JP2006319344A - Wafer holder for semiconductor production system and semiconductor production system mounting same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、プラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、メタルＣＶＤ、絶縁膜ＣＶＤ、イオン注入、エッチング、Ｌｏｗ−Ｋ成膜、ＤＥＧＡＳ装置などの半導体製造装置に使用されるウェハ保持体、更にはそれを搭載した処理チャンバー、半導体製造装置に関するものである。 The present invention relates to a wafer holder used in a semiconductor manufacturing apparatus such as plasma CVD, low-pressure CVD, metal CVD, insulating film CVD, ion implantation, etching, Low-K film formation, and DEGAS apparatus, and further, a process including the wafer holder. The present invention relates to a chamber and a semiconductor manufacturing apparatus.
従来、半導体の製造工程では、被処理物である半導体基板に対して成膜処理やエッチング処理など様々な処理が行われる。このような半導体基板に対する処理を行う処理装置では、半導体基板を保持し、半導体基板を加熱するためのセラミックスヒータが用いられている。 2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing process, various processes such as a film forming process and an etching process are performed on a semiconductor substrate that is an object to be processed. In a processing apparatus that performs processing on such a semiconductor substrate, a ceramic heater for holding the semiconductor substrate and heating the semiconductor substrate is used.
このような従来のセラミックスヒータは、例えば特開２００２−２３７３７５号公報に開示されている。特開２００２−２３７３７５号公報に開示されたセラミックスヒータは、その表面または内部に抵抗発熱体が形成され、その外縁部には、半導体ウェハを嵌号させるための突部が形成され、該突部の内側には、該半導体ウェハと接触する多数の凸状体が形成された構造である。 Such a conventional ceramic heater is disclosed in, for example, JP-A-2002-237375. A ceramic heater disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2002-237375 has a resistance heating element formed on the surface or inside thereof, and a protrusion for fitting a semiconductor wafer is formed on the outer edge of the ceramic heater. In this structure, a large number of convex bodies that are in contact with the semiconductor wafer are formed.
この発明では、セラミック基板の加熱面に半導体ウェハと接触する多数の凸状体を形成することにより、迅速に昇温を行うことができ、加熱面を均一な温度とすることができるとされている。上記凸状体の上部は、平面により構成されていることが望ましいとされている。しかし、上記多数の凸状体において、１個の凸状体の平面部の面積が大きすぎると、ウェハの均熱性が乱れたり、場合によってはウェハが搭載面から脱着できなくなるという問題があった。 In this invention, it is said that by forming a large number of convex bodies in contact with the semiconductor wafer on the heating surface of the ceramic substrate, the temperature can be quickly raised and the heating surface can be made uniform. Yes. It is desirable that the upper portion of the convex body is configured by a flat surface. However, in the above-mentioned many convex bodies, if the area of the plane portion of one convex body is too large, there is a problem that the thermal uniformity of the wafer is disturbed or in some cases the wafer cannot be detached from the mounting surface. .
しかも、近年の半導体基板は大型化が進められている。例えば、シリコン（Ｓｉ）ウェハでは８インチから１２インチへと移行が進められている。この半導体基板の大口径化に伴って、セラミックスヒータの半導体基板の加熱面（保持面）の温度分布は、±１．０％以内が必要とされるようになり、更には、±０．５％以内が望まれるようになってきた。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものである。すなわち、本発明は、搭載するウェハの均熱性を高め、しかもウェハの脱着性に優れた半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems. That is, an object of the present invention is to provide a wafer holder for a semiconductor manufacturing apparatus that improves the thermal uniformity of the wafer to be mounted and has excellent detachability of the wafer, and a semiconductor manufacturing apparatus on which the wafer holder is mounted.
前記特許文献１に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体は、１個の突起の平面部の面積が大きくなりすぎると、搭載したウェハが脱着しにくくなり、またウェハの均熱性が乱れることを見出し、本発明に至った。
The wafer holder for a semiconductor manufacturing apparatus described in
すなわち、本発明は、ウェハ搭載面を有するウェハ保持体のウェハ搭載面に平面部を有する多数の突起が形成され、該突起の平面部の面積が、１個あたり７０ｍｍ２以下である。また、前記多数の突起の平面部の総面積が、搭載するウェハの面積の４０％以下であることが望ましい。 That is, according to the present invention, a large number of projections having a planar portion are formed on the wafer mounting surface of a wafer holder having a wafer mounting surface, and the area of the planar portion of each projection is 70 mm 2 or less. Moreover, it is desirable that the total area of the planar portions of the many protrusions is 40% or less of the area of the wafer to be mounted.
前記１個の突起の平面部の面積は、３０ｍｍ２以下が好ましく、多数の突起の平面部の総面積は、１０％以下であることが好ましい。更に、上記のようなウェハ保持体を搭載した半導体製造装置は、被処理物であるウェハの温度が従来のものより均一になるので、歩留り良く半導体を製造することができる。 The area of the flat part of the one protrusion is preferably 30 mm 2 or less, and the total area of the flat parts of the many protrusions is preferably 10% or less. Furthermore, the semiconductor manufacturing apparatus equipped with the wafer holder as described above can manufacture a semiconductor with a high yield because the temperature of the wafer that is the object to be processed is more uniform than the conventional one.
本発明によれば、平面部を有する突起において、１個の突起の平面部の面積を７０ｍｍ２以下とすることにより、均熱性に優れたウェハ保持体及び半導体製造装置を提供することができる。また、突起の平面部の総面積をウェハ面積の４０％以下とすれば、ウェハの脱着時の問題の発生を抑制することができる。 According to the present invention, a wafer holding body and a semiconductor manufacturing apparatus excellent in heat uniformity can be provided by setting the area of the planar portion of one projection to 70 mm 2 or less in the projection having the planar portion. Further, if the total area of the flat portions of the protrusions is set to 40% or less of the wafer area, it is possible to suppress the occurrence of problems at the time of wafer removal.
発明者は、搭載するウェハの温度分布を±１．０％以内にするためには、ウェハ保持体１のウェハ搭載面４に平面部を有する多数の突起２が形成され、該突起の平面部の面積を、１個あたり７０ｍｍ２以下にすれば良いことを見出した。
In order for the temperature distribution of the wafer to be mounted to be within ± 1.0%, the inventor forms a large number of
ウェハ保持体は、その内部もしくはウェハ搭載面以外の表面に形成した抵抗発熱体５によってウェハを加熱し、ウェハに所定の処理を施す。この時、加熱されたウェハ保持体の熱は、前記突起を介してウェハに伝わり、ウェハが加熱される。しかし、前記１個の突起の平面部の面積が、７０ｍｍ２を超えると、抵抗発熱体で発生した熱が、前記突起を介してウェハに伝わる時、ウェハ表面に温度分布が生じやすくなる。搭載したウェハの温度が部分的に低下すると、例えばウェハに成膜処理を施す場合には形成した膜の厚みや性質がばらつくことになる。また、例えばエッチング処理の場合には、エッチング速度がばらつくことになる。
The wafer holder heats the wafer by the
このため、搭載するウェハ表面の温度分布は少なければ少ないほどよいが、現状では、温度分布は±１．０％以内の均熱性、望むべくは±０．５％以内の均熱性が求められている。このような均熱性を得るためには、前記１個の突起の平面部の面積を７０ｍｍ２以下にすればよいことを見出した。 For this reason, the smaller the temperature distribution on the surface of the wafer to be mounted, the better. However, at present, the temperature distribution is required to have a temperature uniformity within ± 1.0%, preferably within ± 0.5%. Yes. It has been found that in order to obtain such heat uniformity, the area of the flat portion of the one protrusion should be 70 mm 2 or less.
抵抗発熱体に通電することにより、ウェハ保持体は加熱される。この時、抵抗発熱体で発生した熱は、ウェハ保持体に広がり、前記突起を介して、ウェハに伝わる。前記突起の直上のウェハの断面での温度分布は、突起直上のウェハ下部で温度が最大となり、ウェハの上部及び径方向に温度が低下するようになる。突起の平面部の面積が、７０ｍｍ２以下の場合は、図３に模式的に示すように、突起の直上は高温部７が存在し、その領域を取り囲むように高温部よりは低温の低温部８が存在し、高温部７と低温部８はウェハ表面に達していないので、ウェハ表面の温度は、ほぼ均一となることを見出した。
By energizing the resistance heating element, the wafer holder is heated. At this time, the heat generated by the resistance heating element spreads to the wafer holder and is transmitted to the wafer through the protrusions. Regarding the temperature distribution in the cross section of the wafer immediately above the protrusion, the temperature becomes maximum at the lower portion of the wafer immediately above the protrusion, and the temperature decreases in the upper portion and the radial direction of the wafer. When the area of the flat portion of the protrusion is 70 mm 2 or less, as schematically shown in FIG. 3, there is a
しかし、突起の平面部の面積が７０ｍｍ２を超えると、図４に模式的に示すように、前記高温部７がウェハ表面まで達し、それに伴い、それよりは低温の低温部８もウェハ表面に出現するので、ウェハ表面に温度分布が発生することを見出した。
However, when the area of the flat portion of the protrusion exceeds 70 mm 2 , as schematically shown in FIG. 4, the
このため、突起の平面部の面積が７０ｍｍ２以下であれば、ウェハ表面の温度分布は、±１．０％以内とすることができる。また、突起の平面部の面積は、３０ｍｍ２以下であれば、ウェハ表面の温度分布は、±０．５％以内にできるので、更に好ましい。 For this reason, if the area of the planar portion of the protrusion is 70 mm 2 or less, the temperature distribution on the wafer surface can be within ± 1.0%. Further, if the area of the flat portion of the protrusion is 30 mm 2 or less, the temperature distribution on the wafer surface can be within ± 0.5%, which is more preferable.
また、前記突起の平面部の総面積が、ウェハ面積の４０％以下であることが好ましい。突起を形成しない場合、ウェハとウェハ保持面は、全面的に接触するので、ウェハはウェハ保持体に密着した状態となり、ウェハ保持体から脱着しにくくなる。突起の平面部の総面積が、ウェハ面積の４０％を超えると、突起を形成しない場合と同様に、ウェハを脱着しにくくなり、ウェハの破損を引き起こしたり、ウェハに歪みを与えることになる。 Moreover, it is preferable that the total area of the flat part of the protrusion is 40% or less of the wafer area. When the protrusion is not formed, the wafer and the wafer holding surface are in full contact with each other, so that the wafer is in close contact with the wafer holder and is difficult to be detached from the wafer holder. If the total area of the flat portions of the protrusions exceeds 40% of the wafer area, it becomes difficult to remove the wafer as in the case where the protrusions are not formed, causing damage to the wafer or distorting the wafer.
従って、突起の平面部の総面積を、ウェハ面積の４０％以下とすれば、ウェハの脱着が容易になり、上記問題の発生が少ないので好ましい。更に、１０％以下とすれば、脱着時の問題が全くなくなるので、より好ましい。 Therefore, it is preferable to set the total area of the flat portions of the protrusions to 40% or less of the wafer area because the wafer can be easily attached and detached and the above-described problems are reduced. Furthermore, if it is 10% or less, there is no problem at the time of desorption, which is more preferable.
本発明のウェハ保持体の材質については、絶縁性のセラミックスであれば特に制約はないが、熱伝導率が高く、耐食性にも優れた窒化アルミニウム（ＡｌＮ）が好ましい。以下に、本発明のウェハ保持体の製造方法をＡｌＮの場合で詳述する。 The material of the wafer holder of the present invention is not particularly limited as long as it is an insulating ceramic, but aluminum nitride (AlN) having high thermal conductivity and excellent corrosion resistance is preferable. Below, the manufacturing method of the wafer holder of this invention is explained in full detail in the case of AlN.
ＡｌＮの原料粉末は、比表面積が２．０〜５．０ｍ２／ｇのものが好ましい。比表面積が２．０ｍ２／ｇ未満の場合は、窒化アルミニウムの焼結性が低下する。また、５．０ｍ２／ｇを超えると、粉末の凝集が非常に強くなるので取扱いが困難になる。更に、原料粉末に含まれる酸素量は、２ｗｔ％以下が好ましい。酸素量が２ｗｔ％を超えると、焼結体の熱伝導率が低下する。また、原料粉末に含まれるアルミニウム以外の金属不純物量は、２０００ｐｐｍ以下が好ましい。金属不純物量がこの範囲を超えると、焼結体の熱伝導率が低下する。特に、金属不純物として、ＳｉなどのＩＶ族元素や、Ｆｅなどの鉄族元素は、焼結体の熱伝導率を低下させる作用が高いので、含有量は、それぞれ５００ｐｐｍ以下であることが好ましい。 The raw material powder of AlN preferably has a specific surface area of 2.0 to 5.0 m 2 / g. When the specific surface area is less than 2.0 m 2 / g, the sinterability of aluminum nitride is lowered. On the other hand, if it exceeds 5.0 m 2 / g, the aggregation of the powder becomes very strong, making it difficult to handle. Furthermore, the amount of oxygen contained in the raw material powder is preferably 2 wt% or less. When the amount of oxygen exceeds 2 wt%, the thermal conductivity of the sintered body decreases. The amount of metal impurities other than aluminum contained in the raw material powder is preferably 2000 ppm or less. When the amount of metal impurities exceeds this range, the thermal conductivity of the sintered body decreases. In particular, group IV elements such as Si and iron group elements such as Fe as metal impurities are highly effective in reducing the thermal conductivity of the sintered body, and therefore the content is preferably 500 ppm or less.
ＡｌＮは難焼結性材料であるので、ＡｌＮ原料粉末に焼結助剤を添加することが好ましい。添加する焼結助剤は、希土類元素化合物が好ましい。希土類元素化合物は、焼結中に窒化アルミニウム粉末粒子の表面に存在するアルミニウム酸化物あるいはアルミニウム酸窒化物と反応して、窒化アルミニウムの緻密化を促進するとともに、窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率を低下させる原因となる酸素を除去する働きもあるので、窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率を向上させることができる。 Since AlN is a hardly sinterable material, it is preferable to add a sintering aid to the AlN raw material powder. The sintering aid to be added is preferably a rare earth element compound. The rare earth element compound reacts with the aluminum oxide or aluminum oxynitride existing on the surface of the aluminum nitride powder particles during the sintering to promote the densification of the aluminum nitride and the thermal conductivity of the aluminum nitride sintered body. Therefore, the thermal conductivity of the aluminum nitride sintered body can be improved.
希土類元素化合物は、特に酸素を除去する働きが顕著であるイットリウム化合物が好ましい。添加量は、０．０１〜５ｗｔ％が好ましい。０．０１ｗｔ％未満であると、緻密な焼結体を得ることが困難であるとともに、焼結体の熱伝導率が低下する。また、５ｗｔ％を超えると、窒化アルミニウム焼結体の粒界に焼結助剤が存在することになるので、腐食性雰囲気で使用する場合、この粒界に存在する焼結助剤がエッチングされ、脱粒やパーティクルの原因となる。更に、好ましくは焼結助剤の添加量は、１ｗｔ％以下である。１ｗｔ％以下であれば、粒界の３重点にも焼結助剤が存在しなくなるので、耐食性が向上する。 The rare earth element compound is preferably an yttrium compound that is particularly effective in removing oxygen. The addition amount is preferably 0.01 to 5 wt%. If it is less than 0.01 wt%, it is difficult to obtain a dense sintered body, and the thermal conductivity of the sintered body decreases. If it exceeds 5 wt%, a sintering aid exists at the grain boundaries of the aluminum nitride sintered body. Therefore, when used in a corrosive atmosphere, the sintering aid present at the grain boundaries is etched. , Cause degranulation and particles. Furthermore, the amount of the sintering aid added is preferably 1 wt% or less. If it is 1 wt% or less, the sintering aid is not present at the triple point of the grain boundary, so that the corrosion resistance is improved.
また、希土類元素化合物は、酸化物、窒化物、フッ化物、ステアリン酸化合物などが使用できる。この中で、酸化物は安価で入手が容易であり好ましい。また、ステアリン酸化合物は、有機溶剤との親和性が高いので、窒化アルミニウム原料粉末と焼結助剤などを有機溶剤で混合する場合には、混合性が高くなるので特に好適である。 As the rare earth element compound, an oxide, nitride, fluoride, stearic acid compound, or the like can be used. Of these, oxides are preferable because they are inexpensive and readily available. In addition, since the stearic acid compound has a high affinity with an organic solvent, when the aluminum nitride raw material powder and the sintering aid are mixed with the organic solvent, the mixing property is particularly preferable.
次に、これら窒化アルミニウム原料粉末や焼結助剤粉末に、所定量の溶剤、バインダー、更には必要に応じて分散剤や邂逅剤を添加し、混合する。混合方法は、ボールミル混合や超音波による混合等が可能である。このような混合によって、原料スラリーを得ることができる。 Next, a predetermined amount of a solvent, a binder and, if necessary, a dispersant and a glaze are added to and mixed with the aluminum nitride raw material powder and the sintering aid powder. As the mixing method, ball mill mixing, ultrasonic mixing, or the like is possible. A raw material slurry can be obtained by such mixing.
得られたスラリーを成形し、焼結することによって窒化アルミニウム焼結体を得ることができる。その方法には、コファイアー法とポストメタライズ法の２種類の方法が可能である。 An aluminum nitride sintered body can be obtained by molding and sintering the obtained slurry. There are two types of methods, a cofire method and a post metallization method.
まず、ポストメタライズ法について説明する。前記スラリーをスプレードライアー等の手法によって、顆粒を作成する。この顆粒を所定の金型に挿入し、プレス成形を施す。この時、プレス圧力は、０．１ｔ／ｃｍ２以上であることが望ましい。０．１ｔ／ｃｍ２未満の圧力では、成形体の強度が充分に得られないことが多く、ハンドリングなどで破損し易くなる。 First, the post metallization method will be described. Granules are prepared from the slurry by a technique such as spray drying. The granules are inserted into a predetermined mold and press-molded. At this time, the pressing pressure is desirably 0.1 t / cm 2 or more. When the pressure is less than 0.1 t / cm 2 , the strength of the molded body is often not obtained sufficiently, and is easily damaged by handling.
成形体の密度は、バインダーの含有量や焼結助剤の添加量によって異なるが、１．５ｇ／ｃｍ３以上であることが好ましい。１．５ｇ／ｃｍ３未満であると、原料粉末粒子間の距離が相対的に大きくなるので、焼結が進行しにくくなる。また、成形体密度は、２．５ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましい。２．５ｇ／ｃｍ３を超えると、次工程の脱脂処理で成形体内のバインダーを充分除去することが困難となる。このため、前述のように緻密な焼結体を得ることが困難となる。 Although the density of a molded object changes with content of a binder, and the addition amount of a sintering auxiliary agent, it is preferable that it is 1.5 g / cm < 3 > or more. If it is less than 1.5 g / cm 3 , the distance between the raw material powder particles becomes relatively large, so that sintering does not proceed easily. Moreover, it is preferable that a molded object density is 2.5 g / cm < 3 > or less. If it exceeds 2.5 g / cm 3 , it will be difficult to sufficiently remove the binder in the molded body by the degreasing process in the next step. For this reason, it becomes difficult to obtain a dense sintered body as described above.
次に、前記成形体を非酸化性雰囲気中で加熱し、脱脂処理を行う。大気等の酸化性雰囲気で脱脂処理を行うと、ＡｌＮ粉末の表面が酸化されるので、焼結体の熱伝導率が低下する。非酸化性雰囲気ガスとしては、窒素やアルゴンが好ましい。脱脂処理の加熱温度は、５００℃以上、１０００℃以下が好ましい。５００℃未満の温度では、バインダーを充分除去することができないので、脱脂処理後の積層体中にカーボンが過剰に残存するので、その後の焼結工程での焼結を阻害する。また、１０００℃を超える温度では、残存するカーボンの量が少なくなり過ぎるので、ＡｌＮ粉末表面に存在する酸化被膜の酸素を除去する能力が低下し、焼結体の熱伝導率が低下する。 Next, the molded body is heated in a non-oxidizing atmosphere to perform a degreasing treatment. When the degreasing treatment is performed in an oxidizing atmosphere such as the air, the surface of the AlN powder is oxidized, so that the thermal conductivity of the sintered body is lowered. As the non-oxidizing atmosphere gas, nitrogen or argon is preferable. The heating temperature for the degreasing treatment is preferably 500 ° C. or higher and 1000 ° C. or lower. When the temperature is less than 500 ° C., the binder cannot be sufficiently removed, and therefore excessive carbon remains in the laminated body after the degreasing treatment, which inhibits sintering in the subsequent sintering step. Further, at a temperature exceeding 1000 ° C., the amount of remaining carbon becomes too small, so that the ability of the oxide film present on the surface of the AlN powder to remove oxygen is lowered, and the thermal conductivity of the sintered body is lowered.
また、脱脂処理後の成形体中に残存する炭素量は、１．０ｗｔ％以下であることが好ましい。１．０ｗｔ％を超える炭素が残存していると、焼結を阻害するので、緻密な焼結体を得ることができない。 Moreover, it is preferable that the carbon amount which remains in the molded object after a degreasing process is 1.0 wt% or less. If carbon exceeding 1.0 wt% remains, sintering is inhibited, and a dense sintered body cannot be obtained.
次いで、焼結を行う。焼結は、窒素やアルゴンなどの非酸化性雰囲気中で、１７００〜２０００℃の温度で行う。この時、使用する窒素などの雰囲気ガスに含有する水分は、露点で−３０℃以下であることが好ましい。これ以上の水分を含有する場合、焼結時にＡｌＮが雰囲気ガス中の水分と反応して酸窒化物が形成されるので、熱伝導率が低下する可能性がある。また、雰囲気ガス中の酸素量は、０．００１ｖｏｌ％以下であることが好ましい。酸素量が多いと、ＡｌＮの表面が酸化して、熱伝導率が低下する可能性がある。 Next, sintering is performed. Sintering is performed at a temperature of 1700 to 2000 ° C. in a non-oxidizing atmosphere such as nitrogen or argon. At this time, it is preferable that the moisture contained in the atmosphere gas such as nitrogen used is −30 ° C. or less in terms of dew point. In the case of containing more moisture than this, AlN reacts with moisture in the atmospheric gas during sintering to form oxynitrides, which may reduce the thermal conductivity. Moreover, it is preferable that the oxygen amount in atmospheric gas is 0.001 vol% or less. If the amount of oxygen is large, the surface of AlN may be oxidized and the thermal conductivity may be reduced.
更に、焼結時に使用する治具は、窒化ホウ素（ＢＮ）成形体が好適である。このＢＮ成形体は、前記焼結温度に対し充分な耐熱性を有するとともに、その表面に固体潤滑性があるので、焼結時に積層体が収縮する際の治具と積層体との間の摩擦を小さくすることができるので、歪みの少ない焼結体を得ることができる。 Furthermore, a boron nitride (BN) compact is suitable for the jig used during sintering. Since this BN compact has sufficient heat resistance to the sintering temperature and has a solid lubricating property on its surface, the friction between the jig and the laminate when the laminate shrinks during sintering. Therefore, a sintered body with less distortion can be obtained.
得られた焼結体は、必要に応じて加工を施す。次工程の導電ペーストをスクリーン印刷する場合、焼結体の表面粗さは、Ｒａで５μｍ以下であることが好ましい。５μｍを超えるとスクリーン印刷により回路形成した際に、パターンのにじみやピンホールなどの欠陥が発生しやすくなる。表面粗さはＲａで１μｍ以下であればさらに好適である。 The obtained sintered body is processed as necessary. When screen-printing the conductive paste in the next step, the surface roughness of the sintered body is preferably 5 μm or less in terms of Ra. If the thickness exceeds 5 μm, defects such as pattern bleeding and pinholes are likely to occur when a circuit is formed by screen printing. The surface roughness Ra is more preferably 1 μm or less.
上記表面粗さを研磨加工する際には、焼結体の両面にスクリーン印刷する場合は当然であるが、片面のみにスクリーン印刷を施す場合でも、スクリーン印刷する面と反対側の面も研磨加工を施す方がよい。スクリーン印刷する面のみを研磨加工した場合、スクリーン印刷時には、研磨加工していない面で焼結体を支持することになる。その時、研磨加工していない面には突起や異物が存在することがあるので、焼結体の固定が不安定になり、スクリーン印刷で回路パターンがうまく描けないことがあるからである。 When polishing the above surface roughness, it is natural to screen print on both sides of the sintered body, but even when screen printing is performed only on one side, the surface opposite to the screen printed side is also polished. It is better to apply. When only the surface to be screen printed is polished, the sintered body is supported by the surface that is not polished during screen printing. At this time, there may be protrusions and foreign matters on the surface that has not been polished, so that the fixing of the sintered body becomes unstable, and the circuit pattern may not be drawn well by screen printing.
また、この時、両加工面の平行度は０．５ｍｍ以下であることが好ましい。平行度が０．５ｍｍを超えるとスクリーン印刷時に導電ペーストの厚みのバラツキが大きくなることがある。平行度は０．１ｍｍ以下であれば特に好適である。さらに、スクリーン印刷する面の平面度は、０．５ｍｍ以下であることが好ましい。０．５ｍｍを超える平面度の場合にも、導電ペーストの厚みのバラツキが大きくなることがある。平面度も０．１ｍｍ以下であれば特に好適である。 At this time, the parallelism of both processed surfaces is preferably 0.5 mm or less. When the parallelism exceeds 0.5 mm, the thickness of the conductive paste may vary greatly during screen printing. The parallelism is particularly preferably 0.1 mm or less. Furthermore, the flatness of the screen printing surface is preferably 0.5 mm or less. Even in the case of flatness exceeding 0.5 mm, the variation in the thickness of the conductive paste may increase. A flatness of 0.1 mm or less is particularly suitable.
研磨加工を施した焼結体に、スクリーン印刷により導電ペーストを塗布し、電気回路の形成を行う。導体ペーストは、金属粉末と必要に応じて酸化物粉末と、バインダーと溶剤を混合することにより得ることができる。金属粉末は、セラミックスとの熱膨張係数のマッチングから、タングステンやモリブデンあるいはタンタルが好ましい。 A conductive paste is applied by screen printing to the polished sintered body to form an electric circuit. The conductive paste can be obtained by mixing metal powder, oxide powder as necessary, binder and solvent. The metal powder is preferably tungsten, molybdenum or tantalum from the viewpoint of matching the thermal expansion coefficient with ceramics.
また、ＡｌＮとの密着強度を高めるために、酸化物粉末を添加することもできる。酸化物粉末は、ＩＩａ族元素やＩＩＩａ族元素の酸化物やＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２などが好ましい。特に、酸化イットリウムはＡｌＮに対する濡れ性が非常に良好であるので、好ましい。これらの酸化物の添加量は、０．１〜３０ｗｔ％が好ましい。０．１ｗｔ％未満の場合、形成した電気回路である金属層とＡｌＮとの密着強度が低下する。また３０ｗｔ％を超えると、電気回路である金属層の電気抵抗値が高くなる。 In order to increase the adhesion strength with AlN, an oxide powder can also be added. The oxide powder is preferably an oxide of a IIa group element or a IIIa group element, Al 2 O 3 , SiO 2 or the like. In particular, yttrium oxide is preferable because it has very good wettability to AlN. The addition amount of these oxides is preferably 0.1 to 30 wt%. When the content is less than 0.1 wt%, the adhesion strength between the metal layer, which is the formed electric circuit, and AlN is lowered. Moreover, when it exceeds 30 wt%, the electrical resistance value of the metal layer which is an electric circuit will become high.
導電ペーストの厚みは、乾燥後の厚みで、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。厚みが５μｍ未満の場合は、電気抵抗値が高くなりすぎるとともに、密着強度も低下する。また、１００μｍを超える場合も、密着強度が低下する。 The thickness of the conductive paste is preferably 5 μm or more and 100 μm or less after drying. When the thickness is less than 5 μm, the electrical resistance value becomes too high and the adhesion strength also decreases. Moreover, also when exceeding 100 micrometers, adhesive strength falls.
また、形成する回路パターンが、ヒータ回路（抵抗発熱体回路）の場合は、パターンの間隔は０．１ｍｍ以上とすることが好ましい。０．１ｍｍ未満の間隔では、抵抗発熱体に電流を流したときに、印加電圧及び温度によっては漏れ電流が発生し、ショートする。特に、５００℃以上の温度で使用する場合には、パターン間隔は１ｍｍ以上とすることが好ましく、３ｍｍ以上であれば更に好ましい。 Moreover, when the circuit pattern to be formed is a heater circuit (resistance heating element circuit), the pattern interval is preferably 0.1 mm or more. If the interval is less than 0.1 mm, when a current is passed through the resistance heating element, a leakage current is generated depending on the applied voltage and temperature, resulting in a short circuit. In particular, when used at a temperature of 500 ° C. or higher, the pattern interval is preferably 1 mm or more, more preferably 3 mm or more.
次に、導電ペーストを脱脂した後、焼成する。脱脂は、窒素やアルゴン等の非酸化性雰囲気中で行う。脱脂温度は５００℃以上が好ましい。５００℃未満では、導電ペースト中のバインダーの除去が不十分で金属層内にカーボンが残留し、焼成したときに金属の炭化物を形成するので、金属層の電気抵抗値が高くなる。 Next, the conductive paste is degreased and fired. Degreasing is performed in a non-oxidizing atmosphere such as nitrogen or argon. The degreasing temperature is preferably 500 ° C. or higher. If the temperature is less than 500 ° C., the binder in the conductive paste is not sufficiently removed, and carbon remains in the metal layer, and metal carbide is formed when baked, so that the electrical resistance value of the metal layer becomes high.
焼成は、窒素やアルゴンなどの非酸化性雰囲気中で、１５００℃以上の温度で行うのが好適である。１５００℃未満の温度では、導電ペースト中の金属粉末の粒成長が進行しないので、焼成後の金属層の電気抵抗値が高くなり過ぎる。また、焼成温度はセラミックスの焼結温度を超えない方がよい。セラミックスの焼結温度を超える温度で導電ペーストを焼成すると、セラミックス中の含有する焼結助剤などが揮散しはじめ、更には導電ペースト中の金属粉末の粒成長が促進されてセラミックスと金属層との密着強度が低下する。 Firing is preferably performed at a temperature of 1500 ° C. or higher in a non-oxidizing atmosphere such as nitrogen or argon. When the temperature is less than 1500 ° C., the particle growth of the metal powder in the conductive paste does not proceed, so that the electric resistance value of the fired metal layer becomes too high. The firing temperature should not exceed the sintering temperature of the ceramic. When the conductive paste is fired at a temperature exceeding the sintering temperature of the ceramic, the sintering aid contained in the ceramic begins to evaporate, and further, the grain growth of the metal powder in the conductive paste is promoted, and the ceramic and the metal layer. The adhesion strength of the is reduced.
次に、形成した金属層の絶縁性を確保するために、金属層の上に絶縁性コートを形成することができる。絶縁性コートの材質は、金属層が形成されているセラミックスと同じ材質であることが好ましい。該セラミックスと絶縁性コートの材質が大幅に異なると、熱膨張係数の差から焼結後に反りが発生するなどの問題が生じる。例えば、ＡｌＮの場合、ＡｌＮ粉末に焼結助剤として所定量のＩＩａ族元素あるいはＩＩＩａ族元素の酸化物や炭酸化物を加え、混合し、これにバインダーや溶剤を加え、ペーストとして、該ペーストをスクリーン印刷により、前記金属層の上に塗布することができる。 Next, in order to ensure the insulation of the formed metal layer, an insulating coat can be formed on the metal layer. The material of the insulating coat is preferably the same material as the ceramic on which the metal layer is formed. If the materials of the ceramic and the insulating coat are significantly different, problems such as warping after sintering occur due to the difference in thermal expansion coefficient. For example, in the case of AlN, a predetermined amount of Group IIa element or Group IIIa element oxide or carbonate is added to the AlN powder as a sintering aid, mixed, and a binder or solvent is added thereto, and the paste is used as a paste. It can apply | coat on the said metal layer by screen printing.
この時、添加する焼結助剤量は、０．０１ｗｔ％以上であることが好ましい。０．０１ｗｔ％未満では、絶縁性コートが緻密化せず、金属層の絶縁性を確保することが困難となる。また、焼結助剤量は２０ｗｔ％を超えないことが好ましい。２０ｗｔ％を超えると、過剰の焼結助剤が金属層中に浸透するので、金属層の電気抵抗値が変化してしまうことがある。塗布する厚みに特に制限はないが、５μｍ以上であることが好ましい。５μｍ未満では、絶縁性を確保することが困難となるからである。 At this time, the amount of the sintering aid to be added is preferably 0.01 wt% or more. If it is less than 0.01 wt%, the insulating coating will not be densified, and it will be difficult to ensure the insulating properties of the metal layer. Moreover, it is preferable that the amount of sintering aid does not exceed 20 wt%. If it exceeds 20 wt%, an excessive sintering aid penetrates into the metal layer, and the electrical resistance value of the metal layer may change. Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness to apply | coat, It is preferable that it is 5 micrometers or more. This is because if it is less than 5 μm, it is difficult to ensure insulation.
次に、必要に応じて更にセラミックス基板を積層することができる。積層は、接合剤を介して行うのが良い。接合剤は、酸化アルミニウム粉末や窒化アルミニウム粉末に、ＩＩａ族元素化合物やＩＩＩａ族元素化合物とバインダーや溶剤を加え、ペースト化したものを接合面にスクリーン印刷等の手法で塗布する。塗布する接合剤の厚みに特に制約はないが、５μｍ以上であることが好ましい。５μｍ未満の厚みでは、接合層にピンホールや接合ムラ等の接合欠陥が生じやすくなる。 Next, a ceramic substrate can be further laminated as required. Lamination is preferably performed via a bonding agent. The bonding agent is obtained by adding a IIa group element compound or a group IIIa element compound and a binder or a solvent to aluminum oxide powder or aluminum nitride powder, and applying the paste to the bonding surface by a method such as screen printing. Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of the bonding agent to apply | coat, it is preferable that it is 5 micrometers or more. When the thickness is less than 5 μm, bonding defects such as pinholes and bonding unevenness easily occur in the bonding layer.
接合剤を塗布したセラミックス基板を、非酸化性雰囲気中、５００℃以上の温度で脱脂する。その後、積層するセラミックス基板を重ね合わせ、所定の荷重を加え、非酸化性雰囲気中で加熱することにより、セラミックス基板同士を接合する。荷重は、０．０５ｋｇ／ｃｍ２以上であることが好ましい。０．０５ｋｇ／ｃｍ２未満の荷重では、充分な接合強度が得られないか、もしくは前記接合欠陥が生じやすい。 The ceramic substrate coated with the bonding agent is degreased at a temperature of 500 ° C. or higher in a non-oxidizing atmosphere. Thereafter, the ceramic substrates to be stacked are superposed, a predetermined load is applied, and the ceramic substrates are bonded together by heating in a non-oxidizing atmosphere. The load is preferably 0.05 kg / cm 2 or more. When the load is less than 0.05 kg / cm 2 , sufficient bonding strength cannot be obtained, or the bonding defect is likely to occur.
接合するための加熱温度は、セラミックス基板同士が接合層を介して十分密着する温度であれば、特に制約はないが、１５００℃以上であることが好ましい。１５００℃未満では、十分な接合強度が得られにくく、接合欠陥を生じやすい。前記脱脂ならびに接合時の非酸化性雰囲気は、窒素やアルゴンなどを用いることが好ましい。 The heating temperature for bonding is not particularly limited as long as the ceramic substrates are sufficiently adhered to each other through the bonding layer, but is preferably 1500 ° C. or higher. If it is less than 1500 degreeC, sufficient joint strength is hard to be obtained and it will be easy to produce a joint defect. Nitrogen or argon is preferably used for the non-oxidizing atmosphere during the degreasing and bonding.
以上のようにして、ウェハ保持体となるセラミックス積層焼結体を得ることができる。なお、電気回路は、導電ペーストを用いずに、例えば、ヒータ回路であれば、モリブデン線（コイル）、静電吸着用電極やＲＦ電極などの場合には、モリブデンやタングステンのメッシュ（網状体）を用いることも可能である。 As described above, a ceramic laminated sintered body serving as a wafer holder can be obtained. For example, if the electric circuit is a heater circuit without using a conductive paste, for example, a molybdenum wire (coil), an electrostatic adsorption electrode or an RF electrode, a mesh of molybdenum or tungsten (network) It is also possible to use.
この場合、ＡｌＮ原料粉末中に上記モリブデンコイルやメッシュを内蔵させ、ホットプレス法により作製することができる。ホットプレスの温度や雰囲気は、前記ＡｌＮの焼結温度、雰囲気に準ずればよいが、ホットプレス圧力は、１０ｋｇ／ｃｍ２以上加えることが望ましい。１０ｋｇ／ｃｍ２未満では、モリブデンコイルやメッシュとＡｌＮの間に隙間が生じることがあるので、ウェハ保持体の性能が出なくなることがある。 In this case, the molybdenum coil and mesh are incorporated in the AlN raw material powder, and can be manufactured by a hot press method. The hot press temperature and atmosphere may be the same as the AlN sintering temperature and atmosphere, but the hot press pressure is preferably 10 kg / cm 2 or more. If it is less than 10 kg / cm 2 , a gap may be formed between the molybdenum coil or mesh and AlN, and the performance of the wafer holder may not be achieved.
次に、コファイアー法について説明する。前述した原料スラリーをドクターブレード法によりシート成形する。シート成形に関して特に制約はないが、シートの厚みは、乾燥後で３ｍｍ以下が好ましい。シートの厚みが３ｍｍを超えると、スラリーの乾燥収縮量が大きくなるので、シートに亀裂が発生する確率が高くなる。 Next, the cofire method will be described. The raw material slurry described above is formed into a sheet by a doctor blade method. Although there is no restriction | limiting in particular regarding sheet shaping | molding, As for the thickness of a sheet | seat, 3 mm or less is preferable after drying. If the thickness of the sheet exceeds 3 mm, the amount of drying shrinkage of the slurry increases, so that the probability of cracking in the sheet increases.
上述したシート上に所定形状の電気回路となる金属層を、導体ペーストをスクリーン印刷などの手法により塗布することにより形成する。導電ペーストは、ポストメタライズ法で説明したものと同じものを用いることができる。ただし、コファイアー法では、導電ペーストに酸化物粉末を添加しなくても支障はない。 A metal layer to be an electric circuit having a predetermined shape is formed on the above-described sheet by applying a conductive paste by a technique such as screen printing. The same conductive paste as that described in the post metallization method can be used. However, in the cofire method, there is no problem even if the oxide powder is not added to the conductive paste.
次に、回路形成を行ったシート及び回路形成をしていないシートを積層する。積層の方法は、各シートを所定の位置にセットし、重ね合わせる。この時、必要に応じて各シート間に溶剤を塗布しておく。重ね合わせた状態で、必要に応じて加熱する。加熱する場合、加熱温度は、１５０℃以下であることが好ましい。これを超える温度に加熱すると、積層したシートが大きく変形する。そして、重ね合わせたシートに圧力を加えて一体化する。加える圧力は、１〜１００ＭＰａの範囲が好ましい。１ＭＰａ未満の圧力では、シートが充分に一体化せず、その後の工程中に剥離することがある。また、１００ＭＰａを超える圧力を加えると、シートの変形量が大きくなりすぎる。 Next, the sheet on which the circuit is formed and the sheet on which the circuit is not formed are stacked. In the laminating method, each sheet is set at a predetermined position and overlapped. At this time, a solvent is applied between the sheets as necessary. In the state of being overlaid, heat as necessary. When heating, it is preferable that heating temperature is 150 degrees C or less. When heated to a temperature exceeding this, the laminated sheets are greatly deformed. Then, the stacked sheets are integrated by applying pressure. The applied pressure is preferably in the range of 1 to 100 MPa. If the pressure is less than 1 MPa, the sheets may not be sufficiently integrated and may peel during the subsequent steps. Further, when a pressure exceeding 100 MPa is applied, the deformation amount of the sheet becomes too large.
この積層体を、前述のポストメタライズ法と同様に、脱脂処理並びに焼結を行う。脱脂処理や焼結の温度や、炭素量等はポストメタライズ法と同じである。前述した、導電ペーストをシートに印刷する際に、複数のシートにそれぞれヒータ回路や静電吸着用電極等を印刷し、それらを積層することで、複数の電気回路を有するウェハ保持体を容易に作成することも可能である。このようにして、ウェハ保持体となるセラミックス積層焼結体を得ることができる。 This laminated body is degreased and sintered in the same manner as the above-described post metallization method. The degreasing treatment and sintering temperature, the amount of carbon, etc. are the same as in the post metallization method. When printing the conductive paste on a sheet as described above, a wafer holding body having a plurality of electric circuits can be easily obtained by printing a heater circuit, an electrostatic adsorption electrode, etc. on each of the sheets and laminating them. It is also possible to create it. In this way, a ceramic laminated sintered body serving as a wafer holder can be obtained.
得られたセラミックス積層焼結体は、必要に応じて加工を施す。通常、焼結した状態では、半導体製造装置で要求される精度に入らないことが多い。加工精度は、例えば、ウェハ搭載面の平面度は０．５ｍｍ以下が好ましく、さらには０．１ｍｍ以下が特に好ましい。平面度が０．５ｍｍを超えると、ウェハーとウェハ保持体との間に隙間が生じやすくなり、ウェハ保持体の熱がウェハに均一に伝わらなくなり、ウェハの温度ムラが発生しやすくなる。 The obtained ceramic laminated sintered body is processed as necessary. Usually, in the sintered state, the accuracy required for a semiconductor manufacturing apparatus is often not reached. As for the processing accuracy, for example, the flatness of the wafer mounting surface is preferably 0.5 mm or less, more preferably 0.1 mm or less. When the flatness exceeds 0.5 mm, a gap is likely to be formed between the wafer and the wafer holder, and the heat of the wafer holder is not transmitted uniformly to the wafer, and the temperature unevenness of the wafer is likely to occur.
また、ウェハ搭載面の面粗さは、Ｒａで５μｍ以下が好ましい。Ｒａで５μｍを超えると、ウェハ保持体とウェハとの摩擦によって、ＡｌＮの脱粒が多くなることがある。この時、脱粒した粒子はパーティクルとなり、ウェハ上への成膜やエッチングなどの処理に対して悪影響を与えることになる。さらに、表面粗さは、Ｒａで１μｍ以下であれば、好適である。 The surface roughness of the wafer mounting surface is preferably 5 μm or less in terms of Ra. When Ra exceeds 5 μm, AlN degranulation may increase due to friction between the wafer holder and the wafer. At this time, the shed particles become particles, which adversely affects processing such as film formation and etching on the wafer. Further, the surface roughness is preferably 1 μm or less in terms of Ra.
また、本発明の平面部を有する突起は、機械加工やサンドブラストなどの公知の加工方法を用いて作製することができる。この時、突起の平面部は、前記ウェハ搭載面であるが、面粗さや全体的な平面度は前記したウェハ搭載面の面粗さや平面度の範囲内になるように、突起の形成時には注意しなければならない。 Further, the projection having the flat portion of the present invention can be produced by using a known processing method such as machining or sandblasting. At this time, the flat portion of the protrusion is the wafer mounting surface, but care must be taken when forming the protrusion so that the surface roughness and overall flatness are within the range of the surface roughness and flatness of the wafer mounting surface. Must.
以上のようにして、ウェハ保持体本体を作製することができる。さらに、このウェハ保持体にシャフトを取り付ける。シャフトの材質は、ウェハ保持体のセラミックスの熱膨張係数と大きく違わない熱膨張係数のものであれば特に制約はないが、ウェハ保持体との熱膨張係数の差が５×１０−６／Ｋ以下であることが好ましい。 As described above, the wafer holder body can be manufactured. Further, a shaft is attached to the wafer holder. The material of the shaft is not particularly limited as long as it has a thermal expansion coefficient that is not significantly different from the thermal expansion coefficient of the ceramic of the wafer holder, but the difference in thermal expansion coefficient from the wafer holder is 5 × 10 −6 / K. The following is preferable.
熱膨張係数の差が、５×１０−６／Ｋを超えると、取付時にウェハ保持体とシャフトの接合部付近にクラックなどが発生したり、接合時にクラックが発生しなくても、繰り返し使用しているうちに接合部に熱サイクルが加わり、割れやクラックが発生することがある。例えば、ウェハ保持体がＡｌＮの場合、シャフトの材質は、ＡｌＮが最も好適であるが、窒化珪素や炭化珪素あるいはムライト等が使用できる。 If the difference in thermal expansion coefficient exceeds 5 × 10 −6 / K, it can be used repeatedly even if cracks occur near the joint between the wafer holder and the shaft during mounting, or even if cracks do not occur during bonding. In the meantime, a thermal cycle is applied to the joint, and cracks and cracks may occur. For example, when the wafer holder is AlN, the shaft material is most preferably AlN, but silicon nitride, silicon carbide, mullite, or the like can be used.
取付は、接合層を介して接合する。接合層の成分は、ＡｌＮ及びＡｌ２Ｏ３並びに希土類酸化物からなることが好ましい。これらの成分は、ウェハ保持体やシャフトの材質であるＡｌＮなどのセラミックスと濡れ性が良好であるので、接合強度が比較的高くなり、また接合面の気密性も得られやすいので好ましい。 The attachment is performed via a bonding layer. The component of the bonding layer is preferably composed of AlN, Al 2 O 3 and a rare earth oxide. These components are preferable because they have good wettability with ceramics such as AlN, which is the material of the wafer holder and the shaft, so that the bonding strength is relatively high and the airtightness of the bonding surface is easily obtained.
また、接合層の成分として、ＺｎＯ系の結晶化ガラスを用いることもできる。この場合、ガラスの結晶化温度が、７００〜８００℃であるので、比較的低温で接合することができるので好ましい。しかし、該ガラス成分が半導体製造装置のチャンバー内の雰囲気ガスに侵される場合もあるので、半導体製造の条件によっては、結晶化ガラスを使用できない場合もある。 Further, ZnO-based crystallized glass can also be used as a component of the bonding layer. In this case, since the crystallization temperature of glass is 700-800 degreeC, since it can join at comparatively low temperature, it is preferable. However, since the glass component may be attacked by the atmospheric gas in the chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, crystallized glass may not be used depending on the semiconductor manufacturing conditions.
接合するシャフト並びにウェハ保持体それぞれの接合面の平面度は０．５ｍｍ以下であることが好ましい。これを超えると接合面に隙間が生じやすくなり、十分な気密性を持つ接合を得ることが困難となる。平面度は０．１ｍｍ以下がさらに好適である。なお、ウェハ保持体の接合面の平面度は０．０２ｍｍ以下であればさらに好適である。また、それぞれの接合面の面粗さは、Ｒａで５μｍ以下であることが好ましい。これを超える面粗さの場合、やはり接合面に隙間が生じやすくなる。面粗さは、Ｒａで１μｍ以下がさらに好適である。 The flatness of the joining surfaces of the shaft to be joined and the wafer holder is preferably 0.5 mm or less. Beyond this, a gap is likely to occur on the joint surface, making it difficult to obtain a joint with sufficient airtightness. The flatness is more preferably 0.1 mm or less. The flatness of the bonding surface of the wafer holder is more preferably 0.02 mm or less. Further, the surface roughness of each joint surface is preferably 5 μm or less in terms of Ra. In the case of surface roughness exceeding this, a gap is easily generated on the joint surface. The surface roughness is more preferably 1 μm or less in terms of Ra.
次に、ウェハ保持体に電極を取り付ける。取付は、公知の手法で行うことができる。例えば、ウェハ保持体のウェハ保持面と反対側から電気回路までザグリ加工を施し、電気回路にメタライズを施すかあるいはメタライズなしで直接活性金属ろうを用いて、モリブデンやタングステン等の電極を接続すればよい。その後必要に応じて電極にメッキを施し、耐酸化性を向上させることができる。このようにして半導体製造装置用ウェハ保持体を作製することができる。 Next, an electrode is attached to the wafer holder. Attachment can be performed by a known method. For example, if you apply counterbore processing from the opposite side of the wafer holding surface of the wafer holder to the electrical circuit and either metallize the electrical circuit or use an active metal brazing directly without metallization, connect electrodes such as molybdenum and tungsten Good. Thereafter, the electrode can be plated as necessary to improve oxidation resistance. In this way, a wafer holder for a semiconductor manufacturing apparatus can be manufactured.
また、本発明のウェハ保持体を半導体装置に組み込んで、半導体ウェハを処理することができる。本発明のウェハ保持体は、ウェハ保持面の温度が均一であるので、ウェハの温度分布も従来より均一になるので、形成される膜や熱処理等に対して、安定した特性を得ることができる。 In addition, a semiconductor wafer can be processed by incorporating the wafer holder of the present invention into a semiconductor device. In the wafer holder of the present invention, since the temperature of the wafer holding surface is uniform, the temperature distribution of the wafer is also more uniform than before, so that stable characteristics can be obtained for the formed film, heat treatment, and the like. .
９９重量部の窒化アルミニウム粉末と１重量部のＹ２Ｏ３粉末を混合し、ポリビニルブチラールをバインダー、ジブチルフタレートを溶剤として、それぞれ１０重量部、５重量部混合して、ドクターブレード法にて直径４３０ｍｍ、厚さ１．０ｍｍのグリーンシートを成形した。なお、窒化アルミニウム粉末は、平均粒径０．６μｍ、比表面積３．４ｍ２／ｇのものを使用した。また、平均粒径が２．０μｍのＷ粉末を１００重量部として、Ｙ２Ｏ３を１重量部と、５重量部のバインダーであるエチルセルロースと、溶剤としてブチルカルビトールを用いてＷペーストを作製した。混合にはポットミルと三本ロールを用いた。このＷペーストをスクリーン印刷で、前記グリーンシート上に、ヒータ回路パターンを形成した。 99 parts by weight of aluminum nitride powder and 1 part by weight of Y 2 O 3 powder are mixed, and polyvinyl butyral is used as a binder and dibutyl phthalate is used as a solvent. A green sheet having a thickness of 430 mm and a thickness of 1.0 mm was formed. The aluminum nitride powder used had an average particle size of 0.6 μm and a specific surface area of 3.4 m 2 / g. Also, a W paste was prepared using 100 parts by weight of W powder having an average particle size of 2.0 μm, 1 part by weight of Y 2 O 3 , 5 parts by weight of ethyl cellulose as a binder, and butyl carbitol as a solvent. did. A pot mill and three rolls were used for mixing. The W paste was screen printed to form a heater circuit pattern on the green sheet.
ヒータ回路を印刷したグリーンシートに、別の１．０ｍｍ厚のグリーンシートを複数積層し、積層体を作製した。積層はモールドにシートを重ねてセットし、プレス機にて５０℃に熱しつつ、１０ＭＰａの圧力で２分間熱圧着することで行った。その後、窒素雰囲気中で６００℃にて脱脂を行い、窒素雰囲気中で１８００℃、３時間の条件で焼結を行いウェハ保持体を作製した。なお、焼結後、ウェハー保持面はＲａで１μｍ以下になるよう研磨加工を施した。また外径も仕上加工を行った。加工後のウェハ保持体の寸法は、外径３４０ｍｍで、厚みは２０ｍｍである。 A plurality of other green sheets with a thickness of 1.0 mm were laminated on the green sheet on which the heater circuit was printed, to produce a laminate. Lamination was performed by stacking sheets on a mold, and thermocompression bonding at a pressure of 10 MPa for 2 minutes while heating to 50 ° C. with a press. Then, degreasing was performed at 600 ° C. in a nitrogen atmosphere, and sintering was performed in a nitrogen atmosphere at 1800 ° C. for 3 hours to produce a wafer holder. After sintering, the wafer holding surface was polished so that the Ra was 1 μm or less. The outer diameter was also finished. The processed wafer holder has an outer diameter of 340 mm and a thickness of 20 mm.
次に、ウェハ保持面にドリル加工により、次のような突起を形成したウェハ保持体を作製した。すなわち、突起の平面部の直径が、１、２．５４、４、６、８、１０ｍｍで、５３２個の突起（１５ｍｍピッチで配置）を形成したウェハ保持体及び直径が、１、２．５４、４、６、８、１０、１２、１５、２０ｍｍで、１２７個の突起（４５ｍｍピッチで配置）を形成したウェハ保持体である。 Next, a wafer holder having the following protrusions formed on the wafer holding surface by drilling. That is, the diameter of the flat portion of the protrusion is 1, 2.54, 4, 6, 8, 10 mm, and the wafer holder on which 532 protrusions (arranged at a pitch of 15 mm) and the diameter are 1, 2.54. This is a wafer holder in which 127 projections (arranged at a pitch of 45 mm) are formed at 4, 6, 8, 10, 12, 15, 20 mm.
ウェハ保持面の反対側の面から、前記ヒータ回路まで２ヶ所ザグリ加工を行い、ヒータ回路を一部露出させた。露出したヒータ回路部にＷ製の電極を活性金属ろうを用いて直接接合した。この電極に通電することによりウェハ保持体を加熱し、均熱性を測定した。均熱性の測定は、１２インチウェハ温度計をウェハ保持面に搭載し、その温度分布を測定した。なお、ウェハ温度計の中心部の温度が５５０℃になるように、供給電力を調整した。均熱性の結果を、表１と表２に示す。 Two counterbores were made from the surface opposite to the wafer holding surface to the heater circuit to partially expose the heater circuit. An electrode made of W was directly joined to the exposed heater circuit portion using an active metal brazing. By energizing this electrode, the wafer holder was heated and the thermal uniformity was measured. For the measurement of thermal uniformity, a 12-inch wafer thermometer was mounted on the wafer holding surface, and the temperature distribution was measured. The supplied power was adjusted so that the temperature at the center of the wafer thermometer was 550 ° C. The soaking results are shown in Tables 1 and 2.
また、図示しないウェハリフトピンにより、ウェハを持ち上げた時、ウェハに破損等の問題が全く発生しなかったものを○、ウェハの一部にカケが発生したものを△、ウェハが破損したものを×として、表１にリフトテストとしてあわせて示す。なお、表１、２において、面積は、１個の突起の平面部の面積を、また、面積比は、突起の平面部の総面積とウェハ（直径１２インチ）の面積との比率を示す。 In addition, when the wafer is lifted by a wafer lift pin (not shown), the case where no problem such as breakage occurs in the wafer is indicated by ○, the case where a part of the wafer is broken is indicated by △, and the case where the wafer is damaged is indicated by ×. Table 1 also shows the lift test. In Tables 1 and 2, the area indicates the area of the flat portion of one protrusion, and the area ratio indicates the ratio of the total area of the flat portion of the protrusion to the area of the wafer (12 inches in diameter).
表１、２から判るように、１個の突起の平面部の面積を７０ｍｍ２以下にすることにより、ウェハ表面の温度分布を±１％以内にすることができる。更に、前記面積を３０ｍｍ２以下とすれば、ウェハ表面の温度分布を±０．５％以内にすることができる。また、突起の平面部の総面積をウェハ面積の４０％以下にすることにより、ウェハの脱着時の問題があまり発生しないようにすることができる。更に、１０％以下とすれば、ウェハ脱着時の問題を全く発生しないようにすることができる。 As can be seen from Tables 1 and 2 , the temperature distribution on the wafer surface can be made within ± 1% by setting the area of the flat portion of one protrusion to 70 mm 2 or less. Further, if the area is 30 mm 2 or less, the temperature distribution on the wafer surface can be within ± 0.5%. Further, by setting the total area of the flat portions of the protrusions to 40% or less of the wafer area, it is possible to prevent problems at the time of wafer attachment / detachment from occurring. Furthermore, if it is 10% or less, it is possible to prevent any problem at the time of wafer removal.
表１と２の各ウェハ保持体を半導体製造装置に組み込み、直径１２インチのＳｉウェハの上に、ＴｉＮ膜を形成した。その結果、Ｎｏ．６及びＮｏ．１５のウェハ保持体を用いた場合は、ＴｉＮの膜厚のバラツキが１５％以上と大きく、ウェハの脱着時にウェハが破損した。また、Ｎｏ．１２〜１４のウェハ保持体を用いた場合は、ＴｉＮの膜厚のバラツキが１５％以上と大きく、ウェハの脱着時にウェハが少しかけた程度であったが、Ｎｏ．１〜５及びＮｏ．７〜１１の各ウェハ保持体を用いた場合は、１０％以下と膜厚のバラツキが小さく、良好なＴｉＮ膜を形成することができ、ウェハ脱着時に全く問題がなかった。
Each wafer holder in Tables 1 and 2 was incorporated in a semiconductor manufacturing apparatus, and a TiN film was formed on a Si wafer having a diameter of 12 inches. As a result, no. 6 and no. When 15 wafer holders were used, the variation in TiN film thickness was as large as 15% or more, and the wafer was damaged when the wafer was removed. No. When the wafer holders 12 to 14 were used, the variation in the film thickness of TiN was as large as 15% or more, and the wafer was slightly worn at the time of wafer removal. 1-5 and no. When each of the
以上のように、本発明によれば、平面部を有する突起において、１個の突起の平面部の面積を７０ｍｍ２以下とすることにより、均熱性に優れたウェハ保持体及び半導体製造装置を提供することができる。また、突起の平面部の総面積をウェハ面積の４０％以下とすれば、ウェハの脱着時の問題の発生を抑制することができる。 As described above, according to the present invention, a wafer holding body and a semiconductor manufacturing apparatus excellent in heat uniformity can be provided by setting the area of the planar portion of one projection to 70 mm 2 or less in the projection having the planar portion. can do. Further, if the total area of the flat portions of the protrusions is set to 40% or less of the wafer area, it is possible to suppress the occurrence of problems at the time of wafer removal.
１ ウェハ保持体
２ 突起
３ 外縁
４ ウェハ搭載面
５ 抵抗発熱体
６ ウェハ
７ 高温部
８ 低温部
DESCRIPTION OF
Claims (3)
A semiconductor manufacturing apparatus on which the wafer holder according to claim 1 is mounted.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006146235A JP2006319344A (en) | 2006-05-26 | 2006-05-26 | Wafer holder for semiconductor production system and semiconductor production system mounting same |
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