JP2007000729A - 結晶薄膜を製造する方法 - Google Patents
結晶薄膜を製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007000729A JP2007000729A JP2005181766A JP2005181766A JP2007000729A JP 2007000729 A JP2007000729 A JP 2007000729A JP 2005181766 A JP2005181766 A JP 2005181766A JP 2005181766 A JP2005181766 A JP 2005181766A JP 2007000729 A JP2007000729 A JP 2007000729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mixture
- crystalline thin
- physical property
- thin film
- parameters
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 83
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 56
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 24
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000004976 Lyotropic liquid crystal Substances 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- -1 polycyclic organic compound Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 18
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 17
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001045 blue dye Substances 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 235000019239 indanthrene blue RS Nutrition 0.000 description 1
- UHOKSCJSTAHBSO-UHFFFAOYSA-N indanthrone blue Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=C4NC5=C6C(=O)C7=CC=CC=C7C(=O)C6=CC=C5NC4=C3C(=O)C2=C1 UHOKSCJSTAHBSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C21 MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical class C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 238000006277 sulfonation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/54—Organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
- C30B7/02—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by evaporation of the solvent
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
【解決手段】 有機化合物の混合物の組成が異なる複数の膜を製造し、特性と混合物組成の関係を表す近似関数を求め、近似関数の複数の極値を決定し、決定された複数の極値の安定性をテストし、1つの極値とそれに対応する組成を選択し、しかる後に所望の特性を有する結晶薄膜を製造する。
【選択図】 なし
Description
(a)いくらかのTCFsを製造するステップであって、有機化合物の初期の混合物は全ての膜で同じであり、該有機化合物の混合物の百分率組成は膜ごとに変えるステップと、
(b)前記膜の各々の1つまたは複数の物理的特性を測定するステップと、
(c)有機化合物の百分率組成に依存して、これらの物理的特性の近似関数の形で、前記物理的特性の表示を選択するステップと、
(d)前記近似関数の複数の極値を決定するステップと、
(e)決定された複数の極値の安定性をテストし、該極値のうちの1つの極値を選択するステップと、
(f)前記物理的特性の選択された極値に対応する組成を有するTCFを製造するステップとを含む。
カスケード結晶化プロセスによって製造された、いくつかの結晶薄膜の少なくとも1つの物理的特性を測定することであって、カスケード結晶化法パラメータは、技術工程に関連していること;
前記技術工程のパラメータに依存して、前記物理的特性の近似関数の形で、前記物理的特性の表示を選択すること;
前記近似関数の複数の極値を決定すること;
決定された複数の極値の安定性をテストすること;および
前記結晶薄膜の製造で使用される前記極値のうちの1つの極値を選択すること。
(i)コロイド系(液晶溶液)の形成。
(ii)同時または連続の外部配向動作での、基板上へのこの系の塗布。
(iii)溶媒の除去およびTCFの形成。このプロセスは、さらに、米国特許No. 6,174,394およびNo. 5,739,296、ならびにPCT特許出願No.PCT/USO2/03800、公表WO02/063660に詳細に記載され、すべての開示は、その開示内容全体をこの明細書に含める。この方法によって作られたTCFsは、光軸のうちの1つに沿って、約3.1Å〜3.7Åの結晶中の原子間隔を示す。それは、例えば、X線回折などの標準的な方法で容易に確定される。前記カスケード結晶化法は、いくつかの相互関係がある技術工程を含み、それぞれは、TCF−最終生成物の特性に、おおよそ著しく影響を及ぼす。最適化手順は、個別の技術工程の最も重要なパラメータに関して行なうことができ、または、技術的プロセス全体の全てのパラメータを含んでいてもよい。最適化パラメータの選択は、TCFsの要求された特性に依存する。
(i)コロイド系(液晶溶液)の形成のステップにおける液晶系の化学組成、成分の濃度、温度、添加物、溶媒等。
(ii)基板上へこの系を塗布するステップにおける粘性、塗布速度、塗布装置の幾何学的配置等。
(iii)次の外部配向動作のステップにおける、機械的せん断(機械的配向のため)の量と速度、電界強度および方向(電磁気配向のための)等。
(iv)溶媒除去ステップにおける媒体の乾燥速度、湿度および温度等。
のセットPの範囲内で関係を確立する、関数
を構成することを目的とする。実際上、ある接近関数
