JP2006325051A - Surface acoustic wave device and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は弾性表面波デバイス及び当該弾性表面波デバイスを搭載した電子機器に係り、特に小型・薄型化に好適な弾性表面波デバイス及び電子機器に関する。 The present invention relates to a surface acoustic wave device and an electronic apparatus equipped with the surface acoustic wave device, and more particularly, to a surface acoustic wave device and an electronic apparatus suitable for downsizing and thinning.
従来より、弾性表面波発振器等の弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)デバイスとして、パッケージの内部にSAW素子片や、このSAW素子片の発振を制御する集積回路(IC:Integrated Circuit)等を収容する構成のものが知られている。 Conventionally, as a surface acoustic wave (SAW) device such as a surface acoustic wave oscillator, a SAW element piece and an integrated circuit (IC: Integrated Circuit) that controls oscillation of the SAW element piece are provided inside the package. The thing of the structure to accommodate is known.
このような構成のSAWデバイスにおいて課題とされていることは大別して、SAWデバイスを小型・薄型化することと、パッケージ内に実装されたSAW素子片に対する熱や応力の影響を除去することとを挙げることができる。この両者は製造において相反する作用をもたらす場合が多く、両者を同時に実現することは難しい。 What is considered as a problem in the SAW device having such a configuration is broadly divided into reducing the size and thickness of the SAW device and removing the influence of heat and stress on the SAW element piece mounted in the package. Can be mentioned. Both of these often have conflicting effects in manufacturing, and it is difficult to realize both at the same time.
例えば、SAWデバイスを小型・薄型化する上で非常に有効と考えられる技術としては、特許文献1に開示された技術を挙げることができる。特許文献1に開示されている技術によって製造されるSAWデバイスは、SAW素子片とICとを縦方向に重ね合わせてパッケージに搭載する構成としたものである。具体的構成は次の通りである。まず、パッケージを構成するパッケージベースの底部に形成された電極パッドに対し、前記ICをフリップチップボンディングする。これにより、ICの能動面はパッケージベースの底部と対向することとなり、非能動面がパッケージベースの上部開口部側に晒されることとなる。次に、上部開口部側に晒されたICの非能動面に対して接着剤によりSAW素子片を搭載する。このような構成とすることにより、SAW素子片の能動面(電極形成面)がパッケージベースの上部開口部側に晒されることとなる。そして、上部開口部側に晒されたSAW素子片の電極と、パッケージベースに形成された電極パッドとをワイヤボンディングすることによりSAW素子片の実装を行う。このようにして製造されるSAWデバイスは、ICとSAW素子片との隙間を小さくすることができ、パッケージ内に生じる厚さ方向(縦方向)のデッドスペースを減らすことができ、薄型化を実現することができる。また、ICとSAW素子片を縦方向に重ねたことより、パッケージ自体の実装面積を小型化することも実現できる。 For example, as a technique considered to be very effective in reducing the size and thickness of a SAW device, the technique disclosed in Patent Document 1 can be cited. The SAW device manufactured by the technique disclosed in Patent Document 1 has a configuration in which a SAW element piece and an IC are vertically stacked and mounted on a package. The specific configuration is as follows. First, the IC is flip-chip bonded to an electrode pad formed on the bottom of a package base constituting the package. As a result, the active surface of the IC faces the bottom of the package base, and the non-active surface is exposed to the upper opening side of the package base. Next, a SAW element piece is mounted with an adhesive on the inactive surface of the IC exposed to the upper opening side. With this configuration, the active surface (electrode formation surface) of the SAW element piece is exposed to the upper opening side of the package base. Then, the SAW element piece is mounted by wire bonding the electrode of the SAW element piece exposed to the upper opening side and the electrode pad formed on the package base. SAW devices manufactured in this way can reduce the gap between the IC and the SAW element piece, reduce the dead space in the thickness direction (longitudinal direction) generated in the package, and achieve a thinner design. can do. Further, since the IC and the SAW element piece are stacked in the vertical direction, the mounting area of the package itself can be reduced.
一方、SAW素子片に対する熱の影響を回避する技術としては、例えば特許文献2に開示されている技術がある。特許文献2に開示されている技術は、SAW素子片が、SAWデバイスの小型、薄型化に伴って薄型化されたパッケージ構成部材によって、熱の影響を受けやすくなったことに対する対策であり、SAW素子片を片持ち構造とし、片持ち時の支持部に台を備える構成としたSAWデバイスである。このような構成によれば、パッケージに対する設置面積が減るため、パッケージに与えられた熱や衝撃といった外力がSAW素子片に伝播する確率は低くなる。また、支持部に台を設けていることから、この部分に関しては外力の影響を受け難い構造となる。
特許文献1に開示された技術は確かに、SAWデバイスの小型・薄型化に対して有効なものであるということができる。しかし、上記構成によれば、ICの重量とSAW素子片の重量とを、ICの能動面に形成された電極パッドによって支持する構造となる。そして、SAW素子片をパッケージベースに実装するに際しては、ワイヤボンディングが用いられているため、ワイヤ接続時に生じる衝撃もICへの負担となる可能性がある。 It can be said that the technique disclosed in Patent Document 1 is effective for reducing the size and thickness of SAW devices. However, according to the above configuration, the weight of the IC and the weight of the SAW element piece are supported by the electrode pads formed on the active surface of the IC. When the SAW element piece is mounted on the package base, wire bonding is used. Therefore, an impact generated when the wire is connected may be a burden on the IC.
また、特許文献2に記載の技術を適用する場合には、パッケージ構造として必ず、SAW素子片の台となる部位を設ける必要があるため、パッケージ構造に制限が多くなり、SAWデバイス自体を小型・薄型化することが困難となる。 In addition, when the technique described in Patent Document 2 is applied, it is necessary to provide a part that serves as a base for the SAW element piece as the package structure. Therefore, there are many restrictions on the package structure, and the SAW device itself is reduced in size. It becomes difficult to reduce the thickness.
本発明では、弾性表面波デバイスを小型・薄型化することに適し、SAW素子片への応力の伝播を抑制し、ICを搭載する場合であってもICに物理的な負荷をかけることの無い構成の弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。また、本発明では、前記構成の弾性表面波デバイスを搭載した電子機器を提供することも目的とする。 In the present invention, the surface acoustic wave device is suitable for downsizing and thinning, suppresses the propagation of stress to the SAW element piece, and does not apply a physical load to the IC even when the IC is mounted. An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device having a configuration. Another object of the present invention is to provide an electronic apparatus equipped with the surface acoustic wave device having the above-described configuration.
上記目的を達成するためには、パッケージに対して弾性表面波素子片を直接搭載することを避け、集積回路を搭載する場合には、集積回路と弾性表面波素子片とを縦方向に重ねて配置し、かつ集積回路と弾性表面波素子片とが接触しないような構成とすることができれば良いと考えられる。そこで、本発明に係る弾性表面波デバイスは、パッケージ内に弾性表面波素子片を実装する弾性表面波デバイスであって、前記パッケージに対し、TAB基板を介して前記弾性表面波素子片を実装することを特徴とした。 In order to achieve the above object, avoid mounting the surface acoustic wave element piece directly on the package. When mounting an integrated circuit, the integrated circuit and the surface acoustic wave element piece are stacked vertically. It is considered that it is only necessary to arrange the integrated circuit and the surface acoustic wave element so as not to contact each other. Accordingly, a surface acoustic wave device according to the present invention is a surface acoustic wave device in which a surface acoustic wave element piece is mounted in a package, and the surface acoustic wave element piece is mounted on the package via a TAB substrate. It was characterized by that.
このような構成とすることにより、パッケージに対してTAB基板を介して弾性表面波素子片を実装する構成となるため、パッケージに付加される外部からの応力や熱といった外力が、前記弾性表面波素子片に直接伝播されなくなる。また、TAB基板はパッケージベースを形成するための部材(例えば基板)に比べて薄型とすることができるため、弾性表面波デバイス自体の小型・薄型化も図ることができる。 With such a configuration, the surface acoustic wave element piece is mounted on the package via the TAB substrate. Therefore, external forces such as external stress and heat applied to the package are affected by the surface acoustic wave. It does not propagate directly to the element piece. Further, since the TAB substrate can be made thinner than a member (for example, a substrate) for forming a package base, the surface acoustic wave device itself can be made smaller and thinner.
また、本発明に係る弾性表面波デバイスは、パッケージの底部に集積回路を実装し、前記集積回路の上部に弾性表面波素子片を実装する弾性表面波デバイスであって、前記集積回路の上部空間に掛け渡されたTAB基板を備え、前記弾性表面波素子片を前記TAB基板を介してパッケージに実装したことを特徴とするものであっても良い。 The surface acoustic wave device according to the present invention is a surface acoustic wave device in which an integrated circuit is mounted on the bottom of a package, and a surface acoustic wave element piece is mounted on the top of the integrated circuit. The surface acoustic wave element piece may be mounted on a package via the TAB substrate.
このような構成とすることにより弾性表面波素子片は、パッケージベースのキャビティ中に、TAB基板を介して吊るされた状態となる。このため、パッケージに付加される応力や熱といった外力が前記弾性表面波素子片に直接伝播するということが無い。また、集積回路と弾性表面波素子片を縦方向に重ねる構成としつつ、パッケージ内部に双方を隔てる隔壁を設けることが無く、かつ双方が直接接触しないという構成を実現する。このため、弾性表面波デバイスの小型・薄型化を実現し、かつ発振モジュールを構成する際に集積回路に余分な負荷をかけることが無い。よって、弾性表面波デバイスとして、信頼性の高い製品を提供することができる。
また、上記のような構成の弾性表面波デバイスでは、前記集積回路を、フリップチップボンディングにより実装する構成とすると良い。
With such a configuration, the surface acoustic wave element piece is suspended in the cavity of the package base via the TAB substrate. For this reason, external forces such as stress and heat applied to the package do not directly propagate to the surface acoustic wave element piece. In addition, a configuration is realized in which the integrated circuit and the surface acoustic wave element piece are stacked in the vertical direction, and no partition wall is provided inside the package, and the two are not in direct contact with each other. For this reason, the surface acoustic wave device can be reduced in size and thickness, and an extra load is not applied to the integrated circuit when configuring the oscillation module. Therefore, a highly reliable product can be provided as a surface acoustic wave device.
In the surface acoustic wave device configured as described above, the integrated circuit may be mounted by flip chip bonding.
このような構成とすることにより、キャビティとしてワイヤボンディングを行うための空間を確保する必要が無くなる。このため、弾性表面波デバイスの低背化を図ることができる。
また、上記それぞれの構成を有する弾性表面波デバイスにおいて、前記TAB基板には、板面に開口部を設け、当該開口部にリードを凸設し、前記弾性表面波素子片を前記リードによって支持する構成としても良い。
With such a configuration, it is not necessary to secure a space for performing wire bonding as a cavity. For this reason, it is possible to reduce the height of the surface acoustic wave device.
In the surface acoustic wave device having each of the above configurations, the TAB substrate is provided with an opening on the plate surface, a lead is provided in the opening, and the surface acoustic wave element piece is supported by the lead. It is good also as a structure.
このような構成とすることにより、弾性表面は素子片をTAB基板に実装する際の位置合わせ(画像処理)等が容易となる。
上記課題に挙げた電子機器は、上記構成を有する弾性表面波デバイスを搭載することを特徴とするものである。上記構成の弾性表面波デバイスを搭載することにより、電子機器の小型化・薄型化を図ることができ、かつ信頼性の高いものとすることができる。
With such a configuration, the elastic surface can be easily aligned (image processing) when the element piece is mounted on the TAB substrate.
The electronic device mentioned in the above problem is characterized by mounting a surface acoustic wave device having the above-described configuration. By mounting the surface acoustic wave device having the above-described configuration, the electronic apparatus can be reduced in size and thickness, and can be made highly reliable.
以下、本発明の弾性表面波デバイス及びこれを搭載した電子機器について、図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態は、本発明を実施する上での好適な形態の一部を示すものであり、本発明は以下の形態のみに拘束されるものでは無い。 Hereinafter, a surface acoustic wave device of the present invention and an electronic apparatus equipped with the same will be described with reference to the drawings. In addition, embodiment shown below shows a part of suitable form on implementing this invention, and this invention is not restrained only by the following form.
まず、図1を参照し、本発明の弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)デバイスに係る第1の実施形態について説明する。図1において、図1(A)はSAWデバイスの側面断面図を示し、図1(B)はSAWデバイスの平面図を示す。本実施形態のSAWデバイス10は、SAW素子片12と、このSAW素子片12を内部に実装するパッケージ14とを基本構成とする。
First, a first embodiment according to a surface acoustic wave (SAW) device of the present invention will be described with reference to FIG. 1A is a side sectional view of a SAW device, and FIG. 1B is a plan view of the SAW device. The
上記のような基本構成部材において、前記パッケージ14は、SAW素子片12を収容するキャビティ16aを備えたパッケージベース(ベース)16と、前記キャビティ16aの上部開口部を封止するリッド18とより成る。本実施形態のパッケージ14では、ベース16とリッド18との接合をシールリング20を介するシーム溶接によって成す構成としている。前記ベース16は、例えばアルミナ等のセラミック材料を焼結生成すれば良く、リッド18には、前記ベース16と熱膨張係数が近い金属(例えばコバール)やガラス等を用いると良い。そして、前記シールリング20としては、ベース16やリッド18の構成部材と熱膨張係数が近い素材を用いると良く、上述した部材によりベース16、リッド18を構成した場合には、コバールを使用すると良い。なお、ベース16は通常、複数の基板を積層し、それらの基板を焼結することにより形成される。
In the basic constituent member as described above, the
SAW素子片12は、水晶(SiO2)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)等の圧電部材にアルミニウム等の電極部材によって形成された電極パターン12aを配したものである。圧電部材の板面に形成される電極パターン12aとしては、すだれ状電極(IDT:Inter Digital Transducer)やグレーティング反射器(反射器)等である。本実施形態のSAW素子12は、前記ベース16に対してTAB(Tape Automated Bonding)基板22を介して実装されている。TAB基板22は、ポリイミド等の樹脂によって構成されたフィルム上に銅メッキ等により形成されるリード(不図示)を配したものである。そして、前記SAW素子片12は、TAB基板22に配されたリードに引き出し電極を接続することにより実装される。このため、TAB基板22とSAW素子片12の励振電極形成面とは対向した状態となる。なお、このように実装を行う場合、TAB基板には図示しない開口部(デバイスホール)を設け、この開口部にSAW素子片12を実装するためのリード(インナーリード)を凸設するようにすると良い。このような構成とすることにより、実装時における位置合わせ等が容易になるからである。
The
上記のようにしてSAW素子片12を実装したTAB基板22をベース16内に実装する。このとき、TAB基板22に対するSAW素子片12の実装部24と、ベース16に対するTAB基板22の実装部26とは、互いに重ならないようにすると良い。このような構成とすることにより、ベース16に与えられた熱や衝撃、応力といった外力が、TAB基板22によって緩衝、あるいは吸収されることとなり、SAW素子片12へ直接伝播することがなくなる。このため、応力等を原因とする発振周波数の変動を低減することができる。
The
また、ベース16の底部を厚くして応力の発生や熱の伝播を防止する構成と異なり、薄型形成が可能なTAB基板22を実装面に介在させることで外力の伝播を防止する構成としたため、パッケージ14を薄型としつつ、内部に実装したSAW素子片12への外力の伝播を防止することができる。さらに、本実施形態では、図1に示すように、ベース16とリッド18とを接合するために用いられるシールリング20の厚さ分を、擬似的にキャビティ16aの深さ(領域)として利用することで、SAWデバイス10の低背化を図っている。これは、SAW素子片12をベース16内にフェースダウン状態で搭載することにより実現する効果である。また、このような構成を採用するSAWデバイス10によれば、SAW素子片として外部応力の影響に左右されやすいものを採用した場合であっても、頂点温度のバラツキなどを抑えることが可能となる。
In addition, unlike the configuration in which the bottom portion of the
次に、図2を参照して、本実施形態に係るSAWデバイス10の製造工程について説明する。まず、ベース16を形成する。なお、ベース16の形成は、上述したセラミックの焼結形成のみに限られるものでは無い(S100)。次に、ベース16の形成と同時に、あるいはベース16の形成と前後して、SAW素子片12をTAB基板22に実装する(S110)。その後、ベース16内に、SAW素子片12を実装したTAB基板22を実装する(S120)。TAB基板22を実装した後、ベース16とリッド18とをシールリング20を介して接合することにより、キャビティ16aの上部開口部を封止する(S130)。このような製造工程によれば、SAW素子片10をTAB基板22に実装する工程とベース16の形成工程とを同時に行うことができるため、従来と変わらないサイクルタイム、スループットでSAWデバイス10を製造することができる。
Next, with reference to FIG. 2, the manufacturing process of the
次に、本発明のSAWデバイスに係る第2の実施形態について、図3を参照して説明する。なお、図3において図3(A)はSAWデバイスの断面図、図3(B)はSAWデバイスの平面図をそれぞれ示す。本実施形態のSAWデバイスは、SAW素子片と、前記SAW素子片の発振周波数を制御する集積回路(IC:Integrated Circuit)と、前記SAW素子片及び前記ICを内部に収容するパッケージとを基本構成とする。 Next, a second embodiment according to the SAW device of the present invention will be described with reference to FIG. 3A is a cross-sectional view of the SAW device, and FIG. 3B is a plan view of the SAW device. The SAW device according to the present embodiment basically includes a SAW element piece, an integrated circuit (IC) that controls the oscillation frequency of the SAW element piece, and a package that accommodates the SAW element piece and the IC therein. And
本実施形態のSAWデバイスは、上述した第1の実施形態に係るSAWデバイスと機能を同様とする構成要素を含むため、機能を同様とする構成部材に関しては、図面の符号に100を足した符号を附して、その詳細な説明は省略する。 Since the SAW device according to the present embodiment includes components having the same functions as those of the SAW device according to the first embodiment described above, components having the same functions are denoted by reference numerals obtained by adding 100 to the reference numerals in the drawings. The detailed description is omitted.
本実施形態のパッケージ114の構成は、上述した第1の実施形態におけるSAWデバイス10におけるパッケージ14の構成と殆ど同様であるが、前記IC128を収容する分だけ、ベース116のキャビティ116aを広くしている点が第1の実施形態におけるパッケージ14と異なる。
The configuration of the
本実施形態のベース116は、キャビティ116aの下部領域をIC128の収容領域とし、キャビティ116aの上部領域をSAW素子片112の収容領域としている。本実施形態では、前記IC128を、キャビティ116aの下部領域に、能動面を上側にした状態で、接着剤130等を介して搭載する。上側を向いた能動面に形成された電極パッド(不図示)は、ベース116に形成された電極パッド(不図示)と、ボンディングワイヤ132によって電気的に接続される。
In the
前記SAW素子片112は、第1の実施形態と同様に、ベース116に実装される前工程として、TAB基板122に実装される。そして、本実施形態では、前記SAW素子片112を実装したTAB基板122をキャビティ116aの上部領域に実装する。TAB基板122の実装は、TAB基板122をパッケージ114の側壁間に掛け渡し、TAB基板122に形成されたリードと、TAB基板122を掛け渡した側壁に形成した電極パッド(実装部)126とを電気的に接続することにより行う。このようにしてベース116の内部に実装されたIC128とSAW素子片112は、TAB基板122を介して互いに能動面を対向させた状態となる。この状態において、IC128を実装するボンディングワイヤ132と、SAW素子片112を実装するTAB基板122とが接触しないようにすると良い。
As in the first embodiment, the
このような構成とすることにより、SAW素子片112は、TAB基板122を介してキャビティ中に配置される(吊るされる)こととなるため、パッケージ114に与えられた衝撃や熱がSAW素子片112に直接伝播することが無くなる。そして、SAW素子片112とIC128とを高さ方向に配置していることより、IC128を備えるSAWデバイス110自体を小型化することができる。また、SAW素子片112をIC128の上部に配置する構成としているが、従来技術とは異なり両者間の直接的な接点を無くしているため、実装時(モジュール構成時)などにIC128がダメージを受けるという虞も無い。よって、上記のような構成のSAWデバイス110によれば、SAWデバイス110の小型・薄型化と共に、IC128に余分な負荷をかけることが無い信頼性の高いSAWデバイス110とすることができる。その他の作用効果は、第1の実施形態に示したSAWデバイス10と同様である。
With such a configuration, the
次に、図4を参照して本実施形態のSAWデバイス110の製造工程について説明する。まず、ベース116を形成する(S200)。次に、形成したベース116のキャビティ116a底部にIC128を実装する(S220)。ベース116の形成工程又はIC128の実装工程と同時に、あるいは前後して、SAW素子片112をTAB基板122に実装する(S210)。ベース116にIC128を実装し、SAW素子片112をTAB基板122に実装した後、ベース116にTAB基板122を実装する(S230)。なお、本実施形態では、TAB基板122がベース116の側壁間に掛け渡される状態となるように実装を行う。TAB基板122をベース116に実装した後、ベース116とリッド118を接合し、キャビティ116aの上部開口部を封止する(S240)。このような製造工程によれば、SAW素子片112をTAB基板122に実装する工程をベース116の形成工程あるいはベース116にIC128を実装する工程と同時に行うことができるため、従来と変わらないサイクルタイム、スループットでSAWデバイス110を製造することができる。
Next, the manufacturing process of the
次に、本発明の弾性表面波デバイスに係る第3の実施形態について、図5を参照して説明する。
本実施形態のSAWデバイスの基本的構成は、上述した第2の実施形態におけるSAWデバイス110と同様である。よって、その機能を同様とする箇所に関しては、図面に同一符号を附してその詳細な説明は省略する。
Next, a third embodiment of the surface acoustic wave device of the present invention will be described with reference to FIG.
The basic configuration of the SAW device according to this embodiment is the same as that of the
本実施形態のSAWデバイス110は、ベース116の底部(キャビティ116aの下部領域)に収容するIC128の実装方式を、バンプ134によるフリップチップボンディングとしたことを特徴とするものである。このような構成とすることにより、キャビティ116aにワイヤボンディング用のボンディングワイヤ132(図3参照)を張り渡す領域を確保する必要が無くなる。このため、ベース116に必要とされるキャビティ116aの深さが浅くなり、その分だけSAWデバイス110の低背化を図ることが可能となる。
その他の構成及び作用効果に関しては、第2の実施形態に示したSAWデバイスの構成と同様である。
The
Other configurations and operational effects are the same as those of the SAW device shown in the second embodiment.
次に、上記実施形態に示したSAWデバイス10,110を実装した電子機器について、図6に示す携帯電話装置を一例に挙げて説明する。
携帯電話装置200では、送信者からの音声信号は、マイクロフォン202によって電気信号に変換され、デモジュレータ・コーデック等を備える信号切替部206で変調等され、送信部208にて周波数変換等され、アンテナ212を介して基地局(不図示)に送信される。
Next, an electronic device in which the
In the
これに対し、基地局から送信された信号は、アンテナ212を介して受信し、受信部214にて周波数変換され、信号切替部206にて音声信号に変換されて、スピーカ204から出力される。
このような信号制御が成される携帯電話装置200の動作は、CPU(Central Processing Unit)216によって全体が制御されている。CPU216は、液晶画面やキーボード等の入出力部218や、制御プログラムや電話帳等を記録するメモリ220をはじめ、信号の送受信を制御する切替スイッチ210の動作も制御している。
On the other hand, a signal transmitted from the base station is received via the
The operation of the
上記のような基本構成を有する携帯電話装置200において、上述したSAWデバイス10,110は特に、CPU216に接続され、CPU216の基本クロック等の役割を果たす。なお、上述したSAWデバイスは、送信部208や受信部214におけるフィルタや局部発振器として用いることもできる。
In the
上記実施形態に示したSAWデバイスでは、パッケージ内に実装する電子部品としてICのみを示したが、他の電子部品を実装した場合であっても、本発明に係るSAWデバイスを逸脱するものでは無い。また、実施形態では、SAW素子片は2ポートの励振電極を有する旨図面に示したが、当然に他の構成を有するものであっても良い。 In the SAW device shown in the above embodiment, only the IC is shown as the electronic component to be mounted in the package. However, even when other electronic components are mounted, it does not depart from the SAW device according to the present invention. . In the embodiment, the SAW element piece is shown in the drawing as having a two-port excitation electrode, but it may naturally have another configuration.
10,110………弾性表面波デバイス(SAWデバイス)、12,112………弾性表面波素子片(SAW素子片)、14,114………パッケージ、16,116………パッケージベース(ベース)、16a,116a………キャビティ、18,118………リッド、20,120………シールリング、22,122………TAB基板、128………集積回路(IC)。 10, 110 ......... Surface acoustic wave device (SAW device), 12, 112 ......... Surface acoustic wave element (SAW element), 14, 114 ......... Package, 16, 116 ......... Package base (base) ), 16a, 116a ......... cavity, 18, 118 ......... lid, 20, 120 ......... seal ring, 22, 122 ...... TAB substrate, 128 ...... integrated circuit (IC).
Claims (5)
前記パッケージに対し、TAB基板を介して前記弾性表面波素子片を実装することを特徴とする弾性表面波デバイス。 A surface acoustic wave device for mounting a surface acoustic wave element in a package,
The surface acoustic wave device, wherein the surface acoustic wave element piece is mounted on the package via a TAB substrate.
前記集積回路の上部空間に掛け渡されたTAB基板を備え、
前記弾性表面波素子片を前記TAB基板を介してパッケージに実装したことを特徴とする弾性表面波デバイス。 A surface acoustic wave device in which an integrated circuit is mounted on the bottom of a package and a surface acoustic wave element piece is mounted on the top of the integrated circuit,
A TAB substrate spanning the upper space of the integrated circuit;
A surface acoustic wave device, wherein the surface acoustic wave element piece is mounted on a package via the TAB substrate.
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