JP2006324400A - シャワーヘッドおよび表面波励起プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 表面波励起プラズマ処理装置100には、チャンバ1内へ材料ガスを導入するためのシャワーヘッド10Aが設けられている。シャワーヘッド10Aは、上下2段の中空構造を形成する第1室11および第2室12を有する。材料ガスは、ガス導入ポート14から第1室11へ導かれ、分散板11aに穿設されている複数のガス噴出孔11bを通って第2室12へ移送され、分散板12aに穿設されている複数のガス噴出孔12bを通ってチャンバ1内へ放出される。このとき、第1室11のガス圧力勾配は小さく、第2室12のガス圧力勾配はさらに小さくなるので、被処理基板Sへ向けて材料ガスを均一に供給することができる。その結果、プラズマ処理の均一性も向上する。
【選択図】 図1
Description
(2)請求項2によるシャワーヘッドは、請求項1に記載のシャワーヘッドにおいて、ガス噴出孔は、長手軸と直交する一方向に処理用ガスが噴出するように設けられることを特徴とする。
(3)請求項3によるシャワーヘッドは、請求項2に記載のシャワーヘッドにおいて、噴出管には、ガス噴出孔の向きを変更するために長手軸の回りに回転可能にチャンバに取り付ける取付部が設けられることを特徴とする。
(4)請求項4によるシャワーヘッドは、請求項1に記載のシャワーヘッドにおいて、最終段の中空室は、初段の中空室の両側に長手軸の方向に延在してそれぞれ設けられ、最終段の中空室のガス噴出孔は、長手軸方向と直交して互いに外方に向いた方向にそれぞれ処理用ガスを噴出するように設けられることを特徴とする。
(5)請求項5によるシャワーヘッドは、請求項1〜4のいずれか一項に記載のシャワーヘッドにおいて、最終段の中空室に面して設けられるガス流入孔としての連通孔とガス噴出孔、もしくは中間段の中空室に面して設けられるガス流入孔としての連通孔とガス流出孔としての連通孔とは互いに対向しないように配設されていることを特徴とする。
(6)請求項6によるシャワーヘッドは、請求項1〜5のいずれか一項に記載のシャワーヘッドにおいて、最終段の中空室のガス噴出孔が形成される外面を覆って、ガス噴出孔に対向する位置に小孔を有する防着板が配設されることを特徴とする。
(7)請求項7によるシャワーヘッドは、請求項6に記載のシャワーヘッドにおいて、小孔の径は、防着板の厚さと寸法が同じか小さいことを特徴とする。
(8)請求項8の発明による表面波励起プラズマ処理装置は、チャンバ内の上部空間で表面波励起プラズマを生成し、請求項1〜7のいずれか一項に記載のシャワーヘッドを水平方向に延在するように配置してチャンバ内の下部空間へ処理用ガスを導入し、処理用ガスを解離、反応させて各種プラズマ処理を行うことを特徴とする。
(9)請求項9の発明は、請求項8に記載の表面波励起プラズマ処理装置において、チャンバ内の中央部には、請求項4〜7のいずれか一項に記載のシャワーヘッドのうち、処理用ガスを互いに外方を向いた方向に噴出させるように構成された第1のシャワーヘッドを配置し、第1のシャワーヘッドの両側には、請求項2,3,5〜7のいずれか一項に記載のシャワーヘッドのうち、処理用ガスを一方向に噴出させるように構成された第2のシャワーヘッドをそれぞれ配置することを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態によるSWP処理装置の構成を模式的に示す縦断面図(X−Z面切断)である。図2は、本発明の実施の形態によるSWP処理装置の構成を模式的に示す縦断面図(Y−Z面切断)である。
小孔103aの内径は、防着板103の厚さ以下に設定され、また、図3(b)に示されるように、小孔103aの開口部103bには面取り加工が施されている。
ガス噴出孔21b,22bの多段配置により、複数のガス噴出孔22bから均一に噴出される。すなわち、シャワーヘッド20から被処理基板Sに対して材料ガスが均等に供給される。
図6は、実施の形態によるSWP処理装置におけるチャンバ内部の反応過程を示す模式図である。図6では、シャワーヘッド10Aのみが図示されているが、実際は、図2または図5のように複数のシャワーヘッド10A,10B,20が配置されている。図6で説明するのは、シリコン窒化膜の成膜過程の例であり、プロセスガスとしてN2ガス、H2ガス、Arガスを用い、材料ガスとしてSiH4ガス、NH3ガスを用い、チャンバ1内の圧力を1〜100Paの範囲の所定圧力に設定する。ガスの導入比率やチャンバ1内の圧力などは適宜選択する。
領域2は、生成された窒素ラジカルの拡散領域である。生成されたラジカル種は、被処理基板Sの方向、つまり図6中、下方向に拡散し、シャワーヘッド10A,10B,20に到達するまでに十分均一に分布している。窒素ラジカルは、各シャワーヘッドの間を通過し、さらに下方向に拡散していく。この領域に、シャワーヘッド10A,10B,20からSiH4ガスとNH3ガスを上述したように均一に放出する。
領域4は、シリコン窒化膜の形成可能領域である。
領域5では、被処理基板Sまで到達した窒化シリコン分子が基板表面に堆積する。窒化シリコン分子は、基板ホルダー5に組み込まれたヒータ5aにより加熱された被処理基板Sの表面温度により、マイグレーションを起こし、最終的に薄膜の膜質(結晶性、屈折率、内部応力など)が決定される。
(1)シャワーヘッド10A,10Bの第1室11および第2室12の順に材料ガスを送出するとき、第1室11、第2室12と多段に配置したことで、ガス噴出孔12bから被処理基板Sに対して材料ガスを均一に供給することができる。シャワーヘッド20も同様の作用効果を奏する。
(2)シャワーヘッド10A,10Bのガス噴出孔11bと12bとを図3(a)の上下方向で一列に並ばないようにずらして配置することにより、第2室12のガス圧力分布の均一性が更に向上し、被処理基板Sに対して材料ガス供給の均一化を一層向上させることができる。シャワーヘッド20も同様の作用効果を奏する。
(3)シャワーヘッド10A,10Bを軸廻りに回転させることにより、ガス噴出方向を変えることができるので、他のシャワーヘッドによるガス供給状態を考慮して、被処理基板S上でのガス濃度分布の均一化を一層図ることができる。
(4)シャワーヘッド20を、チャンバ1内で水平の両方向にガスを噴出するように構成したので、隣接するシャワーヘッド10A,10Bとの間にも十分に材料ガスを供給でき、被処理基板S上でのガス濃度分布の均一化を図ることができる。
(5)シャワーヘッド10A,10Bの分散板12aの外表面に防着板103を配設することにより、分散板12aへの反応生成物の付着を防止でき、分散板12aのメンテナンス頻度を低減できる。つまり、防着板103の交換だけで済み、分散板12aのクリーニングや交換の回数が減る。また、小孔103aの孔径を防着板103の厚さ以下に設定しているので、ローディング効果を利用でき、ガス噴出孔12bの目詰まりを防止することができる。シャワーヘッド20の防着板203についても同様の作用効果を奏する。
(6)上記(1)〜(4)の効果により、SWP処理装置100は、被処理基板Sに対して均一なCVD成膜が可能となり、膜厚、膜質が均一な薄膜が得られる。
(7)複数のシャワーヘッド10A,10B,20を並設するとともに、シャワーヘッド毎にマスフローコントローラを設けてガス供給量やガスG1,G2の混合比率を細かく制御するようにした。その結果、被処理基板S上でのガス濃度分布の均一性が向上するので、プラズマの大面積化、基板の大型化にも対応できる。
図7は、SWP処理装置100Aを模式的に示す縦断面図である。図8は、図7のSWP処理装置100Aの概略構成を示す平面図であり、複数のシャワーヘッド10C,10D,20Aへの材料ガスの供給経路を示すものである。図7および図8で説明する変形例は、上述した実施形態のシャワーヘッド10A,10B,20あるいはSWP処理装置100と下記2点で異なる。
(1)シャワーヘッド10C,10Dは、それぞれ両端にガス導入ポート14A,14Bを有する。また、シャワーヘッド20Aも、両端にガス導入ポート24A,24Bを有する。シャワーヘッド10C,10Dは、ガス導入ポート14A,14Bの外周部をOリング1eに密着させて軸廻りに回転できる構造になっている。なお、シャワーヘッド10C,10Dは同型のものであるが、説明の便宜上、区別して示す。
(2)SWP処理装置100Aは、真空排気口6を覆うように近接配置された排気補正板30を有する。
3:誘電体板 4:プロセスガス導入部
10A〜10D,20,20A:シャワーヘッド
11,21:第1室 11a,21a:分散板
11b,21b:ガス噴出孔 12,22:第2室
12a,22a:分散板 12b,22b:ガス噴出孔
14,14A,14B,24,24A,24B:ガス導入ポート
30:排気補正板 100:SWP処理装置
101,201:取付け部 102,202:ガス噴出部
103,203:防着板 103a,203a:小孔
S:被処理基板
Claims (9)
- 表面波励起プラズマ処理装置のチャンバ内へ処理用ガスを噴出させる噴出管を有するシャワーヘッドであって、
前記噴出管には、その長手軸の方向に延在する1または複数の隔壁によって分割され、前記長手軸の方向に延在する複数段の中空室が設けられ、
前記隔壁には、初段の前記中空室から導入された前記処理用ガスを次段の中空室へ流入させる複数の連通孔が前記長手軸の方向に所定間隔で設けられ、
最終段の中空室には、前記処理用ガスを前記チャンバ内へ噴出させる複数のガス噴出孔が前記長手軸の方向に所定間隔で設けられることを特徴とするシャワーヘッド。 - 請求項1に記載のシャワーヘッドにおいて、
前記ガス噴出孔は、前記長手軸と直交する一方向に前記処理用ガスが噴出するように設けられることを特徴とするシャワーヘッド。 - 請求項2に記載のシャワーヘッドにおいて、
前記噴出管には、前記ガス噴出孔の向きを変更するために前記長手軸の回りに回転可能に前記チャンバに取り付ける取付部が設けられることを特徴とするシャワーヘッド。 - 請求項1に記載のシャワーヘッドにおいて、
前記最終段の中空室は、前記初段の中空室の両側に前記長手軸の方向に延在してそれぞれ設けられ、
前記最終段の中空室の前記ガス噴出孔は、前記長手軸方向と直交して互いに外方に向いた方向にそれぞれ前記処理用ガスを噴出するように設けられることを特徴とするシャワーヘッド。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載のシャワーヘッドにおいて、
最終段の中空室に面して設けられるガス流入孔としての前記連通孔と前記ガス噴出孔、もしくは中間段の中空室に面して設けられるガス流入孔としての前記連通孔とガス流出孔としての前記連通孔とは互いに対向しないように配設されていることを特徴とするシャワーヘッド。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載のシャワーヘッドにおいて、
前記最終段の中空室の前記ガス噴出孔が形成される外面を覆って、前記ガス噴出孔に対向する位置に小孔を有する防着板が配設されることを特徴とするシャワーヘッド。 - 請求項6に記載のシャワーヘッドにおいて、
前記小孔の径は、前記防着板の厚さと寸法が同じか小さいことを特徴とするシャワーヘッド。 - チャンバ内の上部空間で表面波励起プラズマを生成し、請求項1〜7のいずれか一項に記載のシャワーヘッドを水平方向に延在するように配置して前記チャンバ内の下部空間へ処理用ガスを導入し、前記処理用ガスを解離、反応させて各種プラズマ処理を行うことを特徴とする表面波励起プラズマ処理装置。
- 請求項8に記載の表面波励起プラズマ処理装置において、
前記チャンバ内の中央部には、請求項4〜7のいずれか一項に記載のシャワーヘッドのうち、前記処理用ガスを互いに外方を向いた方向に噴出させるように構成された第1のシャワーヘッドを配置し、
前記第1のシャワーヘッドの両側には、請求項2,3,5〜7のいずれか一項に記載のシャワーヘッドのうち、前記処理用ガスを一方向に噴出させるように構成された第2のシャワーヘッドをそれぞれ配置することを特徴とする表面波励起プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005145326A JP4506557B2 (ja) | 2005-05-18 | 2005-05-18 | シャワーヘッドおよび表面波励起プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005145326A JP4506557B2 (ja) | 2005-05-18 | 2005-05-18 | シャワーヘッドおよび表面波励起プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006324400A true JP2006324400A (ja) | 2006-11-30 |
JP4506557B2 JP4506557B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=37543864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005145326A Expired - Fee Related JP4506557B2 (ja) | 2005-05-18 | 2005-05-18 | シャワーヘッドおよび表面波励起プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4506557B2 (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070711 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091020 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100119 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100316 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100419 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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