JP2006324076A - Glass panel, its manufacturing method, and plasma display panel using it - Google Patents
Glass panel, its manufacturing method, and plasma display panel using it Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006324076A JP2006324076A JP2005144833A JP2005144833A JP2006324076A JP 2006324076 A JP2006324076 A JP 2006324076A JP 2005144833 A JP2005144833 A JP 2005144833A JP 2005144833 A JP2005144833 A JP 2005144833A JP 2006324076 A JP2006324076 A JP 2006324076A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lithium
- plasma display
- display panel
- glass
- glass panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
Description
本発明は、ＣＶＤ法により、ガラス基板の表面に、リチウム、ホウ素、アルミニウム、及びリンから選ばれる１種以上の金属酸化物と酸化ケイ素を含む誘電体膜を形成させたガラスパネル及びその製造方法、このガラスパネルを用いたプラズマディスプレイパネルに関するものである。 The present invention relates to a glass panel in which a dielectric film containing one or more metal oxides selected from lithium, boron, aluminum, and phosphorus and silicon oxide is formed on the surface of a glass substrate by a CVD method, and a method for manufacturing the same The present invention relates to a plasma display panel using the glass panel.
大画面薄型テレビ等に用いられるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、２枚の薄いガラスパネル（前面ガラスパネル、背面ガラスパネル）を、その間隙に設けられた隔壁（リブ）を介して互いに平行となるように配置し、２枚のガラスパネルと隔壁からなる多数の微小空間内に放電用のガスを封入した構成である。一般的に前面ガラスパネルは、ガラス基板の表面に電極が設けられ、さらに誘電体膜等が被覆されており、背面ガラスパネルと隔壁の表面には蛍光体が設けられている。プラズマディスプレイパネルは、ガス放電によって発生した紫外線を蛍光体に当てることによって可視光線に変換し、これを取出す仕組みになっている。 A plasma display panel (PDP) used for a large-screen thin TV or the like is made by paralleling two thin glass panels (a front glass panel and a rear glass panel) through partition walls (ribs) provided in a gap between them. The discharge gas is sealed in a large number of minute spaces composed of two glass panels and partition walls. In general, the front glass panel is provided with an electrode on the surface of a glass substrate and further covered with a dielectric film or the like, and a phosphor is provided on the surfaces of the rear glass panel and the partition walls. The plasma display panel has a mechanism in which ultraviolet light generated by gas discharge is converted into visible light by applying it to a phosphor and taken out.
前面ガラスパネルの誘電体膜は、例えば酸化ケイ素のほか、酸化ホウ素、酸化アルミニウム等を含む誘電体ガラスを粉砕し、バインダー、可塑剤等を加えて調製したペーストを、ガラス基板の表面に塗布または印刷して乾燥させた後、５００〜６００℃の温度で焼成することにより得られる。
また、隔壁は、例えば前記と同様に調製したペーストを、ガラス基板の表面に塗布または印刷、乾燥、焼成して誘電体層（感光性ガラス層）を形成させた後、パターンマスクを設置し、露光、現像して不要部分を除去することにより得られる。
The dielectric film of the front glass panel is, for example, crushed dielectric glass containing boron oxide, aluminum oxide, etc. in addition to silicon oxide, and a paste prepared by adding a binder, a plasticizer, etc. is applied to the surface of the glass substrate or After printing and drying, it is obtained by firing at a temperature of 500 to 600 ° C.
In addition, the partition wall, for example, a paste prepared in the same manner as described above is applied or printed, dried, and fired on the surface of the glass substrate to form a dielectric layer (photosensitive glass layer), and then a pattern mask is installed. It is obtained by removing unnecessary portions by exposure and development.
従来から、プラズマディスプレイパネルに使用されるガラスパネルの誘電体膜等は、組成、厚みの均一性向上等を目的として、例えば次のような特許文献に記載された研究開発等が行なわれてきた。
しかしながら、従来から行なわれているペーストをガラス基板の表面に塗布または印刷する方法では、ある程度までは誘電体膜等の均一性を向上させることが可能であるが、工業的に極めて均一なガラスパネルを製造するには限界があった。
従って、本発明が解決しようとする課題は、２枚のガラスパネルと隔壁からなる複数の空間内に、放電用のガスを封入してなるプラズマディスプレイパネルにおいて、ガラス基板の表面に極めて均一な誘電体膜を形成させたガラスパネル及びその製造方法、それを用いたプラズマディスプレイパネルを提供することである。
However, the conventional method of applying or printing the paste on the surface of the glass substrate can improve the uniformity of the dielectric film or the like to some extent, but it is an industrially extremely uniform glass panel. There were limits to manufacturing.
Therefore, the problem to be solved by the present invention is that in a plasma display panel in which a discharge gas is sealed in a plurality of spaces composed of two glass panels and barrier ribs, a very uniform dielectric is formed on the surface of the glass substrate. A glass panel having a body film formed thereon, a method for manufacturing the same, and a plasma display panel using the same.
本発明者らは、これらの課題を解決すべく鋭意検討した結果、リチウムのアルコキシド化合物を有機溶媒に溶解した溶液、リチウムのカルボン酸化合物を有機溶媒に溶解した溶液、ホウ素のアルコキシド化合物、アルミニウムのアルコキシド化合物、及びリンのアルコキシド化合物から選ばれる１種以上の化合物と、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランは、容易に均一に混合できること、及び、これらの混合物を原料として用い、ＣＶＤ法により、ガラス基板の表面に、組成、厚みの均一性が極めて優れた誘電体膜を形成できること等を見出し本発明に到達した。 As a result of intensive studies to solve these problems, the present inventors have found that a solution in which a lithium alkoxide compound is dissolved in an organic solvent, a solution in which a lithium carboxylic acid compound is dissolved in an organic solvent, a boron alkoxide compound, aluminum One or more compounds selected from alkoxide compounds and phosphorus alkoxide compounds and tetramethoxysilane or tetraethoxysilane can be easily and uniformly mixed, and a glass substrate is formed by CVD using these mixtures as raw materials. The inventors have found that a dielectric film having extremely excellent composition and thickness uniformity can be formed on the surface of the film, and arrived at the present invention.
すなわち本発明は、リチウムのアルコキシド化合物、リチウムのカルボン酸化合物、ホウ素のアルコキシド化合物、アルミニウムのアルコキシド化合物、及びリンのアルコキシド化合物から選ばれる１種以上の化合物と、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランからなる原料を用いて、ＣＶＤ法により、ガラス基板の表面に、リチウム、ホウ素、アルミニウム、及びリンから選ばれる１種以上の金属酸化物と酸化ケイ素を含む誘電体膜を形成させたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルのガラスパネルである。 That is, the present invention comprises one or more compounds selected from lithium alkoxide compounds, lithium carboxylic acid compounds, boron alkoxide compounds, aluminum alkoxide compounds, and phosphorus alkoxide compounds, and tetramethoxysilane or tetraethoxysilane. A dielectric film containing at least one metal oxide selected from lithium, boron, aluminum, and phosphorus and silicon oxide is formed on the surface of a glass substrate by a CVD method using a raw material. It is a glass panel of a plasma display panel.
また、本発明は、リチウムのアルコキシド化合物、リチウムのカルボン酸化合物、ホウ素のアルコキシド化合物、アルミニウムのアルコキシド化合物、及びリンのアルコキシド化合物から選ばれる１種以上の化合物と、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランからなる原料を、気化させて、ＣＶＤ法により、ガラス基板の表面に、リチウム、ホウ素、アルミニウム、及びリンから選ばれる１種以上の金属酸化物と酸化ケイ素を含む誘電体膜を形成させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルのガラスパネルの製造方法である。 The present invention also includes at least one compound selected from lithium alkoxide compounds, lithium carboxylic acid compounds, boron alkoxide compounds, aluminum alkoxide compounds, and phosphorus alkoxide compounds, and tetramethoxysilane or tetraethoxysilane. Vaporizing the raw material, and forming a dielectric film containing one or more metal oxides selected from lithium, boron, aluminum, and phosphorus and silicon oxide on the surface of the glass substrate by CVD. It is a manufacturing method of the glass panel of said plasma display panel.
また、本発明は、前面ガラスパネル、背面ガラスパネル、及び該２枚のガラスパネル間に設けられた隔壁からなる複数の空間内に、放電用のガスを封入してなるプラズマディスプレイパネルであって、該２枚のガラスパネルのうち少なくとも１枚のガラスパネルは、前記に記載のガラスパネルを用いたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。 The present invention also provides a plasma display panel in which a discharge gas is sealed in a plurality of spaces including a front glass panel, a rear glass panel, and a partition provided between the two glass panels. In addition, at least one of the two glass panels is a plasma display panel using the glass panel described above.
従来から行なわれているペーストを用いた成膜方法では、誘電体膜の均一性に限界があったが、本発明のＣＶＤ法による成膜方法では、ガラス基板に極めて組成、厚みが均一な誘電体膜を容易に成膜させることが可能である。その結果、誘電体膜が緻密な構成となり、ガラス基板と誘電体膜の境面、電極と誘電体膜の境面の強度が向上し剥がれ難くなった。また、ペーストを用いないので焼成によるガラス基板の黄変が発生する虞がない。これらにより、高品質、高純度のガラスパネル、プラズマディスプレイパネルが得られるようになった。 The conventional deposition method using a paste has a limitation on the uniformity of the dielectric film. However, the CVD method of the present invention has a dielectric layer with a very uniform composition and thickness on the glass substrate. A body film can be easily formed. As a result, the dielectric film has a dense structure, and the strength of the boundary surface between the glass substrate and the dielectric film and the boundary surface between the electrode and the dielectric film is improved and is difficult to peel off. In addition, since no paste is used, there is no possibility of yellowing of the glass substrate due to firing. As a result, high-quality and high-purity glass panels and plasma display panels can be obtained.
本発明のガラスパネルは、表面に誘電体膜を形成させたプラズマディスプレイパネル用の前面ガラスパネル及び／または背面ガラスパネルのほか、誘電体層（感光性ガラス層）を形成させた後、パターンマスクを設置し、露光、現像して不要部分を除去することにより得られる隔壁を製造するためのガラスパネルに適用される。また、本発明のプラズマディスプレイパネルは、２枚のガラスパネルを、その間隙に設けられた隔壁を介して互いに平行となるように配置し、これらのガラスパネルと隔壁からなる多数の微小空間内に放電用のガスを封入した構成を有するプラズマディスプレイパネルに適用される。 The glass panel of the present invention comprises a pattern mask after forming a dielectric layer (photosensitive glass layer) in addition to a front glass panel and / or a rear glass panel for a plasma display panel having a dielectric film formed on the surface. Is applied to a glass panel for manufacturing a partition wall obtained by removing unnecessary portions by exposure and development. In the plasma display panel of the present invention, two glass panels are arranged so as to be parallel to each other through a partition provided in a gap between them, and in a large number of minute spaces composed of these glass panels and the partition. The present invention is applied to a plasma display panel having a configuration in which a discharge gas is sealed.
本発明のガラスパネルは、リチウムのアルコキシド化合物、リチウムのカルボン酸化合物、ホウ素のアルコキシド化合物、アルミニウムのアルコキシド化合物、及びリンのアルコキシド化合物から選ばれる１種以上の化合物と、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランを原料の構成成分として用いるものであるが、原料の各構成成分の詳細は次のようなものである。 The glass panel of the present invention comprises at least one compound selected from lithium alkoxide compounds, lithium carboxylic acid compounds, boron alkoxide compounds, aluminum alkoxide compounds, and phosphorus alkoxide compounds, and tetramethoxysilane or tetraethoxysilane. Is used as a constituent of the raw material, and the details of each constituent of the raw material are as follows.
すなわち、リチウムのアルコキシド化合物としては、メトキシリチウム、エトキシリチウム、ｎ‐プロポキシリチウム、ｉｓｏ‐プロポキシリチウム、ｎ‐ブトキシリチウム、ｉｓｏ‐ブトキシリチウム、ｓｅｃ‐ブトキシリチウム、ｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムを例示することができる。また、リチウムのカルボン酸化合物としては、蟻酸リチウム、酢酸リチウム、プロピオン酸リチウム等を例示することができる。 That is, examples of lithium alkoxide compounds include methoxylithium, ethoxylithium, n-propoxylithium, iso-propoxylithium, n-butoxylithium, iso-butoxylithium, sec-butoxylithium, and tert-butoxylithium. . Examples of lithium carboxylic acid compounds include lithium formate, lithium acetate, and lithium propionate.
また、ホウ素のアルコキシド化合物としては、トリメトキシホウ素、トリエトキシホウ素を、アルミニウムのアルコキシド化合物としては、トリｉｓｏ‐プロポキシアルミニウム、トリｓｅｃ‐ブトキシアルミニウムを、リンのアルコキシド化合物としては、トリメトキシリン、トリメトキシホスフィンオキシドを例示することができる。
これらの原料の構成成分のうち、リチウムのアルコキシド化合物及びリチウムのカルボン酸化合物は、常温、常圧で固体なので、単独で気化させる場合は、エーテル、ケトン、エステル、アルコール、炭化水素等の有機溶媒に溶解させる必要がある。他のものは、常温、常圧で液体なので、そのまま使用しても適宜有機溶媒を加えて使用してもよい。
尚、比較的に多種類の構成成分を使用する場合は、有機溶媒を多く使用するか、気化供給の際に加温（室温〜約６０℃）することが好ましい。
In addition, boron alkoxide compounds include trimethoxyboron and triethoxyboron, aluminum alkoxide compounds include triiso-propoxyaluminum and trisec-butoxyaluminum, and phosphorus alkoxide compounds include trimethoxyline and trimethoxyboron. A methoxy phosphine oxide can be illustrated.
Among the constituent components of these raw materials, lithium alkoxide compounds and lithium carboxylic acid compounds are solid at normal temperature and pressure, so when vaporizing alone, organic solvents such as ethers, ketones, esters, alcohols, hydrocarbons, etc. Need to be dissolved in Others are liquids at room temperature and normal pressure, so they may be used as they are or with appropriate addition of an organic solvent.
In addition, when using a comparatively many types of structural component, it is preferable to use many organic solvents or to heat at the time of vaporization supply (room temperature-about 60 degreeC).
前記のエーテルとしては、プロピルエーテル、メチルブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、酸化トリメチレン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等を、ケトンとしては、アセトン、エチルメチルケトン、iso-プロピルメチルケトン、iso-ブチルメチルケトン等を、エステルとしては、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸プロピル、酪酸メチル、酪酸エチル等を、アルコールとしては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等を、炭化水素としては、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等を例示することができる。 Examples of the ether include propyl ether, methyl butyl ether, ethyl propyl ether, ethyl butyl ether, trimethylene oxide, tetrahydrofuran, and tetrahydropyran. Examples of the ketone include acetone, ethyl methyl ketone, iso-propyl methyl ketone, and iso-butyl methyl ketone. As the ester, ethyl formate, propyl formate, isobutyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, methyl propionate, propyl propionate, methyl butyrate, ethyl butyrate, etc. Examples of hydrocarbons include methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, and butyl alcohol. Examples of hydrocarbons include hexane, heptane, and octane.
また、本発明に使用される前記の原料においては、さらに界面活性剤を添加することもできる。界面活性剤を添加する場合は、全液量に対して、通常は５ｗｔ％以下、好ましくは１ｗｔ％以下となるように添加される。
また、本発明の原料は、実質的に前述のような成分からなる原料であり、混合後の原料の均一性、誘電体膜の品質に悪影響を及ぼさないその他の成分が少量含まれている場合であっても、それを用いてＣＶＤ法により、ガラス基板の表面に、誘電体膜を形成させたガラスパネルは本発明の範囲内である。尚、このような成分は、原料全体に対して、通常は３０ｗｔ％以下、好ましくは１０ｗｔ％以下、さらに好ましくは５ｗｔ％以下である。
In addition, a surfactant can be further added to the raw material used in the present invention. In the case of adding a surfactant, it is usually added to 5 wt% or less, preferably 1 wt% or less with respect to the total liquid amount.
In addition, the raw material of the present invention is a raw material substantially composed of the above-described components, and contains a small amount of other components that do not adversely affect the uniformity of the raw material after mixing and the quality of the dielectric film. Even so, a glass panel in which a dielectric film is formed on the surface of a glass substrate by using the CVD method is within the scope of the present invention. In addition, such a component is 30 wt% or less normally with respect to the whole raw material, Preferably it is 10 wt% or less, More preferably, it is 5 wt% or less.
本発明において、原料の各構成成分の全部を混合した溶液、あるいは原料の各構成成分の一部を混合した溶液は、通常は容易に均一に調製することが可能であり、室温または室温近辺の温度（０〜４０℃）、常圧または常圧近辺の圧力（８０〜１２０ｋＰａ）、不活性ガスの雰囲気下で安定である。
本発明における原料の気化は、例えば図１〜図３に示すような気化供給装置によって行なわれる。前記の原料を気化する際は、原料の各構成成分を予め混合して図１に示すような気化供給装置を用いて気化することができる。また、原料の各構成成分を予め混合することなく、または一部の構成成分を予め混合して、図２あるいは図３に示すような気化供給装置を用いて気化し、混合は後行程とすることもできる。
In the present invention, a solution in which all of the constituent components of the raw material are mixed, or a solution in which a part of each constituent component of the raw material is mixed can usually be easily and uniformly prepared at room temperature or near room temperature. It is stable at a temperature (0 to 40 ° C.), normal pressure or a pressure in the vicinity of normal pressure (80 to 120 kPa), and an inert gas atmosphere.
The vaporization of the raw material in the present invention is performed by a vaporization supply apparatus as shown in FIGS. When vaporizing the raw material, the constituent components of the raw material can be mixed in advance and vaporized using a vaporization supply apparatus as shown in FIG. In addition, each component of the raw material is not mixed in advance or part of the components is mixed in advance and vaporized using a vaporization supply apparatus as shown in FIG. 2 or FIG. You can also.
ＣＶＤ法による誘電体膜の成膜において、原料の気化供給装置は、通常は液体マスフローコントローラー等の液体流量制御器５、気化器７、ＣＶＤ装置８が設置されるほか、必要に応じて脱ガス器４が設けられる。気化器７にはさらに、気体流量制御器９、キャリアガス供給ライン１０が接続され、断熱材６が設けられる。また、ＣＶＤ装置８にはさらに、ガス予熱器１１、酸素供給ライン１２が接続される。誘電体膜の成膜の際には、例えば、気化器内、ＣＶＤ装置内を所定の温度、圧力に設定した後、原料容器３から不活性ガスの圧力により、原料２が気化器７に供給されて気化され、さらにＣＶＤ装置８に供給される。また、酸素供給ライン１２から酸素が供給される。本発明においては、減圧ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法のいずれによってでも行なうことができる。成膜の際は、均一性に優れた原料を、均一に気化することができるので、ガラス基板上に高品質、高純度の誘電体膜が得られる。 In the formation of a dielectric film by the CVD method, the material vaporization supply device is usually provided with a liquid flow rate controller 5, such as a liquid mass flow controller, a vaporizer 7, and a CVD device 8, and degassed as necessary. A vessel 4 is provided. Further, a gas flow rate controller 9 and a carrier gas supply line 10 are connected to the vaporizer 7 and a heat insulating material 6 is provided. Further, a gas preheater 11 and an oxygen supply line 12 are connected to the CVD apparatus 8. When forming the dielectric film, for example, after setting the inside of the vaporizer and the CVD apparatus to a predetermined temperature and pressure, the raw material 2 is supplied from the raw material container 3 to the vaporizer 7 by the pressure of the inert gas. Then, it is vaporized and further supplied to the CVD apparatus 8. Further, oxygen is supplied from the oxygen supply line 12. In the present invention, it can be carried out by either a low pressure CVD method or a normal pressure CVD method. Since the raw material having excellent uniformity can be vaporized uniformly during the film formation, a high quality and high purity dielectric film can be obtained on the glass substrate.
尚、本発明において使用される気化器７としては、特に制限されることはないが、例えば、図４に示すように、原料供給部１５の内部が、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂等の耐腐食性合成樹脂１８で構成される気化器、気化室１４に液体原料を噴出して気化させるための噴出管１９が、液体原料を噴出する内管とキャリアガスを噴出する外管からなる二重構造の噴出管である気化器、あるいは、ＣＶＤ原料供給部の側面部に冷却水を流す手段２０を有する気化器等を挙げることができる。また、本発明においては、１種類の液体原料を気化する気化器のほか、２種類以上の液体原料を同時に気化する気化器を使用することができる。 The vaporizer 7 used in the present invention is not particularly limited. For example, as shown in FIG. 4, the inside of the raw material supply unit 15 is resistant to fluorine resin, polyimide resin, or the like. A vaporizer composed of a corrosive synthetic resin 18, a jet pipe 19 for jetting and vaporizing a liquid raw material into the vaporization chamber 14, a double pipe comprising an inner pipe for jetting the liquid raw material and an outer pipe for jetting a carrier gas. A vaporizer which is a jet pipe having a structure, a vaporizer having means 20 for flowing cooling water to the side surface portion of the CVD raw material supply unit, and the like can be exemplified. Moreover, in this invention, the vaporizer which vaporizes two or more types of liquid raw materials simultaneously other than the vaporizer which vaporizes one type of liquid raw material can be used.
また、本発明において使用されるＣＶＤ装置８としても、特に制限されることはないが、図５に示すように、複数の原料ガス供給管２１を内蔵するＣＶＤ装置が好ましい。ＣＶＤ装置８は、通常は原料ガス供給管２１ほか、シャワーヘッド、微多孔膜等からなるガス供給口２２、維持電極またはアドレス電極が形成された大面積のガラス基板２３を設置するためのサセプタ２４、ヒーター１７等が備えられる。
以上のような装置により成膜されるガラス基板の表面の誘電体膜は、リチウム、ホウ素、アルミニウム、及びリンから選ばれる１種以上の金属酸化物と酸化ケイ素を含むものであり、これらの誘電体膜全体に対する含有率は、通常は７０ｗｔ％以上、好ましくは９０ｗｔ％以上、さらに好ましくは９５ｗｔ％以上である。また、酸化ケイ素の誘電体膜全体に対する含有率は、通常は５０ｗｔ％以上である。
Also, the CVD apparatus 8 used in the present invention is not particularly limited, but as shown in FIG. 5, a CVD apparatus having a plurality of source gas supply pipes 21 is preferable. The CVD apparatus 8 normally has a source gas supply pipe 21, a gas supply port 22 made of a shower head, a microporous film, etc., and a susceptor 24 for installing a large-area glass substrate 23 on which sustain electrodes or address electrodes are formed. , A heater 17 and the like are provided.
The dielectric film on the surface of the glass substrate formed by the apparatus as described above contains at least one metal oxide selected from lithium, boron, aluminum, and phosphorus and silicon oxide. The content of the whole body membrane is usually 70 wt% or more, preferably 90 wt% or more, and more preferably 95 wt% or more. Moreover, the content rate with respect to the whole dielectric film of a silicon oxide is 50 wt% or more normally.
尚、本発明のガラスパネルは、プラズマディスプレイパネルの前面ガラスパネル及び／または背面ガラスパネルに用いられるほか、ガラス基板の表面に誘電体層（感光性ガラス層）を形成させた後、誘電体層の表面にパターンマスクを設置し、露光、現像して不要部分を除去することにより、ガラス基板（背面ガラスパネル）の表面に隔壁を製造することができる。
本発明のプラズマディスプレイパネルは、前面ガラスパネル、背面ガラスパネルのうち、少なくとも１枚のガラスパネルとして前述のガラスパネルを用いたものであり、図６に示すような構成からなるプラズマディスプレイパネルを例示することができる。
The glass panel of the present invention is used for a front glass panel and / or a rear glass panel of a plasma display panel, and after forming a dielectric layer (photosensitive glass layer) on the surface of a glass substrate, the dielectric layer A partition wall can be manufactured on the surface of the glass substrate (rear glass panel) by installing a pattern mask on the surface of the substrate, exposing and developing to remove unnecessary portions.
The plasma display panel of the present invention uses the above-described glass panel as at least one of the front glass panel and the back glass panel, and exemplifies the plasma display panel having the configuration as shown in FIG. can do.
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。 EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited by these.
（原料の調製）
内径８ｃｍ、高さ１０ｃｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の容器に、不活性ガス供給ラインから窒素を供給して、容器の内部を窒素雰囲気にした。次に、この容器に、ｔｅｒｔ‐ブトキシリチウム２０ｇ、テトラエトキシシラン４０ｇ、及びオクタン４０ｇを投入してこれらを混合し、２５℃、常圧の状態で混合液を撹拌して原料を調製した。
(Preparation of raw materials)
Nitrogen was supplied from an inert gas supply line to a stainless steel (SUS316) container having an inner diameter of 8 cm and a height of 10 cm to make the interior of the container a nitrogen atmosphere. Next, 20 g of tert-butoxylithium, 40 g of tetraethoxysilane, and 40 g of octane were added to this container and mixed, and the mixture was stirred at 25 ° C. and normal pressure to prepare a raw material.
（原料の均一性調査）
前記のような条件下を維持しながら、混合してから、０．５時間後、２時間後、１０時間後、２４時間後、１００時間後に、原料をサンプリングして、均一に混合されているか否か調査した。その結果を表１に示す。
(Investigation of uniformity of raw materials)
Whether the raw materials are sampled and mixed uniformly after 0.5 hours, 2 hours, 10 hours, 24 hours, and 100 hours after mixing while maintaining the above conditions Investigate whether or not. The results are shown in Table 1.
（実施例２〜８）
実施例１の原料の調製において、ｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムの替わりに、各々メトキシリチウム、エトキシリチウム、ｎ‐プロポキシリチウム、ｉｓｏ‐プロポキシリチウム、ｎ‐ブトキシリチウム、ｉｓｏ‐ブトキシリチウム、ｓｅｃ‐ブトキシリチウムを用いたほかは実施例１と同様にして原料を調製した。これらの原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
(Examples 2 to 8)
In the preparation of the raw material of Example 1, methoxylithium, ethoxylithium, n-propoxylithium, iso-propoxylithium, n-butoxylithium, iso-butoxylithium and sec-butoxylithium were used instead of tert-butoxylithium, respectively. A raw material was prepared in the same manner as in Example 1 except that. Table 1 shows the results of examining the uniformity of these raw materials in the same manner as in Example 1.
（実施例９）
実施例１の原料の調製において、テトラエトキシシランの替わりにテトラメトキシシランを用いたほかは実施例１と同様にして原料を調製した。この原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
Example 9
In the preparation of the raw material of Example 1, the raw material was prepared in the same manner as in Example 1 except that tetramethoxysilane was used instead of tetraethoxysilane. Table 1 shows the results of examining the uniformity of this raw material in the same manner as in Example 1.
（実施例１０〜１２）
実施例１の原料の調製において、オクタンの替わりに、各々アセトン、酢酸エチル、エチルアルコールを用いたほかは実施例１と同様にして原料を調製した。この原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
(Examples 10 to 12)
In the preparation of the raw material of Example 1, the raw material was prepared in the same manner as in Example 1 except that acetone, ethyl acetate, and ethyl alcohol were used instead of octane. Table 1 shows the results of examining the uniformity of this raw material in the same manner as in Example 1.
（実施例１３）
内径８ｃｍ、高さ１０ｃｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の容器に、不活性ガス供給ラインから窒素を供給して、容器の内部を窒素雰囲気にした。次に、この容器に、トリメトキシホウ素３０ｇ及びテトラエトキシシラン７０ｇを投入してこれらを混合し、２５℃、常圧の状態で混合液を撹拌して原料を調製した。
この原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
(Example 13)
Nitrogen was supplied from an inert gas supply line to a stainless steel (SUS316) container having an inner diameter of 8 cm and a height of 10 cm to make the interior of the container a nitrogen atmosphere. Next, 30 g of trimethoxyboron and 70 g of tetraethoxysilane were added to this container and mixed together, and the mixture was stirred at 25 ° C. and normal pressure to prepare a raw material.
Table 1 shows the results of examining the uniformity of this raw material in the same manner as in Example 1.
（実施例１４、１５）
実施例１３の原料の調製において、トリメトキシホウ素の替わりに、各々トリｉｓｏ‐プロポキシアルミニウム、トリメトキシリンを用いたほかは実施例１３と同様にして原料を調製した。この原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
(Examples 14 and 15)
In the preparation of the raw material of Example 13, the raw material was prepared in the same manner as in Example 13 except that triiso-propoxyaluminum and trimethoxyline were used instead of trimethoxyboron. Table 1 shows the results of examining the uniformity of this raw material in the same manner as in Example 1.
（実施例１６）
内径８ｃｍ、高さ１０ｃｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の容器に、不活性ガス供給ラインから窒素を供給して、容器の内部を窒素雰囲気にした。次に、この容器に、トリメトキシホウ素５ｇ、トリｉｓｏ‐プロポキシアルミニウム１０ｇ、トリメトキシリン１０ｇ、及びテトラエトキシシラン７５ｇを投入してこれらを混合し、２５℃、常圧の状態で混合液を撹拌して原料を調製した。
この原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
(Example 16)
Nitrogen was supplied from an inert gas supply line to a stainless steel (SUS316) container having an inner diameter of 8 cm and a height of 10 cm to make the interior of the container a nitrogen atmosphere. Next, 5 g of trimethoxyboron, 10 g of triiso-propoxyaluminum, 10 g of trimethoxyline, and 75 g of tetraethoxysilane are added to this container and mixed, and the mixture is stirred at 25 ° C. and normal pressure. The raw material was prepared.
Table 1 shows the results of examining the uniformity of this raw material in the same manner as in Example 1.
（実施例１〜１６の結果）
表１の時間の経過による均一性から明らかなように、本発明のリチウムのアルコキシド化合物、リチウムのカルボン酸化合物、ホウ素のアルコキシド化合物、アルミニウムのアルコキシド化合物、及びリンのアルコキシド化合物から選ばれる１種以上の化合物と、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランからなる原料（実施例１〜１６）は、混合後１０時間で均一になり実用的であった。
(Results of Examples 1 to 16)
As is apparent from the uniformity over time in Table 1, one or more selected from the lithium alkoxide compounds, lithium carboxylic acid compounds, boron alkoxide compounds, aluminum alkoxide compounds, and phosphorus alkoxide compounds of the present invention. And a raw material (Examples 1 to 16) comprising tetramethoxysilane or tetraethoxysilane was practical and uniform in 10 hours after mixing.
（実施例１７）
（気化器の製作）
内部がフッ素系合成樹脂（ＰＦＡ）で構成され、気化器外部との接触部がステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）で構成される原料供給部１５を製作した。フッ素系合成樹脂の構成部１８は、外径１６ｍｍ、高さ３４．２ｍｍの円柱状であり、その外側のステンレス鋼の厚みは２．０ｍｍである。また、先端が二重構造であり、内管が原料の流路、外管がキャリアガスの流路である噴出管１９を設けた。また、原料供給部の側面には、冷却水を流してＣＶＤ原料供給部を冷却することができる冷却管２０を設けた。
前記の原料供給部１５のほか、気化ガス排出口１６、ヒーター１７を有する図４に示すようなステンレス製（ＳＵＳ３１６）の気化器７を製作した。尚、気化室１４は、内径が６５ｍｍ、高さが９２．５ｍｍの円柱状で、底部の突起は高さ２７．５ｍｍであり、また気化ガス排出口１６は底部から１５ｍｍの高さに設けた。
(Example 17)
(Production of vaporizer)
A raw material supply unit 15 was manufactured, in which the inside was made of a fluorine-based synthetic resin (PFA) and the contact portion with the outside of the vaporizer was made of stainless steel (SUS316). The component 18 of the fluorine-based synthetic resin has a cylindrical shape with an outer diameter of 16 mm and a height of 34.2 mm, and the thickness of the outer stainless steel is 2.0 mm. In addition, a jet pipe 19 having a double-ended tip, an inner pipe as a raw material flow path, and an outer pipe as a carrier gas flow path is provided. Moreover, the cooling pipe 20 which can flow a cooling water and can cool a CVD raw material supply part was provided in the side surface of the raw material supply part.
A stainless steel (SUS316) vaporizer 7 as shown in FIG. 4 having a vaporized gas discharge port 16 and a heater 17 in addition to the raw material supply unit 15 was manufactured. The vaporization chamber 14 has a cylindrical shape with an inner diameter of 65 mm and a height of 92.5 mm, the bottom protrusion has a height of 27.5 mm, and the vaporized gas discharge port 16 is provided at a height of 15 mm from the bottom. .
（ＣＶＤ装置の製作）
原料ガス供給管２１（内径６．５ｍｍ）が等間隔で縦１０列、横１０列に合計１００個設置され、石英ガラス焼結体からなる微多孔膜製ガス供給口２２、一辺が２００ｍｍの正方形のサセプタ２４、及びヒーター１７等が備えられ、反応室の内部が、幅２２０ｍｍ、奥行き２２０ｍｍ、高さ７０ｍｍである図５に示すようなステンレス製（ＳＵＳ３１６）のＣＶＤ装置８を製作した。
(Production of CVD equipment)
A total of 100 source gas supply pipes 21 (inner diameter 6.5 mm) are installed at equal intervals in 10 rows and 10 rows, a microporous membrane gas supply port 22 made of a sintered quartz glass, a square having a side of 200 mm The stainless steel (SUS316) CVD apparatus 8 as shown in FIG. 5 was manufactured in which a susceptor 24, a heater 17 and the like were provided, and the inside of the reaction chamber had a width of 220 mm, a depth of 220 mm, and a height of 70 mm.
（気化供給装置の製作）
前記の気化器７、ＣＶＤ装置８を、脱ガス器４、液体マスフローコントローラー５、キャリアガス供給ライン１０、酸素供給ライン１２、ガス予熱器１１、気体流量制御器９等と接続し、断熱材６を設けて、図１に示すような気化供給装置を製作した。尚、酸素供給ライン１２は、ＣＶＤ装置の直前で酸素が添加されるように設定した。次に、実施例１の原料が充填された原料容器を接続した。
(Production of vaporization supply device)
The vaporizer 7 and the CVD apparatus 8 are connected to the degasser 4, liquid mass flow controller 5, carrier gas supply line 10, oxygen supply line 12, gas preheater 11, gas flow rate controller 9, etc. The vaporization supply apparatus as shown in FIG. 1 was manufactured. The oxygen supply line 12 was set so that oxygen was added immediately before the CVD apparatus. Next, the raw material container filled with the raw material of Example 1 was connected.
（誘電体膜の製作）
実施例１の原料を用い、前記の気化供給装置を使用して、ＣＶＤ法により、表面の一部に予め電極が形成された縦１５０ｍｍ、横１００ｍｍの長方形のガラス基板上に、リチウムシリケートを主成分とする誘電体膜を以下のようにして成膜した。
気化供給装置内、ＣＶＤ装置内に窒素ガスを供給した後、気化器内を１６０℃、常圧にするとともに、ＣＶＤ装置内を６８０℃、常圧に保持した。次に、実施例１の原料を、液体マスフローコントローラーを用いて、１．０ｇ／ｍｉｎの流量で気化器に供給するとともに、キャリアガス供給ラインから１５０℃に加熱された窒素を、５０００ｍｌ／ｍｉｎの流量で気化器に供給して、原料を気化させＣＶＤ装置に供給した。また、ＣＶＤ装置の直前で１６０℃に加熱された酸素を２０００ｍｌ／ｍｉｎの流量で添加した。
(Production of dielectric film)
Lithium silicate was mainly used on a rectangular glass substrate having a length of 150 mm and a width of 100 mm in which electrodes were previously formed on a part of the surface by the CVD method using the raw material of Example 1 and the vaporization supply apparatus described above. A dielectric film as a component was formed as follows.
After supplying nitrogen gas into the vaporization supply apparatus and the CVD apparatus, the vaporizer was set at 160 ° C. and normal pressure, and the CVD apparatus was held at 680 ° C. and normal pressure. Next, the raw material of Example 1 was supplied to the vaporizer at a flow rate of 1.0 g / min using a liquid mass flow controller, and nitrogen heated to 150 ° C. from the carrier gas supply line was supplied at 5000 ml / min. The raw material was vaporized by supplying it to the vaporizer at a flow rate and supplied to the CVD apparatus. Further, oxygen heated to 160 ° C. was added just before the CVD apparatus at a flow rate of 2000 ml / min.
（誘電体膜の評価）
このようにして得られた誘電体膜を、原子間力顕微鏡により分析した結果、膜厚は３．０μｍであり、高純度で均一なリチウムシリケートを主成分とする誘電体膜が得られていることが確認された。
(Evaluation of dielectric film)
The dielectric film thus obtained was analyzed by an atomic force microscope. As a result, the film thickness was 3.0 μm, and a dielectric film mainly composed of high purity and uniform lithium silicate was obtained. It was confirmed.
（実施例１８）
（原料の調製）
内径８ｃｍ、高さ１０ｃｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の容器に、不活性ガス供給ラインから窒素を供給して、容器の内部を窒素雰囲気にした。次に、この容器に、リチウムのアルコキシド化合物としてｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムを３０ｇ投入し、これに有機溶媒として、オクタンを７０ｇ添加してｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムを溶解し、２５℃、常圧の状態で混合液を撹拌して誘電体膜の原料の構成成分を調製した。２時間後、均一に混合していることが確認された。
(Example 18)
(Preparation of raw materials)
Nitrogen was supplied from an inert gas supply line to a stainless steel (SUS316) container having an inner diameter of 8 cm and a height of 10 cm to make the interior of the container a nitrogen atmosphere. Next, 30 g of tert-butoxylithium as a lithium alkoxide compound is put into this container, and 70 g of octane is added as an organic solvent to dissolve tert-butoxylithium, and mixed at 25 ° C. under normal pressure. The liquid was stirred to prepare the constituent components of the raw material for the dielectric film. After 2 hours, it was confirmed that they were uniformly mixed.
（気化供給装置の製作）
実施例１６の気化器の製作において、原料供給部１５に設置される先端が二重構造の噴出管１９を２個設けたほかは実施例１６と同様にして気化器を製作した。この気化器７、及び実施例１６と同様のＣＶＤ装置８、脱ガス器４、液体マスフローコントローラー５、キャリアガス供給ライン１０、酸素供給ライン１２、ガス予熱器１１、気体流量制御器９等を用いて、図２に示すような気化供給装置を製作した。尚、酸素供給ライン１２は、ＣＶＤ装置の直前で酸素が添加されるように設定した。次に、前記の原料構成成分が充填された原料容器、及びテトラエトキシシランが充填された原料容器を接続した。
(Production of vaporization supply device)
In the manufacture of the vaporizer of Example 16, a vaporizer was manufactured in the same manner as in Example 16 except that the two tip discharge pipes 19 having a double structure provided in the raw material supply unit 15 were provided. Using this vaporizer 7, and the same CVD apparatus 8, degasser 4, liquid mass flow controller 5, carrier gas supply line 10, oxygen supply line 12, gas preheater 11, gas flow rate controller 9, etc. as in Example 16 Thus, a vaporization supply apparatus as shown in FIG. 2 was manufactured. The oxygen supply line 12 was set so that oxygen was added immediately before the CVD apparatus. Next, the raw material container filled with the raw material constituent components and the raw material container filled with tetraethoxysilane were connected.
（誘電体膜の製作）
これらの原料構成成分を用い、前記の気化供給装置を使用して、ＣＶＤ法により、表面の一部に予め電極が形成された縦１５０ｍｍ、横１００ｍｍの長方形のガラス基板上に、リチウムシリケートを主成分とする誘電体膜を以下のようにして成膜した。
気化供給装置内、ＣＶＤ装置内に窒素ガスを供給した後、気化器内を１６０℃、常圧にするとともに、ＣＶＤ装置内を６８０℃、常圧に保持した。次に、ｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムをオクタンに溶解した溶液及びテトラエトキシシランを、液体マスフローコントローラーを用いて、各々０．７５ｇ／ｍｉｎ、１．１５ｇ／ｍｉｎで気化器に供給するとともに、キャリアガス供給ラインから１５０℃に加熱された窒素を、５０００ｍｌ／ｍｉｎの流量で気化器に供給して、これらを気化させＣＶＤ装置に供給した。また、ＣＶＤ装置の直前で１６０℃に加熱された酸素を２０００ｍｌ／ｍｉｎの流量で添加した。
(Production of dielectric film)
Using these raw material components, lithium silicate is mainly formed on a rectangular glass substrate having a length of 150 mm and a width of 100 mm, on which electrodes are previously formed on a part of the surface, by the CVD method using the vaporization supply apparatus. A dielectric film as a component was formed as follows.
After supplying nitrogen gas into the vaporization supply apparatus and the CVD apparatus, the vaporizer was set at 160 ° C. and normal pressure, and the CVD apparatus was held at 680 ° C. and normal pressure. Next, a solution obtained by dissolving tert-butoxylithium in octane and tetraethoxysilane are supplied to the vaporizer at 0.75 g / min and 1.15 g / min, respectively, using a liquid mass flow controller, and a carrier gas supply line Then, nitrogen heated to 150 ° C. was supplied to the vaporizer at a flow rate of 5000 ml / min, and these were vaporized and supplied to the CVD apparatus. Further, oxygen heated to 160 ° C. was added just before the CVD apparatus at a flow rate of 2000 ml / min.
（誘電体膜の評価）
このようにして得られた誘電体膜を、原子間力顕微鏡により分析した結果、膜厚は２．５μｍであり、高純度で均一なリチウムシリケートを主成分とする誘電体膜が得られていることが確認された。
(Evaluation of dielectric film)
The dielectric film thus obtained was analyzed by an atomic force microscope. As a result, the film thickness was 2.5 μm, and a dielectric film mainly composed of high purity and uniform lithium silicate was obtained. It was confirmed.
１ 不活性ガス供給ライン
２ 誘電体膜の原料またはその構成成分
３ 原料容器
４ 脱ガス器
５ 液体流量制御器
６ 断熱材
７ 気化器
８ ＣＶＤ装置
９ 気体流量制御器
１０ キャリアガス供給ライン
１１ ガス予熱器
１２ 酸素供給ライン
１３ ガス混合器
１４ 気化室
１５ 原料供給部
１６ 気化ガス排出口
１７ ヒーター
１８ 合成樹脂構成部
１９ 二重構造の噴出管
２０ 冷却管
２１ 原料ガス供給管
２２ ガス供給口
２３ ガラス基板
２４ サセプタ
２５ 隔壁
２６ 誘電体膜
２７ 蛍光体
２８ 電極
２９ 保護膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Inert gas supply line 2 Dielectric film raw material or its component 3 Raw material container 4 Degasser 5 Liquid flow controller 6 Heat insulating material 7 Vaporizer 8 CVD apparatus 9 Gas flow controller 10 Carrier gas supply line 11 Gas preheating Ventilator 12 Oxygen supply line 13 Gas mixer 14 Vaporization chamber 15 Raw material supply section 16 Vaporized gas discharge port 17 Heater 18 Synthetic resin component 19 Double-structure jet pipe 20 Cooling pipe 21 Raw material gas supply pipe 22 Gas supply port 23 Glass substrate 24 Susceptor 25 Partition 26 Dielectric film 27 Phosphor 28 Electrode 29 Protective film
Claims (15)
15. The plasma according to claim 14, wherein the rear glass panel is formed by installing a pattern mask on the surface of the glass panel according to claim 1, exposing and developing to remove unnecessary portions, thereby forming partition walls. Display panel.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005144833A JP2006324076A (en) | 2005-05-18 | 2005-05-18 | Glass panel, its manufacturing method, and plasma display panel using it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005144833A JP2006324076A (en) | 2005-05-18 | 2005-05-18 | Glass panel, its manufacturing method, and plasma display panel using it |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006324076A true JP2006324076A (en) | 2006-11-30 |
Family
ID=37543600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005144833A Pending JP2006324076A (en) | 2005-05-18 | 2005-05-18 | Glass panel, its manufacturing method, and plasma display panel using it |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2006324076A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1927924A1 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Hitachi, Ltd. | Traceability system, traceability method and traceability program |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547749A (en) * | 1991-01-28 | 1993-02-26 | Kawasaki Steel Corp | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JPH06309925A (en) * | 1993-04-23 | 1994-11-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | Dielectric composition, its manufacture, manufacture of its thin film, and thin-film capacitor |
| JPH0745786A (en) * | 1993-08-02 | 1995-02-14 | Tdk Corp | Composite integrated circuit parts |
| WO1996000758A1 (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-11 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Material for forming silica-base coated insulation film, process for producing the material, silica-base insulation film, semiconductor device, and process for producing the device |
| JPH0971403A (en) * | 1995-09-06 | 1997-03-18 | Hitachi Ltd | Dielectric substance material for gas discharge type display panel and dielectric substance material composition |
| JPH1032190A (en) * | 1996-07-13 | 1998-02-03 | Ricoh Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPH1050834A (en) * | 1996-08-06 | 1998-02-20 | Sony Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPH11195382A (en) * | 1998-01-05 | 1999-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma display panel |
| JP2000203887A (en) * | 1999-01-12 | 2000-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of plasma display panel |
| JP2001167706A (en) * | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Glass substrate for display |
| JP2003013234A (en) * | 2000-12-01 | 2003-01-15 | Japan Pionics Co Ltd | Vaporizer and device for vaporizing/feeding |
| US6617264B1 (en) * | 2002-06-25 | 2003-09-09 | Industrial Technology Research Institute | SOG materials for spacer anodic bonding and method of preparing the same |
| JP2004247068A (en) * | 2003-02-10 | 2004-09-02 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | Gas discharge panel and manufacturing method of the same |
| JP2005314631A (en) * | 2003-10-30 | 2005-11-10 | Japan Pionics Co Ltd | Material for forming insulation film and method for film-forming using the same |
-
2005
- 2005-05-18 JP JP2005144833A patent/JP2006324076A/en active Pending
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547749A (en) * | 1991-01-28 | 1993-02-26 | Kawasaki Steel Corp | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JPH06309925A (en) * | 1993-04-23 | 1994-11-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | Dielectric composition, its manufacture, manufacture of its thin film, and thin-film capacitor |
| JPH0745786A (en) * | 1993-08-02 | 1995-02-14 | Tdk Corp | Composite integrated circuit parts |
| WO1996000758A1 (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-11 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Material for forming silica-base coated insulation film, process for producing the material, silica-base insulation film, semiconductor device, and process for producing the device |
| JPH0971403A (en) * | 1995-09-06 | 1997-03-18 | Hitachi Ltd | Dielectric substance material for gas discharge type display panel and dielectric substance material composition |
| JPH1032190A (en) * | 1996-07-13 | 1998-02-03 | Ricoh Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPH1050834A (en) * | 1996-08-06 | 1998-02-20 | Sony Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPH11195382A (en) * | 1998-01-05 | 1999-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma display panel |
| JP2000203887A (en) * | 1999-01-12 | 2000-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of plasma display panel |
| JP2001167706A (en) * | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Glass substrate for display |
| JP2003013234A (en) * | 2000-12-01 | 2003-01-15 | Japan Pionics Co Ltd | Vaporizer and device for vaporizing/feeding |
| US6617264B1 (en) * | 2002-06-25 | 2003-09-09 | Industrial Technology Research Institute | SOG materials for spacer anodic bonding and method of preparing the same |
| JP2004247068A (en) * | 2003-02-10 | 2004-09-02 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | Gas discharge panel and manufacturing method of the same |
| JP2005314631A (en) * | 2003-10-30 | 2005-11-10 | Japan Pionics Co Ltd | Material for forming insulation film and method for film-forming using the same |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1927924A1 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Hitachi, Ltd. | Traceability system, traceability method and traceability program |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104838479B (en) | Silico-carbo-nitride selective etch | |
| TWI661077B (en) | Method for forming oxide film by plasma-assisted processing | |
| JP5006203B2 (en) | Method for forming metal oxide film, metal oxide film and optical electronic device | |
| JP2006336062A (en) | Method for forming zinc oxide film | |
| JP2013042094A (en) | Wafer cleaning method | |
| KR19990088205A (en) | Manufacturing method of plasma display panel and plasma display panel | |
| JP2001236885A (en) | Plasma display panel and its manufacturing method | |
| JP2006260992A (en) | Reforming method for magnesium oxide thin film | |
| CN105408517A (en) | Composition for copper film formation and copper film production method using same | |
| US20140199853A1 (en) | Method of forming silicon oxide film | |
| JP2006324076A (en) | Glass panel, its manufacturing method, and plasma display panel using it | |
| JP2000129161A (en) | Coating solution for fpd protecting film and its preparation | |
| JP4508702B2 (en) | Deposition method | |
| JP4686956B2 (en) | Method for forming functional body | |
| JP2010225518A (en) | Method for producing plasma display panel | |
| KR20050041888A (en) | Material for forming insulation film and film-forming method with the use of the material | |
| WO2013145922A1 (en) | Method for producing glass plate | |
| JP4688458B2 (en) | Insulating film forming material and film forming method using the same | |
| JPWO2007023658A1 (en) | Glass film, method for producing the same, and optical electronic device | |
| KR20060044496A (en) | Process and apparatus for producing powders of metal compound containing oxygen, and the powders produced by the process | |
| JP2010168349A (en) | Ruthenium compound, method for producing the same and method for forming film by using the same | |
| JP2005107044A (en) | Fresnel lens for display | |
| JP5154604B2 (en) | Method for manufacturing plasma display panel | |
| JP2005097092A (en) | Process for producing fine metal oxide particle | |
| JP2005167044A (en) | Forming method of low dielectric constant film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071217 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20100727 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20101202 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |