JP2007005412A

JP2007005412A - Method of forming polysilicon film

Info

Publication number: JP2007005412A
Application number: JP2005181252A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Imao; 和博今尾; Yasuo Segawa; 泰生瀬川; Masaru Wakita; 賢脇田
Original assignee: Sanyo Epson Imaging Devices Corp
Current assignee: Epson Imaging Devices Corp
Priority date: 2005-06-21
Filing date: 2005-06-21
Publication date: 2007-01-11

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the occurrence of flocculation at the time of forming a polysilicon film by the irradiation of high energy laser. <P>SOLUTION: A laser light from a laser light source is supplied to a module 108 for shaping a beam via a half mirror 102, a reflection mirror 104, and another half mirror 106. The laser light reflected by the half mirror 102 is supplied to the module 108 for shaping a beam via an adjustment filter 110, an optical delaying module 112, a reflection mirror 114, and the half mirror 106. By controlling the amplitude and delay of the laser light reflected by the half mirror 106 by means of the adjustment filter 110 and the optical delaying module 112, a plurality of peaks with the same intensity can be achieved in the laser light supplied to the module 108 for shaping a beam. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、薄膜トランジスタに利用するポリシリコン膜の形成方法に関する。 The present invention relates to a method for forming a polysilicon film used for a thin film transistor.

従来より、フラットパネルの代表的なものとして液晶表示装置があり、画素に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を配置して表示を画素毎に制御するアクティブタイプが主流となっている。このアクティブタイプでは、画素毎にＴＦＴを形成する必要があり、ガラスなどの基板上に半導体膜を形成し、これをＴＦＴの能動層として利用する。なお、有機ＥＬ表示装置なども同様のアクティブタイプのものが利用されている。 Conventionally, there is a liquid crystal display device as a typical flat panel, and an active type in which a thin film transistor (TFT) is arranged in a pixel and display is controlled for each pixel has been mainstream. In this active type, it is necessary to form a TFT for each pixel, and a semiconductor film is formed on a substrate such as glass and used as an active layer of the TFT. A similar active type organic EL display device is used.

ここで、基板上に形成された半導体膜はアモルファスシリコンであり、電子移動度が小さい。そこで、アモルファスシリコンにレーザを照射（レーザアニール）することで、ポリシリコンを形成して、高速動作を可能とする低温ポリシリコンを利用するものも増えてきている。 Here, the semiconductor film formed on the substrate is amorphous silicon and has low electron mobility. Therefore, there are an increasing number of cases where amorphous silicon is irradiated with laser (laser annealing) to form polysilicon to use low-temperature polysilicon that enables high-speed operation.

ここで、レーザ照射によるポリシリコン化は、通常のパルスレーザを順次移動しながらアモルファスシリコン膜に照射することによって行われる。そして、このレーザ照射において、１パルスの照射幅を伸ばし、シリコンの凝固時間を長くすることが、得られるポリシリコンの結晶粒子径を大きくし、電子移動度を大きくするために効果的であるといわれている。 Here, polysilicon formation by laser irradiation is performed by irradiating an amorphous silicon film while sequentially moving a normal pulse laser. And in this laser irradiation, extending the irradiation width of one pulse and extending the solidification time of silicon are effective for increasing the crystal grain diameter of the resulting polysilicon and increasing the electron mobility. It is said.

特許文献１では、レーザパルスを複数の経路に分割して遅延させ、これを再合成する。これによって、レーザパルスのパルス幅を５０ｎｓｅｃ以上として、電子移動度が高く高速動作が可能なトランジスタを得ることができる。また、特許文献２では、特許文献２と同様に、レーザを複数に分割して遅延させた後再合成することの他、２つのレーザ光源からのレーザを合成することも示されている。 In Patent Document 1, a laser pulse is divided into a plurality of paths, delayed, and recombined. Accordingly, a transistor with high electron mobility and high speed operation can be obtained by setting the pulse width of the laser pulse to 50 nsec or more. Patent Document 2 also shows that lasers from two laser light sources are combined as well as recombining after being divided into a plurality of lasers and delayed, as in Patent Document 2.

特開平８-１４８４２３号公報JP-A-8-148423 特開２００３−１０９９１２JP2003-109912

ここで、上述のように、複数のレーザを合成してレーザ照射時間を延長することによって、結晶性を改善して電子移動度を向上することができる。 Here, as described above, by synthesizing a plurality of lasers and extending the laser irradiation time, crystallinity can be improved and electron mobility can be improved.

一方、レーザ照射により形成したポリシリコン膜には、その結晶性にバラツキが大きくなるという問題があり、これが歩留まり悪化の大きな原因となっている。この結晶性のバラツキ発生は、レーザ照射におけるエネルギー密度にバラツキが生じることが原因と考えられている。そこで、エネルギー密度が一定なるように制御することが重要であるが、照射エネルギーを正確に一定に制御することは難しい。特に、レーザ照射に用いるビームは、ライン状のものが用いられ、ビームまたは照射される基板を移動して、全面にレーザ照射を行う。このようなシステムでは、レーザ出力のバラツキを極力抑えるだけでなく、移動を非常に正確に制御しなければ、照射エネルギーを一定することは非常に困難である。 On the other hand, the polysilicon film formed by laser irradiation has a problem that the crystallinity thereof varies greatly, which is a major cause of yield deterioration. The occurrence of the crystallinity variation is considered to be caused by the variation in energy density in laser irradiation. Therefore, it is important to control the energy density to be constant, but it is difficult to accurately control the irradiation energy to be constant. In particular, a linear beam is used for laser irradiation, and the entire surface is irradiated with laser by moving the beam or the substrate to be irradiated. In such a system, it is very difficult to keep the irradiation energy constant unless the variation in laser output is suppressed as much as possible and the movement is not controlled very accurately.

また、上述のように、レーザの照射時間を延長する方法によって、結晶性の改善は期待できるが、単にレーザ照射時間を延長するだけでは、結晶性のバラツキについてはさほど変化がなく、歩留まり改善を図ることはできなかった。 In addition, as described above, improvement in crystallinity can be expected by a method of extending the laser irradiation time, but simply extending the laser irradiation time does not change the crystallinity so much and improves the yield. I could n’t.

本発明は、ポリシリコン膜における結晶性のバラツキを小さくすることを目的とする。 An object of the present invention is to reduce variation in crystallinity in a polysilicon film.

本発明に係るポリシリコン膜の形成方法は、基板上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、このアモルファスシリコン膜にレーザを照射して、ポリシリコン膜を形成する工程と、を含み、前記ポリシリコン膜を形成する工程では、レーザ光源からのレーザを複数の異なる光路長の経路に分岐し、その後分岐した複数の経路からのレーザを合成して時間的にずれた複数のピークを有するレーザをアモルファスシリコン膜に照射するとともに、少なくとも一方の経路にはその経路のレーザの振幅を調整する調整フィルタを配置し、そこを通過するレーザのピーク振幅を調整して、他経路のレーザとのピーク振幅をそろえ、振幅がそろえられた複数のピークを有するレーザをアモルファスシリコン膜に照射することを特徴とする。 A method for forming a polysilicon film according to the present invention includes a step of forming an amorphous silicon film on a substrate, and a step of forming a polysilicon film by irradiating the amorphous silicon film with a laser. In the process of forming the film, the laser from the laser light source is branched into a plurality of paths having different optical path lengths, and then the lasers having a plurality of peaks shifted in time are synthesized by combining the lasers from the plurality of branched paths. While irradiating the silicon film, an adjustment filter that adjusts the amplitude of the laser in that path is placed in at least one of the paths, and the peak amplitude of the laser that passes through it is adjusted to adjust the peak amplitude with the laser in the other path. In addition, the amorphous silicon film is irradiated with a laser having a plurality of peaks with the same amplitude.

また、前記アモルファスシリコン膜に照射するレーザの複数のピークは、最大のものに対する差が１０％以下のものが少なくとも１つ存在することが好適である。 In addition, it is preferable that at least one of the plurality of laser peaks irradiated to the amorphous silicon film has a difference of 10% or less from the maximum.

また、前記アモルファスシリコン膜に照射するレーザの複数のピークは、最大のものが最初に位置することが好適である。 In addition, it is preferable that the maximum number of laser peaks irradiated to the amorphous silicon film is located first.

また、本発明に係るポリシリコン膜の形成装置は、基板上に形成されたアモルファスシリコン膜にレーザを照射して、ポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜形成装置であって、レーザ光源からのレーザを複数の異なる光路長の経路に分岐し、その後分岐した複数の経路からのレーザを合成して時間的にずれた複数のピークを有するレーザをアモルファスシリコン膜に照射するとともに、少なくとも一方の経路にはその経路のレーザの振幅を調整する調整フィルタを配置し、そこを通過するレーザのピーク振幅を調整して、他経路のレーザとのピーク振幅をそろえ、振幅がそろえられた複数のピークを有するレーザをアモルファスシリコン膜に照射することを特徴とする。 The polysilicon film forming apparatus according to the present invention is a polysilicon film forming apparatus for forming a polysilicon film by irradiating an amorphous silicon film formed on a substrate with a laser. Is split into a plurality of paths having different optical path lengths, and then lasers having a plurality of peaks shifted in time are synthesized by combining lasers from the plurality of branched paths, and at least one of the paths is applied to the amorphous silicon film. Has an adjustment filter that adjusts the amplitude of the laser of the path, adjusts the peak amplitude of the laser that passes through it, aligns the peak amplitude with the laser of other paths, and has multiple peaks with the same amplitude The amorphous silicon film is irradiated with a laser.

このように、本発明によれば、アモルファスシリコン膜に照射する複数のピークを有するレーザにおけるピークの大きさをそろえる。これによって、得られたポリシリコン膜における結晶性のバラツキを小さくすることができる。また、結晶性のバラツキが小さくなるため、許容できる移動、レーザ出力、ライン状のレーザの品質などについての条件（レーザ照射条件）の範囲が広くなり（マージンが拡大され）、製造が容易になるという効果が得られる。 Thus, according to the present invention, the sizes of the peaks in the laser having a plurality of peaks irradiated to the amorphous silicon film are made uniform. Thereby, the variation in crystallinity in the obtained polysilicon film can be reduced. In addition, since the variation in crystallinity is reduced, the range of conditions (laser irradiation conditions) regarding allowable movement, laser output, line-shaped laser quality, etc. is widened (margin is enlarged), and manufacturing is facilitated. The effect is obtained.

以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、実施形態に係るポリシリコン膜の形成システムの構成を示す図である。レーザ光源１００は、例えばエキシマレーザを発生する。レーザ光源１００からのレーザは、ハーフミラー１０２に入射し、直線方向の透過光経路と、９０°角度が変更された方向の反射光経路の２つの経路に分割される。透過光は、反射ミラー１０４によって９０°角度が変更され、ハーフミラー１０６を透過する。 FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a polysilicon film forming system according to an embodiment. The laser light source 100 generates, for example, an excimer laser. The laser from the laser light source 100 is incident on the half mirror 102 and is divided into two paths: a linearly transmitted light path and a reflected light path whose direction is changed by 90 °. The transmitted light has its angle changed by 90 ° by the reflection mirror 104 and passes through the half mirror 106.

ハーフミラー１０２によって、９０°角度が変更された反射光は、調整フィルタ１１０に入射する。この調整フィルタ１１０は、入射してくるレーザのピーク強度を所定量だけ減衰し、ピーク強度を調整する。この調整フィルタ１１０は、レーザ光を減衰すればよいため、各種の光学的フィルタが利用できる。 The reflected light whose angle is changed by 90 ° by the half mirror 102 enters the adjustment filter 110. The adjustment filter 110 attenuates the peak intensity of the incident laser by a predetermined amount to adjust the peak intensity. Since the adjustment filter 110 only has to attenuate the laser beam, various optical filters can be used.

調整フィルタ１１０でピーク強度が調整されたレーザは、光学的遅延モジュール１１２に入射され、ここで所定量だけ遅延される。例えば、光路長が６ｍ程度で２０ｓｅｃ、１２ｍ程度で４０ｎｓｅｃの遅延ができる。この光学的遅延モジュール１１２は、反射により光路長を長くするものでも、高屈折率の物質を用いるものでもよい。 The laser whose peak intensity has been adjusted by the adjustment filter 110 is incident on the optical delay module 112, where it is delayed by a predetermined amount. For example, when the optical path length is about 6 m, a delay of 20 sec is possible, and when it is about 12 m, a delay of 40 nsec is possible. This optical delay module 112 may be one that increases the optical path length by reflection, or one that uses a material having a high refractive index.

光学的遅延モジュール１１２からの射出光は、反射ミラー１１４によって、ハーフミラー１０６に入射される。このハーフミラー１０６は、反射ミラー１１４からの入射レーザを９０°角度を変更して反射し、上述した反射ミラー１０４からのレーザと合成されて、ビーム整形用モジュール１０８に入射する。 Light emitted from the optical delay module 112 is incident on the half mirror 106 by the reflection mirror 114. The half mirror 106 reflects the incident laser beam from the reflection mirror 114 by changing the angle by 90 °, is combined with the laser beam from the reflection mirror 104 described above, and enters the beam shaping module 108.

そして、このビーム整形用モジュール１０８において、例えばライン状のレーザに整形され、これが基板上に形成されたアモルファスシリコン膜に照射される。この例では、基板側を所定量ずつ移動しながら、ビーム整形用モジュール１０８からのレーザを順次照射して、所定面積の基板上のアモルファスシリコン膜全体に所定量のレーザを照射する。 Then, in this beam shaping module 108, for example, the laser is shaped into a line shape, and this is irradiated to the amorphous silicon film formed on the substrate. In this example, the laser from the beam shaping module 108 is sequentially irradiated while moving the substrate side by a predetermined amount, and a predetermined amount of laser is irradiated to the entire amorphous silicon film on the substrate having a predetermined area.

ここで、図１のシステムにおいて、ハーフミラー１０２を透過する経路を光路Ａとし、ハーフミラー１０２によって反射される経路を光路Ｂとする。この場合に、光路Ａによって得られるレーザのプロファイルは、図２の最上段に示すように２つのピークからなる。これはレーザ光源１００から出力されるレーザのプロファイルそのままである。 Here, in the system of FIG. 1, a path that passes through the half mirror 102 is an optical path A, and a path that is reflected by the half mirror 102 is an optical path B. In this case, the laser profile obtained by the optical path A consists of two peaks as shown in the uppermost stage of FIG. This is the same as the profile of the laser output from the laser light source 100.

一方、図２の中段に示すように、光路Ｂから得られるレーザは、調整フィルタ１１０、光学的遅延モジュール１１２によって、減衰量（出力）および遅延量を調整することができる。従って、図２の最下段に示すように、合成後のレーザにおいて、複数のピークの高さをそろえることが可能となる。なお、経路を３以上に設定する方が、合成後のレーザのプロファイルを所望のものとできるが、それだけシステムが複雑になる。 On the other hand, as shown in the middle stage of FIG. 2, the attenuation (output) and delay amount of the laser obtained from the optical path B can be adjusted by the adjustment filter 110 and the optical delay module 112. Therefore, as shown in the lowermost stage of FIG. 2, in the combined laser, the heights of a plurality of peaks can be made uniform. Note that setting the path to 3 or more can provide a desired laser profile after synthesis, but the system becomes complicated accordingly.

図３には、照射レーザの各種のプロファイルを示している。（ｉ）は、レーザ光源からのレーザをそのまま利用した場合である。（ｉｉ）は、レーザ光源からのレーザと遅延レーザを合成したものである。（ｉｉｉ），（ｉｖ）は、レーザ光源からのレーザを遅延するとともに、遅延レーザについて遅延量および減衰量を調整し、ピーク高さをそろえたものである。 FIG. 3 shows various profiles of the irradiation laser. (I) is a case where the laser from a laser light source is utilized as it is. (Ii) is a combination of a laser from a laser light source and a delayed laser. (Iii) and (iv) are obtained by delaying the laser from the laser light source and adjusting the delay amount and attenuation amount of the delayed laser so as to align the peak heights.

このような（ｉ）〜（ｉｖ）のレーザを照射して、アモルファスシリコン膜の多結晶化を行ったところ、(ｉｉｉ）(ｉｖ)の処理において、プロセスマージンが広がり、ポリシリコン膜の均一度を高めることができ、歩留まりを大幅に改善できることが確認された。 When the amorphous silicon film is polycrystallized by irradiating such lasers (i) to (iv), the process margin is increased in the processes (iii) and (iv), and the uniformity of the polysilicon film is increased. It was confirmed that the yield can be improved and the yield can be greatly improved.

また、各種の実験によれば、最大のピークに対し、差が１０％以下のピークがもう１つ存在することで、歩留まりのかなりの改善が図れ、その数が３以上となることで、さらに改善された。また、差が２０％以上のピークはいくら存在しても、歩留まりの改善に効果はなかった。さらに、１つのピークの幅は２０〜３０ｎｓｅｃあれば十分であり、それ以上長い必要はない。また、最も高いピークは最初に位置する方が、好適であることがわかっている。 In addition, according to various experiments, since there is another peak with a difference of 10% or less with respect to the maximum peak, the yield can be considerably improved, and the number becomes 3 or more. Improved. Moreover, no matter how many peaks with a difference of 20% or more existed, there was no effect in improving the yield. Furthermore, it is sufficient that the width of one peak is 20 to 30 nsec, and it is not necessary to be longer. It has also been found that the highest peak is preferably located first.

ここで、レーザアニールにおけるポリシリコン膜形成における結晶化マージン、すなわち適正なポリシリコン膜を形成するためのプロセスマージンについて説明する。 Here, a crystallization margin in forming a polysilicon film in laser annealing, that is, a process margin for forming an appropriate polysilicon film will be described.

図４（ａ）には、エキシマレーザによるレーザアニールによるポリシリコン形成の状態が示してある。照射エネルギー密度を上昇していくと、形成される結晶粒径は徐々に上昇するが、照射エネルギー密度所定値を超えると結晶粒径は急激に小さくなる。これは、照射エネルギー密度の増大によって、大結晶化が促進されるが、結晶粒径がおよそ１μｍを超えるエネルギーの照射により、シリコンの溶融が始まり、微結晶が生成されるからである。 FIG. 4A shows the state of polysilicon formation by laser annealing using an excimer laser. As the irradiation energy density is increased, the formed crystal grain diameter gradually increases, but when the irradiation energy density exceeds a predetermined value, the crystal grain diameter decreases rapidly. This is because, although the large crystallization is promoted by increasing the irradiation energy density, the silicon starts to melt and microcrystals are generated by the irradiation of energy having a crystal grain size exceeding about 1 μm.

ここで、ライン状のパルスレーザを用い、レーザ光源と被照射体である基板を相対的に移動しながら、レーザ照射を行う場合のレーザ照射エネルギーに対する結晶粒子径は、図４（ｂ）で示すようになる。ここで、図４（ｂ）で破線で示したのは、ライン状ビームの品質、レーザ出力変動などに基づき生じたレーザ照射ムラに応じて照射エネルギーが比較的大きくなってしまう領域であり、この領域では全体としてのレーザ照射エネルギーが低い条件（平均的には０．５μｍ程度の結晶が生成されるような条件）においてもすでに微結晶化が進み、粒子径が小さくなってしまう。従って、粒子径を所定以上に維持するために必要なレーザ照射エネルギーのマージンはあまり大きくない。 Here, the crystal particle diameter with respect to the laser irradiation energy in the case where the laser irradiation is performed while moving the laser light source and the substrate as the irradiation object relatively using a line-shaped pulse laser is shown in FIG. It becomes like this. Here, the broken line in FIG. 4B is a region where the irradiation energy becomes relatively large according to the laser irradiation unevenness caused by the quality of the line beam, the laser output fluctuation, etc. Even in a region where the laser irradiation energy as a whole is low (on average, a crystal such that a crystal of about 0.5 μm is generated), microcrystallization has already progressed, and the particle diameter becomes small. Therefore, the margin of the laser irradiation energy necessary for maintaining the particle diameter above a predetermined value is not so large.

一方、本実施形態においては、一度に照射する複数の照射パルスのエネルギーレベルをそろえており、これによって、図４（ｃ）に示すように、全体としてのレーザ照射エネルギーに対し、微結晶が生成されるエネルギーレベルが高くなる。従って、適正な結晶粒子径を得るために、必要なレーザ照射エネルギーについてのマージンを広げ、ポリシリコン膜の形成を容易に行うことができる。 On the other hand, in the present embodiment, the energy levels of a plurality of irradiation pulses to be irradiated at one time are made uniform, thereby generating microcrystals with respect to the laser irradiation energy as a whole as shown in FIG. Increased energy level. Therefore, in order to obtain an appropriate crystal grain size, a margin for necessary laser irradiation energy can be widened and a polysilicon film can be easily formed.

実施形態に係るシステムの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the system which concerns on embodiment. レーザのプロファイルを示す図である。It is a figure which shows the profile of a laser. レーザのピーク強度を示す図である。It is a figure which shows the peak intensity of a laser. プロセスマージンについて説明する図である。It is a figure explaining a process margin.

符号の説明Explanation of symbols

１００レーザ光源、１０２，１０６ハーフミラー、１０４，１１４反射ミラー、１０８ビーム整形用モジュール、１１０調整フィルタ、１１２光学的遅延モジュール。 100 laser light source, 102, 106 half mirror, 104, 114 reflection mirror, 108 beam shaping module, 110 adjustment filter, 112 optical delay module.

Claims

基板上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、
このアモルファスシリコン膜にレーザを照射して、ポリシリコン膜を形成する工程と、
を含み、
前記ポリシリコン膜を形成する工程では、
レーザ光源からのレーザを複数の異なる光路長の経路に分岐し、その後分岐した複数の経路からのレーザを合成して時間的にずれた複数のピークを有するレーザをアモルファスシリコン膜に照射するとともに、少なくとも一方の経路にはその経路のレーザの振幅を調整する調整フィルタを配置し、そこを通過するレーザのピーク振幅を調整して、他経路のレーザとのピーク振幅をそろえ、
振幅がそろえられた複数のピークを有するレーザをアモルファスシリコン膜に照射することを特徴とするポリシリコン膜の形成方法。 Forming an amorphous silicon film on the substrate;
Irradiating the amorphous silicon film with a laser to form a polysilicon film;
Including
In the step of forming the polysilicon film,
The laser from the laser light source is branched into a plurality of paths having different optical path lengths, and then lasers having a plurality of peaks shifted in time by combining the lasers from the plurality of branched paths are irradiated onto the amorphous silicon film, An adjustment filter that adjusts the amplitude of the laser of that path is arranged in at least one of the paths, and the peak amplitude of the laser that passes therethrough is adjusted to align the peak amplitude with the laser of the other path,
A method of forming a polysilicon film, comprising irradiating an amorphous silicon film with a laser having a plurality of peaks with the same amplitude.

請求項１に記載のポリシリコン膜の形成方法において、
前記アモルファスシリコン膜に照射するレーザの複数のピークは、最大のものに対する差が１０％以下のものが少なくとも１つ存在することを特徴とするポリシリコン膜の形成方法。 The method for forming a polysilicon film according to claim 1,
A method for forming a polysilicon film, characterized in that at least one of the plurality of laser beams irradiated to the amorphous silicon film has a difference of 10% or less with respect to the maximum peak.

請求項１または２に記載のポリシリコン膜の形成方法において、
前記アモルファスシリコン膜に照射するレーザの複数のピークは、最大のものが最初に位置することを特徴とするポリシリコン膜の形成方法。 In the formation method of the polysilicon film of Claim 1 or 2,
The method of forming a polysilicon film, wherein the peak of the plurality of laser beams irradiated to the amorphous silicon film is located first.

基板上に形成されたアモルファスシリコン膜にレーザを照射して、ポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜形成装置であって、
レーザ光源からのレーザを複数の異なる光路長の経路に分岐し、その後分岐した複数の経路からのレーザを合成して時間的にずれた複数のピークを有するレーザをアモルファスシリコン膜に照射するとともに、
少なくとも一方の経路にはその経路のレーザの振幅を調整する調整フィルタを配置し、そこを通過するレーザのピーク振幅を調整して、他経路のレーザとのピーク振幅をそろえ、
振幅がそろえられた複数のピークを有するレーザをアモルファスシリコン膜に照射することを特徴とするポリシリコン膜の形成装置。 A polysilicon film forming apparatus for forming a polysilicon film by irradiating a laser to an amorphous silicon film formed on a substrate,
The laser from the laser light source is branched into a plurality of paths having different optical path lengths, and then lasers having a plurality of peaks shifted in time by combining the lasers from the plurality of branched paths are irradiated onto the amorphous silicon film,
An adjustment filter that adjusts the amplitude of the laser of that path is arranged in at least one of the paths, and the peak amplitude of the laser that passes therethrough is adjusted to align the peak amplitude with the laser of the other path,
An apparatus for forming a polysilicon film, wherein the amorphous silicon film is irradiated with a laser having a plurality of peaks with the same amplitude.