す。Ａｒ^１３、Ａｒ^１４、Ａｒ^１５、Ａｒ^１６、Ａｒ^１７、Ａｒ^１８及びＡｒ^１９は置換基を有していてもよい。ｒ及びｒｒはそれぞれ独立に０又は１を示す。）

上記式（８）及び式（９）で示される繰り返し単位のなかでは、耐熱性の観点から、上記式（８）で示される繰り返し単位がより好ましい。

本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点等から、上記式（４）〜（７）で示される繰り返し単位の組み合わせにより得られる、下記式（１０）、（１１）、（１２）及び（１３）で示される繰り返し単位が好ましい。

（式中、Ｒ^６は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、アラルキルチオチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シラノール基、置換シリル基、ハロゲン原子、置換カルボニル基、置換カルボニルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボン酸基、置換オキシカルボニル基、シアノ基又はニトロ基を示す。ｓｓｓは０〜２の整数を示す。Ａｒ^２０及びＡｒ^２１はそれぞれ独立に２価のπ共役系環状化合物残基を有する２価の基を示す。ｓ及びｓｓはそれぞれ独立に０又は１を示す。
Ｇ^５は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ_２、Ｓｅ，又はＴｅを示す。Ｒ^６が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

（式中、Ｒ^７及びＲ^８は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、アラルキルチオチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シラノール基、置換シリル基、ハロゲン原子、置換カルボニル基、置換カルボニルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボン酸基、置換オキシカルボニル基、シアノ基又はニトロ基を示す。ｔ及びｔｔはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｇ^６は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ_２、Ｓｅ、Ｔｅ、ＮＲ^９、又はＳｉＲ^１０Ｒ^１１を示す。Ｇ^７及びＧ^８は、それぞれ独立にＮ又はＣＲ^１２を示す。Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１及びＲ^１２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を示す。Ｒ^７、Ｒ^８及びＲ^１２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
式（１１）で示される繰り返し単位の中央の５員環の例としては、チアジアゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、チオフェン、フラン、シロールなどが挙げられる。

（式中、Ｒ^１３及びＲ^１４は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、アラルキルチオチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シラノール基、置換シリル基、ハロゲン原子、置換カルボニル基、置換カルボニルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボン酸基、置換オキシカルボニル基、シアノ基又はニトロ基を示す。ｖ及びｗはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７及びＲ^１８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボン酸基、置換オキシカルボニル基又はシアノ基を示す。Ａｒ^２２は２価のπ共役系環状化合物残基を有する２価の基を示す。Ｒ^１３及びＲ^１４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）

（式中、Ａｒ^２３及びＡｒ^２４はそれぞれ独立に、２価のπ共役系環状化合物残基を有する２価の基を示す。ｘは１又は２を示す。）

本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合、前記式（１）で示される繰り返し単位に加えて、本発明の芳香族重合体に含まれる繰り返し単位としては、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点等から、上記式（３）、（４）、（５）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、及び（１３）で示される繰り返し単位がより好ましく、上記式（３）、（４）、（９）、（１０）、（１１）、及び（１３）で示される繰り返し単位がさらに好ましい。

本発明の芳香族重合体の中では、上記式（１）で示される繰り返し単位のいずれかのみからなるもの、上記式（１）で示される繰り返し単位から選ばれる２種以上の繰り返し単位からなるもの、上記式（１）で示される繰り返し単位のいずれかのみと上記式（３）で示される繰り返し単位のみからなるもの、上記式（１）で示される繰り返し単位から選ばれる２種以上の繰り返し単位と上記式（３）で示される繰り返し単位からなるもの、実質的に上記式（１）で示される繰り返し単位から選ばれる１種以上の繰り返し単位と上記式（３）〜（１３）で示される繰り返し単位の１種以上とからなるものが好ましい。

また、本発明の芳香族重合体は、その主鎖構造において、ランダム、ブロック又はグラフト共重合体であってもよく、それらの中間的な主鎖構造を有する共重合体、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体又はグラフト共重合体であってもよい。
本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合において、高い発光効率を得る観点からは、主鎖構造は完全なランダム共重合体より、ブロック性を帯びたランダム共重合体やブロック共重合体、グラフト共重合体であることが好ましい。

また、本発明の芳香族重合体は、上記式（１）で示される繰り返し単位が主鎖末端に位置することで、上記式（２）で示される基が実質的な主鎖末端構造となってもよい。
本発明の芳香族重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合においては、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてもよい。

本発明の芳香族重合体は、上記式（２）で示される基により、主鎖の機能を調節又は改善する、又は、主鎖の機能を損なうことなく、該基により新たな機能を付与するといったことが期待されるので、その該基の構造と主鎖構造のそれぞれが異なる特性を示すものが好ましく、より具体的には、該基の構造と、主鎖における繰り返し単位とが、実質的に異なる構造であること、又は、上記式（２）で表される基における構造の組み合せと、主鎖における繰り返し単位の組み合せとが実質的に異なる組み合せであることが好ましい。

本発明の芳香族重合体における、上記式（１）で示される繰り返し単位の量の合計が、本発明の芳香族重合体の主鎖が有する全繰り返し単位の合計に対して占める割合は、本発明の芳香族重合体において、式（１）で示される繰り返し単位が有する式（２）で示される側鎖の特性が発揮できる量であれば特に限定されないが、合成の容易さの観点から、通常０．１モル％以上１００モル％以下であり、１．０モル％以上であることが好ましく、５モル％以上であることがより好ましく、１０モル％以上であることがさらに好ましく、２０モル％以上であることが特に好ましい。本発明における主鎖とは、上記式（１）で示される繰り返し単位を最も多く含むポリマー鎖と定義され、式（１）で示される繰り返し単位がポリマー鎖末端に位置した場合は、主鎖が有する全繰り返し単位の合計には、該末端に位置する式（１）で示される繰り返し単位が有する式（２）で示される基中の繰り返し単位は含まないものとする。

本発明の芳香族重合体における、上記式（１）で示される繰り返し単位の量の合計が、本発明の芳香族重合体の主鎖に含まれる上記式（１）及び上記式（５）〜（９）で示される繰り返し単位の合計に対して占める割合は、通常０．１モル％以上１００モル％以下であり、１モル％以上１００モル％以下であることが好ましい。
中でも、本発明の芳香族グラフト重合体を高分子ＬＥＤに用いる場合において、上記式（２）で示される基が電荷注入、輸送性を付与する機能性側鎖である場合は、その高機能化をより効果的に行うために、１１モル％以上であることが好ましく、１６モル％以上であることがより好ましく、２０モル％以上であることがさらに好ましい。また、該側鎖が蛍光、又は燐光発光性の色素を含む基であり、その導入により発光波長の調節を行うことを目的とする場合は、０．３モル％以上であることが好ましく、１モル％以上であることがより好ましい。
一方、その上限は、合成の容易さの観点から、８０モル％以下であることが好ましく、６０モル％以下であることがより好ましく、４０モル％以下であることがさらに好ましい。中でも、上記式（２）で示される基が、蛍光又は燐光発光性の色素を含む基であり、その導入により発光波長の調節を行うことを目的とする場合は、効率の観点から３０モル％以下であることが好ましく、２０モル％以下であることがより好ましく、１５モル％以下であることがさらに好ましい。

本発明の芳香族重合体のポリスチレン換算の数平均分子量は、特に限定されないが、溶解性、成膜性等の観点から、１０^３〜１０^８程度であることが好ましく、３×１０^３〜１０^６であることがより好ましく、５×１０^３〜５×１０^５であることがさらに好ましい。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量は通常１０^３〜１０^８程度であることが好ましく、成膜性の観点から、３×１０^３〜１×１０^７であることがより好ましく、５×１０^３〜５×１０^６であることがさらに好ましい。

本発明の芳香族重合体の分散度（重量平均分子量／数平均分子量）は、特に限定されないが、本発明の芳香族重合体を他の重合体に対する添加剤として用いるという用途では分散度は低いことが好ましく、１２以下であることが好ましい。

本発明の芳香族重合体が前記式（１）で示される繰り返し単位のみからなる場合、及び、前記式（１）で示される繰り返し単位と前記式（５）で示される繰り返し単位とからなる場合、ＧＰＣの溶出曲線が実質的に単峰性で、分散度が１．０以上１２以下であることが好ましく、１．０以上７以下であることがより好ましい。

ＧＰＣの溶出曲線は、一般的にはＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）により測定される。本発明におけるＧＰＣの溶出曲線の測定は、検出器には示差屈折率検出器を用いて、標準ポリスチレン換算で行った。なお、ＧＰＣはＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー）と呼称される場合もある。

本発明の芳香族重合体に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、ｏ−ジクロロベンゼンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、アニソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、ｎ−ブチルベンゼン、テトラリン、デカリンなどの炭化水素系溶媒などが例示される。芳香族重合体の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。

本発明の芳香族重合体の合成法としては、（ａ）互いに反応して結合を生成する特性基を有する主鎖と側鎖とを別々に合成した後、該主鎖と該側鎖とを反応により結合し、芳香族重合体を得る方法、（ｂ）側鎖を有するマクロモノマーを合成した後に、該マクロモノマーを重合することにより側鎖を有する主鎖を合成し、芳香族重合体を得る方法などが例示される。

上記合成方法（ａ）及び（ｂ）における、該主鎖の合成方法としては、縮合重合に関与する特性基を有する、対応するモノマー、又はマクロモノマーを既知の縮合反応を用いて必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、縮合重合する方法が例示される。
縮合重合する方法としては、例えば、“オルガニック リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニック シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル オブ オルガノメタリック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー ケミストリー マクロモレキュラー シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）などに記載の公知の方法を用いることができる。

縮合重合において、二重結合を生成する場合は、例えば特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法が挙げられる。すなわち、ホルミル基を有する化合物とホスホニウムメチル基を有する化合物との、又はホルミル基とホスホニウムメチル基とを有する化合物の、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＨｅｃｋ反応による重合、モノハロゲン化メチル基を２つ又３つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホニウムメチル基を２つ又は３つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、ホルミル基を有する化合物とシアノメチル基を有する化合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合などの方法、ホルミル基を２つ又は３つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合などの方法が例示される。

本発明の芳香族重合体が縮合重合によって主鎖に三重結合を生成する場合には、例えば、スズ等のアセチリド基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＳｔｉｌｌｅアセチレンカップリング反応による重合、アセチレン基を有する化合物とハロゲン原始を有する化合物とのＳｏｎｏｇａｓｈｉｒａ反応による重合が利用できる。

また、二重結合や三重結合を生成しない場合には、例えばホウ酸基又はホウ酸エステル基を有する化合物とハロゲン原子又はトリフルオロメタンスルホネート基などのスルホネート基を有する化合物とをＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、ハロゲン化マグネシウム基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とをＧｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、ハロゲン原子又はトリフルオロメタンスルホネート基などのスルホネート基を有する化合物を有する化合物同士をニッケルゼロ価錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ_３等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。

これらのうち、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、及びＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、ニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、構造制御がしやすいので好ましい。

より詳細には、上記合成方法（ａ）における主鎖の合成方法としては、（ｃ）主鎖を上記方法により合成した後に、臭素、Ｎ−ハロゲノスクシンイミド等のハロゲン化剤によるハロゲン化、アルキルリチウム等のリチオ化剤によるリチオ化などの求電子置換反応、及び更なる官能基変換反応などにより、側鎖又は側鎖となるモノマーと反応して結合を生成する特性基を導入して、特性基を有する主鎖を合成する方法、（ｄ）主鎖を上記方法により合成する際に、側鎖又は側鎖となるモノマーと反応して結合を生成する特性基を有するモノマーを用いて特性基を有する主鎖を合成する方法、（ｅ）主鎖を上記方法により合成する際に、特性基に変換し得る官能基を有するモノマーを用いて主鎖を合成した後に該官能基を種々の公知の官能基変換反応により特性基に変換する方法により特性基を有する主鎖を合成する方法、などが例示される。

上記方法（ａ）における側鎖の合成方法としては、前記縮合反応による方法が例示され、より詳細には、（ｆ）側鎖を上記方法により合成した後に、臭素、Ｎ−ハロゲノスクシンイミド等のハロゲン化剤によるハロゲン化、アルキルリチウム等のリチオ化剤によるリチオ化などの求電子置換反応、及び更なる官能基変換反応などにより、主鎖と反応して結合を生成する特性基を導入して、特性基を有する側鎖を合成する方法、（ｇ）側鎖を上記方法により合成する際に、主鎖と反応して結合を生成する特性基を有するモノマーを用いて特性基を有する側鎖を合成する方法、（ｈ）側鎖を上記方法により合成する際に、特性基に変換し得る官能基を有するモノマーを用いて側鎖を合成した後に該官能基を種々の公知の官能基変換反応により特性基に変換する方法により特性基を有する側鎖を合成する方法、などが例示される。

上記方法（ａ）における、主鎖と側鎖とをカップリングさせて炭素−炭素共役結合を生成する反応としては、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応によりカップリングする方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応によりカップリングする方法、ニッケルゼロ価錯体によりカップリングする方法などが例示され、架橋反応を抑制する観点、反応制御が容易である観点から、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応によりカップリングする方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応によりカップリングする方法が好ましい。

次に、本発明の高分子発光素子について説明する。
本発明の高分子発光素子は、陽極及び陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が本発明の芳香族重合体を含むことを特徴とする。
有機層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、インターレイヤー層等のいずれであってもよいが、有機層が発光層であることが好ましい。
ここに、発光層とは、発光する機能を有する層をいい、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいい、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。また、インターレイヤー層とは、発光層と陽極との間で発光層に隣接して存在し、発光層と陽極、又は発光層と、正孔注入層若しくは正孔輸送層とを隔離する役割をもつ層のことである。
なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。また、電子注入層と正孔注入層を総称して電荷注入層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、及び電子注入層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。
有機層が発光層である場合、有機層である発光層がさらに正孔輸送性材料、電子輸送性材料又は発光性材料を含んでいてもよい。ここで、発光性材料とは、蛍光及び／又は燐光を示す材料のことをいう。

本発明の芳香族重合体と正孔輸送性材料と混合する場合には、その混合物全体に対して、正孔輸送性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子材料と電子輸送性材料を混合する場合には、その混合物全体に対して電子輸送性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。さらに、本発明の芳香族重合体と発光性材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の芳香族重合体と発光性材料、正孔輸送性材料及び／又は電子輸送性材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光性材料の混合割合は１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、正孔輸送性材料と電子輸送性材料はそれらの合計で１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％である。従って本発明の芳香族重合体の含有量は９８ｗｔ％〜１ｗｔ％、好ましくは９０ｗｔ％〜２０ｗｔ％である。

混合する正孔輸送性材料、電子輸送性材料、及び発光性材料は公知の低分子化合物、三重項発光錯体、又は高分子化合物が使用できるが、高分子化合物を用いることが好ましい。 高分子化合物の正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び発光性材料としては、ＷＯ９９／１３６９２、ＷＯ９９／４８１６０、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＷＯ００／５３６５６、ＷＯ０１／１９８３４、ＷＯ００／５５９２７、ＧＢ２３４８３１６、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ００／０６６６５、ＷＯ９９／５４９４３、ＷＯ９９／５４３８５、ＵＳ５７７７０７０、ＷＯ９８／０６７７３、ＷＯ９７／０５１８４、ＷＯ００／３５９８７、ＷＯ００／５３６５５、ＷＯ０１／３４７２２、ＷＯ９９／２４５２６、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ００／２２０２６、ＷＯ９８／２７１３６、ＵＳ５７３６３６、ＷＯ９８／２１２６２、ＵＳ５７４１９２１、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９６／２９３５６、ＷＯ９６／１０６１７、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９５／０７９５５、特開平２００１−１８１６１８、特開平２００１−１２３１５６、特開平２００１−３０４５、特開平２０００−３５１９６７、特開平２０００−３０３０６６、特開平２０００−２９９１８９、特開平２０００−２５２０６５、特開平２０００−１３６３７９、特開平２０００−１０４０５７、特開平２０００−８０１６７、特開平１０−３２４８７０、特開平１０−１１４８９１、特開平９−１１１２３３、特開平９−４５４７８等に開示されているポリフルオレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体及び共重合体、芳香族アミン及びその誘導体の（共）重合体が例示される。

低分子化合物の蛍光性材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン若しくはその誘導体、又はテトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体などを用いることができる。
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。

三重項発光錯体としては、例えば、イリジウムを中心金属とするＩｒ（ｐｐｙ）_３、Ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、白金を中心金属とするＰｔＯＥＰ、ユーロピウムを中心金属とするＥｕ（ＴＴＡ）_３ｐｈｅｎ等が挙げられる。

三重項発光錯体として具体的には、例えばＮａｔｕｒｅ，（１９９８），３９５，１５１、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．（１９９９），７５（１），４、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ．Ｓｏｃ．Ｏｐｔ．Ｅｎｇ．（２００１），４１０５（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ ＤｅｖｉｃｅｓＩＶ），１１９、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，（２００１），１２３，４３０４、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，（１９９７），７１（１８），２５９６、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９８），９４（１），１０３、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９９），９９（２），１３６１、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，（１９９９），１１（１０），８５２、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３４，１８８３（１９９５）などに記載されている。

本発明の組成物は、正孔輸送材料、電子輸送材料、及び発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の芳香族重合体を含有し、発光材料や電荷輸送材料として用いることができる。
その正孔輸送材料、電子輸送材料、及び発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の芳香族重合体の含有比率は、用途に応じて決めればよいが、発光材料の用途の場合は、上記の発光層におけるのと同じ含有比率が好ましい。

本発明の高分子組成物のポリスチレン換算の数平均分子量は通常１０^３〜１０^８程度であり、好ましくは１０^４〜１０^６である。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量は通常１０^３〜１０^８程度であり、成膜性の観点及び素子にした場合の効率の観点から、１×１０^４〜５×１０^６であることが好ましい。ここで、高分子組成物の平均分子量とは、２種類以上の高分子化合物を混合して得られた組成物をＧＰＣで分析して求めた値をいう。

本発明の高分子発光素子が有する発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

発光層の形成方法としては、例えば、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。

印刷法等で用いるインク組成物としては、少なくとも１種類の本発明の芳香族重合体が含有されていればよく、また本発明の芳香族重合体以外に正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、溶媒、安定剤などの添加剤を含んでいてもよい。
該インク組成物中における本発明の芳香族重合体の割合は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して通常は２０ｗｔ％〜１００ｗｔ％であり、好ましくは４０ｗｔ％〜１００ｗｔ％である。
またインク組成物中に溶媒が含まれる場合の溶媒の割合は、組成物の全重量に対して１ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、好ましくは６０ｗｔ％〜９９．５ｗｔ％であり、さらに好ましく８０ｗｔ％〜９９．０ｗｔ％である。
インク組成物の粘度は印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法などインク組成物中が吐出装置を経由するもの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。

本発明の溶液は、本発明の芳香族重合体の他に、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤を含有していてもよい。該添加剤としては、粘度を高めるための高分子量の高分子化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤などを適宜組み合わせて使用すればよい。
前記の高分子量の高分子化合物としては、本発明の芳香族重合体と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよい。例えば、高分子量のポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、又は本発明の芳香族重合体のうち分子量が大きいものなどを用いることができる。重量平均分子量が５０万以上が好ましく、１００万以上がより好ましい。
貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。すなわち、溶液中の固形分に対する貧溶媒を少量添加することで、粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、溶液中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すればよい。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、溶液全体に対して５０ｗｔ％以下であることが好ましく、３０ｗｔ％以下であることが更に好ましい。

また、本発明の溶液は、保存安定性を改善するために、本発明の芳香族重合体の他に、酸化防止剤を含有していてもよい。酸化防止剤としては、本発明の芳香族重合体と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤などが例示される。

インク組成物として用いる溶媒としては特に制限はないが、該インク組成物を構成する溶媒以外の材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
これらのうち、高分子化合物等の溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、１−メチルナフタレン、テトラリン、アニソール、エトキシベンゼン、シクロヘキサン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、デカリン、安息香酸メチル、シクロヘキサノン、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトン、アセトフェノン、ベンゾフェノンが好ましくい。

溶液中の溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。
溶液中に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であることが好ましく、２００℃以上の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、２種類の溶媒ともに、６０℃において１ｗｔ％以上の芳香族重合体が溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において１ｗｔ％以上の芳香族重合体が溶解することが好ましい。
溶液中に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、溶液中の全溶媒の重量の４０〜９０ｗｔ％であることが好ましく、５０〜９０ｗｔ％であることがより好ましく、６５〜８５ｗｔ％であることがさらに好ましい。

溶液中に含まれる本発明の芳香族重合体は、１種類でも２種類以上でもよく、素子特性等を損なわない範囲で本発明の芳香族重合体以外の高分子化合物を含んでいてもよい。

本発明の溶液には、水、金属及びその塩を１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。金属としては、具体的にはリチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウム等が挙げられる。また、珪素、リン、フッ素、塩素、臭素を１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。

本発明の溶液を用いて、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等により薄膜を作製することができる。中でも、本発明の溶液をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法により成膜する用途に用いることが好ましく、インクジェット法で成膜する用途に用いることがより好ましい。
印刷法のうちで１μｍ以下の薄膜をパターン形成又は多色塗り分け作製するには、インクジェット法がより好ましく、１μｍ以上の薄膜をパターン形成又は多色塗り分け作製するには、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法が生産性やコストの面で好ましい。

本発明の溶液を用いて作製できる薄膜としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜が例示される。
本発明の導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物などをドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□以下であることがさらに好ましい。
本発明の有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きい方が、１０^−５ｃｍ^２／Ｖ／秒以上であることが好ましい。より好ましくは、１０^−３ｃｍ^２／Ｖ／秒
以上であり、さらに好ましくは、１０^−１ｃｍ^２／Ｖ／秒以上である。
ＳｉＯ_２などの絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に該有機半導体薄膜を形成し、Ａｕなどでソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。

本発明の高分子発光素子は、素子の輝度等の観点から陽極と陰極との間に３．５Ｖ以上の電圧を印加したときの最大外部量子収率が１％以上であることが好ましく、１．５％以上がより好ましい。
本発明の高分子発光素子としては、陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた高分子発光素子、陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子、陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。
例えば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
またこれら構造の各一について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。すなわち、以下のａ’）〜ｄ’）の構造が例示される。
ａ’）陽極／インターレイヤー層／発光層／陰極
ｂ’）陽極／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光層／陰極
ｃ’）陽極／インターレイヤー層／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ’）陽極／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光層／電子輸送層／陰極

本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送性材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などが例示される。
具体的には、該正孔輸送性材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送性材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体等の高分子正孔輸送性材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。
また、低分子化合物の正孔輸送性材料としてはピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送性材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。
ポリシラン若しくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
ポリシロキサン若しくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送性材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送性材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送性材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送性材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体等が例示される。
具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送性材料では、粉末からの真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、上記の高分子バインダーを併用してもよい。
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び／又は高分子バインダーを溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。
例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
またこれら構造の各一について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。なおこの場合、インターレイヤー層が正孔注入層及び／又は正孔輸送層を兼ねてもよい。

電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送性材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送性材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^３以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^２以下がより好ましく、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^１以下がさらに好ましい。
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^３Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^２Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^１Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^３以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。

膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
またこれら構造の各一について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。なおこの場合、インターレイヤー層が正孔注入層及び／又は正孔輸送層を兼ねてもよい。

上記の構造ａ）〜ａｂ）にインターレイヤー層を適用する構造について、インターレイヤー層としては、陽極と発光層との間に設けられ、陽極若しくは正孔注入層又は正孔輸送層と、発光層を構成する高分子化合物との中間のイオン化ポテンシャルを有する材料で構成されることが好ましい。
インターレイヤー層に用いる材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの、芳香族アミンを含むポリマーが例示される。
インターレイヤー層の成膜の方法に制限はないが、例えば高分子材料を用いる場合においては溶液からの成膜による方法が例示される。
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、インターレイヤー層に用いる材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
インターレイヤー層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよい。例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
該インターレイヤー層を発光層に隣接して設ける場合、特に両方の層を塗布法により形成する場合には、２つの層の材料が混合して素子の特性等に対して好ましくない影響を与える場合がある。インターレイヤー層を塗布法で形成した後、発光層を塗布法で形成する場合、２つの層の材料の混合を少なくする方法としては、インターレイヤー層を塗布法で形成した後、該インターレイヤー層を加熱して発光層作成に用いる有機溶媒に対して不溶化した後、発光層を形成する方法が挙げられる。加熱の温度は通常１５０℃〜３００℃程度であり、時間は通常１分〜１時間程度である。この場合、加熱により溶媒不溶化しなかった成分を除くため、加熱した後、発光層を形成する前に、該インターレイヤー層を発光層形成に用いる溶媒でリンスすることで取り除くことができる。加熱による溶媒不溶化が十分に行なわれた場合は、溶媒によるリンスが省略できる。加熱による溶媒不溶化が十分に行なわれるためには、インターレイヤー層に用いる高分子化合物として分子内に少なくとも一つの重合可能な基を含むものを用いることが好ましい。さらには重合可能な基の数が、分子内の繰り返し単位の数に対して５％以上であることが好ましい。

本発明の高分子発光素子を形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。
通常本発明の高分子発光素子が有する陽極及び陰極の少なくとも一方が透明又は半透明である。陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。

該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。

本発明の高分子発光素子で用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、又はそれらのうち２つ以上の合金、又はそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、又は金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。該高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。
該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、金属板、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子が傷付くのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより、製造工程で吸着した水分又は硬化樹脂を通り抜けて浸入する微量の水分が素子にダメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。

本発明の高分子発光素子は面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。
本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極又は陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（数平均分子量及び重量平均分子量）
ここで、数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）及びピークトップ分子量（Ｍｐ）については、ＧＰＣによりポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）及びピークトップ分子量（Ｍｐ）を求めた。
＜ＧＰＣ測定法Ａ＞ ＧＰＣ（島津製作所製：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げたカラムを用いて、テトラヒドロフランを展開溶媒として、０．６ｍＬ／ｍｉｎの流速で流し、４０℃で測定した。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。
＜ＧＰＣ測定法Ｂ＞ ポリマーラボラトリー社製ＰＬ−ＧＰＣ２１０システム（ＲＩ検出）により、ポリマーラボラトリー社製ＰＬｇｅｌ １０ｕｍ ＭＩＸＥＤ−Ｂ ３本をカラムとして、ｏ−ジクロロベンゼン（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール０．０１％ｗ／ｖ含有）を展開溶媒として、７０℃で行った。
＜ＧＰＣ測定法Ｃ＞ 東ソー社製ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣシステム（ＲＩ検出）により、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）３本を直結に繋げたカラムを用いて、テトラヒドロフランを展開溶媒として、０．５ｍＬ／ｍｉｎの流速で流し、４０℃で測定した。検出器には示差屈折率検出器を用いた。

（ＨＰＬＣ測定）
測定機器：島津ＬＣ−１０ＡＶｐ
測定条件：Ｌ−Ｃｏｌｕｍｎ ＯＤＳ、５μｍ、２．１ｍｍ×１５０ｍｍ；
Ａ液：アセトニトリル、Ｂ液：ＴＨＦ
グラジエント
Ｂ液：０％→（６０ｍｉｎ．）→０％→（１０ｍｉｎ．）→１００％→（１０ｍｉｎ．）→１００％、
サンプル濃度：５．０ｍｇ／ｍＬ（ＴＨＦ溶液）、
注入量：１μＬ
検出波長：２５４ｎｍ

（ＮＭＲ測定）
ＮＭＲ測定は、重合体を重水素化テトラヒドロフラン溶液としてバリアン社製ＩＮＯＶＡ３００核磁気共鳴装置を用い室温で行った。

合成例１
＜Ｎ−（４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−アミンの合成＞
（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルブロモベンゼンの合成）

不活性雰囲気下で、５００ｍｌの３つ口フラスコに、酢酸２２５ｇを入れ、５−ｔ−ブチル−ｍ−キシレン２４．３ｇを加えた。続いて臭素３１．２ｇを加えた後、１５〜２０℃で３時間反応させた。
反応液を水５００ｍｌに加え析出した沈殿をろ過した。水２５０ｍｌで２回洗浄し、白色の固体３４．２ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ（ｐｐｍ） ＝ １．３〔ｓ，９Ｈ〕、２．４〔ｓ，６Ｈ〕、７．１〔ｓ，２Ｈ〕
ＭＳ（ＦＤ^＋）Ｍ^＋ ２４１

（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−アミンの合成）

不活性雰囲気下で、３００ｍｌの３つ口フラスコに、脱気した脱水トルエン１００ｍｌを入れ、ジフェニルアミン１６．９ｇ、４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルブロモベンゼン２５．３ｇを加えた。続いてトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム０．９２ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１２．０ｇ、を加えた後、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン１．０１ｇを加えた。その後、１００℃で７時間反応させた。
反応液を飽和食塩水にあけ、トルエン１００ｍｌで抽出した。トルエン層を希塩酸、飽和食塩水で洗浄後、溶媒を留去して黒色の固体を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム ９／１）で分離精製し、白色の固体３０．１ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝１．３〔ｓ，９Ｈ〕、２．
０〔ｓ，６Ｈ〕、６．８〜７．３〔ｍ，１０Ｈ〕

（Ｎ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミンの合成）

乾燥した三つ口フラスコに、上記と同様に合成したＮ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−アミン３．０ｇ（９．１ｍｍｏｌ）を仕込み、容器内をアルゴンガスで置換し、シリンジにて脱水ジメチルホルムアミド１０５ｍＬを加えて均一にした。反応溶液を氷浴にて０〜５℃に冷却し、Ｎ−ブロモスクシンイミド１．５ｇ（０．９当量）と脱水ジメチルホルムアミド５．２ｍＬからなる溶液を３０分かけて滴下し、そのまま３０分間攪拌した。次いで、氷浴を取り外して室温まで戻した後、５ｈｒ攪拌した。次いで、反応溶液に蒸留水１３０ｍＬ、クロロホルム１５０ｍＬを加え十分攪拌し、有機層と水層を分離した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮乾固した。次いでトルエン２００ｍＬに溶解させシリカゲルカラムに通液し、溶液を濃縮乾固した。クロロホルム、シクロヘキサンを展開液とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製、濃縮乾固し、Ｎ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミン２．０ｇを白色固体として得た（ＬＣ面百値９９．７％、収率５３．３％）。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：δ１．３２（ｓ，９Ｈ），２．００（ｓ，６Ｈ），６．８１−６．９８（ｍ，５Ｈ），７．０９（ｓ，２Ｈ），７．１６−７．２７（ｍ，４Ｈ）
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：Ｍ^＋ ４０７

（Ｎ−（４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミンの合成）

乾燥した三つ口フラスコに、上記と同様に合成したＮ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミン７．７８ｇ（１９．１ｍｍｏｌ）を仕込み、容器内をアルゴンガスで置換し、脱水テトラヒドロフラン７６ｍＬ、脱水ジエチルエーテル１９１ｍＬを加えて攪拌溶解した。反応溶液を−７６℃に冷却し、１．５４ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液１３．６１ｍＬ（２１．０ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、そのまま０．５時間攪拌した。次いで、−７６℃にて２−イソプロピルオキシ−４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン５．８３ｍＬ（２８．６ｍｍｏｌ）を２０分かけて滴下し、そのまま１時間攪拌した後、室温まで昇温させ２時間攪拌した。反応溶液を０℃に冷却した０．２規定塩酸２００ｍＬ中へ１５分かけて滴下し、室温にて１５分攪拌した後に、有機層と水層を分離した。水層をジエチルエーテルで抽出し、有機層を合一した後に、蒸留水、５％炭酸水素ナトリウム水溶液、蒸留水で順次洗浄し、得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮乾固し、粗生成物９．０ｇを薄桃色固体として得た。この粗生成物８．６ｇをテトラヒドロフラン１７．１ｇに５０℃にて加熱溶解し、メタノール８５．６ｇをゆっくりと加えることにより晶析し、ろ過、減圧乾燥することにより、Ｎ−（４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミン７．６ｇを白色固体として得た。（ＬＣ面百値９８．５％、収率８６．７％）。不純物としては、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−アミンがＬＣ面百値で１．５％含まれていた。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：δ１．３２（ｓ，９Ｈ），１．３２（ｓ，１２Ｈ），２．００（ｓ，６Ｈ），６．８１−６．９８（ｍ，３Ｈ），７．０１（ｄ，２Ｈ），７．０９（ｓ，２Ｈ），７．１５−７．２７（ｍ，２Ｈ），７．６２（ｄ，２Ｈ），
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：［Ｍ＋Ｈ］^＋ ４５６

（Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−アミンの合成）

不活性雰囲気下で、１０００ｍｌの３つ口フラスコに脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３３３ｍｌ、及びヘキサン１６６ｍｌを入れ、上記と同様に合成したＮ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−アミン２９．７ｇを溶解した後、遮光及び氷浴下でＮ−ブロモスクシンイミド３３．６ｇ／Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶液１００ｍｌを滴下し、一昼夜反応させた。
反応液を２００ｍｌまで減圧濃縮し、水１０００ｍｌに加え、析出した沈殿をろ過した。さらに得られた結晶をＤＭＦ／エタノールで２回再結晶して白色固体２３．４ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ（ｐｐｍ）＝１．３〔ｓ，９Ｈ〕、２．０〔ｓ，６Ｈ〕、６．８〔ｄ，２Ｈ〕、７．１〔ｓ，２Ｈ〕、７．３〔ｄ，２Ｈ〕、
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：Ｍ^＋ ４８８

合成例２
＜化合物Ｅ、化合物Ｆ、化合物Ｇの合成＞
（化合物Ａの合成）

不活性雰囲気下、３００ｍｌ三つ口フラスコに、１−ナフタレンボロン酸５．００ｇ（２９ｍｍｏｌ）、２−ブロモベンズアルデヒド６．４６ｇ（３５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１０．０ｇ（７３ｍｍｏｌ）、トルエン３６ｍｌ、イオン交換水３６ｍｌを入れ、室温で撹拌しつつ２０分間アルゴンバブリングした。続いてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１６．８ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）を入れ、さらに室温で撹拌しつつ１０分間アルゴンバブリングした。１００℃に昇温し、２５時間反応させた。室温まで冷却後、トルエンで有機層を抽出、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去した。トルエン：シクロヘキサン＝１：２混合溶媒を展開溶媒としたシリカゲルカラムで生成することにより、化合物Ａ５．１８ｇ（収率８６％）を白色結晶として得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ７．３９〜７．６２（ｍ、５Ｈ）、７．７０（ｍ、２Ｈ）、７．９４（ｄ、２Ｈ）、８．１２（ｄｄ、２Ｈ）、９．６３（ｓ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）^＋ ２３３

（化合物Ｂの合成）

不活性雰囲気下で３００ｍｌの三つ口フラスコに、上記と同様に合成した化合物Ａ ８．００ｇ（３４．４ｍｍｏｌ）と脱水ＴＨＦ４６ｍｌを入れ、−７８℃まで冷却した。続いてｎ−オクチルマグネシウムブロミド（１．０ｍｏｌ／ｌＴＨＦ溶液）５２ｍｌを３０分かけて滴下した。滴下終了後０℃まで昇温し、１時間撹拌後、室温まで昇温して４５分間撹拌した。氷浴して１Ｎ塩酸２０ｍｌを加えて反応を終了させ、酢酸エチルで有機層を抽出、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去した後トルエン：ヘキサン＝１０：１混合溶媒を展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ｂ７．６４ｇ（収率６４％）を淡黄色のオイルとして得た。ＨＰＬＣ測定では２本のピークが見られたが、ＬＣ−ＭＳ測定では同一の質量数であることから、異性体の混合物であると判断した。

（化合物Ｃの合成）

不活性雰囲気下、５００ｍｌ三つ口フラスコに、化合物Ｂ（異性体の混合物）５．００ｇ（１４．４ｍｍｏｌ）と脱水ジクロロメタン７４ｍｌを入れ、室温で撹拌、溶解させた。続いて、三フッ化ホウ素のエーテラート錯体を室温で１時間かけて滴下し、滴下終了後室温で４時間撹拌した。撹拌しながらエタノール１２５ｍｌをゆっくりと加え、発熱がおさまったらクロロホルムで有機層を抽出、２回水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ｃ３．２２ｇ（収率６８％）を無色のオイルとして得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ０．９０（ｔ、３Ｈ）、１．０３〜１．２６（ｍ、１４Ｈ）、２．１３（ｍ、２Ｈ）、４．０５（ｔ、１Ｈ）、７．３５（ｄｄ、１Ｈ）、７．４６〜７．５０（ｍ、２Ｈ）、７．５９〜７．６５（ｍ、３Ｈ）、７．８２（ｄ、１Ｈ）、７．９４（ｄ、１Ｈ）、８．３５（ｄ、１Ｈ）、８．７５（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）^＋ ３２９

（化合物Ｄの合成）

不活性雰囲気下２００ｍｌ三つ口フラスコに、イオン交換水２０ｍｌを入れ、撹拌しながら水酸化ナトリウム１８．９ｇ（０．４７ｍｏｌ）を少量ずつ加え、溶解させた。水溶液が室温まで冷却した後、トルエン２０ｍｌ、上記と同様に合成した化合物Ｃ５．１７ｇ（１５．７ｍｍｏｌ）、臭化トリブチルアンモニウム１．５２ｇ（４．７２ｍｍｏｌ）を加え、５０℃に昇温した。臭化ｎ−オクチルを滴下し、滴下終了後５０℃で９時間反応させた。反応終了後トルエンで有機層を抽出し、２回水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ｄ５．１３ｇ（収率７４％）を黄色のオイルとして得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ０．５２（ｍ、２Ｈ）、０．７９（ｔ、６Ｈ）、１．００〜１．２０（ｍ、２２Ｈ）、２．０５（ｔ、４Ｈ）、７．３４（ｄ、１Ｈ）、７．４０〜７．５３（ｍ、２Ｈ）、７．６３（ｍ、３Ｈ）、７．８３（ｄ、１Ｈ）、７．９４（ｄ、１Ｈ）、８．３１（ｄ、１Ｈ）、８．７５（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）^＋ ４４１

（化合物Ｅの合成）

空気雰囲気下、５０ｍｌの三つ口フラスコに、化合物Ｄ４．００ｇ（９．０８ｍｍｏｌ）と酢酸：ジクロロメタン＝１：１混合溶媒５７ｍｌを入れ、室温で撹拌、溶解させた。続いて三臭化ベンジルトリメチルアンモニウム７．７９ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を加えて撹拌しつつ、塩化亜鉛を三臭化ベンジルトリメチルアンモニウムが完溶するまで加えた。室温で２０時間撹拌後、５％亜硫酸水素ナトリウム水溶液１０ｍｌを加えて反応を停止し、クロロホルムで有機層を抽出、炭酸カリウム水溶液で２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ヘキサンを展開溶媒とするフラッシュカラムで２回精製した後、エタノール：ヘキサン＝１：１、続いて１０：１混合溶媒で再結晶することにより、化合物Ｅ４．１３ｇ（収率７６％）を白色結晶として得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ０．６０（ｍ、４Ｈ）、０．９１（ｔ、６Ｈ）、１．０１〜１．３８（ｍ、２０Ｈ）、２．０９（ｔ、４Ｈ）、７．６２〜７．７５（ｍ、４Ｈ）、７．８９（ｓ、１Ｈ）、８．２０（ｄ、１Ｈ）、８．４７（ｄ、１Ｈ）、８．７２（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：Ｍ^＋ ５９６

（化合物Ｆの合成）

アルゴンガス雰囲気下、５００ｍＬの三つ口フラスコに、上記と同様に合成した化合物Ｅ１１．９７ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、市販脱水テトラヒドロフラン２００ｍＬ、市販脱水ジエチルエーテル２００ｍＬを仕込み、室温で攪拌して溶解させた後、−７８℃に冷却した中へ、ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５４ｍｏｌ／Ｌ）１２．９９ｍＬ（２０．０ｍｍｏｌ）を３０分かけて、ゆっくりと滴下した。−７８℃で５０分間攪拌した後に、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン４．９０ｍＬ（２４．０ｍｍｏｌ）を１５分かけて滴下した。−７８℃で１時間攪拌した後、室温まで１．５時間かけて昇温し、２規定塩酸２００ｍＬ中へ反応マスを室温で滴下した。室温にて３０分攪拌した後に、油層を分液し、水層からジエチルエーテル４０ｍＬで抽出・分液し、得られた油層を合一した後に、蒸留水、５％炭酸水素ナトリウム水溶液、蒸留水で順次洗浄した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮することで、淡黄色油状物として粗生成物を得た（１５．３ｇ）。得られた油状物をテトラヒドロフランに溶解し、メタノールを滴下して晶析させるという操作を３回繰り返すことにより、化合物Ｆ１１．０ｇ（収率８５％）を白色結晶として得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ０．４０〜０．６０（ｍ、４Ｈ）、０．８０（ｔ、６Ｈ）、０．９０〜１．２０（ｍ、２０Ｈ）、１．４５（ｓ、１２Ｈ）、１．９４〜２．１７（ｍ、４Ｈ）、７．５４〜７．６４（ｍ、４Ｈ）、８．０３（ｓ、１Ｈ）、８．１９（ｄ、１Ｈ）、８．６６（ｄ、１Ｈ）、８．９２（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：Ｍ^＋ ６４４

（化合物Ｇの合成）

１００ｍＬ４口丸底フラスコをアルゴンガス置換後、上記と同様に合成した化合物Ｅ（３．２ｇ、５．３ｍｍｏｌ）、ビスピナコーラートジボロン（３．８ｇ、１４．８ｍｍｏｌ）、ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）（０．３９ｇ、０．４５ｍｍｏｌ）、ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．２７ｇ、０．４５ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（３．１ｇ、３２ｍｍｏｌ）を仕込み、脱水ジオキサン４５ｍｌを加えた。アルゴン雰囲気下、１００℃まで昇温し、３６時間反応させた。放冷後、セライト２ｇをプレコートで濾過を実施し、濃縮したところ黒色液体を取得した。ヘキサン５０ｇに溶解させて活性炭で着色成分を除去し３７ｇの淡黄色液体を取得した（濾過時、ラヂオライト（昭和科学工業株式会社製）５ｇプレコート実施）。酢酸エチル６ｇ、脱水メタノール１２ｇ、ヘキサン２ｇを加え、ドライアイス−メタノール浴に浸して、化合物Ｇ２．１ｇの無色結晶を取得した。

合成例３
＜重合体１の合成＞
アルゴン雰囲気下、ジムロートを接続した１Ｌ三つ口フラスコに、上記と同様に合成した化合物Ｆ１０．０ｇ（１５．５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１７３．９ｍｇ、トリシクロヘキシルホスフィン４３５．１ｍｇを加えた後、アルゴンガスにより容器内を置換した。ここにトルエン６２０ｍｌ、ｎ−オクチルベンゼン（内部標準物質）８．６ｇを加え、１１０℃で１０分間攪拌した。このモノマー溶液に、２０重量％の水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液８０ｍｌを注加し、１１０℃で１６ｈｒ攪拌した。液体クロマトグラフィーにて化合物Ｆが消失したのを確認した後、室温まで冷却し、有機層を水層と分離した。有機層を約２００ｍＬに濃縮後、エタノール１．８Ｌに加え、ポリマーを沈殿させた。沈殿物をろ過、減圧乾燥し粉末を得た。この粉末をトルエンに溶解させ、シリカゲルとアルミナのカラムに通液させ、溶液を乾固して、粉末を得た。この粉末をクロロホルム１３０ｍＬに溶解させ、エタノール１．５Ｌに滴下しポリマーを沈殿させ、沈殿物をろ過後乾燥し、重合体（以後、重合体１と呼ぶ）を６．４ｇ（収率９４．１％）得た。また、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝１．５×１０^４、Ｍｗ＝３．１×１０^４であった（ＧＰＣ測定法Ｂ）。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ０．８３（ｂｓ）、１．１６（ｂｓ）、
２．１９（ｂｓ）、７．３〜９．１（ｍ）、積分比は（アルキル基に由来するプロトン）／（アリール基に由来するプロトン）＝４．１９であった。
重合体１は繰返し単位（式Ｐ−１）からなる。

合成例４
＜重合体２の合成：重合体１のブロモ化＞
アルゴンガス雰囲気下、５０ｍＬフラスコに、重合体１（４００ｍｇ、ベンゾフルオレン繰り返し単位換算で０．９１２ｍｍｏｌ）、クロロホルム２０ｍＬを仕込み、室温にて攪拌して溶解させた後に、トリフルオロ酢酸１．４０ｍＬ、臭素１９．６μＬ（０．３８ｍｍｏｌ、ベンゾフルオレン単位に対して４２モル％）を順次仕込み、遮光下で１６時間攪拌した。反応マスをメタノール２００ｍＬに攪拌下で滴下することにより、沈殿化させた。得られた沈殿をろ過、メタノールで洗浄、減圧乾燥することで、重合体４０５ｍｇを得た。得られた重合体を重合体２と呼ぶ。得られた重合体２のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝１．５×１０^４、重量平均分子量は、Ｍｗ＝３．２×１０^４、ピークトップ分子量は、Ｍｐ＝３．３×１０^４、分散度は、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１であった（ＧＰＣ測定法Ｂ）。
元素分析の結果より、Ｂｒ基を有する繰り返し単位（式Ｐ−２）とＢｒ基を含有しない繰り返し単位（式Ｐ−１）の比率は（Ｐ−１）／（Ｐ−２）＝６２／３８に相当し、（全ベンゾフルオレン繰り返し単位）／Ｂｒ基＝７３／２７に相当する。
元素分析測定値：Ｃ８４．３３％、Ｈ８．８２％、Ｎ＜０．３％、Ｂｒ６．４９％
元素分析計算値：Ｃ８４．５５％、Ｈ８．９６％、Ｎ０％、Ｂｒ６．４９％（（Ｐ−１）／（Ｐ−２）＝６２／３８での計算値）
^１Ｈ−ＮＭＲ測定の結果、高磁場側のアルキル基のプロトンに由来するピークは変化せず、低磁場側のアリール基のプロトンに由来するピークに変化が見られ、さらに、アリール基プロトンのアルキル基プロトンに対する積分比の低下が見られ、Ｂｒ基はベンゾフルオレンの芳香環部分に導入されていることが判明した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ０．８３（ｂｓ）、１．１６（ｂｓ）、２．１９（ｂｓ）、７．３〜９．３（ｍ）、積分比は（アルキル基に由来するプロトン）／（アリール基に由来するプロトン）＝４．４０であった。

実施例１
＜芳香族重合体１の合成＞
重合体２（１５０ｍｇ、ベンゾフルオレン繰り返し単位換算で０．３２２ｍｍｏｌ）、Ｎ−（４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミン（１００ｍｇ、０．２２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（II）（１．２３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ）、トリシクロヘキシルホスフィン（３．０７ｍｇ、０．０１１ｍｍｏｌ）を５０ｍＬフラスコに仕込み、アルゴンガスにより置換した後、市販脱水トルエン１８．６ｍＬを仕込み、室温にて攪拌して溶解させた。１１０℃に昇温した後に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１．４ｍｏｌ／Ｌ、０．４９ｍＬ、０．６８ｍｍｏｌ）を仕込み、１１０℃で２．５時間攪拌した。室温に冷却した後、蒸留水７．５ｍＬを加え洗浄し、有機層を濃縮した後に、クロロホルムに溶解し、アセトン中へ滴下することで沈殿化した。得られた沈殿をろ過、アセトンで洗浄、減圧乾燥することで、粗重合体１６０ｍｇを得た。得られた粗重合体のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝２．２×１０^４、重量平均分子量は、Ｍｗ＝３．８×１０^４、ピークトップ分子量は、Ｍｐ＝３．７×１０^４、分散度は、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８であった（ＧＰＣ測定法Ｂ）。
上記粗重合体１４６ｍｇをトルエン３０ｍＬに室温にて溶解し、あらかじめトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに溶液を通液し、さらにトルエンで洗い出した後に、濃縮し、クロロホルムに溶解し、メタノール中へ滴下することで、再沈した。沈殿を、ろ過、メタノールで洗浄、減圧乾燥することにより、重合体１４５ｍｇを得た。得られた重合体を芳香族重合体１と呼ぶ。得られた芳香族重合体１のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝２．０×１０^４、重量平均分子量は、Ｍｗ＝３．７×１０^４、ピークトップ分子量は、Ｍｐ＝３．５×１０^４、分散度は、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８であった（ＧＰＣ測定法Ｂ）。
元素分析の結果より、繰り返し単位（式Ｐ−１）、Ｂｒ基を有する繰り返し単位（式Ｐ−２）、置換基を有する繰り返し単位（Ｐ−３）の比率は（Ｐ−１）／（Ｐ−２）／（Ｐ−３）＝７５／０／２５に相当し、ベンゾフルオレン繰り返し単位と置換基の比率は、ベンゾフルオレン／置換基＝８０／２０に相当する。
元素分析測定値：Ｃ８９．８６％、Ｈ９．２２％、Ｎ０．６８％、Ｂｒ＜０．１％
元素分析計算値：Ｃ８９．９７％、Ｈ９．３５％、Ｎ０．６８％、Ｂｒ０％（（Ｐ−１）／（Ｐ−２）／（Ｐ−３）＝７５／０／２５での計算値）

合成例５
＜重合体３の合成＞
アルゴン雰囲気下、ジムロートを接続した２００ｍＬフラスコに、合成例２と同様の方法で合成した化合物Ｅ３７．７ｇ（６３ｍｍｏｌ）、化合物Ｇ４３．６ｇ（６３ｍｍｏｌ）を加え、トルエン７０ｍＬに溶解させた後、アルゴンガスをバブリングすることにより脱気した。そこへ、酢酸パラジウム４２ｍｇ、トリス（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィン２６６ｍｇを加え、昇温しながらビス（テトラエチルアンモニウム）カーボネート水溶液（３３重量％）２８３．４ｍＬを滴下し、２４時間還流させた。ブロモベンゼン１０．８ｇを加えさらに１時間還流させた後、フェニルボロン酸８．９ｇを加えさらに１時間還流させた。油層を２規定塩酸水で２回、１０％酢酸水溶液で２回、水で６回洗浄し、セライトろ過し、減圧濃縮した溶液を、メタノール中へ滴下することにより沈殿化させた。得られた固体をろ取、減圧乾燥した後に再度トルエンに溶解し、メタノール中へ再沈し減圧乾燥する操作を２回行うことにより、重合体（以後、重合体３と呼ぶ）を２２．４ｇを得た。また、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝７．３×１０^４、Ｍｗ＝１．８×１０^５であった（ＧＰＣ測定法Ｃ）。
重合体３は以下の繰返し単位（式Ｐ−１）からなる。

合成例６
＜重合体４の合成：重合体３のブロモ化＞
アルゴンガス雰囲気下、５００ｍＬフラスコに、重合体３（５．００ｇ、ベンゾフルオレン繰り返し単位換算で１１．４ｍｍｏｌ）、クロロホルム１５０ｍＬを仕込み、室温にて攪拌して溶解させた後に、トリフルオロ酢酸１７．６ｍＬ、臭素２３６μＬ（４．６ｍｍｏｌ、ベンゾフルオレン単位に対して４０モル％）を順次仕込み、遮光下で２４時間攪拌した。反応マスをメタノール１２５０ｍＬに攪拌下で滴下することにより、沈殿化させた。得られた沈殿をろ過、メタノールで洗浄、減圧乾燥することで、重合体５．２９ｇを得た。得られた重合体を重合体４と呼ぶ。得られた重合体４のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝７．５×１０^４、重量平均分子量は、Ｍｗ＝１．６×１０^５、ピークトップ分子量は、Ｍｐ＝１．２×１０^５、分散度は、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１であった（ＧＰＣ測定法Ｃ）。
元素分析の結果より、Ｂｒ基を有する繰り返し単位（式Ｐ−２）とＢｒ基を含有しない繰り返し単位（式Ｐ−１）の比率は（Ｐ−１）／（Ｐ−２）＝６１／３９に相当し、（全ベンゾフルオレン繰り返し単位）／Ｂｒ基＝７２／２８に相当する。
元素分析測定値：Ｃ８４．９３％、Ｈ９．０６％、Ｎ＜０．３％、Ｂｒ６．５７％
元素分析計算値：Ｃ８４．４８％、Ｈ８．９４％、Ｎ０％、Ｂｒ６．５７％（（Ｐ−１）／（Ｐ−２）＝６１／３９での計算値）

実施例２
＜芳香族重合体２の合成＞
重合体４ ６００ｍｇ、Ｎ−（４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミン１４７ｍｇ、酢酸パラジウム（II）０．９６ｍｇ、トリシクロヘキシルホスフィン２．４０ｍｇを１００ｍＬフラスコに仕込み、アルゴンガスにより置換した後、市販脱水トルエン７２ｍＬを仕込み、室温にて攪拌して溶解させた。１１０℃に昇温した後に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１．４Ｍ）１．５５ｍＬを仕込み、１１０℃で３時間攪拌した。一旦加熱を停止した後に、４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）ブチルベンゼン３３６ｍｇ、酢酸パラジウム（II）１．００ｍｇ、トリシクロヘキシルホスフィン２．４３ｍｇ、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１．４Ｍ）１．５５ｍＬを仕込み、再度１１０℃に昇温し、３時間攪拌した。室温に冷却した後、トルエン３０ｍＬで希釈し、分液した後、１５％食塩水３６ｍＬで２回洗浄し、得られた有機層をラヂオライト（昭和科学工業株式会社製）６ｇをプレコートしたろ過器に通液し、トルエン３６ｍＬで洗浄した。得られた有機層を濃縮した後に、アセトン中へ滴下することで沈殿化した。得られた沈殿をろ過、アセトンで洗浄、減圧乾燥することで、粗重合体６３０ｍｇを得た。
上記粗重合体６３０ｍｇをトルエン１３０ｍＬに室温にて溶解し、あらかじめトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに溶液を通液し、さらにトルエンで洗い出した後に、３％アンモニア水、蒸留水で２回洗浄、減圧濃縮した溶液をメタノール中へ滴下することで、再沈した。沈殿を、ろ過、メタノールで洗浄、減圧乾燥することにより、重合体６２７ｍｇを得た。
得られた重合体を芳香族重合体２と呼ぶ。得られた芳香族重合体２のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝８．３×１０^４、重量平均分子量は、Ｍｗ＝１．６×１０^５、ピークトップ分子量は、Ｍｐ＝１．３×１０^５、分散度は、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９であった（ＧＰＣ測定法Ｃ）。
元素分析の結果より、繰り返し単位（式Ｐ−１）、Ｂｒ基を有する繰り返し単位（式Ｐ−２）、置換基を有する繰り返し単位（Ｐ−３）の比率は（Ｐ−１）／（Ｐ−２）／（Ｐ−３）＝８２／０／１８に相当し、ベンゾフルオレン繰り返し単位と置換基の比率は、ベンゾフルオレン／側鎖＝８５／１５に相当する。
元素分析測定値：Ｃ９０．４６％、Ｈ９．１８％、Ｎ０．４９％、Ｂｒ＜０．１％
元素分析計算値：Ｃ９０．０８％、Ｈ９．４３％、Ｎ０．４９％、Ｂｒ０％（（Ｐ−１）／（Ｐ−２）／（Ｐ−３）＝８２／０／１８での計算値）

合成例７
＜重合体５の合成：重合体３のブロモ化＞
アルゴンガス雰囲気下、１００ｍＬフラスコに、重合体３（１．０ｇ、ベンゾフルオレン繰り返し単位換算で２．２８ｍｍｏｌ）、クロロホルム５０ｍＬを仕込み、室温にて攪拌して溶解させた後に、トリフルオロ酢酸３．５ｍＬ、臭素９１μＬ（１．７８ｍｍｏｌ、ベンゾフルオレン単位に対して７８モル％）を順次仕込み、遮光下で６時間攪拌した。反応マスをメタノール２５０ｍＬに攪拌下で滴下することにより、沈殿化させた。得られた沈殿をろ過、メタノールで洗浄、減圧乾燥することで、重合体１．０９ｇを得た。この重合体を、アルゴンガス雰囲気下、１００ｍＬフラスコに仕込み、そこへクロロホルム５０ｍＬを仕込み、室温にて攪拌して溶解させた後に、トリフルオロ酢酸３．４ｍＬ、臭素４１μＬ（０．８０ｍｍｏｌ、ベンゾフルオレン単位に対して３６モル％）を順次仕込み、遮光下で１７時間攪拌した。反応マスをメタノール２５０ｍＬに攪拌下で滴下することにより、沈殿化させた。得られた沈殿をろ過、メタノールで洗浄、減圧乾燥することで、重合体１．０８ｇを得た。得られた重合体を重合体５と呼ぶ。得られた重合体５のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝７．４×１０^４、重量平均分子量は、Ｍｗ＝１．６×１０^５、ピークトップ分子量は、Ｍｐ＝１．３×１０^５、分散度は、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．２であった。
元素分析の結果より、Ｂｒ基を有する繰り返し単位（式Ｐ−２）とＢｒ基を含有しない繰り返し単位（式Ｐ−１）の比率は（Ｐ−１）／（Ｐ−２）＝３５／６５に相当し、（全ベンゾフルオレン繰り返し単位）／Ｂｒ基＝６１／３９に相当する。
元素分析測定値：Ｃ８０．２０％、Ｈ８．４０％、Ｎ＜０．３％、Ｂｒ１０．５６％
元素分析計算値：Ｃ８０．９２％、Ｈ８．５１％、Ｎ０％、Ｂｒ１０．５６％（（Ｐ−１）／（Ｐ−２）＝３５／６５での計算値）

実施例３
＜芳香族重合体３の合成＞
重合体５ ２００ｍｇ、Ｎ−（４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミン１８０ｍｇ、酢酸パラジウム（II）０．８９ｍｇ、トリシクロヘキシルホスフィン２．２２ｍｇを１００ｍＬフラスコに仕込み、アルゴンガスにより置換した後、市販脱水トルエン２４ｍＬを仕込み、室温にて攪拌して溶解させた。１１０℃に昇温した後に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１．４Ｍ）１．４１ｍＬを仕込み、１１０℃で３時間攪拌した。一旦加熱を停止した後に、４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）ブチルベンゼン１０６ｍｇ、酢酸パラジウム（II）０．８９ｍｇ、トリシクロヘキシルホスフィン２．２２ｍｇ、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１．４Ｍ）１．４１ｍＬを仕込み、再度１１０℃に昇温し、３時間攪拌した。室温に冷却した後、トルエン１０ｍＬで希釈し、分液した後、１５％食塩水１２ｍＬで２回洗浄し、得られた有機層をラヂオライト（昭和科学工業株式会社製）２ｇをプレコートしたろ過器に通液し、トルエン１２ｍＬで洗浄した。得られた有機層を濃縮した後に、アセトン中へ滴下することで沈殿化した。得られた沈殿をろ過、アセトンで洗浄、減圧乾燥することで、粗重合体２５１ｍｇを得た。
上記粗重合体２５０ｍｇをトルエン６０ｍＬに室温にて溶解し、あらかじめトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに溶液を通液し、さらにトルエンで洗い出した後に、３％アンモニア水、蒸留水で２回洗浄、減圧濃縮した溶液をメタノール中へ滴下することで、再沈した。沈殿を、ろ過、メタノールで洗浄、減圧乾燥することにより、重合体２１３ｍｇを得た。
得られた重合体を芳香族重合体３と呼ぶ。得られた芳香族重合体３のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝８．７×１０^４、重量平均分子量は、Ｍｗ＝１．６×１０^５、ピークトップ分子量は、Ｍｐ＝１．３×１０^５、分散度は、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９であった（ＧＰＣ測定法Ｃ）。
元素分析の結果より、繰り返し単位（式Ｐ−１）、Ｂｒ基を有する繰り返し単位（式Ｐ−２）、置換基を有する繰り返し単位（Ｐ−３）の比率は（Ｐ−１）／（Ｐ−２）／（Ｐ−３）＝４９／０／５１に相当し、ベンゾフルオレン繰り返し単位と置換基の比率は、ベンゾフルオレン／側鎖＝６６／３４に相当する。
元素分析測定値：Ｃ８９．５６％、Ｈ８．９５％、Ｎ１．１７％、Ｂｒ＜０．１％
元素分析計算値：Ｃ８９．７１％、Ｈ９．１２％、Ｎ１．１７％、Ｂｒ０％（（Ｐ−１）／（Ｐ−２）／（Ｐ−３）＝４９／０／５１での計算値）

合成例８
＜化合物Ｉの合成＞
（化合物Ｈの合成）
アルゴンガス雰囲気下、９Ｈ−カルバゾール ６．６３ｇ（４０．０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（II）０．０９ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１６．５ｇ（１１９ｍｍｏｌ）、４−トリメチルシリルブロモベンゼン １０．０ｇ（４３．６ｍｍｏｌ）を仕込み、１２０℃に昇温し、１２時間攪拌した。途中、３，６，９時間目に、４−トリメチルシリルブロモベンゼン各１．０ｇを追加仕込みした。反応マスをキシレンで希釈後、蒸留水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮した後に、クロロホルムーメタノールで再結晶し、さらに、酢酸エチルーメタノールで再結晶し、化合物Ｈ ５．２５ｇ（収率４１％）を薄い灰色の結晶として得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）０．３５（ｓ，９Ｈ）、７．２３−７．２９（ｍ，２Ｈ）、７．３５−７．４５（ｍ，４Ｈ）、７．５３（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ）、７．７２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ）、８．１２（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）

（化合物Ｉの合成）
アルゴンガス雰囲気下、化合物Ｈ ５．００ｇ（１５．９ｍｍｏｌ）をジクロロメタン １００ｍＬに溶解した溶液を０℃へ冷却した中へ、三臭化ホウ素のジクロロメタン溶液（１．０Ｍ）３２．０ｍＬを２０分かけて滴下した。０℃にて３．５時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。酢酸エチル１６０ｍＬ、ピナコール６．７４ｇを仕込み、室温にて１時間攪拌した後に、蒸留水、５％炭酸水素ナトリウム水溶液、蒸留水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減圧濃縮した後に、メタノールを加えて固体を析出させ、ろ取、減圧乾燥することにより化合物Ｉ ５．０ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）１．３９（ｓ，１２Ｈ）、７．２４−７．３０（ｍ，２Ｈ）、７．３６−７．４６（ｍ，４Ｈ）、７．５８（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ）、８．０５（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ）、８．１２（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ）

実施例４
＜芳香族重合体４の合成＞
重合体４ ３００ｍｇ、化合物Ｉ ５５．５ｍｇ、酢酸パラジウム（II）０．５５ｍｇ、トリシクロヘキシルホスフィン１．３８ｍｇを１００ｍＬフラスコに仕込み、アルゴンガスにより置換した後、市販脱水トルエン３６ｍＬを仕込み、室温にて攪拌して溶解させた。１１０℃に昇温した後に、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１．４Ｍ）０．８８ｍＬを仕込み、１１０℃で３時間攪拌した。一旦加熱を停止した後に、４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）ブチルベンゼン１６７ｍｇ、酢酸パラジウム（II）０．５５ｍｇ、トリシクロヘキシルホスフィン１．４０ｍｇ、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１．４Ｍ）０．８８ｍＬを仕込み、再度１１０℃に昇温し、３時間攪拌した。室温に冷却した後、トルエン１５ｍＬで希釈し、分液した後、１５％食塩水２０ｍＬで２回洗浄し、得られた有機層をラヂオライト（昭和科学工業株式会社製）３ｇをプレコートしたろ過器に通液し、トルエン２０ｍＬで洗浄した。得られた有機層を濃縮した後に、アセトン中へ滴下することで沈殿化した。得られた沈殿をろ過、アセトンで洗浄、減圧乾燥することで、粗重合体３０９ｍｇを得た。
上記粗重合体３０９ｍｇをトルエン６０ｍＬに室温にて溶解し、あらかじめトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに溶液を通液し、さらにトルエンで洗い出した後に、３％アンモニア水、蒸留水で２回洗浄、減圧濃縮した溶液をメタノール中へ滴下することにより再沈した。沈殿を、ろ過、メタノールで洗浄、減圧乾燥することにより、重合体２９３ｍｇを得た。
得られた重合体を芳香族重合体４と呼ぶ。得られた芳香族重合体４のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝８．７×１０^４、重量平均分子量は、Ｍｗ＝１．８×１０^５、ピークトップ分子量は、Ｍｐ＝１．４×１０^５、分散度は、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１であった（ＧＰＣ測定法Ｃ）。
元素分析の結果より、繰り返し単位（式Ｐ−１）、Ｂｒ基を有する繰り返し単位（式Ｐ−２）、置換基を有する繰り返し単位（Ｐ−４）の比率は（Ｐ−１）／（Ｐ−２）／（Ｐ−４）＝８３／０／１７に相当し、ベンゾフルオレン繰り返し単位と置換基の比率は、ベンゾフルオレン／置換基＝８６／１４に相当する。
元素分析測定値：Ｃ８９．４９％、Ｈ９．００％、Ｎ０．５０％、Ｂｒ＜０．１％
元素分析計算値：Ｃ９０．２８％、Ｈ９．２２％、Ｎ０．５０％、Ｂｒ０％（（Ｐ−１）／（Ｐ−２）／（Ｐ−４）＝８３／０／１７での計算値）

合成例９
＜重合体６の合成：２，７−ジブロモ−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレンと２，７−ジブロモ−９，９−ビス（３−メチルブチル）フルオレンの縮合重合＞
２，７−ジブロモ−９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン２６．３ｇ、２，７−ジブロモ−９，９−ビス（３−メチルブチル）フルオレン５．６ｇ及び２，２’−ビピリジル２２ｇを脱水したテトラヒドロフラン１６００ｍＬに溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換した。窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）_２｝（４０．６６ｇ）を加え、６０℃まで昇温し、攪拌しながら８時間反応させた。反応後、この反応液を室温（約２５℃）まで冷却し、２５％アンモニア水１２００ｍＬ／メタノール１２００ｍＬ／イオン交換水１２００ｍＬ混合溶液中に滴下して０．５時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、その後、トルエン１１１０ｍＬに溶解させてからろ過を行い、ろ液にトルエンを加え、約２８００ｍＬの溶液としたのちに、１規定塩酸水２０００ｍｌで１時間、４％アンモニア水２２００ｍＬで１時間、イオン交換水１０００ｍＬで１０分間、さらにイオン交換水１０００ｍＬで１０分間、有機層を洗浄した。有機層を５０℃にて、５９２ｇになるまで減圧濃縮したのちに、メタノール３３３０ｍＬに滴下して０．５時間攪拌し、析出した沈殿をろ過し、メタノール５００ｍＬで２回洗浄した後に、５０℃にて５時間減圧乾燥した。得られた共重合体の収量は１２．６ｇであった。この共重合体を重合体６と呼ぶ。ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝８．４ｘ１０^４、Ｍｗ＝１．６ｘ１０^５であった（ＧＰＣ分析法Ｃ）。重合体５は繰り返し単位の組合せ（式Ｐ−６）からなり、仕込み比から推測される９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレンと９，９−ビス（３−メチルブチル）フルオレンの繰り返し単位の比は８０：２０である。

合成例１０
＜重合体７の合成：重合体６のブロモ化＞
アルゴンガス雰囲気下、２００ｍＬフラスコに、重合体５（２．００ｇ、フルオレン繰り返し単位換算で５．３８ｍｍｏｌ）、クロロホルム１００ｍＬを仕込み、室温にて攪拌して溶解させた後に、トリフルオロ酢酸８．３ｍＬ、臭素１０４μＬ（２．０５ｍｍｏｌ、フルオレン繰返し単位に対して３８モル％）を順次仕込み、遮光下で２０時間攪拌した。反応マスをメタノール５００ｍＬに攪拌下で滴下することにより、沈殿化させた。得られた沈殿をろ過、メタノールで洗浄、減圧乾燥することで、重合体２．１７ｇを得た。得られた重合体を重合体７と呼ぶ。得られた重合体７のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝９．２×１０^４、重量平均分子量は、Ｍｗ＝１．７×１０^５、ピークトップ分子量は、Ｍｐ＝１．４×１０^５、分散度は、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９０であった（ＧＰＣ測定法Ｃ）。
元素分析の結果より、Ｂｒ基を有する繰り返し単位の組合せ（式Ｐ−７）とＢｒ基を含有しない繰り返し単位の組合せ（式Ｐ−６）の比率は（Ｐ−６）／（Ｐ−７）＝６３／３７に相当し、（全フルオレン繰り返し単位）／Ｂｒ基＝７３／２７に相当する。
元素分析測定値：Ｃ８２．４８％、Ｈ９．２５％、Ｎ＜０．３％、Ｂｒ７．４４％
元素分析計算値：Ｃ８３．２１％、Ｈ９．３５％、Ｎ０％、Ｂｒ７．４４％（（Ｐ−６）／（Ｐ−７）＝６３／３７での計算値）

実施例５
＜芳香族重合体５の合成＞
重合体７ ３００ｍｇ、Ｎ−（４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミン ６２．０ｍｇ、酢酸パラジウム（II）０．６５ｍｇ、トリシクロヘキシルホスフィン１．５８ｍｇを１００ｍＬフラスコに仕込み、アルゴンガスにより置換した後、市販脱水トルエン７２ｍＬを仕込み、室温にて攪拌して溶解させた。テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１．４Ｍ）１．００ｍＬを仕込み、１１０℃に昇温し、１１０℃で３時間攪拌した。一旦加熱を停止した後に、４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）ブチルトルエン１９６．３ｍｇ、酢酸パラジウム（II）０．６３ｍｇ、トリシクロヘキシルホスフィン１．６２ｍｇ、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１．４Ｍ）１．００ｍＬを仕込み、再度１１０℃に昇温し、３時間攪拌した。室温に冷却した後、トルエン１５ｍＬで希釈し、分液した後、１５％食塩水２０ｍＬで２回洗浄し、得られた有機層をラヂオライト（昭和科学工業株式会社製）３ｇをプレコートしたろ過器に通液し、トルエン２０ｍＬで洗浄した。得られた有機層を濃縮した後に、アセトン中へ滴下することで沈殿化した。得られた沈殿をろ過、アセトンで洗浄、減圧乾燥することで、粗重合体２７８ｍｇを得た。
上記粗重合体２７７ｍｇをトルエン６０ｍＬに室温にて溶解し、あらかじめトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに溶液を通液し、さらにトルエンで洗い出した後に、３％アンモニア水、蒸留水で２回洗浄、減圧濃縮した溶液をメタノール中へ滴下することにより再沈した。沈殿を、ろ過、メタノールで洗浄、減圧乾燥することにより、重合体２５９ｍｇを得た。
得られた重合体を芳香族重合体５と呼ぶ。得られた芳香族重合体５のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝９．２×１０^４、重量平均分子量は、Ｍｗ＝１．７×１０^５、ピークトップ分子量は、Ｍｐ＝１．４×１０^５、分散度は、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９であった（ＧＰＣ測定法Ｃ）。
芳香族重合体４は、式（Ｐ−６）で示される繰返し単位の組合せ、及び式（Ｐ−８）で示される繰返し単位の組合せを含み、元素分析の結果より、その比率は（Ｐ−６）／（Ｐ−８）＝９４／６に相当する。
元素分析測定値：Ｃ８９．３６％、Ｈ９．９２％、Ｎ０．２４％、Ｂｒ＜０．１％
元素分析計算値：Ｃ８８．７１％、Ｈ１１．０５％、Ｎ０．２４％、Ｂｒ０％（（Ｐ−６）／（Ｐ−８）＝９４／６での計算値）

合成例１１
＜化合物Ｌの合成＞
（化合物Ｌ−１の合成）

不活性雰囲気下１ｌの三つ口フラスコにベンゾフラン（２３．２ｇ、１３７．９ｍｍｏｌ）と酢酸（２３２ｇ）を入れ、室温で撹拌、溶かした後、７５℃まで昇温した。昇温後、臭素（９２．６ｇ、５７９．３ｍｍｏｌ）を酢酸（５４ｇ）で希釈したものを滴下した。滴下終了後、温度を保持したまま３時間撹拌し、放冷した。ＴＬＣで原料の消失を確認した後、チオ硫酸ナトリウム水を加え反応を終了させ、室温で１時間撹拌した。撹拌後、ろ過を行いケーキをろ別し、さらにチオ硫酸ナトリウム水、水で洗浄した後、乾燥した。得られた粗生成物をヘキサンにて再結晶し、目的物を得た（収量：２１．８ｇ、収率：４９％）。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ７．４４（ｄ、２Ｈ）、７．５７（ｄ、２Ｈ）、８．０３（ｓ、２Ｈ）

（化合物Ｌ−２の合成）

不活性雰囲気下で５００ｍｌの四つ口フラスコに化合物Ｌ−１（１６．６ｇ、５０．９ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（２９３ｇ）を入れ、−７８℃まで冷却した。ｎ−ブチルリチウム（８０ｍｌ＜１．６モルヘキサン溶液＞、１２７．３ｍｍｏｌ）を滴下した後、温度を保持したまま１時間撹拌した。この反応液を、不活性雰囲気下で１０００ｍｌの四つ口フラスコにトリメトキシボロン酸（３１．７ｇ、３０５．５ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（２５０ｍｌ）を入れ、−７８℃まで冷却したものに滴下した。滴下終了後、ゆっくり室温まで戻し、２時間室温で撹拌後、ＴＬＣで原料の消失を確認した。反応終了マスを、２０００ｍｌビーカーに濃硫酸（３０ｇ）と水（６００ｍｌ）を入れたものに、注入し、反応を終了させた。トルエン（３００ｍｌ）を加え、有機層を抽出し、さらに水を加えて洗浄した。溶媒を留去後、そのうち８ｇと酢酸エチル（１６０ｍｌ）を３００ｍｌの四つ口フラスコに入れ、つづいて３０％過酸化水素水（７．０９ｇ）を加え、４０℃で２時間撹拌した。この反応液を、１０００ｍｌのビーカーに硫酸アンモニウム鉄（II）（７１ｇ）と水（５００ｍｌ）の水溶液に注入した。撹拌後、有機層を抽出し、有機層を水で洗浄した。溶媒を除去することにより、化合物Ｌ−２粗製物６．７２ｇを得た。
ＭＳスペクトル：Ｍ^＋ ２００．０

（化合物Ｌ−３の合成）

不活性雰囲気下で２００ｍｌの四つ口フラスコに上記と同様の方法で合成した化合物Ｌ−２（２．２８ｇ、１１．４ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（２３ｇ）を入れ、室温で撹拌、溶かした後、炭酸カリウム（９．４５ｇ、６８．３ｍｍｏｌ）を入れ６０℃まで昇温した。昇温後、臭化ｎ−オクチル（６．６０ｇ、３４．２ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１１ｇ）で希釈したものをを滴下した。滴下終了後、６０℃まで昇温し、温度を保持したまま２時間撹拌し、ＴＬＣで原料の消失を確認した。水（２０ｍｌ）を加え反応を終了させ、つづいてトルエン（２０ｍｌ）を加え、有機層を抽出し、有機層を水で２回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、目的物を得た。（収量：１．８４ｇ、収率：３８％）
ＭＳスペクトル：Ｍ^＋ ４２５．３

（化合物Ｌの合成）

不活性雰囲気下５００ｍｌ四つ口フラスコに上記と同様の方法で合成した化合物Ｌ−３（７．５０ｇ、１７．７ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを入れ、室温で撹拌、溶かした後、氷浴で冷却した。冷却後、Ｎ−ブロモスクシンイミド（６．３８ｇ、３５．９ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（２２５ｍｌ）で希釈したものをを滴下した。滴下終了後、氷浴で１時間、室温で１８．５時間、４０℃まで昇温し、温度を保持したまま６．５時間撹拌し、液体クロマトグラフィーで原料の消失を確認した。溶媒を除去し、トルエン（７５ｍｌ）を加え溶解した後、有機層を水で３回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒留去した。得られた粗生成物の約半量をシリカゲルカラム及び液体クロマトグラフィー分取で精製することにより、目的物を得た。（収量：０．３２６ｇ）
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：
δ０．９０（ｔ、６Ｈ）、１．２６〜１．９５（ｍ、２４Ｈ）、４．１１（ｔ、４Ｈ）、７．３４（ｓ、２Ｈ）、７．７４（ｓ、２Ｈ）
ＭＳスペクトル：Ｍ^＋ ５８２．１

合成例１２
＜重合体８の合成＞
窒素雰囲気下において、３，８−ジブロモジベンゾフラン ０．１０４ｇ、化合物Ｌ ０．７１９ｇ、２，２’−ビピリジル ０．５７８ｇを脱水したテトラヒドロフラン３０ｇに溶解した後、６０℃まで昇温した。この溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）_２｝１．０４０ｇを加え、６０℃で３時間反応させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水９ｇ／メタノール９５ｇ／イオン交換水５０ｇ混合溶液中に滴下して３０分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン３０ｍｌに溶解させた。１Ｎ塩酸３０ｇを加えて３時間攪拌した後、水層を除去した。次に有機層に４％アンモニア水３０ｇを加えて３時間攪拌した後に水層を除去した。つづいて有機層をメタノール２００ｍＬに滴下して３０分攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン３０ｍＬに溶解させた。その後、アルミナカラム（アルミナ量１０ｇ）を通して精製を行い、回収したトルエン溶液をメタノール２００ｍＬに滴下して３０分攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた重合体の収量は０．４５６ｇであった。この重合体を重合体８と呼ぶ。
得られた重合体８のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝１．３×１０^５、重量平均分子量は、Ｍｗ＝４．６×１０^５であった（ＧＰＣ測定法Ａ）。
重合体８は式（Ｐ−９）、（Ｐ−１０）で示されるジベンゾフラン繰返し単位を含み、仕込み比から推測されるその比率は（Ｐ−９）／（Ｐ−１０）＝８０／２０である。

合成例１３
＜重合体９の合成：重合体８のブロモ化＞
アルゴンガス雰囲気下、２０ｍＬフラスコに、重合体８（１５０ｍｇ、ジベンゾフラン繰り返し単位換算で０．４０４ｍｍｏｌ）、クロロホルム８ｍＬを仕込み、室温にて攪拌して溶解させた後に、トリフルオロ酢酸０．６ｍＬ、クロロホルム１ｍＬで臭素５．２μＬを希釈した溶液（０．１０ｍｍｏｌ、ジベンゾフラン繰返し単位に対して２５モル％）を順次仕込み、遮光下で２０時間攪拌した。反応マスをメタノール３８ｍＬに攪拌下で滴下することにより、沈殿化させた。得られた沈殿をろ過、メタノールで洗浄、２時間減圧乾燥した後、トルエン２５ｍＬに溶解させた。あらかじめトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに溶液を通液し、さらにトルエンで洗い出した後、減圧濃縮した溶液をメタノール中へ滴下することにより再沈した。沈殿を、ろ過、メタノールで洗浄、減圧乾燥することにより、重合体１５２ｍｇを得た。この重合体を重合体９と呼ぶ。得られた重合体９のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝１．５×１０^５、重量平均分子量は、Ｍｗ＝３．８×１０^５、ピークトップ分子量は、Ｍｐ＝３．７×１０^５、分散度は、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．６であった（ＧＰＣ測定法Ｃ）。
重合体９は式（Ｐ−９）、（Ｐ−１０）、（Ｐ−９ｂ）、（Ｐ−１１）で示されるジベンゾフラン繰返し単位を含むと考えられる。
元素分析の結果より推測される、Ｂｒ基を有する繰り返し単位（式Ｐ−９ｂ）、（式Ｐ−１１）とＢｒ基を含有しない繰り返し単位（式Ｐ−９）、（式Ｐ−１０）の比率は｛（式Ｐ−９）＋（式Ｐ−１０）｝／｛（式Ｐ−９ｂ）＋（式Ｐ−１１）｝＝７７／２３であり、（全ジベンゾフラン繰り返し単位）／Ｂｒ基＝８１／１９に相当する。
元素分析測定値：Ｃ７５．４６％、Ｈ７．９３％、Ｎ＜０．３％、Ｂｒ４．６７％
元素分析計算値：Ｃ７６．５２％、Ｈ８．１２％、Ｎ０％、Ｂｒ４．６７％（｛（式Ｐ−９）＋（式Ｐ−１０）｝／｛（式Ｐ−９ｂ）＋（式Ｐ−１１）｝＝７７／２３での計算値）

実施例６
＜芳香族重合体６の合成＞
Ａｌｉｑｕｏｔ３３６ ４０ｍｇ、重合体９ ８０ｍｇ、化合物Ｉ １５．３ｍｇを２５ｍＬフラスコに仕込み、アルゴンガスにより置換した後、市販脱水トルエン３６ｍＬを仕込み、室温にて攪拌して溶解させた。溶液中へアルゴンガスをバブリングすることで脱気した後に、８０℃まで昇温した。酢酸パラジウム（II）０．３０ｍｇ、トリス（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィン １．９１ｍｇを加え、さらに炭酸ナトリウム水溶液（１７．５重量％）０．４１ｍＬを加えた。１０５℃まで昇温し、３時間攪拌した。一旦加熱を停止した後に、４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）ブチルトルエン４２ｍｇを仕込み、再度１０５℃に昇温し、２時間攪拌した。水層を分液し除いた後に、イオン交換水で２回、３％酢酸水で２回、イオン交換水で２回、順次洗浄し、メタノール中へ滴下することで沈殿化した。得られた沈殿をろ過、メタノールで洗浄、減圧乾燥することで、粗重合体９３ｍｇを得た。
上記粗重合体９０ｍｇをトルエン６ｍＬに室温にて溶解し、あらかじめトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに溶液を通液し、さらにトルエンで洗い出した後に、メタノール中へ滴下することにより再沈した。沈殿を、ろ過、メタノールで洗浄、減圧乾燥することにより、重合体６３ｍｇを得た。
得られた重合体を芳香族重合体６と呼ぶ。ポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝１．５×１０^５、重量平均分子量は、Ｍｗ＝４．７×１０^５、ピークトップ分子量は、Ｍｐ＝３．７×１０^５、分散度は、Ｍｗ／Ｍｎ＝３．１であった（ＧＰＣ測定法Ｃ）。
芳香族重合体６は式（Ｐ−９）、（Ｐ−１０）、（Ｐ−９ｃ）、（Ｐ−１２）で示されるジベンゾフラン繰返し単位を含むと考えられる。
元素分析の結果より、繰り返し単位（式Ｐ−９）、（式Ｐ−１０）と置換基を有する繰り返し単位（式Ｐ−９ｃ）、（式Ｐ−１２）の比率は｛（式Ｐ−９）＋（式Ｐ−１０）｝／｛（式Ｐ−９ｃ）＋（式Ｐ−１２）｝＝９２／８であり、（全ジベンゾフラン繰り返し単位）／カルバゾール置換基＝９３／７に相当する。
元素分析測定値：Ｃ７８．９０％、Ｈ７．９０％、Ｎ０．２７％
元素分析計算値：Ｃ８０．６４％、Ｈ８．４１％、Ｎ０．２７％（｛（式Ｐ−９）＋（式Ｐ−１０）｝／｛（式Ｐ−９ｃ）＋（式Ｐ−１２）｝＝９２／８での計算値）

参考合成例１
＜重合体１０の合成＞
化合物Ｅ（０．８００ｇ、１．３４ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−アミン（０．１６３ｇ、０．３３４ｍｍｏｌ）及び２，２’−ビピリジル（０．６２６ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン５０ｍＬに溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換した。窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）_２｝（１．１０ｇ）を加え、６０℃まで昇温し、攪拌しながら時５間反応させた。反応後、この反応液を室温（約２５℃）まで冷却し、２５％アンモニア水５ｍＬ／メタノール約５０ｍＬ／イオン交換水約５０ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、その後、トルエン５０ｍＬに溶解させてからろ過を行い、ろ液をアルミナカラムを通して精製し、さらに５．２％塩酸水５０ｍｌで３時間、４％アンモニア水５０ｍＬで２時間、イオン交換水５０ｍＬで有機層を洗浄した。続いて有機層はメタノール約１００ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥した。得られた共重合体（以後、重合体１０と呼ぶ）の収量は２９５ｍｇであった。
ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝３．１ｘ１０^４、Ｍｗ＝６．５ｘ１０^４であった（ＧＰＣ測定法Ａ）。
仕込み比率から推測される重合体１０における繰り返し単位（Ｐ−１）と（Ｐ−１３）の比率は（Ｐ−１）／（Ｐ−１３）＝８０／２０となる。

実施例７
溶液の調製
上記で得た芳香族重合体１をトルエンに溶解し、ポリマー濃度２．０重量％のトルエン溶液を作製した。
電子単独素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、蒸着法によってアルミニウムの約５００ｎｍ厚みの層を形成した。なおアルミニウムは蒸着マスクによって電極パターン形状とした。窒素ガス雰囲気の下、得られたアルミニウム電極基板上に、上記で得たトルエン溶液を用いて、スピンコートにより２６００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約７８ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、フッ化リチウムを約４ｎｍ蒸着し、陰極としてカルシウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して電子単独素子を作製した。なお真空度が１×１０^−４Ｐ
ａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
ホール単独素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、上記で得たトルエン溶液を用いて、スピンコートにより２６００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約７８ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、金を２００ｎｍ蒸着してホール単独素子を作製した。なお真空度が１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
電圧−電流特性測定
上記で得られた電子単独素子及びホール単独素子について、ヒューレットパッカード社製ピコアンペアメーター及び直流電源装置（型番：４１４０Ｂ）を用いて、０Ｖ〜１２Ｖの範囲で０．２Ｖステップの電圧を印加し、そのときに素子中を流れた電流値を記録した。なおこれら各キャリヤ単独素子においては、それぞれの素子の陽極・陰極に用いている金属の仕事関数と発光材料のＨＯＭＯ、ＬＵＭＯとの相対的関係から、比較的低い電圧領域においては、実質上電子単独素子は電子のみ、ホール単独素子はホールのみが素子中を流れているとみなしてよい。測定結果を図１に示す。

比較例１
上記で得た重合体１０をトルエンに溶解し、ポリマー濃度２．０重量％のトルエン溶液を作製した以外は、実施例７記載の方法と全く同様にして電子単独素子及びホール単独素子を作製した。なおこのときのスピンコート回転数は３６００ｒｐｍであり、得られたポリマーの膜厚は８２ｎｍであった。
上記によって得られた電子単独素子及びホール単独素子について、実施例１記載の方法と全く同様にして電圧−電流特性を測定した。測定結果を図２に示す。

実施例８
溶液の調製
上記で得た芳香族重合体１をトルエンに溶解し、ポリマー濃度２．０重量％のトルエン溶液を作製した。
ＥＬ素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、上記で得たトルエン溶液を用いて、スピンコートにより２６００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約７８ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、フッ化リチウムを約４ｎｍ蒸着し、陰極としてカルシウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお真空度が１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
ＥＬ素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。８．０Ｖ印加時におけるＥＬ発光色をＣ．Ｉ．Ｅ．色座標値で示すとｘ＝０．２１７、ｙ＝０．３２４であった。ＥＬ発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。また該素子は４．２Ｖから発光開始が見られ、最大発光効率は０．２９ｃｄ／Ａであった。なお、当該測定で得られた電圧（Ｖ）−電流（Ｉ）特性を図１に合わせて示す。

比較例２
溶液の調製
上記で得た重合体１０をトルエンに溶解し、ポリマー濃度２．０重量％のトルエン溶液を作製した。
ＥＬ素子の作製
上記で得たトルエン溶液を使用すること以外は実施例８記載の方法と全く同様にして、ＥＬ素子を作製した。なおこのときのスピンコート回転数は３６００ｒｐｍであり、得られたポリマーの膜厚は８２ｎｍであった。
ＥＬ素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。８．０Ｖ印加時におけるＥＬ発光色をＣ．Ｉ．Ｅ．色座標値で示すとｘ＝０．１５７、ｙ＝０．１８１であった。ＥＬ発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。また該素子は５．０Ｖから発光開始が見られ、最大発光効率は０．４０ｃｄ／Ａであった。なお、当該測定で得られた電圧（Ｖ）−電流（Ｉ）特性を図２に合わせて示す。

実施例９
溶液の調製
上記で得た芳香族重合体２をトルエンに溶解し、ポリマー濃度１．５重量％のトルエン溶液を作製した。
ＥＬ素子の作製
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社製、ＢａｙｔｒｏｎＰ ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．１μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより８０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１５分間乾燥した。次に、上記で得たトルエン溶液を用いて、スピンコートにより１７００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約８３ｎｍであった。製膜した基板を窒素雰囲気下９０℃で１時間乾燥した。乾燥過程での酸素濃度及び水分濃度は１０ｐｐｍ以下であった。この基板にフッ化リチウムを約４ｎｍ蒸着し、陰極としてカルシウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約１００ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお真空度が１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
ＥＬ素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は３．３Ｖから発光開始が見られ、最大発光効率は０．６９ｃｄ／Ａであった。なお、当該測定で得られた電圧（Ｖ）−電流（Ｉ）特性を図３に示す。

実施例１０
実施例９における芳香族重合体２の代わりに芳香族重合体３を用い、スピンコート時の回転速度を１３００ｒｐｍとした他は、実施例９と同様に行ったところ、成膜後の膜厚は約８５ｎｍであった。得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から５０５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は３．４Ｖから発光開始が見られ、最大発光効率は１．１３ｃｄ／Ａであった。なお、当該測定で得られた電圧（Ｖ）−電流（Ｉ）特性を図４に示す。

実施例１１
実施例９における芳香族重合体２の代わりに芳香族重合体４を用い、スピンコート時の回転速度を１５００ｒｐｍとした他は、実施例９と同様に行った。成膜後の膜厚は約８７ｎｍであった。得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は３．４Ｖから発光開始が見られ、最大発光効率は０．７１ｃｄ／Ａであった。なお、当該測定で得られた電圧（Ｖ）−電流（Ｉ）特性を図５に示す。

比較例３
実施例９における芳香族重合体２の代わりに重合体３を用い、スピンコート時の回転速度を１３００ｒｐｍとした他は、実施例９と同様に行った。成膜後の膜厚は約１０３ｎｍであった。得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４７０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は４．４Ｖから発光開始が見られ、最大発光効率は０．１８ｃｄ／Ａであった。なお、当該測定で得られた電圧（Ｖ）−電流（Ｉ）特性を図６に示す。

発明の効果
実施例７と比較例１とを比較すると、芳香族重合体１は、電子・ホールのいずれについても、相当する重合体１０に比べよく流すことがわかる。これらの特性は、芳香族重合体が、多くのキャリヤを高分子発光材料中に存在せしめ、かつ速い速度で移動せしめることを意味しており、高分子発光材料又は電荷輸送材料として非常に優れた性質である。
また実施例８と比較例２とを比較すると、芳香族重合体１を用いた高分子発光素子においては、相当する重合体１０に比べ発光開始電圧が低く、また低電界領域での電流値が大きい。これらの特質は、芳香族重合体では特に低電界でのキャリヤの移動度が大きいことを意味しており、発光材料又は電荷輸送材料として使用した際に、駆動電圧の低減に寄与するものである。
同様に芳香族重合体２、３、４も対応する重合体３に比較して発光開始電圧が低く、特に低電界領域での電流値が大きいことに加えて、発光効率も高い。
このように、本願発明にかかる芳香族重合体は、高分子発光素子に用いる材料として優れた性質を有するものである。

実施例７における電子単独素子及びホール単独素子並びに実施例８におけるＥＬ素子の電圧電流特性測定の結果を示す。 比較例１における電子単独素子及びホール単独素子並びに比較例２におけるＥＬ素子の電圧電流特性測定の結果を示す。 実施例９におけるＥＬ素子の電圧電流特性測定の結果を示す。 実施例１０におけるＥＬ素子の電圧電流特性測定の結果を示す。 実施例１１におけるＥＬ素子の電圧電流特性測定の結果を示す。 比較例３におけるＥＬ素子の電圧電流特性測定の結果を示す。

Claims (24)

1. 下記式（１）で示される繰り返し単位を１種類以上含む、芳香族重合体。
   
   （式中、Ａｒ^１は縮環構造を有するアリーレン基、又はπ共役系を有する２価の複素環化合物基を表し、下記式（２）で表される基を有する。該基は、Ａｒ^１で表される縮環構造を有するアリーレン基、又はπ共役系を有する２価の複素環化合物基の環構造の環内に含まれる炭素原子であって、ｓｐ^２混成軌道を有する該炭素原子に結合している。
   
   （式中、Ｅ^１は水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基を表す。Ａｒ^２は２価のπ共
   役系環状化合物残基を有する基を表し、２つのＡｒ^２は同一でも異なっていてもよい。Ｘ^１は−ＮＱ^１−、−ＰＱ^２−、及び−ＢＱ^３−からなる群から選ばれる２価の基を表す。Ｑ^１〜Ｑ^３はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｚは直接結合又は２価の連結基を表し、２つのＺは同一でも異なっていてもよい。ｍ_ｉは各々、０又は１を表す。Ｘ^１が２つ存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。））
2. 式（１）で示される繰り返し単位において、Ａｒ^１で表される基が縮環構造を有する請求項１記載の芳香族重合体。
3. 上記式（１）で示される繰り返し単位を１種類以上含み、さらに他の繰り返し単位を含む共重合体である請求項１又は２に記載の芳香族重合体。
4. 前記他の繰り返し単位が、下記式（５）〜（９）からなる群から選ばれる繰り返し単位である請求項３に記載の芳香族重合体。
   
   （式中、Ａｒ^４は式（１）におけるＡｒ^１の側鎖を水素原子で置き換えた繰り返し単位を
   示す。Ａｒ^５、Ａｒ^６、Ａｒ^７及びＡｒ^８はそれぞれ独立に２価のπ共役系環状化合物残
   基を有する基を表す。Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^４はそれぞれ独立に２価の連結基を表す。）
5. 主鎖が有する上記式（１）及び上記式（５）〜（９）で示される繰り返し単位の量の合計に対して、上記式（１）で示される繰り返し単位の量の合計が、１１モル％以上１００モル％以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の芳香族重合体。
6. 上記式（１）で示される繰り返し単位からなる請求項１又は２に記載の芳香族重合体。
7. 上記式（１）及び（５）で示される繰り返し単位からなる請求項１〜５のいずれか一項に記載の芳香族重合体。
8. 分散度（重量平均分子量／数平均分子量）が１以上１２以下である請求項６又は７に記載の芳香族重合体。
9. ポリスチレン換算の数平均分子量が１０^３〜１０^８である請求項１〜８のいずれか一項
   に記載の芳香族重合体。
10. 電荷輸送性又は固体状態でホトルミネッセンスを有する請求項１〜９のいずれか一項に記載の芳香族重合体。
11. 正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料と請求項１〜１０のいずれか一項に記載の芳香族重合体とを含有することを特徴とする高分子組成物。
12. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の芳香族重合体を含有することを特徴とする溶液。
13. 請求項１１に記載の高分子組成物を含有することを特徴とする溶液。
14. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の芳香族重合体、又は請求項１１に記載の高分子組成物を含有する発光性薄膜。
15. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の芳香族重合体、又は請求項１１に記載の高分子組成物を含有する導電性薄膜。
16. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の芳香族重合体、又は請求項１１に記載の高分子組成物を含有する有機半導体薄膜。
17. 請求項１６に記載の有機半導体薄膜を有することを特徴とする有機トランジスタ。
18. インクジェット法を用いることを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の薄膜の製膜方法。
19. スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、又はグラビア印刷法を用いることを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の薄膜の製膜方法。
20. 陽極及び陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が請求項１〜１０のいずれか一項に記載の芳香族重合体、又は請求項１１に記載の高分子組成物を含むことを特徴とする高分子発光素子。
21. 請求項２０に記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。
22. 請求項２０に記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
23. 請求項２０に記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
24. 請求項２０に記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。