JP2006323268A

JP2006323268A - Exposing device

Info

Publication number: JP2006323268A
Application number: JP2005148074A
Authority: JP
Inventors: Masaki Shibata; 巨樹柴田
Original assignee: NSK Ltd
Current assignee: NSK Ltd
Priority date: 2005-05-20
Filing date: 2005-05-20
Publication date: 2006-11-30

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposing device in which a distance between a mask and a substrate is kept constant even when the shape of the substrate is deformed. <P>SOLUTION: Because the exposing device has a deforming means DM to deform the mask M corresponding to the deformation of the substrate W, even when the shape of the substrate W has been deformed, the mask M is deformed with the deforming means DM corresponding thereto. Thereby highly accurate exposure is conducted since the mask M and the substrate W are made to come close to each other with a definite distance between them irrespective of positions on them. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の大型のフラットパネルディスプレイの基板上にマスクのマスクパターンを分割逐次露光方式で近接（プロキシミティ）露光転写するのに好適な露光装置に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus suitable for proximity exposure transfer of a mask pattern of a mask onto a substrate of a large flat panel display such as a liquid crystal display or a plasma display by a divided sequential exposure method.

大型の薄形テレビ等に用いられる液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の大型のフラットパネルディスプレイは、基板上にマスクのパターンを分割逐次露光方式で近接露光転写することで製造される。従来のこの種の分割逐次露光装置としては、例えば、被露光材としての基板より小さいマスクを用い、該マスクをマスクステージで保持すると共に基板をワークステージで保持して両者を近接して対向配置し、この状態でワークステージをマスクに対してステップ移動させて各ステップ毎にマスク側から基板にパターン露光用の光を照射することにより、マスクに描かれた複数のマスクパターンを基板上に露光転写して一枚の基板に複数のディスプレイ等を作成するようにしたものが知られている。 Large flat panel displays such as liquid crystal displays and plasma displays used in large thin televisions and the like are manufactured by proximity exposure transfer of a mask pattern onto a substrate by a divided sequential exposure method. As a conventional sequential sequential exposure apparatus of this type, for example, a mask smaller than the substrate as the material to be exposed is used, the mask is held on the mask stage and the substrate is held on the work stage, and both are placed close to each other. In this state, the work stage is moved stepwise with respect to the mask, and the substrate is exposed to light for pattern exposure from the mask side at each step, thereby exposing a plurality of mask patterns drawn on the mask onto the substrate. There is known one in which a plurality of displays and the like are created on a single substrate by transfer.

ところで、近接露光転写を行う場合の１つの問題は、マスクのパターンをいかに精度良く転写させるかにある。即ち、光源からの光束を完全に平行な状態でマスクに照射することは困難であるから、露光時においてマスクと基板との間に距離があると、解像度が低下し、斜入射した光によりパターンの精度良い転写ができない。そこで、マスクと基板とは接触しない範囲で極力近接させたいという要求がある。ところが、マスクは原寸であるため、例えば１ｍ以上の長さを有する一方で、その厚さは通常１５ｍｍ以下であるため、マスクの周辺を保持したときに、自重によってもたわみやすいという特徴がある。従って、マスクと基板とを一定の距離で近接させるためには、マスクのたわみを補正する必要があるといえる。 By the way, one problem in the case of proximity exposure transfer is how to accurately transfer the mask pattern. In other words, it is difficult to irradiate the mask with the light flux from the light source in a completely parallel state. Therefore, if there is a distance between the mask and the substrate at the time of exposure, the resolution decreases, and the pattern is formed by obliquely incident light. Cannot be transferred with high accuracy. Therefore, there is a demand to make the mask and the substrate as close as possible without contacting each other. However, since the mask is an original size, it has a length of, for example, 1 m or more, and its thickness is usually 15 mm or less. Therefore, when the periphery of the mask is held, it is easily deflected by its own weight. Accordingly, it can be said that the deflection of the mask needs to be corrected in order to bring the mask and the substrate close to each other at a certain distance.

これに対し、特許文献１、２に示す露光装置においては、マスクの上方に密閉空間を画成し、その内部を減圧することでマスクのたわみを補正している。
特開２００４−６１５７７号公報特開２００３−１３１３８８号公報 On the other hand, in the exposure apparatuses shown in Patent Documents 1 and 2, a sealed space is defined above the mask, and the deflection of the mask is corrected by decompressing the inside thereof.
JP 2004-61577 A JP 2003-131388 A

しかしながら、特許文献１，２には、基板自体に歪みがある場合の補正について何らの記載もない。具体的には、基板を保持する基板保持部に歪みが生じると、それに応じて基板自体も変形するが、それに関わらず、マスクのたわみを補正するのみでは、マスクと基板とを一定の距離で近接させることはできない。特に、近年においては基板保持部のサイズが増大し、完全に平面状の保持部を形成することは困難であるという実情がある。 However, Patent Documents 1 and 2 have no description about correction when the substrate itself is distorted. Specifically, when distortion occurs in the substrate holding portion that holds the substrate, the substrate itself is deformed accordingly. Regardless of this, only correcting the deflection of the mask causes the mask and the substrate to be at a certain distance. Cannot be close. In particular, in recent years, the size of the substrate holding portion has increased, and it is difficult to form a completely flat holding portion.

そこで本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み、基板が変形している場合でも、マスクと基板との距離を一定に保持できる露光装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide an exposure apparatus that can maintain a constant distance between a mask and a substrate even when the substrate is deformed.

上述の目的を達成するために、本発明の露光装置は、パターンを形成したマスクを保持するマスク保持部と、基板を保持する基板保持部とを有し、光源からの光を前記マスクに照射することにより、前記パターンを前記基板に露光する露光装置において、
前記基板の歪みに応じて、前記マスクを変形させる変形手段を有することを特徴とする。 In order to achieve the above-described object, an exposure apparatus of the present invention includes a mask holding unit that holds a mask on which a pattern is formed, and a substrate holding unit that holds a substrate, and irradiates the mask with light from a light source. In an exposure apparatus that exposes the substrate to the pattern,
It has a deformation means for deforming the mask according to the distortion of the substrate.

図１，２は本発明の原理を説明するための図である。図１において、基板Ｗは、基板保持部ＷＨに保持されており、マスクＭは、マスク保持部ＭＨに保持されている。しかるに、基板Ｗを完全な平面状態で支持するのは困難であり、従って基板Ｗには局部的に微小なうねり等が発生し、基準厚さΔに対してばらつきが生じる恐れがある。かかるばらつきは、高精度な露光の妨げとなる。 1 and 2 are diagrams for explaining the principle of the present invention. In FIG. 1, the substrate W is held by the substrate holding part WH, and the mask M is held by the mask holding part MH. However, it is difficult to support the substrate W in a completely flat state. Therefore, the substrate W is locally subject to minute waviness and the like, and may vary with respect to the reference thickness Δ. Such variation hinders highly accurate exposure.

これに対し、本発明においては、基板Ｗの歪みに応じて、マスクＭを変形させる変形手段ＤＭを設けている。より具体的に説明すると、図２を参照して例えばセンサＳが基板Ｗの歪み（上面の高さばらつき等）を検出すると、その信号を制御装置ＣＰＵが受信し、それに応じた駆動信号を変形手段ＤＭに送信する。それにより基板Ｗの歪みに応じて変形手段ＤＭがマスクＭを変形させることで、場所に関わらずマスクＭと基板Ｗとを一定の距離で近接させることができるため、光源からの光をマスクＭに照射することで、それに形成されたパターンを基板Ｗに高精度に露光することができる。なお、例えばマスクＭのポジションごとに基板Ｗの歪みを測定しておき、そのポジションに移動したときに、記憶された形状にマスクＭを変形させることもできる。 On the other hand, in the present invention, the deformation means DM for deforming the mask M according to the distortion of the substrate W is provided. More specifically, with reference to FIG. 2, for example, when the sensor S detects a distortion of the substrate W (such as variations in the height of the upper surface), the control device CPU receives the signal and deforms the drive signal accordingly. Transmit to means DM. As a result, the deformation means DM deforms the mask M according to the distortion of the substrate W, so that the mask M and the substrate W can be brought close to each other regardless of the location. The pattern formed on the substrate W can be exposed to the substrate W with high accuracy. For example, the distortion of the substrate W may be measured for each position of the mask M, and the mask M may be deformed into a stored shape when moved to that position.

更に、前記変形手段は、前記マスクの上面に接する気体の圧力と、前記マスクの下面に接する気体の圧力との差圧を制御すると好ましい。 Further, it is preferable that the deforming means controls a differential pressure between a gas pressure in contact with the upper surface of the mask and a gas pressure in contact with the lower surface of the mask.

更に、前記変形手段は、前記マスク保持部を変形させると好ましい。 Furthermore, it is preferable that the deformation means deforms the mask holding part.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図３は、本実施の形態にかかる露光装置の側面図である。図３において、本実施形態に係る露光装置１００は、ベース１１２、基板ステージ１１４及びマスクステージ１２２を備えている。基板ステージ（基板保持部）１１４はベース１１２の上方に設けられており、ベース１１２と基板ステージ１１４との間には、基板ステージ１１４を上下方向に昇降駆動する基板ステージ昇降機構１１６、基板ステージ昇降機構１１６を介して基板ステージ１１４を揺動駆動する基板ステージチルト機構１１８、基板ステージチルト機構１１８及び基板ステージ昇降機構１１６を介して基板ステージ１１４を図中Ｘ軸方向とＹ軸方向（紙面に対して垂直な方向）に送り駆動する基板ステージ送り機構１２０が設けられている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 3 is a side view of the exposure apparatus according to the present embodiment. In FIG. 3, the exposure apparatus 100 according to the present embodiment includes a base 112, a substrate stage 114, and a mask stage 122. The substrate stage (substrate holding unit) 114 is provided above the base 112. Between the base 112 and the substrate stage 114, a substrate stage elevating mechanism 116 that moves the substrate stage 114 up and down, and the substrate stage elevating and lowering. A substrate stage tilt mechanism 118 that swings and drives the substrate stage 114 via the mechanism 116, a substrate stage tilt mechanism 118, and a substrate stage lifting mechanism 116 are used to move the substrate stage 114 in the X-axis direction and Y-axis direction (with respect to the paper surface). A substrate stage feed mechanism 120 that feeds and drives in a vertical direction) is provided.

マスクステージ１２２はベース１１２の上面に立設された複数本の支柱１２４により基板ステージ１１４の上方に支持されており、マスクステージ１２２の下面には、プレート状のマスクホルダ（マスク保持部）１２６が水平レベル調整用の間座１２８を介して取り付けられている。また、マスクステージ１２２は矩形状の開口窓１２２ａを中央部に有しており、図示しない光源装置から出射された露光用の光はマスクホルダ１２６に吸着保持されたマスクＭに、上記開口窓１２２ａを通して照射されるようになっている。 The mask stage 122 is supported above the substrate stage 114 by a plurality of columns 124 erected on the upper surface of the base 112, and a plate-like mask holder (mask holding portion) 126 is provided on the lower surface of the mask stage 122. It is attached via a spacer 128 for horizontal level adjustment. The mask stage 122 has a rectangular opening window 122a at the center, and the exposure light emitted from the light source device (not shown) is attracted and held by the mask holder 126 to the opening window 122a. It comes to be irradiated through.

マスクホルダ１２６は、マスクステージ１２２の開口窓１２２ａを通過した光をマスクＭに当てるための開口窓１２６ａを有している。この開口窓１２６ａはマスクホルダ１２６の中央部に形成されており、マスクホルダ１２６の下面には複数のマスク吸引ノズル（図示せず）が開設されている。 The mask holder 126 has an opening window 126 a for applying light that has passed through the opening window 122 a of the mask stage 122 to the mask M. The opening window 126 a is formed at the center of the mask holder 126, and a plurality of mask suction nozzles (not shown) are provided on the lower surface of the mask holder 126.

間座１２８は中心部にボルト通し孔１２８ａ（図４参照）を有しており、マスクホルダ１２６は、間座１２８のボルト通し孔１２８ａを挿通するマスクホルダ固定用ボルト１２７によりマスクホルダ１２６の下面に取り付けられている。 The spacer 128 has a bolt through hole 128a (see FIG. 4) in the center thereof, and the mask holder 126 has a lower surface of the mask holder 126 by a mask holder fixing bolt 127 inserted through the bolt through hole 128a of the spacer 128. Is attached.

間座１２８の外側には、マスクホルダ１２６の上面に下向きの外力を加える外力付与機構（変形手段）１３０が設けられている。この外力付与機構１３０は、図４に示すように、マスクホルダ１２６の外方から内方に向かって傾斜する傾斜面１３２ａを有する固定側テーパブロック１３２と、固定側テーパブロック１３２の傾斜面１３２ａに摺動自在に接触する傾斜面１３４ａを有する可動側テーパブロック１３４と、間座１２８に対して可動側テーパブロック１３４を接離する方向に移動させる可動側テーパブロック送り手段としての送りねじ１３６とを備えて構成され、固定側テーパブロック１３２は、マスクホルダ１２６に設けられた貫通孔１２６ｂを挿通する固定側テーパブロック固定用ボルト１４０によりマスクホルダ１２６の上面に固定されている。 Outside the spacer 128, an external force applying mechanism (deformation means) 130 that applies a downward external force to the upper surface of the mask holder 126 is provided. As shown in FIG. 4, the external force applying mechanism 130 includes a fixed taper block 132 having an inclined surface 132 a inclined from the outside to the inside of the mask holder 126, and an inclined surface 132 a of the fixed side taper block 132. A movable side taper block 134 having an inclined surface 134a that is slidably in contact with each other, and a feed screw 136 as a movable side taper block feeding means for moving the movable side taper block 134 toward and away from the spacer 128. The fixed side taper block 132 is fixed to the upper surface of the mask holder 126 by a fixed side taper block fixing bolt 140 that is inserted through a through hole 126 b provided in the mask holder 126.

また、固定側テーパブロック１３２は上記ボルト１４０を通すためのボルト通し孔１３２ｂ（図５参照）を有しており、このボルト通し孔１３２ｂに挿入された固定側テーパブロック固定用ボルト１４０は可動側テーパブロック１３４に設けられた長孔１３６ｂ（図６参照）を挿通して、マスクステージ１２２の下面に設けられた穴部１２２ｂ（図４参照）に螺入されている。なお、送りねじ１３６は固定側テーパブロック１３２に設けられたブラケット１３８に保持されている。また、外力付与機構１３０はマスクホルダ１２６の四隅等に設けられるのが望ましい。 Further, the fixed side taper block 132 has a bolt through hole 132b (see FIG. 5) for passing the bolt 140, and the fixed side taper block fixing bolt 140 inserted into the bolt through hole 132b is movable. A long hole 136b (see FIG. 6) provided in the taper block 134 is inserted and screwed into a hole 122b (see FIG. 4) provided on the lower surface of the mask stage 122. The feed screw 136 is held by a bracket 138 provided on the fixed side taper block 132. The external force applying mechanism 130 is preferably provided at the four corners of the mask holder 126.

このような構成において、外力付与機構１３０の送りねじ１３６を操作して可動側テーパブロック１３４を図４中左側に移動させると、図８に示すように、外力付与機構１３０からマスクホルダ１２６に下向きの外力Ｆが付与される。そして、外力付与機構１３０からマスクホルダ１２６に外力Ｆが付与されると、図９に示すように、マスクホルダ１２６の中央部分が凸状に変形する。このとき、マスクホルダ１２６に保持されたマスクＭの撓みは、図９中実線で示す形状から図９中二点鎖線で示す形状に変化するため、マスクＭの撓み量がδ１からδ２（＜δ１）に低減するようになり、基板Ｗの歪みなどに高精度に対応させることができる。 In such a configuration, when the movable side taper block 134 is moved to the left side in FIG. 4 by operating the feed screw 136 of the external force application mechanism 130, the external force application mechanism 130 faces downward to the mask holder 126 as shown in FIG. The external force F is applied. When the external force F is applied from the external force applying mechanism 130 to the mask holder 126, the central portion of the mask holder 126 is deformed into a convex shape as shown in FIG. At this time, the deflection of the mask M held by the mask holder 126 changes from the shape shown by the solid line in FIG. 9 to the shape shown by the two-dot chain line in FIG. 9, so that the deflection amount of the mask M changes from δ1 to δ2 (<δ1). It is possible to cope with distortion of the substrate W with high accuracy.

ここで、送りねじ１３６は、手動ではなく不図示のアクチュエータで回転させることができる。かかるアクチュエータは、基板Ｗの歪みを検出し、それに応じて不図示の制御装置がアクチュエータを駆動する。 Here, the feed screw 136 can be rotated by an actuator (not shown) instead of manually. Such an actuator detects distortion of the substrate W, and a control device (not shown) drives the actuator accordingly.

なお、外力付与機構１３０における傾斜面１３２ａ、１３４ａの傾きを逆にすれば、マスクＭの撓みを逆方向とすることができる。図１０は、外力付与機構１３０によりマスクＭに与えられる撓みのバリエーションを示す図である。図１０（ａ）に示す例では、図９と同様に、マスクＭの中央を上方にたわませている。図１０（ｂ）に示す例では、図９とは逆に、マスクＭの中央を下方にたわませている。更に、図１０（ｂ）に示す例では、両側の外力付与機構１３０において、マスクＭの端部に逆向きに傾斜を与えることで、マスクＭをＳ字状（断面）に変形させている。これらを組み合わせることで、基板Ｗの複雑な撓みにも対応することができる。 Note that if the slopes of the inclined surfaces 132a and 134a in the external force applying mechanism 130 are reversed, the deflection of the mask M can be reversed. FIG. 10 is a diagram showing variations of the bending applied to the mask M by the external force applying mechanism 130. In the example shown in FIG. 10A, the center of the mask M is bent upward as in FIG. In the example shown in FIG. 10B, the center of the mask M is bent downward, contrary to FIG. Further, in the example shown in FIG. 10B, the mask M is deformed into an S-shape (cross section) by applying an inclination to the end of the mask M in the opposite direction in the external force applying mechanisms 130 on both sides. By combining these, it is possible to cope with complicated bending of the substrate W.

図１１，１２は、変形手段の別な例を示す図である。図１１において、マスクＭを下面で保持するマスク保持部ＭＨは、その上面に透明板ＰＴを配置しており、従ってマスク保持部ＭＨの開口ＭＨ１内の空間は密閉された状態となっている。更に、開口ＭＨ１内の空間は、外部へとのびる配管ＨによりバルブＶ＋を介して正圧ポンプＰ＋に接続され、また外部へとのびる配管ＨによりバルブＶ−を介して負圧ポンプＰ−に接続されている。バルブＶ＋、Ｖ−及びポンプＰ＋、Ｐ−が変形手段を構成し、これらは不図示の制御回路により、基板Ｗの歪みに応じて駆動される。 11 and 12 are diagrams showing another example of the deformation means. In FIG. 11, the mask holding portion MH that holds the mask M on the lower surface has a transparent plate PT disposed on the upper surface thereof, and thus the space in the opening MH1 of the mask holding portion MH is in a sealed state. Further, the space in the opening MH1 is connected to the positive pressure pump P + via the valve V + by a pipe H extending to the outside, and connected to the negative pressure pump P− via the valve V− by a pipe H extending to the outside. Has been. The valves V + and V− and the pumps P + and P− constitute deformation means, and these are driven according to the distortion of the substrate W by a control circuit (not shown).

ここで、バルブＶ＋を開放して、バルブＶ−を閉止すると、開口ＭＨ１内の空間内が正圧ポンプＰ＋により加圧され、その圧力Ｐｉは、マスクＭの下面の圧力Ｐｏよりも高くなる。従って、マスクＭの上下面の圧力差により、マスクＭは中央が下方にたわむように変形する（図１２（ａ）参照）。一方、バルブＶ−を開放して、バルブＶ＋を閉止すると、開口ＭＨ１内の空間内が負圧ポンプＰ−により吸引され、その圧力Ｐｉは、マスクＭの下面の圧力Ｐｏよりも低くなる。従って、マスクＭの上下面の圧力差により、マスクＭは中央が上方にたわむように変形する（図１２（ｂ）参照）。これによりマスクＭのを、基板Ｗの歪みなどに高精度に対応させることができる。 Here, when the valve V + is opened and the valve V− is closed, the space in the opening MH1 is pressurized by the positive pressure pump P +, and the pressure Pi becomes higher than the pressure Po on the lower surface of the mask M. Therefore, due to the pressure difference between the upper and lower surfaces of the mask M, the mask M is deformed so that the center bends downward (see FIG. 12A). On the other hand, when the valve V− is opened and the valve V + is closed, the space in the opening MH1 is sucked by the negative pressure pump P−, and the pressure Pi becomes lower than the pressure Po on the lower surface of the mask M. Therefore, due to the pressure difference between the upper and lower surfaces of the mask M, the mask M is deformed so that the center is bent upward (see FIG. 12B). As a result, the mask M can be made to handle the distortion of the substrate W with high accuracy.

図１３、１４は、変形手段の更に別な例を示す図である。本変形例は、図１０に示す変形手段と、図１１に示す変形手段とを組み合わせたものであり、共通する構成については同じ符号を付している。本例によれば、図１０もしくは図１１の変形手段を単独で用いた場合よりも複雑な変形を、マスクＭに与えることができる。 13 and 14 are diagrams showing still another example of the deformation means. This modification is a combination of the deformation means shown in FIG. 10 and the deformation means shown in FIG. 11, and the same reference numerals are given to common configurations. According to this example, a more complicated deformation can be given to the mask M than when the deformation means of FIG. 10 or FIG. 11 is used alone.

図１４（ａ）においては、両側の外力付与機構１３０により、マスクＭの両端部に下向きの角度を与えると共に、バルブＶ＋を開放して、バルブＶ−を閉止しているので、開口ＭＨ１内の空間内が正圧ポンプＰ＋により加圧され、その圧力Ｐｉは、マスクＭの下面の圧力Ｐｏよりも高くなることから、図１０（ｂ）又は図１２（ａ）よりも大きな変形量で、マスクＭの中央を下方にたわむように変形させることができる。 In FIG. 14A, the external force applying mechanism 130 on both sides gives a downward angle to both ends of the mask M, and the valve V + is opened and the valve V− is closed. The inside of the space is pressurized by the positive pressure pump P +, and the pressure Pi becomes higher than the pressure Po on the lower surface of the mask M. Therefore, the mask has a larger deformation amount than that of FIG. 10B or FIG. The center of M can be deformed to bend downward.

図１４（ｂ）においては、両側の外力付与機構１３０により、マスクＭの両端部に上向きの角度を与えると共に、バルブＶ−を開放して、バルブＶ＋を閉止しているので、開口ＭＨ１内の空間内が負圧ポンプＰ−により吸引され、その圧力Ｐｉは、マスクＭの下面の圧力Ｐｏよりも低くなることから、図１０（ａ）又は図１２（ｂ）よりも大きな変形量で、マスクＭの中央を上方にたわむように変形させることができる。特に、外力付与機構１３０は、マスクＭに角度を与える際に内部応力を生じさせているので、強度上の観点から可能な変形には制限がある。即ち図１４（ａ）、（ｂ）の例では、マスクＭの応力分布を均一にして破損などの恐れを回避できるというメリットがある。 In FIG. 14B, the external force applying mechanism 130 on both sides gives an upward angle to both ends of the mask M, and the valve V + is opened and the valve V + is closed. Since the space is sucked by the negative pressure pump P− and the pressure Pi becomes lower than the pressure Po on the lower surface of the mask M, the mask has a larger deformation amount than FIG. 10A or FIG. The center of M can be deformed to bend upward. In particular, the external force applying mechanism 130 generates an internal stress when an angle is given to the mask M, so that there is a limit to the deformation that can be performed from the viewpoint of strength. That is, the example of FIGS. 14A and 14B has an advantage that the stress distribution of the mask M can be made uniform and the possibility of breakage can be avoided.

図１４（ｃ）においては、両側の外力付与機構１３０により、マスクＭの両端部を水平にすると共に、バルブＶ−を僅かに開放して、バルブＶ−を閉止しているので、開口ＭＨ１内の空間内が負圧ポンプＰ−により少量だけ吸引され、その圧力Ｐｉは、マスクＭの下面の圧力Ｐｏよりも僅かに低くなることから、マスクＭの自重に抗して、マスクＭのたわみをゼロとすることもできる。 In FIG. 14C, both end portions of the mask M are leveled by the external force applying mechanisms 130 on both sides, and the valve V− is slightly opened and the valve V− is closed. Is sucked in a small amount by the negative pressure pump P-, and its pressure Pi is slightly lower than the pressure Po on the lower surface of the mask M. Therefore, the deflection of the mask M is resisted against the weight of the mask M. It can also be zero.

図１４（ｄ）においては、図で左側の外力付与機構１３０により、マスクＭの左端部に下向きの角度を与えると共に、図で右側の外力付与機構１３０により、マスクＭの右端部に上向きの角度を与えることで、図１０（ｃ）に示すようなＳ字状（断面）の変形をマスクＭに与えることができるが、ここで、バルブＶ＋を開放して、バルブＶ−を閉止すればＰｉ＞Ｐｏとなるため、一点鎖線で示すように、Ｓ字状（断面）を維持しつつマスクＭの中央が下方に変位するような変形を与えることができる。逆に、バルブＶ−を開放して、バルブＶ＋を閉止すればＰｉ＜Ｐｏとなるため、Ｓ字状（断面）を維持しつつマスクＭの中央が上方に変位するような変形を与えることができる In FIG. 14D, the left external force applying mechanism 130 in the drawing gives a downward angle to the left end portion of the mask M, and the right external force applying mechanism 130 in the drawing shows an upward angle to the right end portion of the mask M. , An S-shaped (cross-sectional) deformation as shown in FIG. 10C can be given to the mask M. Here, if the valve V + is opened and the valve V− is closed, Pi Since it is> Po, it is possible to give a deformation such that the center of the mask M is displaced downward while maintaining the S-shape (cross section) as indicated by the alternate long and short dash line. Conversely, if the valve V− is opened and the valve V + is closed, Pi <Po, so that the center of the mask M is displaced upward while maintaining the S-shape (cross section). it can

図１４（ｅ）においては、両側の外力付与機構１３０により、マスクＭの両端部に下向きの角度を与えると共に、バルブＶ−を開放して、バルブＶ＋を閉止しているので、開口ＭＨ１内の空間内が負圧ポンプＰ−により吸引され、その圧力Ｐｉは、マスクＭの下面の圧力Ｐｏよりも低くなることから、マスクＭの両端近傍が外力付与機構１３０により下方にたわみ、且つその中央が圧力差で上方にたわむような略Ｗ字状（断面）の変形を与えることができる。 In FIG. 14 (e), the external force applying mechanism 130 on both sides gives a downward angle to both ends of the mask M, and the valve V + is opened and the valve V + is closed. The inside of the space is sucked by the negative pressure pump P−, and the pressure Pi becomes lower than the pressure Po on the lower surface of the mask M, so that the vicinity of both ends of the mask M bends downward by the external force applying mechanism 130 and the center thereof is A substantially W-shaped (cross-sectional) deformation that bends upward due to a pressure difference can be applied.

図１４（ｆ）においては、両側の外力付与機構１３０により、マスクＭの両端部に上向きの角度を与えると共に、バルブＶ＋を開放して、バルブＶ−を閉止しているので、開口ＭＨ１内の空間内が正圧ポンプＰ＋により吸引され、その圧力Ｐｉは、マスクＭの下面の圧力Ｐｏよりも高くなることから、マスクＭの両端近傍が外力付与機構１３０により上方にたわみ、且つその中央が圧力差で下方にたわむような略Ｍ字状（断面）の変形を与えることができる。 In FIG. 14 (f), the external force applying mechanism 130 on both sides gives an upward angle to both ends of the mask M, and the valve V + is opened and the valve V- is closed. The inside of the space is sucked by the positive pressure pump P +, and the pressure Pi becomes higher than the pressure Po on the lower surface of the mask M, so that the vicinity of both ends of the mask M bends upward by the external force applying mechanism 130 and the center is the pressure A substantially M-shaped (cross-sectional) deformation that bends downward due to the difference can be provided.

本実施の形態によれば、図１４に示すように、種々の変形パターンでマスクＭを変形させることができるので、基板Ｗに複雑な撓みが生じている場合でも、それに応じてマスクＭを変形させることができる。 According to the present embodiment, as shown in FIG. 14, the mask M can be deformed with various deformation patterns. Therefore, even when the substrate W is complicatedly bent, the mask M is deformed accordingly. Can be made.

以上、本発明を実施の形態を参照して説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定して解釈されるべきではなく、適宜変更・改良が可能であることはもちろんである。 The present invention has been described above with reference to the embodiments. However, the present invention should not be construed as being limited to the above-described embodiments, and can be modified or improved as appropriate.

本発明の原理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the principle of this invention. 本発明の原理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the principle of this invention. 本実施の形態にかかる露光装置の側面図である。It is a side view of the exposure apparatus concerning this Embodiment. 露光装置の要部を示す図である。It is a figure which shows the principal part of exposure apparatus. 図４に示す固定側テーパブロックの側面図である。It is a side view of the fixed side taper block shown in FIG. 図４に示す可動側テーパブロックの側面図である。It is a side view of the movable side taper block shown in FIG. 図６の構成を矢印VII-VII線で切断して矢印方向に見た図である。It is the figure which cut | disconnected the structure of FIG. 6 by the arrow VII-VII line, and looked at the arrow direction. 図４に示す外力付与機構の作用を説明する図である。It is a figure explaining the effect | action of the external force provision mechanism shown in FIG. 外力付与機構により変形したマスクＭの形状を示す図である。It is a figure which shows the shape of the mask M which deform | transformed with the external force provision mechanism. 外力付与機構１３０によりマスクＭに与えられる撓みのバリエーションを示す図である。It is a figure which shows the variation of the bending given to the mask M by the external force provision mechanism 130. FIG. 変形手段の別な例を示す図である。It is a figure which shows another example of a deformation | transformation means. 変形手段の別な例を示す図である。It is a figure which shows another example of a deformation | transformation means. 変形手段の更に別な例を示す図である。It is a figure which shows another example of a deformation | transformation means. 変形手段の更に別な例によりマスクＭに与えられる撓みのバリエーションを示す図である。It is a figure which shows the variation of the bending given to the mask M by another example of a deformation | transformation means.

符号の説明Explanation of symbols

１００露光装置
１１２ベース
１１４基板ステージ
１１６基板ステージ昇降機構
１１８基板ステージチルト機構
１２０基板ステージ送り機構
１２２マスクステージ
１２２ａ開口窓
１２２ｂ穴部
１２４支柱
１２６マスクホルダ
１２６ａ開口窓
１２６ｂ貫通孔
１２７マスクホルダ固定用ボルト
１２８間座
１２８ａボルト通し孔
１３０外力付与機構
１３２固定側テーパブロック
１３２ａ傾斜面
１３２ｂボルト通し孔
１３４可動側テーパブロック
１３４ａ傾斜面
１３６ｂ長孔
１３８ブラケット
１４０固定側テーパブロック固定用ボルト
ＤＭ変形手段
Ｆ外力
Ｈ配管
Ｍマスク
ＭＨマスク保持部
ＭＨ１開口
Ｐポンプ
Ｐ＋正圧ポンプ
Ｐ− 負圧ポンプ
ＰＴ透明板
Ｐｉ圧力
Ｐｏ圧力
Ｖ＋、Ｖ− バルブ
Ｗ基板
ＷＨ基板保持部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Exposure apparatus 112 Base 114 Substrate stage 116 Substrate stage raising / lowering mechanism 118 Substrate stage tilt mechanism 120 Substrate stage feed mechanism 122 Mask stage 122a Opening window 122b Hole 124 Post 126 Mask holder 126a Opening window 126b Through hole 127 Mask holder fixing bolt 128 Spacer 128a Bolt through hole 130 External force applying mechanism 132 Fixed side taper block 132a Inclined surface 132b Bolt through hole 134 Movable side taper block 134a Inclined surface 136b Long hole 138 Bracket 140 Fixed side taper block fixing bolt DM Deformation means F External force H Piping M Mask MH Mask holding part MH1 Opening P Pump P + Positive pressure pump P- Negative pressure pump PT Transparent plate Pi Pressure Po Pressure V +, V- Valve W Substrate WH Substrate holder

Claims

パターンを形成したマスクを保持するマスク保持部と、基板を保持する基板保持部とを有し、光源からの光を前記マスクに照射することにより、前記パターンを前記基板に露光する露光装置において、
前記基板の歪みに応じて、前記マスクを変形させる変形手段を有することを特徴とする露光装置。 In an exposure apparatus that has a mask holding unit that holds a mask on which a pattern is formed, and a substrate holding unit that holds a substrate, and irradiates the mask with light from a light source, thereby exposing the pattern to the substrate.
An exposure apparatus comprising: a deforming unit that deforms the mask in accordance with distortion of the substrate.

前記変形手段は、前記マスクの上面に接する気体の圧力と、前記マスクの下面に接する気体の圧力との差圧を制御することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 1, wherein the deformation unit controls a differential pressure between a pressure of a gas in contact with the upper surface of the mask and a pressure of a gas in contact with the lower surface of the mask.

前記変形手段は、前記マスク保持部を変形させることを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。

The exposure apparatus according to claim 1, wherein the deforming unit deforms the mask holding unit.