JP2007005799A - マイクロエンボス加工による電子装置の製造方法 - Google Patents
マイクロエンボス加工による電子装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007005799A JP2007005799A JP2006169739A JP2006169739A JP2007005799A JP 2007005799 A JP2007005799 A JP 2007005799A JP 2006169739 A JP2006169739 A JP 2006169739A JP 2006169739 A JP2006169739 A JP 2006169739A JP 2007005799 A JP2007005799 A JP 2007005799A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- electronic device
- substrate
- solution
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 56
- 238000004049 embossing Methods 0.000 claims description 36
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 claims description 24
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 claims description 4
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 claims 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 claims 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 claims 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 9
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- CFAKWWQIUFSQFU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-methylcyclopent-2-en-1-one Chemical compound CC1=C(O)C(=O)CC1 CFAKWWQIUFSQFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 2
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000033772 system development Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
- H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
- H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/821—Patterning of a layer by embossing, e.g. stamping to form trenches in an insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】電子装置の基板10上での形成方法であり、基板10をエンボス加工する工程と、基板をくぼみでない部分11が第1の材料60の溶液をはじくように表面処理する工程と、エンボス加工によって形成された基板10上のくぼみ12に第1の材料60の溶液を堆積する工程と、を含む。その後、第1の材料が基板の表面と同一平面となるよう、基板はアニール処理される。くぼみ中の第1の材料60はその後、たとえば後続のTFTの形成におけるソースおよびドレインとして使用できる。
【選択図】図3
Description
Claims (29)
- 電子装置の基板上での形成方法であり、
前記基板をエンボス加工する工程と、
前記エンボス加工によって形成された前記基板上のくぼみに第1の材料の溶液を堆積する工程と、
前記基板をアニールする工程と、
を含む電子装置の形成方法。 - 請求項1に記載の電子装置の形成方法であり、前記基板をエンボス加工した後に、前記基板を表面処理することで、くぼみでない部分が前記第1の材料の前記溶液をはじくようにする工程をさらに含む電子装置の形成方法。
- 電子装置の基板上での形成方法であり、
前記基板をエンボス加工する工程と、
前記基板を表面処理し、前記基板のくぼみでない部分を親水性または疎水性にする工程と、
前記エンボス加工によって形成された前記基板上のくぼみに、第1の材料の溶液を堆積する工程と、ここで前記溶液は前記基板の前記表面処理された部分によってはじかれるものであり、
を含む電子装置の形成方法。 - 請求項3に記載の電子装置の形成方法であり、前記溶液を堆積した後に、前記基板をアニールする工程をさらに含む電子装置の形成方法。
- 請求項2〜4のいずれかに記載の電子装置の形成方法であり、前記溶液は水性または有機溶液であり、前記くぼみではない部分はそれぞれ疎水性または疎液性になるよう表面処理されている、電子装置の形成方法。
- 請求項2〜5のいずれかに記載の電子装置の形成方法であり、前記表面処理は自己組織化単分子膜を前記基板のくぼみでない部分に塗布することを含む、電子装置の形成方法。
- 請求項6に記載の電子装置の形成方法であり、前記自己組織化単分子膜は1H,1H,2H,2H−パーフルオロデシルートリクロロシランの溶液を使用して塗布する、電子装置の形成方法。
- 請求項2〜7のいずれかに記載の電子装置の形成方法であり、前記表面処理はインク付けされた実質的に平坦なスタンプを使用しておこなわれる、電子装置の形成方法。
- 請求項2〜7のいずれかに記載の電子装置の形成方法であり、前記基板のエンボス加工の前または後に、前記基板の追加の表面処理をさらに含む電子装置の形成方法。
- 請求項9に記載の電子装置の形成方法であり、前記追加の表面処理は酸素プラズマ処理を含む、電子装置の形成方法。
- 請求項9または10に記載の電子装置の形成方法であり、前記追加の処理は前記基板上に薄膜を設けることを含む、電子装置の形成方法。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の電子装置の形成方法であり、前記基板は積層基板である、電子装置の形成方法。
- 請求項12に記載の電子装置の形成方法であり、前記積層基板は高分子層を含み、ここで前記高分子層は、エンボス加工され、前記高分子層より高いガラス転移温度を有する第2の層の上に置かれている、電子装置の形成方法。
- 請求項1〜13のいずれかに記載の電子装置の形成方法であり、前記基板はポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリカーボネート(PC)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)のうち少なくとも1つを含む、電子装置の形成方法。
- 請求項1〜14のいずれかに記載の電子装置の形成方法であり、前記基板は前記基板の融点より低い所定の温度で、また所定の圧力でエンボス加工される、電子装置の形成方法。
- 請求項15に記載の電子装置の形成方法であり、前記基板は前記第1の材料の前記溶液を堆積する前に冷却される、電子装置の形成方法。
- 請求項1〜16のいずれかに記載の電子装置の形成方法であり、前記第1の材料の前記溶液を前記アニールする工程より前に蒸発させ、これにより前記第1の材料を前記くぼみに設ける、電子装置の形成方法。
- 請求項1〜17のいずれかに記載の電子装置の形成方法であり、前記第1の材料の前記溶液をインクジェット印刷により堆積させる、電子装置の形成方法。
- 請求項1〜18のいずれかに記載の電子装置の形成方法であり、前記第1の材料は導電材料である、電子装置の形成方法。
- 請求項19に記載の電子装置の形成方法であり、前記溶液はPEDOT−PSS水懸濁またはコロイドである、電子装置の形成方法。
- 請求項19または20に記載の電子装置の形成方法であり、前記装置を完成するさらなる材料を堆積する工程をさらに含む電子装置の形成方法。
- 請求項21に記載の電子装置の形成方法であり、前記堆積する工程は半導体層、誘電体層、および導電層を堆積することを含む、電子装置の形成方法。
- 請求項22に記載の電子装置の形成方法であり、前記装置は薄膜トランジスタである、電子装置の形成方法。
- 請求項1〜20のいずれかに記載の電子装置の形成方法であり、前記第1の材料は導電材料であり、強誘電体材料の層を堆積し、前記強誘電体材料の層の上部に複数の電極を設けてFeRAM装置を形成する工程をさらに含む、電子装置の形成方法。
- 請求項1〜24のいずれかに記載の電子装置の形成方法であり、前記第1の溶液はプールドローイングにより堆積される、電子装置の形成方法。
- 請求項25に記載の電子装置の形成方法であり、前記第1の材料をインクジェットにより堆積する前に、前記基板に対しプラズマまたは均一表面化学処理をおこなう工程をさらに含む電子装置の形成方法。
- 請求項1〜26のいずれかに記載の電子装置の形成方法であり、前記基板はプラスチック層および高分子で覆われた硬質層の両方を含む、電子装置の形成方法。
- 請求項27に記載の電子装置の形成方法であり、前記材料は液体状態でエンボス加工される、電子装置の形成方法。
- 請求項28に記載の電子装置の形成方法であり、熱または紫外線硬化する工程をさらに含む電子装置の形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0512641.2 | 2005-06-21 | ||
GB0512641A GB2427509A (en) | 2005-06-21 | 2005-06-21 | Organic electronic device fabrication by micro-embossing |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007005799A true JP2007005799A (ja) | 2007-01-11 |
JP4876729B2 JP4876729B2 (ja) | 2012-02-15 |
Family
ID=34855914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006169739A Expired - Fee Related JP4876729B2 (ja) | 2005-06-21 | 2006-06-20 | マイクロエンボス加工による電子装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7582509B2 (ja) |
JP (1) | JP4876729B2 (ja) |
KR (1) | KR100804544B1 (ja) |
GB (1) | GB2427509A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009182299A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタの製造方法および有機薄膜トランジスタ |
JP2009188132A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置、電子機器、電気光学装置の製造方法および電子機器の製造方法 |
JP2009272523A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2012508976A (ja) * | 2008-11-13 | 2012-04-12 | ネーデルランツ オルガニサティー フォール トゥーゲパストナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズーク テーエンオー | 異なるぬれ性のエリアを備えるマルチレベル表面を基板上に形成する方法およびそれを有する半導体素子 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101264673B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2013-05-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법 |
US8764996B2 (en) * | 2006-10-18 | 2014-07-01 | 3M Innovative Properties Company | Methods of patterning a material on polymeric substrates |
US20080095988A1 (en) * | 2006-10-18 | 2008-04-24 | 3M Innovative Properties Company | Methods of patterning a deposit metal on a polymeric substrate |
US7968804B2 (en) | 2006-12-20 | 2011-06-28 | 3M Innovative Properties Company | Methods of patterning a deposit metal on a substrate |
WO2009004560A2 (en) * | 2007-07-04 | 2009-01-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A method for forming a patterned layer on a substrate |
TWI509673B (zh) * | 2007-09-05 | 2015-11-21 | 尼康股份有限公司 | A manufacturing method of a display element, a manufacturing apparatus for a display element, and a display device |
GB2455746B (en) * | 2007-12-19 | 2011-03-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques |
FR2933492B1 (fr) * | 2008-07-07 | 2015-02-06 | Hemodia | Appareil et procede de fonctionnalisation de micro-capteurs |
GB2462298B (en) * | 2008-07-31 | 2012-05-09 | Nano Eprint Ltd | Electronic device manufacturing method |
GB2462693B (en) * | 2008-07-31 | 2013-06-19 | Pragmatic Printing Ltd | Forming electrically insulative regions |
GB201105364D0 (en) | 2011-03-30 | 2011-05-11 | Cambridge Display Tech Ltd | Surface planarisation |
WO2019040445A1 (en) * | 2017-08-21 | 2019-02-28 | Ohio State Innovation Foundation | MEMBRANE OF GAS SEPARATION |
CN113659076A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-11-16 | 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司 | 畴壁存储器的制备方法以及畴壁存储器 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004515928A (ja) * | 2000-12-08 | 2004-05-27 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 有機電界効果トランジスタ、ofetの構造化法および集積回路 |
WO2004055920A2 (en) * | 2002-12-14 | 2004-07-01 | Plastic Logic Limited | Electronic devices |
JP2004281477A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2005101559A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、及び表示装置 |
JP2005158584A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法及び表示装置の製造方法 |
