JP2006339569A - Laser device and image display apparatus equipped therewith - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser device which is capable of keeping a semiconductor laser constant in cooling efficiency and aligning an optical axis even after a laser element is assembled, and to provide an image display apparatus with the same. <P>SOLUTION: The laser device 10 includes a light emitting unit provided with a semiconductor laser 11, a cooling jacket 12 thermally coupled to the light emitting unit, and an optical axis adjusting unit 19 for adjusting the optical axis of the semiconductor laser 11 integrally with the cooling jacket 12. The optical axis adjusting unit 19 is formed of a shaft member 19 arranged between the cooling jacket 12 and a stage 18, the jacket 12 is set turnable to the stage 18 by making the shaft member 19 serve as a turning axis, to adjust the turning angle D4 of the semiconductor laser 11. The height H of a laser beam is adjusted by optionally selecting the shaft diameter of the shaft member 19. The semiconductor laser 11 is installed direct on the cooling jacket 12, so that the semiconductor laser 11 can be improved in cooling efficiency. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体レーザの冷却効率の向上と光軸調整の容易化を実現したレーザ装置及びこれを備えた画像表示装置に関する。   The present invention relates to a laser device that improves the cooling efficiency of a semiconductor laser and facilitates optical axis adjustment, and an image display device equipped with the laser device.

レーザ光は、単色性、干渉性、指向性、集束性、高出力性、高輝度特性等の特徴を有しており、光通信等の通信分野、光ディスクの信号読取やディスプレイ等の画像エレクトロニクス分野等への応用をはじめとして、計測・制御装置、半導体露光等の加工装置などに用いられている。   Laser light has characteristics such as monochromaticity, coherence, directivity, convergence, high output, and high luminance characteristics. It is a communication field such as optical communication, and an image electronics field such as optical disk signal reading and display. It is used for measuring and control devices, processing devices such as semiconductor exposure, and the like.

半導体レーザは、固体レーザや気体レーザ等のレーザ媒質の励起源として広く利用されている。また、大画面投影装置におけるスクリーンへの画像形成光光源として、半導体レーザが注目されている（例えば下記特許文献１参照）。   Semiconductor lasers are widely used as excitation sources for laser media such as solid state lasers and gas lasers. Further, a semiconductor laser has attracted attention as an image forming light source for a screen in a large screen projection apparatus (see, for example, Patent Document 1 below).

さて、この種の半導体レーザは、駆動電流を供給されることで発光する。ところが、電流から光への変換効率は１００％ではないため、光として出射されなかったエネルギーは熱に変換される。従って、この熱を逃がすための排熱操作（冷却操作）が必要となる。   This type of semiconductor laser emits light when supplied with a drive current. However, since the conversion efficiency from current to light is not 100%, the energy not emitted as light is converted into heat. Therefore, an exhaust heat operation (cooling operation) for releasing this heat is required.

すなわち、半導体レーザを用いた装置では、半導体レーザ素子の特性上、その温度が上昇すると発振波長が変化したり、発光効率が低下したり、素子寿命が短くなる等の不都合が生じるので、半導体レーザ素子を一定温度以下に温度調整することが不可欠となる。また、高出力レーザになると発熱量も増加するので、より高効率で高熱輸送量の冷却構造が必要となる。   That is, in an apparatus using a semiconductor laser, due to the characteristics of the semiconductor laser element, if the temperature rises, the oscillation wavelength changes, the light emission efficiency decreases, and the element life is shortened. It is essential to adjust the temperature of the element below a certain temperature. In addition, since the amount of heat generation increases with a high-power laser, a cooling structure with higher efficiency and higher heat transport amount is required.

図９は、下記特許文献２に記載の従来のレーザ装置１の構成を示している。複数のレーザダイオード素子を一方向へ配列させてなるアレイ状の半導体レーザ２は、ヒートシンク４に取り付けられている。半導体レーザ２とヒートシンク４との間には、必要に応じてヒートスプレッダ３が介装される。ヒートシンク４は、内部に冷却水路５を有する冷却ブロック６上面側に、半導体レーザ２へ駆動電流を供給する配線基板７及びカバー８と共に、取付ネジ９を用いて結合されている。これにより、半導体レーザ２の発熱による温度上昇を抑えて、素子特性の安定化とレーザ出力の向上を図るようにしている。   FIG. 9 shows a configuration of a conventional laser device 1 described in Patent Document 2 below. An arrayed semiconductor laser 2 in which a plurality of laser diode elements are arranged in one direction is attached to a heat sink 4. A heat spreader 3 is interposed between the semiconductor laser 2 and the heat sink 4 as necessary. The heat sink 4 is coupled to the upper surface side of the cooling block 6 having a cooling water passage 5 inside, together with a wiring board 7 for supplying a driving current to the semiconductor laser 2 and a cover 8 using mounting screws 9. As a result, temperature rise due to heat generation of the semiconductor laser 2 is suppressed, and element characteristics are stabilized and laser output is improved.

特開２００５−２６５７５号公報JP 2005-26575 A 特開２００４−１８６２１２号公報JP 2004-186212 A

上述した従来のレーザ装置１において、半導体レーザ２は、ヒートスプレッダ３あるいはヒートシンク４に対して位置調整がなされた状態で接着等により取り付けられる。半導体レーザ２の位置調整は、即ち、各々のレーザダイオードから出射されるレーザ光の光軸を所望の高さあるいは角度範囲に設定する目的で行われる。従って、半導体レーザ２を装置へ組み込んだ後は、半導体レーザ２の光軸調整を行うことは、ほとんど不可能である。   In the conventional laser device 1 described above, the semiconductor laser 2 is attached by bonding or the like in a state where the position is adjusted with respect to the heat spreader 3 or the heat sink 4. The position adjustment of the semiconductor laser 2 is performed for the purpose of setting the optical axis of the laser light emitted from each laser diode to a desired height or angle range. Therefore, after the semiconductor laser 2 is incorporated into the apparatus, it is almost impossible to adjust the optical axis of the semiconductor laser 2.

また、アレイ状の半導体レーザ２の全部または一部の素子を交換しようとした場合、素子個々のレーザ特性のバラツキがあるため、交換後の再調整が必要となる。従って、従来のレーザ装置１においては、ユーザーサイドでレーザ素子の交換作業を容易に行えないという問題がある。   Further, when all or some of the elements of the arrayed semiconductor laser 2 are to be replaced, there is a variation in the laser characteristics of each element, so that readjustment after replacement is necessary. Therefore, the conventional laser apparatus 1 has a problem that the laser element cannot be easily replaced on the user side.

一方、半導体レーザをその光軸調整が可能な機構部を介してヒートシンク上に固定する構成例もある。しかしながら、この構成例では、半導体レーザとヒートシンクとの間に複雑な構成の機構部が介在するため、両者間の熱抵抗が増大し、半導体レーザの冷却効率が悪くなるという問題が発生する。また、調整前後で半導体レーザとヒートシンク間の相対位置が変わることで、半導体レーザの冷却効率にバラツキが生じることがある。   On the other hand, there is a configuration example in which the semiconductor laser is fixed on the heat sink via a mechanism that can adjust the optical axis. However, in this configuration example, since a mechanical portion having a complicated configuration is interposed between the semiconductor laser and the heat sink, there arises a problem that the thermal resistance between the two increases and the cooling efficiency of the semiconductor laser is deteriorated. Also, the relative position between the semiconductor laser and the heat sink before and after adjustment may vary in the cooling efficiency of the semiconductor laser.

本発明は上述の問題に鑑みてなされ、半導体レーザの冷却効率を一定に維持でき、素子組付後も光軸調整を行うことができるレーザ装置及びこれを備えた画像表示装置を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and provides a laser device capable of maintaining the cooling efficiency of a semiconductor laser constant and capable of adjusting the optical axis even after element assembly, and an image display device including the same. Let it be an issue.

本発明に係るレーザ装置は、半導体レーザを有する発光部と、この発光部と熱的に結合された冷却部と、この冷却部と一体的に発光部の光軸調整を行うための光軸調整部とを備えている。   A laser apparatus according to the present invention includes a light emitting unit having a semiconductor laser, a cooling unit thermally coupled to the light emitting unit, and an optical axis adjustment for adjusting the optical axis of the light emitting unit integrally with the cooling unit. Department.

この構成により、発光部を装置に組み込んだ後でも、発光部の光軸調整を容易に行えるようになる。また、発光部を構成する半導体レーザ素子の交換作業も容易となる。更に、発光部と冷却部との間に余計な機構部が介在しないことから、発光部の冷却効率が損なわれることはなく、また調整前後での冷却効率の変動を防止できる。   With this configuration, the optical axis of the light emitting part can be easily adjusted even after the light emitting part is incorporated into the apparatus. In addition, it is easy to replace the semiconductor laser element constituting the light emitting unit. Furthermore, since no extra mechanism part is interposed between the light emitting part and the cooling part, the cooling efficiency of the light emitting part is not impaired, and fluctuations in the cooling efficiency before and after adjustment can be prevented.

本発明において、光軸調整部は、冷却部を支持する支持体と、冷却部と支持体との間に取り付けられ冷却部を支持体に対して回動自在な回動軸とを有する。従って、冷却部を支持体に対して角度調整することで、発光部の光軸調整が容易に行えるようになる。また、装置構成の複雑化を回避できる。   In the present invention, the optical axis adjustment unit includes a support that supports the cooling unit, and a rotation shaft that is attached between the cooling unit and the support and is capable of rotating the cooling unit with respect to the support. Therefore, the optical axis of the light emitting unit can be easily adjusted by adjusting the angle of the cooling unit with respect to the support. In addition, complication of the device configuration can be avoided.

回動軸の軸方向は、発光部の光軸調整方向に応じて決定される。例えば、回動軸の軸方向を発光部の光軸に対して直交する方向に配置すれば、光軸の煽り角度の調整が可能となる。また、光軸の高さ調整は、回動軸の軸径を最適値に変更することで対応可能となる。   The axial direction of the rotation axis is determined according to the optical axis adjustment direction of the light emitting unit. For example, if the axial direction of the rotation axis is arranged in a direction orthogonal to the optical axis of the light emitting unit, the tilt angle of the optical axis can be adjusted. Further, the height adjustment of the optical axis can be handled by changing the shaft diameter of the rotation shaft to an optimum value.

発光部を構成する半導体レーザは、単一のレーザ素子でもよいし、複数のレーザ素子のアレイ体でもよい。また、同一の冷却部上に複数のレーザ素子あるいは複数組のレーザ素子のアレイ体が配置されていてもよい。更に、発光部を構成する半導体レーザは、レーザ素子単独で構成されていてもよいし、当該レーザ素子を支持する金属製のベースや、当該レーザ素子を内包するパッケージ体であってもよい。更にまた、発光部には、半導体レーザのほか、当該半導体レーザの発振波長とは異なる光を発生させる固体レーザ媒質や、その第２次高調波を発生させる非線形光学素子等が含まれていてもよい。   The semiconductor laser constituting the light emitting unit may be a single laser element or an array of a plurality of laser elements. A plurality of laser elements or an array of a plurality of sets of laser elements may be arranged on the same cooling unit. Further, the semiconductor laser constituting the light emitting unit may be constituted by a laser element alone, or may be a metal base that supports the laser element or a package body that contains the laser element. In addition to the semiconductor laser, the light emitting unit may include a solid-state laser medium that generates light different from the oscillation wavelength of the semiconductor laser, a nonlinear optical element that generates the second harmonic, and the like. Good.

冷却部は、空冷式か水冷式かを問わない。放熱板や、冷却媒体が循環する冷却ジャケット等、あるいはこれらを組み合わせて構成することができる。発光部と冷却部との結合は、熱伝導性の接着剤やメタルボンディング等、熱的に結合できる手法であれば特に制限されない。更に、発光部と冷却部との間に、ペルチェ素子等の熱電素子を配置することで、発光部のより高精度な温度制御が可能となる。   The cooling unit may be air-cooled or water-cooled. A heat sink, a cooling jacket in which a cooling medium circulates, or a combination of these can be used. The coupling between the light emitting unit and the cooling unit is not particularly limited as long as it can be thermally coupled, such as a heat conductive adhesive or metal bonding. Furthermore, by disposing a thermoelectric element such as a Peltier element between the light emitting unit and the cooling unit, temperature control of the light emitting unit can be performed with higher accuracy.

本発明に係るレーザ装置は、半導体レーザを光源として用いる投影装置やプリンタ装置にも適用することができる。特に、光源からの出射光をスクリーン上に投影し画像を形成する画像表示装置に適用する場合、光源の高出力化に伴って発光部の冷却制御に高い信頼性が要求される。本発明によれば、このような要求に十分に対応することができる。   The laser apparatus according to the present invention can also be applied to a projection apparatus or a printer apparatus that uses a semiconductor laser as a light source. In particular, when applied to an image display device that forms an image by projecting light emitted from a light source onto a screen, high reliability is required for cooling control of the light emitting unit as the output of the light source increases. According to the present invention, such a request can be sufficiently met.

以上述べたように、本発明によれば、発光部を装置に組み込んだ後でも発光部の光軸調整を行うことができるので、発光部を構成する半導体レーザ素子の交換等のメンテナンス作業を容易に行うことができる。また、発光部の冷却効率を安定に維持できるので、半導体レーザの高出力化、長寿命化を図ることができる。   As described above, according to the present invention, since the optical axis of the light emitting unit can be adjusted even after the light emitting unit is incorporated in the apparatus, maintenance work such as replacement of the semiconductor laser element constituting the light emitting unit is facilitated. Can be done. In addition, since the cooling efficiency of the light emitting unit can be stably maintained, the output of the semiconductor laser can be increased and the life can be extended.

以下、本発明の各実施の形態について図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態によるレーザ装置１０の概略構成を示す平面図である。 (First embodiment)
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a laser apparatus 10 according to the first embodiment of the present invention.

半導体レーザ１１は、内部に冷却水の流路が形成された冷却ジャケット１２の上面に設置されている。冷却ジャケット１２の内部流路には、冷却水冷却装置１３にて冷却された冷却水が配管１４，１４を介して循環供給され、冷却ジャケット１２上に設置された半導体レーザ１１を最適温度に維持している。半導体レーザ１１は電源部１５に配線１６を介して接続されている。半導体レーザ１１から出射した光は、図では簡略して示すビーム整形光学系１７を通り、所望のビーム形状に整形されて、出力光Ｌ１としてレーザ装置１０の外部に出射される。   The semiconductor laser 11 is installed on the upper surface of a cooling jacket 12 in which a cooling water flow path is formed. The cooling water cooled by the cooling water cooling device 13 is circulated and supplied to the internal flow path of the cooling jacket 12 via the pipes 14 and 14 to maintain the semiconductor laser 11 installed on the cooling jacket 12 at the optimum temperature. is doing. The semiconductor laser 11 is connected to the power supply unit 15 via the wiring 16. The light emitted from the semiconductor laser 11 passes through a beam shaping optical system 17 shown in a simplified manner in the figure, is shaped into a desired beam shape, and is emitted outside the laser apparatus 10 as output light L1.

図２は、冷却ジャケット１２上に設置されている半導体レーザ１１及びビーム整形光学系１７の詳細を示しており、Ａは平面図、Ｂは側面図である。   FIG. 2 shows the details of the semiconductor laser 11 and the beam shaping optical system 17 installed on the cooling jacket 12, wherein A is a plan view and B is a side view.

半導体レーザ１１は、レーザ素子（レーザダイオード素子）１１Ａと、このレーザ素子１１Ａを支持する金属（例えば銅）製のベース１１Ｂとで構成されている。ベース１１Ｂは、図中矢印Ｄ１で示すヤブ方向の光軸調整を行った後、伝熱性の接着剤等を介して冷却ジャケット１２上の所定位置に設置されており、レーザ素子１１Ａに関して所定の冷却効率を確保している。   The semiconductor laser 11 includes a laser element (laser diode element) 11A and a base 11B made of metal (for example, copper) that supports the laser element 11A. The base 11B is installed at a predetermined position on the cooling jacket 12 via a heat-conductive adhesive or the like after adjusting the optical axis in the yab direction indicated by the arrow D1 in the figure. Ensures efficiency.

ここで、半導体レーザ１１は、単一のレーザ素子のみで構成されていてもよいし、複数のレーザ素子のアレイ体でもよい。また、冷却ジャケット１２上に当該半導体レーザを複数配置し、各々の出射光を合波して出力するようにしてもよい。   Here, the semiconductor laser 11 may be composed of only a single laser element, or may be an array body of a plurality of laser elements. Alternatively, a plurality of the semiconductor lasers may be arranged on the cooling jacket 12, and the emitted lights may be combined and output.

なお図示せずともベース１１Ｂの上面には、配線１６を介して電源部１５に接続され、レーザ素子１１Ａへ駆動電流を供給する回路が形成された配線基板が搭載されている。   Although not shown, on the upper surface of the base 11B, there is mounted a wiring board on which a circuit connected to the power supply unit 15 via the wiring 16 and supplying a driving current to the laser element 11A is formed.

ビーム整形光学系１７は、半導体レーザ１１からの出射光を集光する集光レンズ１７Ａやプリズム１７Ｂ等の光学部品で構成することができる。なお、本明細書においてプリズム１７Ｂは必要に応じて省略される。   The beam shaping optical system 17 can be composed of optical components such as a condensing lens 17A and a prism 17B that condense light emitted from the semiconductor laser 11. In the present specification, the prism 17B is omitted as necessary.

このビーム整形光学系１７は、半導体レーザ１１とともに、冷却ジャケット１２の上面の所定位置に直接設置されてもよいが、集光レンズ１７Ａについては図中矢印Ｄ２方向で示すフォーカス軸方向、プリズム１７Ｂについては図中矢印Ｄ３方向で示すヤブ方向に、それぞれ移動調整可能な台座（図示略）を介して冷却ジャケット１２上に設置されてもよい。   The beam shaping optical system 17 may be directly installed at a predetermined position on the upper surface of the cooling jacket 12 together with the semiconductor laser 11. However, with respect to the condensing lens 17A, the focus axis direction indicated by the arrow D2 in FIG. May be installed on the cooling jacket 12 via a base (not shown) that can be moved and adjusted in the direction indicated by the arrow D3 in the figure.

以上、これら半導体レーザ１１及びビーム整形光学系１７により、本発明の「発光部」が構成される。また、冷却ジャケット１２は、本発明の「冷却部」に対応しており、銅等の熱伝導性に優れた材料で構成されている。なお、この冷却ジャケット１２と冷却水冷却装置１３との間を連絡する配管１４，１４は、フレキシブル性（可撓性）のある配管材料で構成されている。   As described above, the semiconductor laser 11 and the beam shaping optical system 17 constitute the “light emitting portion” of the present invention. The cooling jacket 12 corresponds to the “cooling part” of the present invention, and is made of a material having excellent thermal conductivity such as copper. In addition, the piping 14 and 14 which communicates between this cooling jacket 12 and the cooling water cooling device 13 is comprised with the piping material with flexibility (flexibility).

続いて図３はレーザ装置１０の分解斜視図であり、図４はレーザ装置１０の一作用を説明する全体斜視図である。   3 is an exploded perspective view of the laser device 10, and FIG. 4 is an overall perspective view for explaining an operation of the laser device 10. FIG.

半導体レーザ１１及び集光レンズ１７Ａが設置された冷却ジャケット１２は、レーザ装置１０の静止部をなすステージ（支持体）１８の上に設置される。冷却ジャケット１２とステージ１８との間には、図４Ａにおいて矢印Ｄ４で示す光軸Ｌａの煽り方向の調整と、図４Ｂに示す光軸Ｌａの高さＨの調整を行うための軸部材１９が設けられている。   The cooling jacket 12 on which the semiconductor laser 11 and the condenser lens 17 </ b> A are installed is installed on a stage (support) 18 that forms a stationary part of the laser device 10. Between the cooling jacket 12 and the stage 18, there is a shaft member 19 for adjusting the turning direction of the optical axis La indicated by the arrow D4 in FIG. 4A and adjusting the height H of the optical axis La shown in FIG. 4B. Is provided.

軸部材１９は、例えば、断面が一様な円形の平行ピンで構成することができる。軸部材１９は、中空であるか中実であるかを問わない。この軸部材１９は、冷却ジャケット１２とステージ１８との間に、軸方向が光軸Ｌａと直交する方向に配置されている。冷却ジャケット１２は、ステージ１８に対し、軸部材１９を回動軸として、その軸心の回りに所定角度回動可能とされる。これにより、半導体レーザ１１の出射光軸Ｌａについての煽り方向Ｄ４の調整が可能となる。   The shaft member 19 can be constituted by, for example, a circular parallel pin having a uniform cross section. It does not matter whether the shaft member 19 is hollow or solid. The shaft member 19 is disposed between the cooling jacket 12 and the stage 18 so that the axial direction is orthogonal to the optical axis La. The cooling jacket 12 is rotatable with respect to the stage 18 by a predetermined angle around the axis centered on the shaft member 19 as a rotation axis. As a result, the turning direction D4 of the outgoing optical axis La of the semiconductor laser 11 can be adjusted.

冷却ジャケット１２の底面と、ステージ１８の上面とには、軸部材１９を挟持する挟持溝１２ａ，１８ａがそれぞれ形成されている。これら挟持溝１２ａ，１８ａは、冷却ジャケット１２とステージ１８間における軸部材１９の相対位置を規制すると同時に、冷却ジャケット１２の底面とステージ１８の上面との間に、冷却ジャケット１２の所定角度範囲にわたる回動操作を可能とする大きさの隙間を形成する。冷却ジャケット１２の回動範囲は特に制限されないが、本実施形態では例えば±３°程度としている。   Holding grooves 12 a and 18 a for holding the shaft member 19 are formed on the bottom surface of the cooling jacket 12 and the upper surface of the stage 18, respectively. These clamping grooves 12 a and 18 a regulate the relative position of the shaft member 19 between the cooling jacket 12 and the stage 18, and at the same time, cover the predetermined angle range of the cooling jacket 12 between the bottom surface of the cooling jacket 12 and the top surface of the stage 18. A gap having a size that enables a rotating operation is formed. Although the rotation range of the cooling jacket 12 is not particularly limited, in this embodiment, for example, about ± 3 °.

また、冷却ジャケット１２の底面とステージ１８の上面との間に形成される隙間は、軸部材１９の軸径によって調整することができる。従って、軸部材１９として各々軸径の異なる複数本の軸部材をあらかじめ用意しておき、最適な軸径のものを選択することで、半導体レーザ１１の出射光軸Ｌａの高さＨの調整が可能となる。軸径の異なる軸部材１９の用意すべき本数は特に限定されないが、本実施形態では、例えば軸径の大きさが２８ｍｍから３２ｍｍの範囲内で３０μｍずつ軸径が異なる複数本の軸部材の中から最適なものを選択するようにしている。   Further, the gap formed between the bottom surface of the cooling jacket 12 and the top surface of the stage 18 can be adjusted by the shaft diameter of the shaft member 19. Therefore, by preparing a plurality of shaft members each having a different shaft diameter as the shaft member 19 and selecting one having an optimal shaft diameter, the height H of the outgoing optical axis La of the semiconductor laser 11 can be adjusted. It becomes possible. The number of shaft members 19 with different shaft diameters to be prepared is not particularly limited. However, in the present embodiment, for example, a plurality of shaft members having different shaft diameters by 30 μm within a range of 28 mm to 32 mm. The best one is selected.

以上、これら軸部材１９及び挟持溝１２ａ，１８ａにより、本発明の「光軸調整部」が構成される。なお、挟持溝１２ａ，１８ａは、断面略Ｖ字形状とされているが、軸径の異なる軸部材１９を共通に支持できる形状のものであれば特に制限されず、例えば多角形状等であってもよい。   As described above, the shaft member 19 and the holding grooves 12a and 18a constitute the “optical axis adjusting portion” of the present invention. The sandwiching grooves 12a and 18a have a substantially V-shaped cross section, but are not particularly limited as long as they have a shape that can support the shaft members 19 having different shaft diameters in common. Also good.

以上のように構成される本実施の形態のレーザ装置１０においては、半導体レーザ１１は、冷却ジャケット１２上に直接的に設置されているので、半導体レーザ１１と冷却ジャケット１２との間の熱抵抗を低減でき、半導体レーザ１１の冷却効率を向上させることができる。また、装置全体の熱負荷低減を実現することができる。従って、本実施の形態によれば、半導体レーザ１１の冷却効率を向上させることができるので、レーザ素子１１Ａの高出力化、長寿命化を図ることが可能となる。   In the laser apparatus 10 of the present embodiment configured as described above, the semiconductor laser 11 is directly installed on the cooling jacket 12, so that the thermal resistance between the semiconductor laser 11 and the cooling jacket 12. And the cooling efficiency of the semiconductor laser 11 can be improved. In addition, it is possible to reduce the thermal load of the entire apparatus. Therefore, according to the present embodiment, since the cooling efficiency of the semiconductor laser 11 can be improved, it is possible to increase the output and extend the life of the laser element 11A.

また、本実施の形態によれば、ビーム整形光学系１７を構成する必要な光学部品（集光レンズ１７Ａ，プリズム１７Ｂ等）をも冷却ジャケット１２上に設置するようにしているので、当該ビーム整形光学系１７を支持するための部材を不要とし、装置の小型化を図ることが可能となる。しかも、半導体レーザ１１に対する断熱設計を必要とすることなく、半導体レーザ１１の発熱によるビーム整形光学系１７の温度変化を抑止して、安定したビーム整形機能を確保することができる。   Further, according to the present embodiment, necessary optical components (such as the condensing lens 17A and the prism 17B) constituting the beam shaping optical system 17 are also installed on the cooling jacket 12, so that the beam shaping is performed. A member for supporting the optical system 17 is not required, and the apparatus can be downsized. In addition, without requiring a heat insulation design for the semiconductor laser 11, the temperature change of the beam shaping optical system 17 due to the heat generated by the semiconductor laser 11 can be suppressed to ensure a stable beam shaping function.

一方、半導体レーザ１１とビーム整形光学系１７と冷却ジャケット１２とは、ひとつのユニット体として構成することができるので、当該ユニット単位で半導体レーザ１１のヤブ調整（図２Ａにおける矢印Ｄ１，Ｄ３）とフォーカス軸調整（同、矢印Ｄ２）を行うことができる。   On the other hand, the semiconductor laser 11, the beam shaping optical system 17, and the cooling jacket 12 can be configured as one unit body, so that adjustment of the semiconductor laser 11 is adjusted in units of the unit (arrows D 1 and D 3 in FIG. 2A). Focus axis adjustment (arrow D2) can be performed.

そして、このユニット体をステージ１８に設置する際は、後段の光学系にマッチングさせるための煽り角度Ｄ４（図４Ａ参照）調整およびビーム高さＨ（図４Ｂ参照）調整が行われる。本実施の形態では、上述したように、冷却ジャケット１２とステージ１８との間に軸部材１９を設け、ステージ１８に対する冷却ジャケット１２の角度調整と高さ調整を行うことで、半導体レーザ１１の出射光軸Ｌａの煽り角度Ｄ４とビーム高さＨを調整するようにしている。   Then, when this unit body is installed on the stage 18, the turning angle D4 (see FIG. 4A) and the beam height H (see FIG. 4B) are adjusted to match the subsequent optical system. In the present embodiment, as described above, the shaft member 19 is provided between the cooling jacket 12 and the stage 18, and the angle adjustment and height adjustment of the cooling jacket 12 with respect to the stage 18 are performed, whereby the output of the semiconductor laser 11. The turning angle D4 of the light emission axis La and the beam height H are adjusted.

従って、半導体レーザ１１を冷却ジャケット１２上へ設置し、レーザ装置１０を組み上げた後においても、出射光軸Ｌａの煽り角度調整を行うことができる。また、煽り角度の調整は、冷却ジャケット１２をステージ１８に対して回動操作するだけなので、作業を容易に行うことができる。更に、半導体レーザ１１のビーム高さＨの調整も、軸部材１９の軸径の変更のみで容易に行うことができる。   Therefore, even after the semiconductor laser 11 is installed on the cooling jacket 12 and the laser device 10 is assembled, the turning angle of the outgoing optical axis La can be adjusted. Further, since the adjustment of the turning angle is performed only by rotating the cooling jacket 12 with respect to the stage 18, the work can be easily performed. Furthermore, the adjustment of the beam height H of the semiconductor laser 11 can be easily performed only by changing the shaft diameter of the shaft member 19.

このとき、配管１４，１４はフレキシブル性のある配管材料で構成されているので、軸部材１９を用いた冷却ジャケット１２の角度調整および高さ調整の際、配管１４，１４が原因で作業に障害をきたすことはない。また、配管１４，１４をフレキシブル性のある配管材料で構成することで、冷却ジャケット１２の角度や高さの変化等に伴う応力を分散させ、調整後の経時変化を少なくすることができる。   At this time, since the pipes 14 and 14 are made of a flexible pipe material, when the angle adjustment and the height adjustment of the cooling jacket 12 using the shaft member 19 are performed, the pipes 14 and 14 obstruct work. Never come. Further, by configuring the pipes 14 and 14 with a flexible pipe material, it is possible to disperse stress accompanying changes in the angle and height of the cooling jacket 12 and to reduce changes with time after adjustment.

なお、冷却ジャケット１２を調整後の位置に保持するために、例えば図５に示したような構成とすることができる。この例では、冷却ジャケット１２の一端側（前方側）に、冷却ジャケット１２を貫通するバネ力設定用ネジ部材２１，２１がコイルバネ２２，２２や板バネ等の弾性部材を介してステージ１８に螺着されている。そして、冷却ジャケット１２の他端側（後方側）には、冷却ジャケット１２を貫通する調整用ネジ部材２３がステージ１８に螺合されている。バネ力設定用ネジ部材２１，２１及び調整用ネジ部材２３の軸部は、それぞれ冷却ジャケット１２に遊嵌しており、調整用ネジ部材２３の正負方向の回動操作で、軸部材１９を支点とする半導体レーザ１１の煽り角度調整を可能としている。この構成により、振動等による調整角度の不用意な変動を防止できる。   In addition, in order to hold | maintain the cooling jacket 12 in the position after adjustment, it can be set as a structure as shown, for example in FIG. In this example, spring force setting screw members 21 and 21 penetrating the cooling jacket 12 are screwed onto the stage 18 via elastic members such as coil springs 22 and 22 and a leaf spring on one end side (front side) of the cooling jacket 12. It is worn. An adjustment screw member 23 that penetrates the cooling jacket 12 is screwed to the stage 18 on the other end side (rear side) of the cooling jacket 12. The shaft portions of the spring force setting screw members 21 and 21 and the adjustment screw member 23 are loosely fitted to the cooling jacket 12, and the shaft member 19 is supported as a fulcrum by rotating the adjustment screw member 23 in the positive and negative directions. The tilt angle of the semiconductor laser 11 can be adjusted. With this configuration, it is possible to prevent inadvertent fluctuation of the adjustment angle due to vibration or the like.

以上のように本実施の形態によれば、半導体レーザ１１の出射光軸Ｌａの煽り角度調整およびビーム高さ調整を簡単な構成で容易に行うことができるので、作業の熟練度を有さないユーザーによっても、例えば半導体レーザ１１の交換などレーザ装置１０のメンテナンスが実施可能となる。   As described above, according to the present embodiment, the tilt angle adjustment and the beam height adjustment of the emission optical axis La of the semiconductor laser 11 can be easily performed with a simple configuration, and thus there is no skill level of work. The user can also perform maintenance of the laser device 10 such as replacement of the semiconductor laser 11.

（第２の実施の形態）
図６は本発明の第２の実施の形態によるレーザ装置２０の構成を示している。なお、図において上述の第１の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。 (Second Embodiment)
FIG. 6 shows a configuration of a laser apparatus 20 according to the second embodiment of the present invention. In the figure, portions corresponding to those of the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施の形態のレーザ装置２０においては、半導体レーザ１１及び集光レンズ１７Ａが熱電素子２４を介して冷却ジャケット１２の上面に設置されている。この構成は、特に、半導体レーザ１１をより高精度に温度調整する必要がある場合に適用して好適である。   In the laser device 20 of the present embodiment, the semiconductor laser 11 and the condenser lens 17A are installed on the upper surface of the cooling jacket 12 via the thermoelectric element 24. This configuration is particularly applicable when the temperature of the semiconductor laser 11 needs to be adjusted with higher accuracy.

本実施の形態によれば、冷却ジャケット１２で半導体レーザ１１の温度を粗調整し、熱電素子２４で半導体レーザ１１の温度の微調整を行うことができる。熱電素子２４としては、例えばペルチェ素子等が用いられる。   According to the present embodiment, the temperature of the semiconductor laser 11 can be roughly adjusted with the cooling jacket 12, and the temperature of the semiconductor laser 11 can be finely adjusted with the thermoelectric element 24. As the thermoelectric element 24, for example, a Peltier element or the like is used.

（第３の実施の形態）
図７は、本発明の第３の実施の形態を示している。なお、図において上述の第１の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。 (Third embodiment)
FIG. 7 shows a third embodiment of the present invention. In the figure, portions corresponding to those of the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施の形態では、第１の実施の形態で説明したレーザ装置１０（１０Ａ〜１０Ｃ）を複数台使用して光源装置３０を構成した例を示している。図示の例では、３台のレーザ装置１０Ａ，１０Ｂ及び１０Ｃから出力されるレーザ光をプリズム等の光学部品３１を用いて合波し精度良く重ね合わせることで、高出力のレーザ光Ｌ２を得るようにしている。   In the present embodiment, an example in which the light source device 30 is configured by using a plurality of the laser devices 10 (10A to 10C) described in the first embodiment is shown. In the illustrated example, the laser beams output from the three laser devices 10A, 10B, and 10C are combined using an optical component 31 such as a prism and superimposed with high accuracy to obtain a high output laser beam L2. I have to.

本実施の形態によれば、各レーザ装置１０Ａ〜１０Ｃの光軸調整（煽り角度、ビーム高さ）を容易に行うことができるので、出力光Ｌ２の調整作業が容易となる。また、メンテナンス作業や交換等を各レーザ装置単位で行うことができるので、作業が簡単になる。   According to the present embodiment, since the optical axis adjustment (turning angle, beam height) of each of the laser devices 10A to 10C can be easily performed, the adjustment work of the output light L2 is facilitated. In addition, since maintenance work and replacement can be performed for each laser device, the work is simplified.

（第４の実施の形態）
近年、リボン状の光回折格子がシリコン基板上に一列に形成された一次元反射型ディスプレイデバイスであるＧＬＶ（Grating Light Valve)を用いた画像表示装置が開発されている。 (Fourth embodiment)
In recent years, an image display apparatus using a GLV (Grating Light Valve), which is a one-dimensional reflective display device in which ribbon-like optical diffraction gratings are formed in a line on a silicon substrate, has been developed.

図８に示すように、この種の画像表示装置４０は、単一波長のレーザ光を出力する光源４１と、光源４１からの出力光を平板状の光に変換する照明レンズ４２と、ＧＬＶデバイスでなる光変調（回折）素子４３と、光変調素子４３による回折光だけを通すフィルタを内蔵した投射レンズ４４と、投射レンズ４４を通過した光をスクリーン４６に投影する走査ミラー４５と、投影画像を表示するスクリーン４６とを有している。光変調素子４３は例えば赤、緑、青（ＲＧＢ）のレーザ光に対してそれぞれ別に設けられ、そのレーザ光を照射された時のマイクロリボンの位置関係に基づいて光の変調を行うことにより、色および映像の投影がなされる。   As shown in FIG. 8, this type of image display apparatus 40 includes a light source 41 that outputs laser light having a single wavelength, an illumination lens 42 that converts output light from the light source 41 into flat light, and a GLV device. A light modulation (diffraction) element 43, a projection lens 44 incorporating a filter that passes only diffracted light by the light modulation element 43, a scanning mirror 45 that projects the light that has passed through the projection lens 44 onto a screen 46, and a projection image And a screen 46 for displaying. The light modulation element 43 is provided separately for each of red, green, and blue (RGB) laser light, for example, and modulates the light based on the positional relationship of the microribbons when irradiated with the laser light. Color and video projections are made.

上述した構成の画像表示装置４０においては、光源４１に複数の半導体レーザが用いられている。半導体レーザはそのデバイスの特性上、温度が上昇すると寿命の短期化が急激に進むことに加え、温度が上昇した時点で出力光の波長が変化し、本来の色や映像を投影できなくなる。すなわち、投影そのものに多大な影響が及ぼされる。   In the image display device 40 configured as described above, a plurality of semiconductor lasers are used for the light source 41. Due to the characteristics of the semiconductor laser, the lifetime of the semiconductor laser is rapidly shortened as the temperature rises, and the wavelength of the output light changes when the temperature rises, making it impossible to project the original color or image. That is, the projection itself is greatly affected.

また、ＲＧＢ三色のレーザのみを用いて全ての色を表現している場合、これら三色のレーザの色表現には、通常よりもはるかに厳密な色再現性が要求される。すなわち、一部の半導体レーザにおいて、温度上昇に伴って僅かでも色調の変化がきたされると、ＧＬＶを用いた投影装置においては全ての色に影響し、滑らかな色階調表現やコントラスト、映像の立体感や質感等、細部にまで影響が及ぼされる。   In addition, when all colors are expressed using only RGB three-color lasers, the color representation of these three-color lasers requires much more accurate color reproducibility than usual. In other words, in some semiconductor lasers, even if a slight change in color tone occurs as the temperature rises, the projection device using GLV affects all colors, and smooth color gradation expression, contrast, and video The details, such as the three-dimensional appearance and texture, are affected.

更に、この種の映像表示装置においては、光源４１において複数の半導体レーザが同時に光出力を行う必要があるため、効率的に冷却を行わないと、短期間のうちに装置全体の温度が上昇し、多数の半導体レーザの急速な消耗を引き起こす。   Furthermore, in this type of video display device, since a plurality of semiconductor lasers need to output light simultaneously in the light source 41, the temperature of the entire device rises within a short period of time unless it is efficiently cooled. Cause rapid depletion of many semiconductor lasers.

このため、光源４１に用いられる半導体レーザに関しては、より厳密な温度管理が必要となる。   For this reason, the semiconductor laser used for the light source 41 requires more strict temperature management.

そこで、本実施の形態では、光源４１として、例えば図７に示した光源装置３０が用いられている。この光源装置３０は、第３の実施形態で説明したように、本発明に係るレーザ装置１０Ａ〜１０Ｃを複数台使用して構成されている。各レーザ装置１０Ａ〜１０Ｃにおいては、半導体レーザ１１を冷却ジャケット１２の上に直に設置することで、冷却効率の向上が図られている。   Therefore, in the present embodiment, as the light source 41, for example, the light source device 30 shown in FIG. As described in the third embodiment, the light source device 30 is configured by using a plurality of laser devices 10A to 10C according to the present invention. In each of the laser apparatuses 10A to 10C, the cooling efficiency is improved by installing the semiconductor laser 11 directly on the cooling jacket 12.

また、冷却ジャケット１２上で事前にある程度光軸調整を行った後、レーザ装置個々に煽り角度調整とビーム高さ調整を行い得るようにすることで、出力光Ｌ２の調整作業が容易となる。なお、各レーザ装置に設置される半導体レーザ１１を複数のレーザ素子のアレイ体で構成することで、更に高出力のレーザ光を得ることが可能となる。   Further, after adjusting the optical axis to some extent on the cooling jacket 12 in advance, the angle adjustment and the beam height adjustment can be performed individually for each laser apparatus, thereby facilitating the adjustment work of the output light L2. In addition, by configuring the semiconductor laser 11 installed in each laser device with an array body of a plurality of laser elements, it becomes possible to obtain a laser beam with higher output.

以上、本発明の各実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。   As mentioned above, although each embodiment of this invention was described, of course, this invention is not limited to these, A various deformation | transformation is possible based on the technical idea of this invention.

例えば以上の実施の形態では、光軸調整部として、半導体レーザ１１の出射光軸Ｌａの煽り角度調整とビーム高さ調整を行い得るようにしたが、これに限らず、軸部材１９の配置方向で光軸調整成分を変更することができる。例えば、軸部材１９を光軸Ｌａと平行な方向に配置することで、図４Ｂに示したようにｚ方向（光軸方向）の回りに光軸を調整することが可能となる。また、冷却ジャケット１２とステージ１８との間に、軸部材を異なる方向で複数配置することで更に他の方向についての光軸調整が可能となる。   For example, in the embodiment described above, the turning angle adjustment and the beam height adjustment of the emission optical axis La of the semiconductor laser 11 can be performed as the optical axis adjustment unit. With this, the optical axis adjustment component can be changed. For example, by arranging the shaft member 19 in a direction parallel to the optical axis La, the optical axis can be adjusted around the z direction (optical axis direction) as shown in FIG. 4B. Further, by arranging a plurality of shaft members in different directions between the cooling jacket 12 and the stage 18, it is possible to adjust the optical axis in another direction.

また、軸部材１９の回りに冷却ジャケット１２を回動させて出射光軸の煽り方向を調整するようにしたが、これに加えて、冷却ジャケット１２を軸部材１９に沿ってステージ１８上でスライド移動可能としてもよい。これにより、例えば図４Ｂにおいてｘ方向についての光軸調整が可能となる。更に、軸部材１９をｙ軸方向に配置することで、ｙ軸回り（ヤブ方向）の光軸調整が可能となる。   In addition, the cooling jacket 12 is rotated around the shaft member 19 to adjust the turning direction of the outgoing optical axis. In addition, the cooling jacket 12 is slid on the stage 18 along the shaft member 19. It may be movable. Thereby, for example, in FIG. 4B, the optical axis can be adjusted in the x direction. Furthermore, by arranging the shaft member 19 in the y-axis direction, the optical axis can be adjusted around the y-axis (in the yab direction).

更に、以上の実施の形態では、半導体レーザ１１の煽り角度Ｄ４（図４Ａ）の調整を、例えば図５に示した調整用ネジ部材２３の回動操作で行うようにしたが、この調整用ネジ部材２３をボールネジで構成し、電子的に回動量を制御するようにすれば、光軸調整の更なる高精度化を図ることができる。同様に、上記ボールネジでなる調整用ネジ部材を冷却ジャケット１２の例えば四隅位置に設けることで、半導体レーザ１１のビーム高さの調整を行うようにしてもよい。   Furthermore, in the above embodiment, the adjustment of the turning angle D4 (FIG. 4A) of the semiconductor laser 11 is performed by, for example, the turning operation of the adjusting screw member 23 shown in FIG. If the member 23 is constituted by a ball screw and the amount of rotation is controlled electronically, the accuracy of the optical axis adjustment can be further improved. Similarly, adjustment of the beam height of the semiconductor laser 11 may be performed by providing adjustment screw members made of the above-described ball screws at, for example, four corner positions of the cooling jacket 12.

更に又、半導体レーザ１１を冷却する冷却部として冷却ジャケット１２を例に挙げて説明したが、これ以外にも、冷却部として例えば空冷式のヒートシンク等も本発明は適用可能である。また、以上の実施の形態では、発光部として半導体レーザ１１及びビーム整形光学系１７で構成したが、これに限らず、例えば半導体レーザの後段に、当該半導体レーザの発振波長とは異なる光の固体レーザ媒質やその第２次高調波を発生させる非線形光学素子を配置する構成にも本発明は適用可能である。この場合、例えば緑色レーザ光を発生させるレーザ装置など、発光部の冷却を効率良く行って発光動作の安定化を図ることができる。   Furthermore, although the cooling jacket 12 has been described as an example of the cooling unit for cooling the semiconductor laser 11, the present invention can be applied to a cooling unit such as an air-cooled heat sink. In the above embodiment, the light emitting unit is configured by the semiconductor laser 11 and the beam shaping optical system 17. However, the present invention is not limited to this. For example, a solid light having a wavelength different from the oscillation wavelength of the semiconductor laser is provided after the semiconductor laser. The present invention can also be applied to a configuration in which a nonlinear optical element that generates a laser medium or its second harmonic is disposed. In this case, it is possible to stabilize the light emitting operation by efficiently cooling the light emitting unit, such as a laser device that generates green laser light.

そして、本発明に係るレーザ装置１０は、画像表示装置４０の光源４１に用いられる場合に限らず、レーザプリンタ等の半導体レーザのレーザ光を光源とする装置全般について本発明は適用可能である。   The laser device 10 according to the present invention is not limited to the case where the laser device 10 is used as the light source 41 of the image display device 40, and the present invention can be applied to all devices using a laser beam of a semiconductor laser such as a laser printer as a light source.

本発明の第１の実施の形態によるレーザ装置１０の平面図である。1 is a plan view of a laser device 10 according to a first embodiment of the present invention. レーザ装置１０の冷却ジャケット１２とこれに設置される半導体レーザ１１等の関係を示す図で、Ａは平面図、Ｂは側面図である。2A and 2B are views showing a relationship between a cooling jacket 12 of the laser device 10 and a semiconductor laser 11 installed on the cooling jacket 12, wherein A is a plan view and B is a side view. レーザ装置１０の分解斜視図である。1 is an exploded perspective view of a laser device 10. FIG. レーザ装置１０の一作用を説明する斜視図である。3 is a perspective view for explaining an operation of the laser device 10. FIG. レーザ装置１０の構成の変形例を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a modified example of the configuration of the laser device 10. 本発明の第２の実施の形態によるレーザ装置２０の全体斜視図である。It is a whole perspective view of the laser apparatus 20 by the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態によるレーザ装置を複数用いて構成した光源装置３０の平面図である。It is a top view of the light source device 30 comprised using the laser apparatus by the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施の形態で説明する画像表示装置４０の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the image display apparatus 40 demonstrated in the 4th Embodiment of this invention. 従来のレーザ装置１の構成を説明する分解斜視図である。It is a disassembled perspective view explaining the structure of the conventional laser apparatus 1. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１０，１０Ａ〜１０Ｃ，２０…レーザ装置、１１…半導体レーザ（発光部）、１２…冷却ジャケット（冷却部）、１２ａ…挟持溝、１７…ビーム整形光学系、１７Ａ…集光レンズ、１７Ｂ…プリズム、１８…ステージ（支持体）、１８ａ…挟持溝、１９…軸部材（光軸調整部）、２４…熱電素子、３０…光源装置、４０…画像表示装置。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,10A-10C, 20 ... Laser apparatus, 11 ... Semiconductor laser (light emission part), 12 ... Cooling jacket (cooling part), 12a ... Holding groove, 17 ... Beam shaping optical system, 17A ... Condensing lens, 17B ... Prism , 18 ... stage (support), 18 a ... clamping groove, 19 ... shaft member (optical axis adjusting unit), 24 ... thermoelectric element, 30 ... light source device, 40 ... image display device.

Claims (11)

半導体レーザを有する発光部と、
前記発光部と熱的に結合された冷却部と、
前記冷却部と一体的に前記発光部の光軸調整を行うための光軸調整部とを備えた
ことを特徴とするレーザ装置。 A light emitting unit having a semiconductor laser;
A cooling unit thermally coupled to the light emitting unit;
A laser apparatus comprising: an optical axis adjusting unit for adjusting an optical axis of the light emitting unit integrally with the cooling unit. 前記光軸調整部は、
前記冷却部を支持する支持体と、
前記冷却部と前記支持体との間に取り付けられ前記冷却部を前記支持体に対して回動自在な回動軸とを有する
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ装置。 The optical axis adjustment unit is
A support for supporting the cooling unit;
The laser apparatus according to claim 1, further comprising: a rotation shaft that is attached between the cooling unit and the support and is capable of rotating the cooling unit with respect to the support. 前記回動軸は、その軸方向が前記発光部の光軸に対して直交する方向に配置されている ことを特徴とする請求項２に記載のレーザ装置。   The laser device according to claim 2, wherein the rotation axis is arranged in a direction in which an axial direction thereof is orthogonal to an optical axis of the light emitting unit. 前記冷却部の底部と前記支持体の上部とには、前記回動軸を挟持する挟持溝がそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項２に記載のレーザ装置。 The laser apparatus according to claim 2, wherein a clamping groove that clamps the rotating shaft is provided in each of a bottom part of the cooling part and an upper part of the support body. 前記挟持溝は、断面略Ｖ字形状である
ことを特徴とする請求項４に記載のレーザ装置。 The laser device according to claim 4, wherein the clamping groove has a substantially V-shaped cross section. 前記発光部は、複数の半導体レーザ素子のアレイ体である
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ装置。 The laser device according to claim 1, wherein the light emitting unit is an array body of a plurality of semiconductor laser elements. 前記冷却部は、冷却媒体が内部を循環する冷却ジャケットである
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ装置。 The laser device according to claim 1, wherein the cooling unit is a cooling jacket in which a cooling medium circulates. 前記発光部と前記冷却部との間には、熱電素子が設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ装置。 The laser device according to claim 1, wherein a thermoelectric element is provided between the light emitting unit and the cooling unit. 前記発光部は、前記半導体レーザから出射したレーザ光を整形する整形光学系を含んでなる
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ装置。 The laser device according to claim 1, wherein the light emitting unit includes a shaping optical system that shapes laser light emitted from the semiconductor laser. 光源から出射した光をスクリーン上に投影し画像を形成する画像表示装置において、
前記光源は、
半導体レーザを有する発光部と、
前記発光部と熱的に結合された冷却部と、
前記冷却部と一体的に前記発光部の光軸調整を行うための光軸調整部とを備えたレーザ装置を含んでなる
ことを特徴とする画像表示装置。 In an image display device that forms an image by projecting light emitted from a light source on a screen,
The light source is
A light emitting unit having a semiconductor laser;
A cooling unit thermally coupled to the light emitting unit;
An image display device comprising: a laser device including an optical axis adjusting unit for adjusting an optical axis of the light emitting unit integrally with the cooling unit. 前記光源は、前記レーザ装置を複数備え、各レーザ装置からの出射光を重ね合わせて出力する
ことを特徴とする請求項１０に記載の画像表示装置。
The image display device according to claim 10, wherein the light source includes a plurality of the laser devices and outputs the light emitted from the laser devices in a superimposed manner.
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