JP2006501670A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 抵抗器の製造方法であって、
   （ａ）フレキシブル基板（１０）（２８）の表面の一領域を活性化し、もって活性化領域（１２）（３４）を形成する段階と、
   （ｂ）活性化領域（１２）（３４）に金属層（１４）（３６）を堆積させて活性化領域（１２）（３４）に反応を生起させ、その結果として抵抗層（１６）（３８）を形成することによって、活性化領域（１２）（３４）に抵抗層（１６）（３８）を形成する段階と、
   （ｃ）抵抗層（１６）（３８）の少なくとも一部に１以上の相互接続層（１８、２０）（４０、４２）を堆積させる段階と、
   （ｄ）１以上の相互接続層（１８、２０）（４０、４２）をパターン化して抵抗器の端子（２４、２６）（４４、４６）を形成する段階と
   を含んでなる方法。
2. 段階（ａ）が、フレキシブル基板（１０）（２８）の表面にイオンエッチングを施す段階を含む、請求項１記載の方法。
3. 段階（ａ）が、ポリイミド基板（１０）（２８）の表面の一領域を活性化する段階を含む、請求項１記載の方法。
4. 金属層（１４）（３６）を堆積させる段階が、活性化領域（１２）（３４）にチタン層（１４）（３６）を堆積させて活性化領域（１２）（３４）に反応を生起させ、その結果として炭化チタン層（１６）（３８）を形成する段階を含む、請求項１記載の方法。
5. 段階（ｃ）が、金属層（１４）（３６）の少なくとも一部に銅層（１８）（４０）を堆積させる段階を含む、請求項１記載の方法。
6. 抵抗器の製造方法であって、
   （ａ）フレキシブル基板（１０）（２８）の表面を活性化して活性化層（１２）（３４）を形成する段階と、
   （ｂ）活性化層（１２）（３４）の表面に第一の金属層（１４）（３６）を堆積させることで活性化層に反応を生起させ、その結果として抵抗層（１６）（３８）を形成する段階と、
   （ｃ）第一の金属層（１６）（３８）に１以上の相互接続層（１８、２０）（４０、４２）を堆積させる段階と、
   （ｄ）１以上の相互接続層（１８、２０）（４０、４２）及び第一の金属層（１６）（３８）の各々を抵抗層に達するまでエッチングして端子（２４、２６）（４４、４６）を形成する段階と、
   （ｅ）抵抗層をパターン化して端子（２４、２６）（４４、４６）間に接続された抵抗器を形成する段階と
   を含んでなる方法。
7. 抵抗器の製造方法であって、
   （ａ）フレキシブル基板（２８）の表面にマスキング層（３０）を堆積させる段階と、
   （ｂ）マスキング層（３０）に開口（３２）を形成することで、開口を通してフレキシブル基板の一部分を露出させる段階と、
   （ｃ）フレキシブル基板の露出部分を活性化して活性化領域（３４）を形成する段階と、
   （ｄ）フレキシブル基板の表面からマスキング層（３０）を除去する段階と、
   （ｅ）活性化領域（３４）に金属層（３６）を堆積させて活性化領域（３４）に反応を生起させ、その結果として抵抗層（３８）を形成することによって、活性化領域（３４）に抵抗層（３８）を形成する段階と、
   （ｃ）抵抗層（３８）の少なくとも一部に１以上の相互接続層（４０、４２）を堆積させる段階と、
   （ｄ）１以上の相互接続層（４０、４２）をパターン化して抵抗器の端子（４４、４６）を形成する段階と
   を含んでなる方法。