JP2006165234A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0024294D0 (en) | 2000-10-04 | 2000-11-15 | Univ Cambridge Tech | Solid state embossing of polymer devices |
EP1362682A1 (en) * | 2002-05-13 | 2003-11-19 | ZBD Displays Ltd, | Method and apparatus for liquid crystal alignment |
US6764885B2 (en) * | 2002-10-17 | 2004-07-20 | Avery Dennison Corporation | Method of fabricating transistor device |
JP2005013787A (ja) | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Tokyo Electron Ltd | 塗布成膜装置及び塗布成膜方法 |
GB2413895A (en) * | 2004-05-07 | 2005-11-09 | Seiko Epson Corp | Patterning substrates by ink-jet or pad printing |
-
2005
- 2005-06-21 GB GB0512641A patent/GB2427509A/en not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-06-16 US US11/453,974 patent/US7582509B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-20 JP JP2006169739A patent/JP4876729B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-20 KR KR1020060055431A patent/KR100804544B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004515928A (ja) * | 2000-12-08 | 2004-05-27 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 有機電界効果トランジスタ、ofetの構造化法および集積回路 |
WO2004055920A2 (en) * | 2002-12-14 | 2004-07-01 | Plastic Logic Limited | Electronic devices |
JP2006510210A (ja) * | 2002-12-14 | 2006-03-23 | プラスティック ロジック リミテッド | 電子装置 |
JP2004281477A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2005101559A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、及び表示装置 |
JP2005158584A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法及び表示装置の製造方法 |
JP2006165234A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタ |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009182299A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタの製造方法および有機薄膜トランジスタ |
JP2009188132A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置、電子機器、電気光学装置の製造方法および電子機器の製造方法 |
JP2009272523A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2012508976A (ja) * | 2008-11-13 | 2012-04-12 | ネーデルランツ オルガニサティー フォール トゥーゲパストナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズーク テーエンオー | 異なるぬれ性のエリアを備えるマルチレベル表面を基板上に形成する方法およびそれを有する半導体素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2427509A (en) | 2006-12-27 |
US7582509B2 (en) | 2009-09-01 |
KR100804544B1 (ko) | 2008-02-20 |
US20060290021A1 (en) | 2006-12-28 |
KR20060135511A (ko) | 2006-12-29 |
JP4876729B2 (ja) | 2012-02-15 |
GB0512641D0 (en) | 2005-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4876729B2 (ja) | マイクロエンボス加工による電子装置の製造方法 | |
US8372731B2 (en) | Device fabrication by ink-jet printing materials into bank structures, and embossing tool | |
KR101062030B1 (ko) | 다층 구조의 전자 장치 제조 방법 | |
US20070105396A1 (en) | High resolution structures defined by brush painting fluid onto surface energy patterned substrates | |
Pierre et al. | All‐printed flexible organic transistors enabled by surface tension‐guided blade coating | |
KR101272769B1 (ko) | 패턴형성방법, 유기 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법및 플렉시블 프린트 회로기판의 제조 방법 | |
US6736985B1 (en) | High-resolution method for patterning a substrate with micro-printing | |
KR100858223B1 (ko) | 자가정렬된 반도체 나노와이어 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
US8413576B2 (en) | Method of fabricating a structure | |
CN102881828A (zh) | 一种短沟道有机薄膜晶体管的制备方法 | |
JP4363425B2 (ja) | Tft、電気回路、電子デバイス、および電子機器、ならびにそれらの製造方法 | |
JP2005064409A (ja) | 有機トランジスタ | |
JP4665545B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2008288239A (ja) | パターニング方法、およびtftの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070406 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101001 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111007 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111101 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4876729 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |