JP2006351615A - Semiconductor photosensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は半導体光センサ装置に係り、特に可視光にのみ感度を有するようにした半導体光センサ装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor optical sensor device, and more particularly to a semiconductor optical sensor device that has sensitivity only to visible light.
例えば、デジタルカメラ等には半導体光センサ装置が組み込んであり、最適な明るさの映像を得ることが出来るように、半導体光センサ装置が得た明るさの情報によって各部を制御している。この半導体光センサ装置の特性は人間の視感度に近い特性となるように構成してある。ここで、半導体光センサ装置に設けてある受光素子は可視光の他に赤外線に対しても感度を有するものであるため、赤外線に対する出力を零に近いものとする工夫が必要とされる。 For example, a semiconductor optical sensor device is incorporated in a digital camera or the like, and each unit is controlled by brightness information obtained by the semiconductor optical sensor device so that an image with optimum brightness can be obtained. The characteristics of the semiconductor optical sensor device are configured to be characteristics close to human visibility. Here, since the light receiving element provided in the semiconductor optical sensor device has sensitivity not only to visible light but also to infrared rays, it is necessary to devise a device that makes the output for infrared rays close to zero.
図4(A)、(B)は従来の半導体光センサ装置1を示す。この半導体光センサ装置1は、チップ2上に、同じサイズのフォトダイオード3と補正用フォトダイオード4とが並んで配置され、更に、差動アンプが形成してあり、更に可視光をカットする可視光カットフィルタ5が補正用フォトダイオード4を覆って形成してある構成である。
4A and 4B show a conventional
フォトダイオード3は図5(A)に線IIIで示す感度特性を有し、可視光カットフィルタ5を備えている補正用フォトダイオード4は図5(B)に線IVで示す感度特性を有し、差動アンプを経ることによって、半導体光センサ装置1は図5(C)に線Iで示す分光感度特性を有する。
この半導体光センサ装置1は、補正用フォトダイオード4のサイズがフォトダイオード3のサイズと同じ大きさであるため、チップ2のサイズA×Bを縮小することが困難である。このため、一枚のウェハから切り出すことができるチップ2の数が制限され、一つの半導体光センサの製造コストを安くすることが困難であった。
In the semiconductor
そこで、本発明は、上記課題を解決した半導体光センサ装置を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor photosensor device that solves the above-described problems.
本発明は、チップ(11)と、
該チップ上に形成してある受光素子(12)と、
該受光素子を覆う赤外線カットフィルタ(20)と、
該チップ上に形成してあり、該受光素子のサイズよりも小さいサイズの補正用受光素子(13)と、
該チップ上に形成してあり、該受光素子の出力から該補正用受光素子の出力を差し引きく演算回路(14)とよりなる構成としたことを特徴とする。
The present invention comprises a chip (11),
A light receiving element (12) formed on the chip;
An infrared cut filter (20) covering the light receiving element;
A correction light-receiving element (13) formed on the chip and having a size smaller than the size of the light-receiving element;
An arithmetic circuit (14) is formed on the chip and subtracts the output of the light-receiving element for correction from the output of the light-receiving element.
本発明によれば、受光素子を覆うフィルタを赤外線カットフィルタとしたことによって補正用受光素子のサイズを受光素子のサイズよりも小さいサイズとすることが可能となり、これによって、半導体光センサ装置のサイズを従来よりも小さくすることが出来る。これによって、一枚のウェハから切り出すことができる半導体光センサ装置の数が多くなり、これによって、個々の半導体光センサ装置の製造コストを安くすることが可能である。 According to the present invention, since the filter covering the light receiving element is an infrared cut filter, the size of the light receiving element for correction can be made smaller than the size of the light receiving element. Can be made smaller than before. As a result, the number of semiconductor optical sensor devices that can be cut out from a single wafer increases, thereby making it possible to reduce the manufacturing cost of individual semiconductor optical sensor devices.
次に本発明の実施の形態について説明する。 Next, an embodiment of the present invention will be described.
図1(A)、(B)は本発明の実施例1になる半導体光センサ装置10を示す。この半導体光センサ装置10は、シリコンチップ11上の右半分の部分に目的とするレベルの出力を得るためのフォトダイオード12が形成してあり、チップ11上の左半分の部分に、補正用フォトダイオード13と差動アンプ14とが形成してあり、且つ、チップ11上の左側の縁に沿って、グランド端子16と出力端子17と電源端子15とが並んで形成してあり、且つ、フォトダイオード12を覆って赤外線をカットする赤外線カットフィルタ20が形成してある構成である。図2は上記構成になる半導体光センサ装置10の回路図を示す。なお、半導体光センサ装置10は、一枚のウェハに半導体光センサ装置10をマトリクス状に並んだ配置で多数個作り込み、最後に、スクライブして切り出すことによって製造される。
1A and 1B show a semiconductor
フォトダイオード12は得ようとする出力のレベルに対応したサイズ(面積S1)を有する。
The
補正用フォトダイオード13のサイズ(面積S2)は、フォトダイオード12の面積S1の0.1倍であり、フォトダイオード12に比べて相当に小さい。
The size (area S2) of the
赤外線カットフィルタ20は、シリコン酸化膜とチタン酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜よりなる構造であり、図3(A)から分かるように、約600nm付近の波長から急峻な減衰をする特性を有する。
The
ここで、補正用フォトダイオード13のサイズは、赤外線カットフィルタ20の特性に対応して決定されるものである。具体的には、補正用フォトダイオード13のサイズは、赤外線カットフィルタ20でもってカットしきれずに赤外線カットフィルタ20を透過してしまった赤外線の作用でフォトダイオード12から出力される成分を丁度相殺するだけのレベルを出力させるように定めてある。赤外線カットフィルタ20でもってカットされないで透過してしまう赤外線の強さは僅かであり、よって、補正用フォトダイオード13のサイズはフォトダイオード12に比べて相当に小さくなっている。このことによって、チップ11のサイズが小さくなり、半導体光センサ装置10はC×Dの小型となっている。
Here, the size of the
なお、半導体光センサ装置10のサイズが小型となっている理由は、補正用フォトダイオード13上に設けてあるフィルタが赤外線カットフィルタ20であるからである。即ち、フィルタが赤外線カットフィルタ20であることによって、補正用フォトダイオード13のサイズをフォトダイオード12に比べて相当に小さくすることが出来るからである。
The reason why the size of the semiconductor
図2は半導体光センサ装置10に作り込んである回路を示す。差動アンプ14は、フォトダイオード12の出力から補正用フォトダイオード13の出力を減算したものを出力端子17に出力する。
FIG. 2 shows a circuit built in the semiconductor
ここで、赤外線カットフィルタ20を含めたフォトダイオード12は、図3(A)に線XIIで示す特性を有する。図3(A)は縦軸が相対感度、横軸が波長(λ)である。図3(B)、(C)も同様である。図3(A)の線XIIのうち符号XIIaで示す線の部分は、波長が約700nmより長い領域の相対感度であり、この部分は赤外線カットフィルタ20がカットしきれずに透過してしまった赤外線に起因するものである。この線XIIaで示す相対感度は相当に低い。
Here, the
補正用フォトダイオード13は、図3(B)に線XIIIで示す特性を有する。線XIIのうち、波長が約700nmより長い領域の相対感度を示す線XIIIaは、前記の線XIIaと略一致する。
The correcting
差動アンプ14において、フォトダイオード12の出力から補正用フォトダイオード13の出力が減算されることによって、半導体光センサ装置10の波長に対する相対感度は、図3(A)に示す特性から図3(B)に示す特性を減算したものとなり、図3(C)に示すようになり、線Xで示す特性を有する。線Xのうち、波長が約700nmより長い領域の相対感度は線Xaで示すように、略零となる。
In the
よって、半導体光センサ装置10は、従来に比べて小さいサイズでもって、人間の視感度に近い分光感度特性を実現している。半導体光センサ装置10のサイズが小さいことによって、一つのウェハからより切り出すことができる半導体光センサの数が多くなり、これによって、個々の半導体光センサの製造コストは従来に比較して安価である。
Therefore, the semiconductor
なお、赤外線カットフィルタ20として、約560nm付近から700nmにかけてなだらかに減衰する特性のものを用いることも出来、このようにすることによって、半導体光センサ装置10は、より人間の視感度に近い特性を実現出来る。
In addition, as the
なお、赤外線カットフィルタ20は、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜でもよい。
The
なお、フォトダイオード12、13に代えて、フォトトランジスタでもよい。
In place of the
10 半導体光センサ装置
11 シリコンチップ
12 フォトダイオード
13 補正用フォトダイオード
14 差動アンプ
20 赤外線カットフィルタ
DESCRIPTION OF
Claims (5)
該チップ上に形成してある受光素子と、
該受光素子を覆う赤外線カットフィルタと、
該チップ上に形成してあり、該受光素子のサイズよりも小さいサイズの補正用受光素子と、
該チップ上に形成してあり、該受光素子の出力から該補正用受光素子の出力を差し引く演算回路とよりなる構成としたことを特徴とする半導体光センサ装置。 Chips,
A light receiving element formed on the chip;
An infrared cut filter covering the light receiving element;
A correction light-receiving element formed on the chip and having a size smaller than the size of the light-receiving element;
A semiconductor optical sensor device comprising an arithmetic circuit formed on the chip and subtracting the output of the light-receiving element for correction from the output of the light-receiving element.
前記補正用受光素子のサイズは、前記受光素子の10分の1以下の大きさであることを特徴とする半導体光センサ装置。 The semiconductor optical sensor device according to claim 1,
The semiconductor photosensor device according to claim 1, wherein the size of the light receiving element for correction is one tenth or less of the light receiving element.
前記受光素子及び前記補正用受光素子は、フォトダイオードであることを特徴とする半導体光センサ装置。 The semiconductor optical sensor device according to claim 1,
The semiconductor light sensor device, wherein the light receiving element and the correction light receiving element are photodiodes.
前記赤外線カットフィルタは、シリコン酸化膜とチタン酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜よりなることを特徴とする半導体光センサ装置。 The semiconductor optical sensor device according to claim 1,
The infrared cut filter is a semiconductor optical sensor device comprising a dielectric multilayer film in which silicon oxide films and titanium oxide films are alternately laminated.
前記赤外線カットフィルタは、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜を交互に積層した誘電体多層膜よりなることを特徴とする半導体光センサ装置。 The semiconductor optical sensor device according to claim 1,
The infrared cut filter comprises a dielectric multilayer film in which silicon oxide films and niobium oxide films are alternately stacked.
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US8390003B2 (en) | 2008-05-29 | 2013-03-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electronic element wafer module with reduced warping |
JP5886437B2 (en) * | 2012-09-11 | 2016-03-16 | シャープ株式会社 | Sensors, display devices, mobile phones, and digital cameras |
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