によってこの未知の関数f(x)は近似され、それはデータの利用可能体を使用して構成される。関数
について記載するために使用されるデータ(セットP)の量に依存して、補間条件(1)は正確にまたは近似的に満たすことができる。後者の場合、前記手順は、例えば、正確な値からの近似関数の平均二乗偏差を表わす誤差関数を最小限にすることを目的とする。
式中、
、Wm∈Rm、X、Cm∈Rn、およびWは、実験データを使用して決定される関数の重要係数である。背景の説明は、さらに、M.Kirby、幾何学的データ分析(ニューヨーク、2001年)に記載され、この明細書に含めることとする。
の条件(3)で下記
(式中、μ=1・・・Pである)を得る。これらの条件を一次方程式の系の形で記載すると、以下の式を得る。
(式中、
)
(式中、Φは以下に定義される補間マトリックスである。
ここで、ベクトルW=(w1、w2、・・・wNc)Tおよびf=(f(1)、f(2)、・・・、f(P))Tである)と記載される。
それは半径rに比例する。感度のこの範囲外で、総計へのそれぞれ個別のRBFの貢献は小さい。ガウスのRBFのこの部分的特徴は、この領域の外側のデータの提供にあまり影響を及ぼさずに、中心のまわりの狭い近辺に限定される各RBFに影響する非常に有用な特性である。
・初期の混合物の全ての成分は、標準系に含まれていなければならない。
・任意の成分のフラクションは、区間(0、1)内になければならない。
・すべての成分のフラクションの合計は、均一でなければならない。
(式中(a11、・・・、aml)は、第1の標準混合物などにおける相当する成分(x1、・・・、xn)のフラクションであり、(fl、・・・、fn)は、所望の(最適)混合物における相当する成分のフラクションであり、
は確率行列である。)
以下に記載される実施例は、説明の目的のためだけに示され、何ら、本発明の範囲を限定することを意図しない。
(TCFコントラストの最適化)
TCFの製造で利用される超分子材料は、水溶性の改質された有機ブルー(B)、バイオレット(V)およびレッド(R)染料を基本としており、それらは、インダンスロンのスルホン化の生成物およびペリレンテトラカルボン酸およびナフタレンテトラカルボン酸のジベンゾイミダゾール誘導体である。個々の染料は、それらの混合物と同様に、LLC材料の準備に使用することができる。ポリエチレンテレフタレート(PET)膜上に、LLC材料の直接の堆積によって、試験用のTCF偏光子のサンプルを製造した。
(i)非偏光光のための単一の偏光子の伝達
(ii)2つの平行な偏光子の伝達
(iii)2つの交差した偏光子の伝達
(iv)コントラスト比
Claims (13)
- 有機化合物の混合物からカスケード結晶化プロセスによって、所望の物理的特性を少なくとも1つ有する結晶薄膜を製造する方法であって、
(a)有機化合物の混合物からカスケード結晶化プロセスによっていくらかの結晶薄膜を製造するステップであって、該混合物中の有機化合物は前記全ての膜で同じであり、前記混合物の百分率組成は製造された膜ごとに異なり、
(b)製造された各々の膜の前記少なくとも1つの物理的特性を測定するステップと、
(c)前記有機化合物の混合物の百分率組成に依存して、前記物理的特性の近似関数の形で、前記少なくとも1つの物理的特性の表示を選択するステップと、
(d)前記近似関数の複数の極値を決定するステップと、
(e)決定された複数の極値の安定性をテストし、該極値のうちの1つの極値および前記混合物の対応する組成を選択するステップと、
(f)前記所望の物理的特性を有する結晶薄膜を製造するステップとを含み、
前記選択された極値に対応する組成は、前記物理的特性を有する膜を製造するための有機化合物の混合物に使用される、前記結晶薄膜を製造する方法。 - 前記膜製造のステップの前に、前記ステップ(a)〜(e)を複数回繰り返す、請求項1に記載の方法。
- 前記カスケード結晶化プロセスは、リオトロピック液晶の膜への塗布、前記リオトロピック液晶膜に対する外部配向動作、および溶媒の除去の技術工程を含み、
前記技術工程の各々は、少なくとも1つの特性パラメータを有する、請求項1に記載の方法。 - 前記技術工程の特性パラメータの少なくとも1つは、製造された膜ごとに異なり、有機化合物の混合物の百分率および技術工程のパラメータに依存して、物理的特性の少なくとも1つの近似関数の形で表示される、請求項3に記載の方法。
- 前記技術工程の特性パラメータは、リオトロピック液晶の化学組成、その濃度、温度、粘性、前記リオトロピック液晶の塗布速度、外部配向動作の強度と方向、および溶媒の除去速度からなる群から選択される、請求項4に記載の方法。
- リオトロピック液晶は、前記有機化合物の分子から構成される棒状超分子によって形成される、請求項3に記載の方法。
- 主な光軸のうちの1つの方向における前記棒状超分子の分子間の間隔は、3.4±0.3Åである、請求項6に記載の方法。
- 前記有機化合物の少なくとも1つは、共役π結合を有する多環式有機化合物である、請求項1に記載の方法。
- 前記多環式有機化合物は複素環を含む、請求項8に記載の方法。
- 前記近似関数は、多項式補間または放射基底関数を含む、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも1つの所望の物理的特性の結晶薄膜を製造する方法であって、
前記結晶薄膜は、有機化合物の混合物からカスケード結晶化プロセスによって製造され、
前記カスケード結晶化プロセスは、リオトロピック液晶の膜への塗布、前記リオトロピック液晶膜に対する外部配向動作および溶媒の削除の技術工程を含み、
技術工程の各々は、少なくとも1つのパラメータを有し、
前記方法は、
(a)前記カスケード結晶化プロセスによっていくつかの結晶薄膜を製造するステップであって、前記有機化合物の混合物は製造された全ての膜で同じであり、前記技術工程のパラメータは製造された膜ごとに異なり、
(b)前記膜の各々の物理的特性を測定するステップと、
(c)前記技術工程のパラメータに依存して、前記物理的特性の近似関数の形で、前記物理的特性の表示を選択するステップと、
(d)前記近似関数の複数の極値を決定するステップと、
(e)決定された複数の極値の安定性をテストし、該極値のうちの1つの極値を選択するステップと、
(f)前記物理的特性のための選択された極値に対応する技術工程の選択されたパラメータを使用して、所望の物理的特性の結晶薄膜を製造するステップとを含む、前記結晶薄膜を製造する方法。 - 1つまたは複数の所望の物理的特性を有する結晶薄膜を製造するための特定パラメータを有する有機化合物の混合物を選択する方法であって、
(a)前記カスケード結晶化プロセスによっていくらかの結晶薄膜を製造するステップであって、前記有機化合物の混合物は製造された全ての膜で同じであり、前記パラメータは製造された膜ごとに異なり、
(b)前記膜の各々の物理的特性を測定するステップと、
(c)前記パラメータに依存して、前記物理的特性の近似関数の形で、前記物理的特性の表示を選択するステップと、
(d)前記近似関数の複数の極値を決定するステップと、
(e)決定された複数の極値の安定性をテストするステップと、
(f)該極値の1つの極値を選択するステップを含み、選択された極値は所望の物理的特性の結晶薄膜を製造する特定パラメータに対応する、前記選択する方法。 - コンピューター上で実行された時に下記命令を行なうソフトウェア・プログラムを含むコンピューター読取り可能な媒体であって、
前記命令が、
カスケード結晶化プロセスによって製造されたいくらかの結晶薄膜の少なくとも1つの物理的特性を測定することであって、前記カスケード結晶化プロセスのパラメータが技術工程に関連し、
前記技術工程のパラメータに依存して、前記物理的特性の近似関数の形で、前記物理的特性の表示を選択すること、
前記近似関数の複数の極値を決定すること、
決定された複数の極値の安定性をテストすること、および
前記結晶薄膜の製造で使用される前記複数の極値のうちの1つの極値を選択することである、前記媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005181766A JP4485420B2 (ja) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | 結晶薄膜を製造する方法 |
EP06252157A EP1736571A1 (en) | 2005-06-22 | 2006-04-21 | Method of manufacturing thin crystal films |
TW095114553A TW200727519A (en) | 2005-06-22 | 2006-04-24 | Method of manufacturing thin crystal films |
KR1020060051346A KR20060134799A (ko) | 2005-06-22 | 2006-06-08 | 결정 박막의 제조 방법 |
CNA2006100865581A CN1885068A (zh) | 2005-06-22 | 2006-06-22 | 制备晶体薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005181766A JP4485420B2 (ja) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | 結晶薄膜を製造する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007000729A true JP2007000729A (ja) | 2007-01-11 |
JP4485420B2 JP4485420B2 (ja) | 2010-06-23 |
Family
ID=37307248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005181766A Expired - Fee Related JP4485420B2 (ja) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | 結晶薄膜を製造する方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1736571A1 (ja) |
JP (1) | JP4485420B2 (ja) |
KR (1) | KR20060134799A (ja) |
CN (1) | CN1885068A (ja) |
TW (1) | TW200727519A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63289090A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-25 | Canon Inc | カイラルスメクチック液晶組成物 |
JPH06508390A (ja) * | 1991-06-12 | 1994-09-22 | ユニアックス コーポレイション | 加工し得る形態の導電性ポリアニリンおよびそれから形成された導電性生成品 |
US20040015012A1 (en) * | 2002-07-17 | 2004-01-22 | Basf Aktiengesellschaft | Safe operation of a continuous heterogeneously catalyzed gas-phase partial oxidation of at least one organic compound |
WO2004065524A1 (en) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Nitto Denko Corporation | Anisotropic film manufacturing |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6913783B2 (en) * | 2001-02-07 | 2005-07-05 | Optiva, Inc. | Method of obtaining anisotropic crystalline films and devices for implementation of the method |
US20050146671A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Khavrounyak Igor V. | Method of manufacturing thin crystal films |
-
2005
- 2005-06-22 JP JP2005181766A patent/JP4485420B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-04-21 EP EP06252157A patent/EP1736571A1/en not_active Withdrawn
- 2006-04-24 TW TW095114553A patent/TW200727519A/zh unknown
- 2006-06-08 KR KR1020060051346A patent/KR20060134799A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-06-22 CN CNA2006100865581A patent/CN1885068A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63289090A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-25 | Canon Inc | カイラルスメクチック液晶組成物 |
JPH06508390A (ja) * | 1991-06-12 | 1994-09-22 | ユニアックス コーポレイション | 加工し得る形態の導電性ポリアニリンおよびそれから形成された導電性生成品 |
US20040015012A1 (en) * | 2002-07-17 | 2004-01-22 | Basf Aktiengesellschaft | Safe operation of a continuous heterogeneously catalyzed gas-phase partial oxidation of at least one organic compound |
WO2004065524A1 (en) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Nitto Denko Corporation | Anisotropic film manufacturing |
JP2006521571A (ja) * | 2003-01-17 | 2006-09-21 | 日東電工株式会社 | 異方性膜の製造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060134799A (ko) | 2006-12-28 |
TW200727519A (en) | 2007-07-16 |
JP4485420B2 (ja) | 2010-06-23 |
EP1736571A1 (en) | 2006-12-27 |
CN1885068A (zh) | 2006-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Morgado et al. | SAFT-γ force field for the simulation of molecular fluids: 8. Hetero-segmented coarse-grained models of perfluoroalkylalkanes assessed with new vapour–liquid interfacial tension data | |
JP2008508543A5 (ja) | ||
CN101617025B (zh) | 胆甾相液晶组合物、圆偏振光分离片及其制造方法 | |
JP2006243311A (ja) | 光学媒体の光学特性の解析方法、解析装置及製造監視方法 | |
Susser et al. | Transition from escaped to decomposed nematic defects, and vice versa | |
Folwill et al. | A practical guide to versatile photoalignment of azobenzenes | |
Bramble et al. | Nematic liquid crystal alignment on chemical patterns | |
Xia et al. | Programming emergent symmetries with saddle-splay elasticity | |
JP4485420B2 (ja) | 結晶薄膜を製造する方法 | |
US20050146671A1 (en) | Method of manufacturing thin crystal films | |
Mikulich et al. | Waterproof material for liquid crystals photoalignment based on azo dyes | |
Burnell et al. | Nuclear magnetic resonance study of alkane conformational statistics | |
Castaldo et al. | Dissolution of concentrated surfactant solutions: from microscopy imaging to rheological measurements through numerical simulations | |
CN111896486A (zh) | 一种手性物质光学活性测量装置及方法 | |
Ohzono et al. | Negative fluorescence anisotropy of phosphole oxide-based dyes in nematic liquid crystals | |
Zhang et al. | Fabrication of Lyotropic Alignment Layers for Thermotropic Liquid Crystals Facilitated by a Polymer Template | |
JPH09218133A (ja) | 異方性薄膜検査法 | |
Gutierrez et al. | Chiral graded structures in biological plywoods and in the beetle cuticle | |
Mendoza-Galván et al. | Graded circular Bragg reflectors: a semi-analytical retrieval of approximate pitch profiles from Mueller-matrix data | |
JP6805469B2 (ja) | 誤差補正方法及び二次元偏光解析法、並びに誤差補正装置及び二次元偏光解析装置 | |
Yang et al. | Wavelength dependent in-plane birefringence of transparent flexible films determined by using transmission ellipsometry | |
Capitani et al. | Phase diagram of the C12E6/D2O system revisited: Effect of strong magnetic fields | |
Burnell et al. | A model-free temperature-dependent conformational study of n-pentane in nematic liquid crystals | |
US9846266B2 (en) | Liquid crystalline polymer film with diffractive optical noise removed and method of manufacturing the same | |
Therézio et al. | Achromatic Ellipsometry: Theory and Applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090205 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100316 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100324 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4485420 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160402 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |